TWI719930B

TWI719930B - 過壓保護電路

Info

Publication number: TWI719930B
Application number: TW109131124A
Authority: TW
Inventors: 賴璟鋒
Original assignee: 致新科技股份有限公司
Priority date: 2020-09-10
Filing date: 2020-09-10
Publication date: 2021-02-21
Also published as: TW202211574A

Abstract

一種過壓保護電路可應用於一馬達控制器。該馬達控制器係用以驅動一馬達，其中該馬達具有一馬達線圈。該馬達線圈具有一第一端點與一第二端點。該馬達控制器具有一開關電路與該過壓保護電路。該開關電路係為一H橋式電路且具有兩上側開關與兩下側開關。該過壓保護電路具有一前置驅動器、一相位偵測單元、一控制單元、以及一過壓偵測電路。當該第一端點或該第二端點發生過電壓時，該過壓保護電路藉由導通兩上側開關或是導通兩下側開關以抑制一電壓突波。

Description

過壓保護電路

本發明係關於一種過壓保護電路，特別是關於一種可應用於一馬達控制器之過壓保護電路。

第1圖係習知之馬達控制器10之示意圖。馬達控制器10係用以驅動一馬達，其中該馬達具有一馬達線圈L。馬達線圈L具有一第一端點O1與一第二端點O2。馬達控制器10具有一開關電路100、一控制單元110、以及一相位偵測單元120。開關電路100耦合至一端點VCC且端點VCC產生一供應電流IVCC。開關電路100具有一電晶體101、一電晶體102、一電晶體103、以及一電晶體104，用以提供一馬達電流至馬達線圈L。相位偵測單元120產生一相位信號Vph至控制單元110，用以通知控制單元110切換相位。控制單元110產生四個驅動信號至開關電路100，用以分別控制電晶體101、電晶體102、電晶體103、以及電晶體104之導通情形。

第2圖係對應於第1圖之相關信號之時序圖。請同時參照第1圖與第2圖。當馬達正轉驅動時，可設定電晶體101與電晶體104導通且電晶體102與電晶體103不導通，此時馬達電流係由端點VCC依序地流向電晶體101、第一端點O1、第二端點O2、電晶體104、最後流至一端點GND。當馬達需要減速或轉向時，則設定電晶體102與電晶體103導通且電晶體101與電晶體104不導通，以減小馬達電流或將馬達電流方向反轉。此時馬達電流由於慣性運動會使電流維持原本的方向，即馬達電流係由端點GND依序地流向電晶體102、第一端點O1、第二端點O2、電晶體103、最後流至端點VCC，導致端點VCC之電壓上升且產生一電壓突波。若端點VCC之電壓大於開關電路100之耐壓，則可能造成開關電路100損毀。傳統上可於端點VCC與端點GND之間耦合一電容C或一稽納二極體ZD用以將過多能量吸收或箝制電壓突波，但此方法將提高製造成本。

有鑑於前述問題，本發明之目的在於提供一種過壓保護電路以保護開關電路且可降低製造成本。

依據本發明提供該馬達控制器。該馬達控制器係用以驅動一馬達，其中該馬達具有一馬達線圈。該馬達線圈具有一第一端點與一第二端點。該馬達控制器具有一開關電路與一過壓保護電路，其中該過壓保護電路耦合至該開關電路以避免該開關電路損毀。該開關電路耦合至一端點VCC且該端點VCC產生一供應電流至該開關電路。該開關電路係用以提供一馬達電流至該馬達線圈，其中該馬達電流可類比於該供應電流。該開關電路具有一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、以及一第四電晶體。此外，該開關電路係為一H橋式(H-bridge)電路。該第一電晶體與該第三電晶體分別為一上側開關而第二電晶體與第四電晶體分別為一下側開關。

該過壓保護電路具有一前置驅動器、一相位偵測單元、一控制單元、以及一過壓偵測電路。該相位偵測單元產生一相位信號至該控制單元，用以通知該控制單元切換相位。該過壓偵測電路具有一第一電阻、一第二電阻、以及一比較器，用以產生一偵測信號至該控制單元。該第一電阻耦合至該端點VCC與該第二電阻而該第二電阻耦合至一端點GND，用以產生一回授電壓至該比較器。該比較器藉由比較該回授電壓與一參考電壓，用以輸出該偵測信號。因此，可利用該過壓偵測電路設定一預定值以代表該端點VCC之過壓保護值。當該端點VCC發生過電壓時，表示該第一端點或該第二端點其中之一也發生過電壓。因此，該過壓偵測電路也可適用於偵測該第一端點或該第二端點是否發生過電壓。

