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TWI550686B - 基板處理系統、基板運送方法及電腦記憶媒體 - Google Patents

基板處理系統、基板運送方法及電腦記憶媒體 Download PDF

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TWI550686B
TWI550686B TW101133757A TW101133757A TWI550686B TW I550686 B TWI550686 B TW I550686B TW 101133757 A TW101133757 A TW 101133757A TW 101133757 A TW101133757 A TW 101133757A TW I550686 B TWI550686 B TW I550686B
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TW
Taiwan
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substrate
unit
wafer
cleaning
inspection
Prior art date
Application number
TW101133757A
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TW201338014A (zh
Inventor
中原田雅弘
酒田洋司
宮田亮
林伸一
榎木田卓
中島常長
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東京威力科創股份有限公司
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Priority claimed from JP2011242333A external-priority patent/JP5512633B2/ja
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Description

基板處理系統、基板運送方法及電腦記憶媒體
本發明係關於一種處理基板之基板處理系統、基板處理系統中之基板處理方法、程式及電腦記憶媒體。
例如半導體元件製造程序內光微影程序中，依序進行在晶圓上塗布光阻液以形成光阻膜之光阻塗布處理、使光阻膜曝光為既定圖案之曝光處理、使經曝光之光阻膜顯影之顯影處理等一連串處理，在晶圓上形成既定光阻圖案。此等一連串處理於係搭載有處理晶圓之各種處理單元或運送晶圓之運送單元等之基板處理系統之塗布顯影處理系統中進行。
自以往例如圖29所示塗布顯影處理系統300一體包含：匣盒站301，用來相對於外部送入送出匣盒C；處理站302，設置進行光阻塗布處理、顯影處理及熱處理等各種處理之複數處理單元於正面與背面；及介面站303，在鄰接設置於塗布顯影處理系統300外部之曝光裝置A與處理站302之間傳遞晶圓。
又，近年來在晶圓上形成之電路圖案細微化日趨獲得進展，曝光處理時之離焦裕度愈趨嚴格。伴隨此，業界極力要求不可將微粒帶入曝光裝置 A。特別是晶圓背面之微粒係一問題。因此，鄰接曝光裝置A之介面站303中，為極力減少微粒被帶入曝光裝置A，有時會設置清洗被送入曝光裝置A前之晶圓背面之清洗單元310，或檢驗清洗後晶圓之檢驗單元311，用來在各單元310、311間傳遞晶圓而多段設置之傳遞單元312，或在此等各單元310、311、312間運送晶圓之晶圓運送裝置313等(專利文獻1)。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2008-135583號公報
又，上述塗布顯影處理系統300中，檢驗單元311內判定有異常之晶圓愈少塗布顯影處理系統300之良率愈會提升。
經本案發明人等驗證得知，晶圓即使在檢驗單元311內經判定有異常，其中仍有多數可藉由於清洗單元310再次清洗送入曝光單元A之狀態者。
然而，上述專利文獻1之塗布顯影處理系統300中，係將經判定有異常之晶圓回收至匣盒站302，故無法提升良率。
鑒於以上情事，本發明之目的在於在具有於曝光前清洗基板背面之功能之基板處理系統中提升基板處理之良率。
另一方面，如上述塗布顯影處理系統300，於介面站303設置晶圓清洗單元310或晶圓檢驗單元311之複數單元時，需在各單元間傳遞晶圓，故無法避免晶圓運送次數增加。
其結果，晶圓運送裝置之控制複雜，且由晶圓運送裝置運送之晶圓移動距離亦變長，故晶圓運送裝置之負擔亦提高。
鑒於以上情事，本發明之另一目的在於在具有於曝光前清洗基板背面之功能之基板處理系統中，保持基板背面潔淨性並同時減少基板運送之負擔。
為達成上述目的，本發明係一種基板處理系統，包含：處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板處理系統之特徵在於該介面站包含：清洗單元，在將基板送入該曝光裝置前至少清洗基板背面；檢驗單元，在將該基板送入該曝光裝置前至少就該清洗後之基板背面檢驗該基板是否可曝光；基板運送機構，包含在該清洗單元與該檢驗單元之間運送基板之臂部；及基板運送控制部，控制該基板運送機構之動作；且該基板運送控制部控制該基板運送機構，俾若由該檢驗單元檢驗結果判定基板狀態可藉由在該清洗單元再清洗而變得可以曝光，即再次運送該基板至該清洗單元。
依本發明，其包含控制基板運送機構之基板運送控制部，俾由檢驗單元檢驗清洗後基板背面結果判定基板狀態目前雖不可曝光但可藉由於清洗單元再清洗而變成可曝光的狀態時，再次運送該基板至清洗單元。相關情形下，因應所需再清洗基板，故即使係以往經判斷不可曝光之基板，亦可繼續進行基板處理。因此，相較於就經判斷不可曝光之所有基板於途中停止處理而將其由匣盒回收之習知塗布顯影處理系統，可減少於途中停止處理而由匣盒回收之基板數。其結果，可提升藉由基板處理系統處理基板之良率。
該基板運送控制部亦可控制該基板運送機構，俾將再次運送至該清洗單元並經清洗之基板再次運送至檢驗單元。
該介面站中亦可設有將由該檢驗單元檢驗後之基板暫時加以收納之緩衝收納部。
該基板運送機構亦可包含：第1運送臂，將送入該介面站之基板運送至該清洗單元；及第2運送臂，將由該清洗單元清洗後之基板運送至該檢驗單元，且將由該檢驗單元檢驗後之基板運送至該緩衝收納部。
該基板運送機構亦可包含：第1運送臂，將送入該介面站之基板運送至該清洗單元；第2運送臂，將由該清洗單元清洗後之基板運送至該檢驗單元；及第3運送臂，將由該檢驗單元檢驗後之基板運送至該緩衝收納部。
該緩衝收納部亦可收納該檢驗後之基板直到該檢驗後之基板檢驗結果判明止。
該介面站中亦可設有脫水單元，用以將附著於由該清洗單元清洗後之基板之水分加以去除。
亦可該基板運送機構係設置成可沿上下方向任意移動，該清洗單元係設置於該介面站正面側或背面側其中任一側，該檢驗單元係夾隔著該基板運送機構設置於該清洗單元之相反側，該脫水單元係相對於該清洗單元或該檢驗單元，多段設置於該清洗單元側或該檢驗單元側其中任一側。
該基板運送機構亦可設置成可沿上下方向任意移動， 該清洗單元與該檢驗單元係沿上下方向多段設置於該介面站正面側或背面側其中任一側，該脫水單元係夾隔著該基板運送機構設置於該清洗單元與該檢驗單元之相反側。
亦可包含用以清洗該基板運送機構之臂部的臂部清洗機構。
該臂部清洗機構亦可兼作為該清洗單元。
亦可包含溫度調整機構，用以將由該檢驗單元檢驗後、送入該曝光裝置前之基板調整至既定溫度。
該溫度調整機構亦可設於該檢驗單元內。
為達成上述另一目的，本發明係一種基板處理系統，包含：處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板處理系統之特徵在於該介面站包含：基板清洗部，在將基板送入該曝光裝置前至少清洗基板背面；基板檢驗部，在將該基板送入該曝光裝置前至少就該清洗後之基板背面檢驗該基板是否可曝光；及緩衝待命部，用以令由該基板檢驗部檢驗後之基板暫時待命；且該基板清洗部、該基板檢驗部以及該緩衝待命部配置於同一框體內部，於該框體內部設有在該基板清洗部、該基板檢驗部與該緩衝待命部之間運送基板之運送機構。
依本發明，可將清洗基板背面之基板清洗部，與檢驗清洗後基板之基板檢驗部收納於同一框體內部，且藉由設於框體內部之運送機構在此基板清洗部與基板檢驗部之間運送基板。因此，在基板清洗部與基板檢驗部之 間運送基板時，不需如以往使用設於例如框體外部之運送裝置。其結果，可減少基板運送之負擔。
該介面站中亦可設有脫水單元，用以將附著於由該基板清洗部清洗後之基板之水分加以去除。
亦可包含基板運送控制部，該基板運送控制部控制該運送機構，俾若由該基板檢驗部檢驗結果判定基板狀態可藉由在該基板清洗部再清洗而變得可以曝光，即再次運送該基板至該基板清洗部。
該介面站中亦可設有溫度調整機構，用以將由該基板檢驗部檢驗後、送入該曝光裝置前之基板調整至既定溫度。
該溫度調整機構亦可設於該框體內部。
該框體內部中亦可設有清洗該運送機構之運送手段清洗機構。
該運送手段清洗機構亦可兼作為該基板清洗部。
依另一觀點本發明係一種基板運送方法，用於基板處理系統，該基板處理系統包含：處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板運送方法之特徵在於該介面站包含：清洗單元，在將基板送入該曝光裝置前至少清洗基板背面；檢驗單元，在將該基板送入該曝光裝置前至少就該清洗後之基板背面檢驗該基板是否可曝光；及基板運送機構，包含在該清洗單元與該檢驗單元之間運送基板之臂部；且若由該檢驗單元檢驗結果判定基板狀態可藉由在該清洗單元再清洗而變得可以曝光，即再次運送該基板至該清洗單元。
亦可將再次運送至該清洗單元並經清洗之基板再次運送至檢驗單元。
該介面站中亦可設有將由該檢驗單元檢驗後之基板暫時加以收納之緩衝收納部。
該基板運送機構亦可包含：第1運送臂，將送入該介面站之基板運送至該清洗單元；及第2運送臂，將由該清洗單元清洗後之基板運送至該檢驗單元，且將由該檢驗單元檢驗後之基板運送至該緩衝收納部。
該基板運送機構亦可包含：第1運送臂，將送入該介面站之基板運送至該清洗單元；第2運送臂，將由該清洗單元清洗後之基板運送至該檢驗單元；及第3運送臂，將由該檢驗單元檢驗後之基板運送至該緩衝收納部。
亦可將該檢驗後之基板收納於該緩衝收納部直到由該檢驗單元檢驗結果判明。
該介面站中亦可設有脫水單元，用以將附著於由該清洗單元清洗後之基板之水分加以去除。
亦可該基板運送機構係設置成可沿上下方向任意移動，設置該清洗單元於該介面站正面側或背面側其中任一側，夾隔著該基板運送機構設置該檢驗單元於該清洗單元之相反側，相對於該清洗單元或該檢驗單元多段設置該脫水單元於該清洗單元側或該檢驗單元側其中任一側。
清洗該基板運送機構之臂部的臂部清洗機構亦可設於該介面站中配置有該清洗單元之一側。
該臂部清洗機構亦可兼作為該清洗單元。
亦可將由該檢驗單元檢驗後，送入該曝光裝置前之基板調整至既定溫度。
亦可於該檢驗單元內調整該基板之溫度。
依另一觀點本發明係一種基板運送方法，用於基板處理系統，該基板處理系統包含：處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板運送方法之特徵在於該介面站包含：基板清洗部，在將基板送入該曝光裝置前至少清洗基板背面；基板檢驗部，在將該基板送入該曝光裝置前至少就該清洗後之基板背面檢驗該基板是否可曝光；及緩衝待命部，用以令由該基板檢驗部檢驗後之基板暫時待命；且該基板清洗部、該基板檢驗部以及該緩衝待命部配置於同一框體內部，藉由設於該框體內部之運送機構在該基板清洗部、該基板檢驗部與該緩衝待命部之間運送基板。
