TWI727900B - 顯示面板 - Google Patents
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Abstract
顯示面板具有顯示區及環繞顯示區的非顯示區。顯示面板包括陣列基板、第一電極、畫素定義層、發光層、第一隔離部及至少一第二隔離部。第一電極位於陣列基板上且位於顯示區。畫素定義層位於第一電極上，畫素定義層具有和第一電極重疊的開口。發光層位於開口內。第一隔離部位於陣列基板上且位於非顯示區。第二隔離部位於第一隔離部上，第二隔離部的形狀為上寬下窄，且第二隔離部的最大寬度小於第一隔離部的寬度。
Description
本發明是有關於一種顯示面板。
有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)顯示面板因為具有高色彩飽和度、應答速度快及高對比的性能展現，受到了廣泛的應用。為了避免有機發光二極體受到環境中的水氣和氧氣所影響，會對其進行封裝。封裝包括在其上方覆蓋有機層，並會採用雙堤防(dam)來防止此有機層溢流到外面。然而，雙堤防侷限了顯示面板的邊框大小，使得邊框無法向內縮減。若欲將雙堤防變為單堤防，又會遇到有機層溢流的問題。因此，如何在避免有機層溢流下，並縮減邊框實為相關領域的開發重點。
本發明提供一種顯示面板，可防止有機層溢流(overflow)。
本發明的顯示面板具有顯示區及環繞顯示區的非顯示區。顯示面板包括陣列基板、第一電極、畫素定義層、發光層、第一隔離部及至少一第二隔離部。第一電極位於陣列基板上且位於顯示區。畫素定義層位於第一電極上，畫素定義層具有和第一電極重疊的開口。發光層位於開口內。第一隔離部位於陣列基板上且位於非顯示區。第二隔離部位於第一隔離部上，第二隔離部的形狀為上寬下窄，且第二隔離部的最大寬度小於第一隔離部的寬度。
本發明的顯示面板具有顯示區及環繞顯示區的非顯示區。顯示面板包括陣列基板、第一電極、畫素定義層、發光層、第一隔離部及無機封裝層。第一電極位於陣列基板上且位於顯示區。畫素定義層位於第一電極上，畫素定義層具有和第一電極重疊的開口。發光層位於開口內。第一隔離部位於陣列基板上且位於非顯示區。無機封裝層自第一隔離部的側面延伸至第一隔離部的頂面，無機封裝層具有重疊於第一隔離部的頂面的至少一開口。
本發明的顯示面板具有顯示區及環繞顯示區的一非顯示區。顯示面板包括陣列基板、第一電極、畫素定義層、發光層、第一隔離部及至少一第二隔離部。第一電極位於陣列基板上且位於顯示區。畫素定義層位於第一電極上，畫素定義層具有和第一電極重疊的開口。發光層位於開口內。第一隔離部位於陣列基板上且位於非顯示區。第二隔離部位於第一隔離部上，第二隔離部的最大寬度和第一隔離部的寬度的比值為0.1至0.95，且第二隔離部的上表面具有波浪形狀。
基於上述，在本發明一實施例的顯示面板中，顯示面板包括第一隔離部及第二隔離部，第一隔離部位於陣列基板上且位於非顯示區。第二隔離部位於第一隔離部上。第二隔離部的形狀為上寬下窄，且第二隔離部的最大寬度小於第一隔離部的寬度，可避免有機封裝層因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部和第二隔離部，提升側向封裝的可靠度。
在本發明另一實施例的顯示面板中，無機封裝層自第一隔離部的側面延伸至第一隔離部的頂面，無機封裝層具有重疊於第一隔離部的頂面的至少一開口。開口如水溝般可以將有機封裝層局限於開口中，可避免有機封裝層因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部和第二隔離部，提升側向封裝的可靠度。
在本發明另一實施例的顯示面板中，第二隔離部的最大寬度和第一隔離部的比值為0.1至0.95，且第二隔離部的上表面具有波浪形狀，可避免有機封裝層因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部和第二隔離部，提升側向封裝的可靠度。
