TWI407269B - 光學微影曝光系統及其曝光方法 - Google Patents

Description

光學微影曝光系統及其曝光方法

本發明係有關一種光學微影曝光結構及其曝光方法，詳而言之，係涉及一種利用移動平台操控光學元件以利用光束將連續圖案曝光至基材上之光學微影曝光結構及其曝光方法。

隨著顯示器面板、軟性電子(flexible electronics)以及太陽能等產業在尺寸需求潛力漸增的情況下，應用於太陽能電池、顯示器、微光學元件(DOE)、抗反射結構(AR)、有機發光體(OLED)、無線射頻辨識系統(RFID)等之大面積週期性結構的產品的需求勢必大幅提升。

一般而言，較常使用捲軸式(Roll-to-Roll)製程技術產生微影圖案，但目前利用捲軸式製程所製作的產品其微結構的線寬只能達到微米等級，即僅從5μm到500μm不等，所使用的滾筒直徑約為65mm～800mm，難以製作出次微米結構。

另外，就製作大面積微影技術而言，習知係先架設一組固定的光路，並將環繞有基材之滾筒放置在滾筒載台上，由滾筒載台產生出曝寫整個基材所需的相對運動。以前述捲軸式技術為例，滾筒在三維的空間中除了沿中心軸的方向移動及對軸的旋轉外，另還有四個自由度需要被量測及控制，例如中心軸的徑向(radial)、軸向(axial)和偏擺(tilt)等自由度，以讓滾筒姿態在曝光過程中能維持穩定，並使所曝光的條紋接合的扭曲程度降到最低。然而，由於載台需要負載的元件除了滾筒和滾筒夾持機構，更包含檢測滾筒位移的感測器，機構與滾筒等物件的整體重量降低了載台的反應速度、定位精準度及抗擾動的能力。

故，為達成於基材上進行干涉條紋之接合度的提升，必須使滾筒與光束間產生非常精密的相對運動，因此，如何提供一種用於光學微影曝光技術，得以進行滾筒的量測及操控，進而提昇量測精準度並作為操控的依據，實為業界亟待解決的重要課題。

為解決前述習知技術的種種問題，本發明提出一種光學微影曝光系統及其曝光方法，以使滾筒與光束間產生非常精密的相對運動。

本發明提供一種光學微影曝光系統，係包括：滾筒，具有一轉軸並以該轉軸為中心旋轉；基材，係繞設於該滾筒的外表面；滾筒操控設備，係用以對該滾筒進行量測並依據所量測的結果操控該滾筒，以補償該滾筒以其轉軸為中心旋轉所產生的位置及/或姿態的改變；以及光路操控設備，係包括光學元件組和移動平台，該光學元件組係用以將光束分為曝光用光束和量測用光束，而該移動平台係用以承載該光學元件組並平行該滾筒的轉軸軸心方向進行線性移動，以使該曝光用光束和該滾筒之間產生相對運動而將該圖案曝光至該基材上，其中，該移動平台復用以依據該滾筒操控設備對該滾筒的量測結果，補償該滾筒於旋轉過程中該滾筒的位置及/或姿態的改變。

所述之滾筒操控設備包括滾筒量測模組和滾筒致動裝置。滾筒量測模組，係具有振動分析儀和一對位移感測器，該振動分析儀係用以量測該滾筒沿著該轉軸軸心方向的位移，該對位移感測器係設置於該滾筒上方並間隔一預定距離，並用以量測該滾筒於旋轉過程中所產生的姿態傾斜；以及滾筒致動裝置，係用以依據該滾筒量測模組的量測結果致動該滾筒，以補償該滾筒在旋轉過程中所產生的姿態傾斜。

所述之光路操控設備復包括光束量測模組及光束調整模組。該光束量測模組具有分光器、兩個凸透鏡和兩個光位移感測器，該分光器將該量測用光束分成兩道光束以分別透過該兩個凸透鏡聚焦，再投射至該兩個光位移感測器，藉由量測投射至該光位移感測器上的光點的位置，計算出該光束的位移和角度之改變。該光束調整模組依據該光束量測模組所量測的結果，藉由該些致動器控制該些光學元件來調整該光束，以補償該移動平台對該滾筒相對運動或該滾筒於旋轉時而對曝光至該基材的圖案所造成的影響。