該控制單元接收該相位信號與該偵測信號，用以產生一控制信號至該前置驅動器，其中該控制單元根據該偵測信號以決定是否進入一過壓保護機制。該前置驅動器根據該控制信號而產生一第一驅動信號、一第二驅動信號、一第三驅動信號、以及一第四驅動信號，用以分別控制該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、以及該第四電晶體之導通情形。

當該第一端點或該第二端點發生過電壓時，該過壓保護電路藉由導通兩上側開關或是導通兩下側開關以抑制一電壓突波且保護該開關電路。由於不需增加外部元件，因此可降低製造成本。

下文中之說明將使本發明之目的、特徵、與優點更明顯。茲將參考圖式詳細說明依據本發明之較佳實施例。

第3圖係本發明一實施例之馬達控制器20與過壓保護電路300之示意圖。馬達控制器20係用以驅動一馬達，其中馬達具有一馬達線圈L。馬達線圈L具有一第一端點O1與一第二端點O2。馬達控制器20具有一開關電路200與過壓保護電路300，其中過壓保護電路300耦合至開關電路200以避免開關電路200損毀。開關電路200耦合至一端點VCC且端點VCC產生一供應電流IVCC至開關電路200。開關電路200係用以提供一馬達電流至馬達線圈L，其中馬達電流可類比於供應電流IVCC。開關電路200具有一第一電晶體201、一第二電晶體202、一第三電晶體203、以及一第四電晶體204。第一電晶體201耦合至端點VCC與第一端點O1而第二電晶體202耦合至第一端點O1與一端點GND。第三電晶體203耦合至端點VCC與第二端點O2而第四電晶體204耦合至第二端點O2與端點GND。第一電晶體201、第二電晶體202、第三電晶體203、以及第四電晶體204可為一P型金氧半電晶體或一N型金氧半電晶體。於第3圖中，第一電晶體201與第三電晶體203係以兩P型金氧半電晶體為例。第二電晶體202與第四電晶體204係以兩N型金氧半電晶體為例。此外，開關電路200係為一H橋式(H-bridge)電路。第一電晶體201與第三電晶體203分別為一上側開關而第二電晶體202與第四電晶體204分別為一下側開關。

過壓保護電路300具有一前置驅動器310、一相位偵測單元320、一控制單元330、以及一過壓偵測電路340。相位偵測單元320產生一相位信號Vph至控制單元330，用以通知控制單元330切換相位，其中相位偵測單元320可為一霍爾感測器。霍爾感測器係設置於馬達附近以感測馬達的磁場變化。過壓偵測電路340具有一第一電阻R1、一第二電阻R2、以及一比較器341，用以產生一偵測信號Vd至控制單元330。第一電阻R1耦合至端點VCC與第二電阻R2而第二電阻R2耦合至端點GND，用以產生一回授電壓Vfb至比較器341。比較器341藉由比較回授電壓Vfb與一參考電壓Vr，用以輸出偵測信號Vd。因此，可利用過壓偵測電路340設定一預定值以代表端點VCC之過壓保護值。當端點VCC發生過電壓時，表示第一端點O1或第二端點O2其中之一也發生過電壓。因此，過壓偵測電路340也可適用於偵測第一端點O1或第二端點O2是否發生過電壓。

控制單元330接收相位信號Vph與偵測信號Vd，用以產生一控制信號Vc至前置驅動器310，其中控制單元330根據偵測信號Vd以決定是否進入一過壓保護機制。前置驅動器310根據控制信號Vc而產生一第一驅動信號D1、一第二驅動信號D2、一第三驅動信號D3、以及一第四驅動信號D4，用以分別控制第一電晶體201、第二電晶體202、第三電晶體203、以及第四電晶體204之導通情形。

第4圖係對應於第3圖之相關信號之時序圖。請同時參照第3圖與第4圖。由於相位信號Vph為一週期信號且具有一週期T，因此可定義一換相時間Tp為1/2週期T。也就是說，時間點0至時間點T1之時間間隔為換相時間Tp。時間點T1至時間點T2之時間間隔為換相時間Tp。時間點T2至時間點T3之時間間隔為換相時間Tp。時間點T3至時間點T4之時間間隔為換相時間Tp。