第1圖是依照本發明一實施例的顯示面板10的俯視示意圖，第2圖是沿著第1圖的剖線I-I’的剖面示意圖。請一併參照第1圖及第2圖，顯示面板10具有顯示區AA及環繞顯示區AA的非顯示區NA。陣列基板100包括基板102及設置於基板102上的畫素陣列104，畫素陣列104配置於顯示區AA。在本實施例中，基板102例如是可撓性基板，例如聚合物基板或塑膠基板。舉例而言，基板102的材質為聚醯亞胺(polyimide；PI)。
畫素陣列104包括多個畫素PX。為了方便說明，第1圖中繪示了第一方向D1與第二方向D2，且第一方向D1與第二方向D2相異，例如第一方向D1與第二方向D2分別為第1圖的橫向方向與縱向方向，且其彼此呈正交關係。各畫素PX沿著第一方向D1及第二方向D2排列。各畫素PX可包括主動元件T1。主動元件T1配置於基板102上，且具有閘極G、源極S、汲極D以及半導體圖案SC。陣列基板100還可包括緩衝層105、閘絕緣層106、層間絕緣層108及平坦層112。閘絕緣層106配置於半導體圖案SC及閘極G之間。舉例而言，主動元件T1的閘極G可選擇性地配置於半導體圖案SC的上方，以形成頂部閘極型薄膜電晶體(top gate TFT)，但本發明不以此為限。根據其他的實施例，主動元件T1的閘極G也可配置在半導體圖案SC的下方，即閘極G位於半導體圖案SC與基板102之間，以形成底部閘極型薄膜電晶體(bottom gate TFT)。
緩衝層105設置於基板102與主動元件T1之間。緩衝層105的材質例如是氮化矽(SiN)或氧化矽(SiO)。舉例而言，緩衝層105例如是由下至上為氮化矽、氧化矽、氮化矽及氧化矽的疊層結構。
在本實施例中，半導體圖案SC可包括源極區SR、通道區CH以及汲極區DR。於其他實施例中，半導體圖案SC還可包括位於源極區SR及通道區CH之間的輕摻雜源極區(未示)以及位於汲極區DR與通道區CH之間的輕摻雜汲極區(未示)。且閘極G重疊於半導體圖案SC的通道區CH，但本發明不以此為限。根據其他的實施例，半導體圖案SC可僅包括源極區SR、通道區CH及汲極區DR。
層間絕緣層108配置於閘絕緣層106上，且覆蓋主動元件T1的閘極G。主動元件T1的源極S與汲極D配置於層間絕緣層108上，且分別重疊於半導體圖案SC的源極區SR及汲極區DR。舉例而言，主動元件T1的源極S與汲極D都貫穿層間絕緣層108以及閘絕緣層106，以分別電性連接半導體圖案SC的源極區SR及汲極區DR。
在本實施例中，半導體圖案SC的材質例如是低溫多晶矽(low temperature poly silicon；LTPS)半導體，也就是說，主動元件T1可以是低溫多晶矽薄膜電晶體。然而，本發明不限於此，於其他實施例中，主動元件T1也可以是非晶矽薄膜電晶體(amorphous silicon TFT，a-Si TFT)、微晶矽薄膜電晶體(micro Si TFT)或金屬氧化物電晶體(metal oxide transistor)。
平坦層112覆蓋主動元件T1的源極S、汲極D以及層間絕緣層108的部分表面，並可選擇性地具有重疊於主動元件T1之汲極D的開口。平坦層112覆蓋層間絕緣層108與汲極D的部分表面。平坦層112的材料包括無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料或上述至少二種材料的堆疊 層)、有機材料(例如：聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、其它合適的材料或上述之組合)、其它合適的材料或上述之組合。
顯示面板10還包括第一電極E1、畫素定義層114及發光層116。第一電極E1位於陣列基板100上且位於顯示區AA。畫素定義層114位於平坦層112上，換言之，平坦層112配置於基板102及畫素定義層114之間。畫素定義層114具有和第一電極E1重疊的開口，發光層116位於開口內。顯示面板10還包括電洞傳輸層(hole transfer layer，HTL)118、電子傳輸層(electron transfer layer，ETL)120及第二電極E2。第一電極E1、電洞傳輸層118、發光層116、電子傳輸層120及第二電極E2依序堆疊於平坦層112上並共同構成發光單元122。
