TWI412161B - 發光二極體裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於垂直型發光二極體(LED，Light Emitting Diode)裝置，特別是關於具有設置於外側之金屬電極之高亮度發光二極體裝置。
目前，發光二極體因生產成本低廉、生產困難度不高、尺寸小、耗電量少且效率高，所以被廣泛使用於日常生活中，例如手機、電子看板、手電筒、及交通訊號燈等。儘管如此，吾人仍持續不斷地致力於提升發光二極體的發光效率與亮度。
近年來，已開發出以氮化物、磷化物為材料的高亮度發光二極體，其不僅可發出紅、藍、綠光，且可用以產生各色光與白光。目前，業界正積極開發用於照明領域之發光二極體，早期的做法係採組合多顆發光二極體以形成陣列，藉此獲得高輸出功率，但包含發光二極體陣列之LED裝置在製程上比單一高功率發光二極體裝置更複雜，因此成本較高且較不易具有穩定之可靠度。
一種增加LED的功率及發光量的方法是增加其大小及發光表面積。惟習用的LED通常因半導體材料層的導電性較差，而使電流無法有效且均勻地從接點分散到整個活化層，LED內部會發生部分區域電流密度過高之情況，因而影響整體亮度；甚至於導致活化層附近過早劣化，大幅地降低使用壽命。
圖1A為習知小尺寸垂直型發光二極體裝置100之結構上視圖，圖1B為圖1A中之發光二極體裝置100之結構剖面圖，而圖2為習知大尺寸垂直型發光二極體裝置200之結構上視圖。參照圖1B，習知小尺寸發光二極體裝置100的結構典型上包含：第一電極109；導電基底層108，形成於第一電極109上；鏡面反射層106，形成於導電基底層108上；第一電性半導體層104，形成於鏡面反射層106上；活化層103(或稱發光層)，形成於第一電性半導體層104上；第二電性半導體層102，形成於活化層103上；第二金屬電極101，形成於第二電性半導體層102上。如圖1A所示，在小尺寸垂直型發光二極體裝置100中，第二金屬電極101位於第二電性半導體層102之中心，且由於尺寸小，電流分散效果佳，故不需要設置額外的金屬導線。
由於習知大尺寸垂直型發光二極體裝置的電流無法均勻散佈係影響發光二極體裝置之發光效率的主因，因此考慮增加半導體材料層之厚度，以便增加導電性。對於如圖1A,1B所示之小尺寸LED(約0.25mm2
以下)而言，此種方式確實有助於提高亮度與電流分散效能；但增加半導體材料層之厚度，除了會增加生產成本以外，更常因應力等問題，而使得半導體材料層之厚度無法因配合大尺寸發光二極體裝置的電流分散效能需求而無限制地增加。因此，若對於如圖2所示之大尺寸者而言，僅藉由增加半導體材料層之厚度並無法得到令人滿意的效果，因為當LED裝置之尺寸增加時，更不易均勻地將電流由n型接點或p型接點經由半導體材料層散佈出去。由此可知，LED之尺寸大幅地受限於半導體材料層之電流分散特徵。
如圖2所示，在習知大尺寸垂直型發光二極體裝置200中，第二金屬電極焊墊區210係位於第二電性半導體層202之中心，通常利用放射狀金屬電極201以提高電流分散特性，但一般發光二極體裝置之輪廓大多為正方形或矩形，如此不僅難以將各放射狀金屬線以能夠達到最佳電流分散效果之方式配置於發光層上，亦難以確保相鄰放射狀金屬線之間具有相同間距；而且其金屬電極兩側都屬於高光照側，易於吸收光而造成亮度下降。如圖3A及3B所示，另一習知大尺寸垂直型發光二極體裝置200A與200B，其金屬電極兩側都屬於高光照側，同樣易於吸收光而造成亮度下降。因此，習知LED裝置仍普遍存在下列亟需改進的問題：例如電流密度不夠均勻、光摘取效率不高、亮度無法滿足需求、效率無法滿足需求、使用壽命不夠長等等。
有鑒於上述問題，本發明提供一種改良式垂直型發光二極體裝置，其具有較習知LED裝置更高之輸出亮度及效率，並且能夠在不需要增加額外成本之情況下，充分滿足現代人對於高能源效率的需求，其中亦未涉及複雜的製程技術，可謂十分具有經濟效益。
本發明係藉由提供具有改良電流分散與減少金屬電極吸光特性之LED裝置而解決上述問題並達成上述目的。
本發明之一態樣為一種垂直型發光二極體(LED)裝置，其具有設置於外側的金屬電極，該LED裝置包括：第一電極；導電基底層，形成於該第一電極上；鏡面反射層，形成於該導電基底層上；第一電性半導體層，形成於該鏡面反射層上；活化層，形成於該第一電性半導體層上；第二電性半導體層，形成於該活化層上；第二金屬電極，形成於該第二電性半導體層上，並且位在第二電性半導體層之外側，且第二金屬電極的兩側分別為高光照側與低光照側，其中低光照側係位於鏡面反射層的寬度範圍外。
利用本發明之外移的金屬電極，可最佳化垂直型發光二極體裝置的電流分散效能與減少金屬電極吸光，進而提高亮度、提高效率、節省能源、增長使用壽命。
以下敘述本發明之較佳實施例，其包含根據本發明之垂直型LED裝置的不同實施例，其中半導體層之電流分散特性與金屬電極吸光特性已經過改良，而能展現優於習用LED裝置之亮度、效率及使用壽命。
圖4顯示根據本發明之一實施例之大尺寸垂直型GaN(氮化鎵)發光二極體裝置300的上視圖。圖5同時顯示圖4之發光二極體裝置300的上視圖及剖面圖。圖6顯示圖4之發光二極體裝置300的立體圖。在本實施例中，n-型(第二)電性半導體層302的尺寸為1mm2
。本發明之大尺寸垂直型發光二極體裝置300包括：第一電極309、形成於第一電極309上之導電基底層308、形成於導電基底層308上之鏡面反射層306、形成於鏡面反射層306上之p-型(第一)電性半導體層304、形成於p-型(第一)電性半導體層304上之活化層303(亦稱為「發光層」)、形成於活化層303上之n-型(第二)電性半導體層302、以及形成於n-型(第二)電性半導體層302上之第二金屬電極301，其中第二金屬電極301設置於n-型電性半導體層302之外側，且第二金屬電極301的兩側分別為高光照側301'與低光照側301"，其中低光照側301"係位於鏡面反射層306的寬度範圍W外，即，低光照側301"並不被鏡面反射層306所涵蓋，中央設置三道金屬電極線與第二金屬電極301相連接。應注意：中央設置的金屬電極線之數目可配合整體LED裝置之外形輪廓及尺寸或依需求而定。其中，第二電性半導體層之表面的局部面積可被加以圖案化，以提高光摘取效率。此外，LED裝置300更包含金屬焊墊區310(如圖4及圖6所示)，其係作為電性連接之用。值得注意的是，圖式中用於電性連接之金屬焊墊區310僅為例示性質，本發明不限於此處所列之狀況。金屬焊墊區310的數量可依實際需求而增減。又，發光二極體裝置300可包含導電透明層(未顯示)，其係設置在第二電性半導體層302與第二金屬電極301之間。
