TWI811723B - 發光元件封裝結構及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種發光元件封裝結構包括一基板、多個發光二極體晶片以及一封裝膠體，其中，基板具有一安裝面，一安裝層設置於該安裝面上，安裝層具有一容置空間，多個發光二極體晶片設置於該安裝面上且與該基板電性連接，其中至少一發光二極體晶片設置於該容置空間內，以與其他多個發光二極體晶片分隔開，又，封裝膠體包覆多個發光二極體晶片。

Description

發光元件封裝結構及其製造方法

本發明是有關於一種封裝結構及其製造方法，尤指是有關於一種發光元件封裝結構及其製造方法。

發光二極體晶片具有壽命長、體積小以及低功率消耗等優點，因此已廣泛地被應用於各種發光元件中，進一步來說，近年來，發光裝置已朝多色彩及高亮度發展以提升產品的顯示品質，通常為了提供足夠的亮度及色度，需複數個發光元件及相應數量的控制元件，即每一個發光元件連接各自的控制元件，線路設計錯綜複雜，難以縮減該些發光元件與控制元件之間的間距。又，由於發光二極體晶片與控制元件不是一起封裝(即發光二極體晶片與控制元件不是設置於同一個封裝膠體)，發光二極體晶片與控制元件需個別庫存等，難免增加成本。若將發光二極體晶片與控制元件封裝在一起，易會導致控制元件因為被發光二極體晶片之光線照射而損壞、失效，進而容易降低產品的顯示品質，因此如何有效地提升產品的顯示品質實為一種挑戰。

本發明是針對一種發光元件封裝結構及其製造方法，其可以有效地提升產品的顯示品質。

根據本發明的實施例，一種發光元件封裝結構，其包括：一基板、一安裝層、多個發光單元以及一封裝膠體，其中，基板具有一安裝面，一安裝層設置於該安裝面上，該安裝層具有一容置空間，多個發光單元分別設置於該安裝面上且與基板電性連接，至少一發光單元設置於容置空間內，並與其他發光單元分隔開，一封裝膠體包覆封裝多個發光單元。

在本發明的一實施例中，設置於安裝面上的多個發光單元包括一紅光發光二極體晶片、一綠光發光二極體晶片及一藍光發光二極體晶片。

在本發明的一實施例中，設置於該容置空間內的至少其中一發光單元由一發光二極體晶片與至少一轉換層所組成，至少一轉換層設置於發光二極體晶片上。

在本發明的一實施例中，基板的安裝面被封裝膠體完整覆蓋。

在本發明的一實施例中，安裝層的厚度小於或等於至少其中一發光單元的厚度。

在本發明的一實施例中，安裝層的厚度介於0.05毫米至0.1毫米之間。

在本發明的一實施例中，安裝層的邊緣與至少其中一發光 單元的邊緣的距離至少大於0.05毫米。

在本發明的一實施例中，安裝層相對於邊緣的另一邊緣與至少其中一發光單元相對於邊緣的另一邊緣的距離至少大於0.05毫米。

在本發明的一實施例中，發光元件封裝結構更包括積體電路晶片。積體電路晶片設置於安裝面上，且封裝膠體覆蓋積體電路晶片，其中積體電路晶片與多個發光單元及基板電性連接，以通過積體電路晶片驅動多個發光單元。

在本發明的一實施例中，至少一發光單元形成第一發光區域，該積體電路晶片所在的位置形成積體電路區域，且發光元件封裝結構更包括一導通層，設置於第一發光區域與積體電路區域之間。

在本發明的一實施例中，導通層位於基板的底部。

在本發明的一實施例中，發光元件封裝結構的尺寸位於4.5毫米乘以2毫米的範圍內。

在本發明的一實施例中，發光元件封裝結構的長度與寬度的比值介於2.2至3.5之間。

在本發明的一實施例中，安裝層於基板上的正投影面積占基板面積範圍介於20%至40%之間。

一種發光元件封裝結構的製造方法，至少包括以下步驟：(1)形成安裝層於基板上，其中安裝層具有容置空間(2)設置多個發光單元於基板上且與基板電性連接，其中至少其中一發光單 元設置於容置空間內，並與其他多個發光單元分隔開(3)形成封裝膠體，以覆蓋多個發光單元。

