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TWI610396B - 具有加熱器與快速溫度變化的基板支撐件 - Google Patents

具有加熱器與快速溫度變化的基板支撐件 Download PDF

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TWI610396B
TWI610396B TW101102875A TW101102875A TWI610396B TW I610396 B TWI610396 B TW I610396B TW 101102875 A TW101102875 A TW 101102875A TW 101102875 A TW101102875 A TW 101102875A TW I610396 B TWI610396 B TW I610396B
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heating
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沃福斯基里昂
古卡霖梅尤Ｇ
明柯維奇艾力克斯
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應用材料股份有限公司
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Abstract

本發明提供具有加熱器與整合冷卻器的基板支撐件的實施例。在某些實施例中，基板支撐件可包括：第一構件，當基板位在第一構件的第一表面上時，第一構件用以散佈熱至基板；加熱器，加熱器設置於第一構件下方，且加熱器具有一或多個加熱區域以提供熱至第一構件；複數個冷卻通道，複數個冷卻通道設置於第一構件下方，以移除加熱器提供的熱；複數個基板支撐銷，複數個基板支撐銷設置在高於第一構件的第一表面上第一距離處，當基板位在基板支撐件上時，複數個基板支撐銷用以支撐基板的背側表面；及校準引導件，校準引導件自第一構件的第一表面延伸並圍繞複數個基板支撐銷。

Description

具有加熱器與快速溫度變化的基板支撐件
本發明的實施例大致關於基板製程裝置，更明確地，本發明的實施例關於基板支撐件。
隨著元件的關鍵尺寸持續縮小，可能需要對製程(諸如，加熱、冷卻等等)整體控制的改良。舉例而言，基板支撐件可包括加熱器及/或冷卻器，以在製程期間提供設置於基板支撐件上的基板所需的溫度。
因此，本發明人已經提供改良的基板支撐件。
本發明提供具有加熱器與整合冷卻器的基板支撐件的實施例。在某些實施例中，基板支撐件可包括：第一構件，當基板位在第一構件的第一表面上時，第一構件用以散佈熱至基板；加熱器，加熱器設置於第一構件下方，且加熱器具有一或多個加熱區域以提供熱至第一構件；複數個冷卻通道，複數個冷卻通道設置於第一構件下方，以移除加熱器提供的熱；複數個基板支撐銷，複數個基板支撐銷設置在高於第一構件的第一表面上第一距離處，當基板位在基板支撐件上時，複數個基板支撐銷用以支撐基板的背側表面；及校準引導件，校準引導件 自第一構件的第一表面延伸並圍繞複數個基板支撐銷。
在某些實施例中，基板支撐件可包括：第一構件，當基板位在第一構件的第一表面上時，第一構件用以散佈熱至基板；複數個基板支撐銷，複數個基板支撐銷自第一構件的第一表面延伸，當基板位在基板支撐件上時，複數個基板支撐銷用以支撐基板的背側表面；校準引導件，校準引導件自第一構件的第一表面延伸並圍繞複數個基板支撐銷，其中第一構件、複數個基板支撐銷的各個基板支撐銷與校準引導件是由相同材料所形成；及第二構件，第二構件具有一或多個設置於第二構件中的加熱區域以提供熱至第一構件，且第二構件具有複數個設置於第二構件中的冷卻通道。
在某些實施例中，基板支撐件包括：第一構件，當基板位在第一構件的上表面上時，第一構件用以散佈熱至基板；支撐層，支撐層設置在第一構件的上表面上，其中當基板位在基板支撐件上時，複數個基板支撐銷的各個基板支撐銷自支撐層的表面延伸以支撐基板的背側表面；校準引導件，校準引導件自第一構件的上表面延伸並圍繞複數個基板支撐銷；第一層，第一層設置於第一構件下，且第一層具有一或多個加熱區域的各個加熱區域，一或多個加熱區域的各個加熱區域設置鄰近第一層的第一表面處；及第二層，第二層設置於第一構件下，且第二層具有複數個冷卻通道的各個冷卻通道，複數個冷卻通道的各個冷卻通道形成於第二層中。
於下文描述本發明的其他與進一步實施例。
本文揭示具有加熱器與整合冷卻器的基板支撐件的實施例。本發明的基板支撐件可有利地促進下列一或多者：加熱基板、維持基板的溫度、快速改變基板的溫度或者均勻地散佈熱至基板或均勻地自基板移除熱。
第1圖描繪根據本發明的某些實施例的基板支撐件100。基板支撐件100可包括第一構件102與第二構件106，當基板103位在第一構件102的第一表面104(例如，上表面)上時，第一構件102用以散佈熱至基板103，第二構件106具有一或多個加熱區域108與複數個冷卻通道110，一或多個加熱區域108用以提供熱至即將將熱散佈的第一構件102。如第1圖中所示，可將第二構件106設置於第一構件102下。
在某些實施例中，基板支撐件可提供約450℃至約600℃的溫度範圍。然而，本文揭示的基板支撐件的實施例並不限於上文提及的溫度範圍。舉例而言，溫度可為較低點(例如，自約150℃至約450℃)或較高點(例如，高於約600℃。
在某些實施例中，基板支撐件100可包括第三構件107，第三構件107設置於第一構件102與第二構件106下。第三構件107可作為設施管理板，諸如用於到達一 或多個加熱區域108及/或複數個冷卻通道110的線路及/或管路管理。在某些實施例中，舉例而言，當不應用複數個冷卻通道110時，第三構件107可被用作散熱片等等。在某些實施例中，第三構件107可作為絕熱器以避免對流散熱至下方環境。或者，當提供複數個冷卻通道110時，第三構件107可額外地作為散熱片等等。第三構件107可包括MACOR®或任何適當的陶瓷材料。
