TWI718297B

TWI718297B - 雷射光線的檢查方法

Info

Publication number: TWI718297B
Application number: TW106114781A
Authority: TW
Inventors: 荒川太朗
Original assignee: 日商迪思科股份有限公司
Priority date: 2016-06-08
Filing date: 2017-05-04
Publication date: 2021-02-11
Also published as: KR20170138935A; JP6757185B2; CN107470782A; KR102231739B1; JP2017217673A; TW201808511A; CN107470782B

Abstract

正確地檢查光學系統的光軸與雷射光線之偏離。

包含準備步驟、改質層形成步驟及檢查步驟，該準備步驟是將檢查用板狀物與支撐基材隔著樹脂層積層以準備被加工物單元，其中該樹脂層在受到可穿透該檢查用板狀物之波長的雷射光線照射時會熔融，該改質層形成步驟是使檢查用板狀物露出並將被加工物單元保持在工作夾台的保持面上，且將該雷射光線照射成從檢查用板狀物的露出面在檢查用板狀物的內部聚光，以在檢查用板狀物的內部形成改質層，該檢查步驟是在實施改質層形成步驟之後，檢查藉由已穿透檢查用板狀物的雷射光線而形成於樹脂層的熔融痕跡之狀態。

Description

雷射光線的檢查方法

發明領域

本發明是有關於一種雷射光線的檢查方法。

發明背景

針對半導體晶圓或藍寶石基板、SiC基板等的光器件晶圓或玻璃基板等，在內部形成改質層，且以改質層為起點來破斷並分割的雷射加工方法是已知的(參照例如專利文獻1)。

先前技術文獻專利文獻

專利文獻1：日本專利特許第3408805號公報

發明概要

雷射光線在光學系統的光軸與雷射光線的光軸一致時，可以使雷射光線的能量變得最大而有效率地利用在加工上。不過，當光學系統的光軸與雷射光線的光軸偏離時，會有在雷射光線的能量上產生偏差，而無法獲得所期望的狀態之改質層的情形。

因此，能夠正確地檢查光學系統的光軸與雷射光線的光軸的偏離之雷射光線的檢查方法已備受期望。

本發明是有鑒於上述而作成的發明，其目的在於提供一種能夠正確地檢查光學系統的光軸與雷射光線的光軸的偏離之雷射光線的檢查方法。

為了解決上述的課題，以達成目的，本發明之雷射光線的檢查方法的特徵在於包含下述步驟：準備步驟，將檢查用板狀物與支撐基材積層隔著樹脂層以準備被加工物單元，其中該樹脂層在受到可穿透該檢查用板狀物之波長的雷射光線照射時會熔融；改質層形成步驟，使該檢查用板狀物露出並將該被加工物單元保持在工作夾台的保持面上，且將該雷射光線照射成從該檢查用板狀物的露出面在該檢查用板狀物的內部聚光，以在該檢查用板狀物的內部形成改質層；及檢查步驟，在實施該改質層形成步驟之後，檢查藉由已穿透該檢查用板狀物的該雷射光線而形成於該樹脂層的熔融痕跡之狀態。

依據本發明之雷射光線的檢查方法，是檢查藉由已穿透檢查用板狀物的雷射光線而形成於樹脂層的熔融痕跡之狀態，藉此即可以正確地檢查光學系統的光軸與雷射光線的光軸的偏離。

1:雷射加工裝置

10:工作夾台

10a:保持面

11:夾具部

12:移動台

2:本體部

20:X軸移動機構

21、31:滾珠螺桿

22、32:脈衝馬達

23、33:導軌

3:壁部

30:Y軸移動機構

4:支撐柱

50:雷射光線照射機構(雷射光線照射單元)

51:振盪機構

511:雷射振盪器

512:重複頻率設定機構

513:脈衝寬度調整機構

52:光學系統

53:聚光機構

531:鏡子

532:遮罩

533:針孔

534:聚光透鏡

60:攝像機構

100:控制機構

101:CPU(中央處理單元)

102:ROM(唯讀記憶體)

103:RAM(隨機存取記憶體)

104:計數器

105:輸入介面

106:輸出介面

A:樹脂層

B:支撐基材

D:器件

F:環狀框架

K:改質層

L:分割預定線

LB:雷射光線

LT:漏出光

M:熔融痕跡

T:黏著膠帶

U:被加工物單元

W:晶圓(檢查用板狀物)

