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TWI483233B - 像素結構及其驅動方法 - Google Patents

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TWI483233B
TWI483233B TW102105420A TW102105420A TWI483233B TW I483233 B TWI483233 B TW I483233B TW 102105420 A TW102105420 A TW 102105420A TW 102105420 A TW102105420 A TW 102105420A TW I483233 B TWI483233 B TW I483233B
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capacitor
unit
voltage
signal
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TW102105420A
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TW201432650A (zh
Inventor
Kaiteng Shih
Chunyen Liu
Chiayuan Yeh
Chenhao Kuo
Original Assignee
Au Optronics Corp
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Publication date
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Priority to CN201310142073XA priority patent/CN103383831A/zh
Priority to US13/910,292 priority patent/US9165503B2/en
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Description

像素結構及其驅動方法
本發明係有關於一種有機發光顯示裝置，尤指一種一種有機發光顯示裝置的像素結構。
在現在的各種數位顯示裝置中，主動式矩陣有機發光顯示裝置(Active Matrix Organic Light Emitting Display,AMOLED)因具有自發光、高亮度、高發光效率、高對比、反應速度快、廣視角以及可使用溫度範圍大等優點，因此在數位顯示裝置的市場上極具競爭性。
習知的AMOLED裝置中包含掃描驅動電路、資料驅動電路以及複數個像素單元。習知AMOLED裝置中每一個像素單元包含輸入電晶體、驅動電晶體、儲存電容以及發光二極體。
掃描驅動電路與資料驅動電路分別用來提供掃描訊號與資料訊號給每一像素單元中的輸入電晶體，每一像素單元據以控制驅動電晶體產生的驅動電流，進而驅動發光二極體運行並發光。
然而，在主動式矩陣有機發光顯示裝置的運作中，驅動電流係受驅動電晶體之臨界電壓(threshold voltage)所影響，因AMOLED裝置中不同的像素單元各自的驅動電晶體的臨界電壓存在一定誤差，臨界電壓誤差會導致畫素亮度失真而降低顯示品質。
本發明的實施例提供一種具臨界電壓補償機制之像素結構。其中，臨界電壓的補償時間可調整，不受單一掃描線的致能期間長度(通常為一個單位時脈長度)限制。此外，在發光二極體的發光時段內，進一步穩定像素電容的電壓並避免其浮接，提高其穩定性。
