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WO2000068981A1 - Procede de croissance d'une couche d'oxyde de silicium de faible epaisseur sur une surface de substrat de silicium et machine a deux reacteurs - Google Patents

Procede de croissance d'une couche d'oxyde de silicium de faible epaisseur sur une surface de substrat de silicium et machine a deux reacteurs Download PDF

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Publication number
WO2000068981A1
WO2000068981A1 PCT/FR2000/001181 FR0001181W WO0068981A1 WO 2000068981 A1 WO2000068981 A1 WO 2000068981A1 FR 0001181 W FR0001181 W FR 0001181W WO 0068981 A1 WO0068981 A1 WO 0068981A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ions
silicon substrate
substrate
silicon
oxide
Prior art date
Application number
PCT/FR2000/001181
Other languages
English (en)
Inventor
Michael Korwin-Pawlowski
Jean-Pierre Lazzari
Gilles Borsoni
Original Assignee
X-Ion
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by X-Ion filed Critical X-Ion
Priority to JP2000617484A priority Critical patent/JP2002544665A/ja
Priority to AU45741/00A priority patent/AU4574100A/en
Priority to EP00927311A priority patent/EP1183717A1/fr
Publication of WO2000068981A1 publication Critical patent/WO2000068981A1/fr

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    • H01L21/02301—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment in-situ cleaning

Definitions

  • the invention relates to a method for growing a thin layer of silicon oxide on a surface of a silicon substrate, such a layer being in particular capable of forming a diffusion barrier of refractory oxides for integrated electronic components.
  • the invention applies to the field of microelectronics on silicon substrate for the manufacture of integrated circuits and memories with very high integration density, and more specifically to electronic components integrated into such circuits or memories, such as diodes or transistors, which involve active interfaces between a silicon substrate and insulating oxides.
  • a MOS type transistor is, as illustrated in section in FIG. 1, in the form of a monocrystalline silicon substrate 10, conventionally cut along the crystallographic plane 100.
  • This substrate comprises two strongly doped zones n + , constituting two electrodes, the source 11 and the drain 12, limited by two terminals 15 and 16 formed by thick layers of Si0 2 , with a thickness of the order of 1 to 3 ⁇ m, and called “field oxides "
  • the substrate 10 is surmounted by a grid 20 which has a surface 14 in contact with the substrate.
  • the lower part of the grid consists of an oxide layer forming the grid oxide 30.
  • the source, the drain and the grid form three poles.
  • the source and the drain are coated with metallic contact blades 40, generally made of aluminum, completing the Metal - Semiconductor Oxide structure (or in short MOS) of the transistor.
  • a current flows in an active portion 13 of the substrate, called “Channel”, located between the source and the drain and facing the surface 14 of the gate 20.
  • This current is controlled by the polarity of the gate which, with the channel 13, constitutes the faces of a capacitor.
  • the capacity of this capacitor is proportional to the relative dielectric constant of the insulator formed between them by the gate oxide (relative dielectric constant " ⁇ r " equal to 4.4 for Si0 2 ).
  • the gate oxide and the field oxide are conventionally produced by thermal oxidation at high temperature, of the order of 900 to 1000 ° C. Since the accuracy of the measurements must be better than a tenth of the thickness of the layers, the thickness of the grid oxide is more difficult to control: with a grid oxide of thickness approximately equal to 25 ⁇ , the control of thickness should be more precise than ⁇ 1.25 ⁇ , which in fact constitutes the limit of what it is possible to achieve industrially with current processes.
  • IBD ion bombardment deposition under oxidizing conditions
  • an object of the invention is to form a thin layer of silica of constant thickness and less than 10 ⁇ on the surface of the silicon, without this layer having any structural defects of the “pinhole” type. .
  • Such a thin layer can then serve as an effective diffusion barrier of refractory oxides to look at the active surface of the silicon substrate by prohibiting any interactive contact with the silicon substrate.
  • a process for the treatment of silicon surface by remote ion interaction has been described in French patent application FR 2 757 881.
  • the purpose of this process is to treat said surface to clean it and form a layer of a compound therein. insulating. However, it implements the interaction between highly charged ions (for example Argon Ar 17+ or Ar 18+ ions) and a silicon surface along the crystallographic plane 111.
  • highly charged ions for example Argon Ar 17+ or Ar 18+ ions
  • an orientation silicon substrate 100 has connections which are substantially more difficult to oxidize than a section of orientation 111 silicon.
  • the highly charged ions create electrostatic charges in the Si0 2 and weaken the Si-0 bonds: agglomerates of Si0 2 will burst by a "Coulomb explosion" effect.
  • the formation of craters created by the Coulomb explosion effect is not very compatible with the deposition of a refractory oxide on such a surface.
  • the invention provides a method of growing a layer of thin silicon oxide less than 10 ⁇ on the surface of a silicon substrate oriented along the plane 100, said layer being in particular suitable for form a diffusion barrier of refractory oxides for integrated electronic components, the method consisting in cleaning said silicon surface, in producing vacuum weakly charged oxidizing ions, in directing these ions towards said surface while controlling their kinetic energy so that their speed is substantially zero when approaching said surface, so as to causing an opening of Si-Si bonds on said surface and filling these bonds with oxygen ions, the silicon substrate being maintained at a temperature below 500 ° C.
  • the process performs an oxidation in two phases, a first rapid phase of formation of a monolayer of Si0 2 , by saturation of the pendant bonds with oxygen ions, then a phase of slow oxidation of silicon by the oxidizing ions through the monolayer forming a screen, with a low oxidation speed, which tends asymptotically towards zero, but homogeneous over the entire surface.
  • a homogeneous and slow oxidation makes it possible to control the thickness of the layer with precision.
  • the silicon substrate is cleaned beforehand by vacuum etching of the native oxide formed on the substrate.
  • This cleaning can be carried out by a process of reactive ion etching type, known to those skilled in the art (abbreviated RIE, initials of Reactive Ionic Etching in English terminology). Then, the process is checked under vacuum using the following parameters:
  • the oxidizing ions are 0 + ions
  • the source produces ions whose kinetic energy is a few keV / q (q being the number of charges per ion), generally from 1 to 20 keV / q, and the values of the extraction voltages are of the order a few kilovolts; the density of the ion beam at the level of the interaction with the substrate is between 10 12 and 10 14 ⁇ ons / cm 2 .s;
  • a fine selection of the ions in speed and in direction is carried out by filtering means of bandpass or highpass type with electric field, which selects the ions according to their kinetic energy, coupled to collimation means, which eliminate ions whose lateral velocity is greater than a certain threshold, constituted for example by a series of diaphragms of the order of a millimeter in diameter.
