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TWI830346B - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 Download PDF

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TWI830346B
TWI830346B TW111132187A TW111132187A TWI830346B TW I830346 B TWI830346 B TW I830346B TW 111132187 A TW111132187 A TW 111132187A TW 111132187 A TW111132187 A TW 111132187A TW I830346 B TWI830346 B TW I830346B
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竹林雄二
越巻寿朗
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日商國際電氣股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可提升基板搬送效率的技術。 本發明提供一種技術，其具備有：至少一個處理室，其可進行基板處理；支持具，其可支持上述基板；搬送單元，其可搬送上述支持具；移載室，其可進行上述基板之移載；搬送室，其與上述移載室及上述處理室相鄰接，可進行上述搬送單元之移動；以及交接室，其配置於上述搬送室，可進行複數個上述支持具之交接。

Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
本發明係關於基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式。
已知有具有複數處理室之批次式基板處理裝置。於批次式基板處理裝置中，由於基板之搬送耗費時間，因此被研究出取代基板搬送而對已載置複數片基板的基板支持台進行搬送，而將該基板支持台裝入至反應爐內並對基板進行處理的技術(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-71618號公報
(發明所欲解決之問題)
對於藉由搬送單元將基板搬送至處理室，使用移載機將基板移載至配置於處理室內之基板支持台後，將基板支持台插入至反應爐而對基板進行處理的技術，市場上被期待其可提升搬送之效率。
本發明之目的在於提供可提升基板搬送效率的技術。 (解決問題之技術手段)
根據本發明之一態樣，提供一種技術，其具備有： 至少一個處理室，其可進行基板處理； 支持具，其可支持上述基板； 搬送單元，其可搬送上述支持具； 移載室，其可進行上述基板之移載； 搬送室，其與上述移載室及上述處理室相鄰接，可進行上述搬送單元之移動；以及 交接室，其配置於上述搬送室，可進行複數個上述支持具之交接。 (對照先前技術之功效)
根據本發明，其可提升基板之搬送效率。
以下，參照圖式說明本發明一實施形態。再者，以下說明中所使用之圖式均為示意性者，圖式中各要件的尺寸關係、各要件的比率等並不一定與實際相一致。又，於複數個圖式彼此間，各要件的尺寸關係、各要件的比率等亦未必為一致。
＜基板處理裝置＞ 本實施形態之基板處理裝置20為具備有縱型反應爐之基板處理裝置。
(處理室) 基板處理裝置20如圖1~圖3所示，其具備有至少一個處理室30。本實施形態中，作為一例，基板處理裝置20具備有6個處理室30，但並不受限定於此。
如圖1所示，6個處理室30於水平方向排成一列。再者，本實施形態中，其將一個框體31分隔而構成6個處理室30，但其並不受限定於此。例如，亦可使構成處理室30的框體排成一列。
又，6個處理室30可分別獨立進行基板W之處理。亦即，6個處理室30藉由後述之控制器100獨立控制。
再者，於此所謂的基板W，其包含有製品基板、空白(dummy)基板及監測(monitor)基板等。亦即，載置於基板支持台40之基板W及由支持具90所支持之基板W存在有製品基板、空白基板及監測基板的情形，亦有此等混合存在而被載置的情形。
