[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TWI557512B - 適於與上塗光阻併用之塗覆組成物 - Google Patents

適於與上塗光阻併用之塗覆組成物 Download PDF

Info

Publication number
TWI557512B
TWI557512B TW099103465A TW99103465A TWI557512B TW I557512 B TWI557512 B TW I557512B TW 099103465 A TW099103465 A TW 099103465A TW 99103465 A TW99103465 A TW 99103465A TW I557512 B TWI557512 B TW I557512B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin
composition
coating composition
layer
photoresist
Prior art date
Application number
TW099103465A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201100967A (en
Inventor
詹姆士Ｆ 卡麥隆
成鎮旭
約翰Ｐ 阿瑪瑞
古葛利Ｐ 波寇普茲
大衛Ａ 法勒瑞
Original Assignee
羅門哈斯電子材料有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 羅門哈斯電子材料有限公司 filed Critical 羅門哈斯電子材料有限公司
Publication of TW201100967A publication Critical patent/TW201100967A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI557512B publication Critical patent/TWI557512B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
    • B05D3/0254—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/06—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain multicolour or other optical effects
    • B05D5/061—Special surface effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/50—Multilayers
    • B05D7/52—Two layers
    • B05D7/54—No clear coat specified
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/34—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate
    • C08F220/36—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate containing oxygen in addition to the carboxy oxygen, e.g. 2-N-morpholinoethyl (meth)acrylate or 2-isocyanatoethyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09D133/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C09D133/12—Homopolymers or copolymers of methyl methacrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D167/00—Coating compositions based on polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D167/02—Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/006—Anti-reflective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

適於與上塗光阻併用之塗覆組成物
本發明係關於組成物(包括抗反射塗覆組成物，或"ARCs")，該組成物能減少自基板反射回到上塗光阻層的曝光輻射，及/或作為平坦化層、保形層或填孔(via-fill)層。更特別地，本發明係關於有機塗覆組成物，尤指抗反射塗覆組成物，其係包含二烯/親二烯體反應產物。
光阻係用於將影像轉印到基板之感光膜。光阻之塗層係形成於基板上，然後該光阻層係通過光罩曝光於活化輻射源中。曝光後，使光阻顯影，以提供浮雕影像，其允許對基板進行選擇性加工。
光阻的主要用途是用於半導體的製造，其目的是將高度拋光的半導體薄片(例如矽或砷化鎵薄片)轉變成可執行電路功能的導電路徑之複雜矩陣，該導電路徑較佳為微米或次微米幾何學。適宜的光阻加工是達成此目的之關鍵。雖然在各光阻加工步驟間有強烈的相互依賴性，咸信曝光是獲得高解析度的光阻影像之最重要步驟之一。
用於使光阻曝光之活化輻射之反射經常對在光阻層中圖案化之影像的解析度造成限制。來自基板/光阻之界面之輻射反射可能於光阻中產生輻射強度的空間差異，造成顯影時光阻線寬不一致。輻射亦可能從基板/光阻之界面散射至光阻中不希望曝光的區域，同樣造成線寬的差異。散射量和反射量通常會隨區域而異，結果更進一步導致線寬的不一致。基板形貌之差異也會引起限制解析度的問題。
一種用於減少反射輻射的問題之方法是在基板表面與光阻塗層之間使用輻射吸收層。
雖然目前有機抗反射塗覆組成物於很多應用中高度有效，仍頻繁期待具有符合特殊加工需求之特定抗反射組成物。例如，為人所欲者為藉由不同於電漿蝕刻劑之手段移除不具有上塗光阻之抗反射層(如具有正阻劑，藉由鹼性水性顯影劑移除曝光阻劑區域)。參見美國專利案第6844131號及美國專利案公開第US20050181299號。此等途徑具備避免額外之加工步驟以及避免與最下層抗反射塗層之電漿蝕刻劑移除相關之困難的潛力。
所欲者係具有能於微電子晶圓之製造中用來作為下層抗反射塗層之新穎組成物。尤其所欲者係具有能用來作為下層抗反射塗層且可以水性光阻顯影劑移除之新穎組成物。
現在本案發明人找到一種尤其適宜作為供上塗光阻層用之下層抗反射塗層之新穎塗覆組成物。
更詳言之，於第一態樣，本發明係提供組成物，該組成物係含有一組分(本文中有時稱為"反應組分")，該組分為二烯與親二烯體之反應產物。較佳之二烯與親二烯體兩者皆具有不飽和基，且較佳能組合以形成環狀加成物，其中有鍵多重性(bond multiplicity)淨降低(net reduction)。較佳之二烯富含電子，包括碳環基或雜芳基，包括多環碳環基或多環雜芳基，尤指稠合環基如蒽或稠五苯基。較佳之親二烯體包括含有烯烴部份之基，該烯烴部份係具有近接(如1、2或3個原子範圍內)之拉電子取代基，如較佳之親二烯體包括包含一個或多個α,β-不飽和基之基團。具體較佳之親二烯體包括含有醯亞胺之基(尤指馬來醯亞胺)、酐(如馬來酸酐)、以及其他基(如丁炔二酸二甲酯)。