  • the invention provides a method of growing a thin layer of silicon oxide on the surface of a silicon substrate oriented along the plane 100, consisting in completing a step of cleaning said surface with a passivation stage of this surface using a hydrogenation forming a monolayer of hydrogen, to produce under vacuum ions of a rare gas moderately and uniformly charged, the charge per ion being taken in the interval varying between +1 and +14 , and to direct them towards said surface while controlling their kinetic energy so that their speed is substantially zero when approaching said surface, so as to cause an opening of the pendant Si-H bonds at said surface, and to introduce under vacuum oxygen gas controlled in pressure so as to fill the open bonds, the silicon substrate being maintained at a temperature below 500 ° C.
  • the hydrogenation can be carried out using a hydrofluoric acid and ammonium ion bath.
  • the passivation thus obtained is of the type used by the company BELL TELEPHONE Inc.
  • This process is self-stopping because the phase of opening of the bonds on the hydrogen monolayer is self-stopping. Indeed, the electrostatic charges generated by the continuous supply of new ions are neutralized by electrons from the semiconductor substrate. Then, the oxidation layer can only form on the pendant bonds from the hydrogen monolayer.
  • the production of the thin layer of Si0 2 is controlled by the following parameters: production of ions by application of an extraction voltage at the output of an ion source, control of the ions in the direction by magnetic sorting as a function of the mass / charge ratio, then deceleration of these ions when approaching the silicon surface by the application of a deceleration voltage;
  • the source produces ions of kinetic energy of a few keV / q (q being the number of charges per ion), generally from 1 to 20 keV / q; the density of incident ions at the interaction level is between 10 12 and 10 14 ions / cm 2 , s;
  • means for fine selection of the ions in terms of speed and direction are constituted by a bandpass or high-pass type filter with an electric field, which selects the ions according to their kinetic energy, coupled to collimation means, which remove ions whose lateral velocity is above a certain threshold;
  • the collimation means consist of a series of diaphragms of the order of a millimeter in diameter; the values of the extraction and deceleration voltages are of the order of a few kV;
  • the process is controlled by the charge of the selected ions, the density of these ions at the level of the interaction, and the temperature of the substrate.
  • a device for controlling the position of the ion beam is arranged in the path of the beam;
  • the ions are rare gas ions, in particular Argon ions whose uniform charge is broadly between +1 and +14; -
  • the silicon substrate is maintained under vacuum to receive a deposit of refractory oxide according to known methods.
  • the invention also relates to a three-chamber machine for producing a grid of integrated electronic component, implementing the method of the invention.
  • a machine has an entry airlock that can be used, if necessary, as an RIE vacuum etching enclosure. Etching can also be carried out in another reaction chamber.
  • the airlock serves as an inlet to a first reactor, dedicated to producing the thin layer of Si0 2 , and for transferring the silicon substrate thus oxidized from the first reactor to a second reactor dedicated to the deposition of the refractory metal oxide. This deposition is carried out by conventional sputtering means or by IBD.
  • FIG. 2 a sectional view of a MOS type transistor whose gate oxide consists of a thin layer of Si0 2 , formed according to the method of the invention, and a thicker layer d 'refractory metal oxide;
  • FIG. 3 a graph of the growth in the thickness of the layer of Si0 2 as a function of time according to a preferential oxidation process of the invention;
  • FIG. 5 the block diagram of a machine with two reactors for producing a grid of integrated electronic component, implementing the method of one invention.
  • the MOS transistor illustrated in FIG. 2 comprises, in addition to the field oxide, the source, the drain and the channel of the silicon substrate already represented in FIG. 1 with the same reference signs, a grid 21.
  • This grid generally made of polycrystallm silicon, according to the invention comprises a thin layer 31 of S ⁇ 0 2 , of equal thickness to about 5 ⁇ in the illustrated example, underlying a a layer 32 of titanium oxide T ⁇ 0 2 , of thickness equal to approximately 20 ⁇ .
  • the thin layer of S ⁇ 0 2 produced according to the preferred method of the invention, has a surface condition with a very low roughness, and a substantially constant thickness due to the homogeneity of oxidation obtained in accordance with the invention.
  • the silicon substrate 100 is firstly etched in a bath of hydrofluoric acid. This pickling is followed by rinsing with deionized water by permutation.
  • the substrate is placed in a vacuum reactor pushes between 10 "8 and 10 " 11 mbar by known pumping means.
  • the native oxide which could remain on the substrate is severe by RIE etching in a vacuum enclosure, well known to those skilled in the art, then, without breaking the vacuum chain, the substrate is introduced into the reactor to proceed to the growth of the actual thin oxide layer.
  • This reactor is equipped with an ion beam source
  • An ion source can be an electron cyclotron resonance type source
  • ECR initials of Electron Cyclotron Resonance in English terminology
  • the ions being confined in a plasma heated by radiofrequency waves.
  • the source produces ions with low kinetic energy, of a few keV / q (q being the number of charges per ion), generally from 1 to 20 keV / q, 10 keV / q in the example of implementation.
  • the kinetic energy of extraction is regulated by applying an extraction voltage, which is equal to 10 kV in the present case.
  • the source setting parameters are further adjusted to provide the desired ion flow rate.
  • the dimensions of the extracted ion beam are also adjusted by appropriate means, known to those skilled in the art, to define, with the flow rate, the density of the ion beam at the level of the substrate, that is to say a - say the number of ions per unit of area and time.
  • the extracted ions are sorted, according to their mass / charge ratio, by a sorting magnet associated with the source.
  • a “scanner” analyzer in Anglo-Saxon denomination
  • This scanner is formed of a wire, a grid or plates which collects the charges in two main and orthogonal directions, in order to allow a counting of the charges in these two directions. This counting then makes it possible to measure the intensity profiles and to identify the position of the beam.
  • a light detector comprising such a scanner and to establish the intensity profile and the position of the beam from the number of photons emitted by the ions captured on the wire, the grid or the plates.
  • the ions are more precisely selected by means of ion selection, consisting of:
  • a series of diaphragms with a diameter of the order of a millimeter, arranged a few tens of centimeters from each other: these means eliminate the ions whose lateral velocity component, perpendicular to the general direction of the beam, is greater than a given value, corresponding here to a kinetic energy of 1 eV / q.