本發明提供一種光學微影曝光方法，係包括以下步驟：(1)令承載光學元件組之移動平台以平行外表面繞設有基材的滾筒的轉軸軸心方向進行線性移動，以使光束經該光學元件組而產生之曝光用光束和該滾筒之間產生相對運動而將圖案曝光至該基材上；以及(2)令滾筒操控設備對該滾筒進行量測，以令該移動平台依據該滾筒操控設備的量測結果，補償該滾筒於旋轉過程中的位置及/或姿態的改變。

上述之步驟(2)復包括：(2-1)令該滾筒操控設備的一對位移感測器量測該滾筒於旋轉過程中所產生的姿態傾斜，於該滾筒於旋轉過程中所產生的姿態傾斜大於或等於第一預定值時進至步驟(2-2)，於該滾筒於旋轉過程中所產生的姿態傾斜小於該第一預定值時進至步驟(2-3)；(2-2)令該滾筒操控設備的滾筒致動裝置補償該滾筒在旋轉過程中所產生的姿態傾斜，並返回步驟(2-1)；(2-3)令該滾筒操控設備的振動分析儀量測該滾筒沿著該轉軸軸心方向的位移，於該滾筒沿著該轉軸軸心方向的位移大於或等於第二預定值時進至步驟(2-4)，於該滾筒沿著該轉軸軸心方向的位移小於該第二預定值時進至步驟(2-5)；(2-4)令該移動平台補償該滾筒於旋轉過程中沿著該轉軸軸心方向的位移，並返回步驟(2-3)之量測程序；以及(2-5)令該曝光用光束將該圖案曝光至該基材上。

相較於習知技術，本發明之光學微影曝光系統及其曝光方法，係利用移動平台來移動光學元件組，使曝光用光束與滾筒間產生相對位移，俾使曝光至基材的圖案(如干涉條紋)可緊密接合，並透過滾筒和光束量測模組之量測來提高移動平台的反應速度、定位精準度及抗擾動的能力。

以下藉由特定的具體實施形態說明本發明之實施方式，熟悉此技術之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效，亦可藉由其他不同的具體實施形態加以施行或應用。

請參閱第1圖，本發明之光學微影曝光系統係利用光束，例如氬離子雷射，將圖案曝光至基材上，主要包括滾筒1、滾筒操控設備2和光路操控設備3。

滾筒1具有一轉軸10並以轉軸10為中心旋轉，滾筒1的外表面上環設有基材13，滾筒可為圓柱體，基材可為感光性材料。滾筒1的旋轉運動主要可藉由旋轉步進馬達(此圖未顯示)驅動以進行步進式或連續式旋轉，且其靠近該旋轉步進馬達的一端可架設於具V形或U形凹槽的承座11上，並利用一有彈性的簧片(此圖未顯示)從滾筒1的上方(相對於承座11)施壓，使滾筒1的轉軸10不致產生非旋轉的運動，藉此壓迫滾筒1垂直於轉軸10的方向運動，此外，滾筒1的另外一端則可藉由一組錐形軸與孔的配對來支撐。

滾筒操控設備2係用以量測滾筒1並依據所量測的結果操控滾筒1，以補償滾筒1以其轉軸10為中心旋轉所產生的位置及/或姿態的改變。詳言之，滾筒操控設備2包括滾筒量測模組21和滾筒致動裝置22。

滾筒量測模組21包括振動分析儀211和一對位移感測器212a和212b。振動分析儀211係用以朝滾筒1的轉軸10發射雷射光源以量測滾筒1沿轉軸10方向的振動。而位移感測器212a和212b可例如雷射位移感測器，其所使用的雷射光源可被聚焦為20μm，位移感測器212a和212b係用以直接對滾筒1的曲面進行量測，其可被夾持於滾筒1的正上方與滾筒1表面約距離15mm，兩測量點的間距約為55mm，以量測滾筒1的姿態傾斜。