本揭示內容之一態樣是在提供一種像素結構，包含第一電容、第二電容、第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體以及發光二極體。第一電容具有第一端與第二端。第一電晶體具有第一端用以接收資料訊號、閘極端用以接收第一掃描訊號、以及第二端其電耦接第一電容的第一端。第二電晶體具有第一端用以接收第一參考電壓、閘極端其電耦接第一電容之第二端、以及第二端用以輸出驅動電流。第三電晶體具有第一端其電耦接第二電晶體之第二端、閘極端用以接收第二掃描訊號、以及第二端其電耦接第一電容之第二端與第二電晶體之閘極端。第四電晶體具有第一端其電耦接第二電晶體之閘極端、第三電晶體之第二端與第一電容之第二端、閘極端用以接收第三掃描訊號、以及第二端用以接收第二參考電壓。第五電晶體具有第一端用以接收第一參考電壓、閘極端用以接收第二掃描訊號、以及第二端其電耦接輸入單元、第一電容與耦合單元。第六電晶體具有第一端其電耦接第二電晶體之第二端、閘極端用以接收發光訊號、以及第二端其電耦接該發光二極體。發光二極體具有 第一端其電耦接第六電晶體的第二端、以及第二端用以接收第三參考電壓。第二電容具有第一端其電耦接第一電容之第一端、第五電晶體之第二端與第一電晶體之第二端、以及第二端用以接收發光訊號。
本揭示內容之另一態樣是在提供一種像素結構，包含第一電容、輸入單元、補償單元、像素驅動單元、重置單元、發光二極體、發光致能單元以及耦合單元。第一電容具有第一端與第二端。輸入單元用以根據第一掃描訊號與一資料訊號以控制第一電容之第一端的電壓。補償單元電耦接該第一電容，用以根據第二掃描訊號以控制第一電容兩端的電壓。像素驅動單元用以根據第一電容之第二端的電壓與第一參考電壓以提供驅動電流。重置單元電耦接該像素驅動單元，用以根據第三掃描訊號與第二參考電壓以重置第一電容之第二端的電壓。發光二極體用以接收第三參考電壓及驅動電流。發光致能單元電耦接於發光二極體與像素驅動單元之間，用以根據發光訊號提供驅動電流至發光二極體。耦合單元電耦接發光致能單元、第一電容之第一端、輸入單元與補償單元。
本揭示內容之另一態樣是在提供一種像素結構之驅動方法，如前述之像素結構，該驅動方法包含：於一第一時段內，透過該第三掃描訊號驅動該重置單元進而透過該第二參考電壓重置該第一電容之第二端的電壓；於該第一時段後之一第二時段內，透過該第二掃描訊號驅動該補償單元進而透過該第一參考電壓控制該第一電容之第一端的電壓，並透過該第二掃描訊號驅動該補償單元進而透過該像 素驅動單元之一輸出電壓控制該第一電容之第二端的電壓，藉此對該像素驅動單元執行臨界電壓補償運作；於該第二時段後之一第三時段內，透過該資料訊號控制該第一電容之第一端的電壓，並經由該第一電容耦合進而控制該第一電容之第二端的電壓，透過該第一電容之第二端的電壓驅動該像素驅動單元進而透過該第一參考電壓提供該驅動電流；以及，於該第三時段後之一第四時段內，穩定該第一電容之第一端的電壓並避免其浮接，透過該發光訊號驅動該發光致能單元進而將該驅動電流饋入該發光二極體。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
為了解決不同的像素單元間的臨界電壓誤差問題，部份習知像素單元進一步具有臨界電壓補償電路，用以補償驅動電晶體的臨界電壓。傳統的臨界電壓補償電路在該像素單元對應之掃描訊號被致能的期間啟動，在資料訊號的寫入期間內進行臨界電壓補償操作，因此，臨界電壓的補償時間受限於單一像素單元的致能期間長度(通常為一個單位時脈長度)。一般來說，臨界電壓補償大概需要10微 秒(μs)才能確保其效果。在高解析度且高刷新頻率的面板上致能期間長度相當短暫，一般情況下各種解析度下的致能期間長度如下表一所示：