在本發明的一實施例中，更包括設置一發光二極體晶片於容置空間內以及設置至少一轉換層於發光二極體晶片上，以構成容置空間中的至少其中一發光單元。

基於上述，本發明的發光元件封裝結構通過多個發光單元的組合可以展現出較佳的亮度與彩度，且通過安裝層的設計可以使容置空間內的至少其中一發光單元與容置空間外的其他多個發光單元分隔開，因此可以改善容置空間內的至少其中一發光單元的製造過程中對其他元件產生不良影響的狀況，進而可以有效地提升產品的顯示品質。

綜上所述，本發明將以特定實施例詳述於下。以下實施例僅為舉例之用，而非限定本發明之保護範圍。熟諳此技藝者，將可輕易理解各種非關鍵參數，其可改變或調整而產生實質相同的結果

100:發光元件封裝結構

110t:安裝面

130:發光單元

131:第一發光單元

131a:發光二極體晶片

131b:轉換層

131e、131E:邊緣

110:基板

120:安裝層

120e、120E:邊緣

122:容置空間

132:第二發光單元

133:第三發光單元

134:第四發光單元

140:封裝膠體

150:積體電路晶片

160:導通層

d、d1、d2:距離

R1、R2:發光區域

T1、T2:厚度

R3:積體電路區域

圖1，是依據本發明示範性實施例的發光元件封裝結構的示意圖。

圖2，是沿著圖1之線A-A’的剖面示意圖。

圖3，是依據本發明一實施例的發光元件封裝結構的剖面示意圖。

圖4，是圖3的俯視示意圖。

圖5A至圖5C，是依照本發明的示範性實施例的一種發光元件封裝結構的製造流程的示意圖。

圖6，是依據本發明另一些實施例的發光元件封裝結構的示意圖。

以下說明結合圖式，對本發明的一些實施方式作詳細敘示。在不衝突的情況下，下述的實施例及實施例中的特徵可以相互組合。除非上下文中清楚地另外指明，否則本文所用之單數形式「一」亦包括複數形式，而所述之方位(如前、後、上、下、兩側、水平、垂直等)係為相對方位，可依據發光元件的使用狀態而定義，並非明示或暗示發光裝置需有特定方向之構造或操作，亦不能理解為對本發明的限制。

圖1是依據本發明示範性實施例的發光元件封裝結構的示意圖，圖2是沿著圖1之線A-A’的剖面示意圖，圖3是依據本發明一些實施例的發光元件封裝結構的剖面示意圖，圖4是圖3的俯視示意圖。請參考圖1至圖4，在本實施例中，發光元件封裝結構100包括一基板110、一安裝層120、多個發光單元130以及一封裝膠體140，其中，基板110具有一安裝面110t，安裝層120設置於安裝面110t上，多個發光單元130分別設置於安裝面110t上，且封裝膠體140覆蓋多個發光單元130。進一步而言，基板110的安裝面110t上佈設有一線路，因此基板110可以為與多個發光單元130電性連接的線路基板，舉例而言，多個發光單元130可以通過覆晶(Flip chip)或打線接合(Wire bonding)的方式與基板110電性連接，但本發明不限於此。

在一些實施例中，基板110包括印刷電路板、金屬基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板或玻纖基板(如FR-4、FR-5、G-10、G-11)，其中金屬基板的材料可為銅、鉬、鎳、鋁、鎂、金、銀、矽、鉑、錫、鋅和碳化合物或上述任意組合，陶瓷基板的材質可選自氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、碳化矽、六方氮化硼、及氟化鈣的其中之一者，但本發明不限於此，基板110可以是其他任何適宜的基板。

