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TWI729120B - 包括至少一氟矽化合物之離型層 - Google Patents

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TWI729120B
TWI729120B TW106113852A TW106113852A TWI729120B TW I729120 B TWI729120 B TW I729120B TW 106113852 A TW106113852 A TW 106113852A TW 106113852 A TW106113852 A TW 106113852A TW I729120 B TWI729120 B TW I729120B
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金智娜
劉俊英
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美商道康寧公司
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Abstract

所揭示之各種實施例係關於一種包括至少一氟矽化合物之離型層，且關於諸如用於顯示裝置基材加工之方法的相關態樣。在各種實施例中係一種加工一顯示裝置基材之方法。該方法可包括利用一黏著劑剝離層及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層將該顯示裝置基材固定至一載體基材。該離型層包括一前驅物離型層組成物之一固化產物。該前驅物離型層組成物包括至少一氟矽化合物。

Description

包括至少一氟矽化合物之離型層
本發明大致上關於一種包括至少一氟矽化合物之離型層及包括一種加工一顯示裝置基材之方法的相關態樣，且關於一種顯示裝置加工中間物。
在顯示裝置諸如液晶顯示器(LCD)、發光二極體(LED)顯示器、及有機發光二極體(OLED)顯示器之生產中，多種顯示裝置組件係由薄顯示裝置基材製造，其包括可撓性及非可撓性玻璃及非玻璃基材。對一些薄顯示裝置基材進行製程可能具有挑戰性，此係由於其等之易碎本質、在某些製程需要高度精確性、以及由於某些製程之嚴苛條件(例如，高溫)。
一種加工一顯示裝置基材之方法。該方法之實施例包括利用一黏著劑剝離層及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層將該顯示裝置基材固定至一載體基材。該離型層包括固化一前驅物離型層組成物之一固化產物。該前驅物離型層組成物係可固化的且包括至少一氟矽化合物。
一種顯示裝置加工中間物。該顯示裝置加工中間物之實施例包括一載體基材及一在該載體基材上之黏著劑剝離層。該顯示裝置加工中間物亦包括一顯示裝置基材，其經由該黏著劑剝離層固定至該載體基材。該顯示裝置加工中間物亦包括介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層。該離型層包括固化一前驅物離型層組成物之一固化產物。該前驅物離型層組成物係可固化的且包括至少一氟矽化合物。
1:顯示裝置加工中間物
2:顯示裝置加工中間物
10:載體基材
20:助黏劑層
30:黏著劑剝離層
40:離型層
50:顯示裝置基材
圖式一般來說是以例示方式而非以限制方式闡述本文件所討論的各種實施例。
圖1繪示根據各種實施例之顯示裝置加工中間物。
圖2繪示根據各種實施例之顯示裝置加工中間物。
發明內容及摘要以引用方式併入本文中。
提供以下例示性實施例，且不將其等之編號解讀為指定重要程度：
實施例1係一種加工一顯示裝置基材之方法，該方法包含：利用一黏著劑剝離層及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層將該顯示裝置基材固定至一載體基材，其中該離型層包含一前驅物離型層組成物之一固化產物，該前驅物離型層組成物包含至少一氟矽化合物。
實施例2係實施例1之方法，其中該顯示裝置基材包含玻璃、矽、陶瓷、塑膠、金屬、或其組合。
實施例3係實施例1至2中任一者之方法，其中該顯示裝置基材包含以下之至少一者之加工前驅物組件：發光二極體顯示器(LED)、電致發光顯示器(ELD)、電子紙顯示器、電漿顯示面板(PDP)、液晶顯示器(LCD)、高性能定址顯示器(HPA)、薄膜電晶體顯示器(TFT)、有機發光二極體顯示器(OLED)、表面傳導電子發射顯示器(SED)、雷射TV顯示器、碳奈米管顯示器、量子點顯示器、及干涉調變器顯示器(IMOD)。
實施例4係實施例1至3中任一者之方法，其中該顯示裝置基材具有1nm至5mm之厚度。
實施例5係實施例1至4中任一者之方法，其中該顯示裝置基材具有1nm至0.5mm之厚度。
實施例6係實施例1至5中任一者之方法，其中該載體基材包含玻璃、矽、陶瓷、塑膠、金屬、或其組合。
實施例7係實施例1至6中任一者之方法，其中利用該黏著劑剝離層將該顯示裝置基材固定至該載體基材包含經由一離型層將該顯示裝置基材固定至該黏著劑剝離層。
實施例8係實施例1至7中任一者之方法，其中利用該黏著劑剝離層將該顯示裝置基材固定至該載體基材包含將該顯示裝置基材固定至該離型層，其中該離型層係黏合至該黏著劑剝離層，該黏著劑剝離層進而黏合至該載體基材。
實施例9係實施例1至8中任一者之方法，其中利用該黏著劑剝離層將該顯示裝置基材固定至該載體基材包含將該離型層固定至該黏著劑剝離層，其中該離型層係黏合至該顯示裝置基材且其中該黏著劑剝 離層係黏合至該載體基材。
實施例10係實施例1至9中任一者之方法，其中該固定提供一顯示裝置加工中間物，其中該離型層係在該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間。
實施例11係實施例1至10中任一者之方法，其中該離型層具有0.0001μm至500μm之厚度。
實施例12係實施例1至11中任一者之方法，其中在該黏著劑剝離層與該離型層之間、或在該離型層與該顯示裝置基材之間不存在中介層。
實施例13係實施例1至12中任一者之方法，其中該離型層前驅物組成物中之該氟矽化合物係以下之至少一者：氟矽烷，氟矽氮烷，氟矽氧烷，氟有機矽烷，氟有機矽氧烷，氟化矽樹脂，及氟化矽倍半氧烷樹脂。
實施例14係實施例1至13中任一者之方法，其中該離型層組成物包含具有式RNSiZ3之氟有機矽烷，其中各Z獨立地係可水解基團，其係H、鹵素原子、或有機雜基，其中該有機雜基係經由雜原子鍵結至式RNSiZ3中之Si原子；該雜原子係O、N、或S；可替代地O或N；可替代地，O；可替代地，N。在一些實施例中，各有機雜基獨立地係-ORM、-NHRM、-NRM 2、-O2CRM、-O-N=CRM 2、-O-C(=CRM 2)RM、或-N(RM)CORM。在一些實施例中，離型層組成物包含具有式RNSi(ORM)3之氟有機矽烷。在每次出現時RM係獨立地選自經取代或未經取代(C1-C22)烴基、經取代或未經取代(C1-C22)烷基、可替代地經取代或未經取代(C1-C5)烷基，或其中鍵結至相 同N或C的任兩個RM可彼此鍵結以形成二價基團-RMa-RMb-，其係經取代或未經取代(C1-C22)烷烴-二基。RN係氟(C1-C200)烷基，其係未經以其它方式取代或係經進一步取代且係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-(O-全氟(C2-C3)伸烷基)n-、-(O-氟(C2-C3)伸烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、-Si(全氟(C1-C5)烷氧基)2-、-Si(氟(C1-C5)烷氧基)2-、-Si((C1-C5)烷基)2-、Si(氟(C1-C5)烷基)2-、及-Si(全氟(C1-C5)烷基)2-。在一些實施例中，有機雜基係(C1-C20)有機雜基。
實施例15係實施例14之方法，其中該氟有機矽烷具有式F((CF2)3O)cc(CF2)0-100(CH2)0-100(O)0-1(CH2)0-100Si(ORM)3，其中cc係0至200且RM係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例14)中所定義的。
實施例16係實施例14至15中任一者之方法，其中該氟有機矽烷具有式F((CF2)3O)0-50(CF2)1-10(CH2)1-10O(CH2)1-10Si(OMe)3。
實施例17係實施例14至16中任一者之方法，其中該氟有機矽烷具有式F((CF2)3O)15-30CF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3。
實施例18係實施例14至17中任一者之方法，其中該氟有機矽烷具有式F((CF2)3O)17-25CF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3。
實施例19係實施例1至18中任一者之方法，其中該前驅物離型層組成物包含：組分(A)，氫有機聚矽氧烷；及組分(B)，(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷，其中該(C2-C20)烯基係未經插入或經1、2、或3個獨立地選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷 基)2-；其中組分(A)及組分(B)之至少一者係氟有機聚矽氧烷。
實施例20係實施例1至19中任一者之方法，其中該前驅物離型層組成物包含以下之至少一者：線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷，非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷，線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷，及非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷。
實施例21係實施例1至20中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物之0.1重量%至99重量%係線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷及非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者。在一些實施例中，該0.1重量%至99重量%係線型Si-H官能性氟有機矽氧烷。在其他實施例中，該0.1重量%至99重量%係非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷。在其他實施例中，該0.1重量%至99重量%係線型Si-H官能性氟有機矽氧烷及非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷之和。
實施例22係實施例1至21中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物之0.2重量%至40重量%係線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷及非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者。在一些實施例中，該0.2重量%至40重量%係線型Si-H官能性氟有機矽氧烷。在其他實施例中，該0.2重量%至40重量%係非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷。在其他實施例中，該0.2重量%至40重量%係線型Si-H官能性氟有機矽氧烷及非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷之和。
【0001】實施例23係實施例1至22中任一者之方法，其中該前驅物離型層組成物包含具有下式之非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷：(RA 3SiO1/2)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z，其中在每次出現時，RA係獨立地 選自H、R1、及Rf，該非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RA係H，該非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RA係Rf，在每次出現時R1獨立地係經取代或未經取代(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出現時Rf獨立地係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或係經進一步取代且具有1至2m+1個氟基、其中m獨立地係1至20，其中該(Cm)烷基係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，y及z獨立地係0至5,000，y及z之至少一者大於0，且w係1至1,000且x係0至5,000。
實施例24係實施例23之方法，其中R1係(C1-C20)烴基。
實施例25係實施例23至24中任一者之方法，其中R1係(C1-C5)烷基。
實施例26係實施例23至25中任一者之方法，其中R1係甲基。
實施例27係實施例23至26中任一者之方法，其中Rf係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或係經進一步取代且具有1至2m+1個氟基，其中m獨立地係1至20。
實施例28係實施例23至27中任一者之方法，其中Rf係(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。
實施例29係實施例23至28中任一者之方法，其中Rf係 (全氟丁基)乙基。
【0002】實施例30係實施例1至29中任一者之方法，其中該前驅物離型層組成物包含具有下式之線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷：(RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x，其中在每次出現時，RA獨立地係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23)中所定義的。
實施例31係實施例30之方法，其中R1係(C1-C20)烴基。
實施例32係實施例30至31中任一者之方法，其中R1係(C1-C5)烷基。
實施例33係實施例30至32中任一者之方法，其中R1係甲基。
實施例34係實施例30至33中任一者之方法，其中x係1至200。
實施例35係實施例30至34中任一者之方法，其中Rf係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或係經進一步取代且具有1至2m+1個氟基，其中m獨立地係1至20。
實施例36係實施例30至35中任一者之方法，其中Rf係(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。
實施例37係實施例30至36中任一者之方法，其中Rf係(全氟丁基)乙基。
實施例38係實施例30至37中任一者之方法，其中該線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)X(HR1SiO2/2)X。在每次出現時R1獨立地係經取代或未經取代(C1-C20)烴基，其係未經插入或經 1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。在每次出現時Rf獨立地係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或係經進一步取代且具有1至2m+1個氟基、其中m獨立地係1至20，其中該(Cm)烷基係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。下標X係1至5,000。
實施例39係實施例30至38中任一者之方法，其中該線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)1-200(HMeSiO2/2)1-400，其中Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23或38)中所定義的。
實施例40係實施例30至39中任一者之方法，其中該線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40，其中Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23或38)中所定義的。
實施例41係實施例1至40中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物之1重量%至99.9重量%係線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷及非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者。
實施例42係實施例1至41中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物之40重量%至99.9重量%係線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷及非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者。