由上表可知，欲將顯示裝置的解析度且刷新頻率提高時，可能會發生臨界電壓補償時間不足的情況。
請參閱第1圖，其繪示根據本發明之一實施例中一種顯示裝置的像素結構100的示意圖。實際應用中，本實施例的像素結構100可用於主動式矩陣有機發光顯示裝置(Active Matrix Organic Light Emitting Display,AMOLED)。顯示裝置中可包含複數個如第1圖所示之像素結構100，用以組成完整的顯示畫面。
如第1圖所示，每個像素結構100中包含第一電容C1、輸入單元110、補償單元120、像素驅動單元130、重置單元140、發光二極體150、發光致能單元160以及耦合單元170。
第一電容C1具有第一端N1與第二端N2。於實際應用中，第一電容C1可作為像素結構100中的像素儲存電容，用來儲存像素驅動單元130的控制電壓。
輸入單元110用以根據第一掃描訊號S1與資料訊號Vdata以控制第一電容C1之第一端N1的電壓。例如，當第一掃描訊號S1致能時，輸入單元110便將資料訊號Vdata輸入至第一電容C1之第一端N1。
像素驅動單元130用以根據第一電容C1之第二端N2的電壓與第一參考電壓以提供驅動電流Id。於此實施例中，第一參考電壓可為系統高電壓VDD ，但不以此為限。
補償單元120電耦接第一電容C1，用以根據第二掃描訊號S2以控制第一電容C1兩端(第一端N1與第二端N2)的電壓。例如，當第二掃描訊號S2致能時，補償單元120便可調整第一電容C1兩端的電壓，藉此對像素驅動單元130的臨界電壓(threshold voltage)進行補償。
重置單元140電耦接像素驅動單元130，用以根據第三掃描訊號S3與第二參考電壓以重置第一電容C1之第二端N2的電壓。於此實施例中，第二參考電壓可為特定準位的基準電壓Vref，但不以此為限。
發光二極體用150以接收第三參考電壓及驅動電流Id。於此實施例中，第三參考電壓可為系統低電壓VSS ，但不以此為限。
發光致能單元160電耦接於發光二極體150與像素驅動單元130之間，發光致能單元160用以根據發光訊號EM將驅動電流Id提供至發光二極體150。
耦合單元170電耦接發光致能單元160、第一電容C1之第一端N1、輸入單元110與補償單元120。
耦合單元170用以避免第一電容C1之第一端N1之電壓浮接。耦合單元170進一步用以排除電子元件之間寄生的雜散電容(parasitic capacitance)對第一電容C1的第一端N1之干擾。此外，當發光訊號EM由高準位轉換至低準位時，可透過耦合單元170的耦合效果將第一電容C1的第一端N1的電壓準位拉低，用以確保資料訊號Vdata可正確的寫入。
請一併參閱第2圖，其繪示根據本發明之一實施例中像素結構100的電路示意圖。
如第2圖之實施例所示，輸入單元110包含第一電晶體M1。第一電晶體M1之第一端用以接收資料訊號Vdata，第一電晶體M1之閘極端用以接收第一掃描訊號S1，第一電晶體M1之第二端電耦接補償單元120、第一電容C1之第一端N1與耦合單元170。第一電晶體M1用以根據第一掃描訊號S1與資料訊號Vdata以控制第一電容C1之第一端N1的電壓。
