TWI564145B - 金屬被覆積層板及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種可應用於軟性印刷電路板之金屬被覆積層板及其製造方法。本發明進一步關於一種使用該金屬被覆積層板製造軟性印刷電路板之方法。
軟性印刷電路板(Flexible Printed Circuit,FPC)又稱為可撓性印刷電路板,因具有可撓性及彎曲性,可隨產品可利用的空間大小及形狀進行三度空間的立體配線,加上兼具重量輕、厚度薄之特性,近年來已成為各種高科技設備,如照相機、攝影機、顯示器、磁碟機、印表機及行動電話等產品不可或缺的組件之一。
軟性金屬被覆積層板,例如軟性銅箔基板(Flexible Copper Clad Laminate,FCCL)是軟性印刷電路板的上游材料。習知軟性銅箔基板就構造上可區分為:含接著劑型之三層軟性銅箔基板(3L FCCL)與無接著劑型之二層軟性銅箔基板(2L FCCL)。三層軟性銅箔基板主要是以如環氧樹脂或丙烯酸樹脂之接著劑作為中間層,將銅箔附著於聚醯亞胺層上。二層軟性銅箔基板採用特殊工法製成,不含環氧樹脂或丙烯酸樹脂等耐熱性較低之接著劑,故信賴性較高,且可使產品朝薄型化發展,因此有逐漸取代三層軟性銅箔基板之趨勢。
軟性銅箔基板依產品(印刷電路板)電路配置情形可分為:單
面板(single side)及雙面板(double side)。單面板為最基本的軟性銅箔基板,僅於基板之一側具有可供形成電路用之銅箔層,單面板優點包含製程容易、價格較低和良好撓曲性。雙面板係指該軟性銅箔基板上下兩側上均具有銅箔層,因此可於基板之兩面形成電路,且可藉由施加導通孔使上下兩側之電路電性連結。因此,雙面板具有更高的集成度、有利於控制電阻,且可兩面同時施作,節省時間;但因厚度增厚,可撓性可能變差。
單面板具有輕薄及優良的撓曲性等優點;雙面板具有優良的機械性和優良的電氣特性(如低的介電常數),且兩面可同時形成電路的優點。然而,上述材料特性與操作性之間往往存在衝突,從事軟性銅箔基板研究之人士常無法兼顧,因此,目前業界仍需一種可同時具備輕薄、優良的可撓曲性、優良的電氣特性且節省後續加工製程時間及成本的軟性銅箔基板。
本發明之一目的在於提供一種金屬被覆積層板,其包含:第一金屬箔;直接設置於該第一金屬箔上之第一聚醯亞胺層;第二金屬箔;及直接設置於該第二金屬箔上之第二聚醯亞胺層;其中該第一聚醯亞胺層接觸於該第二聚醯亞胺層,且該第一金屬箔及第二金屬箔各自具有介於15ppm/℃至25ppm/℃之熱膨脹係數。
本發明之另一目的在於提供一種製備上述金屬被覆積層板之方法。
本發明之再一目的在於提供一種使用上述金屬被覆積層板製備單面配線軟性電路板之方法。
為使本發明之上述目的、技術特徵及優點能更明顯易懂,下文係以部分具體實施態樣進行詳細說明。
10‧‧‧第一聚醯亞胺層
11‧‧‧第一金屬箔
13‧‧‧第二聚醯亞胺層
14‧‧‧第二金屬箔
20‧‧‧第一聚醯亞胺層
21‧‧‧第一金屬箔
22‧‧‧覆蓋膜
23‧‧‧第二聚醯亞胺層
24‧‧‧第二金屬箔
25‧‧‧覆蓋膜
30‧‧‧滾輪
31‧‧‧滾輪
100‧‧‧金屬被覆積層板
200‧‧‧軟性電路板
210‧‧‧軟性電路板
A‧‧‧單面軟性電路板捲
B‧‧‧單面軟性電路板捲
圖1為本發明金屬被覆積層板之示意圖。
圖2為使用本發明金屬被覆積層板製備兩組單面配線軟性電路板之示意圖。
圖3為將兩組單面配線軟性電路板分離之示意圖。
為便於理解本文所陳述之揭示內容,茲於下文中定義若干術語。
術語「約」意謂如由一般熟習此項技術者所測定之特定值的可接受誤差,誤差範圍視如何量測或測定該值而定。
如圖1所示,本發明之金屬被覆積層板100可用於生產軟性印刷電路板,其包含:第一金屬箔11;直接設置於該第一金屬箔11上之第一聚醯亞胺層10;第二金屬箔14;及直接設置於該第二金屬箔14上之第二聚醯亞胺層13。
本發明之第一金屬箔及第二金屬箔可為具有介於約15ppm/℃至約25ppm/℃之熱膨脹係數之金屬或合金,其例如例如但不限於:鋁、銅、銀;含鋁、銅或銀之合金;或其它具有介於約15ppm/℃至約25ppm/℃之熱膨脹係數之合金。根據本發明之較佳實施態樣,第一金屬箔及第二金屬箔為銅箔、鋁箔、或銅鋁合金之金屬箔。上述銅箔係指銅或以銅為主成分之箔(例如銅含量為90wt%以上之箔),可選自以下群組:延壓退火銅箔(Rolled annealed copper foil,Ra銅箔)、電解銅箔(Electrodeposited copper foil,ED銅箔)及其組合;上述鋁箔係指鋁或以鋁為主成分之箔(例如鋁含量為90wt%以上之箔)。
第一金屬箔及第二金屬箔之厚度並無特殊限制,一般係約0.05微米至約50微米間,較佳介於約0.1微米至約35微米間,較佳介於約5微米至約20微米間。
本發明之第一聚醯亞胺層10直接設置且附著於該第一金屬箔11上,第二聚醯亞胺層13係直接設置且附著於該第二金屬箔14上,而不需在金屬箔與聚醯亞胺層間額外施加接著劑或熱塑性聚醯亞胺(TPI)層以提供接著效果,因此,不但可簡化金屬被覆積層板之製備過程,且所得金屬被覆積層板耐熱性佳,可適用於高溫加工製程,有利於半導體元件之製作。
一般用作絕緣支撐層用的聚醯亞胺層,必須具有優異的熱安定性,因此會使用結構中具有高對稱性之熱固性聚醯亞胺。但是兩熱固性聚醯亞胺層彼此附著性很差,所以業界會在一熱固性聚醯亞胺層之表面施加熱塑性聚醯亞胺層(Thermoplastic Polyimide,TPI),利用熱塑性聚醯亞胺之特性,加熱使熱塑性聚醯亞胺軟化、熔化,再加壓使其變形並結合至另一熱固性聚醯亞胺層,待溫度下降後,使兩熱固性聚醯亞胺層藉由該熱塑性聚醯亞胺層附著在一起。
