TWI408734B - 半導體裝置及其製造方法 - Google Patents
半導體裝置及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI408734B TWI408734B TW095114135A TW95114135A TWI408734B TW I408734 B TWI408734 B TW I408734B TW 095114135 A TW095114135 A TW 095114135A TW 95114135 A TW95114135 A TW 95114135A TW I408734 B TWI408734 B TW I408734B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- semiconductor
- equal
- plasma treatment
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 444
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 79
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 204
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 143
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 117
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 85
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 67
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 66
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 58
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 55
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 31
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 27
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 9
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 claims description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 8
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims description 5
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 993
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 82
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 description 61
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 61
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 34
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 30
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 25
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 23
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 23
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 18
- 239000002585 base Substances 0.000 description 17
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 17
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 16
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- -1 oxygen radicals Chemical class 0.000 description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 14
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 14
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 14
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 14
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N azanylidyneyttrium Chemical compound [Y]#N AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 11
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 8
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000036541 health Effects 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000204667 Thermoplasma Species 0.000 description 2
- RMQHANZTTJFRSU-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Bi].[B] Chemical compound [Bi].[Bi].[B] RMQHANZTTJFRSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003905 agrochemical Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000825 pharmaceutical preparation Substances 0.000 description 1
- 229940127557 pharmaceutical product Drugs 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000000624 total reflection X-ray fluorescence spectroscopy Methods 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H01L29/66757—
-
- H01L27/12—
-
- H01L27/1248—
-
- H01L29/42384—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
本發明涉及一種具有優質膜的半導體裝置和半導體裝置及其製造方法，該膜是在導電膜、絕緣膜、半導體膜等被堆疊的情況下藉由對絕緣膜或者半導體膜實施電漿處理以改善表面品質來獲得的。
近年來，用於形成具有在具有絕緣表面的基底例如玻璃上方形成的半導體薄膜(幾個nm至數百nm的厚度)的薄膜電晶體(TFT)的技術已經引起大家的注意。上述薄膜電晶體已經廣泛地應用於半導體裝置例如IC或者電光裝置，另外，為了適應對半導體裝置小型化和高性能的需要，上述薄膜電晶體具有更小型化的結構。為了製造更小型化和更高性能的薄膜電晶體，除用於閘極電極、源極和汲極導線等的導電膜之外，還需要形成薄的絕緣膜例如閘極絕緣膜。通常，藉由CVD方法等形成薄膜電晶體的絕緣膜例如閘極絕緣膜(例如，參考資料1：日本專利公開號2001－135824)。
然而，藉由CVD方法或者濺射方法形成具有幾個nm厚度的絕緣膜在薄膜中具有缺陷，並且膜品質不滿足要求。例如，在使用藉由CVD方法所形成的絕緣膜作為閘極絕緣膜的情況下，在半導體膜與閘極電極之間存在漏電流或者短路的危險。另外，藉由熱氧化方法，例如，藉由氧化半導體膜的表面形成緻密絕緣膜；然而，由於在製造薄膜電晶體中，考慮到成本使用低耐熱基底例如玻璃，但難以使用熱氧化方法。
鑒於這些問題而提出了本發明。本發明的目的是提供半導體裝置的製造方法及此半導體裝置，在導電膜、絕緣膜、半導體薄膜等堆疊的情況下，與藉由CVD方法、濺射方法等形成的薄膜相比，藉由該方法形成的膜更緻密和少缺陷。
本發明的半導體裝置的製造方法包含如下步驟：在基底上方形成第一絕緣膜；在第一絕緣膜上方形成半導體膜；使用高頻波，在等於或大於1×101 1
cm－ 3
且小於或等於1×101 3
cm－ 3
的電子密度以及等於或大於0.5eV且小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下，對半導體膜實施電漿處理來氧化或氮化半導體膜；形成第二絕緣膜以覆蓋半導體膜；在第二絕緣膜上形成閘極電極；形成第三絕緣膜以覆蓋閘極電極；以及在第三絕緣膜上形成導電膜。
在本發明的上述結構中，可以對要被氮化或氧化的基底、第一絕緣膜、第二絕緣膜或者第三絕緣膜實施電漿處理。
在本發明中，藉由電漿處理以氧化半導體膜或者絕緣膜意指使用高頻波的電漿處理所活化的例如氧自由基或者氧離子等氧物種直接與待實施氧化或者氮化的半導體膜或者絕緣膜反應。藉由電漿處理以氮化半導體膜或者絕緣膜意指使用高頻波的電漿處理所活化的例如氮自由基或者氮離子等氮物種直接與待實施氧化或者氮化的半導體膜或者絕緣膜反應。
本發明的半導體裝置的另一個製造方法包含如下步驟：在基底上方形成第一絕緣膜；在第一絕緣膜上方形成具有尾端漸細的末端部分的半導體膜；使用高頻波，在等於或大於1×101 1
cm－ 3
且小於或等於1×101 3
cm－ 3
的電子密度和大於或等於0.5eV且小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下對半導體膜的末端實施電漿處理來有選擇地氧化或者氮化半導體膜的末端部分；形成第二絕緣膜以覆蓋半導體薄膜；在第二絕緣膜上形成閘極電極；形成第三絕緣膜以覆蓋閘極電極；以及在第三絕緣膜上形成導電膜。
本發明的半導體裝置的一個特徵是具有形成在絕緣表面上的半導體膜、設置在半導體膜上且以閘極絕緣膜插入於其間的閘極電極、設置成覆蓋閘極電極的絕緣膜、以及設置在絕緣膜上的導電膜，其中半導體膜的末端部分被氧化和氣化。另外，半導體膜的末端部分可以具有尾端漸細形狀。
藉由電漿處理氧化或者氮化半導體膜或者絕緣膜，改善了半導體膜或者絕緣膜的表面品質，從而獲得緻密的絕緣膜。由此，製造具有優良特性的半導體裝置。
在下文，參照附圖描述本發明的實施例方式。本發明不局限於下列說明，習於此技藝者容易知曉，在不悖離本發明的精神和範圍的情況下，在可以以多種方式修改這裏公開的方式和細節。應當注意本發明不應解釋為受如下實施例方式的說明的限制。注意在附圖中，相同的代號用於相同的部分或者在一些情況下具有相同功能的部分。
圖1A至1C顯示本發明的半導體裝置的實施例。關於圖1A至1C，圖1B係對應於沿圖1A的a－b展開的截面圖，圖1C對應於沿圖1A的c－d展開的截面圖。
圖1A至1C顯示的半導體裝置包括設置在基底101上方的具有插入其間的絕緣膜102的半導體薄膜103a和103b、設置在半導體薄膜103a和103b上之具有閘極絕緣膜104的閘極電極105、設置成覆蓋閘極電極的絕緣膜106和107、電連接到半導體薄膜103a和103b的源極和汲極區並設置在絕緣膜107上的導電薄膜108。在圖1A至1C中，顯示使用半導體薄膜103a的一部分作為通道形成區域的n型通道薄膜電晶體110a和使用半導體薄膜103b的一部分作為通道形成區域的p型通道薄膜電晶體110b的情況。
關於基底101，可以使用例如鋁硼矽玻璃或者鋇硼矽玻璃等玻璃基底、石英基底、陶瓷基底、包括不銹鋼等的金屬基底。另外可以使用由以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯萘烷(PEN)、或者聚醚碸(PES)代表的塑膠、或者具有柔性的合成樹脂例如丙烯酸樹脂形成的基底。藉由使用柔性基底，可以製造可折疊的半導體裝置。另外，當使用上述基底時對基底的面積或者形狀沒有限制，因而，使用具有例如1米或更大的一邊的長方形基底作為基底101，由此極大地提高了產量。與圓形矽基底比較，上述優點是大的優勢。
絕緣膜102用作基膜，提供它以便防止鹼金屬例如Na或者鹼土金屬從基底101分散到半導體薄膜103a和103b並防止對半導體元件的特性產生不利地影響。關於絕緣膜102，可以使用包含氮或者氧的絕緣膜例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)的單層結構或者多層結構。舉例而言，當提供具有雙層結構的絕緣膜102時，可以提供氧氮化矽膜作為第一絕緣膜和提供氮氧化矽膜作為第二絕緣膜。當提供具有三層結構的絕緣膜102時，可以提供氮氧化矽膜作為第一絕緣膜、提供氧氮化矽膜作為第二絕緣膜、和提供氮氧化矽膜作為第三絕緣膜。
可以用非晶半導體或者半非晶半導體(SAS)形成半導體膜103a和103b。或者，可以使用多晶半導體膜。SAS是在非晶結構和晶體結構(包含單晶和多晶)之間具有中間構造的半導體。這是具有在自由能方面穩定的第三條件的半導體，在其中包含具有短程有序和晶格扭曲的結晶區。至少在薄膜的一部分區域中可以觀察從0.5nm到20nm的結晶區。當包含矽作為主要成分時，拉曼光譜移動到小於520cm－ 1
的更低波數一側。在X射線繞射中觀察由矽晶格引起的(111)或者(220)的繞射峰。包含至少1原子%以上的氫或者鹵素以終止懸空鍵。藉由在包含矽的氣體上執行生長放電分解(電漿CVD)形成SAS。除SiH4
、Si2
H6
之外，SiH2
Cl2
、SiHCl3
、SiCl4
、SiF4
等可以用於包含矽的氣體。另外，可以混合GeF4
。可以用H2
或者H2
和He、Ar、Kr、和Ne的一種或多種稀有氣體元素稀釋包含矽的氣體。稀釋率為從2倍到1000倍的範圍。壓力範圍大約從0.1Pa至133Pa，電源頻率範圍從1MHz至120MHz，較佳地從13MHz到60MHz。基底加熱溫度可以是300℃或者更低。希望作為在薄膜中的雜質元素的大氣成分雜質例如氧、氮、或者碳是1×102 0
cm－ 1
或者更低，特別是氧濃度是5×101 9
/cm3
或者更低，較佳地為1×101 9
/cm3
或者更低。用主要包含矽(Si)的材料(例如Six
Ge1 － x
等)，藉由已知的方法(例如濺射方法、LPCVD方法、或者電漿CVD方法)形成非晶半導體薄膜，並接受例如雷射結晶方法、使用RTA或者爐內退火方法的熱結晶方法、使用促進結晶的金屬元素的熱結晶方法等結晶方法之處理。由此，使非晶半導體薄膜結晶。關於另一結晶方法，藉由施加DC偏壓產生熱電漿，且熱電漿對半導體膜作用。
關於閘極絕緣膜104，可以使用包含例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等含氮或氧的絕緣膜之單層結構或多層結構。
關於絕緣膜106，可以使用例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等含氮或氧的絕緣膜、或例如DLC(金鋼石類碳)等含碳的膜的單層結構或者多層結構。
關於絕緣膜107，可以使用例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氮或者氧的絕緣膜、例如DLC等含碳的膜(金鋼石類碳)、或者進一步例如環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯基苯酚、苯並環丁烯、或者丙烯酸樹脂、矽氧烷樹脂等有機材料單層結構或者多層結構。該矽氧烷樹脂指的是包含Si－O－Si鍵的樹脂。矽氧烷包含藉由矽(Si)和氧(O)的鍵合形成的骨架。包含至少包含氫的有機基(例如烷基或者芳香族烴)作為取代基。另外，氟基團可以用作取代基。另外，可以使用氟基團和至少包含氫的有機基作為取代基。在圖1A至1C顯示的半導體裝置中，可以直接形成絕緣膜107以覆蓋閘極電極105而不提供絕緣膜106。
關於導電薄膜108，可以使用選自鋁(Al)、鈦(Ti)、鎢(W)、鎳(Ni)、碳(C)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鉭(Ta)、金(Au)、錳(Mn)的元素或者包含這些元素中的一些的合金的單層結構或多層結構。舉例而言，關於由包含一些元素的合金形成的導電薄膜，可以使用包含C和Ti的Al合金、包含Ni的Al合金、包含C和Ni的Al合金、包含C和Mn的Al合金等。另外，在多層結構的情況下，可以層疊Al和Ti。
另外，在圖1A至1C中，n型通道電晶體110a具有與閘極電極105的側面接觸的側壁111，並設置由授予n型導電性的雜質元素有選擇地摻雜的半導體膜103a中的源極和汲極區和在側壁區域之下的LDD區域。另外，P通道電晶體110b具有與閘極電極105的側面接觸的側壁，並提供用給予p型導電性的雜質元素有選擇地摻雜的在半導體薄膜103b中的源極和汲極區。注意包含在本發明的半導體裝置中的薄膜電晶體的結構不局限於上述結構。例如，在圖1A至1C中，在n型通道電晶體110a中提供LDD區域，在P通道電晶體110b中不提供LDD區域；然而，可以使用在兩個電晶體中都提供LDD區域的結構或者在兩個電晶體中都不提供LDD區域和側壁的結構(圖26A)。電晶體的結構不局限於上述結構，可以採用具有一個通道形成區域的單閘極結構、具有雙通道形成區域的雙閘極結構或者具有三個通道形成區的多閘極結構。另外，可以使用底部閘極結構或者具有兩個閘極電極的雙閘極結構，該兩個閘極電極提供在具有插入其間的閘極絕緣膜的通道形成區域的上面和下面。另外，在閘極電極具有堆疊結構的情況下，提供在閘極電極下面的第一導電薄膜105a、和形成在第一導電薄膜105a上方的第二導電薄膜105b，形成具有尾端漸細的第一導電薄膜105a。同時，可以設置濃度比作為源極和汲極區的雜質區域之濃度更低的雜質區域以僅僅重疊第一導電薄膜(圖26B)。另外，在閘極電極具有堆疊結構的情況下，可以使用其中第一導電膜225a在閘極電極下面的結構，設置形成在第一導電膜225a上的第二導電膜225b，提供側壁以與第二導電膜225b的側壁接觸並在第一導電膜225a上(圖26C)。應當注意在上述結構中，可以使用Ni、Co、W等的矽化物，設置作為半導體膜103a和103b的源極和汲極區的雜質區域。