於較佳態樣，本發明係提供包含反應產物組分之組成物，該反應產物組分為如上所述之二烯與親二烯體之狄耳士-阿德爾反應(Diels Alder)產物。本文係根據其習知之意義使用術語"狄耳士-阿德爾反應"亦即(4+2)環加成，該(4+2)環加成係例如參考於IUPAC建議之《化學技術概述(第二版)》(Compendium of Chemical Technology,IUPAC Recommendations,2nd edition)(1997，布萊克威爾科學(Blackwell Science))中"環加成"之定義所述及者。較佳之狄耳士-阿德爾反應產物係包括(i)與(ii)之反應產物：(i)含有醯亞胺之化合物如馬來醯亞胺或其他親二烯體，如酐(如馬來酸酐)，以及其他基(如丁炔二酸二甲酯)；與(ii)多環芳基。特佳之狄耳士-阿德爾反應產物係包括(1)與(2)之反應產物：(1)含有醯亞胺之化合物如馬來醯亞胺、或其他親二烯體，如酐(如馬來酸酐)，以及其他基(如丁炔二酸二甲酯)；與(2)蒽或稠五苯基。
通常，本發明之下層塗覆組成物之較佳反應產物組分為樹脂，包括均聚物及混合聚合物如共聚物(兩種不同之重複單元)、三元聚合物(三種不同之重複單元)、四元聚合物(四種不同之重複單元)、五元聚合物(五種不同之重複單元)或其他甚至更高序之聚合物(higher order polymer)。
於某些態樣，特佳之反應產物組分係樹脂，其包含至少三種或四種不同之官能基，該官能基能賦予下列性能：(1)對溶解速率之抑制；(2)抗剝離性(例如抗溶劑剝離性)；(3)所欲之水性鹼性顯影劑溶解性(如光酸不穩定基如光酸不穩定酯(如-C(=O)OC(CH3)3)或縮醛部份)；以及(4)用以吸收光阻曝光輻射之非所欲反射的發色基團(如碳環芳基如視需要經取代之苯基、萘基或蒽基)。
重要的是，本發明之經加工之塗覆組成物較佳可使用供上塗光阻層顯影用之水性鹼性顯影劑移除，以暴露下層表面。這會提供很多顯著優點，包括降低了使用電漿蝕刻劑來移除該下層塗層所需之額外加工步驟，以及成本。
本發明之塗覆組成物除了含有該反應組分外，亦可視需要含有一種或多種其他材料。舉例而言，本發明之塗覆組成物可含有額外組分，該額外組分係包含發色基團，該發色基團能吸收用於使上塗光阻層曝光之非所欲輻射以防止其反射回到該光阻層中。此等發色基團可存在於多種組成物組分中，包括該反應組分本身，或額外組分可包含發色基團如可具有作為主鏈成員或作為側基之發色基團之經添加之樹脂，及/或可含有一個或多個發色部份之經添加之小分子(如Mw低於約1,000或500)。
包含在本發明之塗覆組成物內，尤其是用於抗反射的應用中之一般較佳發色基團包括單環芳香族基團及多環芳香族基團兩者，例如視需要經取代之苯基、視需要經取代之萘基、視需要經取代之蒽基、視需要經取代之菲基、視需要經取代之喹啉基(quinolinyl)，等。特別佳的發色基團可隨著用於使上塗光阻層曝光之輻射而異。更詳言之，在248奈米(nm)使上塗光阻曝光時，視需要經取代之蒽基及視需要經取代之萘基為抗反射組成物之較佳發色基團。在193nm使上塗光阻曝光時，視需要經取代之苯基及視需要經取代之萘基為特別佳的發色基團。
本發明之塗覆組成物亦可視需要包含酸或酸產生劑化合物(如光酸產生劑及/或熱酸產生劑)以於所塗覆之組成物塗層之微影熱加工過程中促進組成物組分之反應。通常，光酸產生劑化合物(即能於曝光於活化輻射如193nm時產生酸之化合物)及/或熱酸產生劑化合物(即能於熱處理時產生酸之化合物)係適宜者。
以用於曝光上塗光阻層之輻射處理時，包括於下層塗覆組成物中之光酸產生劑化合物能產生酸。藉由如是般使用光酸產生劑化合物，在將光阻層塗覆於該下層塗覆組成物上之前，不會從該光酸產生劑化合物中釋放酸。將所塗覆之阻劑層曝光於圖形化之活化輻射會從該塗覆組成物之光酸產生劑化合物釋放酸，且能藉由彌補可能在該阻劑/塗覆組成物處自該阻劑擴散至該塗覆組成物中之光酸來提升於該塗覆組成物上圖形化之阻劑影像的解析度，亦於使用水性鹼性顯影劑處之理過程中促進該下層塗覆組成物的所欲選擇性顯影。
塗覆組成物可呈溶解於適宜溶劑中之如上所述之反應組分及一種或多種視需要之組分之混合物而提供。該溶劑組分可適宜地為一種或多種有機溶劑如一種或多種醇溶劑如乳酸乙酯、丙二醇甲醚(1-甲氧基-2-丙醇)、2-羥基異丁酸甲酯，等及/或一種或多種非羥基溶劑，如乙氧基丙酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯(1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯)等。
隨後藉由諸如旋塗將該塗覆組成物(即旋塗式組成物(spin-on composition)塗覆至基板如微電子半導體晶圓上。可藉由加熱如於真空熱板上於170℃至250℃加熱移除該溶劑載劑。
多種光阻皆可與本發明之塗覆組成物組合使用(亦即，上塗)。與本發明抗反射組成物併用之較佳光阻為化學增幅型光阻，尤指正作用型光阻，該正作用型光阻包含一種或多種光酸產生劑化合物及樹脂組分，該樹脂組分含有在因光產生的酸存在下會進行去封阻反應(deblocking reaction)或裂解反應的單元，例如光酸不穩定性的酯、縮醛、縮酮、或醚單元。用於與本發明之塗覆組成物併用之較佳光阻可以相對短波長的輻射影像化，例如波長低於300nm或低於260nm(例如約248nm)的輻射，或波長低於約200nm(例如193nm或157nm)的輻射。其他有用之曝光能量係包括EUV、電子束(e-beam)、IPL及X-射線曝光。
本發明進一步提供形成光阻浮雕影像之方法和包含基板(如微電子晶圓基板)的新穎製品，該基板係單獨以本發明之塗覆組成物塗覆或將本發明之塗覆組成物與光阻組成物組合塗覆。
如上所述，可使用與用以顯影上塗之光阻層之顯影劑相同之水性、鹼性顯影劑溶液移除經加工之下層塗覆組成物層，亦即於曝光過程中該等藉由光罩界定之區域內，於單一步驟中，該經曝光之光阻層與下層塗覆組成物兩者皆可使用水性鹼性顯影劑移除。
因此，更詳而言之，本發明之較佳方法可包括：
1.　塗覆包含一種或多種如上所述之反應組分之組成物之塗層。該組成物塗層可塗覆於多種基板包括微電子晶圓上。
2.　較佳地熱處理所塗覆之組成物塗層。該熱處理可移除該塗覆組成物之澆鑄溶劑並使得該組成物層實質上不溶於光阻澆鑄溶劑如乳酸乙酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、2-庚酮等。
3.　將光阻組成物塗層塗覆於經熱烘烤之下層組成物塗層上。將所塗覆之光阻層曝光于活化輻射如波長低於300nm(如248nm)或低於200nm(如193nm)之輻射，典型地，該曝光係通過光罩進行以於該阻劑層中形成圖形化之影像。可視需要熱處理該經曝光之光阻以提升或形成該潛像(latent image)。
4.　隨後使用顯影劑溶液如水性鹼性顯影劑溶液處理該經曝光之光阻層。該顯影劑溶液可移除於該阻劑層中界定之影像及該下層塗覆組成物層之匹配區域，亦即浮雕影像係通過該光阻層及該下層塗覆組成物層兩者界定。
於較佳之態樣，本發明之下層塗覆組成物係與正作用光阻(如可於低於300nm(sub-300nm)及低於200nm之波長，如248nm或193nm成像者)組合使用。較佳係化學增幅型正阻劑，其係含有一組分，該組分具有於因光產生之酸的存在下會進行去封阻或裂解反應之部份，如光酸不穩定之酯或縮醛。用於在低於300nm如248nm成像之較佳正作用光阻係包含聚合物及光酸產生劑化合物，該聚合物係包含酚類單元及酸不穩定之酯及/或縮醛部份。用於在低於200nm如193nm成像之較佳正作用光阻係實質上不含有芳族基，尤其不含有具有苯基或其他芳族取代之樹脂。