如圖9及圖10所示，處理室30具備有作為處理容器一例之反應爐32。此反應爐32位於處理室30之上部。於此反應爐32之內側裝入基板W。具體而言，使支持至少一片基板W之基板支持台40裝入(搬入)至反應爐32之內側。於反應爐32，連接有對反應爐32內供給處理氣體及惰性氣體等的氣體供給系統(省略圖示)。藉由此氣體供給系統，對反應爐32內供給既定量氣體。又，於反應爐32，連接有自反應爐32內將處理氣體及惰性氣體等進行排氣的排氣系統(省略圖示)。藉由此排氣系統調節反應爐32內壓力。又，於反應爐32外周，配置有作為加熱部一例之加熱器(省略圖示)。藉由此加熱器，調節反應爐32內溫度。如圖11所示，本實施形態中，設置於處理室30之氣體供給系統、排氣系統及加熱器係分別由溫度控制器122、氣體流量控制器124及壓力控制器126進行控制。而且，溫度控制器122、氣體流量控制器124及壓力控制器126係由後述之控制器100進行控制。
裝入至反應爐32之基板W在反應爐32內係藉由加熱器被加熱，並且藉由從氣體供給系統所供給之處理氣體進行處理。藉此，對基板W進行成膜處理。
又，處理室30具備有準備室36。此準備室36位於處理室30之下部。換言之，準備室36位於反應爐32之下方。準備室36通過反應爐32的爐口32A而與反應爐32內相連通。於此準備室36，設有升降裝置37，基板支持台40被固定於升降裝置37。此升降裝置37使固定於升降台37A之基板支持台40、與升降台37A一起朝向上方移動而裝入至反應爐32內。升降台37A之周緣部經由密封構件(省略圖示)而接觸至反應爐32之爐口32A的周邊部，而隔開反應爐32內與準備室36內。再者，升降裝置37具有使升降台37A以鉛垂方向為軸而於水平方向旋轉的機能。
處理室30具備有用以使基板W進出的出入口(省略圖示)。此出入口藉由閘閥35進行開關。再者，本實施形態之出入口之尺寸被設為基板W及支持有該基板W之移載機66的手部66B及伸縮臂66A可進出的尺寸。
(支持具) 如圖6及圖8A所示，支持具90構成為可支持至少一片基板W。本實施形態中，作為一例，支持具90構成為可支持9片基板W，但本發明並不受限定於此構成。例如，支持具90亦可支持10片以上之基板W，亦可支持8片以下。
如圖7及圖8B所示，作為可防止基板W位置偏移之對位機構之一例，支持具90具有段差92。具體而言，於支持具90兩側之內壁，分別形成朝向內側突出之突出部91。此等突出部91分別支持基板W之周緣部。又，於突出部91之根部至前端之中間部，設有段差92。於此段差92，藉由與基板W外周相接而限制基板W移動。亦即，藉由段差92防止基板W之位置偏移。
(搬送室) 如圖1及圖9所示，基板處理裝置20具備有搬送室50，該搬送室50具有搬送單元60。搬送室50係在6個處理室30所排列的方向延伸。又，搬送室50係與各處理室30及移載室86相鄰接。搬送室50係經由各處理室30之出入口而與各處理室30相連通。構成搬送室50之框體51係固定於構成各處理室30之框體31。又，於搬送室50連接有使搬送室50內成為真空環境的排氣裝置等。
於搬送室50之地板面，設有在6個處理室30所排列的方向延伸的軌道52。搬送單元60沿著此軌道52移動。再者，搬送單元60沿著軌道52對支持有基板W之支持具90進行搬送。以下，將搬送單元60移動的方向、亦即將支持有基板W之支持具90被搬送的方向，適宜地稱為基板搬送方向。基板搬送方向係於圖1中箭頭X所示方向。再者，於圖9中箭頭UP所示方向係表示鉛垂方向朝向上方。
(搬送單元)
如圖1所示，搬送單元60構成為於搬送室50內沿著軌道52移動。又，搬送單元60係搬送支持具90之裝置。搬送單元60由控制器100所控制而朝向目標之處理室30移動。
如圖4及圖5所示，搬送單元60具備有搬送台62、載置台64、及作為第2移載機構一例的移載機66。
搬送台62係於軌道52上移動之台座。於搬送台62之內部，設有使搬送台62沿著軌道52朝向搬送方向移動的驅動部(省略圖示)。
載置台64係載置支持具90的台座，設置於搬送台62上部。載置於載置台64的支持具90係藉由固定機構(省略圖示)而固定於載置台64。