應當注意，基底101、絕緣膜102、半導體膜103a和103b、閘極絕緣膜104、絕緣膜106和絕緣膜107中的至少一層經使用電漿處理的氧化處理或者氮化處理，從而氧化或者氮化半導體膜或者絕緣膜。如上所述，藉由用電漿處理來氧化或者氮化半導體薄膜或者絕緣膜，提高了半導體膜或絕緣膜的表面的膜的品質。因此，可以獲得比藉由CVD方法或者濺射方法形成的絕緣膜更緻密的絕緣膜。因此，可以抑制例如針孔等產生在膜中的缺陷，並可以提高半導體裝置的特性。
參照附圖描述使用電漿處理的半導體裝置的製造方法。特別地，描述其中藉由氧化或者氮化基底101、絕緣膜102、半導體膜103a和103b、閘極絕緣膜104、絕緣膜106或者絕緣膜107來製造半導體裝置的情況。
在實施例方式1中，參照附圖，描述半導體裝置的製造方法，其中對圖1A至1C所示的半導體膜103a和103b或者閘極絕緣膜104實施電漿處理，對半導體膜103a和103b或者閘極絕緣膜104實施氧化處理或者氮化處理。
該實施例方式顯示在基底上方提供島形半導體膜的情況，島形半導體薄膜的末端部分的形狀通常是直角的。
在基底101上形成島形半導體膜103a和103b(圖2A)。至於島形半導體膜103a和103b，藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等在已經形成在基底101上方的絕緣膜102上使用主要包含矽(Si)的材料(例如，Six
Ge1 － x
等)形成非晶半導體膜。然後，使非晶半導體膜結晶並有選擇地蝕刻半導體膜。可以採用電射結晶方法、使用RTA或者爐內退火方法的熱結晶方法、使用促進結晶的金屬元素的熱結晶方法、上述方法的組合來使非晶半導體薄膜結晶。在圖2A至2D中，島形半導體膜103a和103b的末端形狀的角度通常是直角(85°θ100°)。
對半導體膜103a和103b實施電漿處理以氧化或者氮化半導體膜103a和103b，在半導體膜103a和103b的表面上形成氧化膜或者氮化膜121a和121b(在下文，也稱為絕緣膜121a,121b)(圖2B)。應該注意在氧化或者氮化半導體薄膜103a和103b之前作為預處理可以在Ar氛圍中實施電漿處理。
舉例而言，當Si用於半導體膜103a和103b時，形成氧化矽(SiOx
)或者氮化矽(SiNx
)作為絕緣膜121a和121b。另外，在藉由電漿處理氧化半導體膜103a和103b之後，再次實施電漿處理以氮化半導體膜103a和103b。在這種情況下，形成與半導體膜103a和103b接觸的氧化矽(SiOx
)，在氧化矽的表面上形成氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)或者氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)。
在藉由電漿處理來氧化半導體膜的情況下，在包含氧(例如，包含氧(O2
)的氛圍)和稀有氣體(He、Ne、Ar、Kr、和Xe的至少之一)的氛圍、包含氧、氫(H2
)和稀有氣體的氛圍、包含一氧化二氮和稀有氣體的氛圍、或者包含一氧化二氮、氫和稀有氣體的氛圍中，實施電漿處理。同時，在藉由電漿處理來氮化半導體膜的情況下，在包含氮(例如，包含氮(N2
)的氛圍)和稀有氣體(He、Ne、Ar、Kr、和Xe的至少之一)的氛圍、包含氮、氧和稀有氣體的氛圍、或者包含NH3
和稀有氣體的氛圍中，實施電漿處理。
關於稀有氣體，舉例而言，可以使用Ar。另外，可以使用Ar和Kr的混合氣體。用於電漿處理的稀有氣體(包含He、Ne、Ar、Kr和Xe中至少一種的氣體)包含在絕緣膜121a和121b中，在使用Ar的情況下，Ar包含在絕緣膜121a和121b中。
在本實施例方式中，在實施電漿處理以氧化半導體膜103a和103b的情況下，引進氧氣(O2
)、氫氣(H2
)和氬氣(Ar)的混合氣體。可以按照0.1至100sccm的氧氣、0.1至100sccm的氫氣和100至5000sccm的氬氣以引進這裏使用的混合氣體。較佳地，按照氧氣：氫氣：氬氣＝1：1：100的比例引入混合氣體。例如，可以引入具有5sccm的氧氣、5sccm的氫氣和500sccm的氬氣的混合氣體。
在藉由電漿處理的氧化過程中，認為稀有氣體包含在氧化膜中。因而，藉由在基底之上實施此製程的電漿處理以形成氧化膜來形成樣品。藉由TXRF測量樣品。這裏，使用Ar作為稀有氣體實施電漿處理。結果，氬以大約1×101 5
至1×101 6
原子/cm3
的濃度包含在氧化膜中。因此，用於電漿處理的稀有氣體包含幾乎相同濃度(1×101 5
至1×101 6
原子/cm3
)。
另外，在藉由電漿處理的氮化處理的情況下，引進氮氣(N2
)和氬氣(Ar)的混合氣體。作為這裏使用的混合氣體，可以引進20至2000sccm的氮氣和100至10000sccm的氬氣。例如，可以引進200sccm的氮氣和1000sccm的氬氣。
另外，在包含上述氣體的氛圍中用1×101 1
cm－ 3
或更大的電子密度和1.5eV或者更小的電漿的電子溫度實施電漿處理。更準確地說，電子密度是大於或等於1×101 1
cm－ 3
且小於或等於1x101 3
cm－ 3
，電漿的電子溫度是大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV。電漿的電子密度較高，圍繞形成在基底101上方的目標(這裏，指半導體膜103a和103b)的電子溫度較低。因而，可以避免電漿破壞目標。另外，由於電漿密度高達1×101 1
cm－ 3
或更高，所以，藉由電漿處理藉以氧化或者氮化目標而形成的氧化膜或者氮化膜具有比藉由CVD方法、濺射方法等形成的膜更均勻的膜厚，因而可以是緻密膜。另外，由於電漿的電子溫度低到1.5eV或者更低，所以，可以在比常規電漿處理或者熱氧化方法更低的溫度下實施氧化處理或者氮化處理。例如，即使在比玻璃基底的應變點至少低100℃的低溫下實施電漿處理時，也可以充分地實施氧化處理或者氮化處理。對於用於製造電漿的頻率，可以使用高頻波例如微波(2.45GHz)。
應當注意，在本說明書中，除非另作說明，否則藉由電漿處理之氧化處理或者氮化處理係在上述條件之下實施。
然後，形成閘極絕緣膜104以覆蓋絕緣膜121a和121b(圖2C)。形成具有例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、或者氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氮或者氧的絕緣膜的的單層結構或者多層結構的閘極絕緣膜104。例如，當矽用於半導體膜103a和103b時，藉由電漿處理氧化矽，在半導體膜103a和103b的表面上形成作為絕緣膜121a和121b的氧化矽。在這種情況下，在絕緣膜121a和121b的上方形成作為閘極絕緣膜104的氧化矽(SiOx)。另外，當將厚度作的較薄時，在圖2B中，能夠使用藉由電漿處理的氧化或者氮化半導體膜103a和103b形成的絕緣膜121a和121b作為閘極絕緣膜，可以在絕緣膜121a和121b上方形成閘極電極105。
然後，藉由在閘極絕緣膜104上方形成閘極電極105等，可以製造半導體裝置，該半導體裝置具有n型通道薄膜電晶體110a和P型通道薄膜電晶體110b，每個使用位於閘極電極105下面的半導體膜103a和103b作為通道形成區域，和P型通道薄膜電晶體110b(圖2D)。
在半導體膜103a和103b上方形成閘極絕緣膜104之前，藉由電漿處理氧化或者氮化半導體膜103a和103b的表面。因此，可以防止在通道形成區域151a、151b等的末端部分中由於閘極絕緣膜104的覆蓋缺陷引起的閘極電極和半導體膜之間的短路。換句話說，在島形半導體薄膜的末端部分的角度通常是直角(85°θ100°)的情況下，當藉由CVD方法、濺射方法等形成閘極絕緣膜以覆蓋半導體膜時，存在在半導體膜的末端部分由於閘極絕緣薄膜等的損壞引起覆蓋缺陷的危險。然而，當對半導體膜的表面實施電漿處理以氧化或者氮化該表面時，可以防止在末端部分或者半導體膜處的閘極絕緣膜的覆蓋缺陷等。
在圖2A至2D中，可以在形成閘極絕緣膜104之後藉由實施電漿處理來氧化或者氮化閘極絕緣膜104。在這種情況下，形成閘極絕緣膜104以覆蓋半導體膜103a、103b(圖3A)，對閘極絕緣膜104實施電漿處理以氧化或者氮化閘極絕緣膜104，因此在閘極絕緣膜104的表面中形成氧化膜或者氮化膜1235(在下文也稱為絕緣膜123)(圖3B)。用於電漿處理的條件可以與圖2B的相似。另外，絕緣膜123包含用於電漿處理的稀有氣體，例如，在使用Ar的情況下，Ar包含在絕緣膜123中。
在圖3B中，一旦在包含氧的氛圍中實施電漿處理以氧化閘極絕緣膜104，然後在包含氮氣的氛圍中實施電漿處理以氮化閘極絕緣膜104。在這種情況下，在半導體膜103a和103b上形成氧化矽(SiOx
)或者氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)，形成與閘極電極105接觸的包含氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)或者氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)的側壁。之後，在絕緣膜123上方形成閘極電極105等，可以製造半導體裝置，該半導體裝置具有n型通道薄膜電晶體110a和P型通道薄膜電晶體110b，每個使用位於閘極電極105下面的半導體薄膜103a和103b作為通道形成區域，和P型通道薄膜電晶體110b(圖3C)。如此，藉由對閘極絕緣膜實施電漿處理，氧化或者氮化閘極絕緣膜的表面以提高它的薄膜品質。因而，可以獲得緻密膜。藉由電漿處理獲得的絕緣膜較為緻密，並與藉由CVD方法或者濺射方法形成的絕緣膜比較，具有較少的缺陷例如針孔，因而，可以提高薄膜電晶體的特性。
在圖3A至3C中，描述預先對半導體膜103a和103b實施電漿處理，並氧化或者氮化半導體膜103a和103b的表面的情況。然而，可以使用其中在形成閘極絕緣膜104之後對閘極絕緣膜104實施電漿處理而不對半導體膜103a和103b實施電漿處理的方法。如此，藉由在形成閘極電極之前實施電漿處理，即使在半導體膜的末端部分處由於閘極絕緣膜的損壞引起覆蓋缺陷，可以氧化或者氮化由於覆蓋缺陷暴露的半導體膜，因而，可以防止在半導體薄膜的末端部分處由於閘極絕緣膜的覆蓋缺陷引起的閘極電極和半導體薄膜之間的短路等。
甚至當島形半導體膜的末端部分通常是直角時，對半導體膜或者閘極絕緣膜實施電漿處理以氧化或者氮化半導體膜或者閘極絕緣膜，因此避免在半導體膜的末端部分處由閘極絕緣膜的覆蓋缺陷引起的閘極電極和半導體薄膜的短路。
然後，描述在提供在基底上方的島形半導體膜中的島形半導體膜的末端部分具有尾端漸細形狀(30°θ<85°)的情形。
首先在基底101上形成島形半導體膜103a和103b(圖4A)。對於島形半導體膜103a和103b，藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等在已經形成在基底101上的絕緣膜102上使用主要包含矽(Si)的材料(例如，Six
Ge1 － x
等)來形成非晶半導體薄膜。然後，使非晶半導體薄膜結晶並有選擇地蝕刻半導體膜。可以採用雷射結晶方法、使用RTA或者爐內退火方法的熱結晶方法、使用促進結晶的金屬元素的熱結晶方法、上述方法的組合來使非晶半導體薄膜結晶。在圖4A至4D中，島形半導體膜103a和103b的末端部分的角度是尾端漸細(30°θ<85°)。
形成閘極絕緣膜104以覆蓋半導體膜103a和103b(圖4B)。可以藉由已知的方法(例如濺射法、LPCVD法、或者電漿CVD法)形成閘極絕緣膜104，其具有例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、或者氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氮或者氧的絕緣膜的單層結構或者多層結構。
然後，藉由電漿處理來氧化或者氮化閘極絕緣膜104，因而在閘極絕緣膜104的表面上形成氧化膜或者氮化膜124(在下文也稱為絕緣膜124)(圖4C)。注意用於電漿處理的條件可以與上述的相似。例如，當使用氧化矽(SiOx
)或者氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)作為閘極絕緣膜104時，在包含氧氣的氛圍中實施電漿處理以氧化閘極絕緣膜104。藉由電漿處理而在閘極絕緣膜的表面上獲得的薄膜是緻密的，與藉由CVD方法、濺射方法等形成的閘極絕緣膜比較具有較少的缺陷例如針孔。另一方面，在包含氮氣的氛圍中實施電漿處理以氮化閘極絕緣膜104，可以在閘極絕緣膜104的表面上提供氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)或者氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)作為絕緣膜124。另外，一旦在包含氧氣的氛圍中實施電漿處理以氧化閘極絕緣膜104，然後在包含氮氣的氛圍中實施電漿處理以氮化閘極絕緣膜104。另外，絕緣膜124包含用於電漿處理的稀有氣體，例如，在使用Ar的情況下，Ar包含在絕緣膜124中。
可以藉由在絕緣膜124的上方形成閘極電極105等製造半導體裝置(圖4D)，該半導體裝置具有n型通道薄膜電晶體110a和P型通道薄膜電晶體110b，每個使用位於閘極電極105下面的半導體膜103a和103b。
以此方式，藉由對閘極絕緣膜實施電漿處理，在閘極絕緣膜的表面上形成由氧化膜或者氮化膜形成的絕緣膜，可以提高閘極絕緣膜的表面的薄膜品質。藉由電漿處理獲得的氧化或者氮化絕緣膜較為緻密，並與藉由CVD方法或者濺射方法形成的絕緣膜比較具有較少的缺陷例如針孔，因而，可以提高薄膜電晶體的特性。另外，它藉由將半導體膜的末端部分形成為尾端漸細形狀來防止在半導體膜的末端部分處由閘極絕緣膜等的覆蓋缺陷引起的在閘極電極和半導體薄膜之間的短路。然而，藉由在形成閘極絕緣膜之後實施電漿處理，可以進一步防止閘極電極和半導體膜之間的短路。
參照附圖描述與圖4A至4C不同的半導體裝置的製造方法。特別地，描述對具有尾端漸細形狀的半導體膜的末端部分有選擇地實施電漿處理的情形。
在基底101上形成島形半導體膜103a和103b(圖5A)。至於島形半導體膜103a和103b，係藉由濺射法、LPCVD法、電漿CVD法等在已經形成在基底101的絕緣膜102上方使用主要包含矽(Si)的材料(例如，Six
Ge1 － x
等)來形成非晶半導體膜。然後，使非晶半導體膜結晶並使用光阻125a和125b作為掩罩而有選擇地蝕刻半導體膜。可以採用雷射結晶方法、使用RTA或者爐內退火方法的熱結晶方法、使用促進結晶的金屬元素的熱結晶方法、上述方法的組合來使非晶半導體膜結晶。
然後，在除去用於蝕刻半導體膜的光阻125a和125b之前，實施電漿處理以有選擇地氧化或者氮化島形半導體膜103a和103b的末端部分。在半導體膜103a和103b的每個末端部分處形成氧化膜或者氮化膜126(在下文，稱為絕緣膜126)(圖5B)。在上述條件下實施電漿處理。另外，絕緣薄膜126包含用於電漿處理的稀有氣體。
形成閘極絕緣膜104以覆蓋半導體膜103a和103b(圖5C)。按照與上述相同的方式形成閘極絕緣膜104。
可以藉由在閘極絕緣膜104上方形成閘極電極105等來製造半導體裝置(圖5D)，該半導體裝置具有n型通道薄膜電晶體110a和P型通道薄膜電晶體110b，每一個都使用島形半導體膜103a和103b作為通道形成區域。
當半導體膜103a和103b的末端部分是尾端漸細時，形成在部分半導體膜103a和103b中的通道形成區域152a和152b的末端部分也是尾端漸細。因而，和中心部分相比，半導體膜或者閘極絕緣膜的厚度變化了，存在對薄膜電晶體的特性有不利影響的危險。因而，藉由電漿處理有選擇地氧化或者氮化通道形成區域的末端部分，在會變成通道形成區域的末端部分的半導體膜上形成絕緣膜。因而可以減少由於通道形成區域的末端部分對薄膜電晶體的影響。
圖5A至5D顯示其中僅僅對半導體膜103a和103b的末端部分實施用於氧化或者氮化的電漿處理的實施例。當然，也能夠對閘極絕緣膜104實施用於如圖4A至4D所示的氧化或者氮化的電漿處理(圖7A)。
然後，參照圖描述半導體裝置的製造方法。該方法與上面描述的方法不同。具體地，對具有尾端漸細形狀的半導體膜實施電漿處理。
採用與上述相同的方式在基底101上方形成島形半導體膜103a和103b(圖6A)。
然後，對半導體膜103a和103b實施電漿處理以氧化或者氮化半導體膜103a和103b，形成氧化膜或者氮化膜127a和127b(在下文，也稱為絕緣膜127a、127b)(圖6B)。可以在上述條件下實施電漿處理。例如，當Si用於半導體膜103a和103b時，形成氧化矽(SiOx
)或者氮化矽(SiNx
)作為絕緣膜127a和127b。另外，藉由電漿處理來氧化半導體膜103a和103b之後，再次實施電漿處理以氮化半導體膜103a和103b。在這種情況下，形成與半導體膜103a和103b接觸的氧化矽(SiOx
)，並在該氧化矽的表面上形成氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)或者氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)。另外，絕緣膜127a和127b包含用於電漿處理的稀有氣體。藉由電漿處理，同時氧化或者氮化半導體膜103a和103b的末端部分。
然後，形成閘極絕緣膜104以覆蓋絕緣膜127a和127b(圖6C)。作為閘極絕緣膜104，可以使用包含氮或者氧的絕緣膜例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)的單層結構或者多層結構。舉例而言，在藉由電漿處理來氧化使用Si的半導體膜103a和103b以在半導體膜103a和103b的表面中形成作為絕緣膜127a和127b的氧化矽，在絕緣膜127a、127b上方形成氧化矽(SiOx
)作為閘極絕緣膜104。
然後，在絕緣膜127a、127b上方形成閘極電極105等，並可以藉由在閘極絕緣膜104上方形成閘極電極105等來製造半導體裝置(圖6D)，該半導體裝置具有n型通道薄膜電晶體110a和P型通道薄膜電晶體110b，每一個都使用位於閘極電極105下面的半導體膜103a和103b。
當半導體膜103a和103b的末端部分是尾端漸細形時，形成在部分半導體膜103a和103b中的通道形成區域153a和153b的末端部分也是尾端漸細形。因而，存在影響薄膜電晶體的特性的危險。因而，由於藉由電漿處理來氧化或者氮化半導體薄膜，使得氧化或者氮化通道形成區域的末端部分，可以減少對半導體元件的影響。
在圖6A至6D中，顯示其中僅僅半導體膜103a、103b經受電漿處理的氧化或者氮化的實施例；然而，也能夠對如圖4A至4D所示的待氧化或者氮化的閘極絕緣膜104實施電漿處理(圖7B)。在這種情況下，一經在包含氧氣的氛圍中實施電漿處理以氧化閘極絕緣膜104，然後在包含氮氣的氛圍中實施電漿處理以氮化閘極絕緣膜104。在這種情況下，在半導體膜103a和103b中形成氧化矽(SiOx
