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TWI584319B - 電容器及包括彼之有機發光二極體顯示器 - Google Patents

電容器及包括彼之有機發光二極體顯示器 Download PDF

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TWI584319B
TWI584319B TW102129444A TW102129444A TWI584319B TW I584319 B TWI584319 B TW I584319B TW 102129444 A TW102129444 A TW 102129444A TW 102129444 A TW102129444 A TW 102129444A TW I584319 B TWI584319 B TW I584319B
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capacitor
electrode
oxide
insulating layer
driving
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TW102129444A
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TW201413762A (zh
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任忠烈
李一正
權度縣
尹柱元
高武恂
禹珉宇
Original Assignee
三星顯示器有限公司
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Publication date
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Description

電容器及包括彼之有機發光二極體顯示器
所述技術廣泛而言係關於一種電容器及一包括彼之有機發光二極體顯示器；更特定而言，係關於一種形成於一基材上之電容器，以及一種包括彼之有機發光二極體顯示器。
顯示器裝置係一種顯示一影像之裝置，且近來，有機發光二極體顯示器正受到注目。
由於有機發光二極體顯示器具有自我發光的特性，因此與液晶顯示器裝置不同，並不需要一單獨的光源，可減少裝置的厚度及重量。再者，該有機發光二極體顯示器呈現出高品質特性，例如低電力消耗、高亮度、以及高反應速度。
有機發光二極體顯示器典型地包括一有機發光元件、一連接至該有機發光元件之薄膜電晶體、以及一連接至該薄膜電晶體之閘電極的電容器。該電容器包括彼此相對之一第一電容器電極與一第二電容器電極、以及一位於該第一電容器電極與該第二電容器電極之間的電容器絕緣層。
以上揭露於背景技術一節之資訊僅用於加強對所述 技術之背景的理解，因此對本領域具通常知識者而言，其可包含在此地區中已知而未形成先前技術的資訊。
所述技術致力於提供一種具有最大化之電容的電容器、以及一包括彼之有機發光二極體顯示器。
一第一實施態樣係提供一種電容器結構，其包含一基材、一基材絕緣層以及一電容器。該電容器包括：一第一電容器電極，位於該基材絕緣層上；一第二電容器電極，位於該第一電容器電極上；以及一電容氣絕緣層，介於該第一電容器電極與該第二電容器電極之間，與該第一電容器電極及該第二電容器電極相接觸，且介電常數係高於該基材絕緣層。