Wa:正面

Wb:背面(露出面)

X、Y、Z:方向

圖1是顯示以實施形態之雷射光線的檢查方法檢查的雷射加工裝置之立體圖。

圖2是說明使用於實施形態之雷射光線的檢查方法之被加工物單元之立體圖。

圖3是顯示圖1所示之雷射加工裝置的雷射光線照射機構之方塊圖。

圖4是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之流程圖。

圖5是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之準備步驟的分解立體圖。

圖6是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之改質層形成步驟的概要圖。

圖7是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的概要圖。

圖8是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的圖。

圖9是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的概要圖。

圖10是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的概要圖。

圖11是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的圖。

圖12是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的概要圖。

圖13是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的圖。

用以實施發明之形態

以下，針對本發明的實施形態，一邊參照圖式一邊詳細地進行說明。但本發明並非因以下的實施形態所記載之內容而被限定之發明。又，以下所記載之構成要素中，包含本發明所屬技術領域中具有通常知識者可輕易設想得到的或實質上是相同的。此外，以下所記載之構成可適宜組合。又，只要在不脫離本發明之要旨的範圍內，可進行對構成的各種省略、置換或變更。

圖1所示之雷射加工裝置1是沿著分割預定線L來分割形成有器件D之作為檢查用板狀物的晶圓W之裝置。圖1是顯示以實施形態之雷射光線的檢查方法檢查的雷射加工裝置之立體圖。

如圖2所示，晶圓W是在背面Wb朝上的狀態下，貼附到已裝設於環狀框架F之黏著膠帶T的表面。圖2是說明使用於實施形態之雷射光線的檢查方法之被加工物單元之立體圖。在本實施形態中，晶圓W是具有圓板狀的玻璃基板之半導體晶圓或光器件晶圓。

回到圖1，說明以本實施形態之雷射光線LB的檢查方法來檢查的雷射加工裝置1。雷射加工裝置1具有本體部2、從本體部2朝上方豎立設置的壁部3、及從壁部3朝前方突出的支撐柱4。

雷射加工裝置1具備有：工作夾台10，保持包含晶圓W的被加工物單元U；X軸移動機構20，使工作夾台10與雷射光線照射機構(雷射光線照射單元)50在X軸方向上相對移動；Y軸移動機構30，使工作夾台10與雷射照射機構50在Y軸方向上相對移動；旋轉機構40，使工作夾台10繞著與Z軸方向平行的中心軸線旋轉；雷射光線照射機構50，將脈衝雷射光線(以下稱為「雷射光線」)LB照射在保持於工作夾台10上的晶圓W來進行雷射加工；攝像機構60；及控制機構100。

工作夾台10具有保持晶圓W的保持面10a。保持面10a保持隔著黏著膠帶T而貼附在環狀框架F的開口之晶圓W。保持面10a是由多孔陶瓷等形成的圓盤形狀，且是透過圖未示的真空吸引路徑來與圖未示的真空吸引源連接。保持面10a是隔著黏著膠帶T來吸引並保持被載置的晶圓W。在本實施形態中，保持面10a是與X軸方向及Y軸方向平行的平面。工作夾台10的周圍配置有複數個夾具部11，該等夾具部11會夾持晶圓W的周圍的環狀框架F。

X軸移動機構20是藉由使工作夾台10在X軸方向上移動來將工作夾台10朝X軸方向加工進給之加工進給機構。X軸移動機構20具備以繞著軸心的方式旋轉自如地設置的滾珠螺桿21、使滾珠螺桿21繞著軸心旋轉的脈衝馬達22、及在X軸方向上移動自如地支撐工作夾台10的導軌23。

Y軸移動機構30是藉由使工作夾台10在Y軸方向上移動來將工作夾台10分度進給之分度進給機構。Y 軸移動機構30具備以繞著軸心的方式旋轉自如地設置的滾珠螺桿31、使滾珠螺桿31繞著軸心旋轉的脈衝馬達32、及在Y軸方向上移動自如地支撐工作夾台10的導軌33。