  • the silicon substrate is maintained at a temperature below 500 ° C, of the order of 300 ° C for example, using a suitable heating system.
  • An electric deceleration field slows down the ions as they approach the silicon surface until they reach kinetic energy close to zero.
  • This electric field is produced in the middle of a flat capacitor formed by an electrode and the substrate between which a deceleration voltage is applied.
  • This voltage adjusted by a potentiometer, is generally adjusted between 1 and 20 kV, 10 kV in our example, to give each ion 0 + an energy between a few eV / q and 0.
  • the majority of the interactions of the ions with the substrate takes place at about ten Angstroms above the surface of the substrate.
  • the density of the ions in the area where they interact with the surface is controlled by the flow of the ion source and by the dimensions of the beam in that area.
  • the emission rate is adjusted by appropriate means known to those skilled in the art, and the beam is focused at the level of the interaction zone by means of unipolar electrostatic lenses or by the use of electric fields or magnetic.
  • the reaction mechanism which occurs during this interaction is an extraction of electrons from the silicon surface, causing the opening of the Si-Si bonds to the surface of the treated surface, and therefore the formation of pendant bonds. These pendant bonds are then filled with 0 + ions to form a surface layer of Si0 2 . Heating the silicon substrate facilitates the opening of the connections, the formation of the pending connections and the filling of these connections.
  • the oxidation of the silicon substrate takes place in two phases, as illustrated diagrammatically in FIG. 3 by the growth curve over time t of the thickness e of oxidized silicon:
  • a first phase A up to point P o corresponding to rapid oxidation during t 0 (for example a few seconds), during which the surface silicon bonds open to form pendant bonds, filled with 0 + ions as explained above;
  • the monolayer formed on the surface has a thickness e o , of approximately 3 to 5 ⁇ in the embodiment;
  • P 0 values of e o and to
  • shape of the asymptotic branch in phase B are directly dependent on the density of the ions, between 10 12 to 10 14 ⁇ ons / cm 2 .s, and on the temperature silicon, between 200 and 500 ° C.
  • the 0 + ion beam has an intensity of 10 ⁇ A and a section of 1 cm 2 ;
  • the density of incident ions is 6.10 13 ⁇ ons / cm 2 .s, which allows to oxidize 1 cm 2 of substrate after a duration of about 4 seconds;
  • the temperature is taken equal to 300 ° C.
  • the step of cleaning the silicon substrate is completed by a passivation step of the surface by hydrogenation using a bath of hydrofluoric acid and ammonium ions.
  • the silicon surface is then covered with a single layer of hydrogen forming Si-H bonds.
  • the presence of hydrogen on the surface delays the formation of the native oxide, which leaves sufficient time to introduce the substrate, after hydrogenation, into the reactor to carry out the oxidation.
  • Means for the production of weakly or moderately expanded ions, for example Ar 8+ are provided in place of the means for producing 0 + ions in the reactor described above. The means for applying voltage, selecting ions, and temperature are retained.
  • the Argon ions generated with an energy as low as that of the 0 + ions of the previous example, are directed towards the surface of the silicon substrate and decelerate on approaching this surface under the conditions described above.
  • the applied deceleration voltage makes it possible to prevent any penetration or any contact of the ions with the silicon surface.
  • the value of the deceleration voltage regulates the approach distance of the ions and the size of the electron extraction zone.
  • Argon ions approaching the silicon surface extract electrons from the hydrogenated monolayer, causing the appearance of pendant hydrogen bonds.
  • the Argon ions are then retroreflected by electrostatic repulsion due to the creation of positive electrostatic charges with respect to these ions during the extraction of the electrons.
  • the oxidation is then done by introducing oxygen gas into the vacuum enclosure, under a partial pressure between 10 ⁇ 5 and 10 "9 mbar, equal to 10 " 7 mbar in the embodiment. Each time you open a hydrogen bonding, filling with oxygen is carried out under these pressure conditions. Heating the silicon substrate to 300 ° C facilitates oxidation.
  • the phenomenon is self-stopping because the oxidation reaction slows down and stops by itself when there are no more hanging hydrogen bonds to be replaced by oxygen bonds on the surface. Indeed, as illustrated by FIG. 4, once a surface layer of S ⁇ 0 2 41 has been formed on the silicon substrate 40, the electrostatic charges generated by the arrival of new Argon Ar 8+ 42 ions are neutralized by the extraction of electrons 43 from deep layers of the silicon substrate 40. These electrons are transported through the surface layer 41 by an effect of the "tunnel effect" type.
  • the layer of monomolecular S ⁇ 0 2 formed has a thickness of the order of 3 to 5 ⁇ .
  • the control and the duration of the oxidation are regulated by the choice of the charge of the argon ions, +4 to +8, the density of these ions, preferably from 10 12 to 10 14 ions / cm 2 , the residual pressure and the temperature of the silicon substrate, between 200 and 500 ° C.
  • the Ar +8 ion beam forms a current of intensity equal to 80 ⁇ A with a section of 1 cm 2 ; the density of incident ions is 6.10 13 ⁇ ons / cm 2 .s, which makes it possible to oxidize 1 cm 2 of substrate after a duration t of approximately 1 second; and
  • the temperature is taken equal to 300 ° C.
  • This airlock of the silicon substrate also ensures the transfer of the oxidized substrate from the first reactor to the second reactor where the deposition of the oxide grid is produced by conventional means, sputtering or by ion bombardment under oxidizing condition.
  • the assembly of the two reactors and the airlock forms a machine 50.
  • the RIE etching step in order to eliminate the native oxide layer can be carried out in the airlock or in a third reactor (not shown).
  • the process can use 0 ++ ions, or ions from other oxidizing agents, such as ions from water vapor or other oxidizing gases.
  • oxidizing agents such as ions from water vapor or other oxidizing gases.
  • the production of ions can be stopped when the oxygen gas is sent or can be continued until the end of the oxidation.

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Abstract

L'invention s'applique à la micro-électronique et vise à former une couche d'oxyde de silicium (31) de faible épaisseur sur la surface d'un substrat de silicium (10) orientée selon le plan 100, pour servir notamment de barrière de diffusion à des oxydes réfractaires (32) de grille (21) de transistor (15, 16, 21). Le procédé consiste à nettoyer ladite surface de silicium, à produire sous vide des ions oxydants faiblement chargés et à les diriger vers ladite surface (14) tout en contrôlant leur énergie cinétique pour que leur vitesse soit sensiblement nulle à l'approche de ladite surface, de manière à provoquer une ouverture de liaisons Si-Si à ladite surface et à combler ces liaisons par des ions oxygène, le substrat de silicium étant maintenu à une température inférieure à 500 °C. Application à la fabrication de circuits intégrés et de mémoires à très haute densité d'intégration.

