TWI834145B - 光學層疊體 - Google Patents
光學層疊體 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI834145B TWI834145B TW111113292A TW111113292A TWI834145B TW I834145 B TWI834145 B TW I834145B TW 111113292 A TW111113292 A TW 111113292A TW 111113292 A TW111113292 A TW 111113292A TW I834145 B TWI834145 B TW I834145B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- organic polymer
- polymer layer
- layer
- equal
- content
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 94
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 150
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 149
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims abstract description 146
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 139
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 47
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 47
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 18
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 17
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 16
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 9
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 9
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 230
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 12
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 10
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 6
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[4-[[4-(2-hydroxy-2-methylpropanoyl)phenyl]methyl]phenyl]-2-methylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(C(=O)C(C)(O)C)=CC=C1CC1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 2-methylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3C(=O)C2=C1 NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- YLHXLHGIAMFFBU-UHFFFAOYSA-N methyl phenylglyoxalate Chemical compound COC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 YLHXLHGIAMFFBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 2
- ZSQCNVWYBBKUHS-UHFFFAOYSA-N (2,3-dimethylphenyl)-phenylmethanone Chemical compound CC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1C ZSQCNVWYBBKUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXPWZZHELZEVPO-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)-phenylmethanone Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 WXPWZZHELZEVPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUULNVBBQSRBEC-UHFFFAOYSA-N (9-oxo-10H-anthracen-2-yl) thiohypochlorite Chemical compound ClSC1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 FUULNVBBQSRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC(C)=C3SC2=C1 LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOGPDSATLSAZEK-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(N)=CC=C3C(=O)C2=C1 XOGPDSATLSAZEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJKGAPPUXSSCFI-UHFFFAOYSA-N 2-Hydroxy-4'-(2-hydroxyethoxy)-2-methylpropiophenone Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=C(OCCO)C=C1 GJKGAPPUXSSCFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAFFSEYSJOXUCD-UHFFFAOYSA-N 2-[[(2,6-dimethoxyphenyl)methyl-(2,4,4-trimethylpentyl)phosphoryl]methyl]-1,3-dimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1CP(=O)(CC(C)CC(C)(C)C)CC1=C(OC)C=CC=C1OC SAFFSEYSJOXUCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKCQWKJZLSDDSS-UHFFFAOYSA-N 2-formyloxyethyl formate Chemical compound O=COCCOC=O IKCQWKJZLSDDSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUICPNDVPIOFJH-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]propan-1-one Chemical compound CC(O)C(=O)C1=CC=C(OCCO)C=C1 PUICPNDVPIOFJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCTRUAQOQFCPKK-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylsulfanyl-10H-anthracen-9-one Chemical compound C(C)(C)SC1=CC=2C(C3=CC=CC=C3CC=2C=C1)=O GCTRUAQOQFCPKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C(=O)C2=C1 YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQFSURDUHGBXFL-UHFFFAOYSA-N 3-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=C(C)C=C3SC2=C1 BQFSURDUHGBXFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGVRJVHOJNYEHR-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzophenone Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 UGVRJVHOJNYEHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- WZDMBHZMMDMGBV-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(C)c(C(=O)CCOP(=O)c2ccccc2)c(C)c1 Chemical compound Cc1cc(C)c(C(=O)CCOP(=O)c2ccccc2)c(C)c1 WZDMBHZMMDMGBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 1
- BWPYBAJTDILQPY-UHFFFAOYSA-N Methoxyphenone Chemical compound C1=C(C)C(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(C)=C1 BWPYBAJTDILQPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010546 Norrish type I reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010547 Norrish type II reaction Methods 0.000 description 1
- WYWZRNAHINYAEF-UHFFFAOYSA-N Padimate O Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 WYWZRNAHINYAEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 206010049040 Weight fluctuation Diseases 0.000 description 1
- IXHOXXFTTQTNQS-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Na].[K] Chemical compound [Ca].[Na].[K] IXHOXXFTTQTNQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 description 1
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- CCOSOBKLKCHGNO-UHFFFAOYSA-N ethoxy-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphinic acid Chemical compound C(C)OP(O)(=O)C(C1=C(C=C(C=C1C)C)C)=O CCOSOBKLKCHGNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000031 ethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N([H])[*] 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WNAFVJVEADYQAI-UHFFFAOYSA-N methyl 2-phenylbenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 WNAFVJVEADYQAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002482 oligosaccharides Polymers 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FZUGPQWGEGAKET-UHFFFAOYSA-N parbenate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 FZUGPQWGEGAKET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- HPAFOABSQZMTHE-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HPAFOABSQZMTHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N phenyl-(4-phenylphenyl)methanone Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049953 phenylacetate Drugs 0.000 description 1
- 229960003424 phenylacetic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000003279 phenylacetic acid Substances 0.000 description 1
- FAQJJMHZNSSFSM-UHFFFAOYSA-N phenylglyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 FAQJJMHZNSSFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
一種光學層疊體包括金屬奈米線層以及有機聚合物層，其中有機聚合物層的交聯度大於或等於80%且小於或等於100%，且有機聚合物層中的揮發性有機物含量小於或等於1%。有機聚合物層中的揮發性有機物含量係定義為：有機聚合物層在一量測溫度下所測得的熱失重與有機聚合物層在該量測溫度下所測得的含水量的差值。
Description
本揭露是有關於一種光學層疊體。
隨著觸控技術的發展，由於透明導體可同時讓光穿過並提供適當的導電性，因此常應用於許多觸控相關的裝置中。一般而言，透明導體可以是各種金屬氧化物，例如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫或摻鋁氧化鋅。然而，這些金屬氧化物所製成的薄膜並無法滿足觸控裝置的可撓性需求。因此，現今發展出多種可撓性的透明導體，例如使用金屬奈米線等材料所製作的透明導體。
然而，以金屬奈米線製成的觸控裝置尚有許多需要解決的問題。舉例而言，當使用金屬奈米線製作觸控裝置中的觸控電極或周邊線路時，設置於觸控裝置中的光學膠(optical clear adhesive，OCA)基於其中所含有之聚合物的特性往往無法與金屬奈米線具有良好的相容性，導致光學膠層會攻擊(腐蝕)金屬奈米線，使得金屬奈米線容易發生電致遷移(migration)，進而造成金屬奈米線的可靠性不足而導致觸控裝置的短路或斷路，無法滿足產品信賴性測試的規格要求。