旋轉機構40會使工作夾台10繞著與Z軸方向平行的中心軸線旋轉。旋轉機構40是配置在藉由X軸移動機構20而在X軸方向上移動的移動台12上。

雷射光線照射機構50會對已保持在工作夾台10的晶圓W施行雷射加工。更詳細地說，雷射光線照射機構50會對保持在工作夾台10的晶圓W照射對於晶圓W具有穿透性之波長的雷射光線LB，以在晶圓W的內部形成改質層K。如圖3所示，雷射光線照射機構50具有振盪產生雷射光線LB的振盪機構51、光學系統52、及使雷射光線LB聚光在晶圓W的所期望的位置上的聚光機構53。圖3是顯示圖1所示之雷射加工裝置的雷射光線照射機構的方塊圖。雷射光線照射機構50是安裝在支撐柱4的前端。

振盪機構51具有發送例如YAG雷射光線或YVO雷射光線之雷射振盪器511、設定雷射光線LB的重複頻率之重複頻率設定機構512、及調整雷射光線LB的輸出之脈衝寬度調整機構513。

從雷射振盪器511振盪產生的雷射光線LB是對於晶圓W具有穿透性之波長的雷射光束。雷射光線LB具有例如1064nm的波長。

聚光機構53是包含全反射鏡與聚光透鏡等而構成，該全反射鏡會改變藉由雷射振盪器511所振盪產生的雷射光線LB的進行方向，該聚光透鏡會將雷射光線LB聚光。更詳細來說，聚光機構53具有使雷射光線LB反射的鏡子531、遮罩532、形成於遮罩532的針孔533、及聚光透鏡534。

從雷射振盪器511所振盪產生的雷射光線LB是通過由偏振光束分光器等複數個光學零件所形成的光學系統52而入射到聚光機構53。入射到聚光機構53的雷射光線LB是在鏡子531上反射。在鏡子531上反射後的雷射光線LB會通過遮罩532的針孔533。通過針孔533後的雷射光線LB是藉由組合複數個透鏡群而構成的聚光透鏡534而照射到保持於工作夾台10上的晶圓W。

攝像機構60是從上方拍攝保持於工作夾台10上的晶圓W。攝像機構60是安裝在支撐柱4的前端。攝像機構60是配設在與雷射光線照射機構50在X軸方向上並排的位置上。攝像機構60具有檢測難以被晶圓W吸收的紅外區域的光之CCD(Charge-Coupled Device，電荷耦合器件)等的攝像元件。攝像機構60是將拍攝到的拍攝圖像輸出到控制機構100。

控制機構100是分別控制上述的構成要素，並使其在雷射加工裝置1上實施對晶圓W的雷射加工動作。控制機構100包含電腦系統。控制機構100具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)101、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)102、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)103、計數器104、輸入介面105及輸出介面106。

控制機構100的CPU101是依照儲存於ROM102的電腦程式來實施運算處理，且將用於控制雷射加工裝置1的控制訊號透過輸出介面106輸出到雷射加工裝置1的上述之構成要素。

ROM102會儲存在控制機構100的處理上所需要的程式或資料。RAM103會儲存加工晶圓W的加工條件。加工條件包含形成改質層K的預定之位置、換言之，即用以照射雷射光線LB的位置。

這樣構成的雷射加工裝置1會將雷射光線LB照射到已保持於工作夾台10上的晶圓W。

接著，使用圖4，針對本實施形態的雷射加工裝置1之雷射光線LB的檢查方法進行說明。圖4是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之流程圖。雷射光線LB的檢查方法包含準備步驟S1、改質層形成步驟S2及檢查步驟S3。

首先，實施準備步驟S1。使用圖5說明準備步驟S1。圖5是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之準備步驟的分解立體圖。在準備步驟S1中，操作人員是將晶圓W與支撐基材B隔著樹脂層A積層以準備被加工物單元U，其中該樹脂層A在受到可穿透晶圓W之波長的雷射光線LB照射時會熔融。在晶圓W的正面Wa中，於以複數條分割預定線L所區劃出的區域中形成有複數個器件D。這樣的晶圓W是藉由利用雷射加工裝置1加工而形成改質層K，而在之後的破斷步驟中以改質層K為破斷起點，將晶圓分割成一個個的器件D。然後，操作人員會將被加工物單元U的支撐基板B貼附到外周部被裝設於環狀框架F的黏著膠帶T上。這樣進行，如圖2所示，晶圓W會在背面(露出面)Wb露出的狀態下，隔著樹脂層A、支撐基板B及黏著膠帶T被環狀框架F所支撐。