圖7同時顯示依據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型GaN(氮化鎵)發光二極體裝置400的上視圖及剖面圖，其係將位於高光照側之第二電性半導體層302的表面進行粗糙化，以增加光摘取效率；而圖8則同時顯示本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置400'的上視圖及剖面圖，其係將整個第二電性半導體層302的表面進行粗糙化，以進一步增加光摘取效率。第二電性半導體層302的表面可利用球/球體或利用濕式/乾式蝕刻技術予以粗糙化，但並不限於此。
圖9同時顯示依據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置500的上視圖及剖面圖。發光二極體裝置500更包含保護層311，其可用來保護鏡面反射層306，以避免鏡面反射層306因氧化而降低亮度。保護層311之材料係選自於Ni、W、Mo、Pt、Ta、Rh、Au、V、WTi、TaN、SiO2
、SiNx
、Al2
O3
、AlN、ITO以及Ni-Co所組成之族群中的至少一者。保護層311可使用下列至少其中一者而形成：PVD、CVD、蒸鍍、濺鍍、電鍍、無電電鍍、塗佈、印刷或其結合。雖然圖9所示之第二電性半導體層302的表面僅在高光照側被粗糙化，但吾人可視實際需要而將整個第二電性半導體層302的表面予以粗糙化。
圖10同時顯示依據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置600的上視圖及剖面圖。於發光二極體裝置600中，在鏡面反射層314與第一電性半導體層304之間設置光學透明層312，以形成全方位反射層(omni-directional reflector)。鏡面反射層314可採用高反射率金屬層、或布拉格反射層(DBR)，以提高外部量子效率，其製造方法則可採用如PVD、CVD、蒸鍍、濺鍍、電鍍、無電電鍍、塗佈、印刷或其結合等等的習知方法。在本發明之實施例中，鏡面反射層可具有單層或多層結構。又，鏡面反射層之材料可為選自於如下其中之一的金屬：Ag/Ni、Ni/Ag/Ni/Au、Ag/Ni/Au、Ag/Ti/Ni/Au、Al、Ti/Al、Ni/Al、Au、其兩者以上之組合或其合金中含有Ag、Au、Ni、Cr、Pt、Pd、Rh、Cu、W、In、Pd、Zn、Ge、Bi、AlSi或Al等金屬亦可。布拉格反射層之材料可為例如：SiO2
、TiO2
、MgO、Al2
O3
、ITO、ZnO、SiNx
或其兩者以上之組合；全方位反射層之材料可為例如：SiO2
、TiO2
、MgO、Al2
O3
、ITO、ZnO、SiNx
或其兩者以上之組合。導電基底層可為金屬或矽、GaP、SiC、GaN、AlN、GaAs、InP、AlGaAs、ZnSe等半導體材料或其兩者以上之組合，同理可用例如PVD、CVD、蒸鍍、濺鍍、電鍍、無電電鍍、塗佈、印刷、晶片黏著或其結合等習知方法加以形成；其厚度可視需要而自10至1000微米。雖然圖10所示之第二電性半導體層302的表面僅在高光照側被粗糙化，但吾人可視需要而將整個第二電性半導體層302的表面予以粗糙化。
表1顯示根據本發明之一實施例之大尺寸(1mm2
)垂直型氮化物(氮化鎵)藍光發光二極體裝置300與四種習知設計A、B、C、D之LED裝置的亮度(輸出光功率)比較結果。其中此五種設計的發光二極體裝置係取自同一磊晶片，使用相同的支架，最後亦以矽膠進行完全相同的封裝程序而獲得成品。在表1中，亮度輸出光功率係利用積分球加以量測，此已為熟悉此項技藝者所熟知，在此省略其相關細節。由表1可發現本發明之LED裝置較習知其他LED裝置有更高之輸出功率。
圖11顯示根據本發明之另一實施例之大尺寸(0.6mm2
)垂直型GaN(氮化鎵)發光二極體裝置700的上視圖；而圖12則同時顯示圖11之發光二極體裝置700的上視圖及剖面圖。發光二極體裝置700包含：第二金屬電極701、第二電性半導體層702、活化層(發光層)703、第一電性半導體層704、鏡面反射層706、導電基底層708、以及第一電極709；其中第二電性半導體層702之尺寸為0.6mm2
，而每一第二金屬電極701設置於第二電性半導體層702之外側，且第二金屬電極701的兩側分別為高光照側701'與低光照側701"，其中低光照側701"係位於鏡面反射層706的寬度範圍W外，即，低光照側701"並不被鏡面反射層706所涵蓋。此外，在本實施例中，設置了一個電性連接用之金屬焊墊區710。
圖13同時顯示根據本發明之一實施例之小尺寸垂直型GaN(氮化鎵)發光二極體裝置800的上視圖及剖面圖。發光二極體裝置800包含：第二金屬電極801、第二電性半導體層802、活化層(發光層)803、第一電性半導體層804、鏡面反射層806、導電基底層808、以及第一電極809。在本實施例中，第二型電性半導體層802的尺寸為0.1mm2
。本發明之小尺寸垂直型發光二極體裝置800包括：第一電極809、形成於第一電極809上之導電基底層808、形成於導電基底層808上之鏡面反射層806、形成於鏡面反射層806上之第一電性半導體層804、形成於第一電性半導體層804上之活化層803(亦稱為「發光層」)、形成於活化層803上之第二電性半導體層802、及形成於第二電性半導體層802上之第二金屬電極801，其中第二金屬電極801設置於第二電性半導體層802之外側，且第二金屬電極801的兩側分別為高光照側801'與低光照側801"，其中低光照側801"係設置於鏡面反射層806的寬度範圍W外，即，低光照側801"並不被鏡面反射層806所涵蓋。
