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TWI729945B - 在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置 - Google Patents

在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置 Download PDF

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TWI729945B
TWI729945B TW109134658A TW109134658A TWI729945B TW I729945 B TWI729945 B TW I729945B TW 109134658 A TW109134658 A TW 109134658A TW 109134658 A TW109134658 A TW 109134658A TW I729945 B TWI729945 B TW I729945B
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inner tube
atomic layer
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易錦良
張容華
古家誠
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天虹科技股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，主要包括一真空腔體、一軸封裝置及一驅動單元。軸封裝置包括一外管體及一內管體，其中內管體設置在外管體的容置空間內。驅動單元透過外管體驅動真空腔體轉動，以攪動真空腔體的反應空間內的粉末。內管體的連接空間內設置一抽氣管線及一進氣管線，其中抽氣管線用以抽出反應空間內的氣體。進氣管線用以將非反應氣體輸送至反應空間，以揚起反應空間內的粉末，並用以將前驅物氣體輸送至反應空間，藉此在粉末的表面形成厚度均勻的薄膜。

Description

在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置
本發明有關於一種在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，可透過轉動真空腔體及輸送非反應氣體至真空腔體內，使得粉末擴散到真空腔體的反應空間，並有利於在粉末的表面形成厚度均勻的薄膜。
奈米顆粒(nanoparticle)一般被定義為在至少一個維度上小於100奈米的顆粒，奈米顆粒與宏觀物質在物理及化學上的特性截然不同。一般而言，宏觀物質的物理特性與本身的尺寸無關，但奈米顆粒則非如此，奈米顆粒在生物醫學、光學和電子等領域都具有潛在的應用。
量子點(Quantum Dot)是半導體的奈米顆粒，目前研究的半導體材料為II-VI材料，如ZnS、CdS、CdSe等，其中又以CdSe最受到矚目。量子點的尺寸通常在2至50奈米之間，量子點被紫外線照射後，量子點中的電子會吸收能量，並從價帶躍遷到傳導帶。被激發的電子從傳導帶回到價帶時，會通過發光釋放出能量。
量子點的能隙與尺寸大小相關，量子點的尺寸越大能隙越小，經照射後會發出波長較長的光，量子點的尺寸越小則能隙越大，經照射後會發出波長較短的光。例如5到6奈米的量子點會發出橘光或紅光，而2到3奈米的量子點則會發出藍光或綠光，當然光色取決於量子點的材料組成。
應用量子點的發光二極體(LED)產生的光可接近連續光譜，同時具有高演色性，並有利於提高發光二極體的發光品質。此外亦可透過改變量子點的尺寸調整發射光的波長，使得量子點成為新一代發光裝置及顯示器的發展重點。
量子點雖然具有上述的優點及特性，但在應用或製造的過程中容易產生團聚現象。此外量子點具有較高的表面活性，並容易與空氣及水氣發生反應，進而縮短量子點的壽命。
具體來說，將量子點製作成為發光二極體的密封膠時，可能會產生團聚效應，而降低了量子點的光學性能。此外，量子點在製作成發光二極體的密封膠後，外界的氧或水氣仍可能會穿過密封膠而接觸量子點的表面，導致量子點氧化，並影響量子點及發光二極體的效能或使用壽命。量子點的表面缺陷及懸空鍵(dangling bonds)亦可能造成非輻射復合(nonradiative recombination)，同樣會影響量子點的發光效率。