第三構件107可包括開口109，舉例而言，開口109是中央地設置穿過第三構件107。開口109可用來將饋通組件111耦接至基板支撐件100的構件102、106與107。饋通組件111可饋送多個來源及/或控制裝置，諸如到達一或多個加熱區域108的功率源126、到達複數個冷卻通道110的冷卻源128或如下所述的控制器122。在某些實施例中，饋通組件111可包括導管140，導管140可提供來自氣體源(未圖示)的氣體至基板103的背側。舉例而言，導管140提供的氣體可用來改良第一構件102與基板103之間的熱傳導。在某些實施例中，該氣體是氦(He)。
導管140可包括撓性區段142，撓性區段142諸如波紋管等等。舉例而言，當基板支撐件100被調整位準時，導管140中的上述撓性可為必需的。舉例而言，可藉由一或多個調整位準裝置(未圖示)來調整基板支撐件100的位準，一或多個調整位準裝置設置圍繞饋通組件111並穿過基板支撐件100的一或多個構件。舉例而言，上 述調整位準裝置可包括運動式千斤頂等等。當調整位準裝置用以調整基板支撐件100的位準時，導管140中的撓性可為必需的。
可藉由任何數目的適當機制將基板支撐件100的構件耦接在一起。舉例而言，適當的機制可包括重力、黏合、接合、硬焊、鑄造、或機械壓縮(諸如，藉由螺釘、彈簧、夾具或真空)等等。機械壓縮的非限制性示範形式描繪於第1圖中。舉例而言，可將棒144設置穿過基板支撐件100的一或多個構件，並用棒144來壓縮構件與饋通組件111。描繪的棒144為單一件，但是棒144可為由鉸鏈、球狀與穴狀構造等等連接在一起的多個件(未圖示)。棒144可提供撓性用於調整基板支撐件100的位準，相似於上文針對導管140所述。
舉例而言，可透過硬焊、焊接等等將棒144耦接至第一構件102，或者棒144可帶有螺紋並被擰進第一構件102中設以接收棒144的相應螺紋開口(未圖示)中。可透過彈簧146將棒144的相反端耦接至饋通組件111。舉例而言，彈簧146的第一端可耦接至棒144而彈簧146的相反第二端可耦接至外殼111。如第1圖中所示，設置於外殼111中的螺栓150是耦接至彈簧146的第二端。在某些實施例中，可提供蓋件148於螺栓150上。雖然圖示的彈簧146提供壓縮力量將棒144拉向饋通組件111，但亦可將彈簧146設置預裝成壓縮，以致藉由彈簧146的擴張來提供耦接力量。
在某些實施例中，基板支撐件100可包括複數個基板支撐銷112，複數個基板支撐銷112設置在第一構件102的第一表面104上的第一距離處，且當基板103位在基板支撐件上時，複數個基板支撐銷112可支撐基板103的背側表面。在某些實施例中(如各個支撐銷112附近虛線所示)，複數個基板支撐銷的各個基板支撐銷可自第一構件102的第一表面104延伸(例如，基板支撐銷可為第一構件102的部分或者基板支撐銷可形成於第一構件102中)。或者，在某些實施例中，支撐層116可設置於第一構件102的第一表面104上，而複數個基板支撐銷112的各個基板支撐銷112可自支撐層116的表面114延伸。在某些實施例中，支撐層116與複數個基板支撐銷112的各個基板支撐銷112可由相同材料所形成。舉例而言，支撐層116與複數個基板支撐銷112的各個基板支撐銷112可為一件式構造(描繪於第2A圖中且討論於下)。支撐層與複數個基板支撐銷112的各個基板支撐銷112可由具有耐磨性質的適當製程-相容材料所形成。舉例而言，材料可相容於基板、相容於基板上即將執行的製程等等。在某些實施例中，可由介電材料製成支撐層116及/或基板支撐銷112。在某些實施例中，用於形成支撐層116及/或基板支撐銷112的材料可包括下列一或多者：聚亞醯胺(例如，KAPTON®)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)等等。在某些實施例中，例如用於低溫應用(例如，在低於200℃ 的溫度下)，支撐層116及/或基板支撐銷112可包括KAPTON®。
在某些實施例中，基板支撐件100可包括校準引導件118，校準引導件118自第一構件102的第一表面104延伸並圍繞複數個基板支撐銷112。舉例而言，當藉由複數個升降銷(未圖示，升降銷孔113係描繪於第1圖中且可延伸穿過支撐層116與第一構件102與第二構件106)將基板降低至基板支撐銷112上時，校準引導件118可用以引導、置中及/或校準基板103，諸如相對於設置在基板103下的一或多個加熱區域108及冷卻通道110來引導、置中及/或校準基板103。校準引導件可包括一或多個淨化氣體通道119，一或多個淨化氣體通道119設置穿過且圍繞校準引導件118(如第1圖中所示)及/或設置於基板103的周圍邊緣附近(例如，第一構件102中(未圖示))。一或多個淨化氣體通道119可耦接至淨化氣體源121，淨化氣體源121可提供淨化氣體穿過一或多個淨化氣體通道119。舉例而言，可提供淨化氣體以限制製程期間材料沉積於基板103的背側上。淨化氣體可包括下列一或多者：氦(He)、氮(N2)或任何適當的惰性氣體。可透過鄰近基板103邊緣的縫隙117排出淨化氣體。透過縫隙117排出的淨化氣體可限制或避免製程氣體在製程期間到達基板103的背側並與基板103的背側反應。可透過製程腔室的排放系統(未圖示)自製程腔室排放淨化氣體，以適當地處理排放的淨化氣體。
可由適當的製程相容材料形成校準引導件118，適當的製程相容材料例如具有耐磨性質及/或低熱膨脹係數的材料。校準引導件118可為單一件或多個部件的組件。在某些實施例中，可由介電材料製成校準引導件118。舉例而言，用以形成校準引導件118的適當材料可包括下列一或多者：CELAZOLE® PBI(聚苯咪唑)、氧化鋁(Al2O3)等等。一般而言，可根據材料彼此之間及/或材料與已知製程應用之間的化學與熱相容性，來選擇基板支撐件100的不同部件任一者的材料。
第一構件102可用以散佈熱至基板103。舉例而言，第一構件可作為熱散佈器，以散佈一或多個加熱區域108提供的熱。在某些實施例中，第一構件102可包括一或多個溫度監測裝置120，一或多個溫度監測裝置120嵌於第一構件102中或延伸穿過第一構件102，以在沿著第一構件102的第一表面104的一或多個位置處監測提供至基板103的溫度。溫度監測裝置120可包括任何適當的監測溫度裝置，諸如溫度感測器、快速熱偵測器(RTD)、光學感測器等等的一或多者。一或多個溫度監測裝置120可耦接至控制器122，控制器122用以接收來自複數個溫度監測裝置120的各個溫度監測裝置120的溫度資訊。如下文進一步所述，控制器122可進一步用來控制加熱區域108與冷卻通道110以回應溫度資訊。可由適當的製程相容材料形成第一構件102，適當的製程相容材料例如具有高熱導係數、高剛性與低熱膨脹係 數的一或多者的材料。在某些實施例中，第一構件102可具有至少約160 W/mK的熱導係數。在某些實施例中，第一構件102可具有約9 x10-6/℃或更低的熱膨脹係數。用於形成第一構件102的適當材料的實例可包括下列一或多者：鋁(Al)、銅(Cu)或上述之合金、氮化鋁(AlN)、氧化鈹(BeO)、熱解氮化硼(PBN)、氮化矽(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、碳化矽(SiC)等等。