支撐基板B是例如矽晶圓。樹脂層A是由會吸收在雷射加工裝置1被使用的雷射光線LB且可在預定溫度以上熔融的材料所構成。樹脂層A的厚度比晶圓W或支撐基板B的厚度更薄。

實施準備步驟S1後，實施改質層形成步驟S2。使用圖6來說明改質層形成步驟S2。圖6是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之改質層形成步驟的概要圖。在改質層形成步驟S2中，操作人員是使晶圓W露出並將被加工物單元U保持在工作夾台10的保持面10a上，且將雷射光線LB照射成從作為晶圓W的露出面之正面Wa在晶圓W的內部聚光，以在晶圓W的內部形成改質層K。

在改質層形成步驟S2中，操作人員是使晶圓W的背面Wb露出，而在隔著黏著膠帶T使支撐基材B與工作夾台10的保持面10a相面對的狀態下，將被加工物單元U載置在保持面10a上。操作人員會使真空吸引源動作，並使負壓作用在保持面10a上。這樣進行，以將被加工物單元U吸引保持在保持面10a上。

並且，控制機構100會以X軸移動機構20與Y 軸移動機構30使工作夾台10移動，且將保持於工作夾台10的晶圓W定位到雷射光線照射機構50的下方。並且，控制機構100是以雷射光線照射機構50將雷射光線LB的聚光點P定位在晶圓W的內部，且是從晶圓W的背面Wb來照射雷射光線LB。控制機構100是以X軸移動機構20在X軸方向上將工作夾台10加工進給。藉由這樣進行，可藉由多光子吸收在晶圓W的內部形成改質層K。

在聚光點P的附近未被吸收的雷射光線LB，會成為漏出光(已穿透的雷射光束)LT而從晶圓W的正面Wa射出。從晶圓W的正面Wa射出後的漏出光LT會入射到黏接於晶圓W的正面Wa的樹脂層A。樹脂層A會吸收漏出光LT。因此，樹脂層A會以因為吸收漏出光LT所產生的熱而被熔融，且在改質層K的下方形成熔融痕跡M。

在改質層形成步驟S2中，控制機構100是以X軸移動機構20及Y軸移動機構30，使工作夾台10與照射雷射光線LB的雷射光線照射機構50在X軸方向及Y軸方向上相對移動。藉此，在晶圓W的內部會形成平行於X軸方向及Y軸方向的改質層K。

在實施改質層形成步驟S2後，實施檢查步驟S3。檢查步驟S3是以隔著晶圓W的方式拍攝並檢查藉由已穿透晶圓W的漏出光LT而形成在樹脂層A的熔融痕跡M。在本實施形態中，於檢查步驟S3中，是藉由操作人員目視熔融痕跡M的方式，來檢查雷射加工裝置1的雷射光線LB。檢查步驟S3是針對被加工物單元U的樹脂層A中的與 XY平面平行的截面，分別檢查在平行於X軸方向之改質層K的形成時所形成的熔融痕跡M之狀態、及在平行於Y軸方向之改質層K的形成時所形成的熔融痕跡M之狀態。

使用圖7乃至圖9，針對雷射加工裝置1的雷射光線LB的光軸沒有偏離的狀態之熔融痕跡M進行說明。圖7是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的概要圖。圖8是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的圖。圖9是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的概要圖。圖7、圖9是顯示正在形成平行於X軸方向的改質層K之狀態。圖8所顯示的是以攝像機構60拍攝了被加工物單元U的樹脂層A的附近中的與XY平面平行之截面的圖像。圖像會透過輸出介面106顯示在雷射加工裝置1之圖未示的顯示裝置上。如圖7所示，在雷射光線LB的光軸沒有偏離的狀態下，在樹脂層A上被吸收的露出光LT會沒有偏頗且均等地分布在Y軸方向上。因此，如圖8所示，相對於在圖中以實線表示的露出光LT的中心，熔融痕跡M會在Y軸方向上對稱地形成。露出光LT的中心之X座標及Y座標，與已照射雷射光線LB的位置之X座標及Y座標是相同的。換言之，圖中的實線所顯示的是在XY平面中的已照射雷射光線LB的位置。更換言之，此時熔融痕跡M是形成在改質層K的正下方。

