TWI507051B - 高感度聲波傳感器 - Google Patents
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Description
本發明為一種聲波傳感器,特別是一種在振膜中央設有定位件,進而定義出可自由振動的一振動部,並且在振動部的周緣設有複數個彈性件,使振動部產生近似活塞位移的上下振動,進而提升聲波傳感器的靈敏度。
微機電麥克風具有體積小以及製程容易的優點,因此大量運用於手機。請參考第1圖,一般習知的聲波傳感器80具有一基板81、一背板82以及一振膜83,其中,振膜83覆蓋在基板81的開孔811上,背板82具有一電極單元85且設置於基板81而與振膜83之間相隔有一間隙84,背板82還具有一連接部821圍繞固定振膜83的外周緣。因此,當聲波傳感器80接收到聲波時,振膜83能夠振動並改變其與電極單元85之間的距離,進而造成電容值的改變。
當聲波傳感器80接收聲波而使振膜83朝聲波行進方向形變時,由於振膜83只有以其周緣固定在基板81上,因此振膜83越接近其中央區域的部分將產生較大的變形量,使得振膜83呈現一開口朝下的弧形,如此不均勻的變形方式將會造成振膜83的有效感測面積A遠小於振膜83的整體面積,進而影響聲波傳感器80的靈敏度以及訊噪比。目前既有的做法是
利用增加振膜厚度或縮小振膜整體面積等方式來增加振膜剛性,以避免振膜產生弧形變形,但容易提高製程複雜度或是製作成本,因此,目前仍缺乏可行的技術方案來解決此一問題。
有鑑於此,本發明之主要目的在於提供一種高感度聲波傳感器,能夠控制振膜的變形寬度,讓振膜產生近似平移的運動,有效提升其聲音接收的靈敏度以及訊噪比。
為了達成上述目的,本發明提供了一種高感度聲波傳感器,包含一基板、一背板以及一振膜,振膜以其外周緣固定設於基板並覆蓋基板之一開孔,並且背板具有一定位件連結振膜,進而定義出至少一振動部,以及複數個彈性件環設於振動部之周緣。
藉此,本發明不需要變動振膜的厚度或是尺寸,振動部的變形寬度會比振膜的整體寬度來得小,使振動部的剛性增加,當聲波傳感器接收聲波時,彈性件會優先產生變形並使振動部產生類似平移的上下振動,有效提升其聲音接收的靈敏度以及訊噪比,也有助於維持製程穩定性與製作成本。
較佳地,定位件為一實心柱、一空心柱或是由複數個實心柱排列構成,除了能定義單一振動部之外,也能使振動部的數量在二個或二個以上。
較佳地,振膜設呈圓形而定位件連結於振膜的中央位置,使振動部為圓環形,或者,當振膜設呈矩形時,定位件是呈直線而定義出二個矩形的振動部,同樣具有均勻的變形與作動。
1‧‧‧聲波傳感器
10‧‧‧基板
11‧‧‧矽底層
12‧‧‧絕緣層
13‧‧‧鏤空槽
14‧‧‧開孔
20‧‧‧振膜
21‧‧‧振動部
30‧‧‧背板
31‧‧‧定位件
32‧‧‧連接部
33‧‧‧音孔
35‧‧‧表面
40‧‧‧彈性件
50‧‧‧電極單元
G‧‧‧間隙
R‧‧‧變形寬度
W‧‧‧邊長
80‧‧‧聲波傳感器
81‧‧‧基板
811‧‧‧開孔
82‧‧‧背板
821‧‧‧連接部
83‧‧‧振膜
84‧‧‧間隙
85‧‧‧電極單元
A‧‧‧有效感測面積
第1圖為習知聲波傳感器之剖視圖。
第2圖為本發明實施例聲波傳感器之橫斷面剖視圖。
第3圖為本發明實施例聲波傳感器以第2圖中3-3剖視線的縱斷面剖視圖。
第4圖為本發明第二實施例聲波傳感器的剖視圖。
第5圖為本發明第三實施例聲波傳感器的剖視圖。
為了能更瞭解本發明之特點所在,本發明提供了一第一實施例並配合圖示說明如下,請參考第2至3圖。本發明的主要元件包含有一基板10、一振膜20、一背板30以及複數個彈性件40,各元件的結構以及相互間的關係詳述如下:請參考第2圖,基板10為一矽底層11以及佈設於矽底層11上方的一絕緣層12所構成,基板10更具有一鏤空槽13貫穿基板10的二面,且鏤空槽13在絕緣層12上形成一呈圓形的開孔14,以供聲波通過。
振膜20以其周緣固定設置於基板10上而覆蓋開孔14,在本實施例中,振膜20的形狀為圓形。當然,本領域技術人員亦可視情況改用方形或其他幾何形狀之振膜,同時對應改變開孔14的外形。
背板30罩設於絕緣層12的上方,具有面向基板10的一表面35而與振膜20之間相隔有一間隙G。此外,背板30具有一定位件31從表面35朝振膜20延伸而成,用來限制振膜20的中央區域產生振動。背板30另開設有複數個音孔33,以供聲波通過,其開設數目可依實際需要改變,並且依
照封裝方式的不同,聲波傳感器1亦可改為從音孔33到振膜20傳播聲波。請參考第3圖,藉由定位件31可以定義出能自由振動之振動部21。在本實施例中,振動部21是介於定位件31周緣與振膜20連接基板10的周緣之間而呈現圓環形。在本實施例中,定位件31為一實心圓柱,本領域技術人員亦可將定位件31改為其他幾何外形的實心柱或是空心柱,進而改變振動部21的幾何形狀或數量。
彈性件40是環設於振動部21相對靠近與遠離該定位件的內外周緣,其設置的數量可依實際需求加以改變。
當聲波經過鏤空槽13或音孔33而到達振膜20時,如第2至3圖所示,具較大彈性的彈性件40將優先產生形變,再加上振動部21的變形寬度R小於振膜20的整體寬度而使得剛性增加,變形的幅度也隨之減少,因此振動部21與彈性件40在聲波的作用下會產生近似平移的上下運動。相較於沒有設置定位件31的情況,雖然會犧牲振膜20的部分感測面積,卻能夠增加有效感測面積,讓聲波傳感器1能在不改變振膜20厚度與材質的前提之下,有效地提升聲音接收的靈敏度以及訊噪比。
