TWI659550B - 具電極辨識之晶片級封裝發光裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提出一種晶片級封裝之發光裝置及其製造方法，發光裝置包含一LED晶片及一封裝結構。LED晶片包含上表面、下表面、第一立面、第二立面及一對電極組，上表面定義有垂直交錯的第一水平方向及第二水平方向，第一立面及第二立面沿著第一水平方向相分隔，該對電極組設置於下表面。封裝結構覆蓋LED晶片之上表面、第一立面及第二立面，且包含沿著第一水平方向相分隔的第一側面及一第二側面。第一側面及第一立面之間定義有第一區域，且第二側面及第二立面之間定義有第二區域。藉此，可藉由辨識第一與第二區域之面積大小而辨別出LED晶片之電極方位。

Description

具電極辨識之晶片級封裝發光裝置及其製造方法

本發明係關於一種發光裝置及其製造方法，特別係關於一種具電極辨識之晶片級封裝發光裝置及其製造方法。

LED(發光二極體)晶片係普遍地使用來提供照明、顯示或指示用的光源，而LED晶片通常會設置於一封裝構造(其中可包含螢光材料)中，以成為一發光裝置。

隨著LED技術的發展，晶片級封裝(chip-scale package，CSP)發光裝置以其明顯的優勢於近年開始受到廣大的重視。相較於傳統支架型LED與陶瓷基板型LED，CSP發光裝置具有以下優點：(1)不需要金線及額外的支架或陶瓷基板等副載具(submount)，因此可明顯節省材料成本；(2)因省略了支架或陶瓷基板等副載具，可進一步降低LED晶片與散熱板之間的熱阻，因此在相同操作條件下將具有較低的操作溫度，或進而增加操作功率；(3)較低的操作溫度可使LED具有較高的晶片量子轉換效率；(4)大幅縮小的封裝尺寸使得在設計模組或燈具時，具有更大的設計彈性；(5)具有小發光面積，因此可縮小光展量(Etendue)，使得二次光學更容易設計，亦或藉此獲得高發光強度(intensity)。

然而，由於CSP發光裝置不需額外的基板或支架等副載具，使得CSP發光裝置外觀上缺乏電極正負極辨識性，也就是，若從CSP發光裝置之正上方來觀察，其所呈現的外形係為對稱形狀，難以藉此判斷CSP發光裝置內之LED晶片正負電極的方向性。雖然能從CSP發光裝置之下方來判斷正負電極之方向性後，再將CSP發光裝置翻轉、排列、焊接至應用端之電路板上，但此舉實屬不便，造成焊接程序的產率不高。此外，一旦CSP發光裝置排列於電路板上後，就難以再判斷正負電極之方向性，無法檢查CSP發光裝置是否以正確的電極方向放置於電路板上。

即便有業界試圖於CSP發光裝置之螢光層上形成凹槽、貫穿槽等微結構、然後在凹槽或貫穿槽中加入不同於螢光層之顏色的材料，以辨識電極之方向。然而，螢光層本身之尺寸已屬微小，要在其上形成更小的凹槽或貫穿槽顯為困難，原因例如：需使用較佳精度之工具，才能使凹槽或貫穿槽有極小之尺寸。在該凹槽或貫穿槽中加入其他材料更顯困難，原因例如：由於凹槽或貫穿槽之尺寸極小，而未固化前的材料難以流入至凹槽或貫穿槽中，造成材料沒有填滿凹槽或貫穿槽、或是造成材料位於凹槽或貫穿槽之外。

因此，採行此種作法除了會增加CSP發光裝置的製造程序外，「凹槽或貫穿槽之形成」及「其他材料之添加」的良率應難符合預期，最終可能導致CSP發光裝置的產率及良率大幅地下降。

有鑑於此，如何改善上述的缺失，乃為此業界待解決的問題

本發明之一目的在於提供一種具電極辨識之晶片級封裝發光裝置(下簡稱發光裝置)及其製造方法，該發光裝置具有可供識別電極方向之特徵，且較佳地還能維持發光裝置之製造產率及/或良率。