按照依又一觀點之本發明可提供一種程式，為以基板處理系統實行該基板運送方法而在控制該基板處理系統之控制裝置電腦上動作。
按照依再一觀點之本發明，可提供一種可讀取之電腦記憶媒體，收納有該程式。
依本發明，可在具有於曝光前清洗基板背面之功能之基板處理系統中，提升基板處理之良率。且可減少基板運送之負擔。
1‧‧‧塗布顯影處理系統
2‧‧‧匣盒站
3‧‧‧處理站
4‧‧‧曝光裝置
5‧‧‧介面站
6‧‧‧控制裝置
10‧‧‧匣盒送入送出部
11‧‧‧晶圓運送部
12‧‧‧匣盒載置台
13‧‧‧匣盒載置板
20‧‧‧運送通道
21‧‧‧晶圓運送裝置
30‧‧‧下部抗反射膜形成單元
31‧‧‧光阻塗布單元
32‧‧‧上部抗反射膜形成單元
33‧‧‧顯影處理單元
40‧‧‧熱處理單元
41‧‧‧附著單元
42‧‧‧周邊曝光單元
50~56‧‧‧傳遞單元
60~62‧‧‧傳遞單元
70‧‧‧晶圓運送裝置
70a‧‧‧運送臂
80‧‧‧穿梭運送裝置
85‧‧‧晶圓運送裝置
85a‧‧‧運送臂
90‧‧‧晶圓運送裝置
90a‧‧‧運送臂
100‧‧‧清洗單元
101‧‧‧檢驗單元
102‧‧‧脫水單元
110‧‧‧傳遞單元
111‧‧‧緩衝單元
112‧‧‧溫度調整單元
120‧‧‧晶圓運送機構
121‧‧‧第1運送臂
122‧‧‧第2運送臂
123‧‧‧第3運送臂
124‧‧‧第4運送臂
125‧‧‧晶圓運送控制部
130‧‧‧晶圓運送裝置
140‧‧‧吸附墊
141‧‧‧旋轉夾盤
142‧‧‧毛刷
143‧‧‧框體
144‧‧‧框體
145‧‧‧上部杯體
145a‧‧‧開口部
150‧‧‧軸
151‧‧‧驅動機構
152‧‧‧昇降銷
153‧‧‧支持體
153a‧‧‧清洗液噴嘴
153b‧‧‧吹掃噴嘴
154‧‧‧驅動機構
160‧‧‧排放管
161‧‧‧排氣管
170‧‧‧框體
170a‧‧‧開口部
171‧‧‧固持臂
171a‧‧‧卡止部
171b‧‧‧可動固持部
172‧‧‧光源
173‧‧‧相機
180‧‧‧處理容器
180a‧‧‧閘門
181‧‧‧固持構件
181a‧‧‧外周側上端部
181b‧‧‧內周側上端部
182‧‧‧軸
183‧‧‧昇降機構
184‧‧‧排氣機構
185‧‧‧排氣管
186‧‧‧吹掃管
187‧‧‧氣體供給源
200‧‧‧清洗檢驗單元
201‧‧‧脫水單元
210‧‧‧傳遞單元
211‧‧‧傳遞單元
212‧‧‧溫度調整單元
220‧‧‧晶圓運送裝置
221‧‧‧第1運送臂
222‧‧‧第2運送臂
230‧‧‧晶圓運送裝置
231‧‧‧第3運送臂
232‧‧‧第4運送臂
235‧‧‧晶圓運送控制部
240‧‧‧框體
241‧‧‧晶圓清洗部
242‧‧‧晶圓檢驗部
243‧‧‧運送機構
243a‧‧‧運送臂
243b‧‧‧臂驅動機構
243c‧‧‧基台
243d‧‧‧昇降軌道
244‧‧‧待命載置台
250‧‧‧吸附墊
251‧‧‧旋轉夾盤
252‧‧‧毛刷
253‧‧‧框體
254‧‧‧上部杯體
254a‧‧‧開口部
260‧‧‧軸
261‧‧‧驅動機構
262‧‧‧昇降銷
263‧‧‧支持體
263a‧‧‧清洗液噴嘴
263b‧‧‧吹掃噴嘴
264‧‧‧驅動機構
265‧‧‧軌道
270‧‧‧排放管
271‧‧‧排氣管
280‧‧‧固持臂
280a‧‧‧卡止部
280b‧‧‧可動固持部
281‧‧‧光源
282‧‧‧相機
290‧‧‧處理容器
290a‧‧‧閘門
291‧‧‧固持構件
291a‧‧‧外周側上端部
291b‧‧‧內周側上端部
292‧‧‧軸
293‧‧‧昇降機構
294‧‧‧排氣機構
295‧‧‧排氣管
296‧‧‧吹掃管
297‧‧‧氣體供給源
298‧‧‧冷卻機構
300‧‧‧塗布顯影處理系統
301‧‧‧匣盒站
302‧‧‧處理站
303‧‧‧介面站
310‧‧‧清洗單元(晶圓清洗單元)
311‧‧‧檢驗單元(晶圓檢驗單元)
312‧‧‧傳遞單元
313‧‧‧晶圓運送裝置
A‧‧‧曝光裝置
C‧‧‧匣盒
D‧‧‧晶圓運送區域
F‧‧‧杯體
G1~G7‧‧‧第1~第7區塊
H‧‧‧記憶媒體
S1‧‧‧溫度調節處理
S2‧‧‧下部抗反射膜形成處理
S3‧‧‧附著處理
S4‧‧‧光阻膜塗布處理
S5‧‧‧預烤處理
S6‧‧‧上部抗反射膜形成處理
S7‧‧‧周邊曝光處理
S8‧‧‧背面清洗
S9‧‧‧脫水處理
S9a‧‧‧背面檢驗
S10‧‧‧背面檢驗
S10a‧‧‧晶圓回收
S11‧‧‧晶圓回收
S11a‧‧‧脫水處理
S12‧‧‧曝光處理
S13‧‧‧曝光後烘烤處理
S14‧‧‧顯影處理
S15‧‧‧後烘烤處理
W‧‧‧晶圓
圖1係顯示依本實施形態之塗布顯影處理系統內部構成概略之俯視圖。
圖2係顯示依本實施形態之塗布顯影處理系統正面側內部構成概略之說明圖。
圖3係顯示依本實施形態之塗布顯影處理系統背面側內部構成概略之說明圖。
圖4係顯示依本實施形態之介面站構成概略之說明圖。
圖5係顯示依另一實施形態之介面站構成概略之說明圖。
圖6係顯示清洗單元構成概略之俯視圖。
圖7係顯示清洗單元構成概略之縱剖面圖。
圖8係顯示檢驗單元構成概略之縱剖面圖。
圖9係顯示清洗檢驗單元構成概略之縱剖面圖。
圖10係顯示清洗檢驗單元晶圓清洗部附近構成概略之橫剖面圖。
圖11係顯示傳遞晶圓至清洗單元之情形之說明圖。
圖12係顯示傳遞晶圓至清洗單元之狀態之說明圖。
圖13係顯示在清洗單元內晶圓沿水平方向移動之情形之說明圖。
圖14係顯示在清洗單元內晶圓沿水平方向移動之情形之說明圖。
圖15係顯示在清洗單元清洗晶圓周緣部之情形之說明圖。
圖16係顯示傳遞晶圓至晶圓清洗部之情形之說明圖。
圖17係顯示傳遞晶圓至晶圓清洗部之狀態之說明圖。
圖18係顯示在晶圓清洗部內晶圓沿水平方向移動之情形之說明圖。
圖19係顯示在晶圓清洗部內晶圓沿水平方向移動之情形之說明圖。
圖20係顯示在晶圓清洗部清洗晶圓周緣部之情形之說明圖。
圖21係顯示脫水單元構成概略之俯視圖。
圖22係顯示脫水單元構成概略之縱剖面圖。
圖23係顯示脫水單元構成概略之俯視圖。
圖24係顯示脫水單元構成概略之縱剖面圖。
圖25係顯示依本實施形態之塗布顯影處理裝置中進行之晶圓處理主要程序之流程圖。
圖26係顯示依另一實施形態之塗布顯影處理裝置中進行之晶圓處理主要程序之流程圖。
圖27係顯示依另一實施形態之清洗檢驗單元構成概略之縱剖面圖。
圖28係顯示依又一實施形態之清洗檢驗單元構成概略之縱剖面圖。
圖29係顯示習知之塗布顯影處理系統構成概略之說明圖。
以下說明關於本發明實施形態。圖1係顯示作為依本實施形態之基板處理系統之塗布顯影處理系統1內部構成概略之說明圖。圖2及圖3係分別自正面側及背面側顯示塗布顯影處理系統1內部構成概略之說明圖。
塗布顯影處理系統1如圖1所示例如具有一體連接下列者之構成：匣盒站2，在與外部之間送入送出收納有複數片晶圓W之匣盒C；處理站3，包含複數在光微影處理中對晶圓W施行既定處理之處理單元；及介面站5，在與曝光裝置4之間傳遞晶圓W。
且塗布顯影處理系統1具有控制各種處理單元等之控制裝置6。
匣盒站2由例如匣盒送入送出部10與晶圓運送部11構成。匣盒送入送出部10設於例如塗布顯影處理系統1Y方向負方向(圖1左方向)側端部。匣盒送入送出部10中，作為匣盒載置部設有匣盒載置台12。在匣盒載置台12上設有例如4個匣盒載置板13。設置匣盒載置板13沿水平方向X方向(圖1上下方向)排成一列。於此等匣盒載置板13，在相對於塗布顯影處理系統1外部送入送出匣盒C時，可載置匣盒C。
於晶圓運送部11，如圖1所示設有可在沿X方向延伸之運送通道20上任意移動之晶圓運送裝置21。晶圓運送裝置21可沿上下方向亦可繞著鉛直軸(θ方向)任意移動，可在各載置板13上的匣盒C，與後述處理站3之第3區塊G3之傳遞裝置之間運送晶圓W。
於鄰接匣盒站2之處理站3設有包含各種單元之複數例如4個區塊G1、G2、G3、G4。於處理站3正面側(圖1X方向負方向側)設有第1區塊G1，於處理站3背面側(圖1X方向正方向側)設有第2區塊G2。且於處理站3匣盒站2側(圖1Y方向負方向側)設有第3區塊G3，於處理站3介面站5側(圖1Y方向正方向側)設有第4區塊G4。
例如第1區塊G1中，如圖2所示自下而上依序堆疊有4段複數液處理單元，例如在晶圓W光阻膜下層形成抗反射膜(以下稱「下部抗反射膜」)之下部抗反射膜形成單元30、對晶圓W塗布光阻液以形成光阻膜之光阻塗布單元31、於晶圓W光阻膜上層形成抗反射膜(以下稱「上部抗反射膜」)之上部抗反射膜形成單元32、對晶圓W進行顯影處理之顯影處理單元33。
此等第1區塊G1各單元30~33沿水平方向具有複數於處理時收納晶圓W之杯體F，可並行處理複數晶圓W。
例如第2區塊G2中，如圖3所示對晶圓W進行熱處理之熱處理單元40，或作為對晶圓W進行疏水化處理之疏水化處理裝置之附著單元41、使晶圓W外周部曝光之周邊曝光單元42沿上下方向與水平方向排成一列設置。熱處理單元40包含載置並加熱晶圓W之熱板，與載置並冷卻晶圓W之冷卻板，可進行加熱處理與冷卻處理雙方。又，熱處理單元40、附著單元41及周邊曝光單元42之數量或配置可任意選擇。
例如第3區塊G3中，自下而上依序設置複數傳遞單元50、51、52、53、54、55、56。且第4區塊G4中，自下而上依序設置複數傳遞單元60、61、62。
如圖1所示於由第1區塊G1~第4區塊G4包圍之區域形成晶圓運送區域D。晶圓運送區域D中，例如配置複數，例如3台晶圓運送裝置70。各晶圓運送裝置70分別為相同構造。
晶圓運送裝置70具有例如可沿Y方向、前後方向、θ方向及上下方向任意移動之運送臂70a。運送臂70a可於晶圓運送區域D內移動，運送晶圓W至周圍第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內之既定單元。例如圖3所示可沿上下配置複數台晶圓運送裝置70，運送晶圓W至例如各區塊G1~G4大致相同高度之既定單元。
且如圖3所示，晶圓運送區域D中設有在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線運送晶圓W之穿梭運送裝置80。
穿梭運送裝置80例如可沿圖3Y方向直線任意移動。穿梭運送裝置80可在支持晶圓W之狀態下沿Y方向移動，在第3區塊G3傳遞單元52與第4區塊G4傳遞單元62之間運送晶圓W。
如圖1所示於鄰接第3區塊G3X方向正方向側之區域設有晶圓運送裝置90。晶圓運送裝置90具有例如可沿前後方向、θ方向及上下方向任意移動之運送臂90a。晶圓運送裝置90可在支持晶圓W之狀態下沿上下移動，運送該晶圓W至第3區塊G3內之各傳遞單元。
於第4區塊G4例如X方向正方向側設有晶圓運送裝置85。晶圓運送裝置85具有例如可沿前後方向、θ方向及上下方向任意移動之運送臂85a。晶圓運送裝置85可在支持晶圓W之狀態下上下移動，運送晶圓W至介面站5。
圖4係顯示自匣盒站2側觀察介面站5時，介面站5內部構成概略之說明圖。如圖4所示，介面站5中設有包含各種單元之3個區塊G5、G6、 G7。例如於介面站5正面側(圖1X方向負方向側)設有第5區塊G5。第6區塊G6設於例如介面站5背面側(圖1X方向正方向側)。且第7區塊G7設於第5區塊G5與第6區塊G6之間之區域。
例如於第5區塊G5中，如圖4所示，沿例如上下方向堆疊設置4段在將晶圓W送入曝光裝置4前清洗晶圓W背面之清洗單元100。