較佳的情況為，第一電性半導體層(304、704、及804)為p型，而第二電性半導體層(302、702、及802)為n型。n型半導體層具有較佳之導電率，可使用較少數目之金屬電極，以便減少遮光及增加亮度。再者，較佳的掺雜位準範圍為1x1015
cm-3
至1x1022
cm-3
，較佳之半導體層厚度為0.3μm至100μm。在一實施例中，吾人可用習知方法，如金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD，metal-organic chemical vapor deposition)、氣相磊晶法(VPE，vapor phase epitaxy)、或分子束磊晶法(MBE，molecular beam epitaxy)等等之方式，而形成第一電性半導體層、第二電性半導體層、以及活化層，此部分為熟悉此項技藝者所熟知，在此不加贅述。該活化層之材質係可選自於由含氮化鋁鎵((Alx
Ga1-x
)y
In1-y
N;0≦x≦1;0≦y≦1)材料雙異質與量子井結構所組成之一族群，或選自於由含磷化鋁鎵銦((Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P;0≦x≦1;0≦y≦1)材料雙異質與量子井結構所組成之一族群，或由含砷化鋁鎵(Alx
Ga1-x
As;0≦x≦1)材料雙異質與量子井結構所組成之一族群。第二金屬電極(301、701、以及801)與第一電極(309、709、以及809)可用習知方法加以形成，例如PVD、CVD、蒸鍍、濺鍍、電鍍、無電電鍍、塗佈、印刷或其結合等方法。舉例而言，第二金屬電極可為包含下列其中之一的單層或多層結構：Cr/Au、Cr/Al、Cr/Pt/Au、Cr/Ni/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Ni/Au、Al、Ti/Al、Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pt/Au、WTi、Al/Pt/Au、Al/Pt/Al、Al/Ni/Au、Al/Ni/Al、Al/W/Al、Al/W/Au、Al/TaN/Al、Al/TaN/Au、Al/Mo/Au，亦可使用其兩者以上所組成之合金或其他適當的導電材料。
第二金屬電極之線寬可為1微米至50微米，較佳則為3微米至30微米。較寬的金屬電極線雖能更有效的分散電流，但卻會阻止或吸收更多從n型層發射出的光，有一解決方法為設置電流阻塞(current blocking)結構，其係用以避免由n型層發射出的光受到金屬電極線阻擋或吸收。若使用較寬的金屬電極線，須對應地增加電流阻塞結構的尺寸，如此將使得活化層的發光面積減少，因而減少穿透活化層之光線量。第二金屬電極線之間距可為50微米至600微米，間距適當則電流分散性越佳，但較疏之金屬電極線反而會不利地減少接觸面積的區域，影響操作電壓。較佳的情況為，第二金屬電極之金屬總面積佔第二電性半導體層面積的百分之二十五以下；以及鏡面反射層與第一電性半導體層接觸的面積佔第一電性半導體層面積的百分之七十五以上。至於第二金屬電極線之厚度則可為0.1至50微米，較佳之厚度則為1微米至10微米。較厚者其串聯電阻較低，但不免會耗費更長的製造時間及更高的成本。
值得注意的是，上述關於第二金屬電極之材質僅為舉例，並非用以限定本發明。
圖14A-14F、圖15A-15F、圖16A-16F、圖17A-17F、圖18A-18F、以及圖19A-19F分別顯示根據本發明之其他實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖，其中晶粒尺寸為大於0.3mm2
；圖20A-20D分別顯示根據本發明之其他實施例之垂直型發光二極體裝置的上視圖，其中晶粒尺寸為小於0.3mm2
；以及圖21A-21I分別顯示根據本發明之其他實施例之長方體晶粒垂直型發光二極體裝置的上視圖。圖22A-22B顯示本發明之大尺寸垂直型發光二極體裝置(如圖4-12、圖14A-14F、圖15A-15F、圖16A-16F、圖17A-17F、圖18A-18F、以及圖19A-19F所示之發光二極體裝置)的側視圖；圖23A-23B顯示圖13之小尺寸垂直型發光二極體的側視圖；以及圖24A-24B顯示圖21A之長方體晶粒垂直型發光二極體裝置的側視圖。
本發明特徵在於：垂直型發光二極體裝置之金屬電極以設置於外側的金屬電極之方式設置於半導體層上，透過設置於外側的金屬電極配置，可最佳化正方體與長方體之垂直型發光二極體裝置的電流分散效能與減少金屬電極吸光，進而提高亮度、提高效率、增長使用壽命，展現出比習知技術更優越的效能。
如熟悉此技術者所瞭解的，以上僅為說明本發明之較佳實施例，並非用以限定本發明。凡其他未脫離本發明之精神及範圍之等效改變或修飾，均應包含在所附之申請專利範圍內。
100．．．發光二極體裝置
101．．．第二金屬電極
102．．．第二電性半導體層
103．．．活化層
104．．．第一電性半導體層
106．．．鏡面反射層
108．．．導電基底層
109．．．第一電極
200．．．發光二極體裝置
200A．．．發光二極體裝置
200B．．．發光二極體裝置
201．．．第二金屬電極
202．．．第二電性半導體層
203．．．活化層
204．．．第一電性半導體層
206．．．鏡面反射層
210．．．金屬焊墊區
300．．．發光二極體裝置
301．．．第二金屬電極
301'．．．高光照側
301"．．．低光照側
302．．．第二電性半導體層
303．．．活化層
304．．．第一電性半導體層
306．．．鏡面反射層
308．．．導電基底層
309．．．第一電極
310．．．金屬焊墊區
311．．．保護層
312．．．光學透明層
314．．．鏡面反射層
400．．．發光二極體裝置
400'．．．發光二極體裝置
500．．．發光二極體裝置
600．．．發光二極體裝置
700．．．發光二極體裝置
701．．．第二金屬電極
701'．．．高光照側
701"．．．低光照側
702．．．第二電性半導體層
703．．．活化層
704．．．第一電性半導體層
706．．．鏡面反射層
708．．．導電基底層
709．．．第一電極
710．．．金屬焊墊區
800．．．發光二極體裝置
801．．．第二金屬電極
801'．．．高光照側
801"．．．低光照側
802．．．第二電性半導體層
803．．．活化層
804．．．第一電性半導體層
806．．．鏡面反射層
808．．．導電基底層
809．．．第一電極
W．．．寬度範圍
在本發明之隨附圖式中，相同的元件以相同的元件符號表示。
圖1A顯示習知小尺寸垂直型發光二極體裝置之上視圖；
圖1B顯示習知小尺寸垂直型發光二極體裝置之剖面圖；
圖2顯示習知大尺寸垂直型發光二極體裝置之上視圖；
圖3A同時顯示習知大尺寸垂直型發光二極體裝置之上視圖及細部剖面圖，其金屬電極的兩側皆屬於高光照側；
圖3B同時顯示另一習知大尺寸垂直型發光二極體裝置之上視圖及細部剖面圖，其金屬電極的兩側皆屬於高光照側；
圖4顯示根據本發明之一實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖，其中晶粒尺寸為1mm2
；
圖5同時顯示圖4之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖及剖面圖；
圖6顯示圖4之大尺寸垂直型發光二極體裝置的立體圖；
圖7同時顯示根據本發明之一實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖及細部剖面圖，其中晶粒尺寸為1mm2
；
圖8同時顯示根據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖及細部剖面圖，其中晶粒尺寸為1mm2
；
圖9同時顯示根據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖及細部剖面圖，其中晶粒尺寸為1mm2
；
圖10同時顯示根據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖及細部剖面圖，其中晶粒尺寸為1mm2
；
圖11顯示根據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖，其中晶粒尺寸為0.6mm2
；
圖12同時顯示圖11之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖及剖面圖；
圖13同時顯示根據本發明之一實施例之小尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖及剖面圖，其中晶粒尺寸為0.1mm2
；
圖14A-14F、圖15A-15F、圖16A-16F、圖17A-17F、圖18A-18F、及圖19A-19F分別顯示根據本發明之其他實施例之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖，其中晶粒尺寸為大於0.3mm2
；
圖20A-20D分別顯示根據本發明之其他實施例之垂直型發光二極體裝置的上視圖，其中晶粒尺寸為小於0.3mm2
；
圖21A-21I分別顯示根據本發明之其他實施例之長方體晶粒之垂直型發光二極體裝置的上視圖；
圖22A-22B顯示本發明之大尺寸垂直型發光二極體裝置的側視圖；圖23A-23B顯示圖13之小尺寸垂直型發光二極體的側視圖；以及
圖24A-24B顯示圖21A之長方體晶粒垂直型發光二極體裝置的側視圖。
300．．．發光二極體裝置
301．．．第二金屬電極
301'．．．高光照側
301"．．．低光照側
302．．．第二電性半導體層
303．．．活化層
304．．．第一電性半導體層
306．．．鏡面反射層
308．．．導電基底層
309．．．第一電極
W．．．寬度範圍
Claims (16)
- 一種發光二極體裝置，包括：一鏡面反射層；一第一電性半導體層，形成於該鏡面反射層上；一活化層，形成於該第一電性半導體層上；一第二電性半導體層，形成於該活化層上；一第二金屬電極，形成於該第二電性半導體層上，其中該第二金屬電極的兩側分別為高光照側與低光照側，而該低光照側係位於該鏡面反射層的寬度範圍外，且該鏡面反射層與該第一電性半導體層接觸的面積佔該第一電性半導體層面積的百分之七十五以上。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該活化層之材料係選自於由AlInGaN、InGaN、AlGaN、GaN、AlGaInP、AlGaAs所組成之族群中的至少一者。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該鏡面反射層之材料係選自於由Ag、Al、Au、Rh、Pt、Cu、Ni、W、In、Pd、Zn、Ge、Bi、AlSi、Ag/Ni、Ni/Ag/Ni/Au、Ag/Ni/Au、Ag/Ti/Ni/Au、Ti/Al、Ni/Al及其合金所組成之族群中的至少一者。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，更包含：一透明層，設置於該鏡面反射層與該第一電性半導體層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該鏡面反射層係使用下列至少其中一者而形成：PVD、CVD、蒸鍍、濺鍍、電鍍、無電電鍍、塗佈、印刷或其結合。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該第二電性半導體層為n型氮化鎵半導體。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該第二金屬電極之材料係選自於由Cr/Au、Cr/Al、Cr/Pt/Au、Cr/Ni/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Ni/Au、Al、Ti/Al、Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pt/Au、WTi、Al/Pt/Au、Al/Pt/Al、Al/Ni/Au、Al/Ni/Al、Al/W/Al、Al/W/Au、Al/TaN/Al、Al/TaN/Au、Al/Mo/Au及其合金所組成之族群中的至少一者。
- 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體裝置，其中該第二金屬電極係使用下列至少其中一者而形成：PVD、CVD、蒸鍍、濺鍍、電鍍、無電電鍍、塗佈、印刷或其結合。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該第二金屬電極之金屬總面積佔該第二電性半導體層面積的百分之二十五以下。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，更包含中央設置至少一道金屬電極線，而該金屬電極線與該第二金屬電極相連接。
- 如申請專利範圍第10項所述之發光二極體裝置，其中該第二金屬電極與該金屬電極線之金屬厚度為0.1微米至50微米。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，更包含：一導電透明層，設置於該第二電性半導體層與該第二金屬電極之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該第二電性半導體層之表面的局部面積被加以圖案化。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，更包含：一保護層，用以保護該鏡面反射層。
- 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體裝置，其中該保護層之材料係選自於Ni、W、Mo、Pt、Ta、Rh、Au、V、WTi、TaN、SiO2 、SiNx 、Al2 O3 、AlN、ITO與Ni-Co所組成之族群中的至少一者。
- 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體裝置，其中該保護層係使用下列至少其中一者而形成：PVD、CVD、蒸鍍、濺鍍、電鍍、無電電鍍、塗佈、印刷或其結合。
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Families Citing this family (19)
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|---|---|---|---|---|
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| US9847372B2 (en) * | 2011-12-01 | 2017-12-19 | Micron Technology, Inc. | Solid state transducer devices with separately controlled regions, and associated systems and methods |
| KR102158440B1 (ko) * | 2012-01-10 | 2020-09-23 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 선택적인 영역 조면화에 의해 제어되는 led 광 출력 |
| CN103383986A (zh) * | 2012-05-04 | 2013-11-06 | 旭明光电股份有限公司 | 具有波长转换层的发光二极管晶粒及其制造方法 |
| CN102709446A (zh) * | 2012-06-18 | 2012-10-03 | 东莞市大亮光电有限公司 | 一种小功率直插式led |
| EP2782148B1 (en) | 2012-07-18 | 2020-05-06 | Semicon Light Co. Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| EP2782147B1 (en) * | 2012-07-18 | 2020-03-11 | Semicon Light Co. Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light-emitting element |
| JP5734935B2 (ja) | 2012-09-20 | 2015-06-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US9748511B2 (en) * | 2013-05-23 | 2017-08-29 | Oledworks Gmbh | Light-emitting device with alternating arrangement of anode pads and cathode pads |
| CN103456859A (zh) * | 2013-09-05 | 2013-12-18 | 深圳市智讯达光电科技有限公司 | 倒装led芯片的反射层结构及倒装led芯片 |
| WO2015112943A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Glo Ab | Led device with bragg reflector and method of singulating led wafer substrates into dice with same |