實施例43係實施例1至42中任一者之方法，其中該前驅 物離型層組成物包含具有下式之非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷：(RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z。在每次出現時，RB係獨立地選自R1、R2、及Rf，其中該非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RB係R2且該非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RB係Rf。在每次出現時R1獨立地係經取代或未經取代(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。在每次出現時R2獨立地係經取代或未經取代(C2-C20)烯基，其係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000，-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。在每次出現時Rf獨立地係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或係經進一步取代且具有1至2m+1個氟基、其中m獨立地係1至20，其中該(Cm)烷基係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，y及z獨立地係0至5,000，y及z之至少一者大於0，且w係1至1,000且x係0至5,000。
實施例44係實施例43之方法，其中R1係(C1-C20)烴基。
實施例45係實施例43至44中任一者之方法，其中R1係(C1-C5)烷基。
實施例46係實施例43至45中任一者之方法，其中R1係甲基。
實施例47係實施例43至46中任一者之方法，其中R2係 (C2-C20)烯基。
實施例48係實施例43至47中任一者之方法，其中R2係乙烯基。
實施例49係實施例43至48中任一者之方法，其中組分(B)中之至少一個RB係Rf，其中Rf係如本文中任何恰當實施例中所定義的。
【0003】實施例50係實施例43至49中任一者之方法，其中Rf係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或係經進一步取代且具有1至2m+1個氟基，其中m獨立地係1至20。
實施例51係實施例43至50中任一者之方法，其中Rf係(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。
實施例52係實施例43至51中任一者之方法，其中Rf係(全氟丁基)乙基。
實施例53係實施例1至52中任一者之方法，其中該離型層前驅物組成物包含具有下式之線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷：(RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x，其中各RB係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。
實施例54係實施例53之方法，其中R1係(C1-C20)烴基。
實施例55係實施例53至54中任一者之方法，其中R1係(C1-C5)烷基。
實施例56係實施例53至55中任一者之方法，其中R1係甲基。
【0004】實施例57係實施例53至56中任一者之方法，其中R2係(C2-C20)烯基。
實施例58係實施例53至57中任一者之方法，其中R2係乙烯基。
實施例59係實施例53至58中任一者之方法，其中組分(B)中之至少一個RB係Rf，其中Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23、38、或43)中所定義的。
實施例60係實施例53至59中任一者之方法，其中Rf係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或係經進一步取代且具有1至2m+1個氟基，其中m獨立地係1至20。
實施例61係實施例53至60中任一者之方法，其中Rf係(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。
實施例62係實施例53至61中任一者之方法，其中Rf係(全氟丁基)乙基。
實施例63係實施例53至62中任一者之方法，其中該線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R1 2SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2、Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。
實施例64係實施例53至63中任一者之方法，其中該線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)100-2000(Me2SiO2/2)100-3000(ViMeSiO2/2)1-100，其中Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23、38、或43)中所定義的。
實施例65係實施例53至64中任一者之方法，其中該線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15，其中Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23、38、或43)中所定義的。
實施例66係實施例1至65中任一者之方法，其中該前驅物離型層組成物包含具有下式之線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷：(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，且該前驅物離型層前驅物組成物包含具有下式之線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷：(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R1 2SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2、及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。
實施例67係實施例1至66中任一者之方法，其中該前驅物離型層組成物包含具有下式之線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷：(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)1-5000(HMeSiO2/2)1-5000，且該前驅物離型層前驅物組成物包含具有下式之線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷：(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)100-2000(Me2SiO2/2)100-3000(ViMeSiO2/2)1-100，其中在每次出現時Rf係如本文中任何恰當實施例中所定義的。
實施例68係實施例1至67中任一者之方法，其中該前驅物離型層組成物包含具有下式之線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷：(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)1-200(HMeSiO2/2)1-400，且該前驅物離型層前驅物組成物包含具有下式之線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷：(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15，其中在每次出現時Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23、38、或43)中所定義 的。
實施例69係實施例1至68中任一者之方法，其中該前驅物離型層組成物進一步包含氫矽倍半氧烷-(C1-C20)烴基矽倍半氧烷共聚物，其中該(C1-C20)烴基係經取代或未經取代且係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。
實施例70係實施例69之方法，其中該氫矽倍半氧烷-(C1-C20)烴基矽倍半氧烷共聚物具有下式：(HSiO3/2)y1(R1SiO3/2)y2，其中單元下標指示其莫耳比，R1獨立地係經取代或未經取代(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，莫耳比y1係0.001至5，且莫耳比y2係0.001至5。
實施例71係實施例70之方法，其中莫耳比y1係0.001至1.5。
實施例72係實施例70至71中任一者之方法，其中莫耳比y1係0.01至0.5。
實施例73係實施例70至72中任一者之方法，其中莫耳比y2係0.1至1.5。
實施例74係實施例70至73中任一者之方法，其中莫耳比y2係0.5至1。
實施例75係實施例70至74中任一者之方法，其中R1係經取代或未經取代(C1-C20)烴基。
實施例76係實施例70至75中任一者之方法，其中R1係經取代或未經取代(C1-C10)烷基。
實施例77係實施例70至76中任一者之方法，其中R1係經取代或未經取代(C1-C5)烷基。
實施例78係實施例70至77中任一者之方法，其中R1係甲基。
實施例79係實施例70至78中任一者之方法，其中R1係經取代或未經取代(C6-C20)芳基。
實施例80係實施例70至79中任一者之方法，其中R1係(C6-C20)芳基。
實施例81係實施例70至80任一者之方法，其中R1係經取代或未經取代苯基。
實施例82係實施例70至81任一者之方法，其中R1係苯基。
實施例83係實施例70至82中任一者之方法，其中該氫矽倍半氧烷-(C1-C20)烴基矽倍半氧烷共聚物具有下式：(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)0.5-1，其中單元下標指示其莫耳比。
實施例84係實施例70至83中任一者之方法，其中該氫矽倍半氧烷-(C1-C20)烴基矽倍半氧烷共聚物具有下式：(HSiO3/2)0.01-0.5(PhSiO3/2)0.5-1，其中單元下標指示其莫耳比。
實施例85係實施例1至84中任一者之方法，其中該前驅物離型層組成物具有0.1：1至10：1之Si-H對烯基之比率。
實施例86係實施例1至85中任一者之方法，其中該前驅物離型層組成物具有0.7：1至2：1之Si-H對烯基之比率。
實施例87係實施例1至86中任一者之方法，其中該黏著劑剝離層包含一前驅物黏著劑組成物之一固化產物。
實施例88係實施例87之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含以下之至少一者：熱塑性材料，熱固性材料，單體，寡聚物，聚合物，可交聯聚合物，經交聯聚合物，橡膠，聚胺甲酸酯，聚異丁烯，矽烷，有機矽烷，矽氧烷，有機矽氧烷，氟矽酮，氟矽烷，氟有機矽烷，蟲膠，聚醯胺，矽基改質聚醯胺，聚酯，聚碳酸酯，聚胺基甲酸酯，胺甲酸酯，天然黏著劑，以環氧樹脂為基礎之黏著劑，以呋喃為基礎之黏著劑，以酚為基礎之黏著劑，以醛為基礎之黏著劑，脲-醛黏著劑，以丙烯酸為基礎之黏著劑，酚/酚甲醛/糠醇黏著劑，固化劑，催化劑，可固化以形成其等之任一者的前驅物，及其等之任一者的反應產物。
實施例89係實施例87至88中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物進一步包含以下之至少一者：有機氫矽烷，有機氫矽氧烷，有機烯基矽烷，及有機烯基矽氧烷。
實施例90係實施例87至89中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含以下之至少一者：非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷，線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷，線型(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基經取代有機聚矽氧烷，非線型氫有機聚矽氧烷，線型氫有機聚矽氧烷，及((C1-C20)烴基)氫矽倍半氧烷，其中該(C2-C20)烯基及(C1-C20)烴基係獨立地選定，經取代或未經取代，且係未經插入或經1、2、或3個基團插 入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。
實施例91係實施例87至90中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含具有下式之線型氫有機聚矽氧烷：(RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x，其中在每次出現時，RA係獨立地選自H及R1，至少一個RA係H，在每次出現時R1獨立地係經取代或未經取代(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，x係0至5,000。
實施例92係實施例91之方法，其中該線型氫有機聚矽氧烷具有下式：(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，其中R1係如上文定義的。
實施例93係實施例91至92中任一者之方法，其中該線型氫有機聚矽氧烷具有下式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-100(HMeSiO2/2)1-100。
實施例94係實施例91至93中任一者之方法，其中該線型氫有機聚矽氧烷具有下式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6。
實施例95係實施例87至94中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含具有下式之非線型氫有機聚矽氧烷：(RA 3SiO1/2)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z，其中在每次出現時，RA係獨立地選自H及R1，至少一個RA係H，在每次出現時R1獨立地係經取代或未經取代(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-， y及z獨立地係0至5,000，y及z之至少一者大於0，且w係1至1,000且x係0至5,000。
實施例96係實施例87至95中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含具有下式之線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷：(RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x，其中在每次出現時，RB係獨立地選自R1及R2，至少一個RB係R2，在每次出現時R1獨立地係經取代或未經取代(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出現時R2獨立地係經取代或未經取代(C2-C20)烯基，其係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，且x係0至5,000。
實施例97係實施例96之方法，其中該線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷具有下式：(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-5000，其中R1及R2係如上文定義的。
實施例98係實施例96至97中任一者之方法，其中該線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷具有下式：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100-3000。
實施例99係實施例96至98中任一者之方法，其中該線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷具有下式：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600。
實施例100係實施例87至99中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含具有下式之非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷：(RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z，其中在每次出現時，RB係獨立地 選自R1及R2，至少一個RB係R2，在每次出現時R1獨立地係經取代或未經取代(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出現時R2獨立地係經取代或未經取代(C2-C20)烯基，其係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，y及z獨立地係0至5,000，y及z之至少一者大於0，且w係1至1,000且x係0至5,000。