第6區塊G6中，自下而上依下列順序逐一堆疊設置2段下列者：檢驗單元101，在將晶圓送入曝光裝置4前檢驗由清洗單元100清洗後之晶圓W背面是否呈可於曝光裝置4曝光之狀態；及脫水單元102，去除附著於由清洗單元100清洗後之晶圓W之水分。
第7區塊G7中沿上下方向多段堆疊設置下列者：傳遞單元110，經由晶圓運送裝置85在與處理站3之間傳遞晶圓W；緩衝單元111，暫時收納由檢驗單元101檢驗後之晶圓W，以作為緩衝收納部；及溫度調整單元112，作為在將檢驗後之晶圓W送入曝光裝置4前將其調整為既定溫度之溫度調整機構。
更具體而言，於第7區塊G7上部，自上而下依序交互逐一堆疊配置3段傳遞單元110與緩衝單元111。於第7區塊G7下部，自上而下依序交互逐一堆疊配置2段傳遞單元110與溫度調整單元112。溫度調整單元112包含具有帕爾帖元件等溫度調整構件之溫度調整板，可將載置於該溫度調整板之晶圓W調整至既定溫度，例如常溫。
在第5區塊G5與第7區塊G7之間鄰接第5區塊G5之區域，作為基板運送機構設有晶圓運送機構120。晶圓運送機構120中作為複數運送臂包含第1運送臂121、第2運送臂122。各運送臂121、122可沿例如前後方向、θ方向及上下方向任意移動。藉此各運送臂121、122可在支持晶圓W之狀態下沿上下移動，在各區塊G5、G7各單元間運送晶圓W。
在第6區塊G6與第7區塊G7之間鄰接第6區塊之區域設有晶圓運送機構130。晶圓運送機構130中設有第3運送臂123與第4運送臂124。各運送臂123、124可沿例如前後方向、θ方向及上下方向任意移動。藉此，各運送臂123、124可在支持晶圓W之狀態下沿上下移動，在第6區塊G6各單元間、第6區塊與第7區塊G7之間及第6區塊G6與曝光裝置4之間運送晶圓W。又，圖4中，作為晶圓運送機構120雖描繪有獨立移動之複數運送臂121、122，但亦可不使用例如複數運送臂，代之以於1個運送臂設置複數，例如2根固持晶圓W之夾鉗。關於晶圓運送機構130亦相同。
由晶圓運送機構120、130運送晶圓W可藉由圖1所示之控制裝置6作為基板運送控制部之晶圓運送控制部125控制。晶圓運送控制部125控制晶圓運送機構120，俾藉由第1運送臂121在清洗單元100與傳遞單元110之間運送晶圓W，藉由第2運送臂122將清洗後的晶圓W運送至傳遞單元110。且晶圓運送控制部125控制晶圓運送機構130，俾藉由第3運送臂123將由清洗單元100清洗後的晶圓W自傳遞單元110朝脫水單元102運送之，自脫水單元102朝檢驗單元101運送之，自檢驗單元朝緩衝單元111運送之，並自緩衝單元111朝溫度調整單元112運送之。
且晶圓運送控制部125進行控制，俾藉由晶圓運送機構130之第4運送臂124，在溫度調整單元112、傳遞單元110與曝光裝置4之間運送晶圓W。又，晶圓運送控制部125亦控制塗布顯影處理系統1內其他晶圓運送裝置之動作。
其次，說明關於清洗單元100之構成。圖6係顯示清洗單元100構成概略之俯視圖，圖7係顯示清洗單元100構成概略之縱剖面圖。
清洗單元100包含：2個吸附墊140、140，水平吸附固持由第1運送臂121運送之晶圓W；旋轉夾盤141，水平吸附固持自此吸附墊140接收之晶圓W；毛刷142，清洗晶圓W背面；及 框體143，上表面形成開口。
如圖6所示，2個吸附墊140、140以俯視視之包夾旋轉夾盤141並大致平行設置，俾可固持晶圓W背面周緣部。各吸附墊140、140由可藉由驅動機構(未經圖示)沿水平方向及上下方向任意移動之框體144支持其兩端部。
於框體144上表面設有上部杯體145。於上部杯體145上表面形成直徑大於晶圓W之開口部145a，經由此開口部145a在第1運送臂121與吸附墊140之間傳遞晶圓W。
如圖7所示，旋轉夾盤141經由軸150連接驅動機構151，旋轉夾盤141藉由此驅動機構151可任意旋轉及昇降。
於旋轉夾盤141周圍設有可藉由昇降機構(未經圖示)任意昇降之昇降銷152。
毛刷142係例如將多數塑膠纖維綁成圓柱狀而構成，由支持體153支持。支持體153連接驅動機構154。驅動機構154連接框體143，可沿圖6X方向且沿框體143順著水平方向移動。因此，藉由使驅動機構154沿X方向移動，可隔著支持體153沿圖6X方向令毛刷142移動。毛刷142可藉由內建於支持體153之驅動機構(未經圖示)任意旋轉，在其上表面抵緊晶圓W背面之狀態下使其旋轉而使該毛刷142於晶圓W背面滑動，藉此可去除於晶圓W背面附著之微粒。
且於支持體153前端設有：清洗液噴嘴153a，將沖洗由毛刷去除之微粒之清洗液加以供給之；及吹掃噴嘴153b，將在清洗後用來使附著於晶圓W背面之清洗液乾燥的例如氮等氣體加以供給之。
於框體143底部設有排出清洗液之排放管160，與在清洗單元100內形成下方向氣流，且使該氣流排氣之排氣管161。
其次，說明關於清洗單元100中晶圓W之清洗。清洗晶圓W時，首先如圖11所示，藉由第1運送臂121運送晶圓W至上部杯體145上方。接著，昇降銷152上昇，傳遞晶圓W至昇降銷152。此時，吸附墊140於其上表面高於毛刷142上表面之位置待命，旋轉夾盤141退避至低於毛刷142上表面之位置。其後，昇降銷152下降，如圖12所示，晶圓W被傳遞並固持於吸附墊140。
接著，如圖13所示，在以吸附墊140吸附固持晶圓W之狀態下，令框體144沿水平方向移動，俾例如毛刷142位於對應晶圓W背面中央部之區域。其後，吸附墊140下降，晶圓W背面抵住毛刷142上表面。
接著，自清洗液噴嘴153a供給清洗液並令毛刷142旋轉，清洗晶圓W背面中央部。此時，支持體153沿圖6X方向往復動作，框體144沿Y方向往復動作，藉此徹底清洗晶圓W背面中央部。
晶圓W背面中央部之清洗結束後，如圖14所示，即令框體144沿水平方向移動，俾晶圓W中心與旋轉夾盤141中心以俯視視之一致。接著，旋轉夾盤141上昇，自吸附墊140傳遞晶圓W至旋轉夾盤141。
其後，如圖15所示，在毛刷142抵住晶圓W背面之狀態下旋轉晶圓W，並藉由支持體153令毛刷沿X方向滑動，藉此清洗晶圓W背面周緣部。藉此去除晶圓W背面整體之微粒。
晶圓W背面之清洗完畢後，即停止旋轉毛刷142或供給清洗液，以高速旋轉旋轉夾盤141，藉此甩乾附著於晶圓W背面之清洗液。此時，亦並行進行以吹掃噴嘴153b進行之吹掃。
又，乾燥結束後，以與運送至清洗單元100時相反之順序傳遞晶圓W至第2運送臂122。
其次，說明關於檢驗單元101之構成。圖8係顯示檢驗單元101構成概略之縱剖面圖。
檢驗單元101包含框體170，於框體170內部設有：固持臂171，在將晶圓W至少背面朝下方開放之狀態固持晶圓；光源172，對由固持臂171固持之晶圓W背面照射線狀平行光線；及相機173，拍攝照射至晶圓W背面之光。
固持臂171可藉由驅動機構(未經圖示)沿水平方向任意移動。
於固持臂171前端部形成朝下方突出之卡止部171a，且於固持臂171下表面設有可藉由未圖示之驅動機構沿晶圓W直徑方向任意移動之可動固持部171b。固持臂171藉由此卡止部171a與可動固持部171b，可夾住自經由框體170開口部170a進入框體170內之第3運送臂123傳遞之晶圓W，在其背面朝下方之狀態下固持晶圓W。
配置光源172於固持臂171下方，俾對晶圓W背面以既定角度θ照射光線。在與光源172相同相對於晶圓W背面以既定角度θ傾斜之狀態下配置相機173於固持臂171下方，俾拍攝照射至晶圓W背面之光線影像。
光源172、相機173可藉由未圖示之轉動機構調整照射角度及拍攝角度。藉此，可針對以某角度照射光線時無法觀察到的微粒，以不同角度照射光線並觀察之。
於檢驗單元101，固持臂171在固持晶圓W之狀態下沿水平方向移動，藉由相機173連續拍攝照射晶圓W背面之光線，藉此拍攝晶圓W背面整體。將由相機173拍攝之影像輸入控制裝置6，藉由控制裝置6判定該晶圓W背面狀態是否可在曝光裝置4進行曝光。又，於控制裝置6，例如根 據附著於晶圓W背面之微粒數量或附著之範圍，或是微粒高度或大小等判定該晶圓W可否於曝光裝置4進行曝光。
其次，說明關於脫水單元102之構成。圖21係顯示脫水單元102構成概略之俯視圖，圖22係顯示脫水單元102構成概略之縱剖面圖。
脫水單元102包含：處理容器180，於內部對晶圓W進行脫水處理；固持構件181，固持晶圓W背面外周部；及昇降機構183，隔著軸182沿上下方向使固持構件181昇降。
固持構件181例如圖21所示，以俯視視之大致形成為圓弧狀，呈同心圓狀設置複數，於本實施形態呈同心圓狀設有4個。固持構件181如圖22所示，呈大致為U字形的剖面形狀。形成固持構件181外周側上端部181a，俾高於內周側上端部181b。藉此，固持構件181外周側用作為防止由內周側上端部181b固持晶圓W時晶圓W脫落之導件。
在各固持構件181與第3運送臂123之間傳遞晶圓W時，例如圖21所示，第3運送臂123自處理容器180之閘門180a進入，移動第3運送臂123，俾由該第3運送臂123固持之晶圓W中心部與由複數固持構件181形成之圓弧中心一致。接著，在此狀態下，藉由昇降機構183使固持構件181上昇。藉此，自運送臂123朝固持構件181傳遞晶圓W。其後，第3運送臂123退避至處理容器180外部。又，在第3運送臂123與固持構件181之間傳遞晶圓W時，亦可例如使第3運送臂123進行昇降動作進行之。
於處理容器180底部設有：排氣管185，連接排氣機構184；及吹掃管186，將例如氮氣送入處理容器180內以吹掃處理容器180內。
吹掃管186連接供給氮氣之氣體供給源187。
於脫水單元102進行晶圓W之脫水處理時，首先，藉由第3運送臂123將晶圓W送入處理容器180內，接著傳遞此晶圓W至固持構件181。其後，第3運送臂123退避至處處理容器180外，閘門180a關閉。接著，藉由排氣機構184使處理容器180內減壓。藉此附著於晶圓W之水分蒸發，進行晶圓W之脫水處理。
晶圓W之脫水處理結束後，即藉由吹掃管186進行處理容器180內之吹掃與昇壓。其後，開放閘門180a，藉由第3運送臂123運送晶圓W至檢驗單元101。
控制裝置6係藉由包含例如CPU或記憶體等之電腦構成。此控制裝置6中，作為程式於例如記憶體記憶有例如決定塗布顯影處理系統1各種處理單元中晶圓處理之內容或各晶圓W之運送途徑之處理配方。藉由實行此程式，控制塗布顯影處理系統1各種處理單元或以上述晶圓運送控制部125控制晶圓運送機構120及各晶圓運送裝置之動作，控制塗布顯影處理系統1中晶圓W之各種處理或運送。又，該程式記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等可由電腦讀取之記憶媒體H，亦可自該記憶媒體H安裝於控制裝置6。
如以上構成之塗布顯影處理系統1中，進行例如下列晶圓處理。圖25係顯示相關晶圓處理主要程序例之流程圖。
處理晶圓W時，首先，將收納複數片晶圓W之匣盒C載置於匣盒送入送出部10之既定匣盒載置板13。其後，藉由晶圓運送裝置21依序取出匣盒C內各晶圓W，將其運送至處理站3第3區塊G3之例如傳遞單元53。
其次將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至第2區塊G2之熱處理單元40，調節其溫度(圖25之程序S1)。其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至例如第1區塊G1之下部抗反射膜形成單元30，在晶圓W上形成下 部抗反射膜(圖25之程序S2)。其後運送晶圓W至第2區塊G2之熱處理單元40，進行加熱處理。其後回到第3區塊G3之傳遞單元53。