| JP2016072479A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| CN107851688B (zh) * | 2015-08-07 | 2021-04-23 | Lg伊诺特有限公司 | 发光二极管及发光二极管封装 |
| KR102425124B1 (ko) * | 2015-08-24 | 2022-07-26 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
| TWI778010B (zh) * | 2017-01-26 | 2022-09-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
| US10615094B2 (en) * | 2017-01-28 | 2020-04-07 | Zhanming LI | High power gallium nitride devices and structures |
| CN109962130B (zh) * | 2019-04-15 | 2024-08-20 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种六面粗化的红外led芯片及制作方法 |
| TWD219684S (zh) * | 2021-07-09 | 2022-07-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體之部分 |
| TWI773587B (zh) * | 2021-11-17 | 2022-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 燈板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050205886A1 (en) * | 2002-11-29 | 2005-09-22 | Sanken Electric Co., Ltd. | Gallium-containing light-emitting semiconductor device and method of fabrication |
| US20060197099A1 (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-07 | Yuko Tomioka | Semiconductor light emitting device |
| US20070252155A1 (en) * | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Eastman Kodak Company | Composite electrode for light-emitting device |
| US20080265267A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-10-30 | Hitachi Cable, Ltd. | Light emitting diode |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0883927A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ＡｌＧａＩｎＰ系発光装置 |
| JP2000091638A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2000174339A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系半導体発光素子およびＧａＮ系半導体受光素子 |
| JP2001177148A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP4754711B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2011-08-24 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光ダイオード、発光ダイオードランプ、光源、ｉｉｉ族窒化物半導体発光ダイオード用電極およびその製造方法 |
| JP2003197965A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| CA2754097C (en) * | 2002-01-28 | 2013-12-10 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method |
| JPWO2004051758A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2006-04-06 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2005322945A (ja) * | 2003-02-12 | 2005-11-17 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP3841092B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2006-11-01 | 住友電気工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2005086137A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系発光ダイオード |