實施例101係實施例100之方法，其中該非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷具有下式：(R2R1 2SiO1/2)1-100(R1 3SiO1/2)1-100(SiO4/2)1-500，其中R1及R2係如上文定義的。
實施例102係實施例100至101中任一者之方法，其中該非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷具有下式：(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80。
實施例103係實施例100至102中任一者之方法，其中該非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷具有下式：((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)。
實施例104係實施例87至103中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含以下之至少一者：(R2R1 2SiO1/2)1-20(R1 2SiO2/2)10-300(SiO4/2)1-5，(R2R1 2SiO1/2)1-100(R1 2SiO2/2)5-200(SiO4/2)5-500，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)10-2000，(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)10-5000(R1 2SiO2/2)10-5000(R2R1SiO2/2)1-100，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)100-5000，(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200，(HR1 2SiO1/2)0.1-10(SiO4/2)0.1-5、其中單元下標 指示其莫耳比，(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200，(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)10-2000，及(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1、其中單元下標指示其莫耳比，且其中在每次出現時R1及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23、38、或43)中所定義的且R2係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43、96或100)中所定義的。
實施例105係實施例87至104中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含以下之至少一者：(R2R1 2SiO1/2)1-8(R1 2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2，(R2R1 2SiO1/2)5-20(R1 2SiO2/2)16-56(SiO4/2)25-85，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)75-225，(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)100-800(R1 2SiO2/2)400-2000(R2R1SiO2/2)2-30，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)400-1200，(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-6(HR1SiO2/2)3-9，(HR1 2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5、其中單元下標指示其莫耳比，(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80，(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)50-200，(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80，及(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1、其中單元下標指示其莫耳比，其中在每次出現時R1及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23、38、或43)中所定義的且R2係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43、96或100)中所定義的。
實施例106係實施例87至105中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含以下之至少一者：(R2R1 2SiO1/2)4(R1 2SiO2/2)120(SiO4/2)，(R2R1 2SiO1/2)11(R1 2SiO2/2)34(SiO4/2)55，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)150，(R2R1 2SiO1/2)(RfR1SiO2/2)300-600(R1 2SiO2/2)8001000(R2R1SiO2/2)5-15，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)600，(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)3-4(HR1SiO2/2)5-6，(HR1 2SiO1/2)1.58(SiO4/2)、其中單元下標指示其莫耳比，(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40，(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)100，及(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40， 及(HSiO3/2)0.01-0.5(R1SiO3/2)1-0.5、其中單元下標指示其莫耳比，其中在每次出現時R1及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23、38、或43)中所定義的且R2係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43、96或100)中所定義的。
實施例107係實施例87至106中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含以下之至少一者：非線型乙烯基二甲基矽氧基封端的聚二甲基矽氧烷，線型乙烯基二甲基矽氧基封端的聚二甲基矽氧烷，線型乙烯基二甲基矽氧基封端的聚(共-(氟(Cm)烷基)甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷-乙烯基甲基矽氧烷)，線型乙烯基二甲基矽氧基封端的聚二甲基矽氧烷，線型三甲基矽氧基封端的聚(共-二甲基矽氧烷-氫甲基矽氧烷)，氫二甲基矽氧基封端的矽氧烷，三甲基矽氧基封端的聚(共-(氟(Cm)烷基)甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷)，線型氫二甲基矽氧基封端的二甲基矽氧烷，線型三甲基矽氧基封端的聚(共-二甲基矽氧烷-氫甲基矽氧烷)，聚(共-氫矽倍半氧烷-((C1-C20)烷基)矽倍半氧烷)，及聚(共-氫矽倍半氧烷-((C6-C20)芳基)矽倍半氧烷)，其中各氟(Cm)烷基獨立地具有1至2m+1個氟基且m獨立地係1至20。
實施例108係實施例87至107中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含以下之至少一者：(ViMe2SiO1/2)1-8(Me2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2，(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)15-55(SiO4/2)25-85，(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)75-225，(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)100-800(Me2SiO2/2)400-2000(ViMeSiO2/2)2-30，(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)400-1200，(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-6(HMeSiO2/2)3-9，(HMe2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5、其中單元下標指示其莫耳比，(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)2-40(HMeSiO2/2)5-80，(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-200， (HSiO3/2)0001-1(MeSiO3/2)1.5-0.1、其中單元下標指示其莫耳比，及(HSiO3/2)0.001-1(C6H5SiO3/2)1.5-0.1、其中單元下標指示其莫耳比，其中在每次出現時Rf獨立地係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23、38、或43)中所定義的。
實施例109係實施例87至108中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含以下之至少一者：(ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)，(ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55，(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150，(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15，(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600，(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6，(HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)、其中單元下標指示其莫耳比，(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40，(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100，(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5、其中單元下標指示其莫耳比，及(HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5、其中單元下標指示其莫耳比，其中在每次出現時Rf獨立地係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23、38、或43)中所定義的。
實施例110係實施例87至109中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物具有0.1：1至10：1之Si-H對烯基之比率。
實施例111係實施例87至110中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物具有0.7：1至2：1之Si-H對烯基之比率。
實施例112係實施例87至111中任一者之方法，其中該前驅物黏著劑組成物包含以下之至少一者：界面活性劑，乳化劑，分散劑，聚合穩定劑，交聯劑，聚合物，聚合或交聯催化劑，流變改質劑，密度改質劑，氮丙啶穩定劑，固化改質劑，自由基起始劑，稀釋劑，酸受體，抗氧化劑，熱穩定劑，阻燃劑，清除劑，矽烷化劑，泡沫穩定劑，溶劑，矽 氫化反應性稀釋劑，塑化劑，填充劑，無機粒子，顏料，染料，乾燥劑，液體，具有每分子至少一個烯基或炔基之聚醚，增稠劑，穩定化劑，蠟，類蠟材料，矽酮，有機官能性矽氧烷，烷基甲基矽氧烷，矽氧烷樹脂，矽酮膠，矽酮甲醇流體，水溶性或水可分散性矽酮聚醚組成物，矽酮橡膠，矽氫化催化劑抑制劑，助黏劑，熱穩定劑，UV穩定劑，及流動控制添加劑。
實施例113係實施例1至112中任一者之方法，其中該黏著劑剝離層具有0.1μm至500μm之厚度。
實施例114係實施例1至113中任一者之方法，其中該固定係一顯示裝置加工中間物，其中該黏著劑剝離層係直接在該載體基材上而無需中介層。
實施例115係實施例1至114中任一者之方法，其中該固定提供一顯示裝置加工中間物，其中一助黏劑層係在該載體基材與該黏著劑剝離層之間。
實施例116係實施例115之方法，其中該助黏劑層包含一助黏劑前驅物組成物之一固化產物，該助黏劑前驅物組成物包含以下之至少一者：矽烷，有機矽烷，有機矽氧烷，有機鈦酸鹽，有機鋯酸鹽，鋯鋁酸酯(zirconoaluminate)，磷酸酯，丙烯酸或其鹽或酯，甲基丙烯酸或其鹽或酯，聚胺甲酸酯單體或寡聚物，乙烯基膦酸或其鹽或酯，乙烯基磺酸或其鹽或酯，及2-丙烯醯胺基-2-甲基丙烷磺酸或其鹽或酯。
實施例117係實施例115至116中任一者之方法，其中該助黏劑層包含一助黏劑前驅物組成物之一固化產物，該助黏劑前驅物組成 物包含矽烷或矽氧烷之至少一者，該矽烷或矽氧烷包含以下之至少一者：三烷氧基矽氧基，三烷氧基矽基烷基，氫矽基，烯基，環氧基官能基，胺基，鹵矽基，巰基矽基，及氟烷基矽基。
實施例118係實施例115至117中任一者之方法，其中該助黏劑層具有0.0001μm至500μm之厚度。
實施例119係實施例115至118中任一者之方法，其中在該助黏劑層與該載體基材之間、或在該助黏劑層與該黏著劑剝離層之間不存在中介層。
實施例120係實施例87至119中任一者之方法，其中該固定包含利用該前驅物黏著劑組成物及其間的該黏著劑剝離層之至少一者將該顯示裝置基材放置在該載體基材上。
實施例121係實施例87至120中任一者之方法，其進一步包含在該載體基材及該顯示裝置之至少一者上形成該黏著劑剝離層，之後再固定該顯示裝置基材。
實施例122係實施例121之方法，其中該形成包含將該前驅物黏著劑組成物放置在該載體基材及該顯示裝置基材之至少一者上，且固化該前驅物黏著劑組成物，以形成該前驅物黏著劑組成物之該固化產物。
實施例123係實施例122之方法，其中該放置包含使用噴塗、旋塗、下拉棒、刮刀、及浸漬之至少一者將該前驅物黏著劑組成物放置在該載體基材及該顯示裝置之至少一者上。
實施例124係實施例121至123中任一者之方法，其進一 步包含將一助黏劑層黏合至該載體基材，之後再於其上形成該黏著劑剝離層。
實施例125係實施例121至124中任一者之方法，其進一步包含將一助黏劑層黏合至該黏著劑剝離層，之後再將該載體基材固定至其。
實施例126係實施例1至125中任一者之方法，其進一步包含加工該顯示裝置基材。
實施例127係實施例126之方法，其中加工該顯示裝置基材包含以下之至少一者：洗滌、乾燥、形成膜、施加液體光阻劑、曝露於光、顯影(development)、蝕刻、阻劑移除、密封、氣相沉積、黏附處理、加熱、退火、照射、冷卻、以及在該顯示裝置基材上對以下之至少一者進行放置、形成、及改質之至少一者：半導體材料、半導體裝置、二極體、發光二極體、電晶體、電晶體陣列、電容器、傳導途徑、電路圖案、閘極線、資料線、電連接器、電極、透明電極、電絕緣體、電絕緣層、保護層、濾色器、液晶、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、鈍化層、電泳膜、及電子傳輸層。
實施例128係實施例1至127中任一者之方法，其進一步包含將該顯示裝置基材自該載體基材移除。
實施例129係實施例128之方法，其中該移除包含使用1g/cm至200g/cm之90度剝離力從該載體基材剝離該顯示裝置基材。
實施例130係實施例128至129中任一者之方法，其中該移除包含使用2g/cm至60g/cm之90度剝離力自該載體基材剝離該顯示裝 置基材。
實施例131係一種形成一顯示裝置或顯示裝置組件之方法，其包含實施例1至130中任一者之方法。
實施例132係一種顯示裝置或顯示裝置組件，其係由實施例1至131之方法形成。