Description

PROCEDE DE CROISSANCE D'UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM DE FAIBLE EPAISSEUR SUR UNE SURFACE DE SUBSTRAT DE SILICIUM ET MACHINE A DEUX REACTEURS
L'invention concerne un procédé de croissance d'une couche d'oxyde de silicium de faible épaisseur sur une surface de substrat de silicium, une telle couche étant notamment apte à former une barrière de diffusion d'oxydes réfractaires pour des composants électroniques intégrés.
L'invention s'applique au domaine de la micro- électronique sur substrat de silicium pour la fabrication de circuits intégrés et de mémoires à très haute densité d' intégration, et plus précisément aux composants électroniques intégrés à de tels circuits ou mémoires, comme des diodes ou des transistors, qui font intervenir des interfaces actives entre un substrat de silicium et des oxydes isolants.
A titre d'exemple, un transistor de type MOS se présente, comme illustré en coupe par la figure 1, sous la forme d'un substrat de silicium monocristallin 10, découpé classiquement selon le plan cristallographique 100. Ce substrat comporte deux zones fortement dopées n+, constituant deux électrodes, la source 11 et le drain 12, limitées par deux bornes 15 et 16 formées de couches épaisses de Si02, d'une épaisseur de l'ordre de 1 à 3 μm, et appelées « oxydes de champ ».
Le substrat 10 est surmonté d'une grille 20 qui présente une surface 14 en contact avec le substrat. La partie inférieure de la grille est constituée d'une couche d'oxyde formant l'oxyde de grille 30. La source, le drain et la grille forment trois pôles. La source et le drain sont revêtus de lames de contact métalliques 40, en général en aluminium, complétant la structure Métal - Oxyde Semiconducteur (soit en abrégé MOS) du transistor.
En ajustant les polarités des électrodes, un courant circule dans une portion active 13 du substrat, appelée « canal », située entre la source et le drain et en regard de la surface 14 de la grille 20. Ce courant est contrôlé par la polarité de la grille qui constitue, avec le canal 13, les faces d'un condensateur. La capacité de ce condensateur est proportionnelle à la constante diélectrique relative de l'isolant formé entre eux par l'oxyde de grille (constante diélectrique relative « εr » égale à 4,4 pour le Si02) .
La largeur « L » de la grille et son rapport avec l'épaisseur « e » de l'oxyde de grille qui en résulte, constituent habituellement des caractéristiques qui définissent la génération technologique d'une filière micro-électronique. C'est ainsi qu'il existe en production la filière 0,35 μm (pour L = 0,35 μm et e = 45 Â) . La tendance restant à la miniaturisation, les filières 0,25 μm et 0,18 μm (pour une épaisseur d'oxyde de grille respectivement de l'ordre de 30-35 et 25 Â) sont actuellement en développement, alors que la filière 0,1 μm
(avec une épaisseur e de l'ordre de 10 à 12 Â) se trouve en étude avancée.
L'oxyde de grille et l'oxyde de champ sont réalisés classiquement par oxydation thermique à température élevée, de l'ordre de 900 à 1000°C. La précision des mesures devant être meilleure que le dixième de l'épaisseur des couches, l'épaisseur de l'oxyde de grille est plus difficile à contrôler : avec un oxyde de grille d'épaisseur environ égale à 25 Â, le contrôle d'épaisseur devrait être plus précis que ±1,25 Â, ce qui constitue en fait la limite de ce qu' il est possible d' atteindre industriellement avec les procédé actuels.
Une autre limitation provient du taux de défauts par unité de surface de l'oxyde de grille. Ce taux augmente sensiblement lorsque l'épaisseur de l'oxyde diminue du fait de la multiplication, dans l'oxyde de silicium 30, de trous minuscules (« pin holes » en terminologie anglo-saxonne) qui forment un court-circuit entre la grille 30 et le canal 13.
Pour s'affranchir de ce défaut, sans diminuer la capacité de l'oxyde de grille, il est connu de réaliser un oxyde de grille à l'aide d'oxydes de matériaux réfractaires de constante diélectrique relative sensiblement supérieure, comme par exemple du Ta205 (εr = 30) ou du Ti02 (εr = 86) . Un tel oxyde est obtenu par pulvérisation cathodique ou par dépôt par bombardement ionique sous condition oxydante (en abrégé IBD, initiales de Ion Beam Déposition en terminologie anglo-saxonne) . Il permet ainsi à capacité constante d'augmenter l'épaisseur d'isolant d'un facteur 10 ou 20.
Cependant, il convient de rechercher un compromis entre une augmentation d'épaisseur, propre à réduire le nombre de « pin-holes », et les performances physiques des composants, notamment en termes de fréquence de coupure, pour lesquelles on recherche toujours une réduction de capacité . De plus, une difficulté importante apparaît avec l'utilisation d'oxydes réfractaires : déposés sur le canal 13, ces oxydes s'allient dans le temps avec le silicium pour constituer le siliciure du métal réfractaire correspondant. Ce siliciure, formé juste sous la grille, détériore fortement la mobilité du canal.
La présente invention vise notamment à permettre l'utilisation de tels oxydes réfractaires sans que les composants aient à subir les chutes de performance précitées. Pour ce faire, un but de l'invention est de former une couche mince de silice d'épaisseur constante et inférieure à 10 Â à la surface du silicium, sans que cette couche ne présente de défauts de structure de type « pin- holes ».
Une telle couche de faible épaisseur peut alors servir de barrière de diffusion efficace d'oxydes réfractaires au regard de la surface active du substrat de silicium en interdisant tout contact interactif avec le substrat de silicium.
Un procédé de traitement de surface de silicium par interaction d'ions à distance a été décrit dans la demande de brevet français FR 2 757 881. Ce procédé a pour objet de traiter ladite surface pour la nettoyer et y former une couche d'un composé isolant. Cependant, il met en oeuvre l'interaction entre des ions fortement chargés (par exemple des ions Argon Ar17+ ou Ar18+) et une surface de silicium selon le plan cristallographique 111.