根據本揭露一些實施方式，一種光學層疊體包括金屬奈米線層以及有機聚合物層，其中有機聚合物層的交聯度大於或等於80%且小於或等於100%，且有機聚合物層中的揮發性有機物含量小於或等於1%。有機聚合物層中的揮發性有機物含量係定義為：有機聚合物層在一量測溫度下所測得的熱失重減去有機聚合物層在該量測溫度下所測得的含水量的差值。
在本揭露一些實施方式中，金屬奈米線層包括複數個金屬奈米線，且有機聚合物層直接接觸並包覆金屬奈米線。
在本揭露一些實施方式中，金屬奈米線層包括基質及摻雜於基質中的複數個金屬奈米線，且有機聚合物層設置於金屬奈米線層上。
在本揭露一些實施方式中，基質的交聯度大於或等於80%且小於或等於100%，基質中的揮發性有機物含量小於或等於1%，且基質中的揮發性有機物含量係定義為：基質在該量測溫度下所測得的熱失重減去基質在該量測溫度下所測得的含水量的差值。
在本揭露一些實施方式中，部分的金屬奈米線嵌入至有機聚合物層中。
在本揭露一些實施方式中，光學層疊體更包括鈍化層，設置於金屬奈米線層與有機聚合物層間，其中部分的金屬奈米線嵌入至鈍化層中。
在本揭露一些實施方式中，鈍化層的交聯度大於或等於80%且小於或等於100%，鈍化層中的揮發性有機物含量小於或等於1%，且鈍化層中的揮發性有機物含量係定義為：鈍化層在該量測溫度下所測得的熱失重減去鈍化層在該量測溫度下所測得的含水量的差值。
在本揭露一些實施方式中，光學層疊體更包括鈍化層，其中金屬奈米線層包括複數個金屬奈米線，鈍化層設置於金屬奈米線與有機聚合物層間，且鈍化層直接接觸並包覆金屬奈米線。
在本揭露一些實施方式中，光學層疊體更包括蓋板，設置於有機聚合物層上，其中蓋板的材料在能量散射X射線(Energy-Dispersive X-ray，EDX)分析下所測得的鉀元素及鈣元素各自的含量小於或等於1%。
在本揭露一些實施方式中，光學層疊體更包括蓋板，設置於有機聚合物層上，其中蓋板的材料在能量散射X射線(EDX)分析下所測得的鈉元素及鉀元素各自的含量小於或等於1%。
根據本揭露上述實施方式，本揭露的光學層疊體包括金屬奈米線層以及有機聚合物層。由於有機聚合物層具有本揭露所限定的交聯度及揮發性有機物含量，因此可確保有機聚合物層不會攻擊(腐蝕)金屬奈米線層中的金屬奈米線，進而使本揭露的光學層疊體達到產品信賴性測試的規格要求，並確保含有光學層疊體的觸控產品具有高的觸控靈敏度。
以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式，為明確地說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的，因此不應用以限制本揭露。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。另外，為了便於讀者觀看，圖式中各元件的尺寸並非依實際比例繪示。
此外，如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一個元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，若一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他組件的「下」側的組件將被定向在其他組件的「上」側。因此，示例性術語「下」可包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，若一個附圖中的裝置翻轉，被描述為在其它元件「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」可以包括上方和下方的取向。
第1圖繪示根據本揭露一些實施方式之光學層疊體100的疊構示意圖。光學層疊體100包括金屬奈米線層120及有機聚合物層130。在一些實施方式中，光學層疊體100可例如是觸控裝置(觸控感應器、觸控面板)的一部分，且光學層疊體100可位於觸控裝置的可視區及/或周邊區中，以實現觸控功能及/或將訊號傳遞至例如是外部處理器的電子元件。在一些實施方式中，光學層疊體100可進一步包括配置以承載金屬奈米線層120及有機聚合物層130的基板110，且基板110可例如是硬式透明基板或可撓式透明基板。在一些實施方式中，基板110的材料可包括但不限於玻璃、壓克力、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯、環烯烴聚合物、環烯烴共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、無色聚醯亞胺等透明材料或其組合。在一些實施方式中，光學層疊體100可進一步包括設置於有機聚合物層130上的蓋板140。整體而言，基板110與蓋板140可共同將金屬奈米線層120及有機聚合物層130夾置於其間。
在一些實施方式中，金屬奈米線層120可包括基質OC及分佈於基質OC中的多個金屬奈米線MNW。在一些實施方式中，基質OC可包括特定的聚合物或其混合物，以賦予金屬奈米線層120特定的化學、機械及光學特性。舉例而言，基質OC可提供金屬奈米線層120與其他層別之間良好的黏著性。又舉例而言，基質OC可提供金屬奈米線層120良好的機械強度。再舉例而言，基質OC可使金屬奈米線層120具有額外的抗刮擦及抗磨損的表面保護，以提升金屬奈米線層120的表面強度。上述特定的聚合物可例如是聚矽氧、聚矽烷、聚丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯、聚(矽-丙烯酸)、環氧樹脂或其組合。在一些實施方式中，金屬奈米線MNW可包括但不限於奈米銀線、奈米金線、奈米銅線、奈米鎳線或其組合。本文中的「金屬奈米線」是一集合名詞，其是指包括多個金屬元素、金屬合金或金屬化合物(包括金屬氧化物)的金屬線的集合，且金屬奈米線層120中所包括的金屬奈米線MNW的數量並不用以限制本揭露。在一些實施方式中，金屬奈米線層120的厚度H2可例如是大於或等於40奈米且小於或等於50奈米，以使金屬奈米線層120較佳地兼顧其電性及光學特性，降低因厚度H2過大而導致金屬奈米線層120產生不必要之可視性的可能性，並降低因厚度H2過小而導致金屬奈米線層120之面阻過大的可能性。另外，請先參閱第1B圖，其繪示第1A圖之光學層疊體100的區域R的局部放大示意圖。當以微觀的尺度來觀察，金屬奈米線MNW是無方向性地隨機分佈於基板110的表面111以及基質OC中，而部分的金屬奈米線MNW會分佈於基質OC的上表面T
OC附近，使得基質OC的上表面T
OC呈現凹凸不平具起伏狀的態樣。
請同時參閱第1A圖及第1B圖。在一些實施方式中，有機聚合物層130可疊設於金屬奈米線層120上，且鄰近於基質OC之上表面T
OC的每一根金屬奈米線MNW還可部分地嵌入至有機聚合物層130中。更詳細而言，鄰近於基質OC之上表面T
OC的每一根金屬奈米線MNW可具有第一部分M1及第二部分M2，其中第一部分M1嵌入至有機聚合物層130中並且與有機聚合物層130之間間隔有基質OC(即，基質OC的上表面T
OC共形於金屬奈米線MNW之第一部分M1的輪廓，且基質OC的上表面T
OC位於有機聚合物層130與金屬奈米線MNW的第一部分M1之間)，而第二部分M2位於基質OC中且完全未嵌入至有機聚合物層130中。整體而言，基質OC的上表面T
OC不僅接觸有機聚合物層130，更部分地嵌入至有機聚合物層130中。在一些實施方式中，有機聚合物層130可例如是光學透明膠(optically clear adhesive，OCA)，其可具有高透光率，以使光學層疊體100具有良好的光學特性。有機聚合物層130配置以保護金屬奈米線層120，以降低金屬奈米線層120中的金屬奈米線MNW受到由外界環境入侵之水氣攻擊的可能性。本揭露透過使有機聚合物層130的交聯度落在合適的範圍中，並且透過使有機聚合物層130中的揮發性有機物含量落在合適的範圍中，來提升有機聚合物層130與金屬奈米線層120中之金屬奈米線MNW的兼容性(相容性)，以確保有機聚合物層130本身不會攻擊(或腐蝕)金屬奈米線層120中的金屬奈米線MNW，進而達到產品信賴性測試的規格要求，並且確保含有光學層疊體100的觸控產品具有高的觸控靈敏度。在以下的敘述中，將更具體地針對「有機聚合物層130的交聯度」及「有機聚合物層130中的揮發性有機物含量」進行說明。