於另一態樣，本發明亦包括生產本發明之塗覆組成物之方法，以及形成光阻浮雕影像之方法及製造電子裝置(如經加工之微電子晶圓之方法。
於本發明之又一態樣，係提供包含一種或多種下式之基的化合物(如樹脂)：
於上式中，各R係獨立為氫或非氫，如為H、C1-18烷基(包括甲基)、芳基(包括碳環芳基如苯基、萘基)及C1-18烷氧基。
較佳之上式化合物係包括樹脂，其中之一種或多種重複單元可包含一種或多種上述基團。例如，可將下列較佳之丙烯酸酯化合物與其他反應性單體聚合以提供包含經聚合單元之樹脂：
於上式中，各R係獨立為氫或非氫，如為H、C1-18烷基(包括甲基)、芳基(包括碳環芳基如苯基、萘基)及C1-18烷氧基；以及R’為氫或C1-6烷基如甲基。
本發明之其它態樣係揭示如下。
如上所述，發明人現在提供一種新穎有機塗覆組成物，尤指適用於與上塗光阻併用者。本發明之較佳塗覆組成物可藉由旋塗(旋塗式組成物)施加並配製成溶劑組成物。本發明之塗覆組成物特別是於作為供上塗光阻用之抗反射組成物。
下層塗覆組成物
如上所述，於第一態樣，下層塗覆組成物係包含反應產物組分，該反應產物組分係二烯與親二烯體之反應產物。於另一態樣，下層塗覆組成物係包含反應產物組分，該反應產物組分係狄耳士-阿德爾反應產物。反應產物組分適宜地為樹脂，包括均聚物及更高序聚合物兩者，該更高序聚合物係諸如共聚物、三元聚合物、四元聚合物及五元聚合物。
反應產物組分可藉由各種方法合成之。例如，兩種材料之狄耳士-阿德爾反應產物係較佳之單體。隨後可使該單體與其他單體反應以提供本發明之下層塗覆組成物之樹脂組分。狄耳士-阿德爾反應及其他環加成反應係已知者。
或者，所形成的含有二烯(如蒽或稠五苯)與親二烯體(如包含具有一個或多個拉電子取代基之烯烴之物質，如馬來醯亞胺、馬來酸酐或丁炔二酸二甲酯)之一者或兩者之樹脂能進行環加成反應以提供本發明之下層塗覆組成物之反應產物組分。例如，參見實施例4至6，其依循自預形成之聚合物合成樹脂反應產物組分之例示性合成。
更特別地，下列反應式1說明通過狄耳士-阿德爾反應改性之例示性單體，此改性單體能被聚合以提供本發明之下層塗覆組成物之樹脂反應產物組分。
上揭反應式1說明甲基丙烯酸蒽甲酯單體1與N-取代之馬來醯亞胺之環加成(尤指狄耳士-阿德爾)反應，以提供具有側接之馬來醯亞胺官能性之改性甲基丙烯酸系單體2。基於該兩個苯并稠合之芳香取代基，單體2能提供於193nm處的強吸收。此外，該側接之馬來醯亞胺加成物能影響原本為溶劑可溶且鹼不可溶之單體1之鹼溶解性特徵及抗溶劑剝離性。
於反應式1中顯示之反應條件下(迴流之N,N-二甲基甲醯胺，12小時)下，已經發現所說明之環加成反應可輕易進行。也參見依循用於例示性較佳反應條件之實施例。
下述反應式2說明經狄耳士-阿德爾反應改性之例示性單體，該單體能被聚合以提供本發明之下層塗覆組成物之樹脂反應產物組分。
上揭反應式2說明甲基丙烯酸稠五苯甲酯(pentacenemethylmethacrylate)單體與N-取代之馬來醯亞胺之環加成(尤指狄耳士-阿德爾)反應，以提供具有側接之馬來醯亞胺官能性之改性甲基丙烯酸系單體。基於該兩 個苯并稠合之芳香取代基，單體2能提供於193nm處的強吸收。此外，該側接之馬來醯亞胺加成物能影響原本為溶劑可溶且鹼不不可溶之甲基丙烯酸稠五苯甲酯單體之鹼溶解性特徵及抗溶劑剝離性。
如上所述，下層塗覆組成物層之區域可使用水性鹼性顯影劑組成物(如0.26N氫氧化四甲基銨水性顯影劑溶液)選擇性地移除。較佳反應產物組分為具有多個不同之官能基的聚合物。
本發明之較佳下層塗覆組成物於熱處理如180℃或240℃處理1至5分鐘時不進行顯著交聯(組成物組分之分子量增加)。參見實施例15，其遵循用於確認塗層是否未進行實質交聯之協定。
下層塗覆組成物之較佳反應產物組分包含一個或多個光酸不穩定官能基，該光酸不穩定官能基能進行裂解或去保護反應以提供會促進水性鹼性顯影劑溶解性之官能基，如羧基、氟化醇、酚、醯胺、黃醯胺及其他此等部份。當對上塗之光阻層進行影像式曝光及曝光後烘烤時，該下層塗覆組成物之該反應組分之該光酸不穩定基能反應且釋放促進水性鹼性顯影劑溶解性之官能基。
下層塗覆組成物之反應產物組分較佳係除了含有酸不穩定基外，亦含有其他官能基如發色基團；抗溶劑剝離基團(降低該反應組分於上塗之光阻層之載劑溶劑中的溶解速率)；溶解速率促進劑(不含有光酸不穩定基但仍能促進於水性鹼性顯影劑中的溶解速率；酸不穩定基)；等。
更特別地，反應產物組分之較佳官能基係包括下列：
1.　發色基團：於248nm(KrF曝光)或193nm(ArF曝光)具有足夠之吸收度以於抗反射應用中提供反射控制之有機官能基。各種經取代之蒽、萘及苯基係較佳發色基團之實例。此等發色基團可使用下列單體併入聚合物中：甲基丙烯酸蒽甲基酯(ANTMA)、羥基苯乙烯單體(PHS)、乙醯氧基-苯乙烯單體(4AS)、羥基乙烯基萘單體(HVN)、以及2-甲基丙烯酸6-羥基萘-2-基甲基酯(HNMA-2)。
2.　抗溶劑剝離基：作為聚合物組分之降低該聚合物於各種所選擇之通常用於KrF及ArF型阻劑配方之有機溶劑中的溶解速率的有機官能基。此等係包括PGMEA、乳酸乙酯及羥基異丁酸甲酯。抗溶劑剝離基能允許將上塗光阻層塗覆於該下層而沒有相互混合。各種經取代之醯胺、內酯、羧酸、羧酸酯及其他可水解基係能向聚合物系下層組成物提供抗溶劑剝離性的官能基的實例。此等抗溶劑剝離促進劑可使用下列例示性單體併入聚合物中：馬來醯亞胺、降莰基內酯丙烯酸酯單體(NLA)、降莰基內酯甲基丙烯酸酯單體(NLM)、及甲基丙烯酸蒽甲酯-馬來醯亞胺環加成物(ANT-MI)。
3.　溶解速率促進劑基：作為聚合物組分之促進(增加)該聚合物於氫氧化四甲基銨水溶液(0.26N)中之溶解速率的有機官能基。各種經取代之醯亞胺、醯胺、酚、磺醯胺、氟化醇包括六氟醇(如-C(CF3)2OH)、內酯、羧酸、羧酸酯及其他可水解基係較佳溶解速率促進劑的實例。此等溶解速率促進劑可使用下列單體併入聚合物中：馬來醯亞胺、羥基苯乙烯單體、乙醯氧基苯乙烯單體、羥基乙烯基萘單體、降莰基內酯丙烯酸酯單體(NLA)、降莰基內酯甲基丙烯酸酯單體(NLM)及甲基丙烯酸蒽甲酯-馬來醯亞胺環加成物(ANT-MI)。
4.酸不穩定基：作為聚合物組分之可進行酸催化之去保護反應之有機官能基。於此等應用中，該酸催化劑係藉由光酸產生劑(PAG)之手段提供，該光酸產生劑係於上塗光阻之光微影加工過程中在經曝光之區域內提供酸。該去保護反應顯著增加該聚合物於顯影劑溶液中的溶解速率，允許以良好圖形逼真度之方式移除經曝光區域之該光阻以及該下層組成物層。藉由該去保護之酸不穩定基提供之於水性顯影劑溶液中的快溶解速率，消除或至少最小化任何顯影後於該經曝光區域內觀察到的下層塗覆組成物殘質或浮渣。該酸催化之丙烯酸第三丁酯之去保護反應係較佳實例。
本發明之下層塗覆組成物之樹脂反應產物組分的適宜分子量可於相當寬之範圍內變動，如適宜之重量平均分子量可自約1,000至50,000之範圍內，更佳約1,500至10,000、20,000或30,000之範圍內變動。
用於本發明之下層塗覆組成物之例示性較佳反應產物組分係於遵循上述反應式1及2之實施例中詳細揭露。
如上所述，本發明之特佳下層塗覆組成物可另外包含一種或多種光酸產生劑化合物。於上塗光阻層之成像曝光過程中活化該光酸產生劑化合物可造成該下層塗覆組成物之反應組分之酸不穩定基的反應，並使得後續之該成像之光阻與下層塗覆組成物層兩者之單一步驟顯影成為可能。
