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TWI724642B - 微製像設備及其加工方法 - Google Patents

微製像設備及其加工方法 Download PDF

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TWI724642B
TWI724642B TW108142159A TW108142159A TWI724642B TW I724642 B TWI724642 B TW I724642B TW 108142159 A TW108142159 A TW 108142159A TW 108142159 A TW108142159 A TW 108142159A TW I724642 B TWI724642 B TW I724642B
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light
micro
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light beams
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TW108142159A
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TW202121058A (zh
Inventor
郭鴻鼎
Original Assignee
墨子光電有限公司
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Publication date
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Publication of TW202121058A publication Critical patent/TW202121058A/zh

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本發明提供一種微製像設備，係包括：一投影裝置，係用以提供形成有一圖案之複數個光束；一準直元件，係用以將該複數個光束形成複數個準直光束；一縮光元件，係用以將該複數個準直光束形成複數個縮光光束；以及一聚焦元件，係用以將該複數個縮光光束形成複數個聚焦光束，以將該複數個聚焦光束所形成之該圖案成像在目標物上，避免使用傳統製程中的光罩，以降低製程成本，且提高製程效率。

Description

微製像設備及其加工方法
本發明係關於一種微製像設備及其加工方法，尤指一種用於無光罩製程中的微製像設備及其加工方法。
微製像設備係用於將所需之圖案成像至目標物之設備，其主要應用於例如半導體封裝、面板顯示器或印刷電路板(PCB)之製程中。而現行的半導體製程中之微製像設備常利用光罩將所需圖案成像於基板之感光材料層上，進而轉印於例如矽晶圓或玻璃板之基板上。
然而，現今製程中光罩本身不但需要花費相當的時間製造，且其成本也相當昂貴，此外，也無法隨時因應需求而改變光罩上所形成之圖案，此時光罩上所形成之圖案若非所需，此光罩即無法使用，故對於產品製造商而言產生了相當大的損失。
為解決上述問題，相關業界發展出「無光罩(maskless)」製程，此無光罩製程相較於傳統需光罩的製程上，具有減少製程時間且能隨時改變圖案的優點。而現今的無光罩製程主要採用美國德州儀器所製造的「高度精密的數位微反射晶片(Digital Micro-mirror Device,DMD)」。美 國德州儀器所製造的DMD晶片由複數個微小鏡片所組成，利用光源通過複數個微小鏡片，並由複數個微小鏡片的角度切換達到ON及OFF的狀態以控制光線的明暗，藉此形成圖案並成像於基板上。
儘管現今製程中能夠利用DMD晶片達到無光罩製程，但DMD晶片本身價格昂貴，且照射面積有限，故在製程過程中需要將複數個DMD晶片組合成陣列，以提高生產效率，此外，DMD晶片上的複數個微小鏡片在多次切換ON及OFF的狀態後也容易故障，故其製程的成本仍然高居不下。
因此，如何克服上述習知技術之種種問題，實已成為目前業界亟待克服之難題。
鑑於上述習知技術之種種缺失，本發明提供一種微製像設備，包括：一投影裝置，係為光元件陣列，用以提供形成有一圖案之複數個光束；一準直元件，係用以修正該複數個光束，以形成複數個準直光束；一縮光元件，係用以縮小該複數個準直光束，以形成複數個縮光光束；以及一聚焦元件，係用以聚焦該複數個縮光光束形成複數個聚焦光束，以將該複數個聚焦光束所形成之該圖案成像在目標物上。