Appliqué à l'oxydation d'un substrat de silicium d'orientation 100, un tel procédé est à proscrire car un substrat de silicium d'orientation 100 présente des liaisons sensiblement plus difficiles à oxyder qu'une coupe de silicium d'orientation 111. Lorsque des zones de Si02 se forment, les ions fortement chargés créent des charges électrostatiques dans le Si02 et fragilisent les liaisons Si-0 : des agglomérats de Si02 vont éclater par un effet d' « explosion coulombienne ». Ainsi, il n'est pas possible d'obtenir une épaisseur d'oxyde contrôlable avec ce procédé. En outre, la formation de cratères créés par l'effet d'explosion coulombienne est peu compatible avec le dépôt d'un oxyde réfractaire sur une telle surface. Au contraire, un autre but de l'invention est d'obtenir une couche d'oxyde de faible épaisseur qui soit parfaitement contrôlée et notamment compatible avec une couche d'oxyde réfractaire déposé sur ladite couche d'oxyde de faible épaisseur. Pour atteindre ces buts, l'invention propose un procédé de croissance d'une couche d'oxyde de silicium de faible épaisseur inférieure à 10 Â sur la surface d'un substrat de silicium orientée selon le plan 100, ladite couche étant notamment apte à former une barrière de diffusion d'oxydes réfractaires pour des composants électroniques intégrés, le procédé consistant à nettoyer ladite surface de silicium, à produire sous vide des ions oxydants faiblement chargés, à diriger ces ions vers ladite surface tout en contrôlant leur énergie cinétique pour que leur vitesse soit sensiblement nulle à l'approche de ladite surface, de manière à provoquer une ouverture de liaisons Si-Si à ladite surface et à combler ces liaisons par des ions oxygène, le substrat de silicium étant maintenu à une température inférieure à 500°C. Le procédé réalise une oxydation en deux phases, une première phase rapide de formation d'une monocouche de Si02, par saturation des liaisons pendantes avec des ions oxygène, puis une phase d'oxydation lente du silicium par les ions oxydants à travers la monocouche formant écran, avec une vitesse d'oxydation faible, qui tend asymptotiquement vers zéro, mais homogène sur toute la surface. Une telle oxydation homogène et lente permet de contrôler l'épaisseur de la couche avec précision.
D'une manière générale, le substrat de silicium est préalablement nettoyé par gravure sous vide de l'oxyde natif formé sur le substrat. Ce nettoyage peut être réalisé par un procédé de type gravure ionique réactive, connu de l'homme de l'art (en abrégé RIE, initiales de Reactive Ionic Etching en terminologie anglo-saxonne) . Puis, le contrôle du procédé est effectué sous vide à l'aide des paramètres suivants :
- production d'ions oxydants d'énergie cinétique donnée à partir d'une source d'ions par l'application d'un champ électrique contrôlé par une tension d'extraction prédéterminée ;
- contrôle en direction des ions extraits selon leur rapport masse/charge par des moyens de tri magnétique, ou d'application de champ magnétique et/ou électrique; - décélération de ces ions a l'approche de la surface de silicium par l'application d'une tension de décélération ;
- densité prédéterminée des ions oxydants, au niveau de la zone où ils interagissent: avec le substrat, comprise entre 108 et 101S ιons/cm2.s et contrôlée par l'application de champs électriques et/ou magnétiques de focalisation du faisceau d' ions sur le substrat ; et
- maintien du substrat de silicium à une température située entre 200 et 500°C.
Selon des caractéristiques préférées :
- les ions oxydants sont des ions 0+;
- la source produit des ions dont l'énergie cinétique est de quelques keV/q (q étant le nombre de charges par ion) , généralement de 1 à 20 keV/q , et les valeurs des tensions d'extraction sont de l'ordre de quelques kilovolts ; la densité du faisceau d' ions au niveau de l'interaction avec le substrat est comprise entre 1012 et 1014 ιons/cm2.s ;
- l'application de champs électriques et/ou magnétiques dirigent les ions vers le substrat ; une sélection fine des ions en vitesse et en direction est réalisée par des moyens de filtrage de type passe-bande ou passe-haut à champ électrique, qui sélectionne les ions en fonction de leur énergie cinétique, couplé à des moyens de collimation, qui éliminent les ions dont la vitesse latérale est supérieure à un certain seuil, constitués par exemple par une série de diaphragmes de l'ordre du millimètre de diamètre.
En variante, l'invention propose un procédé de croissance d'une couche d'oxyde de silicium de faible épaisseur sur la surface d'un substrat de silicium orientée selon le plan 100, consistant à compléter une étape de nettoyage de ladite surface par une étape de passivation de cette surface à l'aide d'une hydrogénation formant une monocouche d'hydrogène, à produire sous vide des ions d'un gaz rare modérément et uniformément chargés, la charge par ion étant prise dans l'intervalle variant entre +1 et +14, et à les diriger vers ladite surface tout en contrôlant leur énergie cinétique pour que leur vitesse soit sensiblement nulle à l'approche de ladite surface, de manière à provoquer une ouverture des liaisons pendantes Si-H à ladite surface, et à introduire sous vide du gaz oxygène contrôlé en pression de manière à combler les liaisons ouvertes, le substrat de silicium étant maintenue à une température inférieure à 500 °C.
L'hydrogénation peut être réalisée à l'aide d'un bain d'acide fluorhydrique et d'ions ammonium. La passivation ainsi obtenue est du type de celle mise en oeuvre par la société BELL TELEPHONE Inc.
Ce procédé est auto-stoppant car la phase d'ouverture des liaisons sur la monocouche d'hydrogène est auto- stoppante. En effet, les charges électrostatiques générées par l'apport continu de nouveaux ions sont neutralisées par des électrons issus du substrat semi-conducteur. Ensuite, la couche d'oxydation ne peut se former que sur les liaisons pendantes issues de la monocouche d'hydrogène.
D'une manière générale, l'obtention de la couche mince de Si02 est contrôlée par les paramètres suivants : production d'ions par application d'une tension d'extraction à la sortie d'une source d'ions, contrôle des ions en direction par tri magnétique en fonction du rapport masse/charge, puis décélération de ces ions à l'approche de la surface de silicium par l'application d'une tension de décélération ;
- densité des ions au niveau de la zone d'interaction comprise entre 108 et 1016 ions/cm2, s, et contrôlée par des champs électriques et/ou magnétiques de focalisation du faisceau sur le substrat ; - maintien du substrat de silicium à une température située entre 200 et 500°C.