首先，針對「有機聚合物層130的交聯度」，本揭露的有機聚合物層130的材料是聚合物，而相信本領域技術具有通常知識者應可以瞭解到，聚合物可以是由單體在光起始劑(photo initiator)的存在下經紫外光照射而發生聚合反應而得，而本文中「有機聚合物層130的交聯度」是指用以製備有機聚合物層130的單體在進行聚合反應後，實際經交聯而形成聚合物之單體的比例(以百分率表示，單位為%)。當交聯度過低，可能代表光起始劑未能充分反應，導致最終殘留在有機聚合物層130中之光起始劑的殘留量過多，如此一來，殘留的光起始劑可能會進一步分解已成型(固化)之有機聚合物層130中的聚合物，導致聚合物降解而形成例如是寡聚物或單體等的低分子量的揮發性有機物(volatile organic compound，VOC)，進而腐蝕金屬奈米線層120中的金屬奈米線MNW。另一方面，由於光起始劑本身亦屬於揮發性有機物的一種，因此殘留的光起始劑亦會腐蝕金屬奈米線層120中的金屬奈米線MNW。基於上述，本揭露透過將有機聚合物層130的交聯度控制在大於或等於80%且小於或等於100%的範圍中，以確保有機聚合物層130不會攻擊(腐蝕)金屬奈米線層120中的金屬奈米線MNW，進而達到產品信賴性測試的規格要求，並確保含有光學層疊體100的觸控產品具有高的觸控靈敏度。
在一些實施方式中，光起始劑可選用但不限於裂解型(Norrish type I)光起始劑或奪氫型(Norrish type II)光起始劑。具體而言，裂解型光起始劑可例如是1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-4'-(2-羥乙氧基)-2-甲基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1,1'-(亞甲基二-4,1-亞苯基)雙[2-羥基-2-甲基-1-丙酮]、1-(4-(2-羥基乙氧基)苯基)-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-[4-{4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)苄基}苯基]-2-甲基-丙烷-1-酮、低聚(2-羥基-2-甲基-1-(4-(1-甲基乙烯基)苯基)丙酮)、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、苯基乙醛酸甲酯、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代苯基)丁烷-1-酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮、2-(二甲基氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基)-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、(2,4,6-三甲基苯甲醯基)乙氧基苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基膦酸乙脂、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)2,4,4-三甲基戊基氧化膦、上述任意化合物的衍生物、上述任意化合物或衍生物的組合；奪氫型光起始劑可例如是二苯甲酮、4-苯基二苯甲酮、4-氯二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、4,4'-雙(二甲氨基)二苯酮、4,4'-雙(二乙氨基)二苯酮、2,4,6-三甲基二苯甲酮、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、四甲基米蚩酮、4-(甲基)丙烯醯氧基二苯甲酮、甲乙基米蚩酮、4-(二甲氨基)苯甲酸-2-乙基己酯、4-二甲氨基苯甲酸乙酯、苯甲酸二甲基氨基乙酯、雙(2-苯基-2-氧代乙酸)氧基雙亞乙酯、苯基乙醛酸甲酯、鄰苯甲醯基苯甲酸甲酯、氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙醯氧基-乙氧基]乙酯與氧基-苯基-乙酸2-[2-羥基-乙氧基]乙酯的混合物、噻噸酮、2-氯噻噸酮、3-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、4-異丁基苯基-4'-甲基苯基碘六氟磷酸鹽、2-異丙基硫代蒽酮、2,4-二乙基硫代蒽-9-酮、4-丙基硫代蒽酮、2-氯硫代蒽酮、1-氯-4-丙氧基硫代蒽酮、蒽醌、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌、樟腦醌、上述任意化合物的衍生物、上述任意化合物、混合物或衍生物的組合。基於裂解型光起始劑經一次激發後便不復具有光起始劑的功能，因此在較佳的實施方式中，可選用裂解型光起始劑來作為製備有機聚合物層130的光起始劑，以降低具有活性之裂解型光起始劑殘留的可能性。在一些實施方式中，可透過控制光起始劑的添加量以降低未反應之光起始劑殘留的可能性。具體而言，可參照上述所列舉之裂解型光起始劑或奪氫型光起始劑的試劑使用指引方針(guideline)並根據有機聚合物層130所需的硬度、厚度及模量等實際需求來相應調整光起始劑的添加量。
在一些實施方式中，可透過控制紫外光劑量以促使聚合反應更加完全，進而提升交聯度，如此可減少因反應不完全而導致寡聚物或單體等的低分子量的揮發性有機物殘留。具體而言，請先參閱第2圖，其繪示根據本揭露一些實施方式之交聯度與紫外光劑量之間的關係圖，其中在第2圖所代表的聚合反應中，所使用的光起始劑為二苯甲酮。由第2圖可以看出，當紫外光劑量介於0mJ/cm
2至3000mJ/cm
2時，容易因能量不足而導致交聯度低，造成聚合反應不完全，而當聚合反應不完全時，又容易進一步產生對聚合反應有害的揮發性有機物(例如，過氧化物、自由基、反應後的極性殘留物等)，導致交聯度難以提升，如此惡性循環的結果將不利於聚合反應進行；而當紫外光劑量達到6000mJ/cm
2時，交聯度可達到85.8%，即達到本揭露所期望的數值(大或於等於80%)，且當紫外光劑量達到12000mJ/cm
2以上時，交聯度還可穩定地維持在89.1%至89.2%。由此可見，透過一次性地提供足量的紫外光(即，一次性地將紫外光劑量提升至特定值，在第2圖的實施方式中該特定值例如落在12000至15000間)，不僅可提升有機聚合物層130的交聯度，還可以避免產生揮發性有機物，進而確保有機聚合物層130不會攻擊(或腐蝕)金屬奈米線層120中的金屬奈米線MNW。希望說明的是，雖然第2圖僅為本揭露一實施方式中交聯度與紫外光劑量的關係圖，但經發明人嘗試以其他的光起始劑進行聚合反應之後，皆可得到類似於第2圖的曲線關係，由此可知，透過一次性地提供足量的紫外光，確實有助於提升交聯度。
進一步補充有關於有機聚合物層130的交聯度的量測方法。在本揭露中，可透過量測該有機聚合物層130在溶劑中浸泡前、後的重量變化，來得到該有機聚合物層130的交聯度。具體而言，有機聚合物層130的交聯度的量測方法包括以下步驟。步驟S1：使用加熱暨線切割法或冷凍法將一產品中的有機聚合物層130(簡稱聚合物)取下約0.1克，其中加熱暨線切割法包括將產品(例如，觸控模組、顯示模組)放置於溫度80℃的加熱板上加熱30秒，並使用線徑為0.1毫米的鉬絲切割聚合物，使聚合物與產品分離，再接著使用聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)薄膜黏取聚合物；而冷凍法包括將產品放置於溫度為-80℃的環境中冷凍0.5小時，並在取出產品後立刻使用硬膜插入至聚合物所在的層別與其他層別之間，使得聚合物與產品分離，再接著以角度180度撕除聚合物或者採用PET薄膜黏取聚合物。步驟S2：將網目為60 目/英寸的不鏽鋼金屬網裁切為具有4公分×6公分的面積，並將裁切後的不鏽鋼金屬網秤重並紀錄(重量W1)。步驟S3：將由步驟S1取下的聚合物盡可能地攤平並放置於不鏽鋼金屬網上。步驟S4：將不鏽鋼金屬網折出兩個平行於不鏽鋼金屬網之短邊的折痕，使不鏽鋼金屬網被均分為三等分，在彎折過程中，勿使不鏽鋼金屬網上的聚合物相互觸碰而沾黏。步驟S5：在不鏽鋼金屬網的每一條折痕的兩末端各剪一刀，並沿折痕將不鏽鋼金屬網外側的兩個等分朝中間彎折，進而使聚合物完全受不鏽鋼金屬網包圍，以形成樣品，並將樣品秤重並紀錄(重量W2)。步驟S6：將樣品放入50mL的圓柱玻璃杯中，並將30 mL的溶劑(溶劑包括90體積份的乙酸乙酯及10體積份的異丙醇)倒入盛有樣品的圓柱玻璃杯中，並確認溶劑完全覆蓋樣品，且樣品未漂浮於圓柱玻璃杯中(亦即，確認樣品是沉於圓柱玻璃杯的底部)。步驟S7：將圓柱玻璃杯以蓋子密封，並靜置在常溫常壓的通風櫥中48小時。步驟S8：將浸泡48小時的樣品從圓柱玻璃杯中取出，並放置於已事先秤重紀錄(重量W3)的鋁盤上，再將鋁盤連同樣品一併放進溫度為100℃並且具有排風功能的烘箱烘烤1小時。步驟S9：將烘烤後的鋁盤連同樣品取出並待其回到室溫後，將鋁盤連同樣品秤重並紀錄(W4)。步驟S10：依照以下式(1)計算出聚合物(有機聚合物層130)在溶劑中浸泡前後的重量變化，以得到該有機聚合物層130的交聯度(以Gel(%)代表，單位為%)。在經上述步驟S1至步驟S10後，便可得到本揭露之有機聚合物層130的交聯度。
