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TWI749111B - 兩面黏著片及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

兩面黏著片及半導體裝置的製造方法 Download PDF

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Publication number
TWI749111B
TWI749111B TW106140918A TW106140918A TWI749111B TW I749111 B TWI749111 B TW I749111B TW 106140918 A TW106140918 A TW 106140918A TW 106140918 A TW106140918 A TW 106140918A TW I749111 B TWI749111 B TW I749111B
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peeling
sheet
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sided adhesive
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TW106140918A
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TW201822335A (zh
Inventor
佐伯尚哉
小笠原孝文
坂本美紗季
Original Assignee
日商琳得科股份有限公司
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    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
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    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
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Abstract

一種兩面黏著片1，以第2剝離片15、第2黏著劑層13、芯材11、第1黏著劑層12以及第1剝離片14的順序積層，第1黏著劑層12以及第2黏著劑層13由矽酮系黏著劑所構成，第2剝離片15在剝離之際的剝離力P2為30~1000mN/50mm，第1黏著劑層12的黏著面的黏著力A1對於剝離力P2的比值為10~5000，於260℃加熱1分鐘後的第1黏著劑層12的黏著面的黏著力B1為500~15000mN/25mm，以黏著力B1減於260℃加熱1分鐘後的第2黏著劑層13的黏著面的黏著力B2所得的黏著力的差為1000~20000mN/25mm。此兩面黏著片1能夠無問題地使用於包含伴隨著加熱的步驟之半導體裝置的製造方法。

Description

兩面黏著片及半導體裝置的製造方法
本發明是有關於一種兩面黏著片，以及使用該兩面黏著片的半導體裝置的製造方法。
在半導體裝置的製造方法中，將構成半導體裝置的部件經由兩面黏著片固定於支撐體上後，於兩面黏著片上進行部件的加工。例如：將作為部件的半導體封裝經由兩面黏著片固定於作為支撐體的不鏽鋼板上後，於該半導體封裝的表面之規定位置上搭載焊料凸塊，進而進行紅外線(IR)回流。依照此方法，能夠在半導體封裝的表面以優良的位置精度設置焊料凸塊。
而且，對經由上述兩面黏著片固定於支撐體上的部件，亦檢討進行鍍覆等的藥液處理、蒸鍍處理、表面塗佈處理等之如上述對部件的加工多伴隨著加熱。因此，用於固定該部件的兩面黏著片在要求能夠良好的固定部件與支撐體之黏著性的同時，亦要求耐熱性。
然而，對於兩面黏著片，一般而言，由提升操作性的觀點，或是適用於該兩面黏著片的用途之觀點來看，對被著體的黏著力或將剝離片剝離時的剝離力，具有對兩面黏著片的兩面分別獨立設定的情形。例如：於專利文獻1中，揭示以 被著體的再利用成為可能的方式剝離兩面黏著片的觀點來看，將兩面的黏著力的比調整為規定範圍的兩面黏著片。而且，於專利文獻2中，揭示由提升剝離片的剝離性的觀點來看，將兩面的剝離片在剝離之際的剝離力的比調整為規定範圍的兩面黏著片。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】國際專利公開第2015/151222號
【專利文獻2】日本專利公開平11-29751號公報
近年來，作為構成半導體裝置的部件，製造有在其表面具有細微的電極或端子等之容易破損的部材。如同上述，此種部件在經由兩面黏著片固定於支撐體上的情形中，該部材具有因與兩面黏著片接觸而破損的情形。因此，正在進行使該部材與兩面黏著片不接觸，並使該部件經由兩面黏著片固定於支撐體的方法之開發。
作為此種方法的例子，考慮了以下方法：作為兩面黏著片，使用在平面視圖中X軸方向以及Y軸方向具有排列的複數個孔以具有格子狀的形狀者，並以將部件的上述結構的部分收納於該孔的方式，將部件積層於兩面黏著片上；或是，作為兩面黏著片，多重使用帶狀的兩面黏著片，將該些兩面黏著片於支撐體上互相以間隔隔開並平行貼附後，以將部件 的上述結構的部分收納於未貼附兩面黏著片的區域的方式，將部件積層於兩面黏著片上。
但是，於此種方法中，得知了使用專利文獻1以及2所揭示之以往的兩面黏著片的情形中，產生了兩面黏著片容易從支撐體剝離的問題。在上述方法中，在將兩面黏著片積層於支撐體上後，將兩面黏著片中與支撐體相反側的黏著面所積層之剝離片剝離，但在此剝離之際，兩面黏著片被剝離片拉起，而容易產生兩面黏著片從支撐體上剝落。而且，兩面黏著片上的部件在加工結束後，將該部件從兩面黏著片拾起，此時兩面黏著片被部件拉起，而容易產生兩面黏著片從支撐體上剝落。
而且，專利文獻1以及2所揭示的兩面黏著片不具有足以抵抗將部件進行加熱步驟時的耐熱性。因此，在加熱之際，部件與支撐體無法適當的固定，且從兩面黏著片拾起部件時造成拾起不良，且使用結束後的兩面黏著片從支撐體剝離之際，在支撐體上產生殘膠，藉此，支撐體的再利用產生障礙。
本發明是鑑於上述現狀而成者，其目的為提供可以在包含伴隨加熱步驟之半導體裝置的製造方法中無問題地使用的兩面黏著片，以及提供生產性優良的半導體裝置的製造方法。
為了達成上述目的，第1，本發明提供一種兩面黏著片，包括：芯材，積層於前述芯材的一個面側的第1黏著劑層，積層於前述芯材的另一個面側的第2黏著劑層，積層於前 述第1黏著劑層之與前述芯材相反側的面上的第1剝離片，以及積層於前述第2黏著劑層之與前述芯材相反側的面上的第2剝離片，其特徵在於，前述第1黏著劑層以及前述第2黏著劑層分別由矽酮系黏著劑所構成，前述第2剝離片從前述第2黏著劑層剝離之際的剝離力P2為30mN/50mm以上且1000mN/50mm以下，對於從前述兩面黏著片剝離前述第1剝離片所露出的前述第1黏著劑層的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)之前述兩面黏著片，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力為黏著力A1時，前述黏著力A1對於前述剝離力P2的比值(A1/P2)為10以上且5000以下，對於從前述兩面黏著片剝離前述第1剝離片所露出的前述第1黏著劑層的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)，於260℃加熱1分鐘後的前述兩面黏著片，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力B1為500mN/25mm以上且15000mN/25mm以下，對於從前述兩面黏著片剝離前述第2剝離片所露出的前述第2黏著劑層的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)，於260℃加熱1分鐘後的前述兩面黏著片，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力為黏著力B2時，以前述黏著力B1減前述黏著力B2所得的黏著力的差為1000mN/25mm以上且20000mN/25mm以下(發明1)。
