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TWI434433B - 形成發光二極體裝置的方法 - Google Patents

形成發光二極體裝置的方法 Download PDF

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TWI434433B
TWI434433B TW098128993A TW98128993A TWI434433B TW I434433 B TWI434433 B TW I434433B TW 098128993 A TW098128993 A TW 098128993A TW 98128993 A TW98128993 A TW 98128993A TW I434433 B TWI434433 B TW I434433B
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TW
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light
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TW098128993A
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Inventor
Ding Yuan Chen
Chen Hua Yu
Wen Chih Chiou
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Mfg
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Description

形成發光二極體裝置的方法
本發明係有關於半導體裝置及其製程，且特別是有關於一種發光二極體裝置及其製程。
利用電流在p-n接合所產生之電子及電洞輻射性再結合，可產生電磁輻射(例如：光)。在從直接能隙材料(例如GaAs或GaN)製造的正偏壓之p-n接合，該注入空乏區之電子電洞再結合產生電磁輻射之射出。該電磁輻射可以在可見光的範圍內，或是在非可見光的範圍內。使用具有不同能隙之材料亦可產生出具有不同發光顏色之發光二極體。此外，一發光二極體發出具有特定波長範圍之電磁輻射時，係表示可利用一螢光體來吸收該等輻射，並發射出一或多種不同之波長的輻射。因此，舉例來說，一發光二極體發出非可見光時，可利用一螢光體將該非可見光轉換成一可見光。
由於矽基底的低成本及大量廣為人知可運用於其上之製程技術手段，使得利用矽基底來形成發光二極體裝置將會十分具有吸引力的。對於垂直發光二極體裝置，該矽基係作為一導電界面以提供一電性連結至該發光二極體結構之底部接觸層。然而由矽基底一般具有相對高的吸收率，因此負面地影響該發光二極體裝置的發光效率。
一用來解決上述問是之方法係利用一反射層，例如分佈式布拉格反射層或反射緩衝層，以將光由基底側反射至出光面。然而，該反射層易導致一藉由磊晶成長的三-五族半導體層具有低的結晶品質。
另一用來解決該問題的方法係將該矽基底由三-五族半導體層上移除，並形成一新的導電基底。該方法所導致的問題包含需去除整個矽基底、以及移除矽基底所額外花費的時間及成本。
綜上所述，發展出具有較佳發光效率之發光二極體裝置及其製程是十分必要的。
本發明之實施例提供新穎的發光二極體製程，來降低、解決或避免習知技術所存在的問題，並達到所期望的技術優點。
根據本發明之一目的，係提供一形成發光二極體裝置的方法。該方法包含形成一發光二極體結構於一基底之上。在形成該發光二極體結構後，將部份該基底轉換成一孔洞層。接著，形成一導電基底於該發光二極體結構之上。之後，藉由選擇性蝕刻或機械性切割該孔洞層，將該發光二極體結構由該基底上分離。
根據本發明另一目的，係提供一形成發光二極體裝置於一矽覆絕緣(SOI)基底的方法。該矽覆絕緣(SOI)基底包含一矽基底、一埋層氧化層、及一最頂層之矽層。該方法包含形成一發光二極體結構於該矽覆絕緣(SOI)基底之最頂層的矽層之上。接著，形成一導電基底於該發光二極體結構之上。選擇性蝕刻該埋層氧化層，以分離該矽基底及該最頂層之矽層與該發光二極體結構。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本發明接下來將會提供許多不同的實施例以實施本發明中不同的特徵。各特定實施例中的組成及配置將會在以下作描述以簡化本發明。這些為實施例並非用於限定本發明。
