TWI847105B - 基板處理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 370
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 415
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 203
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 21
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 94
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 61
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 58
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 32
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 30
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 24
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 23
- 238000013461 design Methods 0.000 description 15
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 14
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 14
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N peroxysulfuric acid Chemical compound OOS(O)(=O)=O FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-L peroxysulfate(2-) Chemical compound [O-]OS([O-])(=O)=O FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 3
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000827703 Homo sapiens Polyphosphoinositide phosphatase Proteins 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100023591 Polyphosphoinositide phosphatase Human genes 0.000 description 2
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 2
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
本發明之課題在於提供一種於基板處理中適切地產生電漿之作用。
本發明之基板處理方法包含下述步序：於處理空間內水平地保持基板；將電漿產生裝置配置於水平地保持之基板之上方，該電漿產生裝置包含由介電體被覆之複數個電漿電極，對該電漿電極施加電壓而產生電漿；藉由電漿產生裝置產生大氣壓電漿；於水平地保持之基板之上表面形成處理液之液膜；及使電漿產生裝置與基板相對移動至被覆電漿電極之介電體與液膜之間之距離為0.9mm以上、且2.3mm以下之位置，使大氣壓電漿作用於處理液，而對基板進行處理。
Description
本案說明書所揭示之技術係關於一種電漿處理。
自先前以來，業界曾提案去除形成於基板之上表面之阻劑膜(被膜)之技術。例如，於專利文獻1中曾揭示將硫酸及過氧化氫溶液之混合液供給至基板之上表面，使用在該混合液中產生之卡洛酸，去除形成於基板之上表面之阻劑膜之技術。
[專利文獻1]日本特開2020-88208號公報
[專利文獻2]日本特開2020-4561號公報
[專利文獻3]日本特開2019-61759號公報
另一方面，作為環境負載較上述之技術為小之替代技術，於專利文獻2、3中曾揭示藉由以大氣壓電漿產生活性物種，使該活性物種溶解於覆蓋基板之上表面之液膜，而將阻劑膜剝離之技術。根據該技術，可於不使用過氧化氫溶液下去除阻劑膜。
此處，由於電漿之作用依存於液膜與電漿電極之間之距離，故於上述之處理中有改善之餘地。又，針對裝置對於在電漿處理時產生之熱之耐熱性亦有改善之餘地。
本案說明書所揭示之技術係鑒於如以上所記載之問題而完成者，係用於在基板處理中適切地進行電漿處理之技術。
本案說明書所揭示之技術之第1態樣之基板處理方法係於大氣壓之處理空間內對基板進行處理者，且包含下述步序：於前述處理空間內水平地保持前述基板；將電漿產生裝置配置於前述水平地保持之前述基板之上方，該電漿產生裝置包含由介電體被覆之複數個電漿電極，對該電漿電極施加電壓而產生電漿；藉由前述電漿產生裝置，產生大氣壓電漿；於前述水平地保持之前述基板之上表面形成處理液之液膜；及使前述電漿產生裝置與前述基板相對移動至被覆前述電漿電極之前述介電體與前述液膜之間之距離為0.9mm以上、且2.3mm以下之位置，使前述大氣壓電漿作用於
前述處理液，而對前述基板進行處理。
本案說明書所揭示之技術之第2態樣之基板處理方法係於大氣壓之處理空間內對基板進行處理者，且包含下述步序：於前述處理空間內水平地保持前述基板；將電漿產生裝置配置於前述水平地保持之前述基板之上方，該電漿產生裝置包含複數個電漿電極，對該電漿電極施加電壓而產生電漿，該等複數個電漿電極被收容於形成有複數個收容孔之介電體之前述收容孔；藉由前述電漿產生裝置，產生大氣壓電漿；於前述水平地保持之前述基板之上表面形成處理液之液膜；及使前述電漿產生裝置與前述基板相對移動至前述介電體之下表面與前述液膜之間之距離為2.3mm以上、且3.8mm以下之位置，使前述大氣壓電漿作用於250℃以上之前述處理液，而對前述基板進行處理。
本案說明書所揭示之技術之第3態樣之基板處理方法係於大氣壓之處理空間內對基板進行處理者，且包含下述步序：於前述處理空間內水平地保持前述基板；將電漿產生裝置配置於前述水平地保持之前述基板之上方，該電漿產生裝置包含複數個電漿電極，對該電漿電極施加電壓而產生電漿，該等複數個電漿電極被收容於形成有複數個收容孔之介電體之前述收容孔；藉由前述電漿產生裝置，產生大氣壓電漿；於前述水平地保持之前述基板之上表面形成處理液之液膜；及使前述電漿產生裝置與前述基板相對移動至前述介電體之下表面與前述液膜之間之距離為2.3mm以上、且2.8mm以下之位置，使前述大氣壓電漿作用於200℃以上且未達250℃之前述處理液，而對前述基板進行處理。
本案說明書所揭示之技術之第4態樣之基板處理方法係如第1至3中任一態樣之基板處理方法者，其中形成前述液膜之步序係形成前述處理液之膜厚為0.2mm之前述液膜之步序。
本案說明書所揭示之技術之第5態樣之基板處理方法係如第1至4中任一態樣之基板處理方法者，其中前述處理液為硫酸。
本案說明書所揭示之技術之第6態樣之基板處理方法係如第1至5中任一態樣之基板處理方法者，其中形成前述液膜之步序係於形成於前述基板之前述上表面之被膜之上表面形成前述液膜之步序，對前述基板進行處理之步序係使前述被膜剝離之步序。
電漿產生裝置之第1態樣具備：複數個第1電極構件，其等各自沿著長度方向延伸，排列設置於與前述長度方向交叉之排列方向上；及複數個第2電極構件，其等在自與前述排列方向及前述長度方向正交之方向觀察之俯視下，分別設置於前述複數個第1電極構件相互之間；且前述複數個第1電極構件與前述複數個第2電極構件相互之間之節距設定為前述複數個第1電極構件及前述複數個第2電極構件之溫度為600度以下。
電漿產生裝置之第2態樣係如第1態樣之電漿產生裝置者，其中在前述複數個第1電極構件與前述複數個第2電極構件之間施加10kV以上之電壓。
電漿產生裝置之第3態樣係如第1或第2態樣之電漿產生裝置者，其中前述複數個第1電極構件及前述複數個第2電極構件係由鎢形成。
電漿產生裝置之第4態樣係如第1至第3中任一態樣之電漿產生裝置者，其進一步具備介電構件，該介電構件具有：複數個第1孔，其等分別被插入前述複數個第1電極構件；及複數個第2孔，其等分別被插入前述複數個第2電極構件。
電漿產生裝置之設計方法之第1態樣包含下述步序：決定電漿產生裝置之溫度之容許值，該電漿產生裝置包含：複數個第1電極構件，其等各自沿著長度方向延伸，排列設置於與前述長度方向交叉之排列方向上；及複數個第2電極構件，其等在自與前述排列方向及前述長度方向正交之方向觀察之俯視下，分別設置於前述複數個第1電極構件相互之間；以及前述容許值越高，則將前述複數個第1電極構件與前述複數個第2電極構件相互之間之節距定為越窄。
電漿產生裝置之設計方法之第2態樣包含下述步序：以前述電漿產生裝置產生之電漿之發光強度為特定強度以上之方式決定對電漿產生裝置供給之電力，作為基準電力，該電漿產生裝置包含：複數個第1電極構件，其等各自沿著長度方向延伸，排列設置於與前述長度方向交叉之排列方向上；及複數個第2電極構件，其等在自與前述排列方向及前述長度方向正交之方向觀察之俯視下，分別設置於前述複數個第1電極構件相互之間；
以及基於前述基準電力、及前述電漿產生裝置之溫度之容許值，決定前述複數個第1電極構件與前述複數個第2電極構件相互之間之節距。
根據本案說明書所記載之上述之技術態樣，可適切地進行電漿處理。
又，與本案說明書所揭示之技術相關聯之目的、特徵、層面、優點藉由以下所示之詳細說明與附圖而更明瞭。
a1,b900:基板處理系統
a10:旋轉卡盤
a10A:旋轉基座
a10C:旋轉軸
a10D:旋轉馬達
a12:處理杯
a20:處理液噴嘴
a25:閥
a29:處理液供給源
a30:電漿處理部
a30A,a32A,b33,b35:介電構件
a30B,a30C,a30J,a30K:電極棒
a30D,a30L:保持部
a30E,a30F:介電管
a30G,a30H,a30M,a30N:集合電極
a32B:收容孔
a40:交流電源
a50:加熱部
a50A,a60A:氣體流路
a50B:吹出口
a50C:遮擋構件
a50D:排氣口
a60:支持部
a70:氣體供給源
a72:測定部
a80:腔室
a90:控制部
a91:CPU
a92:ROM
a93:RAM
a94,b94:記憶裝置
a94P,b94P:處理程式
a95:匯流排線
a96,b96:輸入部
a97,b97:顯示部
a98,b98:通訊部
a100:處理單元
a101:處理液
a101A:液膜
a102:電漿
a130:電漿處理部
a400,b901:加載台
a402,b902:分度器機器人
a404,b904:基板載置部
a406:中心機器人
A-A,A-A’,C-C,D-D:剖面
b1,b1A:電漿產生裝置
b8:電源
b8a:電源
b8b:第2輸出端
b11:基板保持部
b12:噴嘴
b12a:噴出口
b13:防濺罩
b14:電漿移動機構
b15:噴嘴移動機構
b21:第1電極部
b22:第1電極部
b31:第1介電構件
b32:第2介電構件
b33a,b33b:主面
b34:保持構件
b35a:第1主面
b35b:第2主面
b35c:側面
b36:第1孔
b37:第2孔
b80:腔室
b81,b82:配線
b90:控制部
b91:資料處理部
b92:記憶部
b93:匯流排
b100:基板處理裝置
b111:載台
b112:卡盤銷
b113:旋轉機構
b114:軸
b115:馬達
b121:供給管
b122:閥
b123:流量調整部
b124:處理液供給源
b211:第1電極構件(第1線狀電極)
b212:第1集合電極
b221:第2電極構件(第2線狀電極)
b222:第2集合電極
b903:主搬送機器人
b921:非暫時性記憶部/記憶部
b922:暫時性記憶部/記憶部
C:載架
D1:長度方向
D2:排列方向
D3:方向
G1,G2,G3:圖形
Q1,Z1:旋轉軸線
S1:步序(電力設定步序)
S2:步序(容許溫度設定步序)
S3:步序(電極節距設計步序)
ST01~ST05:步驟
W:基板
X,Y,Z:軸
圖1係概略性顯示與實施形態相關之基板處理系統之構成之例之俯視圖。
圖2係概念性顯示圖1所示之控制部之構成之例之圖。
圖3係概略性顯示實施形態之處理單元之構成之例之側視圖。
圖4係顯示電漿處理裝置之動作之例之流程圖。
圖5係用於說明與實施形態相關之電漿處理裝置之動作之圖。
圖6係用於說明與實施形態相關之電漿處理裝置之動作之圖。
圖7係具體地顯示加熱部及其周邊構造之構成之例之圖。