| JP2005327979A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
| KR100665120B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 반도체 발광소자 |
| JP4956902B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2012-06-20 | 三菱化学株式会社 | ＧａＮ系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置 |
| DE102005025416A1 (de) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur |
| SG140512A1 (en) * | 2006-09-04 | 2008-03-28 | Tinggi Tech Private Ltd | Electrical current distribution in light emitting devices |
| JP2008283096A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2009021323A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR100843426B1 (ko) * | 2007-07-23 | 2008-07-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 |
| TWI419355B (zh) * | 2007-09-21 | 2013-12-11 | Nat Univ Chung Hsing | 高光取出率的發光二極體晶片及其製造方法 |
| JP5474292B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2014-04-16 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光ダイオード素子 |
| KR101382836B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2014-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2009200178A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
| JP5638514B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2014-12-10 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子及びその製造方法 |
| CN101442092B (zh) * | 2008-11-14 | 2011-03-23 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种高亮度发光二极管及其制造方法 |
| US7883910B2 (en) * | 2009-02-03 | 2011-02-08 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting diode structure, LED packaging structure using the same and method of forming the same |
| TWI412161B (zh) | 2009-11-06 | 2013-10-11 | Semileds Optoelectronics Co | 發光二極體裝置 |
-
2009
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-
2010
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-
2013
- 2013-04-24 US US13/869,218 patent/US10862013B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050205886A1 (en) * | 2002-11-29 | 2005-09-22 | Sanken Electric Co., Ltd. | Gallium-containing light-emitting semiconductor device and method of fabrication |
| US20060197099A1 (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-07 | Yuko Tomioka | Semiconductor light emitting device |
| US20070252155A1 (en) * | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Eastman Kodak Company | Composite electrode for light-emitting device |
| US20080265267A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-10-30 | Hitachi Cable, Ltd. | Light emitting diode |
Also Published As
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