本發明提供一種微製像加工方法，包括：提供一包括有用以形成一圖案之複數個光束的光源；修正該複數個光束，以形成複數個準直光束；縮小該複數個準直光束，以形成複數個縮光光束；聚焦該複數個縮光光束聚焦，以形成複數個聚焦光束；以及將該複數個聚焦光束所形成的該圖案成像在目標物上。
在一實施例中，更包括一分光元件，係設於該準直元件與該縮光元件之間，用以將該準直元件所產生之該複數個準直光束分光為複數個第一分光準直光束及複數個第二分光準直光束，以將該複數個第一分光準直光束投射至一檢測元件及將該複數個第二分光準直光束投射至該縮光元件上。
在一實施例中，更包括一遮光元件，係設於該分光元件與該縮光元件之間，用以遮擋該複數個第二分光準直光束。
在一實施例中，更包括一處理模組，係通訊連接該檢測元件及該遮光元件，其中，該檢測元件檢測該複數個第一分光準直光束所形成之該圖案是否正確，若形成之該圖案係為正確者，則由該處理模組控制該遮光元件使該複數個第二分光準直光束投射至該縮光元件上，以經由該縮光元件形成該複數個縮光光束。
在一實施例中，該處理模組係通訊連接該投影裝置，若該檢測元件檢測該複數個第一分光準直光束所形成之該圖案係為不正確者，則由該處理模組調整該投影裝置所產生的該複數個光束，以重新形成該圖案。
在一實施例中，該縮光元件係依據可調倍率或固定倍率將該複數個準直光束縮小成該複數個縮光光束。
在一實施例中，該投影裝置之該光元件陣列係為微發光二極體(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)。
在一實施例中，該準直元件、該縮光元件及該聚焦元件為非球面元件或球面元件。
由上可知，本發明之微製像設備及其加工方法中，藉由微發光二極體(Micro-LED)所形成之光元件陣列提供已形成圖案之光源，藉此在製程上能減少光罩的成本，且能隨時因應需求改變圖案。此外，相較於習知技術利用DMD晶片之製程上，本發明利用微發光二極體(Micro-LED)配合準直元件、分光元件、縮光元件及聚焦元件之使用，以取代光源結合DMD晶片的結構，也大幅減少了無光罩製程上的成本。
1‧‧‧微製像設備
1a‧‧‧元件組
10‧‧‧投影裝置
100‧‧‧光束
20‧‧‧準直元件
21‧‧‧第一校正元件
210‧‧‧校正光束
22‧‧‧第一均值元件
220‧‧‧第一均值光束
23‧‧‧第二均值元件
230‧‧‧第二均值光束
24‧‧‧第二校正元件
240‧‧‧準直光束
30‧‧‧分光元件
300a‧‧‧第一分光準直光束
300b‧‧‧第二分光準直光束
301‧‧‧抗反射鍍膜
302‧‧‧光束分離器鍍膜
303‧‧‧膠部
303a‧‧‧第一表面
303b‧‧‧第二表面
31‧‧‧縮光元件
310‧‧‧縮光光束
32‧‧‧聚焦元件
320‧‧‧聚焦光束
40‧‧‧處理模組
41‧‧‧檢測元件
42‧‧‧遮光元件
43‧‧‧基板
5‧‧‧3D列印裝置
51‧‧‧容器
510‧‧‧開口
511‧‧‧底部
52‧‧‧防粘玻璃
53‧‧‧光固化材料
54‧‧‧架體
55‧‧‧三軸平台
L、T‧‧‧光軸
S‧‧‧容置空間
第1圖係繪示本發明微製像設備之架構示意圖；
第2圖係繪示本發明之微製像加工方法之流程圖；
第3圖係繪示本發明之分光元件的剖面圖；以及
第4圖係繪示本發明之微製像設備的另一應用實施例。
以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。
須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋 之範圍內。同時，本說明書中所引用之如「上」、「下」、「左」、「右」、「後」、「底」及「一」等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。
第1圖係繪示本發明微製像設備1之架構示意圖。如第1圖所示，該微製像設備1包括有一投影裝置10、一準直元件20、一分光元件30、一縮光元件31、一聚焦元件32、一處理模組40、一檢測元件41以及一遮光元件42，用以在如一基板43之目標物上進行圖案化製程。在其他實施例中，該微製像設備1另可在該投影裝置10至該聚焦元件32之前、之後或二者之間設置其他所需之元件(如光學元件)。
該投影裝置10係為光元件陣列，用以提供複數個光束100之光源，且形成一圖案。該投影裝置10可為微發光二極體(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)，但不以此為限。
於本實施例中，定義一光軸L(如第1圖所示)係為該投影裝置10所產生之光束100自該投影裝置10投射向該基板43之方向。