其次同樣將晶圓W藉由晶圓運送裝置90運送至第3區塊G3之傳遞單元54。其後將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至第2區塊G2之附著單元41，進行附著處理(圖25之程序S3)。其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至光阻塗布單元31，在晶圓W上形成光阻膜。(圖25之程序S4)。
其後將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至熱處理單元40，進行預烤處理(圖25之程序S5)。其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至第3區塊G3之傳遞單元55。
其次將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至上部抗反射膜形成單元32，在晶圓W上形成上部抗反射膜(圖25之程序S6)。其後將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至熱處理單元40，加熱之並進行溫度調節。其後，將晶圓W運送至周邊曝光單元42，進行周邊曝光處理(圖25之程序S7)。
其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至第3區塊G3之傳遞單元56。
其次將晶圓W藉由晶圓運送裝置90運送至傳遞單元52，藉由穿梭運送裝置80將其運送至第4區塊G4之傳遞單元62。
其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置85運送至第7區塊G7之傳遞單元110。其次將晶圓W藉由第1運送臂121運送至清洗單元100，清洗晶圓W背面(圖25之程序S8)。
將背面經清洗之晶圓W藉由第2運送臂122運送至第7區塊之傳遞單元110。其次將晶圓W藉由第3運送臂123運送至脫水單元102，進行脫水處理(圖25之程序S9)。
將經脫水處理之晶圓W藉由第3運送臂123運送至檢驗單元101，檢驗晶圓W背面(圖25之程序S10)。其次將晶圓W藉由第3運送臂123運送至緩衝單元111，暫時收納晶圓於該緩衝單元111直到於檢驗單元101晶圓W之檢驗結果判明。
於檢驗單元101之檢驗結果判明後，晶圓運送控制部125即根據既定規則控制晶圓運送機構120以運送晶圓W。亦即，於檢驗單元101檢驗之結果，若判定晶圓W之狀態可於曝光裝置4進行曝光，即藉由第3運送臂123運送晶圓W至溫度調整單元112，接著藉由第4運送臂124將其運送至曝光裝置4。且檢驗結果若判定晶圓W之狀態不可於曝光裝置4進行曝光，該晶圓W以後之處理即中止，藉由第3運送臂123將其運送至傳遞單元110。其後，藉由晶圓運送裝置85朝處理站3運送以後之處理已中止之晶圓W，接著由既定匣盒載置板13之匣盒C回收(圖25之程序S11)。又，作為回收判定不可曝光之晶圓W時之途徑，可使用例如穿梭運送裝置80，亦可經由第1區塊G1中顯影處理單元33之段回收。使用顯影處理單元33之段係因該顯影處理單元33之段中曝光後晶圓W之運送方向與判定為不可曝光之晶圓W之運送方向相同，係自曝光裝置4朝匣盒站2側之方向，可不干擾通常晶圓W之運送而運送不可曝光之晶圓W。
且檢驗結果若判定晶圓W之狀態目前雖無法曝光，但可藉由於清洗單元100進行再清洗在曝光裝置4進行曝光，即藉由第3運送臂123傳遞晶圓W至傳遞單元110，藉由第1運送臂121再次將其運送至清洗單元100。又，將於清洗單元100再次經清洗之晶圓W再次運送至檢驗單元101。其後，若由檢驗單元101判定可曝光，即藉由第3運送臂123運送晶圓W至溫度調整單元112，接著藉由晶圓運送機構130將其運送至曝光裝置4以進行曝光處理(圖25之程序S12)。
將經曝光處理之晶圓W藉由第4運送臂124運送至第7區塊G7之傳遞單元110。其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置85運送至第4區塊G4之 傳遞單元40。接著，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至熱處理單元40，進行曝光後烘烤處理(圖25之程序S13)。其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至顯影處理單元33，進行顯影處理(圖25之程序S14)。顯影結束後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至熱處理單元40，進行後烘烤處理(圖25之程序S15)。
其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至第3區塊G3之傳遞單元50，其後藉由匣盒站2之晶圓運送裝置21將其運送至既定匣盒載置板13之匣盒C。如此，結束一連串光微影程序。
依以上實施形態，由檢驗單元101檢驗清洗後之晶圓W結果，判定該晶圓W之狀態於目前雖不可曝光但可藉由在清洗單元100再清洗而變成可曝光的狀態時，晶圓運送控制部125控制晶圓運送機構120，再次運送該晶圓W至清洗單元100。此時，相較於就判斷為不可曝光之所有晶圓W中止以後的處理而回收至匣盒C之習知塗布顯影處理系統300，可減少中止以後的處理而回收至匣盒C之晶圓W之數量。其結果，可提升由塗布顯影處理系統1處理晶圓W之良率。
且設有將由檢驗單元101檢驗後的晶圓W暫時加以收納之緩衝單元111，故檢驗後之晶圓W可於該緩衝單元111待命直到由檢驗單元101檢驗之結果判明止。假設，在檢驗結果未判明之狀態下運送晶圓W時，需依其後判明之檢驗結果變更運送中晶圓W之運送目的地，有對晶圓W之運送造成巨大影響之虞。然而，因檢驗後之晶圓W於緩衝單元111待命直到檢驗結果判明止，故可確定運送目的地再運送晶圓W，因此不會產生如此之影響。
又，由檢驗單元101檢驗後之晶圓W於緩衝單元111待命之時間未必需至該晶圓W檢驗結果判明止，亦可待命其以上之時間。例如，由緩衝單元111收納複數檢驗後之晶圓W時，檢驗結果最先判明之晶圓W之檢驗結果為上述「再清洗」之際，在此晶圓W由清洗單元100再次清洗之過程中， 由緩衝單元111收納之其他晶圓W之檢驗結果可能判明。相關情形下，若將檢驗結果判明之下一晶圓W運送至曝光裝置4側，該晶圓W即會越過被再清洗之晶圓W而被運送至曝光裝置4。此時，以與依例如批次單位設定於處理配方之晶圓W之運送排程不同之順序運送晶圓W至曝光裝置4，故曝光裝置4可能無法認知此晶圓W而發生運送錯誤。
因此，如上述任意晶圓W經判定為「再清洗」時，至在該晶圓W再清洗後再次由檢驗單元101檢驗，再次收納於緩衝單元111後再清洗之檢驗結果判明為止，下一晶圓W宜於緩衝單元111待命。如此，藉由調整晶圓W於緩衝單元111待命之時間，即使在為「再清洗」時亦可以預先決定之既定順序運送晶圓W。又，緩衝單元111亦可例如多段收納複數晶圓W。相關情形下，例如緩衝單元111內之晶圓W經判定為不可曝光時，至不會對由晶圓運送機構120運送晶圓之排程造成影響之時機止收納該晶圓W於緩衝單元111，藉此可不對運送排程造成影響而回收晶圓W。且例如亦可令例如複數片經判定為可曝光之晶圓W於緩衝單元111待命。相關情形下，例如若在將經判定為「再清洗」之晶圓W再次清洗期間內，將待命之可曝光晶圓W朝曝光裝置4運送，即可經常確保朝曝光裝置4運送之晶圓W，故可防止曝光裝置4呈擱置狀態。
以上實施形態中，清洗後之晶圓W由各運送臂122、123、124運送至各單元，故可抑制運送清洗後之晶圓W之各運送臂122、123、124因附著於晶圓W背面之微粒而被污染。其結果，可保持各運送臂122、123、124潔淨，可減少運送清洗後之晶圓W時，晶圓W之背面被附著於各運送臂122、123、124之微粒污染之可能性。
又，由檢驗單元101檢驗結果，判定晶圓W之狀態不可於例如曝光裝置4曝光時，第2運送臂122及第3運送臂123會運送例如於背面附著微粒之狀態之晶圓W。如此，附著於晶圓W之微粒即會附著於各運送臂122、123，有污染接著運送之晶圓W之背面之虞。因此，由檢驗單元101檢驗結果，判定晶圓W之狀態不可於曝光裝置4曝光，或可藉由再清洗曝光時， 亦可在運送該晶圓W後，清洗第2運送臂122及第3運送臂123。相關之第2運送臂122之清洗亦可由例如清洗單元100進行。相關情形下，亦可構成清洗單元100之毛刷142為可沿上下任意反轉，藉由已反轉之毛刷142清洗進入清洗單元100內之第2運送臂122上表面。且亦可在清洗單元100外，另設置作為清洗運送臂122之臂部清洗機構之其他清洗單元於第5區塊G5或第7區塊G7。又，清洗第3運送臂123時，亦可於第6區塊G6或第7區塊G7設置其他清洗單元。且亦可於緩衝單元111設置運送臂122、123之清洗機構。
以上實施形態中，雖於例如塗布顯影處理單元1正面側配置清洗單元100，於背面側配置檢驗單元101與脫水單元102，但亦可將例如清洗單元100與脫水單元102多段設置於介面站5正面側，亦即第5區塊G5，於第6區塊G6僅設置檢驗單元101。藉此，清洗後晶圓W與運送臂之接觸次數可為最小限。亦即，分別將清洗單元100與脫水單元102設於正面側與背面側時，為自清洗單元100朝脫水單元102運送晶圓W，首先需自清洗單元100朝傳遞單元110運送，接著自傳遞單元110朝脫水單元102運送。此時，清洗後之晶圓W背面最低會分別接觸晶圓運送機構120、130各運送臂122、123 1次。相對於此，若沿上下方向配置清洗單元100與脫水單元102，即無需經由傳遞單元110，故可抑制晶圓W與晶圓運送機構120之第2運送臂122之接觸次數至1次。其結果，相較於以往可更減少晶圓W之背面因附著於晶圓運送機構120之微粒而被污染之可能性。
且亦可將清洗單元100與檢驗單元101多段設置於介面站5正面側，亦即第5區塊G5，於第6區塊G6僅設置脫水單元102。藉由於背面側僅配置脫水模組102，可於背面側確保附隨於脫水模組102而設置之排氣機構184或處理容器180之大型且重量大的設備的設置位置。
又，以上實施形態中，雖於介面站5設置脫水單元102，但本發明中未必需設置脫水單元102，關於其設置之有無可任意選擇。
且藉由於晶圓運送機構120、130設置複數運送臂121、122、123、124，可均等化由各運送臂121、122、123、124進行之運送程序數。藉此，可輕易管理晶圓W之運送時間。
以上實施形態中，雖藉由溫度調整單元112調整運送至曝光裝置4前晶圓W之溫度，但例如亦可於檢驗單元101設置調整檢驗單元101內之環境氣體至既定溫度之溫度調節機構，在由該檢驗單元101檢驗晶圓W之期間調整該晶圓W之溫度。藉此，可縮短於溫度調整單元112之處理時間或朝溫度調整單元112之運送時間，故可提升塗布顯影處理系統1之處理能力。
以下，說明關於本發明另一實施形態。此實施形態中，圖5係顯示自匣盒站2側觀察，介面站5內部構成概略之說明圖。如圖5所示，介面站5中設有包含各種單元之3個區塊G5、G6、G7。第5區塊G5設於介面站5正面側(圖1X方向負方向側)。第6區塊G6設於例如介面站5背面側(圖1X方向正方向側)。且第7區塊G7設於第5區塊G5與第6區塊G6之間之區域。
例如第5區塊G5中，如圖5所示，例如沿上下方向配置2台檢驗送入曝光裝置4前之晶圓W之清洗檢驗單元200。關於清洗檢驗單元200之具體構成後述。
第6區塊G6中，例如沿上下方向配置3台將附著於由清洗檢驗單元200清洗及檢驗後之晶圓W之水分加以脫水去除之脫水單元201。