滾筒致動裝置22係用以依據滾筒量測模組21的量測結果致動滾筒1，以補償滾筒1在旋轉過程中所產生之姿態傾斜。滾筒致動裝置22可為高精度壓電致動平台。

再者，光路操控設備3主要包括光學元件組31和移動平台32。

光學元件組31包括分光器310、複數個光學元件組311、312、313和314及複數個致動器(此圖未顯示)。光學元件組311、312、313和314分別由該些致動器所控制，光束4進入光學元件組31後分為曝光用光束41和量測用光束42，於此圖中，曝光用光束41係用以將干涉條紋曝光至基材13上。

移動平台32係用以承載光學元件組31並平行滾筒1之轉軸10的方向進行線性移動，以使曝光用光束41和滾筒1之間產生相對運動，俾將干涉條紋曝光至基材13上。移動平台32可透過滑軌進行移動，用以依據振動分析儀211對滾筒1的量測結果而對滾筒1進行線性移動，以補償滾筒1於旋轉過程中在其轉軸10方向所產生的位移。另外，移動平台32復可相對於轉軸10方向進行傾斜運動，用以依據位移感測器212a和212b對滾筒1的量測結果而補償滾筒1在旋轉過程中所產生的姿態傾斜。

具體言之，曝光至基材13上的圖案大多為條紋，為了能在基材13上進行干涉條紋的縱向接合，滾筒1必須能360度的完整旋轉。對於干涉條紋之接合有關鍵性影響者，係為滾筒1在旋轉過程中，沿轉軸10的方向位移和相對於轉軸10的傾斜誤差(roller tilting error)需盡量地小，設若預設要曝寫的干涉條紋週期為800nm，則沿轉軸10的方向(即垂直條紋方向)的圖形擺放(image placement)誤差，例如干涉條紋週期和位置的改變，以小於80nm以內較佳。

另一方面，移動平台32可只包括部分所需的自由度及較低的動態性能，因而由移動平台32對滾筒1相對運動所產生的誤差，無論是靜態的定位誤差(positioning error)或動態的追跡誤差(tracking error)，可由所述之光路操控設備3中所包括的光束量測模組33和光束調整模組34來進行補償。光束量測模組33係用以對量測用光束42進行量測，以供光束調整模組34依據其量測的結果調整光束4，俾補償移動平台32對滾筒1相對運動時，對曝光至基材13上的圖案所造成的影響，例如干涉條紋週期和位置的改變。

光束量測模組33包括分光器330、兩個凸透鏡331a和331b及兩個光位移感測器332a和332b。若光束前進方向為Z軸，則必須量測的自由度為光束在X、Y方向的位移以及對X、Y軸分別的旋轉。為使四個自由度能被分別量測，量測用光束42可經由分光器330而分為兩道光束，分別透過凸透鏡331a和331b投射至光位移感測器332a和332b，光位移感測器332a和332b則用以量測投射至的光點位置，進而計算出光束4相對於滾筒1的位置和角度之改變。

光束調整模組34包括複數個光學元件341和342及分別控制光學元件341和342之致動器343和344。藉由致動器343和344控制光學元件341和342來調整光束4，以補償移動平台32對滾筒1相對運動時對曝光至基材13上的圖案所造成的影響。另外，光束調整模組34亦可依據光束量測模組33的量測結果補償滾筒1於旋轉過程中的位置及/或姿態的改變。

詳言之，可依據需求設定光學元件341和342的夾角，光束4經兩次反射進入光學元件組31後產生曝光用光束41和量測用光束42，量測用光束42被導引至分光器330，經由設計分光器330到凸透鏡331a和331b及凸透鏡331a和331b至光位移感測器332a和332b的距離使得光束4的位置和角度分別由光位移感測器332a和332b所測得，光位移感測器332a和332b可依據所測得的光電位置送出相對應的電壓訊號，並透過AD轉換器以轉換成數位訊號供電腦處理。