上述發明(發明1)的兩面黏著片，藉由第1黏著劑層以及第2黏著劑層分別由矽酮系黏著劑所構成，具有優良的耐熱性。而且該兩面黏著片在使用之際，首先第1剝離片從第1黏著劑層剝離，此時藉由使上述剝離力P2位於上述範圍，抑制第2剝離片從第2黏著劑層的剝落。接著，藉由第1剝離片的剝離而露出的第1黏著劑層的黏著面貼附於支撐體後，從第2黏著劑層剝離第2剝離片，藉由使上述黏著力A1對於上述剝離力P2的比值(A1/P2)為上述範圍，在第2剝離片的剝離之際，抑制兩面黏著片從支撐體的剝落。進而，藉由使於260℃加熱1分鐘後之上述黏著力B1與上述黏著力B2的差於上述範圍，進行伴隨著用於部件的加工之加熱的處理後，從兩面黏著片拾取部件之際，抑制兩面黏著片從支撐體的剝落。然後，藉由使上述黏著力B1於上述範圍，在兩面黏著片的使用後，抑制該片從支撐體剝離時的殘膠。依照上述，能夠以優良的生產性製造半導體裝置。
於上述發明(發明1)中，前述第1剝離片從前述第1黏著劑層剝離之際的剝離力為剝離力P1時，該剝離力P1較佳為大於前述剝離力P2(發明2)。
於上述發明(發明2)中，前述剝離力P1較佳為50mN/50mm以上且2000mN/50mm以下(發明3)。
於上述發明(發明1~3)中，前述黏著力A1較佳為500mN/25mm以上且15000mN/25mm以下(發明4)。
於上述發明(發明1~4)中，對於從前述兩面黏著片剝離前述第2剝離片所露出的前述第2黏著劑層的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)之前述兩面黏著片，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力A2較佳為100mN/25mm以上且15000mN/25mm以下(發明5)。
於上述發明(發明1~5)中，前述黏著力B2較佳為100mN/25mm以上且15000mN/25mm以下(發明6)。
於上述發明(發明1~6)中，較佳為具有藉由複數個孔而成之格子狀的形狀，且相鄰的2個前述孔之間的寬度0.001mm以上且10mm以下(發明7)。
於上述發明(發明1~6)中，較佳為具有0.1mm以上且5mm以下的寬度之帶狀的形狀(發明8)。
於上述發明(發明1~8)中，較佳為前述第1剝離片較前述第2剝離片先剝離(發明9)。
第2，本發明提供一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於包含：從前述兩面黏著片(發明1~9)剝離前述第1剝離片的步驟；將藉由前述第1剝離片的剝離而露出的前述第1黏著劑層的黏著面貼附於支撐體上的步驟；在與前述貼附同時或是前述貼附之後，設置前述兩面黏著片所包圍或所夾之前述兩面黏著片不存在的區域的步驟；從貼附於前述支撐體上的前述兩面黏著片剝離前述第2剝離片的步驟；將複數個部件分別以覆蓋前述區域的方式或是跨越前述區域的方式，積層於前述第2黏著劑層上的步驟；對前述部件進行伴隨著加熱的處理的步驟；以及將前述部件從前述第2黏著劑層剝離的步驟(發明10)。
於上述發明(發明10)中，較佳為在將前述部件從前述第2黏著劑層剝離的步驟後，更包括將前述兩面黏著片從前述支撐體剝離的步驟(發明11)。
於上述發明(發明10、11)中，較佳為在將前述 第1黏著劑層的黏著面貼附於前述支撐體後，相對於從前述兩面黏著片去除前述第1剝離片而成的積層體，藉由形成貫通該積層體的複數個孔而設置前述區域(發明12)。
於上述發明(發明10、11)中，較佳是相對於前述支撐體，藉由將複數個帶狀的前述兩面黏著片互相以間隔隔開並平行貼附而設置前述區域(發明13)。
本發明的兩面黏著片可以在包含伴隨加熱步驟之半導體裝置的製造方法中無問題地使用。而且，本發明的半導體裝置的製造方法之生產性優良。
1‧‧‧兩面黏著片
11‧‧‧芯材
12‧‧‧第1黏著劑層
13‧‧‧第2黏著劑層
14‧‧‧第1剝離片
15‧‧‧第2剝離片
2‧‧‧支撐體
3‧‧‧孔
4‧‧‧部件
41‧‧‧突起
第1圖所示為本實施型態的兩面黏著片的剖面圖。
第2圖所示為說明本實施型態的半導體裝置的製造方法的剖面圖。
第3圖所示為說明本實施型態的半導體裝置的製造方法的剖面圖。
以下對本發明的實施型態進行說明。
〔兩面黏著片〕
第1圖所示為本實施型態的兩面黏著片1的剖面圖。本實施型態的兩面黏著片1包含：芯材11，積層於芯材11的一個面側的第1黏著劑層12，積層於芯材11的另一個面側的第2黏著劑層13，積層於第1黏著劑層12中與芯材11相反側的面 上的第1剝離片14，以及積層於第2黏著劑層13中與芯材11相反側的面上的第2剝離片15。
此處，第1黏著劑層12中與第1剝離片14接觸的面(貼著於被著體的面)，以及第2黏著劑層13中與第2剝離片15接觸的面(貼著於被著體的面)，分別稱為黏著面，第1剝離片14中與第1黏著劑層12接觸的面，以及第2剝離片15中與第2黏著劑層13接觸的面，分別稱為剝離面。
本實施型態的兩面黏著片1，如同上述藉由具備第1剝離片14以及第2剝離片15，以保護第1黏著劑層12以及第2黏著劑層13的黏著面。因此，與從兩面黏著片與兩面經剝離處理的一枚之剝離片的積層體捲繞而成的捲(roll)拉出的兩面黏著片此種僅於一個面藉由剝離片保護的情形相異，例如：一個黏著面貼附於被著體之際，防止另一個黏著面附著塵等外部異物。
1.兩面黏著片的物性
本實施型態的兩面黏著片1中，第2剝離片15從第2黏著劑層13剝離之際的剝離力P2為30mN/50mm以上，較佳為40mN/50mm以上，特佳為50mN/50mm以上。而且，該剝離力P2為1000mN/50mm以下，較佳為500mN/50mm以下，特佳為300mN/50mm以下。
一般而言，從兩面分別積層有剝離片的兩面黏著片剝離一個剝離片之際，容易產生另一個剝離片的剝離。特別是，在剝離力大的重剝離片較剝離力小的輕剝離片先剝離的情形中，在剝離重剝離片之際非常容易產生輕剝離片的剝離。
在將本實施型態的兩面黏著片1使用於半導體裝置的製造方法的情形中，首先，從兩面黏著片1剝離第1剝離片14。此處，本實施型態的兩面黏著片1中，由於後述的理由，具有第1剝離片14剝離之際的剝離力P1大於第2剝離片15剝離之際的剝離力P2的傾向。於此情形下，雖然重剝離片較輕剝離片先剝離，但在本實施型態的兩面黏著片1中，藉由使上述剝離力P2為上述範圍，以抑制第2剝離片15從第2黏著劑層13剝落。其結果，抑制於第2黏著劑層的黏著面上附著外部異物。而且，藉由使該剝離力P2為上述範圍，以使黏著力A1對於剝離力P2的比值(A1/P2)變得容易調整至後述的範圍中，在從貼附於支撐體上的兩面黏著片1剝離第2剝離片15之際，能夠有效的抑制兩面黏著片1從支撐體的剝落。再者，剝離力P2的詳細測定方法如後述的試驗例所示。
再者，剝離力P1具有較剝離力P2大的傾向，如同後述，這是因為黏著力B1減黏著力B2所得的黏著力差為1000mN/25mm以上。此種黏著力B1較黏著力B2大的情形中，相較於加熱前的黏著力的情形，亦具有維持此種大小關係的傾向。亦即是，具有黏著力A1較黏著力A2大的傾向。因此，從發揮黏著力A1的第1黏著劑層12的黏著面剝離第1剝離片14之際的剝離力P1，具有大於從發揮黏著力A2的第2黏著劑層13的黏著面剝離第2剝離片15之際的剝離力P2的傾向。因此，本實施型態的兩面黏著片1的較佳態樣為剝離力P1大於剝離力P2。