在本實施例中，第一電極E1可做為發光單元122的陽極(anode)，第二電極E2可做為發光單元122的陰極(cathode)，但本發明不以此為限。發光層116例如包括紅色發光層、藍色發光層及綠色發光層。
第一電極E1可對應地連接主動元件T1。第一電極E1貫穿平坦層112與主動元件T1的汲極D電性連接。於一些實施例中，第一電極E1例如是光穿透式電極，光穿透式電極的材質包括金屬氧化物，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層，但本發明並不以此為限。於其他實施例中，第一電極E1也可以是反射式電極，反射式電極的材質包括金屬、合金、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。
各發光單元122的電洞傳輸層118及發光層116例如是透過噴墨塗佈技術(Ink Jet Printing;IJP)形成於開口中。於本實施例中，第二電極E2例如是光穿透式電極，光穿透式電極的材質包括金屬氧化物，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層，但本發明並不以此為限。在其他實施例中，第二電極E2也可以是反射式電極，反射式電極的材質包括金屬、合金、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。
顯示面板10還可包括間隙物PS，間隙物PS設置於畫素定義層114及平坦層112上上，且配置用以支撐基板102。第二電極E2還覆蓋畫素定義層114的部分表面及間隙物PS。當顯示面板10被致能(enabled)時，第一電極E1與第二電極E2之間因分別具有高電位與接地電位而產生電流，致使發光單元122發出用以顯示畫面的影像光束。
顯示面板10還包括封裝結構124。舉例而言，封裝結構124可以是薄膜封裝(thin film encapsulation；TFE)結構，且包括依序設置於陣列基板100上的第一無機封裝層126、有機封裝層128及第二無機封裝層130。第一無機封裝層126可以阻隔水氣和氧氣進入發光單元122和陣列基板100。第一無機封裝層126在基板102的垂直投影面積大於有機封裝層128在基板102的垂直投影的面積，且第二無機封裝層130在基板102的垂直投影面積大於有機封裝層128在基板102的垂直投影的面積，可避免側向的水氣自有機封裝層128入侵發光單元122。
第一無機封裝層126及第二無機封裝層130的形成方式可以是化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)，有機封裝層128的形成方式可以是噴墨印刷(ink jet printing；IJP)。於本實施例中，第一無機封裝層126的邊界(border)126a及第二無機封裝層130的邊界130a是透過蝕刻製程所定義，可使第一無機封裝層126的邊界126a及第二無機封裝層130的邊界130a往內縮減，換言之，可以大幅縮短第一無機封裝層126及第二無機封裝層130在顯示面板10的非顯示區NA的長度，使顯示面板10具有窄邊框，有利於使顯示面板10應用於可延展(stretchable)顯示面板。
於本實施例中，顯示面板10還包括第一隔離部132及至少一第二隔離部134。第一隔離部132位於陣列基板100上且位於非顯示區NA。第二隔離部134位於第一隔離部132上。第一隔離部132可用於定義有機封裝層128的噴塗範圍。第一隔離部132和第一無機封裝層126的邊界126a及第二無機封裝層130的邊界130a的距離為1微米至1000微米。於一實施例中，第一隔離部132和第一無機封裝層126的邊界126a及第二無機封裝層130的邊界130a的距離為1微米至240微米。