本發明之另一技術特點在於該第一聚醯亞胺層10係直接接觸、附著於該第二聚醯亞胺層13上,而無需額外施加上述之熱塑性聚醯亞胺層。本發明之第一聚醯亞胺層10及第二聚醯亞胺層13中至少一者,較佳為兩者,包含衍生自二胺基矽氧烷之聚合單元,所以該第一聚醯亞胺層10接觸於該第二聚醯亞胺層13時,可產生自黏性(self-adhesive),不需要再使用熱塑性聚醯亞胺,故可以簡化製程。
本發明之聚醯亞胺層之厚度並無特殊限制,可視原料性質及所需產品特性調整之。根據本發明之一實施態樣,該第一及第二聚醯亞胺層之厚度可各自介於約1微米至約90微米間,較佳介於約3微米至約50微米間,更佳介於約5微米至約30微米。
本發明之金屬被覆積層板結構上相當於雙面軟性銅箔基板,機械性質較單面軟性銅箔基板優異,且可兩面同時施做電路。但不同於習知雙面軟性銅箔基板的是,本發明可藉由控制製備金屬被覆積層板
時之壓合溫度及/或壓力,調整第一聚醯亞胺層和第二聚醯亞胺層之間的剝離強度,製備雙面二層金屬被覆積層板或類雙面二層金屬被覆積層板(quasi double-sided 2L metal-clad laminate)。
在本發明之第一具體實施態樣中,該第一聚醯亞胺層和第二聚醯亞胺層之間具有介於5gf/cm至500gf/cm之剝離強度,較佳為10gf/cm至約400gf/cm之剝離強度,更佳為15gf/cm至約300gf/cm之剝離強度。在此實施態樣中,該金屬被覆積層板可視為類雙面二層金屬被覆積層板:可於該金屬被覆積層板之雙面同時施做電路,製備兩組獨立的軟性印刷電路板,由於該第一聚醯亞胺層和第二聚醯亞胺層之界面具有適當之剝離強度,因此在元件製作完成後,可由該界面進行分離,同時獲得兩組軟性印刷電路板。使用本發明之金屬被覆積層板所製得之軟性印刷電路板具有與利用單面軟性銅箔基板所製得的軟性印刷電路板相當之結構,輕薄、且可撓曲性佳;然而,相較單面軟性銅箔基板而言,使用本發明之金屬被覆積層板可在一次製程中同時製備兩組軟性印刷電路板,產能更為優異,可節省製程時間。此外,一般單面軟性銅箔基板易產生翹曲,因此,在印刷電路時,除了會在銅箔表面施加光阻劑用於電路製作之外,亦會在聚醯亞胺層表面施加光阻劑以使軟性銅箔基板兩對側結構平衡,減少翹曲發生,此光阻劑會在後續步驟除去,然而,此作法徒增製程成本。本發明之金屬被覆積層板本身結構對稱且可同時施作電路,因此,相對於一般單面軟性銅箔基板而言,不但不易發生翹曲,且可以較快速且經濟之方式製成軟性印刷電路板。
在本發明之第二具體實施態樣中,該第一聚醯亞胺層和第二聚醯亞胺層之間具有大於500gf/cm之剝離強度,較佳為具有大於800gf/cm,更佳為大於1000gf/cm之剝離強度。在此實施態樣中,該第一聚醯亞胺層和第二聚醯亞胺層之界面剝離強度大,黏著性佳,因此可
作為雙面二層金屬被覆積層板,供製備需雙面配線之軟性印刷電路板用。
在本發明之一較佳具體實施態樣中,該第一及第二聚醯亞胺層各自具有介於15ppm/℃至25ppm/℃之熱膨脹係數。第一及第二聚醯亞胺層之熱膨脹係數可隨所選擇的金屬箔作調整,例如金屬箔為銅箔時,第一及第二聚醯亞胺層較佳各自具有介於15ppm/℃至19ppm/℃之熱膨脹係數。由於該第一及第二聚醯亞胺層之熱膨脹係數與該第一金屬箔及第二金屬箔之熱膨脹係數相近,因此可降低翹曲現象,提升金屬被覆積層之平坦性。
本發明之第一及第二聚醯亞胺層係熱固性聚醯亞胺層。如同一般聚醯亞胺之製造方式,本發明之第一及第二聚醯亞胺層可使用聚醯胺酸作為前驅物(又稱聚醯亞胺前驅物)而製成。利用聚醯胺酸製備聚醯亞胺之反應流程可簡述如下(其中Ar及Ar'分別為四價有機基團及二價有機基團;n為聚合單元數目):
於上述反應流程所示之製備方法中,係將二胺單體溶於非質子性極性溶劑中,再使其與等莫耳二酸酐單體進行縮合反應形成供製備聚醯亞胺用之前驅物(即聚醯胺酸);接著,以加熱方式使聚醯胺酸進行醯亞胺化(imidization),於脫水並環化成聚醯亞胺。
或者,可使用其他聚醯亞胺前驅物或前驅物組合物以製備聚醯
亞胺,例如但不限於使用具下式(I)之聚醯亞胺前驅物:;或使用包含下述組分之聚醯亞胺前驅物組合物:,及H2N-P-NH2,其中G為四價有機基,P為二價有機基且r係0至100之整數(較佳為1至90),Rx各自獨立為H或可感光基,R為有機基。
技術領域中已研發出各種不同聚醯亞胺前驅物的聚合及環化方法以及由其所製得之聚醯亞胺,例如美國專利申請案第11/785,827號、第11/119,555號、第12/846,871號及第12/572,398號與中國專利申請案第200610162485.X號、第200710138063.3號。上述文獻係全文併入本文中做為參考。
用以製備上述聚醯亞胺前驅物或前驅物組合物之二酸酐單體一般可為脂肪族或芳香族者,若需耐化性較佳者,較佳為芳香族二酸酐,其實例包括(但不限於)均苯四甲酸二酐(pyromellitic dianhydride,PMDA)、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride,S-BPDA)、4,4'-二酞酸二酐、4,4'-六氟亞異丙基-2,2-雙(酞酸酐)(4,4'-hexafluoroisopropylidene-2,2-