)或者氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)，並形成與閘極電極105接觸的氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)或者氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)。
另外，在上述結構中，可以藉由在包含氫氣和稀有氣體的氛圍中實施電漿處理來引入氫。例如，在圖2D中，在用作源極區或者汲極區的雜質區域中實施活化以修補缺陷之後，在包含氫氣和稀有氣體的氛圍中實施電漿處理，因而，將氫引入到閘極絕緣膜104。在隨後步驟中，在350至450℃下實施熱處理以使包含在閘極絕緣膜104中的氫轉移到半導體膜103a和103b中。因而，可以修補半導體膜103a和103b的缺陷例如懸空鍵(氫化處理)。這裏，上述的任何材料都可用於閘極絕緣膜104，藉由電漿處理將氫引入這裏以實施氫化處理。另外，在包含NH3
和稀有氣體的氛圍中在350至450℃下實施電漿處理，將氫引入到閘極絕緣膜104中，同時，氮化閘極絕緣膜的表面以提高表面的膜品質。另外，在電漿處理中在包含NH3
和稀有氣體的氛圍中實施熱處理，以便可以同時實施氫化處理和氮化處理。應當注意可以自由地組合上述步驟來實施藉由電漿處理引進氫。可以在上述條件下實施電漿處理。
藉由用這樣的方式實施電漿處理，可以容易地除去附著於半導體膜或者絕緣膜上的雜質例如灰塵。通常，有時，灰塵(也稱為粒子)附屬於藉由CVD方法、濺射方法等形成的膜上。例如，如圖25A所示，在藉由CVD方法、濺射方法等形成的絕緣膜172上形成灰塵，該絕緣膜172形成在例如絕緣膜、導電膜或者半導體膜等膜171上。在這種情況下，藉由電漿處理氧化或者氮化絕緣膜172，在絕緣膜172的表面上形成氧化物膜或氮化物膜174(在下文，也稱為絕緣膜174)。至於絕緣膜174，氧化或者氮化灰塵173下面的部分以及其中不存在灰塵173的部分，因而增加了絕緣膜174的體積。另一方面，也藉由電漿處理來氧化或者氮化灰塵173的表面以形成絕緣膜175，結果，也增加了灰塵173的體積(圖25B)。
此時，可以藉由簡單的清洗例如刷清洗容易地從絕緣膜174的表面除去灰塵173。用這樣的方式，藉由電漿處理，可以容易地除去附著於絕緣膜或者半導體膜的微小灰塵。注意這是藉由實施電漿處理獲得的效果，這對其他的實施例方式以及該實施例方式是真實的。
如上所述，藉由電漿處理的氧化或者氮化來提高半導體膜或者閘極絕緣膜的表面品質，可以形成緻密的和優質薄膜品質的絕緣膜。另外，藉由清洗可以容易地除去附著於絕緣膜表面的灰塵等。因此，即使絕緣膜做得較薄，也可以避免缺陷例如針孔，可以獲得半導體元件例如薄膜電晶體的微型化和更高性能。
實施例方式2參照附圖描述了本發明的半導體裝置的結構，其與上面描述的實施例方式不同。
在該實施例方式中，對圖1A至1C所示的基底101或者絕緣膜102實施電漿處理。藉由氧化或者氮化基底101或者絕緣膜102，製造半導體裝置。參照附圖描述該方法。
參照附圖描述首先藉由對基底101實施電漿處理來氧化或者氮化基底101的情形。
製備基底101，並以氫氟酸(HF)、鹼性的或者純水沖洗(圖8A)。關於基底101，可以使用玻璃基底例如鋁硼矽玻璃或者鋇硼矽玻璃、石英基底、陶瓷基底、包括不銹鋼的金屬基底等。另外，可以使用由以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯萘烷(PEN)、或者聚醚碸(PES)代表的塑膠、或者具有柔性的合成樹脂例如丙烯酸樹脂形成的基底。注意使用玻璃基底作為基底101。
然後，實施電漿處理以便氧化或者氮化基底101，在基底101的表面上形成氧化物膜或者氮化物膜131(在下文也稱為絕緣膜131)。通常，當在玻璃或者塑膠上方形成半導體元件例如薄膜電晶體時，包含在玻璃或者塑膠內的雜質元素例如像Na的鹼金屬或者鹼土金屬混合到半導體元件中並污染它，因而，存在不利地影響半導體元件特性的危險。然而，藉由氮化由玻璃、塑膠等製造的基底的表面，提供它以便防止鹼金屬例如Na或者鹼土金屬從基底混合到半導體元件。可以在與實施例方式1相同的條件下實施電漿處理。絕緣膜131包含用於電漿處理的稀有氣體(包含He、Ne、Ar、Kr、和Xe中的至少一種的氣體)。
然後，在絕緣膜131上方形成用作基膜的絕緣膜102(圖8C)。關於絕緣膜102，可以使用藉由濺射法、LPCVD法、電漿CVD法等形成的例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氮或者氧的絕緣膜的單層結構或者多層結構。這裏，較佳地藉由電漿處理氮化基底101的表面來形成氮化矽或者氮氧化矽以作為絕緣膜102。當許多N原子包含在絕緣膜102中時，增加了固定電荷數量，對例如薄膜電晶體等形成在絕緣膜102上的半導體元件產生影響。換句話說，需要包含N原子的薄膜防止雜質元素從基底101混合到元件；然而，當包含N原子的薄膜的數目太大時，就影響了半導體元件特性。因而，在圖8A至8E中，氮化基底101的表面並在氮化薄膜上方形成氧化矽或者氮氧化矽。
在絕緣膜102上方形成半導體膜103(圖8D)。藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等使用主要包含矽的材料(例如，Six
Ge1 － x
等)等來形成半導體膜103。順序地藉由CVD方法形成絕緣膜102和半導體膜103。藉由順序地形成絕緣膜102和半導體膜103而不暴露於空氣中，能夠防止雜質混合到半導體膜103中。
然後，藉由有選擇地蝕刻半導體膜103以形成島形半導體膜103a和103b，可以製造半導體裝置，其具有n型通道薄膜電晶體110a和P型通道薄膜電晶體110b，其每個使用半導體膜103a和103b作為通道形成區域(圖8E)。注意使用玻璃基底作為基底101，在包含氮氣的氛圍中實施電漿處理以氮化玻璃基底的表面，形成氮化物膜131。在氮化物膜131上方，形成氧化矽(SiOx
)作為絕緣膜102，在絕緣膜102上方形成半導體膜103a和103b。形成氧化矽作為閘極絕緣膜104以覆蓋半導體膜103a和103b。藉由電漿處理在包含氮氣的氛圍中氮化閘極絕緣膜104。之後，藉由已知的方法例如濺射方法由Mo、W、Cr、Ta、Ni等形成閘極電極105，在包含氮氣的氛圍中實施電漿處理以氮化閘極電極105的表面。例如，關於閘極電極105，在閘極電極105由Mo形成的情況下在Mo的表面上形成Mo的氮化物膜181。在這種情況下，容易氧化Mo；然而，在包含氮氣的氛圍中實施電漿處理以氮化Mo的表面，由此防止Mo的氧化。
以此方式，藉由電漿處理氧化或者氮化基底101的表面，能夠防止雜質元素例如包含在基底中的像Na的鹼金屬或者鹼土金屬混合到半導體元件中並污染它。
參照附圖描述在藉由電漿處理而處理過的基底101上形成的絕緣膜102的形成方法。應當注意在圖9A至9E和10A至10E中顯示絕緣膜102的兩種形成方法。
藉由已知的方法(濺射方法、LPCVD方法、或者電漿CVD方法)在基底101上方形成絕緣膜132(圖9A)。至於絕緣膜132，使用氧化矽(SiOx
)或者氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)。
藉由電漿處理氧化或者氮化絕緣膜132以在絕緣膜132的表面中形成氧化物膜或者氮化物膜133(在下文，也稱為絕緣膜133)(圖9B)。這裏，在包含氮氣(包含氮氣(N2
)和稀有氣體的氛圍，或者包含NH3
和稀有氣體的氛圍)的氛圍中實施電漿處理以氮化絕緣膜132的表面。因而，在絕緣膜132的表面中形成氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)作為絕緣膜133。另外，絕緣膜133包含用於電漿處理的稀有氣體(包含He、Ne、Ar、Kr、和Xe中的至少一種的氣體)，例如，在使用Ar的情況下，Ar包含在絕緣膜133中。可以在上述條件下採用同樣的方式實施電漿處理。
在絕緣膜133上方藉由使用濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等形成絕緣膜134(圖9C)。至於絕緣膜134，採用氧化矽(SiOx
)或者氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)。
在絕緣膜134上方形成半導體膜103(圖9D)。藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等使用主要包含矽(Si)的材料(例如，Six
Ge1 － x
等)來形成半導體膜103。順序地藉由CVD方法形成絕緣膜134和半導體膜103。藉由順序地形成絕緣膜134和半導體膜103而不暴露於空氣中，能夠防止雜質混合到半導體膜103中。
然後，藉由有選擇地蝕刻半導體膜103以形成島形半導體膜103a和103b，可以製造半導體裝置，其具有n型通道薄膜電晶體110a和P型通道薄膜電晶體110b，其每個使用島形半導體膜103a和103b作為通道形成區域(圖9E)。
用這樣的方式，實施電漿處理以氧化或者氮化用作基膜的絕緣膜以便表面具有改善的品質。藉由電漿處理獲得的如此膜是緻密的，和與藉由CVD方法、濺射方法等形成的絕緣膜比較具有較少的缺陷例如針孔。另外，能夠防止包含在基底101中的雜質元素例如像Na的鹼金屬或者鹼土金屬混合到半導體元件中並污染它。因而，可以提高半導體元件例如薄膜電晶體的特性。
描述不同於圖9A至9E中的絕緣膜102的製造方法。
藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等在基底101上方形成絕緣膜135(圖10A)。至於絕緣膜135，使用氮化矽(SiNx
)或者氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)。
在絕緣膜133上藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等形成絕緣膜136(圖10B)。至於絕緣膜136，採用氧化矽(SiOx
)或者氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)。
藉由電漿處理來氧化或者氮化絕緣膜136以在絕緣膜136的表面上形成氧化物膜或者氮化物膜137(在下文，也稱為絕緣膜137)(圖10C)。這裏，實施電漿處理以氧化絕緣膜136，在絕緣膜136的表面上形成氧化物薄膜。藉由氧化絕緣膜136的表面，提高了絕緣膜136的表面的薄膜品質並可以獲得具有較少缺陷例如針孔的緻密膜。另外，藉由氧化絕緣膜136的表面，可以形成其N個原子的含量較少的絕緣膜137，因而，在絕緣膜137上方形成半導體膜的情況下，提高了絕緣膜137和半導體膜之間的介面特性。另外，絕緣膜137包含用於電漿處理的稀有氣體(包含He、Ne、Ar、Kr、和Xe中的至少一種的氣體)。可以在上述條件下採用同樣的方式實施電漿處理。
然後，在絕緣膜137上方形成半導體膜103(圖10D)。藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等使用主要包含矽(Si)的材料(例如，Six
Ge1 － x
等)等來形成半導體膜103。
然後，藉由有選擇地蝕刻半導體膜103以形成島形半導體膜103a和103b，可以製造半導體裝置，其具有n型通道薄膜電晶體110a和P型通道薄膜電晶體110b，其每個使用半導體膜103a和103b作為通道形成區域(圖10E)。
用這樣的方式，實施電漿處理以氧化或者氮化用作基膜的絕緣膜以使表面具有改善的品質。藉由電漿處理獲得的如此薄膜是緻密的，和與藉由CVD方法、濺射方法等形成的絕緣膜比較具有較少的缺陷例如針孔。
該實施例可以自由地與上述的實施例方式結合。換句話說，本發明包含全部的組合例如實施例方式2顯示的結構和實施例方式1顯示的結構的自由組合。
實施例方式3參照附圖描述了與上面描述的實施例方式的不同的本發明的半導體裝置的另一個結構。
該實施例方式參照圖描述了對圖1A至1C所示的絕緣膜106或者絕緣膜107實施電漿處理以氧化或者氮化絕緣膜106或者絕緣膜107的情形。
在具有插入其間的絕緣膜102的基底101的上方提供島形半導體膜103a和103b，在半導體膜103a、103b上方形成閘極電極105，閘極絕緣膜104插入其間，藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等形成絕緣膜106以覆蓋閘極電極105(圖11A)。
然後，實施電漿處理以氧化或者氮化絕緣膜106，因而，在絕緣膜106的表面上形成氧化物膜或者氮化物膜141(在下文，也稱為絕緣膜141)(圖11B)。關於絕緣膜106，可以使用例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氮或者氧的絕緣膜、或者例如DLC(金鋼石類碳)等包含碳的膜的單層結構或者多層結構。換句話說，對例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)或者氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氧或者氮的絕緣膜，或者例如DLC(金鋼石類碳)等包含碳的薄膜，實施電漿處理以氧化或者氮化其表面。因而，絕緣膜141包含用於電漿處理的稀有氣體(包含He、Ne、Ar、Kr、和Xe中的至少一種的氣體)，例如，在使用Ar的情況下，Ar包含在絕緣膜141中。
另外，不局限於上述結構，可以藉由電漿處理將氫引入絕緣膜106中。在這種情況下，如圖11A所示，在形成絕緣膜106以覆蓋閘極電極之後，實施電漿處理以將氫引入到絕緣膜106中。在上述條件下在包含氫和稀有氣體的氛圍中實施電漿處理。在包含NH3
和稀有氣體的氛圍中對絕緣膜106實施電漿處理以將氫引入到絕緣膜106中，並且進一步將絕緣膜106的表面氮化。在包含氫氣和稀有氣體的氛圍中藉由電漿處理以將氫引入到絕緣膜106中之後，可以在包含氮氣的氛圍中實施電漿處理以氮化絕緣膜的表面。在隨後步驟中，在350至450℃下實施熱處理以實施氫化處理以便可以修補半導體膜103a和103b的缺陷例如懸空鍵。另外，在電漿處理中在包含NH3
和稀有氣體的氛圍中在350至450℃下實施熱處理，以便可以同時實施氫化處理和氮化處理。這裏，對於絕緣膜106，使用氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等，藉由電漿處理以將氫引入到絕緣膜106中以實施氫化處理。至於稀有氣體，可以使用Ar。
藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等形成絕緣膜107以覆蓋絕緣膜141(圖11C)。
藉由電漿處理氧化或者氮化絕緣膜107，因而，在絕緣膜107的表面上形成氧化物膜或者氮化物膜142(在下文，絕緣膜142)(圖11D)。關於絕緣膜107，可以使用例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氮或者氧的絕緣膜或者例如DLC(金剛石類碳)等包含碳的薄膜的單層結構或者多層結構，另外，可以使用有機材料例如環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯基苯酚、苯並環丁烯、或者丙烯、或者矽氧烷樹脂。矽氧烷樹脂係意指包含Si－O－Si鍵的樹脂。矽氧烷包含藉由矽(Si)和氧(O)的鍵合形成的骨架。包含至少包含氫的有機基(例如烷基或者芳香族烴)作為取代基。另外，氟基團可以用作取代基。另外，氟基團和至少包括氫的有機基可以使用作取代基。另外，絕緣膜142包含用於電漿處理的稀有氣體(包含He、Ne、Ar、Kr、和Xe中的至少一種的氣體)，例如，在使用Ar的情況下，Ar包含在絕緣膜142中。
關於絕緣膜107，可以使用有機材料例如聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯基苯酚、苯並環丁烯、或者丙烯、或者矽氧烷樹脂。此時，藉由電漿處理以氧化或者氮化絕緣膜107的表面，可以提高絕緣膜的膜品質。藉由表面改良，增加了絕緣膜107的強度並可以減少物理損壞，例如當形成開口部分等時在蝕刻時降低裂紋的出現或者膜的減少。另外，當改變絕緣膜107的表面時，當在絕緣膜107上形成導電膜時提高了與導電膜的黏著性。例如，在藉由電漿處理以氮化由矽氧烷樹脂形成的絕緣膜107的情況下，氮化矽氧烷樹脂的表面以形成包含氮氣或者稀有氣體的絕緣膜，因而，可以提高物理強度。
另外，在絕緣膜形成開口部分中，可以實施電漿處理以氧化或者氮化絕緣膜的開口部分的側表面。關於該情形，參照附圖做出說明。
藉由使用光阻273作為掩罩以在設置於薄膜271上方的絕緣膜272中形成開口部分274(圖27A)。關於薄膜271，可以使用任何薄膜，只要可以在設置在薄膜271上的絕緣膜中形成開口部分即可，舉例而言，可以使用例如Si等半導體膜、例如銅(Cu)、鋁(Al)、或者鈦(Ti)等導電膜、Ni、Co、W的矽化物等等。另外，關於絕緣膜272，可以使用例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氮或者氧的絕緣膜，或者例如DLC(金剛石類碳)等包含碳的膜的單層結構或者多層結構，另外，可以使用有機材料例如環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯基苯酚、苯並環丁烯、或者丙烯、或者矽氧烷樹脂。在設置開口部分274之前，在包含氧氣的氛圍中或者在包含氮氣的氛圍中對絕緣膜272實施電漿處理以氧化或者氮化絕緣膜272的表面。
在包含氧氣的氛圍中或者在包含氮氣的氛圍中實施電漿處理以氧化或者氮化在開口部分274中的絕緣膜272的側表面。因而，形成氧化物膜或者氮化物膜275(在下文，稱為絕緣膜275)。另外，也藉由電漿處理來氧化或者氮化膜271的表面，形成氧化物膜或者氮化物膜276(在下文，稱為絕緣膜276)。這裏，在包含氮氣的氛圍中實施電漿處理以氮化絕緣膜272的側表面(圖27B)。
然後，藉由各向異性蝕刻有選擇地除去由形成在膜271中的氧化物膜或者氮化物膜形成的絕緣膜276(圖27C)。
藉由除去光阻273，而由於氮化開口部分274中的絕緣膜272的側表面而獲得絕緣膜275(圖27D)。
如上所述，藉由電漿處理來氧化或者氮化開口部分中的絕緣膜的側表面，在絕緣膜的側表面上形成氧化物膜或者氮化物膜以提高表面的膜品質。因而，增加了強度以防止裂紋等出現。另外，因為開口部分中的絕緣膜的表面改良，在開口部分中形成導電膜的情況下，提高了絕緣膜和導電膜之間的粘附性。
該實施例可以自由地與上述的實施例方式結合。換句話說，本發明包含全部的組合例如實施例方式3顯示的結構和實施例方式1或者2顯示的結構的自由組合。
實施例方式4參照附圖描述了半導體裝置的製造方法，其中連續地實施絕緣膜、導電膜或者半導體膜的膜形成和電漿處理。