為達上述目的，本發明所提出的晶片級封裝發光裝置包含：一 LED晶片包含一上表面、相對於該上表面之一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一電極及一第二電極，第一立面及第二立面皆形成於並連接上表面與下表面之間，第一電極及第二電極設置於下表面，其中，上表面係定義有相垂直交錯的一第一水平方向及一第二水平方向，第一立面及第二立面沿著第一水平方向相分隔；以及一封裝結構，覆蓋LED晶片之上表面、第一立面及第二立面，但露出下表面、第一電極及第二電極，其中，封裝結構包含沿著第一水平方向為相分隔的一第一側面及一第二側面；其中，沿著第一水平方向，第一側面及該第一立面之間定義有一第一區域，而第二側面及第二立面之間定義有一第二區域，第一區域之面積係不等於第二區域之面積。

較佳地，沿著第一水平方向，第一側面及第一立面之間的一第一距離可小於第二側面及第二立面之間的一第二距離，以使第一區域之面積小於第二區域之面積。

較佳地，沿著該第二水平方向，第一側面之一寬度可大於第二側面及第二立面之一寬度，以使第一區域之面積大於第二區域之面積。

較佳地，封裝結構更包含一倒角面以及沿著第二水平方向為相分隔的一第三側面及一第四側面，倒角面連接第三側面與第二側面。

為達上述目的，本發明所提出的另一晶片級封裝發光裝置包含：一LED晶片，包含一上表面、相對於該上表面之一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一電極及一第二電極，該第一立面及該第二立面皆形成於該上表面與該下表面之間，該第一電極及該第二電極設置於該下表面，其中，該上表面係定義有相垂直交錯的一第一水平方向及一第二水平方向，該第一立面及該第二立面沿著該第一水平方向相分隔；以及一封裝結構，覆蓋該LED晶片之該上表面、該第一立面及該第二立面，但露出該下表面、該第一電極及該第二電極，其中，該封裝結構包含一光致發光層及一反射結構，該光致發光層設置於該LED晶片 之該上表面上，且該光致發光層包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一光致發光層側面及一第二光致發光層側面；而該反射結構沿著該第一水平方向覆蓋該LED晶片及該光致發光層，且該反射結構包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一反射結構側面及一第二反射結構側面；其中，沿著該第一水平方向，該第一反射結構側面與該第一光致發光層側面之間定義有一第一區域，而該第二反射結構側面與該第二光致發光層側面之間定義有一第二區域，該第一區域係不等於該第二區域。

較佳地，沿著該第一水平方向，該第一反射結構側面與該第一光致發光層側面之間的一第三距離係小於該第二反射結構側面與該第二光致發光層側面之間的一第四距離。

為達上述目的，本發明所提出的晶片級封裝之發光裝置的製造方法，包含：形成提供複數個LED晶片，其中，該些LED晶片之每一個包含一上表面、相對於該上表面之一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一電極及一第二電極，該第一立面及該第二立面皆形成於上表面與下表面之間，第一電極及第二電極設置於下表面，其中，上表面係定義有相垂直交錯的一第一水平方向及一第二水平方向，第一立面及第二立面沿著第一水平方向相分隔；以及形成複數個封裝結構於該等LED晶片上，以覆蓋LED晶片之每一個之上表面、第一立面及第二立面，但露出下表面及第一電極及第二電極，其中，封裝結構包含沿著第一水平方向為相分隔的一第一側面及一第二側面，第一側面及第一立面之間定義有一第一區域，而第二側面及第二立面之間定義有一第二區域，第一區域之面積係不等於第二區域之面積。

藉此，本發明所提出的發光裝置及其製造方法至少可提供以下有益技術效果：

1、從發光裝置之上方觀之，發光裝置呈現出尺寸不同的第一區域及第二 區域而有外觀上的非對稱性，藉此透過人眼或機器視覺可識別出該非對稱性所對應之晶片電極方向。

2、發光裝置所呈現的外觀非對稱性可於單粒化(例如切割或模造)製程中來實現，而單粒化製程屬發光裝置之必要製程，不會增加額外的製程步驟，也不需藉由高精度之工具來實現。因此，不會影響發光裝置之既有製造產率。