本實施型態的兩面黏著片1中，第1剝離片14從 第1黏著劑層12剝離之際的剝離力P1較佳為50mN/50mm以上，特佳為150mN/50mm以上，再更佳為300mN/50mm以上。而且，該剝離力P1較佳為2000mN/50mm以下，特佳為1000mN/50mm以下，再更佳為600mN/50mm以下。藉由使上述剝離力P1為上述範圍，以使第1剝離片14變得容易從第1黏著劑層12剝離，伴隨於此，在該剝離之際，能夠降低對第2剝離片15與第2黏著劑層13的密著性所賦予的負擔，有效地抑制第2剝離片15從第2黏著劑層13之非期望的剝離。再者，剝離力P1的詳細測定方法如同後述試驗例所示。
本實施型態的兩面黏著片1中，對於從兩面黏著片1剝離第1剝離片14所露出的第1黏著劑層12的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)之兩面黏著片1，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於不鏽鋼板的180°剝離黏著力(mN/25mm)為黏著力A1時，上述黏著力A1對上述剝離力P2的比值(A1/P2)為10以上，較佳為15以上，特佳為20以上。而且，該比值為5000以下，較佳為1000以下，特佳為500以下。
在使用兩面黏著片1的半導體裝置的製造方法中，從兩面黏著片1剝離第1剝離片14後，將第1黏著劑層12的黏著面貼附於支撐體。接著，將第2剝離片15從第2黏著劑層13剝離。此時，藉由使黏著力A1對於剝離力P2的比值(A1/P2)於上述範圍，第1黏著劑層12與支撐體的界面之黏著力A1成為充分大於第2剝離片15剝離之際的剝離力P2，抑制了從兩面黏著片1剝離第2剝離片15時兩面黏著片1從支撐體的剝落。特別地，在具有凹凸的支撐體之存在有該凹凸 的面上貼附兩面黏著片1的情形中容易發生上述剝落，但若依照本實施型態的兩面黏著片1，即使在此種情形中，亦能夠良好的抑制兩面黏著片1從支撐體的剝落。
再者，黏著力A1對於剝離力P2的比值(A1/P2)未滿10的話，支撐體上貼附有兩面黏著片1狀態之第1黏著劑層12與支撐體的密著性，相較於第2剝離片15與第2黏著劑層13的密著性變得過小，在從兩面黏著片1剝離第2剝離片15之際，兩面黏著片1變得容易從支撐體剝落。而且，若該比值超過500的話，上述黏著力A1變得過大，使用結束的兩面黏著片1變得難以從支撐體剝離，亦變得容易於支撐體上產生殘膠。而且，如同前述，黏著力A1以單位mN/25mm測定，剝離力P2以單位mN/50mm測定，但在計算上述比值(A1/P2)的情形中，不考慮此些單位的不同，而是從分別的數值算出比值。
本實施型態的兩面黏著片1中，前述黏著力A1較佳為500mN/25mm以上，特佳為1000mN/25mm以上，再更佳為5000mN/25mm以上。而且，該黏著力A1較佳為15000mN/25mm以下，特佳為14000mN/25mm以下，再更佳為13000mN/25mm以下。藉由使黏著力A1於上述範圍，以使黏著力A1對於剝離力P2的比值(A1/P2)變得容易設定於上述範圍，在從貼附於支撐體上的兩面黏著片1剝離第2剝離片15之際，能夠有效的抑制兩面黏著片1從支撐體的剝落。此外，黏著力A1的詳細測定方法如後述的試驗例所示。
本實施型態的兩面黏著片1中，對於從兩面黏著 片1剝離第1剝離片14所露出的第1黏著劑層12的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)，於260℃加熱1分鐘後的兩面黏著片1，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於不鏽鋼板的180°剝離黏著力B1為500mN/25mm以上，較佳為1000mN/25mm以上，特佳為5000mN/25mm以上。而且該黏著力為15000mN/25mm以下，較佳為14000mN/25mm以下，特佳為13000mN/25mm以下。
在使用兩面黏著片1的半導體裝置的製造方法中，在部件的拾取結束後，具有將兩面剝離片1從支撐體剝離的情形，此時藉由使上述黏著力B1於上述範圍，能夠將兩面黏著片1從支撐體良好的剝離，並能夠抑制於支撐體上的殘膠。因此，支撐體變得容易再利用。而且，藉由使該黏著力B1於上述範圍，以使黏著力B1減黏著力B2所得的黏著力的差變得容易調整於後述的範圍，且在拾取積層於兩面黏著片1上的部件之際，能夠有效地抑制兩面黏著片1從支撐體的剝落。
再者，該黏著力B1超過15000mN/25mm的話，在將使用結束的兩面黏著片1由支撐體剝離之際，將造成於支撐體產生殘膠，且支撐體變得難以再利用。而且，該黏著力B1未滿500mN/25mm的話，在對固定於兩面黏著片1上的部件進行伴隨加熱的處理之際，將造成兩面黏著片1變得容易從支撐體剝落，變得無法適當的製造半導體裝置。黏著力B1的詳細測定方法如同後述的試驗例所示。
本實施型態的兩面黏著片1中，對於從兩面黏著片1剝離第2剝離片15所露出的第2黏著劑層13的黏著面貼 附於不鏽鋼板(SUS304)，於260℃加熱1分鐘後的兩面黏著片1，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力(mN/25mm)為黏著力B2時，以上述黏著力B1減上述黏著力B2所得的黏著力的差為1000mN/25mm以上，較佳為1500mN/25mm以上，特佳為2000mN/25mm以上。而且，該差為20000mN/25mm以下，較佳為15000mN/25mm以下，特佳為13000mN/25mm以下。
在使用兩面黏著片1的半導體裝置的製造方法中，經由兩面黏著片1於支撐體上貼附部件後，對該部件進行伴隨加熱的處理。因此，雖然兩面黏著片1亦被加熱，但藉由使黏著力B1減黏著力B2所得的黏著力的差於上述範圍，在從兩面黏著片1拾取部件之際，能夠抑制兩面黏著片1從支撐體的剝落。藉此，於被拾取的部件中兩面黏著片1不會被拉起，而且，貼附於兩面黏著片1上的部件彼此不會衝突，因此抑制了部件的損傷。
再者，上述差未滿1000mN/25mm的話，在從兩面黏著片1拾取部件之際，兩面黏著片1變得容易從支撐體剝落。藉此，於被拾取的部件中兩面黏著片1會被拉起，而且貼附於兩面黏著片1上的部件彼此衝突，造成部件產生損傷。而且，上述差超過20000mN/25mm的話，上述黏著力B2變得非常小，從而變得無法於兩面黏著片1上充分地固定部件。
本實施型態的兩面黏著片1中，前述黏著力B2較佳為100mN/25mm以上，特佳為150mN/25mm以上，再更佳為500mN/25mm以上。而且，該黏著力B2較佳為 15000mN/25mm以下，特佳為10000mN/25mm以下，再更佳為5000mN/25mm以下。藉由使黏著力B2於上述範圍，以使黏著力B1減黏著力B2所得的黏著力的差變得容易調整於前述的範圍，且在拾取積層於兩面黏著片1上的部件之際，能夠有效地抑制兩面黏著片1從支撐體剝落。此外，黏著力B2的詳細測定方法如後述的試驗例所示。
本實施型態的兩面黏著片1中，對於由兩面黏著片1剝離第2剝離片15所露出的第2黏著劑層13的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)之兩面黏著片1，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力A2較佳為100mN/25mm以上，特佳為150mN/25mm以上，再更佳為500mN/25mm以上。而且，該黏著力A2較佳為15000mN/25mm以下，特佳為10000mN/25mm以下，再更佳為5000mN/25mm以下。由於該黏著力A2亦會影響剝離第2剝離片15之際的剝離力P2之大小，故藉由使該黏著力A2於上述範圍，以使剝離力P2變得容易設定於上述範圍，且從兩面黏著片1剝離第1剝離片14之際，能夠有效地抑制第2剝離片15從兩面黏著片1的剝落。此外，黏著力A2的詳細測定方法如同後述的試驗例所示。