第一構件102、複數個基板支撐銷112與校準引導件118的變化是有可能的。舉例而言，上述變化可取決於基板103上即將執行的製程及/或基板103的組成。舉例而言，取決於已知製程的溫度要求，第一構件102可由具有特定熱導係數等等的材料加以形成；然而若基板103的背側暴露於第一構件102的第一表面104，則上述材料可能會污染基板103。因此，可在上述條件下應用支撐層116，並利用與第一構件102相異的材料形成支撐層116，其中相異的材料不會污染基板103。同樣地，因為相似原因，可利用與第一構件102相異的材料形成校準引導件118。舉例而言，第2A圖描繪基板支撐件102的實施例，基板支撐件102包括校準引導件118、支撐層116、複數個自支撐層116延伸的支撐銷與第一構件102，其中校準引導件118、支撐層116與支撐銷112是由與第一構件102相異的材料所加以形成。
或者，取決於基板103上即將執行的製程及/或基板103的組成，第一構件102、複數個基板支撐銷112與校 準引導件118可如第2B圖中所述般由相同材料所加以形成。舉例而言，當第一構件的材料相容於基板103上即將執行的製程及/或基板103的組成時，則便可應用第2B圖中所示的基板支撐件100的實施例。由於第2B圖中的支撐層116與第一構件102整合在一起，第2B圖中便未圖示分離的支撐層116。然而，可將支撐層116視為第一構件102的上部分。
或者，取決於基板103上即將執行的製程及/或基板103的組成，第一構件102可如第2C圖中所描繪般在厚度上有所變化。舉例而言，沿著第一構件102的厚度變化可促進沿著基板103的所需加熱分佈及/或補償即將執行於基板103的正面上的製程中的不均勻性，製程諸如沉積、固化、烘烤、退火、蝕刻等等。舉例而言，在某些實施例中，如第2C圖中所描繪般，第一構件102可自第一構件102的中心至第一構件102的邊緣增加厚度。然而，第2C圖的實施例僅為說明，而可用任何適當的方式改變第一構件102的厚度，以提供沿著基板103的所需加熱分佈。如第2C圖中所描繪般，當第一構件102的厚度有所變化時，複數個支撐銷112可具有變化的長度以補償第一構件102中的厚度變化。如第2C圖中所示，各個支撐銷112具有的長度使得各個支撐銷112在大約相同的垂直高度處接觸基板103的背側表面。可如第2C圖中所描述般，將複數個支撐銷112個別地塑造並耦接至第一構件102。或者(未圖示)，複數個支撐銷112 可與第一構件102整合在一起，舉例而言，相似於第2B圖中所示的支撐銷112的實施例。
回到第1圖，第二構件106可具有一或多個加熱區域108與冷卻通道110兩者，一或多個加熱區域108與冷卻通道110兩者形成於第二構件106中或形成於第二構件106上，或者，如設置穿過第二構件106的虛線所示，第二構件106可具有多個層，其中一層包括加熱區域108或冷卻通道110之一者，而另一層包括加熱區域108或冷卻通道110之另一者。雖然描繪於第1圖與第3A-C圖中一或多個加熱區域108與冷卻通道110為沿著第二構件106均勻地分散，但可用任何適當的設置沿著第二構件106分散一或多個加熱區域108與冷卻通道110，適當的設置可在基板103上提供所需的溫度分佈。可由適當的製程相容材料來形成第二構件106，製程相容材料諸如具有下列一或多者的材料：高機械強度(例如，至少約200MPa的彎曲強度)、高電阻率(例如，至少約1014ohm-cm)、低熱膨脹係數(例如，不超過約5 x 10-6℃)。適當的材料可包括碳化矽(SiC)、氮化矽(Si3N4)、氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2O3)等等的一或多者。
基板支撐件100包括一或多個電阻式加熱元件124。一或多個加熱區域108的各個加熱區域108包括一或多個電阻式加熱元件124。各個電阻式加熱元件124可耦接至功率源126。功率源126可提供任何相容於電阻式加熱元件124的適當類型功率，諸如直流電(DC)或交流 電(AC)。功率源126可耦接至控制器122或另一控制器(未圖示)並由控制器122或另一控制器(未圖示)所控制，另一控制器例如用以控制製程腔室(具有基板支撐件設置於製程腔室中)的系統控制器等等。在某些實施例中，功率源126可進一步包括功率分配器，功率分配器將提供至電阻式加熱元件124的功率分配至各個加熱區域108。舉例而言，功率分配器可回應溫度監測裝置120的一或多者而運作，以選擇性地散佈功率至特定加熱區域108中的電阻式加熱元件124。或者，在某些實施例中，可對各個個別的加熱器區域中的電阻式加熱元件提供多個功率源。
在某些實施例中，可將一或多個電阻式加熱元件124沉積於第二構件106的表面上。舉例而言，沉積可包括任何形成加熱區域108所需圖案的適當沉積技術。舉例而言，一或多個電阻式加熱元件可包括鉑或其他適當的電阻式加熱材料。在某些實施例中，在完成一或多個電阻式加熱元件124的沉積之後，可用絕緣材料(諸如，玻璃、陶瓷等等)來塗覆第二構件106的表面與沉積的一或多個電阻式加熱元件124。
舉例而言，一或多個加熱區域108被排列成六個區域的設置的一實施例是描繪於第4圖中，雖然亦可應用較多或較少的區域。如俯視圖中所示，可圍繞基板支撐件100的中央軸402設置加熱區域108。一或多個加熱區域108可包括：第一加熱區域404，第一加熱區域404具有 自中央軸402沿著第二構件106的上表面延伸的第一半徑406(例如，中央區域)；第二加熱區域408(例如，中間區域)，第二加熱區域408圍繞第一加熱區域404；及第三、第四、第五與第六加熱區域410(例如，複數個外部區域)，第三、第四、第五與第六加熱區域410設置圍繞第二加熱區域408。在某些實施例中，且如圖所示，四個加熱區域410各自可對應至基板支撐件100的外部區域約四分之一部分。在某些實施例中，可提供溫度監測裝置(例如，上述的溫度監測裝置120)以感應對應於各個區域(或各個區域中所需位置)中溫度的資料。在某些實施例中，各個溫度監測裝置是RTD。各個溫度監測裝置可耦接至控制器(例如，上述的控制器122)，以提供針對各個相應加熱區域108的反饋控制。