下層塗覆組成物中可採用多種光酸產生劑化合物包括離子型化合物，例如鎓鹽(如鋶及/或錪鎓化合物)；及非離子型光酸產生劑，例如亞胺磺酸酯、N-磺醯氧基醯亞胺、二碸化合物及硝基苄基系光酸產生劑；以及其它已用於光阻組成物的光酸產生劑。特別適宜用於本發明之塗覆組成物之光酸產生劑化合物包括以下所列之彼等用於光阻組成物者，以及在美國專利案第6,20,911及6,803,169號中所揭示的離子型與非離子型光酸產生劑，例如：包括三苯基鋶鹽之鋶化合物；包括二苯基錪鎓鹽之錪鎓化合物以及亞胺磺酸酯，以及其它非離子型光酸產生劑化合物。
一種或多種光酸產生劑可以各種不同的量用於下層塗覆組成物中，例如，以該下層塗覆組成物之總固體(除了溶劑載劑之外的所有組分)為基準計，該一種或多種光酸產生劑化合物的量係約5重量%或更低，適宜地係低於該下層塗覆組成物之總固體之4、3、2或甚至1重量%。
本發明之下層塗覆組成物，尤其當一種或多種光酸產生劑化合物係存在於此等組成物中時，該組成物的另一視需要添加的添加劑為額外的鹼，尤指氫氧化四丁基銨(TBAH)或乳酸四丁基銨，或受阻胺，如二氮雜雙環十一烯或二氮雜雙環壬烯。添加的鹼係適宜地以相對少量使用，例如，相對於下層塗覆組成物之總固體量而言係大約0.03至5重量%。
本發明之塗覆組成物，尤其是用於反射控制之應用者，亦可含有可吸收用於使上塗光阻層曝光之輻射之額外染料化合物。其它視需要之添加劑包括：表面整平劑，如購自Union Carbide公司且商品名為Silwet 7604之表面整平劑，或購自3M公司的界面活性劑FC171或FC431，或來自Omnaova之PF-656界面活性劑。
下層塗覆組成物之再一視需要添加的添加劑為除了該樹脂產物組分外且與該樹脂產物組分不同之一種或多種樹脂。例如，包含所欲之發色基團(如蒽、苯基或萘基)之聚酯系樹脂或丙烯酸酯系樹脂可包括於組成物中以對所塗覆之組成物提供發色功能(以及吸收曝光輻射的非所欲反射光)以及膜形成性能兩者。
如上所述，本發明之塗覆組成物係適宜地配製成液體旋塗式組成物，且含有一種或多種經摻合之溶劑。該適宜的溶劑包括例如：乳酸酯如乳酸乙酯或乳酸甲酯；乙酸酯如乙酸戊酯；苯甲醚；一種或多種二醇醚如2-甲氧基乙基醚(二甘二甲醚)、乙二醇單甲醚、及丙二醇單甲醚；具有醚及羥基部份兩者之溶劑，如甲氧基丁醇、乙氧基丁醇、甲氧基丙醇及乙氧基丙醇；酯，如甲基賽路蘇乙酸酯、乙基賽路蘇乙酸酯、2-羥基異丁酸甲酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚乙酸酯；以及其他溶劑如二元酯、碳酸丙烯酯及γ-丁內酯，酮如庚酮(尤指2-庚酮)及環己酮等。
為製得本發明之液態塗覆組成物，該塗覆組成物之組分係溶解於適宜溶劑中，舉例而言，一種或多種之乳酸乙酯、乙酸丙二醇甲酯、及/或2-羥基異丁酸甲酯。溶劑中乾組分之較佳濃度係取決於多種因素，如應用的方法。通常，塗覆組成物之固體含量在該塗覆組成物總重之約0..5至20重量%內變動，較佳地，該固體含量係在該塗覆組成物之約2至10重量%內變動。基於下層塗覆組成物之總固體(除了溶劑載劑之外的全部材料)，該反應產物組分(如一種或多種樹脂)可包含該組成物總固體之主要部份，如塗覆組成物之60重量%、70重量%、80重量%、90重量%、95重量%或更高者可係由該反應產物組分組成。參見遵循本發明下層塗覆組成物之材料之例示性較佳量之實施例。
光阻組成物
許多種光阻組成物皆可與本發明之塗覆組成物併用，包括如上所述之正作用光酸產生劑組成物。與本發明之塗覆組成物併用之光阻典型地包含樹脂和光活性組分，典型地為光酸產生劑化合物。較佳地，該光阻樹脂黏合劑具有可使成像之阻劑組成物進行水性鹼性顯影之官能基。
如上所述，用於與本發明之塗覆組成物併用之特別佳光阻包括化學增幅型光阻，包括正作用化學增幅型阻劑組成物，其中在阻劑層中的光活化之酸會誘導一種或多種組成物組分之去保護型反應，藉此在該光阻塗層中之經曝光區域與未曝光區域之間提供溶解度差異。許多化學增幅型阻劑組成物已詳述於例如美國專利案第4,968,581、4,883,740、4,810,613、4,491,628及5,492,793號中，上揭專利係藉由引用其製作及使用化學增幅型正作用阻劑之教示而併入本文。
本發明之塗覆組成物亦可與其它正阻劑併用，包括彼等含有樹脂黏合劑之正阻劑，該樹脂黏合劑係包含諸如羥基或羧基之極性官能基，且該樹脂於阻劑組成物中的用量足以使該光阻能以水性鹼性溶液顯影。通常，較佳阻劑樹脂為酚系樹脂(phenolic resin)，包括酚醛縮合物(該技藝中習知之酚醛樹脂(novolak resin))、烯基酚之均聚物及共聚物、以及N-羥基苯基-馬來醯亞胺之均聚物和共聚物，以及氟化醇包括六氟醇(如-C(CF3)2OH)之共聚物。
用於與本發明之下層塗覆組成物併用之較佳正作用光阻含有成像有效量之光酸產生劑化合物及一種或多種選自下列群組之樹脂：
1)　含有能提供特別適用於在248nm成像之化學增幅型正阻劑的酸不穩定基之酚系樹脂。特佳之此類樹脂係包括：i)　含有乙烯基酚及丙烯酸烷基酯之聚合單元的聚合物，其中該經聚合之丙烯酸烷基酯單元能於光酸之存在下進行去封阻反應。能進行光酸誘導之去封阻反應的例示性丙烯酸烷基酯係包括諸如丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸甲基金剛烷基酯、甲基丙烯酸甲基金剛烷基酯、以及其他能進行光酸誘導反應之丙烯酸非環狀烷基酯及丙烯酸脂環族酯，如藉由引用形式併入本文之美國專利案第6,042,997號及第5,492,793號中所揭示之聚合物；ii)含有下述聚合單元之聚合物：乙烯基酚、不含羥基或羧基環取代基之視需要經取代之乙烯基苯基(如苯乙烯)、以及丙烯酸烷基酯如上揭聚合物i)所揭示之彼等去封阻基，如藉由引用形式併入本文之美國專利案第6,042,997號所揭示之聚合物；iii)含有下述重複單元之聚合物：包含將與光酸反應之縮醛或縮酮部分的重複單元、以及視需要之芳香族重複單元(如苯基或酚基)，此等聚合物已經於藉由引用形式併入本文之美國專利案第5,929,176號及第6,090,526號中揭示之；iv)包含第三丁氧基羰基氧基保護基(tBoc)之聚合物；以及v)聚合物摻合物，其中該摻合物之至少一種聚合物係包含酸不穩定基；
2)　能提供特別適用於在低於200nm之波長如193nm成像之化學增幅型正阻劑的實質上或完全不含苯基或其他芳香族基之樹脂。特佳之此類樹脂係包括：i)含有非芳香族環狀烯烴(內環雙鍵)(如視需要經取代之降莰烯)之聚合單元的聚合物，如於藉由引用形式併入本文之美國專利案第5,843,624號及第6,048,664號中所揭示之聚合物；ii)含有丙烯酸烷基酯單元如丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸甲基金剛烷基酯、甲基丙烯酸甲基金剛烷基酯、以及其他丙烯酸非環狀烷基酯及丙烯酸脂環族酯的聚合物，如已經於藉由引用形式併入本文之美國專利案第6,057,083號、歐洲申請案公開第EP01008913A1號及EP00930542A1號以及美國臨時專利申請案第09/143,462號中揭示之聚合物；以及iii)含有聚合之酸酐單元(尤其是聚合之馬來酸酐及/或伊康酸酐單元)的聚合物，如於藉由引用形式併入本文之歐洲申請案公開第EP01008913A1號及美國專利案第6,048,662號中所揭示者；
3)　含有具雜原子(尤其是氧及/或硫)之重複單元(但不是酸酐，即該單元不含有酮基環原子)，且較佳實質上或完全不含任何芳香族單元之樹脂。該雜脂環族單元較佳係與該樹脂主鏈稠合，更佳地該樹脂包含稠合之碳脂環族單元(如藉由降莰烯基之聚合反應所提供者)及/或酸酐單元(如藉由馬來酸酐或伊康酸酐之聚合反應所提供者)。此等樹脂於PCT/US01/14914及美國專利案第6,306,554號中有所揭示；
4)　含有氟取代之樹脂(氟聚合物)，如可藉由四氟乙烯、氟化之芳香族基(如氟-苯乙烯化合物)等的聚合反應所提供者。舉例而言，此等樹脂之實例係於PCT/US99/21912中揭露。