具體而言，當馬達於時間點T1從一正轉狀態轉變成一煞車狀態時，若端點VCC之電壓大於預定值，偵測信號Vd會由一低位準L改變成一高位準H，以通知控制單元330進入過壓保護機制。此時會設定第二電晶體202與第四電晶體204導通且第一電晶體201與第三電晶體203不導通，使得第一端點O1之電壓與第二端點O2之電壓被強制拉至低位準L以抑制第二端點O2之電壓突波。此外，第二電晶體202與第四電晶體204之導通時間可持續至少一換相時間Tp後，才設定第二電晶體202與第四電晶體204不導通或是設定第二電晶體202與第四電晶體204其中之一不導通，以離開過壓保護機制。其目的在於需確保馬達電流趨近於0或等於0時之後才離開過壓保護機制，以防止再次發生電壓突波。為了降低開關電路200之溫度，可於離開過壓保護機制後至少N個換相時間Tp後才再次驅動馬達運轉，其中N≥1且N為一正整數。本發明之另一實施例亦可選擇於進入過壓保護機制時，設定第一電晶體201第三電晶體203導通且第二電晶體202與第四電晶體204不導通以抑制電壓突波。同理，當馬達從一反轉狀態轉變成煞車狀態，本發明之過壓保護電路300亦可用以抑制第一端點O1產生之電壓突波。

本發明之過壓保護電路300可應用於一單相馬達。當第一端點O1或第二端點O2發生過電壓時，過壓保護電路300藉由導通兩上側開關或是導通兩下側開關以抑制一電壓突波且保護開關電路200。由於不需增加外部元件，因此可降低製造成本。

雖然本發明業已藉由較佳實施例作為例示加以說明，應瞭解者為：本發明不限於此被揭露的實施例。相反地，本發明意欲涵蓋對於熟習此項技藝之人士而言係明顯的各種修改與相似配置。因此，申請專利範圍應根據最廣的詮釋，以包含所有此類修改與相似配置。以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10:馬達控制器 100:開關電路 110:控制單元 120:相位偵測單元 101,102,103,104:電晶體 C:電容 ZD:稽納二極體 20:馬達控制器 VCC:端點 GND:端點 IVCC:供應電流 200:開關電路 300:過壓保護電路 310:前置驅動器 320:相位偵測單元 330:控制單元 340:過壓偵測電路 341:比較器 R1:第一電阻 R2:第二電阻 Vph:相位信號 Vc:控制信號 Vd:偵測信號 Vfb:回授電壓 Vr:參考電壓 201:第一電晶體 202:第二電晶體 203:第三電晶體 204:第四電晶體 D1:第一驅動信號 D2:第二驅動信號 D3:第三驅動信號 D4:第四驅動信號 L:馬達線圈 O1:第一端點 O2:第二端點 T:週期 T1,T2,T3,T4:時間點 Tp:換相時間

第1圖係習知之馬達控制器之示意圖。第2圖係對應於第1圖之相關信號之時序圖。第3圖係本發明一實施例之馬達控制器與過壓保護電路之示意圖。第4圖係對應於第3圖之相關信號之時序圖。