3、發光裝置所呈現的非對稱性也不是透過額外添加或注入微小之材料來實現，因此不會影響到發光裝置之既有製造良率。

4、當發光裝置之封裝結構包含光致發光層及反射結構、而且反射結構沿著第一水平方向覆蓋LED晶片及光致發光層時，第一區域及第二區域可定義於反射結構上，藉此，第一區域及第二區域之面積差異將由反射結構之厚薄所呈現出，因此不會造成光致發光層之形狀不對稱而影響發光裝置之光學特性。申言之，發光裝置之外觀可為非對稱性，而光致發光層之形狀仍具有對稱結構，因此，LED晶片所發出之光線通過光致發光層後，光線之光型不受具有非對稱外觀之反射結構所影響。

為讓上述目的、技術特徵及優點能更明顯易懂，下文係以較佳之實施例配合所附圖式進行詳細說明。

A1、A2‧‧‧發光裝置

10‧‧‧LED晶片

11‧‧‧上表面

12‧‧‧下表面

13‧‧‧第一立面

14‧‧‧第二立面

15‧‧‧第一電極

16‧‧‧第二電極

20‧‧‧封裝結構

21‧‧‧第一側面、第一反射結構側面

22‧‧‧第二側面、第二反射結構側面

251‧‧‧第一側面、第一光致發光層側面

252‧‧‧第二側面、第二光致發光層側面

23‧‧‧第三側面

24‧‧‧第四側面

25‧‧‧光致發光層

26‧‧‧反射結構

40‧‧‧離型材料

41‧‧‧沖切刀具

411‧‧‧刀刃

50‧‧‧模具

51‧‧‧模穴

52‧‧‧倒角面

B1‧‧‧第一區域

B2‧‧‧第二區域

C1‧‧‧倒角面

D1‧‧‧第一水平方向

D2‧‧‧第二水平方向

L1‧‧‧第一距離

L2‧‧‧第二距離

L3‧‧‧第三距離

L4‧‧‧第四距離

W1、W2‧‧‧寬度

第1圖為依據本發明較佳實施例之發光裝置之剖面示意圖；第2A圖及第2B圖分別為第1圖之發光裝置之俯視及仰視示意圖；第3A圖至第3C圖各為第1圖之發光裝置之其他態樣之俯視及仰視示意圖；第4A圖及第4B圖分別為依據本發明另一較佳實施例之發光裝置之俯視及仰視示意圖； 第5圖為第4A圖之發光裝置之另一態樣之俯視示意圖；第6A圖至第6E圖為依據本發明又一較佳實施例之發光裝置之製造方法之步驟示意圖；第7A圖及第7B圖為依據本發明再一較佳實施例之發光裝置之製造方法之步驟示意圖；以及第8A圖及第8B圖為依據本發明更一較佳實施例之發光裝置之製造方法之示意圖。

請參閱第1圖至第2B圖所示，其為依據本發明較佳實施例之晶片級封裝之發光裝置A1之示意圖，發光裝置A1可包含一LED晶片10及一封裝結構20，各元件之技術內容依序說明如下。

LED晶片10可為一覆晶式LED晶片，可發出紅光、綠光、藍光、紅外光或紫外光等第一光線，而外觀上LED晶片10包含一上表面11、相對於上表面11之一下表面12、一第一立面13、一第二立面14、一第一電極15及一第二電極16。該上表面11與該下表面12可為實質上平行且相對地設置，上表面11及下表面12可為矩形者，而上表面11(及下表面12)的其中兩邊線對應於第一水平方向D1、另兩邊線係對應於第二水平方向D2。換言之，LED晶片10沿著其上表面11定義有相互垂直交錯之第一水平方向D1與第二水平方向D2，且第一水平方向D1與第二水平方向D2之每一個皆與LED晶片10的光軸方向(垂直於上表面11之方向，圖未示)相垂直。

第一立面13及第二立面14形成於上表面11與下表面12之間、且連接上表面11與下表面12；第一立面13及第二立面14還沿著第一水平方向D1相分隔，故位於LED晶片10之相對側。LED晶片10包含另兩立面(未標號)，其亦連 接上表面11與下表面12、且沿著第二水平方向D2相分隔。

如第2B圖所示，第一電極15及第二電極16設置於下表面12、且與下表面12可共同形成一下電極面；第一電極15及第二電極16可沿著第一水平方向D1相分隔排列，且第一電極15及第二電極16亦可沿著第二水平方向D2相分隔排列。第一電極15及第二電極16之一者可作為正電極、而另一者可作為負電極。