於本實施例中，第一隔離部132具有子部132A及位於子部132A上的子部132B，子部132A及子部132B的材料包括正型光阻。舉例而言，子部132A和畫素定義層114可為同一膜層，換言之，子部132A和畫素定義層114具有相同厚度及相同材料。子部132B和間隙物PS可為同一膜層，換言之，子部132B和間隙物PS具有相同厚度及相同材料。於本實施例中，第一隔離部132和第二隔離部134的材料不同。
由於第一無機封裝層126的邊界126a及第二無機封裝層130的邊界130a往內縮減，使得邊界126a及邊界130a和有機封裝層128之間的距離縮短。於本實施例中，第二隔離部134的形狀為上寬下窄，且第二隔離部134的最大寬度134w1小於第一隔離部的寬度132w，藉由有機封裝層128跨過障礙體(即第一隔離部132及第二隔離部134)之位能增加去抵銷有機封裝層128與第一無機封裝層126之內聚力，可避免有機封裝層128因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部132和第二隔離部134，提升側向封裝的可靠度。舉例而言，第二隔離部134的最大寬度134w1為10微米至100微米。第一隔離部132的寬度132w為10微米至100微米，舉例而言，寬度132w為50微米。第二隔離部134的最大寬度134w1和第二隔離部134的最小寬度134w2的比值為1.1至2。
第一無機封裝層126的材料包括無機材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料或上述至少二種材料的堆疊層。
有機封裝層128的材料包括有機材料，例如聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、其它合適的材料或上述之組合。
第二隔離部134的剖面形狀呈煙囪狀，換言之，第二隔離部134的寬度由下往上先呈定值(例如最小寬度134w2)再逐漸變大再呈定值(例如最大寬度134w1)。這樣的多重障礙的設計可以有效阻隔毛細現象的發生。
於本實施例中，畫素定義層114、間隙物PS及第一隔離部132的材料包括正型光阻，第二隔離部134的材料包括負型光阻。舉例而言，第二隔離部134例如是透過整面地沉積負型光阻材料，再透過曝光顯影所形成的，使得第二隔離部134的形狀可藉由曝光時間所控制。於本實施例中，第二隔離部134的數量為單個。
第3圖及第4圖是依照本發明一實施例的第一隔離部132及第二隔離部134的其他態樣的剖面示意圖，請先參照第3圖，第二隔離部134的數量為多個，舉例而言，第3圖中繪示第二隔離部134的數量為二個，相鄰的兩個第二隔離部134之間形成溝槽136，溝槽136有如蓄水池般可以將有機封裝層128局限於溝槽136中，可避免有機封裝層128因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部132和第二隔離部134，提升側向封裝的可靠度。於其他實施例中，第二隔離部134的數量為三個(見第4圖)。然而本發明不限於此，於其他實施例中，第二隔離部134的數量可大於三個。
於本實施例中，溝槽136的寬度由下往上自定值(例如最大寬度136w1)而逐漸變小再變為定值(例如最小寬度136w2)。
如前所述，第二隔離部134可透過曝光顯影所形成，第二隔離部134的形狀可藉由曝光時間所控制，如此一來，可使得第二隔離部134具有其他形狀。
第5圖是依照本發明另一實施例的顯示面板10a的剖面示意圖，請參照第5圖，第二隔離部134的剖面形狀呈倒梯形，換言之，第二隔離部134的寬度由下往上逐漸變大，即第二隔離部134的寬度由下往上自最小寬度134w2變為最大寬度134w1。於本實施例中，第二隔離部134的數量為單個。
第6圖及第7圖是依照本發明一實施例的第一隔離部132及第二隔離部134的其他態樣的剖面示意圖，請先參照第6圖，第二隔離部134的數量為多個，舉例而言，第6圖中繪示第二隔離部134的數量為二個，相鄰的兩個第二隔離部134之間形成溝槽136，溝槽136的寬度由下往上逐漸變小，即溝槽136的寬度由下往上自最大寬度136w1逐漸變小為最小寬度136w2，溝槽136有如蓄水池般可以將有機封裝層128局限於溝槽136中，可避免有機封裝層128因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部132和第二隔離部134，提升側向封裝的可靠度。於其他實施例中，第二隔離部134的數量為三個(見第7圖)。然本發明不限於此，於其他實施例中，第二隔離部134的數量可大於三個。
第8圖是依照本發明另一實施例之顯示面板10b的剖面示意圖，請參照第8圖，本實施例的顯示面板10b與第2圖的顯示面板10的主要差異在於：第二隔離部134的形狀不同。在本實施例中，第二隔離部134位於第一隔離部132上，第一隔離部132的寬度132w為10微米至100微米，舉例而言，寬度132w為50微米，第二隔離部134的最大寬度134w1和第一隔離部132的寬度132w的比值為0.1至0.95，且第二隔離部134的上表面134T具有波浪形狀。
於本實施例中，第一隔離部132和第二隔離部134的材料相同，且兩者材料例如是正型光阻，其中第二隔離部134和第一隔離部132可透過先沉積正型光阻材料，接著進行第一次曝光以形成第一隔離部132，再進行第二次曝光以形成第二隔離部134，其中第二次曝光的曝光範圍的寬度小於第一次曝光的曝光範圍的寬度，舉例而言，第一次曝光的曝光範圍的寬度為10微米至100微米，第二次曝光的曝光範圍的寬度為10微米至95微米。
第一隔離部132及第二隔離部134共同形成雙層階梯式的側壁，藉由有機封裝層128跨過障礙體(即第一隔離部132及第二隔離部134)之位能增加去抵銷有機封裝層128與第一無機封裝層126之內聚力，可避免有機封裝層128因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部132和第二隔離部134，提升側向封裝的可靠度。第一隔離部132和第一無機封裝層126的邊界126a及第二無機封裝層130的邊界130a的距離為1微米至1000微米。於一實施例中，第一隔離部132和第一無機封裝層126的邊界126a及第二無機封裝層130的邊界130a的距離為1微米至240微米。於本實施例中，第二隔離部134的數量為單個。
第9圖是依照本發明另一實施例之顯示面板10c的剖面示意圖，請參照第9圖，本實施例的顯示面板10c與第8圖的顯示面板10b的主要差異在於：第二隔離部134的數量為多個，舉例而言，第9圖中繪示第二隔離部134的數量為二個，第二隔離部134的最大寬度134w1為10微米，相鄰的兩個第二隔離部134之間形成溝槽136，溝槽136有如蓄水池般可以將有機封裝層128局限於溝槽136中，可避免有機封裝層128因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部132和第二隔離部134，提升側向封裝的可靠度。於其他實施例中，第二隔離部134的數量為三個(見第10圖)。然本發明不限於此，於其他實施例中，第二隔離部134的數量可大於三個。
第11圖是依照本發明另一實施例之顯示面板10d的剖面示意圖，請參照第11圖，本實施例的顯示面板10d與第2圖的顯示面板10的主要差異在於：第一無機封裝層126自第一隔離部132的側面延伸至第一隔離部132的頂面，第一無機封裝層126具有重疊於第一隔離部132的頂面的至少一開口138。第一無機封裝層126的開口138可藉由遮罩(mask)製程或是蝕刻製程所製作。開口138如水溝般可以將有機封裝層128局限於開口138中，可避免有機封裝層128因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部132，提升側向封裝的可靠度。於本實施例中，第一隔離部132的寬度132w為10微米至100微米，舉例而言，寬度132w為50微米。開口138的二側壁垂直於第一隔離部132的頂面，也就是說，開口138之斷差無緩坡，換言之，開口138具有垂直面，可提高有機封裝層128溢流的難度。於本實施例中，開口138的數量為單個。
於本實施例中，第一隔離部132具有子部132A及子部132B，其相關敘述相同於第2圖，故於此不再贅述。