此外，為使每次對基材13曝光時，光束4的位置和角度皆可固定，可依據近軸幾何光學原理設定凸透鏡331a和331b與光位移感測器332a和332b的距離擺放，使得光束4在經光學元件組31和凸透鏡331a和331b後，打在光位移感測器332a和332b上的位置，能夠直接換算成光束4的角度。其次，透過移動平台32的線性移動，使得曝光用光束41能對基材13作完整的曝光，透過量測光束4的位置和角度，可知曝光用光束41是否於曝光時間中維持固定，當量測結果顯示位置和角度有誤差時，利用所述致動器343和344調整光學元件341和342即可消除誤差。

以下配合第1圖說明本發明之光學微影曝光系統之滾筒操控設備之訊號傳輸運作模式。

請參閱第2圖，旋轉馬達12驅動滾筒以其轉軸為中心旋轉，而旋轉馬達12在控制主機231的命令下，其解析度為0.001°，最高速度可達2.5°/sec。位移感測器212a和212b的解析度可高達10nm，內部取樣頻率則可達到50kHz，對於量測滾筒的傾斜其解析度可高達0.18μ rad，位移感測器212a和212b的量測訊號由感測器控制器232解讀，並可轉換成±10V內的類比電壓，再由控制主機231內建的類比-數位轉換器轉換成數據而傳送回主控電腦23。而振動分析儀211以聚焦的HeNe雷射進行沿該轉軸方向的位移量測，同時也可進行頻譜分析，其量測解析度可為0.3nm，內部取樣頻率可高達1MHz，振動分析儀211將所量測的訊號傳回主控電腦23。主控電腦23可依據所接收之振動分析儀211及位移感測器212a和212b的回傳訊號，分別發出命令至壓電平台控制器233和控制主機231，以控制壓電平台22、線性馬達320和旋轉馬達12。壓電平台控制器233可控制壓電平台22以致動滾筒的姿態傾斜，線性馬達320可控制移動平台進行平行滾筒的轉軸軸心方向之線性移動。

承前所述，若滾筒在旋轉過程中發生傾斜，會使得兩次鄰近曝光區域中的條紋錯位，此時可由壓電平台22致動滾筒來進行補償。由於滾筒在垂直於該轉軸軸心方向的自由度可藉由一組壓簧來迫緊，因此滾筒在旋轉過程中若有沿該轉軸方向的運動，通常不會以操縱整個滾筒的方式來補償，而是移動承載光學元件的移動平台，使光路和滾筒之間產生相對位移，俾使條紋緊密接合。換言之，即利用線性馬達320驅動移動平台使得干涉光路進行平行於滾筒軸向的運動。控制主機231內建有基本的可調式數位控制器而可對線性馬達320的性能最佳化，使得移動平台最大形成達到350nm，最小步進距離可達到10nm。

關於滾筒姿態的控制成果，請參閱第3A和3B圖，係分別表示滾筒經壓電平台調整前和後的姿態變化情形。第3A圖是單純驅動滾筒旋轉，而由兩個位移感測器所量得的訊號相減得到的結果，由圖中可觀察到滾筒旋轉時的偏心程度和震盪等差動訊號等。第3B圖則表示了以壓電平台根據此差動訊號進行姿態調整後的結果，因此，可知滾筒姿態誤差已能被控制到非常小的範圍，對干涉條紋的接合達到最佳化。

由第1及2圖所示之實施形態得以瞭解，若欲在環設有基材之直徑50mm的滾筒上接合出整個曲面的次微米週期性結構，需要光路操控設備(包括光學元件組、承載該光學元件組的移動平台、光束量測及調整模組)和滾筒操控設備(包括滾筒量測模組和滾筒致動裝置)的相互搭配，俾使得滾筒相對於曝光點作小角度旋轉和轉軸軸心方向的微步進，且主控電腦可命令滾筒和移動平台作相對應的運動，以補償滾筒於旋轉過程中之位置及/或姿態的改變。此外，光路操控設備亦得透過操控光路以補償滾筒旋轉或移動平台移動時對曝光至基材上的圖案所產生的影響。