實施例133係一種加工一顯示裝置基材之方法，該方法包含：利用一黏著劑剝離層及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層將該顯示裝置基材固定至一載體基材，其中該離型層包含一前驅物離型層組成物之一固化產物，該前驅物離型層組成物包含氟有機矽烷、線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷、及線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者；其中該氟有機矽烷具有式RNSiZ3，如實施例14中所定義的。在一些實施例中，該氟有機矽烷具有式RNSi(ORM)3，其中在每次出現時RM及RN係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例14)中所定義的。該線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000且該線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R1 2SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2、及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。
實施例134係一種顯示裝置加工中間物，其包含：一載體基材；一在該載體基材上之黏著劑剝離層；經由該黏著劑剝離層固定至該載體基材之一顯示裝置基材；及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層，該離型層包含一前驅物離型層之一固化產物，該前驅物離型層包含至少一氟矽化合物。
實施例135係實施例134之加工中間物，其在該載體基材與該黏著劑剝離層之間進一步包含一助黏劑層。
實施例136係一種顯示裝置加工中間物，其包含：一載體基材；一在該載體基材上之黏著劑剝離層；經由該黏著劑剝離層固定至該載體基材之一顯示裝置基材；及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層，該離型層包含一前驅物離型層之一固化產物，該前驅物離型層包含氟有機矽烷、線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷、及線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者；其中該氟有機矽烷具有式RNSiZ3，如實施例14中所定義的。在一些實施例中，該氟有機矽烷具有式RNSi(ORM)3，其中在每次出現時RM及RN係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例14)中所定義的。該線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000且該線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R1 2SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2、及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。
實施例137係實施例1至136之任一者或任何組合之設備或方法，其可選用地經組配以使得所敘述之所有元件或選項皆可供使用或選擇。
實施例138係如實施例1至137之任一者所述的離型層。
在本文件通篇，以範圍形式表示的數值應以彈性方式解讀，以包括不只是明示敘述為該範圍上下限的數值，同時亦包括該範圍內的所有個別數值或次範圍，如同各數值及次範圍係明示敘述。例如， 「0.1%至5%(0.1% to 5%)」或「0.1%至5%(0.1% to 5%)」之範圍應解讀為不只是包括0.1%至5%，而且亦包括所指示範圍內的個別值(例如，1%、2%、3%、及4%)及次範圍(例如，0.1%至0.5%、1.1%至2.2%、3.3%至4.4%)。
本文中所述之製造方法中，動作或步驟可以任何順序進行而不偏離本發明之原理，除非明示敘述或明確暗示時間上或操作上的順序。此外，特定動作可並行地進行，除非請求項文字明確敘述該等動作係分別進行。例如，進行步驟X的所請求動作與進行步驟Y的所請求動作可於單一操作中同時進行，且所得方法將落入所請求方法的文義範疇(literal scope)內。在一些態樣中，動作或步驟係以所記載之順序進行。
於本文件中，用語「一」、「一種」或「該」是用以涵蓋一或大於一，除非上下文另有清楚的相反指明。用語「或(or)」是用以表示非排他性的「或」，除非另有相反指明。述語「A及B之至少一者(at least one of A and B)」具有與「A、B、或A及B(A,B,or A and B)」相同的含義，其具有與A或B或A及B相同的含義。段落標題之任何使用意欲幫助文件之閱讀且不具限制性；與段落標題相關的資訊可出現於該特定段落之內或外。
如本文中所使用之用語「醯基(acyl)」係指形式上藉由自羧酸移除HO-基團所衍生之單價基團。該基團可係未經取代或經取代。
如本文中所使用之用語「烯基(alkenyl)」係指含有至少一個碳-碳雙鍵(C=C)之單價不飽和脂族基團。烯基可係直鏈、支鏈、或環狀。烯基可具有1或2個C=C。烯基可具有2至40個碳原子、或2至20個碳 原子、或2至12個碳原子、或，在一些實施例中，2至8個碳原子。實例包括但不限於：乙烯基、-CH=CH(CH3)、-CH=C(CH3)2、-C(CH3)=CH2、-C(CH3)=CH(CH3)、-C(CH2CH3)=CH2、環己烯基、環戊烯基、環己二烯基、丁二烯基、戊二烯基、及己二烯基等等。該基團可係未經取代或經取代。
如本文中所使用之用語「烷氧基(alkoxy)」係指單價飽和或不飽和脂族-O-基團，其中該脂族基團係非環狀或環狀。線型烷氧基之實例包括但不限於：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊基氧基、及己基氧基。分枝烷氧基之實例包括但不限於：異丙氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、異戊基氧基、及異己基氧基。環狀烷氧基之實例包括但不限於：環丙基氧基、環丁基氧基、環戊基氧基、及環己基氧基。烷氧基可包括1至12個、1至20個、或1至40個鍵結至氧原子的碳原子，且可進一步包括雙鍵或參鍵，且亦可包括雜原子。例如，烯丙基氧基或甲氧乙氧基亦係在本文中含義內的烷氧基，就如同處於結構之兩個相鄰原子在該等處係經取代之情況下的亞甲基二氧基。該基團可係未經取代或經取代。
如本文中所使用之用語「烷基(alkyl)」係指單價飽和烴基，其係直鏈、支鏈、或環狀，且具有1至40個碳原子、1至20個碳原子、1至12個碳、或，在一些實施例中，1至8個碳原子。直鏈烷基之實例包括具有1至8個碳原子者，諸如甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、及正辛基。分枝烷基之實例包括但不限於：異丙基、異丁基、二級丁基、三級丁基、新戊基、異戊基、及2,2-二甲基丙基。如本文中所使用，用語「烷基(alkyl)」涵蓋正烷基、異烷基、及反異烷基(anteisoalkyl)、以及其他支鏈形式的烷基。該基團可係未經取代或經取代。 代表性經取代烷基可經本文中所列舉之基團之任一者取代一或多次，例如，胺基、羥基、氰基、羧基、硝基、硫基、烷氧基、及鹵基。如本文中所使用之用語「伸烷基(alkylene)」表示烷二基，其中這兩個價可存在於在其中的任何兩個碳原子上。
如本文中所使用之用語「炔基(alkynyl)」係指含有至少一個碳-碳參鍵(C≡C)之單價不飽和脂族基團，且可係直鏈或支鏈。炔基可具有2至40個碳原子、2至20個碳原子、或2至12個碳、或，在一些實施例中，2至8個碳原子。實例包括但不限於：-C≡CH、-C≡C(CH3)、-C≡C(CH2CH3)、-CH2C≡CH、-CH2C≡C(CH3)、及-CH2C≡C(CH2CH3)等等。該基團可係未經取代或經取代。
「可替代地(alternatively)」應表示獨立的實施例。
如本文中所使用之用語「胺(amine)」係指形式上藉由利用烴基獨立地置換氨上之1、2、或3個氫原子以從氨(NH3)衍生之化合物。胺可係一級胺、二級胺、及三級胺，其具有例如式N(基團)3，其中各基團可獨立地係H或非H，諸如烷基、及芳基。胺包括但不限於R-NH2，例如，烷基胺、芳基胺、烷基芳基胺；R2NH，其中各R係經獨立地選擇，諸如二烷基胺、二芳基胺、芳烷基胺、及雜環基胺(heterocyclylamines)；及R3N，其中各R係經獨立地選擇，諸如三烷基胺、二烷基芳基胺、烷基二芳基胺、及三芳基胺。R可係未經取代或經取代。
如本文中所使用之用語「芳基(aryl)」係指單價碳環芳族烴基。因此，芳基包括但不限於：苯基、薁基、并環庚三烯基、聯苯基、二環戊二烯并苯基、茀基、菲基、聯三伸苯基(triphenylenyl)、芘基、稠四苯 基、
Figure 106113852-A0202-12-0031-3
基(chrysenyl)、伸聯苯基、蒽基、及萘基。在一些實施例中，芳基在基團之環部分中含有6至14個碳。芳基可係未經取代或經有機基團或非含碳基團取代，如本文中所定義。該基團可係未經取代或經取代。代表性經取代芳基可係經單次取代或經多於一次取代，諸如，但不限於，在苯環之2位、3位、4位、5位、或6位之任一或多處經取代之苯基，或在其2位至8位之任一或多處經取代之萘基。
「可(can或may)」賦予經允許之選擇，而非必要。
如本文中所使用之用語「塗層(coating)」或「膜(film)」係指連續或不連續的材料層。層可係獨立式(free standing)或設置在物品之表面上。材料層可穿透物品之表面，且可填充諸如細孔之區域，其中材料層可具有任何三維形狀，包括平坦或彎曲平面。在一個實例中，塗層可藉由浸沒於塗層材料浴中來形成在一或多個表面上，該等表面之任一者可係多孔或非多孔的。
如本文中所使用之用語「烴(hydrocarbon)」係指一種分子，其可係未經取代且由碳原子及氫原子組成，或可係經取代且包括碳原子及氫原子以及至少一個選自鹵素、N、O、S、P、及Si之雜原子。
如本文中所使用，用語「烴基(hydrocarbyl)」係指形式上從直鏈、分枝、或環狀烴藉由從其等移除一氫原子所衍生之單價官能基，且可係烷基、烯基、炔基、芳基、環烷基、醯基、或其任何組合。烴基可顯示為(Ca-Cb)烴基，其中a及b係整數且意指具有a至b之任一者的碳原子數。例如，(C1-C4)烴基意指烴基可係甲基(C1)、乙基(C2)、丙基(C3)、或丁基(C4)。(C0-Cb)烴基意指在某些實施例中不存在烴基。
當應用於在主鏈原子處具有自由基的單價基團時，用語「插入(interrupted)」意指(i)或(ii)：(i)在具有1個主鏈原子之單價基團中，該主鏈原子因此具有自由基：插入意指形式上插入在該1個主鏈原子與該自由基之間(例如，二價插入基團Q，其形式上插入在H3C-中以給出H3C-Q-)；或(ii)在具有2或更多個主鏈原子的單價基團中，其中自由基位在該等主鏈原子之任一者上：插入意指形式上插入在主鏈原子與自由基之間(例如，如上文)或插入在主鏈原子之任何兩者之間(例如，二價插入基團Q，其形式上插入在H3C-CH2-中以給出H3C-Q-CH2-)。一般而言，經插入之各單價基團可獨立地由以下插入：1、2、或3個插入基團Q；可替代地1或2個插入基團Q；可替代地2或3個插入基團Q；可替代地1個插入基團Q；可替代地2個插入基團Q；可替代地3個插入基團Q。當存在2或3個Q基團時，其等一般不彼此直接鍵結(即，具有2或3個插入基團Q之經插入單價基團可不含Q-Q基團)。各經插入單價基團可獨立地如本文中其它地方所述來定義(例如，經插入烴基或經插入(C2-C20)烯基)。各插入基團Q可獨立地如本文中其它地方針對插入基團所述來定義(例如，-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、或-Si((C1-C5)烷基)2-)。用語「經插入」可以如上文所述之類似方式應用於分子或多價基團。用語「未經插入(uninterrupted)」意指不含(缺乏)二價插入基團Q(即，0個Q)。
用語「線型(linear)」意指缺乏或不含分枝點。例如，線型聚矽氧烷(例如，線型氫有機聚矽氧烷及線型烯基官能性有機聚矽氧烷)在其主鏈中不具有(即，具有0個)分枝點。因此，其主鏈僅由M單元 (例如，R1 3SiO1/2、HR1 2SiO1/2、或Me3SiO1/2)及D單元(例如，R1 2SiO2/2、HR1SiO2/2、或Me2SiO2/2)所組成。
用語「非線型(non-linear)」意指具有至少一個分枝點。例如，非線型聚矽氧烷(例如，非線型氫有機聚矽氧烷及非線型烯基官能性有機聚矽氧烷)在其主鏈中具有至少一個分枝點。各分枝點可獨立地係T單元(例如，R1SiO3/2、R2SiO3/2、或HSiO3/2)或Q單元(SiO4/2)，其根據情況而定。非線型聚矽氧烷可(可替代地可不)進一步具有M單元及/或D單元，其根據情況而定。
如本文中所使用之用語「數均分子量」(Mn)係指樣本中單個分子之分子量之普通算術平均數。其定義為樣本中所有分子之總重量除以樣本中分子之總數。在實驗上，Mn係藉由透過式Mn=Σ Mini/Σ ni對樣本進行分析來判定，該樣本係劃分成物種i之分子量分率，其具有ni個分子量為Mi之分子。Mn可藉由多種眾所周知的方法測量，包括凝膠滲透層析術、光譜末端基分析、及滲壓測定法。測量可使用已知Mn之聚苯乙烯標準品。若未指定，本文中所給出的聚合物分子量係數量平均分子量。
如本文中所使用之用語「寡聚物」係指具有中間相對分子質量之分子，其結構基本上包括實際或概念上衍生自具有更低相對分子質量之分子的2至4個重複單元(例如，具有較少重複單元之單體或寡聚物)。具有中等相對質量的分子可以是所具有的性質會隨一或幾個單元之移除而變化的分子。由移除多個單元之一所產生的性質變化可以是顯著變化。
如本文中所使用之用語「有機基團(organic group)」係指任 何單價或多價含碳官能基。各有機基團可獨立地係未經取代，可替代地未經取代。例如，含氧基團，諸如烷氧基、芳基氧基、芳烷基氧基、側氧基(羰基)、羧基(包括羧酸、羧酸鹽、及羧酸酯)；含硫基團，諸如烷基及芳基硫化物基團；及其他含雜原子基團。有機基團之非限定實例包括：OR、OOR、OC(O)N(R)2、CN、CF3、OCF3、R、C(O)、亞甲二氧基、伸乙二氧基、N(R)2、SR、SOR、SO2R、SO2N(R)2、SO3R、C(O)R、C(O)C(O)R、C(O)CH2C(O)R、C(S)R、C(O)OR、OC(O)R、C(O)N(R)2、OC(O)N(R)2、C(S)N(R)2、(CH2)0-2N(R)C(O)R、(CH2)0-2N(R)N(R)2、N(R)N(R)C(O)R、N(R)N(R)C(O)OR、N(R)N(R)CON(R)2、N(R)SO2R、N(R)SO2N(R)2、N(R)C(O)OR、N(R)C(O)R、N(R)C(S)R、N(R)C(O)N(R)2、N(R)C(S)N(R)2、N(COR)COR、N(OR)R、C(=NH)N(R)2、C(O)N(OR)R、C(=NOR)R、及經取代或未經取代之(C1-C100)烴基，其中R可係氫(在包括其他碳原子的實例中)或以碳為基礎的基團，且其中該以碳為基礎的基團可係經取代或未經取代。
有機矽氧烷可含有不同類型的單元，其等之至少一者含有矽鍵結有機基團(Si-C)。含甲基之矽氧烷單元係[(CH3)3SiO1/2]、[(CH3)2SiO2/2]、及[(CH3)SiO3/2]，其等有時分別縮寫為M、D、及T，即，不具有上標。另一種類型的有機矽氧烷單元係[SiO4/2]，其縮寫為Q。其他類型的有機矽氧烷單元係含有至少出現一次取代甲基的原子或基團的M、D、及T單元。例如，[(CH3)3SiO1/2]單元中之1、2、或3個甲基；[(CH3)2SiO2/2]單元中之1或2個甲基；及[(CH3)SiO3/2]單元中之1個甲基可獨立地經原子(諸如H或鹵素)、無機基團(諸如羥基)、或除甲基之外的有 機基團置換。此類含有(一或多個)取代甲基的置換原子或基團的M、D、及T單元有時藉由將該(一或多個)置換原子或基團寫在各別M、D、或T字母上方的上標中來縮寫。經置換的甲基數目係藉由經上標之基團之數目來表示。例如，MVi表示具有一個乙烯基(Vi)及兩個甲基的M單元(即，[Vi(CH3)2SiO1/2])，而M2Vi表示具有兩個乙烯基及一個甲基的M單元(即，[Vi2(CH3)SiO1/2])。類似地，DH表示具有一個氫原子及一個甲基的D單元(即，[H(CH3)SiO2/2])，而DH,Ph表示具有0個甲基、一個H原子、及一個苯基的D單元(即，[H(Ph)SiO2/2])。TOAlk表示具有0個甲基及一個烷氧基的T單元(即，[AlkOSiO3/2])，其中AlkO及OAlk表示相同的烷氧基。
如本文中所使用，用語「聚合物(polymer)」係指具有至少五個重複單元的分子，且可包括均聚物及互聚物諸如共聚物。
除非另以化學命名法或價要求來指示，否則本文中之各「R」基團係單價基團。「R」基團之實例係R、R1、R2、RA、RB、及Rf。
如本文中所使用之用語「樹脂」係指具有任何黏度之聚矽氧烷材料，其包括一種分子，該分子包括至少四個矽氧烷單元，其中至少一個矽氧烷單元經由Si-O-Si鍵來鍵結至三或四個其他矽氧烷單元。在一個實例中，聚矽氧烷材料包括大部分T單元及/或Q單元，如本文中所定義。
如本文中所使用之用語「溶劑(solvent)」係指可溶解固體、液體、或氣體的液體。溶劑之非限定實例係矽酮流體、具有30°至300℃之沸點的有機化合物(諸如醇)、水、離子液體、及超臨界流體。在本文中之一具體混合物實施例中，溶劑可(可替代地可不)完全溶解一特定成 分。不完全溶解一特定成分的溶劑可用作載劑、稀釋劑、分散劑、承載介質(hosting medium)、或上清液。
如本文中所使用之用語「實質上(substantially)」係指大部分、或絕大多數，如以至少60%、70%、80%、90%、95%、96%、97%、98%、99%、99.5%、99.9%、99.99%、或99.999%；可替代地100%。