該準直元件20係依據該光軸L之方向修正該投影裝置10所提供該複數個光束100，以使該複數個光束100成為複數個準直光束240，其中，該準直元件20包括依序排列或對應之一第一校正元件21、一第一均值元件22、一第二均值元件23及一第二校正元件24。
再者，該投影裝置10之光元件陣列提供該複數個光束100進入該第一校正元件21，該第一校正元件21初步地將該複數個光束100修正為水平沿著該光軸L之方向前進的複數個校正光束210，且該複數個校正光束210經由該第一均值元件22產生複數個第一均值光束220，以及該複數個第一均值光束220經由該第二均值元件23產生複數個第二均值光束230，以 透過該第一均值元件22及該第二均值元件23使複數個校正光束210的強度更加均勻且一致，最後由該第二校正元件24再次將該複數個第二均值光束230修正為水平沿著該光軸L之方向的該複數個準直光束240。
該分光元件30係用以將該準直元件20所產生之該複數個準直光束240分光為複數個第一分光準直光束300a及複數個第二分光準直光束300b，該分光元件30將該複數個第一分光準直光束300a投射至檢測元件41上，以檢測該複數個第一分光準直光束300a所形成的該圖案是否有光束強度不足、該圖案成像錯誤及光束偏移等狀況，其中，該檢測元件41可為感光耦合元件(Charge-coupled Device,CCD)。
另外，該分光元件30將該複數個第二分光準直光束300b投射至該遮光元件42上，該遮光元件42用以遮擋該複數個第二分光準直光束，且該處理模組40通訊連結該投影裝置10、該檢測元件41及該遮光元件42。
亦即，該檢測元件41用以檢測該複數個第一分光準直光束300a所形成之圖案，若所形成之該圖案係為正確者，則由該檢測元件41反饋給該處理模組40，且該處理模組40控制該遮光元件42使該複數個第二分光準直光束300b水平沿著該光軸L之方向投射至該縮光元件31，由該縮光元件31縮小該複數個第二分光準直光束300b，以形成複數個縮光光束310；反之，若該檢測元件41檢測該複數個第一分光準直光束300a所形成之該圖案係為不正確者，則由該檢測元件41反饋給該處理模組40，且該處理模組40調整該投影裝置10所產生的該複數個光束100，以重新形成該圖案。
當調整該投影裝置10所產生的該複數個光束100，並已排除該複數個第一分光準直光束300a的光束強度不足、該圖案成像錯誤及光束 偏移等狀況後，該處理模組40控制該遮光元件42以使該複數個第二分光準直光束300b水平沿著該光軸L之方向投射至該縮光元件31。
於一實施例中，該縮光元件31係依據可調倍率或固定倍率將該複數個第二分光準直光束300b縮小成複數個縮光光束310。
該聚焦元件32係將該縮光元件31所產生之該複數個縮光光束310聚焦形成複數個聚焦光束320。
該聚焦元件32產生之複數個聚焦光束320映射在該基板43上，以形成該圖案，其中，一材料層形成於該基板43上，以便該圖案形成於該基板43上。
於一實施例中，該準直元件20、該縮光元件31及該聚焦元件32為球面鏡或非球面鏡。
第2圖係繪示本發明之微製像加工方法之流程圖。以下將詳述第2圖所示之微製像加工方法，並請一併參閱上述第1圖。
該微製像加工方法係包括：提供一包括有用以形成一圖案之複數個光束100的光源；修正該複數個光束100，以形成複數個準直光束240；縮小該複數個準直光束240，以形成複數個縮光光束310；聚焦該複數個縮光光束310，以形成複數個聚焦光束320；以及將該複數個聚焦光束320所形成的該圖案成像在目標物上。
如第2圖所示，本發明之微製像加工方法可包括下列步驟S21至步驟S27之技術內容。
在步驟S21中，由一投影裝置10提供包括有複數個光束之光源，且該複數個光束形成一圖案，其中，該投影裝置10係為由微發光二極體(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)組成之光元件陣列。
在步驟S22中，一準直元件20係依據光軸L之方向修正該複數個光束100之方向，以使該複數個光束100成為複數個準直光束240，其中，該準直元件20包括依序排列或對應之一第一校正元件21、一第一均值元件22、一第二均值元件23及一第二校正元件24。
該投影裝置10之光元件陣列提供該複數個光束100進入該第一校正元件21，該第一校正元件21初步地將該複數個光束100修正為水平沿著該光軸L前進的複數個校正光束210，且該複數個校正光束210經由該第一均值元件22產生複數個第一均值光束220，以及該複數個第一均值光束220經由該第二均值元件23產生複數個第二均值光束230，以透過該第一均值元件22及該第二均值元件23令複數個校正光束210的強度更加均勻且一致，最後由該第二校正元件24再次將該複數個第二均值光束230修正為水平沿著該光軸L之方向的複數個準直光束240。