本實施型態的兩面黏著片1中，上述黏著力A1減上述黏著力A2所得的黏著力的差較佳為10mN/25mm以上，特佳為300mN/25mm以上，再更佳為500mN/25mm以上。而且，該差較佳為30000mN/25mm以下，特佳為20000mN/25mm以下，再更佳為15000mN/25mm以下。藉由使兩面黏著片1 加熱前的黏著力A1與黏著力A2的差於上述範圍，以使加熱後的黏著力B1減黏著力B2所得的黏著力的差變得容易調整於前述的範圍，且在拾取積層於兩面黏著片1上的部件之際，能夠有效地抑制兩面黏著片1由支撐體的剝落。
本實施型態的兩面黏著片1中，對於從兩面黏著片1剝離第1剝離片14所露出的第1黏著劑層12的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)，於125℃加熱24小時後的兩面黏著片1，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於不鏽鋼板的180°剝離黏著力C1較佳為1000mN/25mm以上，特佳為1500mN/25mm以上，再更佳為2000mN/25mm以上。而且，該黏著力C1較佳為21000mN/25mm以下，特佳為20000mN/25mm以下，再更佳為19000mN/25mm以下。藉由使黏著力C1於上述範圍，即使將兩面黏著片1暴露於125℃加熱24小時的加熱條件之情形下，亦能夠有效地抑制於支撐體上產生殘膠。此外，黏著力C1的詳細測定方法如後述的試驗例所示。
本實施型態的兩面黏著片1中，對於從兩面黏著片1剝離第2剝離片15所露出的第2黏著劑層13的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)，於125℃加熱24小時後的兩面黏著片1，以JIS Z0237：2009為基準所測定之前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力C2較佳為100mN/25mm以上，特佳為150mN/25mm以上，再更佳為500mN/25mm以上。而且，該黏著力C2較佳為20000mN/25mm以下，特佳為15000mN/25mm以下，再更佳為13000mN/25mm以下。藉由使黏著力C2於上述範圍，即使將兩面黏著片1暴露於125℃加熱24小時的加熱 條件之情形下，亦能夠良好地進行兩面黏著片1上的部件固定，及從由兩面黏著片1的部件拾取。此外，黏著力C2的詳細測定方法如同後述的試驗例所示。
本實施型態的兩面黏著片1中，上述黏著力C1減上述黏著力C2所得的黏著力的差較佳為10mN/25mm以上，特佳為300mN/25mm以上，再更佳為500mN/25mm以上。而且，該差較佳為30000mN/25mm以下，特佳為20000mN/25mm以下，再更佳為15000mN/25mm以下。藉由使該差於上述範圍，即使將兩面黏著片1暴露於125℃加熱24小時的加熱條件之情形下，亦能夠良好地進行從兩面黏著片1的部件拾取。
2.兩面黏著片的構成部材
(1)芯材
芯材11只要是能夠積層第1黏著劑層12以及第2黏著劑層13即可並沒有限制，而特別地，較佳為以具有耐熱性的材料所構成。作為芯材11，例如可列舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯膜，聚乙烯、聚丙烯等的聚烯烴膜，三醋酸纖維素等的纖維素膜，聚醯亞胺膜、聚胺基甲酸酯膜、聚胺基甲酸酯丙烯酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚偏氯乙烯膜、聚乙烯醇膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、丙烯酸樹脂膜、降冰片烯系樹脂膜、環烯烴樹脂膜、液晶聚合物膜等的塑膠膜；上述之2種以上的積層體等。塑膠膜可為單軸延伸或雙軸延伸。上述之中，由具有耐熱性的觀點來看，較佳為使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等的聚酯系膜或是聚醯亞胺膜，特別地較佳為 使用聚醯亞胺膜。
而且，為了提升芯材11與設置在其表面的第1黏著劑層12或第2黏著劑層13的密著性之目的，能夠依照期望而在單面或是兩面施行氧化法或是凹凸化法之表面處理或是底漆處理。作為上述氧化法，例如可列舉出電暈放電處理、電漿放電處理、鉻酸化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等，而且，作為凹凸化法，例如可列舉出噴沙法、熔射處理法等。此些的表面處理法因應基材膜的種類而適當選擇，但一般而言以效果以及操作性的方面來看，較佳為使用電暈放電處理法。
芯材11的厚度較佳為3μm以上，特佳為5μm以上，再更佳為15μm以上。而且該厚度較佳為300μm以下，特佳為100μm以下，再更佳為50μm以下。
(2)第1黏著劑層以及第2黏著劑層
本實施型態的兩面黏著片1中，第1黏著劑層12以及第2黏著劑層13分別由矽酮系黏著劑所構成。因此，本實施型態的兩面黏著片1具有優良的耐熱性，且抑制因兩面黏著片1的加熱所致之部件及支撐體的黏著力過度降低、以及該黏著力的過度提升。其結果，即使在經由兩面黏著片1對固定於支撐體上的部件進行伴隨著加熱的處理之際，亦能夠良好地固定部件與支撐體，且同時能夠抑制隨後從兩面黏著片1拾取部件之際的拾取不良，進而在將使用結束的兩面黏著片1從支撐體剝離之際，抑制產生於支撐體的殘膠。藉由抑制該殘膠的產生，支撐體變得容易再利用。
分別構成第1黏著劑層12以及第2黏著劑層13的矽酮系黏著劑，只要使兩面黏著片1發揮前述的黏著力以及剝離力即可，沒有特別限制。構成第1黏著劑層12的矽酮系黏著劑與構成第2黏著劑層13的矽酮系黏著劑，可以具有相同的組成，但是如同前述，為了容易使第1黏著劑層12側與第2黏著劑層13側的黏著力或剝離力產生差異，較佳是具有相異的組成。
上述矽酮系黏著劑較佳是含有有機聚矽氧烷，特別是含有加成型有機聚矽氧烷(的硬化物)。此種矽酮系黏著劑，容易滿足前述的黏著力，而且加工性亦優良。
加成型有機聚矽氧烷較佳是以矽氧烷鍵結作為主骨架且具有烯基的有機聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷反應所得者。
以矽氧烷鍵結作為主骨架且具有烯基的有機聚矽氧烷，較佳為下述的平均單元式(1)所示的化合物，且為分子中至少具有兩個烯基的化合物。
R1 aSiO(4-a)/2...(1)
(式中，R1為彼此相同或不同的碳數1~12、較佳為1~8的非取代或取代的1價烴基，a為1.5~2.8，較佳為1.8~2.5，更佳為1.95~2.05的範圍的正數。)
作為上述R1所示之與矽原子鍵結的非取代或取代的1價烴基，例如可列舉出乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基、辛烯基等的烯基，甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、 己基、環己基、辛基、壬基、癸基等的烷基，苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等的芳基，苄基、苯基乙基、苯基丙基等的芳烷基，或是此些基的氫原子的一部分或全部以氟、溴、氯等的鹵素原子、氰基等取代者，例如：氯甲基、氯丙基、溴乙基、三氟丙基、氰基乙基等。作為烯基，以硬化時間短以及生產性的觀點來看，較佳為乙烯基。
有機氫聚矽氧烷於分子中具有SiH基。藉由使上述有機聚矽氧烷的烯基與有機氫聚矽氧烷的SiH基反應，兩者加成反應而得到加成型有機聚矽氧烷。
由於加成型有機聚矽氧烷在鉑觸媒的存在下良好地硬化，故上述矽酮系黏著劑較佳是含有鉑觸媒。作為鉑觸媒可例示鉑黑、二氯化鉑、氯鉑酸、氯鉑酸與1價醇的反應物、氯鉑酸與烯烴類的錯合物、雙乙醯乙酸鉑等。