像素驅動單元130包含第二電晶體M2，用以根據第一電容C1之第二端N2的電壓與第一參考電壓以提供驅動電流Id。第二電晶體M2之第一端用以接收第一參考電壓(即系統高電壓VDD )，第二電晶體M2之閘極端電耦接第一電容C1的第二端N2。第二電晶體M2之第二端用以輸出驅動電流Id。其中，驅動電流Id的大小依第二電晶體M2的導通狀態而定。一般來說，驅動電流(Id)的電流大小可由下列公式(1)得知： 其中Vsg2 為像素驅動單元130中第二電晶體M2的源極與閘極之間的電壓差，Vth2 為第二電晶體M2的臨界電壓(threshold voltage)，W代表第二電晶體M2的通道寬度，L代表第二電晶體M2的通道長度，C代表第二電晶體M2的閘極電容，μ代表第二電晶體M2的等效載子遷移率(equivalent carrier mobility)。
如第2圖之實施例所示，補償單元120包含第三電晶體M3以及第五電晶體M5，用以根據第二掃描訊號S2以控制第一電容C1兩端(第一端N1與第二端N2)的電壓。第三電晶體M3之第一端電耦接像素驅動單元130(第二電晶體M2的第二端)與發光致能單元160，第三電晶體M3之閘極端用以接收第二掃描訊號S2，第三電晶體M3之第二端其電耦接第一電容C1與像素驅動單元130(第二電晶體M2的閘極端)。
第五電晶體M5之第一端用以接收第一參考電壓(即系統高電壓VDD )，第五電晶體M5之閘極端用以接收第二掃描訊號S2，第五電晶體M5之第二端電耦接輸入單元110(第一電晶體M1之第二端)、第一電容C1與耦合單元170。例如，當第二掃描訊號S2致能時，補償單元120中的第三電晶體M3以及第五電晶體M5即導通，並分別控制第一電容C1兩端的電壓，藉此對像素驅動單元130的臨界電壓進行補償。詳細的補償操作及做法將進一步詳述於後續段落中。
如第2圖之實施例所示，重置單元140包含第四電晶體M4，第四電晶體M4之第一端電耦接該像素驅動單元130(第二電晶體M2之閘極端)、第一電容C1(第一電容C1之第二端N2)與補償單元120(第三電晶體M3之第二端)，第四電晶體M4之閘極端用以接收第三掃描訊號S3，第四電晶體M4之第二端用以接收第二參考電壓(即基準電壓Vref)。例如，當第三掃描訊號S3致能時，第四電晶體M4即導通，並將第一電容C1之第二端N2的電壓(也就是第二電晶體M2之閘極端的電壓)重置到基準電壓Vref。
如第2圖之實施例所示，發光致能單元160包含第六電晶體M6，用以根據發光訊號EM選擇性地將驅動電流Id提供至發光二極體150。第六電晶體M6之第一端電耦接像素驅動單元130(第二電晶體M2之第二端)，第六電晶體M6之閘極端用以接收發光訊號EM，第六電晶體M6之第二端電耦接發光二極體150。
如第2圖之實施例所示，耦合單元170包含第二電容C2，第二電容C2之第一端其電耦接第一電容C1之第一端N1、補償單元120(第五電晶體M5之第二端)與輸入單元110(第一電晶體M1之第二端)，第二電容C2之第二端用以接收發光訊號EM。
耦合單元170之第二電容C2用以避免第一電容C1之第一端N1之電壓浮接。第二電容C2進一步用以排除電子元件之間寄生的雜散電容(parasitic capacitance)對第一電容C1的第一端N1之干擾。
此外，第二電容C2兩端耦接在第一電容C1的第一端N1與發光訊號EM之間。當發光訊號EM由高準位轉換至低準位時，可透過耦合單元170中的第二電容C2進行耦合將第一電容C1的第一端N1的電壓準位拉低，用以確保資料訊號Vdata可正確的寫入。
於本揭示文件中更提出一種像素結構之驅動方法，用以驅動如第1圖及第2圖所示之像素結構100。請一併參閱第3圖，其繪示像素結構100於驅動方法之一操作實施例的訊號時序示意圖。
如第2圖及第3圖所示，在於第一時段T1內，驅動方法提供具第一準位之第一掃描訊號S1至輸入單元110、提供具第一準位之第二掃描訊號S2至補償單元120、提供具有第二準位之第三掃描訊號S3至重置單元140、以及提供具有第一準位之發光訊號EM。