bis-(phthalic acid anhydride),6FDA)、1-(三氟甲基)-2,3,5,6-苯四羧酸二酐(P3FDA)、二苯甲酮-四羧酸二酐(BTDA)、3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐(ODPA)、1,4-雙(三氟甲基)-2,3,5,6-苯四羧酸二酐(P6FDA)、1-(3',4'-二羧基苯基)-1,3,3-三甲基茚滿-5,6-二羧酸二酐、1-(3',4'-二羧基苯基)-1,3,3-三甲基茚滿-6,7-二羧酸二酐、1-(3',4'-二羧基苯基)-3-甲基茚滿-5,6-二羧酸二酐、1-(3',4'-二羧基苯基)-3-甲基茚滿-6,7-二羧酸二酐、2,3,9,10-二萘嵌苯四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-2,4,5,8-四羧酸二酐、菲-1,8,9,10-四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2',3,3'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2',3,3'-聯苯四羧酸二酐、4,4'-亞異丙基二酞酸二酐、3,3'-亞異丙基二酞酸二酐、4,4'-氧基二酞酸二酐、4,4'-磺醯基二酞酸二酐、3,3'-氧基二酞酸二酐、4,4'-亞甲基二酞酸二酐、4,4'-硫基二酞酸二酐、4,4'-亞乙基二酞酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡啶-2,3,5,6-四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐(1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride,CBDA)、5,5'-(9H-茀-9,9-二基)二異苯并呋喃-1,3-二酮(5,5'-(9H-fluorene-9,9-diyl)diisobenzofuran-1,3-dione,BPAF)或其組合。
較佳地,係採用選自以下群組之芳香族二酸酐:均苯四酸二酐(PMDA)、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(S-BPDA)、4,4'-二酞酸二酐、4,4'-六氟亞異丙基二酞酸二酐(6FDA)、1-(三氟甲基)-2,3,5,6-苯四羧酸二酐(P3FDA)、1,4-雙(三氟甲基)-2,3,5,6-苯四羧酸二酐(P6FDA)、二苯甲酮-四羧酸二酐(BTDA)、3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐(ODPA)、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐(CBDA)、5,5'-(9H-茀-9,9-二基)二異苯并呋喃-1,3-二酮(BPAF)及其組合。
用以製備上述聚醯亞胺前驅物或前驅物組合物之二胺單體一般為芳香族二胺,且可為熟悉此技術領域者所熟知者。舉例言之(但不以此為限)可選自以下群組:4,4'-氧化二苯胺(ODA)、對苯二胺(pPDA)、間二甲基對二胺基聯苯(DMDB)、2,2MD雙(三氟甲基)對聯苯(2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine,TFMB)、鄰二甲基對二胺基聯苯(oTLD)、4,4'-八氟聯苯胺(OFB)、四氟-對-苯二胺(TFPD)、2,2'-5,5'-四氯聯苯胺(TCB)、3,3'-二氯聯苯胺(DCB)、2,2'-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2'-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、4,4'-氧基-雙[3-(三氟甲基)苯胺、3,5-二胺基三氟甲苯(3,5-diaminobenzotrifluoride)、四氟-1,4-伸苯二胺(tetrafluoro-1,4-phenylene diamine)、四氟-間-伸苯二胺、1,4-雙(4-胺基苯氧基)-2-第三丁基苯(BATB)、2,2'-二甲基-4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯(DBAPB)、4,4'-二胺基二環己基甲烷(MDCA)、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷(BAPPH)、2,2'-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]原冰片烷(BAPN)、5-胺基-1-(4'-胺基苯基)-1,3,3-三甲基茚滿、6-胺基-1-(4'-胺基苯基)-1,3,3-三甲基茚滿、4,4'-亞甲基雙(鄰-氯苯胺)、3,3'-二氯二苯胺、3,3'-磺醯基二苯胺、4,4'-二胺基二苯甲酮、1,5-二胺基萘、雙(4-胺基苯基)二乙基矽烷、雙(4-胺基苯基)二苯基矽烷、雙(4-胺基苯基)乙基膦氧化物、N-(雙(4-胺基苯基))-N-甲基胺、N-(雙(4-胺基苯基))-N-苯基胺、4,4'-亞甲基雙(2-甲基苯胺)、4,4'-亞甲基雙(2-甲氧基苯胺)、5,5'-亞甲基雙(2-胺基苯酚)、4,4'-亞甲基雙(2-甲基苯胺)、4,4'-氧基雙(2-甲氧基苯胺)、4,4'-氧基雙(2-氯苯胺)、2,2'-雙(4-胺基苯酚)、5,5'-氧基雙(2-胺基苯酚)、4,4'-硫基雙(2-甲基苯胺)、4,4'-硫基雙(2-甲氧基苯胺)、4,4'-硫基雙(2-氯苯胺)、4,4'-磺醯基雙(2-甲基苯胺)、4,4'-磺醯基雙(2-乙氧基苯胺)、4,4'-磺醯基雙(2-氯苯胺)、5,5'-磺醯基雙(2-胺基苯酚)、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基二苯甲酮、3,3'-二甲氧基-4,4'-二胺基二苯甲酮、3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二