此時，如圖9所示，可以判斷為：雷射光線LB的光軸，與形成在例如遮罩532的針孔533的中心或聚光透鏡534的光軸是一致的。換言之，可以判斷為光學系統52及聚光機構53是以最佳的方式被設定。

使用圖10乃至圖12，針對雷射加工裝置1的雷射光線LB的光軸產生偏離的狀態之熔融痕跡M進行說明。圖10是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的概要圖。圖11是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的圖。圖12是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的概要圖。圖10、圖12是顯示正在形成平行於X軸方向的改質層K之狀態。圖11所顯示的是以攝像機構60拍攝了被加工物單元U的樹脂層A的附近中的與XY平面平行之截面的圖像。圖像會透過輸出介面106顯示在雷射加工裝置1之圖未示的顯示裝置上。如圖10所示，在雷射光線LB的光軸產生偏離的狀態下，在樹脂層A上被吸收的露出光LT是在Y軸方向上偏於一方而分布。因此，樹脂層A的界面中的損傷為在Y軸方向上偏於一方而分布。其結果，如圖11所示，相對於在圖中以實線表示的露出光LT的中心，熔融痕跡M會在Y軸方向上非對稱地形成。換言之，此時，熔融痕跡M是從改質層K的正下方於Y軸方向上偏離而形成。例如，相較於圖8所示的熔融痕跡M，圖11所示的熔融痕跡M是將熔融痕跡M的邊緣形成在距離虛線數μm的位置上。因此，在形成有圖11的熔融痕跡M之狀態下，可以推測為雷射加工裝置1為光軸偏離有數μm左右。像這樣，可以從拍攝圖像中推測雷射加工裝置1的光軸偏離到什麼程度。

此時，如圖12所示，可以判斷為雷射光線LB 的光軸與形成在例如遮罩532的針孔533的中心或聚光透鏡534的光軸並不一致。換言之，可以判斷為光學系統52必須將各種光學零件調整成使雷射光線LB的光軸與遮罩532的針孔533的中心或聚光透鏡534的光軸相吻合。

利用圖13，針對雷射加工裝置1的雷射光線LB的光軸之偏離、及熔融痕跡M的關係進行說明。圖13是說明實施形態之雷射光線的檢查方法之檢查步驟的圖。圖13所顯示的是以攝像機構60拍攝了被加工物單元U的樹脂層A的附近中的與XY平面平行之截面的圖像。圖像會透過輸出介面106顯示在雷射加工裝置1之圖未示的顯示裝置上。在圖13中所顯示的是，雷射光線LB的光軸在Y軸方向上各自偏離有-500μm的情況下、偏離有-250μm的情況下、偏離有500μm的情況下、偏離有250μm的情況下的熔融痕跡M。在偏離有-500μm的情況下的熔融痕跡M、偏離有-250μm的情況下的熔融痕跡M、及偏離有500μm的下的熔融痕跡M、偏離有250μm的情況下的熔融痕跡M中，熔融痕跡M的形成方向在Y軸方向上成為相反方向。在偏離有-500μm的情況下的熔融痕跡M、偏離有500μm的情況下的熔融痕跡M、及偏離有-250μm的情況下的熔融痕跡M、偏離有250μm的情況下的熔融痕跡M中，以偏離有-500μm的情況下的熔融痕跡M、偏離有500μm的情況下的熔融痕跡M在Y軸方向上偏離得較多而形成。換言之，可獲得下述的知識見解：雷射光線LB的光軸的偏離量與所形成的熔融痕跡M之總面積具有相關關係。像這樣，可以藉由比較熔融痕跡M的大小，以推測雷射光線LB的光軸之偏離的大小。又，可以藉由比較熔融痕跡M的形成的方向，以推測雷射光線LB的光軸的偏離的方向。