在連續地實施絕緣膜、導電膜或者半導體膜的膜形成和電漿處理的情況下，可以使用具有多個腔的裝置。圖12A顯示了具有多個腔的裝置的實施例。圖12A是本實施例方式中示出的裝置(連續膜形成系統)的一種結構實施例的頂視圖。
圖12A中顯示的裝置具有第一腔311、第二腔312、第三腔313、和第四腔314、負載鎖定腔310和315、和公共腔320，其每個都是氣密性的。每個腔裝備有真空泵和稀有氣體導入系統。
負載鎖定腔310和315是用於將樣本(待處理的基底)傳送到系統的腔。第一至第四腔是用於在基底101上方形成導電膜、絕緣膜、或者半導體膜或者執行蝕刻、電漿處理等的腔。提供公共腔320以共同地用於負載鎖定腔310和315和第一至第四腔。另外，在公共腔320和負載鎖定腔310和315之間，和在公共腔320和第一至第五腔311至314之間提供閘閥322至327。應當注意在公共腔320中提供機械手321，其將基底101傳遞至每個腔。
關於具體的實施例，下面描述的是在第一腔311中在基底101上形成絕緣膜102，在第二腔312中實施電漿處理，和在第三腔313中形成半導體薄膜103的情形。
首先，將包含多個基底10的匣328傳遞到負載鎖定腔310。在匣328在其中傳遞之後，關閉負載鎖定腔310的門。在這個狀態，打開閘閥322從匣328中取出一個待處理的基底，然後藉由機械手321將該基底放置在公共腔320中。此時在公共腔320中執行基底101的對準。
然後，關閉閘閥322並打開關閥324以將基底101傳遞至第一腔311。在150至300℃下，在第一腔311中執行薄膜形成製程以使形成絕緣膜102。關於絕緣膜102，可以使用例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氮或者氧的絕緣膜的單層結構或者多層結構。這裏，在第一腔311中，形成氧氮化矽膜作為第一絕緣膜並藉由電漿CVD方法以形成氮氧化矽膜作為第二絕緣膜。注意，可以採用使用靶的濺射方法，以及電漿CVD方法。
在形成絕緣膜102之後，藉由機械手321，取出基底101而放到公共腔320，並傳遞至第二腔312。在第二腔312中，對絕緣膜102實施電漿處理以使氧化或者氮化絕緣膜102。這裏，在第二腔312中，在包含氧氣的氛圍(例如，包含氧氣和稀有氣體的氛圍，包含氧氣、氫氣和稀有氣體的氛圍，包含一氧化雙氮和稀有氣體的氛圍，或者包含一氧化雙氮、氫氣和稀有氣體的氛圍)中實施電漿處理。因而，氧化絕緣膜102的表面。
在形成絕緣膜102之後，藉由機械手321取出基底101放到公共腔320，並傳遞至第三腔313。在第三腔313中，在150至300℃下執行薄膜形成製程，並藉由電漿CVD方法以形成半導體膜。半導體膜103可以由微晶半導體膜、非晶鍺膜、非晶矽鍺膜、上述膜的疊層膜等形成。另外，將半導體膜的形成溫度設定為350至500℃，並可以省略用於減少氫氣濃度的熱處理。這裏，採用電漿CVD方法，然而，可以採用使用靶的濺射方法。
在用這樣的方式形成半導體薄之後，藉由機械手321以將基底101傳遞至負載鎖定腔315以儲存在匣329中。
應當注意，圖12A僅僅說明一實施例。例如，在形成半導體膜之後，可以在第四腔314中連續地形成導電膜或者絕緣膜。可以增加腔的數量。另外，如實施例方式2所示，可以在形成絕緣膜102之前對基底101實施電漿處理以氧化或者氮化基底101的表面。換句話說，藉由使用上述實施例方式中描述的步驟和材料並自由地結合圖12A顯示的裝置來製造半導體裝置。另外，儘管對在圖12A中單一類型腔用於第一至第四腔311至314的情形做了說明，但可以採用同時使用一批類型的腔來處理多個基底的結構。
藉由使用該實施例方式中顯示的裝置，可以順序地實施導電薄膜、絕緣膜或者半導體的膜形成和電漿處理而不曝露於空氣中。因而，能夠防止混合物污染或者提高生產效率。
然後，在本發明中，參照圖12B描述用於電漿處理的裝置的實施例。
圖12B顯示的裝置包含用於安置藉由電漿待處理的目標331的支撐台351、用於引入氣體的氣體供應部分352、排氣口353、天線354、電介質板355、利用於供給用於產生電漿的高頻的高頻供給部分356。另外，藉由提供溫度控制部分357給支撐台351，也能夠控制目標331的溫度。在下文，描述電漿處理的實施例。作為目標，可以使用任何材料，只要可以實施電漿處理即可。
對處理腔的內部抽真空，經氣體供給部分352引入包含氧氣或氮氣的氣體。例如，關於包含氧氣的氣體，可以引入氧氣(O2
)和稀有氣體的混合氣體或者氧氣、氮氣和稀有氣體的混合氣體。關於包含氮氣的氣體，可以引入氮氣和稀有氣體的混合氣體或者NH3
和稀有氣體的混合氣體。然後，將目標331放置在具有溫度控制部分357的支撐台351中，並在100至550。C下加熱目標331。目標331和電介質板355之間的間隔是在20至80mm的範圍內(較佳地，20至60mm)。
從高頻供給部分356將微波提供給天線357。這裏，供給具有2.45GHz頻率的微波。藉由從天線354經電介質板355以將微波引入到處理腔，製造藉由電漿激發來啟動的高密度電漿358。例如，當在包含NH3
和Ar的氛圍中實施電漿處理時，藉由微波製造其中混合NH3
氣體和Ar氣體的高密度激勵電漿。在其中混合NH3
氣體和Ar氣體的高密度激勵電漿中，引入微波來激勵Ar氣體以製造自由基(Ar＊
)，Ar自由基和NH3
分子彼此碰撞以製造自由基(NH＊
)。(NH＊
)與目標331反應以氮化目標331。之後，經排氣口353將NH3
氣體和Ar氣體排放到處理腔的外面。
用這樣的方式，藉由使用圖12B顯示的裝置來實施電漿處理，獲得低電子溫度(1.5eV或者更低)和高電子密度(1x101 1
cm－ 3
或更大)以形成具有較少電漿損傷的目標。
該實施例方式可以自由地與上述的實施例方式結合。換句話說，本發明包含全部的組合例如實施例方式4顯示的結構和實施例方式1至3顯示的結構的自由組合。
實施例方式5參照附圖描述了本發明的半導體裝置的結構，其與上面描述的實施例方式的不同。具體地，描述具有記憶元件和可以發送和接收資料而不接觸的半導體裝置的實施例。
在本實施例方式中顯示的半導體裝置中，如圖19A所示，在基底1141上設置包含多個薄膜電晶體的元件組1140和用作天線的導電膜1133。用作天線的導電膜1133電連接到包含在元件組1140中的薄膜電晶體。另外，半導體裝置藉由用作天線的導電膜1133與外部設備(讀取器/寫入器)進行接收和發送資料而不接觸。
在下文，參照附圖描述半導體裝置的製造方法的實施例。這裏，如圖19B所示，描述使用一個基底1101以製造多個半導體裝置1145(這裏，是12個＝3×4)。另外，為了形成柔性半導體裝置，一旦在例如玻璃等剛性基底上設置例如薄膜電晶體、和天線等半導體裝置時，接著，將半導體元件、天線等與基底分離，並在柔性基底上設置半導體元件、天線等。
在基底1101上形成絕緣膜1102和分離層1103(圖13A)。
關於基底1101，可以使用與上述基底101相同的材料。這裏，可以使用玻璃基底作為基底1101。另外，如實施例方式2描寫那樣，可以對基底11o1實施電漿處理以氧化或者氮化基底1101的表面。
關於絕緣膜1102，可以使用例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氮或者氧的絕緣膜的單層結構或者多層結構。這裏，使用玻璃基底作為基底1101，形成具有50至150 nm厚的氮氧化矽作為絕緣膜1102。另外，如上述實施例方式所示，可以對絕緣膜1102實施電漿處理以氧化或者氮化絕緣膜1102。
關於分離層1103，可以使用金屬膜、金屬膜和金屬氧化物膜的層疊結構、等等。關於金屬膜，可以使用選自鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鉛(Pb)、鋨(Os)、或者銥(Ir)的元素或者合金材料或者主要包含上述一些元素的化合物材料的單層結構或者多層結構。另外，可以藉由已知的方法(濺射方法或者各種CVD方法例如電漿CVD方法)形成上述材料。關於金屬膜和金屬氧化物膜的層疊結構，在形成金屬膜之後，在包含氧氣的氛圍中實施電漿處理和在包含氧氣的氛圍中實施熱處理以便在金屬膜的表面上提供金屬氧化物的膜。例如，在藉由濺射方法形成鎢膜作為金屬膜的情況下，對鎢膜實施電漿處理並可以在鎢膜的表面上形成由氧化鎢形成的金屬氧化物膜。另外，用WOX
表示氧化鎢，其中“x”是2至3，存在“x”是2的情形(WO2
)、“x”是2.5的情形(W2
O5
)、“x”是2.75的情形(W4
O1 1
)、和“x”是3的情形(WO3
)等。在形成氧化鎢中，不特別地限制“x”的值，可以根據蝕刻速率等確定待形成的其氧化物。除上述金屬氧化物之外，還可以使用金屬氮化物或者金屬氮氧化合物。在這種情況下，可以在包含氮氣的氛圍中或者在包含氮氣和氧氣的氛圍中對上述金屬膜實施電漿處理或者熱處理。另外，關於另一個方法，在形成上述金屬膜之後，在包含氧氣的氛圍中藉由濺射方法以在金屬膜上形成絕緣膜，從而在金屬膜的表面上提供金屬氧化物膜和絕緣膜的層疊結構。而且，在形成金屬膜以後，也可能在包含氧氣的氛圍中使用金屬靶以對金屬膜的表面上的金屬氧化物膜實施濺射。在這種情況下，可以用不同的材料形成金屬膜和金屬氧化物膜。注意，藉由濺射方法在包含氮氣的氛圍或者包含氮氣和氧氣的氛圍中執行這些方法，從而在金屬膜上形成金屬氮化物膜或者金屬氮氧化合物膜。
在分離層1103上方形成用作基膜的絕緣膜1104，在絕緣膜1104上方形成非晶半導體膜，藉由雷射結晶方法、例如RTA或者爐內退火方法等熱結晶方法、使用金屬元素促進結晶的熱結晶方法、組合上述方法的方法等對非晶半導體膜實施結晶，因而，形成晶體半導體膜1105(圖13B)。
如實施例方式2所示，藉由使用絕緣膜102的任意結構形成絕緣膜1104。這裏，在形成用於基膜1104的氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)之後，在包含氮氣的氛圍中對氧氮化矽實施電漿處理，並氮化氧氮化矽膜的表面。之後，在氧氮化矽上方形成氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)以獲得層疊結構。通常，藉由CVD方法或者濺射方法形成氧氮化矽膜，上述氧氮化矽膜具有內部缺陷和低下的膜品質。因而，藉由在包含氮氣的氛圍中藉由電漿處理來氮化該膜，提高了氧氮化矽膜的表面的膜品質，可以形成緻密膜。因此，當在絕緣膜1104上方設置半導體元件時，能夠防止雜質元素從基底1101或者分離層1103混合到其中。
用給予p型導電性的雜質元素摻雜晶體半導體膜1105。這裏，添加硼(B)作為雜質元素(圖13C)。
有選擇地蝕刻晶體半導體膜1105以形成第一至第四半導體膜1106至1109(圖13D)。這裏，第一半導體膜1106和第二半導體膜1107用於記憶體部分，第三半導體膜1108和第四半導體膜1109用於邏輯電路。
然後，在形成覆蓋第四半導體膜1109的光阻掩罩1110之後，用給予p型導電性的雜質元素摻雜第一至第三半導體膜1106至1108(圖14A)。在該實施例方式中，加入硼(B)作為雜質元素。
除去光阻掩罩1110並對第一至第四半導體膜1106至1109實施電漿處理以便對其氧化或者氮化，使得在半導體膜的表面上形成氧化物膜或者氮化物膜1121(在下文，也稱為絕緣膜1121)(圖14B)。這裏，在包含氧氣的氛圍中實施電漿處理以氧化第一至第四半導體膜1106至1109，使得形成氧化矽(SiOx
)或者氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)作為絕緣膜1121。通常，藉由CVD方法或者濺射方法形成的氧化矽膜或者氮氧化矽膜具有內部缺陷和低下的薄膜品質。因而，在包含氧氣的氛圍中藉由電漿處理來氧化半導體膜，可以在半導體膜上形成比由CVD方法、濺射方法等形成的絕緣膜更緻密的絕緣膜。另外，當在具有藉由CVD方法、濺射方法等形成的絕緣膜的半導體膜之上形成導電膜時，出現在半導體膜的末端部分處由於絕緣膜的破損等引起的覆蓋缺陷，在半導體薄膜和導電薄膜之間存在有發生短路等的危險；然而，藉由預先藉由電漿處理來氧化或者氮化半導體膜的表面，可以防止在半導體膜的末端部分處的絕緣膜的覆蓋缺陷。注意，絕緣膜1121用作儲存部分的記憶元件中的隧道絕緣膜。
形成氮化矽(SiNx
)或者氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)1122(在下文，也稱為絕緣膜1122)以覆蓋絕緣膜1121和絕緣膜1104。這裏，藉由電漿CVD方法形成4至20nm厚的氮化矽膜作為絕緣膜1122(圖14C)。絕緣膜1122用作在記憶體部分的記憶元件中俘獲電荷的膜。
在包含氧氣的氛圍中對絕緣膜1122實施電漿處理，並氧化絕緣膜1122的表面以形成絕緣膜1123(圖14D)。在上述條件下進行電漿處理。這裏，藉由電漿處理，可以在絕緣膜1122的表面上形成2至10nm厚的氧化矽膜或者氮氧化矽膜作為絕緣膜1123。
僅在記憶體部分中有選擇地形成光阻掩罩1124之後，有選擇地氧化邏輯部分(圖15A)。具體地，在包含氧氣的氛圍中對待氧化的邏輯部分的氮化矽膜1122和包含氧的氮化矽膜1123實施電漿處理。這裏，藉由電漿處理，藉由在邏輯部分中氧化由氧氮化矽形成的絕緣膜1122和由氮氧化矽或者氧氮化矽形成的絕緣膜1123來形成氧化物膜1125。
除去光阻掩罩1124，在第一至第四半導體膜1106至1109之上形成用作閘極電極的導電膜1126至1129(圖15B)。應當注意導電膜1126至1129的每個都具有第一導電膜1126a至1129a和第二導電膜1126b至1129b的層疊結構。這裏，使用氮化鉭作為第一導電膜1126a至1129a，使用鎢作為第二導電膜1126b至1129b，並且層疊第一導電膜1126a至1129a和第二導電膜1126b至1129b。注意，不局限於該結構，可以使用單層。另外，材料沒有特別地限制，可以使用選自鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(A1)、銅(Cu)、鉻(Cr)、或者鈮(Mb)的元素或者合金材料或者主要包含一些上述元素的化合物材料。另外，可以使用由用雜質元素例如磷摻雜的多晶矽為代表的半導體材料。
然後，使用導電膜1126至1128作為掩罩，用給予n型導電性的雜質元素摻雜第一半導體膜1106至第三半導體膜1108的每一個，並使用導電膜112作為掩罩，用給予p型導電性的雜質元素摻雜第四半導體膜1109以形成源極或者汲極區。形成絕緣膜1130以覆蓋導電膜1126至1129，在絕緣膜1130上方形成導電膜1131以便電連接至第一半導體膜1106至1109的源極或者汲極區。提供使用第一半導體膜1106和第二半導體膜1107作為通道形成區的記憶元件1151a和1151b、使用第三半導體膜1108作為通道形成區的n型通道薄膜電晶體1151c、和使用第四半導體膜1109作為通道形成區的P型通道薄膜電晶體1151d(圖15C)。
然後，形成絕緣膜1132以覆蓋導電膜1131，在絕緣膜1132上形成用作天線的導電膜1133，和形成絕緣膜1134以覆蓋導電膜1133(圖15D)。注意，這裏為了方便起見將包含記憶元件1151a和1151b和薄膜電晶體1151c和1151d、導電膜1133等的層稱作元件組1155。
另外，關於絕緣膜1130、1132、和1134，可以使用例如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)(x>y)等包含氮或者氧的絕緣膜的單層結構或多層結構、或是例如DLC(金鋼石類碳)等包含碳的膜，或者進一步，例如環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯基苯酚、苯並環丁烯、或者丙烯等有機材料的單層結構或者多層結構。特別地，可以藉由旋塗方法、液滴釋放方法、印刷方法等形成例如環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯基苯酚、苯並環丁烯、或者丙烯、矽氧烷基材料等有機材料。因而，可以提高平坦度或者處理時間的效率。可以將相同的材料或者不同的材料用於絕緣膜1130、1132和1133。另外，如實施例方式3所示，能夠藉由電漿處理來氧化或者氮化絕緣膜1130、1132和1133。
關於導電膜1133，導電材料包含例如銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鎳(Ni)、碳(C)，等一種或者多種金屬或者包含上述元素的金屬化合物。
除記憶元件1151a和1151b和薄膜電晶體1151c和1151d之外的區域接受雷射等照射，如此形成開口部分1150和曝露分離層1103。然後，藉由物理裝置以將元件組1155與基底1101分離。另外，如圖16A所示，在藉由物理裝置進行分離之前，可以經開口部分1150引入蝕刻劑以除去分離層1103。在除去分離層1103的情況下，可以除去整個分離層1103，或者可以有選擇地除去分離層以留下一部分，沒有整個除去。藉由留下一部分分離層1103，甚至在用蝕刻劑除去分離層1103之後，可以將記憶元件1151a和1151b和薄膜電晶體1151c和1151d保持在基底1101上方，在隨後的步驟中處理變得簡單和容易。關於蝕刻劑，可以使用鹵素氟化物例如三氟化氯或者包含鹵素的氣體或者液體。另外，可以使用CF4
、SF6
、NF3
、F2
等。
當元件組與基底1101分離時，例如，如圖16B所示，具有粘附性的第一板材料1152粘附於絕緣膜1134，可以藉由物理裝置將元件組1155與基底1101分離。
關於第一板材料1152，可以使用柔性膜，其至少一個表面具有粘附性。例如，可以使用在用作基底的基膜例如聚酯等上提供有粘附劑的板材料。關於粘附劑，可以使用由包含丙烯酸樹脂或者合成橡膠材料的樹脂材料形成的材料。
用柔性膜密封分離的元件組1155。這裏，用第二板材料1153和第三板材料1154來密封元件組1155(圖16C)。
柔性膜可以用於第二板材料1153和第三板材料1154，例如，可以使用由聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯、氯乙烯等形成的膜、由纖維材料形成的紙板、和基膜(聚酯、聚醯胺、無機沈積薄膜、紙等)和粘附合成樹脂膜(丙烯酸樹脂基合成樹脂、環氧樹脂基合成樹脂等)的層疊膜等。另外，藉由熱壓縮鍵合附貼膜，當實施熱處理和加壓處理時，藉由熱處理熔化設置在該薄膜的頂表面上的粘結層或者設置在最外層(非粘結層)中的層，並藉由加壓處理結合它。另外，當用第一板材料1152和第二板材料1153密封元件形成層時，相同的材料可以用於第一板材料以實施密封。
經上述步驟，可以獲得具有記憶元件並可以發送與接收資料而不接觸的半導體裝置。另外，該實施例方式中所示的半導體裝置是柔性的。
有選擇地氧化邏輯部分的方法可以與其中如圖15A所示在提供在記憶體部分中的包含氧的絕緣膜1123上方形成光阻掩罩1124的方法不同。例如，如圖17A所示，存在其中在形成在記憶體部分中的絕緣膜1123上方形成導電膜1160的方法。藉由僅在記憶體部分中有選擇地形成導電膜1160，有選擇地氧化邏輯部分以形成氧化物膜1125(圖17B)。在使用這些方法的情況下，可以層疊第一導電膜和第二導電膜而不用除去導電膜，並可以有選擇地對它們蝕刻。因此，形成在記憶體部分中的導電膜具有三層結構(圖17C)。關於導電膜1160，導電材料包含一種或者多種金屬例如銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鎳(Ni)、碳(C)，或者包含上述元素的金屬化合物。