Gel(%)=100%×(W4-W3-W1)/(W2-W1)─式(1)。
接著，針對「有機聚合物層130中的揮發性有機物含量」，如前文所述，當殘留在有機聚合物層130中的揮發性有機物過多時，容易導致有機聚合物層130腐蝕金屬奈米線層120中的金屬奈米線MNW，進而使含有光學層疊體100的產品無法通過信賴性測試。在一些實施方式中，可透過控制在聚合反應中所添加之交聯劑、附著促進劑與助劑及在聚合反應期間產生之寡聚物的含量，來調整有機聚合物層130中的揮發性有機物含量。具體而言，交聯劑可促使單體進行交聯反應，且可例如是具有多個官能基的單體或寡聚物；附著促進劑可例如具有高極性的官能基；助劑可例如是提供抗腐蝕效果的抗腐蝕劑、提供紫外線吸收效果的紫外線吸收劑或用以調整產物(聚合物)之分子量的分子量調節劑，且可例如具有高極性的官能基或具備腐蝕性的硫醇類化合物；而寡聚物可能是在聚合反應過程中因未反應完全而產生的短鏈高分子，其可具有位於鏈段末端的活性雙鍵。若交聯劑、附著促進劑或助劑的含量過多，或者交聯劑、附著促進劑或助劑中的官能基反應不完全，又或者聚合反應結束後殘留於有機聚合物層130中的寡聚物過多，皆可能導致有機聚合物層130中剩餘的丙烯酸酯雙鍵氧化，進而形成對金屬奈米線MNW有害的高極性物質或酸性物質(即，揮發性有機物)。詳細而言，可參照本技術領域中常用之交聯劑、附著促進劑與助劑的試劑使用指引方針(guideline)並根據有機聚合物層130所需的硬度、厚度及模量等實際需求來相應調整交聯劑、附著促進劑與助劑的添加量，進而控制寡聚物的生成量。基於上述，本揭露將有機聚合物層130中的揮發性有機物含量控制在小於或等於1%的範圍中，確保有機聚合物層130不會攻擊金屬奈米線層120中的金屬奈米線MNW，進而達到產品信賴性測試的規格要求，並且確保含有光學層疊體100的觸控產品具有高的觸控靈敏度。應瞭解到，排除掉儀器偵測極限以及儀器誤差的因素，在較佳的實施方式中，有機聚合物層130中的揮發性有機物含量可實質上等於0%，也就是有機聚合物層130中完全不含有任何揮發性有機物。
在本揭露中，有機聚合物層130中的揮發性有機物含量係定義為：有機聚合物層130在一量測溫度下所測得的熱失重減去有機聚合物層130在該量測溫度下所測得的含水量的差值。更詳細而言，由於揮發性有機物在高溫下會揮發，而水在高溫下亦會揮發，因此當將有機聚合物層130在一特定溫度下的重量損失(即，熱失重，也就是揮發性有機物與水氣的總揮發量)減去有機聚合物層130在該特定溫度下水氣的揮發量(即，含水量)的差值，便可得到有機聚合物層130中的揮發性有機物含量。以下依序補充有關於「有機聚合物層130的熱失重的量測方法」以及「有機聚合物層130的含水量的量測方法」。
首先，針對「有機聚合物層130的熱失重的量測方法」，在本揭露中，可透過對有機聚合物層130進行熱重量分析(thermalgravimatric analysis，TGA)來得到有機聚合物層130的熱失重。更具體而言， 有機聚合物層130的熱失重的量測方法包括以下步驟。步驟S1'：使用加熱暨線切割法或冷凍法將一產品中的有機聚合物層130(簡稱聚合物)取下約20毫克，有關於加熱暨線切割法或冷凍法的具體細節請參前文的說明，於此不再贅述。步驟S2'：在溫度為25±3℃且濕度RH為50±5%的無塵環境下將取下的聚合物靜置24小時。步驟S3'：將熱重分析儀(型號：TA TGA-500)的樣品架(sample holder)放置於熱重分析儀的秤盤上並歸零(去皮)。步驟S4'：將靜置後的聚合物放置在去皮後的樣品架中。步驟S5'：以10℃/分鐘的速率升溫至30℃，並將溫度維持在30℃直到熱重分析儀所顯示之重量的波動小於1微克/分鐘，記錄此時聚合物的重量WI。步驟S6'：以10℃/分鐘的速率升溫至120℃，並將溫度維持在120℃持續1小時後，記錄此時聚合物的重量WF。步驟S7'：透過熱重分析儀計算重量WF減去重量WI的差值。在經上述步驟S1'至步驟S7'之後，便可得到聚合物(有機聚合物層130)的熱重損失(熱失重)。
接著，針對「有機聚合物層130的含水量的量測方法」，在本揭露中，可透過對有機聚合物層130進行卡爾-費雪滴定(Karl-Fisher Titration)來得到有機聚合物層130的含水量。具體而言，有機聚合物層130的含水量的量測方法包括以下步驟。步驟S1"：使用加熱暨線切割法或冷凍法將一產品中的有機聚合物層130(簡稱聚合物)取下約50毫克，有關於加熱暨線切割法或冷凍法的具體細節請參前文的說明，於此不再贅述。步驟S2"：在溫度為25±3℃且濕度RH為50±5%的無塵環境下將取下的聚合物靜置24小時。步驟S3"：對取下的聚合物秤重(重量精確度至0.0001g)，並將聚合物的重量輸入至卡爾-費雪滴定儀(型號：Metrohm KF Titrando 851)中。步驟S4"：將聚合物置於該卡爾-費雪滴定儀中，並設定溫度為120℃、幫浦(pump)流量為40毫升/分鐘、拔出時間(extraction time)為1500秒。步驟S5"：待滴定結束後，將卡爾-費雪滴定儀所量測到之聚合物的含水量數據輸出。在經上述步驟S1"至步驟S5"後，便可得到聚合物(有機聚合物層130)的含水量。
在經前述步驟S1'至步驟S7'以得到有機聚合物層130在量測溫度為120℃時所測得的熱失重，並經步驟S1"至步驟S5"以得到有機聚合物層130在量測溫度為120℃時所測得的含水量後，便可將該熱失重減去該含水量，以得到有機聚合物層130的熱失重與含水量之間的差值，進而得到本揭露之有機聚合物層130中的揮發性有機物含量。值得說明的是，在前述步驟S1'至步驟S7'使用的聚合物與在前述步驟S1"至步驟S5"所使的聚合物可為同一產品中由不同位置取下的聚合物樣品。在另一些實施方式中，亦可先對一聚合物進行熱失重的量測，並將已進行熱失重量測的同一個聚合物靜置於溫度為25±3℃且濕度RH為50±5%的無塵環境下24小時後，再對該聚合物進行含水量的量測，然而此實施方式便是取50毫克的聚合物作為聚合物樣品。
本揭露透過使有機聚合物層130的交聯度落在合適的範圍中，並且透過使有機聚合物層130中的揮發性有機物含量落在合適的範圍中，來提升有機聚合物層130與金屬奈米線層120中之金屬奈米線MNW的兼容性，以確保有機聚合物層130本身不會攻擊(腐蝕)金屬奈米線層120中的金屬奈米線MNW，進而達到產品信賴性測試的規格要求。具體而言，本揭露中所稱「達到產品信賴性測試的規格要求」是指本揭露的光學層疊體100在經歷504小時的高溫高濕HS8585測試(即，溫度85℃、相對濕度85%、通入5伏特的直流電壓)後，光學層疊體100的阻值變化率(ΔR)小於或等於10%且大於或等於-10%。
進一步補充有關於光學層疊體100的阻值(方阻值)變化率的量測方法。在此量測方法中，量測設備是採用非接觸式方阻測試儀(型號：Napson EC-80P-PN)，並是在常溫下進行量測。具體的量測方法包括以下步驟。步驟S11：將該非接觸式方阻測試儀通電並開機，並暖機20分鐘。步驟S12：在M-H模式下，按壓該非接觸式方阻測試儀的設置鍵，選擇「sheet測試」。步驟S13：將尚未經歷高溫高濕測試的光學層疊體100(包括基板110、金屬奈米線層120以及有機聚合物層130)平放於一絕緣檯面上。步驟S14：將探針的針尖垂直地接觸於金屬奈米線層120之表面的任一位置。步驟S15：等待直至該非接觸式方阻測試儀顯示之方阻值的後方顯示「complete」，並記錄該方阻值。步驟S16：將探針提起，以準備進行下一次測試(在正常情況下，待探針提起後，「complete」會消失，此時無需重新設置便可進行下一次測試；然而，若「complete」未消失，則需連續按壓兩次設置鍵方可進行下一次測試)。步驟S17：重複進行多次(例如，10次)步驟S14至步驟S15，並以多次量測所得到的多個方阻值的平均值作為尚未經歷高溫高濕測試之光學層疊體100的方阻值R