回到第1圖，冷卻通道110可耦接至冷卻源128，冷卻源128可提供冷卻劑至冷卻通道110。舉例而言，冷卻劑可為液體或氣體，諸如水、惰性氣體等等。冷卻通道110可相互連接，或者，冷卻通道110可被排列成複數個區域。該等區域可重疊於一或多個加熱區域108的一或多者。舉例而言，各個加熱區域108可具有相應的冷卻區域，或者冷卻區域可與複數個加熱區域108有所關連或者冷卻區域可設置在複數個加熱區域108附近。可如所需般將冷卻劑分散至各個冷卻劑通道，或者用相似於針對加熱區域108描述於上的方式，回應溫度監測裝置120的一或多者提供的溫度資訊將冷卻劑分散至各 個冷卻劑通道。舉例而言，可用相似於針對加熱區域108描述於上的方式，藉由控制器122控制冷卻劑源128至冷卻劑通道的冷卻劑輸送。舉例而言，可控制冷卻劑的溫度、流動速率等等以如所需般自基板支撐件移除熱，藉以控制設置於基板支撐件100上的基板的熱分佈。
基板支撐件100的緊密設計、調整基板103上溫度非均勻性的加熱與冷卻的可調整性與主動冷卻機制(例如，冷卻劑通道110與相關的冷卻劑裝置)的存在可促進下列一或多者：加熱基板、維持基板的溫度、快速改變基板的溫度，或者均勻地散佈熱至基板或均勻地自基板移除熱。
第二構件106可包括一或多個由相同或相異材料構成的層。舉例而言，第二構件106的多個非限制性變化描繪於第3A-C圖中所示的實施例中。舉例而言，如第3A圖中所示，冷卻通道110與加熱區域108的位置可與第1圖中所描繪的第二構件106的實施例相反。如第1圖中所描繪，加熱區域108可位在冷卻通道110與第一構件102之間。或者，如第3A圖中所描繪，冷卻通道可設置在加熱區域108與第一構件102之間。在某些實施例中，一或多個冷卻通道110的各個冷卻通道110可設置於平行於第二構件106的第一表面130、鄰近第一構件102的平面方向中。同樣地，在某些實施例中，一或多個加熱區域108的各個加熱區域108可設置於平行於第二構件106的第一表面130的平面方向中。如上所述， 雖然將加熱區域108與冷卻通道110描繪成平行於上表面130且沿著第二構件106均勻地分散，但加熱區域108與冷卻通道110可採取任何適當的設置以提供基板103上所需的溫度分佈。舉例而言，可相對於上表面130交錯加熱區域108及/或冷卻通道110及/或非均勻地分散加熱區域108及/或冷卻通道110。
在某些實施例中，第二構件106可由第一層132與第二層134所形成。如第3B圖中所描繪，第一層132可包括各個一或多個加熱區域108，其中加熱區域108各自設置鄰近於第一層132的上表面133或設置於第一層132的上表面133上。舉例而言，各個加熱元件124可如第3B圖中所示般嵌於第一層132中。或者，舉例而言，可藉由印刷加熱元件124於上表面133上或藉由另外適當的微影或沉積技術，將各個加熱元件124設置於第一層132上(未圖示)。同樣地，舉例而言，當第二構件106由單一層所形成時(未圖示)，可將一或多個加熱元件124設置於第二構件106的上表面130上。舉例而言，可由適當的製程相容材料形成第一層132，適當的製程相容材料諸如下列的一或多者：AlN、Si3N4、MACOR®(可自Corning Incorporated取得的可加工玻璃-陶瓷，包括硼矽酸鹽玻璃基質中的氟金雲母)、ZERODUR®(可自Schott AG取得的玻璃-陶瓷)、不鏽鋼等等。舉例而言，第一層132可為多層或層壓結構，舉例而言，多層或層壓結構包括多個上列的製程相容材料。
第二層134可具有複數個冷卻通道110，複數個冷卻通道110可如第3B圖中所示般設置於第二層134的上表面135中。或者，複數個冷卻通道可設置於第二層134的內部中(未圖示)。可由適當的製程相容材料形成第二層134，適當的製程相容材料諸如下列的一或多者：AlN、Si3N4、MACOR®、ZERODUR®、不鏽鋼等等。舉例而言，第二層134可為多層或層壓結構，舉例而言，多層或層壓結構包括多個上列的製程相容材料。
在某些實施例中，第一層132可設置於第二層134上。舉例而言，如第3B圖中所描繪般，設置在第一層132的上表面133上的各個加熱區域108可接觸第一構件102的下表面，然而，直接接觸第一構件102的下表面並非必需的。再者，如第3B圖中所描繪般，第二層134的上表面135(具有冷卻通道110設置於第二層134的上表面135中)可接觸第一層132的下表面，雖然直接接觸並非必需的。因此，第一層132的上表面133接觸第一構件102的下表面。接觸可為直接的(如圖示)或非直接的(例如，存在有某些介入層)。第二層134的上表面135接觸第一層132的下表面136。接觸可為直接的(如圖示)或非直接的(例如，存在有某些介入層)。
或者，可如第3C圖中所描繪般將第二層134設置在第一層132上。舉例而言，如第3C圖中所描繪般，第二層134的上表面135可接觸第一構件102的下表面。加熱元件124可嵌於第一層132中或設置在第一層132的上 表面133上，且加熱元件124可接近接觸第二層134的下表面138或接觸第二層134的下表面138。
因此，本文已經揭示基板支撐件的實施例。本發明的基板支撐件可有利地促進下列一或多者：加熱基板、維持基板的溫度、快速改變基板的溫度，或者均勻地散佈熱至基板或均勻地自基板移除熱。
雖然上述係針對本發明之實施例，但可在不悖離本發明之基本範圍下設計出本發明之其他與更多實施例。
100‧‧‧基板支撐件
102‧‧‧第一構件
103‧‧‧基板
104‧‧‧第一表面
106‧‧‧第二構件
107‧‧‧第三構件
108‧‧‧加熱區域
109‧‧‧開口
110‧‧‧冷卻通道
111‧‧‧饋通組件、外殼
112‧‧‧基板支撐銷
113‧‧‧升降銷孔
114‧‧‧表面
116‧‧‧支撐層
117‧‧‧縫隙
118‧‧‧校準引導件
119‧‧‧淨化氣體通道