本發明係提供一形成發光二極體裝置的方法及其所形成的結構。可以被理解地，本發明係僅繪示出本發明所述之方法的必要步驟，不過其它已被知曉用於此技術領域的步驟或製程亦可被加入於該方法中。在本發明之實施例所述之圖示中，類似的單元係以類似的元件符號來表示。
第1-6圖係繪示不同之中介製程步驟，用以形成本發明一實施例所述之形成於導電基底上的發光二極體結構。請參照第1圖，形成一孔洞層104於該基底102之上。該基底102可為一半導體總體基材，可以具有摻雜或非摻雜，較佳係具有一(100)面位向。值得注意的是當本發明之實施例其內文描述使用一矽總體基底，亦可以其他基底來替代。舉例來說，矽覆絕緣(SOI)基底、藍寶石基底、或碳化矽基底等亦可以用來取代本發明所述實施例所述之基底。根據本發明之實施例，由於矽基底之成本較低，因此較佳係使用矽基底。此外，除了較佳係使用具有一(100)面位向的基底外，具有不同面位向之基底像是(111)、或(110)等面位向亦可被使用。
該孔洞層104係藉由轉換部份之該基底102為一孔洞層所形成。在一實施例中，該基底102係為一總體矽基底，而該孔洞層104係藉由例如電化學陽極蝕刻法所形成，該化學陽極蝕刻法係使用具有氫氟酸溶液(20wt%)及乙基醇之電解質組成物，且陽極電流密度係介於約1mA/cm2 至約200mA/cm2 。較佳地，該基底102在形成孔洞層104前具有一厚度至少約100μm，而該孔洞層104之厚度介於約10至約1μm之間。該孔洞層104係用來作為一分離層，用以在後續製程中將該基底102由該發光二極體結構上分離，詳述於下。
第2圖係根據本發明一實施例繪示一可視需要增減的步驟，形成一晶種層於該孔洞層104之上。該晶種層202可提供一較佳的表面，且該晶種層緊鄰著後續經磊晶成長所得之發光二極體結構。該晶種層202較佳係由經磊晶成長的含矽材料層所形成，該晶種層202可例如為Six Ge(1-x) 、或Six C(1-x) 等，其中0<x<1。
在一實施例中，含矽晶種層202可以化學氣相沉積的方法藉由氫氣氛在約600℃至約1100℃的溫度及約1torr至約760torr的壓力下所形成。該晶種層202較佳具有一厚度約1nm至約1000nm。其他的製程，例如遠端電漿增強化學汽相沈積(RPCVD)、分子束磊晶(MBE)、金屬有機氣相磊晶(MOVPE)，氫化物氣相磊晶(HVPE)、或液相磊晶(LPE)等都可用來形成該晶種層。
在另一實施例中，一矽覆絕緣基底係用來取代具有孔洞層104及晶種層202形成於其上之基底102。在此，一側向蝕刻可用來蝕刻矽覆絕緣基底的絕緣層，使得位於下方之基底(一般係為矽基底)與形成於上方的矽層分離，詳述於下。
第3圖係根據本發明一實施例，繪示形成一發光二極體結構302於該基底102。該發光二極體結構302可包含一第一接觸層304、一第一披覆層306、一主動層308、一第二披覆層310、及一第二接觸層312。一緩衝層314可視需要加以形成。
該緩衝層314包含一或一以上之材料並形成於該基底102之上方(例如形成於該孔洞層104及/或該晶種層202之上)，作為一後續磊晶成長形成該發光二極體結構302之成核層。依據各自形成於該第一及第二接觸層304及312上之基板的型態，來決定配置於該第一接觸層304及該基底102(例如形成於該孔洞層104及/或該晶種層202之上)之間的緩衝層材料。舉例來說，當所使用之基底為碳化矽、或矽基底，該的緩衝層，例如AlN、或AlGaN，可用來在該碳化矽基底上進行三-五族化合物之磊晶成長。
舉例來說，該緩衝層314之材料可為三-五族為主之化合物，像是金屬氮化物、金屬碳化物、金屬碳氮化物、單一金屬、合金、或含矽材料等。其形成方式舉例來說可為：金屬有機CVD(MOCVD)、金屬有機氣相磊晶(MOVPE)、電漿增強化學汽相沈積(PECVD)、遠端電漿增強化學汽相沈積(RP-CVD)、分子束磊晶(MBE)、氫化物氣相磊晶(HVPE)、氯化物氣相磊晶(Cl-VPE)、或液相磊晶(LPE)等。該緩衝層314之材料可例如包含SiC、ZnO、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、AlInN、或AlInGaN、等。該緩衝層314可進一步包含複數之膜層，例如複數之AlN層及複數之矽摻雜GaN層以交替方式相疊。該緩衝層314可以摻雜一p型或一n型雜質，或是實質上未摻雜。