上述矽酮系黏著劑中的鉑觸媒的含量，相對於加成型有機聚矽氧烷100質量份，較佳為0.01質量份以上，特佳為0.05質量份以上。而且，該含量相對加成型有機聚矽氧烷100質量份，較佳為3質量份以下，特佳為2質量份以下。藉由使鉑觸媒的含量於上述範圍內，能夠不妨礙塗布，並使加成型有機聚矽氧烷硬化而形成第1黏著劑層12以及第2黏著劑層13。
由調整前述剝離力以及黏著力的觀點來看，能夠使加成型有機聚矽氧烷含有在分子中包含3官能性或4官能性的矽氧烷單元的有機聚矽氧烷(矽酮樹脂)。
一般而言，藉由使矽酮系黏著劑中的矽酮樹脂的 含量多，能夠使該黏著劑所構成的黏著劑層的黏著力變大，並使積層於該黏著劑層的剝離片的剝離力變大。因此，關於構成第1黏著劑層12的矽酮系黏著劑以及構成第2黏著劑層13的矽酮系黏著劑，較佳是分別調整矽酮樹脂的含量。
而且，藉由調整矽酮系黏著劑中的交聯密度或矽酮系黏著劑中的觸媒量，能夠達成所期望的黏著力。
第1黏著劑層12的厚度較佳為1μm以上，特佳為3μm以上，再更佳為5μm以上。而且該厚度較佳為100μm以下，特佳為50μm以下，再更佳為40μm以下。藉由使第1黏著劑層12的厚度於上述範圍，以使前述黏著力A1、黏著力B1、黏著力C1以及剝離力P1，變得容易分別調整至前述範圍。
第2黏著劑層13的厚度較佳為1μm以上，特佳為5μm以上，再更佳為10μm以上。而且該厚度較佳為100μm以下，特佳為50μm以下，再更佳為40μm以下。藉由使第2黏著劑層13的厚度於上述範圍，以使前述黏著力A2、黏著力B2、黏著力C2以及剝離力P2，變得容易分別調整至的前述範圍。
(3)第1剝離片以及第2剝離片
第1剝離片14只要是於其剝離面能夠發揮對第1黏著劑層12的剝離性即可，並沒有特別的限制。而且，第2剝離片15只要是能夠發揮前述的剝離力P2即可，並沒有特別的限制。第1剝離片14以及第2剝離片15可分別為不同的剝離片，亦可為同種的剝離片。
第1剝離片14以及第2剝離片15的構成分別任 意為，例如可列舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯膜，聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴膜等的塑膠膜。於此些的剝離面中，較佳是施加有剝離處理。作為剝離處理所使用的剝離劑，例如可列舉出矽酮系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基系剝離劑等，此些之中，較佳是對矽酮系黏著劑所構成的第1黏著劑以及第2黏著劑容易顯示良好剝離性之氟系剝離劑。
作為氟系剝離劑，可舉出由包含含有氟原子的化合物之剝離劑組成物所構成者。特別地，該化合物較佳為於側鏈具備含有氟原子的基團的聚合物。作為含有氟原子的基團，可列舉出全氟基，更具體而言，可列舉出全氟烷基、全氟伸烷基等。特別是，上述聚合物由容易調整前述剝離力的觀點來看，較佳是含有全氟烷基。
作為全氟烷基的具體例，可舉出CF3-CF2-基，CF3-CF2-CF2-基等。而且，全氟烷基亦可以經由其他基團(-O-基、-OCO-基、伸烷基等)鍵結於主鏈。
第1剝離片14以及第2剝離片15的各別厚度並沒有特別限制，例如：通常為20μm以上且250μm以下。
3.兩面黏著片的形狀
本實施型態的兩面黏著片1，亦可以具有藉由複數孔而成的格子狀的形狀。該複數孔較佳為於兩面黏著片1上在X軸方向以及Y軸方向排列。在將本實施型態的兩面黏著片1使用於半導體裝置的製造方法之際，該複數孔可事先形成，或者是在該製造方法的途中形成。半導體裝置的製造方法中，藉由覆蓋 上述孔的方式積層部件，能夠收納相對於該孔存在於部件表面的突起等。
上述具有藉由複數孔而成的格子狀的形狀之兩面黏著片1中，相鄰的2個孔之間的寬度較佳為0.001mm以上，特佳為0.01mm以上，再更佳為0.1mm以上。而且該寬度較佳為10mm以下，特佳為5mm以下，再更佳為3mm以下。本實施型態的兩面黏著片1，藉由使黏著力A1對於剝離力P2的比值(A1/P2)，以及黏著力B2減黏著力B1所得的黏著力的差分別於前述範圍，即使在上述寬度於上述範圍的情形下，在第2剝離片15剝離之際，或從兩面黏著片1拾取部件之際，亦能夠良好地抑制兩面黏著片1從支撐體的剝落。
在具有藉由複數孔而成的格子狀的形狀之兩面黏著片1中，孔的形狀以及尺寸能夠設定為因應積層於兩面黏著片1的部件的尺寸或存在於該部件表面的突起等部材的尺寸。例如：該孔的形狀可為正方形、長方形或圓形，在為正方形的情形中，一邊的長度較佳為1mm以上，特佳為3mm以上。而且，在為正方形的情形中，一邊的長度較佳為20mm以下，特佳為15mm以下。孔的形狀為長方形的情形中，短邊的長度較佳為1mm以上，特佳為3mm以上。而且，該短邊的長度較佳為20mm以下，特佳為15mm以下。另一方面，長邊的長度較佳為3mm以上，特佳為5mm以上。而且，該長邊的長度較佳為25mm以下，特佳為20mm以下。孔的形狀為圓形的情形中，該圓形的直徑的長度較佳為1mm以上，特佳為3mm以上。而且，該圓形的直徑的長度較佳為25mm以下，特佳為20mm以 下。
本實施型態的兩面黏著片1亦可以具有帶狀的形狀。將此種具有帶狀的形狀的兩面黏著片1使用於半導體裝置的製造方法之情形中，複數個該兩面黏著片1相對於支撐體互相以間隔隔開而平行地貼附。藉此，能夠形成以沿著兩面黏著片1的長邊方向存在的端面作為側面、並以支撐體作為底部之複數個溝。然後，以跨過相鄰的兩面黏著片1的方式積層部件，藉此，能夠收納相對於該溝而存在於部件表面的突起等。
於具有帶狀的形狀的兩面黏著片1中，其寬度較佳為0.1mm以上，特佳為0.5mm以上，再更佳為1mm以上。而且該寬度較佳為10mm以下，特佳為5mm以下，再更佳為3mm以下。本實施型態的兩面黏著片1，藉由使黏著力A1對於剝離力P2的比值(A1/P2)，以及黏著力B2減黏著力B1所得的黏著力的差分別於前述範圍，即使在上述寬度於上述範圍的情形中，於第2剝離片15剝離之際，或從兩面黏著片1拾取部件之際，亦能夠良好地抑制兩面黏著片1從支撐體的剝落。
4.兩面黏著片的製造方法
作為本實施型態的兩面黏著片1的製造方法的例子，可舉出以下方法：在芯材11的一個面上形成第1黏著劑層12後，於第1黏著劑層12中與芯材11相反側的面積層第1剝離片14，接著在芯材11的另一個面上形成第2黏著劑層13後，於第2黏著劑層13中與芯材11相反側的面積層第2剝離片15。或者是可舉出以下方法：在芯材11的一個面上形成第2黏著 劑層13後，於第2黏著劑層13中與芯材11相反側的面積層第2剝離片15，接著在芯材11的另一個面形成第1黏著劑層12後，於第1黏著劑層12中與芯材11相反側的面積層第1剝離片14。依照此些方法，能夠製造芯材11與第1黏著劑層12之間以及芯材與第2黏著劑層13之間密著性優良的兩面黏著片1。
於芯材11的單面上形成第1黏著劑層12或第2黏著劑層13的情形中，例如：將構成矽酮系黏著劑的成分以溶媒稀釋並製備為塗布液，將該塗布液塗布於芯材11的單面上，並對所得的塗膜加熱並硬化。作為溶媒可使用甲基乙基酮、甲苯、乙酸乙酯、二甲苯等。而且，作為塗布的方法，可使用輥刀塗機、模塗機、簾塗機、噴塗機、狹縫塗機、刀塗機等。上述加熱條件例如是能夠以90℃以上且180℃以下的溫度，進行1分鐘以上且5分鐘以下的時間。
〔半導體裝置的製造方法〕
本發明的一實施型態的半導體裝置的製造方法為使用前述的兩面黏著片1製造半導體裝置的方法。