圖8係顯示直至在電漿處理部內之區域整體產生電漿為止所需之時間之圖。
圖9係顯示於電漿處理部內之一部分之區域產生電漿之狀態之俯視圖。
圖10係顯示基於測定部對溫度之測定結果，將一部分之吹出口打開之情形之例之俯視圖。
圖11係顯示電漿處理部與液膜之間之距離不同之情形之基板之表面上之被膜(阻劑膜)之剝離程度之例之圖。
圖12係概略性顯示實施形態之處理單元之構成之例之側視圖。
圖13係概略性顯示電漿處理部中之一部分之構成之例之剖視圖。
圖14係概略性顯示電漿處理部中之一部分之構成之例之俯視圖。
圖15係顯示電漿處理部與液膜之間之距離不同之情形之基板之表面上之被膜(阻劑膜)之剝離程度之例之圖。
圖16係概略性顯示基板處理系統之構成之一例之俯視圖。
圖17係概略性顯示控制部之內部構成之一例之方塊圖。
圖18係概略性顯示基板處理裝置之構成之一例之圖。
圖19係概略性顯示電漿產生裝置之構成之一例之側剖視圖。
圖20係概略性顯示電漿產生裝置之構成之一例之俯視圖。
圖21係顯示電極節距為6mm時之電壓波形及電流波形之一例之圖。
圖22係顯示電極節距為10mm時之電壓波形及電流波形之一例之圖。
圖23係顯示電極節距為12mm時之電壓波形及電流波形之一例之圖。
圖24係顯示電漿產生裝置之溫度與電力之關係之圖。
圖25係顯示電漿產生裝置之設計方法之一例之流程圖。
圖26係顯示電漿之發光強度與電力之關係之圖。
圖27係概略性顯示電漿產生裝置之構成之一例之俯視圖。
圖28係概略性顯示電漿產生裝置之構成之一例之側剖視圖。
圖29係概略性顯示電漿產生裝置之構成之一例之側剖視圖。
圖30係顯示脈寬與溫度之關係之圖。
圖31係顯示脈寬與電壓之關係之圖。
圖32係顯示脈寬與電流之關係之圖。
圖33係顯示脈寬與瞬時電力之關係之圖。
以下，一面參照附圖，一面針對實施形態進行說明。於以下之實施形態中，為了進行技術之說明，亦顯示詳細之特徵等，但其等為例示，為了使實施形態可實施，而其等並非全部為必須之特徵。
此外，圖式係概略性顯示者，為了便於說明，而適宜地於圖式中進行構成之省略、或構成之簡略化。又，不同之圖式分別所示之構成等之大小及位置之相互關係未必係正確地記載者，為可適宜變更者。又，即便於非為剖視圖之俯視圖等之圖式中，亦有時為了易於理解實施形態之內容，而加陰影。
又，於以下所示之說明中，對同樣之構成要素賦予相同之符號而圖示，針對其等之名稱及功能，亦設為同樣者。因此，有時為了避免重複，而省略針對其等之詳細之說明。
又，於本案說明書所記載之說明，於記載為「具備」、「包含」或
「具有」某種構成要素等之情形下，如無特別異議，則非為將其他構成要素之存在除外之排他性表達。
又，於本案說明書所記載之說明中，即便有利用「第1」或「第2」等序數之情形，該等用語亦係為了便於理解實施形態之內容而方便上利用者，並非係限定於藉由該等序數而可能產生之順序等者。
又，於本案說明書所記載之說明中，「…軸正向」或「…軸負向」等之表達係將沿著圖示之…軸之箭頭之方向設為正向、將與圖示之…軸之箭頭為相反側之方向設為負向者。
又，於本案說明書所記載之說明中，表示為相等之狀態之表達、例如「同一」、「相等」、「均一」或「均質」等，如無特別異議，則包含表示為嚴格地相等之狀態之情形、及在公差或獲得同程度之功能之範圍內產生差異之情形。
又，於本案說明書所記載之說明中，亦有利用意指「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「正」或「背」等特定位置或方向之用語之情形，該等用語係為了易於理解實施形態之內容而方便上利用者，與實際實施時之位置或方向無關。
又，於本發明申請案說明所記載之說明中，於記載為「…之上表面」或「…之下表面」等之情形下，除了成為對象之構成要素之上表面本
身或下表面本身以外，亦包含在成為對象之構成要素之上表面或下表面形成其他構成要素之狀態。亦即，例如，於記載為「設置於甲之上表面之乙」之情形下，不妨礙在甲與乙之間介置另一構成要素「丙」。
於利用表示相對性或絕對性位置關係之表達(例如「於一方向」「沿著一方向」「平行」「正交」「中心」「同心」「同軸」等)之情形下，該表達如無特別異議，則不僅嚴格地表示其位置關係，亦表示在公差或獲得同程度之功能之範圍內關於角度或距離相對地變位之狀態。於利用表示為相等之狀態之表達(例如「同一」「相等」「均質」等)之情形下，該表達如無特別異議，則不僅表示定量地嚴格相等之狀態，亦表示存在公差或獲得同程度之功能之差之狀態。於利用表示形狀之表達(例如「四角形狀」或「圓筒形狀」等)之情形下，該表達如無特別異議，則不僅於幾何學上嚴格地表示該形狀，亦表示於獲得同程度之效果之範圍內例如具有凹凸或倒角等之形狀。於利用「包括」、「備置」、「具備」、「包含」、或「具有」一個構成要素之表達之情形下，該表達非為將其他構成要素之存在除外之排他性表達。於利用「A、B及C之至少任一者」之表達之情形下，該表達包含：僅A、僅B、僅C、A、B及C中任意2個、以及A、B及C之全部。
<第1實施形態>
以下，針對與本實施形態相關之基板處理方法進行說明。
<關於基板處理系統之構成>
圖1係概略性顯示與本實施形態相關之基板處理系統a1之構成之例之俯視圖。基板處理系統a1具備：加載台a400、分度器機器人a402、中心機器人a406、控制部a90、及至少1個處理單元a100(於圖1中為4個處理單元)。
各個處理單元a100係用於對基板W(晶圓)進行處理者，其中至少1個對應於電漿處理裝置。電漿處理裝置係可用於電漿處理之單片式裝置，具體而言，係進行去除附著於基板W之有機物之處理、或基板W中之金屬蝕刻等之裝置。附著於基板W之有機物例如為使用完成之阻劑膜。該阻劑膜例如係用作離子注入步序用之注入遮罩者。
此處，成為處理對象之基板例如包含：半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等之平板顯示器(flat panel display)(FPD)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、場發射顯示器(field emission display、亦即FED)用基板、或太陽能電池用基板等。
此外，處理單元a100可具有腔室a80。該情形下，藉由利用控制部a90來控制腔室a80內之氣體環境，而處理單元a100可進行所期望之氣體環境中之處理。
控制部a90可控制基板處理系統a1中之各個構成(後述之旋轉卡盤a10之旋轉馬達a10D、處理液供給源a29、閥a25、氣體供給源a70或交流電源
a40等)之動作。載架C係收容基板W之收容器。又，加載台a400係保持複數個載架C之收容器保持機構。分度器機器人a402可於加載台a400與基板載置部a404之間搬送基板W。中心機器人a406可於基板載置部a404及處理單元a100間搬送基板W。
分度器機器人a402、基板載置部a404及中心機器人a406於各個處理單元a100與加載台a400之間搬送基板W。
未處理之基板W自載架C由分度器機器人a402取出。而後，未處理之基板W經由基板載置部a404被交接至中心機器人a406。
中心機器人a406將該未處理之基板W搬入處理單元a100。而後，處理單元a100對基板W進行處理。
於處理單元a100中完成處理之基板W由中心機器人a406自處理單元a100取出。而後，完成處理之基板W於根據需要經由其他處理單元a100之後，經由基板載置部a404被交接至分度器機器人a402。分度器機器人a402將完成處理之基板W搬入載架C。根據以上內容，進行對於基板W之處理。
圖2係概念性顯示圖1所示之控制部a90之構成之例之圖。控制部a90可由具有電路之一般性電腦構成。具體而言，控制部a90具備：中央運算處理裝置(central processing unit，中央處理單元、亦即CPU)a91、唯讀
記憶體(read only memory、亦即ROM)a92、隨機存取記憶體(random access memory、亦即RAM)a93、記憶裝置a94、輸入部a96、顯示部a97及通訊部a98、及將其等相互連接之匯流排線a95。
ROM a92儲存基本程式。RAM a93被用作CPU a91進行特定之處理時之作業區域。記憶裝置a94係由快閃記憶體或硬碟裝置等非揮發性記憶裝置構成。輸入部a96係由各種開關或觸控面板等構成，自操作員接收處理製程條件等之輸入設定指示。顯示部a97例如由液晶顯示裝置及燈等構成，於CPU a91之控制下顯示各種資訊。通訊部a98具有經由區域網路(local area network)(LAN)等之資料通訊功能。
記憶裝置a94預先設定針對圖1之基板處理系統a1之各個構成之控制之複數個模式。藉由CPU a91執行處理程式a94P，而選擇上述之複數個模式中之1個模式，以該模式控制各個構成。此外，處理程式a94P可記憶於記錄媒體。若使用該記錄媒體，則可於控制部a90安裝處理程式a94P。又，控制部a90執行之功能之一部分或全部未必必須由軟體實現，可由專用之邏輯電路等硬體實現。
圖3係概略性顯示本實施形態之處理單元a100之構成之例之側視圖。
此外，圖3所示之構成可由圖1中之腔室a80包圍。又，腔室a80內之壓力大致為大氣壓(例如，0.5氣壓以上、且2氣壓以下)。換言之，後述之電漿處理係以大氣壓進行之大氣壓電漿處理。
處理單元a100具備：旋轉卡盤a10，其以大致水平姿勢保持1片基板W，且繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線Z1使基板W旋轉；處理液噴嘴a20，其朝基板W噴出處理液；處理液供給源a29，其將處理液供給至處理液噴嘴a20；閥a25，其切換處理液自處理液供給源a29向處理液噴嘴a20之供給及供給停止；作為大氣壓電漿源之電漿處理部a30(電漿產生裝置)，其配置為於基板W之上方覆蓋基板W整體，且於大氣壓下產生電漿；交流電源a40，其朝電漿處理部a30施加交流電壓；加熱部a50，其將電漿處理部a30加熱；支持部a60，其一體地支持電漿處理部a30及加熱部a50；及筒狀之處理杯a12，其繞基板W之旋轉軸線Z1包圍旋轉卡盤a10。
此處，處理液可根據處理單元a100中之基板處理之用途，使用各種液體。例如，作為蝕刻液，可使用包含鹽酸、氟酸、磷酸、硝酸、硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸、過氧硫酸鹽、過氧化氫溶液或氫氧化四甲銨等之液體。又，作為洗淨液，可使用包含氨與過氧化氫溶液之混合液(SC1)、或鹽酸與過氧化氫溶液之混合水溶液(SC2)等之液體。又，作為洗淨液及沖洗液，可使用去離子水(DIW)。
於本實施形態中，主要說明用於去除形成於基板W之上表面之阻劑膜之處理。該情形下，作為處理液，設想包含硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸及過氧硫酸鹽中之至少一種之液體、或包含過氧化氫之液體等。
處理液噴嘴a20於設想複數種處理液之情形下，可對應於各種處理液
而設置複數個。處理液噴嘴a20以於基板W之上表面形成處理液之液膜之方式，將處理液供給至基板W。
處理液噴嘴a20藉由未圖示之臂機構而可移動。具體而言，藉由將處理液噴嘴a20安裝於藉由致動器等可進行角度調整之臂構件，而處理液噴嘴a20可於例如基板W之半徑方向擺動。
旋轉卡盤a10具備：圓板狀之旋轉基座a10A，其對大致水平姿勢之基板W之下表面進行真空吸附；旋轉軸a10C，其自旋轉基座a10A之中央部朝下方延伸；及旋轉馬達a10D，其藉由使旋轉軸a10C旋轉，而使吸附於旋轉基座a10A之基板W旋轉。此外，可具備自旋轉基座之上表面外周部朝上方突出之複數個卡盤銷，取代旋轉卡盤a10，使用藉由該卡盤銷來夾持基板W之周緣部之夾持式卡盤。
電漿處理部a30具備：板狀之介電構件a30A，其由石英等介電體構成；複數個電極棒a30B，其等在介電構件a30A之上表面中梳形狀配置；複數個電極棒a30C，其等在介電構件a30A之下表面中梳形狀配置；保持部a30D，其包含樹脂(例如聚四氟乙烯(PTFE))或陶瓷等，且於一端保持複數個電極棒a30B及複數個電極棒a30C；介電管a30E，其由石英等介電體構成，且覆蓋各個電極棒a30B；介電管a30F，其由石英等介電體構成，且覆蓋各個電極棒a30C；集合電極a30G，其共通連接於複數個電極棒a30B，且包含鋁等；及集合電極a30H，其共通連接於複數個電極棒a30C，且包含鋁等。集合電極a30G與集合電極a30H例如配置為相配合而
於俯視下為圓形狀，於該圓內收容複數個電極棒a30B及複數個電極棒a30C。
電極棒a30B及電極棒a30C例如由鎢等形成。此外，於本實施形態中使用棒形狀之電極構件，但電極構件之形狀不限定於棒形狀。又，複數個電極棒a30B與複數個電極棒a30C以於俯視及側視下不重疊之方式彼此錯開而配置。亦即，於俯視下觀察，電極棒a30B與電極棒a30C交替排列。俯視下之電極棒a30B與電極棒a30C之間之距離(節距)為例如5mm，複數個電極棒a30B間之距離、及複數個電極棒a30C間之距離為例如10mm。