120‧‧‧溫度監測裝置
121‧‧‧淨化氣體源
122‧‧‧控制器
124‧‧‧加熱元件
126‧‧‧功率源
128‧‧‧冷卻源
130‧‧‧第一表面
132‧‧‧第一層
133、135‧‧‧上表面
134‧‧‧第二層
138‧‧‧下表面
140‧‧‧導管
142‧‧‧撓性區段
144‧‧‧棒
146‧‧‧彈簧
148‧‧‧蓋件
150‧‧‧螺栓
402‧‧‧中央軸
404‧‧‧第一加熱區域
406‧‧‧第一半徑
408‧‧‧第二加熱區域
410‧‧‧第三、第四、第五與第六加熱區域
可參照描繪於附圖中的本發明說明性實施例來理解簡短概述於【發明說明】中與詳細描述於【實施方式】之本發明實施例。然而，需注意附圖僅描繪本發明之典型實施例而因此不被視為本發明之範圍的限制因素，因為本發明可允許其他等效實施例。
第1圖描繪根據本發明的某些實施例的基板支撐件的示意圖。
第2A-C圖描繪根據本發明的某些實施例的基板支撐件的部分的橫剖面圖。
第3A-C圖描繪根據本發明的某些實施例的基板支撐件的部分的橫剖面圖。
第4圖描繪根據本發明的某些實施例的多區域加熱器的俯視圖。
為了促進理解，可盡可能應用相同的元件符號來標示圖式中相同的元件。圖式非按比例繪製且可能為了清晰之故而有所簡化。預期一個實施例中的元件與特徵結構可有利地併入其他實施例而不需特別詳述。
100‧‧‧基板支撐件
102‧‧‧第一構件
103‧‧‧基板
104‧‧‧第一表面
106‧‧‧第二構件
107‧‧‧第三構件
108‧‧‧加熱區域
109‧‧‧開口
110‧‧‧冷卻通道
111‧‧‧饋通組件、外殼
112‧‧‧基板支撐銷
113‧‧‧升降銷孔
114‧‧‧表面
116‧‧‧支撐層
117‧‧‧縫隙
118‧‧‧校準引導件
119‧‧‧淨化氣體通道
120‧‧‧溫度監測裝置
121‧‧‧淨化氣體源
122‧‧‧控制器
124‧‧‧加熱元件
126‧‧‧功率源
128‧‧‧冷卻源
130‧‧‧第一表面
140‧‧‧導管
142‧‧‧撓性區段
144‧‧‧棒
146‧‧‧彈簧
148‧‧‧蓋件
150‧‧‧螺栓

Claims (19)

  1. 一種基板支撐件，包括：一第一構件，當一基板位在該第一構件的一第一表面上時，該第一構件用以散佈熱至該基板；一第二構件，設置於該第一構件下；一加熱器，設置於該第二構件中，且該加熱器具有一或多個加熱區域以提供熱至該第一構件；複數個冷卻通道，設置於該第一構件下，以移除該加熱器提供的熱；一第三構件，具有一中央開口，且該第三構件設置於該一或多個加熱區域及該複數個冷卻通道下；一饋通組件，在該中央開口附近耦接至該第三構件，其中該饋通組件在該第二構件的一底表面與該饋通組件的一內表面之間形成一空腔；複數個基板支撐銷，設置在該第一構件的該第一表面上的一第一距離處，當一基板位在該基板支撐件上時，該複數個基板支撐銷用以支撐該基板的一背側表面；一校準引導件，自該第一構件的該第一表面延伸並圍繞該複數個基板支撐銷；及一耦接構件，耦接至該第一構件和該第三構件，且該耦接構件包括一彈簧，以使該第一構件、該第二構件和該第三構件朝彼此偏置，其中該彈簧設置在由該饋通組件形成的該空腔中。
  2. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該複數個基板支撐銷的各個基板支撐銷自該第一構件的該第一表面延伸。
  3. 如請求項2所述之基板支撐件，其中該第一構件、該複數個基板支撐銷與該校準引導件是由相同材料所形成。
  4. 如請求項1所述之基板支撐件，更包括：一支撐層，設置在該第一構件的該第一表面上，其中該複數個基板支撐銷的各個基板支撐銷自該支撐層的一表面延伸。
  5. 如請求項4所述之基板支撐件，其中該複數個基板支撐銷的各個基板支撐銷與該支撐層是由相同材料所形成。
  6. 如請求項1所述之基板支撐件，更包括：複數個電阻式加熱元件，其中該一或多個加熱區域的各個加熱區域包括該複數個電阻式加熱元件的一或多個電阻式加熱元件。
  7. 如請求項6所述之基板支撐件，其中該複數個電 阻式加熱元件的各個電阻式加熱元件設置鄰近該第二構件的一上表面，且其中該複數個冷卻通道的各個冷卻通道平行於該上表面而設置於該第二構件中。
  8. 如請求項6所述之基板支撐件，其中該複數個冷卻通道的各個冷卻通道平行於一上表面而設置在該第二構件中，且其中該複數個電阻式加熱元件的各個電阻式加熱元件設置於該複數個冷卻通道的各個冷卻通道下方。
  9. 如請求項6所述之基板支撐件，更包括：一第一層，具有該複數個電阻式加熱元件形成於該第一層中；及一第二層，具有該複數個冷卻通道的各個冷卻通道形成於該第二層中。
  10. 如請求項9所述之基板支撐件，其中該複數個冷卻通道的各個冷卻通道形成於該第二層的一上表面中。
  11. 如請求項10所述之基板支撐件，其中該第一層的一下表面接觸該第二層的該上表面，以形成該複數個冷卻通道。
  12. 如請求項10所述之基板支撐件，其中該第二層的該 上表面接觸該第一構件的一下表面，以形成該複數個冷卻通道。
  13. 如請求項12所述之基板支撐件，其中該第一層設置在該第二層下。
  14. 如請求項6所述之基板支撐件，其中該一或多個加熱區域設置圍繞該基板支撐件的一中央軸。
  15. 如請求項14所述之基板支撐件，其中該一或多個加熱區域更包括：一第一加熱區域，具有一第一半徑，該第一半徑沿著該第二構件的該上表面自該中央軸延伸；一第二加熱區域，設置圍繞該第一加熱區域；及複數個第三加熱區域，設置圍繞該第二加熱區域。
  16. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該第三構件是一散熱片。
  17. 一種基板支撐件，包括：一第一構件，當一基板位在該第一構件的一第一表面上時，該第一構件用以散佈熱至該基板；複數個基板支撐銷，自該第一構件的該第一表面延伸，當該基板位在該基板支撐件上時，該複數個基板支 撐銷用以支撐該基板的一背側表面；一校準引導件，自該第一構件的該第一表面延伸並圍繞該複數個基板支撐銷，其中該第一構件、該複數個基板支撐銷的各個基板支撐銷與該校準引導件是由相同材料所形成；一第二構件，具有複數個加熱元件與複數個冷卻通道，該複數個加熱元件設置於該第二構件中並設置在該第二構件的一第二表面附近，以提供熱至即將將熱分散的該第一構件，而該複數個冷卻通道設置在該第二構件中；一第三構件，具有一中央開口，且該第三構件設置於該複數個加熱元件與該複數個冷卻通道下；一饋通組件，在該中央開口附近耦接至該第三構件，其中該饋通組件在該第二構件的一底表面與該饋通組件的一內表面之間形成一空腔；及一耦接構件，耦接至該第一構件和該第三構件，且該耦接構件包括一彈簧，以使該第一構件、該第二構件和該第三構件朝彼此偏置，其中該彈簧設置在由該饋通組件形成的該空腔中。