I。步驟S18：重複進行步驟S11至步驟S13，其中在步驟S13中，是將已經歷504小時之高溫高濕HS8585測試的同一個光學層疊體100平放於一絕緣檯面上。步驟S19：重複進行多次(例如，10次)步驟S14至步驟S15，並以多次量測所得到的多個方阻值的平均值作為在經歷504小時之高溫高濕HS8585測試後的光學層疊體100的方阻值R
F。步驟S20：依照以下式(2)計算出光學層疊體100的阻值變化率(ΔR)。在經上述步驟S11至步驟S20後，便可得到本揭露之光學層疊體100的阻值變化率(ΔR)。
ΔR(%)=100%×(R
F-R
I)/R
I—式(2)。
在一些實施方式中，有機聚合物層130的厚度H3可大於或等於25微米且小於或等於125微米，有機聚合物層130的厚度H3與金屬奈米線層120的厚度H2的單位屬於不同的數量級，如此有助於有機聚合物層130更進一步保護金屬奈米線層120，降低水氣侵入至金屬奈米線層120中的機率，進而降低金屬奈米線MNW發生電致遷移機率或減緩金屬奈米線MNW發生電致遷移的時間，進而較佳地達到產品信賴性測試的規格要求，並較佳地確保含有光學層疊體100的觸控產品具有高的觸控靈敏度。
另一方面，由於金屬奈米線層120的基質OC會直接接觸金屬奈米線MNW，因此在一些實施方式中，可進一步使金屬奈米線層120之基質OC的交聯度落在合適的範圍中，並進一步使金屬奈米線層120之基質OC中的揮發性有機物含量落在合適的範圍中，來較佳地保護金屬奈米線MNW，以進一步降低金屬奈米線MNW受到腐蝕的機率，有助於達到產品信賴性測試的規格要求。具體而言，在一些實施方式中，基質OC的交聯度可控制在大於或等於80%且小於或等於100%的範圍中，且基質OC中的揮發性有機物含量可控制在小於或等於1%的範圍中，其中基質OC中的揮發性有機物含量係定義為：基質OC在一量測溫度(即，120℃)下所測得的熱失重減去基質OC在該量測溫度(即，120℃)下所測得的含水量的差值，有關於基質OC之交聯度與揮發性有機物含量各自的定義及量測方法與可參照前文有關於有機聚合物層130之交聯度與揮發性有機物含量各自的定義及量測方法，於此不再贅述。排除掉儀器偵測極限及儀器誤差的因素，在較佳的實施方式中，基質OC中的揮發性有機物含量可實質上等於0%，也就是基質OC中完全不含有任何揮發性有機物。
請參閱表一，其透過各比較例及各實施例具體驗證本揭露的有機聚合物層130之交聯度以及揮發性有機物含量對於光學層疊體100是否能通過信賴性測試所造成的影響。需要說明的是，在表一中，各實施例及比較例之光學層疊體100的疊構與第3圖的疊構相同，其是將金屬奈米線層120及鈍化層150視為一整體，來進一步量測光學層疊體100中有機聚合物層130的特性。應瞭解到，表一的重點在於有機聚合物層130的特性對於光學層疊體100是否能通過信賴性測試所造成的影響，不應以表一中各實施例的疊構來限制本揭露。
表一
| 有機聚合物層的特性 | 光學層疊體在經歷54小時的高溫高濕HS8585測試後的阻值變化率ΔR(%) | ||
| 交聯度(%) | 揮發性有機物含量(%) (熱失重(%)-含水量(%)) | ||
| 比較例1 | 75.9 | 0.74 | 79.4 |
| 比較例2 | 68.5 | 1.42 | 阻值變化率過大，無法測得 |
| 比較例3 | 82.5 | 1.27 | 50.3 |
| 比較例4 | 92.6 | 1.39 | 阻值變化率過大，無法測得 |
| 比較例5 | 91.6 | 1.42 | 阻值變化率過大，無法測得 |
| 比較例6 | 91.7 | 1.61 | 阻值變化率過大，無法測得 |
| 比較例7 | 93.4 | 1.59 | 阻值變化率過大，無法測得 |
| 比較例8 | 73.7 | 0.76 | 34.7 |
| 實施例1 | 86.3 | 0.56 | -1.5 |
| 實施例2 | 88.9 | 0.62 | -3.3 |
| 實施例3 | 91.1 | 0.32 | 9.6 |
首先，需說明的是，實施例1所使用之已固化的有機聚合物層130(模片、片材)是購自航日化學(香港)有限公司，其商品型號為AVIC FP301；實施例2所使用之已固化的有機聚合物層130(模片、片材)是購自新綸科技股份有限公司，其商品型號為Selen SLC-6305；而實施例3所使用之已固化的有機聚合物層130(模片、片材)是購自富印集團，其商品型號為22A-7；且上述各商品皆是依照本揭露中對於有機聚合物層130之交聯度及揮發性有機物含量的需求所開發出來的。由表一的比較例1~8可知，當有機聚合物層130交聯度及揮發性有機物含量的任一者並未落在本揭露所限定的範圍內時，光學層疊體100便無法通過相關的信賴性測試；而由表一的實施例1~3可知，當有機聚合物層130交聯度及揮發性有機物含量皆落在本揭露所限定的範圍內時，光學層疊體100可通過相關的信賴性測試(電阻變化率小於或等於10%且大於或等於-10%)。
在一些實施方式中，可進一步透過調整蓋板140的材料，以降低金屬奈米線層120中的金屬奈米線MNW受到腐蝕的機率。詳細而言，可透過控制蓋板140中高活性之元素(例如，鉀、鈉及鈣元素)的含量，以降低由高活性之元素所產生的離子(例如鉀離子、鈉離子及鈣離子)因擴散而誘發金屬奈米線MNW發生電致遷移(migration)的機率，進而較佳地達到產品信賴性測試的規格要求，並較佳地確保含有光學層疊體100的觸控產品具有高的觸控靈敏度。具體而言，在一些實施方式中，蓋板140的材料在能量散射X射線(Energy-Dispersive X-ray，EDX)分析下所測得的鉀元素及鈣元素各自的含量可控制在小於或等於1%的範圍中；而在另一些實施方式中，蓋板140的材料在能量散射X射線分析下所測得的鈉元素及鉀元素各自的含量可控制在小於或等於1%的範圍中。當蓋板140的材料中高活性之元素的含量被控制在上述範圍中時，可較佳地降低金屬奈米線MNW發生電致遷移的機率。詳細而言，當上述高活性之元素的含量大於1%時，由高活性之元素所產生的離子將有較大的機會擴散至金屬奈米線層120中，進而使金屬奈米線MNW較容易電化學解離並發生電致遷移。排除掉儀器偵測極限及儀器誤差的因素，在較佳的實施方式中，一蓋板140中之鉀元素及鈣元素各自的含量或者蓋板140中之鈉元素及鉀元素各自的含量可實質上等於0%，也就是一蓋板140中完全不含有任何鉀元素及鈣元素或者鈉元素及鉀元素。
請參閱表二，其透過各比較例及各實施例具體驗證蓋板140的材料對於光學層疊體100是否能通過信賴性測試所造成的影響。需說明的是，在表二中，各實施例及比較例之光學層疊體100的疊構與第1A圖的疊構相同。此外，各元素的含量是經能量散射X射線分析所測得，其中所使用的能量散射X射線分析儀的偵測極限為1%。
表二
| 蓋板的材料中高活性之元素的含量 (%) | 有機聚合物層的商品型號 | 光學層疊體在經歷54小時的高溫高濕HS8585測試後的阻值變化率ΔR(%) | |||
| 鉀元素 | 鈣元素 | 鈉元素 | |||
| 比較例1 | 14.52 | 7.12 | 5.12 | Selen SLC-6305 | -2.8 |
| 實施例1 | 小於偵測極限 | 小於偵測極限 | 23.02 | Selen SLC-6305 | -3.2 |
| 實施例2 | 小於偵測極限 | 9.12 | 小於偵測極限 | Selen SLC-6305 | -3.5 |
| 對照例1 | 14.52 | 7.12 | 8.15 | 富印28A | 67.2 |
| 對照例2 | 小於偵測極限 | 小於偵測極限 | 23.02 | 富印28A | 30.0 |
| 對照例3 | 小於偵測極限 | 9.12 | 小於偵測極限 | 富印28A | 25.8 |
