TWM613246U - Ssd以及ssd系統 - Google Patents
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Abstract
一種SSD,包含:一電路板;一第一儲存區,位於該電路版的一第一側上,包含至少一第一記憶體;一控制區,位於該第一側上,包含至少一控制IC,該控制IC用以控制該第一記憶體;以及第一散熱材料,位於該第一儲存區上或該控制區上。
Description
本創作是有關於SSD (Solid State Disk,固態硬碟)以及SSD系統,特別有關於具有散熱機制的SSD以及SSD系統。
近年來, 由於SSD具有較高的存取速度,其變得越來越普及。然而,SSD的零件在高速運作時可能產生較多的熱能,因此需要一種適合的散熱機制。
因此,本創作一目的為提供一種具有散熱機制的SSD。
本創作另一目的為提供一種具有散熱機制的SSD系統。
本創作一實施例提供了一種SSD,包含:一電路板;一第一儲存區,位於該電路版的一第一側上,包含至少一第一記憶體;一控制區,位於該第一側上,包含至少一控制IC,該控制IC用以控制該第一記憶體;以及第一散熱材料,位於該第一儲存區上或該控制區上。
本創作另一實施例提供了一種SSD系統,包含:一殼體;一SSD組,包含插入該殼體中的至少一SSD,以及一控制裝置。其中SSD包含:一電路板;一第一儲存區,位於該電路版的一第一側上,包含至少一第一記憶體;一控制區,位於該第一側上,包含至少一控制IC,該控制IC用以控制該第一記憶體;以及第一散熱材料,位於該第一儲存區上或該控制區上。控制裝置位於殼體中,用以控制SSD。
根據前述實施例,本創作提供的SSD或SSD系統可以具有適當的散熱機制。
以下將以多個實施例來描述本創作的內容,還請留意,以下描述中的”第一”、”第二”以及類似描述僅用來定義不同的元件、參數、資料、訊號或步驟。並非用以限定其次序。舉例來說,第一裝置和第二裝置可表示其具有相同的結構,但為不同的裝置。
第1圖繪示了根據本創作一實施例的,不具有散熱材料的SSD 100的示意圖。如第1圖所示,SSD 100包含電路板101,第一儲存區SR_1,控制區CR和第一備用區BR_1。第一儲存區SR_1,控制區CR和第一備用區BR_1設置在電路板101的第一側上。在一實施例中,SSD 100中可不包含第一備用區BR_1。SSD 100還包含SSD拖架103,使用者可以握住該SSD拖架以移動SSD 100。
第一儲存區SR_1包含至少一個第一記憶體M_1,其可以是NAND快閃記憶體。控制區CR包含用以控制第一記憶體M_1的至少一個控制IC(Integrated Circuit積體電路)CO。請注意,控制IC CO可以分為更多類型的控制IC。例如,控制IC CO可以包含主控制器和其他類型的控制IC。可以根據不同的SSD更改控制IC CO的數量和類型。
第一備用區BR_1包含第一備用電源BP_1和第一備用儲存區BS_1。第一備用電源BP_1可以是電容。第一備用儲存區BS_1包含至少一個第一備用儲存裝置,例如DRAM。當SSD 100不能從外部接收到足夠的電能時,SSD 100使用由第一備用電源BP_1提供的電能將儲存在第一備用儲存裝置BS_1中的資料備份到第一記憶體M_1。例如,SSD 100連接到諸如電腦伺服器之類的外部裝置,但是由於例如電源故障之類的某些原因,電腦伺服器不能向SSD 100提供足夠的電能。在這種情況下,SSD 100使用由第一備用電源BP_1提供的電能將儲存在第一備用儲存裝置BS_1中的資料備份到第一記憶體M_1。通過這種方式,由於第一記憶體M_1是即使不接收電能也可以保持資料的記憶體(例如,NAND快閃記憶體),所以當SSD 100不能從外部接收足夠的電能時仍然可維持必要的資料。
第2圖、第3圖和第4圖繪示了根據本創作不同實施例的,具有散熱材料的SSD的示意圖。在第2圖的實施例中,會在控制區CR上設置第一散熱材料HSM_1。第一散熱材料HSM_1可以是具有高導熱率的金屬,例如鋁或銅。而且,第一散熱材料HSM_1可以是諸如金屬片的硬質材料。另外,第一散熱材料HSM_1可以是諸如散熱膏的軟性材料。
第一散熱材料HSM_1不限於上述範例。另外,第一散熱材料HSM_1可以設置在SSD 100的任何其他位置。例如,在第3圖的實施例中,第一散熱材料HSM_1也被設置在第一儲存區SR_1和控制區CR上。 此外,在第4圖的實施例中,會在第一儲存區SR_1,控制區CR和第一備用區BR_1上設置第一散熱材料HSM_1。
第1圖所示的元件可以設置在SSD 100的其他位置。第5圖繪示了根據本創作另一實施例的,不具有散熱材料的SSD的示意圖。如第5圖所示,SSD 100包含第二記憶體SR_2和第二備用區BR_2,其設置在電路板101的第二側上。電路板101的第二側與第二儲存區SR_2的第一側相對。第二儲存區SR_2包含至少一個第二記憶體M_2,其可以是NAND快閃記憶體。