移載機66係可從固定於載置台64之支持具90對至少一片基板W進行支持並移載至處理室30之基板支持台40的機器。又，移載機66亦可從處理室30之基板支持台40對至少一片基板W進行支持並移載至支持具90。
移載機66係於搬送台62上部並與載置台64鄰接設置。此移載機66具備有伸縮臂66A、與設於伸縮臂66A前端之手部66B。移載機66係伸出伸縮臂66A，利用手部66B從下方支持基板W，藉此可將基板W從支持具90朝向基板支持台40移載，將基板W從基板支持台40朝向支持具90移載。再者，本實施形態之移載機66具備有一對伸縮臂66A，此等一對伸縮臂66A係設有手部66B，但其並不受限定於此。又，移載機66可相對於搬送台62進行升降。換言之，搬送單元60具備可使移載機66升降的升降裝置(省略圖示)。
如圖1所示，基板處理裝置20具備有載置收容容器80之裝載埠82、與作為第1移載機構一例之移載機84。
收容容器80係可收容至少一片基板W並可外部配送之容器。作為一例，可舉出例如FOUP(FOUP：Front Opening Unified Pod)，但其並不受限定於此。再者，於各收容容器80，收容有製品基板、空白基板及監測基板等作為基板W。
裝載埠82係可載置收容容器80之台座。作為一例，本實施形態中，於基板處理裝置20之俯視時，使3個裝載埠82於與基板搬送方向正交之方向排成一列，但其並不受限定於此。又，裝載埠82可多於3個，亦可為2個以下。
再者，本實施形態中，收容容器80及裝載埠82係配置於收容室78內。收容室78係由框體79所構成。
移載機84係可移載至少一片基板W，且可在載置於裝載埠82之收容容器80與搬送室50(交接室70)之間進行基板W移載的裝置。具體而言，移載機84具有：從載置於裝載埠82之收容容器80取出基板W，並移載至支持具90的機能；以及從支持具90取出基板W，並移載至收容容器80的機能。
(移載室) 如圖1所示，基板處理裝置20具備有移載室86，此移載室86於基板處理裝置20之俯視時，於與基板搬送方向正交之方向延伸。再者，將與基板搬送方向正交的方向，適宜地稱為基板移載方向。圖1中，以箭頭Y表示基板移載方向。
移載室86係可進行基板W移載之房間，其配置有移載機84。此移載室86位於收容室78與處理室30之間。構成移載室86之框體87一側面係連接於處理室30之框體31。於框體87另一側面，係在分別對應於3個裝載埠82的位置設有基板W之出入口(省略圖示)。此等出入口係由擋門(省略圖示)所關閉。又，於移載室86連接有真空裝置，亦可調整真空度。
於移載室86之地板面，設置朝向基板移載方向延伸之軌道88。移載機84於軌道88上移動。
移載機84係設置在軌道88上移動之移動台(省略圖示)上。此移載機84具備有伸縮臂84A、與設於伸縮臂84A前端的手部84B。移載機84係伸出伸縮臂84A，藉由手部84B從下方支持基板W，藉此可將基板W從收容容器80朝向支持具90移載、將基板W從支持具90朝向收容容器80移載。再者，本實施形態之移載機84具備有一對伸縮臂84A，此等一對伸縮臂84A係設有手部84B，但其並不受限定於此。又，移載機84可相對於移動台進行升降。換言之，移動台具備有可使移載機84升降的升降裝置(省略圖示)。
移載機84藉由作為搬送控制部一例的搬送控制器110所控制，進行從載置於裝載埠82之收容容器80取出基板W並移載至支持具90的動作、與從支持具90取出基板W並移載至收容容器80的動作。又，移載機84藉由控制器100控制，取出收容於3個收容容器80其中一者之基板W。
(交接室) 基板處理裝置20具備有：配置於搬送室50，並可進行複數個支持具90之交接的交接室70。如圖1所示，交接室70配置為，於基板處理裝置20之俯視時，在搬送室50與移載室86之間進行基板W移載的部分。
如圖1~圖3所示，於交接室70設有與搬送單元60之間交接支持具90的交接機構72。
交接機構72具備有：台73、旋轉伸縮軸74、旋轉臂75、及保持部76。
台73被固定於交接室70之地板面。
旋轉伸縮軸74設於台73之上部，可以鉛垂方向為軸進行旋轉。又，旋轉伸縮軸74可相對於台73於鉛垂方向移動。再者，於台73內配置有使旋轉伸縮軸74旋轉之驅動部(省略圖示)、及使旋轉伸縮軸74於鉛垂方向伸縮(升降)的升降部(省略圖示)。