其中第二準位異於第一準位，於此實施例中，第二準位代表致能狀態之電壓準位，第一準位代表關閉狀態之電壓準位。於第2圖之實施例中，第一電晶體M1至第六電晶體M6以低壓致能(low enable)的電晶體作為舉例，相對應地，此例中第3圖所示的第一準位為高準位且第二準位為低準位，但本發明並不依此為限，或改用高壓致能(high enable)的電晶體，可相對應調整第一、第二準位之定義，此為習知技藝之人所熟知。
請一併參閱第4圖，其繪示在第一時段T1內第2圖之像素結構100中各電晶體之狀態示意圖。
於第一時段T1內，透過第三掃描訊號S3(處於代表致能狀態之第二準位)驅動重置單元140中的第四電晶體M4導通，進而透過第二參考電壓(Vref)重置第一電容C1之第二端N2的電壓。
於第一時段T1內，第一電晶體M1、第三電晶體M3、第五電晶體M5以及第六電晶體M6不導通。於此實施例中，第一時段T1對應到像素結構100的重置時段。
如第2圖及第3圖所示，於第一時段T1後之第二時段T2內，驅動方法將第三掃描訊號S3從第二準位切換為第一準位，以關閉第四電晶體M4進而除能(disable)重置單元140之重置運作。
另一方面，驅動方法將第二掃描訊號S2從第一準位切換為第二準位，以透過第二掃描訊號S2驅動補償單元120中的第三電晶體M3以及第五電晶體M5導通。
請一併參閱第5圖，其繪示在第二時段T2內第2圖之像素結構100中各電晶體之狀態示意圖。
於第二時段T2內，因第五電晶體M5導通，而透過第一參考電壓(即系統高電壓VDD )控制第一電容C1之第一端N1的電壓，也就是此時的第一端N1的電壓約等於VDD 。
另一方面，因第三電晶體M3導通，而透過像素驅動單元130之輸出電壓(即第二電晶體M2之第二端電壓)控制第一電容C1之第二端N2的電壓(即第二電晶體M2之閘極電壓)，藉此對像素驅動單元130之第二電晶體M2執行臨界電壓補償運作。隨著，第五電晶體M5導通對第二電晶 體M2之閘極電壓進行補償並達到穩定後(透過系統高電壓VDD 對於第二電晶體M2之閘極進行充電，直到第二電晶體M2恰導通)，第二電晶體M2之閘極電壓(第二端N2的電壓)約等於VDD -|Vth2 |，也就是說，第一電容C1兩端的跨壓約等於Vth2 ，其中Vth2 為第二電晶體M2的臨界電壓。於此實施例中，第二時段T2對應到像素結構100的補償時段。
於第二時段T2內，第一電晶體M1、第四電晶體M4以及第六電晶體M6不導通。須補充說明的是，第二時段T2的作動由獨立的第二掃描訊號S2控制，其時間長度不受限於單一個列掃描時間(Line Time)(可參見第3圖所示之資料訊號Vdata，第3圖中時間軸個每個區段為一列畫素寫入資料訊號的時間)，亦不受限於其他動作(如重置、資料寫入、發光致動等動作)的時脈長度，第二時段T2之期間可例如為單一列掃描時間的N倍，N為2以上的正整數，例如於第3圖之實施例中，第二時段T2之持續期間可為兩倍的單一列掃描時間。如此一來，可確保像素結構100具有足夠的時間完成臨界電壓補償運作，亦即可以使第二電晶體M2之閘極電壓(第二端N2的電壓)可以有足夠的時間可以轉換，以進行對於電晶體M2臨界電壓Vth的補償。
如第2圖及第3圖所示，於第二時段T2後之第三時段T3內，驅動方法將第二掃描訊號S2從第二準位切換為第一準位以除能補償單元120之臨界電壓補償運作，並將第一掃描訊號S1從第一準位切換為第二準位。
請一併參閱第6圖，其繪示在第三時段T3內第2圖之 像素結構100中各電晶體之狀態示意圖。於此實施例中，第三時段T3對應到像素結構100的資料寫入時段。
於第三時段T3內，因第一掃描訊號S1將輸入單元110之第一電晶體M1導通，驅動方法透過資料訊號Vdata控制第一電容C1之第一端N1的電壓，第一端N1的電壓由VDD 變為Vdata。