該電容氣絕緣層可包括氧化鋯(Zr)、氧化鉿(Hf)、氧化鈦(Ti)、氧化鉭(Ta)、氧化鑭(La)、氧化釔(Y)、氧化鋇(Ba)、氧化鍶(Sr)、氧化鈣(Ca)、及氧化鎂(Mg)之一或多者。
該第二電容器電極可包括一包括鎳(Ni)之鉬(Mo)合金。
該第一電容器電極可包括該包括鎳(Ni)之鉬(Mo)合金。
該電容器結構可更包括：一第一輔助電極，與該第一電容器電極相接觸；以及一第二輔助電極，與該第二電容器電極相接觸。
該電容器結構可更包含：一位於該第二輔助電極上之第三輔助電極，其係與該第二輔助電極相接觸，以包括該包括鎳(Ni)之鉬(Mo)合金。
該第一電容器電極可包括一多晶矽半導體材料或一金屬氧化物半導體材料。
該電容器結構可更包括：一第四輔助電極，與該第二電容器電極相接觸。
該電容器結構可更包括：一位於該第四輔助電極上之第五輔助電極，其係與該第四輔助電極相接觸，以包括該包括鎳(Ni)之鉬(Mo)合金。
一第二具體實施態樣係提供一種有機發光二極體顯示器，包含：上述之電容器結構；一驅動薄膜電晶體，包括一連接至該電容器之驅動閘電極；以及一有機發光元件，連接至該驅動薄膜電晶體之驅動汲電極。
該有機發光二極體顯示器可更包含：一掃瞄線，於一第一方向上延伸；一資料線，於一與該第一方向交錯之第二方向上延伸；一開關薄膜電晶體，包括一連接至該掃瞄線之開關閘電極、一連接至該資料線之開關源電極、以及一連接至該電容器與該驅動閘電極之開關汲電極；以及一驅動電源線，連接至該驅動薄膜電晶體之驅動源電極與該電容器，且在該第二方向上延伸。
根據前述具體實施態樣，提供了具有最大化之電容的電容器，以及包括彼之有機發光二極體顯示器。
1000‧‧‧有機發光二極體顯示器
A1‧‧‧驅動主動層
A2‧‧‧開關主動層
C、C2、C3、C4、C5、C6‧‧‧電容器
CE1‧‧‧第一電容器電極
CE2‧‧‧第二電容器電極
CIL‧‧‧電容器絕緣層
D1、DAm‧‧‧資料線
D2‧‧‧開關汲電極
DD‧‧‧資料驅動器
DW‧‧‧資料導線
ELVDD‧‧‧外部第一電源
ELVDDL‧‧‧驅動電源線
ELVSS‧‧‧第二電源
G1‧‧‧驅動閘電極
G2‧‧‧開關閘電極
GD‧‧‧閘極驅動器
GW‧‧‧閘極導線
OLED‧‧‧有機發光二極體
PE‧‧‧畫素
S1‧‧‧驅動源電極
S2‧‧‧開關源電極
SCn‧‧‧掃描線
SE1‧‧‧第一輔助電極
SE2‧‧‧第二輔助電極
SE3‧‧‧第三輔助電極
SE4‧‧‧第四輔助電極
SE5‧‧‧第五輔助電極
SIL‧‧‧基材絕緣層
SUB‧‧‧基材
T1‧‧‧驅動薄膜電晶體
T2‧‧‧開關薄膜電晶體
第1圖係一顯示一根據第一實施態樣之有機發光二極體顯示器的視圖。
第2圖係一顯示第1圖所示之畫素部分的電路圖。
第3圖係一顯示第2圖所示之電容器的剖面圖。
第4圖係一顯示一根據第二實施態樣之電容器的剖面圖。
第5圖係一顯示一根據第三實施態樣之電容器的剖面圖。
第6圖係一顯示一根據第四實施態樣之電容器的剖面圖。
第7圖係一顯示一根據第五實施態樣之電容器的剖面圖。
第8圖係一顯示一根據第六實施態樣之電容器的剖面圖。
以下將參考所附圖式更完整的描述本發明之實施態樣。本領域具通常知識者將瞭解的，所述具體實施態樣可以各種方式改良，而不背離本發明之精神或範疇之情形下。
該等圖式及敘述係被視為本質上的例示說明而非限制性的。在本說明書中，相似的參考符號通常表示相似的元件。
此外，在各種實施態樣中，由於相似的參考符號 係表示具有相同構造之相似元件，因此代表性地在第一實施態樣中描述，而在其他實施態樣中，將僅描述與該第一實施態樣不同的構造。