目前業界主要透過原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)在量子點的表面形成一層奈米厚度的薄膜，或者是在量子點的表面形成多層薄膜，以形成量子井結構。
原子層沉積可以在基板上形成厚度均勻的薄膜，並可有效控制薄膜的厚度，理論上亦適用於三維的量子點。量子點靜置在承載盤時，相鄰的量子點之間會存在接觸點，使得原子層沉積的前驅物氣體無法接觸這些接觸點，並導致無法在所有的奈米顆粒的表面皆形成厚度均勻的薄膜。
為了解決上述先前技術面臨的問題，本發明提出一種在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，可於原子層沉積製程中充份攪拌粉末，使得粉末充滿整個真空腔體的反應空間，並減少各個粉末之間的接觸點，以利於在各個粉末的表面上形成厚度均勻的薄膜。
本發明的一目的，在於提供一種在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，主要包括一驅動單元、一軸封裝置及一真空腔體，其中驅動單元透過軸封裝置連接並驅動真空腔體轉動。軸封裝置包括一外管體及一內管體，其中內管體位於外管體的容置空間。驅動單元透過外管體連接真空腔體，並透過外管體帶動真空腔體轉動。
內管體包括一連接空間，並可將至少一抽氣管線、至少一進氣管線、至少一非反應氣體輸送管線、至少一加熱器及/或至少一溫度感測單元設置在內管體的連接空間內。抽氣管線用以抽出真空腔體的反應空間內的氣體，進氣管線用以將前驅物氣體及/或非反應氣體輸送至反應空間，以在粉末的表面形成薄膜。驅動單元可帶動真空腔體轉動，而進氣管線則可增大輸送至真空腔體的非反應氣體的流量，使得粉末擴散到反應空間內的各個區域，以減少各個粉末之間的接觸點，而有利於在各個粉末的表面形成厚度均勻的薄膜。此外驅動單元帶動外管體及真空腔體轉動時，內管體及內部的抽氣管線、進氣管線及/或非反應氣體輸送管線會保持不動，以穩定傳送至真空腔體的非反應氣體及前驅物氣體。
本發明的一目的，在於提供一種在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，主要包括一驅動單元、一軸封裝置及一真空腔體，其中驅動單元透過軸封裝置連接真空腔體。此外將一加熱裝置覆蓋在真空腔體的側表面，並用以加熱真空腔體的反應空間，以提高反應空間內的溫度。此外在加熱的過程中，驅動單元會帶動真空腔體轉動，並充分翻攪反應空間內的粉末，使得反應空間內所有粉末皆具有相近的溫度。
本發明的一目的，在於提供一種在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，主要於一承載板上設置一驅動單元、一軸封裝置及一真空腔體，其中承載板透過至少一連接軸連接一固定架，並以連接軸為軸心相對於固定架轉動。承載板轉動時會帶動驅動單元、軸封裝置及真空腔體轉動，並可依據製程的需求調整真空腔體的傾斜角度，以利於在各個粉末的表面上形成厚度均勻的薄膜。
為了達到上述的目的，本發明提出一種在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括：一真空腔體，包括一反應空間用以容置複數個粉末；一軸封裝置，包括一外管體及一內管體，其中外管體具有一容置空間，用以容置內管體；一驅動單元，透過軸封裝置連接真空腔體，並經由外管體帶動真空腔體相對於內管體轉動；至少一抽氣管線，位於內管體內，流體連接真空腔體的反應空間，並用以抽出反應空間內的一氣體；至少一進氣管線，位於內管體內，流體連接真空腔體的反應空間，並用以將一前驅物或一非反應氣體輸送至反應空間，其中非反應氣體用以吹動反應空間內的粉末。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，其中進氣管線包括至少一非反應氣體輸送管線，位於內管體內，流體連接真空腔體的反應空間，並用以該非反應氣體輸送至真空腔體的反應空間內，以吹動反應空間內的粉末。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，其中軸封裝置為一磁流體軸封。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括至少一齒輪連接驅動單元及軸封裝置的外管體，驅動單元經由齒輪帶動軸封裝置的外管體及真空腔體相對於內管體轉動。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括一齒輪蓋板用以覆蓋齒輪。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，其中真空腔體包括一蓋板及一腔體，蓋板的一內表面覆蓋腔體以在兩者之間形成反應空間，並於蓋板的內表面設置一監控晶圓。