Selon des caractéristiques préférées :
- la source produit des ions d'énergie cinétique de quelques keV/q (q étant le nombre de charges par ion) , généralement de 1 à 20 keV/q ; la densité d' ions incidents au niveau de l'interaction est comprise entre 1012 et 1014 ions/cm2, s ;
- des moyens d'application de champs électriques et/ou magnétiques dirigent les ions vers le substrat ;
- des moyens de sélection fine des ions en vitesse et en direction sont constitués par un filtre de type passe- bande ou passe-haut à champ électrique, qui sélectionne les ions en fonction de leur énergie cinétique, couplé à des moyens de collimation, qui éliminent les ions dont la vitesse latérale est supérieure à un certain seuil ;
- les moyens de collimation sont constitués par une série de diaphragmes de l'ordre du millimètre de diamètre; les valeurs des tensions d'extraction et de décélération sont de l'ordre de quelques kV ;
- le contrôle du procédé est effectué par la charge des ions sélectionnés, la densité de ces ions au niveau de l'interaction, et la température du substrat.
Selon d'autres caractéristiques préférées : - un dispositif de contrôle de la position du faisceau d'ions est disposé sur le trajet du faisceau ;
- les ions sont des ions de gaz rare, en particulier des ions Argon dont la charge uniforme est comprise au sens large entre +1 et +14 ; - le substrat de silicium est maintenue sous vide pour recevoir un dépôt d'oxyde réfractaire selon des méthodes connues .
L' invention concerne également une machine à trois chambres pour la réalisation d'une grille de composant électronique intégré, mettant en œuvre le procédé de l'invention. Une telle machine comporte un sas d'entrée pouvant servir, si besoin est, d'enceinte de gravure RIE sous vide. La gravure peut également être effectuée dans une autre chambre de réaction. Le sas sert d'entrée à un premier réacteur, dédié à la réalisation de la couche mince de Si02, et de transfert du substrat de silicium ainsi oxydée du premier réacteur vers un second réacteur dédié au dépôt de l'oxyde de métal réfractaire. Ce dépôt est réalisé par des moyens classiques de pulvérisation cathodique ou par IBD.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, relative à des exemples de réalisation non limitatifs, en référence aux figures annexées qui représentent respectivement :
- la figure 1 (déjà décrite), une vue en coupe d'un transistor de type MOS à oxyde de grille formé d'une couche de Si02 ;
- la figure 2, une vue en coupe d'un transistor de type MOS dont l'oxyde de grille est constitué d'une couche mince de Si02, formée selon le procédé de l'invention, et d'une couche plus épaisse d'oxyde de métal réfractaire ; la figure 3, un graphique de la croissance de l'épaisseur de la couche de Si02 en fonction du temps selon un procédé d'oxydation préférentiel de l'invention ;
- la figure 4, une vue en coupe schématique du substrat de silicium avec une mince couche de Si02 formée selon une variante du procédé d'oxydation de l'invention; et
- la figure 5, le schéma de principe d'une machine à deux réacteurs pour réaliser une grille de composant électronique intégré, mettant en œuvre le procédé de 1' invention .
Le transistor MOS illustré en figure 2 comporte, outre l'oxyde de champ, la source, le drain et le canal du substrat de silicium déjà représentés sur la figure 1 avec les mêmes signes de référence, une grille 21. Cette grille, constituée généralement de silicium polycristallm, comporte selon l'invention une couche mince 31 de Sι02, d'épaisseur égaie a environ 5 Â dans l'exemple illustre, sous-jacente a une couche 32 d'oxyde de Titane Tι02, d'épaisseur égale a environ 20 Â.
La couche mince de Sι02, réalisée selon le procède préférentiel de l'invention, présente un état de surface avec une très faible rugosité, et une épaisseur sensiblement constante du fait de l' homogénéité d'oxydation obtenue conformément a l'invention.
Préalablement a toute manipulation, le substrat de silicium 100 est tout d'abord décape dans un bain d'acide fluorhydπque . Ce décapage est suivi d'un rinçage a l'eau desionisee par permutation.
Puis le substrat est dispose dans un reacteur sous vide pousse entre 10"8 et 10"11 mbar par des moyens de pompage connus .
L'oxyde natif qui pourrait rester sur le substrat est grave par gravure RIE dans une enceinte sous vide, bien connue de l'homme de l'art, puis, sans rompre la chaîne du vide, le substrat est introduit dans le reacteur pour procéder a la croissance de la couche mince d'oxyde proprement dite. Ce reacteur est équipe d'une source de faisceau d'ions
0+, connue de l'homme de l'art. Une source d'ions peut être une source a résonance cyclotronique électronique de type
ECR (initiales de Electron Cyclotron Résonance en terminologie anglo-saxonne), les ions étant confines dans un plasma chauffe par des ondes radiofrequence .
La source produit des ions a basse énergie cinétique, de quelques keV/q (q étant le nombre de charges par ion) , généralement de 1 a 20 keV/q, 10 keV/q dans l'exemple de mise en oeuvre. L'énergie cinétique d'extraction est réglée par l'application d'une tension d'extraction, qui est égale a 10 kV dans le cas présent.
Les paramètres de réglage de la source sont par ailleurs ajustés pour fournir le débit d'ions souhaite. Les cimensions du faisceau d' ions extrait sont également réglées par les moyens appropriés, connus de l'homme de l'art, pour définir, avec le débit, la densité du faisceau d'ions au niveau du substrat, c'est-a-dire le nombre d'ions par unité de surface et de temps. Les ions extraits sont tries, suivant leur rapport masse/charge, par un aimant de tri associe à la source. Un « scanner » (analyseur en dénomination anglo-saxonne) à collection de charges contrôle la position du faisceau d'ions triés pour le diriger vers le substrat de silicium. Ce scanner est formé d'un fil, d'une grille ou de plaques qui recueille les charges selon deux directions principales et orthogonales, afin de permettre un comptage des charges selon ces deux directions . Ce comptage permet alors de mesurer les profils d'intensité et de repérer la position du faisceau.
Il est également possible d'utiliser un détecteur de lumière comportant un tel scanner et d'établir le profil d'intensité et la position du faisceau à partir du nombre de photons émis par les ions captes sur le fil, la grille ou les plaques.
Les ions sont plus précisément sélectionnés par des moyens de sélection d'ions, constitués par :
- un filtre de type passe-bande ou passe-haut à champ électrique, connu de l'homme de l'art, qui sélectionne les ions en fonction de leur énergie cinétique, les ions d' énergie égale a environ 10 keV/q étant sélectionnes dans cet exemple ; couple a
- une série de diaphragmes, de diamètre de l'ordre du millimètre, disposes à quelques dizaines de centimètres les uns des autres : ces moyens éliminent les ions dont la composante latérale de vitesse, perpendiculaire à la direction générale du faisceau, est supérieure à une valeur donnée, correspondant ici à une énergie cinétique de 1 eV/q. Le substrat de silicium est maintenu à une température inférieure à 500°C, de l'ordre de 300°C par exemple, à l'aide d'un système de chauffage adapté.
Un champ électrique de décélération ralentit les ions à l'approche de la surface de silicium jusqu'à atteindre une énergie cinétique proche de zéro. Ce champ électrique est produit au milieu d'un condensateur plan formé par une électrode et le substrat entre lesquels on applique une tension de décélération. Cette tension, réglée par un potentiomètre, est ajustée généralement entre 1 et 20 kV, 10 kV dans notre exemple, pour donner à chaque ion 0+ une énergie comprise entre quelques eV/q et 0.
Dans ces conditions, la majorité des interactions des ions avec le substrat a lieu à environ une dizaine d'Angstrôms au-dessus de la surface du substrat. La densité des ions au niveau de la zone où ils interagissent avec la surface est contrôlée par le débit de la source d' ions et par les dimensions du faisceau dans cette zone. Le débit d'émission est réglé par les moyens appropriés, connus de l'homme de l'art, et le faisceau est focalisé au niveau de la zone d' interaction au moyen de lentilles électrostatiques unipolaires ou par l'utilisation de champs électriques ou magnétiques.
Le mécanisme réactionnel qui se produit lors de cette interaction est une extraction d' électrons de la surface de silicium, entraînant l'ouverture des liaisons Si-Si à la superficie de la surface traitée, et donc la formation de liaisons pendantes. Ces liaisons pendantes sont alors comblées par des ions 0+ pour former une couche de Si02 en superficie. Le chauffage du substrat de silicium facilite l'ouverture des liaisons, la formation des liaisons pendantes et le comblement de ces liaisons.
L'oxydation du substrat de silicium s'effectue en deux phases, comme illustré schématiquement à la figure 3 par la courbe de croissance dans le temps t de l'épaisseur e de silicium oxydé :
- une première phase A jusqu'au point Po, correspondant à une oxydation rapide durant t0 (par exemple quelques secondes), pendant laquelle les liaisons superficielles de silicium s'ouvrent pour former des liaisons pendantes, comblées par des ions 0+ comme expliqué ci-dessus ; la monocouche formée en superficie a une épaisseur eo, d'environ 3 à 5 Â dans l'exemple de réalisation ; une seconde phase B d'oxydation très lente et homogène à travers la monocouche de Sι02 de la première phase formant écran ; la vitesse d'oxydation tendant alors asymptotiquement vers zéro de manière homogène sur toute la surface, l'épaisseur d'oxydation du substrat de silicium tend également asymptotiquement vers une valeur constante, ce qui permet de contrôler cette épaisseur avec précision en fonction du temps.
L'allure de la courbe en phase A, la position du point
P0 (valeurs de eo et de to) , et l'allure de la branche asymptotique en phase B sont directement dépendants de la densité des ions, comprise entre 1012 à 1014 ιons/cm2.s, et de la température du silicium, comprise entre 200 et 500°C.
Dans l'exemple de mise en œuvre :
- le faisceau d' ions 0+ a une intensité de 10 μA et une section de 1 cm2 ; - la densité d'ions incidents s'élève à 6.1013 ιons/cm2.s, ce qui permet d'oxyder 1 cm2 de substrat après une durée to d' environ 4 secondes ; et
- la température est prise égale à 300°C.
Dans une variante du procédé selon l'invention, l'étape de nettoyage du substrat de silicium est complétée par une étape de passivation de la surface par hydrogénation à l'aide d'un bain d'acide fluorhydπque et d'ions ammonium. La surface de silicium est alors recouverte d'une couche unique d'hydrogène formant des liaisons Si-H. II faut noter que la présence d'hydrogène en surface retarde la formation de l'oxyde natif, ce qui laisse suffisamment de temps pour introduire le substrat, après hydrogénation, dans le réacteur pour procéder à l' oxydation. Des moyens de production d' ions faiblement ou moyennement cnargés, par exemple Ar8+, sont prévus à la place des moyens de production des ions 0+ dans le réacteur décrit précédemment. Les moyens d'application de tension, de sélection d'ions, et de température sont conservés. Les ions Argon, générés avec une énergie aussi faible que celle des ions 0+ de l'exemple précédent, sont dirigés vers la surface du substrat de silicium et décélères à l'approche de cette surface dans les conditions décrits précédemment . La tension de décélération appliquée permet d'empêcher toute pénétration ou tout contact des ions avec la surface de silicium. Comme dans le cas précédent, la valeur de la tension de décélération règle la distance d'approche des ions et la dimension de la zone d'extraction des électrons. Les ions Argon approchant la surface de silicium extraient les électrons de la monocouche hydrogénée, provoquant l'apparition de liaisons hydrogène pendantes. Les ions Argon sont ensuite rétroréfléchis par répulsion électrostatique du fait αe la création de charges électrostatiques positives en regard de ces ions lors de l'extraction des électrons.
L'oxydation se fait alors par introduction de gaz oxygène dans l'enceinte sous vide, sous une pression partielle comprise entre 10~5 et 10"9 mbar, égale à 10"7 mbar dans l'exemple de réalisation. A chaque ouverture d'une liaison hydrogène, un comblement par de l'oxygène est réalisé dans ces conditions de pression. Le chauffage du substrat de silicium à 300°C facilite l'oxydation.
Le phénomène est auto-stoppant car la réaction d'oxydation ralentit pu s s'arrête d'elle-même lorsqu'il n'existe plus de liaisons hydrogène pendantes à remplacer par des liaisons oxygène en surface. En effet, comme illustré par la figure 4, une fois formée sur le substrat de silicium 40 une couche superficielle de Sι02 41, les charges électrostatiques générées par l'arrivée de nouveaux ions Argon Ar8+ 42 sont neutralisées par l'extraction d'électrons 43 issus de couches profondes du substrat de silicium 40. Ces électrons sont transportés à travers la couche superficielle 41 par un effet de type « effet tunnel ».