旋轉臂75一端固定於旋轉伸縮軸74。又，於旋轉臂75另一端安裝有保持部76。此旋轉臂75係以旋轉伸縮軸74為中心進行旋轉。
保持部76係對支持具90進行支持的部分。具體而言，保持部76對支持具90的下表面進行支持。再者，本實施形態中，作為一例，於保持部76固定有支持具90。藉此，由保持部76保持支持具90。
交接機構72藉由使旋轉伸縮軸74旋轉，可使由保持部76所保持之支持具90在載置於搬送單元60之載置台64的搬送位置、與移載機84之間移載基板W之移載位置、及暫時待機之待機位置之間移動。
又，於交接室70具備有：在利用交接機構72使支持具90移動至移載位置時，對支持具90進行支持的第一支持部77A(圖19中以二點虛線所示部分)；及在利用交接機構72使支持具90移動至待機位置時，對支持具90進行支持的第二支持部77B(圖13中以二點虛線所示部分)。又，第二支持部77B亦稱為使支持具90暫時待機的待機部。
交接機構72藉由作為交接控制部一例的交接控制器112所控制。具體而言，藉由交接控制器112控制旋轉伸縮軸74之旋轉驅動部及升降部。亦即，藉由交接控制器112，進行由交接機構72所施行之支持具90的配置控制(位置控制)、垂直控制(升降控制)及旋轉控制。又，交接控制器112為由控制器100進行控制。
又，如圖6所示，交接機構72在將支持具90載置於第一支持部77A時，調整支持具90之方向，以使支持具90相對於移載機84成為可移載基板W的方向。
(控制部) 如圖11所示，基板處理裝置20具備有作為控制部一例的控制器100。此控制器100被構成為，其具備有：CPU(Central Processing Unit)101A、RAM(Random Access Memory)101B、記憶部101C、及I/O埠101D的電腦。
RAM 101B、記憶部101C、I/O埠101D被構成為，可經由內部匯流排101E而與CPU 101A進行資料交換。於控制器100，連接有輸入輸出裝置102，此輸入輸出裝置102例如由觸控面板等構成。又，於控制器100連接有例如用於與上位裝置進行通訊的通訊部104。
記憶部101C由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等所構成。於記憶部101C內，可讀取地儲存有控制基板處理裝置之動作的控制程式、或記載有後述基板處理之程序或條件等的製程配方(process recipe)等。製程配方係使控制器100執行後述基板處理步驟中各程序而可獲得既定結果之方式組合者，其作為程式而發揮功能。以下，亦將此製程配方或控制程式等簡單地統稱為「程式」。又，有時亦將製程配方簡稱為「配方」。本說明書中於使用「程式」一詞時，存在僅包含配方單體的情形、僅單獨包含控制程式單體的情形、或包含有此等二者之情形。RAM 101B被構成為，使藉由CPU 101A讀出之程式或數據等暫時保存的記憶區域(工作區域)。
I/O埠101D被連接至搬送控制器110、交接控制器112及複數個製程控制器120等。搬送控制器110係控制基板W搬送的控制器。交接控制器112係控制基板W交接的控制器。製程控制器120係控制基板W成膜處理的控制器。本實施形態中，由於設置6個處理室30，因此分別對應於各處理室30設有6個製程控制器120。藉此，可對各處理室30獨立地進行成膜處理。
CPU 101A被構成為，從記憶部101C讀取控制程式而執行，並且根據從輸入輸出裝置102輸入操作指令等從記憶部101C讀取配方。CPU 101A被構成為，可依照讀取之配方內容，使搬送控制器110控制移載機84、升降裝置37、由搬送單元60施行之對基板W的搬送動作、閘閥35及擋門的開關動作、裝載埠82的定位動作等。又，CPU 101A被構成為，可依照讀取之配方內容，使交接控制器112控制交接機構72的交接動作及待機動作等。
又，CPU 101A被構成為，依照讀取之配方內容，使製程控制器120控制溫度控制器122、氣體流量控制器124及壓力控制器126。溫度控制器122被構成為，可控制對反應爐32內進行加熱之加熱器的溫度調節動作。氣體流量控制器124被構成為，可控制供給至反應爐32內氣體的流量調節動作。壓力控制器126被構成為，可控制反應爐32內壓力的調節動作。