第二備用區BR_2包含第二備用電源BP_2和第二備用儲存區BS_2。第二備用電源BP_2可以是電容,第二備用儲存裝置BS_2可以是DRAM。SSD 100使用由第二備用電源BP_2提供的電能將儲存在第二備用儲存裝置BS_2中的資料備用到第二記憶體M_2。
在一實施例中,SSD 100可更包含用於對其進行保護的殼體。在這情況下,殼體圍繞電路板101的最外層,且上述散熱材料設置在殼體與電路板上101的元件(例如,控制區CR,第一儲存區SR_1…)之間。
第6圖和第7圖繪示了根據本創作不同實施例的,具有散熱材料的SSD的示意圖。如第6圖所示,第二散熱材料HSM_2設置在第二儲存區SR_2上。另外,在第7圖的實施例中,第二散熱材料HSM_2設置在第二儲存區SR_2和第二備用區BR_2上。還請留意,在一實施例中,SSD 100還可以包含設置在電路板101第二側的控制電路。在這種情況下,第二散熱材料HSM_2可以設置在第二儲存區SR_2、第二備用區BR_2和控制電路中的至少一個上。例如,第二散熱材料HSM_2可以設置在第二備用區BR_2和控制電路上,或者設置在第二儲存區SR_2和第二備用區BR_2上。
第8圖繪示了根據本創作一實施例的,具有多個SSD的SSD系統800的示意圖。如第8圖所示,SSD系統800包含一第一機殼Ca_1,一第二機殼Ca_2,一第一SSD組SG_1和一第二SSD組SG_2。第一SSD組SG_1包含多個第一SSD SS_11,SS_12…(僅標記其中的兩個),第二SSD組SG_2包含多個第二SSD SS_21,SS_22…(僅標記其中的兩個)。第一SSD SS_11,SS_12…和第二SSD SS_21,SS_22…可以包含第1圖-第5圖所示的結構。因此,使用者可以握住SSD托架103以將第一SSD SS_11,SS_12…插入第一機殼Ca_1,且可以握住SSD托架103以將第二SSD SS_21,SS_22…插入第二機殼Ca_2。第一SSD組SG_1和第二SSD組SG_2的控制裝置也可以設置在第一機殼Ca_1和第二機殼Ca_2中。在一實施例中,SSD系統800可以僅包含一機殼和僅一個SSD組。但是,請注意,本創作提供的SSD系統不限於第8圖所示的SSD系統800。
根據前述實施例,本創作提供的SSD或SSD系統可以具有適當的散熱機制。
100:SSD
101:電路板
103:SSD托架
BR_1:第一備用區
BS_1:第一備用儲存區
BP_1:第一備用電源
BR_2:第二備用區
BS_2:第二備用儲存區
BP_2:第二備用電源
Ca_1:第一機殼
Ca_2:第二機殼
CO:控制IC
CR:控制區
SR_1:第一儲存區
SR_2:第二儲存區
HSM_1:第一散熱材料
HSM_2:第二散熱材料
M_1:第一記憶體
M_2:第二記憶體
800:SSD系統
SG_1:第一SSD組
SG_2:第二SSD組
SS_11,SS_12:第一SSD
SS_21,SS_22:第二SSD
第1圖繪示了根據本創作一實施例的,不具有散熱材料的SSD的示意圖。
第2圖、第3圖和第4圖繪示了根據本創作不同實施例的,具有散熱材料的SSD的示意圖。
第5圖繪示了根據本創作另一實施例的,不具有散熱材料的SSD的示意圖。
第6圖和第7圖繪示了根據本創作不同實施例的,具有散熱材料的SSD的示意圖。
第8圖繪示了根據本創作一實施例的,具有多個SSD的SSD系統的示意圖。
100:SSD
101:電路板
103:SSD托架
BR_1:第一備用區
BS_1:第一備用儲存區
BP_1:第一備用電源
SR_1:第一儲存區
HSM_1:第一散熱材料
M_1:第一記憶體
Claims (20)
- 一種SSD,包含: 一電路板; 一第一儲存區,位於該電路版的一第一側上,包含至少一第一記憶體; 一控制區,位於該第一側上,包含至少一控制IC,該控制IC用以控制該第一記憶體;以及 第一散熱材料,位於該第一儲存區上或該控制區上。
- 如請求項1所述的SSD,其中該第一記憶體為NAND快閃記憶體。
- 如請求項1所述的SSD,其中該第一散熱材料為鋁或銅。
- 如請求項1所述的SSD,更包含: 一第一備用電源,位於該第一側上; 一第一備用儲存區,位於該第一側上,包含至少一第一備用儲存裝置; 其中當該SSD無法自外部接收足夠的電能時,會使用該第一備用電源所提供的電能來將儲存在該第一備用儲存裝置中的資料備份到該第一記憶體; 其中該第一散熱材料更位於該第一備用電源上或是該第一備用儲存區上。
- 如請求項4所述的SSD,其中該第一備用電源為一電容。
- 如請求項4所述的SSD,其中該第一備用電源為一DRAM。
- 如請求項1所述的SSD,更包含: 一第二儲存區,位於該電路版的一第二側上,包含至少一第二記憶體;以及 第二散熱材料,位於該第二儲存區上。
- 如請求項7所述的SSD,其中該第二記憶體為NAND快閃記憶體。