20:馬達控制器

VCC:端點

GND:端點

IVCC:供應電流

200:開關電路

300:過壓保護電路

310:前置驅動器

320:相位偵測單元

330:控制單元

340:過壓偵測電路

341:比較器

R1:第一電阻

R2:第二電阻

Vph:相位信號

Vc:控制信號

Vd:偵測信號

Vfb:回授電壓

Vr:參考電壓

201:第一電晶體

202:第二電晶體

203:第三電晶體

204:第四電晶體

D1:第一驅動信號

D2:第二驅動信號

D3:第三驅動信號

D4:第四驅動信號

L:馬達線圈

O1:第一端點

O2:第二端點

Claims

一種過壓保護電路用以保護一H橋式電路，該H橋式電路係用以提供一馬達電流至一馬達線圈且該馬達線圈具有一第一端點及一第二端點，該H橋式電路具有兩上側開關與兩下側開關，該過壓保護電路包含：一前置驅動器，用以產生複數個驅動信號以控制該H橋式電路；以及一控制單元，用以產生一控制信號至該前置驅動器，其中當該第一端點或該第二端點發生過電壓時，設定該兩下側開關導通。
如申請專利範圍第1項所述之過壓保護電路，其中當該第一端點或該第二端點發生過電壓時，設定該兩上側開關不導通。
如申請專利範圍第1項所述之過壓保護電路，其中該兩上側開關分別為一P型金氧半電晶體，且該兩下側開關分別為一N型金氧半電晶體。
如申請專利範圍第1項所述之過壓保護電路，其中該過壓保護電路係應用於一單相馬達。
如申請專利範圍第1項所述之過壓保護電路，其中該過壓保護電路更包含一相位偵測單元，該相位偵測單元用以產生一相位信號至該控制單元以切換相位，該相位信號為一週期信號且具有一週期。
如申請專利範圍第5項所述之過壓保護電路，其中設定該兩下側開關之導通時間持續至少一換相時間，其中該換相時間為1/2週期。
如申請專利範圍第6項所述之過壓保護電路，其中設定該兩下側開關之導通時間持續至少一換相時間後，才設定該兩下側開關不導通。
如申請專利範圍第6項所述之過壓保護電路，其中設定該兩下側開關之導通時間持續至少一換相時間後，才設定該兩下側開關其中之一不導通。
一種過壓保護電路用以保護一H橋式電路，該H橋式電路係用以提供一馬達電流至一馬達線圈且該馬達線圈具有一第一端點及一第二端點，該H橋式電路具有兩上側開關與兩下側開關，該過壓保護電路包含：一前置驅動器，用以產生複數個驅動信號以控制該H橋式電路；以及一控制單元，用以產生一控制信號至該前置驅動器，其中當該第一端點或該第二端點發生過電壓時，設定該兩上側開關導通。
如申請專利範圍第9項所述之過壓保護電路，其中當該第一端點或該第二端點發生過電壓時，設定該兩下側開關不導通。
一種過壓保護電路用以保護一開關電路，該開關電路係用以提供一馬達電流至一馬達線圈且該馬達線圈具有一第一端點及一第二端點，該開關電路具有一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、以及一第四電晶體，該第一電晶體耦合至一第三端點與該第一端點而該第二電晶體耦合至該第一端點與一第四端點，該第三電晶體耦合至該第三端點與該第二端點而該第四電晶體耦合至該第二端點與該第四端點，該過壓保護電路包含：一前置驅動器，用以產生複數個驅動信號以控制該開關電路；一控制單元，用以產生一控制信號至該前置驅動器；一相位偵測單元，用以產生一相位信號至該控制單元以切換相位，其中該相位信號為一週期信號且具有一週期；以及一過壓偵測電路，用以產生一偵測信號至該控制單元，其中當該第一端點或該第二端點發生過電壓時，設定該第二電晶體與該第四電晶體導通以進入一過壓保護機制。
如申請專利範圍第11項所述之過壓保護電路，其中當該第一端點或該第二端點發生過電壓時，設定該第一電晶體與該第三電晶體不導通以進入該過壓保護機制。
如申請專利範圍第12項所述之過壓保護電路，其中該過壓保護電路係應用於一單相馬達。
如申請專利範圍第13項所述之過壓保護電路，其中設定該第二電晶體與該第四電晶體之導通時間持續至少一換相時間，其中該換相時間為1/2週期。
如申請專利範圍第14項所述之過壓保護電路，其中設定該第二電晶體與該第四電晶體之導通時間持續至少一換相時間後，才設定該第二電晶體與該第四電晶體不導通以離開該過壓保護機制。
如申請專利範圍第14項所述之過壓保護電路，其中設定該第二電晶體與該第四電晶體之導通時間持續至少一換相時間後，才設定該第二電晶體與該第四電晶體其中之一不導通以離開該過壓保護機制。
如申請專利範圍第15項所述之過壓保護電路，其中離開該過壓保護機制後至少N個該換相時間後才再次驅動該單相馬達運轉，其中N≥1且N為一正整數。
如申請專利範圍第16項所述之過壓保護電路，其中離開該過壓保護機制後至少N個該換相時間後才再次驅動該單相馬達運轉，其中N≥1且N為一正整數。
如申請專利範圍第11項所述之過壓保護電路，其中，該過壓偵測電路包含：一第一電阻，耦合至該第三端點；一第二電阻，耦合至該第一電阻與該第四端點，用以產生一回授電壓；以及一比較器，藉由比較該回授電壓與一參考電壓，用以輸出該偵測信號。
如申請專利範圍第11項所述之過壓保護電路，其中該第一電晶體與該第三電晶體分別為一P型金氧半電晶體，且該第二電晶體與該第四電晶體分別為一N型金氧半電晶體。