第7區塊G7中沿上下方向設有複數下列者：傳遞單元210，藉由晶圓運送裝置85在與處理站3之間傳遞晶圓W；傳遞單元211，用來將由清洗檢驗單元200清洗與檢驗完畢後之晶圓W傳遞至脫水單元201或曝光裝置4；及 溫度調整單元212，在將脫水後之晶圓W送入曝光裝置4前調整其至既定溫度，以作為溫度調整機構。
具體而言，於第7區塊G7上部，自上而下依序交互逐一堆疊配置3段傳遞單元210與傳遞單元211。於第7區塊G7下部，自上而下依序交互逐一堆疊配置2段傳遞單元211與溫度調整單元212。溫度調整單元212包含具有帕爾帖元件等溫度調整構件之溫度調整板，可將載置於該溫度調整板之晶圓W調整至既定溫度，例如常溫。
在第5區塊G5與第7區塊G7之間鄰接第5區塊G5之區域，設有晶圓運送裝置220。晶圓運送裝置220包含第1運送臂221與第2運送臂222，以作為複數，例如2個運送臂。各運送臂221、222可沿例如前後方向、θ方向及上下方向任意移動。藉此各運送臂221、222可在支持晶圓W之狀態下沿上下移動，在各區塊G5、G7各單元間運送晶圓W。
在第6區塊G6與第7區塊G7之間之區域設有晶圓運送裝置230。晶圓運送裝置230包含第3運送臂231與第4運送臂232，作為複數，例如2個運送臂。各運送臂231、232可沿例如前後方向、θ方向及上下方向任意移動。藉此，各運送臂231、232可在支持晶圓W之狀態下沿上下移動，在第6區塊G6、第7區塊G7及曝光裝置4之間運送晶圓W。又，圖5中，作為晶圓運送裝置220，雖描繪有獨立移動之複數運送臂221、222，但亦可不使用例如複數運送臂，代之以於1個運送臂設置複數，例如2根固持晶圓W之夾鉗。關於晶圓運送裝置230亦相同。
由晶圓運送裝置220、230進行之晶圓W之運送係藉由作為圖1所示之控制裝置6之基板運送控制部之晶圓運送控制部235控制。晶圓運送控制部235控制晶圓運送裝置220，俾藉由晶圓運送裝置220之例如第1運送臂221將自處理站3運送至傳遞單元210之晶圓W朝清洗檢驗單元200運送，藉由第2運送臂222將由清洗檢驗單元200清洗及檢驗結束之晶圓W朝第7區塊G7之傳遞單元211運送。且晶圓運送控制部235控制晶圓運送裝置230，俾藉由晶圓運送裝置230之第3運送臂231，將由清洗檢驗單元 200清洗後之晶圓W自傳遞單元211朝脫水單元201運送，並自脫水單元201朝溫度調整單元212運送，藉由第4運送臂232，在溫度調整單元212、傳遞單元211與曝光裝置4之間運送晶圓W。又，晶圓運送控制部235亦控制塗布顯影處理系統1內其他晶圓運送裝置，或後述運送機構243之動作。
其次，說明關於清洗檢驗單元200之構成。圖9係顯示清洗檢驗單元200構成概略之縱剖面圖。
清洗檢驗單元200包含：框體240；晶圓清洗部241，清洗晶圓W背面以作為基板清洗部；晶圓檢驗部242，在將晶圓送入曝光裝置4前檢驗由晶圓清洗部241清洗後之晶圓W背面是否呈可於曝光裝置4曝光之狀態，以作為基板檢驗部；及運送機構243，在晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242之間運送晶圓W。
晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242在框體240內自下而上依序配置。且在晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242之間之區域，亦即，係晶圓清洗部241之上方且係晶圓檢驗部242下方，配置有令由晶圓檢驗部242檢驗後之晶圓W暫時待命，作為緩衝待命部之待命載置台244。
晶圓清洗部241如圖10所示，包含：2個吸附墊250、250，水平吸附固持晶圓W；旋轉夾盤251，水平吸附固持自此吸附墊250、250接收之晶圓W；及毛刷252，清洗晶圓W背面。
如圖10所示，2個吸附墊250、250以俯視視之包夾旋轉夾盤251大致平行設置，俾可固持晶圓W背面周緣部。各吸附墊250、250由可藉由驅 動機構(未經圖示)沿水平方向及上下方向任意移動之框體253支持其兩端部。
於框體253上表面設有上部杯體254。於上部杯體254上表面形成直徑大於晶圓W之開口部254a。開口部254a形成為在吸附墊250與例如第1運送臂221之間傳遞晶圓W時，該晶圓W可通過此開口部254a之大小。
如圖9所示，旋轉夾盤251經由軸260連接驅動機構261，旋轉夾盤251可藉由此驅動機構261任意旋轉及昇降。
於旋轉夾盤251周圍設有複數可藉由昇降機構(未經圖示)任意昇降之昇降銷262。
毛刷252係將例如多數塑膠纖維綁成圓柱狀構成，由支持體263支持。支持體263中與毛刷252相反側之端部連接驅動機構264。驅動機構264如圖10所示，可順著沿X方向延伸之軌道265沿水平方向任意移動。因此，藉由令驅動機構264順著軌道沿X方向移動，可隔著支持體263使毛刷252沿X方向移動。毛刷252可藉由內建於支持體263之驅動機構(未經圖示)任意旋轉。因此，藉由在其上表面抵緊晶圓W背面之狀態下使其旋轉，令該毛刷252於晶圓W背面滑動，可去除附著於晶圓W背面之微粒。
且於支持體263前端設有：清洗液噴嘴263a，將沖洗由毛刷去除之微粒之清洗液加以供給；及吹掃噴嘴263b，為使清洗後附著於晶圓W背面之清洗液乾燥而供給例如氮等氣體。
於框體240底部設有：排放管270，排出清洗液；及排氣管271，使框體240內部排氣，朝晶圓清洗部241形成下方向氣流。
其次，說明關於晶圓檢驗部242之構成。
晶圓檢驗部242如圖9所示，包含：固持臂280，設於晶圓清洗部241上方；光源281，對晶圓W背面照射線狀平行光線；及相機282，拍攝所照射之光。
固持臂280可藉由驅動機構(未經圖示)沿水平方向任意移動。
於固持臂280前端部形成朝下方突出之卡止部280a。且於固持臂280下表面設有可藉由未圖示之驅動機構沿晶圓W直徑方向任意移動之可動固持部280b。固持臂280可藉由此卡止部280a與可動固持部280b夾住晶圓W，在該晶圓W其背面朝下方之狀態下固持之。
配置光源281於固持臂280下方，俾對晶圓W背面以既定角度θ照射光線。相機282在與光源281相同以既定角度θ傾斜之狀態下對著晶圓W背面配置於固持臂280下方，俾拍攝照射至晶圓W背面之光線影像。
光源281、相機282可藉由未圖示之轉動機構調整照射角度及拍攝角度。藉此，以某角度照射光線時若無法觀察到微粒，即可以不同角度照射光線觀察之。
在晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242之間運送晶圓W之運送機構243例如圖9所示，設於鄰接晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242Y方向正方向側之區域。
運送機構243例如圖10所示，包含其前端分支成2根的大致呈U字形之運送臂243a。於運送臂243a之端部設有使該運送臂243a沿前後方向移動之臂驅動機構243b。臂驅動機構243b由基台243c支持。
基台243c中內建有可令該基台243c順著沿鉛直方向延伸設置之昇降軌道243d沿θ方向及上下方向任意移動之驅動機構(未經圖示)。藉此，運送臂243a可沿前後方向、θ方向及上下方向任意移動，在固持晶圓W之狀態下沿上下移動，在晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242之間運送晶圓W。
於待命載置台244可內建昇降銷(未經圖示)，藉由此昇降銷在與運送臂243a或例如第2運送臂222之間傳遞晶圓W。
其次，說明關於由清洗檢驗單元200進行之晶圓W之清洗與檢驗。
清洗晶圓W時，首先如圖16所示，藉由例如第1運送臂221將晶圓W運送至上部杯體254上方。接著，昇降銷262上昇，傳遞晶圓W至昇降銷262。此時，吸附墊250在其上表面高於毛刷252上表面之位置待命，旋轉夾盤251退避至低於毛刷252上表面之位置。其後，昇降銷262下降，如圖17所示，傳遞晶圓W至吸附墊250並加以固持。
接著，如圖18所示，在晶圓W由吸附墊250吸附固持之狀態下，令框體253沿水平方向移動，俾例如毛刷252位於對應晶圓W背面中央部之區域。其後，吸附墊250下降，故晶圓W背面抵住毛刷252上表面。
接著，自清洗液噴嘴263a供給清洗液並令毛刷252旋轉，清洗晶圓W背面中央部。此時，支持體263沿圖10X方向往復動作，框體253沿Y方向往復動作，藉此徹底清洗晶圓W背面中央部。
晶圓W背面中央部之清洗結束後，如圖19所示，在晶圓W由吸附墊250固持之狀態下，令框體253沿水平方向移動，俾晶圓W中心與旋轉夾盤251中心以俯視視之一致。接著，令框體253下降並令旋轉夾盤251上昇，自吸附墊250朝旋轉夾盤251傳遞晶圓W。
其後，如圖20所示，在毛刷252抵住晶圓W背面之狀態下令晶圓W旋轉，並藉由支持體263令毛刷沿圖10X方向滑動，藉此清洗晶圓W背面周緣部。藉此，去除晶圓W背面整體之微粒。
晶圓W背面之清洗完畢後，即停止旋轉毛刷252或自清洗液噴嘴263a供給清洗液。接著，藉由使旋轉夾盤251以高速旋轉，甩乾附著於晶圓W背面之清洗液。此時，以吹掃噴嘴263b進行之吹掃亦並行進行。
又，甩乾結束後，本次晶圓W即以與運送至晶圓清洗部241時相反之順序傳遞至運送機構243之運送臂243a。
接著，運送臂243a在固持晶圓W之狀態下上昇至晶圓檢驗部242而移動至固持臂280下方，接著藉由固持臂280之卡止部280a與可動固持部280b夾住晶圓W，傳遞該晶圓W至固持臂280。
傳遞晶圓W至固持臂280後，固持臂280即在固持晶圓W之狀態下沿水平方向移動。固持臂280水平移動期間內，藉由光源281對晶圓W背面照射線狀平行光線，藉由相機282連續拍攝照射至背面之光線。依序將由相機282拍攝之影像輸入控制裝置6。又，自晶圓W一端部橫跨至另一端部拍攝完畢後，於晶圓檢驗部242之檢驗結束。
檢驗結束後，再傳遞晶圓W至運送機構243，其後，傳遞至作為緩衝待命部之待命載置台244。且緩衝待命部亦可設於清洗檢驗單元200外部，例如第7區塊G7。
與此並行，控制裝置6中，根據由相機282拍攝之影像資訊，判定所拍攝之晶圓W是否呈可曝光狀態。更具體而言，控制裝置6中，根據自例如所拍攝之影像資訊計算出之例如附著於晶圓W背面之微粒數或附著之範圍，或是微粒高度或大小等資訊，判定晶圓W之狀態屬於3種類可於曝光裝置4曝光之狀態，不可於曝光裝置4曝光之狀態，或是目前雖無法於曝 光裝置4曝光，但若由晶圓清洗部241再次清洗即可於曝光裝置4曝光之狀態中的哪一狀態。
由晶圓檢驗部242檢驗之結果判明後，晶圓運送控制部235即根據既定規則控制晶圓W之運送。亦即，若由晶圓檢驗部242檢驗結果判定晶圓W之狀態可於曝光裝置4曝光，即藉由第2運送臂222將待命載置台244之晶圓W運送至第7區塊G7之傳遞單元211。且若檢驗結果判定晶圓W之狀態不可於曝光裝置4曝光，即中止該晶圓W以後的處理，藉由第1運送臂221運送至傳遞單元210。又，藉由第1運送臂221運送經判定不可於曝光裝置4曝光之晶圓W係為防止運送經判定可曝光之晶圓W，換言之背面呈潔淨狀態之晶圓W之第2運送臂222固持經判定不可曝光之晶圓W導致其因微粒受到污染。
且若檢驗結果判定晶圓W之狀態目前雖無法曝光，但可藉由於晶圓清洗部241再次清洗而可於曝光裝置4曝光，即再藉由運送機構243將待命載置台244之晶圓W運送至晶圓清洗部241。對再次運送至晶圓清洗部241之晶圓W再次進行上述清洗及檢驗，藉由第2運送臂222將再清洗及再檢驗後之晶圓W運送至傳遞單元211。