在步驟S23中，一分光元件30係將該準直元件20所產生之該複數個準直光束240分光為複數個第一分光準直光束300a及複數個第二分光準直光束300b。
在步驟S24中，該分光元件30將該複數個第一分光準直光束300a投射至一檢測元件41上，以檢測該複數個第一分光準直光束300a所形成的該圖案是否有光束強度不足、該圖案成像錯誤以及光束偏移等狀況，另外，該分光元件30將該複數個第二分光準直光束300b投射至該遮光元件42上，且一處理模組40通訊連結該投影裝置10、該檢測元件41及該遮光元件42。若該檢測元件41檢測結果正常，則該檢測元件41反饋給該處理模組40，且該處理模組40控制該遮光元件42使該複數個第二分光準直光束300b投射至該縮光元件31；反之，若該檢測元件41檢測結果異常，則該檢測元 件41反饋給該處理模組40，且該處理模組40調整該投影裝置10所產生的該複數個光束100，如此，回到步驟S21，重新形成該圖案。
在步驟S25中，一縮光元件31接收該複數個第二分光準直光束300b，且係依據可調倍率或固定倍率縮小該複數個第二分光準直光束300b以產生複數個縮光光束310。
在步驟S26中，透過一聚焦元件32將該縮光元件31所產生之該複數個縮光光束310聚焦形成複數個聚焦光束320。
在步驟S27中，該聚焦元件32產生之複數個聚焦光束320映射在上方具有材料層之基板43上，以便在該基板43上形成該圖案。
第3圖係繪示本發明之分光元件30的剖面圖。如第3圖所示，該分光元件30包括有抗反射鍍膜(Antireflective coating,AR coating)301、光束分離器鍍膜(Beam Splitter coating,BS coating)302及膠部303。
於本實施例中，該分光元件30係為矩形立體的透鏡，且該分光元件30內部設有該膠部303，其中，該膠部303具有相對之一第一表面303a及一第二表面303b，該第二表面303b與該光軸L形成夾角α(如第3圖所示)，該夾角α例如為45°，且該第一表面303a上設有該光束分離器鍍膜302，用以將該複數個準直光束240分光為複數個第一分光準直光束300a及複數個第二分光準直光束300b，此外，該分光元件30表面設有抗反射鍍膜301，用以防止該複數個準直光束240、複數個第一分光準直光束300a及複數個第二分光準直光束300b等光束產生反射，而造成該圖案光束強度不足、該圖案成像錯誤及光束偏移等狀況。
由上可知，本發明之微製像設備及其加工方法中，藉由微發光二極體(Micro-LED)所形成之光元件陣列提供已形成圖案之光源，經過 該準直元件20、該分光元件30、該縮光元件31及該聚焦元件32將該圖案映設於該基板上，藉此在製程上能減少光罩的成本，且能隨時因應需求改變該圖案。此外，相較於習知技術利用DMD晶片之製程上，本發明利用微發光二極體(Micro-LED)搭配該準直元件20、該分光元件30、該縮光元件31及該聚焦元件32，取代光源結合DMD晶片的結構，大幅減少了製程上的成本。
第4圖係繪示本發明之微製像設備1的另一應用實施例。如第4圖所示，一3D列印裝置5係包括：一微製像設備1，於本實施例中，該微製像設備1係包括一投影裝置10及一元件組1a，該元件組1a可包括如前所述之一準直元件20、一分光元件30、一縮光元件31、一聚焦元件32、一處理模組40、一檢測元件41及一遮光元件42，其利用該微製像設備1產生複數個聚焦光束320以形成一圖案；一容器51，係設於一三軸平台55上，且該容器51具有相對之一開口510和一底部511以及連通該開口510之一容置空間S，其中，該容置空間S裝有一光固化材料53，且一架體54設於該容器51之容置空間S中並接觸該底部511；以及一防粘玻璃52係遮蓋於該容器51之開口510上。
於本實施例中，定義一光軸T(如第4圖所示)係為該投影裝置10所產生之光束100自該投影裝置10投射向該架體54之方向。該3D列印裝置5將欲列印之一目標物的圖形切分成複數個圖案，並透過該微製像設備1產生該複數個聚焦光束320以逐一形成該複數個圖案，且該複數個聚焦光束320沿著該光軸T穿透該防粘玻璃52投射於該架體54或該底部511上，使該光固化材料53於該架體54或該底部511上逐一形成該複數個圖案，且該複數個圖案彼此堆疊形成該目標物。
上述實施形態僅例示性說明本發明之原理、特點及其功效，並非用以限制本發明之可實施範疇，任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施形態進行修飾與改變。任何運用本發明所揭示內容而完成之等效改變及修飾，均仍應為下述之申請專利範圍所涵蓋。因此，本發明之權利保護範圍，應如申請專利範圍所列。