接者，請參閱第4A及4B圖，係表示本發明之光學微影曝光方法流程圖。首先，光束經光束調整模組導引至光學元件組，再於光學元件組中產生曝光用光束及量測用光束，接著曝光用光束及量測用光束藉由光學元件組分別投射至基材及進入光束量測模組。

其次，曝光用光束對基材的曝光方法請參閱第4A圖。

於步驟S31中，令移動平台平行滾筒的轉軸軸心方向進行線性移動，以使曝光用光束和旋轉中的滾筒之間產生相對運動，而使該圖案曝光至繞設於滾筒外表面且隨滾筒旋轉的基材上。進至步驟S32。

於步驟S32中，令滾筒操控設備對滾筒進行量測，以令承載光學元件組之移動平台依據滾筒操控設備的量測結果，補償滾筒於旋轉過程中的位置及/或姿態的改變。再者，步驟S32復包括S321至S326，如第4B圖所示。

於步驟S321中，令位移感測器量測滾筒於旋轉過程中所產生的姿態傾斜，以於步驟S322中，令主控電腦判斷滾筒所產生的姿態傾斜是否小於第一預定值，若是，則進至步驟S324；若否，則進至步驟S323。

於步驟S323中，令滾筒致動裝置補償滾筒在旋轉過程中所產生的姿態傾斜，並返回步驟S321。

於步驟S324中，令振動分析儀量測滾筒於旋轉過程中沿著轉軸軸心方向的位移，以於步驟S325中，令主控電腦判斷滾筒沿著轉軸軸心方向的位移是否小於第二預定值，若是，則進至步驟S327；若否，則進至步驟S326。

於步驟S326中，令移動平台補償滾筒於旋轉過程中滾筒沿著轉軸軸心方向的位移，並返回步驟S324。

於步驟S327中，令曝光用光束將該圖案曝光至該基材上。

另外，於一實施形態中，第4A圖所示之步驟S32復包括令光路操控設備對量測用光束進行量測。詳言之，即令光路操控設備依據其量測結果調整光束，以補償移動平台對滾筒相對運動時對曝光至該基材上的圖案所造成的影響，或者令光路操控設備依據其量測結果調整光束，以補償滾筒於旋轉過程中對曝光至基材上的圖案所造成的影響。

因此，滾筒於旋轉過程中可能產生沿轉軸的方向發生位置改變或相對於其轉軸發生姿態傾斜，移動平台可平行於轉軸進行與滾筒的相對運動或可相對於轉軸產生傾斜，以補償滾筒的位置改變或姿態傾斜。此外，滾筒致動裝置亦可致動滾筒以補償滾筒於旋轉過程中的傾斜。另一方面，光束調整模組係負責維持投射至基材上的曝光圖案的姿態，避免受到移動平台移動或滾筒旋轉的擾動影響，故，光束調整模組依據光束量測模組的量測結果，補償由移動平台對滾筒相對運動或滾筒自身的旋轉而對曝光至基材上的圖案所造成的影響。

綜上所述，本發明之光學微影曝光系統及其曝光方法，得以利用光學微影技術製作大面積次微米週期性結構於環設有基材的滾筒上，配合高解析光路操控設備及其移動平台和滾筒操控設備，在滾筒與光束間產生非常精密的相對運動，提高了移動平台的反應速度、定位精準度及抗擾動的能力，進而使得基材上的結構圖案可達到無接縫的表現，使所曝光的條紋接合的扭曲程度降到最低。

上述實施形態僅例示性說明本發明之原理、特點及其功效，並非用以限制本發明之可實施範疇，任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施形態進行修飾與改變。任何運用本發明所揭示內容而完成之等效改變及修飾，均仍應為下述之申請專利範圍所涵蓋。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。