如本文中連同如本文中所定義之分子或有機基團一起所使用之用語「經取代(substituted)」係指該分子或有機基團中所含有之一或多個氫原子係由一或多個非氫原子所置換的狀況。如本文中所使用之用語「官能基(functional group)」或「取代基(substituent)」係指可取代或經取代至分子或有機基團上的基團。取代基或官能基之實例包括但不限於：鹵素(例如，F、Cl、Br、及I；可替代地係F、Cl、或Br；可替代地係F或Cl；可替代地Cl或Br；可替代地係F；可替代地Cl)；在諸如羥基、烷氧基、芳基氧基、芳烷基氧基、側氧基(羰基)、羧基(包括羧酸、羧酸鹽、及羧酸酯)之基團中之氧原子；在諸如硫醇基團、烷基及芳基硫化物基團、亞碸基團、碸基團、磺醯基、及磺醯胺基團之基團中之硫原子；在諸如胺、羥胺、腈、硝基、N-氧化物、醯肼、疊氮化合物、及烯胺之基團中之氮原子；及在各種其它基團中之其它雜原子。可鍵結至經取代之碳(或其它)原子的取代基之非限定實例包括：F、Cl、Br、I、OR、OC(O)N(R)2、CN、NO、NO2、ONO2、疊氮基、CF3、OCF3、R、O、=O(側氧基)、S(硫羰基)、C(O)、S(O)、亞甲二氧基、伸乙二氧基、N(R)2、SR、SOR、SO2R、SO2N(R)2、SO3R、C(O)R、C(O)C(O)R、C(O)CH2C(O)R、C(S)R、C(O)OR、OC(O)R、C(O)N(R)2、OC(O)N(R)2、C(S)N(R)2、(CH2)0-2 N(R)C(O)R、(CH2)0-2N(R)N(R)2、N(R)N(R)C(O)R、N(R)N(R)C(O)OR、N(R)N(R)CON(R)2、N(R)SO2R、N(R)SO2N(R)2、N(R)C(O)OR、N(R)C(O)R、N(R)C(S)R、N(R)C(O)N(R)2、N(R)C(S)N(R)2、N(COR)COR、N(OR)R、C(=NH)N(R)2、C(O)N(OR)R、及C(=NOR)R，其中R可係氫或以碳為基礎的基團；例如，R可係氫、(C1-C100)烴基、烷基、醯基、環烷基、芳基、芳烷基、雜環基、雜芳基、或雜芳基烷基；或其中，鍵結至氮原子或相鄰氮原子的兩個R基團可連同該氮原子或該等氮原子一起形成雜環基。在該等取代基中，各R獨立地係未經取代或經F取代。
如本文中所使用「Vi」表示乙烯基，-CH2=CH2。如本文中所使用，「Me」表示甲基，-CH3。「Ph」意指苯基C6H5-。
任何化合物包括其所有「同位素形式(Isotopic forms)」，該等形式包括天然豐度同位素、同位素濃化同位素、及其混合物。在一些態樣中，同位素形式係天然豐度同位素、可替代地係同位素濃化同位素。含矽化合物的同位素濃化形式具有大於天然豐度量的氘、氚、29Si、30Si、32Si、或其任二或更多者之組合。化合物的同位素濃化形式可具有其它用途，其中該同位素濃化化合物或自其製造或合成之同位素濃化材料的偵測會有所助益。此類用途的實例係醫學研究和防偽應用。
在一些態樣中，任何組成物可不含以下化學元素之一或多者：(i)來自第2至13及18族中任一者之至少一種化學元素，包括鑭系元素及錒系元素；(ii)元素週期表第三至第六列中任一者之至少一種化學元素，包括鑭系元素及錒系元素；或(iii)(i)及(ii)兩者，但不排除Si、O、H、C、N、鹵素、本文中他處所述任何催化劑之金屬。在一些態樣中，任何組 成物不含原子序係下列任一者的化學元素：2、3、4、5、7、10、11、12、13、15、16、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63、64、65、66、67、68、69、70、71、72、73、74、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、93、94、95、96、97、98、99、100、101、102、103、104、105、106、107、108、109、110、111、112、113、114、及116，但以本文中他處所述任何催化劑之金屬為例外。「化學元素(chemical element)」或「原子(atom)」、化學元素之族、或元素週期表意指由IUPAC所公開、版本日期為2013年5月1日之化學元素、(一或多個)族、及元素週期表；參見iupac.org/reports/periodic_table/。
在係為具有帶正電相對離子的鹽的化合物中，相對離子可係任何合適的帶正電相對離子。例如，相對離子可係銨(NH4 +)、或鹼金屬諸如鈉(Na+)、鉀(K+)、或鋰(Li+)。在一些實施例中，相對離子可具有大於+1的正電荷，其在一些實施例中可錯合至多個離子化基團，諸如Zn2+、Al3+、或鹼土金屬諸如Ca2+或Mg2+。
在各種實施例中係一種加工一顯示裝置基材之方法。該方法包括利用一黏著劑剝離層及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層將該顯示裝置基材固定至一載體基材。該離型層包括一前驅物離型層組成物之一固化產物。該前驅物離型層組成物包括至少一氟矽化合物。
在各種實施例中係一種加工一顯示裝置基材之方法。該方法包括利用一黏著劑剝離層及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層將該顯示裝置基材固定至一載體基材。該離型層包括一前驅物離型層組成物之一固化產物。該前驅物離型層組成物包括氟有機矽烷、線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷、及線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者。該氟有機矽烷具有式RNSiZ3，如實施例14中所定義的。在一些實施例中，該氟有機矽烷具有式RNSi(ORM)3，其中RN及RM係如本文中所定義的(例如，實施例14)。該線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000。該線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R1 2SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000。R1、R2、及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。
在各種實施例中係一種顯示裝置加工中間物。該顯示裝置加工中間物包括一載體基材。該顯示裝置加工中間物包括一在該載體基材上之黏著劑剝離層。該顯示裝置加工中間物包括經由該黏著劑剝離層固定至該載體基材之一顯示裝置基材。該顯示裝置加工中間物亦包括介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層，該離型層包括一前驅物離型層之一固化產物，該前驅物離型層包括至少一氟矽化合物。
在各種實施例中係一種顯示裝置加工中間物。該顯示裝置加工中間物包括一載體基材。該顯示裝置加工中間物包括一在該載體基材上之黏著劑剝離層。該顯示裝置加工中間物包括經由該黏著劑剝離層固定至該載體基材之一顯示裝置基材。該顯示裝置加工中間物亦包括介於該黏 著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層，該離型層包括一前驅物離型層之一固化產物，該前驅物離型層包括氟有機矽烷、線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷、及線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者。該氟有機矽烷具有式RNSiZ3，如實施例14中所定義的。在一些實施例中，該氟有機矽烷具有式RNSi(ORM)3，其中RN及RM係如本文中所定義的(例如，實施例14)。該線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000。該線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R1 2SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000。R1、R2、及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。
在各種實施例中係優於用於加工顯示裝置基材之現存方法的某些優點，其中該等現存方法包括將該顯示裝置基材安裝在一載體上。例如，在一些實施例中，相較於現有方法，該方法可更能夠承受在某些製程期間所使用的嚴苛的化學處理(例如，對數酸解離常數pKa
Figure 106113852-A0202-12-0040-4
3的酸)或升溫(例如，
Figure 106113852-A0202-12-0040-5
200℃)。在一些實施例中，該方法可在某些製程期間比現有方法更牢固地保持顯示裝置基材。一些現有安裝方法允許在載體與顯示基材之間有較大量的相對運動，或允許顯示基材有較大量的撓曲，從而導致顯示基材上電子組件之錯位。在各種實施例中，相較於現有的方法，本發明方法可允許更容易地從載體移除顯示基材，例如利用較小剝離力。由於在製造期間顯示基材相對於載體的移動、或由於在安裝、製造、或移除期間對顯示基材的損壞所造成的失效，可能代表整個製造線停工。在各種實施例中係一種加工一顯示裝置基材之方法，其失效率低於現有方法。
在一些實施例中，在從載體移除顯示裝置基材之後，載體 可重複使用數次，而不必大量的回收程序。在一些實施例中，與現有方法所需的外來裝備或化學品形成對比，可在輕微修改或無修改之情況下使用習知裝備及化學品進行該方法。
顯示裝置基材可包括可形成為用於顯示裝置之組件的任何合適材料。載體基材可係任何合適材料，只要使得該方法可如本文中所述進行。在各種實施例中，載體基材包括或係與顯示裝置基材相同的材料。在一些實施例中，顯示裝置基材及載體基材獨立地包括矽酸鹽玻璃、矽(例如，矽晶圓)、陶瓷、塑膠(例如，熱塑性有機或矽酮聚合物)、金屬(例如，鋼、銅)、或其組合。顯示裝置基材及載體基材可獨立地係經處理之基材，其上已進行任何合適的一或多種化學處理或物理處理，使得該顯示裝置基材及/或載體基材在其上獨立地包括一或多個塗層或加工中間物，或包括具有任何合適形貌的表面，諸如光滑表面、經拋光之表面、或經紋理化之表面。在一些實施例中，該顯示裝置基材及/或載體基材可具有未經塗佈且未經處理之原生表面。顯示裝置基材可具有可撓性或剛性。顯示裝置基材可具有任何合適之厚度，諸如1nm至5mm、1nm至0.5mm、或1nm至100μm、或多於5mm。載體基材可具有任何合適量的剛性，使得顯示裝置基材可在加工及隨後從載體基材移除期間被牢固地固持。載體基材可具有任何合適之厚度，使得該方法可如本文中所述進行。例如，載體基材可具有如0.1mm至1,000mm、或小於0.1mm、或0.2mm至500mm、或多於1,000mm之厚度。在各種實施例中，載體基材及顯示裝置基材可包括或可係具有類似線性膨脹係數的材料，諸如相差不大於150×10-7/℃或更小、50×10-7/℃或更小、或不大於1×10-10/℃或更小、或不大於1×10-9/ ℃、1×10-8/℃、1×10-7/℃、1×10-6/℃、1×10-5/℃、1×10-4/℃、1×10-3/℃、1×10-2/℃、或1×10-1/℃。
顯示裝置基材可包括任何合適之顯示裝置加工前驅物，該顯示裝置加工前驅物可經加工以形成以下之至少一者之顯示裝置組件：發光二極體顯示器(LED)、電致發光顯示器(ELD)、電子紙顯示器、電漿顯示面板(PDP)、液晶顯示器(LCD)、高性能定址顯示器(HPA)、薄膜電晶體顯示器(TFT)、有機發光二極體顯示器(OLED)、表面傳導電子發射顯示器(SED)、雷射TV顯示器、碳奈米管顯示器、量子點顯示器、及干涉調變器顯示器(IMOD)。
黏著劑剝離層可具有任何合適之厚度，使得該方法可如本文中所述進行。在一些實施例中，黏著劑剝離層可具有0.1μm至500μm、5μm至150μm、10μm至100μm、或大於500μm之厚度。
經由黏著劑剝離層將顯示裝置基材固定至載體基材可以是任何合適之固定。該固定可包括使顯示裝置基材與黏著劑剝離層及前驅物黏著劑組成物之至少一者接觸。該接觸可使用各種方式進行，諸如利用滾筒或壓機來進行壓力黏合，在適於達成將顯示裝置基材黏附至黏著劑剝離層之條件下進行，諸如真空(例如，以移除空氣且防止氣泡)，及可選地利用熱、光、或照射(例如，以固化該前驅物黏著劑組成物)來進行。藉由在真空下進行壓力黏合，即使殘留一些氣泡，在加熱期間氣泡之生長也會減少或消除，從而避免或減少經層壓之載體基材及顯示裝置基材形成變形缺陷。在一些實施例中，黏著劑剝離層係在使顯示顯示裝置基材與黏著劑剝離層接觸之前、可替代地之後、可替代地之前及之後固化。載體基 材、顯示裝置基材、或兩者可在進行固定之前，諸如在使任一基材與黏著劑剝離層或前驅物黏著劑組成物接觸之前經過洗滌。
該方法可包括在載體基材及顯示裝置之至少一者上形成黏著劑剝離層，之後再將顯示裝置基材固定至載體基材。該形成可包括將前驅物黏著劑組成物放置在載體基材及顯示裝置基材之至少一者上，且固化前驅物黏著劑組成物，以形成其固化產物。將前驅物黏著劑組成物放置在載體基材及顯示裝置基材之至少一者上可發生在將顯示裝置基材固定至載體基材之前。將前驅物黏著劑組成物放置在載體基材及顯示裝置之至少一者上可包括任何合適之方法，諸如使用噴塗、旋塗、下拉棒、刮刀、及浸漬之至少一者。
固化前驅物黏著劑組成物以形成黏著劑剝離層可在將顯示裝置基材固定至載體基材之前、期間、及/或之後進行。如本文中所使用之用語「固化(cure)」係指將預聚合物或聚合物轉化成較高分子質量之聚合物，接著再轉化成網狀結構。固化可包含將前驅物黏著劑組成物曝露於任何形式的照射、加熱、或讓其進行物理或化學反應，以導致硬化或在25℃所測得之動態黏度增加。在一些實施例中，前驅物黏著劑組成物之固化可係任何合適之固化，諸如自由基固化、縮合固化、加成固化(例如，矽氫化)、任何合適之交聯反應、或其組合。固化可包括施加光(例如，可見光、紅外光、紫外光)、熱(例如，40℃或更低、或50℃至500℃，例如，80℃至300℃、或120℃至250℃，持續合適的時間，諸如1分鐘或更少、或2分鐘至120分鐘)、照射(例如，電子束、γ射線、X射線)、或其組合。
在各種實施例中，經由黏著劑剝離層將顯示裝置基材固定至載體基材可提供一顯示裝置加工中間物，其中黏著劑剝離層係直接在載體基材及/或顯示裝置基材上，而其間無需中介層。在其他實施例中，在黏著劑剝離層與載體基材之間可形成或可存在一或多個額外中介層，諸如助黏劑層及/或離型層。在一些實施例中，在黏著劑剝離層與顯示裝置基材之間可存在一或多個額外中介層，諸如離型層。在一些實施例中，顯示裝置加工中間物可在黏著劑剝離層與載體基材之間含有助黏層及在黏著劑剝離層與顯示裝置基材之間含有離型層。
在一些實施例中，載體基材及顯示裝置基材之固定可包括在包括助黏劑層的載體基材或顯示裝置基材上形成黏著劑剝離層。在一些實施例中，載體基材及顯示裝置基材之固定可包括將助黏劑層黏合至載體基材，之後再於載體基材或顯示裝置基材上形成黏著劑剝離層。該固定可提供一顯示裝置加工中間物，其中一助黏劑層係在載體基材與黏著劑剝離層之間。在一些實施例中，1)助黏劑層與載體基材之間、2)助黏劑層與黏著劑剝離層之間、或3)其組合不存在中介層。
在一些實施例中，載體基材及顯示裝置基材之固定可包括經由離型層將顯示裝置基材固定至黏著劑剝離層，其中在固定之前離型層即在黏著劑剝離層上或在顯示裝置基材上。在一些實施例中，載體基材及顯示裝置基材之固定可包括將離型層黏合至顯示裝置基材或將離型層黏合至黏著劑剝離層。該固定可提供一顯示裝置加工中間物，其中一離型層係在顯示裝置基材與黏著劑剝離層之間。在一些實施例中，1)離型層與顯示裝置基材之間、2)離型層與黏著劑剝離層之間、或3)其組合不存在中介 層。
在一些實施例中，該方法不含顯示裝置基材之加工。在一些實施例中，該方法可包括加工顯示裝置基材。顯示裝置基材之加工可包括任何合適之加工，諸如以下之至少一者：洗滌、乾燥、形成膜、施加液體光阻劑、曝露於光、顯影、蝕刻、阻劑移除、密封、氣相沉積、黏附處理、加熱、退火、照射、冷卻、以及在該顯示裝置基材上對以下之至少一者進行放置、形成、及改質之至少一者：半導體材料、半導體裝置、二極體、發光二極體、電晶體、電晶體陣列、電容器、傳導途徑、電路圖案、閘極線、資料線、電連接器、電極、透明電極、電絕緣體、電絕緣層、保護層、濾色器、液晶、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、鈍化層、電泳膜、及電子傳輸層。
在各種實施例中，該方法可包括從載體基材移除顯示裝置基材。移除可發生在加工顯示裝置基材之前、可替代地之後。移除可以任何合適之方式進行，使得顯示裝置基材從載體基材移除。移除可包括將顯示裝置基材從載體基材移除，使得在移除之後實質上無黏著劑剝離層黏附至顯示裝置基材，且使得在移除之後實質上無任何其他層(例如，離型層)黏附至顯示裝置基材。移除可包括將顯示裝置基材從載體基材移除，使得在移除之後實質上無黏著劑剝離層黏附至顯示裝置基材，其中在移除之後另一層(例如，離型層)之全部或部分係黏附至顯示裝置基材。
移除可包括物理移除(諸如剝離)、化學移除(諸如利用酸或鹼處理)、或其組合。黏著劑剝離層及任何其他層係以可達成下列之方式形成，即足以將顯示裝置基材從載體基材移除的90度剝離力可以是每 公分1公克(g/cm)至200g/cm、2g/cm至60g/cm、或1g/cm或更小、或100g/cm至200g/cm。長度表示顯示裝置基材及載體基材在移除位置處的重疊及黏附部分之寬度。
在一些實施例中，該方法可包括諸如在移除之後，形成一顯示裝置或顯示裝置組件。在其他實施例中，該方法可在不形成顯示裝置或顯示裝置組件之情況下進行。
前驅物黏著劑組成物可包括適於固化以形成黏著劑剝離層之任一或多種組分。在各種實施例中，前驅物黏著劑組成物包括有機氫矽烷、有機氫矽氧烷、有機烯基矽烷、及有機烯基矽氧烷之至少一者。前驅物黏著劑組成物可包括以下之至少一者：非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷，線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷，線型(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基經取代有機聚矽氧烷，非線型氫有機聚矽氧烷，線型氫有機聚矽氧烷，及((C1-C20)烴基)氫矽倍半氧烷，其中該(C2-C20)烯基及(C1-C20)烴基係獨立地選定，經取代或未經取代，且係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。
前驅物黏著劑組成物可包括具有下式之線型氫有機聚矽氧烷：(RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x。在每次出現時，RA可係獨立地選自H及R1，其中R1係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23)中所定義的。在線型氫有機聚矽氧烷中之至少一個RA可係H，包括側鏈Si-H、末端Si-H、或其組合。基團R1可係(C1-C20)烴基。基團R1可係(C1-C5)烷基。基團R1可係甲基。下標x可係0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、1至200。線 型氫有機聚矽氧烷可具有下式：(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，其中R1係如上文所定義的。
線型氫有機聚矽氧烷可具有下式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-100(HMeSiO2/2)1-100。線型氫有機聚矽氧烷可具有下式：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6。
前驅物黏著劑組成物可包括具有下式之非線型氫有機聚矽氧烷：(RA 3SiO1/2)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z。在每次出現時，RA可係獨立地選自H及R1，其中R1係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例23)中所定義的。在非線型氫有機聚矽氧烷中之至少一個RA可係H，包括側Si-H、末端Si-H、或其組合。基團R1可係(C1-C20)烴基。基團R1可係(C1-C5)烷基。基團R1可係甲基。下標y及z可獨立地係0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。y及z之至少一者可大於0。下標w及x可獨立地係0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。
前驅物黏著劑組成物可包括具有下式之線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷：(RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x。在每次出現時，RB可係獨立地選自R1及R2，其中R1及R2係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。在線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷中之至少一個RB可係R2，包括側鏈Si-R2、末端Si-R2、或其組合。基團R1可係(C1-C20)烴基。基團R1可係(C1-C5)烷基。基團R1可係甲基。基團R2可係(C2-C20)烯基。基團R2可係乙烯基。下標x可係0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷可具有下式： (R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-5000，其中R1及R2係如上文所定義的。
線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷可具有下式：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100-3000。線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷可具有下式：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600。
前驅物黏著劑組成物可包括具有下式之非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷：(RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z。在每次出現時，RB可係獨立地選自R1及R2，其中R1及R2係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。在非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷中之至少一個RB可係R2，包括側鏈Si-R2、末端Si-R2、或其組合。基團R1可係(C1-C20)烴基。基團R1可係(C1-C5)烷基。基團R1可係甲基。基團R2可係(C2-C20)烯基。基團R2可係乙烯基。下標y及z可獨立地係0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。y及z之至少一者可大於0。下標w及x可獨立地係0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷可具有下式：(R2R1 2SiO1/2)1-100(R1 3SiO1/2)1-100(SiO4/2)1-500，其中R1及R2係如上文所定義的。
非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷可具有下式：(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80。非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷可具有下式：((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)。
在各種實施例中，前驅物黏著劑組成物包括以下之至少一者：(R2R1 2SiO1/2)1-20(R1 2SiO2/2)10-300(SiO4/2)1-5，(R2R1 2SiO1/2)1-100(R1 2SiO2/2)5-200(SiO4/2)5-500，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)10-2000，(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)10-5000(R1 2SiO2/2)10-5000(R2R1SiO2/2)1-100， (R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)100-5000，(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200，(HR1 2SiO1/2)01-10(SiO4/2)0.1-5、其中單元下標指示其莫耳比，(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200，(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)10-2000，及(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1、其中單元下標指示其莫耳比。在每次出現時R1、R2、及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。基團R1可係(C1-C20)烴基。基團R1可係(C1-C5)烷基。基團R1可係甲基。基團R2可係(C2-C20)烯基。基團R2可係乙烯基。在一些實施例中，Rf係(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。在一些實施例中，Rf係(全氟丁基)乙基。在一些實施例中，前驅物黏著劑組成物包括以下之至少一者：(R2R1 2SiO1/2)1-8(R1 2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2，(R2R1 2SiO1/2)5-20(R1 2SiO2/2)16-56(SiO4/2)25-85，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)75-225，(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)100-800(R1 2SiO2/2)400-2000(R2R1SiO2/2)2-30，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)400-1200，(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)1-6(HR1SiO2/2)3-9，(HR1 2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5、其中單元下標指示其莫耳比，(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80，(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)50-200，(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80，及(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1、其中單元下標指示其莫耳比，且其中R1、R2及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。在一些實施例中，前驅物黏著劑組成物包括以下之至少一者：(R2R1 2SiO1/2)4(R1 2SiO2/2)120(SiO4/2)，(R2R1 2SiO1/2)11(R1 2SiO2/2)34(SiO4/2)55，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)150，(R2R1 2SiO1/2)(RfR1SiO2/2)300-600(R1 2SiO2/2)800-1000(R2R1SiO2/2)5-15，(R2R1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)600，(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)3-4(HR1SiO2/2)5-6，(HR1 2SiO1/2)1.58(SiO4/2)、其中單元下標指示其莫耳比，(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40，(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)100，及(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40，及(HSiO3/2)0.01-0.5(R1SiO3/2)1-0.5、其中該單元下標指示其莫耳比，且其中R1、R2 及Rf係如本文中任何恰當實施例(例如，實施例43)中所定義的。
在一些實施例中，前驅物黏著劑組成物、助黏劑前驅物組成物、及離型層組成物之至少一者包括以下之至少一者：熱塑性材料、熱固性材料、可聚合單體、可聚合或可交聯低聚物、聚合物、可交聯聚合物、經交聯聚合物、天然橡膠或合成橡膠、聚胺甲酸酯、聚異丁烯、矽烷、有機矽烷、矽氧烷、有機矽氧烷、氟矽酮、氟矽烷、蟲膠、聚醯胺、矽基改質聚醯胺、聚酯、聚碳酸酯、聚胺基甲酸酯、胺甲酸酯、天然黏著劑、以環氧樹脂為基礎之黏著劑、以呋喃為基礎之黏著劑、以酚為基礎之黏著劑、以醛為基礎之黏著劑、脲-醛黏著劑、以丙烯酸為基礎之黏著劑、酚/酚甲醛/糠醇黏著劑、固化劑、催化劑、可固化以形成其等之任一者的前驅物、及其等之任一者之反應產物。此段中所述之一或多種化合物可形成任何合適比例的前驅物黏著劑組成物，諸如o.001wt%至100wt%、0.001wt%至90wt%、0.001wt%至50wt%、或0.01wt%至20wt%。
催化劑之實例包括矽氫化催化劑、縮合催化劑、自由基起始劑、光起始劑、或酸或鹼。矽氫化催化劑之實例可包括任何合適之矽氫化催化劑，諸如包括鉑族金屬或含有鉑族金屬之化合物的任何矽氫化催化劑。鉑族金屬可包括鉑、銠、釕、鈀、鋨、及銥。合適之矽氫化催化劑之實例可包括1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之鉑(IV)錯合物。在另一實施例中，矽氫化催化劑可係光活化矽氫化催化劑、或微囊封在熱塑性材料中之矽氫化催化劑。
固化劑之實例可包括以下之至少一者：胺、芳族胺、脂族胺、環脂族胺、聚胺、醯胺、聚醯胺、或亞胺。實例包括聚乙烯亞胺、哌 啶、三乙胺、苄基二甲胺、N,N-二甲基胺基吡啶、2-(N,N-二甲基胺基甲基)苯酚、參(二甲基胺基甲基)苯酚、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙基氧基丙基三甲氧基矽烷、n-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、n-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、哌
Figure 106113852-A0202-12-0051-6
(piperazine)、哌
Figure 106113852-A0202-12-0051-7
衍生物(例如，胺基乙基哌
Figure 106113852-A0202-12-0051-8
)、吡咯、咪唑、吡唑、吡啶、吡
Figure 106113852-A0202-12-0051-9
(pyrazine)、嘧啶、嗒
Figure 106113852-A0202-12-0051-10
(pyridazine)、吲
Figure 106113852-A0202-12-0051-11
(indolizine)、異吲哚、吲哚、吲唑、嘌呤、喹
Figure 106113852-A0202-12-0051-12
(quinolizine)、喹啉、異喹啉、呔
Figure 106113852-A0202-12-0051-13
(phthalazine)、
Figure 106113852-A0202-12-0051-14
啶(naphthyridine)、喹
Figure 106113852-A0202-12-0051-15
啉(quinoxaline)、喹唑啉、咔唑、咔唑、啡啶、吖啶、啡啉、啡
Figure 106113852-A0202-12-0051-16
(phenazine)、咪唑啶、啡
Figure 106113852-A0202-12-0051-17
(phenoxazine)、
Figure 106113852-A0202-12-0051-18
啉(cinnoline)、吡咯啶、吡咯啉、咪唑啉、哌啶、吲哚啉、異吲哚啉、
Figure 106113852-A0202-12-0051-19
啶(quinuclindine)、
Figure 106113852-A0202-12-0051-20
啉(morpholine)、吖
Figure 106113852-A0202-12-0051-21
(azocine)、氮呯、1,3,5-三
Figure 106113852-A0202-12-0051-22
(1,3,5-triazine)、噻唑、喋啶、二氫喹啉、六亞甲基亞胺、吲唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,1,3-三氯三氟丙酮、及其組合。
在各種實施例中，前驅物黏著劑組成物、助黏劑前驅物組成物、及離型層組成物之至少一者可包括有機氫矽烷、有機氫矽氧烷、有機烯基矽烷、及有機烯基矽氧烷之至少一者。在一些實施例中，前驅物黏著劑組成物可包括以下之至少一者：非線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷，線型(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷，線型(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基經取代有機聚矽氧烷，非線型氫有機聚矽氧烷，線型氫有機聚矽氧烷，及((C1-C20)烴基)氫矽倍半氧烷，其中該(C2-C20)烯基及(C1-C20)烴基係獨立地選定，經取代或未經取代，且係未經插入或經1、2、或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸 烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。在各種實施例中，本文中之矽倍半氧烷可具有任何合適的分子量，諸如100g/mol至10,000,000g/mol、100g/mol至1,000,000g/mol、或200g/mol至100,000g/mol。此段中所述之一或多種化合物可形成任何合適比例的前驅物黏著劑組成物，諸如0.001wt%至100wt%、0.001wt%至90wt%、0.001wt%至50wt%、或0.01wt%至20wt%。