本實施型態的半導體裝置的製造方法，包含：由本實施型態的兩面黏著片1剝離第1剝離片14的步驟(以下亦稱為「第1剝離步驟」)；將藉由第1剝離片14的剝離而露出的第1黏著劑層12的黏著面貼附於支撐體上的步驟(以下亦稱為「貼附步驟」)；在與該貼附同時或是該貼附之後，設置兩面黏著片1所包圍或所夾之兩面黏著片1不存在的區域的步驟(以下亦稱為「區域形成步驟」)；從貼附於支撐體上 的兩面黏著片1剝離第2剝離片15的步驟(以下亦稱為「第2剝離步驟」)；將複數個部件分別以覆蓋上述區域的方式或是跨越上述區域的方式，積層於第2黏著劑層13上的步驟(以下亦稱為「部件積層步驟」)；對部件進行伴隨著加熱的處理的步驟(以下亦稱為「加熱步驟」)；以及將部件從第2黏著劑層13剝離的步驟(以下亦稱為「部件剝離步驟」)。
而且，本實施型態的半導體裝置的製造方法中，在部件剝離步驟後，較佳是更包括將兩面黏著片1從支撐體剝離的步驟(以下亦稱為「片剝離步驟」)。
以下對作為本實施型態的半導體裝置的製造方法的例子，以第1態樣、第2態樣以及第3態樣的半導體裝置的製造方法進行說明。
1.第1態樣
第2圖以及第3圖為說明第1態樣的半導體裝置的製造方法之剖面圖。參照此些圖式，對上述各步驟說明如下。
(1)第1剝離步驟
第1剝離步驟如第2(a)圖所示，從本實施型態的兩面黏著片1剝離第1剝離片14。本實施型態的兩面黏著片藉由使前述剝離力P2於前述範圍，以使第2黏著劑層13與第2剝離片15之間的密著性為適度，且在剝離第1剝離片14之際，抑制第2剝離片15從第2黏著劑層13的剝落。藉此，抑制第2黏著劑層13的黏著面上附著外部異物。
(2)貼附步驟
貼附步驟如第2(b)圖所示，將藉由第1剝離片14的剝 離而露出的第1黏著劑層12的黏著面貼附於支撐體2上。支撐體2能夠貼附兩面黏著片1，並同時能夠支撐部件；支撐體2只要是能夠在後述的加熱步驟中可耐受加熱即可，並沒有特別的限制，例如：較佳為不鏽鋼板、鋁板、銅板等。
(3)區域形成步驟
區域形成步驟如第2(c)圖所示，對於去除兩面黏著片1的第1剝離片14而成的積層體，形成貫通該積層體的複數個孔3。第1態樣的半導體裝置的製造方法中，該孔3為兩面黏著片1所包圍之兩面黏著片1不存在的區域。
再者，在形成複數個孔3之際，相鄰的2個孔3之間的寬度較佳為0.1mm以上，特佳為0.3mm以上，再更佳為0.5mm以上。而且，該寬度較佳為15mm以下，特佳為10mm以下，再更佳為5mm以下。孔的形狀可為正方形或長方形。
能夠藉由刀(blade)、雷射、雕刻刀、切割器(cutter)將兩面黏著片1切斷為孔3的形狀，並去除不要的部分以進行孔3的形成。
(4)第2剝離步驟
第2剝離步驟如第3(a)圖所示，從貼附於支撐體2上的兩面黏著片1剝離第2剝離片15。本實施型態的兩面黏著片1藉由使黏著力A1對於剝離力P2的比值(A1/P2)於前述範圍，以在剝離第2剝離片15之際，抑制兩面黏著片1從支撐體2的剝落。再者，可在區域形成步驟之前進行第2剝離步驟。
(5)部件積層步驟
部件積層步驟如第3(b)圖所示，將複數個部件4積層於 第2黏著劑層13上。此時，部件4以分別覆蓋1個孔3的方式積層。藉此，即使是部件4的表面存在有容易破損的突起41的情形下，亦變得能夠將該突起41收納於該孔3內，藉此，能夠抑制與兩面黏著片1接觸所引起之該突起41的破損。
(6)加熱步驟
加熱步驟如第3(b)圖所示，於將複數個部件4積層於第2黏著劑層13上的狀態下，對部件4進行伴隨著加熱的處理。作為該處理的例子，可舉出IR回流、鍍覆等的藥液處理、蒸鍍處理、表面塗覆處理、用以乾燥的烘烤處理、保護劑的加熱硬化等。而且，伴隨著加熱的處理的加熱溫度可為100℃以上，特佳為150℃以上。而且，該加熱溫度可為400℃以下，特佳為300℃以下。再者，伴隨著加熱的處理的加熱時間可為1分鐘以上，特佳為5分鐘以上。此外，該加熱時間可為300分鐘以下，特佳為200分鐘以下。
本實施型態的兩面黏著片1中，藉由分別以矽酮系黏著劑構成第1黏著劑層12以及第2黏著劑層13，使得兩面黏著片成為具有優良的耐熱性。藉此，即使進行如同上述的伴隨著加熱的處理，兩面黏著片1的黏著力也難以產生變化，且於接續的部件剝離步驟中，能夠抑制部件4的拾取不良的發生，再者，於片剝離步驟中，能夠抑制產生於支撐體2的殘膠，並從支撐體2良好地剝離兩面黏著片1。
(7)部件剝離步驟
部件剝離步驟如第3(c)圖所示，將部件4從第2黏著劑層13剝離。該剝離例如是能夠使用拾取裝置，將部件4分別 拾取以進行。
本實施型態的兩面黏著片1中，藉由使黏著力B1減黏著力B2所得的黏著力差於前述範圍，以抑制兩面黏著片1從支撐體2的剝落。藉此，於被拾取的部件4中兩面黏著片1不會被拉起，而且，由於貼附於兩面黏著片1上的部件4彼此不會衝突，故抑制了部件4的損傷。
(8)片剝離步驟
片剝離步驟中，將全部的部件4皆被剝離的兩面黏著片1從支撐體2剝離。本實施型態的兩面黏著片1中，藉由使黏著力B1於前述範圍，以使第2黏著劑層13與支撐體2之間的密著性不會變得過高，因此，不會因第2黏著劑層13的黏著劑成分而於支撐體2產生殘膠，且能夠從支撐體2良好地剝離兩面黏著片1。藉此，支撐體2不必進行去除黏著劑的殘渣之處理，而能夠直接再利用。
2.第2態樣
第2態樣的半導體裝置的製造方法，如同前述，使用具有藉由複數個孔而成的格子狀的形狀之兩面黏著片1。由於該兩面黏著片1預先形成有複數個孔3，於前述的區域形成步驟中，不需要貫通兩面黏著片1中去除第1剝離片14而成的積層體以形成複數個孔3。
具體而言，與第1態樣的半導體裝置的製造方法相同地進行第1剝離步驟後，作為貼附步驟，將兩面黏著片1的第1黏著劑層12的黏著面貼附於支撐體2。藉此，使預先形成於兩面黏著片1中的複數個孔3成為兩面黏著片1所包圍之 兩面黏著片1不存在的區域。因此，第2態樣的半導體裝置的製造方法中，貼附步驟亦兼為區域形成步驟。其後，與第1態樣的半導體裝置的製造方法相同，能夠進行第2剝離步驟、部件積層步驟、加熱步驟、部件剝離步驟以及片剝離步驟。
第2態樣的半導體裝置的製造方法與第1態樣的半導體裝置的製造方法相同，能夠抑制第1剝離步驟中第2剝離片15從第2黏著劑層13的剝落，能夠抑制第2剝離步驟中兩面黏著片1從支撐體2的剝落，能夠抑制加熱步驟中兩面黏著片1的黏著力的變化，能夠抑制部件剝離步驟中兩面黏著片1從支撐體2的剝落，能夠抑制片剝離步驟中於支撐體2上的殘膠。
3.第3態樣
第3態樣的半導體裝置的製造方法中，如同前述，多重使用具有帶狀的形狀之兩面黏著片1。具體而言，與第1態樣的半導體裝置的製造方法相同地進行第1剝離步驟後，作為貼附步驟，相對於支撐體2，將複數個具有帶狀的形狀之兩面黏著片1互相以間格隔開並平行地貼附。藉此，於支撐體2上形成相鄰的兩面黏著片1所夾之兩面黏著片1不存在的區域。因此，第3態樣的半導體裝置的製造方法中，貼附步驟亦兼為區域形成步驟。再者，較佳為將分別從兩面黏著片1剝離第1剝離片14，並將兩面黏著片1貼附於支撐體2的作業重複必要次數，特別是，較佳為一邊剝離第1剝離片14，一邊將藉此露出的第1黏著劑層12的黏著面貼附於支撐體2。貼附步驟兼區域形成步驟結束後，與第1態樣的半導體裝置的製造方法相同 地，能夠進行第2剝離步驟、部件積層步驟、加熱步驟、部件剝離步驟以及片剝離步驟。
第3態樣的半導體裝置的製造方法與第1態樣的半導體裝置的製造方法相同，能夠抑制第1剝離步驟中第2剝離片15從第2黏著劑層13的剝落，能夠抑制第2剝離步驟中兩面黏著片1從支撐體2的剝落，能夠抑制加熱步驟中兩面黏著片1的黏著力的變化，能夠抑制部件剝離步驟中兩面黏著片1從支撐體2的剝落，能夠抑制片剝離步驟中於支撐體2上的殘膠。
以上說明的實施型態，係用於容易理解本發明，但並非用於限定本發明的記載。因此，上述實施型態所揭示的各要素，其主旨亦包含屬於本發明的技術範圍之全部的設計變更或均等物。
例如是，在芯材11與黏著劑層12之間，或者是在芯材11與第2黏著劑層13之間，亦可以設置其他層。
【實施例】
以下藉由實施例等進一步地具體說明本發明，但本發明的範圍並不限定於此些實施例。
〔實施例1~3以及比較例1~5〕