此外，安裝層120具有一容置空間122，而多個發光單元130至少包括第一發光單元131、第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134，且第一發光單元131設置於容置空間122內並與其他多個發光單元130(如第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134)分隔開，據此，本實施例的發光元件封裝結構100通過多個發光單元130(第一發光單元131、第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134)的組合可以展現出較佳的亮度與彩度，且通過安裝層120的設計可以使容置空間122內的第一發光單元131與容置空間122外的第二發光單元132、第三發光單元133、第四發光單元134分隔開，因此可以改善容置空間122內的第一發光單元131的製造過程中對其他元件產生不良影響的狀況，進而可以有效地提升產品的顯示品質。

進一步而言，當第一發光單元131形成的第一發光區域R1 為白光區域，而第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134形成的第二發光區域R2為紅光、綠光、藍光所組成的混光區域時，在此工藝中，第一發光單元131較容易對其他區域產生污染，因此通過安裝層120的設計，可以有效區隔開第一發光單元131與另外三個發光單元130(第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134)的安裝區域，避免其他發光單元的安裝區域受到污染，進而可以提升產品的顯示品質。在此，紅光(主波長約為630nm-670nm)、綠光(主波長約為500nm-530nm)及藍光(主波長約為430nm-480nm)，但不限於此。

在一些實施例中，第二發光單元132可為紅色發光二極體晶片，第三發光單元133可為綠色發光二極體晶片，而第四發光單元134可為藍色發光二極體晶片，然而，本發明不限於此，第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134所發出的色光，可以視實際設計上的需求而定。此外，本發明不限制第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134之間的排列方式，舉例而言，第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134可以是依照設計上的需求以直線型、三角形或其他適宜的方式進行排列，以達到產品所需的出光效果。

在一些實施例中，發光元件封裝結構100更包括設置於基板110的安裝面110t上的一積體電路晶片150，其中，封裝膠體140包覆積體電路晶片150且積體電路晶片150與多個發光單元130及基板110呈電性連接，藉以透過積體電路晶片150驅動並控制多個 發光單元130，在此設計下可以降低腳數，提升產品的應用性與體積，但本發明不限於此，多個發光單元130可以以藉由外部驅動的方式而發光，在此，積體電路晶片150所在的位置可以視為積體電路(IC)區域R3。

在一些實施例中，安裝層120的容置空間122可以是中空而四周具有壁面的結構。此外，安裝層120可以是基板110的安裝面110t上凸起的一個區域，但本發明不限於此。

在一些實施例中，為了在維持顯示品質的情形下進一步降低製造成本，可以透過混光的方式形成第一發光區域R1，舉例而言，容置空間122內的第一發光單元131可以由發光二極體晶片131a與至少一轉換層131b所組成，轉換層131b設置於發光二極體晶片131a上，且當第一發光區域R1為白光區域時，發光二極體晶片131a可以為藍色發光二極體晶片，轉換層131b可以為黃色螢光粉層，透過發光二極體晶片131a所發出的藍光激發黃色螢光粉產生黃光，而黃光再與藍光混合成白光，但本發明不限於此，第一發光單元131也可以運用其他原理發出白光，如藉由紫外光(UV光)搭配紅色螢光粉、綠色螢光粉或藍色螢光粉的方式發出白光。

在一些實施例中，第二發光區域R2(混光區域)與積體電路區域R3相鄰，而第一發光區域R1(白光區域)可以與第二發光區域R2(混光區域)或積體電路區域R3相鄰，舉例而言，為了達到較佳地混光效果，排列方式可以依序為第一發光區域R1(白光區域)、第二發光區域R2(混光區域)、積體電路區域R3，但本發明不限於 此，排列方式也可以依序為第一發光區域R1(白光區域)、積體電路區域R3、第二發光區域R2(混光區域)。

在一些實施例中，安裝層120的厚度T1小於或等於發光二極體晶片131a的厚度T2，換句話說，安裝層120的厚度T1不大於發光二極體晶片131a的厚度T2，因此可以減少遮光不良而造成發光效率低的問題，進而可以增加產品的出光亮度，進一步提升產品的顯示品質。舉例而言，安裝層120的厚度T1可以介於0.05毫米至0.1毫米之間。此外，在第一發光單元131由發光二極體晶片131a與轉換層131b所組成時，安裝層120在上述的高度設計下，也可以使轉換層131b具有較佳的均勻性，但本發明不限於此，安裝層120的厚度T1可以依照實際設計上的需求進行調整。