並經由第一電容C1耦合，控制第一電容C1之第二端N2的電壓轉變為Vdata-|Vth2 |。透過該第一電容C1之第二端N2的電壓驅動像素驅動單元130之第二電晶體M2的閘極端，進而使第二電晶體M2透過第一參考電壓(即VDD )提供驅動電流Id。
於第三時段T3內，第三電晶體M3、第四電晶體M4、第五電晶體M5以及第六電晶體M6不導通。
此外，如第3圖所示，於第四時段T4發生前(即第一掃描訊號S1升至高準位前)，發光訊號EM提早降至低準位。其目的在於避免第一掃描訊號S1已升至高準位(第一開關M1關閉)之後發光訊號EM才降至低準位的不理想情況，上述不理想情況會將第一電容C1之第一端N1之電壓準位拉過低，使第二電晶體M2的臨界電壓補償失真。
因此，在第一掃描訊號S1升至高準位(第一開關M1關閉)之前，提早觸發發光訊號EM，可藉由第一掃描訊號S1訊號來耦合，確保第二電晶體M2的臨界電壓的準確補償。在此過程中必須確保，在發光訊號EM提早觸發前，第一掃描訊號S1的啟動時間須足以完成資料訊號Vdata的寫入。
如第2圖及第3圖所示，於第三時段T3後之第四時段T4內，驅動方法將發光訊號EM設定為第二準位，並將第一掃描訊號S1從第二準位切換為第一準位以除能輸入單元110之輸入操作。請一併參閱第7圖，其繪示在第四時段T4內第2圖之像素結構100中各電晶體之狀態示意圖。於此實施例中，第四時段T4對應到像素結構100的發光時段。
於第四時段T4內，切換至第二準位的發光訊號EM驅動發光致能單元160中的第六電晶體M6導通，進而將驅動電流Id饋入發光二極體150。
於第四時段T4內，第一電晶體M1、第三電晶體M3、第四電晶體M4以及第五電晶體M5不導通。
於實際應用中，第四時段T4即發光二極體150的發光時段將持續一特定時間，在此期間，與第一電容C1之第一端N1耦接的兩個電晶體(第一電晶體M1與第五電晶體M5)皆不導通。
若第一電容C1之第一端N1為浮接(floating)，則可能發生電壓漂移，進而影響到第二端N2的電壓以及第二電晶體M2產生之驅動電流Id之大小。耦合單元170中的第二電容C2之一端接收發光訊號EM並兩端維持一定的電壓差，可用以避免第一電容C1之第一端N1之電壓浮接，使第一端N1之電壓能大致維持在Vdata-|Vth2 |。
當發光訊號EM由高準位轉換至低準位時，可透過耦合單元170中第二電容C2的耦合效果將第一電容C1的第一端N1的電壓準位拉低，用以確保資料訊號Vdata可正確 的寫入。
耦合單元170可進一步用以排除電子元件之間寄生的雜散電容(parasitic capacitance)對第一電容C1的第一端N1之干擾。
此時，因為第二電晶體M2的源極與閘極之間的電壓差Vsg2 =VDD -(Vdata-|Vth2 |)。
第四時段T4中，驅動電流Id的電流大小可由公式(2)得知： 也就是說，理想上，透過本實施例之像素結構100及驅動方法，發光時段中驅動電流Id的電流大小不受驅動電晶體的元件特性(如臨界電壓不同)而影響，可提供相對穩定的驅動電流。
綜上所述，本發明實施例提供一種具臨界電壓補償機制之像素結構。其中，臨界電壓的補償時間可調整，不受單一列掃描時間的長度(即一列畫素寫入資料訊號的時間)限制。此外，在發光二極體的發光時段內，進一步穩定像素電容的電壓並避免其浮接，提高其穩定性。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧像素結構
110‧‧‧輸入單元
120‧‧‧補償單元
130‧‧‧像素驅動單元
140‧‧‧重置單元
150‧‧‧發光二極體