- 如請求項7所述的SSD,更包含: 一第二備用電源,位於該第二側上; 一第二備用儲存區,位於該第二側上,包含至少一第二備用儲存裝置; 其中當該SSD無法自外部接收足夠的電能時,會使用該第二備用電源所提供的電能來將儲存在該第二備用儲存裝置中的資料備份到該第二記憶體; 其中該第二散熱材料更位於該第二備用電源上或是該第二備用儲存區上。
- 如請求項9所述的SSD,其中該第二備用電源為一電容且該第二備用電源為一DRAM。
- 一種SSD系統,包含: 一殼體; 一SSD組,包含插入該殼體中的至少一SSD,其中該SSD包含: 一電路板; 一第一儲存區,位於該電路版的一第一側上,包含至少一第一記憶體; 一控制區,位於該第一側上,包含至少一控制IC,該控制IC用以控制該第一記憶體;以及 第一散熱材料,位於該第一儲存區上或該控制區上;以及 一控制裝置,位於該殼體中,用以控制該SSD。
- 如請求項11所述的SSD系統,其中該第一記憶體為NAND快閃記憶體。
- 如請求項11所述的SSD系統,其中該第一散熱材料為鋁或銅。
- 如請求項11所述的SSD系統,其中該SSD更包含: 一第一備用電源,位於該第一側上; 一第一備用儲存區,位於該第一側上,包含至少一第一備用儲存裝置; 其中當該SSD無法自外部接收足夠的電能時,會使用該第一備用電源所提供的電能來將儲存在該第一備用儲存裝置中的資料備份到該第一記憶體; 其中該第一散熱材料更位於該第一備用電源上或是該第一備用儲存區上。
- 如請求項14所述的SSD系統,其中該第一備用電源為一電容。
- 如請求項14所述的SSD系統,其中該第一備用電源為一DRAM。
- 如請求項11所述的SSD系統,其中該SSD更包含: 一第二儲存區,位於該電路版的一第二側上,包含至少一第二記憶體;以及 第二散熱材料,位於該第二儲存區上。
- 如請求項17所述的SSD系統,其中該第二記憶體為NAND快閃記憶體。
- 如請求項17所述的SSD系統,其中該SSD更包含: 一第二備用電源,位於該第二側上; 一第二備用儲存區,位於該第二側上,包含至少一第二備用儲存裝置; 其中當該SSD無法自外部接收足夠的電能時,會使用該第二備用電源所提供的電能來將儲存在該第二備用儲存裝置中的資料備份到該第二記憶體; 其中該第二散熱材料更位於該第二備用電源上或是該第二備用儲存區上。
- 如請求項19所述的SSD系統,其中該第二備用電源為一電容且該第二備用電源為一DRAM。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US202062984303P | 2020-03-03 | 2020-03-03 | |
US62/984,303 | 2020-03-03 | ||
US17/158,023 US20210280220A1 (en) | 2020-03-03 | 2021-01-26 | Ssd and ssd system |
US17/158,023 | 2021-01-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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TWM613246U true TWM613246U (zh) | 2021-06-11 |
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ID=77518246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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TW110202039U TWM613246U (zh) | 2020-03-03 | 2021-02-25 | Ssd以及ssd系統 |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TWM613246U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI845267B (zh) * | 2023-04-20 | 2024-06-11 | 宜鼎國際股份有限公司 | 高電容量模組 |
-
2021
- 2021-02-25 TW TW110202039U patent/TWM613246U/zh unknown
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI845267B (zh) * | 2023-04-20 | 2024-06-11 | 宜鼎國際股份有限公司 | 高電容量模組 |
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