在一些實施例中，安裝層120的邊緣120e與第一發光單元131的邊緣131e的距離d至少大0.05毫米，以確保第一發光單元131與其他發光單元(如第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134)確實地分隔開，防止第一發光單元131的工藝中對第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134的安裝區域產生汙染，進而影響這些發光單元(如第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134)的出光效果，此外，為避免第一發光單元131與其他發光單元(如第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134)相互影響出光效果，第一發光單元131與第二發光單元132之間的距離至少大於0.1毫米，於較佳實施例中，兩者之間的距離介於0.2至1毫米，但本發明不限於此。

在一些實施例中，安裝層120相對於邊緣120e的另一邊緣120E與第一發光單元131相對於邊緣131e的另一邊緣131E的距離d1至少大0.05毫米，以避免影響出光效果，換言之，當封裝膠體充作透鏡具有出光面時，其有曲率方向之安裝層邊緣需大於0.05毫米，但本發明不限於此。應說明的是，圖式中繪示的距離d與距離d1的長度比例非為實際比例，僅為示意繪示，實際比例可以依照實際設計上的需求而定。

在一些實施例中，封裝膠體140可為各晶片提供環境及機械防護，同時亦充作透鏡，舉例而言，可透光材質的封裝膠體140可以包括環氧樹脂、聚矽氧、壓克力樹脂、矽樹脂或矽膠，且封裝膠體140可以呈立方體形狀之垂直及水平平坦表面、圓形、半圓形、橢圓形之不同橫截面的柱形者，或者，亦可為不同的稜柱或多邊形形狀，諸如三角形、五邊形、六邊形、八邊形等。此外，封裝膠體140充作透鏡時可以具有出光面，其中出光面可為球面、弧形面、拋物面、雙曲面或自由曲面，如此，可依照使用需求而產生不同的發光角度，但本發明不限於此。

在一些實施例中，封裝膠體140的邊緣與基板110的邊緣實質上切齊，換句話說，封裝膠體140可以覆蓋至基板110的邊緣完整覆蓋基板110的安裝面110t，但本發明不限於此。封裝膠體140也可以部分覆蓋基板110的安裝面110t，而暴露出另一部分的基板110的安裝面110t。

在一些實施例中，發光元件封裝結構100的尺寸位於4.5毫 米乘以2毫米的範圍內，換句話說，發光元件封裝結構100內可以不包括習知的擋牆或反射杯等元件，因此可以具有空間尺寸上的優勢，但本發明不限於此，在其他實施例中，發光元件封裝結構100的尺寸可以位於4.5毫米乘以1.5毫米、4毫米乘以2毫米、4.5毫米乘以1.6毫米或3.2毫米乘以1毫米的範圍內。此外，為有效地提升產品的顯示品質，發光元件封裝結構100的長度與寬度的比值可以是介於2.2至3.5之間。

在一些實施例中，在空間尺寸較小的情況下，發光元件封裝結構100可以更包括一導通層160(如圖2所示)，導通層160設置於由第一發光單元131形成的第一發光區域R1(如白光區域)與由積體電路晶片150所在的位置形成的積體電路區域R3之間，以藉由導通設計解決固銲空間不足的問題。應說明的是，本發明不限制導通層160的位置，因此圖2中僅示意地指向第一發光單元131與積體電路晶片150之間，舉例而言，導通層160可以位於第一發光單元131與積體電路晶片150之間的基板110內、底部(如圖3與圖4所示)或其他適宜的位置上，只要導通層160設置於第一發光區域R1與積體電路晶片150所在的位置形成的積體電路區域R3之間皆屬於本發明的保護範圍。