其次，說明關於脫水單元201之構成。圖23係顯示脫水單元201構成概略之俯視圖，圖24係顯示脫水單元201構成概略之縱剖面圖。
脫水單元201包含：處理容器290，於內部對晶圓W進行脫水處理；固持構件291，固持晶圓W背面外周部；及昇降機構293，經由軸292沿上下方向使固持構件291昇降。
固持構件291例如圖23所示，以俯視視之大致形成為圓弧狀，呈同心圓狀設有複數，於本實施形態中呈同心圓狀設有4個。固持構件291如圖24所示，呈外周側上端部291a高於內周側上端部291b，大致呈U字形之 剖面形狀。藉此，固持構件291外周側用作為防止由內周側上端部291b固持晶圓W時晶圓W脫落之導件。
在各固持構件291與晶圓運送裝置230之間傳遞晶圓W時，例如圖23所示，令例如第3運送臂231自處理容器290之閘門290a進入。接著，令第3運送臂231移動，俾由該第3運送臂231固持之晶圓W中心部與複數固持構件291之圓弧中心一致。接著，在此狀態下，藉由昇降機構293使固持構件291上昇。藉此，自第3運送臂231朝固持構件291傳遞晶圓W。其後，運送臂231朝處理容器290外部退避。又，在運送臂231與固持構件291之間傳遞晶圓W時，亦可不使固持構件291進行昇降動作，代之以使例如第3運送臂231進行昇降動作。
於處理容器290底部設有：排氣管295，連接排氣機構294；及吹掃管296，朝處理容器290內送入例如氮氣以吹掃處理容器290內。
吹掃管296連接供給氮氣之氣體供給源297。
由脫水單元201對晶圓W進行脫水處理時，首先，藉由第3運送臂231將晶圓W送入處理容器290內，接著傳遞此晶圓W至固持構件291。其後，第3運送臂231朝處理容器290外退避，閘門290a關閉。接著，藉由排氣機構294使處理容器290內減壓。藉此使附著於晶圓W之水分蒸發，對晶圓W進行脫水處理。
晶圓W之脫水處理結束後，藉由吹掃管296進行處理容器290內之吹掃與昇壓。其後，閘門290a開放，藉由第3運送臂231自脫水單元201送出晶圓W。
又，控制裝置6係由例如包含CPU或記憶體等之電腦構成。此控制裝置6中，作為程式於例如記憶體記憶有例如決定塗布顯影處理系統1於各種處理單元處理晶圓之內容或各晶圓W之運送途徑之處理配方。藉由實行 此程式，控制塗布顯影處理系統1各種處理單元，或控制由上述晶圓運送控制部235控制之各晶圓運送裝置或清洗檢驗單元200運送機構243之動作，控制塗布顯影處理系統1中晶圓W之各種處理或運送。又，該程式記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等可由電腦讀取之記憶媒體H，亦可自該記憶媒體H安裝於控制裝置6。
如以上構成之塗布顯影處理系統1中，進行例如下列晶圓處理。圖26係顯示相關之晶圓處理主要程序例之流程圖。
處理晶圓W時，首先，將收納複數片晶圓W之匣盒C載置於匣盒送入送出部10之既定匣盒載置板13。其後，藉由晶圓運送裝置21依序取出匣盒C內各晶圓W，將其運送至處理站3第3區塊G3之例如傳遞單元53。
其次將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至第2區塊G2之熱處理單元40，進行溫度調節(圖26之程序S1)。其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至例如第1區塊G1之下部抗反射膜形成單元30，在晶圓W上形成下部抗反射膜(圖26之程序S2)。其後運送晶圓W至第2區塊G2之熱處理單元40，進行加熱處理。其後回到第3區塊G3之傳遞單元53。
其次同樣將晶圓W藉由晶圓運送裝置90運送至第3區塊G3之傳遞單元54。其後將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至第2區塊G2之附著單元41，進行附著處理(圖26之程序S3)。其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至光阻塗布單元31，在晶圓W上形成光阻膜。(圖26之程序S4)。
其後將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至熱處理單元40，進行預烤處理(圖26之程序S5)。其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至第3區塊G3之傳遞單元55。
其次將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至上部抗反射膜形成單元32，在晶圓W上形成上部抗反射膜(圖26之程序S6)。其後將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至熱處理單元40，加熱之並進行溫度調節。其後，將晶圓W運送至周邊曝光單元42，進行周邊曝光處理(圖26之程序S7)。
其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至第3區塊G3之傳遞單元56。
其次將晶圓W藉由晶圓運送裝置90運送至傳遞單元52，藉由穿梭運送裝置80將其運送至第4區塊G4之傳遞單元62。
其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置85運送至第7區塊G7之傳遞單元210。其次將晶圓W藉由晶圓運送裝置220之第1運送臂221運送至清洗檢驗單元200之晶圓清洗部241，清洗晶圓W之背面(圖26之程序S8)。
將背面經清洗之晶圓W藉由運送機構243運送至晶圓檢驗部242，檢驗晶圓W背面(圖26之程序S9a)。其次將晶圓W藉由運送機構243運送至待命載置台244，暫時將其載置於該待命載置台244直到由晶圓檢驗部242檢驗晶圓W之結果判明止。
由晶圓檢驗部242檢驗之結果判明後，晶圓運送控制部235即根據檢驗結果運送晶圓W。亦即，若由晶圓檢驗部242檢驗結果判定晶圓W之狀態可於曝光裝置4曝光，即將待命載置台244上的晶圓W藉由第2運送臂222運送至第7區塊G7之傳遞單元211，接著藉由晶圓運送裝置230之運送臂231將其運送至脫水單元201。
且若檢驗結果判定晶圓W之狀態不可於曝光裝置4曝光，即中止對該晶圓W以後的處理，藉由第1運送臂221將其運送至傳遞單元210。其後，將以後的處理經中止之晶圓W藉由晶圓運送裝置85運送至處理站3，接著由既定匣盒載置板13之匣盒C回收(圖26之程序S10a)。又，作為回收經 判定不可曝光之晶圓W時之途徑，可使用例如穿梭運送裝置80，亦可經由第1區塊G1中顯影處理單元33之段回收。使用顯影處理單元33之段係因該顯影處理單元33之段中曝光後晶圓W之運送方向與經判定不可曝光之晶圓W之運送方向相同，係自曝光裝置4朝匣盒站2側之方向，可不干擾通常之晶圓W運送而運送不可曝光之晶圓W。
且若檢驗結果判定晶圓W之狀態於目前雖無法曝光，但可藉由於晶圓清洗部241再清洗而於曝光裝置4曝光，即藉由運送機構243將該晶圓W再次朝晶圓清洗部241運送。又，將由晶圓清洗部241再次清洗之晶圓W藉由運送機構243再次朝晶圓檢驗部242運送。又，若由晶圓檢驗部242檢驗結果判定可曝光，即將該晶圓W藉由第2運送臂222朝第7區塊G7之傳遞單元211運送。接著藉由晶圓運送裝置230之第3運送臂231朝脫水單元201運送之。
接著將運送至傳遞單元211之晶圓W藉由晶圓運送裝置230之第3運送臂231朝脫水單元201運送。將運送至脫水單元201之晶圓W藉由脫水單元201進行脫水處理(圖26之程序S11a)。
其後，將晶圓W藉由第3運送臂231朝溫度調整單元212運送，接著藉由第4運送臂232朝曝光裝置4運送之以進行曝光處理(圖26之程序S12)。
將經曝光處理之晶圓W藉由第4運送臂232朝第7區塊G7之傳遞單元210運送。其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置85朝第4區塊G4之傳遞單元40運送。
接著，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70朝熱處理單元40運送，進行曝光後烘烤處理(圖26之程序S13)。其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70朝顯影處理單元33運送，進行顯影處理(圖26之程序S14)。顯影結束後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70朝熱處理單元40運送，進行後烘烤處理(圖26之程序S15)。
其後，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至第3區塊G3之傳遞單元50，其後藉由匣盒站2之晶圓運送裝置21將其運送至既定匣盒載置板13之匣盒C。如此，結束一連串光微影程序。
依上述另一實施形態，可將清洗晶圓W背面之晶圓清洗部241，與檢驗清洗後晶圓W之晶圓檢驗部242收納於同一框體240內部，且此晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242之間晶圓之運送係藉由設於框體240內部之運送機構243進行。因此，在晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242之間運送晶圓時，不需如以往使用設於例如框體240外部之晶圓運送裝置220。其結果，可減少塗布顯影處理系統1中晶圓運送之負擔。
此實施形態中，由晶圓檢驗部242檢驗清洗後晶圓W結果判定該晶圓W之狀態於目前雖不可曝光但可藉由於晶圓清洗部241再清洗而變成可曝光的狀態時，將該晶圓W再次朝晶圓清洗部241運送。此時，相較於就經判斷不可曝光之所有晶圓W中止以後的處理並回收至匣盒C之習知塗布顯影處理系統300，可減少以後的處理中止而由匣盒C回收之晶圓W數。其結果，可提升由塗布顯影處理系統1處理晶圓W之良率。
且伴隨著由晶圓清洗部241再清洗晶圓W之運送係藉由運送機構243進行。因此，由清洗檢驗單元200再清洗晶圓W時，不增加框體240外部晶圓運送裝置之負擔。
且於框體240內設有可使檢驗後晶圓W暫時待命之待命載置台244，故可令該檢驗後之晶圓W至檢驗結果判明止於該待命載置台244待命。假設，若在檢驗結果未判明之狀態下自清洗檢驗單元200送出晶圓W，運送中晶圓W之運送目的地即需依其後判明之檢驗結果變更，有對晶圓W之運送造成巨大影響之虞。相對於此，藉由如本實施形態，令檢驗後之晶圓W至檢驗結果判明止於待命載置台244待命，在自清洗檢驗單元200送出後 晶圓W之運送目的地即不會變更。因此，自此特點觀之，亦可防止晶圓W運送之負擔增加。
又，令由晶圓檢驗部242檢驗後之晶圓W於待命載置台244待命之時間未必需至該晶圓W檢驗結果判明止，亦可待命此以上時間。例如，若自第5區塊G5最上部清洗檢驗單元200朝最下部清洗檢驗單元200依序將自處理站3運送之晶圓W送入，例如檢驗結果最先判明之最上部清洗檢驗單元200中之檢驗結果為上述「再清洗」時，於此晶圓W在晶圓清洗部241經再次清洗期間內，配置於較最上部更下方之其他清洗檢驗單元200中之檢驗結果即可能判明。相關情形下，若將檢驗結果先判明之該晶圓W朝曝光裝置4側運送，此晶圓W即會越過被再清洗之晶圓W而被運送至曝光裝置4。此時，以與依例如批次單位設定於處理配方之晶圓W之運送排程不同之順序運送晶圓W至曝光裝置4，故曝光裝置4可能無法認知此晶圓W而發生運送錯誤。