由表二的比較例1及實施例1~2可知，當採用符合本揭露所限定之規格(交聯度及揮發性有機物含量)的聚合物作為有機聚合物層130時，若將蓋板140的材料中所含有之鉀元素及鈣元素各自的含量控制在小於或等於1%的範圍中，或將蓋板140的材料中所含有之鉀元素及鈉元素各自的含量控制在小於或等於1%的範圍中，皆有助於光學層疊體100的阻值變化率降低。另一方面，本揭露另外提供對照例1~3，其是採用不符合本揭露所限定之規格(交聯度及揮發性有機物含量)的聚合物(購自富印集團，商品型號為28A)作為有機聚合物層130，而當在對照例1~3中，若將蓋板140的材料中所含有之鉀元素及鈣元素各自的含量控制在小於或等於1%的範圍中，或將蓋板140的材料中所含有之鉀元素及鈉元素各自的含量控制在小於或等於1%的範圍中，皆可有助於光學層疊體100的阻值變化率降低。由此可見，透過控制蓋板140中鉀、鈉以及鈣元素的含量，可降低金屬奈米線MNW發生電致遷移的機率，進而較佳地達到產品信賴性測試的規格要求，並較佳地確保含有光學層疊體100的觸控產品具有高的觸控靈敏度。
請參閱第3圖，其繪示根據本揭露另一些實施方式之光學層疊體100a的疊構示意圖。第3圖的光學層疊體100a與第1A圖的光學層疊體100的至少一個差異在於：光學層疊體100a更包括設置於金屬奈米線層120與有機聚合物層130之間的鈍化層150。換句話說，金屬奈米線層120、鈍化層150、有機聚合物層130以及蓋板140依序堆疊於基板110上。在本實施方式中，金屬奈米線層120中之部分的金屬奈米線MNW進一步嵌入至鈍化層150中，詳細結構特徵請參見前述第1B圖的說明，於此便不再贅述。在一些實施方式中，鈍化層150可具有良好的防刮性能，因此可在光學層疊體100a的製備過程中進一步保護金屬奈米線層120免於受到傷害。在一些實施方式中，鈍化層150的厚度H5可例如是大於或等於5微米且小於或等於10微米，進而較佳地保護金屬奈米線層120，降低因厚度H5過大而導致鈍化層150產生不必要之可視性的可能性，並降低因厚度H5過小而導致金屬奈米線層120在製程期間因刮傷或擦傷而造成磨損的可能性。
另一方面，由於在本實施方式中，鈍化層150相較於有機聚合物層130更為接近金屬奈米線MNW，因此在一些實施方式中，可進一步使鈍化層150的交聯度落在合適的範圍中，並進一步使鈍化層150中的揮發性有機物含量落在合適的範圍中，如此可更進一步保護金屬奈米線MNW，更加降低金屬奈米線MNW受到腐蝕的機率，有助於進一步達到產品信賴性測試的規格要求。具體而言，在一些實施方式中，鈍化層150的交聯度可控制在大於或等於80%且小於或等於100%的範圍中，且鈍化層150中的揮發性有機物含量可控制在小於或等於1%的範圍中，其中鈍化層150中的揮發性有機物含量係定義為：鈍化層150在一量測溫度(120℃)下所測得的熱失重減去鈍化層150在該量測溫度(120℃)下所測得的含水量的差值，有關於鈍化層150之交聯度及揮發性有機物含量各自的定義及量測方法與可參照前文有關於有機聚合物層130之交聯度及揮發性有機物含量各自的定義以及量測方法，於此不再贅述。排除掉儀器偵測極限及儀器誤差的因素，在較佳的實施方式中，鈍化層150中的揮發性有機物含量可實質上等於0%，也就是鈍化層150中完全不含有任何揮發性有機物。
請參閱第4圖，其繪示根據本揭露另一些實施方式之光學層疊體100b的疊構示意圖。第4圖的光學層疊體100b與第3圖的光學層疊體100a的至少一個差異在於：光學層疊體100b的金屬奈米線層120並不包括基質OC(即，金屬奈米線層120是由金屬奈米線MNW所構成的)，且鈍化層150直接接觸基板110並直接接觸且包覆金屬奈米線MNW，也就是說，鈍化層150設置於每一根金屬奈米線MNW與有機聚合物層130間。在本實施方式中，鈍化層150可完全包覆所有的金屬奈米線MNW，因此所有的金屬奈米線MNW會完全分佈在鈍化層150中而不會部分地嵌入至有機聚合物層130中。透過省略金屬奈米線層120中基質OC的設置，可減少製程步驟，並降低製程成本，且還可有利於光學層疊體100b薄型化。另一方面，由於鈍化層150可具有大於或等於80%且小於或等於100%的交聯度以及小於或等於1%的揮發性有機物含量，因此即便鈍化層150直接接觸金屬奈米線MNW，亦不會攻擊(腐蝕)金屬奈米線MNW，如此一來，第4圖的光學層疊體100b仍可達到產品信賴性測試的規格要求。
請參閱第5圖，其繪示根據本揭露另一些實施方式之光學層疊體100c的疊構示意圖。第5圖的光學層疊體100c與第4圖的光學層疊體100b的至少一個差異在於：光學層疊體100c並不包括鈍化層150，且有機聚合物層130接觸基板110並直接接觸且包覆金屬奈米線MNW也就是說，有機聚合物層130設置於每一根金屬奈米線MNW與蓋板140間。在本實施方式中，有機聚合物層130可完全包覆所有的金屬奈米線MNW，因此所有的金屬奈米線MNW會完全分佈在有機聚合物層130中。相較於第4圖的光學層疊體100b，由於第5圖的光學層疊體100c進一步省略鈍化層150的設置，因此可減少製程步驟，並降低製程成本，且還可有利於光學層疊體100c薄型化。
根據本揭露上述實施方式，本揭露的光學層疊體包括金屬奈米線層以及有機聚合物層。由於有機聚合物層具有本揭露所限定的交聯度及揮發性有機物含量，因此可確保有機聚合物層不會攻擊(腐蝕)金屬奈米線層中的金屬奈米線，進而使本揭露的光學層疊體達到產品信賴性測試的規格要求，並確保含有光學層疊體的觸控產品具有高的觸控靈敏度。此外，透過進一步使光學層疊體中的其他層別(例如，金屬奈米線層中的基質、鈍化層)具有本揭露所限定的交聯度及揮發性有機物含量，可進一步提升金屬奈米線的穩定性，進而延長光學層疊體的使用壽命。另外，透過透過控制蓋板中高活性之元素的含量，可進一步降低金屬奈米線發生電致遷移的機率，以較佳地達到產品信賴性測試的規格要求。另一方面，本揭露的光學層疊體可具有多樣化的疊構設計，進而在確保光學層疊體可達到產品信賴性測試的規格要求之前提下，因應各種不同的產品需求。
雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100,100a,100b,100c:光學層疊體
110:基板
111:表面
120:金屬奈米線層
130:有機聚合物層
140:蓋板
150:鈍化層
OC:基質
MNW:金屬奈米線
M1:第一部分
M2:第二部分
T
OC:上表面
H2~H3,H5:厚度
R:區域
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1A圖繪示根據本揭露一些實施方式之光學層疊體的疊構示意圖；
第1B圖繪示第1A圖之光學層疊體的區域R的局部放大示意圖；
第2圖繪示根據本揭露一些實施方式之交聯度與紫外線劑量之間的關係圖；
第3圖繪示根據本揭露另一些實施方式之光學層疊體的疊構示意圖；
第4圖繪示根據本揭露另一些實施方式之光學層疊體的疊構示意圖；以及
第5圖繪示根據本揭露另一些實施方式之光學層疊體的疊構示意圖。
100:光學層疊體
110:基板
120:金屬奈米線層
130:有機聚合物層
140:蓋板
OC:基質
MNW:金屬奈米線
TOC:上表面
H2~H3:厚度
R:區域
Claims (10)
- 一種光學層疊體，包括：一金屬奈米線層；以及一有機聚合物層，其中該有機聚合物層的交聯度大於或等於80%且小於或等於100%，該有機聚合物層中的揮發性有機物含量小於或等於1%，且該有機聚合物層中的揮發性有機物含量係定義為：該有機聚合物層在一量測溫度下所測得的熱失重減去該有機聚合物層在該量測溫度下所測得的含水量的差值。
- 如請求項1所述的光學層疊體，其中該金屬奈米線層包括複數個金屬奈米線，且該有機聚合物層直接接觸並包覆該些金屬奈米線，其中該有機聚合物層中的揮發性有機物是聚合反應不完全所殘留。
- 如請求項1所述的光學層疊體，其中該金屬奈米線層包括一基質及摻雜於該基質中的複數個金屬奈米線，且該有機聚合物層設置於該金屬奈米線層上。
- 如請求項3所述的光學層疊體，其中該基質的交聯度大於或等於80%且小於或等於100%，該基質中的揮發性有機物含量小於或等於1%，且該基質中的揮發性有機物含量係定義為：該基質在該量測溫度下所測得的熱失重減去該基質在該量測溫度下所測得的含水量的差 值，其中該基質中的揮發性有機物是聚合反應不完全所殘留。
- 如請求項3所述的光學層疊體，其中部分的該些金屬奈米線嵌入至該有機聚合物層中。
- 如請求項3所述的光學層疊體，更包括一鈍化層，設置於該金屬奈米線層與該有機聚合物層間，其中部分的該些金屬奈米線嵌入至該鈍化層中。