控制器100可藉由如下所構成：將儲存於外部記憶裝置(例如硬碟等磁碟、CD等光碟、MO等磁光碟、USB記憶體等半導體記憶體)103之上述程式安裝到電腦中。記憶部101C或外部記憶裝置103被構成為，可被電腦讀取之記錄媒體。以下，亦將此等簡單地統稱為「記錄媒體」。本說明書中於使用「記錄媒體」一詞時，存在僅包含記憶部101C單體的情形、僅包含外部記憶裝置103單體的情形、或包含有此等二者之情形。再者，對電腦之程式提供，亦可不使用外部記憶裝置103，而使用網路或專用線路等通訊手段進行。
控制器100具有搬送控制器110與交接控制器112，且被構成為可配合基板W之處理而進行搬送控制器110與交接控制器112的控制。
搬送控制器110被構成為，可對搬送單元60進行有無載置支持具90的檢測、與將基板W朝向基板支持台40之移載控制。再者，其對搬送單元60進行有無載置支持具90的檢測，例如可藉由光學式感測器檢測有無支持具90，亦可藉由荷重元(load cell)根據支持具90之質量而檢測有無載置，亦可對利用CCD攝影機等攝影裝置所取得的影像資訊進行解析而檢測有無支持具90之載置，但其並不受限定於此等。
交接控制器112被構成為，可對交接機構72進行有無載置支持具90的管理、與進行支持具90的配置控制。再者，其對交接機構72進行有無載置支持具90的檢測，例如可藉由光學式感測器檢測有無支持具90，亦可藉由荷重元根據支持具90之質量而檢測有無載置，亦可對利用CCD攝影機等攝影裝置所取得的影像資訊進行解析而檢測有無支持具90之載置，但其並不受限定於此等。
控制器100可於交接室70與處理室30之間進行搬送單元60之搬送控制，亦可在已處理基板W之處理室30與其他處理室30之間進行搬送單元60的搬送控制。亦即，控制器100可藉由搬送單元60於交接室70與處理室30之間搬送基板W。而且，控制器100可控制搬送單元60，將已在處理室30進行處理之基板W搬送至其他處理室30。藉此，可經由複數個處理室30對基板W進行處理。
＜半導體裝置之製造方法＞ 接著，對使用本發明一實施形態之基板處理裝置20的半導體裝置之製造方法、亦即基板W之處理程序進行說明。以下說明中，構成基板處理裝置20各部的動作係藉由控制器100進行控制。
＜支持具移動：待機位置→移載位置＞(圖12) 首先，如圖12所示，利用交接機構72保持由第二支持部77B所支持之空的支持具90。接著，使旋轉伸縮軸74旋轉而將支持具90從待機位置朝向移載位置旋轉移動，使支持具90由第一支持部77A支持。
＜基板移載：收容容器→支持具＞(圖13) 接著，如圖13所示，使移載機84運行，將作為一例之9片基板W從收容容器80朝向支持具90移載。
＜搬送單元移動：空的支持具載置完畢＞ 於搬送單元60載置有空的支持具90，當在6個處理室30中由任一個處理室30所進行之基板W處理完成時，則將已載置空的支持具90之搬送單元60朝向完成基板W處理之處理室30移動。
＜由處理室取出處理完畢之基板＞ 當搬送單元60到達目標之處理室30之前方時，則目標之處理室30的閘閥35被打開。此時，從反應爐32被取出之基板支持台40與升降裝置37之升降台37A一起下降至準備室36。其後，使用移載機66從基板支持台40取出處理完畢的基板W，使其支持於空的支持具90。
＜取出處理完畢的基板後，將搬送單元移動至交接室＞(圖14) 從基板支持台40將處理完畢的基板W移載至支持具90後，如圖14所示，使於載置台64載置有支持具90之搬送單元60朝向交接室70移動。
＜支持具的移動：搬送位置→待機位置＞(圖15) 接著，如圖15所示，藉由交接機構72使支持具90從搬送單元60朝向待機位置移動。然後，使支持有處理完畢之基板W的支持具90由第二支持部77B進行支持。
＜支持具的移動：移載位置→搬送位置＞(圖16) 接著，如圖16所示，藉由交接機構72使支持具90從第一支持部77A朝向搬送位置移動。然後，使支持有未處理之基板W的支持具90由載置台64進行支持。