該實施例可以自由地與上述的實施例方式結合。上述實施例方式中描述的材料或者方法可用於該實施例方式，在這些實施例方式中描述的材料或者方法可用於上述實施例方式。
實施例方式6參照附圖描述半導體裝置的另一個製造方法，其與實施例方式5所示的具有記憶元件的半導體裝置的製造方法不同。
如實施例方式5所述的那樣獲得圖14B的狀態。
在氧化物膜1211利基膜1101上形成包含分散的導電粒子或者半導體粒子(下文中，稱作分散粒子1181)(圖18A)。關於包含分散粒子1181的層的製造方法，可以使用例如濺射、電漿CVD、低壓力CVD(LPCVD)、汽相沈積、或者液滴釋放方法等已知的方法。每個分散粒子的尺寸是0.1至10nm，較佳地2至5nm。關於導電粒子的材料，可以使用金、銀、銅、鈀、鉑、鈷、鎢、鎳等。關於半導體粒子的材料，可以使用矽(Si)、鍺(Ge)、或者矽鍺合金等。這裏，使用矽微晶體作為分散粒子。藉由在包含氧氣的氛圍或者包含氮氣的氛圍中實施電漿處理，可以氧化或者氮化包含分散粒子1181的層的表面。另外，除分散粒子之外還可以提供導電膜。
在包含分散粒子的層1181上形成絕緣膜1182(圖18B)。至於絕緣膜1182，可以使用氧化矽(SiOx
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)(x>y)等。
如圖18C所示，僅在記憶元件部分中有選擇地形成光阻掩罩1183之後，有選擇地只氧化邏輯部分。具體地，在包含氧氣的氛圍中對邏輯部分的包含分散粒子1181的層和由包含氮的氧化矽膜形成的絕緣薄膜1182實施高密度電漿處理。藉由電漿處理，氧化邏輯部分的包含分散粒子1181的層和由包含氮的氧化矽膜形成的絕緣膜1182以形成氧化物膜1184(圖18D)。
在後續的步驟中，根據上述方法，可以獲得具有記憶元件和可以發送與接收資料而不接觸的半導體裝置。注意在圖18A至18D所示的步驟中，能夠形成結晶半導體膜以代替包含分散粒子1181的層，對待氧化或者氮化的結晶半導體膜實施電漿處理，以便提供氮氧化矽膜1182。可以直接形成結晶半導體膜，或者藉由在形成非晶半導體膜之後使該非晶半導體膜結晶。
實施例方式7參照附圖描述半導體裝置的另一個製造方法，其與實施例方式5或者6所示的半導體裝置的製造方法不同。
如實施例方式5所示，獲得圖14A的狀態，除去覆蓋第四半導體膜1109的光阻掩罩1110(圖29A)。
然後，在包含氧氣的氛圍中對第一至第四半導體膜1106至1109實施高密度的電漿處理以在第一半導體膜1106至第四半導體膜1109的表面(頂表面和側表面)上形成氧化物膜1161(圖29B)。形成氧化物膜1161以具有2至10nm厚的厚度。
然後，在包含氮氣的氛圍中對氧化物膜1161實施高密度的電漿處理以氮化氧化物膜1161的表面(頂表面和側表面)，因而，形成包含氮的氧化物膜1162(圖29C)。藉由氮化處理使形成在氧化物膜1161的表面上的包含氮的氧化物膜1162的厚度變成1至5nm。注意電漿處理的條件可以是上述實施例方式的條件。另外，氧化物膜1161和包含氮的氧化物膜1162用作記憶體部分的記憶元件中的隧道絕緣膜。
代替氧化物膜1161和包含氮的氧化物膜1162，可以在包含氧氣和氮氣的氛圍中對第一半導體膜1106至第四半導體膜1109實施高密度的電漿處理以在第一半導體膜1106至第四半導體膜1109的表面(頂表面和側表面)上形成包含氮的氧化物膜。
然後，在包含氮的氧化物膜1162上方形成絕緣膜1122(圖29D)。至於絕緣膜1122，藉由電漿CVD方法較佳地形成氮化矽膜以使其具有4至20nm的厚度。另外，記憶體部分中的絕緣膜122用作俘獲(捕獲)電荷的絕緣膜。
然後，在絕緣膜1122上方形成絕緣膜1123(圖29E)。至於絕緣膜1123，這裏藉由電漿CVD方法較佳地形成具有4至20nm的厚度的氮氧化矽膜。
在後續的步驟中，可以根據實施例方式5所示的圖15A之後的步驟完成記憶體部分和邏輯部分。
該實施例可以自由地與上述的實施例方式結合。上述實施例方式中描述的材料或者方法可用於該實施例方式，在這些實施例方式中描述的材料或者方法可用於上述實施例方式。
實施例方式8參考附圖描述不需接觸就可以發送與接收資料的半導體裝置的應用實施例。不需接觸就可以發送與接收資料的半導體裝置通常指RFID(射頻標識)標簽、ID標簽、IC標簽、IC晶片、RF(射頻)標簽、無線標簽、電子標簽、或者無線晶片。
RFID 80具有不需接觸就發送和接收資料的功能，包含電源電路81、時脈產生電路82、資料解調電路83、資料調變電路84、用於控制其他電路的控制電路85、儲存電路86、和天線87(圖20A)。另外，RFID可以包含多個儲存電路，而不是一個儲存電路。可以使用SRAM、快閃記憶體、ROM、FeRAM、在記憶元件部分中使用上述實施例方式中顯示的有機化合物層的電路等。
藉由電磁感應將作為無線電波從讀取器/寫入器88發送的信號調變為天線87中的交流電流電信號。藉由使用交流電流電信號在電源電路81中產生電源電壓，並使用電源線將電源電壓提供給每個電路。時脈產生電路82根據從天線87輸入的交流電流電信號產生各種時脈信號，並將各種時脈信號供給控制信號85。調變電路83解調變交流電流電信號並將解調的交流電流電信號供給控制電路85。在控制電路85中，根據輸入信號執行各種算術運算處理。用在控制電路85中的程式、資料等儲存於儲存電路86中。另外，儲存電路86還可以用作算術運算處理中的工作區域。然後，將資料從控制電路85發送到調變電路84，並根據資料將負載調變從調變電路84加到天線87。因此，讀取器/寫入器88經無線電波接收施加到天線87的負載調變以便讀取器/寫入器可以讀出資料。
此外，RFID可以是經無線電波將電源電壓提供給每個電路而不需要具有電源(電池)的類型，或者是藉由利用無線電波和電源(電池)將電源電壓提供給每個電路的另一個類型。
可以藉由使用上述實施例方式中描述的上述結構製造柔性RFID，因而，上述RFID可以附於具有曲面表面的物品。
接著，描述柔性RFID的使用方式的實施例。在包含顯示部分3210的攜帶型終端的側表面上提供讀取器/寫入器3200。在產品3220的側表面上提供RFID3230(圖20B)。當在包含在產品3220中的RFID 3230上保持讀取器/寫入器3200時，例如原料、原產地、每個生產過程中的測驗結果、配送處理的歷史、和商品的說明等關於該產品的資訊都顯示在顯示部分3210上。另外，當藉由帶式輸送機傳送商品3260時，可以藉由利用提供在商品3260上的讀取器/寫入器3240和RFID 3250進行對商品3260的檢查(圖20C)。這樣，藉由利用用於系統的RFID，可以容易地獲得資料，從而獲得高性能和高附加值。如上述實施例方式所述，即使當RFID附著於具有曲面的物品時，可以避免對包含在RFID中的薄膜電晶體等的損傷。可以提供高可靠性的RFID。
由於RFID不需接觸就可以弄清楚物件的歷史等，因此具有柔性的RFID除上述之外還可以廣泛地使用於不同的領域。RFID可以應用於任何產品，只要它們在製造和管理中有用即可。例如，可以將RFID提供給票據、貨幣、證券、債券、無記名債券、包裝、容器、文獻、記錄媒體、個人物品、交通工具、食物、衣服、健康商品、生活物品、化學製品、電子裝置等。參照圖21A至21H描述其實施例。
票據和貨幣意指在市場上流通的金錢，並包含在某領域正當流通的東西例如貨幣(收款收據)、紀念幣等。證券表示支票、單據、期票等(見圖21A)。證件指代駕照、居住證等(見圖21B)。無記名債券指代郵票、各種商品券等(見圖21C)。包裝箱意指用於飯盒等的包裝紙、塑膠瓶等(見圖21D)。文獻意指書等(見圖2IE)。記錄媒體意指DVD軟體、錄影帶等等(見圖21F)。交通工具意指像自行車、船等的交通工具(見圖21G)。個人物品意指袋、眼鏡等等(見圖21H)。食物意指食品、飲料等等。衣物意指衣服、鞋襪等等。健康商品意指醫療器材、健康用品等。生活品意指家具、照明設備等等。化學製品意指醫藥產品、農用化學品等等。電子設備意指液晶顯示器、EL顯示裝置、電視機(TV機或者平板電視)、移動電話等等。
藉由將RFID提供給像票據、貨幣、證券、證書、無記名債券的東西，就可以防止偽造品。另外，藉由將RFID提供給包裝箱、文獻、記錄媒體、個人物品、食物、生活品、電子裝置等等可以提高檢驗系統或者在租借商店中使用的系統的效率。藉由將RFID提供給交通工具、健康商品、化學製品等等，就可以防止偽造品和盜竊。
就醫藥來說，能夠防止拿錯藥。藉由將RFID粘貼在上述物品表面或者嵌入在其中來將RFID提供給上述物品。例如，就書來說，可以將RFID嵌入到頁面中或者當外殼由有機樹脂製成時嵌入在有機樹脂中。藉由使用柔性RFID，甚至當為紙準備RFID時，可以藉由使用具有上述實施例方式所示的結構的半導體裝置組成RFID來防止包含在RFID中的元件的破損等等。
藉由將RFID提供給包裝箱、記錄媒體、個人物品、食物、衣服、生活品、電子裝置等等，用這樣的方式，可以有效地提高檢驗系統、租借商店的系統。另外，藉由將RFID提供給交通工具，就可以防止偽造品和盜竊。藉由將RFID嵌入生物中例如動物，就能夠容易地辨別個體生物。例如，藉由將RFID嵌入生物例如家畜，就可以容易地識別出生數據、性別、品種等等並可以容易地管理健康狀況例如體溫等等。
該實施例可以自由地與上述實施例方式結合。
實施例方式9參照附圖描述了本發明的半導體裝置的結構，其與上面描述的實施例方式的不同。具體地，描述具有像部分的半導體裝置的實施例。
圖22A和22B顯示在像素部分設置發光元件的情形。圖22A是顯示半導體裝置的實施例的頂視圖，而圖22B是沿圖22A的e－f和g－h展開的截面圖。
如圖22A所示，本實施例方式所示的半導體裝置包括在基底501上方的掃描線驅動電路502、信號線驅動電路503、像素部分504等。另外，設置相對基底506以便在與基底501之間至少插入像素部分504。使用具有上述實施例方式中描述的結構的薄膜電晶體，在基底501上方形成描線驅動電路502、信號線驅動電路503、和像素部分504。藉由密封材料505將基底501和相對基底506彼此結合。另外，掃描線驅動電路502、和信號線驅動電路503從作為外部輸入端子的FPC507接收視頻信號、時脈信號、啟動信號、重定信號等等。這裏，僅顯示FPC(軟性印刷電路)，然而，可以將印刷線路板(PWB)附著於FPC。
另外，圖22B是沿圖22A的e－f和g－h展開的截面圖。在基底501上方提供信號線驅動電路503和包含在像素部分504中的薄膜電晶體。信號線驅動電路503由結合具有上述實施例方式中所示的任何結構的n型通道薄膜電晶體510a和P型通道薄膜電晶體510b的CMOS電路形成。另外，掃描線驅動電路502和信號線驅動電路503的驅動電路由已知的CMOS電路、PMOS電路或者NMOS電路形成。儘管本實施例顯示了其中在同一基底上方形成像素部分和驅動電路例如掃描線驅動電路502和信號線驅動電路503的實施例，但本發明不局限於此，驅動電路還可以形成在週邊，不在和像素部分相同的基底上。
另外，像素部分504包含多個像素，其每個由發光元件516、和用於驅動發光元件516的薄膜電晶體511組成。具有上述實施例方式所示的任意結構的薄膜電晶體可以應用於薄膜電晶體511。另外，這裏，提供連接到連接薄膜電晶體511的源極或汲極區的導電薄膜512的第一電極513，形成絕緣膜509以覆蓋第一電極513的末端部分。絕緣膜509用作多個像素中的隔離物。
至於絕緣膜509，使用正型光敏丙烯酸樹脂膜。為了改善覆蓋，形成絕緣膜509以便在它的頂端或者底端具有曲率。例如，在使用正型光敏丙烯酸樹脂作為絕緣膜509的情況，僅絕緣膜509的上端部分較佳地具有曲率半徑為0.2至0.3 μ m的曲面。絕緣膜509可以由藉由光的照射不溶解於蝕刻劑的負型或者藉由光的照射溶解於蝕刻劑的正型形成。不僅可以使用有機化合物而且可以使用無機化合物例如氧化矽、氮氧化矽、矽氧烷材料等。另外，至於絕緣膜509，可以使用有機材料例如環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯基苯酚、苯並環丁烯或者丙烯的單層結構或者多層結構。如上述實施例方式所述，對絕緣膜509實施電漿處理以氧化或者氮化絕緣膜509，並提高了絕緣膜509的表面的膜品質。因而，可以獲得緻密膜。藉由對絕緣膜509的表面改良，提高了絕緣膜509的強度並可以減少物理損壞，例如裂紋的出現或者當形成開口部分時在蝕刻中膜的減少。另外，由於提高了絕緣膜509的表面的膜品質，因此改善了介面特性，例如與提供在絕緣膜509上方的發光層514的粘附。
在圖22A和22B顯示的半導體裝置中，在第一電極513上方形成發光層514和在發光層514上方形成第二電極515。該發光元件516具有第一電極513、發光層514和第二電極515的層疊結構。
另外，藉由已知的方法例如使用蒸鍍掩罩的蒸鍍法、噴墨方法、或者旋塗方法，用有機化合物例如低分子材料、中分子材料(包含低聚物和dendrimer)、或者高分子材料的單層或者層疊結構形成發光層514。另外，無機化合物以及有機化合物可以用於發光層514。通常，關於用於發光層的發光材料，給出了有機化合物和無機化合物。使用有機化合物的發光元件稱為有機EL元件，而使用無機化合物的發光元件稱為無機EL元件。EL元件也可以應用於本實施例方式。
根據無機EL元件的元件結構可以將它們分為分散式無機EL元件和薄膜無機EL元件。它們的不同在於前者具有之發光層中會有發光材料的粒子分散在粘合劑中，後者具有之發光層係由螢光材料的薄膜形成，然而，它們在機制方面是相同的，藉由高電場加速的電子和基材和發射中心之一的碰撞激發獲得發光。在提供上述無機EL裝置的情況中，在本實施例方式中採用分散式無機EL元件或者薄膜無機EL元件。
當藉由DC驅動第一電極513和第二電極515時，第一電極513和第二電極515之一用作陽極，另外一個用作陰極。在用作陽極的情況下，較佳地使用具有高功函數的材料。例如，不僅可以使用例如ITO膜、含矽的氧化銦錫膜、藉由濺射方法以2至20wt%的氧化鋅(ZnO)與氧化銦相混合之靶材所形成的透明導電膜、氧化鋅(ZnO)、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜、或者Pt薄膜等單層膜，也可以使用氮化鈦膜和包含鋁作為主要成分的膜的疊層、氮化鈦膜、包含鋁作為主要成分的薄膜、和氮化鈦薄膜的三層結構、等等。注意當使用層疊結構時，導線電阻值變低，可以獲得良好的歐姆接觸，另外層疊結構可以用作陽極。在用作陰極的情況下，較佳地使用具有低功函數的材料(Al、Ag、Li、Ca、或者其合金例如MgAg、MgIn、AlLi、CaF2
、或者Ca3
N2
)。注意在使用作陰極的電極具有透射光特性的情形下，較佳地使用其厚度較薄的金屬薄膜和透明導電膜的疊層作為電極。至於透明導電膜，例如，可以使用ITO、含矽的氧化銦錫、藉由濺射方法以2至20wt%的氧化鋅(ZnO)與氧化銦相混合的靶材所形成的透明導電膜、或者氧化鋅(ZnO)。這裏，使用具有透射光特性的ITO作為第一電極513，並使用其中光從基底501的側面射出的結構。注意可以藉由使用用於第二電極515的透光材料來使用其中光從相對基底506側面射出的結構。或者，也可以藉由形成具有透光材料的第一電極513和第二電極515來使用其中光從基底501和相對基底506的兩邊(雙發射)射出的結構。另外，當藉由AC驅動第一電極513和第二電極515時，如上所述的任何材料都可以用於第一電極513和第二電極515，第一電極513和第二電極515的一個或者兩個可以由透光材料形成。
另外，使用一種結構，其中在藉由用密封材料505粘合相對基底506和基底501以將本發明的發光元件516設置在由基底501、相對基底506、和密封材料505圍繞的空間508中。注意，除用惰性氣體(例如氮氣或者氬氣)填充空間508的情形之外，還可以使用用密封材料505填充空間508的結構。
注意，較佳地使用環氧樹脂作為密封材料505。上述材料較佳地是盡可能地不透濕氣或者氧氣的材料。關於用於相對基底506的材料，可以使用由FRP(玻璃纖維增強塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯膜、聚酯、丙烯酸樹脂等製造的塑膠基底以及玻璃基底或者石英基底。
如上所述，可以提供具有藉由具有高密度的電漿處理(高電漿處理)形成的半導體膜或者氮化物膜的發光裝置。
具有像素部分的半導體裝置不局限於發光元件用於像素部分的上述結構，還包括包含使用液晶的像素部分的半導體裝置。圖23顯示了在顯示部分中使用液晶的半導體裝置。
圖23顯示在像素部分具有液晶的半導體裝置的實施例。在形成以覆蓋導電薄膜512和第一電極513的定向膜521與形成在相對基底506下面的定向膜523之間提供液晶522。另外，為相對基底506提供第二電極524，控制設在第一電極813與第二電極524之間的施加到液晶522的電壓，以便控制光傳輸並顯示影像。另外，在液晶522中設置球狀間隔物525以控制在第一電極513和第二電極524之間的間隔(單元間隔)。可以將在如上所述的實施例方式中所示的任何結構應用於薄膜電晶體510a、510b和511。因而，可以如上所述提供具有藉由具有高密度的電漿處理(高電漿處理)形成的半導體膜或者氮化物膜的液晶顯示器。
以此方式，顯示在本實施例方式中的半導體裝置可以具有包含發光元件的像素部分或者包含液晶的像素部分。
然後，參照附圖描述具有上述像素部分的半導體裝置的應用方式。
如下可以給定具有上述像素部分的半導體裝置的使用方式的實施例：攝影機、數位照相機、護目型顯示器(頭戴式顯示器)、導航系統、音頻再現設備(汽車音響、音頻元件等)、電腦、遊戲機、攜帶式資訊終端(移動式電腦、蜂窩電話、攜帶型遊戲機、電子書等)、包含記錄媒體的影像再現設備(具體地，能夠在記錄媒體例如數位化視頻光碟(DVD)中處理資料和具有可以顯示資料影像的顯示器的設備)等。圖24A至24H顯示了其應用的實施例。
圖24A顯示電視機(電視接收機)，其包含機殼2001、支架2002、顯示器部分2003、揚聲器部分2004、視頻輸入終端2005等。可以藉由將如上所述的實施例方式中顯示的結構或製造方法應用到例如設在顯示器部分2003中的薄膜電晶體、驅動電路等半導體元件，以製造電視機。
圖24B顯示數位相機，其包含主體2101、顯示器部分2102、影像接收部分2103、操作鍵2104、外部連接埠2105、快門2106等。可以藉由將在如上所述的實施例方式中顯示的結構或者製造方法應用到例如設在顯示器部分2102中的薄膜電晶體、驅動電路等半導體元件，以製造數位相機。
圖24C顯示電腦，其包含主體2201、機殼2202、顯示器部分2203、鍵盤2204、外部連接埠2205、指向滑鼠、等等。可以藉由將在如上所述的實施例方式中顯示的結構或者製造方法應用到例如提供在顯示器部分2203中的薄膜電晶體、驅動電路等半導體元件，以製造電腦。
圖24D顯示行動電腦，其包含主體2301、顯示器部分2302、開關2303、操作鍵2304、紅外線埠2305等。可以藉由將在如上所述的實施例方式中顯示的結構或者製造方法應用到例如設在顯示器部分2302中的薄膜電晶體、驅動電路等半導體元件，以製造行動電腦。