1．．．滾筒

10．．．轉軸

11．．．承座

12．．．旋轉馬達

13．．．基材

2．．．滾筒操控設備

21．．．滾筒量測模組

211．．．振動分析儀

212a、212b．．．位移感測器

22．．．滾筒致動裝置

23．．．主控電腦

231．．．控制主機

232．．．感測器控制器

233．．．壓電平台控制器

3．．．光路操控設備

31．．．光學元件組

310、330．．．分光器

311、312、313、314、341、342．．．光學元件

32．．．移動平台

320．．．線性馬達

33．．．光束量測模組

331a、331b．．．凸透鏡

332a、332b．．．光位移感測器

34．．．光束調整模組

343、344．．．致動器

S31~S32．．．步驟

S321~S327．．．步驟

4．．．光束

41．．．曝光用光束

42．．．量測用光束

第1圖係本發明之光學微影曝光系統之應用架構圖；

第2圖係本發明之光學微影曝光系統之訊號傳輸方塊圖；

第3A圖係本發明之光學微影曝光系統之位移感測器對滾筒的姿態的量測結果之示意圖；

及3B圖係本發明之光學微影曝光系統之調整後的滾筒的姿態之示意圖；

第4A圖係本發明之光學微影曝光方法之流程圖；以及

第4B圖係本發明之光學微影曝光方法之一實施形態的流程圖。

1．．．滾筒

10．．．轉軸

11．．．承座

13．．．基材

2．．．滾筒操控設備

21．．．滾筒量測模組

211．．．振動分析儀

212a、212b．．．位移感測器

22．．．滾筒致動裝置

3．．．光路操控設備

31．．．光學元件組

310、330．．．分光器

311、312、313、314、341、342．．．光學元件

32．．．移動平台

33．．．光束量測模組

331a、331b．．．凸透鏡

332a、332b．．．光位移感測器

34．．．光束調整模組

343、344．．．致動器

4．．．光束

41．．．曝光用光束

42．．．量測用光束

Claims (16)