再者，圖式中所示各構造的尺寸及厚度係為了理解及敘述之容易而任意地表示，本發明並不侷限於此。
在該等圖式中，為了清楚起見，可能誇示層、膜、面板、區域等之厚度。在該等圖式中，為了理解及敘述之容易，某些層及區域的厚度可經誇大。將可理解者，當一元件如一層、膜、區域、或基材被描述為「位於」另一元件「上」時，該元件可直接地位於其他元件上，或者亦可能有中介元件(intervening elements)存在。
再者，除非有明確地敘述與此相反，用詞「包含(comprise)」及其變形如「包括(comprises)」「包含(comprising)」，將被理解為暗示包含所述元件但非排除任何其他元件。此外，在本說明書中，用詞「位於…上」意指位於目標部分之上或下，而非必然意指位於該目標部分基於重力方向之上側。
以下，參考第1圖至第3圖，將描述一根據第一具體實施態樣之有機發光二極體顯示器。
第1圖係一顯示一根據第一具體實施態樣之顯示器裝置的視圖。
如第1圖所示，根據該第一實施態樣之有機發光二 極體顯示器1000包括一基材SUB、一閘極驅動器(gate driver)GD、閘極導線(gate wires)GW、一資料驅動器DD、一資料導線DW、以及一畫素PE。畫素PE係表示一顯示影像之最小單位，且有機發光二極體顯示器1000係經由複數個畫素PE來顯示影像。
基材SUB係經由一透明絕緣基材所形成，該透明絕緣基材係由玻璃、石英、陶瓷、塑膠等所形成。然而，該第一實施態樣並不侷限於此，且基材SUB可經由一由不鏽鋼類所形成之金屬基材來形成。此外，當基材SUB係經由塑膠類所製成時該有機發光二極體顯示器1000可具有可撓特性、或可伸展或可捲曲(rollable)特性。
閘極驅動器GD係對應於一由例如時間控制器等外部控制線路(圖未示出)提供的控制訊號，以連續地提供一掃瞄訊號至閘極導線GW。其後，藉由該掃瞄訊號以選擇畫素PE從而依序接收一資料訊號。
閘極導線GW位於基材SUB上，且在一第一方向上延伸。該閘極導線包括掃瞄線SC1至SCn，且掃瞄線SCn係連接至閘極驅動器GD以接收來自閘極驅動器GD的掃瞄訊號。
在根據該第一實施態樣之有機發光二極體顯示器1000中，閘極導線GW包括掃瞄線SCn，但在根據其他實施態樣之有機發光二極體顯示器中，該閘極導線可更包括額外的掃瞄線、初始化電源線、發光控制線等。在此情形中，該顯示器中 裝置可為一具有6Tr-2Cap結構之主動陣列(AM)型有機發光二極體顯示器。
資料驅動器DD對應於由外部如一時間控制器提供之控制訊號而提供資料訊號至資料導線DW中的資料線DAm。每當掃瞄訊號提供至掃瞄線SCn時，提供至資料線Dam的資料訊號被提供至該掃瞄訊號所選擇的畫素PE。然後，畫素PE充入相應於該資料訊號之電壓，並且發射出對應該電壓之亮度的光。
資料導線DW可位於閘極導線GW上或者位於閘極導線GW與基材SUB之間，並在一與該第一方向交錯之第二方向上延伸。資料導線DW包括資料線D1至DAm以及一驅動電源線ELVDDL。資料線DAm係連接至資料驅動器DD，且接收來自資料驅動器DD之資料訊號。驅動電源線ELVDDL係連接至一外部第一電源ELVDD，且接收來自該第一電源ELVDD之驅動功率。
畫素PE係位於一其中閘極導線GW與資料導線DW交叉的區域，以連接閘極導線GW與資料導線DW。畫素PE包括第一電源ELVDD、二個薄膜電晶體以及一連接至閘極導線GW與資料導線DW之電容器，以及一藉由介於中間之薄膜電晶體連接至一第二電源ELVSS之有機發光元件。當該掃瞄訊號經由掃瞄線SCn提供時，選擇畫素PE，並充入對應於由資料線DAm提供之資料訊號的電壓，且相應於所充入之電壓發射出預定亮 度的光。畫素PE之詳細配置將於之後描述。