圖24E顯示具有記錄媒體的攜帶式影像再現設備(例如DVD播放機)，其包含主體2401、機殼2402、顯示器部分A2403、顯示器部分B2404、記錄媒體(DVD等)讀取部分2405、操作鍵2406、揚聲器部分2407、等等。顯示器部分A2403主要顯示影像資訊。顯示器部分B2404主要顯示字元資訊。可以藉由將在如上所述的實施例方式中顯示的結構或者製造方法應用到例如設在顯示器部分A2403和/或顯示器部分B2404中的薄膜電晶體、驅動電路等半導體元件，以製造影像再現設備。遊戲機等包含在具有記錄媒體的影像再現設備的範疇中。
圖24F顯示護目型顯示器(頭戴式顯示器)，其包含主體2501、顯示器部分2502、臂部分2503等。可以藉由將在如上所述的實施例方式中顯示的結構或者製造方法應用到例如提供在顯示器部分2502中的薄膜電晶體、驅動電路等半導體元件，以製造護目型顯示器。
圖24G顯示攝影機，其包含主體2601、顯示器部分2602、機殼2603、外部連接埠2604、遠端控制接收部分2605、影像接收部分2606、電池2607、音頻輸入部分2608、操作鍵2609、目鏡部分2610等。可以藉由將在如上所述的實施例方式中顯示的結構或者製造方法應用到例如提供在顯示器部分2602中的薄膜電晶體、驅動電路等半導體元件，以製造攝影機。
圖24H顯示蜂窩式電話，其包含主體2701、機殼2702、顯示器部分2703、音頻輸入部分2704、音頻輸出部分2705、操作鍵2706、外部連接埠2707、天線2708等。可以藉由將在如上所述的實施例方式中顯示的結構或者製造方法應用到例如設在顯示器部分2703中的薄膜電晶體、驅動電路等半導體元件，以製造蜂窩式電話。
如上所述，本發明的適用範圍很寬以致本發明可以應用於不同的領域中的電子裝置。注意該實施例方式可以同上述實施例方式自由地結合。
實施例1顯示在藉由如上所述實施例方式中顯示的高密度電漿處理對目標實施氧化處理的情形中之氧化特性。具體地，顯示導因於用於高密度電漿處理中的氣體類型之目標的氧化速度特性。
首先，藉由CVD方法，在基底上形成氮氧化矽(SiOx
Ny
(x>y))作為基膜，藉由CVD方法在基膜上方形成非晶矽薄膜。然後，實施熱處理以除去包含在非晶矽薄膜中的氫氣，之後，藉由雷射照射以晶化非晶矽膜而形成結晶半導體膜。藉由高密度電漿處理，氧化結晶的半導體膜。使用玻璃基底作為基底，並形成氮氧化矽至具有大約100nm的厚度，以及形成非晶半導體膜使至具有大約66nm的厚度。
在下列條件下實施高密度電漿處理：133.33Pa的壓力、包含Ar和氧氣的氛圍(Ar：500sccm，O2
：5sccm)(條件1)或者包含氬氣、氫氣和氧氣的氛圍(Ar：500sccm，O2
：5sccm,H2
：5sccm)(條件2)。在條件1或者條件2下觀察結晶半導體膜的氧化速度的特性。
圖28顯示了在條件1和條件2下的結晶半導體薄膜的氧化速度。在圖28中，垂直軸代表平均膜厚(nm)，水平軸代表處理時間(秒)。處理時間指的是對結晶半導體膜實施電漿處理的時間，平均膜厚指的是藉由電漿處理來氧化結晶半導體膜形成的氧化物膜的膜厚。
可以發現，在條件1和條件2下，隨著電漿處理時間的增加，進一步氧化結晶半導體膜，結晶半導體膜中的氧化物膜的膜厚增加。另外，在電漿處理中，在條件2(包含Ar、氧氣和氫氣的氛圍)下結晶半導體薄膜的氧化速率與處理時間的比值比條件1(包含Ar和氧氣的氛圍)下的高，條件2是將氫氣加入到條件1中。換句話說，可以理解當藉由高密度電漿處理對結晶半導體膜實施氧化處理時，在短時間內氧化結晶半導體膜，在另外包含氫氣的氛圍中藉由實施處理在結晶半導體膜的表面中形成較厚的氧化物膜。
根據上述結果，當藉由高密度電漿處理在結晶半導體膜中形成氧化物膜時，在較短時間內氧化物膜具有理想的膜厚，藉由將氫氣加到反應氣體中可以縮短處理時間。
本發明基於2005年4月28日向日本專利局申請的日本專利申請序列No.2005－133680，其整體內容於此一併列入參考。
80．．．RFID
81．．．電源電路
82．．．時脈產生電路
83．．．資料解調電路
84．．．資料調變電路
85．．．控制電路
86．．．儲存電路
87．．．天線
88．．．讀取器/寫入器
101．．．基底
102．．．絕緣膜
103a．．．半導體膜
103b．．．半導體膜
104．．．閘極絕緣膜
105．．．閘極電極
106．．．絕緣膜
107．．．絕緣膜
108．．．導電膜
110a．．．n通道薄膜電晶體
110b．．．p通道薄膜電晶體
111．．．側壁
121a．．．絕緣膜
121b．．．絕緣膜
123．．．絕緣膜
124．．．絕緣膜
125a．．．光阻
125b．．．光阻
126．．．絕緣膜
127a．．．絕緣膜
127b．．．絕緣膜
131．．．絕緣膜
132．．．絕緣膜
133．．．絕緣膜
134．．．絕緣膜
135．．．絕緣膜
136．．．絕緣膜
137．．．絕緣膜
141．．．絕緣膜
142．．．絕緣膜
151a．．．通道形成區域
151b．．．通道形成區域
152a．．．通道形成區域
152b．．．通道形成區域
153a．．．通道形成區域
153b．．．通道形成區域
171．．．膜
172．．．絕緣膜
173．．．灰塵
174．．．絕緣膜
175．．．絕緣膜
181．．．氮化物膜
225a．．．第一導電膜
225b．．．第二導電膜
271．．．薄
272．．．絕緣膜
273．．．光阻
274．．．開口部分
275．．．絕緣膜
276．．．絕緣膜
310．．．負載鎖定腔
311．．．第一腔
312．．．第二腔
313．．．第三腔
314．．．第四腔
315．．．負載鎖定腔
320．．．公共腔
321．．．機械手
322．．．閘閥
323．．．閘閥
324．．．閘閥
325．．．閘閥
326．．．閘閥
327．．．閘閥
328．．．匣
329．．．匣
331．．．目標
351．．．支撐台
352．．．氣體供應部分
353．．．排氣口
354．．．天線
355．．．介電質板
356．．．高頻供給部分
357．．．溫度控制部分
358．．．高密度電漿
501．．．基底
502．．．掃描線驅動電路
503．．．信號線驅動電路
504．．．像素部分
505．．．密封材料
506．．．相對基底
507．．．軟性印刷電路)
508．．．空間
509．．．絕緣膜
510a．．．N型通道薄膜電晶體
510b．．．P型通道薄膜電晶體
511．．．薄膜電晶體
512．．．導電膜
513．．．第一電極
514．．．發光層
515．．．第二電極
516．．．發光元件
521．．．定向膜
522．．．液晶
523．．．定向膜
524．．．第二電極
525．．．球狀間隔物
1101．．．基底
1102．．．絕緣膜
1103．．．分離層
1104．．．絕緣膜
1105．．．晶體半導體膜
1106．．．第一半導體膜
1107．．．第二半導體膜
1108．．．第三半導體膜
1109．．．第四半導體膜
1110．．．光阻掩罩
1121．．．絕緣膜
1122．．．絕緣膜
1123．．．絕緣膜
1124．．．光阻掩罩
1125．．．氧化物膜
1126．．．導電膜
1126a．．．第一導電膜
1126b．．．第二導電膜
1127．．．導電膜
1127a．．．第一導電膜
1127b．．．第二導電膜
1128．．．導電膜
1128a．．．第一導電膜
1128b．．．第二導電膜
1129．．．導電膜
1129a．．．第一導電膜
1129b．．．第二導電膜
1130．．．絕緣膜
1131．．．導電膜
1132．．．絕緣膜
1133．．．導電膜
1134．．．絕緣膜
1140．．．元件組
1141．．．基底
1145．．．半導體裝置
1150．．．開口部分
1151a．．．記憶元件
1151b．．．記憶元件
1151c．．．n型通道薄膜電晶體
1151d．．．p型通道薄膜電晶體
1152．．．第一板材料
1153．．．第二板材料
1154．．．第三板材料
1155．．．元件組
1160．．．導電膜
1161．．．氧化物膜
1162．．．包含氮的氧化物膜
1181．．．分散粒子
1182．．．絕緣膜
1183．．．光阻掩罩
1184．．．氧化物膜
2001．．．機殼
2002．．．支架
2003．．．顯示器部分
2004．．．揚聲器部分
2005．．．視頻輸入終端
2101．．．主體
2102．．．顯示器部分
2103．．．影像接收部分
2104．．．操作鍵
2105．．．外部連接埠
2106．．．快門
2201．．．主體
2202．．．機殼
2203．．．顯示器部分
2204．．．鍵盤
2205．．．外部連接埠
2206．．．指向滑鼠
2301．．．主體
2302．．．顯示器部分
2303．．．開關
2304．．．操作鍵
2305．．．紅外線埠
2401．．．主體
2402．．．機殼
2403．．．顯示器部分A
2404．．．顯示器部B
2405．．．記錄媒體讀取部分
2406．．．操作鍵
2407．．．揚聲器部分
2501．．．主體
2502．．．顯示器部分
2503．．．臂部分
2601．．．主體
2602．．．顯示器部分
2603．．．機殼
2604．．．外部連接埠
2605．．．遠端控制接收部分
2606．．．影像接收部分
2607．．．電池
2608．．．音頻輸入部分
2609．．．操作鍵
2610．．．目鏡部分
2701．．．主體
2702．．．機殼
2703．．．顯示器部分
2704．．．音頻輸入部分
2705．．．音頻輸出部分
2706．．．操作鍵
2707．．．外部連接埠
2708．．．天線
3200．．．讀取器/寫入器
3210．．．顯示部份
3220．．．產品
3230．．．RFID
3240．．．讀取器/寫入器
3250．．．RFID
3260．．．商品
在附圖中：圖1A至1C顯示本發明的半導體裝置的實施例；圖2A至2D顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖3A至3C顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖4A至4D顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖5A至5D顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖6A至6D顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖7A和7B顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖8A至8E顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖9A至9E顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖10A至10E顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖11A至11D顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖12A和12B各自顯示用於形成本發明的半導體裝置的裝置；圖13A至13D顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖14A至14D顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖15A至15D顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖16A至16C顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖17A至17C顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖18A至18D顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖19A和19B顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖20A至20C各自顯示本發明的半導體裝置的使用模式的一實施例；圖21A至21H各自顯示本發明的半導體裝置的使用模式的一實施例；圖22A和22B顯示本發明的半導體裝置的一個實施例，圖23顯示本發明的半導體裝置的一個實施例；圖24A至24H顯示本發明的半導體裝置的使用模式的實施例；圖25A和25B各自顯示本發明的半導體裝置的製造方法的一個實施例；圖26A至26C顯示本發明的半導體裝置的一個實施例；圖27A至27D顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例；圖28是顯示在本發明的半導體裝置的製造方法中氧化速度特性的圖表；及圖29A至29E顯示本發明的半導體裝置的製造方法的實施例。
105．．．閘極電極
110a．．．n通道薄膜電晶體
110b．．．p通道薄膜電晶體
151a．．．通道形成區域
151b．．．通道形成區域
Claims (24)
- 一種半導體裝置的製造方法，包括：在基底上形成第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成半導體膜；在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下，藉由對該半導體膜實施電漿處理來氧化該半導體膜；形成覆蓋該半導體膜的第二絕緣膜；在該半導體膜上形成閘極電極，其間插入該第二絕緣膜；形成覆蓋該閘極電極的第三絕緣膜；以及在該第三絕緣膜上形成導電膜。
- 一種半導體裝置的製造方法，包括：在基底上形成第一絕緣膜；在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下，藉由對該第一絕緣膜實施電漿處理來氧化該第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成半導體膜；形成覆蓋該半導體膜的第二絕緣膜；在該半導體膜上形成閘極電極，其間插入該第二絕緣膜；形成覆蓋該閘極電極的第三絕緣膜；以及 在該第三絕緣膜上形成導電膜。
- 一種半導體裝置的製造方法，包括：在基底上形成第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成半導體膜；形成覆蓋該半導體膜的第二絕緣膜；在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下藉由對該第二絕緣膜實施電漿處理來氧化該第二絕緣膜；在該半導體膜上形成閘極電極，其間插入該第二絕緣膜；形成覆蓋該閘極電極的第三絕緣膜；以及在該第三絕緣膜上形成導電膜。
- 一種半導體裝置的製造方法，包括：在基底上形成第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成半導體膜；形成覆蓋該半導體膜的第二絕緣膜；在該半導體膜上方形成閘極電極，其間插入該第二絕緣膜；形成覆蓋該閘極電極的第三絕緣膜；在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下藉由該對第三絕緣膜實施電漿處理來氧化該第三絕緣膜；以及 在該第三絕緣膜上形成導電膜。
- 一種半導體裝置的製造方法，包括：在基底上形成第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成半導體膜；在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下藉由對該半導體膜實施電漿處理來氧化該半導體膜；在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下藉由對該已氧化的該半導體膜實施電漿處理來氮化該已氧化的半導體膜；形成覆蓋該半導體膜的第二絕緣膜；在該半導體膜上形成閘極電極，其間插入該第二絕緣膜；形成覆蓋該閘極電極的第三絕緣膜；在該第三絕緣膜上形成導電膜。
- 如申請專利範圍第1及5項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中藉由該電漿處理氧化該半導體膜，在該半導體膜的表面上形成絕緣膜。
- 如申請專利範圍第1至5項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中該藉由該電漿處理的氧化步驟是在包含氧氣和稀有氣體的氛圍中實施。
- 如申請專利範圍第1至5項其中任何一項的半導 體裝置的製造方法，其中該藉由該電漿處理的氧化步驟是在包含氧氣、氫氣和稀有氣體的氛圍中實施。
- 一種半導體裝置的製造方法，包括：在基底上形成第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成半導體膜；在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下藉由對該半導體膜實施電漿處理來氮化該半導體膜；形成覆蓋該半導體膜的第二絕緣膜；在該半導體膜上形成閘極電極，其間插入該第二絕緣膜；形成覆蓋該閘極電極的第三絕緣膜；以及在該第三絕緣膜上形成導電膜。
- 如申請專利範圍第5及9項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中藉由該電漿處理氮化該半導體膜，在該半導體膜的表面上形成絕緣膜。
- 如申請專利範圍第1及9項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，該方法還包括使用高頻波在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下藉由對該第二絕緣膜實施電漿處理來氮化該第二絕緣膜。
- 一種半導體裝置的製造方法，包括：在基底上形成第一絕緣膜； 在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下藉由對該第一絕緣膜實施電漿處理來氮化該第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成半導體膜；形成覆蓋該半導體膜的第二絕緣膜；在該半導體膜上形成閘極電極，其間插入該第二絕緣膜；形成覆蓋該閘極電極的第三絕緣膜；以及在該第三絕緣膜上形成導電膜。
- 一種半導體裝置的製造方法，包括：在基底上形成第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成半導體膜；形成覆蓋該半導體膜的第二絕緣膜；在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下，藉由對該第二絕緣膜實施電漿處理來氮化該第二絕緣膜；在該半導體膜上形成閘極電極，其間插入該第二絕緣膜；形成覆蓋該閘極電極的第三絕緣膜；以及在該第三絕緣膜上形成導電膜。
- 一種半導體裝置的製造方法，包括：在基底上形成第一絕緣膜； 在該第一絕緣膜上形成半導體膜；形成覆蓋該半導體膜的第二絕緣膜；在該半導體膜上形成閘極電極，其間插入該第二絕緣膜；形成覆蓋該閘極電極的第三絕緣膜；在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下藉由對該第三絕緣膜實施電漿處理來氮化該第三絕緣膜；以及在該第三絕緣膜上形成導電膜。