＜在載置有對未處理基板進行支持的支持具90之狀態下移動搬送單元＞(圖17) 當將支持具90載置於載置台64時，則搬送單元60如圖17所示，朝向目標之處理室30移動。亦即，支持具90藉由搬送單元60朝向目標之處理室30搬送。
＜處理室之閘閥打開＞ 然後，當搬送單元60到達目標之處理室30時，則搬入目標之處理室30的閘閥35被打開。
＜基板對基板支持台之移載＞ 閘閥35打開後，使用搬送單元60的移載機66將支持具90的未處理之基板W移載至基板支持台40(參照圖9)。當基板W從搬送單元60朝向基板支持台40的移載完成時，則關閉閘閥35，使基板支持台40與升降裝置37之升降台37A一起上升，將基板支持台40裝入至反應爐32內(參照圖10)。
將基板支持台40裝入至反應爐32內後，一邊控制反應爐32內壓力及溫度，一邊供給處理氣體及惰性氣體。藉此，對基板W進行成膜處理。
搬送單元60朝向目標之處理室30移動後，藉由交接機構72使由第二支持部77B所支持、並支持有處理完畢之基板W的支持具90朝向第一支持部77A移動(參照圖17)。
將處理完畢的基板W，從已移動至第一支持部77A之支持具90，藉由移載機84朝向收容容器80移載(參照圖18)。
然後，在將處理完畢的基板W移載至收容容器80後，藉由交接機構72使空的支持具90從第一支持部77A朝向第二支持部77B移動(參照圖19)。再者，當需要將處理完畢的基板W移載至收容容器80後立即使未處理之基板W支持於支持具90時，亦可不在第二支持部77B暫時待機，而立即使未處理之基板W支持於支持具90。
如此，進行基板W之成膜處理，以製造半導體裝置。
接著，說明本實施形態之作用及效果。 本實施形態中，由於在可進行搬送單元60移動的搬送室50配置有可進行複數個支持具90交接的交接室70，因此藉由同時操作複數個支持具90，有助於提升生產效率。又，藉由在交接室70中交接複數個支持具90，可避免基板W之搬送瓶頸。又，在使複數片基板W支持於支持具90時，由於可一次進行複數片基板W之搬送，因此有助於縮短基板W的搬送時間。亦即，本實施形態中，可提升基板W的搬送效率。
本實施形態中，控制器100被構成為，可配合基板W之處理而進行搬送控制器110與交接控制器112之控制。因此，藉由控制器100管理搬送控制器110與交接控制器112，因此支持具90之配置時機變得明確，而生產排程的管理變得容易。
本實施形態中，由於搬送控制器110構成為可對搬送單元60進行有無載置支持具90的檢測、與基板W的移載控制，因此可管理支持具90朝向目標之處理室30的確實移動，且可確實地執行基板W朝向基板支持台40的移載。
本實施形態中，由於交接控制器112構成為可進行有無載置支持具90的管理、與進行支持具90的配置控制，因此可避免操作複數個支持具90時之搬送瓶頸。又，其可於適當時機將支持具90配置於適當位置。
本實施形態中，移載機84被構成為，可在載置於裝載埠82之收容容器80與支持具90之間移載至少一片基板W。於此，裝載埠82具有複數個，可將複數個收容容器80載置於各個裝載埠82。又，支持具90可由至少一個收容容器80移載至少一片基板W。
本實施形態中，由於支持具90可支持至少一種類之基板W，因此可與基板W種類無關地搬送處理所需要的基板W，而可有助於縮短搬送時間。
本實施形態中，搬送單元60可將支持具90載置於載置台64而搬送支持具90，亦即可一次搬送由支持具90所支持的複數片基板W，因此可有助於縮短基板W的搬送時間。
本實施形態中，由於搬送單元60所具備之移載機66可將由支持具90所支持的基板W移載至至少一個處理室30，因此藉由移載機66之伸縮臂66A，即使是狹窄空間仍可將基板W朝向支持具90及處理室30移載。又，手部66B具有2個，可依2片單位進行基板W的移載，而有助於基板移載時間的縮短。
本實施形態中，由於交接室70係可交接：對處理完畢之基板W進行支持的支持具90、與對未處理之基板W進行支持的支持具90；因此藉由操作複數個支持具90可提升基板移載效率。
本實施形態中，由於在交接室70之一支持部對從搬送單元60交接之支持具90進行支持，在另一支持部對從移載室86交接之支持具90進行支持，因此藉由將複數個支持具90配置於目標之位置，可避免支持具90的搬送瓶頸。