該第一接觸層304係形成於該緩衝層314之上方。該第一接觸層304可由一三族氮化物(或其他五族元素)。在一實施例中，該第一接觸層304係由具有n型導電性質之三族氮化物所組成，且形成方式可為MBE、MOCVD、HVPE、或LPE等。該三族氮化物材料可包含，舉例來說，GaN、InNAlN、Inx Ga(1-x) N、Alx Ga(1-x) N、或Alx Iny Ga(1-x-y) N等，其中、。包含其他五族元素來用來取代N之化物亦可被使。
該可視需要形成之第一披覆層306係形成於該第一接觸層304之上方。相似於該第一接觸層304，該第一披覆層306可由一三-族氮化物或其他五族元素所形成。在一實施例中，該第一披覆層306包含n型導電性質之具有三-族氮化物(例如n-AlGaN)。該第一披覆層306之形成方法可基本上與形成該第一接觸層304的方法相同。
該發光層308(亦稱為主動層)係形成於該第一披覆層306之上。該發光層308可包含一均質接面、一異質接面、一單一量子井(SQW)、或一多重量子井(MQW)結構。在一實施例，該發光層308包含非摻雜n-型氮化鎵銦(Gax Iny N(1-x-y ))。在另一實施例中，發光層308可包含其他常用之材料，例如Alx Iny Ga(1-x-y )N，其中、0<y。在又一實施例中，該發光層308可具有多重量子井結構，包含多重量子井層(像是InGaN)及一具交替樣式之阻障層(像是GaN)。同樣地，該發光層308之形成方法可為MOCVD、MBE、HVPE、LPE、或其他可適用的CVD方法。該發光層308之總厚度較佳係介於約5nm及約200nm之間。
一可視需要形成之第二披覆層310可形成於該發光層308之上。在一實施例中，該第二披覆層310之材料係相似於該第一披覆層306，例如AlGaN，除了該第二披覆層310可能摻雜為p型。形成該第二披覆層310之方法基本上與形成該第一披覆層306的方法相同，除了需形成相反型態的導電性質。
該第二接觸層312係形成於該第二披覆層310之上。該第二接觸層之材料可與該第一接觸層304相同或不同，而形成方法與該第一接觸層304基本上相似，除了該第二接觸層312之導電性質型態係與該第一接觸層304相反。
如第3圖所示，一反射層316可視需要形成於該三-五族發光二極體結構302最上層之上方。該反射層316係將該發光層308往該第二接觸層312方向射出的光反射回去，讓光由該第一接觸層304側射出，其係作為該發光二極體裝置之光射出面。該視需要所形成之反射層316可包含一單一層，像是一反射金屬層(例如Al、或Ag等)，或是一具有複數層之膜層，像是分佈式布拉格反射層、或全位向反射層等。在其他實施例中該第二接觸層312亦可為一高反射率的膜層，因此也可以不需要該反射層316。
第4圖係根據本發明一實施例，繪示形成一導電基底402於該發光二極體結構302之上。該導電基底402係形成於該發光二極體結構302之上方，以提供一電性連結至該第二接觸層312(及/或該反射層316)。該導電基底402可由任何適合之導電材料所形成，像是摻雜矽、金屬、或金屬合金等。該導電基底402之厚度較佳係約50μm。
在一實施例中，可藉由電鍍方式形成該導電基底402。在此實施例，一晶種層(未顯示)係成膜於該晶圓之上，接著將其放置於一包含金屬離子(例如鎳、鉻、或銅等)電鍍溶液中，並施以一電壓。舉例來說，若該導電基底402之材質係為鎳，該晶圓係被放置一包含有NiSO4 、NiCl2 、及H2 O2 之溶液中。該晶圓表面係電性連結至一外部電源供應器之負極側，使得該晶圓在電鍍過程中作為陰極。一鎳陽極同時浸泡於該溶液中，且與該外部電源供應器之正極側電性連結。該陽極之鎳原子被氧化成Ni2+ 離子，而該Ni2+ 離子係由該陽極釋放出並溶於該溶液。當該Ni2+ 離子到達該負偏壓陰極，例如該晶圓，該Ni2+ 離子係被還原成金屬並鍍於該晶圓表面上。
在另一實施例中，該導電基底402係由矽所構成。在此，一矽基底係結合於該第二接觸層312之表面，因此形成如第4圖所示之該導電基底402。被結合之該矽基底較佳係為一具有離子摻雜之矽總體基底，並具有與該發光二極體結構302之第二接觸層312相同之導電性質型態。舉例來說，在一實施例中，該第二接觸層312係為p型導電性質材料，而該矽基底係被摻雜硼離子或是其他p型離子。該矽基底可藉由Au-Si共晶接合(先沉積金於第二接觸層312)與該第二接觸層312結合，或是利用金屬與金屬接合方式(沉積Au或Cu於欲接合之兩側)。