  18. 一種基板支撐件，包括：一第一構件，當一基板位在該第一構件的一上表面上時，該第一構件用以散佈熱至該基板；一支撐層，設置在該第一構件的該上表面上，其中複 數個基板支撐銷的各個基板支撐銷自該支撐層的一表面延伸，以在該基板位在該基板支撐件上時，支撐該基板的一背側表面；一校準引導件，自該第一構件的該上表面延伸並圍繞該複數個基板支撐銷；一第一層，設置在該第一構件下，且該第一層具有複數個加熱元件設置在該第一層中；一第二層，設置在該第一構件下，且該第二層具有複數個冷卻通道的各個冷卻通道形成於該第二層中；一第三構件，具有一中央開口，且該第三構件設置於該複數個加熱元件與該複數個冷卻通道下；一饋通組件，在該中央開口附近耦接至該第三構件，其中該饋通組件在該第二層的一底表面與該饋通組件的一內表面之間形成一空腔；及一耦接構件，耦接至該第一構件和該第三構件，且該耦接構件包括一彈簧，以使該第一構件、該第一層、該第二層和該第三構件朝彼此偏置，其中該彈簧設置在由該饋通組件形成的該空腔中。
  19. 如請求項18所述之基板支撐件，其中該第二層設置在該第一層上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI717056B (zh) * 2019-10-15 2021-01-21 萬潤科技股份有限公司 散熱片壓合製程之溫度控制方法及裝置

Families Citing this family (240)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8709162B2 (en) * 2005-08-16 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Active cooling substrate support
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6234674B2 (ja) * 2012-12-13 2017-11-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US9538583B2 (en) 2013-01-16 2017-01-03 Applied Materials, Inc. Substrate support with switchable multizone heater
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11158526B2 (en) * 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
WO2015119744A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Applied Materials, Inc. Chucking capability for bowed wafers on dsa
JP2015195259A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 豊田合成株式会社 サセプターおよび気相成長装置
US9779971B2 (en) * 2014-04-11 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for rapidly cooling a substrate
KR20230116078A (ko) * 2014-05-21 2023-08-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 열 처리 서셉터
CN105225997B (zh) * 2014-06-12 2018-01-23 中微半导体设备(上海)有限公司 一种静电夹盘及静电夹盘的制造方法
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
SG11201706844QA (en) * 2015-04-10 2017-10-30 Ev Group E Thallner Gmbh Substrate holder and method for bonding two substrates
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
KR102494914B1 (ko) 2016-02-16 2023-02-01 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판을 접합하기 위한 방법 및 장치
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10184183B2 (en) * 2016-06-21 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Substrate temperature monitoring
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102000021B1 (ko) * 2016-11-30 2019-07-17 세메스 주식회사 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11011355B2 (en) * 2017-05-12 2021-05-18 Lam Research Corporation Temperature-tuned substrate support for substrate processing systems