160‧‧‧發光致能單元
170‧‧‧耦合單元
C1‧‧‧第一電容
C2‧‧‧第二電容
M1‧‧‧第一電晶體
M2‧‧‧第二電晶體
M3‧‧‧第三電晶體
M4‧‧‧第四電晶體
M5‧‧‧第五電晶體
S1‧‧‧第一掃描訊號
S2‧‧‧第二掃描訊號
S3‧‧‧第三掃描訊號
EM‧‧‧發光訊號
第1圖繪示根據本發明之一實施例中一種顯示裝置的像素結構的示意圖；第2圖繪示根據本發明之一實施例中像素結構的電路示意圖；第3圖繪示像素結構於驅動方法之一操作實施例的訊號時序示意圖；第4圖繪示在第一時段內第2圖之像素結構中各電晶體之狀態示意圖；第5圖繪示在第二時段內第2圖之像素結構中各電晶體之狀態示意圖；第6圖繪示在第三時段內第2圖之像素結構中各電晶體之狀態示意圖；以及第7圖繪示在第四時段內第2圖之像素結構中各電晶體之狀態示意圖。
100‧‧‧像素結構
110‧‧‧輸入單元
120‧‧‧補償單元
130‧‧‧像素驅動單元
140‧‧‧重置單元
150‧‧‧發光二極體
160‧‧‧發光致能單元
170‧‧‧耦合單元
C1‧‧‧第一電容

Claims (15)

  1. 一種像素結構，包含：一第一電容，具有一第一端與一第二端；一第一電晶體，具有一第一端用以接收一資料訊號、一閘極端用以接收一第一掃描訊號、以及一第二端其電耦接該第一電容的第一端；一第二電晶體，具有一第一端用以接收一第一參考電壓、一閘極端其電耦接該第一電容之第二端、以及一第二端用以輸出一驅動電流；一第三電晶體，具有一第一端其電耦接該第二電晶體之第二端、一閘極端用以接收一第二掃描訊號、以及一第二端其電耦接該第一電容之第二端與該第二電晶體之閘極端；一第四電晶體，具有一第一端其電耦接該第二電晶體之閘極端、該第三電晶體之第二端與該第一電容之第二端、一閘極端用以接收一第三掃描訊號、以及一第二端用以接收一第二參考電壓；一第五電晶體，具有一第一端用以接收該第一參考電壓、一閘極端用以接收該第二掃描訊號、以及一第二端其電耦接該第一電晶體及該第一電容；一第六電晶體，具有一第一端其電耦接該第二電晶體之第二端、一閘極端用以接收一發光訊號、以及一第二端；一發光二極體，具有一第一端其電耦接該第六電晶體的第二端、以及一第二端用以接收一第三參考電壓；以及一第二電容，具有一第一端其電耦接該第一電容之第 一端、該第五電晶體之第二端與該第一電晶體之第二端、以及一第二端用以接收該發光訊號。
  2. 一種像素結構，包含：一第一電容，具有一第一端與一第二端；一輸入單元，用以根據一第一掃描訊號與一資料訊號以控制該第一電容之第一端的電壓；一像素驅動單元，用以根據該第一電容之第二端的電壓與一第一參考電壓以提供一驅動電流，其中該像素驅動單元包含一第二電晶體，該第二電晶體具有一第一端用以接收該第一參考電壓、一閘極端其電耦接該第一電容的第二端、以及一第二端用以輸出該驅動電流；一補償單元，電耦接該第一電容，用以根據一第二掃描訊號以控制該第一電容兩端的電壓，使該第一電容電性耦接到該第一參考電壓，並使該第二電晶體的該第二端與該第一端導通；一重置單元，電耦接該像素驅動單元，用以根據一第三掃描訊號與一第二參考電壓以重置該第一電容之第二端的電壓；一發光二極體，用以接收一第三參考電壓及該驅動電流；一發光致能單元，電耦接於該發光二極體與該像素驅動單元之間，用以根據一發光訊號將該驅動電流提供至該發光二極體；以及 一耦合單元，電耦接該發光致能單元、該第一電容之第一端、該輸入單元與該補償單元，其中該耦合單元包含一第二電容，該第二電容具有一第一端其電耦接該第一電容之第一端、該補償單元與該輸入單元、以及一第二端用以接收該發光訊號。