- 如申請專利範圍第1至5、9及12至14項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中該半導體膜的末端具有尾端漸細形狀。
- 如申請專利範圍第1至5、9及12至14項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中該方法還包括使用高頻波在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下藉由對該基底實施電漿處理來氧化該基底。
- 如申請專利範圍第1至5、9及12至14項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中該方法還包括使用高頻波在大於或等於1×1011 cm-3 並小於或等於1×1013 cm-3 的電子密度和大於或等於0.5eV並小於或等於1.5eV的電子溫度的條件下藉由對該基底實施電漿處理來 氮化該基底。
- 如申請專利範圍第1至5、9及12至14項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中形成氧化矽(SiOx )、氮化矽(SiNx )、氮氧化矽(SiOx Ny )(x>y)、和氧氮化矽(SiNx Oy )(x>y)的任一者作為該第一絕緣膜。
- 如申請專利範圍第1至5、9及12至14項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中形成氧化矽(SiOx )、氮化矽(SiNx )、氮氧化矽(SiOx Ny )(x>y)、和氧氮化矽(SiNx Oy )(x>y)的任一者作為該第二絕緣膜。
- 如申請專利範圍第1至5、9及12至14項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中形成環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯基苯酚、苯並環丁烯、丙烯酸樹脂、或矽氧烷樹脂作為該第三絕緣膜。
- 如申請專利範圍第1至5、9及12至14項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中使用高頻波執行該電漿處理。
- 如申請專利範圍第21項的半導體裝置的製造方法，其中使用微波作為該高頻波。
- 如申請專利範圍第5、9及12至14項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中該藉由該電漿處理的氮化步驟是在包含氮氣和稀有氣體的氛圍中或者在包含NH3 和稀有氣體的氛圍中實施。
- 如申請專利範圍第1至5、9及12至14項其中任何一項的半導體裝置的製造方法，其中使用玻璃基底或塑膠基底作為該基底。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005133680 | 2005-04-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200703468A TW200703468A (en) | 2007-01-16 |
| TWI408734B true TWI408734B (zh) | 2013-09-11 |
Family
ID=36735632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW095114135A TWI408734B (zh) | 2005-04-28 | 2006-04-20 | 半導體裝置及其製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7465677B2 (zh) |
| EP (1) | EP1717847A3 (zh) |
| KR (1) | KR101239160B1 (zh) |
| CN (1) | CN1870233B (zh) |
| TW (1) | TWI408734B (zh) |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7547620B2 (en) * | 2004-09-01 | 2009-06-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Film pattern producing method, and producing method for electronic device, electron-emitting device and electron source substrate utilizing the same |
| US20060270066A1 (en) | 2005-04-25 | 2006-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic transistor, manufacturing method of semiconductor device and organic transistor |
| US7364954B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7410839B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| US8318554B2 (en) * | 2005-04-28 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming gate insulating film for thin film transistors using plasma oxidation |
| US7785947B2 (en) * | 2005-04-28 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising the step of forming nitride/oxide by high-density plasma |
| TWI408734B (zh) * | 2005-04-28 | 2013-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| WO2007011061A1 (en) | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7838347B2 (en) * | 2005-08-12 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
| EP1818989A3 (en) * | 2006-02-10 | 2010-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
| EP1837900A3 (en) * | 2006-03-21 | 2008-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
| TWI416738B (zh) * | 2006-03-21 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab | 非揮發性半導體記憶體裝置 |
| KR101488516B1 (ko) * | 2006-03-21 | 2015-02-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 불휘발성 반도체 기억장치 |
| EP1837917A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
| US7554854B2 (en) * | 2006-03-31 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for deleting data from NAND type nonvolatile memory |
| US8022460B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
| US7786526B2 (en) * | 2006-03-31 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
| EP1840947A3 (en) * | 2006-03-31 | 2008-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
| FR2900484B3 (fr) * | 2006-04-28 | 2008-08-08 | Ask Sa | Support de dispositif d'identification radiofrequence et son procede de fabrication |
| FR2900485B3 (fr) * | 2006-04-28 | 2008-08-08 | Ask Sa | Support de dispositif d'identification radiofrequence et son procede de fabrication |
| JP2007317741A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US8895388B2 (en) * | 2006-07-21 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device and a non-volatile semiconductor storage device including the formation of an insulating layer using a plasma treatment |
| US7678701B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-03-16 | Eastman Kodak Company | Flexible substrate with electronic devices formed thereon |
| TWI418036B (zh) * | 2006-12-05 | 2013-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| US20080206968A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-08-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US20080197016A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Mikuro Denshi Corporation Limited | Thin Film Deposited Substrate and Deposition System for Such Thin Film |
| EP1970951A3 (en) * | 2007-03-13 | 2009-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP1976001A3 (en) * | 2007-03-26 | 2012-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8420456B2 (en) * | 2007-06-12 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing for thin film transistor |
| US7772054B2 (en) * | 2007-06-15 | 2010-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP5058084B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の作製方法及びマイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
| JP5216446B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマｃｖｄ装置及び表示装置の作製方法 |
| TWI437696B (zh) | 2007-09-21 | 2014-05-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| JP5572307B2 (ja) | 2007-12-28 | 2014-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の製造方法 |
| US7855153B2 (en) * | 2008-02-08 | 2010-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US20090278692A1 (en) * | 2008-05-11 | 2009-11-12 | Alzaabi Saif Abdullah | RFID Encrypted Paper Book |
| KR101651224B1 (ko) * | 2008-06-04 | 2016-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2010135771A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法 |
| US8492292B2 (en) * | 2009-06-29 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming oxide layers on substrates |
| US8497196B2 (en) * | 2009-10-04 | 2013-07-30 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device, method for fabricating the same and apparatus for fabricating the same |
| KR101399611B1 (ko) | 2010-02-05 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2011145484A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8704230B2 (en) | 2010-08-26 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9401396B2 (en) * | 2011-04-19 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device and plasma oxidation treatment method |
| US9112036B2 (en) * | 2011-06-10 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| CN102646595A (zh) * | 2011-11-11 | 2012-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示器件 |
| CN107406966B (zh) * | 2015-03-03 | 2020-11-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化物半导体膜、包括该氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
| US10147823B2 (en) | 2015-03-19 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TW201812419A (zh) * | 2016-07-25 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 電晶體的製造方法及顯示裝置 |
| DE102016122251A1 (de) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement |
| US10263107B2 (en) * | 2017-05-01 | 2019-04-16 | The Regents Of The University Of California | Strain gated transistors and method |
| EP3794158A4 (en) * | 2018-05-17 | 2022-02-23 | Entegris, Inc. | BLENDS OF GERMANIUM TETRAFLUORIDE AND HYDROGEN FOR AN ION IMPLANTATION SYSTEM |
| JP7439101B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2024-02-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 膜の有効酸化物厚さを変更するための水素化及び窒化処理 |
| US11101353B2 (en) * | 2019-04-17 | 2021-08-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacture |
| CN111900093A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-11-06 | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 | 一种bcb薄膜太赫兹电路及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555420B1 (en) * | 1998-08-31 | 2003-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and process for producing semiconductor device |