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR102435888B1 (ko) 2017-07-04 2022-08-25 삼성전자주식회사 정전 척, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
CN108089378B (zh) * 2018-01-03 2020-07-07 惠科股份有限公司 一种烘烤方法、装置及烘烤炉
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
TWI743446B (zh) * 2018-02-20 2021-10-21 美商應用材料股份有限公司 用於原子層沉積(ald)溫度均勻性的熱解氮化硼(pbn)加熱器
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
CN109581709B (zh) * 2019-01-04 2021-07-06 Tcl华星光电技术有限公司 烘烤装置
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
WO2020219304A1 (en) * 2019-04-22 2020-10-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with spatially tunable rf coupling to a wafer
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
EP3982398A1 (en) * 2020-10-06 2022-04-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Controlled local heating of substrates
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
JP6842225B1 (ja) * 2020-11-12 2021-03-17 ハイソル株式会社 チャックユニット及びチャックユニットの温度制御方法
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
JP7308330B2 (ja) 2021-05-10 2023-07-13 ピコサン オーワイ 基板処理装置及び方法
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN113793817A (zh) * 2021-09-13 2021-12-14 安徽瑞迪微电子有限公司 Igbt模块降温方法
EP4379783A1 (en) 2022-11-29 2024-06-05 ASML Netherlands B.V. Electrostatic clamp, gripper assembly including the clamp, lithographic system comprising an electrostatic clamp, and method of making an electrostatic clamp

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200616139A (en) * 2004-10-07 2006-05-16 Applied Materials Inc Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
TW200818325A (en) * 2006-07-07 2008-04-16 Sokudo Co Ltd Zone control heater plate for track lithography systems
TW200910437A (en) * 2007-02-14 2009-03-01 Tokyo Electron Ltd Substrate mounting stage and surface treatment method therefor
TW201027661A (en) * 2008-08-12 2010-07-16 Applied Materials Inc Electrostatic chuck assembly

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01226147A (ja) * 1988-03-07 1989-09-08 Mitsui Toatsu Chem Inc 成膜装置および成膜方法
US5031571A (en) * 1988-02-01 1991-07-16 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Apparatus for forming a thin film on a substrate
KR100290748B1 (ko) * 1993-01-29 2001-06-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5556475A (en) * 1993-06-04 1996-09-17 Applied Science And Technology, Inc. Microwave plasma reactor
US5501740A (en) * 1993-06-04 1996-03-26 Applied Science And Technology, Inc. Microwave plasma reactor
US5711702A (en) * 1996-08-27 1998-01-27 Tempo Technology Corporation Curve cutter with non-planar interface
US6583638B2 (en) * 1999-01-26 2003-06-24 Trio-Tech International Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system