前驅物黏著劑組成物、助黏劑前驅物組成物、及離型層組成物之至少一者可包括以下之至少一者：非線型乙烯基二甲基矽氧基封端之聚二甲基矽氧烷、線型乙烯基二甲基矽氧基封端之聚二甲基矽氧烷、線型乙烯基二甲基矽氧基封端之聚(共-(氟(Cm)烷基)甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷-乙烯基甲基矽氧烷)、線型乙烯基二甲基矽氧基封端之聚二甲基矽氧烷、線型三甲基矽氧基封端之聚(共-二甲基矽氧烷-氫甲基矽氧烷)、氫二甲基矽氧基封端之矽氧烷、三甲基矽氧基封端之聚(共-(氟(Cm)烷基)甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷)、線型氫二甲基矽氧基封端之二甲基矽氧烷、線型三甲基矽氧基封端之聚(共-二甲基矽氧烷-氫甲基矽氧烷)、聚(共-氫矽倍半氧烷-((C1-C20)烷基)矽倍半氧烷)、及聚(共-氫矽倍半氧烷-((C6-C20)芳基)矽倍半氧烷)，其中各氟(Cm)烷基獨立地具有約1至約2m+1個氟基，且m獨立地係約1至約20。
前驅物黏著劑組成物可具有任何合適之Si-H對烯基之比率(例如，其中烯基係矽氫化可固化非芳族非共軛之碳-碳雙鍵)，諸如0.1：1至10：1、0.7：1至2：1、或0.1：1或更小、或0.2：1。
前驅物黏著劑組成物可具有任何合適的烯基官能性有機聚 矽氧烷比氫有機聚矽氧烷之重量比，諸如0.001：1至1000：1、或10：1至100：1、或0.001：1或更小。
顯示裝置加工中間物包括介於顯示裝置基材與黏著劑剝離層之間的一離型層。離型層可減少將顯示裝置基材從載體基材、黏著劑剝離層、及存在之任何其他層移除所需的力。在一些實施例中，顯示裝置加工中間物可在載體基材與黏著劑剝離層之間包括一離型層。
離型層可係離型層前驅物組成物之固化產物。離型層前驅物組成物可使用任何合適之方法放置在(例如，施加至)顯示裝置基材上或黏著劑剝離層，諸如使用噴塗、旋塗、下拉棒、刮刀、及浸漬之至少一者。離型層前驅物組成物可使用任何合適之方法固化，諸如自由基固化、縮合固化、加成固化(例如，矽氫化)、任何合適之交聯反應、或其組合。在一些實施例中，固化可包括乾燥離型層前驅物組成物以從其移除溶劑。固化可包括施加光(例如，可見光、紅外光、紫外光)、熱(例如，40℃或更低、或50℃至500℃、80℃至300℃、或120℃至250℃，持續合適的時間，諸如1分鐘或更少、或2分鐘、或1分鐘至120分鐘)、照射(例如，使用任何合適的輻射源，諸如電子束、γ射線、X射線)、或其組合。
離型層前驅物組成物可係可經固化以形成離型層的任何合適組成物。離型層前驅物組成物可包括以下之至少一者：氟矽烷，氟矽氮烷，氟有機矽烷，氟有機矽氧烷，氟化矽樹脂，氟化矽倍半氧烷樹脂，(C6-C20)芳基矽氧烷，及(經取代或未經取代(C1-C20)烴基)-矽倍半氧烷，其中前述之任一或多者可形成任何合適比例的離型層前驅物組成物，諸如0.001 重量%至99重量%、.001重量%至90重量%、0.001重量%至50重量%、或0.01重量%至20重量%。前驅物離型層組成物中之氟矽化合物可係以下之至少一者：氟矽烷，氟矽氮烷，氟矽氧烷，氟有機矽烷，氟有機矽氧烷，氟化矽樹脂，及氟化矽倍半氧烷樹脂。
在一些實施例中，前驅物離型層組成物中之氟矽化合物可包括至少一可水解鍵聯，諸如Si-S、Si-O、Si-N、Si-H、Si-Cl、及Si-F之至少一者。在一些實施例中，氟矽化合物可包括1、2、3、或4或更多個此類可水解鍵聯。在各種實施例中，前驅物離型層組成物中之氟矽化合物可係包括至少一可水解鍵聯之氟矽烷。
在各種實施例中，前驅物離型層組成物包括具有式RNSiZ3之氟有機矽烷，如實施例14中所定義的。在一些實施例中，前驅物離型層組成物包括具有結構RNSi(ORM)3之氟有機矽烷，其中RM及RN係如本文中所定義的。氟有機矽烷可具有結構F((CF2)3O)15-30CF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3。氟有機矽烷可具有結構F((CF2)3O)17-25CF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3。
在一些實施例中，前驅物離型層組成物包括組分(A)，氫有機聚矽氧烷。前驅物離型層組成物亦可包括組分(B)，如上文所定義的(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷。
在各種實施例中，前驅物離型層組成物包括以下之至少一者：線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷，非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷，線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷，及非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷。
任何合適比例的前驅物離型層組成物可係線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷及非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者，諸如約0.1重量%至約99重量%，約10重量%至約80重量%，或約0.2重量%至約40重量%。
前驅物離型層組成物可包括具有結構(RA 3SiO1/2)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z之非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷，其中RA及下標w、x、y及z係如本文中所定義的。
前驅物離型層組成物可包括具有結構(RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x之線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷，其中RA及下標x係如本文中所定義的。
任何合適比例的前驅物離型層組成物可係線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷及非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者，諸如1重量%至99.9重量%、10重量%至80重量%、或40重量%至99.9重量%。
前驅物離型層組成物可包括具有結構(RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z之非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷，其中RB及下標w、x、y及z係如本文中所定義的。
離型層前驅物組成物可包括具有結構(RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x之線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷，其中RB及下標x係如本文中所定義的。
前驅物離型層組成物可包括具有結構(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000之線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷、及具有結構 (R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R1 2SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000之線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷，其中R1、R2、及Rf係如本文中所定義的。
前驅物離型層組成物可包括具有結構(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)1-5000(HMeSiO2/2)1-5000之線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷、及具有結構(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)100-2000(Me2SiO2/2)100-3000(ViMeSiO2/2)1-100之線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷，其中Rf係如本文中所定義的。
在一些實施例中，前驅物離型層組成物中之氟矽化合物可係氟化矽樹脂及氟化矽倍半氧烷樹脂之至少一者。氟化矽樹脂或氟化矽倍半氧烷可具有結構(RC 3SiO1/2)a(RC 2SiO2/2)b(RCSiO3/2)c(SiO2)d。在每次出現時RC可獨立地選自氫、F、Rf、R1、及R2，其中R1、R2、及Rf係如本文中所定義的。
除至少一氟矽化合物以外，前驅物離型層組成物可進一步包括氫矽倍半氧烷-(C1-C20)烴基矽倍半氧烷共聚物。
離型層可具有任何合適之厚度。在一些實施例中，離型層具有0.0001μm至500μm、0.001μm至300μm、5μm至150μm、或10μm至100μm之厚度。
前驅物黏著劑組成物、助黏劑前驅物組成物、及離型層前驅物組成物可包括任何一或多種可選組分。此節中所述任一或多種可選用組分可形成任何合適比例的前驅物黏著劑組成物、助黏劑前驅物組成物、或離型層前驅物組成物，諸如0.001重量%至100重量%、0.001重量%至90重量%、0.001重量%至50重量%、0.01重量%至20重量%、或0.001重量%或更小。
在一些實施例中，助黏劑前驅物組成物及離型層組成物之至少一者包括在本文中描述為適於在前驅物黏著劑組成物中使用的任一或多種化合物。該等一或多種化合物可形成任何合適比例的助黏劑前驅物組成物或離型層組成物，如0.001重量%至100重量%、0.001重量%至90重量%、0.001重量%至50重量%、0.01重量%至20重量%、或0.001重量%或更小、或0.01重量%，1重量%、2重量%、3重量%、4重量%、5重量%、10重量%、15重量%、20重量%、25重量%、30重量%、35重量%、40重量%、45重量%、50重量%、60重量%、70重量%、80重量%、90重量%、91重量%、92重量%、93重量%、94重量%、95重量%、96重量%、97重量%、98重量%、或99重量%或更大。
前驅物黏著劑組成物、助黏劑前驅物組成物、及離型層組成物之至少一者可包括以下之至少一者：界面活性劑、乳化劑、分散劑、聚合穩定劑、交聯劑、聚合物、聚合或交聯催化劑、流變改質劑、密度改質劑、氮丙啶穩定劑、固化改質劑、自由基起始劑、稀釋劑、酸受體、抗氧化劑、熱穩定劑、阻燃劑、清除劑、矽烷化劑、泡沫穩定劑、溶劑、矽氫化反應性稀釋劑、塑化劑、填充劑、無機粒子、顏料、染料、乾燥劑、液體、具有每分子至少一個烯基或炔基之聚醚、增稠劑、穩定化劑、蠟、類蠟材料、矽酮、有機官能性矽氧烷、烷基甲基矽氧烷、矽氧烷樹脂、矽酮膠、矽酮碳醇流體、水溶性或水可分散性矽酮聚醚組成物、矽酮橡膠、矽氫化催化劑抑制劑、助黏劑、熱穩定劑、UV穩定劑、及流動控制添加劑。
顯示裝置加工中間物可在載體基材與黏著劑剝離層之間包 括一助黏劑層。助黏劑層可增加黏著劑剝離層與載體基材之間的黏附力。
助黏劑層可係助黏劑層前驅物組成物之固化反應產物。助黏劑層前驅物組成物可使用任何合適之方法放置在(例如，施加至)顯示裝置基材上或黏著劑剝離層，諸如使用噴塗、旋塗、下拉棒、刮刀、及浸漬之至少一者。助黏劑層前驅物組成物可使用任何合適之方法固化，諸如自由基固化、縮合固化、加成固化(例如，矽氫化)、任何合適之交聯反應、或其組合。在一些實施例中，固化可包括乾燥助黏劑層前驅物組成物以從其移除溶劑。固化可包括施加光(例如，可見光、紅外光、紫外光)、熱(例如，40℃或更低、或50℃至500℃、或80℃至250℃，持續合適之時間，諸如1分鐘或更少、或2分鐘、或1分鐘至120分鐘)、照射(例如，使用任何合適之放射源，諸如電子束、γ射線、X射線)、或其組合。
助黏劑層前驅物組成物可包括本文中所述之適用於包括在前驅物黏著劑組成物中之任何一或多種材料。助黏劑層前驅物組成物可包括以下之至少一者：矽烷(例如，三氯矽烷)、有機矽烷、烷氧基矽烷、矽氮烷、有機矽氧烷、有機鈦酸酯、有機鋯酸酯、鋯鋁酸酯、磷酸酯、丙烯酸或其鹽或酯、甲基丙烯酸或其鹽或酯、聚胺甲酸酯單體或低聚物、乙烯基膦酸或其鹽或酯、乙烯基磺酸或其鹽或酯、及2-丙烯醯胺基-2-甲基丙烷磺酸或其鹽或酯。
助黏劑前驅物組成物可包括含有以下之至少一者的矽烷或矽氧烷之至少一者：三烷氧基矽氧基(例如，三(C1-C5)烷氧基SiO-)、三烷氧基矽基烷基(例如，三(C1-C5)烷氧基矽基(C1-C20)烷基)、氫矽基(例如， 含氫矽基之矽倍半氧烷，諸如具有式(HSiO3/2)0.01-5(經取代或未經取代之(C1-C20)烴基SiO3/2)0.01-5，其中單元下標表示其莫耳比)、烯基(例如，(C2-C20)烯基)、環氧基官能基(例如，(C2-C20)環氧基官能基)、胺基、鹵矽基、巰基矽基、及氟烷基矽基。
助黏劑層可具有任何合適之厚度。在一些實施例中，助黏劑層具有0.0001μm至500μm、0.001μm至300μm、5μm至150μm、或10μm至100μm之厚度。
在各種實施例中係一種顯示裝置加工中間物。顯示裝置加工中間物可係可使用本文中所述之任何方法製成的任何顯示裝置加工中間物。顯示裝置加工中間物可包括載體基材，諸如本文中所述之任何載體基材。顯示裝置加工中間物可在載體基材上包括黏著劑剝離層，諸如本文中所述之任何黏著劑剝離層。黏著劑剝離層可包括前驅物黏著劑組成物之固化產物，諸如本文中所述之任何前驅物黏著劑組成物之固化產物。該顯示裝置加工中間物可包括經由該黏著劑剝離層固定至該載體基材之一顯示裝置基材。
顯示裝置加工中間物包括介於黏著劑剝離層與顯示裝置基材之間的一離型層。該離型層包括一前驅物離型層組成物之一固化產物，該前驅物離型層組成物包括至少一氟矽化合物。該前驅物離型層組成物可係本文中所述的前驅物離型層組成物。在各種實施例中係一種由顯示裝置加工中間物所形成之顯示裝置組件或顯示裝置。
在一些實施例中係如圖1中所繪示之顯示裝置加工中間物。顯示裝置加工中間物1在載體基材10上包括黏著劑剝離層30。顯示 裝置加工中間物1包括顯示裝置基材50，其經由黏著劑剝離層30固定至載體基材10。顯示裝置加工中間物1在顯示裝置基材50與黏著劑剝離層30之間包括離型層40。離型層40可直接在顯示裝置基材50上，而沒有中介層。離型層40可直接在黏著劑剝離層30上，而沒有中介層。黏著劑剝離層30可直接在載體基材10上，而沒有中介層。
【0005】在一些實施例中係如圖2中所繪示之顯示裝置加工中間物2。顯示裝置加工中間物2在載體基材10上包括黏著劑剝離層30。顯示裝置加工中間物2包括顯示裝置基材50，其經由黏著劑剝離層30固定至載體基材10。顯示裝置加工中間物2可在載體基材10與黏著劑剝離層30之間包括助黏劑層20。顯示裝置加工中間物2在顯示裝置基材50與黏著劑剝離層30之間包括離型層40。助黏劑層20可直接在載體基材10上，而沒有中介層。黏著劑剝離層30可直接在助黏劑層20上，而沒有中介層。離型層40可直接在黏著劑剝離層30上，而沒有中介層。顯示裝置基材50可直接在離型層40上，而沒有中介層。
實例
可藉由參照以下實例以更深入瞭解本發明之各種實施例，該等實例係以例證之方式來提供。本發明不限於本文中所給出的實例。
將玻璃基材(Fisherbrand®顯微鏡載玻片，其尺寸係75mm×50mm，且厚度係1.0mm(Fisher Scientific,Loughborough,UK))藉由清潔劑清潔並準備用作此等實例之載體。
剝離強度測試。剝離強度係藉由TMI黏附力測試器(Testing Machines,Inc.,Delaware,USA)，以每分鐘12吋之剝離速率，在室溫下測量。使用雙面膠帶將層壓體結構貼附至黏附力測試器之載台，雙面膠帶與玻璃的黏附力顯著大於層壓體結構之最大剝離力。具有50mm寬度之3MTM471膠帶係施加至離型層以便產生用以固定至TMI附著測試器鉗之尾部。所產生之尾部具有延伸超過離型層邊緣的50mm至75mm之長度。設置儀器以用於90°剝離測試。隨後將膠帶尾部貼附至夾板，且將儀器歸零。一旦歸零，就使用控制軟體開始測試。剝離力之測量係經由力轉換器進行，並且將輸出給出在電腦監視器上。一旦完成，即記錄最大剝離力，且移除樣本。所記述之剝離強度係至少3個樣本之平均測量值。
實例1.黏著劑溶液之製備。矽氧烷黏著劑溶液係藉由將乙烯基官能化聚二甲基矽氧烷((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600)及乙烯基官能性MQ樹脂((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)與Si-H官能化聚矽氧烷((Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6)以0.75-2之Si-H/乙烯基比率混合來製備。然後以50-200之抑制劑/催化劑比率添加Pt催化劑及馬來酸二烯丙酯抑制劑。