第12圖及第13圖是依照本發明一實施例的第一無機封裝層126及第一隔離部132的其他態樣的剖面示意圖。請先參照第12圖，開口138的數量為多個，舉例而言，第12圖中繪示開口138的數量為二個。接著請參照第13圖，開口138的數量為三個。然而本發明不限於此，於其他實施例中，開口138的數量可大於三個。
綜上所述，在本發明一實施例的顯示面板中，顯示面板包括第一隔離部及第二隔離部，第一隔離部位於陣列基板上且位於非顯示區。第二隔離部位於第一隔離部上。第二隔離部的形狀為上寬下窄，且第二隔離部的最大寬度小於第一隔離部的寬度，藉由有機封裝層跨過障礙體(即第一隔離部及第二隔離部)之位能增加去抵銷有機封裝層與第一無機封裝層之內聚力，可避免有機封裝層因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部和第二隔離部，提升側向封裝的可靠度。在本發明另一實施例的顯示面板中，第二隔離部的最大寬度和第一隔離部的比值為0.1至0.95，且第二隔離部的上表面具有波浪形狀，使第一隔離部及第二隔離共同形成雙層階梯式的側壁，藉由有機封裝層跨過障礙體(即第一隔離部及第二隔離部)之位能增加去抵銷有機封裝層與第一無機封裝層之內聚力，可避免有機封裝層因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部和第二隔離部，提升側向封裝的可靠度。在本發明另一實施例的顯示面板中，無機封裝層自第一隔離部的側面延伸至第一隔離部的頂面，無機封裝層具有重疊於第一隔離部的頂面的至少一開口。無機封裝層的開口可藉由遮罩(mask)製程或是蝕刻製程所製作。開口如水溝般可以將有機封裝層局限於開口中，可避免有機封裝層因為毛細現象而溢流(overflow)出第一隔離部和第二隔離部，提升側向封裝的可靠度。
10,10a,10b,10c,10d:顯示面板
100:陣列基板
102:基板
104:畫素陣列
105:緩衝層
106:閘絕緣層
108:層間絕緣層
112:平坦層
114:畫素定義層
116:發光層
118:電洞傳輸層
120:電子傳輸層
122:發光單元
124:封裝結構
126:第一無機封裝層
126a:邊界
128:有機封裝層
130:第二無機封裝層
130a:邊界
132:第一隔離部
132w:寬度
134:第二隔離部
134T:上表面
134w1:最大寬度
134w2:最小寬度
136:溝槽
138:開口
AA:顯示區
CH:通道區
D:汲極
D1:第一方向
D2:第二方向
DR:汲極區
E1:電極
E2:第二電極
G:閘極
I-I’:剖線
NA:非顯示區
PS:間隙物
PX:畫素
S:源極
SC:半導體圖案
SR:源極區
T1:主動元件
閱讀以下詳細敘述並搭配對應之圖式，可了解本揭露之多個樣態。需留意的是，圖式中的多個特徵並未依照該業界領域之標準作法繪製實際比例。事實上，所述之特徵的尺寸可以任意的增加或減少以利於討論的清晰性。
第1圖是依照本發明一實施例的顯示面板的俯視示意圖。
第2圖是沿著第1圖的剖線I-I’的剖面示意圖。
第3圖是依照本發明一實施例的第一隔離部及第二隔離部的其他態樣的剖面示意圖。
第4圖是依照本發明一實施例的第一隔離部及第二隔離部的其他態樣的剖面示意圖。
第5圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
第6圖是依照本發明一實施例的第一隔離部及第二隔離部的其他態樣的剖面示意圖。
第7圖是依照本發明一實施例的第一隔離部及第二隔離部的其他態樣的剖面示意圖。
第8圖是依照本發明另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。
第9圖是依照本發明另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。
第10圖是依照本發明另一實施例的第一隔離部及第二隔離部的其他態樣的剖面示意圖。