本實施形態中，由於交接室70具有第二支持部77B作為可供支持具90待機的待機部，因此藉由將支持具90暫時配置於待機位置，可避免支持具90的搬送瓶頸。
本實施形態中，在交接室70進行支持具90之交接時，由於具有交接機構72，該交接機構72可調整基板W開口面方向以使基板W能夠移載，因此有助於削減不必要之基板W移載時間。
本實施形態中，由於支持具90具有可防止基板W位置偏移的作為對位機構的段差92，因此可防止搬送時基板W偏移。又，藉由防止基板W偏移，於基板W移載時，可防止移載機66及移載機84與基板W接觸。
＜其他實施形態＞ 本發明並未受限定於上述實施形態，在不脫離其要旨之範圍內其可進行各種變更。例如，交接機構72可從下方對支持具90進行支持，但亦可從上方對支持具90進行垂吊。
20:基板處理裝置 30:處理室 31:框體 32:反應爐 32A:爐口 35:閘閥 36:準備室 37:升降裝置 37A:升降台 40:基板支持台 50:搬送室 51:框體 52:軌道 60:搬送單元 62:搬送台 64:載置台 66:移載機(第2移載機構之一例) 66A:伸縮臂 66B:手部 70:交接室 72:交接機構 73:台 74:旋轉伸縮軸 75:旋轉臂 76:保持部 77A:第一支持部 77B:第二支持部 78:收容室 79:框體 80:收容容器 82:裝載埠 84:移載機(第1移載機構之一例) 84A:伸縮臂 84B:手部 86:移載室 87:框體 88:軌道 90:支持具 91:突出部 92:段差 100:控制器(控制部之一例) 101A:CPU 101B:RAM 101C:記憶部 101D:I/O埠 101E:內部匯流排 102:輸入輸出裝置 103:外部記憶裝置 104:通訊部 110:搬送控制器 112:交接控制器 120:製程控制器 122:溫度控制器 124:氣體流量控制器 126:壓力控制器 UP:鉛垂方向朝向上方 W:基板 X:基板搬送方向 Y:基板移載方向
圖1係本發明一實施形態之基板處理裝置的概略構成圖。 圖2係圖1所示之交接機構的側視圖。 圖3係圖1所示之交接機構的俯視圖。 圖4係圖1所示之搬送單元的側視圖。 圖5係圖1所示之搬送單元的俯視圖。 圖6係圖1所示之支持具的前視圖。 圖7係圖6之7-7線剖視圖。 圖8A係圖7之8A-8A線剖視圖。 圖8B係圖8A之箭頭8B所指示部分的放大圖。 圖9係圖1之基板處理裝置中處理室的概略剖視圖。 圖10表示圖9之基板處理裝置之處理室的概略剖視圖中，於反應爐裝入基板支持台的狀態。 圖11係本發明一實施形態之基板處理裝置的控制部構成圖。 圖12係基板處理裝置的概略構成圖，其說明本發明一實施形態之半導體裝置之製造方法，且表示藉由交接機構而將支持具移動至移載位置的狀態。 圖13係圖12之基板處理裝置之概略構成圖中，表示由移載機(第1移載機構之一例)將基板移載至位於移載位置之支持具的狀態。 圖14係圖13之基板處理裝置之概略構成圖中，表示由搬送單元將支持處理完畢之基板的支持具搬送至交接機構為止的狀態。 圖15係圖14之基板處理裝置之概略構成圖中，表示由交接機構使支持處理完畢之基板的支持具移動至待機位置的狀態。 圖16係圖15之基板處理裝置之概略構成圖中，表示由交接機構將移載位置之支持具移載至搬送單元的狀態。 圖17係圖16之基板處理裝置之概略構成圖中，表示搬送單元朝向目標之處理室移動的狀態。 圖18係圖17之基板處理裝置之概略構成圖中，表示由移載機(第1移載機構之一例)將基板，從位於移載位置之對處理完畢之基板進行支持的支持具，朝向收容容器移載的狀態。 圖19係圖18之基板處理裝置之概略構成圖中，表示由交接機構使位於移載位置之空的支持具朝向待機位置移動的狀態。
20:基板處理裝置 30:處理室 31:框體 32:反應爐 50:搬送室 51:框體 52:軌道 60:搬送單元 62:搬送台 66A:伸縮臂 66B:手部 70:交接室 72:交接機構 78:收容室 79:框體 80:收容容器 82:載裝埠 84:移載機(第1移載機構之一例) 84A:伸縮臂 84B:手部 86:移載室 87:框體 88:軌道 90:支持具 W:基板 X:基板搬送方向 Y:基板移載方向