因此，如上述任意晶圓W經判定「再清洗」時，至該晶圓W再清洗後再次由晶圓檢驗部242檢驗，再次載置於待命載置台244後再檢驗之檢驗結果判明止，宜令於其他清洗檢驗單元200檢驗後之晶圓W於待命載置台244待命。如此，藉由以待命載置台244調整令晶圓W待命之時間，即使在為「再清洗」時亦可以預先決定之既定順序運送晶圓W。又，亦可沿例如上下方向多段設置待命載置台244，令複數晶圓於清洗檢驗單元200內待命。相關情形下，例如待命載置台244上的晶圓W經判定不可曝光時，至不會對藉由晶圓運送裝置220或運送機構243運送晶圓之排程造成影響之時機止將該晶圓W載置在待命載置台244上，藉此可對運送排程不造成影響而回收晶圓W。且亦可於例如待命載置台244令例如複數片經判定可曝光之晶圓W待命。相關情形下，例如若在將經判定為「再清洗」之晶圓W再次清洗期間內，將待命之可曝光晶圓W朝曝光裝置4運送，即可經常確保朝曝光裝置4運送之晶圓W，故可防止曝光裝置4呈擱置狀態。
又，本實施形態中，雖於晶圓清洗部241上方配置晶圓檢驗部242，但亦可相反地將晶圓清洗部241配置於晶圓檢驗部242上方。
本實施形態中，將清洗及檢驗結束之晶圓W中經判定不可於曝光裝置4曝光之晶圓W藉由第1運送臂221運送，將經判定可曝光之晶圓W藉由第2運送臂222運送，故可防止第2運送臂222因附著於經判定不可曝光之晶圓W之微粒被污染。其結果，可保持於下游程序使用之各運送臂222、231、232或各單元潔淨。
且藉由於晶圓運送裝置220、230設置複數運送臂221、222、231、232，可均等化由各運送臂221、222、231、232運送之程序數。藉此，可輕易管理晶圓W之運送時間。
又，由晶圓檢驗部242檢驗結果判定晶圓W之狀態不可於例如曝光裝置4曝光時，運送機構243運送例如於背面附著有微粒之狀態之晶圓W。如此即有附著於晶圓W之微粒附著於該運送機構243，污染接著運送之晶圓W背面之虞。因此，由晶圓檢驗部242檢驗結果判定晶圓W之狀態不可於曝光裝置4曝光，或可藉由再清洗曝光時，亦可在運送該晶圓W後清洗運送機構243。
相關之運送機構243之清洗亦可於例如晶圓清洗部241進行。相關情形下，亦可構成例如運送機構243使其可沿上下任意反轉，在該運送機構243固持晶圓W之面朝下之狀態下藉由毛刷252清洗。且亦可構成毛刷252使其可沿上下任意反轉，在清洗運送機構243時使該毛刷252反轉。
本實施形態中，於介面站5設置脫水單元201，使於清洗時附著於晶圓W之水分脫水，故可抑制帶入曝光裝置4之水分至最小限。又，未必需設置脫水單元202，關於其設置之有無可任意選擇。
且於第6區塊G6僅設置脫水單元201，故可於背面側確保附隨例如脫水單元201而設置之處理容器290或排氣機構294之大型且重量大的設備的設置位置。
又，亦可不配置脫水單元201於第6區塊G6，代之以配置於例如第5區塊G5。相關情形下，宜例如自上而下依序交互設置清洗檢驗單元200與脫水單元201。藉此，可不經由第7區塊G7直接將清洗及檢驗結束之晶圓W藉由例如第2運送臂222運送至脫水單元201。藉此，可抑制晶圓W與各運送臂接觸之次數至最小限，故可較以往更減少晶圓W背面因微粒而被污染之可能性。
且亦可於清洗檢驗單元200內部設置脫水單元201。相關情形下，宜不配置例如待命載置台244而代之以將脫水單元201配置於框體240內部，由晶圓檢驗部242檢驗後，將晶圓W運送至脫水單元201以進行脫水處理。藉此，可在等待晶圓W檢驗結果期間內平行進行脫水處理，故可提升晶圓處理之處理能力。
本實施形態中，雖在運送至曝光裝置4前藉由溫度調整單元212調整晶圓W之溫度，但亦可於例如清洗檢驗單元200內部調整晶圓W之溫度。相關情形下，例如圖27所示，於清洗檢驗單元200框體240頂棚部設置冷卻例如框體240內空氣之冷卻機構298，以此冷卻機構298調整框體240內之環境氣體至既定溫度，藉此調整晶圓W之溫度。冷卻機構298中可使用於例如內部有既定溫度之冷媒流通之散熱器等。藉此，可在例如晶圓W之檢驗結束，晶圓W於待命載置台244待命之期間內調整該晶圓W之溫度。其結果，可縮短調整晶圓W溫度所需之時間，且不需朝溫度調整單元212運送晶圓，故可提升塗布顯影處理系統1之處理能力。且亦不需溫度調整單元212本身，故可使介面站5小型化。
又，本實施形態中，雖已說明關於作為運送機構243之運送臂243a使用大致呈U字形者之情形，但運送臂243a之形狀或種類不限定於相關之實 施形態，例如作為運送臂243a亦可使用以非接觸方式固持晶圓W之白努利吸盤等。
且亦可例如在晶圓檢驗部242本身上下反轉之狀態下，亦即以於檢驗部242晶圓W之背面朝上方之方式配置該檢驗部242。此時，亦可於運送機構243設置轉動機構(未經圖示)，俾例如運送臂243a可以水平軸為中心沿上下方向任意反轉。任一情形下，吾人應理解關於在框體240內設備之配置或晶圓W之運送，熟悉該技藝者於申請專利範圍所記載之構想範疇內當然可想到各種變更例或修正例，關於此等者當然亦屬於本發明技術性範圍內。
又，本實施形態中，晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242雖係於清洗檢驗單元200框體240內沿上下方向配置，但關於晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242之配置亦未由本實施形態限定。例如圖28所示，作為又一實施形態，亦可於框體240內沿水平方向配置晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242。此時，晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242之間晶圓W之運送亦可在由例如晶圓清洗部241之吸附墊250固持晶圓W之狀態下藉由令框體253移動進行之。又，可藉由光源281及相機282檢驗由吸附墊250固持之晶圓W背面。
且亦可由吸附墊250固持晶圓W至例如晶圓W背面檢驗結果判明止。如此，即不需運送晶圓W至待命載置台244，故不僅待命載置台244，亦不需運送機構243。又，再清洗時，在由吸附墊250固持之狀態下移動晶圓W至晶圓清洗部241，清洗後在由吸附墊250固持之狀態下再朝晶圓檢驗部242移動。且判斷可曝光或是不可曝光時，傳遞晶圓W至晶圓清洗部241之昇降銷262，藉由晶圓運送裝置220自清洗檢驗單元200送出之。相關情形下，由框體253支持之吸附墊250用作為本實施形態之運送機構。
又，如圖9所示，即使在沿上下方向配置晶圓清洗部241與晶圓檢驗部242時，亦可在由例如固持臂280固持晶圓W之狀態下，令該晶圓W待命至晶圓W之檢驗結果判明止。
以上，雖已參照附圖並同時說明關於本發明之較佳實施形態，但本發明不由相關例限定。吾人應理解熟悉該技藝者於申請專利範圍所記載之構想範疇內當然可想到各種變更例或修正例，關於此等者當然亦屬於本發明技術性範圍內。本發明不限於此例可採用各種態樣。本發明亦可適用於基板係晶圓以外之FPD(平面顯示器)、光罩用倍縮光罩等其他基板時。
【產業上利用性】
本發明在對例如半導體晶圓等基板進行處理時有用。
5‧‧‧介面站
100‧‧‧清洗單元
101‧‧‧檢驗單元
102‧‧‧脫水單元
110‧‧‧傳遞單元
111‧‧‧緩衝單元
112‧‧‧溫度調整單元
120‧‧‧晶圓運送機構
121‧‧‧第1運送臂
122‧‧‧第2運送臂
123‧‧‧第3運送臂
124‧‧‧第4運送臂
130‧‧‧晶圓運送裝置
G5~G7‧‧‧第5~第7區塊

Claims (42)

  1. 一種基板處理系統，包含：處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板處理系統之特徵在於該介面站包含：清洗單元，在將基板送入該曝光裝置前，至少清洗基板的背面；檢驗單元，在將該基板送入該曝光裝置前，至少就該清洗後之基板的背面檢驗該基板是否可曝光；緩衝收納部，將由該檢驗單元檢驗後之基板暫時加以收納；基板運送機構，包含：第1運送臂，將送入該介面站之基板運送至該清洗單元；及第2運送臂，將由該清洗單元清洗後之基板運送至該檢驗單元，且將由該檢驗單元檢驗後之基板運送至該緩衝收納部；及基板運送控制部，控制該基板運送機構之動作；其中該基板運送控制部控制該基板運送機構，俾於由該檢驗單元檢驗結果判定基板狀態為可藉由在該清洗單元再清洗而變成可以曝光的狀態之情形時，即再次運送該基板至該清洗單元；且令複數片經判定為可曝光的基板於該緩衝收納部待命，且在將經判定為再清洗的基板再次清洗期間內，將該待命之可曝光的基板朝該曝光裝置運送。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該基板運送控制部控制該基板運送機構，俾將再次運送至該清洗單元並經清洗之基板再次運送至檢驗單元。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該緩衝收納部收納該檢驗後之基板直到該檢驗後之基板檢驗結果判明為止。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理系統，其中該介面站中設有脫水單元，用以將附著於由該清洗單元清洗後之基板之水分加以去除。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中該基板運送機構係設置成可沿上下方向任意移動， 該清洗單元係設置於該介面站正面側或背面側其中任一側，該檢驗單元係夾隔著該基板運送機構，而設置於該清洗單元之相反側，該脫水單元在該清洗單元側或該檢驗單元側其中任一側，相對於該清洗單元或該檢驗單元多段設置。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中該基板運送機構係設置成可沿上下方向任意移動，該清洗單元與該檢驗單元係於該介面站正面側或背面側其中任一側，沿上下方向多段設置，該脫水單元係夾隔著該基板運送機構，而設置於該清洗單元與該檢驗單元之相反側。
  7. 一種基板處理系統，包含：處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板處理系統之特徵在於該介面站包含：清洗單元，在將基板送入該曝光裝置前，至少清洗基板的背面；檢驗單元，在將該基板送入該曝光裝置前，至少就該清洗後之基板的背面檢驗該基板是否可曝光；緩衝收納部，將由該檢驗單元檢驗後之基板暫時加以收納；基板運送機構，包含：第1運送臂，將送入該介面站之基板運送至該清洗單元；第2運送臂，將由該清洗單元清洗後之基板運送至該檢驗單元；及第3運送臂，將由該檢驗單元檢驗後之基板運送至該緩衝收納部；及基板運送控制部，控制該基板運送機構之動作；其中該基板運送控制部控制該基板運送機構，俾於由該檢驗單元檢驗結果判定基板狀態為可藉由在該清洗單元再清洗而變成可以曝光的狀態之情形時，即再次運送該基板至該清洗單元；且令複數片經判定為可曝光的基板於該緩衝收納部待命，且在將經判定為再清洗的基板再次清洗期間內，將該待命之可曝光的基板朝該曝光裝置運送。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，其中 該基板運送控制部控制該基板運送機構，俾將再次運送至該清洗單元並經清洗之基板再次運送至檢驗單元。