覆蓋各個電極棒a30B之介電管a30E於電極棒a30B之未由保持部a30D保持之側之端部由保持部a30D保持。又，覆蓋各個電極棒a30C之介電管a30F於電極棒a30C之未由保持部a30D保持之側之端部由保持部a30D保持。
藉此，電極棒a30B之一端由保持部a30D直接保持，另一端經由介電管a30E而由保持部a30D保持。同樣，電極棒a30C之一端之一端由保持部a30D直接保持，另一端經由介電管a30F而由保持部a30D保持。
若藉由交流電源a40，朝集合電極a30G及集合電極a30H之間施加交流電壓，則於連接於集合電極a30G之電極棒a30B與連接於集合電極a30H之電極棒a30C之間產生介電體障壁放電。而且，於該放電之放電路徑之周圍產生氣體之電漿化，形成沿著將電極棒a30B與電極棒a30C隔開之介
電構件a30A之表面二維擴大之電漿空間。
此處，可於形成上述之電漿空間時，將O2(氧)、Ne、CO2、空氣、惰性氣體或作為其等之組合氣體供給至電漿處理部a30之下方之空間(亦即基板W之上方之空間)。惰性氣體例如為N2或稀有氣體。稀有氣體例如為He或Ar等。
加熱部a50將電漿處理部a30之例如至少一部分之電極棒a30B及至少一部分之電極棒a30C加熱。針對加熱部a50之詳細之構成於後文描述。此外，加熱部a50雖然於圖3中與電漿處理部a30一體地受支持，但可與電漿處理部a30獨立地設置。惟，若加熱部a50與電漿處理部a30一體地受支持，則加熱部a50配置於電漿處理部a30之附近，故而加熱部a50可有效率地將電漿處理部a30加熱。
支持部a60一體地支持電漿處理部a30及加熱部a50，且例如藉由未圖示之驅動機構，可於圖3之Z軸方向移動。支持部a60由樹脂(例如PTFE)或陶瓷等構成。
此外，雖然於圖3中，將處理液噴嘴a20與電漿處理部a30分別設置，但可將處理液噴嘴a20與電漿處理部a30一體地設置，且一起由支持部a60支持。
<關於電漿處理裝置之動作>
其次，針對電漿處理裝置之基板處理動作進行說明。與本實施形態相關之電漿處理裝置之處理方法包含下述步序：對於向處理單元a100搬送之基板W進行藥液處理；對於進行完藥液處理之基板W進行洗淨處理；對於進行完洗淨處理之基板W進行乾燥處理；及自處理單元a100搬出進行完乾燥處理之基板W。
以下，針對電漿處理裝置之動作中所含之去除於藥液處理中或藥液處理後附著於基板W之有機物(例如使用完成之阻劑膜)之步序(亦即上述之步序中之屬進行藥液處理之步序、或進行洗淨處理之步序的步序)，一面參照圖4、圖5及圖6，一面進行說明。此處，圖4係顯示電漿處理裝置之動作之例之流程圖。又，圖5及圖6係用於說明與本實施形態相關之電漿處理裝置之動作之圖。
首先，旋轉卡盤a10水平地保持基板W(圖4之步驟ST01)。而且，藉由旋轉卡盤a10之驅動，而基板W旋轉。此外，由旋轉卡盤a10保持之基板W並非嚴格地與水平方向平行，可在誤差之範圍內偏移。
其次，如圖5所示之例般，自處理液供給源a29向處理液噴嘴a20供給處理液a101，於基板W旋轉之狀態下，自處理液噴嘴a20向基板W之上表面噴出處理液a101(圖4之步驟ST02)。此時，藉由未圖示之噴嘴臂等，調整處理液噴嘴a20之基板W之上表面上之位置。此外，於本實施形態中，顯示在基板W旋轉之狀態下噴出處理液a101之情形，但基板W可不旋轉。
藉由自處理液噴嘴a20噴出處理液a101，而如圖5所示之例般，於基板W之上表面形成處理液a101之液膜a101A(圖4之步驟ST03)。此處，液膜a101A之膜厚為例如0.1mm以上、且2.0mm以下，較佳為0.2mm左右。
另一方面，藉由朝與集合電極a30G及集合電極a30H之間施加來自交流電源a40之特定之交流電壓，而於電漿處理部a30之介電構件a30A之表面產生電漿(圖4之步驟ST04)。具體而言，形成沿著介電構件a30A之表面二維擴大之電漿空間。藉由該電漿空間中之電漿之作用，而於該空間附近之氣體中產生活性物種。活性物種中包含具有電荷之離子、或電性上為中性之自由基等。例如，於氣體為包含O2者之情形下，藉由電漿處理部a30中之電漿之作用，而產生作為活性物種之一種之氧自由基。
此處，電漿處理部a30較理想為於如上述般產生電漿之階段中預先於特定之待機位置(例如，如圖5所示之例般，與被水平保持之基板W於Z軸正方向充分分開之位置)待機，於在介電構件a30A之表面適度產生均一之電漿後，移動至基板W附近之處理位置(例如，如圖6所示之例般，於被水平地保持之基板W之Z軸正方向側充分接近基板W之位置)。若為如此之態樣，則藉由在產生均一之電漿之狀態下使電漿作用於基板W之表面之液膜a101A，而可進行均一之處理。
此外，於本實施形態中，顯示電漿處理部a30相對於基板W移動之態樣，但只要將電漿處理部a30與基板W相對移動而位於上述之處理位置即
可。
此處，針對充分接近基板W之位置(處理位置)，一面參照圖11，一面進行說明。此外，圖11係顯示電漿處理部a30與液膜a101A之間之距離不同之情形之基板W之表面上之被膜(阻劑膜)之剝離程度之例之圖。處理時間為1.5分鐘(90秒)。
上述之電漿處理部a30與液膜a101A之間之距離更具體而言為覆蓋電漿電極即電極棒之介電管a30F與液膜a101A之液面之間之距離。又，假設處理液為硫酸。又，假設液膜a101A之膜厚為0.2mm。又，假設電漿處理部a30中之電漿電極即電極棒a30B(或電極棒a30C)之溫度為400℃。此外，假設電漿電極即電極棒a30B(或電極棒a30C)之溫度為400℃以上。
如圖11所示之例般，可知於電漿處理部a30與液膜a101A之間之距離為2.3mm以下之情形下，剝離率充分高。另一方面，可知於電漿處理部a30與液膜a101A之間之距離為2.8mm以上之情形下，剝離率顯著降低。
由此可知，電漿處理部a30與液膜a101A之間之距離較理想為2.3mm以下。
又，若電漿處理部a30與液膜a101A之間之距離過近，則於兩者間產生電弧放電，或液膜a101A之液面朝電漿處理部a30側被吸引，因而，有無法將被膜(阻劑膜)適切地剝離之情形。於發明者等人之實驗中，若電漿
處理部a30與液膜a101A之間之距離未達0.9mm未達，則產生上述之不良狀況。
由此可知，電漿處理部a30與液膜a101A之間之距離較理想為0.9mm以上。
而且，於電漿處理部a30位於處理位置之狀態下，如圖6所示之例般，向液膜a101A供給因電漿處理部a30中之電漿a102之作用而產生之活性物種(圖4之步驟ST05)。
藉由向阻劑膜之上表面中之液膜a101A供給活性物種，而於液膜a101A中，活性物種將處理液a101活化。作為具體之一例，活性物種作用於基板W之上表面之硫酸之液膜a101A。藉此，處理液a101之處理性能提高。具體而言，藉由活性物種與硫酸之反應，產生處理性能(此處為氧化力)高之卡洛酸。卡洛酸亦被稱為過氧單硫酸。藉由該卡洛酸作用於基板W之阻劑膜，而可將阻劑膜氧化去除。
又，於活性物種包含氧自由基之情形下，藉由氧自由基之氧化力，促進基板W上之阻劑膜之去除。
此外，雖然於上述之說明中，在處理液噴嘴a20動作之後進行電漿處理部a30之動作，但動作順序不限於此，例如，可大致同時進行處理液噴嘴a20之動作與電漿處理部a30之動作。
又，於本實施形態中，將電漿處理部a30配置為覆蓋基板W之上表面整體，但若將電漿處理部a30配置為僅覆蓋基板W之一部分，可藉由未圖示之驅動機構，使電漿處理部a30於基板W之上表面上之位置伴隨著基板W之旋轉而沿著基板W之上表面於基板W之旋轉方向及徑向移動。
又，雖然液膜a101A之形成係藉由開始向基板W之上表面供給處理液a101而開始，且藉由停止向基板W之上表面供給處理液a101而停止，但於停止自處理液噴嘴a20供給處理液a101後，若基板W未高速旋轉(例如，使基板W低速旋轉，進行處理液之液膜之浸置形成，或不使基板W而形成處理液之液膜等)，則仍可維持液膜a101A。活性物種向液膜a101A之供給係於處理液a101之供給停止後在維持液膜a101A之狀態下進行。又，活性物種向液膜a101A之供給可於開始供給處理液a101後、且於停止供給處理液a101前進行。
此外，於上述之去除處理後，一般進行基板W之沖洗步序(洗淨步序)及乾燥步序。例如，沖洗步序藉由向基板W噴出純水(DIW)而進行，乾燥步序雖然進行由異丙醇(IPA)實現之乾燥，但可進行使基板W高速旋轉之甩乾乾燥或基板向上表面噴出氮氣之N2吹氣等。
<關於加熱部>
其次，針對加熱部a50進行說明。圖7係具體地顯示加熱部a50及其周邊構造之構成之例之圖。此外，於圖7中為求簡化，而將交流電源a40、集
合電極a30G及集合電極a30H省略圖示。如圖7所示之例般，加熱部a50具備：氣體流路a50A，其供自氣體供給源a70供給之氣體(例如N2或Ar等惰性氣體、或乾燥空氣)流動；及吹出口a50B，其設置於由氣體流路a50A分支出之下游之各個端部。各個吹出口a50B例如於俯視下朝基板W之周向之至少一部部分延伸而形成。各個吹出口a50B例如係藉由衝壓加工等而形成之衝孔。
自吹出口a50B吹出之氣體係用於將電漿處理部a30之一部分區域或整體加熱之高溫氣體。亦即，自吹出口a50B向電漿處理部a30(例如電極棒a30B及電極棒a30C)吹出熱風。此處，自吹出口a50B吹出之氣體可為於自氣體供給源a70供給之時點被保持為高溫之氣體，亦可為加熱部a50具備未圖示之加熱器、且於氣體流路a50A中由該加熱器加熱而成為高溫之氣體。
此外，於圖7所示之例中，氣體流路a50A與形成於支持加熱部a50之支持部a60內部之氣體流路a60A連通，自氣體供給源a70供給之氣體通過氣體流路a60A及氣體流路a50A到達複數個吹出口a50B。又，於圖7所示之例中，加熱部a50可具備設置於與電漿處理部a30之邊界部分之間隙、即排氣口a50D。若為如此之構成，則自吹出口a50B吹出且將電漿處理部a30加熱後之氣體，之後會從排氣口a50D排出。
可於各個吹出口a50B安裝遮擋構件a50C。遮擋構件a50C藉由在加熱部a50之下表面上滑動，而可將相互獨立地對應之吹出口a50B開閉。具體
而言，遮擋構件a50C可於在俯視下與吹出口a50B重疊之位置即關閉位置、與在俯視下不與吹出口a50B重疊之位置即打開位置之間移動，能夠在關閉位置將對應之吹出口a50B封蓋，在打開位置將對應之吹出口a50B開放。該動作例如由滾珠螺桿機構或氣缸等驅動機構實現。
各個遮擋構件a50C之開閉動作例如由控制部a90控制。藉由該控制，可對電漿處理部a30內之任意之區域，自選擇性地打開之吹出口a50B吹拂熱風。此外，只要為可將各個吹出口a50B開閉之構成，亦可設置其他形態之開閉機構。
又，可於處理單元a100設置測定部a72，用於測定電漿處理部a30中之電極棒a30B及電極棒a30C之溫度。測定部a72例如為輻射溫度計。於圖7中，測定部a72與電漿處理部a30、加熱部a50及支持部a60獨立地設置，但亦可與電漿處理部a30、加熱部a50或支持部a60一體地設置。又，設置測定部a72之位置不限定於圖7所示之位置。
<關於加熱方法>
其次，針對加熱部a50所進行之電漿處理部a30之加熱方法進行說明。直至電漿處理部a30內之各個區域中之電漿產生為止(直至形成電漿空間為止)所需之時間根據配置於該區域之電極棒之個體差、集合電極之個體差、或電漿處理部a30之組裝誤差等而存在偏差。尤其是，於電漿處理部a30中之形成電漿空間之面積較大之情形下，該偏差亦變大，直至在電漿處理部a30內之區域整體產生均一之電漿為止所需之時間變長。
此處，發明者等人發現了於產生大氣壓電漿等電漿之情形下，藉由向電漿處理部a30吹拂100℃等高溫之氣體，而可縮短直至產生電漿為止所需之時間。圖8係顯示直至在電漿處理部a30內之區域整體產生電漿為止所需之時間之圖。於圖8中，分別而言，縱軸表示溫度(值為相對值)，橫軸表示時間(值為相對值)。又，於圖8中，圓圈標記表示於未被加熱之狀態(常溫之狀態)施加電壓之情形之電漿處理部a30之溫度之推移，三角標記表示於被加熱為100℃之狀態下施加電壓之情形之電漿處理部a30之溫度之推移，四角標記表示於被加熱為150℃之狀態下施加電壓之情形之電漿處理部a30之溫度之推移。又，圖8中之縱軸之溫度[50]為溫度上升鈍化之臨限值溫度，將該臨限值溫度設為於電漿處理部a30內之區域整體產生電漿之溫度。
如圖8所示之例般，於未被加熱之狀態(常溫之狀態)下被施加電壓之電漿處理部a30直至到達臨限值溫度為止需要時間[5]，而相對地，於被加熱為100℃或150℃之狀態下被施加電壓之電漿處理部a30可以時間[5]一半左右之時間到達臨限值溫度(參照圖8中之砂地部分)。
亦即，藉由在產生電漿之前將電漿處理部a30加熱為例如100℃以上，而可縮短直至在電漿處理部a30內之區域整體產生均一之電漿為止所需之時間。
於本實施形態中，加熱部a50於電漿處理部a30中產生電漿之前將電