實例2.將實例1之矽氧烷黏著劑溶液以視自旋速率而定大約10μm-50μm之厚度旋塗於載體玻璃上。然後，在160℃下烘烤載體2分鐘。在冷卻載體之後，將經氟丁基取代的矽氧烷溶液(混合物(ViMe2SiO1/2)(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15(ViMe2SiO1/2)，其中Rf係(全氟丁基)乙基，及(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40，其中Rf係(全氟丁基)乙基)旋塗於玻璃上，然後將其在160℃下烘烤2分鐘。
然後，在室溫下將具有50mm×45mm尺寸及0.13mm至 0.17mm厚度之薄玻璃Fisherbrand®顯微鏡蓋玻片層壓至載體上的黏著劑層上。將總成放置在大約10-3托(0.13帕斯卡)之真空下1小時以達成緊密附著，接著再放入250℃下之預熱烘箱持續1.5小時。未觀察到放氣且薄玻璃係剝離自具有清潔表面之載體。
實例3.將實例1之矽氧烷黏著劑溶液以視自旋速率而定大約10μm-150μm之厚度旋塗於載體玻璃上。然後，在160℃下烘烤載體2分鐘。在冷卻至室溫之後，黏著劑剝離層係經受空氣電漿處理。
然後，將於HFE 7200(20重量%-80重量%乙基九氟異丁基醚，20重量%-80重量%乙基九氟丁基醚)中之0.2重量%全氟聚醚矽烷(F((CF2)3O)ccCF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3，其中cc係17-25)噴塗至黏著劑剝離層上，繼之以在空氣中160℃下固化20分鐘。
然後，在室溫下將具有50mm×45mm尺寸及0.13mm至0.17mm厚度之微小顯微鏡蓋玻片層壓至離型層之頂部上。將總成放置在大約10-3托(0.13帕斯卡)之真空下1小時以達成緊密附著，接著再放入250℃下之預熱烘箱持續30分鐘。未觀察到放氣且薄玻璃係以14g/cm之90度剝離力剝離自具有清潔表面的載體。
實例4.將實例1之矽氧烷黏著劑溶液以視自旋速率而定大約10μm-150μm之厚度旋塗於載體玻璃上。然後，在160℃下烘烤載體2分鐘。
將於HFE 7200(20重量%-80重量%乙基九氟異丁基醚，20重量%-80重量%乙基九氟丁基醚)中之0.2重量%全氟醚矽烷(F((CF2)3O)ccCF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3，其中cc係17-25)噴塗於具有50 mm×45mm尺寸及0.13mm至0.17mm厚度之微小顯微鏡蓋玻片上且在160℃下固化20分鐘。
然後，在室溫下將在微小玻璃上之離型層利用經黏著劑剝離層塗佈的載體層壓。將總成在真空下以大約10-3托(0.13帕)放置1小時，以達成緊密黏附，然後在250℃下經預加熱之烘箱中放置0.5小時。未觀察到放氣且微小玻璃係以14g/cm之90度剝離力剝離自載體。
實例5.比較實例.將實例1之矽氧烷黏著劑溶液以視自旋速率而定大約10μm-50μm之厚度旋塗於載體玻璃上。然後，在160℃下烘烤載體2分鐘。
然後，在室溫下將具有50mm×45mm尺寸及0.13mm至0.17mm厚度之微小玻璃Fisherbrand®顯微鏡蓋玻片層壓至載體上的黏著劑層上。將總成在真空下以大約10-3托(0.13帕)放置1小時，以達成緊密黏附，然後在250℃下經預加熱之烘箱中放置1.5小時。未觀察到放氣，但薄玻璃係牢固黏附至載體且不能自載體剝離。
所採用的用語及表述係作為描述而非限制之用語使用，且這類用語及表述之使用並不欲排除任何所示及所述特徵的均等物或其部分，但應體認到在本發明實施例之範圍中可能有多種修飾。因此，儘管本發明已利用具體實施例及可選特徵加以具體揭示，但本文中所揭示之概念的修改及變化可由所屬技術領域中具有通常知識者採用，且這類修改及變化應視為落入本發明實施例之範圍內。
以下申請專利範圍係以引用方式呈標號態樣併入。標號態樣與申請專利範圍相同，除了用詞「請求項(claim/claims)」分別由用詞 「態樣(aspect/aspects)」替代。

Claims (10)

  1. 一種加工一顯示裝置基材之方法，該方法包含：利用一黏著劑剝離層及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層將該顯示裝置基材固定至一載體基材，其中該離型層包含一前驅物離型層組成物之一固化產物，該前驅物離型層組成物包含至少一氟矽化合物，其中該前驅物離型層組成物包含具有式RNSiZ3之氟有機矽烷，其中各Z獨立地係H、鹵素原子或有機雜基基團之可水解基團，其中該有機雜基係經由O、N或S之雜原子鍵結至該式RNSiZ3中之Si原子；或具有式RNSi(ORM)3之氟有機矽烷，其中在每次出現時，RM係獨立地選自經取代或未經取代之(C1-C5)烷基，其中RN係氟(C1-C200)烷基，其係未經以其它方式取代或經進一步取代且係未經插入或經1、2或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-(O-全氟(C2-C3)伸烷基)n-、-(O-氟(C2-C3)伸烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、-Si(全氟(C1-C5)烷氧基)2-、-Si(氟(C1-C5)烷氧基)2-、-Si((C1-C5)烷基)2-、Si(氟(C1-C5)烷基)2-、及-Si(全氟(C1-C5)烷基)2-。
  2. 如請求項1之方法，其中該前驅物離型層組成物包含：組分(A)，氫有機聚矽氧烷；及組分(B)，(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷，其中該(C2-C20)烯基係未經插入或經1、2或3個獨立地選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-；其中組分(A)及組分(B)之至少一者係氟有機聚矽氧烷。
  3. 如請求項1之方法，其中該前驅物離型層組成物包含以下之至少一者：線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷，非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷，線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷，及非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷。
  4. 如請求項1之方法，其中該前驅物離型層組成物包含具有下式之非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷：(RA 3SiO1/3)w(RA 2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z，其中在每次出現時，RA獨立地選自H、R1、及Rf，該非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RA係H，該非線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RA係Rf，在每次出現時，R1獨立地係經取代或未經取代之(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2或3個選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出現時，Rf獨立地係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或經進一步取代且具有1至2m+1個氟基，其中m獨立地係1至20，其中該(Cm)烷基係未經插入或經1、2或3個獨立地選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2--及-Si((C1-C5)烷基)2-， y及z獨立地係0至5,000，y及z之至少一者大於0，且w及x獨立地係0至5,000。
  5. 如請求項1之方法，其中該前驅物離型層組成物包含具有下式之線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷：(RA 3SiO1/2)2(RA 2SiO2/2)x，其中在每次出現時，RA獨立地選自H、R1、及Rf，該線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RA係H，該線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RA係Rf，在每次出現時，R1獨立地係經取代或未經取代之(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2或3個選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出現時，Rf獨立地係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或經進一步取代且具有1至2m+1個氟基，其中m獨立地係1至20，其中該(Cm)烷基係未經插入或經1、2或3個獨立地選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，x係0至5,000。
  6. 如請求項1之方法，其中該前驅物離型層組成物包含具有下式之非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷：(RB 3SiO1/2)w(RB 2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z，其中在每次出現時，RB獨立地選自R1、R2、及Rf，該非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RB係R2，該非線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RB係Rf，在每次出現時，R1獨立地係經取代或未經取代之(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2或3個選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出現時，R2獨立地係經取代或未經取代之(C2-C20)烯基，其係未經插入或經1、2或3個選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出現時，Rf獨立地係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或經進一步取代且具有1至2m+1個氟基，其中m獨立地係1至20，其中該(Cm)烷基係未經插入或經1、2或3個獨立地選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷 基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，y及z獨立地係0至5,000，y及z之至少一者大於0，且w及x獨立地係0至5,000。
  7. 如請求項1之方法，其中該前驅物離型層組成物包含具有下式之線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷：(RB 3SiO1/2)2(RB 2SiO2/2)x，其中在每次出現時，RB獨立地選自R1、R2、及Rf，該線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RB係R2，該線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷中之至少一個RB係Rf，在每次出現時，R1獨立地係經取代或未經取代之(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2或3個選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出現時，R2獨立地係經取代或未經取代之(C2-C20)烯基，其係未經插入或經1、2或3個選自以下之基團插入：-O-、-S-、經 取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出現時，Rf獨立地係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或經進一步取代且具有1至2m+1個氟基，其中m獨立地係1至20，其中該(Cm)烷基係未經插入或經1、2或3個獨立地選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，且x係0至5,000。
  8. 如請求項1之方法，其中該前驅物離型層組成物進一步包含氫矽倍半氧烷-(C1-C20)烴基矽倍半氧烷共聚物，其中該(C1-C20)烴基係經取代或未經取代且係未經插入或經1、2或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、經取代或未經取代-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。
  9. 一種加工一顯示裝置基材之方法，該方法包含：利用一黏著劑剝離層及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層將該顯示裝置基材固定至一載體基材，其中該離型層包含一前驅物離型層組成物之一固化產物，該前驅物離型層組成物包含氟有機矽烷、線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷、及線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷之至少一者；其中該氟有機矽烷具有式RNSiZ3，其中各Z獨立地係H、鹵素原子 或有機雜基基團之可水解基團，其中該有機雜基基團係經由O、N或S之雜原子鍵結至該式RNSiZ3中之Si原子；或該氟有機矽烷具有式RNSi(ORM)3，其中在每次出現時RN獨立地選自經取代或未經取代之(C1-C5)烷基，及RN係氟(C1-C200)烷基，其係未經以其它方式取代或經進一步取代且係未經插入或經1、2或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-(O-全氟(C2-C3)伸烷基)n-、-(O-氟(C2-C3)伸烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、-Si(全氟(C1-C5)烷氧基)2-、-Si(氟(C1-C5)烷氧基)2-、-Si((C1-C5)烷基)2-、Si(氟(C1-C5)烷基)2-、及-Si(全氟(C1-C5)烷基)2-，該線型Si-H官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R1 3SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，且該線型(C2-C20)烯基官能性氟有機聚矽氧烷具有下式：(R2R1 2SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R1 2SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，在每次出現時，R1獨立地係經取代或未經取代之(C1-C20)烴基，其係未經插入或經1、2或3個選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-， 在每次出現時，R2獨立地係經取代或未經取代之(C2-C20)烯基，其係未經插入或經1、2或3個選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-，且在每次出現時，Rf獨立地係氟(Cm)烷基，其係未經以其它方式取代或經進一步取代且具有1至2m+1個氟基，其中m獨立地係1至20，其中該(Cm)烷基係未經插入或經1、2或3個獨立地選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。
  10. 一種顯示裝置加工中間物，其包含：一載體基材；一在該載體基材上之黏著劑剝離層；一顯示裝置基材，其經由該黏著劑剝離層固定至該載體基材；及介於該黏著劑剝離層與該顯示裝置基材之間的一離型層，該離型層包含一前驅物離型層組成物之一固化產物，該前驅物離型層包含至少一氟矽化合物，其中該前驅物離型層組成物包含具有式RNSiZ3之氟有機矽烷，其中各Z獨立地係H、鹵素原子或有機雜基基團之可水解基團，其中該有機雜基係經由O、N或S之雜原子鍵結至該式RNSiZ3中之Si原子；或具有式RNSi(ORM)3之氟有機矽烷，其中在每次出現時，RM係獨立地選自經取代或未經取代之(C1-C5)烷基，其中RN係氟(C1-C200)烷基，其係未經以其它方式取代或經進一步取代且係未經插入或經1、 2或3個基團插入，該等基團獨立地選自-O-、-S-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-，其中n係1至1,000、-(O-全氟(C2-C3)伸烷基)n-、-(O-氟(C2-C3)伸烷基)n-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、-Si(全氟(C1-C5)烷氧基)2-、-Si(氟(C1-C5)烷氧基)2-、-Si((C1-C5)烷基)2-、Si(氟(C1-C5)烷基)2-、及-Si(全氟(C1-C5)烷基)2-。
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