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括一檢視孔位於蓋板上。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，還包括一過濾單元位於內管體連接反應空間的一端，抽氣管線經由過濾單元抽出反應空間內的氣體。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括一加熱器及一溫度感測單元設置在內管體，加熱器用以加熱內管體的連接空間及真空腔體的反應空間，而溫度感測單元則用以量測內管體的連接空間的溫度。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括至少一加熱裝置位於真空腔體的周圍，並用以加熱真空腔體的反應空間。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括一承載板及至少一固定架，承載板用以承載驅動單元、真空腔體及軸封裝置，承載板透過至少一連接軸連接固定架，並以連接軸為軸心相對於固定架轉動，以改變驅動單元、真空腔體及軸封裝置的仰角。
所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，其中內管體由外管體的容置空間延伸至真空腔體的反應空間，並在反應空間內形成一管體凸部。
請參閱圖1、圖2及圖3，分別為本發明在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置一實施例的立體示意圖、剖面示意圖及部分構造的剖面示意圖。如圖所示，在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置10主要包括一真空腔體11、一軸封裝置13及一驅動單元15，其中驅動單元15透過軸封裝置13連接真空腔體11，並帶動真空腔體11轉動。
真空腔體11內具有一反應空間12，用以容置複數個粉末121，其中粉末121可以是量子點(Quantum Dot)，例如ZnS、CdS、CdSe等II-VI半導體材料，而形成在量子點上的薄膜可以是三氧化二鋁(Al2O3)。真空腔體11可包括一蓋板111及一腔體113，其中蓋板111的一內表面1111用以覆蓋腔體113，並在兩者之間形成反應空間12。此外亦可於蓋板111上設置一檢視孔117，使用者可透過檢視孔117觀看反應空間12內的粉末121。例如可於蓋板111上設置一穿孔，並於穿孔上設置耐熱玻璃，以在蓋板111上形成檢視孔117。
在本發明一實施例中，可於蓋板111的內表面1111設置一監控晶圓115，當蓋板111覆蓋腔體113時，監控晶圓115會位於反應空間12內。在反應空間12內進行原子層沉積時，監控晶圓115的表面會形成薄膜。在實際應用時可進一步量測監控晶圓115表面的薄膜厚度與粉末121表面的薄膜厚度，並計算出兩者之間的關係。而後便可透過量測監控晶圓115表面的薄膜厚度，換算出粉末121表面的薄膜厚度。
軸封裝置13包括一外管體131及一內管體133，其中外管體131具有一容置空間132，而內管體133則具有一連接空間134，例如外管體131及內管體133可為空心柱狀體。外管體131的容置空間132用以容置內管體133，其中外管體131及內管體133同軸設置。
在本發明一實施例中，軸封裝置13可以是一般常見的軸封，主要用以隔離真空腔體11的反應空間12與外部的空間，以維持反應空間12的真空。在本發明另一實施例中，軸封裝置13可以是磁流體軸封，並包括複數個軸承137、至少一永久磁鐵135、至少一磁極片136及至少一磁性流體138，其中軸承137、永久磁鐵135、磁極片136及磁性流體138設置在外管體131與內管體133之間的容置空間132。
具體而言，軸承137套設在內管體133的外表面，並位於內管體133及外管體131之間，使得外管體131可相對於內管體133轉動。永久磁鐵135設置在外管體131的內表面，並位於兩個軸承137之間。兩個磁極片136設置在外管體131的內表面，並分別位於永久磁鐵135及兩個軸承137之間。磁極片136與內管體133的外表面之間具有一間隙，並將磁性流體138設置在間隙內。上述關於磁流體軸封的構造僅為本發明一實施例，並非本發明權利範圍的限制。
驅動單元15透過外管體131動力連接真空腔體11，並透過外管體131帶動真空腔體11轉動。此外驅動單元15並未連接內管體133，因此驅動單元15帶動外管體131及真空腔體11轉動時，內管體133不會隨著轉動。