在一些實施例中，當導通層160若設置於底部時，導通層160與基板110邊緣之間的距離d2例如是至少大於0.05毫米，以作為切割槽使用，該切割槽是由基板最外邊界朝基板1中心方向切割的一區域面積，且該切割槽的形狀可為矩形、三角形、梯形、 多邊形或是圓弧形等態樣，又，該切割槽之距離是大於0.05毫米，如此，可降低導通層160被外物觸碰的機會，進而避免切割過程中產生毛邊，導致銲接時吃錫不良等問題，但本發明不限於此。

在一些實施例中，安裝層120於基板110上的正投影面積占基板110面積範圍介於20%至40%之間，舉例而言，安裝層120於基板110上的正投影面積占基板110面積為30%，但本發明不限於此。

在一些實施例中，第二發光區域R2與第一發光區域R1面積占基板面積的比例介於60%至85%之間，但本發明不限於此。

在一些實施例中，基板110上具有散熱面(未繪示)，且散熱面可以由金屬材料製成，例如：銅、鐵、金、鉬、鎳、鋁、鎂、銀、鎢、矽、鉑、鋼、錫、鋅和碳化合物或上述任意組合，具體而言，散熱面可與導通層160相互平行或垂直，且散熱面不會被封裝膠體140覆蓋，藉由上述之設計可達到散熱迅速之目的，並提高發光元件封裝結構100的使用壽命，但本發明不限於此。

在一些實施例中，前述散熱面於基板110上的正投影面積占基板110面積範圍介於2%至10%之間，但本發明不限於此。

在此必須說明的是，以下實施例沿用上述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

以下藉由圖式說明本發明一實施例的發光元件封裝結構 的主要流程，圖5A至圖5C，是依照本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的製造流程的示意圖。

請參考圖5A，於一基板110上形成一安裝層120，其中，安裝層120具有一容置空間122。在一些實施例中，安裝層120與基板110可為一體成型結構，換句話說，安裝層120是於基板110的製造過程中同時形成，因此可以降低製造成本，但本發明不限於此，依照實際設計上的需求安裝層120也可以是使用其他到工藝設置於基板110上。接著，設置發光二極體晶片131a於容置空間122內，其中發光二極體晶片131a與容置空間122之間可以形成間隙G，但本發明不限於此。

請參考圖5B，形成轉換層131b於發光二極體晶片131a上，其中轉換層131b可以填入間隙G內，以使發光二極體晶片131a與轉換層131b構成第一發光單元131。

在一些實施例中，轉換層131b的形成方法包括噴塗、點膠、塗布或印刷的方式所形成。進一步而言，轉換層131b的均勻性與安裝層120之間的厚度T1(如圖2所示)之間會相互影響，舉例而言，當轉換層131b使用噴塗所形成時，安裝層120的厚度T1介於0.05毫米至0.1毫米之間可以改善噴塗的堆積現象，因此可以提升轉換層131b的均勻性，但本發明不限於此。應說明的是，本發明的第一發光單元131不限制於上述發光二極體晶片131a搭配轉換層131b的製作方式，可以視實際設計上的需求而定。

請參考圖5C，於安裝面110t上設置第二發光單元132、第 三發光單元133與另一第四發光單元134，其中第一發光單元131與第二發光單元132、第三發光單元133與另一第四發光單元134分隔開。接著，形成封裝膠體140，以覆蓋第一發光單元131、第二發光單元132、第三發光單元133與第四發光單元134。在一些實施例中，封裝膠體140可以是透過模塑(overmolded)工藝或其他適宜的工藝所形成。

圖6是依據本發明另一些實施例的發光元件封裝結構的示意圖。請參考圖3，本實施例的發光元件封裝結構200與發光元件封裝結構100的差異在於：發光元件封裝結構100為印刷電路板(PCB)類型的SMD結構(即無擋牆結構)，而本實施例的發光元件封裝結構200為塑料電極晶片載體(Plastic Leaded Chip Carrier,PLCC)類型的SMD結構，即發光元件封裝結構200更包括圍繞第一發光單元131、第二發光單元132、第三發光單元133、第四發光單元134與積體電路晶片150的擋牆結構270，以進一步提升出光品質。此外，在本實施例中，封裝膠體240可以不具有頂部曲面部分，換句話說，封裝膠體240的頂部可以為平坦表面，但本發明不限於此。

綜上所述，本發明的發光元件封裝結構，係透過多個發光單元的組合可以展現出較佳的亮度與彩度，且透過安裝層的設計可以使容置空間內的至少其中一發光單元與容置空間外的其他多個發光單元分隔開，因此可以改善容置空間內的至少其中一發光單元的製造過程中對其他元件產生不良影響的狀況，進而可以 有效地提升產品的顯示品質，進一步而言，當位於容置空間中的至少其中一發光單元形成的第一發光區域為白光區域，而其他多個發光單元形成的第二發光區域為紅光綠光藍光所組成的混光區域時，在此工藝中，容置空間中的發光單元在製造時較容易對其他區域產生污染，因此透過安裝層的設計，可以有效區隔開容置空間中的至少其中一發光單元與其他多個發光單元的安裝區域，避免其他發光單元的安裝區域受到污染，進而可以提升產品的顯示品質。此外，在空間尺寸較小的情況下，發光元件封裝結構可以更包括設置於由第一發光單元形成的第一發光區域與由積體電路晶片所在的位置形成的積體電路區域之間的導通層，以藉由導通設計解決固銲空間不足的問題。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100:發光元件封裝結構

110t:安裝面

130:發光單元

131:第一發光單元

131a:發光二極體晶片

131b:轉換層

131e、131E:邊緣

110:基板

120:安裝層

120e、120E:邊緣

132:第二發光單元

133:第三發光單元

134:第四發光單元

140:封裝膠體

150:積體電路晶片

d、d1:距離

Claims (12)

1. 一種發光元件封裝結構，其包括：一基板，具有一安裝面；一安裝層，設置於該安裝面上，其中該安裝層具有一容置空間；多個發光單元，分別設置於該安裝面上且與該基板電性連接，其中該多個發光單元中的至少其中一發光單元設置於該容置空間內，並與其他該發光單元分隔開，且至少一發光單元形成一第一發光區域；一積體電路晶片，設置於該安裝面上，該積體電路晶片所在的位置形成一積體電路區域，並與該多個發光單元及該基板電性連接，用以驅動該多個發光單元；一封裝膠體，包覆封裝該多個發光單元及該積體電路晶片以及；一導通層，設置於該第一發光區域與該積體電路區域之間，且該導通層位於該基板的底部。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件封裝結構，其中，設置於該安裝面上的該多個發光單元包括一紅色發光二極體晶片、一綠色發光二極體晶片及一藍色發光二極體晶片。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件封裝結構，其中，設置於該容置空間內的該至少其中一發光單元由一發光二極體晶片與至少一轉換層所組成，該至少一轉換層設置於該發光二極體晶片上。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件封裝結構，其中，該基板的該安裝面被該封裝膠體完整覆蓋。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件封裝結構，其中，該安裝層的厚度小於或等於該至少其中一發光單元的厚度。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件封裝結構，其中，該安裝層的該厚度介於0.05毫米至0.1毫米之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件封裝結構，其中，該安裝層的邊緣與該至少其中一發光單元的邊緣的距離至少大於0.05毫米。
8. 如申請專利範圍第7項所述之發光元件封裝結構，其中，該安裝層相對於該邊緣的另一邊緣與該至少其中一發光單元相對於該邊緣的另一邊緣的距離至少大於0.05毫米。
9. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件封裝結構，其中，該發光元件封裝結構的尺寸介於4.5毫米乘以2毫米的範圍內。
10. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件封裝結構，其中，該發光元件封裝結構的長度與寬度的比值介於2.2至3.5之間。
11. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件封裝結構，其中，該安裝層於該基板上的正投影積占該基板面積範圍介於20%至40%之間。
12. 一種發光元件封裝結構的製造方法，包括下列步驟：(i)形成一安裝層於一基板上，其中該安裝層具有一容置空間；(ii)設置多個發光單元於該基板上且與該基板電性連接，其中至少其中一發光單元設置於該容置空間內，並與其他該多個發光單元分隔開；以及(iii)形成一封裝膠體，以包覆封裝該多個發光單元。

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