  3. 如請求項2所述之像素結構，其中該補償單元包含一第三電晶體，該第三電晶體具有一第一端其電耦接該像素驅動單元與該發光致能單元、一閘極端用以接收該第二掃描訊號、以及一第二端其電耦接該第一電容與該像素驅動單元。
  4. 如請求項2所述之像素結構，其中該重置單元包含一第四電晶體，該第四電晶體具有一第一端其電耦接該補償單元、該第一電容與該像素驅動單元、一閘極端用以接收該第三掃描訊號、以及一第二端用以接收該第二參考電壓。
  5. 如請求項2所述之像素結構，其中該補償單元包含一第五電晶體，該第五電晶體具有一第一端用以接收該第一參考電壓、一閘極端用以接收該第二掃描訊號、及一第二端其電耦接該輸入單元、該第一電容與該耦合單元。
  6. 如請求項2所述之像素結構，其中該發光致能單元包含一第六電晶體，該第六電晶體具有一第一端其電耦接 該像素驅動單元、一閘極端用以接收該發光訊號、及一第二端其電耦接該發光二極體。
  7. 如請求項2至6任一項所述之像素結構，其中該輸入單元包含一第一電晶體，該第一電晶體具有一第一端用以接收該資料訊號、一閘極端用以接收該第一掃描訊號、以及一第二端電耦接該補償單元、該第一電容與該耦合單元。
  8. 如請求項2所述之像素結構，其中該耦合單元進一步用以排除雜散電容對該第一電容的第一端之干擾。
  9. 一種像素結構之驅動方法，用以驅動如請求項2所述之像素結構，該驅動方法包含：於一第一時段內，透過該第三掃描訊號驅動該重置單元進而透過該第二參考電壓重置該第一電容之第二端的電壓；於該第一時段後之一第二時段內，透過該第二掃描訊號驅動該補償單元進而透過該第一參考電壓控制該第一電容之第一端的電壓，並透過該第二掃描訊號驅動該補償單元進而透過該像素驅動單元之一輸出電壓控制該第一電容之第二端的電壓，藉此對該像素驅動單元執行臨界電壓補償運作；於該第二時段後之一第三時段內，透過該資料訊號控制該第一電容之第一端的電壓，並經由該第一電容耦合進 而控制該第一電容之第二端的電壓，透過該第一電容之第二端的電壓驅動該像素驅動單元進而透過該第一參考電壓提供該驅動電流；於該第三時段後之一第四時段內，穩定該第一電容之第一端的電壓並避免其浮接，透過該發光訊號驅動該發光致能單元進而將該驅動電流饋入該發光二極體。
  10. 如請求項9所述之驅動方法，其中於該第一時段內，該驅動方法更包含：提供具一第一準位之該第一掃描訊號至該輸入單元；提供具該第一準位之該第二掃描訊號至該補償單元；提供具有一第二準位之該第三掃描訊號至該重置單元，其中該第二準位異於該第一準位；以及提供具該第一準位之該發光訊號至該發光致能單元。
  11. 如請求項10所述之驅動方法，其中於該第二時段內，該驅動方法更包含：將該第三掃描訊號從該第二準位切換為該第一準位，以除能該重置單元之重置運作；以及將該第二掃描訊號從該第一準位切換為該第二準位。
  12. 如請求項11所述之驅動方法，於該第三時段內，該驅動方法更包含：將該第二掃描訊號從該第二準位切換為該第一準位以 除能該補償單元之臨界電壓補償運作；以及將該第一掃描訊號從該第一準位切換為該第二準位。
  13. 如請求項12所述之驅動方法，於該第三時段內，在該第一掃描訊號從該第二準位切換為該第一準位之前，該驅動方法更包含：將該發光訊號從該第一準位切換為該第二準位。
  14. 如請求項12所述之驅動方法，於該第四時段內，該驅動方法更包含：將該發光訊號設定為該第二準位；以及將該第一掃描訊號從該第二準位切換為該第一準位以除能該輸入單元之輸入操作。
  15. 如請求項9至14任一項所述之驅動方法，其中該第二時段之期間大致上為一列掃描時間的N倍，N為2以上的正整數。
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