封裝結構20可改變部分LED晶片10所發射之第一光線之波長、或是用以限制該發光裝置之光形、發光範圍等。封裝結構20覆蓋LED晶片10之上表面11、第一立面13及第二立面14，但是露出下表面12、第一電極15及第二電極16；申言之，封裝結構20沒有覆蓋LED晶片10之下電極面，不會阻礙第一電極15及第二電極16焊接至電路板(圖未示)。此外，本態樣中，封裝結構20亦覆蓋LED晶片10之沿著第二水平方向D2相分隔的兩立面(未標號)。

如第2B圖所示，外觀上封裝結構20包含沿著第一水平方向D1為相分隔的一第一側面21及一第二側面22、以及沿著第二水平方向D2為相分隔的一第三側面23及一第四側面24。沿著第一水平方向D1，封裝結構20之第一側面21及LED晶片10之第一立面13之間定義有一第一區域B1，而第二側面22及第二立面14之間定義有一第二區域B2，第一區域B1之面積係不等於第二區域B2之面積，此不等面積之第一區域B1與第二區域B2可以產生一電極方向之識別特徵。也就是，由俯視圖或仰視圖觀之，第一區域B1可為第一側面21與第一立面13之間的封裝結構20投影至一平面所構成的二維區域，而第二區域B2可第二側面22與第二立面14之間的封裝結構20投影至同一平面所構成的二維區域。山於第一區域B1與第二區域B2的面積不相等，第二區域B2之面積顯大於第一區域B1之面積(例如為1.2倍、1.3倍、1.5倍、甚至為2倍)，故肉眼及機器視覺可輕易判斷出何者為第一區域B1或第二區域B2，進而判斷出第一電極15及第二電極16之電極排列方向。

第一區域B1與第二區域B2之面積不相等可藉由封裝結構20之尺寸差異來達成。具體而言，封裝結構20包含有一第一特徵尺寸及一第二特徵尺寸；沿著第一水平方向D1，第一特徵尺寸係為第一側面21及第一立面13之間的一距離L1(下稱第一距離)，而第二特徵尺寸係為第二側面22及第二立面14之間的一距離L2(下稱第二距離)，而第一距離L1小於第二距離L2，致使第一區域B1之面積小於第二區域B2之面積(兩區域B1、B2之寬度可相同)。較佳地，第二距離L2可至少為第一距離L1的1.2倍、1.3倍、1.5倍、2倍，或其他可讓使用者之肉眼或機器視覺辨別距離差異之倍數。

封裝結構20於元件組成上，可包含一光致發光層、一反射結構、一導光結構、一透光層、一濕氣阻隔層、一吸濕層、及一緩衝層等元件之至少其中一者，換言之，封裝結構20所具有的方向識別特徵應不受限於封裝結構20之元件組成，可應用於例如本案申請人所申請的第106130827、106103239、105104034、105102658、105100783、104144441申請號之台灣專利申請案等所揭露之發光裝置之封裝結構或對應封裝結構之元件；這些包覆LED晶片之封裝結構或元件能包含本實施例(或爾後所述之其他實施例)之不同大小之兩區域，使外觀上呈現出不對稱性；該些申請案的技術內容可併入本案作為封裝結構20的各種實施態樣。

於本實施例中，封裝結構20較佳地包含一光致發光層25及一反射結構26，光致發光層25可包含螢光材料或量子點材料等可部分改變第一光線波長之材料而形成一較長波長之第二光線，並混合於一透光膠材中，或可參考申請人之US 9,797,041之美國專利所揭露的螢光層的形成方法。較佳地，光致發光層25之面積大於或實質等於LED晶片10之上表面面積，並對稱設置於LED晶片10之上表面11上；若光致發光層25之面積大於LED晶片10之上表面面積，沿著第一水平方向D1，光致發光層25包含兩相隔之第一光致發光層側面251(下稱第一側面 251)及第二光致發光層側面252(下稱第二側面252)，第一側面251及第二側面252可分別與LED晶片10之第一立面13及第二立面14相距；若光致發光層25之面積實質等於LED晶片10之上表面面積，第一側面251及第二側面252可與第一立面13及第二立面14相齊平(圖未示)。