第5圖係根據本發明一實施例，繪示移除該基底102及該孔洞層104。該基底102可以利用機械性分離方式從該發光二極體結構302上分離，該機械性分離方式可例如為一水刀製程。該水刀製程可利用一水流由孔洞層104邊緣來進行機械性側向蝕刻。由於孔洞層104之多孔性，該孔洞層104易於被分割，因此可將該基底102由該發光二極體結構302上分離。由於該基底102可被重複利用，因此減少浪費及製程成本。
在另一實施例中，該孔洞層104可藉由一化學蝕刻製程來移除。在此，具有49%氫氟酸及30% H2 O2 (1：5)之水溶液可被用來由該基底102的邊緣側向蝕刻該孔洞層104。該氫氟酸對於該孔洞層104及該基底102(或是該發光二極體結構302)之蝕刻選擇比約1至100,000。由於如此高的蝕刻選擇比，該側向蝕刻不會對該基底102或該發光二極體結構30造成損害。其他用來分割的方法可包括：熱應力、穿孔、及插入一鑿子。
第6圖係根據本發明一實施例，繪示移除該晶種層202。該晶種層202可藉由浸泡在一含氫氟酸、硝酸、及醋酸之溶液(一般稱為HNA溶液)或是一含KOH的溶液。該溶液可移除殘留之孔洞層104及該晶種層202。在某些實施例中，該緩衝層314可以用溼蝕刻移除，以進一步改善第一接觸層304之電性接觸。如此一來，該發光二極體結構302之底部可具有良好的電性接觸。至此，完成本發明所述之該發光二極體裝置的製程。舉例來說，電性接觸(正面及背面接觸)可以分別在第一接觸層304及第二接觸層312形成，保護層可以被形成，且該發光二極體裝置可以進一步被切割及封裝。
相似之製程可進一步實施於較昂貴之矽覆絕緣基底。在使用矽覆絕緣基底的實施例中，由於該埋層氧化層可被選擇性蝕刻，因此不需要額外形成一層孔洞層。在一包含矽覆絕緣基底的實施例中，如第2圖所示，包含一矽基底102，一埋層氧化層104，及一最頂層之矽層202。埋層氧化層104藉由一氫氟酸溶液來選擇性移除。舉例來說，將該矽覆絕緣基底浸泡於包含氫氟酸(1-10vol%)之溶液中，氫氟酸主要蝕刻該氧化層104，對於該最頂層之矽層202及該矽基底102的蝕刻速率非常緩慢。在移除該埋層氧化層104後，可在實施第3圖至第6圖所述之步驟。因此，該最頂層之矽層202之移除方法可如第6圖所移除該晶種層的方法。
第7-11圖係根據本發明一實施例，繪示另一形成發光二極體裝置的方法。請參照第圖7，一具有摻雜層704之基底702係被提供。該基底702可具有與上述基底102相似之材料。該摻雜層704較佳係以佈植p型離子於該基底702內來達成。舉例來說，該摻雜層704可藉由植佈劑量在約1 x 1013 atoms/cm2 至約1x 1016 atoms/cm2 的硼離子，及植佈能量係介於約10至約約50KeV。如可需要的話，一佈植後熱退火可被施行。該摻雜層704之厚度較佳係介於約0.1μm至約10μm之間。
與第1-6圖所述之實施例相比，該摻雜層704係在製造該發光二極體裝置間提供額外的結構強度。一預先形成之孔洞層104(如第1圖所示)係易碎的，也可能無法在該發光二極體裝置製程時提供足夠的結構支撐度。在某些實施例中，該摻雜層704可被形成並在後續的步驟中轉換成一孔洞層。該摻雜層704的使用亦同時增加熱受量忍受度。
第8圖係根據本發明一實施例，繪示形成一發光二極體結構802。如第8圖所示，該發光二極體結構802係形成介於犧牲栓塞804之間。該犧牲栓塞804將在後續的製程中被移除形成開口904以形成孔洞層1002。
該犧牲栓塞804之材料較佳為與該基底702相比具有高的蝕刻選擇性的材料。舉例來說，在一實施例中，該基底702係為一矽基底，該犧牲栓塞804可包含一二氧化矽材料。在此實施例，該犧牲栓塞804可以利用沉積方式形成，並圖形化該坦覆性的二氧化矽。該坦覆性的二氧化矽可例如以熱氧化法、或化學氣相沉積(CVD)來形成，若為化學氣相沉積，可以TEOS及氧作為前驅物。另外，該犧牲栓塞804可為其他介電材料。舉例來說，氧化氮、或氧化矽氮等，以CVD等方式形成。該犧牲栓塞804之厚度較佳實介於約1μm至約6μm。