Dans cet exemple de réalisation, la couche de Sι02 monomoléculaire formée a une épaisseur de l'ordre de 3 à 5 Â. Le contrôle et la durée de l'oxydation sont réglés par le choix de la charge des ions Argon, +4 à +8, la densité de ces ions, de préférence de 1012 à 1014 ions/cm2, la pression résiduelle et la température du substrat de silicium, comprise entre 200 et 500°C. Dans l'exemple de mise en œuvre :
- le faisceau d'ions Ar+8 forme un courant d'intensité égale à 80 μA avec une section de 1 cm2 ; la densité d'ions incidents s'élève à 6.1013 ιons/cm2.s, ce qui permet d'oxyder 1 cm2 de substrat après une durée to d' environ 1 seconde ; et
- la température est prise égale à 300°C. Une fois la couche mince d'oxyde de silicium réalisée selon l'un ou l'autre des modes précédents, le substrat de silicium est transféré sous vide du premier réacteur vers un deuxième réacteur afin de recevoir le dépôt d' oxyde réfractaire . Selon un exemple de réalisation illustré en figure 5, le premier réacteur 51, dédié à la réalisation de la couche ultra mince de Si02, et le deuxième réacteur 52, dédié au dépôt de l'oxyde de métal réfractaire, sont reliés entre eux par un sas commun 53. Ce sas d'entrée du substrat de silicium, maintenu sous vide poussé de 10~9 à 10-10 Pa, assure également le transfert du substrat oxydé du premier réacteur vers le deuxième réacteur où le dépôt de l'oxyde de grille est réalisé par des moyens classiques, pulvérisation cathodique ou par bombardement ionique sous condition oxydante. L'ensemble des deux réacteurs et du sas forment une machine 50.
L'étape de gravure RIE en vue d'éliminer la couche d'oxyde natif peut être réalisée dans le sas ou dans un troisième réacteur (non représenté) .
L'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation décrits et représentés. En particulier, le procédé peut utiliser des ions 0++, ou des ions provenant d'autres agents oxydants, comme des ions issus de la vapeur d'eau ou d'autres gaz oxydants. Pour la variante du procédé, on peut par exemple utiliser d'autres types d'ions faiblement ou moyennement chargés, par exemple des ions de gaz rares comme du Krypton ou du Néon, avec une température d'oxydation pouvant aller jusqu'à 500°C pour les ions les plus faiblement chargés. Par ailleurs, la production d'ions peut être stoppée lorsque le gaz oxygène est envoyé ou peut être poursuivie jusqu'à la fin de l'oxydation.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de croissance d'une couche d'oxyde de silicium (31, 41) de faible épaisseur inférieure à 10 Â sur la surface (14) d'un substrat de silicium (10) orientée selon le plan 100, ladite couche étant notamment apte à former une barrière de diffusion d'oxydes réfractaires (32) pour des composants électroniques intégrés, le procédé consistant à nettoyer ladite surface de silicium, à produire sous vide des ions oxydants faiblement charges et à les diriger vers ladite surface (14) tout en contrôlant leur énergie cinétique pour que leur vitesse soit sensiblement nulle à l'approche de ladite surface, de manière à provoquer une ouverture de liaisons Si-Si a ladite surface et à combler ces liaisons par des ions oxygène, le substrat de silicium étant maintenu à une température inférieure à 500°C, et à contrôler la densité des ions au niveau de la zone d'interaction avec le substrat pour que cette densité d'ions soit comprise entre 1012 et 1014 ions/cm2 .s.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de nettoyage est réalisée par gravure ionique réactive de l'oxyde natif, en ce que la production d'ions est contrôlée par tri magnétique, et en ce que ces ions sont décélères à l'approche de la surface de silicium par l'application d'une tension de décélération, la température du substrat étant maintenue entre 200 et 500°C.
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'une sélection fine des ions est réalisée par filtrage, filtrage en énergie cinétique par champ électrique de type passe-bande ou passe-haut, et filtrage en direction par collimation.
4. Procédé de croissance d'une couche d'oxyde de silicium (31, 41) de faible épaisseur à une surface (14) de substrat de silicium orientée selon le plan 100, consistant à compléter une étape de nettoyage de ladite surface par une étape de passivation de cette surface a l'aide d'une hydrogénation formant une monocouche d'hydrogène, à produire sous vide des ions d'un gaz rare modérément et uniformément chargés, la charge par ion étant prise dans l'intervalle variant entre +1 et +14, et à les diriger vers ladite surface tout en contrôlant leur énergie cinétique pour que leur vitesse soit sensiblement nulle à l'approche de ladite surface, de manière à provoquer une ouverture des liaisons pendantes Si-H à ladite surface, et à introduire du gaz oxygène contrôlé en pression de manière à combler les liaisons ouvertes, le substrat de silicium étant maintenu à une température située entre 200 et 500°C et la densité d'ions incidents étant comprise entre 1012 et
Figure imgf000020_0001
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'hydrogénation est réalisée à l'aide d'un bain d'acide fluorhydπque et d'ions ammonium.
6. Procédé selon l'une des revendications 4 et 5, caractérisé en ce que les ions sont triés, contrôlés par tri, sélectionnés en direction puis décélères, et en ce que le contrôle du procède est effectué par la charge des ions sélectionnés, la densité de ces ions au niveau de la zone d' interaction avec le substrat et la température du substrat .
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'une sélection fine des ions en vitesse et en direction est réalisée par filtrage, filtrage en énergie cinétique par champ électrique de type passe-bande ou passe-haut, et filtrage en direction par champ magnétique .
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 11, caractérisé en ce que le gaz rare est choisi parmi l'Argon, le Krypton et le Néon.
9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que les charges des ions Argon sont comprises dans l'intervalle allant de +1 à +14.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que plus la charge de l'ion utilisé est faible, plus la température du substrat de silicium est élevée dans l'intervalle indiqué.
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat de silicium est maintenue sous vide pour recevoir un dépôt d'oxyde réfractaire.
12. Machine à plusieurs réacteurs pour la réalisation d'une grille de composant électronique intégré, caractérisée en ce qu'elle comporte un sas (53) servant d'entrée à un premier réacteur (51), dédié à la réalisation de la couche mince de SιO_ d'un substrat de silicium conformément à l'une des revendications précédentes, et de transfert du substrat ainsi oxydée (31, 41) du premier réacteur vers un deuxième réacteur (52) dédié au dépôt de l'oxyde de métal réfractaire, ce dépôt étant réalisé par pulvérisation cathodique ou par IBD.
13. Machine selon la revendication 12, caractérisée en ce que l'étape de gravure selon la revendication 2 est réalisée dans le sas (53) .
14. Machine selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'étape de gravure selon la revendication 2 est effectuée dans un troisième réacteur de la machine.
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