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有： 至少一個處理室，其可進行基板之處理； 支持具，其可支持上述基板； 搬送單元，其可搬送上述支持具； 移載室，其可進行上述基板之移載； 搬送室，其與上述移載室及上述處理室相鄰接，可進行上述搬送單元之移動；以及 交接室，其配置於上述搬送室，可進行複數個上述支持具之交接。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其具備有： 控制部，其可控制上述基板之處理； 搬送控制部，其可控制上述搬送單元；以及 交接控制部，其可控制上述交接室； 上述控制部被構成為，可配合上述基板之處理而進行上述搬送控制部與上述交接控制部之控制。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述搬送控制部被構成為，可對上述搬送單元檢測有無載置上述支持具、與控制上述基板之移載。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述交接控制部被構成為，可管理有無載置上述支持具、與控制上述支持具之配置。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其具備有： 裝載埠，其可載置收容容器，該收容容器可外部配送且可收容上述基板；以及 第1移載機構，其配置於上述移載室，可移載上述基板； 上述第1移載機構構成為，可在載置於上述裝載埠之上述收容容器與上述支持具之間，移載至少一片上述基板。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述基板具有複數種類， 上述支持具可支持至少一種類之上述基板。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述搬送單元具備有：載置台，其載置上述支持具；可將上述支持具載置於上述載置台而搬送上述支持具。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述搬送單元具備有：第2移載機構，其可移載上述基板； 上述第2移載機構可將由上述支持具所支持之上述基板移載至至少一個上述處理室。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述交接室可交接：對處理完畢之上述基板進行支持的上述支持具、與對未處理之上述基板進行支持的上述支持具。
  10. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述交接室具備有：至少二個支持部；其構成為： 於一個支持部支持從上述搬送單元所交接之上述支持具； 於另一個支持部依可移載上述基板之方式支持上述支持具。
  11. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述交接室具有可供上述支持具待機的待機部。
  12. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述交接室具有交接機構，其在交接上述支持具時，可調整基板移載面之方向以使上述基板可移載。
  13. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述支持具具有可防止上述基板之位置偏移的對位機構。
  14. 一種半導體裝置之製造方法，其具備有： 對支持基板之複數個支持具進行交接的步驟； 將上述支持具搬送至對上述基板進行處理之處理室的步驟； 將上述基板從上述支持具朝向將搬入至上述處理室之基板支持台移載的步驟；以及 於上述處理室進行上述基板之處理的步驟。
  15. 一種藉由電腦使基板處理系統執行如下程序的程式： 對支持基板之複數個支持具進行交接的程序； 將上述支持具搬送至對上述基板進行處理之處理室的程序； 將上述基板從上述支持具朝向將搬入至上述處理室之基板支持台移載的程序；以及 於上述處理室進行上述基板之處理的程序。
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