- 如請求項6所述的光學層疊體，其中該鈍化層的交聯度大於或等於80%且小於或等於100%，該鈍化層中的揮發性有機物含量小於或等於1%，且該鈍化層中的揮發性有機物含量係定義為：該鈍化層在該量測溫度下所測得的熱失重減去該鈍化層在該量測溫度下所測得的含水量的差值，其中該有鈍化層中的揮發性有機物是聚合反應不完全所殘留。
- 如請求項1所述的光學層疊體，其中該有機聚合物層的交聯度大於或等於86.3%且小於或等於91.1%，且該有機聚合物層中的揮發性有機物含量大於或等於0.32%且小於或等於0.62%。
- 如請求項1所述的光學層疊體，更包括一 蓋板，設置於該有機聚合物層上，其中該蓋板的材料在能量散射X射線分析下所測得的鉀元素及鈣元素各自的含量小於或等於1%。
- 如請求項1所述的光學層疊體，更包括一蓋板，設置於該有機聚合物層上，其中該蓋板的材料在能量散射X射線分析下所的得的鈉元素及鉀元素各自的含量小於或等於1%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111113292A TWI834145B (zh) | 2022-04-07 | 2022-04-07 | 光學層疊體 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111113292A TWI834145B (zh) | 2022-04-07 | 2022-04-07 | 光學層疊體 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202339952A TW202339952A (zh) | 2023-10-16 |
| TWI834145B true TWI834145B (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=89855973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111113292A TWI834145B (zh) | 2022-04-07 | 2022-04-07 | 光學層疊體 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI834145B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103155174A (zh) * | 2010-08-07 | 2013-06-12 | 伊诺瓦动力有限公司 | 具有表面嵌入的添加剂的装置组件和相关的制造方法 |
| TWI426531B (zh) * | 2006-10-12 | 2014-02-11 | Cambrios Technologies Corp | 以奈米線為主之透明導體及其應用 |
| TW201443196A (zh) * | 2013-03-11 | 2014-11-16 | Carestream Health Inc | 用於銀奈米線體基透明導電薄膜之穩定劑 |
| TWI525033B (zh) * | 2010-02-24 | 2016-03-11 | 坎畢歐科技公司 | 以奈米線為主之透明導體及其圖案化方法 |
| TWI647516B (zh) * | 2012-03-29 | 2019-01-11 | 英屬維京群島商天才創新材料科技股份有限公司 | 層結構之電接點 |
-
2022
- 2022-04-07 TW TW111113292A patent/TWI834145B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI426531B (zh) * | 2006-10-12 | 2014-02-11 | Cambrios Technologies Corp | 以奈米線為主之透明導體及其應用 |
| TWI525033B (zh) * | 2010-02-24 | 2016-03-11 | 坎畢歐科技公司 | 以奈米線為主之透明導體及其圖案化方法 |
| CN103155174A (zh) * | 2010-08-07 | 2013-06-12 | 伊诺瓦动力有限公司 | 具有表面嵌入的添加剂的装置组件和相关的制造方法 |
| TWI647516B (zh) * | 2012-03-29 | 2019-01-11 | 英屬維京群島商天才創新材料科技股份有限公司 | 層結構之電接點 |
| TW201443196A (zh) * | 2013-03-11 | 2014-11-16 | Carestream Health Inc | 用於銀奈米線體基透明導電薄膜之穩定劑 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202339952A (zh) | 2023-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20090110914A (ko) | 투명 도전성 적층체 및 그것으로 이루어지는 터치 패널 | |
| JP6566983B2 (ja) | 転写フィルム、電極保護膜、積層体、静電容量型入力装置、静電容量型入力装置の製造方法、および転写フィルムの製造方法 | |
| KR20150002457A (ko) | 점착시트 및 적층체 | |
| TWI728023B (zh) | 黏著性組合物、黏著劑、黏著板片及顯示體 | |
| TW201920565A (zh) | 光硬化性黏著片材、光硬化性黏著片材積層體、光硬化性黏著片材積層體之製造方法及圖像顯示面板積層體之製造方法 | |
| JP5490954B1 (ja) | 導電性積層体およびそれを用いるタッチパネル | |
| US10088961B2 (en) | Electroconductive laminate and touch panel using thereof | |
| JP6551277B2 (ja) | 硬化膜付きタッチパネル用基材の製造方法、それに用いる感光性樹脂組成物、感光性エレメント及びタッチパネル | |
| KR20220136058A (ko) | 표시체 | |
| KR20100027075A (ko) | 대전 방지성 방현성 코팅 조성물, 대전 방지성 방현 필름 및 그의 제조방법 | |
| CN110896640B (zh) | 用于触摸面板的低介电粘合膜 | |
| WO2016002026A1 (ja) | 転写形感光性屈折率調整フィルム | |
| TWI834145B (zh) | 光學層疊體 | |
| US7507465B2 (en) | Transparent conductor | |
| US20200392379A1 (en) | Transfer film, method for manufacturing laminate, laminate, capacitive input device, and image display device | |
| CN116324688A (zh) | 触摸面板用导电部件的制造方法及触摸面板用导电部件 | |
| US12032119B2 (en) | Optical stack structure | |
| JP2018165788A (ja) | 転写型感光性フィルム、硬化樹脂パターンの形成方法及びタッチパネル | |
| CN116931130A (zh) | 光学层叠体 | |
| JP2015105286A (ja) | 透明導電性フィルム用粘着剤層、粘着剤層付き透明導電性フィルム、及びタッチパネル | |
| JP2017201352A (ja) | 転写形感光性屈折率調整フィルム、屈折率調整パターンの形成方法及び電子部品 | |
| WO2017155003A1 (ja) | 転写フィルム、電極保護膜、積層体、静電容量型入力装置、静電容量型入力装置の製造方法、および転写フィルムの製造方法 | |
| JP6338498B2 (ja) | ハードコーティング組成物およびそれを用いたハードコートフィルム | |
| US10717893B2 (en) | Photosensitive film, photosensitive element, cured product and touch panel | |
| JP7551372B2 (ja) | 粘着性組成物、粘着剤、粘着シートおよび表示体 |