第11圖是依照本發明另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。
第12圖是依照本發明另一實施例的第一隔離部及第一無機封裝層的其他態樣的剖面示意圖。
第13圖是依照本發明另一實施例的第一隔離部及第一無機封裝層的其他態樣的剖面示意圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
10:顯示面板
100:陣列基板
102:基板
105:緩衝層
106:閘絕緣層
108:層間絕緣層
112:平坦層
114:畫素定義層
116:發光層
118:電洞傳輸層
120:電子傳輸層
122:發光單元
124:封裝結構
126:第一無機封裝層
126a:邊界
128:有機封裝層
130:第二無機封裝層
130a:邊界
132:第一隔離部
132A:子部
132B:子部
132w:寬度
134:第二隔離部
134w1:最大寬度
134w2:最小寬度
AA:顯示區
CH:通道區
D:汲極
DR:汲極區
E1:第一電極
E2:第二電極
G:閘極
I-I’:剖線
NA:非顯示區
PS:間隙物
S:源極
SC:半導體圖案
SR:源極區
T1:主動元件
Claims (10)
- 一種顯示面板，具有一顯示區及環繞該顯示區的一非顯示區，且包括：一陣列基板；一第一電極，位於該陣列基板上且位於該顯示區；及一畫素定義層，位於該第一電極上，其中該畫素定義層具有和該第一電極重疊的一開口；一發光層，位於該開口內；一第一隔離部，位於該陣列基板上且位於該非顯示區；及至少一第二隔離部，位於該第一隔離部上，該第二隔離部的形狀為上寬下窄，且該第二隔離部的最大寬度小於該第一隔離部的寬度。
- 如請求項1所述之顯示面板，其中該第二隔離部的數量為多個，且相鄰的兩個該些第二隔離部之間形成一溝槽。
- 如請求項2所述之顯示面板，其中該溝槽的寬度由下往上逐漸變小。
- 如請求項2所述之顯示面板，其中該溝槽的寬度由下往上自一第一定值而逐漸變小再變為一第二定值。
- 如請求項1所述之顯示面板，其中該第二隔離部的最大寬度和該第二隔離部的最小寬度的比值為1.1至2。
- 如請求項1所述之顯示面板，其中該第二隔離部的材料包括負型光阻。
- 一種顯示面板，具有一顯示區及環繞該顯示區的一非顯示區，且包括：一陣列基板；一第一電極，位於該陣列基板上且位於該顯示區；及一畫素定義層，位於該第一電極上，其中該畫素定義層具有和該第一電極重疊的一開口；一發光層，位於該開口內；一第一隔離部，位於該陣列基板上且位於該非顯示區；一第一無機封裝層，自該第一隔離部的側面延伸至該第一隔離部的頂面，該第一無機封裝層具有重疊於該第一隔離部的頂面的至少一開口，該第一無機封裝層的該至少一開口自該第一無機封裝層的頂面延伸至該第一無機封裝層的底面；及一第二無機封裝層，位於該第一無機封裝層上且填入該至少一開口，該第二無機封裝層自該非顯示區延伸至該顯示區。
- 如請求項7所述之顯示面板，其中該開口的二側壁垂直於該第一隔離部的頂面。
- 一種顯示面板，具有一顯示區及環繞該顯示區的一非顯示區，且包括：一陣列基板；一第一電極，位於該陣列基板上且位於該顯示區；及一畫素定義層，位於該第一電極上，其中該畫素定義層具有和該第一電極重疊的一開口；一發光層，位於該開口內；一第一隔離部，位於陣列基板上且位於非顯示區；及至少一第二隔離部，位於該第一隔離部上，其中該第二隔離部的最大寬度和該第一隔離部的寬度的比值為0.1至0.95，且該第二隔離部的上表面具有波浪形狀。
- 如請求項9所述之顯示面板，還包括：一無機封裝層，位於該陣列基板上且位於該非顯示區，其中該第一隔離部和該無機封裝層的邊界的距離為1微米至1000微米。
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2021
- 2021-03-08 CN CN202110251108.8A patent/CN113035887B/zh active Active
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