漿處理部a30之一部分或整體加熱。具體而言，藉由自吹出口a50B向電漿處理部a30(例如電極棒a30B及電極棒a30C)吹出高溫之氣體，而將電漿處理部a30加熱。
藉此，由於在將電漿處理部a30及其附近之氣體加熱之狀態下產生電漿，故可縮短直至在電漿處理部a30內之區域整體產生電漿為止所需之時間。而且，藉由縮短直至產生電漿為止所需之時間，而各個區域中之該時間之偏差亦變小，可於區域整體產生均一之電漿。
此外，由於在電漿處理部a30中直至產生電漿為止需要耗費時間，故較理想為於進行電漿處理之前之步序、例如於基板W之上表面形成液膜a101A之步序之間，於電漿處理部a30位於待機位置之狀態下開始該加熱。
又，可使用測定部a72來測定電漿處理部a30內之複數個區域之溫度，基於該測定結果而特定使用加熱部a50來加熱之區域。
圖9係顯示在電漿處理部a30內之一部分之區域產生電漿之狀態之俯視圖。如圖9所示之例般，由於即便為對電漿處理部a30中之複數個電極棒a30B及複數個電極棒a30C同樣地施加電壓之情形，直至產生電漿a102為止所需之時間亦產生偏差，故直至在電漿處理部a30內之區域整體產生電漿為止所需之時間變長。
另一方面，作為直至產生電漿為止所需之時間變長之一個原因，認為係存在產生電漿之該區域之溫度相對不易上升之部位。因此，首先，使用測定部a72測定直至產生電漿為止之電漿處理部a30內之各個區域之溫度，預先特定溫度相對較低之區域。而且，藉由將與該區域對應之吹出口a50B打開，朝該區域(具體而言，位於該區域之電極棒a30B及電極棒a30C)吹拂熱風，而將與電漿處理部a30內之一部分之區域對應之該區域選擇性地加熱。藉此，可減小直至產生在電漿處理部a30內之區域間之電漿為止所需之時間之偏差，有效地縮短直至在電漿處理部a30內之區域整體產生均一之電漿為止所需之時間。
圖10係顯示基於測定部a72所進行之溫度之測定結果將一部分之吹出口a50B打開之情形之例之俯視圖。於圖10所示之情形下，根據測定部a72所進行之溫度之測定，判定為某一區域(圖10之右上部分)之溫度相對較低，將配置為覆蓋該區域之吹出口a50B打開。如此，可有效地將與經打開之吹出口a50B對應之區域之電極棒a30B及電極棒a30C加熱，減小直至產生在電漿處理部a30內之區域間之電漿為止所需之時間之偏差。
此外，於圖9與圖10中，未產生電漿a102之區域與將吹出口a50B打開之區域一致，由測定部a72測定之溫度相對較低之區域、與未於特定之時間內產生電漿a102之區域大致一致。
又，於圖10中，經打開之吹出口a50B為1個，但可將相互分開之複數個吹出口a50B打開。由於若為如此之加熱方法，則可於複數個區域中同
時進行加熱，故即便為具有多種溫度分佈之電漿處理部a30，亦可有效地加熱。
<第2實施形態>
圖12係概略性顯示本實施形態之處理單元a100A之構成之例之側視圖。於圖12中，為了方便起見而以透過一部分之構成之狀態圖示。
此外，圖12所示之構成可由圖1中之腔室a80包圍。又，腔室a80內之壓力大致為大氣壓(例如，0.5氣壓以上、且2氣壓以下)。換言之，後述之電漿處理係於大氣壓下之大氣壓電漿處理。
處理單元a100A具備：旋轉卡盤a10；處理杯a12；處理液噴嘴a20；處理液供給源a29；閥a25；作為大氣壓電漿源之電漿處理部a130(電漿產生裝置)，其配置為於基板W之上方覆蓋基板W整體，且於大氣壓下產生電漿；交流電源a40，其對電漿處理部a130施加交流電壓；加熱部a50，其將電漿處理部a130加熱；及支持部a60，其一體地支持電漿處理部a130及加熱部a50。
電漿處理部a130具備：由石英等介電體構成之板狀之介電構件a32A；複數個電極棒a30J，其等被收容於介電構件a32A內，且配置為梳形狀；複數個電極棒a30K，其等被收容於介電構件a32A內，且配置為梳形狀；保持部a30L，其由樹脂(例如聚四氟乙烯(PTFE))或陶瓷等構成，且於一端分別保持複數個電極棒a30J及複數個電極棒a30K；集合電極
a30M，其共通連接於複數個電極棒a30J，且由鋁等構成；及集合電極a30N，其共通連接於複數個電極棒a30K，且由鋁等構成。集合電極a30M與集合電極a30N例如配置為相配合而於俯視下為圓形狀，於該圓內收容複數個電極棒a30J及複數個電極棒a30K。收容電極棒a30J或電極棒a30K之介電構件a32A內之孔(後述之收容孔a32B)之下表面與介電構件a32A之下表面之間之距離(亦即，收容孔a32B下方之厚度)為例如0.3mm。
電極棒a30J及電極棒a30K例如為由鎢等形成之棒形狀。此外，電極棒a30J及電極棒a30K之形狀不限定於棒形狀。又，複數個電極棒a30J與複數個電極棒a30K以於俯視下不重疊之方式彼此錯開而配置。亦即，於俯視下觀察，電極棒a30J與電極棒a30K交替排列。俯視下之電極棒a30J與電極棒a30K之間之距離(節距)為例如6mm，複數個電極棒a30J間之距離、及複數個電極棒a30K間之距離為例如12mm。
另一方面，於圖12所示之側視下，複數個電極棒a30J與複數個電極棒a30K相互重疊地配置。此外，於圖12所示之側視下，複數個電極棒a30J與複數個電極棒a30K可不相同重疊，例如可於圖12之Z軸方向偏移而配置。
介電構件a32A為上表面及下表面無凹凸之平面形狀。因此，於電漿處理時等產生之介電構件a32A之下表面之附著物之洗淨變容易。
圖13係概略性顯示電漿處理部a130中之一部分之構成之例之剖視
圖。圖13對應於圖12之A-A’剖面。此外，電極棒a30J及電極棒a30K之數量不限定於圖13所示之數量。
如圖13所示之例般，於介電構件a32A形成複數個自板形狀之側面沿著X軸方向延伸之收容孔a32B，電極棒a30J及電極棒a30K分別被收容於對應之收容孔a32B。收容孔a32B由於自X軸正向及X軸負向之介電構件a32A之端部(側面)向內部交替延伸而形成，故分別而言，電極棒a30J自X軸正向側之端部插入，電極棒a30K自X軸負向側之端部插入。如此，各個電極棒a30J及電極棒a30K係由介電體即介電構件a32A包圍周圍而配置。又，如圖12所示，收容孔a32B形成於靠近介電構件a32A之下表面之位置。
若藉由交流電源a40，對集合電極a30M及集合電極a30N之間施加交流電壓，則對連接於集合電極a30M之各電極棒a30J與連接於集合電極a30N之各電極棒a30K之間施加交流電壓。其結果，於電極棒a30J與電極棒a30K之間產生介電體障壁放電。而且，於該放電之放電路徑之周圍產生氣體之電漿化，形成沿著將電極棒a30J與電極棒a30K隔開之介電構件a32A之表面(包含收容孔a32B之內部)二維擴大之電漿空間。此處，由於收容孔a32B形成於靠近介電構件a32A之下表面之位置，故電漿a102主要形成於介電構件a32A之下表面。
此處，可於形成上述之電漿空間時，將例如O2(氧)、Ne、CO2、空氣、惰性氣體或作為其等之組合之氣體供給至電漿產生部130之下方之空
間(亦即基板W之上方之空間)。惰性氣體例如為N2或稀有氣體。稀有氣體例如為He或Ar等。
藉由電漿a102之作用，而於該空間附近之氣體產生活性物種。活性物種中包含具有電荷之離子、或電性上為中性之自由基等。例如，於氣體為包含O2者之情形下，藉由電漿處理部a130中之電漿之作用，而產生作為活性物種之一種之氧自由基。
可使用上述之構成之處理單元a100A，進行與第1實施形態所示之情形同樣之基板處理動作(圖4之步驟ST01至步驟ST05)。
此處，電漿處理部a130較理想為於如上述般產生電漿a102之階段中預先於特定之待機位置待機，於在介電構件a32A之下表面適度產生均一之電漿a102後，移動至基板W附近之處理位置。若為如此之態樣，則藉由在產生均一之電漿1a02之狀態下使電漿a102作用於基板W之表面，而可進行均一之處理。
此外，於本實施形態中電漿處理部a130配置為覆蓋基板W之上表面整體，但於電漿處理部a130配置為僅覆蓋基板W之一部分之情形下，可使電漿處理部a30於基板W之上表面上之位置伴隨著基板W之旋轉而沿著基板W之上表面於基板W之旋轉方向及徑向移動。
此處，針對充分接近基板W之位置(處理位置)，一面參照圖15，一面
進行說明。此外，圖15係顯示電漿處理部a130與液膜a101A之間之距離不同之情形之基板W之表面上之被膜(阻劑膜)之剝離程度之例之圖。
於圖15中，作為不同之溫度設定，例示介電構件a32A之溫度為200℃之情形、及介電構件a32A之溫度為250℃之情形。於各個溫度條件下，處理時間為1.5分鐘(90秒)。此外，介電構件a32A之溫度為介電構件a32A整體之溫度被均一地保持之狀態下之介電構件a32A之上表面之溫度。
又，上述之電漿處理部a130與液膜a101A之間之距離更具體而言為收容電漿電極即電極棒之介電構件a32A之下表面與液膜a101A之液面之間之距離。又，假設處理液為硫酸。又，假設液膜a101A之膜厚為0.2mm。
又，圖15之圓圈標記表示該條件下之被膜(阻劑膜)之剝離率充分高(例如100%)。另一方面，圖15之×標記表示該條件下之被膜(阻劑膜)之剝離率不充分(例如未達100%)。
如圖15所示之例般，可知於當介電構件a32A之溫度為200℃時，電漿處理部a130與液膜a101A之間之距離為2.3mm以上、且2.8mm以下之情形下，被膜(阻劑膜)之剝離率充分高(例如為100%)。
另一方面，由於當電漿處理部a130與液膜a101A之間之距離為1.8mm以下時，該距離過近，故於兩者間產生電弧放電，或液膜a101A之液面朝電漿處理部a130側被吸引，因而有無法將被膜(阻劑膜)適切地剝離之
情形。又，於當電漿處理部a130與液膜a101A之間之距離為3.8mm以時，被膜(阻劑膜)之剝離率逐漸降低(例如，當該距離為3.8mm時，剝離率為60%)。因此，可知該等距離範圍之被膜(阻劑膜)之剝離率不充分。
又，如圖15所示之例般，於當介電構件a32A之溫度為250℃時，電漿處理部a130與液膜a101A之間距離為2.3mm以上、且3.8mm以下之情形下，被膜(阻劑膜)之剝離率充分高(例如為100%)。
另一方面，由於當電漿處理部a130與液膜a101A之間之距離為1.8mm以下時，該距離過近，故於兩者間產生電弧放電，或液膜a101A之液面朝電漿處理部a130側被吸引，因而有無法將被膜(阻劑膜)適切地剝離之情形。又，於當電漿處理部a130與液膜a101A之間之距離為4.3mm以上時，被膜(阻劑膜)之剝離率逐漸降低(例如，當該距離為4.3mm時，剝離率為85%)。因此，可知該等距離範圍之被膜(阻劑膜)之剝離率不充分。
<關於加熱方法>
其次，針對加熱部a50所進行之電漿處理部a130之加熱方法進行說明。直至產生電漿處理部a130內之各個區域中之電漿為止(直至形成電漿空間為止)所需之時間根據配置於該區域之電極棒之個體差、集合電極之個體差、或該區域中之熱容量之大小等而存在偏差。尤其是，於電漿處理部a130中之形成電漿空間之面積較大之情形下，該偏差亦變大，直至在電漿處理部a130內之區域整體產生均一之電漿為止所需之時間變長。
如上述般，發明者等人發現了於產生大氣壓電漿等電漿之情形下，藉由向電漿處理部a130吹拂100℃等高溫之氣體，而可縮短直至產生電漿為止所需之時間。
於本實施形態中，加熱部a50於電漿處理部a130中產生電漿之前將電漿處理部a130之一部分或整體加熱。具體而言，藉由自圖7所示之吹出口a50B向電漿處理部a130(例如介電構件a32A之上表面)吹出高溫之氣體，而將電漿處理部a130加熱。
藉此，由於在將電漿處理部a130及其附近之氣體加熱之狀態下產生電漿，故可縮短直至在電漿處理部a130內之區域整體產生電漿為止所需之時間。而且，藉由縮短直至產生電漿為止所需之時間，而各個區域中之該時間之偏差亦變小，可於區域整體產生均一之電漿。
此外，由於直至在電漿處理部a130中產生電漿為止需要時間，故較理想為於進行電漿處理之前之步序、例如於基板W之上表面形成液膜a101A(參照圖5)之步序之間，於電漿產生部a130位於待機位置之狀態下開始該加熱。
又，可使用圖7之測定部a72來測定電漿處理部a130內之複數個區域之溫度，基於該測定結果而特定使用加熱部a50來加熱之區域。
圖14係概略性顯示電漿處理部a130之一部分之構成之例之俯視圖。
於圖14中，為了方便起見而以透過一部分之構成之狀態圖示。於圖14所示之電漿處理部a130中，由於即便為對複數個電極棒a30J及複數個電極棒a30K同樣地施加電壓之情形，直至產生電漿為止需要之時間亦產生偏差，故直至在電漿處理部a130內之區域整體產生電漿為止所需之時間變長。
另一方面，作為直至產生電漿為止所需之時間變長之一個原因，認為係存在產生電漿之該區域之溫度相對不易上升之部位。因此，首先，測定直至使用圖7之測定部a72產生電漿為止之電漿處理部a130內之各個區域之溫度，預先特定溫度相對較低之區域。而且，藉由將與該區域對應之圖7所示之吹出口a50B打開，朝該區域(具體而言，位於該區域之介電構件a32A之上表面)吹拂熱風，而將與電漿處理部a130內之一部分之區域對應之該區域選擇性地加熱。藉此，可減小直至產生在電漿處理部a130內之區域間之電漿為止所需之時間之偏差，有效地縮短直至在電漿處理部a130內之區域整體產生均一之電漿為止所需之時間。