反射結構26可包含光散射微粒混合於一透光膠材中，致使光線難以穿過反射結構26。反射結構26沿著第一水平方向D1覆蓋LED晶片10及光致發光層25之側面251、252(如第2A圖所示)、但未有沿著第二水平方向D2覆蓋LED晶片10及光致發光層25。反射結構26之沿著第一水平方向D1相分隔的第一反射結構側面21(下稱第一側面21)及第二反射結構側面22(下稱第二側面22)係分別為封裝結構20整體上的第一側面21及第二側面22。如此非對稱性之反射結構26可有效限制並縮小沿著第一水平方向D1之發光角度，而不影響發光裝置沿著D2之發光角度。

藉由辨識反射結構26的第一側面21與第一立面13之間的第一區域B1(第一距離L1)不等於第二側面22與第二立面14之間的第二區域B2(第二距離L2)，可識別出預先設定之電極排列方向。另一方面，沿著第一水平方向D1，反射結構26的第一側面21與光致發光層25之第一側面251之間的第三距離L3亦不等於反射結構26的第二側面22與光致發光層25之第二側面252之間的第四距離L4，例如，若第一距離L1小於第二距離L2，則第三距離L3小於第四距離L4，兩距離L3、L4之差異(以及所對應之區域差異)亦可作為電極排列方向之辨識用；申言之，此兩距離L3、L4亦表示反射結構26包含厚度不同的兩部分。此外，由於反射結構26(例如白色)與光致發光層25(例如黃色)呈現出不同之顏色，將更利於使用目視或機器視覺判斷出兩距離L3、L4之差異而辨識出預先設定之電極排列方向。

另一方面，光致發光層25之形狀為對稱地形成於LED晶片10之上 方與側面，因此具有不同厚度(即距離L3與L4)之反射結構26不會影響發光裝置之光色、光形或發光強度。

於其他態樣中，反射結構26可沿著第二水平方向D2覆蓋LED晶片10及光致發光層25(如第3A圖及第3C圖所示)，而LED晶片10可為長條形晶片，其上表面11及下表面12可為長方形(如第3B圖所示)。

請參閱第4A圖及第4B圖，其為依據本發明另一較佳實施例發光裝置A2之俯視及仰視示意圖。發光裝置A2亦具有不同面積的第一區域B1及第二區域B2，以作為電極方向之辨識用，而第一區域B1及第二區域B2之面積差異係藉由封裝結構20之兩寬度W1、W2之差異來達成。

具體而言，沿著第二水平方向D2，第一側面(或第一反射結構側面)21之一寬度W1係大於第二側面(或第二反射結構側面)22之一寬度W2，使得第一區域B1大於第二區域B2。也就是，封裝結構20可包含一倒角面C1，倒角面C1連接第三側面23與第二側面22(兩者為互相垂直且不相連接)，但第一側面21未有連接另一倒角面，使得第二側面22之寬度W2相對地較小。除了倒角面C1外，封裝結構20亦可包含一個以上之倒角特徵(包含圓角特徵)，封裝結構20亦可包含形成於第二側面22之一凹槽(圖未示)，以使第一區域B1(寬度W1)及第二區域B2(寬度W2)不同。封裝結構20亦包含一第四側面24，其沿著第二水平方向D2與第三側面23相分隔。

於其他態樣中，反射結構26可僅沿著第二水平方向D2覆蓋LED晶片10及光致發光層25(圖未示)，而LED晶片10可為長條形晶片(如第5圖所示)。

雖於上述實施例中，具有識別特徵之方向皆位於LED晶片10之第一水平方向D1上(也就是，第一電極15及/或第二電極16側)，但不以此為限制。識別特徵亦可位於LED晶片10之第二水平方向D2上之其中一側。

接著將說明依據本發明其他較佳實施例的發光裝置的製造方法，該製造方法可製造出相同或類似於上述實施例的晶片級封裝之發光裝置A1、A2，故製造方法的技術內容與晶片級封裝之發光裝置的技術內容可相互參考、應用，相同的部份將省略或簡化。

請參閱第6A圖至第6E圖，該製造方法至少包含兩部分：提供複數個LED晶片10(如第6A圖所示)；以及形成複數個封裝結構20於該等LED晶片10上(如第6B圖至第6E圖所示)，並使封裝結構20具有尺寸不同的兩區域，以供辨識電極方向用。