針對在被加工物單元U的樹脂層A中的於平行於X軸方向的改質層K的形成時所形成之熔融痕跡M，也是同樣以目視確認。

如此進行，而在檢查步驟S3中，從形成於X軸方向及Y軸方向的熔融痕跡M與已照射雷射光線LB的位置之偏離中，判定光學系統52的光軸與雷射光線LB的光軸之偏離方向。

在實施檢查步驟S3後，根據熔融痕跡M的確認結果，若光學系統52的光軸與雷射光線LB的光軸為產生有偏離的情況，則對光學系統52的各種光學零件進行調整。此時，若根據從拍攝圖像中所推測的偏離量來實施調整時，可以有效率地進行調整作業。並且，再度實施改質層形成步驟S2與檢查步驟S3。然後，重複進行光學系統52的調整，直到樹脂層A的熔融痕跡M相對於露出光LT的中心而成為對象為止。又，可以藉由比較光學系統52之各種光學零件的調整前與調整後之熔融痕跡M，以推測著雷射光線LB的光軸之偏離的大小、及雷射光線LB的光軸之偏離的方向來調整。

如以上所述，依據本實施形態，可以藉由檢查以已穿透晶圓W的雷射光線LB形成在樹脂層A的熔融痕跡M之狀態，而正確地檢查光學系統52的光軸與雷射光線LB的光軸之偏離。

相對於此，在以往的方式中，為了檢查光學系統52的光軸與雷射光線LB的光軸之偏離，會使用功率計(power meter)並以使雷射光線LB的能量成為最大的方式進行調整。不過，檢查、以及各種光學零件的調整作業需要高度的專門知識與技術。因此，以往必須請來專門的維護、檢查作業人員並讓其實施檢查及調整作業。

依據本實施形態，即使不是專門的維護、檢查作業人員，也可以容易地做到光學系統52的光軸與雷射光線LB的光軸之偏離的檢查。因此，可以在毋須請來專門的維護、檢查作業人員的情形下，在例如操作人員想要進行的時間點進行光學系統52的光軸與雷射光線LB的光軸之偏離的檢查。

本實施形態是在被加工物單元U上形成改質層K，且以目視確認形成於樹脂層A的熔融痕跡M及已照射雷射光線LB的位置之偏離。如此進行，本實施形態就可以判定光學系統52的光軸及雷射光線LB的光軸有無偏離。

本實施形態能夠藉由以目視確認形成於樹脂層A的熔融痕跡M及已照射雷射光線LB的位置之偏離的方式，而以偏離方向與偏離量來檢測光軸的偏離方向與偏離量。因此，本實施形態可以有效率地調整光學系統52的光軸。

本實施形態可以使用作為雷射加工裝置1的被加工物而生產之晶圓W，以作為檢查用板狀物。由於本實施形態沒有準備基板作為檢查用板狀物的必要，因此可以容易地進行檢查。

在上述實施形態中，雖然是設成藉由在檢查步驟S3中目視熔融痕跡M的方式來檢查雷射加工裝置1的雷射光線LB，但利用控制機構100來檢查雷射加工裝置1的雷射光線LB亦可。

具體而言，在改質層形成步驟S2中，控制機構100會使要照射雷射光線LB的位置之保持面10a上的座標儲存於RAM103。換言之，在要照射雷射光線LB的位置之保持面10a上的座標，會包含照射雷射光線LB的位置之X座標及Y座標。

然後，在檢查步驟S3中，控制機構100會在已儲存於RAM103的已照射雷射光線LB之座標、及形成於樹脂層A的熔融痕跡M之座標有偏離的情況下，判定為雷射光線LB相對於照射雷射光線LB之雷射光線照射機構50的光軸為偏離的。更詳細地說，控制機構100是判定：已照射雷射光線LB的X座標及Y座標，與藉由例如熔融痕跡M的圖像解析等所算出的熔融痕跡M之X座標及Y座標是否有偏離。控制機構100是判定：熔融痕跡M之X座標及Y座標相對於已照射雷射光線LB的X座標及Y座標，是否在Y軸方向上對稱地形成。換言之，控制機構100在判定為有偏離的情況下，是判定為雷射光線LB相對於雷射光線照射機構50的光軸為偏離的。控制機構100在判定為沒有偏離的情況下，是判定為雷射光線LB相對於雷射光線照射機構 50的光軸並未偏離。

像這樣，相較於以目視檢查的情況，可以藉由以控制機構100檢查雷射光線LB而更正確地對雷射光線LB進行檢查。

又，在檢查步驟S3中，雖然設成藉由目視熔融痕跡M的方式來檢查雷射加工裝置1的雷射光線LB且判定雷射光線LB相對於光軸的偏離方向，但利用控制機構100來判定雷射光線LB相對於光軸的偏離方向亦可。