<關於由以上所記載之實施形態產生之效果>
其次，顯示由以上所記載之實施形態產生之效果之例。此外，於以下之說明中，基於以上所記載之實施形態所示之例之具體的構成，記載該效果，但可於產生同樣效果之範圍內置換為本案說明書所例示之其他具體的構成。亦即，以下有為了方便起見而僅代表性記載建立對應關係之具體的構成中任一者之情形，但可將代表性記載之具體的構成置換成建立對應關係之其他具體的構成。
根據以上所記載之實施形態，電漿處理裝置具備電漿處理部a30、及加熱部a50。電漿處理部a30產生電漿，對基板W進行處理。加熱部a50將電漿處理部a30加熱。此處，加熱部a50於在電漿處理部a30中產生電漿之前，將電漿處理部a30加熱。
根據如此之構成，由於在將電漿處理部a30及其附近之氣體加熱之狀態下產生電漿，故可縮短直至在電漿處理部a30內之區域整體產生電漿為止所需之時間。而且，藉由縮短直至產生電漿為止所需之時間，而各個區域中之該時間之偏差亦變小，可於區域整體產生均一之電漿。
此外，於對上述之構成適宜追加了本案說明書所示之例之其他構成之情形下，亦即於適宜追加了未作為上述之構成而言及之本案說明書中之其他構成之情形下，亦可產生同樣之效果。
又，根據以上所記載之實施形態，電漿處理部a30具備被施加電壓之複數個電極構件。此處，電極構件例如係與電極棒a30B或電極棒a30C等對應者。加熱部a50將複數個電極構件中之一部分之電極構件加熱。根據如此之構成，由於在將複數個電極棒中之一部分選擇性地加熱之狀態下產生電漿，故可減小直至產生在電漿處理部a30內之區域間之電漿為止所需之時間之偏差。
又，根據以上所記載之實施形態，加熱部a50配置於電漿處理部a30
之附近。根據如此之構成，加熱部a50可有效率地將電漿處理部a30加熱。
又，根據以上所記載之實施形態，加熱部a50具備氣體流路a50A、及複數個吹出口a50B。於氣體流路a50A中流動自用於供給氣體之氣體供給源a70供給之氣體。吹出口a50B設置於氣體流路a50A之端部。又，吹出口a50B可開閉。而且，加熱部a50藉由將複數個吹出口a50B中之至少一部分選擇性地打開，而朝電漿處理部a30吹拂氣體。根據如此之構成，藉由自各個吹出口a50B選擇性地吹拂氣體，而可將電漿處理部a30內之任意之區域加熱。
又，根據以上所記載之實施形態，加熱部a50藉由將相互分開之複數個吹出口a50B打開，而朝電漿處理部a30吹拂氣體。根據如此之構成，由於能夠於複數個區域中同時進行加熱，故即便為具有多樣溫度分佈之電漿處理部a30，亦有效地加熱，可縮短直至在電漿處理部a30內之區域整體產生均一之電漿為止所需之時間。
又，根據以上所記載之實施形態，電漿處理裝置具備測定部a72。測定部a72就電漿處理部a30內之每一區域測定溫度。而且，加熱部a50將由測定部a72測定到之溫度相對較低之區域加熱。根據如此之構成，藉由將因溫度較低而直至產生電漿為止所需之時間變長之區域選擇性地加熱，而可減小直至產生在電漿處理部a30內之區域間之電漿為止所需之時間之偏差，有效地縮短直至在電漿處理部a30內之區域整體產生均一之電漿為止所需之時間。
根據以上所記載之實施形態，於電漿處理方法中包含下述步序：將用於產生電漿且進行處理之電漿處理部a30加熱；及使用經加熱之電漿處理部a30來產生電漿。
根據如此之構成，由於在將電漿處理部a30及其附近之氣體加熱之狀態下產生電漿，故可縮短直至在電漿處理部a30內之區域整體產生電漿為止所需之時間。而且，藉由縮短直至產生電漿為止所需之時間，而各個區域中之該時間之偏差亦變小，可於區域整體產生均一之電漿。
此外，如無特別限制，則進行各個處理之順序可變更。
又，於對上述之構成適宜追加了本案說明書所示之例之其他構成之情形下，亦即於適宜追加了未作為上述之構成而言及之本案說明書中之其他構成之情形下，亦可產生同樣之效果。
又，根據以上所記載之實施形態，於電漿處理方法中包含就電漿處理部a30內之每一區域測定溫度之步序。而且，將電漿處理部a30加熱之步序係將測定到之溫度相對較低之區域加熱之步序。根據如此之構成，藉由將因溫度較低而直至產生電漿為止所需之時間變長之區域選擇性地加熱，而可減小直至在產生電漿處理部a30內之區域間之電漿為止所需之時間之偏差，有效地縮短直至在電漿處理部a30內之區域整體產生均一之電漿為止所需之時間。
<第3實施形態>
<基板處理系統之整體構成>
圖16係概略性顯示應用電漿產生裝置之基板處理系統b900之構成之一例之俯視圖。基板處理系統b900係將作為處理對象之基板W一片接一片處理之單片式處理裝置。
基板W例如為半導體基板，具有圓板形狀。此外，對於基板W，除了半導體基板以外，亦可應用光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、有機EL(Electro-Luminescence)顯示裝置用基板等顯示裝置用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、陶瓷基板及態樣電池基板等各種基板。又，基板之形狀亦不限定於圓板形狀，可採用例如矩形之板狀形狀等各種形狀。
基板處理系統b900包含：加載台b901、分度器機器人b902、主搬送機器人b903、複數個基板處理裝置b100、及控制部b90。
複數個加載台b901沿著水平之一方向排列配置。各加載台b901係用於將基板W搬出搬入基板處理系統b900之介面部。朝各加載台b901，自外部搬入收容基板W之載架C。各加載台b901係保持搬入之載架C之收容器保持機構。作為載架C，可採用將基板W收納於密閉空間之FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓傳送盒)、SMIF(Standard Mechanical
Inter Face，標準機械介面)艙、或將基板W曝露於外部大氣之OC(Open Cassette，開放式片盒)。
分度器機器人b902係在由各加載台b901保持之載架C、與主搬送機器人b903之間搬送基板W之搬送機器人。分度器機器人b902可沿著加載台b901排列之方向移動，可在與各載架C對面之位置停止。分度器機器人b902可進行自各載架C取出基板W之動作、及朝各載架C交接基板W之動作。
主搬送機器人b903係於分度器機器人b902與各基板處理裝置b100之間搬送基板W之搬送機器人。主搬送機器人b903亦可被稱為中心機器人。主搬送機器人b903可進行自分度器機器人b902接收基板W之動作、及朝分度器機器人b902交接基板W之動作。又，主搬送機器人b903可進行朝各基板處理裝置b100搬入基板W之動作、及自各基板處理裝置b100搬出基板W之動作。此外，於圖16之例中，基板處理系統b900包含基板載置部b904。該情形下，分度器機器人b902於加載台b901與基板載置部b904之間搬送基板W，主搬送機器人b903於基板載置部b904及各基板處理裝置b100間搬送基板W。
分度器機器人b902、基板載置部b904及主搬送機器人b903於各個基板處理裝置b100與加載台b901之間搬送基板W。
於基板處理系統b900配置例如12個基板處理裝置b100。具體而言，
4個包含在鉛直方向積層之3個基板處理裝置b100之塔設置為包圍主搬送機器人b903之周圍。於圖16中概略性顯示3段重疊之基板處理裝置b100之1個。此外，基板處理系統b900之基板處理裝置b100之數目不限定於12個，可適宜變更。
主搬送機器人b903設置為由4個塔包圍。主搬送機器人b903將自分度器機器人b902接收之未處理之基板W搬入各基板處理裝置b100內。各基板處理裝置b100對基板W進行處理。又，主搬送機器人b903自各基板處理裝置b100搬出完成處理之基板W並交遞至分度器機器人b902。
未處理之基板W自載架C由分度器機器人b902取出。而後，未處理之基板W經由例如基板載置部b904被交接至主搬送機器人b903。
主搬送機器人b903將該未處理之基板W搬入基板處理裝置b100。而且，基板處理裝置b100對基板W進行處理。
於基板處理裝置b100中完成處理之基板W由主搬送機器人b903自基板處理裝置b100取出。而且，完成處理之基板W於根據需要經由其他基板處理裝置b100之後，經由例如基板載置部b904交接至分度器機器人b902。分度器機器人b902將完成處理之基板W搬入載架C。根據以上內容，進行對於基板W之處理。
控制部b90控制基板處理系統b900之各構成要素之動作。圖17係概略
性顯示控制部b90之內部構成之一例之功能方塊圖。控制部b90係電子電路，具有例如資料處理部b91及記憶部b92。於圖17之具體例中，資料處理部b91與記憶部b92經由匯流排b93相互連接。資料處理部b91可為例如CPU(Central Processor Unit，中央處理單元)等運算處理裝置。記憶部b92可具有非暫時性記憶部(例如ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、可覆寫之記憶體或硬碟)b921及暫時性記憶部(例如RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體))b922。可於非暫時性記憶部b921記憶例如規定控制部b90執行之處理之程式。藉由資料處理部b91執行該程式，而控制部b90可執行由程式規定之處理。毋庸置疑，控制部b90執行之處理之一部分或全部未必必須由軟體實現，可由專用之邏輯電路等硬體執行。於圖17之例中，於匯流排b93連接記憶裝置b94、輸入部b96、顯示部b97及通訊部b98。
記憶部b921儲存基本程式。記憶部b922用作資料處理部b91進行特定之處理時之作業區域。記憶裝置b94係由快閃記憶體或硬碟裝置等非揮發性記憶裝置構成。輸入部b96係由各種開關或觸控面板等構成，自操作員接收處理製程條件等之輸入設定指示。顯示部b97例如由液晶顯示裝置及燈等構成，於資料處理部b91之控制下，顯示各種資訊。通訊部b98具有經由LAN(Local Area Network，區域網路)等之資料通訊功能。
於記憶裝置b94預先設定針對圖16之基板處理系統b900之各個構成之控制之複數個模式。藉由資料處理部b91執行處理程式b94P，而選擇上述之複數個模式中之1個模式，以該模式控制各個構成。此外，處理程式
b94P可記憶於記錄媒體。若使用該記錄媒體，則可於控制部b90安裝處理程式b94P。
此外，控制部b90可具有主控制部及複數個局部控制部。主控制部統括基板處理系統b900之整體，局部控制部就每一基板處理裝置b100設置。局部控制部可與主控制部通訊而設置，基於來自主控制部之指示而控制基板處理裝置b100。主控制部及局部控制部各者例如與圖17同樣地具有資料處理部b91及記憶部b92。
<基板處理裝置>
圖18係概略性顯示基板處理裝置b100之構成之一例之圖。此外，屬於基板處理系統b900之所有基板處理裝置b100無須全部具有圖18所示之構成，只要至少一個基板處理裝置b100具有該構成即可。
圖18所例示之基板處理裝置b100係對基板W進行使用電漿之處理之裝置。雖然使用電漿之處理無須特別限制，但作為具體之一例，包含去除附著於基板W之有機物之處理、或基板W之金屬蝕刻等之處理。附著於基板W之有機物例如為完成使用之阻劑膜(以下簡稱為阻劑)。該阻劑例如係用作離子注入步序用之注入遮罩者。去除阻劑之處理亦可被稱為抗蝕劑去除處理。基以下，作為一例，採用阻劑去除處理而進行說明。基板W例如為半導體基板，具有圓板形狀。基板W之尺寸雖然無特別限制，但其直徑為例如約300mm。
此外，圖18所示之構成可由圖16之腔室b80包圍。又，腔室b80內之壓力可大致為大氣壓(例如0.5氣壓以上、且2氣壓以下)。換言之，後述之電漿處理可為於大氣壓下進行之大氣壓電漿處理。
於圖18之例中，基板處理裝置b100包含電漿產生裝置b1、基板保持部b11、噴嘴b12、及防濺罩b13。
基板保持部b11以水平姿勢保持基板W。此處言及之水平姿勢係基板W之厚度方向沿著鉛直方向之姿勢。於圖18之例中，基板保持部b11包含載台b111及複數個卡盤銷b112。載台b111具有圓板形狀，設置於較基板W為鉛直下方。載台b111以其厚度方向沿著鉛直方向之姿勢設置。載台b111亦可被稱為旋轉基座。複數個卡盤銷b112豎立設置於載台b111之上表面中之外周部，且握持(夾持)基板W之周緣。此外，基板保持部b11未必必須具有卡盤銷b112。例如，基板保持部b11可吸引基板W之下表面而吸附保持基板W。