適用於在塗覆於本發明之塗覆組成物之上之光阻中使用的光酸產生劑係包括亞胺基磺酸酯(imidosulfonate)，如下式之化合物：
其中R為樟腦基、金剛烷基、烷基(如C1-12烷基)及全氟烷基(如全氟(C1-12烷基))；尤其是全氟辛烷磺酸酯及全氟壬烷磺酸酯。特佳之PAG為N-[(全氟辛烷磺醯基)氧基]-5-降莰烯-2,3-二羧醯亞胺。
磺酸化合物(sulfonate compound)亦為用於塗覆於本發明塗覆組成物之上的適宜之PAG，尤其是磺酸鹽。用於在193nm及248nm成像之兩種適宜的試劑為下列PAG 1及PAG 2：
其他已知之光酸產生劑化合物亦可用於本發明之阻劑中，如包括彼等於美國專利第4,442,197號、第4,603,101號及第4,624,912號中所揭示之其他鎓鹽，以及非離子型有機光活性化合物如於讓與Thackeray等人之美國專利案第5,128,232號中揭露者。用於與本發明之塗覆組成物併用之光阻中的另外適宜的光酸產生劑係包括磺酸鹽光酸產生劑，包括磺酸化酯及磺醯基氧基酮。參見(J. of Photopolymer Science and Technology) 1991年第4(3)期第337頁至第340頁對適宜磺酸鹽PAGS之揭露，該磺酸鹽PAGS係包括對甲苯磺酸安息香酯、α-(對甲苯磺醯基氧基)乙酸第三丁基苯酯及α-(對甲苯磺醯基氧基)乙酸第三丁酯。較佳磺酸鹽PAGs亦於授與Sinta等人之美國專利案第5,344,742中公開。
與本發明之下層塗覆組成物併用之光阻亦可含有其他材料。
本發明之下層塗覆組成物之視需要的添加劑較佳為添加鹼(added base)，尤其是氫氧化四丁基銨(TBAH)或乳酸四丁基銨，其可提升經顯影之阻劑浮雕影像的解析度。對於在193nm成像之阻劑而言，添加鹼較佳為受阻胺(hindered amine)如二氮雜雙環十一烯或二氮雜雙環壬烯。該添加鹼係適宜地以相對小量使用，如相對於總固體為約0.03至5重量%。
其他視需要之光阻添加劑包括光化及對比染料、抗條紋劑(anti-striation agent)、增塑劑、加速劑等。除了填料及染料可以相對大濃度(例如，為阻劑乾燥成分之總重量的約5至50重量%)存在外，此等視需要之添加劑典型將以較小濃度存在於光阻劑組成物中。
各種作為"視需要經取代之"取代基及材料(包括反應產物組分及用形成反應產物組分之試劑、樹脂、小分子化合物、酸產生劑)可適宜地於一個或多個可用位點藉由諸如鹵素(F、Cl、Br、I)；硝基；羥基；胺基；烷基如C1-8烷基；烯基如C2-8烯基；烷基胺基如C1-8烷基胺基；碳環芳基如苯基、萘基、蒽基等；等取代。
微影處理
如上所述，使用中，藉由多種方法如旋塗將本發明之塗覆組成物作為塗層塗覆於基板上。塗覆於基板上的該塗覆組成物之乾燥層厚度為約0.02微米及0.5微米之間，較佳該乾燥層厚度為約0.03微米及至100微米之間。該基板為與光阻有關之製程中使用的任何適宜基板。舉例而言，該基板可為矽、二氧化矽或鋁-氧化鋁微電子晶圓。亦可採用砷化鎵、碳化矽、陶瓷、石英或銅基板。亦可適宜地採用用於液晶顯示器或其他平板顯示器應用之基板如玻璃基板、塗覆有氧化銦錫之基板等。亦可採用用於光學及光學-電子裝置(如波導)之基板。
如所討論者，較佳係於將光阻組成物塗覆於該組成物層上之前，處理(如熱處理)所施加之塗層以移除溶劑載劑(但不造成組成物組分之分子量顯著增加)。熱處理條件可隨著該塗覆組成物之組分而變動，尤其若該塗覆組成物含有酸或酸源如熱酸產生劑。適宜的熱處理硬化條件可自約140℃至250℃之範圍內進行約0.5至30分鐘。熱條件較佳使得該塗覆組成物塗層實質上不溶於該上塗光阻組成物之溶劑載劑，以避免兩個獨立塗層間的任何顯著相互混合。
於該塗覆組成物層之處理之後，將光阻塗覆於該塗覆組成物之表面上。如該底層塗覆組成物之途覆，該上塗之光阻可藉由任何標準手段如藉由旋塗、浸塗、彎月面塗覆或輥塗施加。塗覆之後，該光阻塗層可藉由加熱移除溶劑而予以乾燥，典型係加熱至該光阻劑塗層無黏性為止。
之後，將該阻劑層藉由傳統方式通過光罩之活化輻射予以成像。該曝光能量足以有效地活化該阻劑系統之光活性組分，以於該阻劑塗層中產生圖形化影像。該曝光能量典型介於約3至300毫焦耳(mJ)/平方公分(cm2)之範圍內，且部份取決於所採用之曝光工具及特定阻劑與阻劑加工。若需要創製或提升塗層之經曝光區域與未曝光區域間溶解度之差異，可對曝光之阻劑層進行曝光後烘烤。舉例而言，多種化學增幅型正作用阻劑需要曝光後加熱以誘導酸促進之去保護反應。曝光後烘烤之條件典型係包括約50℃或更高之溫度，更詳而言之，約50℃至約160℃範圍內之溫度。
之後，較佳以水系顯影劑顯影經曝光之阻劑塗層，該顯影劑諸如以氫氧化四丁基銨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水等示例之鹼性顯影劑。通常係根據該技藝習知之過程顯影，除了顯影也將在顯影劑移除下層阻劑層的那些區域中造成該下層塗覆組成物層之移除。較佳地，一旦自該阻劑層轉印之影像顯影於該下層塗層中完成，則終止顯影以避免該下層塗層之過量及非所欲移除，諸如仍留存該阻劑層之區域中的該組成物塗層的移除。為了避免該下層塗覆組成物層之顯影不足(under-development)或顯影過度(over-development)，可輕易藉由任何阻劑之特定系統、下層組成物、顯影劑組成物及顯影條件經驗地決定最佳顯影次數，如可於如上所述之終止之前進行多次顯影，且可藉由諸如掃描電子顯微照片(SEMs)評估經顯影之影像以確定不出現顯影不足或顯影過度顯影次數或時間範圍。
顯影之後，一般於約100℃至約150℃之溫度對酸硬化光阻進行最後烘烤幾分鐘，以進一步硬化經曝光及顯影之塗層區域。
之後，可選擇地加工經顯影之基板之彼等不具有光阻之基板區域以及該下層塗覆組成物層，舉例而言，根據該技藝中習知之過程化學蝕刻或鍍覆不具有光阻之基板區域。適宜之蝕刻劑係包括氫氟酸蝕刻溶液及電漿氣體蝕刻劑如氧電漿蝕刻。值得注意的是，如上所述，不需要額外之該下層組成物層之電漿移除，其中當光阻層顯影時於該相同步驟中完成該下層組成物層之移除。若需要，可隨後於經曝光及顯影之區域內進行植入製程。
本文所提及之全部文件係藉由以其整體引用形式併入本文。下列非限制性實施例係本發明之例示說明。
實施例1：ANTMI狄耳士-阿德爾環加成物(ANTMI)單體之合成
將馬來醯亞胺(MI,28.7公克(g),296毫莫耳(mmol))、甲基丙烯酸9-蒽甲酯(ANTMA,74.2g,269mmol)、氫醌單甲基醚(METH,0.5g,4mmol)及267g二甲基甲醯胺加入配備有磁力攪拌棒、冷凝器、加熱套及溫度控制器之1.0公升(L)之三頸圓底燒瓶中。加熱該混合物以使其於氮氣氛下於153℃迴流12小時。
冷卻至室溫後，以500g乙酸乙酯稀釋該反應混合物。使該溶液洗脫(elute)通過3英吋矽膠墊並過濾。以水(3×100g)洗滌該溶液，用MgSO4乾燥。於室溫減壓移除溶劑。真空乾燥該材料5小時。
獲得72.2g(72%)灰白色粉末。
1H NMR(500MHz,二烷-d8):δ9.30(s,1H),7.42-7.25(m,4H),7.22-7.11(m,4H),6.05(s,1H),5.60-5.45(m,3H),4.72(s,1H),3.24(s,2H),1.94(s,3H). 13C NMR(125MHz,二烷-d8):δ177.5,176.9,167.3,143.7,142.9,140.4,139.9,137.5,127.6,127.2,127.1,126.0,125.9,124.7,123.9,67.2,62.8,50.1,48.8,46.4,18.5.