驅動單元15可帶動外管體131及真空腔體11以同一方向持續轉動，例如順時針或逆時針方向持續轉動。在不同實施例中，驅動單元15可帶動外管體131及真空腔體11以順時針的方向旋轉一特定角度後，再以逆時針的方向旋轉特定角度，例如特定角度可為360度。真空腔體11轉動時，會攪拌反應空間12內的粉末121，以利於粉末121與前驅物氣體接觸。
在本發明一實施例中，驅動單元15可為馬達，透過至少一齒輪14連接外管體131，並經由齒輪14帶動外管體131及真空腔體11相對於內管體133轉動。驅動單元15可連接一第一齒輪141，而外管體131則連接一第二齒輪143，其中第一齒輪141嚙合第二齒輪143。當驅動單元15帶動第一齒輪141轉動時，第一齒輪141會帶動嚙合的第二齒輪143、外管體131及真空腔體11轉動。在本發明一實施例中，第一齒輪141及第二齒輪143可為斜齒輪。
內管體133的連接空間134內可設置至少一抽氣管線171、至少一進氣管線173、至少一非反應氣體輸送管線175、一加熱器177及/或一溫度感測單元179，如圖2及圖3所示。
抽氣管線171流體連接真空腔體11的反應空間12，並用以抽出反應空間12內的氣體，使得反應空間12為真空狀態，以進行後續的原子層沉積製程。具體而言抽氣管線171可連接一幫浦，並透過幫浦抽出反應空間12內的氣體。
進氣管線173流體連接真空腔體11的反應空間12，並用以將一前驅物或一非反應氣體輸送至反應空間12，其中非反應氣體可以是氮氣或氬氣等惰性氣體。例如進氣管線173可透過閥件組連接一前驅物儲存槽及一非反應氣體儲存槽，並透過閥件組將前驅物氣體輸送至反應空間12內，使得前驅物氣體沉積在粉末121表面。在實際應用時，進氣管線173可能會將一載送氣體(carrier gas)及前驅物氣體一起輸送到反應空間12內。而後透過閥件組將非反應氣體輸送至反應空間12內，以去除反應空間12內的前驅物氣體。在本發明一實施例中，進氣管線173可連接複數個分枝管線，並分別透過各個分枝管線將不同的前驅物氣體依序輸送至反應空間12內。
此外可增大進氣管線173輸送至反應空間12的非反應氣體的流量，並透過非反應氣體吹動反應空間12內的粉末121，使得粉末121受到非反應氣體的帶動，而擴散到反應空間12的各個區域。
在本發明一實施例中，進氣管線173可包括至少一非反應氣體輸送管線175流體連接真空腔體11的反應空間12，並用以將非反應氣體輸送至反應空間12，例如非反應氣體輸送管線175可透過閥件組連接一氮氣儲存槽，並透過閥件組將氮氣輸送至反應空間12。非反應氣體用以吹動反應空間12內的粉末121，配合驅動單元15驅動真空腔體11轉動，將可有效且均勻的翻攪反應空間12內的粉末121，並有利於在各個粉末121的表面沉積厚度均勻的薄膜。
在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置10的進氣管線173及非反應氣體輸送管線175都是用以將非反應氣體輸送至反應空間12，其中進氣管線173輸送的非反應氣體的流量較小，主要用以去除反應空間12內的前驅物氣體，而非反應氣體輸送管線175輸送的非反應氣體的流量較大，主要用以吹動反應空間12內的粉末121。此外進氣管線173及非反應氣體輸送管線175所傳輸的非反應氣體可以是相同或不同的氣體。
具體而言，進氣管線173及非反應氣體輸送管線175將非反應氣體輸送至反應空間12的時間點不同，因此在實際應用時可不設置非反應氣體輸送管線175，並調整進氣管線173在不同時間點輸送的非反應氣體的流量。在去除反應空間12內的前驅物氣體時，可降低進氣管線173輸送至反應空間12的非反應氣體的流量，而要吹動反應空間12內的粉末121時，則增加進氣管線173輸送至反應空間12的非反應氣體的流量。
在本發明一實施例中，內管體133連接反應空間12的一端可設置一過濾單元139，其中抽氣管線171經由過濾單元139流體連接反應空間12，並經由過濾單元139抽出反應空間12內的氣體。過濾單元139主要用以過濾反應空間12內的粉末121，以避免粉末121在抽氣的過程中進入抽氣管線171內，而造成粉末121的損耗。
進氣管線173可經由過濾單元139流體連接反應空間12，並經由過濾單元139將前驅物氣體或非反應氣體輸送至反應空間12。此外非反應氣體輸送管線175可經由過濾單元139流體連接反應空間12，並經由過濾單元139將非反應氣體輸送至反應空間12。進氣管線173及非反應氣體輸送管線175主要用以將氣體輸送至反應空間12，而非用以將反應空間12內的氣體抽出。反應空間12內的粉末121較不容易進入進氣管線173及非反應氣體輸送管線175，因此進氣管線173及非反應氣體輸送管線175可不經由過濾單元139將氣體輸送至反應空間12內，並直接將氣體輸送至反應空間12。
