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TWI807329B - 微氣泡分散液之測量方法及測量系統 - Google Patents

微氣泡分散液之測量方法及測量系統 Download PDF

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TWI807329B
TWI807329B TW110119199A TW110119199A TWI807329B TW I807329 B TWI807329 B TW I807329B TW 110119199 A TW110119199 A TW 110119199A TW 110119199 A TW110119199 A TW 110119199A TW I807329 B TWI807329 B TW I807329B
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liquid
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大平猛
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日商大平研究所股份有限公司
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Abstract

提供微氣泡分散液之一測量方法及一測量系統,其可用以正確地測量該微氣泡分散液之特性,同時區分該分散液中之微粒子並將其區別為微氣泡與固體顆粒。該測量系統包括:一微毛細管盛裝一待測液體,一雷射裝置以雷射光照射該微毛細管內之該待測液體,一可變磁場施加裝置對雷射光照射區域內之該待測液體施加時變磁場,一數位顯微鏡藉由照射雷射光檢測該待測液體中所含有之微粒子所產生之散射光,及一測量裝置藉由數位顯微鏡檢測到之散射光亮度測量該待測液體之特性。

Description

微氣泡分散液之測量方法及測量系統
本發明關於微氣泡分散液之一測量方法及一測量系統。更具體而言,本發明關於測量含微氣泡之微氣泡分散液特性之一測量方法及一測量系統。
研究探討含有微氣泡之微氣泡分散液在各工業領域之應用。在微氣泡中,該等具奈米尺度粒徑之微氣泡(以下稱為“奈米級直徑氣泡”)具有能在水中長時間(例如數年)停留之特性,因為其在分散液中之運動主要為布朗運動。為此原因,廣泛研究有奈米級直徑氣泡分散之微氣泡分散液。參見如專利文獻1(日本未審查專利申請公開號2019-103958)。
可藉由該液體是否混濁來相對容易地確定微氣泡分散液中是否存在有微氣泡。相對地,由於奈米級直徑氣泡之粒徑與光波長大致相同或小於光波長,因此在一微氣泡分散液中無法用肉眼確認奈米級直徑氣泡存在與否。
此外,已知如動態光散射(dynamic light scattering)法及粒子軌跡追踪(particle trajectory tracking)法等技術係用以光學測量微粒子濃度及粒徑分佈之技術,該微粒子係在含有上述奈米尺度微粒子之分散液中進行布朗運動。在動態光散射法及粒子軌跡追蹤法中,微粒子之濃度及粒徑分佈被測量,透過微粒子分散之液體被以雷射光照射,且該微粒子之散射光被追踪。
[專利文獻1]  日本未審查專利申請公開號2019-103958。
[技術問題]
在一些情況下,微氣泡分散液不僅含有奈米級直徑氣泡還含有奈米尺度微固體顆粒等雜質。然而,常用來測定含有分散微粒子液體中微粒子之方法雖然能夠識別出該液體中之奈米尺度微粒子,但該方法無法區分奈米級直徑氣泡及固體顆粒。
本發明一目的係提供一測量方法及一測量系統,其能夠區分出分散液中之微粒子,並將其區分成微氣泡及固體顆粒,從而正確地測量一微氣泡分散液之特性。 [問題解決方案]
(1) 一種根據本發明測量一微氣泡分散液之方法,其係用以測量一待測液體特性之方法且該待測液體係一微氣泡分散液,其中該方法包括以下步驟:以一照明光照射一盛裝裝置中所盛裝之該待測液體,在該照明光之照射區域內對該待測液體施加一時變磁場,使用一光檢測裝置檢測藉該照明光照射而由該待測液體中所含複數個微粒子產生之一散射光;及藉由光檢測裝置根據測得之該散射光亮度區分該微粒子並將其區別為微氣泡及固體顆粒。
(2) 在此情況下,較佳地該待測液體含有粒徑範圍2 nm至2000 nm之微氣泡。
(3) 在此情況下,較佳地藉由比較光檢測裝置獲得之該等微粒子的一影像亮度與一預定閾值來將該等微粒子區別成固體顆粒及微氣泡。
(4) 在此情況下,較佳地在檢測該散射光之步驟中,在施加可變磁場前後以該光檢測裝置測得之該散射光來獲得該微粒子布朗運動軌跡之一影像,其中該光檢測裝置所獲得之該影像中,根據對該待測液體施加該可變磁場時亮度是否有增加而將該等微粒子識別成固體顆粒及微氣泡。
(5) 在此情況下,較佳地在以該光檢測裝置獲得之該影像中,對該待測液體施加該可變磁場時,亮度增加之該等微粒子被識別為固體顆粒,而將消失之該等微粒子被識別為帶電微氣泡,而將亮度未增加之微粒子被識別為不帶電微氣泡。
(6) 在此情況下,較佳地該測量方法進一步包括測量固體顆粒,其中該待測液體中所含之固體顆粒濃度或粒徑分佈係根據該光檢測裝置所獲得之一影像計算得到。
(7) 在此情況下,較佳地該測量方法進一步包括測量不帶電微氣泡,其中該待測液體中所含之不帶電微氣泡濃度或粒徑分佈係根據該光檢測裝置獲得之一影像計算得出。
(8) 在此情況下,較佳地該測量方法進一步包括測量帶電微氣泡,其中在檢測散射光之步驟中獲得以下二者:對該液體施加該可變磁場前該微粒子布朗運動軌跡之施加前影像,及對該液體施加該可變磁場時該等微粒子布朗運動軌跡之施加過程影像,而該待測液體中所含之帶電微氣泡濃度及粒徑分佈之至少任一者係根據該等影像計算得到。
(9) 在此情況下,較佳地該測量方法進一步包括進行該待測液體之第一次篩選,其中在以該盛裝裝置盛裝該待測液體前,該待測液體已通過帶正電荷之過濾器。
(10) 在此情況下,較佳地將可變磁場施加至該液體時根據散射光亮度之變化程度,使用光檢測裝置獲得微粒子之影像來計算該固體顆粒之粒徑。
(11) 在此情況下,較佳地該測量方法進一步包括對照明光之照明區域內之該待測液體施加一電場,在檢測散射光之步驟中,在對該待測液體施加該電場時獲得該微粒子電泳軌跡之一施加過程影像,並根據該施加過程影像測量該待測液體中所含之固體顆粒性質。
(12) 在此情況下,較佳地該測量方法進一步包括進行該待測液體之第二次篩選,其中對該待測液體施加可變磁場前,對該液體施加一靜磁場,藉此將至少將一部分之固體顆粒移出該照射區域。
(13) 在此情況下,較佳地該測量方法進一步包括測量順磁性物質之量,其中順磁性固體顆粒數量被測量,該固體顆粒係在進行第二次篩選步驟中藉由對該待測液體施加該靜磁場來收集。
(14) 在此情況下,較佳地該照明光之光源係一雷射裝置,而該雷射裝置能夠藉由使用界定範圍在300 nm至700 nm內之二種以上波長值來切換雷射光之波長。
(15) 一種根據本發明用於測量一微氣泡分散液之測量系統,其係一種用以測量一待測液體特性之系統且該待測液體係一微氣泡分散液,其中該系統包括:一盛裝裝置,其盛裝一待測液體;一光源,其以照明光照射該盛裝裝置所盛裝之該待測液體;一可變磁場施加裝置,其在該照明光照射區域內對該待測液體施加一時變磁場;一光檢測裝置,其檢測該照明光照射下由該待測液體中所含之微粒子產生之該散射光;及一測量裝置,其測量該待測液體特性,根據該光檢測裝置所測得之散射光亮度區分該微粒子並將其區別成微氣泡及固體顆粒。 [本發明之有益效果]
(1) 根據本發明之微氣泡分散液測量方法包括以下步驟:以照明光照射一盛裝裝置所盛裝之該待測液體;在該照明光照射區域內對該待測液體施加一時變磁場;及使用一光檢測裝置發射照明光來檢測該待測液體中所含微粒子產生之散射光。如上所述,該待測液體(其為一微氣泡分散液)可含有固體顆粒及微氣泡。若一可變磁場被施加至如此一待測液體,具有偏導磁性(biased magnetic permeability)之該固體顆粒相較於球形顆粒(在導磁性方面係以重心作為其中心)在一可變磁場下可承受更大之旋轉或平移力矩(rotational or translational moment of force),因此前者會繞軸旋轉。相對地,微氣泡(在導磁性方面重心在其中心之球狀顆粒)相較於固體顆粒在一可變磁場下承受較小之旋轉或平移力矩。此外,相較於固體顆粒,幾乎無導磁性之該微氣泡重量非常小,受周圍介質產生很大之黏性阻力因此微氣泡幾乎不繞軸旋轉。在以照明光照射被施加一可變磁場之該待測液體時,繞軸旋轉之固體顆粒之散射光亮度比不繞軸旋轉之微氣泡之散射光亮度增加更多。因此,本發明之測量方法根據光檢測裝置測得之散射光亮度來區分待測液體中之微氣泡及固體顆粒。據此,本發明測量方法可以高準確度地測量該待測液體特性,同時區分待測液體中所含之微粒子並將其區別成微氣泡及固體顆粒。
(2) 本發明之測量方法測量該待測液體,其包含粒徑範圍在2 nm至2000 nm之微氣泡。如上所述,已知測量方法無法區分奈米級直徑氣泡及相似粒徑之固體顆粒。相對地,即使微氣泡分散液含有與奈米級直徑氣泡相似粒徑之固體顆粒,本發明之測量方法可高準確度地測量該待測液體特性同時區分出該等固體顆粒及奈米級直徑氣泡。
(3) 本發明之測量方法使用該光檢測裝置獲得之該微粒子影像藉由與一預定閾值比較其亮度而將微粒子區分成固體顆粒及微氣泡。如此就可以用簡單方法將該微粒子區別為固體顆粒及微氣泡。
(4) 在本發明之測量方法中,在檢測散射光之步驟中,在對該待測液體施加一可變磁場前後以該光檢測裝置獲得該微粒子之布朗運動軌跡影像,且在以該光檢測裝置獲得之影像中,根據對該液體施加之該可變磁場時其亮度是否增加來將該微粒子區分為固體顆粒及微氣泡。因此,該方法在追踪該微粒子因布朗運動所致之運動時,可區分出微粒子為固體顆粒或微氣泡。
(5) 該微氣泡分散液中所含之該微粒子被分成微固體顆粒及微氣泡,而該微氣泡被分成帶正電或帶負電微氣泡與很少或無電荷之不帶電微氣泡。如上所述,若對該待測液體施加一可變磁場,具偏導磁性之該固體顆粒繞軸旋轉,該帶電微氣泡消失,而該不帶電微氣泡不會繞軸旋轉。據此,在本發明測量方法中,施加該可變磁場時亮度增加之微粒子被識別為固體顆粒,對該液體施加該可變磁場時消失之微粒子被識別為帶電微氣泡,而對該液體施加該可變磁場時亮度未增加之微粒子被識別為不帶電微氣泡。因此,本發明測量方法可以高準確度地測量該待測液體特性同時區分該待測液體中所含之該微粒子並將其區別為固體顆粒、帶電微氣泡及不帶電微氣泡。
(6) 本發明之測量方法包括以下步驟:測量固體顆粒,其中該待測液體中所含之固體顆粒濃度及粒徑分佈之至少任一者係根據該光檢測裝置所獲得之影像計算得到。因此,本發明之測量方法可高準確度地測量固體顆粒之濃度及/或粒徑分佈同時區分出該固體顆粒及微氣泡。
(7) 本發明之測量方法包括以下步驟:測量不帶電微氣泡,其中該待測液體中所含之不帶電微氣泡濃度及粒徑分佈之至少任一者係根據該光檢測裝置所獲得之影像計算得到。因此,本發明之測量方法可高準確度地測量該不帶電微氣泡之濃度及/或粒徑分佈同時區分出該不帶電微氣泡、固體顆粒及帶電微氣泡。
(8) 在本發明之測量方法中,在檢測散射光之步驟中獲得以下二者:對該液體施加該可變磁場前該微粒子布朗運動軌跡之施加前影像,及對該液體施加該可變磁場時該微粒子布朗運動軌跡之施加過程影像。本發明之測量方法亦包括測量帶電微氣泡之步驟,其中該待測液體中所含之帶電微氣泡濃度及粒徑分佈之至少任一者係根據該等影像計算得到。因此,本發明之測量方法可高準確度地測量該帶電微氣泡之濃度及/或粒徑分佈同時區分出該帶電微氣泡、固體顆粒及不帶電微氣泡。
(9)專利文獻1(日本未審查專利申請公開號2019-103958)中確認在微氣泡分散液之微粒子,尤其是帶正電微氣泡具有促進植物生長之作用。相對地,在本發明之測量方法中,該待測液體被盛裝在一盛裝裝置前,該待測液體已通過一帶正電過濾器。結果,由於該待測液體所含之帶電微氣泡中帶負電微氣泡已被去除,本發明之測量方法可高準確度地測量帶正電微氣泡之濃度及/或粒徑分佈。
(10) 對該待測液體施加可變磁場時,該固體顆粒之旋轉次數會與散射光亮度改變程度相關。對該液體施加可變磁場時,該固體顆粒之旋轉次數也會與該固體顆粒粒徑相關。因此,本發明使用所上所述之散射光亮度及該固體顆粒粒徑之變化程度相關性並根據用該光檢測裝置獲得之微粒子影像之散射光亮度之變化程度來計算固體顆粒之粒徑。因此,本發明之測量方法可簡單測量出固體顆粒之粒徑。
(11) 本發明之測量方法在照明光照射區域內對該待測液體施加一電場獲得微粒子電泳軌跡影像,並測量該待測液體中所含之該固體顆粒性質。因此,本發明之測量方法可測量固體顆粒之電特性。
(12) 本發明之測量方法在對該液體施加可變磁場前藉由施加一靜磁場使至少一部分該固體顆粒從該照射區域中移出。此使得該待測液體中所含之眾多固體顆粒中之順磁性固體顆粒移動到該照射區域外成為可能,進一步提高測量準確度。
(13) 如上所述, 本發明之測量方法藉由施加一靜磁場使順磁性固體顆粒移出該照射區域外,並收集顆粒以測量順磁性固體顆粒之量。此使得該待測液體中所含之順磁性固體顆粒之量能以簡單方式測量。
(14) 對該待測液體施加可變磁場時,固體顆粒之旋轉次數取決於該固體顆粒之物理性質及形狀以及介質黏度。該散射光亮度取決於固體顆粒旋轉次數及照射光波長。因此,若照射光波長固定,則該散射光之亮度可能無法再增加或飽和。相對地,本發明使用可切換雷射光波長之雷射裝置,其藉由使用界定範圍在300 nm至700 nm範圍內之複數個波長值作為照射光之光源。因此,若由於其亮度無法再增加或飽和而無法測量散射光亮度,則可相應地切換該雷射光之波長從而可適當地測量出散射光亮度。
(15) 一種本發明之微氣泡分散液之測量系統,其包括:一盛裝裝置,其盛裝一待測液體;一光源,其以照明光照射該盛裝裝置所盛裝之該待測液體;一可變磁場施加裝置,其在該照明光照射區域內對該待測液體施加一時變磁場;一光檢測裝置,其檢測該照明光照射下由該待測液體中所含之微粒子產生之散射光;及一測量裝置,其測量該待測液體特性,根據該光檢測裝置所測得之該散射光亮度區分該微粒子並將其區別成微氣泡及固體顆粒。因此,基於與本節(1)中所包括之發明之相同原因,該測量系統可高準確度地測量該待測液體特性,同時區分該待測液體中所含之微粒子並將其區別成微氣泡及固體顆粒。
第一具體實施例
以下結合圖式對一測量系統1配置進行詳細說明,其中根據第一具體實施例之微氣泡分散液測量方法施用至該測量系統1。
該測量系統 1被用以測量一待測液體之特性,其為一流體介質之微氣泡分散液,其中有分散之複數個微氣泡。該等微氣泡特性如分散在該待測液體中之粒徑分佈及微氣泡數濃度。如下文所述,該待測液體係一奈米氣泡分散液,其中粒徑範圍在2 nm至2000 nm之微氣泡及固體顆粒被分散在該流體介質中。以下,微氣泡及固體顆粒也被統稱為微粒子。此外,所使用之該流體介質為純水或氯化鈉(NaCl)溶液,但在本發明中所使用之該流體介質不限於此。而且,在以下所述之該測量系統1中,在所使用之該流體介質為不含無機離子純水之情況下,可特別高準確度地計算出微粒子之粒徑,但本發明中該流體介質不限於純水。所使用之該流體介質可以為任何流體,只要細小氣泡能在該流體介質中分散即可。
該測量系統1包括:一微毛細管2,作為一盛裝裝置以盛裝一待測液體;一雷射裝置3,作為以一雷射光L作為照明光來照射該微毛細管2中之該待測液體之光源;一可變磁場施加裝置5,其以該雷射光L對一照射區域A中之該待測液體施加一可變磁場;一數位顯微鏡6,作為一光檢測裝置,其檢測以該雷射光L照射該待測液體所含之微粒子所產生之一散射光S;一測量裝置7,其係根據該數位顯微鏡6獲得之影像資料來測量該待測液體特性之電腦;及一過濾裝置8,其過濾掉該待測液體中所含之雜質及其他物質。
如下文所述,具有如圖1所示之微米級導管作為盛裝裝置來盛裝該待測液體之該微毛細管2,但本發明之盛裝裝置不以此為限。作為一盛裝裝置,可接受任何能夠像該微毛細管2一樣藉由毛細現象來盛裝該待測液體之裝置。例如,可使用如下裝置:一導軌板(rail plate)21,在其上形成微米級寬度之溝槽(groove)(參見圖2A);一成對之玻璃板22,以微米級間距堆疊(參見圖2B);及以微米級間距排列之聚合物平行線(strings)23(參見圖2C)。
該雷射裝置3產生例如波長範圍在300 nm至700 nm之該雷射光L,並以該雷射光L照射被界定在該微毛細管2之毛細管內部之該照射區域A。較佳地所使用之該雷射裝置3可使用界定在300 nm至700 nm範圍內之二種以上波長值來切換該雷射光L波長。如下文所述,該雷射裝置3被用作光源,但本發明中之光源不限於此。例如,可使用發光二極體作為光源。
該可變磁場施加裝置5包括由操作者握持操作之一線圈墊51及一主體52,該主體52在預定設置週期下從該線圈墊51產生隨時變化之一可變磁場之。在此該可變磁場施加裝置5中,可在預定範圍內設置該可變磁場之週期及磁通密度。因此,該可變磁場施加裝置5還可藉由將該可變磁場之週期設置成無限大來生成一靜磁場。如下文所述,藉由使用該可變磁場施加裝置5該可變磁場及該靜磁場均被選擇性地在該微毛細管2內以該雷射光L施加至該照射區域A,但本發明不限於此。具體地,作為產生該靜磁場之手段,可使用提前準備之獨立於該可變磁場施加裝置5之一磁體。
此外,如下文所述,作為用於產生該可變磁場之該可變磁場施加裝置5,使用MRS1000 (The Magstim Company Ltd., U.K.)但本發明不限於此。使用一引動器(未顯示)在該微毛細管2內藉由將該磁體移近或遠離該照射區域A來施加該可變磁場。
此外,圖1顯示使用包括一個圓形線圈之一單線圈型線圈墊51之情況,但本發明不限於此。除該線圈墊 51外,如圖3中所示,使用包括二個圓形線圈511, 512之一雙線圈型線圈墊51A。該等線圈511及512略微傾斜。結果,相較於該單線圈型線圈墊51,該雙線圈型線圈墊51A能更好地提高磁通量之聚斂性,使得該照射區域A之磁通密度有選擇性地集中。
該數位顯微鏡6包括:一光學系統(未顯示)設於該散射光S光路中 ,該散射光S係以該雷射光L在該微毛細管2內該照射區域A之該待測液體中所含之微粒子產生,其中該散射光S入射(incident)係被此光學系統接收;及一影像設備(未顯示),其將該散射光S之亮度轉換為電子訊號來生成影像資料。該影像設備之例示為CCD或CMOS影像傳感器。以該數位顯微鏡6獲得之影像資料傳輸至該測量裝置7。
該測量裝置7係有安裝一程式之電腦,該程式對微粒子影像資料進行數值處理以測量該待測液體特性(例如微粒子之粒徑分佈及粒數濃度,微粒子諸如分散在待測液體中之微氣泡及固體顆粒)。用於以此該測量裝置7測量該待測液體特性之特定步驟稍後將參考包括圖5及圖6之圖式進行描述。
該過濾裝置8包括一過濾器主體,該過濾器主體設有許多具有預定一內徑之過濾孔。調節該過濾器主體之該過濾孔內徑,使該待測液體中之微粒子能夠通過,從而捕獲該待測液體中粒徑較大之固體顆粒。因此,允許該待測液體通過如此之該過濾器主體提前去除分散在該待測液體中粒徑大於該過濾孔內徑之固體顆粒。如下文所述,所使用之該過濾器主體帶正電,使得該過濾器主體也可收集分散在該待測液體中之微氣泡中帶負電之微氣泡,但本發明不限於此。所使用之該過濾器主體可能不帶電,也可能帶負電。
圖4為藉由如上所述一測量系統1之用於測量該待測液體特性之測量方法之具體步驟流程圖。
首先,在S1中,一操作員使一待測液體通過帶正電之一過濾器主體,其中該待測液體係一預先準備之微氣泡分散液。在此步驟中,分散在該待測液體中之該微粒子中具較大粒徑之該固體顆粒及該帶負電微氣泡被移除。被用作該待測液體之該微氣泡分散液可事先準備,或該待測液體可由一微氣泡產生器(未顯示)製造。
然後,在S2中,該操作者使一微毛細管2盛裝該待測液體,其藉毛細現象通過該過濾器主體內部。
然後,在S3中,該操作者操作一可變磁場施加裝置5藉由設定該可變磁場週期為無限大以從一線圈墊51產生一靜磁場,並使該線圈墊51靠近該微毛細管2以對在該微毛細管2內之該待測液體施加該靜磁場。此外,在S3中,沿著該微毛細管2延伸方向掃描此該線圈墊51,以使得該微毛細管2內之該待測液體中一部分之固體顆粒(尤其為順磁性固體顆粒)移出一雷射光L之一照射區域A。如此處所述,使用該可變磁場施加裝置5對該待測液體施加該靜磁場,但施加該靜磁場之方法不限於此。例如,可使用與該可變磁場施加裝置5分開製備之磁鐵對一待測液體施加該靜磁場。對如上所述之該待測液體施加該靜磁場所收集到之固體顆粒數量可藉由已知方法單獨測得。
然後,在S4中,該操作者用該雷射裝置3開始發射該雷射光L。更具體地,該操作者操作該雷射裝置3以產生該雷射光L,並用該雷射光L照射該微毛細管2內預先確定之該照射區域A。
然後,在S5中,該操作者開始用一數位顯微鏡6拍攝該照射區域A之動態影像。
從該操作者在S5中所開始拍攝之動態影像起經過預定時間後,其次在S6中該操作者使用該可變磁場施加裝置5對該待測液體施加一可變磁場一段預定時間。該磁場變化周期為例如0.1秒,而該線圈墊51處該可變磁場之磁通密度為0.5‑2.0 T,但本發明不限於此。
然後,在S7中,該操作者用該可變磁場施加裝置5完成施加該可變磁場,然後用該數位顯微鏡6完成拍攝動態影像,並由該雷射裝置3發射該雷射光L。上述步驟提供布朗運動所致分散在該待測物體中之許多微粒子之運動圖像。如下文所述,該數位顯微鏡6拍攝施加該可變磁場前後之動態影像,但本發明不限於此。例如,可使用拍攝多個靜止影像之方法,其中分散在該待測液體中之微粒子之布朗運動軌跡可被追踪。
然後,在S8中,該操作者操作一測量裝置7以根據用該數位顯微鏡6獲得之該微粒子之動態影像資料計算該微粒子之濃度及粒徑分佈。
圖5係一流程圖,顯示用該測量裝置 7計算微粒子之濃度及粒徑分佈之步驟。該待測液體包含分散於其中之帶正電微氣泡、不帶電微氣泡及包括固體顆粒之奈米尺度微粒子,但動態光散射法及粒子軌跡追踪法等常用方法無法識別此類奈米尺度之微粒子。相對地,該測量裝置7可區分帶正電微氣泡、不帶電微氣泡及固體顆粒以計算出其各別之濃度及粒徑分佈,下文將詳細描述。以下,在說明圖5流程圖之具體步驟前,先參照圖6對使用該測量裝置7之測量方法進行概要描述。
圖6為用該數位顯微鏡6檢測雷射光散射光所獲得之微粒子影像例示圖。圖6提供部分微粒子之放大圖作為參考。
如圖6所示,該待測液體包含分散於其中之不帶電微氣泡4a、帶電微氣泡4b及固體顆粒4c, 4d。而且,分散在該待測液體中之固體顆粒有各種形狀,包括具相對接近真球形之固體顆粒4c,及遠非真球之扭曲形狀之固體顆粒4d。然而,此等微粒子4a‒4d具有奈米尺度之粒徑,其等於或小於雷射光波長,使該等微粒子無法藉由檢測散射光獲得之影像來識別。然而,如圖6所示,用該可變磁場施加裝置5對該待測液體施加預定週期變化之時變磁場時,該微粒子有不同表現。
更具體地,具偏導磁性之固體顆粒4c, 4d在可變磁場下承受旋轉或平移力而繞軸旋轉。在此情況下,相較於具扭曲形狀之固體顆粒4d,具相對接近真球形之固體顆粒4c被認為具較少黏性阻力,因此,固體顆粒4c比具扭曲形狀之固體顆粒4d旋轉更快。因此,若對固體顆粒施加可變磁場同時對其發射雷射光,固體顆粒4c, 4d之散射光亮度相較於施加可變磁場前增加更多。也在此時,由於固體顆粒4d旋轉速度大於固體顆粒4c,因此固體顆粒4d之亮度比固體顆粒4c之亮度增加更多。此外,認為隨著該固體顆粒4c, 4d之粒徑增加其亮度增加更多。
作為參考,以下公式(1)表示一球體之運動方程式,其中質量M (kg)及半徑r (m)之球體在μ (N•s/m 2)黏度係數介質中之磁矩為m (wb•m),而對介質施加頻率為ω o(rad/s)之時變磁場H (A/m)。在式(1)中,t (s)為時間,θ(rad)係由磁矩m及磁場H所界定之角度。 (1)     [式1]
相對地,相較於固體顆粒,不帶電微氣泡4a幾乎不具導磁性且重量很小,其對周圍介質導致非常大之黏性阻力,從而即使對不帶電微氣泡4a施加可變磁場其也幾乎不旋轉。因此,即使對微氣泡4a施加可變磁場及發射雷射光,微氣泡4a之散射光亮度幾乎沒有增加。此外,若對帶電微氣泡4b施加可變磁場則其消失。據此,若對微氣泡4b施加可變磁場及發射雷射光,帶電微氣泡4b之散射光亮度為零。
利用若對微粒子4a‒4d施加可變磁場則各個微粒子有不同表現之事實,該測量裝置7可區分微粒子4a‒4d。
以下對圖5之流程圖進行說明。首先,在S11中,根據在施加該可變磁場前後該微粒子布朗運動軌跡之視訊影像,該測量裝置7將視訊影像中所含之微粒子區分為不帶電微氣泡、帶電微氣泡及固體顆粒。更具體地,該測量裝置7區分出固體顆粒、帶電微氣泡及不帶電微氣泡,以使得該測量裝置7在施加該可變磁場時將該等亮度增加幅度大於預定閾值之微粒子識別為該固體顆粒,在施加該可變磁場時將已消失、亮度變為零之微粒子識別為帶電微氣泡,以及在施加該可變磁場時將亮度增加幅度未大於預定閾值之微粒子識別為該不帶電微氣泡。
在此S11中,在施加該可變磁場時若一散射光S亮度無法再增加或飽和,較佳地該測量裝置 7中止後續之計算,並在改變該雷射裝置3之雷射光波長後再次執行圖4所示步驟。
然後,在S12中,在施加該可變磁場前該測量裝置7在S11中微粒子布朗運動軌跡動態影像中統計出識別出之該不帶電微氣泡、該帶電微氣泡及該固體顆粒各自之數量,藉此該測量裝置7計算出該待測液體中不帶電微氣泡粒數濃度C bo、帶電微氣泡粒數濃度C bc以及固體顆粒粒數濃度C 固體
然後,在S13中,在施加該可變磁場前該測量裝置7根據該微粒子布朗運動軌跡動態影像分析該微粒子布朗運動之軌跡,藉此該測量裝置7分別由該不帶電微氣泡、該帶電微氣泡及該固體顆粒計算出在S12所統計數量之各微粒子之粒徑。更具體地,由於分散該待測物體中之該微粒子之布朗運動速度會隨著該微粒子粒徑變大而變慢,以及隨著該微粒子粒徑變小而變快。藉由分析如上所述微粒子布朗運動軌跡,可計算出每一微粒子之粒徑。
然後,在S14中,使用在S13中由該不帶電微氣泡、該帶電微氣泡及該固體顆粒計算出之每一微粒子之粒徑資訊,該測量裝置7計算出分散在該待測液體中之該不帶電微氣泡之粒徑分佈D bo,該帶電微氣泡之粒徑分佈 D bc,及該固體顆粒之粒徑分佈D 固體。 第二具體實施例
然後,參照圖式詳細說明應用本發明第二具體實施例之微氣泡分散液測量方法之該測量系統1A之配置。
圖7為根據此具體實施例之該測量系統1A之部分配置之示意圖。該測量系統1A係根據第一具體實施例進一步對該測量系統1提供一電泳裝置9。請注意圖7中該測量系統1A之組件中,一可變磁場施加裝置5及一測量裝置7皆未顯示。以下,與第一具體實施例之該測量系統1相同之配置會省略其圖示及詳細說明。
電泳裝置9包括:一支架91,其水平地承載一微毛細管2;一對電極支撐部件92, 93,設在該微毛細管2兩端側面;及一DC電源供應器(未顯示)。該支架91為柱狀。支架91之上表面911設有支撐溝槽,其沿該微毛細管2延伸方向延伸且剖面呈弧形。該微毛細管2被設置於裝置9沿著支撐溝槽。此外,支架91在其大致中央處(即在一雷射光L之一照射區域A附近)設有平面圖呈圓形之切口912。
電極支撐部件92, 93之每一面(面對該微毛細管2之表面)設置有針狀之電極92a, 93a。此等電極92a, 93a分別連接到DC電源之正極及負極。此外,此等電極支撐部件92, 93被配置成使得該部件92, 93能夠沿著該微毛細管2之延伸方向彼此靠近或彼此遠離。若電極支撐部件92, 93彼此靠近,則電極92a, 93a各自被插入到該微毛細管2之導管2a之各端中。
圖8為使用此本具體實施例之該測量系統1A用於測量該待測液體特性之測量方法之具體步驟之流程圖。在圖8之流程圖中,由於S11-S12、S14-S16及S18-S19之各處理步驟與圖4流程圖中之S1-S8相同,故不再贅述。
在S12中該待測液體被盛裝在該微毛細管2後,操作者在S13中將電極支撐部件92, 93彼此靠近以將電極92a, 93a插入該微毛細管2之導管2a之兩端。
在S16中用一數位顯微鏡6拍攝該照射區域A之動態影像後,在S17中該操作者打開連接到電極92a, 93a之電源一段預定時間以對位於電極92a, 93a間之該照射區域A內之該待測液體供應電場一段預定時間。
在S19中用該數位顯微鏡6完成動態影像拍攝且完成用一雷射裝置3發射該雷射光L後,在S20中該操作者操作該測量裝置7用以根據該數位顯微鏡6獲得之該微粒子動態影像資料來計算該微粒子之濃度及粒徑分佈。
此方法中,根據該數位顯微鏡6所獲得之動態影像資料用以區分該微粒子並將其區別為該固體顆粒與微氣泡以及用以計算此等固體顆粒與微氣泡之該粒數濃度及該粒徑分佈之步驟與圖5所示者相同,因此將省略對其詳細描述。
另外,根據本具體實施例之測量方法,藉由施加電場一預定時間,在S17中施加一電場時獲得一動態影像,該動態影像係對該微粒子施加電場時之電泳軌跡。因此,在S20中,微粒子被識別為固體顆粒及微氣泡,同時藉由根據施加電場時之動態影像分析該待測液體中所含之該固體顆粒之移動速度來測量此等固體顆粒之電特性。 第三具體實施例
然後,將結合圖式詳細描述一測量系統1B之配置,本發明第三具體實施例之微氣泡分散液之測量方法被施用於該測量系統1B。
圖9為根據本具體實施例之該測量系統1B之部分配置之示意圖。該測量系統1B被配置成有電泳裝置9B進一步設置於第一具體實施例之該測量系統1。請注意圖9中,在該測量系統1B之組件中未顯示一可變磁場施加裝置5及一測量裝置7。以下將省略與第一具體實施例測量之該測量系統1相同配置之圖示及詳細說明。
電泳裝置9B包括:一對電極支撐蓋95, 96,設於一微毛細管2兩端側之;一腳架(stand)(未顯示),用以垂直承載該微毛細管2;及一電源供應器(未顯示)。
電極支撐蓋95, 96中分別設有針狀之電極95a, 96a。因此,若將此等電極支撐蓋95, 96安裝到該微毛細管2之兩端,則電極95a, 96a各自都被插入到該微毛細管2之導管2a之各端中。
使用上述該測量系統1B來測量一待測液體特性之測量方法之具體步驟與圖8流程圖中之步驟相同,在此省略詳細說明。
儘管以上描述本發明部分具體實施例,但本發明不限於此等具體實施例。該具體實施例之配置細節可在本發明標的範圍內根據需要進行改變。
例如,在第一具體實施例中,根據施加一可變磁場前後之動態影像(參見圖15之S11)將該微粒子識別為不帶電微氣泡、帶電微氣泡及固體顆粒後,藉由分析施加該可變磁場前微粒子布朗運動軌跡來計算各微粒子之粒徑,但計算微粒子中該固體顆粒粒徑之方法不限於此。
在施加可變磁場時固體顆粒旋轉次數與散射光亮度變化程度相關。再對固體顆粒施加可變磁場時該固體顆粒之旋轉次數也與該固體顆粒之粒徑及介質黏度有關。因此,可根據散射光亮度之變化程度來計算該固體顆粒之粒徑,藉由使用散射光亮度之變化程度與該固體顆粒粒徑及介質黏度之相關性。
更具體地,圖10所示之計算固體顆粒粒徑之圖例係根據預先進行之測試作成,該測試係用以測量以下之相關性:在施加可變磁場前後散射光亮度之變化程度,及在不同黏度係數之各種介質中之固體顆粒之粒徑。在施加該可變磁場前後根據該微粒子軌跡動態影像用該測量裝置 7來計算被識別為固體顆粒之微粒子之散射光亮度之變化程度。根據散射光之亮度變化及操作者輸入之介質黏度係數,可在圖例中找到用於計算粒徑之該粒徑,藉此可計算出該固體顆粒之粒徑。
1, 1A, 1B:測量系統 2:微毛細管(盛裝裝置) 2a:導管 21:導軌板 22:玻璃板 23:聚合物平行線 3:雷射裝置(光源) 4a:不帶電微氣泡 4b:帶電微氣泡 4c, 4d:固體顆粒 5:可變磁場施加裝置 51, 51A:線圈墊 511, 512:圓形線圈 52:主體 6:數位顯微鏡(光檢測裝置) 7:測量裝置 8:過濾裝置 9:電泳裝置 91:支架 911:支架上表面 912:切口 92, 93:電極支撐部件 92a, 93a:電極 95, 96:電極支撐蓋 95a, 96a:電極 L:雷射光 S:散射光 A:照射區域 S1, S2, S3, S4, S5, S6, S7, S8:步驟 S11, S12, S13, S14, S15, S16, S17, S18, S19, S20:步驟
圖1為本發明第一具體實施例之微氣泡分散液測量系統配置示意圖。 圖2A為一盛裝裝置另一例之透視圖。 圖2B為一盛裝裝置又一例之透視圖。 圖2C為一盛裝裝置其他例之透視圖。 圖3為雙線圈型線圈墊之透視圖。 圖4為用於測量一微氣泡分散液特性之測量方法之具體步驟流程圖。 圖5為使用一測量裝置用於計算微粒子濃度及粒徑分佈之步驟流程圖。 圖6為用數位顯微鏡檢測雷射光之散射光所獲得之微粒子影像之一例示圖。 圖7為本發明第二具體實施例之測量系統之局部配置示意圖。 圖8為用於測量一微氣泡分散液特性之測量方法之具體步驟流程圖。 圖9為本發明第三具體實施例之測量系統之局部配置示意圖。 圖10為用於計算固體顆粒粒徑之例示圖解。
1:測量系統
2:微毛細管(盛裝裝置)
3:雷射裝置(光源)
5:可變磁場施加裝置
51:線圈墊
52:主體
6:數位顯微鏡(光檢測裝置)
7:測量裝置
8:過濾裝置
L:雷射光
S:散射光
A:照射區域

Claims (15)

  1. 一種用於測量一待測液體特性之方法,該待測液體係一微氣泡分散液,該方法包括:以一照明光照射被盛裝在一盛裝裝置之該待測液體;在該照明光照射區域內對該待測液體施加一時變磁場;使用一光檢測裝置發射該照明光來檢測由該待測液體中所含複數個微粒子產生之一散射光;及根據該光檢測裝置檢測到之該散射光亮度將該等微粒子區分為微氣泡及固體顆粒。
  2. 如請求項1所述之方法,其中該待測液體含有粒徑範圍2nm至2000nm之微氣泡。
  3. 如請求項1或2所述之方法,其中使用該光檢測裝置所獲得之該等微粒子的一影像與一預定閾值比較其亮度,以將該等微粒子識別為固體顆粒及微氣泡。
  4. 如請求項1所述之方法,其中在檢測該散射光步驟中,在施加一可變磁場之前後,以該光檢測裝置測得之該散射光來獲得該等微粒子因布朗運動所致軌跡之一影像,且其中在以該光檢測裝置獲得之該影像中,根據在對該待測液體施加該可變磁場時該等微粒子亮度是否增加而將該等微粒子識別為固體顆粒及微氣泡。
  5. 如請求項4所述之方法,其中以該光檢測裝置所獲得之該影像中,將對該待測液體施加該可變磁場時,亮度增加之該等微粒子識別為固體顆 粒,而將消失之該等微粒子識別為帶電微氣泡,且將亮度未增加之該等微粒子識別為不帶電之微氣泡。
  6. 如請求項1所述之方法,進一步包括測量固體顆粒,其中該待測液體中所含固體顆粒之濃度或粒徑分佈係根據該光檢測裝置所獲得之一影像來計算。
  7. 如請求項5所述之方法,進一步包括測量不帶電微氣泡,其中該待測液體中所含不帶電微氣泡之濃度或粒徑分佈係根據該光檢測裝置所獲得之一影像來計算。
  8. 如請求項4-7中任一項所述之方法,進一步包括測量帶電微氣泡,其中在檢測散射光之步驟中,獲得以下二者:對該液體施加該可變磁場前該微粒子之布朗運動軌跡之施用前影像;以及對該液體施加可變磁場時該等微粒子之布朗運動軌跡之施用過程影像,且該待測液體中所含帶電微氣泡之濃度或粒徑分佈係根據該等影像來計算。
  9. 如請求項8所述之方法,進一步包括進行該待測液體之第一次篩檢,其中將該待測液體盛裝在該盛裝裝置前,該待測液體已通過一帶正電之過濾器。
  10. 如請求項4-7中任一項所述之方法,其中對該液體施加該可變磁場時,根據散射光亮度變化程度,使用該光檢測裝置所獲得該微粒子的影像來計算該固體顆粒之粒徑。
  11. 如請求項1所述之方法,其中進一步包括對該待測液體施加一電場,係在該照明光照射區域內對該待測液體施加該電場,其中在檢測散射 光之步驟中,對該待測液體施用該電場時獲得該微粒子電泳軌跡之一施用過程影像,且該待測液體中所含之固體顆粒特性係根據該施用過程影像來測量。
  12. 如請求項1所述之方法,進一步包括進行第二次篩檢,其中在對該待測液體施加該可變磁場前,對該液體施加一靜磁場,藉由該靜磁場將至少將一部分該固體顆粒移出該照射區域。
  13. 如請求項12所述之方法,進一步包括測量順磁性物質之數量,其中順磁性顆粒物數量被測定,在對該待測液體施加該靜磁場進行第二次篩檢之步驟中收集該固體顆粒。
  14. 如請求項1所述之方法,其中該照明光之光源係一雷射裝置,而該雷射裝置可利用範圍在300nm至700nm內之二或多個波長值來切換雷射光(L)波長。
  15. 一種用於測量一待測液體特性之測量系統,該待測液體為一微氣泡分散液,該系統包括:一盛裝裝置,其用於盛裝該待測液體;一光源,其以一照明光照射盛裝於該盛裝裝置之該待測液體;一可變磁場施加裝置,其在有該照明光之一照射區域內對該待測液體施加一時變磁場;一光檢測裝置,其藉由該照明光照射來檢測該待測液體中所含微粒子產生之一散射光;及一測量裝置,其測量該待測液體特性,根據以該光檢測裝置測得之該散射光亮度將該微粒子區分為微氣泡及固體顆粒。
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