實施例2至3：藉由直接聚合之含有ANT-MI之聚合物之合成 實施例2：ANTMI均聚物之合成
將馬來醯亞胺/甲基丙烯酸蒽甲酯[4+2]狄耳士-阿德爾環加成物(ANTMI,10.25g,32.7mmol)、2,2-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)( 52,0.20g,0.8mmol)及41.8g二烷加入配備有磁力攪拌棒、冷凝器、加熱套及溫度控制器之0.25L三頸圓底燒瓶中。以氮氣噴洗該反應混合物15分鐘。
將該混合物加熱至85℃，12小時。
冷卻至室溫後，以50g二烷稀釋該反應混合物，於1.5L甲醇中沉澱。藉由真空過濾分離該白色沉澱物，於真空爐中以50℃乾燥過夜，以給出聚(馬來醯亞胺/甲基丙烯酸蒽甲酯[4+2]狄耳士-阿德爾環加成物)[聚(ANTMI)]。獲得7.5g(73%)白色粉末。GPC(THF) Mw=26100道爾頓(Da)，Mn=5700Da，PDI：4.6。
實施例3：ANTMI/ANTMA 80/20共聚物之合成
將馬來醯亞胺/甲基丙烯酸蒽甲酯[4+2]狄耳士-阿德爾環加成物(ANTMI,22.40g,60.0mmol)、甲基丙烯酸9-蒽-甲酯(ANTMA,4.11g,14.9mmol)、2,2-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)( 52,0.40g,1.6mmol)及54.3g二烷加入配備有磁力攪拌棒、冷凝器、加熱套及溫度控制器之0.25L三頸圓底燒瓶中。以氮氣沖洗該反應混合物15分鐘。將該混合物加熱至85℃，12小時。
冷卻至室溫後，以60g二烷稀釋該反應混合物，於3.0L甲醇中沉澱。藉由真空過濾分離該白色沉澱物，於50℃真空爐內乾燥過夜，以給出聚(馬來醯亞胺/甲基丙烯酸蒽甲酯(ANTMI)-共-甲基丙烯酸9-蒽-甲酯(ANTMA))[聚(ANTMI)-共聚-(ANTMA)]。
獲得6.2g(24%)白色粉末。GPC(THF)Mw=42000Da，Mn=6600Da，PDI：6.4。
實施例4至6：藉由預聚物之聚合物改性合成含有ANT-MI之聚合物 實施例4：ANTMA/HNMA-2/TBA 50.2/33.7/16.1預聚物之合成
將42.2g二烷加入配備有磁力攪拌棒、冷凝器、加熱套及溫度控制器之0.25L三頸圓底燒瓶中。以氮氣噴洗該溶劑15分鐘。將該溶劑加熱至85℃。
將甲基丙烯酸9-蒽-甲酯(ANTMA,34.67g,126mmol)、甲基丙烯酸2-羥基萘-甲酯單體(HNMA-2,20.47g,84.5mmol)、丙烯酸第三丁酯(TBA,5.22g,40.7mmol)、2,2-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)( 52,1.86g,7.5mmol)及二烷(98.8g)加入具有攪拌棒之0.25L玻璃瓶中。允許於室溫攪拌該混合物30分鐘。以氮氣噴洗該溶液15分鐘。
使用蠕動泵以2.1g/min之速率於1.2小時內將該單體及起始劑溶液饋入該反應燒瓶中。
該單體及起始劑之饋料完成後，立即使用蠕動泵於10分鐘內以2.5g/min之速率將2,2-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)( 52,1.24g,5.0mmol)及二烷(23.6g)饋入該反應燒瓶中。
完成時，將該反應混合物於85℃保持1.5小時。
冷卻至室溫後，將該反應混合物之一部份(70g)於0.7L甲醇中沉澱。藉由真空過濾分離白色沉澱物，並於50℃真空爐內乾燥過夜。於下列詳述之聚合物改性實驗(實施例5及6)中使用該反應混合物之剩餘部分。
獲得18.2g(92%)白色粉末。GPC(THF)Mw=7000Da，Mn=4200Da，PDI：1.6。
實施例5：ANTMI/ANTMA/HNMA-2/TBA(25.1/25.1/33.7/16.1)之改性聚合物之合成
將馬來醯亞胺(MI,4.09g,42.1mmol)加至含有來自實施例4(上述)之剩餘反應混合物且配備有磁力攪拌棒、冷凝器、加熱套及溫度控制器之0.25L三頸圓底燒瓶中。將該溶劑維持於85℃，6小時。
冷卻至室溫後，將該反應混合物之一部份(52g)以10g二烷稀釋並於0.7L甲醇中沉澱。藉由真空過濾分離白色沉澱物，並於50℃真空爐內乾燥過夜，以給出聚合物，該聚合物中，側接之蒽基係部份地衍生為ANTMI[4+2]狄耳士-阿德爾環加成物。
於下列詳述之實施例6中使用該反應混合物之剩餘部分。
獲得17.2g(100%)白色粉末。GPC(THF)Mw=8700Da，Mn=5000Da，PDI：1.7。
實施例6：ANTMI/HNMA-2/TBA 50.2/33.7/16.1改性之聚合物之合成
將馬來醯亞胺(MI,2.50g,25.7mmol)加至含有來自實施例4(上述)之剩餘反應混合物且配備有磁力攪拌棒、冷凝器、加熱套及溫度控制器之0.25L三頸圓底燒瓶中。將該溶劑維持於85℃，6小時。
冷卻至室溫後，將該反應混合物部份於0.7L甲醇中沉澱。藉由真空過濾分離白色沉澱物，並於50℃真空爐內乾燥過夜，以給出聚合物，該聚合物中，側接之蒽基係完全衍生為ANTMI[4+2]狄耳士-阿德爾環加成物。獲得22.7g(74%)白色粉末。GPC(THF)Mw=9000Da，Mn=5100Da，PDI：1.8。
實施例7至8：藉由直接聚合之含有ANT-MI之聚合物之合成 實施例7：MI/ANTMA/HNMA-2/TBA 34.3/31.5/25.0/9.2四元聚合物之合成
將215g二烷加入配備有機械攪拌器、冷凝器、加熱套及溫度控制器之2.0L五頸圓底燒瓶中。以氮氣噴洗該溶劑15分鐘。將該溶劑加熱至85℃。
將馬來醯亞胺(MI,53.10g,547mmol)、甲基丙烯酸9-蒽-甲酯(ANTMA,138.7g,502mmol)、甲基丙烯酸2-羥基萘-甲酯單體(HNMA-2,96.53g,398mmol)、丙烯酸第三丁酯(TBA,18.80g,147mmol)及二烷(423.5g)加入配備有攪拌棒之2.0L錐形瓶中。允許於室溫攪拌該混合物30分鐘。以氮氣噴洗該溶液15分鐘。
將2,2-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)( 52,11.89g,48.0mmol)及二烷(78.0g)加入500mL瓶中。
使用蠕動泵以8.5g/min之速率於1.5小時內將該單體溶液饋入該反應燒瓶中。於此期間(90分鐘饋料)，使用蠕動泵以1.1g/min之速率將起始劑溶液也饋入該反應燒瓶中。
該單體及起始劑之饋料完成後，立即使用蠕動泵於20分鐘內以8.0g/min之速率將2,2-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)( 52,7.93g,32.0mmol)及二烷(151g)饋入該反應燒瓶中。
完成時，將該反應混合物於85℃保持1.5小時。
冷卻至室溫後，將該反應混合物於15.0L甲醇中沉澱。藉由真空過濾分離白色沉澱物，以3.0L甲醇洗滌，並於50℃真空乾燥過夜。
獲得195.1g(64%)呈白色粉末之標題聚合物。GPC(THF)Mw=9300Da，Mn=6500Da，PDI：1.5。
實施例8：MI/ANTMA/HNMA-2/TBA 33.2/31.3/26.8/8.7四元聚合物之合成
將218g二烷加入配備有機械攪拌器、冷凝器、加熱套及溫度控制器之2.0L五頸圓底燒瓶中。以氮氣噴洗該溶劑15分鐘。將該溶劑加熱至85℃。
將馬來醯亞胺(MI,51.39g,529mmol)、甲基丙烯酸9-蒽-甲酯(ANTMA,137.9g,499mmol)、甲基丙烯酸2-羥基萘-甲酯單體(HNMA-2,103.4g,427mmol)、丙烯酸第三丁酯(TBA,17.82g,139mmol)及二烷(430g)加入具有攪拌棒之2.0L錐形瓶中。允許於室溫攪拌該混合物30分鐘。以氮氣噴洗該溶液15分鐘。
將2,2-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)( 52,11.89g,48.0mmol)及二烷(78.0g)加入500毫升(mL)瓶中。
使用蠕動泵以7.5g/min之速率於1.5小時內將該單體溶液饋入該反應燒瓶中。於此期間(90分鐘饋料)，使用蠕動泵以0.9g/min之速率將起始劑溶液也饋入該反應燒瓶中。
該單體及起始劑之饋料完成後，立即使用蠕動泵於20分鐘內以8.0g/min之速率將2,2-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)( 52,7.93g,32.0mmol)及二烷(151g)饋入該反應燒瓶中。
完成時，將該反應混合物於85℃保持1.5小時。
冷卻至室溫後，將該反應混合物於15.0L甲醇中沉澱。藉由真空過濾分離白色沉澱物，以3.0L甲醇洗滌，並於50℃真空乾燥過夜。
獲得186.6g(60%)呈白色粉末之標題聚合物。GPC(THF)Mw=9200Da，Mn=6350Da，PDI：1.5。
實施例9：塗覆組成物之製備及微影加工
藉由混合下列材料製備下層塗覆組成物：
樹脂
上揭實施例5之聚合物
光酸產生劑
三苯基鋶鹽
溶劑
乳酸乙酯
該樹脂係以5公克之量存在。該光酸產生劑係以總固體(除了溶劑之外的全部組分)之約0.5重量%的量存在。
將此配製之塗覆組成物旋塗於矽微晶片晶圓上，於真空熱板上以210℃硬化60秒以提供乾燥(但未交聯)之塗層。
之後，將購得之193nm正作用光阻旋塗於硬化之塗覆組成物層上。於真空熱板上以100℃軟烘烤所塗覆之阻劑層60秒，通過光罩曝光于圖形化之193nm輻射，於110℃曝光後烘烤60秒，且隨後使用0.26N水性鹼性顯影劑顯影，其中藉由該光罩界定之區域內該光阻層及下層塗覆組成物兩者皆被移除。
實施例10：塗覆組成物之製備及微影加工
藉由混合下列材料製備下層塗覆組成物：
樹脂
上揭實施例6之聚合物
光酸產生劑
三苯基鋶鹽
溶劑
乳酸乙酯
該樹脂係以5公克之量存在。該光酸產生劑係以總固體(除了溶劑之外的全部組分)之約0.5重量%的量存在。
將此配製之塗覆組成物旋塗於矽微晶片晶圓上，於真空熱板上以210℃硬化60秒以提供乾燥(但未交聯)之塗層。
之後，將購得之193nm正作用光阻旋塗於硬化之塗覆組成物層上。於真空熱板上以100℃軟烘烤所塗覆之阻劑層60秒，通過光罩曝光于圖形化之193nm輻射，於110℃曝光後烘烤60秒，且隨後使用0.26N水性鹼性顯影劑顯影，其中藉由該光罩界定之區域內該光阻層及下層塗覆組成物兩者皆被移除。
實施例11：塗覆組成物之製備及微影加工
藉由混合下列材料製備下層塗覆組成物：
樹脂
上揭實施例7之聚合物
光酸產生劑
三苯基鋶鹽
溶劑
乳酸乙酯
該樹脂係以5公克之量存在。該光酸產生劑係以總固體(除了溶劑之外的全部組分)之約0.5重量%的量存在。
將此配製之塗覆組成物旋塗於矽微晶片晶圓上，於真空熱板上以210℃硬化60秒以提供乾燥(但未交聯)之塗層。
之後，將購得之193nm正作用光阻旋塗於硬化之塗覆組成物層上。於真空熱板上以100℃軟烘烤所施加之阻劑層60秒，通過光罩曝光于圖形化之193nm輻射，於110℃曝光後烘烤60秒，且隨後使用0.26N水性鹼性顯影劑顯影，其中藉由該光罩界定之區域內該光阻層及下層塗覆組成物兩者皆被移除。
實施例12：塗覆組成物之製備及微影加工
藉由混合下列材料製備下層塗覆組成物：
樹脂
上揭實施例8之聚合物
光酸產生劑
三苯基鋶鹽
溶劑
乳酸乙酯
該樹脂係以5公克之量存在。該光酸產生劑係以總固體(除了溶劑之外的全部組分)之約0.5重量%的量存在。
將此配製之塗覆組成物旋塗於矽微晶片晶圓上，於真空熱板上以210℃硬化60秒以提供乾燥(但未交聯)之塗層。
之後，將購得之193nm正作用光阻旋塗於硬化之塗覆組成物層上。於真空熱板上於100℃軟烘烤所塗覆之阻劑層60秒，通過光罩曝光于圖形化之193nm輻射，於110℃曝光後烘烤60秒，且隨後使用0.26N水性鹼性顯影劑顯影，其中藉由該光罩界定之區域內該光阻層及下層塗覆組成物兩者皆被移除。
實施例13：塗覆組成物之製備及微影加工
藉由混合下列材料製備下層塗覆組成物：
樹脂
上揭實施例7及8之聚合物的摻合物
光酸產生劑
三苯基鋶鹽
溶劑
乳酸乙酯
該樹脂係以相等之重量存在，總重量為5公克。該光酸產生劑係以總固體(除了溶劑之外的全部組分)之約0.5重量%的量存在。
將此配製之塗覆組成物旋塗於矽微晶片晶圓上，於真空熱板上以210℃硬化60秒以提供乾燥(但未交聯)之塗層。