本發明另提供了一第二實施例,請參考第4圖,其主要元件與第一實施例大致相同,主要差異在於:定位件31的形狀為一中空圓柱且其外徑小於開孔14的孔徑,此時定位件31可以將振膜20區分為二個區域,形成分別位於定位件31內側與外側的二振動部21,且各振動部21周緣環設複數個彈性件40,因此能夠由複數個振動部21分別對應不同的聲音動態範圍。
本發明再提供了一第三實施例,請參考第5圖,其主要元件
與第一實施例大致相同但主要差異在於:開孔14為方孔且振膜20呈矩形,而定位件31為複數個連接柱以平行於一邊長W的方向直線排列而成。在此情況下,定位件31所圍繞的部分仍能限制振膜20的部分區域產生振動,並使得振動部21的數量為二個,各振動部21之周緣環設複數個彈性件40,而能同樣地調整振動部21的變形寬度。
最後,必須再次說明的是,本發明於前述實施例中所揭露的構成元件僅為舉例說明,並非用來限制本案之範圍,舉凡其他易於思及的結構變化或與其他等效元件的替代,亦應為本案之申請專利範圍所涵蓋。
1‧‧‧聲波傳感器
10‧‧‧基板
11‧‧‧矽底層
12‧‧‧絕緣層
13‧‧‧鏤空槽
14‧‧‧開孔
20‧‧‧振膜
21‧‧‧振動部
30‧‧‧背板
31‧‧‧定位件
32‧‧‧連接部
33‧‧‧音孔
35‧‧‧表面
40‧‧‧彈性件
50‧‧‧電極單元
G‧‧‧間隙
Claims (9)
- 一種高感度聲波傳感器,包含一基板、一背板以及一振膜,該振膜以其外周緣固定設於該基板並覆蓋該基板之一開孔,其特徵在於:更具有一定位件連結於該背板與該振膜之間,進而定義出至少一振動部,以及複數個彈性件環設於該振動部之周緣。
- 如請求項1所述之高感度聲波傳感器,其中該定位件為一實心柱。
- 如請求項1所述之高感度聲波傳感器,其中該定位件為一空心柱。
- 如請求項1所述之高感度聲波傳感器,其中該定位件是由複數個連接柱排列構成。
- 如請求項1至4其中任一項所述之高感度聲波傳感器,其中該定位件,是從該背板朝向該振膜延伸而連接該振膜。
- 如請求項1至4其中任一項所述之高感度聲波傳感器,其中該定位件是從該振膜朝向該背板延伸而連接該背板。
- 如請求項1至4其中任一項所述之高感度聲波傳感器,其中該振膜設呈圓形,該定位件連結於該振膜的中央位置並使該振動部為圓環形。
- 如請求項3或4其中任一項所述之高感度聲波傳感器,其中該振膜設呈圓形,該定位件連結於該振膜的中央位置,並使該至少一振動部的數量為二個。
- 如請求項1至3其中任一項所述之高感度聲波傳感器,其中該振膜設呈矩形,該定位件直線排列,使該至少一振動部的數量為二且設呈矩形。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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TW102131367A TWI507051B (zh) | 2013-08-30 | 2013-08-30 | 高感度聲波傳感器 |
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TW102131367A TWI507051B (zh) | 2013-08-30 | 2013-08-30 | 高感度聲波傳感器 |
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Publication Number | Publication Date |
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TW201509199A TW201509199A (zh) | 2015-03-01 |
TWI507051B true TWI507051B (zh) | 2015-11-01 |
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ID=53186420
Family Applications (1)
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TW102131367A TWI507051B (zh) | 2013-08-30 | 2013-08-30 | 高感度聲波傳感器 |
Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI595789B (zh) * | 2016-02-16 | 2017-08-11 | 智動全球股份有限公司 | 電聲轉換器 |
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2013
- 2013-08-30 TW TW102131367A patent/TWI507051B/zh active
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