詳細而言，如第6A圖所示，先將複數個彼此相連的光致發光層25設置於一離型材料40上，並且放置複數個LED晶片10於光致發光層25上，使LED晶片10之上表面11與光致發光層25相貼合，以形成一LED晶片陣列。如第6B圖所示，移除該些光致發光層25之每一者的一部分，以使該些光致發光層25相分隔，如第6C圖所示，於離型材料40上形成反射結構26，並使反射結構26填滿相分隔的光致發光層25之間與相分隔的LED晶片10之間；所形成的反射結構26不會覆蓋到LED晶片10之下表面12，以露出第一電極15及第二電極16；此時，反射結構26及光致發光層25構成複數個相連的封裝結構20。

如第6E圖所示，爾後沿著第一水平方向D1及第二水平方向D2切割彼此相連的封裝結構20，以使封裝結構20之每一個中，沿著第一水平方向D1的第一側面21及第一立面13之間的一第一距離L1係小於第二側面22及第二立面14之間的一第二距離L2(或者使對應第一距離L1之第三距離L3小於對應第二距離L2之第四距離L4)；換言之，沿著第二水平方向D2上，所切割之位置並不在兩相連的封裝結構20之中間，而是偏向其中一個封裝結構20。如此，可形成如第1圖至第3C圖中之多種態樣之發光裝置A1。如第6D圖所示，在切割封裝構造之前或之後移除離型材料40。

於另一較佳實施例中，製造方法的形成封裝結構20的步驟可包含：如第7A圖所示，切割該等封裝結構20，以使封裝結構20之每一個中，沿著該第一水平方D1形成相分隔的第一側面21及第二側面22，並沿著第二水平方向D2形成相分隔的第三側面23及第四側面24；如此，該等封裝結構20可相分隔。接著，如第7B圖所示，可藉由一沖切刀具41來於該等封裝結構20之每一個上形成一倒角面C1(如第4A圖所示)。如此，可形成如第4A圖至第5圖中之多種態樣之發光裝置A2。

另說明的是，沖切刀具41包含複數個刀刃411，該些刀刃411為傾斜設置於第一水平方向D1及第二水平方向D2；於沖切時，刀刃411可移除封裝結構20之一角而形成倒角面C1。於其他態樣中，沖切刀具41可包含一環形刀刃(圖未示)，可藉由一次沖切來將相連的該等封裝結構20分離(如第7A圖所示)、並同時於每一個封裝結構20上形成倒角面C1。

於又一實施例中，形成封裝結構20的步驟亦可包含：如第8A圖所示，將複數LED晶片10分別放置於一模具50的複數個模穴51中，其中，該等模穴51之每一個包含一倒角面52；此外，LED晶片10上已有設置光致發光層25(如第4A圖所示)，兩者放置於模穴51中。接著，如第8B圖所示，於模穴51中分別形成包含反射結構26之封裝結構20，以使反射結構26形成對應模穴51之形狀；由於模穴51具有倒角面52於一角，所形成的反射結構26亦會有一倒角面C1。如此，可形成如第4A圖至第5圖中之多種態樣之發光裝置A2。

上述模穴51亦可不含倒角面52，藉由偏移放置複數LED晶片10，使其沿著第一水平方向D1，第一側面21及第一立面13之間的一第一距離L1小於第二側面22及第二立面14之間的一第二距離L2(或者使對應第一距離L1之第三距離L3小於對應第二距離L2之第四距離L4)，以形成如第1圖至第3C圖之多種態樣之發光裝置A1。

綜上所述，本發明之晶片級封裝之發光裝置可具有電極排列方向之識別特徵，且此識別特徵可於封裝結構之形成或單粒化之製程中一併形成，故不會影響發光裝置之既有製造產率及良率，以簡潔之手段有效地解決晶片級封裝發光裝置難以識別元件方向之問題。

上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於發明所主張之範圍，本發明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。

Claims (12)

1. 一種晶片級封裝之發光裝置，包含：一LED晶片，包含一上表面、相對於該上表面之一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一電極及一第二電極，該第一立面及該第二立面皆形成於該上表面與該下表面之間，該第一電極及該第二電極設置於該下表面，其中，該上表面係定義有相垂直交錯的一第一水平方向及一第二水平方向，該第一立面及該第二立面沿著該第一水平方向相分隔；以及一封裝結構，覆蓋該LED晶片之該上表面、該第一立面及該第二立面，但露出該下表面、該第一電極及該第二電極，其中，該封裝結構包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一側面及一第二側面；其中，沿著該第一水平方向，該第一側面及該第一立面之間定義有一第一區域，而該第二側面及該第二立面之間定義有一第二區域，該第一區域係不等於該第二區域；其中，沿著該第一水平方向，該第一側面及該第一立面之間的一第一距離係小於該第二側面及該第二立面之間的一第二距離，以使該第一區域小於該第二區域。
2. 如請求項1所述之發光裝置，其中，該第二距離係至少為該第一距離的1.2倍。
3. 一種晶片級封裝之發光裝置，包含：一LED晶片，包含一上表面、相對於該上表面之一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一電極及一第二電極，該第一立面及該第二立面皆形成於該上表面與該下表面之間，該第一電極及該第二電極設置於該下表面，其中，該上表面係定義有相垂直交錯的一第一水平方向及一第二水平方向，該第一立面及該第二立面沿著該第一水平方向相分隔；以及一封裝結構，覆蓋該LED晶片之該上表面、該第一立面及該第二立面，但露出該下表面、該第一電極及該第二電極，其中，該封裝結構包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一側面及一第二側面；其中，沿著該第一水平方向，該第一側面及該第一立面之間定義有一第一區域，而該第二側面及該第二立面之間定義有一第二區域，該第一區域係不等於該第二區域；其中，沿著該第二水平方向，該第一側面之一寬度係大於該第二側面及該第二立面之一寬度，以使該第一區域大於該第二區域。
4. 如請求項3所述之發光裝置，其中，該封裝結構更包含一倒角面以及沿著該第二水平方向為相分隔的一第三側面及一第四側面，該倒角面連接該第三側面與該第二側面。
5. 如請求項1至4任一項所述之發光裝置，其中，該封裝結構包含一光致發光層、一反射結構、一導光結構、一透光層、一濕氣阻隔層、一吸濕層及一緩衝層之至少其中一者。
6. 一種晶片級封裝之發光裝置，包含：一LED晶片，包含一上表面、相對於該上表面之一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一電極及一第二電極，該第一立面及該第二立面皆形成於該上表面與該下表面之間，該第一電極及該第二電極設置於該下表面，其中，該上表面係定義有相垂直交錯的一第一水平方向及一第二水平方向，該第一立面及該第二立面沿著該第一水平方向相分隔；以及一封裝結構，覆蓋該LED晶片之該上表面、該第一立面及該第二立面，但露出該下表面、該第一電極及該第二電極，其中，該封裝結構包含一光致發光層及一反射結構，該光致發光層設置於該LED晶片之該上表面上，且該光致發光層包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一光致發光層側面及一第二光致發光層側面，而該反射結構沿著該第一水平方向覆蓋該LED晶片及該光致發光層，且該反射結構包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一反射結構側面及一第二反射結構側面；其中，沿著該第一水平方向，該第一反射結構側面與該第一光致發光層側面之間定義有一第一區域，而該第二反射結構側面與該第二光致發光層側面之間定義有一第二區域，該第一區域係不等於該第二區域；其中，沿著該第一水平方向，該第一反射結構側面與該第一光致發光層側面之間的一第三距離係小於該第二反射結構側面與該第二光致發光層側面之間的一第四距離。