混合表1所示的構成成分，並以甲基乙基酮稀釋，得到固體成分濃度為20質量%、用於第1黏著劑層的黏著劑組成物之塗布液。該塗布液使用輥刀塗布機塗布於作為芯材的聚醯亞胺膜(東麗‧杜邦公司製，製品名「Kapton 100H」，厚度25μm)的單面上，所得之塗膜以130℃加熱2分鐘使其硬化，形成第 1黏著劑層。於所得的第1黏著劑層之與芯材相反側的面，貼附作為第1剝離片之厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜之單面藉由氟系剝離劑剝離處理而成的剝離膜(Lintec公司製，製品名「SP-PET 38E-0010YCS」)的剝離面，得到以芯材、第1黏著劑層以及第1剝離片的順序積層的積層體。此外，第1黏著劑層的厚度表示於表1。
接著，混合表1所示的構成成分，並以甲基乙基酮稀釋，得到固體成分濃度為20質量%、用於第2黏著劑層的黏著劑組成物之塗布液。該塗布液使用輥刀塗布機塗布於上述所得的積層體的芯材側的面上，所得之塗膜以130℃加熱2分鐘使其硬化，形成第2黏著劑層。於所得的第2黏著劑層之與芯材相反側的面，貼附作為第2剝離片之厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜之單面藉由氟系剝離劑剝離處理而成的剝離膜(Lintec公司製，製品名「SP-PET 38E-0010YCS」)的剝離面，得到以第2剝離片、第2黏著劑層、芯材、第1黏著劑層以及第1剝離片的順序積層的積層體。此外，第2黏著劑層的厚度表示於表1。
此處，表1所示的詳細構成成分如下所述。
矽酮系黏著劑A：矽酮黏著劑(東麗‧道康寧公司製，製品名「SD 4587 L」)
矽酮系黏著劑B：矽酮黏著劑(東麗‧道康寧公司製，製品名「SD 4580」)
矽酮系黏著劑C：矽酮黏著劑(東麗‧道康寧公司製，製品名「SD 4584」)
底漆：底漆(東麗‧道康寧公司製，製品名「BY24-712」)
鉑觸媒：鉑觸媒(東麗‧道康寧公司製，製品名「SRX 212」)
〔試驗例1〕(黏著力的測定)
將實施例以及比較例所製造的兩面黏著片裁斷為寬25mm、長100mm後，對第1黏著劑層的黏著面以及第2黏著劑層的黏著面之分別的黏著力(mN/25mm)，以JIS Z0237為基準並以下述說明進行測定。
在測定對於第1黏著劑層的黏著面之黏著力的情形中，從兩面黏著片剝離第2剝離片，並使第2黏著劑層的黏著面露出。然後，於溫度23℃以及相對濕度50%的環境下，使用2kg橡膠輥將上述剝離所得的第2剝離片之與剝離面相反側的面貼附於該黏著面。此操作是在測定第1黏著劑層的黏著面之黏著力時，為了避免第2剝離片從2黏著劑層剝離而妨礙正確的黏著力測定而進行。
其後，從第1黏著劑層剝離第1剝離片，於溫度23℃以及相對濕度50%的環境下，使用2kg橡膠輥將露出的第1黏著劑層的黏著面貼附於作為支撐體的不鏽鋼板(SUS334鏡面板，算數平均粗糙度Ra：0.05μm)的單面，放置20分鐘，得到去除第1剝離片的兩面黏著片與不鏽鋼板所構成的試驗用積層體。
對於所得的試驗用積層體，使用萬能型拉伸試驗機(島津製作所製，製品名「Autograph AG-IS」)，以剝離角度180°以及剝離速度300mm/min的條件，將兩面黏著片從不鏽鋼板剝離，並測定此時的黏著力(mN/25mm)。將此黏著力 作為第1黏著劑層的黏著力A1(mN/25mm)。其結果表示於表2。
在測定對於第2黏著劑層的黏著面之黏著力的情形中，除了將兩面黏著片中第1剝離片以及第1黏著劑層的側取代為第2剝離片以及第2黏著劑層的側之外，與上述黏著力A1的測定方法相同地進行測定，所得的黏著力作為第2黏著劑層的黏著力A2(mN/25mm)，其結果表示於表2。
進而，由上述所測定的黏著力A1的值減黏著力A2的值，計算此些黏著力的差(A1-A2)(mN/25mm)。其結果表示於表2。
〔試驗例2〕(加熱後的黏著力的測定)
與試驗例1相同地得到試驗用積層體後，將該試驗用積層體於260℃加熱1分鐘。將該加熱條件作為加熱條件1。對於該加熱後的試驗用積層體，與試驗例1相同地分別測定第1黏著劑層以及第2黏著劑層的黏著力(mN/25mm)。所得的黏著力分別作為對於第1黏著劑層的加熱條件1中的黏著力B1(mN/25mm)，以及對於第2黏著劑層的加熱條件1中的黏著力B2(mN/25mm)。其結果表示於表2。
進而，由上述所測定的黏著力B1的值減黏著力B2的值，計算此些黏著力的差(B1-B2)(mN/25mm)。其結果表示於表2。
而且，與試驗例1相同地得到試驗用積層體後，將該試驗用積層體於125℃加熱24小時。將該加熱條件作為加熱條件2。對於該加熱後的試驗用積層體，與試驗例1相同地 分別測定對於第1黏著劑層以及第2黏著劑層的黏著力(mN/25mm)。將所得的黏著力分別作為對於第1黏著劑層的加熱條件2中的黏著力C1(mN/25mm)，以及對於第2黏著劑層的加熱條件2中的黏著力C2(mN/25mm)。其結果表示於表2。
進而，由上述所測定的黏著力C1的值減黏著力C2的值，計算此些黏著力的差(C1-C2)(mN/25mm)。其結果表示於表2。
〔試驗例3〕(剝離力的測定)
將實施例以及比較例所製造的兩面黏著片裁斷為寬50mm、長200mm後，對於第1剝離片以及第2剝離片之分別的剝離力(mN/50mm)，以JIS Z0237為基準並以下述說明進行測定。
在測定對於第1剝離片的剝離力的情形中，從兩面黏著片剝離第2剝離片，於溫度23℃以及相對濕度50%的環境下，使用2kg橡膠輥將露出的第2黏著劑層的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS334鏡面板，算數平均粗糙度Ra：0.05μm)的單面。貼附經過20分鐘後，使用萬能型拉伸試驗機(島津製作所製，製品名「Autograph AG-IS」)，以剝離角度180°以及剝離速度300mm/min的條件，將第1剝離片從兩面黏著片中的第1黏著劑層剝離，並測定此時的剝離力(mN/50mm)。將此剝離力作為對於第1剝離片的剝離力P1(mN/50mm)，其結果表示於表2。
在測定對於第2剝離片之剝離力的情形中，除了 將兩面黏著片中第1剝離片以及第1黏著劑層的側取代為第2剝離片以及第2黏著劑層的側之外，與上述剝離力P1的測定方法相同地進行測定，將所得的剝離力作為對於第2剝離片的剝離力P2(mN/50mm)。其結果表示於表2。
進而，計算出試驗例中所測定的黏著力A1對於上述測定的剝離力P2的比值(A1/P2)。其結果表示於表2。
〔試驗例4〕(支撐體貼附試驗)
(1)試驗用半導體封裝的製作
準備將覆銅積層板(三菱Gas化學公司製，製品名「CCL-HL830」，銅箔的厚度：18μm)中的銅箔形成電路圖案後，於該圖案上積層阻焊劑(太陽油墨公司製，製品名「PSR-4000 AUS303」)而成的基板(CHINO技研公司製，製品名「LN001E-001 PCB(Au)AUS303」)。
對於上述基板，不搭載晶片，並使用封裝裝置(APIC YAMADA公司製，製品名「MPC-06M TriAl Press」)，利用鑄模樹脂(京瓷化學公司製，製品名「KE-1100AS3」)以封裝厚度成為400μm的方式進行封裝。其後，將鑄模樹脂以175℃加熱5小時使其硬化。
接著，將經封裝的基板貼附於切割帶(Lintec公司製，製品名「Adwill D-510T」)後，設置於切割裝置(DISCO公司製，製品名「DFD651」)上，藉由進行切割而得到具有8mm×8mm尺寸的試驗用半導體封裝。
(2)支撐體貼附試驗的實施
從實施例以及比較例製造的兩面黏著片剝離第1剝離片， 將露出的第1黏著劑層的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304鏡面板，算數平均粗糙度Ra：0.05μm，尺寸：15cm×7cm×0.5mm)的單面。
其後，於不鏽鋼板上，以使兩面黏著片成為格子狀的方式，使用刀具切除兩面黏著片的不需要部分。具體而言，使用刀具切除兩面黏著片的縱方向以及橫方向上以間隔3mm排列、分別具有6mm×6mm尺寸的複數個矩形區域。