該坦覆性的二氧化矽可以利用微影蝕刻的方式來進行圖行化。一般來說，微影蝕刻的方式包含沉積一光阻材料、及以一圖形選擇性照射該光阻材料。之後，以顯影方式移除該光阻材料之一部份。所殘留之光阻材料係在後續製程(例如：蝕刻)中保護位於其下之膜層。在此，該光阻材料係用來圖形化該犧牲栓塞804，如第8圖所示。之後，形成該發光二極體結構802。該發光二極體結構802及該緩衝層314之材料與該發光二極體結構302及緩衝層314相似，類似的單元係以類似的元件符號來表示。
第9圖係根據本發明一實施例，繪示移除該犧牲栓塞804。在一實施例中，該犧牲栓塞804可包含二氧化矽，該犧牲栓塞804可藉由浸泡在具有氫氟酸(10vol%)之溶液中。氫氟酸會優先地蝕刻該犧牲栓塞804，除非以電化學來加速蝕刻，否則氫氟酸非常緩慢地蝕刻該摻雜層704。
仍參照第9圖，延著該開口904之側壁形成間隙壁902。該間隙壁902係防止該上層及下層發光二極體結構802短路，該間隙壁902較佳包含一介電材料，並與該發光二極體結構802及該摻雜層704相比具有高的蝕刻選擇性。舉例來說，在一實施例，該摻雜層704包含矽，該間隙壁之材料可例如為SiO2、Si3 N4 、或其他含氮層，像是Six Ny 、SiOx Ny 、SiOx Ny ：Hz 、或其組合，其中0<x<4、0<y<4、及0<z<4。在一較佳實施例中，該間隙壁902係以CVD方式形成坦覆性氮化矽層(厚度約5nm至約100nm)，該CVD係使用矽烷及氨水作為前驅物。該間隙壁902可藉由一非等向性乾蝕刻來圖形化。
第10圖係根據本發明一實施例，繪示該摻雜層704轉換成孔洞層1002。移除該犧牲栓塞804，並從該開口904或側向延著該基底702的邊緣，將該摻雜層704轉換成該孔洞層1002。該摻雜層704可以電化學陽極化法來轉換成該孔洞層1002。舉例來說，使用具有氫氟酸溶液(20wt%)及乙基醇之電解質組成物，且陽極電流密度係介於約1mA/cm2 至約200mA/cm2 。值得注意的是，在此該氫氟酸之濃度需大於在第9圖所述移除該犧牲栓塞804步驟所使用之濃度，且同樣以電化學方式來加強蝕刻。使用一較低濃度的氫氟酸來移除該犧牲栓塞804可避免氫氟酸蝕刻該摻雜層704。然而，值得注意的是，過蝕刻該摻雜層704可能會造成該基底702在形成導電基底前就分開，因此該氫氟酸的濃度必需被調整，因此在將該摻雜層704轉換成一孔洞層時，不會完全移除該摻雜層704。避免該基底702由該發光二極體結構802上分離。
第11圖根據本發明一實施例，繪示形成一導電基底1102。該導電基底1102之材質及形成方法可與第4圖所述之該導電基底402相似，在此不再贅述。
第12圖係根據本發明一實施例，繪示移除該基底702及該孔洞層1002。該基底702及該孔洞層1002可以第5圖所述移除該基底102及該孔洞層104之方法來移除。
值得注意的是該發光二極體結構802可以被圖形畫為任何適合之圖形。例如，該發光二極體結構802可以被形成具有正方形、長方形、圓形、或橢圓形等之形狀。此外，該發光二極體結構802可具有其他任何形狀，並在圖形化時可具有任意數量。
值得注意的是，為方便圖示，該發光二極體結構302及/或802係以平坦的裝置來顯示。在某些實施例中，該發光二極體結構302及/或802可為具有紋理的結構。該具有紋理的結構可以例如蝕刻方式使凹陷、及/或以磊晶成長方式形成凸處。藉由一具有紋理之表面，可增加發光層之表面區域，因此可在固定基底尺寸的前提下，達到增加該發光二極體裝置之發光效率的目的。
在以上的敘述中，該發光二極體結構一般多以p型表面朝向該導電基底，一熟知此技藝之人當可依據本發明實施例所述形成一發光二極體結構，以n型表面朝向該導電基底。在某些實施例中，該第一接觸層304及該第一披覆層306可具有p型導電性質，而該第二披覆層310及該第二接觸層312可具有n型導電性質。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
102．．．基底(或矽基底)
104．．．孔洞層(或埋層氧化層)
202．．．晶種層(或最頂層之矽層)
302．．．發光二極體結構
304．．．第一接觸層
306．．．披覆層
308．．．主動層
310．．．第二披覆層
312．．．第二接觸層
314．．．緩衝層
316．．．反射層
402．．．導電基底
702．．．基底
704．．．摻雜層
804．．．發光二極體結構
804．．．犧牲栓塞
902．．．間隙壁
904．．．開口
1002．．．孔洞層
1102．．．導電基底