胺基聯苯、間-苯二胺、4,4'-亞甲基二苯胺(MDA)、4,4'-硫基二苯胺、4,4'-磺醯基二苯胺、4,4'-亞異丙基二苯胺、3,3'-二甲氧基聯苯胺、3,3'-二羧基聯苯胺、2,4-甲苯基二胺、2,5-甲苯基二胺、2,6-甲苯基二胺、間-二甲苯基二胺、2,4-二胺基-5-氯甲苯、2,4-二胺基-6-氯甲苯、1,4-二胺基環己烷(1,4-diaminocyclohexane,CHDA)、4-(9-(4-氨基苯基)-9H-茀-9-基)苯胺(4-(9-(4-aminophenyl)-9H-fluoren-9-yl)benzenamine,BAFL)、9-(4-氨基苯基)-9-苯基-9H-茀基-3-胺(9-(4-aminophenyl)-9-phenyl-9H-fluoren-3-amine)、1-(4-氨基苯基)-2,3-二氫-1,3,3-三甲基-1氫-茚-5-胺(1-(4-aminophenyl)-2,3-dihydro-1,3,3-trimethyl-1H-inden-5-amine,TMDA)及其組合。
較佳地,係採用4,4'-氧化二苯胺(ODA)、對苯二胺(pPDA)、間二甲基對二胺基聯苯(DMDB)、2,2’-雙(三氟甲基)對聯苯(TFMB)、鄰二甲基對二胺基聯苯(oTLD)、4,4'-亞甲基二苯胺(MDA)、4,4'-二胺基二環己基甲烷(MDCA)、1,4-二胺基環己烷(CHDA)、(4-(9-(4-氨基苯基)-9H-茀-9-基)苯胺(BAFL)、9-(4-氨基苯基)-9-苯基-9H-茀基-3-胺、1-(4-氨基苯基)-2,3-二氫-1,3,3-三甲基-1氫-茚-5-胺(TMDA)或其組合。
為使聚醯亞胺層具有較佳之熱穩定性、機械性質、電氣性與耐化性,更佳地,係採用選自以下群組之芳香族二酸酐與二胺:
二酸酐:均苯四甲酸二酐(PMDA)、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(S-BPDA)、4,4'-六氟亞異丙基-2,2-雙(酞酸酐)(6FDA)、二苯甲酮-四羧酸二酐(BTDA)、3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐(ODPA)及其組合。
二胺:4,4'-氧化二苯胺(ODA)、對苯二胺(pPDA)、間二甲基對二胺基聯苯(DMDB)、2,2’-雙(三氟甲基)對聯苯(2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine,TFMB)或其組合。
如上所述,本發明之第一聚醯亞胺層10及第二聚醯亞胺層13中
至少一者包含衍生自二胺基矽氧烷之聚合單元,所以該第一聚醯亞胺層10接觸於該第二聚醯亞胺層13時,可產生自黏性(self-adhesive)。欲製備該包含衍生自二胺基矽氧烷之聚合單元之聚醯亞胺層時,所用二胺單體除了習知的芳香族二胺單體外,尚須包含一種二胺基矽氧烷單體,該二胺基矽氧烷與芳香族二胺一起與二酸酐反應而製得聚醯胺酸。以二胺單體之總莫耳數計,該二胺基矽氧烷單體之用量係為約0.1mol%至<5mol%,較佳為約0.5mol%至約4.5mol%,更佳為約1mol%至約4mol%。當二胺基矽氧烷單體含量過多時(例如高於5mol%時),將致使玻璃轉換溫度過低,機械強度(如抗拉強度(Tensile Strength)、抗折強度(breaking strength)、尺寸安定性(dimensional stability)等)不佳,且使聚醯亞胺層熱膨脹係數過大,製成積層板後易有翹曲的現象;當二胺基矽氧烷單體含量過低時(例如低於0.1mol%時),則該第一聚醯亞胺層與該第二聚醯亞胺層之間無法產生自黏性。
根據本發明之一實施態樣,該第一及第二聚醯亞胺層中至少一者具有介於>250℃至320℃之玻璃轉換溫度,較佳具有260℃至310℃,更佳為具有270℃至300℃之玻璃轉換溫度。
本發明所使用之二胺基矽氧烷單體並無特殊限制,較佳為具下式(III)之二胺基矽氧烷單體:
其中R9為H、甲基、乙基或苯基,較佳為甲基;a為大於0的整數,較佳為介於2至5的整數;b為大於0的整數,較佳為介於1至10的整數,更佳介於1至5的整數。
根據本發明之一實施態樣,本發明所使用之二胺基矽氧烷單體可為:
或其組合,其中m為介於1至5的整數。
此外,根據本發明之一實施態様,本發明之聚醯亞胺可視需要包含含氮雜環官能基,例如但不限於咪唑基、吡啶基、或三唑基,較佳為三唑基。可藉由將含氮雜環官能基導入二酸酐單體或二胺單體中製備上述聚醯亞胺,或者在製備聚醯胺酸或聚醯亞胺後(例如藉由電漿接枝)將含氮雜環官能基附接至聚合物鏈上。含氮雜環官能基與金屬箔(如銅)可形成錯合物,從而可提升金屬箔與聚醯亞胺的接著度。
本發明另提供一種製備上述金屬被覆積層板之方法。本發明之方法包含下列步驟:(a)提供一第一金屬膜,該第一金屬膜包含第一金屬箔及直接設置於該第一金屬箔上之第一聚醯亞胺層;(b)提供一第二金屬膜,該第二金屬膜包含第二金屬箔及直接設置於該第二金屬箔上之第二聚醯亞胺層;及(c)將第一金屬膜的第一聚醯亞胺層和第二金屬膜的第二聚醯亞胺層重合並進行壓合,其中該第一金屬箔及第二金屬箔各自具有介於15ppm/℃至25ppm/℃之熱膨脹係數。
該第一金屬箔、該第二金屬箔、該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層之材料及性質係如本文先前所描述。
上述步驟(a)及(b)中,該第一金屬膜及第二金屬膜各自為無接著劑之二層軟性金屬膜。製備該第一及第二金屬膜之方法並無特殊限制,例如,可為濺鍍/電鍍法(sputtering/plating)、塗佈法(casting)或熱壓合法(lamination)。舉例言之,第一、濺鍍/電鍍法:在高真空的環境下,以濺鍍的方式沈積一層金屬薄膜(約在1微米以下)在聚醯亞胺膜上,以微影蝕刻的方式粗化表面,再以電鍍的方式將金屬層增厚至所需厚度;第二、塗佈法:以金屬箔為基材,先塗上一層薄的熱塑性聚醯亞胺前驅物,經乾燥後,再塗上第二層較厚的聚醯亞胺前驅物(一般係熱固性)以增加基板的剛性,經高溫環化後形成兩層式軟板;第三、熱壓合法:以聚醯亞胺膜為基材,先塗上一層薄的熱塑性聚醯亞胺前驅物,經高溫環化後將金屬箔放置在熱塑性聚醯亞胺上,在氮氣下以高溫熱滾輪的方式,在適當的貼合壓力下,將熱塑性聚醯亞胺重新熔融與金屬箔壓合,形成兩層式軟板。
根據本發明之一實施態樣,可先將芳香族二胺單體及二胺基矽氧烷單體與芳香族二酸酐反應製備聚醯胺酸溶液(例如但不限於在0℃至80℃下反應1至48小時),將該聚醯胺酸溶液塗佈在金屬箔上(塗佈厚度例如但不限約2微米至180微米)後進行預烤以移除溶劑(例如但不限於在50℃至200℃之溫度下加熱1分鐘至20分鐘),接著再進一步加熱使該聚醯胺酸進行脫水、環化成聚醯亞胺(例如但不限於在250℃至350℃之溫度下加熱30分鐘至180分鐘)。
根據本發明之另一實施態樣,可使用玻璃或塑膠為基材,將聚醯亞胺前驅物或前驅物組合物塗佈於基材,形成一包含基材和樹脂層之半成品,將該半成品加熱乾燥以移除溶劑,形成一包含基材和樹脂層之成品,將上述之成品之樹脂層表面,以上述濺鍍/電鍍法或熱壓
合法,於樹脂層上形成金屬箔層,隨後移除該玻璃或塑膠基材並進一步加熱,形成兩層式軟板。上述塑膠基材較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚環烯烴樹脂、三醋酸纖維素或其混合物。上述加熱乾燥所移除之溶劑係指製備本發明聚醯亞胺前驅物時為溶解單體或其他目的所添加之溶劑,其種類並無任何特別的限制,較佳為極性非質子性溶劑。舉例言之(但不以此為限),該非質子性溶劑可選自以下群組:N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基乙醯胺(DMF)、四甲基脲(tetramethylurea,TMU)、二甲基亞碸(Dimethylsulfoxide,DMSO)、及其組合,較佳為N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)。
步驟(c)可選任何方式,較佳以卷對卷(roll to roll)方式進行,將第一金屬膜之第一聚醯亞胺層朝向第二金屬膜之第二聚醯亞胺層,然後進行重合。上述步驟(c)可選任何方式進行壓合,例如但不限於:滾輪壓合(roller lamination)、熱板壓合(hot press)、真空壓合(vacuum lamination)或真空快壓(vacuum press),較佳為滾輪壓合。視需要,可施加保護膜於金屬膜上(保護膜/第一金屬膜或第二金屬膜/保護膜)一起進行壓合,上述保護膜之種類並無特殊限制,例如,可採用日本鐘淵(KANEKA)化學公司的NPI作為保護膜。
上述步驟(c)所用之聚醯亞胺層是由二酸酐單體與二胺單體進行開環聚合成聚醯胺酸後,再經醯亞胺化(imidization)脫水而成聚醯亞胺。所得聚醯亞胺結構擁有高對稱性,玻璃轉換溫度介於>250℃至320℃,具有優異的熱安定性;且因為具有與金屬箔相近的熱膨脹係數,所以可避免產生翹曲。一般在製造單面軟性電路板時,為防止在製程中產生翹曲,通常會在單面銅箔基板金屬的上下表面均貼附乾膜光阻,造成光阻的浪費。為節省製程時間,另有業者將兩個單面銅箔基板的聚醯亞胺層以膠帶進行貼合,並在兩面施作電路後,再將其分
離。然而,以膠帶進行貼合之方法一般僅適用於板對板(sheet by sheet)之製程,應用至卷對卷(roll to roll)製程時有其困難度,無法以卷對卷製程連續且快速地生產;此外,由於這類膠帶大多為環氧樹脂或丙烯酸酯等不耐高溫,且耐化性不佳,而印刷電路板製作一般包含酸性電鍍、酸性蝕刻及鹼性顯影、鍍金、化鎳浸金(electroless nickel immersion gold,ENIG)等製程,往往必須在膠帶失效後(例如,在蝕刻後),將其移除,以新膠帶重新貼合後再進行後續製程,因此不但製程繁複且可能有殘膠遺留。本發明之金屬被覆積層板之製造方法則無上述缺點,更適用於卷對卷製程。
另外,習知技術中製造雙面軟性電路板時,因為熱固性聚醯亞胺層之間,彼此附著性很差(一般而言,剝離強度約0~<5gf/cm),為讓熱固性聚醯亞胺層之間具有附著力,一般常使用熱塑性聚醯亞胺,舉例言之,台灣專利申請案第200709751A號揭露用熱塑性聚醯亞胺黏合兩聚醯亞胺層,但是這增加了製程的複雜性。再者,熱塑性聚醯亞胺常藉由導入柔性基團(例如C=O、-O-、-S-)以降低主鏈剛硬性、導入不對稱結構單體來降低高分子對稱性、使用非平面結構單體來降低共平面結構,也可以藉由降低規則性而降低玻璃轉換溫度。所以一般而言,熱塑性聚醯亞胺的玻璃轉換溫度(Tg)較低(約170℃~250℃),熱膨脹係數較高(約40ppm/℃~90ppm/℃),容易造成積層板翹曲。此外,由於熱塑性聚醯亞胺的玻璃轉換溫度較低,亦不利此雙面式基板之耐熱性。
本發明之第一聚醯亞胺層及第二聚醯亞胺層中至少一者包含衍生自二胺基矽氧烷之聚合單元,較佳為該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層均包含衍生自二胺基矽氧烷之聚合單元,所以該第一聚醯亞胺層與該第二聚醯亞胺層壓合後,可產生自黏性(self-adhesive)。舉例言之,將該第一聚醯亞胺層與該第二聚醯亞胺層重合後,升高溫度
及壓力後用輥壓機進行壓合,可使該第一聚醯亞胺層與該第二聚醯亞胺層之間產生化學鍵結(包括氫鍵結和共價鍵結),藉此增加接著力。上述的溫度及壓力取決於第一聚醯亞胺層與第二聚醯亞胺層之間所需的剝離強度。
上述步驟(c)之壓合較佳係在大於該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層之玻璃轉換溫度之溫度下進行。壓合之溫度及壓力可視所欲製之產品進行調整之。本案發明人經過反覆實驗及研究後發現:可藉由壓合之溫度及壓力與該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層之玻璃轉換溫度搭配,製備類雙面二層金屬被覆積層板或雙面二層金屬被覆積層板。
根據本發明之一具體實施態様,該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層之玻璃轉換溫度介於>250℃~320℃間,壓合溫度介於300℃~380℃間,壓合壓力介於1kg/cm2~100kg/cm2間,所得金屬被覆積層板係類雙面二層金屬被覆積層板,該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層之界面之剝離強度介於5gf/cm~500gf/cm。根據本發明之具體實施態樣,類雙面二層金屬被覆積層板的剝離強度可為5、6、7、8、10、15、30、45、60、75、90、100、130、150、200、300、400或500gf/cm。於上述壓合條件下所形成之類雙面二層金屬被覆積層板,第一聚醯亞胺層和第二聚醯亞胺層間具有適當的附著性,可通過軟性電路板的相關製程完成軟性電路板之製作,當製成軟性電路板後,又可輕易自該第一聚醯亞胺層和該第二聚醯亞胺層之間分離,成為兩單面軟性電路板。根據本發明之一較佳實施例,係使用輥壓機滾輪壓合該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層,壓合溫度較佳為介於310℃~370℃,壓力較佳為介於5kg/cm2~90kg/cm2。
因此,本發明之方法可藉由調整適當之壓合溫度與壓力,製備類雙面二層金屬被覆積層板,且可於金屬被覆積層板之雙面製備電路
後,輕易將其分離成兩單面軟性電路板,故可解決目前業界以膠帶貼合或使用熱塑型聚醯亞胺製造雙面二層金屬被覆積層板的缺點,具有簡化製程和節省成本的優點。
根據本發明之另一具體實施態様,該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層之玻璃轉換溫度介於>250℃~320℃間,藉由調整壓合溫度及壓力,本發明之方法也可製備雙面二層金屬被覆積層板。例如,使用介於350℃~400℃之壓合溫度及介於100kg/cm2~200kg/cm2之壓合壓力,使該第一聚醯亞胺層及第二聚醯亞胺層之界面產生大於500gf/cm之剝離強度,較佳為大於800gf/cm,更佳為大於1000gf/cm,該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層即可有效附著在一起,而不分離。
本發明之金屬被覆積層板可用於製備單面或雙面之軟性電路板。本發明之金屬被覆積層板因不含接著劑或在金屬箔及聚醯亞胺層間提供接著力用之熱塑性聚醯亞胺層,因此,可製得輕且薄之軟性電路板。此外,由於聚醯亞胺層與金屬箔具有相近之熱膨脹係數,可減少翹曲。
因此,本發明進一步提供一種製備單面之軟性電路板的方法,其包含以下步驟:(a1)提供本發明之金屬被覆積層板(該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層之界面具有介於5gf/cm~500gf/cm之剝離強度);(b1)於該第一金屬箔及該第二金屬箔之表面上各自形成至少一電路單元;及(c1)將第一聚醯亞胺層和第二聚醯亞胺層分離,形成兩組單面軟性電路板。
本發明所屬技術領域中具有通常知識者可理解,上述步驟(b1)中
形成電路單元用之第一金屬箔表面係指該第一金屬箔中相對於該第一金屬箔與該第一聚醯亞胺層附著表面之面,形成電路單元用之第二金屬箔表面係指該第二金屬箔中相對於該第二金屬箔與該第二聚醯亞胺層附著表面之面。
上述步驟(b1)中形成電路單元之方法並無特殊限制,可使用本發明所述技術領域中具有通常知識者所習知適當方法,例如,如圖2所示,可藉由曝光、顯影、蝕刻及移除光阻劑等步驟,將位於第一聚醯亞胺層20上之第一金屬箔21及位於第二聚醯亞胺層23上之第二金屬箔24各自圖案化以製備獨立之電路單元,隨後可視需要於經圖案化之該第一金屬箔21及/或第二金屬箔24上施加覆蓋膜(coverlay)22及25以保護電路單元,並視需要進行化鎳浸金製程(ENIG)(圖上未示出)。隨後於步驟(c1)中,自該第一聚醯亞胺層20及第二聚醯亞胺層23之界面進行分離,形成兩組單面配線軟性電路板200及210(參圖2)。
由於該第一聚醯亞胺層及該第二聚醯亞胺層之界面具有適當但不過度之剝離強度(介於5gf/cm~500gf/cm),因此,在步驟(c1)中,可利用例如卷軸式分離法,自該界面透過滾輪30及31進行分離,形成兩組單面軟性電路板200及210,並分別收成捲A及B(參圖3)。
本發明所屬技術領域中具有通常知識者可理解,本發明之金屬被覆積層板因具有雙面金屬箔,故除可用於製備單面軟性電路板,亦可以用於製備雙面軟性電路板,尤係當第一聚醯亞胺層及第二聚醯亞胺層之界面具有大於500gf/cm之剝離強度時。製備雙面配線之軟性電路板之方法並無特殊限制,可使用本發明所述技術領域中具有通常知識者所習知適當方法,例如但不限於,在上述步驟((b1)之後,進一步蝕刻所暴露出來之第一聚醯亞胺層及第二聚醯亞胺層形成一通孔於該通孔中濺鍍種子層後再鍍覆導電元件,電性連結上、下線路層。
鑑於此,本發明之金屬被覆積層板不但兼具單面板輕、薄之優
點及雙面板可同時製作雙面線路之優點,且可用以製備單面軟性電路板或雙面軟性電路板,因此,相較於習知單面軟性銅箔基板或雙面軟性銅箔基板用途更為廣泛。此外,本發明之金屬被覆積層板製備方式簡單,成本便宜,亦具經濟優勢。
本發明之較佳實施態樣已揭露如上,唯其係用於對本發明作進一步說明,而非用以限制本發明之範圍。任何熟悉此項技藝之人士可輕易達成之修飾及改變均包括於本案說明書揭示內容及所附申請專利範圍之範圍內。
以下實施例中所提及之縮寫定義如下:PAN-H:,m=1
將218.12克(1莫耳)之均苯四酸二酐(pyromellitic dianhydride,下文簡稱為PMDA)溶於1729克之N-甲基吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone;下文簡稱為NMP)中,加熱所得混合物至50℃且反應攪拌兩個小時。慢慢滴入11.61克(0.1莫耳)之丙烯酸2-羥基乙酯(2-hydroxyethyl acrylate,下文簡稱為HEA),於50℃下反應攪拌兩個小時。其後,將191.23克(0.955莫耳)之4,4'-氧化二苯胺(4,4'-oxydianiline,下文簡稱為ODA)及11.18克(0.045莫耳)之PAN-H加至溶液中,待完全溶解後,再於50℃下反應攪拌六個小時,可得聚醯亞胺前驅樹脂PAA-1,固含量為25%。
將218.12克(1莫耳)之PMDA溶於1724克之NMP中,加熱所得混合
物至50℃且反應攪拌兩個小時。慢慢滴入11.61克(0.1莫耳)之HEA,於50℃下反應攪拌兩個小時。其後,將196.24克(0.98莫耳)之ODA及4.97克(0.02莫耳)之PAN-H加至溶液中,待完全溶解後,再於50℃下反應攪拌六個小時,可得聚醯亞胺前驅樹脂PAA-2,固含量為25%。
將218.1克(1莫耳)之PMDA溶於1740克之NMP中,加熱所得混合物至50℃且反應攪拌兩個小時。慢慢滴入11.61克(0.1莫耳)之HEA,於50℃下反應攪拌兩個小時。其後,將180.22克(0.9莫耳)之ODA及24.85克(0.1莫耳)之PAN-H加至溶液中,待完全溶解後,再於50℃下反應攪拌六個小時,可得聚醯亞胺前驅樹脂PAA-3,固含量為25%。
將218.12克(1莫耳)之PMDA溶於1720克之NMP中,加熱所得混合物至50℃且反應攪拌兩個小時。慢慢滴入11.61克(0.1莫耳)之HEA,於50℃下反應攪拌兩個小時。其後,將200.24克(1莫耳)之ODA加至溶液中,待完全溶解後,再於50℃下反應攪拌六個小時,可得聚醯亞胺前驅樹脂PAA-4,固含量為25%。
將製備例1中合成之聚醯亞胺前驅樹脂溶液PAA-1以滾輪均勻塗佈於銅箔上(長春VLP銅箔,1/3oz(12μm)),以120℃烘烤5分鐘,接著以350℃氮氣烘箱烘烤120分鐘,即可得到具有聚醯亞胺塗層之單面銅箔積層板,聚醯亞胺塗層厚度約12μm。
取兩組上述之單面銅箔積層板,以聚醯亞胺層為內層,銅箔為外層,將其重合並以熱滾輪壓合,壓合條件為10kg/cm2、370℃,之後冷卻可得本發明之金屬被覆積層板Cu-PI-1。
同實施例1之方法,唯將壓合條件改為80kg/cm2、320℃,冷卻後可得本發明之金屬被覆積層板Cu-PI-2。
同實施例1之方法,唯將壓合條件改為190kg/cm2、350℃,冷卻後可得本發明之金屬被覆積層板Cu-PI-3。
同實施例1之方法,唯將壓合條件改為140kg/cm2、390℃,冷卻後可得本發明之金屬被覆積層板Cu-PI-4。
同實施例1之方法,唯將聚醯亞胺前驅樹脂溶液改為PAA-2,壓合條件相同:10kg/cm2、370℃,冷卻後可得本發明之金屬被覆積層板Cu-PI-5。
同實施例1之方法,唯將聚醯亞胺前驅樹脂溶液改為PAA-2,將壓合條件改為140kg/cm2、390℃,冷卻後可得本發明之金屬被覆積層板Cu-PI-6。
同實施例1之方法,唯將聚醯亞胺前驅樹脂溶液改為PAA-3,將壓合條件相同:10kg/cm2、370℃,冷卻後可得本發明之金屬被覆積層板Cu-PI-7。
同實施例1之方法,唯將聚醯亞胺前驅樹脂溶液改為PAA-3,將壓合條件改為140kg/cm2、390℃,冷卻後可得本發明之金屬被覆積層板Cu-PI-8。
同實施例1之方法,唯將聚醯亞胺前驅樹脂溶液改為PAA-4,將
壓合條件改為140kg/cm2、390℃,冷卻後可得本發明之金屬被覆積層板Cu-PI-9。
將單面金屬被覆積層板之聚醯亞胺層取下,以熱機械分析儀(TMA,德州儀器公司的TA Q400儀器)量測Tg數據。量測範圍為0至500℃,升溫速度為10℃/分。
將單面金屬被覆積層板之聚醯亞胺層取下,以熱機械分析儀(TMA,德州儀器公司的TA Q400儀器)量測CTE數據。量測範圍為0至500℃,升溫速度為10℃/分。
將上述實施例與比較例壓合完成之積層板裁切成15cm×1cm之測試條,將測試條末端處之兩聚醯亞胺層些微分開,分別夾於微電腦拉力測試機(HT-9102,弘達公司,最高荷重100公斤)之兩夾具頭;且於兩夾具頭相距1cm下,以上下180度對拉方式進行剝離強度測試。
將上述實施例與比較例壓合完成之積層板裁切成15cm×15cm之大小,並將其放置於平坦之玻璃上,於基層板四個角落處,量測積層板底部與玻璃之高度差,取最大值,高度低於5mm為合格。
抗張強度(tensile strength)係依據IPC-TM-650(2.4.19)方法,使用設備為萬能拉力機,測量上述實施例與比較例之壓合前的單面銅箔積層板,去除銅箔之後的聚醯亞胺膜之機械特性。高於100Mpa為合格。
各實施例與比較例相關測試結果如表1所示:
以實施例1至4與實施例5及6兩組實驗之結果顯示,藉由調整壓合溫度及壓力可製得具適當剝離強度之類雙面二層金屬被覆積層板(實施例1、2及5)或高剝離強度之雙面二層金屬積層板(實施例3、4及6)。此外,結果亦顯示實施例1至6之金屬被覆積層板具有與銅箔相近之熱膨脹係數,且抗翹曲及抗張強度方面均符合要求。
實施例1至4、實施例5及6與比較例7及8分別使用4.5mol%、2mol%及10mol%之二胺基矽氧烷單體(以二胺單體之總莫耳數計),所得聚醯亞胺層之玻璃轉換溫度分別為289℃、294℃及257℃,可知添加二胺基矽氧烷單體可降低聚醯亞胺層之玻璃轉換溫度。
比較例7及8之結果進一步顯示,使用10mol%之二胺基矽氧烷單體時,不僅玻璃轉換溫度下降至257℃,熱膨脹係數上升至26.1ppm/℃且抗張強度不佳。比較例7更產生大幅翹曲。
比較例9之結果顯示,若未添加二胺基矽氧烷單體,兩聚醯亞胺層之間無法有效附著在一起。
10‧‧‧第一聚醯亞胺層
11‧‧‧第一金屬箔
13‧‧‧第二聚醯亞胺層
14‧‧‧第二金屬箔
100‧‧‧金屬被覆積層板
Claims (19)
- 一種金屬被覆積層板,其包含:第一金屬箔;直接設置於該第一金屬箔上之第一聚醯亞胺層;第二金屬箔;及直接設置於該第二金屬箔上之第二聚醯亞胺層;其中該第一聚醯亞胺層接觸於該第二聚醯亞胺層,且該第一金屬箔及第二金屬箔各自具有介於15ppm/℃至25ppm/℃之熱膨脹係數,其中該第一聚醯亞胺層和第二聚醯亞胺層之間具有5gf/cm~500gf/cm之剝離強度。
- 如請求項1之金屬被覆積層板,其中該第一及第二聚醯亞胺層各自具有介於15ppm/℃至25ppm/℃之熱膨脹係數。
- 如請求項1之金屬被覆積層板,其中該第一及第二聚醯亞胺層各自具有介於>250℃至320℃之玻璃轉換溫度。
- 如請求項1之金屬被覆積層板,其中該第一及第二聚醯亞胺層中至少一者包含衍生自二胺基矽氧烷單體之聚合單元。
- 如請求項4之金屬被覆積層板,其中該二胺基矽氧烷單體係選自:
- 如請求項4或5之金屬被覆積層板,其中該二胺基矽氧烷單體之用量以其所在聚醯亞胺層中之二胺單體總莫耳數計,係為約0.1mol%至<5mol%。
- 如請求項1之金屬被覆積層板,其中該第一金屬箔及該第二金屬箔可各自獨立且包含銅箔、鋁箔或銅鋁合金之金屬箔。
- 一種製備如請求項1至7中任一項之金屬被覆積層板之方法,其包含:(a)提供一第一金屬膜,該第一金屬膜包含第一金屬箔及直接設置於該第一金屬箔上之第一聚醯亞胺層;(b)提供一第二金屬膜,該第二金屬膜包含第二金屬箔及直接設置於該第二金屬箔上之第二聚醯亞胺層;(c)將第一金屬膜的第一聚醯亞胺層和第二金屬膜的第二聚醯亞胺層重合並進行壓合,及其中該第一金屬箔及第二金屬箔各自具有介於15ppm/℃至25ppm/℃之熱膨脹係數;其中該第一聚醯亞胺層和該第二聚醯亞胺層之間具有5gf/cm~500gf/cm之剝離強度,且其中步驟(c)之壓合溫度為300℃~380℃、壓力為1kg/cm2~100kg/cm2。
- 如請求項8之方法,其中該第一及第二聚醯亞胺層各自具有介於>250℃至320℃之玻璃轉換溫度。
- 一種金屬被覆積層板,其包含: 第一金屬箔;直接設置於該第一金屬箔上之第一聚醯亞胺層;第二金屬箔;及直接設置於該第二金屬箔上之第二聚醯亞胺層;其中該第一聚醯亞胺層接觸於該第二聚醯亞胺層,且該第一金屬箔及第二金屬箔各自具有介於15ppm/℃至25ppm/℃之熱膨脹係數,其中該第一聚醯亞胺層和第二聚醯亞胺層之間具有大於500gf/cm之剝離強度。
- 如請求項10之金屬被覆積層板,其中該第一及第二聚醯亞胺層各自具有介於15ppm/℃至25ppm/℃之熱膨脹係數。
- 如請求項10之金屬被覆積層板,其中該第一及第二聚醯亞胺層各自具有介於>250℃至320℃之玻璃轉換溫度。
- 如請求項10之金屬被覆積層板,其中該第一及第二聚醯亞胺層中至少一者包含衍生自二胺基矽氧烷單體之聚合單元。
- 如請求項13之金屬被覆積層板,其中該二胺基矽氧烷單體係選自:
- 如請求項13或14之金屬被覆積層板,其中該二胺基矽氧烷單體之用量以其所在聚醯亞胺層中之二胺單體總莫耳數計,係為約0.1mol%至<5mol%。
- 如請求項10之金屬被覆積層板,其中該第一金屬箔及該第二金屬箔可各自獨立且包含銅箔、鋁箔或銅鋁合金之金屬箔。
- 一種製備如請求項10至16中任一項之金屬被覆積層板之方法,其包含:(a)提供一第一金屬膜,該第一金屬膜包含第一金屬箔及直接設置於該第一金屬箔上之第一聚醯亞胺層;(b)提供一第二金屬膜,該第二金屬膜包含第二金屬箔及直接設置於該第二金屬箔上之第二聚醯亞胺層;(c)將第一金屬膜的第一聚醯亞胺層和第二金屬膜的第二聚醯亞胺層重合並進行壓合,及其中該第一金屬箔及第二金屬箔各自具有介於15ppm/℃至25ppm/℃之熱膨脹係數;其中該第一聚醯亞胺層和該第二聚醯亞胺層之間具有大於500gf/cm之剝離強度,且其中步驟(c)之壓合溫度為350℃~400℃、壓力為100kg/cm2~200kg/cm2。
- 如請求項17之方法,其中該第一及第二聚醯亞胺層各自具有介於>250℃至320℃之玻璃轉換溫度。
- 一種製備軟性電路板之方法,其包含以下步驟:(a1)提供如請求項1之金屬被覆積層板;(b1)於該第一金屬箔及該第二金屬箔之表面上各自形成至少一電路單元;及(c1)將第一聚醯亞胺層和第二聚醯亞胺層分離,形成兩組單面軟性電路板。
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