7. 一種晶片級封裝之發光裝置，包含：一LED晶片，包含一上表面、相對於該上表面之一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一電極及一第二電極，該第一立面及該第二立面皆形成於該上表面與該下表面之間，該第一電極及該第二電極設置於該下表面，其中，該上表面係定義有相垂直交錯的一第一水平方向及一第二水平方向，該第一立面及該第二立面沿著該第一水平方向相分隔；以及一封裝結構，覆蓋該LED晶片之該上表面、該第一立面及該第二立面，但露出該下表面、該第一電極及該第二電極，其中，該封裝結構包含一光致發光層及一反射結構，該光致發光層設置於該LED晶片之該上表面上，且該光致發光層包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一光致發光層側面及一第二光致發光層側面，而該反射結構沿著該第一水平方向覆蓋該LED晶片及該光致發光層，且該反射結構包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一反射結構側面及一第二反射結構側面；其中，沿著該第一水平方向，該第一反射結構側面與該第一光致發光層側面之間定義有一第一區域，而該第二反射結構側面與該第二光致發光層側面之間定義有一第二區域，該第一區域係不等於該第二區域；其中，沿著該第二水平方向，該第一反射結構側面之一寬度係大於該第二反射結構側面之一寬度。
8. 如請求項6至7任一項所述之發光裝置，其中，該反射結構更沿著該第二水平方向覆蓋該LED晶片及該光致發光層。
9. 一種晶片級封裝之發光裝置的製造方法，包含：提供複數個LED晶片，其中，該些LED晶片之每一個包含一上表面、相對於該上表面之一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一電極及一第二電極，該第一立面及該第二立面皆形成於該上表面與該下表面之間，該第一電極及該第二電極設置於該下表面，其中，該上表面係定義有相垂直交錯的一第一水平方向及一第二水平方向，該第一立面及該第二立面沿著該第一水平方向相分隔；以及形成複數個封裝結構於該等LED晶片上，以覆蓋該等LED晶片之每一個之該上表面、該第一立面及該第二立面，但露出該下表面、該第一電極及該第二電極，其中，該封裝結構包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一側面及一第二側面，該第一側面及該第一立面之間定義有一第一區域，而該第二側面及該第二立面之間定義有一第二區域，該第一區域係不等於該第二區域；其中，形成該等封裝結構的步驟係包含：切割該等封裝結構，以使該等封裝結構之每一個中，沿著該第一水平方向的該第一側面及該第一立面之間的一第一距離係小於該第二側面及該第二立面之間的一第二距離。
10. 一種晶片級封裝之發光裝置的製造方法，包含：提供複數個LED晶片，其中，該些LED晶片之每一個包含一上表面、相對於該上表面之一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一電極及一第二電極，該第一立面及該第二立面皆形成於該上表面與該下表面之間，該第一電極及該第二電極設置於該下表面，其中，該上表面係定義有相垂直交錯的一第一水平方向及一第二水平方向，該第一立面及該第二立面沿著該第一水平方向相分隔；以及形成複數個封裝結構於該等LED晶片上，以覆蓋該等LED晶片之每一個之該上表面、該第一立面及該第二立面，但露出該下表面、該第一電極及該第二電極，其中，該封裝結構包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一側面及一第二側面，該第一側面及該第一立面之間定義有一第一區域，而該第二側面及該第二立面之間定義有一第二區域，該第一區域係不等於該第二區域；其中，形成該等封裝結構的步驟係包含：將該等LED晶片分別放置於一模具的複數個模穴中，其中，該等模穴之每一個包含一倒角面；以及於該等模穴中分別形成該等封裝結構，以使該等封裝結構之每一個中，沿著該第一水平方向形成相分隔的一第一側面及一第二側面，並沿著該第二水平方向形成相分隔的一第三側面及一第四側面，並形成一倒角面，使該倒角面連接該第三側面與該第二側面。
11. 一種晶片級封裝之發光裝置的製造方法，包含：提供複數個LED晶片，其中，該些LED晶片之每一個包含一上表面、相對於該上表面之一下表面、一第一立面、一第二立面、一第一電極及一第二電極，該第一立面及該第二立面皆形成於該上表面與該下表面之間，該第一電極及該第二電極設置於該下表面，其中，該上表面係定義有相垂直交錯的一第一水平方向及一第二水平方向，該第一立面及該第二立面沿著該第一水平方向相分隔；以及形成複數個封裝結構於該等LED晶片上，以覆蓋該等LED晶片之每一個之該上表面、該第一立面及該第二立面，但露出該下表面、該第一電極及該第二電極，其中，該封裝結構包含沿著該第一水平方向為相分隔的一第一側面及一第二側面，該第一側面及該第一立面之間定義有一第一區域，而該第二側面及該第二立面之間定義有一第二區域，該第一區域係不等於該第二區域；其中，形成該等封裝結構的步驟係包含：切割該等封裝結構，以使該等封裝結構之每一個中，沿著該第一水平方向形成相分隔的一第一側面及一第二側面，並沿著該第二水平方向形成相分隔的一第三側面及一第四側面，並形成一倒角面，使該倒角面連接該第三側面與該第二側面。
12. 如請求項11所述的發光裝置的製造方法，其中，切割該等封裝結構時，係藉由一沖切刀具來完成，其中，該沖切刀具包含複數個刀刃。