  9. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，其中該緩衝收納部收納該檢驗後之基板直到該檢驗後之基板檢驗結果判明為止。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理系統，其中該介面站中設有脫水單元，用以將附著於由該清洗單元清洗後之基板之水分加以去除。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理系統，其中該基板運送機構係設置成可沿上下方向任意移動，該清洗單元係設置於該介面站正面側或背面側其中任一側，該檢驗單元係夾隔著該基板運送機構，而設置於該清洗單元之相反側，該脫水單元在該清洗單元側或該檢驗單元側其中任一側，相對於該清洗單元或該檢驗單元多段設置。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理系統，其中該基板運送機構係設置成可沿上下方向任意移動，該清洗單元與該檢驗單元係於該介面站正面側或背面側其中任一側，沿上下方向多段設置，該脫水單元係夾隔著該基板運送機構，而設置於該清洗單元與該檢驗單元之相反側。
  13. 一種基板處理系統，包含：處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板處理系統之特徵在於該介面站包含：清洗單元，在將基板送入該曝光裝置前，至少清洗基板的背面；檢驗單元，在將該基板送入該曝光裝置前，至少就該清洗後之基板的背面檢驗該基板是否可曝光；基板運送機構，包含在該清洗單元與該檢驗單元之間運送基板之臂部；臂部清洗機構，用以在判定基板之狀態為不可曝光，或者可藉由再清洗而變成可以曝光時，清洗該基板運送機構之已運送該基板的臂部；及 基板運送控制部，控制該基板運送機構之動作；且該基板運送控制部控制該基板運送機構，俾於由該檢驗單元檢驗結果判定基板狀態為可藉由在該清洗單元再清洗而變成可以曝光的狀態之情形時，即再次運送該基板至該清洗單元。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統，其中該臂部清洗機構兼作為該清洗單元。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理系統，其中更包含溫度調整機構，用以將由該檢驗單元檢驗後、送入該曝光裝置前之基板調整至既定溫度。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理系統，其中該溫度調整機構設於該檢驗單元內。
  17. 一種基板處理系統，包含：處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板處理系統之特徵為，該介面站包含：基板清洗部，在將基板送入該曝光裝置前，至少清洗基板的背面；基板檢驗部，在將該基板送入該曝光裝置前，至少就該清洗後之基板的背面檢驗該基板是否可曝光；及緩衝待命部，用以令由該基板檢驗部檢驗後之基板暫時待命；且該基板清洗部、該基板檢驗部以及該緩衝待命部配置於同一框體內部；於該框體內部，設有在該基板清洗部、該基板檢驗部與該緩衝待命部之間運送基板之運送機構；且該運送機構包含：第1運送臂，將送入該介面站之基板運送至該基板清洗部；及第2運送臂，將由該基板清洗部清洗後之基板運送至該基板檢驗部，且將由該基板檢驗部檢驗後之基板運送至該緩衝待命部；且令複數片經判定為可曝光的基板於該緩衝待命部待命，且在將經判定為再清洗的基板再次清洗期間內，將該待命之可曝光的基板朝該曝光裝置運送。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理系統，其中 該介面站中設有脫水單元，用以將附著於由該基板清洗部清洗後之基板之水分加以去除。
  19. 如申請專利範圍第17或18項之基板處理系統，其中更包含基板運送控制部，該基板運送控制部控制該運送機構，俾於由該基板檢驗部檢驗結果判定基板狀態為可藉由在該基板清洗部再清洗而變成可曝光之狀態時，即再次運送該基板至該基板清洗部。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板處理系統，其中該介面站中設有溫度調整機構，用以將由該基板檢驗部檢驗後、送入該曝光裝置前之基板調整至既定溫度。
  21. 如申請專利範圍第20項之基板處理系統，其中該溫度調整機構設於該框體內部。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板處理系統，其中該框體內部中設有清洗該運送機構之運送手段清洗機構。
  23. 如申請專利範圍第22項之基板處理系統，其中該運送手段清洗機構兼作為該基板清洗部。
  24. 一種基板運送方法，用於基板處理系統，該基板處理系統包含：處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板運送方法之特徵為，該介面站包含：清洗單元，在將基板送入該曝光裝置前，至少清洗基板的背面；檢驗單元，在將該基板送入該曝光裝置前，至少就該清洗後之基板的背面檢驗該基板是否可曝光；緩衝收納部，用以將由該檢驗單元檢驗後之基板暫時加以收納；及基板運送機構，包含：第1運送臂，將送入該介面站之基板運送至該清洗單元；及第2運送臂，將由該清洗單元清洗後之基板運送至該檢驗單元，且將由該檢驗單元檢驗後之基板運送至該緩衝收納部；於由該檢驗單元檢驗結果判定基板狀態係為可藉由在該清洗單元再清洗而變成可曝光的狀態，即再次運送該基板至該清洗單元；且 令複數片經判定為可曝光的基板於該緩衝收納部待命，且在將經判定為再清洗的基板再次清洗期間內，將該待命之可曝光的基板朝該曝光裝置運送。
  25. 如申請專利範圍第24項之基板運送方法，其中將再次運送至該清洗單元並經清洗之基板再次運送至檢驗單元。
  26. 如申請專利範圍第24項之基板運送方法，其中將該檢驗後之基板收納於該緩衝收納部直到由該檢驗單元檢驗結果判明。
  27. 如申請專利範圍第26項之基板運送方法，其中該介面站中設有脫水單元，用以將附著於由該清洗單元清洗後之基板之水分加以去除。
  28. 如申請專利範圍第27項之基板運送方法，其中該基板運送機構係設置成可沿上下方向任意移動，該清洗單元係設置於該介面站正面側或背面側其中任一側，該檢驗單元係夾隔著該基板運送機構設置於該清洗單元之相反側，該脫水單元係相對於該清洗單元或該檢驗單元，多段設置於該清洗單元側或該檢驗單元側其中任一側。
  29. 如申請專利範圍第27項之基板運送方法，其中該基板運送機構係設置成可沿上下方向任意移動，該清洗單元與該檢驗單元係沿上下方向多段設置於該介面站正面側或背面側其中任一側，該脫水單元係夾隔著該基板運送機構設置於該清洗單元與該檢驗單元之相反側。
  30. 一種基板運送方法，用於基板處理系統，該基板處理系統包含：處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板運送方法之特徵為，該介面站包含：清洗單元，在將基板送入該曝光裝置前，至少清洗基板的背面；檢驗單元，在將該基板送入該曝光裝置前，至少就該清洗後之基板的背面檢驗該基板是否可曝光； 緩衝收納部，用以將由該檢驗單元檢驗後之基板暫時加以收納；及基板運送機構，包含：第1運送臂，將送入該介面站之基板運送至該清洗單元；第2運送臂，將由該清洗單元清洗後之基板運送至該檢驗單元；及第3運送臂，將由該檢驗單元檢驗後之基板運送至該緩衝收納部；於由該檢驗單元檢驗結果判定基板狀態係為可藉由在該清洗單元再清洗而變成可曝光的狀態，即再次運送該基板至該清洗單元；且令複數片經判定為可曝光的基板於該緩衝收納部待命，且在將經判定為再清洗的基板再次清洗期間內，將該待命之可曝光的基板朝該曝光裝置運送。
  31. 如申請專利範圍第30項之基板運送方法，其中將再次運送至該清洗單元並經清洗之基板再次運送至檢驗單元。
  32. 如申請專利範圍第30項之基板運送方法，其中將該檢驗後之基板收納於該緩衝收納部直到由該檢驗單元檢驗結果判明。
  33. 如申請專利範圍第32項之基板運送方法，其中該介面站中設有脫水單元，用以將附著於由該清洗單元清洗後之基板之水分加以去除。
  34. 如申請專利範圍第33項之基板運送方法，其中該基板運送機構係設置成可沿上下方向任意移動，該清洗單元係設置於該介面站正面側或背面側其中任一側，該檢驗單元係夾隔著該基板運送機構設置於該清洗單元之相反側，該脫水單元係相對於該清洗單元或該檢驗單元，多段設置於該清洗單元側或該檢驗單元側其中任一側。
  35. 如申請專利範圍第33項之基板運送方法，其中該基板運送機構係設置成可沿上下方向任意移動，該清洗單元與該檢驗單元係沿上下方向多段設置於該介面站正面側或背面側其中任一側，該脫水單元係夾隔著該基板運送機構設置於該清洗單元與該檢驗單元之相反側。
  36. 一種基板運送方法，用於基板處理系統，該基板處理系統包含： 處理站，設有處理基板之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板運送方法之特徵為，該介面站包含：清洗單元，在將基板送入該曝光裝置前，至少清洗基板的背面；檢驗單元，在將該基板送入該曝光裝置前，至少就該清洗後之基板的背面檢驗該基板是否可曝光；基板運送機構，包含在該清洗單元與該檢驗單元之間運送基板之臂部；及臂部清洗機構，設於該介面站中配置有該清洗單元之一側，用以在判定基板之狀態為不可曝光，或者可藉由再清洗而變成可以曝光時，清洗該基板運送機構之已運送該基板的臂部；且於由該檢驗單元檢驗結果判定基板狀態係為可藉由在該清洗單元再清洗而變成可曝光的狀態，即再次運送該基板至該清洗單元。
  37. 如申請專利範圍第36項之基板運送方法，其中該臂部清洗機構兼作為該清洗單元。
  38. 如申請專利範圍第37項之基板運送方法，其中將由該檢驗單元檢驗後、送入該曝光裝置前之基板調整至既定溫度。
  39. 如申請專利範圍第38項之基板運送方法，其中於該檢驗單元內調整該基板之溫度。
  40. 一種基板運送方法，用於基板處理系統，該基板處理系統包含：處理站，設有處理基板用之複數處理單元；及介面站，在該處理站與設於外部之曝光裝置之間傳遞基板；該基板運送方法之特徵在於該介面站包含：基板清洗部，在將基板送入該曝光裝置前，至少清洗基板的背面；基板檢驗部，在將該基板送入該曝光裝置前，至少就該清洗後之基板的背面檢驗該基板是否可曝光；及緩衝待命部，用以令由該基板檢驗部檢驗後之基板暫時待命；且該基板清洗部、該基板檢驗部以及該緩衝待命部配置於同一框體內部，藉由設於該框體內部之運送機構，在該基板清洗部、該基板檢驗部與該緩衝待命部之間運送基板；且 該運送機構包含：第1運送臂，將送入該介面站之基板運送至該基板清洗部；及第2運送臂，將由該基板清洗部清洗後之基板運送至該基板檢驗部，且將由該基板檢驗部檢驗後之基板運送至該緩衝待命部；且令複數片經判定為可曝光的基板於該緩衝待命部待命，且在將經判定為再清洗的基板再次清洗期間內，將該待命之可曝光的基板朝該曝光裝置運送。
  41. 一種可讀取之電腦記憶媒體，儲存有為了藉由基板處理系統實行如申請專利範圍第24至39項中任一項之基板運送方法，而在控制該基板處理系統之控制裝置的電腦上動作之程式。
  42. 一種可讀取之電腦記憶媒體，儲存有為了藉由基板處理系統實行如申請專利範圍第40項之基板運送方法，而在控制該基板處理系統之控制裝置的電腦上動作之程式。
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