US6960743B2 (en) * 2000-12-05 2005-11-01 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for semiconductor manufacturing, and method of manufacturing the ceramic substrate
JP2002237375A (ja) * 2000-12-05 2002-08-23 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミック基板およびその製造方法
GB2375733B (en) * 2001-01-15 2004-11-03 Lintec Corp Laminating apparatus and laminating method
US6753507B2 (en) * 2001-04-27 2004-06-22 Kyocera Corporation Wafer heating apparatus
US6506291B2 (en) * 2001-06-14 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Substrate support with multilevel heat transfer mechanism
US6535372B2 (en) * 2001-06-20 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Controlled resistivity boron nitride electrostatic chuck apparatus for retaining a semiconductor wafer and method of fabricating the same
US20090004850A1 (en) * 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US7024105B2 (en) * 2003-10-10 2006-04-04 Applied Materials Inc. Substrate heater assembly
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
US7815740B2 (en) * 2005-03-18 2010-10-19 Tokyo Electron Limited Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4783213B2 (ja) * 2005-06-09 2011-09-28 日本碍子株式会社 静電チャック
JP5023505B2 (ja) * 2006-02-09 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体
JP4781867B2 (ja) 2006-03-23 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
CN101569000B (zh) * 2007-09-03 2011-07-13 佳能安内华股份有限公司 衬底热处理设备和衬底热处理方法
US10242890B2 (en) * 2011-08-08 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater
JP6223983B2 (ja) * 2011-09-30 2017-11-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 温度制御付き静電チャック

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200616139A (en) * 2004-10-07 2006-05-16 Applied Materials Inc Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
TW200818325A (en) * 2006-07-07 2008-04-16 Sokudo Co Ltd Zone control heater plate for track lithography systems
TW200910437A (en) * 2007-02-14 2009-03-01 Tokyo Electron Ltd Substrate mounting stage and surface treatment method therefor
TW201027661A (en) * 2008-08-12 2010-07-16 Applied Materials Inc Electrostatic chuck assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI717056B (zh) * 2019-10-15 2021-01-21 萬潤科技股份有限公司 散熱片壓合製程之溫度控制方法及裝置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012103294A2 (en) 2012-08-02
KR20140004734A (ko) 2014-01-13
CN103370778B (zh) 2016-03-30
JP2014510392A (ja) 2014-04-24
CN103370778A (zh) 2013-10-23
TW201240013A (en) 2012-10-01
WO2012103294A9 (en) 2012-09-07
US20120196242A1 (en) 2012-08-02
JP6153200B2 (ja) 2017-06-28
KR101933560B1 (ko) 2018-12-28
WO2012103294A3 (en) 2012-10-26

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