具體而言，在改質層形成步驟S2中，控制機構100會使要照射雷射光線LB的位置之保持面10a上的座標儲存於RAM103。

並且，在檢查步驟S3中，控制機構100是從已形成於X軸方向及Y軸方向上之熔融痕跡M的座標、及已儲存於RAM103的照射雷射光線LB之座標的偏離中，判定雷射光線LB相對於光軸的偏離方向。更詳細地說，控制機構100會判定：形成於X軸方向及Y軸方向上的熔融痕跡M之X座標及Y座標、與已儲存於RAM103之照射雷射光線LB的X座標及Y座標是否有偏離。控制機構100在判定為有偏離的情況下，會根據X軸方向及Y軸方向的偏離的大小來判定雷射光線LB相對於光軸的偏離方向。控制機構100在判定為沒有偏離的情況下，是判定為雷射光線LB相對於雷射光線照射機構50的光軸沒有偏離。

像這樣，相較於以目視進行判定的情況，藉由利用控制機構100來判定雷射光線LB相對於光軸的偏離方向，可以更正確地對雷射光線LB進行檢查。

再者，本發明並非被限定於上述實施形態之發明。亦即，在不脫離本發明之要點的範圍內，可以進行各種變形來實施。

在上述實施形態中，雖然是以對晶圓W適用了本發明的雷射光線LB的檢查方法之例子作了說明，但被加工物並非限定於此之被加工物。雷射光線LB的檢查方法也同樣地可以適用在光器件晶圓等其他的板狀的被加工物上。在實施形態中，晶圓W雖然是設成玻璃基板但也可以是矽晶圓，且該情況下亦可藉由紅外線相機穿透矽晶圓來拍攝形成於樹脂層A的熔融痕跡M。又，在支撐基板上而非晶圓W上形成有器件亦可，且亦可將形成有器件之面隔著樹脂層來與晶圓W積層。該情況下，由於器件並未形成在晶圓W上，因此可在沒有漏出光被器件層遮斷的情形下形成熔融痕跡M，所以能夠期待更正確的檢測。

雷射光線LB的檢查方法，除了雷射光束LB的中心與針孔533的中心之偏離的確認以外，也可以在為了確認光學系統52的各種光學零件與雷射光束LB的中心之偏離上使用。

S1、S2、S3:步驟

Claims

一種雷射光線的檢查方法，其特徵在於包含：準備步驟，將檢查用板狀物與支撐基材隔著樹脂層積層以準備被加工物單元，其中該樹脂層在受到可穿透該檢查用板狀物之波長的雷射光線照射時會熔融；改質層形成步驟，使該檢查用板狀物露出並將該被加工物單元保持在工作夾台的保持面上，且以在該檢查用板狀物的內部聚光的方式從該檢查用板狀物的露出面照射該雷射光線，以在該檢查用板狀物的內部形成改質層；及檢查步驟，在實施該改質層形成步驟之後，檢查藉由已穿透該檢查用板狀物的該雷射光線而形成於該樹脂層的熔融痕跡之狀態，且藉由該熔融痕跡的總面積的大小，來推測該雷射光線的光軸的偏離大小。
如請求項1之雷射光線的檢查方法，其中，在該改質層形成步驟中，是在將要照射該雷射光線的位置之該保持面上的座標儲存後，形成該改質層，在該檢查步驟中，是在照射了該雷射光線之該座標、與形成於該樹脂層的該熔融痕跡之座標有偏離的情況下，判定為該雷射光線相對於照射該雷射光線的雷射光線照射單元之光軸為偏離的。
如請求項2之雷射光線的檢查方法，其中，在該改質層形成步驟中，是使該工作夾台與照射該雷射光線的該雷射光線照射單元，在與該保持面平行的X軸方向、及與該保持面平行且與X軸方向正交的Y軸方向上相對移動，以在該檢查用板狀物的內部形成平行於X軸方向及Y軸方向的改質層，在該檢查步驟中，是從形成於該X軸方向及該Y軸方向的該熔融痕跡與照射了雷射光線的位置之偏離中，判定該雷射光線相對於該光軸的偏離方向。
如請求項1或2之雷射光線的檢查方法，其中，該檢查用板狀物是玻璃基板，支撐基材是矽晶圓。