| US20040007748A1 (en) * | 1999-11-05 | 2004-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method of fabricating the same |
| US6773996B2 (en) * | 2000-05-12 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| US20040217431A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-11-04 | Hiroyuki Shimada | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6818852B2 (en) * | 2001-06-20 | 2004-11-16 | Tadahiro Ohmi | Microwave plasma processing device, plasma processing method, and microwave radiating member |
Family Cites Families (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4272044A (en) * | 1979-10-05 | 1981-06-09 | The Hi-Flier Manufacturing Company | Kite construction |
| US4727044A (en) * | 1984-05-18 | 1988-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain |
| US5485019A (en) * | 1992-02-05 | 1996-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| JPH0613615A (ja) | 1992-04-10 | 1994-01-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5757456A (en) * | 1995-03-10 | 1998-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other |
| US5956581A (en) * | 1995-04-20 | 1999-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US6127199A (en) * | 1996-11-12 | 2000-10-03 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
| JP2925535B2 (ja) | 1997-05-22 | 1999-07-28 | キヤノン株式会社 | 環状導波路を有するマイクロ波供給器及びそれを備えたプラズマ処理装置及び処理方法 |
| JP2000174277A (ja) | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| EP1049167A3 (en) * | 1999-04-30 | 2007-10-24 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6426245B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| JP2001155899A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Tadahiro Omi | プラズマプロセス装置およびプラズマ装置を用いたプロセス |
| TW513753B (en) * | 2000-03-27 | 2002-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor display device and manufacturing method thereof |
| JP4713752B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2011-06-29 | 財団法人国際科学振興財団 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3406302B2 (ja) * | 2001-01-16 | 2003-05-12 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | 微細パターンの形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP5010781B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2012-08-29 | 忠弘 大見 | プラズマ処理装置 |
| AU2002367179A1 (en) * | 2001-12-26 | 2003-07-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating method and production method for semiconductor device |
| US6519136B1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-02-11 | Intel Corporation | Hybrid dielectric material and hybrid dielectric capacitor |
| TWI225668B (en) * | 2002-05-13 | 2004-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method |
| JP3820188B2 (ja) * | 2002-06-19 | 2006-09-13 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| AU2003255034A1 (en) | 2002-08-14 | 2004-03-03 | Tokyo Electron Limited | Method of forming insulation film on semiconductor substrate |
| TW200415726A (en) * | 2002-12-05 | 2004-08-16 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2004235298A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子及びその製造方法 |
| JP4536333B2 (ja) | 2003-04-03 | 2010-09-01 | 忠弘 大見 | 半導体装置及び、その製造方法 |
| JP2004319907A (ja) | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Tadahiro Omi | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JP4358563B2 (ja) * | 2003-07-02 | 2009-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の低誘電率絶縁膜形成方法 |
| JP4997688B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2012-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電極、薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器 |
| JP2005093737A (ja) | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Tadahiro Omi | プラズマ成膜装置，プラズマ成膜方法，半導体装置の製造方法，液晶表示装置の製造方法及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US7205716B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8053171B2 (en) * | 2004-01-16 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television |
| JP2005252031A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Canon Inc | プラズマ窒化方法 |
| KR100560796B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 |
| CN1993813B (zh) * | 2004-08-13 | 2010-12-22 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法 |
| US8040469B2 (en) * | 2004-09-10 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same |
| US7482248B2 (en) * | 2004-12-03 | 2009-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US20060270066A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic transistor, manufacturing method of semiconductor device and organic transistor |
| US7364954B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7785947B2 (en) * | 2005-04-28 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising the step of forming nitride/oxide by high-density plasma |
| TWI408734B (zh) * | 2005-04-28 | 2013-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| US8318554B2 (en) * | 2005-04-28 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming gate insulating film for thin film transistors using plasma oxidation |
| US7410839B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
-
2006
- 2006-04-20 TW TW095114135A patent/TWI408734B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-04-25 US US11/410,070 patent/US7465677B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-27 KR KR1020060038013A patent/KR101239160B1/ko active IP Right Grant
- 2006-04-28 CN CN2006100886376A patent/CN1870233B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-28 EP EP06008978.6A patent/EP1717847A3/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-12-15 US US12/334,589 patent/US7718547B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555420B1 (en) * | 1998-08-31 | 2003-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and process for producing semiconductor device |
| US20040007748A1 (en) * | 1999-11-05 | 2004-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method of fabricating the same |
| US6773996B2 (en) * | 2000-05-12 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| US6818852B2 (en) * | 2001-06-20 | 2004-11-16 | Tadahiro Ohmi | Microwave plasma processing device, plasma processing method, and microwave radiating member |
| US20040217431A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-11-04 | Hiroyuki Shimada | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1717847A2 (en) | 2006-11-02 |
| KR20060113485A (ko) | 2006-11-02 |
| US7465677B2 (en) | 2008-12-16 |
| CN1870233A (zh) | 2006-11-29 |
| US20060246738A1 (en) | 2006-11-02 |
| US7718547B2 (en) | 2010-05-18 |
| KR101239160B1 (ko) | 2013-03-05 |
| EP1717847A3 (en) | 2014-11-26 |
| CN1870233B (zh) | 2010-05-12 |
| TW200703468A (en) | 2007-01-16 |
| US20090098720A1 (en) | 2009-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI408734B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| JP5084169B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| US7364954B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP5690885B2 (ja) | 半導体装置の作製方法、及び半導体装置 | |
| US9006043B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP4550162B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
| JP6014195B2 (ja) | 発光装置 | |
| US7919861B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US7582904B2 (en) | Semiconductor device, display device and method for manufacturing thereof, and television device | |
| TW548860B (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
| TWI553876B (zh) | 半導體裝置 | |
| CN1862848B (zh) | 制造显示器的方法 | |
| US7820495B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| TWI418036B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| TW201515105A (zh) | 半導體裝置 | |
| JP5386058B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| CN1716539B (zh) | 掺杂装置 | |
| CN100550425C (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JP2003023161A (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP2003108034A (ja) | 発光装置 | |
| US7638372B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP5216201B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の作製方法、液晶表示装置、ｒｆｉｄタグ、発光装置及び電子機器 | |
| JP2007027367A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2006032920A (ja) | 半導体装置、及びそれらの作製方法 | |
| JP2006032921A (ja) | 半導体装置、及びそれらの作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |