UA34175C2 - Diamond-hard metal alloy plate - Google Patents
Diamond-hard metal alloy plate Download PDFInfo
- Publication number
- UA34175C2 UA34175C2 UA99063217A UA99063217A UA34175C2 UA 34175 C2 UA34175 C2 UA 34175C2 UA 99063217 A UA99063217 A UA 99063217A UA 99063217 A UA99063217 A UA 99063217A UA 34175 C2 UA34175 C2 UA 34175C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- diamond
- layer
- alloy plate
- metal alloy
- hard metal
- Prior art date
Links
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 title abstract 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 79
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 abstract 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract 2
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- -1 cobalt carbides Chemical class 0.000 description 1
- AIOWANYIHSOXQY-UHFFFAOYSA-N cobalt silicon Chemical compound [Si].[Co] AIOWANYIHSOXQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052903 pyrophyllite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Винахід стосується області одержання керамічних матеріалів, а саме алмазно-твердосплавних пластин і 2 Може бути використаним при спіканні шарових нероз'ємних з'єднань твердосплавна підкладка - алмазний полікристал в умовах високих тиску й температуриThe invention relates to the field of production of ceramic materials, namely diamond-hard alloy plates and 2 It can be used in the sintering of layered non-separable joints hard alloy substrate - diamond polycrystal under conditions of high pressure and temperature
Найбільш близькою за технічною суттю до запропонованої алмазно-твердосплавної пластини є алмазно-твердосплавна пластина, описана в способі одержання комбінованої спеченої вставки (див. ПатентThe closest in technical essence to the proposed diamond-hard alloy plate is the diamond-hard alloy plate described in the method of obtaining a combined sintered insert (see Patent
США Мо4403015, МКИ 822 Е 3/4, 7/08, опубл. 6.09.83), що містить алмазний шар і твердосплавну пластину, між 70 якими розташовано проміжний шар, що містить алмази, спосіб її виготовлення полягає в тому, що тверду спечену пресовку, яка містить алмаз або В-ВМ понад 2095, з'єднують з підкладкою із спеченого карбіду за допомогою проміжного шару товщиною « 2мм. Цей проміжний шар містить таку кількість алмазу або В-ВМ, яка забезпечує жорстке зчеплення між спеченою пресовкою і підкладкою із спеченого карбіду, але не більше 70905.USA Mo4403015, MKY 822 E 3/4, 7/08, publ. 6.09.83), containing a diamond layer and a hard alloy plate, between which there is an intermediate layer containing diamonds, the method of its manufacture is that a hard sintered press, which contains diamond or B-BM more than 2095, is connected with with a substrate made of sintered carbide with the help of an intermediate layer with a thickness of 2 mm. This intermediate layer contains an amount of diamond or B-BM that provides a tight bond between the sintered press and the sintered carbide substrate, but not more than 70905.
Інша частина цього шару складається із суміші карбідів, нітридів, карбонітридів, або боридів перехідних 72 металів періодичної таблиці Менделєєва 4в, 5а, ба; суміші цих компонентів або твердого розчину з них.The other part of this layer consists of a mixture of carbides, nitrides, carbonitrides, or borides of the 72 transition metals of Mendeleev's periodic table 4c, 5a, ba; a mixture of these components or a solid solution of them.
Недоліком отриманої за прототипом алмазно - твердосплавної пластини є її низька термостійкість, викликана тим, що в процесі спікання при високих температурі і тиску металічний кобальт із твердосплавної підкладки просочується в проміжний шар і через нього в робочий алмазний шар. При нагріванні пластини до температури вище 750"С, яке виникає при виготовленні з неї (паянні) інструменту чи в процесі його експлуатації, в алмазному шарі відбувається дифузійна взаємодія між алмазом і кобальтом, що призводить до утворення нестійких карбідів кобальту і веде до деградації експлуатаційних властивостей пластини.The disadvantage of the diamond-hard alloy plate obtained according to the prototype is its low heat resistance, caused by the fact that in the process of sintering at high temperature and pressure, metallic cobalt from the hard alloy substrate seeps into the intermediate layer and through it into the working diamond layer. When the plate is heated to a temperature above 750°C, which occurs during the manufacture (soldering) of a tool from it or during its operation, a diffusion interaction between diamond and cobalt occurs in the diamond layer, which leads to the formation of unstable cobalt carbides and leads to the degradation of operational properties plates
В основу винаходу покладено задачу такого вдосконалення алмазно-твердосплавної пластини, при якому завдяки вибору компонентів алмазного і проміжного шарів, їх співвідношення в шарах забезпечується рівномірне розташування компонентів в алмазному шарі, покращення зв'язку між алмазними зернами, утворення с проміжного бар'єрного шару, який при спіканні алмазно-твердосплавної пластини протидіє просочуванню Ге) кобальту в алмазний шар, і, як наслідок такої структури, - підвищення термостійкості матеріалу.The basis of the invention is the task of such improvement of the diamond-hard alloy plate, in which due to the selection of the components of the diamond and intermediate layers, their ratio in the layers ensures a uniform arrangement of the components in the diamond layer, improvement of the connection between the diamond grains, the formation of an intermediate barrier layer, which, during the sintering of a diamond-hard alloy plate, counteracts the percolation of Ge) cobalt into the diamond layer, and, as a consequence of such a structure, increases the heat resistance of the material.
Задача вирішується тим, що в алмазно-твердосплавній пластині, яка містить алмазний шар і твердосплавну пластину, між якими розташовано проміжний шар, що містить алмази, згідно винаходу алмазний шар додатково містить карбід кремнію і кремній, а проміжний шар додатково містить силіцид кобальту при співвідношенні о компонентів (мас. 9): рч- алмазний шар: алмази - 89-97 -- карбід кремнію - 2,8-9 «І кремній - 0,2-2 3о проміжний шар: о силіцид кобальту (Соб5і») -10-38 алмази - 62-90The problem is solved by the fact that in a diamond-hard alloy plate, which contains a diamond layer and a hard alloy plate, between which there is an intermediate layer containing diamonds, according to the invention, the diamond layer additionally contains silicon carbide and silicon, and the intermediate layer additionally contains cobalt silicide at a ratio of components (wt. 9): rch- diamond layer: diamonds - 89-97 -- silicon carbide - 2.8-9 "I silicon - 0.2-2 3o intermediate layer: o cobalt silicide (Sob5i") -10- 38 diamonds - 62-90
При цьому в найкращому варіанті винаходу товщина проміжного шару складає 0,15-0,25 товщини алмазного « шару. -оAt the same time, in the best version of the invention, the thickness of the intermediate layer is 0.15-0.25 of the thickness of the diamond layer. -at
Причинно - наслідковий зв'язок між сукупністю ознак, що заявляється, і технічним наслідком, що с досягається при її реалізації, полягає у наступному.The cause-and-effect relationship between the claimed set of features and the technical result achieved by its implementation is as follows.
Із» Спікання алмазно-твердосплавних пластин (АТП) здійснюється при тиску порядку 5,5-8ГПа і температурі 1550-17007С. При цих умовах на границі твердосплавна підкладка - алмазний шар відбувається утворення рідини Со-МУС-С і її міграція в об'єм, який зайнятий алмазним порошком. Температура плавлення чистого кобальту при тиску 8ГПа складає 17307С. Проте через контактне плавлення в системі Со-С міграція кобальту в о алмазний порошок спостерігалася вже при 145070. «» Як відомо, із збільшенням тиску температура плавлення кремнію на відміну від більшості елементів, знижується і при 8ГПа складає 110070. - Тому для підвищення термостійкості алмазного шару необхідно, з одного боку, здійснити просочування -І 20 алмазного порошку кремнієм по всьому об'ємі і не допустити там появи кобальту і, з іншого боку, для утворення міцного зв'язку підкладка - алмазний шар потрібна активна взаємодія МУС-Со-алмаз у приграничній зоні. Крім сл цього, наявність кремнію в алмазному шарі сприяє протидії падінню тиску при зниженні температури і гальмуванню процесів графітизації алмазу за рахунок того, що кремній, на відміну від інших елементів, при зниженні температури збільшує свій об'єм. Взаємодія кремнію з алмазом приводить до утворення на границях 22 алмазних зерен карбіду кремнію, що сприяє покращенню зв'язку між ними і, в кінцевому результаті, сприяєFrom" Sintering of diamond-hard alloy plates (ATP) is carried out at a pressure of the order of 5.5-8 GPa and a temperature of 1550-17007C. Under these conditions, at the boundary between the hard alloy substrate and the diamond layer, the formation of the So-MUS-S liquid occurs and its migration into the volume occupied by the diamond powder. The melting point of pure cobalt at a pressure of 8 GPa is 17307С. However, due to contact melting in the Co-C system, the migration of cobalt into the diamond powder was observed already at 145070. "" As is known, with increasing pressure, the melting temperature of silicon, unlike most elements, decreases and at 8 GPa is 110070. - Therefore, to increase the heat resistance of diamond layer, it is necessary, on the one hand, to impregnate -I 20 diamond powder with silicon throughout the entire volume and prevent the appearance of cobalt there, and, on the other hand, for the formation of a strong connection between the substrate and the diamond layer, an active interaction of MUS-So-diamond is required in the border zone. In addition, the presence of silicon in the diamond layer contributes to counteracting the drop in pressure when the temperature decreases and inhibiting the graphitization processes of diamond due to the fact that silicon, unlike other elements, increases its volume when the temperature decreases. The interaction of silicon with diamond leads to the formation of silicon carbide at the boundaries of 22 diamond grains, which helps to improve the connection between them and, ultimately, contributes to
ГФ) покращенню термостійкості матеріалу.GF) to improve the heat resistance of the material.
Для вирішення зазначеної задачі була розроблена градієнтна схема спорядження комірки високого тиску. о Величину температурних градієнтів у апараті високого тиску варіювали шляхом зміни складу матеріалів і геометричних розмірів елементів спорядження. 60 Межі вмісту алмазу, кремнію, карбіду кремнію та силіциду кобальту в алмазно - твердосплавній пластині визначено експериментально, виходячи з основної задачі - підвищення термостійкості матеріалу.To solve this problem, a gradient scheme for high-pressure cell equipment was developed. o The magnitude of the temperature gradients in the high-pressure apparatus was varied by changing the composition of the materials and the geometric dimensions of the equipment elements. 60 The limits of the content of diamond, silicon, silicon carbide and cobalt silicide in a diamond-hard alloy plate were determined experimentally, based on the main task - increasing the heat resistance of the material.
Нижній вміст алмазу в алмазному шарі обмежено умовою створення неперервного каркасу з алмазних частинок, що забезпечує достатню твердість і зносостійкість матеріалу.The lower diamond content in the diamond layer is limited by the condition of creating a continuous framework of diamond particles, which ensures sufficient hardness and wear resistance of the material.
Верхній вміст алмазу в алмазному шарі обмежено умовою відсутності значних залишкових напруг в бо утвореному матеріалі внаслідок високого ступеня пластичної деформації, що призводить до зниження міцності матеріалу.The upper content of diamond in the diamond layer is limited by the condition of the absence of significant residual stresses in the resulting material due to a high degree of plastic deformation, which leads to a decrease in the strength of the material.
Нижній вміст кремнію (і відповідно верхній вміст карбіду кремнію) в алмазному шарі обмежено відсутністю протидії падінню тиску при зниженні температури і, відповідно, наявністю часткової графітизації алмазу та Зниженням експлуатаційних властивостей матеріалу.The lower content of silicon (and, accordingly, the upper content of silicon carbide) in the diamond layer is limited by the lack of resistance to pressure drop when the temperature drops and, accordingly, the presence of partial graphitization of the diamond and the decrease in the operational properties of the material.
Верхній вміст кремнію в алмазному шарі обмежено умовою відсутності значних залишкових напруг в утвореному матеріалі внаслідок збільшення об'єму кремнію, що знаходиться в міжзеренних проміжках, при зниженні температури після спікання.The upper content of silicon in the diamond layer is limited by the condition of the absence of significant residual stresses in the formed material due to the increase in the volume of silicon located in the intergranular spaces when the temperature decreases after sintering.
Нижній вміст карбіду кремнію в алмазному шарі пов'язаний із зменшенням зносостійкості і термостійкості /о матеріалу за рахунок ослаблення міжзеренних зв'язків.The lower content of silicon carbide in the diamond layer is associated with a decrease in the wear resistance and heat resistance of the material due to the weakening of intergranular bonds.
Нижній вміст алмазу (і відповідно верхній вміст силіциду кобальту) в проміжному шарі обмежено умовою створення неперервного каркасу з алмазних частинок, що забезпечує міцність матеріалу.The lower content of diamond (and, accordingly, the upper content of cobalt silicide) in the intermediate layer is limited by the condition of creating a continuous framework of diamond particles, which ensures the strength of the material.
Верхній вміст алмазу (і відповідно нижній вміст силіциду кобальту) в проміжному шарі обмежено умовою створення міцного зв'язку твердосплавна пластина - алмазний шар.The upper content of diamond (and, accordingly, the lower content of cobalt silicide) in the intermediate layer is limited by the condition of creating a strong bond between the carbide plate and the diamond layer.
Величина товщини проміжного шару вибрана експериментально. Якщо величина товщини проміжного шару по відношенню до товщини алмазного виходить за вказані в винаході межі в деяких випадках, наприклад, при використанні пластини для оснащення інструменту, який працює в умовах динамічних знакозмінних навантажень, відбувається відокремлення алмазного шару від твердосплавної підкладки.The value of the thickness of the intermediate layer was chosen experimentally. If the value of the thickness of the intermediate layer in relation to the thickness of the diamond exceeds the limits specified in the invention in some cases, for example, when using a plate to equip a tool that operates under conditions of dynamic alternating loads, the diamond layer separates from the hard alloy substrate.
Приклади конкретної реалізації винаходу наведено у таблиці і проілюстровано на кресленнях (додаються), де го на фіг1 показано спорядження комірки високого тиску перед спіканням; на фіг.2 - загальний вигляд алмазно-твердосплавної пластини після спікання.Examples of a specific implementation of the invention are given in the table and illustrated in the drawings (attached), where Fig. 1 shows the equipment of the high-pressure cell before sintering; Fig. 2 is a general view of a diamond-hard alloy plate after sintering.
Приклад 1.Example 1.
Для спорядження комірки високого тиску (фіг.1) було взято контейнер із літографського каменю 1, теплоїзолюючий диск 2, спресований із пірофіліту, нагрівні елементи - диски З та трубчатий нагрівник 4, сч ов Виготовлені з графіту, твердосплавну пластину 5, спечену із сплаву ВК2О, алмазний шар б, що складається перед спіканням з алмазного порошку марки АСМ 60/40 з розміром частинок 40-бОмкм, кремнієву пластину 7, і) спресовану із суміші порошку кремнію з розміром частинок 100-125мкм (7Омас. 90) і графіту (ЗОмас. 9р), електроїзолюючий диск 8, спресований із графітоподібного нітриду бору, провідники електричного струму - молібденовий диск 9 та залізний циліндр 10, втулку 11 із літографського каменю. Спорядження здійснили за ю зо схемою, показаною на рисунку. Спікання виконували в апараті високого тиску типу тороїд протягом ЗО0с при тискуTo equip the high-pressure cell (Fig. 1), a container made of lithographic stone 1, a heat-insulating disk 2 pressed from pyrophyllite, heating elements - disks З and a tubular heater 4, made of graphite, hard alloy plate 5, sintered from VK2O alloy were taken , diamond layer b, consisting before sintering of ACM 60/40 diamond powder with a particle size of 40-bΩm, silicon plate 7, i) pressed from a mixture of silicon powder with a particle size of 100-125μm (7Omas. 90) and graphite (ZOmas . 9p), electrically insulating disc 8 pressed from graphite-like boron nitride, electric current conductors - molybdenum disc 9 and iron cylinder 10, sleeve 11 made of lithographic stone. The equipment was installed according to the scheme shown in the figure. Sintering was carried out in a toroid-type high-pressure apparatus for 30 seconds under pressure
ГПа, температурі 12507С в центральній частиш апарату. Отримано зразки алмазно-твердосплавних пластин - діаметром 15мм, висотою 4 мм. Після спікання була проведена механічна обробка спечених зразків алмазно - «- твердосплавної пластини (фіг.2), що складається з твердосплавної пластини 5, алмазного шару 6 і проміжного шару 12, який утворено внаслідок взаємодії в даній системі в умовах високих тиску і температури. На « зв скануючому електронному мікроскопі "Сатвсап" методом локального рентгеноспектрального аналізу визначили со елементний склад алмазно - твердосплавної пластини, на рентгеновському дифрактометрі ДРОН 2,0 в мідному фільтрованому випромінюванні - її фазовий склад. Проведені вимірювання показали, що алмазний шар містить 9Змас. 95 алмазів, Тмас. 90 кремнію та бмас. 95 карбіду кремнію. До складу проміжного шару входить 8Омас. 90 алмазів та 20мас. 95 силіциду кобальту. Товщина проміжного шару складала 0,22 товщини алмазного шару. Для « визначення термостійкості проводили нагрівання пластин в муфельній печі до температури 9007С в атмосфері з с водню. Після цього визначали їх зносостійкість за величиною площадки зношування на робочій кромці пластин після стругання ними кварцового пісковика на шляху стругання 50м. з Приклади 1-3 див. таблицю (додається), наведено для тих випадків, які стосуються заявлених ознак.GPa, temperature 12507C in the central part of the apparatus. Samples of diamond-hard alloy plates were obtained - 15 mm in diameter and 4 mm in height. After sintering, the sintered samples of the diamond carbide plate (Fig. 2) were mechanically processed, consisting of the carbide plate 5, the diamond layer 6, and the intermediate layer 12, which was formed as a result of the interaction in this system under conditions of high pressure and temperature. The elemental composition of the diamond-hard alloy plate was determined using the "Satvsap" scanning electron microscope by the method of local X-ray spectral analysis, and its phase composition was determined using the DRON 2.0 X-ray diffractometer in copper-filtered radiation. The measurements showed that the diamond layer contains 9Zmas. 95 diamonds, Tmas. 90 silicon and bmas. 95 silicon carbide. The composition of the intermediate layer includes 8Omas. 90 diamonds and 20 mass. 95 cobalt silicide. The thickness of the intermediate layer was 0.22 of the thickness of the diamond layer. To determine heat resistance, plates were heated in a muffle furnace to a temperature of 9007C in an atmosphere with hydrogen. After that, their wear resistance was determined by the size of the wear area on the working edge of the plates after planing quartz sandstone with them on a planing path of 50 m. with Examples 1-3 see the table (attached) is given for those cases that relate to the declared features.
Приклади 4 -11 - за межами заявлених ознак. Приклад 12 - відтворення алмазно - твердосплавної пластини за прототипом. Зміну складу алмазного і проміжного шарів досягали за рахунок зміни температури в робочому 2) об'ємі комірки апарату високого тиску та тривалості спікання.Examples 4-11 - beyond the declared features. Example 12 - reproduction of a diamond-hard alloy plate according to the prototype. The change in the composition of the diamond and intermediate layers was achieved by changing the temperature in the working 2) volume of the cell of the high-pressure apparatus and the duration of sintering.
Як видно з таблиці, використання винаходу, що заявляється, - алмазно-твердосплавної пластини дає ве можливість підвищити її термостійкість на 1507 в порівнянні з прототипом. - Алмазно-твердосплавна пластина 5,6,12 може бути використана в якості вставок для бурових доліт та 5ор коронок іт. д. ш- Робота бурового долота з використанням вказаної пластини не відрізняється від роботи з використанням сп відомих алмазно-твердосплавних пластин, якими оснащались бурові долота, за виключенням зниження вартості паяння при виготовленні доліт за рахунок використання більш дешевих припоїв та розширення можливостей буріння за рахунок більш високої термостійкості запропонованої пластини. ше Й НИAs can be seen from the table, the use of the claimed invention - a diamond-hard alloy plate makes it possible to increase its heat resistance by 1507 in comparison with the prototype. - Diamond-hard alloy plate 5,6,12 can be used as inserts for drill bits and 5or crowns, etc. d. sh- The operation of a drill bit using the specified plate does not differ from the operation using the well-known diamond-hard alloy plates with which drill bits were equipped, with the exception of reducing the cost of soldering in the manufacture of bits due to the use of cheaper solders and expanding drilling opportunities due to more high heat resistance of the proposed plate. what and we
ГФ) Приклади (мо| Складпластини(мас.95) 0 Відношення товщини Величина Примітки т (1 Алмазний шар |Проміжний шар) проміжного шару до площадкиGF) Examples (mo| Composite plates (wt. 95) 0 Thickness ratio Value Notes t (1 Diamond layer | Intermediate layer) of the intermediate layer to the platform
Й товщини алмазного шару зношування (мм)And the thickness of the diamond wear layer (mm)
Алмаз (Кремній Карбід (Алмаз |Силіцид кремнію кобальту 60 б5 зво» зв во ю00000ов0001о5 вів 1110 10а01041 тре і ом ве во 21111022 111411 93 1 до 0,22 0,3 Відокремлення від 76 підкладки 93 1 95 5 0,22 0,3 Відокремлення від підкладки алмазного шару відDiamond (Silicon Carbide (Diamond | Cobalt silicon silicide 60 b5 zvo» zv vo yu00000ov0001o5 viv 1110 10a01041 tre i ohm ve vo 21111022 111411 93 1 to 0.22 0.3 Separation from 76 substrate 93 1 95 5 0.3.22 0 Separation of the diamond layer from the substrate
Патент США 12) 937 во 0,35 Нагрівання до 8507С не мо4403015 проводилось ху Алмазний шар алмазно-твердосплавної пластини по прототипу додатково містив бмас. 956 кобальту "5 Проміжний шар алмазно-твердосплавної пластини по прототипу додатково містив 20мас. 905 карбіду вольфраму і 20мас. 9о нітриду титану.US patent 12) 937 in 0.35 Heating up to 8507C was not carried out in mo4403015. The diamond layer of the diamond-hard alloy plate according to the prototype additionally contained bmas. 956 cobalt "5 The intermediate layer of the diamond-hard alloy plate according to the prototype additionally contained 20 wt. 905 tungsten carbide and 20 wt. 90 titanium nitride.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA99063217A UA34175C2 (en) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | Diamond-hard metal alloy plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA99063217A UA34175C2 (en) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | Diamond-hard metal alloy plate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA34175C2 true UA34175C2 (en) | 2003-11-17 |
Family
ID=74197738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA99063217A UA34175C2 (en) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | Diamond-hard metal alloy plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA34175C2 (en) |
-
1999
- 1999-06-10 UA UA99063217A patent/UA34175C2/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5622731B2 (en) | Method for producing a part comprising a block of cemented carbide type high density material having a characteristic gradient and the resulting part | |
| CN101275213B (en) | Method of manufacturing a part comprising at least one block made from a dense material | |
| US7435478B2 (en) | Cutting structures | |
| JP2684721B2 (en) | Surface-coated tungsten carbide-based cemented carbide cutting tool and its manufacturing method | |
| US8197936B2 (en) | Cutting structures | |
| US4636253A (en) | Diamond sintered body for tools and method of manufacturing same | |
| US8061454B2 (en) | Ultra-hard and metallic constructions comprising improved braze joint | |
| US8506881B2 (en) | Intermetallic bonded diamond composite composition and methods of forming articles from same | |
| US20080302579A1 (en) | Polycrystalline diamond cutting elements having improved thermal resistance | |
| EP2300366B1 (en) | Method of forming a sintered polycrystalline ultra hard material by pulsed electrical field assisted or spark plasma sintering | |
| US8616307B2 (en) | Thermally stable diamond bonded materials and compacts | |
| US8349040B2 (en) | Method for making composite abrasive compacts | |
| WO2010053736A2 (en) | High pressure sintering with carbon additives | |
| CA2703380A1 (en) | Diamond bonded construction with improved braze joint | |
| JPH03177507A (en) | Diamond shaped body for drilling and machining | |
| CN105121696A (en) | Superabrasive material with protective adhesive coating and method for producing said coating | |
| UA63469A (en) | Diamond-hardalloyed plate | |
| EP2401102A1 (en) | A superhead element, a tool comprising same and methods for making such superhard element | |
| UA34175C2 (en) | Diamond-hard metal alloy plate | |
| IE85954B1 (en) | Diamond bonded construction with improved braze joint |