加熱器177用以加熱連接空間134及內管體133，並透過加熱器177加熱內管體133內的抽氣管線171、進氣管線173及/或非反應氣體輸送管線175，以提高抽氣管線171、進氣管線173及/或非反應氣體輸送管線175內的氣體的溫度。例如可提高進氣管線173輸送至反應空間12的非反應氣體及/或前驅物氣體的溫度，並可提高非反應氣體輸送管線175輸送至反應空間12的非反應氣體的溫度。使得非反應氣體及/或前驅物氣體進入反應空間12時，不會造成反應空間12的溫度大幅下降或改變。此外可透過溫度感測單元179量測加熱器177或連接空間134的溫度，以得知加熱器177的工作狀態。當然在真空腔體11的內部、外部或周圍通常會設置另一個加熱裝置21，如圖4所示，其中加熱裝置21鄰近或接觸真空腔體11，並用以加熱真空腔體11及反應空間12。
驅動單元15帶動外管體131及真空腔體11轉動時，內管體133及內部的抽氣管線171、進氣管線173及/或非反應氣體輸送管線175並不會隨著轉動，並有利於穩定傳送至反應空間12的非反應氣體及前驅物氣體。
在本發明一實施例中，在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置10亦可包括一承載板191及至少一固定架193，其中承載板191可為一板體，用以承載驅動單元15、真空腔體11及軸封裝置13。例如承載板191連接驅動單元15，並透過驅動單元15連接軸封裝置13及真空腔體11。此外軸封裝置13及/或真空腔體11亦可透過至少一支撐架連接承載板191，以提高連接的穩定度。
承載板191可透過至少一連接軸195連接固定架193，其中固定架193的數量可為兩個，並分別設置在承載板191的兩側。承載板191可以連接軸195為軸心相對於固定架193轉動，以改變驅動單元15、軸封裝置13及真空腔體11的仰角，以利於在各個粉末121的表面形成厚度均勻的薄膜。
請參閱圖4及圖5，分別為本發明在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置又一實施例的立體示意圖及剖面示意圖。如圖所示，在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置20主要包括一真空腔體11、一軸封裝置13、一驅動單元15、一加熱裝置21及一齒輪蓋板23，其中驅動單元15透過軸封裝置13連接真空腔體11，並帶動真空腔體11轉動。
加熱裝置21環繞設置在真空腔體11的側表面，並用以加熱真空腔體11及反應空間12。在本發明一實施例中，加熱裝置21可透過連接架211連接承載板191，而驅動單元15則驅動真空腔體11相對於加熱裝置21轉動。
齒輪蓋板23用以覆蓋齒輪14，可避免齒輪14接觸外界的污染源，亦可防止操作人員不小心接觸運轉中的齒輪14而受傷。齒輪蓋板23設計為可拆卸式，並可於維修或保養時將齒輪蓋板23拆除。
在本發明上述實施例中，軸封裝置13的內管體133連接反應空間12的一端貼齊真空腔體11的內表面。在實施應用時，如圖6所示，內管體133可由外管體131的容置空間132延伸至真空腔體11的反應空間12，並在反應空間12內形成一管體凸部1311。
以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
10:在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置 11:真空腔體 111:蓋板 1111:內表面 113:腔體 115:監控晶圓 117:檢視孔 12:反應空間 121:粉末 13:軸封裝置 131:外管體 1311:管體凸部 132:容置空間 133:內管體 134:連接空間 135:永久磁鐵 136:磁極片 137:軸承 138:磁性流體 139:過濾單元 14:齒輪 141:第一齒輪 143:第二齒輪 15:驅動單元 171:抽氣管線 173:進氣管線 175:非反應氣體輸送管線 177:加熱器 179:溫度感測單元 191:承載板 193:固定架 195:連接軸 20:在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置 21:加熱裝置 211:連接架 23:齒輪蓋板