1‧‧‧微製像設備
10‧‧‧投影裝置
100‧‧‧光束
20‧‧‧準直元件
21‧‧‧第一校正元件
210‧‧‧校正光束
22‧‧‧第一均值元件
220‧‧‧第一均值光束
23‧‧‧第二均值元件
230‧‧‧第二均值光束
24‧‧‧第二校正元件
240‧‧‧準直光束
30‧‧‧分光元件
300a‧‧‧第一分光準直光束
300b‧‧‧第二分光準直光束
31‧‧‧縮光元件
310‧‧‧縮光光束
32‧‧‧聚焦元件
320‧‧‧聚焦光束
40‧‧‧處理模組
41‧‧‧檢測元件
42‧‧‧遮光元件
43‧‧‧基板
L‧‧‧光軸

Claims (12)

  1. 一種微製像設備，包括：一投影裝置，係為光元件陣列，用以提供形成有一圖案之複數個光束；一準直元件，係用以修正該複數個光束，以形成複數個準直光束；一分光元件，係用以分光該複數個準直光束，以形成複數個第一分光準直光束及複數個第二分光準直光束，且將該複數個第一分光準直光束投射至一檢測元件；一縮光元件，係用以縮小該複數個第二分光準直光束，以形成複數個縮光光束；以及一聚焦元件，係用以聚焦該複數個縮光光束形成複數個聚焦光束，以將該複數個聚焦光束所形成之該圖案成像在目標物上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之微製像設備，更包括一遮光元件，係設於該分光元件與該縮光元件之間，用以遮擋該複數個第二分光準直光束。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之微製像設備，更包括一處理模組，係通訊連接該檢測元件及該遮光元件，其中，該檢測元件檢測該複數個第一分光準直光束所形成之該圖案是否正確，若形成之該圖案係為正確者，則由該處理模組控制該遮光元件使該複數個第二分光準直光束投射至該縮光元件上，以經由該縮光元件形成該複數個縮光光束。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之微製像設備，其中，該處理模組係通訊連接該投影裝置，若該檢測元件檢測該複數個第一分光準直光束所形成之該圖案係為不正確者，則由該處理模組調整該投影裝置所產生的該複數個光束，以重新形成該圖案。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之微製像設備，其中，該縮光元件係依據可調倍率或固定倍率將該複數個第二分光準直光束縮小成該複數個縮光光束。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之微製像設備，其中，該投影裝置之該光元件陣列係為微發光二極體(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之微製像設備，其中，該準直元件、該縮光元件及該聚焦元件係為非球面元件或球面元件。
  8. 一種微製像加工方法，包括：提供一包括有用以形成一圖案之複數個光束的光源；修正該複數個光束，以形成複數個準直光束；分光該複數個準直光束，以形成複數個第一分光準直光束及複數個第二分光準直光束；縮小該複數個第二分光準直光束，以形成複數個縮光光束；聚焦該複數個縮光光束，以形成複數個聚焦光束；以及將該複數個聚焦光束所形成的該圖案成像在目標物上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之微製像加工方法，更包括檢測該複數個第一分光準直光束所形成之該圖案是否正確，以在形成之該圖案係為正確者時，調整該複數個第二分光準直光束以形成該複數個縮光光束。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之微製像加工方法，其中，若形成之該圖案係為不正確者時，重新調整該複數個光束以形成該圖案。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之微製像加工方法，其中，該複數個縮光光束係依據可調倍率或固定倍率將該複數個第二分光準直光束縮小而形成者。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之微製像加工方法，其中，該光源係來自微發光二極體(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)。
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