第1-6圖係繪示本發明一實施例所述發光二極體裝置之製程步驟；以及
第7-12圖係繪示本發明另一實施例所述發光二極體裝置之製程步驟。
302．．．發光二極體結構
304．．．第一接觸層
306．．．披覆層
308．．．主動層
310．．．第二披覆層
312．．．第二接觸層
314．．．緩衝層
316．．．反射層
402．．．導電基底

Claims (18)

  1. 一種形成發光二極體裝置的方法，包含：提供一第一基底；形成一發光二極體結構於該第一基底之上；在形成該發光二極體結構後，形成一孔洞層於該第一基底之上；形成一導電基底於該發光二極體結構之上；以及延著該孔洞層將該發光二極體結構由該第一基底上分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中分離該發光二極體結構的步驟包含：切割該孔洞層以對該第一基底進行機械性分離。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中分離該發光二極體結構的步驟包含：藉由一化學蝕刻製程移除該孔洞層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中形成該發光二極體結構的步驟包含：形成該發光二極體結構於犧牲栓塞間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之形成發光二極體裝置的方法，進一步包含移除該犧牲栓塞以產生一開口位於該發光二極體結構中。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之形成發光二極體裝置的方法，進一步包含延著該開口的側壁形成間隙壁。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中提供該第一基底的步驟包含提供一具有 摻雜層的基底，以及其中形成該孔洞層的步驟包含在形成該發光二極體結構後將該摻雜層轉換成該孔洞層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中該導電基底的形成至少部份係藉由電鍍來達成。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中該導電基底的形成至少部份係藉由形成一摻雜矽層於該發光二極體結構之上來達成。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中該第一基底包含一具有紋理之表面。
  11. 一種形成發光二極體裝置的方法，包含：提供一矽覆絕緣基板，該矽覆絕緣基板包含一矽基底、一埋層氧化層、及一最頂層之矽層；形成一晶種層於該最頂層之矽層之上；形成一發光二極體結構於該晶種層之上；形成一導電基底於該發光二極體結構之上方；以及蝕刻該埋層氧化層以分離該矽基底及該最頂層之矽層與該發光二極體結構。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之形成發光二極體裝置的方法，進一步包含由該發光二極體結構上移除該最頂層之矽層。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中蝕刻該埋層氧化層的步驟包含：將埋層氧化層曝露於一氫氟酸溶液。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中形成該導電基底於該發光二極體結構至少部份係藉由電鍍來達成。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中該電鍍包含電鍍鎳。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中該導電基底的形成包含形成一摻雜矽層於該發光二極體結構之上。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中該導電基底的形成包含將一第二矽基底與該發光二極體結構結合。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之形成發光二極體裝置的方法，其中該第二矽基底包含一具有摻雜p型離子的矽基底。
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