1. 一種光學微影曝光系統，係包括：滾筒，具有一轉軸並以該轉軸為中心旋轉；基材，係繞設於該滾筒的外表面；滾筒操控設備，係用以對該滾筒進行量測並依據所量測的結果操控該滾筒，以補償該滾筒以該轉軸為中心旋轉所產生的位置及/或姿態的改變，該滾筒操控設備包括：滾筒量測模組，係具有振動分析儀和一對位移感測器，該振動分析儀係用以量測該滾筒沿著該轉軸軸心方向的位移，該對位移感測器係設置於該滾筒上方並間隔一預定距離，並用以量測該滾筒於旋轉過程中所產生的姿態傾斜；及滾筒致動裝置，係用以依據該滾筒量測模組的量測結果致動該滾筒，以補償該滾筒在旋轉過程中所產生的姿態傾斜；以及光路操控設備，係包括光學元件組和移動平台，該光學元件組係用以將一光束分為曝光用光束和量測用光束，而該移動平台係用以承載該光學元件組並平行於該滾筒的轉軸軸心方向進行線性移動，以使該曝光用光束和該滾筒之間產生相對運動而將一圖案曝光至該基材上，其中，該移動平台復用以依據該滾筒操控設備對該滾筒的量測結果，補償該滾筒於旋轉過程中該滾筒的位置及/或姿態的改變。
2. 如申請專利範圍第1項所述之光學微影曝光系統，其中，該滾筒致動裝置為壓電平台。
3. 如申請專利範圍第1項所述之光學微影曝光系統，其中，該移動平台依據該滾筒量測模組對該滾筒所量測的結果而對該滾筒進行線性移動，以補償該滾筒於旋轉過程中在該轉軸軸心方向所產生的位置改變。
4. 如申請專利範圍第1項所述之光學微影曝光系統，其中，該移動平台依據該滾筒量測模組對該滾筒所量測的結果而產生傾斜，以補償該滾筒在旋轉過程中所產生的姿態傾斜。
5. 如申請專利範圍第1項所述之光學微影曝光系統，其中，該光路操控設備復包括光束量測模組及光束調整模組，該光束量測模組係用以對該量測用光束進行量測，以供該光束調整模組依據該光束量測模組的量測結果調整該光束，俾補償該移動平台對該滾筒相對運動時對曝光至該基材上的圖案所造成的影響。
6. 如申請專利範圍第5項所述之光學微影曝光系統，其中，該光束調整模組係用以依據該光束量測模組的量測結果調整該光束，以補償該滾筒以該轉軸為中心旋轉時而對曝光至該基材的圖案所造成的影響。
7. 如申請專利範圍第5項所述之光學微影曝光系統，其中，該光束量測模組包括分光器、兩個凸透鏡和兩個光位移感測器，其中，該分光器係用以將該量測用光束分成兩道光束，以分別透過該兩個凸透鏡聚焦，再投射至 該兩個光位移感測器，藉由量測投射至該光位移感測器上的光點的位置，計算出該光束的位移和角度之改變。
8. 如申請專利範圍第5項所述之光學微影曝光系統，其中，該光束調整模組具有複數個光學元件及複數個致動器，該光束調整模組係用以依據該光束量測模組所量測的結果，藉由該些致動器控制該複數個光學元件來調整該光束。
9. 如申請專利範圍第5項所述之光學微影曝光系統，其中，該光學元件組包括複數個光學元件及複數個致動器，該些光學元件分別由該些致動器控制，以使該光束藉由該分光器產生該曝光用光束和量測用光束後，將該曝光用光束投射至該基材且將該量測用光束導入該光束量測模組。
10. 如申請專利範圍第1項所述之光學微影曝光系統，其中，該滾筒的旋轉係藉由旋轉馬達所驅動，以進行步進式或連續式轉動。
11. 如申請專利範圍第10項所述之光學微影曝光系統，其中，該滾筒之靠近該旋轉馬達的一端係架設於具V形槽或U形槽的承座上。
12. 如申請專利範圍第1項所述之光學微影曝光系統，其中，該光束為氬離子雷射。
13. 一種光學微影曝光方法，係包括以下步驟：(1)令承載光學元件組之移動平台以平行外表面繞設有基材的滾筒的轉軸軸心方向進行線性移動，以使 光束經該光學元件組而產生之曝光用光束和該滾筒之間產生相對運動而將圖案曝光至該基材上；以及(2)令滾筒操控設備對該滾筒進行量測，以令該移動平台依據該滾筒操控設備的量測結果，補償該滾筒於旋轉過程中的位置及/或姿態的改變；其中，步驟(2)復包括：(2-1)令該滾筒操控設備的一對位移感測器量測該滾筒於旋轉過程中所產生的姿態傾斜，於該滾筒於旋轉過程中所產生的姿態傾斜大於或等於第一預定值時進至步驟(2-2)，於該滾筒於旋轉過程中所產生的姿態傾斜小於該第一預定值時進至步驟(2-3)；(2-2)令該滾筒操控設備的滾筒致動裝置補償該滾筒在旋轉過程中所產生的姿態傾斜，並返回步驟(2-1)；(2-3)令該滾筒操控設備的振動分析儀量測該滾筒沿著該轉軸軸心方向的位移，於該滾筒沿著該轉軸軸心方向的位移大於或等於第二預定值時進至步驟(2-4)，於該滾筒沿著該轉軸軸心方向的位移小於該第二預定值時進至步驟(2-5)；(2-4)令該移動平台補償該滾筒於旋轉過程中沿著該轉軸軸心方向的位移，並返回步驟(2-3)之量測程序；及(2-5)令該曝光用光束將該圖案曝光至該基材上。
14. 如申請專利範圍第13項所述之光學微影曝光方法，於步驟(2)中，復包括令光路操控設備對該光束經該光學 元件組而產生之量測用光束進行量測。
15. 如申請專利範圍第14項所述之光學微影曝光方法，於步驟(2)中，復包括令該光路操控設備依據其量測結果調整該光束，以補償該移動平台對該滾筒相對運動時對曝光至該基材上的圖案所造成的影響。
16. 如申請專利範圍第14項所述之光學微影曝光方法，於步驟(2)中，復包括令該光路操控設備依據其量測結果調整該光束，以補償該滾筒於旋轉過程中對曝光至該基材上的圖案所造成的影響。