於圖18之例中，基板保持部b11進一步包含旋轉機構b113，使基板W繞旋轉軸線Q1旋轉。旋轉軸線Q1係通過基板W之中心部、且沿著鉛直方向之軸。旋轉機構b113例如包含軸b114及馬達b115。軸114之上端連結於載台b111之下表面，自載台b111之下表面沿著旋轉軸線Q1延伸。馬達b115使軸b114繞旋轉軸線Q1旋轉，且使載台b111旋轉。藉此，由複數個卡盤銷b112保持之基板W繞旋轉軸線Q1旋轉。如此之基板保持部b11亦可被稱為旋轉卡盤。
噴嘴b12被用於向基板W供給處理液。噴嘴b12經由供給管b121連接於處理液供給源b124。即，供給管b121之下游端連接於噴嘴b12，供給管b121之上游端連接於處理液供給源b124。處理液供給源b124例如包含儲存處理液之槽(未圖示)，將處理液供給至供給管b121。處理液例如可使用包含鹽酸、氟酸、磷酸、硝酸、硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸、過氧硫酸鹽、過氧化氫溶液、氫氧化四甲銨、氨與過氧化氫溶液之混合液(SC1)、鹽酸與過氧化氫溶液之混合液(SC2)或去離子水(DIW)等的液體。於本實施形態中，說明利用硫酸作為處理液之處理。
於本實施形態中，主要說明用於去除形成於基板W之上表面之阻劑之處理。該情形下，作為處理液，設想包含硫酸、硫酸鹽、過氧硫酸及過氧硫酸鹽中之至少一種之液體、或包含過氧化氫之液體等。
於圖18之例中，於供給管b121插裝閥b122及流量調整部b123。藉由閥b122打開，而將來自處理液供給源b124之處理液經由供給管b121供給至噴嘴b12，並自噴嘴b12之噴出口b12a噴出。即，閥b122切換處理液自處理液供給源b124向噴嘴b12之供給及供給停止。流量調整部b123調整供給管b121中流動之處理液之流量。流量調整部b123係例如質量流量控制器。
於圖18之例中，噴嘴b12藉由噴嘴移動機構b15可移動地設置。噴嘴移動機構b15使噴嘴b12於第1處理位置與第1待機位置之間移動。第1處理
位置係噴嘴b12向基板W之主面(例如上表面)噴出處理液之位置。更具體而言，第1處理位置例如為在較基板W更為鉛直上方、且與基板W之中心部於鉛直方向上對向之位置。第1待機位置為噴嘴b12不向基板W之主面噴出處理液之位置，且為較第1處理位置更遠離基板W之位置。第1待機位置可為噴嘴b12不與主搬送機器人b120搬送基板W之搬送路徑干涉之位置。作為具體之一例，第1待機位置為較基板W之周緣更為徑向外側之位置。於圖18中顯示在第1待機位置停止之噴嘴12。
噴嘴移動機構b15例如具有滾珠螺桿機構或臂回轉機構等致動器。臂回轉機構包含均未圖示之臂、支持柱、及馬達。臂具有水平延伸之棒狀形狀，於臂之前端連結噴嘴b12，於臂之基端連結支持柱。支持柱沿著鉛直方向延伸，可繞其中心軸旋轉地設置。藉由馬達使支持柱旋轉，從而臂回轉，噴嘴b12繞中心軸沿著周方向移動。以第1處理位置與第1待機位置位於該噴嘴b12之移動路徑上之方式設置支持柱。
若於噴嘴b12位於第1處理位置之狀態下，由基板保持部b11使基板W旋轉，並且閥b122打開，則自噴嘴b12向旋轉中之基板W之上表面噴出處理液。處理液附著於基板W之上表面，且伴隨著基板W之旋轉而於基板W之上表面擴展，且自基板W之周緣朝外側飛散。藉此，於基板W之上表面形成處理液之液膜。
於設想使用複數種處理液之情形下，噴嘴b12可對應於各種處理液而設置複數個。噴嘴b12以於基板W之上表面形成處理液之液膜之方式，將
處理液供給至基板W。
防濺罩b13具有包圍由基板保持部b11保持之基板W之筒狀之形狀。自基板W之周緣飛散之處理液濺到防濺罩b13之內周面，沿著內周面朝鉛直下方流動。處理液例如流經未圖示之回收配管而被回收至處理液供給源b124之槽。藉此，可重複利用處理液。
電漿產生裝置b1係產生電漿之裝置，亦可稱為電漿源或電漿反應器。電漿產生裝置b1設置於與由基板保持部b11保持之基板W(例如上表面)於鉛直方向上對向之位置。於圖18之例中，電漿產生裝置b1設置為於較基板W之上表面更為鉛直上方覆蓋基板W整體。電漿產生裝置b1連接於電源b8，接收來自電源b8之電力而使周圍之氣體電漿化。此外，此處，作為一例，電漿產生裝置b1係於大氣壓下產生電漿之大氣壓電漿源。此處言及之大氣壓例如為標準氣壓之50%以上、且為標準氣壓之200%以下。電漿產生裝置b1之具體之構成之一例於後文詳述。
如圖18所例示般，亦可設置電漿移動機構b14。電漿移動機構b14使電漿產生裝置b1相對於由基板保持部b11保持之基板W相對移動。具體而言，電漿移動機構b14使電漿產生裝置b1於第2處理位置與第2待機位置之間往復移動。第2處理位置是指利用由電漿產生裝置b1產生之電漿對基板W進行處理時之位置。於第2處理位置，電漿產生裝置b1與基板W之上表面之間之距離為例如數mm左右。
第2待機位置為不對基板W進行使用電漿之處理時之位置，且為較第2處理位置更遠離基板W之位置。第2待機位置亦為電漿產生裝置b1與主搬送機器人b120對基板W之搬送路徑不干涉之位置。作為具體之一例，第2待機位置為較第2處理位置為鉛直方之位置。該情形下，電漿移動機構b14使電漿產生裝置b1沿著鉛直方向升降。於圖18中顯示在第2待機位置停止之電漿產生裝置b1。電漿移動機構b14例如具有滾珠螺桿機構或氣缸等移動機構。
電漿產生裝置b1例如可於噴嘴b12退避至第1待機位置之狀態下，自第2待機位置向第2處理位置移動。例如，若藉由來自在第1處理位置處之噴嘴b12之處理液之噴出，於基板W之上表面形成處理液之液膜，則閥b122關閉，然後，噴嘴移動機構b15使噴嘴b12自第1處理位置移動至第1待機位置。另一方面，例如，於電漿產生裝置b1位於第2待機位置之狀態下，電源b8朝電漿產生裝置b1輸出電壓。藉此，於較第2處理位置更遠離基板W之位置，電漿產生裝置b1產生電漿。此時，例如，藉由與噴嘴b12於第1處理位置將處理液之液膜供給至基板W之上表面並行地，電漿產生裝置b1產生電漿，而可削減直至產生電漿為止之等待時間。之後，電漿移動機構b14使電漿產生裝置b1自第2待機位置向第2處理位置移動。藉此，由於在基板W之正上方不存在噴嘴b12，故可將電漿產生裝置b1更接近基板W之上表面。換言之，可將第2處理位置設定為更接近基板W。
又，藉此，於基板W之上表面之附近之位置，電漿產生裝置b1向基板W之上表面之處理液之液膜產生電漿。伴隨著該電漿之產生，而產生各
種活性物種。例如，藉由空氣電漿化，而可產生氧自由基、羥基自由基及臭氧氣體等各種活性物種。該等活性物種作用於基板W之上表面。作為具體之一例，活性物種作用於基板W之上表面之處理液(此處為硫酸)之液膜。藉此，處理液之處理性能提高。具體而言，藉由活性物種與硫酸之反應，產生處理性能(此處為氧化力)高之卡洛酸。卡洛酸亦被稱為過氧單硫酸。藉由該卡洛酸作用於基板W之抗蝕劑，而可將抗蝕劑氧化去除。
藉由如以上般，活性物種作用於基板W之主面上之處理液，而可提高處理液之處理性能。因此，可快速進行對於基板W之處理。
<電漿產生裝置b1>
其次，針對電漿產生裝置b1之各構成之更詳細之一例進行描述。圖19係概略性顯示電漿產生裝置b1之構成之一例之側剖視圖，圖20係概略性顯示電漿產生裝置b1之構成之一例之俯視圖。圖19顯示圖20之A-A剖面。於圖19及圖20之例中，電漿產生裝置b1係平面型電漿源，包含第1電極部b21及第2電極部b22。
於圖19及圖20之例中，第1電極部b21包含複數個第1電極構件(第1線狀電極)b211及第1集合電極b212，第2電極部b22包含複數個第2電極構件(第2線狀電極)b221及第2集合電極b222。
第1電極構件b211係由金屬材料(例如鎢)等導電性材料形成，具有沿著長度方向D1延伸之棒狀形狀(例如圓柱形狀)。複數個第1電極構件b211
排列設置於與長度方向D1交叉(此處為正交)之排列方向D2上，理想的是相互平行地設置。
第1集合電極b212係由金屬材料(例如鋁)等導電性材料形成，將複數個第1電極構件b211之長度方向D1之一側之端部(基端)彼此連結。於圖20之例中，第1集合電極b212具有朝長度方向D1之一側膨起之圓弧狀之平板形狀。複數個第1電極構件b211自第1集合電極b212向長度方向D1之另一側延伸。
第2電極構件b221係由金屬材料(例如鎢)等導電性材料形成，具有沿著長度方向D1延伸之棒狀形狀(例如圓柱形狀)。複數個第2電極構件b221排列設置於排列方向D2上，理想的是相互平行地設置。第2電極構件b221各者於俯視下(即，沿著與長度方向D1及排列方向D2正交之方向D3觀察)，設置於複數個第1電極構件b211中彼此相鄰之二者之間。即，複數個第2電極構件b221於俯視下分別設置於複數個第1電極構件b211之相互之間。於圖20之例中，於俯視下，第1電極構件b211及第2電極構件b221交替排列於排列方向D2上。第1電極構件b211各者不與第2電極構件b221於方向D3上對向。
第2集合電極b222係由金屬材料(例如鋁)等導電性材料形成，將複數個第2電極構件b221之長度方向D1之另一側之端部(基端)彼此連結。於圖20之例中，第2集合電極b222朝與第1集合電極b212為相反側膨起，且具有與第1集合電極b212大致同徑之圓弧狀之平板形狀。複數個第2電極構
件b221自第2集合電極b222向長度方向D1之一側延伸。
於圖19及圖20之例中，各第1電極構件b211由第1介電構件b31覆蓋。複數個第1介電構件b31係由石英或陶瓷等介電體材料形成。例如，各第1介電構件b31具有沿著長度方向D1延伸之筒狀形狀，第1電極構件b211沿著長度方向D1插入於第1介電構件b31。圖示之第1介電構件b31亦可被稱為第1介電管。藉由第1介電構件b31覆蓋第1電極構件b211，而可防止因第1電極構件b211被電漿濺射而基板W被污染。
於圖19及圖20之例中，各第2電極構件b221由第2介電構件b32覆蓋。複數個第2介電構件b32係由石英或陶瓷等介電體材料形成。例如，各第2介電構件b32具有沿著長度方向D1延伸之筒狀形狀，第2電極構件b221沿著長度方向D1插入於第2介電構件b32。圖示之第2介電構件b32亦可被稱為第2介電管。藉由第2介電構件b32覆蓋第2電極構件b221，而可防止因第2電極構件b221被電漿濺射而基板W被污染。
於圖19及圖20之例中，在電漿產生裝置b1設置有介電構件b33。介電構件b33係由石英或陶瓷等介電體材料形成。於圖示之例中，介電構件b33具有板狀形狀。介電構件b33係以該厚度方向沿著方向D3之姿勢設置。於圖20之例中，介電構件b33之主面b33a及主面b33b於俯視下具有圓形狀。介電構件b33之厚度(主面b33a與主面b33b之間之距離)設定為例如數百μm(例如300μm)左右。
第1電極部b21及第1介電構件b31設置於介電構件b33之主面b33a側，第2電極部b22及第2介電構件b32設置於介電構件b33之主面b33b側。具體而言，第1介電構件b31設置於介電構件b33之主面b33a側，第2介電構件b32設置於介電構件b33之主面b33b側。
電漿產生裝置b1於基板處理裝置b100中，以主面b33a朝向處理對象(此處為基板W)之姿勢設置。具體而言，電漿產生裝置b1以方向D3沿著鉛直方向、且主面b33a朝向基板W之上表面之姿勢設置。該電漿產生裝置b1與基板W於鉛直方向上對向。
如圖19所例示般，可於電漿產生裝置b1設置保持構件b34。此外，於圖20中，為了避免圖式繁雜，而省略保持構件b34。保持構件保持構件b34係由氟系樹脂等絕緣材料形成，一體地保持第1電極部b21、第2電極部b22、第1介電構件b31、第2介電構件b32及介電構件b33。保持構件b34於俯視下具有與第1集合電極b212及第2集合電極b222大致同徑之環形狀，於方向D3夾持第1集合電極b212及第2集合電極b222。
於圖19之例中，第1介電構件b31之前端部由保持構件b34保持。具體而言，第1介電構件b31之前端部被埋設於保持構件b34。因此，由第1電極構件b211及第1介電構件b31構成之部分之兩端由保持構件b34保持。藉此，可對該部分進行兩端保持。於圖19之例中，第2介電構件b32之前端部亦由保持構件b34保持。因此，保持構件b34亦可對由第2電極構件b221及第2介電構件b32構成之部分進行兩端保持。
第1電極部b21及第2電極部b22電性連接於電漿用之電源b8。更具體而言，第1電極部b21之第1集合電極b212經由配線b81電性連接於電源b8之第1輸出端b8a，第2電極部b22之第2集合電極b222經由配線b82電性連接於電源b8之第2輸出端b8b。電源b8具有例如反相器電路等開關電源電路，朝第1電極部b21與第2電極部b22之間輸出電漿用之電壓。作為更具體之一例，電源b8將高頻電壓作為電漿用之電壓輸出至第1電極部b21與第2電極部b22之間。又，電源b8為例如脈衝電源，可於複數個週期各者中之導通期間將高頻電壓輸出至第1電極部b21與第2電極部b22之間。藉此，電漿主要於導通期間中點亮。該電源b8之輸出係由控制部b90控制。因此，電漿產生裝置b1可謂由控制部b90控制。
藉由電源b8朝第1電極部b21與第2電極部b22之間輸出電壓，而於第1電極構件b211與第2電極構件b221之間產生電漿用之電場。相應於該電場，第1電極構件b211及第2電極構件b221之周圍之氣體電漿化。反言之，藉由電源b8對第1電極部b21與第2電極部b22之間施加將該氣體電漿化之程度之電壓。於電源b8為脈衝電源之情形下，該電壓為例如b10kV以上且數十kHz左右之高頻電壓。此處言及之頻率例如為上述週期之倒數，以下亦稱為脈衝頻率。
根據上述之平面型電漿產生裝置b1，沿著水平之長度方向D1延伸之第1電極構件b211及第2電極構件b221交替排列於水平之排列方向D2上。因此，電漿產生裝置b1可於俯視下在寬廣之範圍內產生電漿。
<電漿產生裝置b1之溫度>
若電漿產生裝置b1接收來自電源b8之電力而產生電漿，則因由第1電極部b21及第2電極部b22產生之焦耳熱、及由電漿所致之發熱，而電漿產生裝置b1之溫度上升。若該溫度過度上升，則可能產生耐熱性等諸多問題。於例如第1電極構件b211及第2電極構件b221為鎢之情形下，若溫度超過攝氏600度，則第1電極構件b211及第2電極構件b221紅熱，可能產生耐熱性之問題。
於本實施形態中，為了抑制或避免超過如此之容許值之溫度上升，而著眼於第1電極構件b211與第2電極構件b221之間之節距。以下，導入第1電極構件b211彼此之間之節距(稱為電極節距)，作為跟第1電極構件b211與第2電極構件b221之間之節距相關聯之參數。此處，第1電極構件b211與第2電極構件b221之間之俯視之節距為電極節距之一半。
發明者製作電極節距不同之複數個電漿產生裝置b1，使用各電漿產生裝置b1進行了實驗。更具體而言，以電漿產生裝置b1之溫度(此處為第1電極構件b211及第2電極構件b221之溫度)為攝氏400度之方式，控制電源b8之輸出電壓(大小及頻率)，測定電壓及電流。圖21至圖23係顯示作為實驗結果之電壓波形及電流波形之一例之圖。圖21顯示電極節距為6mm時之實驗結果，圖22顯示電極節距為10mm時之實驗結果，圖23顯示電極節距為12mm時之實驗結果。
此處，使用脈衝電源作為電源b8。該情形下，如圖21至圖23所例示般，高周波電流就每一特定週期流通。這是因為電源b8於特定週期內之導通期間將高頻電壓施加於第1電極部b21與第2電極部b22之間。於圖21至圖23之例中，顯示1週期(=50μ秒：即脈衝頻率=20kHz)中之電壓波形及電流波形，電壓在正的範圍內變動之期間與在負的範圍內變動之期間各者相當於導通期間。於圖21至圖23之例中，導通期間為3μs。此處，以溫度為攝氏400度之方式，控制電源b8之輸出電壓之大小
下表顯示自圖21至圖23之實驗結果提取之電壓之絕對值之最大值Vmax及電流之絕對值之最大值Imax。
由表1可理解為，電極節距越寬，將溫度設為攝氏400度所需之電力越大。反言之，可知若電力相同，則電極節距越窄，溫度越高。
圖24係就每一電極節距例示電漿產生裝置b1之溫度與向電漿產生裝置b1之輸出電力之關係之圖。於圖24之例中顯示3個圖形G1~G3。圖形G1表示電極節距為6mm時之該關係，圖形G2表示電極節距為10mm時之該關係，圖形G3表示電極節距為12mm時之該關係。
由圖24亦可理解為，若電力相同，則電極節距越寬，電漿產生裝置b1之溫度越低。又，由圖24可理解為，若電極節距相同，則電力越大，電漿產生裝置b1之溫度越高。即，電漿產生裝置b1之溫度對於電力具有正相關關係，對於電極節距具有負相關關係。
如此，根據發明者之實驗可知，電漿產生裝置b1之溫度不僅依存於電力之大小，亦依存於電極節距之寬窄。
為此，於本實施形態中，以電漿產生裝置b1之溫度為容許值(例如攝氏600度)以下之方式，設定電極節距。以下，針對電極節距之設計方法之例詳述。
圖25係顯示電漿產生裝置b1之設計方法之一例之流程圖。設計者決定針對朝電漿產生裝置b1供給之電力的基準電力(步驟S1：電力設定步序)。此處言及之基準電力係於後述之步驟S3中用於電極節距之決定之電力。例如，設計者可採用電源b8可輸出之最大電力或額定電力作為基準電力。
其次，設計者決定溫度之容許值(步驟S2：容許溫度設定步序)。設計者可基於電漿產生裝置b1之耐熱性之觀點，決定溫度之容許值。例如，容許值被決定為攝氏600度。
其次，設計者基於基準電力輸出時之電漿產生裝置b1之溫度與電極節距之對應關係(例如圖24)，以溫度為容許值以下之方式決定電極節距(步驟S3：電極節距設計步序)。對應關係可藉由例如實驗或模擬等預先獲得。
於該步驟S3中，可行的是，溫度之容許值越高，設計者將電極節距決定為越窄。此乃因電極節距越寬，越難以產生電漿。例如，自開始供給電力至穩定產生電漿之期間變長。因此，基於在更短期間於電漿產生裝置b1之周圍穩定產生電漿之觀點，電極節距較窄者為佳。因此，於步驟S3中，只要溫度為容許值以下，則設計者可將電極節距決定為盡量窄。作為更具體之一例，設計者可決定溫度為容許值以下之電極節距之範圍之最小值作為電極節距。
如以上般，可根據電極節距之設計，將電漿產生裝置b1之溫度設為容許值以下。可採用攝氏600度作為溫度之容許值。藉此，於第1電極構件b211及第2電極構件b221為鎢之情形下，可抑制或避免第1電極構件b211及第2電極構件b221之紅熱。
且說，向電漿產生裝置b1之輸出電力可由電源b8之輸出電壓控制。為此，亦基於輸出電壓之觀點預先說明電極節距。亦即，電極節距可以電源b8輸出最大電壓(或額定電壓)時之電漿產生裝置b1之溫度為容許溫度以下之方式決定。
<基於電漿效果之電極節距之設計>
於上述之例中，電漿產生裝置b1被利用於基板W之阻劑去除。因此，可著眼於使用電漿產生裝置b1之阻劑去除處理，而決定電極節距。以下，具體地說明。
首先，針對向電漿產生裝置b1之電力進行描述。若電力變大，則電漿產生裝置b1可以更高之電子密度產生電漿。若電漿之電子密度變高，則電漿之發光強度變高。藉此，藉由電漿而產生之活性物種之量亦可增加。由於可藉由活性物種之增加，使更多個活性物種作用於基板W上之處理液，故可提高基板W之阻劑之去除速度，可更快速地將阻劑之剝離率設為100%。
圖26係顯示電漿之發光強度與電力之關係之一例之圖。於圖26之例中，3種標繪點以互不相同之形狀表示。第1標繪點以黑圓表示，表示電極節距為12mm時之該關係。第2標繪點以黑四角表示，表示電極節距為10mm時之該關係。第3標繪點以黑三角表示，表示電極節距為6mm時之該關係。
由圖26可理解為，電力越大，電漿之發光強度越高。即，電漿之發光強度對於電力具有正相關關係。另一方面，電漿之發光強度幾乎不依存於電極節距。因此，若電力相同，則電極節距較寬時之電漿之發光強度與電極節距較窄時之電漿發光強度大致相同。
由於電漿之發光強度越高，活性物種之產生量越大，故由電漿所致之效果(以下稱為電漿效果)變高。此處，由於去除基板W之阻劑，故可採用阻劑之剝離率作為表示電漿效果之指標。
由於電漿效果對於電漿之發光強度具有正相關關係，電漿之發光強度對於電力具有正相關關係，故電漿效果對於電力具有正相關關係。另一方面，由於電漿之發光強度幾乎不依存於電極節距之寬窄，故電漿效果亦幾乎不依存於電極節距之寬窄。
又，如上述般，電力越大，電漿產生裝置b1之溫度越高，但另一方面，電極節距越寬，電漿產生裝置b1之溫度越低。
基於以上之見解，可知雖然增大電力而提高電漿效果(此處為剝離率)，但藉由擴大電極節距，而可緩和電漿之溫度上升。下表顯示實驗結果之一例。
根據表2，於電極節距為10mm時，電漿產生裝置b1之溫度為攝氏
420度時之剝離率為87%，溫度為攝氏500度時之剝離率為100%。另一方面，於電極節距為12mm時，電漿產生裝置b1之溫度為攝氏430度時之剝離率為100%。即，藉由將電極節距設定為較寬，則可降低以用於將剝離率設為100%時之電力對電漿產生裝置b1供給時之電漿產生裝置b1之溫度。
為此，於電極節距之設計中，可基於電漿效果設定基準電力，基於該基準電力決定電極節距。具體而言，於步驟S1中，設計者可決定電漿效果(此處為剝離率)為特定效果以上之電力作為基準電力。該基準電力係藉由例如實驗或模擬決定。由於電漿效果與電漿之發光強度具有正相關關係，故亦可謂設計者以電漿之發光強度為特定強度以上之方式決定電力作為基準電力。
電漿效果如上述般與向電漿產生裝置b1之電力具有正相關關係，但另一方面，幾乎不依存於電極節距。因此，即便為電極節距尚未決定之狀態，於步驟S1中，亦可基於特定電漿效果(電漿之發光強度)，決定基準電力。其次，設計者執行步驟S2及步驟S3。藉此，可決定電極節距。
如以上般，於本實施形態中，基於電漿效果而非使用電極節距之資訊，決定針對供給至電漿產生裝置b1之電力之基準電力。而後，於步驟S3中，基於基準電力與溫度之容許值決定電極節距。該設計方法係藉由著眼於電漿之發光強度幾乎不依存於電極節距而首次被想到者。即，於假若電漿之發光強度亦依存於電極節距之情形下，於步驟S1中，無法無關於電
極節距而決定電力。因此，難以決定用於兼顧溫度及電漿效果之電力及電極節距。例如，必須要有如一面變更電力及電極節距之值、一面將電漿效果及溫度最佳化之複雜之方法。
相對於此，於本實施形態中，在步驟S1中，基於電漿效果而非使用電極節距之值，來決定基準電力，在步驟S3中，基於該基準電力與溫度之容許值，決定電極節距，故而可以非常簡單之方法設計電極節距。又，根據如上述般設計之電漿產生裝置b1，即便將用於獲得特定電漿效果之電力供給至電漿產生裝置b1，亦可將電漿產生裝置b1之溫度設為容許值以下。
<電漿產生裝置b1A>
圖27係概略性顯示電漿產生裝置b1A之構成之一例之俯視圖，圖28及圖29係概略性顯示電漿產生裝置b1A之構成之一例之側剖視圖。圖28顯示圖27之C-C剖面，圖29顯示圖27之D-D剖面。如圖27至圖29所示，電漿產生裝置b1A包含第1電極部b21、第2電極部b22、及介電構件b35。
介電構件b35係由例如石英及陶瓷等介電體材料形成，覆蓋第1電極構件b211及第2電極構件b221之兩者。於圖示之例中，介電構件b35具有板狀形狀，以其厚度方向沿著方向D3之姿勢配置。介電構件b35具有第1主面b35a、第2主面b35b及側面b35c。第1主面b35a及第2主面b35b係於方向D3彼此相向之面，例如係與方向D3正交之平坦面。側面b35c係將第1主面b35a之周緣及第2主面b35b之周緣相連之面。於圖27之例中，由於介
電構件b35具有圓板形狀，故第1主面b35a及第2主面b35b為圓狀之平面，側面b35c為圓筒面。介電構件b35之厚度為例如5mm左右。
於介電構件b35形成：供各第1電極構件b211插入之第1孔b36、及供各第2電極構件b221插入之第2孔b37。
各第1孔b36沿著長度方向D1延伸，其一側之端於介電構件b35之側面b35c中開口。各第1電極構件b211沿著長度方向D1插入第1孔b36。由於如上述般介電構件b35覆蓋各第1電極構件b211，故可防止因各第1電極構件b211被電漿濺射而基板W被污染。
各第2孔b37沿著長度方向D1延伸，其另一側之端於介電構件b35之側面b35c中開口。各第2電極構件b221沿著長度方向D1插入第2孔b37。由於如上述般介電構件b35覆蓋各各第2電極構件b221，故可防止因各第2電極構件b221被電漿濺射而基板W被污染。
於圖29之例中，複數個第1電極構件b211及複數個第2電極構件b221設置於同一平面上。因此，複數個第1孔b36及複數個第2孔b37亦形成於同一平面上。
於圖29之例中，第1電極構件b211與介電構件b35之第1主面b35a之間隔較第1電極構件b211與介電構件b35之第2主面b35b之間隔為窄。同樣，第2電極構件b221與介電構件b35之第1主面b35a之間隔較第2電極構
件b221與介電構件b35之第2主面b35b之間隔為窄。即，第1電極構件b211及第2電極構件b221設置於較第2主面b35b更靠近第1主面b35a之位置。因此，第1孔b36及第2孔b37亦形成於較第2主面b35b更靠近第1主面b35a之位置。第1電極構件b211與第1主面b35a之間之距離設定為例如0.3mm左右，第2電極構件b221與第1主面b35a之間之距離亦設定為例如0.3mm左右。
電漿產生裝置b1A以第1主面b35a朝向處理對象(此處為基板W)之姿勢配置。第1主面b35a附近之氣體如後述般藉由電漿產生裝置b1A而電漿化，由該電漿產生之活性物種作用於處理對象。
於圖27之例中，第1集合電極b212及第2集合電極b222設置於較介電構件b35更為外側。因此，第1電極構件b211之基端部自介電構件b35之側面b35c朝外側突出且連接於第1集合電極b212，第2電極構件b221之基端部自介電構件b35之側面b35c朝外側突出且連接於第2集合電極b222。第1集合電極b212及第2集合電極b222連接於電漿用之電源b8(參照圖27)，藉由該電源b8之電壓輸出，而於第1電極構件b211與第2電極構件b221之間產生電漿用之電場。於上述之例中，由於第1電極構件b211與第1主面b35a之間隔及第2電極構件b221與第1主面b35a之間隔較窄，故電場容易作用於介電構件b35之第1主面b35a附近之氣體，可容易使該氣體電漿化。
另一方面，於上述之例中，由於第1電極構件b211與第2主面b35b之
間隔及第2電極構件b221與第2主面b35b之間隔較寬，故電場不易作用於第2主面b35b附近之氣體。因此，亦可抑制無助於基板W之處理之不必要之電漿之產生。而且，由於亦可增大介電構件b35之第1主面b35a與第2主面b35b之間之厚度，故可提高介電構件b35之強度及剛性。
且說，由於電漿產生裝置b1A之介電構件b35具有覆蓋第1電極構件b211及第2電極構件b221之兩者之板狀形狀，故介電構件b35之體積大於電漿產生裝置b1之第1介電構件b31、第2介電構件b32及介電構件b33之總體積。因此，為了於電漿產生裝置b1A中產生電漿，而電源b8必須將更大之電力供給至第1電極部b22與第2電極部b22之間。作為更具體之一例，電源b8之輸出電壓設定為15kV左右，電源b8之輸出頻率設定為60kHz左右以下。
又，於上述之例中，由於單一之介電構件b35覆蓋第1電極構件b211及第2電極構件b221，故電漿產生裝置b1A之形狀與電漿產生裝置b1相比更容易。尤其是，於上述之例中，由於介電構件b35之第1主面b35a為平坦，故與在第1介電構件b31與介電構件b33形成階差形狀之電漿產生裝置b1相比，其形狀更容易。因此，即便處理對象即基板W上之處理液揮發且附著於電漿產生裝置b1A(例如第1主面b35a)，亦容易將電漿產生裝置b1A洗淨而去除該處理液。
<電漿產生裝置b1A之溫度>
發明者確認於該電漿產生裝置b1A中，亦與電漿產生裝置b1同樣
地，溫度不僅依存於電力，亦依存於電極節距之寬窄。具體而言，發明者製作電極節距不同之複數歌電漿產生裝置b1A，利用各電漿產生裝置b1A進行了實驗。此處，發明者製作各個電極節距為10mm、12mm之電漿產生裝置b1A，以電漿產生裝置b1A之溫度為攝氏200度之方式控制電源b8之輸出電壓。下表顯示實驗結果。
由表3可理解為，電極節距越寬，將溫度設為攝氏200度所需之電力越大。反言之，可知若電力相同，則電極節距越窄，溫度越高。
為此，於電漿產生裝置b1A中，亦以溫度為容許值(例如攝氏600度)以下之方式，設定電極節距。電極節距之設計方法之一例與圖25同樣。換言之，亦可將電漿產生裝置b1中之電極節距之設計方法應用於電漿產生裝置b1A。
又，發明者確認於電漿產生裝置b1A中亦與電漿產生裝置b1同樣地，雖然增大電力而提高電漿效果(此處為阻劑之剝離率)，但藉由擴大電極節距，而可緩和電漿產生裝置b1A之電漿之溫度上升。下表顯示實驗結
果之一例。
根據表4，於電極節距為10mm時，電漿產生裝置b1之溫度為攝氏200度時之剝離率為70%，增大電力而溫度為攝氏250度時之剝離率為100%。即，藉由增大電力，而可提高電漿效果。另一方面，於電極節距為12mm時，電漿產生裝置b1之溫度為攝氏200度時之剝離率為100%。即，雖然增大電力而提高電漿效果，但藉由將電極節距設定為較寬，而可緩和電漿之溫度上升。
又，電漿產生裝置b1A之第1電極部b21及第2電極部b22之形狀與電漿產生裝置b1同樣，藉由第1電極部b21與第2電極部b22之間之電場而產生電漿。因此，推測於電漿產生裝置b1A中亦與電漿產生裝置b1同樣地，電漿之發光強度不依存於電極節距之寬窄。因此，於電漿產生裝置b1A中亦然，於電極節距尚未決定之狀態下，可基於特定電漿效果(電漿之發光強度、即剝離率)決定基準電力(步驟S1)。其次，設計者執行步驟S2及步
驟S3。藉此，可以非常簡單之方法決定電極節距。
如以上般，於電漿產生裝置b1A中，亦可與電漿產生裝置b1同樣地決定電極節距。
此處，為了參考，顯示圖30至圖33。圖30至圖33係概略性顯示針對電漿產生裝置b1A之實驗結果之例之圖。具體而言，圖30係顯示脈寬與溫度之關係之圖，圖31係顯示脈寬與電壓之關係之圖，圖32係顯示脈寬與電流之關係之圖，圖33係顯示脈寬與瞬時電力之關係之圖。於各圖中，以圖形G1表示電極節距為12mm時之圖形，以圖形G2表示電極節距為10mm時之圖形。
於各圖中，採用脈寬作為橫軸。由於脈寬越寬，將電力供給至電漿產生裝置b1A之時間越長，故朝電漿產生裝置b1供給之電力(投入電力)具有脈寬越寬則越大之傾向。由圖30可理解為，若電力相同，則電極節距越寬，電漿產生裝置b1A之溫度越低。又，由圖30可理解為，若電力為相同程度，則電極節距越寬，電壓越大。
<關於以上所記載之實施形態之變化例>
於本實施形態中，加熱部設置為於俯視下覆蓋電漿處理部a30整體，但加熱部可設置為於俯視下僅覆蓋電漿處理部a30一部分。該情形下，較理想為預先藉由測定部a72所進行之溫度之測定，特定溫度相對較低之區域，於該區域之附近設置加熱部。又，若將加熱部對於電漿處理部a30可
拆裝地設置，則亦可應對溫度相對第之區域不同之情形。
又，於本實施形態中，加熱部藉由吹拂熱風而將電漿處理部a30加熱，但加熱方法不限定於如此之方法，例如，可藉由僅具備電熱式加熱器或發熱燈之加熱部將電漿處理部a30加熱。
又，於本實施形態中，顯示將因電漿處理部a30中之電漿之作用而產生之活性物種供給至液膜a101A之情形，但可為該活性物種直接作用於未形成液膜a101A之基板W之上表面之情形。
於以上所記載之實施形態中，有亦針對各個構成要素之材質、材料、尺寸、形狀、相對配置關係或實施之條件等進行記載之情形，但其等於全部層面中為一例，並非限定性者。
因此，可於本案說明書所揭示之技術之範圍內設想未顯示例子之無數個變化例、及均等物。例如，於將至少1個構成要素變化之情形下，包含追加之情形或省略之情形。
又，於以上所記載之實施形態中，於無特別指定而記載了材料名稱等之情形下，只要不產生矛盾，則於該材料中含有其他添加物、例如含有合金等。
如以上般，詳細地說明了電漿產生裝置b1、b1A及電漿產生裝置
b1、b1A之設計方法，但上述之說明於所有態樣中為例示，該電漿產生裝置b1、b1A及電漿產生裝置b1、b1A之設計方法不限定於其。未例示之無數個變化例應理解為在不脫離本揭示之範圍下可設想到者。於上述各實施形態及各變化例所說明之各構成只要不相互矛盾，則能夠適宜地組合或省略。
於上述之例中，雖然基於材料之耐熱性之觀點，設定電漿產生裝置b1、b1A之溫度之容許值，但未必限定於此。例如，於電漿產生裝置b1、b1A位於第2處理位置之狀態下，可將未達處理液沸騰溫度的溫度設定為容許值，或可基於對基板W之熱損之程度，設定溫度之容許值。
又，於上述之例中，雖然於電漿產生裝置b1設置介電構件b33，但可不設置介電構件b33，又，第1電極部b21及第2電極部b22可設置於同一平面。
又，例如，於電漿產生裝置b1A中，第1電極部b21及第2電極部b22可於方向D3上設置於互不相同之位置。具體而言，第1電極構件b211及第2電極構件b221可於方向D3上設置於互不相同之位置。
又，對於基板W之處理未必限定於阻劑去除處理。例如，除了去除金屬膜以外，亦可應用於能夠藉由活性物種使處理液之處理性能提高之所有處理。
又，亦未必必須對基板W供給處理液。例如，作為使用電漿之處理，可使電漿或活性物種對於基板W之上表面直接作用。作為如此之處理之一例，可舉出基板W之表面改質處理。該情形下，作為表示電漿效果之指標，可採用將液體供給至基板W之主面時之該主面上之液體之接觸角。
又，電漿產生裝置b1、b1A未必必須用於基板W之處理，可用於其他處理對象。
Claims (6)
- 一種基板處理方法，其係於大氣壓之處理空間內對基板進行處理者，且包含下述步序：於前述處理空間內水平地保持前述基板；將電漿產生裝置配置於前述水平地保持之前述基板之上方，該電漿產生裝置包含由介電體被覆之複數個電漿電極，對該電漿電極施加電壓而產生電漿；藉由前述電漿產生裝置，產生大氣壓電漿；於前述水平地保持之前述基板之上表面形成處理液之液膜；及使前述電漿產生裝置與前述基板相對移動至被覆前述電漿電極之前述介電體與前述液膜之間之距離為0.9mm以上、且2.3mm以下之位置，使前述大氣壓電漿作用於前述處理液，而對前述基板進行處理。
- 一種基板處理方法，其係於大氣壓之處理空間內對基板進行處理者，且包含下述步序：於前述處理空間內水平地保持前述基板；將電漿產生裝置配置於前述水平地保持之前述基板之上方，該電漿產生裝置包含複數個電漿電極，對該電漿電極施加電壓而產生電漿，該等複數個電漿電極被收容於形成有複數個收容孔之介電體之前述收容孔；藉由前述電漿產生裝置，產生大氣壓電漿；於前述水平地保持之前述基板之上表面形成處理液之液膜；及使前述電漿產生裝置與前述基板相對移動至前述介電體之下表面與 前述液膜之間之距離為2.3mm以上、且3.8mm以下之位置，使前述大氣壓電漿作用於250℃以上之前述處理液，而對前述基板進行處理。
- 一種基板處理方法，其係於大氣壓之處理空間內對基板進行處理者，且包含下述步序：於前述處理空間內水平地保持前述基板；將電漿產生裝置配置於前述水平地保持之前述基板之上方，該電漿產生裝置包含複數個電漿電極，對該電漿電極施加電壓而產生電漿，該等複數個電漿電極被收容於形成有複數個收容孔之介電體之前述收容孔；藉由前述電漿產生裝置，產生大氣壓電漿；於前述水平地保持之前述基板之上表面形成處理液之液膜；及使前述電漿產生裝置與前述基板相對移動至前述介電體之下表面與前述液膜之間之距離為2.3mm以上、且2.8mm以下之位置，使前述大氣壓電漿作用於200℃以上且未達250℃之前述處理液，而對前述基板進行處理。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中形成前述液膜之步序係形成前述處理液之膜厚為0.2mm之前述液膜之步序。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中前述處理液係硫酸。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中形成前述液膜之步序係於形成於前述基板之前述上表面之被膜之上表面形成前述液膜之步序；且對前述基板進行處理之步序係使前述被膜剝離之步序。
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-050036 | 2021-03-24 | ||
| JP2021050036 | 2021-03-24 | ||
| JP2021-049777 | 2021-03-24 | ||
| JP2021049777 | 2021-03-24 | ||
| JP2022010259A JP2022151604A (ja) | 2021-03-24 | 2022-01-26 | プラズマ発生装置およびプラズマ発生装置の設計方法 |
| JP2022-010194 | 2022-01-26 | ||
| JP2022-010259 | 2022-01-26 | ||
| JP2022010194A JP2022151603A (ja) | 2021-03-24 | 2022-01-26 | 基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202303673A TW202303673A (zh) | 2023-01-16 |
| TWI847105B true TWI847105B (zh) | 2024-07-01 |
Family
ID=83397161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111109251A TWI847105B (zh) | 2021-03-24 | 2022-03-14 | 基板處理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI847105B (zh) |
| WO (1) | WO2022202420A1 (zh) |
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Family Cites Families (4)
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2022
- 2022-03-11 WO PCT/JP2022/011093 patent/WO2022202420A1/ja active Application Filing
- 2022-03-14 TW TW111109251A patent/TWI847105B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022202420A1 (ja) | 2022-09-29 |
| TW202303673A (zh) | 2023-01-16 |
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