以下，參考第2圖，詳細描述畫素PE之配置。
第2圖係一顯示第1圖所示之畫素部分的電路圖。
如第2圖所示，一個畫素PE具有一2Tr-1Cap結構，其中配置有有機發光二極體(OLED)、二個薄膜電晶體(TFT)T1與T2、以及一個電容器C。然而，在另一實施態樣中，一個畫素可具有一配置有不同數量之薄膜電晶體以及電容器的結構。
有機發光二極體(OLED)包括一第一電極，該第一電極係一作為電動注入電極的陽極；一第二電極，該第二電極係一作為電子注入電極的陰極；以及一配置於該第一電極與該第二電極之間的有機發光層。
在該第一實施態樣中，對每一個畫素PE而言，該顯示器裝置包含一開關薄膜電晶體T2、一驅動薄膜電晶體T1、以及一電容器C。
開關薄膜電晶體T2包括一開關閘電極G2、一開關主動層A2、一開關源電極S2、以及一開關汲電極D2。
開關閘電極G2係連接至掃瞄線SCn。開關主動層A2係相應於開關閘電極G2而設置，且開關源電極S2與開關汲電極D2係連接至其端點。開關源電極S2係連接至資料線DAm。開關汲電極D2係與開關源電極S2留有間隔以使開關閘電極G2插入於其間，從而連接至電容器C之第二電容器電極 CE2，其係使驅動薄膜電晶體T1之驅動閘電極G1插入於其間。
驅動薄膜電晶體T1包括一驅動閘電極G1、一驅動主動層A1、一驅動源電極S1、以及一驅動汲電極D1。
驅動閘電極G1係連接至開關薄膜電晶體T2之開關汲電極D2與電容器C之第二電容器電極CE2。驅動主動層A1係連接至電容器C之第一電容器電極CE1。驅動源電極S1與驅動汲電極D1係彼此留有間隔以使驅動閘電極G1插入於其間，從而連接至驅動主動層A1之二端點。驅動源電極S1係連接至驅動電源線ELVDDL，且驅動汲電極D1係連接至該第一電極，該第一電極係該有機發光二極體(OLED)之陽極。
此即，開關薄膜電晶體T2之開關源電極S2係連接至資料線DAm，以及該開關薄膜電晶體T2之開關閘電極G2係連接至掃瞄線SCn。此外，開關薄膜電晶體T2之開關汲電極D2與電容器C之間形成一節點，從而容許開關薄膜電晶體T2之開關汲電極D2連接至電容器C之第二電容器電極CE2。另外，開關薄膜電晶體T2之開關汲電極D2係連接至驅動薄膜電晶體T1之驅動閘電極G1。再者，驅動電源線ELVDDL係連接至驅動薄膜電晶體T1之驅動源電極S1，以及作為該有機發光二極體(OLED)之陽極之該第一電極係連接至驅動汲電極D1。
第3圖係一顯示第2圖所示之電容器的剖面圖。
如第2圖及第3圖所示，電容器C係位於基材絕緣層SIL上，該基材絕緣層係位於基材SUB上，並包括面向彼此之 第一電容器電極CE1與第二電容器電極CE2、以及電容器絕緣層CIL。基材絕緣層SIL可為一包括氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)等之無機絕緣層、或一包括光敏感性材料之有機絕緣層。
第一電容器電極CE1係位於基材絕緣層SIL上，並可由與選自以下之組成相同的材料以及同一方法所形成：掃瞄線SCn、資料線DAm、驅動電源線ELVDDL、驅動薄膜電晶體T1之驅動閘電極G1、驅動源電極S1、驅動汲電極D1、驅動主動層A1、開關薄膜電晶體T2之開關閘電極G2、開關源電極S2、開關汲電極D2、以及開關主動層A2，或者可由與額外的組成相同的材料所形成。第一電容器電極CE1係透過驅動主動層A1與驅動薄膜電晶體T1之驅動源電極S1而連接至驅動電源線ELVDDL。該第一電容器電極CE1包括該包括鎳(Ni)之鉬(Mo)合金。第一電容器電極CE1包括該包括鎳之鉬合金以具有一熱力穩定狀態(thermodynamically stable state)。
第二電容器電極CE2係位於第一電容器電極CE1上，且電容器絕緣層CIL係插入於二者之間。第二電容器電極CE2係位於基材絕緣層SIL上，並可由與選自以下之組成相同的材料以及同一方法所形成：掃瞄線SCn、資料線DAm、驅動電源線ELVDDL、驅動薄膜電晶體T1之驅動閘電極G1、驅動源電極S1、驅動汲電極D1、驅動主動層A1、開關薄膜電晶體T2之開關閘電極G2、開關源電極S2、開關汲電極D2、以及開關主 動層A2，或者可由與額外的組成相同的材料所形成。第二電容器電極CE2係透過驅動薄膜電晶體T1之驅動閘電極G1連接至開關薄膜電晶體T2之開關汲電極D2。第二電容器電極CE2包括該包括鎳(Ni)之鉬(Mo)合金。第二電容器電極CE2包括該包括鎳之鉬合金以具有一熱力穩定狀態。
電容器絕緣層CIL係介於第一電容器電極CE1及第二電容器電極CE2之間，與第一電容器電極CE1及第二電容器電極CE2相接觸，且具有較基材絕緣層SIL高的介電常數。電容器絕緣層CIL係包括氧化鋯(Zr)、氧化鉿(Hf)、氧化鈦(Ti)、氧化鉭(Ta)、氧化鑭(La)、氧化釔(Y)、氧化鋇(Ba)、氧化鍶(Sr)、氧化鈣(Ca)、及氧化鎂(Mg)之一或多者，且可介電常數可為10或更高。
開關薄膜電晶體T2係作為一選擇發光之畫素PE的開關。一旦開關薄膜電晶體T2打開，電力由驅動電源線ELVDDL提供至電容器C之第一電容器電極CE1，同時，電力透過開關薄膜電晶體T2由資料線Dam提供至第二電容器電極CE2，從而以電容量累積電容器。在此情形中，累積的電荷量係與自資料線DAm施加的電壓成比例。此外，當開關薄膜電晶體T2處於關閉的狀態時，驅動薄膜電晶體T1之閘極電位係根據電容器C中所累積的電位而增加。另外，若該閘極電位高於一臨界電壓(threshold voltage)，則驅動薄膜電晶體T1將打開。接著，施加至驅動電源線ELVDDL的電壓係透過驅動薄膜電晶 體T1而施加至該有機發光二極體(OLED)，該有機發光二極體(OLED)因此而發射光。
前述之畫素PE組成係不限於此，並可經各式修改。
如上所述，在根據該第一實施態樣的有機發光二極體顯示器1000中，電容器C之電容器絕緣層CIL係包括氧化鋯(Zr)、氧化鉿(Hf)、氧化鈦(Ti)、氧化鉭(Ta)、氧化鑭(La)、氧化釔(Y)、氧化鋇(Ba)、氧化鍶(Sr)、氧化鈣(Ca)、及氧化鎂(Mg)之一或多者，相較於基材絕緣層SIL係具有一較高的介電常數，從而最大化電容器C之電容量，該基材絕緣層係一通常絕緣層。
此外，在根據該第一實施態樣之有機發光二極體顯示器1000中，即使該電容器C之電容器絕緣層CIL包括氧化鋯(Zr)、氧化鉿(Hf)、氧化鈦(Ti)、氧化鉭(Ta)、氧化鑭(La)、氧化釔(Y)、氧化鋇(Ba)、氧化鍶(Sr)、氧化鈣(Ca)、及氧化鎂(Mg)之一或多者，與電容器絕緣層CIL相接觸的第一電容器電極CE1及第二電容器電極CE2係包括該包括熱力穩定之鎳的鉬合金，因此雖然在有機發光二極體顯示器1000之製造方法期間熱係施加至基材SUB，但電容器絕緣層CIL與第一電容器電極CE1間之介面處以及電容器絕緣層CIL與第二電容器電極CE2間之介面處不會形成不欲之氧化層，由此抑制了因該不欲之氧化層所引起之電容量的劣化。
詳言之，舉例來說，該第一電容器電極與該第二 電容器電極係由如鈦或鉬之金屬所形成，且在該電容器絕緣層係包括氧化鋯(Zr)、氧化鉿(Hf)、氧化鈦(Ti)、氧化鉭(Ta)、氧化鑭(La)、氧化釔(Y)、氧化鋇(Ba)、氧化鍶(Sr)、氧化鈣(Ca)、及氧化鎂(Mg)之一或多者的情形中，在該有機發光二極體顯示器的製造過程期間為了最大化電容器之電容量所產生的熱，會使得不欲的氧化層形成在該電容器絕緣層與該第一電容器電極間之介面處以及在該電容器絕緣層與該第二電容器電極間之介面處。在此情形中，不欲的氧化層可能形成在該電容器絕緣層與該第一電容器電極間之介面處以及在該電容器絕緣層與該第二電容器電極間之介面處，從而使包括於該電容器絕緣層中的氧以及包括於該第一電容器電極與該第二電容器電極中的金屬彼此鍵結，使得缺氧現象發生於該電容器絕緣層中，而使該電容器絕緣層還原為金屬，因而劣化電容器之整體電容量。
然而，在根據該第一實施態樣之有機發光二極體顯示器1000中的電容器C中，為了最大化電容器C之電容量，雖然電容器絕緣層CIL包括氧化鋯(Zr)、氧化鉿(Hf)、氧化鈦(Ti)、氧化鉭(Ta)、氧化鑭(La)、氧化釔(Y)、氧化鋇(Ba)、氧化鍶(Sr)、氧化鈣(Ca)、及氧化鎂(Mg)之一或多者，第一電容器電極CE1與第二電容器電極CE2係包括該包括熱力穩定之鎳的鉬合金，因此雖然在有機發光二極體顯示器1000之製造方法期間熱係施加至基材SUB，不欲的氧化層並不會形成在 電容器絕緣層CIL與第一電容器電極CE1間之介面處以及電容器絕緣層CIL與第二電容器電極CE2間之介面處。
意即，提供了具有最大化電容量的電容器C以及包括彼之有機發光二極體顯示器1000。
同時，在根據該第一實施態樣之有機顯示器裝置1000中，該包括電容器C之有機發光二極體顯示器係作為一實例描述，惟在其他顯示器裝置如液晶顯示器(LCD)中，可包括根據其他實施態樣之電容器C。
再者，根據該第一實施態樣之有機發光二極體顯示器1000的電容器C的第一電容器電極CE1與第二電容器電極CE2係包括該包括鎳之鉬合金，惟根據其他實施態樣之電容器之第一電容器電極與第二電容器電極的一或多者可包括一透明導電材料，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦。
以下，參考第4圖，將描述根據一第二實施態樣之電容器。
以下，僅針對與該第一實施態樣不同之特定部分被提出來描述，以及其中省略部分的描述係依該第一實施態樣。此外，在該第二實施態樣中，為了較佳的理解與描述方便，相同的組成元件係由如該第一具體實施態樣之相同參考符號所標示。
第4圖係一顯示一根據第二實施態樣之電容器的 剖面圖。
如第4圖所示，根據該第二實施態樣之電容器C2係包括一第一電容器電極CE1、一第二電容器電極CE2、一電容器絕緣層CIL、一第一輔助電極SE1、以及一第二輔助電極SE2。
第一輔助電極SE1係位於基材絕緣層SIL與第一電容器電極CE1之間，並與第一電容器電極CE1相接觸。第二輔助電極SE2係與第二電容器電極CE2相接觸並位於第二電容器電極上。第一輔助電極SE1與第二輔助電極SE2可包括金屬，例如鉬或鈦。
如上所述，在根據該第二具體實施態樣之電容器C2中，由於第一輔助電極SE1及第二輔助電極SE2係與第一電容器電極CE1及第二電容器電極CE2相接觸，從而使得第一電容器電極CE1與第二電容器電極CE2之電阻劣化，流經第一電容器電極CE1與第二電容器電極CE2之電流的電壓下降係被抑制。
意即，提供了具有最大化電容量的電容器C2。
以下，參考第5圖，將描述根據一第三實施態樣之電容器。
以下，僅有與該第二實施態樣不同之特定部分被提出來描述，以及省略描述部分係依該第二實施態樣。再者，在該第三實施態樣中，為了較佳的理解與描述方便，相同的組成元件係由與該第二實施態樣相同之參考符號所標示。
第5圖係一顯示一根據第三實施態樣之電容器的剖面圖。
如第5圖所示，根據該第三實施態樣之電容器C3係包括一第一電容器電極CE1、一第二電容器電極CE2、一電容器絕緣層CIL、一第一輔助電極SE1、一第二輔助電極SE2、以及一第三輔助電極SE3。
第三輔助電極SE3係與第二輔助電極SE2相接觸並位於第二輔助電極SE2上，且包括該包括鎳之鉬合金。
如上所述，在根據該第三實施態樣之電容器C3中，雖然熱係施加至基材SUB，但包括該包括鎳之鉬合金之第三輔助電極SE3係與由金屬形成之第二輔助電極SE2相接觸並位於第二輔助電極SE2上，從而抑制了第二輔助電極SE2由熱而生之氧化作用。
意即，提供了具有最大化電容量的電容器C3。
以下，參考第6圖，將描述根據一第四實施態樣之電容器。
以下，僅有與該第三實施態樣不同之特定部分被提出來描述，且省略的描述部分係依該第三實施態樣。再者，在該第四實施態樣中，為了較佳的理解與描述方便，相同的組成元件係由與該第三實施態樣相同之參考符號所標示。
第6圖係一顯示一根據第四實施態樣之電容器的剖面圖。
如第6圖所示，根據該第四實施態樣之電容器C4係包括面向彼此之一第一電容器電極CE1與一第二電容器電極CE2，以及一電容器絕緣層CIL。
第一電容器電極CE1係位於基材絕緣層SIL上，並包括多晶矽半導體材料或金屬氧化物半導體材料。第一電容器電極CE1係包括多晶矽半導體材料或金屬氧化物半導體材料以具有一熱力穩定狀態。第一電容器電極CE1可經一雜質摻雜。
如上所述，在根據該第四實施態樣之電容器C4中，雖然電容器絕緣層CIL包括氧化鋯(Zr)、氧化鉿(Hf)、氧化鈦(Ti)、氧化鉭(Ta)、氧化鑭(La)、氧化釔(Y)、氧化鋇(Ba)、氧化鍶(Sr)、氧化鈣(Ca)、及氧化鎂(Mg)之一或多者，但與電容器絕緣層CIL相接觸之第一電容器電極CE1與第二電容器電極CE2係包括該熱力穩定的矽半導體材料或金屬氧化物半導體材料以及該熱力穩定之包括鎳之鉬合金，因此雖然熱係施加至該基材SUB，但並不會在電容器絕緣層CIL與第一電容器電極CE1間之介面處以及電容器絕緣層CIL與第二電容器電極CE2間之介面處形成不欲的氧化層。因此，抑制了由該不欲之氧化層所引起的電容量的劣化。
意即，提供了具有最大化電容量的電容器C4。
以下，參考第7圖，將描述根據一第五實施態樣之電容器。
以下，僅有與該第四實施態樣不同之特定部分被 提出來描述，以及省略的描述部分係依該第四實施態樣。此外，在該第五實施態樣中，為了較佳的理解與描述方便，相同的組成元件係由與該第四實施態樣相同之參考符號所標示。
第7圖係一顯示一根據第五實施態樣之電容器的剖面圖。
如第7圖所示，根據該第五實施態樣之電容器C5係包括第一電容器電極CE1、第二電容器電極CE2、電容器絕緣層CIL、以及第四輔助電極SE4。
第四輔助電極SE4係與第二電容器電極CE2相接觸並位於該第二電容器電極CE2上。第四輔助電極SE4可包括金屬，例如鉬或鈦。
如上所述，在根據該第五實施態樣之電容器C5中，由於第四輔助電極SE4係與第二電容器電極CE2相接觸，以劣化第二電容器電極CE2之電阻，因此流經第二電容器電極CE2之電流的電壓下降係受到抑制。
意即，提供了具有最大化電容量的電容器C5。
以下，參考第8圖，將描述根據一第六實施態樣之電容器。
以下，僅有與該第五實施態樣不同之特定部分被提出來描述，以及省略的描述部分係依該第五實施態樣。此外，在該第六實施態樣中，為了較佳的理解與描述方便，相同的組成元件係由與該第五實施態樣相同之參考符號所標示。
第8圖係一顯示一根據第六實施態樣之電容器的剖面圖。
如第8圖所示，根據該第六實施態樣之電容器C6係包括一第一電容器電極CE1、一第二電容器電極CE2、一第四輔助電極SE4、以及一第五輔助電極SE5。
第五輔助電極SE5係於該第四輔助電極SE4上與第四輔助電極SE4相接觸，並且包括該包括鎳之鉬合金。
如上所述，在根據該第六實施態樣之電容器C6中，雖然熱係施加至基材SUB，但包括該包括鎳之鉬合金之第五輔助電極SE5係於由金屬形成之第四輔助電極SE4上與第四輔助電極SE4相接觸，從而抑制了由熱引起之第四輔助電極SE4之氧化作用。
意即，提供了具有最大化電容量的電容器C6。
雖然本揭露已透過數個特定實施態樣描述，應理解的是，本發明並不侷限於所揭露的實施態樣，相反地，本發明旨在涵蓋包括於本發明之精神及範疇內之各種改良及等效安排。
C‧‧‧電容器
CE1‧‧‧第一電容器電極
CE2‧‧‧第二電容器電極
CIL‧‧‧電容器絕緣層
SIL‧‧‧基材絕緣層
SUB‧‧‧基材

Claims (10)

  1. 一種電容器結構，包含：一基材；一基材絕緣層，位於該基材上；以及一電容器，包含：一第一電容器電極，位於該基材絕緣層上；一第二電容器電極，位於該第一電容器電極上；一電容器絕緣層，介於該第一電容器電極及該第二電容器電極之間，與該第一電容器電極及該第二電容器電極相接觸，該電容器絕緣層之介電常數係高於該基材絕緣層；一第一輔助電極，與該第一電容器電極相接觸；一第二輔助電極，與該第二電容器電極相接觸；以及一位於該第二輔助電極上之第三輔助電極，其係與該第二輔助電極相接觸。
  2. 如請求項1所述之電容器結構，其中：該電容器絕緣層包括氧化鋯(Zr)、氧化鉿(Hf)、氧化鈦(Ti)、氧化鉭(Ta)、氧化鑭(La)、氧化釔(Y)、氧化鋇(Ba)、氧化鍶(Sr)、氧化鈣(Ca)、及氧化鎂(Mg)之一或多者。
  3. 如請求項2所述之電容器結構，其中：該第二電容器電極包括一包括鎳(Ni)之鉬(Mo)合金。
  4. 如請求項3所述之電容器結構，其中：該第一電容器電極包括該鉬(Mo)合金，該鉬(Mo)合金包括鎳(Ni)。
  5. 如請求項4所述之電容器結構，更包含：該第三輔助電極包括該鉬(Mo)合金，該鉬(Mo)合金包括鎳(Ni)。
  6. 如請求項3所述之電容器結構，其中：該第一電容器電極包括一多晶矽半導體材料或一金屬氧化物半導體材料。
  7. 如請求項6所述之電容器結構，更包含：一第四輔助電極，與該第二電容器電極相接觸。
  8. 如請求項7所述之電容器結構，更包含：一位於該第四輔助電極上之第五輔助電極，其係與該第四輔助電極相接觸，以包括該鉬(Mo)合金，該鉬(Mo)合金包括鎳(Ni)。
  9. 一種有機發光二極體顯示器，包含：一如請求項1所述之電容器結構；一驅動薄膜電晶體，包括一連接至該電容器的驅動閘電極；以及一有機發光元件，連接至該驅動薄膜電晶體之驅動汲電極。
  10. 如請求項9所述之有機發光二極體顯示器，更包含：一掃瞄線，於一第一方向上延伸；一資料線，於一與該第一方向交錯之第二方向上延伸；一開關薄膜電晶體，包括一連接至該掃瞄線之開關閘電極、一連接至該資料線之開關源電極、以及一連接至該電容器與該驅動閘電極之開關汲電極；以及 一驅動電源線，連接至該驅動薄膜電晶體之驅動源電極與該電容器，且在該第二方向上延伸。
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