接著，從兩面黏著片剝離第2剝離片，並露出第2黏著劑層的黏著面。其後，對於該黏著面，使用鑷子將上述步驟(1)所製造的半導體封裝，於溫度23℃以及相對濕度50%的環境下進行載置，並使用2kg橡膠輥壓著。此時，以使兩面黏著片的黏著面與試驗用半導體封裝之經封裝的面接觸的方式進行載置。而且，以藉由試驗用半導體封裝覆蓋形成於兩面黏著片的孔之方式進行載置。更具體而言，於平面視圖中，以使試驗用半導體封裝的重心與形成於兩面黏著片的孔的重心一致的方式進行載置。藉此，得到複數個試驗用半導體封裝經由兩面黏著片貼附於不鏽鋼板的積層體。
其次，將所得的積層體於回流爐(相模理工公司製，製品名「WL-15-20DNX型」)內，以最高溫度240℃、加熱時間1分鐘的條件進行1次的IR回流。其後，由回流爐取出積層體，冷卻至常溫後，使用鑷子從兩面黏著片將試驗用半導體封裝個別拾取。全部的試驗用半導體封裝的拾取結束後，將兩面黏著片從由不鏽鋼板剝離。
(3)評價
於上述步驟(2)所記載的處理中，確認以下4個評價項目，基於後述的評價基準以「○」、「△」以及「×」的3階段進行評價。
(評價項目)
項目1：從兩面黏著片剝離第1剝離片之際，第2黏著劑層與第2剝離片的界面之剝落的有無
項目2：從貼附於不鏽鋼板上的兩面黏著片剝離第2剝離片之際，不鏽鋼板與兩面黏著片的界面之剝落的有無
項目3：從兩面黏著片拾取試驗用半導體封裝之際，不鏽鋼板與兩面黏著片的界面之剝落的有無
項目4：從不鏽鋼板剝離兩面黏著片後，不鏽鋼板表面中構成第1黏著劑層的黏著劑殘渣的有無
(評價基準)
○：藉由目視可明確地判斷為「無」。
△：目視無法明確判斷，但使用放大鏡的情形可判斷為「無」。
×：藉由目視可判斷為「有」。
由表2可知，在實施例所得的兩面黏著片中，以下情形皆不會發生：在剝離第1剝離片之際第2剝離片從第2黏著劑層的剝落，在剝離第2剝離片之際兩面黏著片從支撐體的剝落，以及拾取部件之際兩面黏著片從支撐體的剝落。進而，在實施例所得的兩面黏著片中，在將使用結束的兩面黏著片從支撐體剝離之際，亦難以產生於支撐體上的殘膠。
【產業上的可利用性】
本發明的兩面黏著片，能夠適用於包含表面具有易損傷部材的部件之半導體裝置的製造方法。
1‧‧‧兩面黏著片
11‧‧‧芯材
12‧‧‧第1黏著劑層
13‧‧‧第2黏著劑層
14‧‧‧第1剝離片
15‧‧‧第2剝離片

Claims (13)

  1. 一種兩面黏著片，包括：芯材；積層於前述芯材的一個面側的第1黏著劑層；積層於前述芯材的另一個面側的第2黏著劑層；積層於前述第1黏著劑層中與前述芯材相反側的面上的第1剝離片；以及積層於前述第2黏著劑層中與前述芯材相反側的面上的第2剝離片，其特徵在於：前述第1黏著劑層以及前述第2黏著劑層分別由矽酮系黏著劑所構成，前述第2剝離片從前述第2黏著劑層剝離之際的剝離力P2為30mN/50mm以上且1000mN/50mm以下，對於從前述兩面黏著片剝離前述第1剝離片所露出之前述第1黏著劑層的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)之前述兩面黏著片，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力為黏著力A1時，前述黏著力A1對於前述剝離力P2的比值(A1/P2)為10以上且5000以下，對於從前述兩面黏著片剝離前述第1剝離片所露出之前述第1黏著劑層的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)，於260℃加熱1分鐘後的前述兩面黏著片，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力B1為500mN/25mm以上且15000mN/25mm以下，對於從前述兩面黏著片剝離前述第2剝離片所露出之前述第2黏著劑層的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)，於260℃加熱1分鐘後的前述兩面黏著片，以JIS Z0237：2009為 基準所測定之對於前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力為黏著力B2時，以前述黏著力B1減前述黏著力B2所得的黏著力的差為1000mN/25mm以上且20000mN/25mm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的兩面黏著片，其中前述第1剝離片從前述第1黏著劑層剝離之際的剝離力為剝離力P1時，該剝離力P1大於前述剝離力P2。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載的兩面黏著片，其中前述剝離力P1為50mN/50mm以上且2000mN/50mm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載的兩面黏著片，其中前述黏著力A1為500mN/25mm以上且15000mN/25mm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載的兩面黏著片，其中對於從前述兩面黏著片剝離前述第2剝離片所露出之前述第2黏著劑層的黏著面貼附於不鏽鋼板(SUS304)之前述兩面黏著片，以JIS Z0237：2009為基準所測定之對於前述不鏽鋼板的180°剝離黏著力A2為100mN/25mm以上且15000mN/25mm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載的兩面黏著片，其中前述黏著力B2為100mN/25mm以上且15000mN/25mm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載的兩面黏著片，其中前述兩面黏著片具有藉由複數個孔而成之格子狀的形狀，且相鄰的2個前述孔之間的寬度為0.001mm以上且10mm以下。
  8. 如申請專利範圍第1項所記載的兩面黏著片，其中前述兩面黏著片具有0.1mm以上且5mm以下的寬度之帶狀的形 狀。
  9. 如申請專利範圍第1項所記載的兩面黏著片，其中前述第1剝離片較前述第2剝離片先剝離。
  10. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於包含下述步驟：從如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所記載的兩面黏著片剝離前述第1剝離片的步驟；將藉由前述第1剝離片的剝離而露出之前述第1黏著劑層的黏著面貼附於支撐體上的步驟；在與前述貼附同時或是前述貼附之後，設置前述兩面黏著片所包圍或所夾之前述兩面黏著片不存在的區域的步驟；從貼附於前述支撐體上的前述兩面黏著片剝離前述第2剝離片的步驟；將複數個部件分別以覆蓋前述區域的方式或是跨越前述區域的方式，積層於前述第2黏著劑層上的步驟；對前述部件進行伴隨著加熱的處理的步驟；以及將前述部件從前述第2黏著劑層剝離的步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載的半導體裝置的製造方法，其中在將前述部件從前述第2黏著劑層剝離的步驟後，更包括將前述兩面黏著片從前述支撐體剝離的步驟。
  12. 如申請專利範圍第10項所記載的半導體裝置的製造方法，其中在將前述第1黏著劑層的黏著面貼附於前述支撐體後，相對於從前述兩面黏著片去除前述第1剝離片而成的積層體，藉由形成貫通該積層體的複數個孔而設置前述區域。
  13. 如申請專利範圍第10項所記載的半導體裝置的製造方法，其中相對於前述支撐體，藉由將複數個帶狀的前述兩面黏著片互相以間隔隔開並平行貼附而設置前述區域。
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