之後，將購得之193nm正作用光阻旋塗於硬化之塗覆組成物層上。於真空熱板上於100℃軟烘烤所塗覆之阻劑層60秒，通過光罩曝光于圖形化之193nm輻射，於110℃曝光後烘烤60秒，且隨後使用0.26N水性鹼性顯影劑顯影，其中藉由該光罩界定之區域內該光阻層及下層塗覆組成物兩者皆被移除。
實施例14：另外之塗覆組成物之製備及微影加工
藉由混合下列組分製備下層塗覆組成物：
樹脂
上揭實施例7及8之聚合物的摻合物
光酸產生劑
三苯基鋶鹽
溶劑
2-羥基異丁酸甲酯
於此塗覆組成物中，該樹脂係以相等之重量存在，總重量為3.2公克，該光酸產生劑係以總固體(除了溶劑之外的全部組分)之約2重量%的量存在。該溶劑係以塗覆組成物總重量之約96重量%的量存在。
將此塗覆組成物旋塗於矽微晶片晶圓上，於215℃烘烤以移除溶劑，但不造成該塗覆組成物層之交聯。
實施例15：用以證實下層塗覆組成物之熱處理不造成交聯(組成物組分分子量之增加)之測試
將含有馬來醯亞胺、聚羥基苯乙烯及甲基丙烯酸9-蒽-甲酯之聚合單元的聚合物溶液旋轉澆鑄於8"矽晶圓上，於180℃及240℃烘烤之。亦製備各材料之未烘烤塗層。製備含有相同聚合物但亦含有光酸產生劑化合物之配方，並於相同烘烤溫度(室溫、180℃及240℃)於8"矽晶圓上製備塗層。如上處理之後，剝離全部塗覆之膜，立即溶解於THF，並藉由GPC測量分子量。
具有及不具有PAG之聚合物膜的重量平均分子量數據顯示熱處理之後的改變極小，因此顯示熱處理時未發生交聯。
本發明之前述說明僅為本發明之示例性說明，應理解，可在不背離藉由後文申請專利範圍界定之本發明之精神及範疇對本發明加以改動及變更。

Claims (16)

  1. 一種經塗覆之基板，係包含：(a)包含樹脂之塗覆組成物層，該樹脂係包含一種或多種二烯與親二烯體之反應產物之重複單元；以及(b)於該塗覆組成物層上之光阻層。
  2. 一種經塗覆之基板，係包含：(a)包含樹脂之塗覆組成物層，該樹脂係包含一種或多種狄耳士-阿德爾反應產物之重複單元；以及(b)於該塗覆組成物層上之光阻層。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板，其中，該光阻層之水性鹼性顯影亦將該塗覆組成物層顯影。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板，其中，該樹脂係三元聚合物、四元聚合物或五元聚合物。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板，其中，該塗覆組成物層未交聯。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板，其中，該塗覆組成物層之樹脂係包含一種或多種含醯亞胺之親二烯體與多環芳基的反應產物之重複單元。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板，其中，該塗覆組成物層樹脂係包含一種或多種(1)親二烯體與(2)蒽基或稠五苯基的反應產物之重複單元。
  8. 一種用於形成光阻浮雕影像之方法，係包含：(a)於基板上塗覆包含樹脂之組成物之塗層，該樹脂係一種或多種二烯與親二烯體之反應產物之重複單 元；(b)將光阻層塗覆於該塗覆組成物層上。
  9. 一種用於形成光阻浮雕影像之方法，係包含：(a)於基板上塗包含樹脂之組成物之塗層，該樹脂係包含一種或多種狄耳士-阿德爾反應產物之重複單元；(b)將光阻層塗覆於該塗覆組成物層上。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項之方法，其中，將所塗覆之光阻層係曝光於圖形化之輻射，且隨後以水性鹼性顯影劑組成物顯影，藉此該顯影劑組成物選擇地移除藉由圖形化之輻射於該光阻層內界定之影像中之該光阻層與該下層塗覆組成物層兩者。
  11. 一種用於與上塗光阻併用之抗反射組成物，該抗反射組成物係包含：包含一種或多種狄耳士-阿德爾反應產物之樹脂之重複單元。
  12. 一種用於與上塗之光阻併用之抗反射組成物，該抗反射組成物係包含：包含一種或多種二烯與親二烯體之反應產物之重複單元之樹脂。
  13. 如申請專利範圍第11項或第12項之組成物，其中，該抗反射組成物之樹脂係包含一種或多種含醯亞胺之親二烯體與多環芳基的反應產物之重複單元。
  14. 如申請專利範圍第11項或第12項之組成物，其中，該 抗反射組成物之樹脂係包含一種或多種(1)含醯亞胺之親二烯體與(2)蒽基或稠五苯基的反應產物之重複單元。
  15. 如申請專利範圍第11項或第12項之組成物，其係包含具有下式之任何一者之基團的化合物： 其中，上式中各R係獨立為氫或非氫取代基。
  16. 如申請專利範圍第11項或第12項之組成物，其中，該組成物包含具一種或多種重複單元之樹脂，該一種或多種重複單元重複單元具有一種或多種具下式之基團： 其中，上式中各R係獨立為氫或非氫取代基。
TW099103465A 2009-02-08 2010-02-05 適於與上塗光阻併用之塗覆組成物 TWI557512B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US20717309P 2009-02-08 2009-02-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201100967A TW201100967A (en) 2011-01-01
TWI557512B true TWI557512B (zh) 2016-11-11

Family

ID=42144711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099103465A TWI557512B (zh) 2009-02-08 2010-02-05 適於與上塗光阻併用之塗覆組成物

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8940472B2 (zh)
EP (1) EP2216683B1 (zh)
JP (1) JP5719514B2 (zh)
KR (1) KR101739832B1 (zh)
CN (1) CN101900944B (zh)
TW (1) TWI557512B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2216683B1 (en) 2009-02-08 2018-11-14 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Substrates coated with an antireflective composition and a photoresist
US8883407B2 (en) 2009-06-12 2014-11-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions suitable for use with an overcoated photoresist
CN102695741B (zh) * 2009-12-11 2015-07-08 普罗米鲁斯有限责任公司 具有季铵官能团的降冰片烯类聚合物
US8765894B2 (en) * 2009-12-11 2014-07-01 Promerus, Llc Norbornene-type polymers having quaternary ammonium functionality
EP2472328B1 (en) * 2010-12-31 2013-06-19 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US8697336B2 (en) * 2011-12-15 2014-04-15 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for forming a developable bottom antireflective coating
WO2016027592A1 (ja) * 2014-08-22 2016-02-25 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、これを用いた電子デバイスの製造方法
EP3115400A1 (de) * 2015-07-09 2017-01-11 Basf Se Herstellung von oberflächenfunktionalisierten polyamiden
FR3074180B1 (fr) * 2017-11-24 2021-01-01 Arkema France Procede de controle de la planeite d'un empilement polymerique
FR3074179B1 (fr) * 2017-11-24 2021-01-01 Arkema France Procede de controle de la planeite d'un empilement polymerique
EP3886143A1 (en) 2020-03-23 2021-09-29 Imec VZW Method for filling a space in a semiconductor device
JP7377848B2 (ja) 2020-12-31 2023-11-10 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
WO2024135427A1 (ja) * 2022-12-21 2024-06-27 富士フイルム株式会社 光学フィルタの製造方法および固体撮像素子の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200837096A (en) * 2006-12-29 2008-09-16 Cheil Ind Inc Polymer having antireflective properties, hardmask composition including the same, and process for forming a patterned material layer

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3123618A (en) * 1964-03-03 Io-dihydroanthkacene-z
US620911A (en) 1899-03-14 Car-truck side frame
US4442197A (en) 1982-01-11 1984-04-10 General Electric Company Photocurable compositions
FR2525846A1 (fr) 1982-04-22 1983-10-28 Boga Sa Procede et appareil de selection des points de connexion d'un repartiteur telephonique
EP0100891A1 (de) 1982-08-17 1984-02-22 Contraves Ag Verfahren und Vorrichtung zur Korrektur von Koinzidenzfehlern beim Zählen von Teilchen zweier Sorten
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
EP0153904B1 (de) 1984-02-10 1988-09-14 Ciba-Geigy Ag Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht oder einer Reliefabbildung
US4603101A (en) 1985-09-27 1986-07-29 General Electric Company Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials
US4968581A (en) 1986-02-24 1990-11-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4810613A (en) 1987-05-22 1989-03-07 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
DE3721741A1 (de) 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
US5128232A (en) 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
EP0605089B1 (en) 1992-11-03 1999-01-07 International Business Machines Corporation Photoresist composition
US5344742A (en) 1993-04-21 1994-09-06 Shipley Company Inc. Benzyl-substituted photoactive compounds and photoresist compositions comprising same
US5409932A (en) * 1993-12-09 1995-04-25 Bayer Ag Piperazine-substituted pyrroloanthracenes
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US5861231A (en) 1996-06-11 1999-01-19 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component
US6090526A (en) 1996-09-13 2000-07-18 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
EP0928305B1 (en) * 1996-09-28 2000-06-28 Cambridge Display Technology Limited High efficiency luminescent copolymers
KR100220951B1 (ko) 1996-12-20 1999-09-15 김영환 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체, 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조방법
US6057083A (en) 1997-11-04 2000-05-02 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
US6165674A (en) 1998-01-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging
KR20000047909A (ko) 1998-12-10 2000-07-25 마티네즈 길러모 이타콘산 무수물 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트조성물
US6048662A (en) 1998-12-15 2000-04-11 Bruhnke; John D. Antireflective coatings comprising poly(oxyalkylene) colorants
US6200728B1 (en) 1999-02-20 2001-03-13 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions comprising blends of photoacid generators
US6048664A (en) 1999-03-12 2000-04-11 Lucent Technologies, Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US6306554B1 (en) 2000-05-09 2001-10-23 Shipley Company, L.L.C. Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same
US6844131B2 (en) 2002-01-09 2005-01-18 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
EP1501877A1 (en) * 2002-05-07 2005-02-02 Honeywell International Inc. Fluorinated polymers
WO2004041760A2 (en) * 2002-11-05 2004-05-21 Honeywell International Inc. Fluorinated polymers
JP4013057B2 (ja) * 2002-12-24 2007-11-28 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及び下層膜形成材料
US7172849B2 (en) * 2003-08-22 2007-02-06 International Business Machines Corporation Antireflective hardmask and uses thereof
JP4769455B2 (ja) 2003-12-30 2011-09-07 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． コーティング組成物
US7553543B2 (en) * 2005-12-16 2009-06-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Composite structure having a fluoroelastomeric anti-reflective coating with non-fluorinated cross-linking
US7771695B2 (en) * 2006-07-21 2010-08-10 International Business Machines Corporation Complexes of carbon nanotubes and fullerenes with molecular-clips and use thereof
KR100889173B1 (ko) * 2006-12-29 2009-03-17 주식회사 효성 유기 반사방지막 형성용 유기 공중합체, 그의 제조방법 및그를 포함하는 조성물
US7875408B2 (en) * 2007-01-25 2011-01-25 International Business Machines Corporation Bleachable materials for lithography
US7932128B2 (en) * 2007-06-29 2011-04-26 International Business Machines Corporation Polymeric material, method of forming the polymeric material, and method of forming a thin film using the polymeric material
JP5293932B2 (ja) * 2008-04-19 2013-09-18 川崎化成工業株式会社 ９，１０−エタノアントラセン骨格を有する新規なモノ（メタ）アクリレート化合物及びその製造法
EP2216683B1 (en) * 2009-02-08 2018-11-14 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Substrates coated with an antireflective composition and a photoresist
EP2216684B1 (en) * 2009-02-08 2015-10-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method of forming a photoresist image comprising an undercoat layer
US8883407B2 (en) * 2009-06-12 2014-11-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions suitable for use with an overcoated photoresist
US9921912B1 (en) 2015-09-30 2018-03-20 EMC IP Holding Company LLC Using spare disk drives to overprovision raid groups

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200837096A (en) * 2006-12-29 2008-09-16 Cheil Ind Inc Polymer having antireflective properties, hardmask composition including the same, and process for forming a patterned material layer

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
2006,G. Hizal et.al，Preparation of Block Copolymers Via Diels Alder Reaction of Maleimide- and Anthracene-End Functionalized Polymers，Journal of Polymer Science: Part A: Polymer Chemistry, Vol. 44, 1667–1675 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP2216683A3 (en) 2011-06-01
CN101900944A (zh) 2010-12-01
EP2216683B1 (en) 2018-11-14
JP2010250280A (ja) 2010-11-04
US20170108776A1 (en) 2017-04-20
US8940472B2 (en) 2015-01-27
CN101900944B (zh) 2014-02-26
JP5719514B2 (ja) 2015-05-20
US20100297556A1 (en) 2010-11-25
TW201100967A (en) 2011-01-01
KR101739832B1 (ko) 2017-05-25
KR20100091121A (ko) 2010-08-18
US10539873B2 (en) 2020-01-21
EP2216683A2 (en) 2010-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI557512B (zh) 適於與上塗光阻併用之塗覆組成物
TWI420245B (zh) 適於與上塗光阻併用之塗覆組成物
TWI345138B (en) Coating compositions for use with an overcoated photoresist
KR101506159B1 (ko) 오버 코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅조성물
TWI516872B (zh) 適於與上塗光阻倂用之塗覆組成物
TWI226515B (en) Photoresist compositions and use of same
TWI477915B (zh) 與塗覆於上面的光阻併用之塗覆組成物