[圖1]為本發明在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置一實施例的立體示意體。
[圖2]為本發明在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置一實施例的剖面示意圖。
[圖3]為本發明在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置的部分構造一實施例的剖面示意圖。
[圖4]為本發明在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置又一實施例的立體示意體。
[圖5]為本發明在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置又一實施例的剖面示意圖。
[圖6]為本發明在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置又一實施例的立體示意體。
10:在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置
11:真空腔體
111:蓋板
113:腔體
117:檢視孔
13:軸封裝置
14:齒輪
141:第一齒輪
143:第二齒輪
15:驅動單元
191:承載板
193:固定架
195:連接軸

Claims (10)

  1. 一種在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括： 一真空腔體，包括一反應空間用以容置複數個粉末； 一軸封裝置，包括一外管體及一內管體，其中該外管體具有一容置空間，用以容置該內管體； 一驅動單元，透過該軸封裝置連接該真空腔體，並經由該外管體帶動該真空腔體相對於該內管體轉動； 至少一抽氣管線，位於該內管體內，流體連接該真空腔體的該反應空間，並用以抽出該反應空間內的一氣體；及 至少一進氣管線，位於該內管體內，流體連接該真空腔體的該反應空間，並用以將一前驅物或一非反應氣體輸送至該反應空間，其中該非反應氣體用以吹動該反應空間內的該粉末。
  2. 如請求項1所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，其中該進氣管線包括至少一非反應氣體輸送管線，位於該內管體的該連接空間內，流體連接該真空腔體的該反應空間，並用以將該非反應氣體輸送至該真空腔體的該反應空間內，以吹動該反應空間內的該粉末。
  3. 如請求項1所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，其中該軸封裝置為一磁流體軸封。
  4. 如請求項1所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括至少一齒輪連接該驅動單元及該軸封裝置的該外管體，該驅動單元經由該齒輪帶動該軸封裝置的該外管體及該真空腔體相對於該內管體轉動。
  5. 如請求項1所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，其中該內管體由該外管體的該容置空間延伸至該真空腔體的該反應空間，並在該反應空間內形成一管體凸部。
  6. 如請求項1所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，其中該真空腔體包括一蓋板及一腔體，該蓋板的一內表面覆蓋該腔體以在兩者之間形成該反應空間，並於該蓋板的該內表面設置一監控晶圓。
  7. 如請求項6所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括一檢視孔位於該蓋板上。
  8. 如請求項1所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，還包括一過濾單元位於該內管體連接該反應空間的一端，該抽氣管線經由該過濾單元抽出該反應空間內的該氣體。
  9. 如請求項1所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括一加熱器及一溫度感測單元設置在該內管體，該加熱器用以加熱該內管體的該連接空間及該真空腔體的該反應空間，而該溫度感測單元則用以量測該內管體的該連接空間的溫度。
  10. 如請求項1所述的在粉末上形成薄膜的原子層沉積裝置，包括至少一加熱裝置位於該真空腔體的周圍，並用以加熱該真空腔體的該反應空間。
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