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TWI449773B - 液晶介質及液晶顯示器 - Google Patents

液晶介質及液晶顯示器 Download PDF

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TWI449773B
TWI449773B TW097114962A TW97114962A TWI449773B TW I449773 B TWI449773 B TW I449773B TW 097114962 A TW097114962 A TW 097114962A TW 97114962 A TW97114962 A TW 97114962A TW I449773 B TWI449773 B TW I449773B
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TW
Taiwan
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group
formula
component
compounds
liquid crystal
Prior art date
Application number
TW097114962A
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English (en)
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TW200904951A (en
Inventor
Markus Czanta
Andreas Taugerbeck
Renate Bender
Original Assignee
Merck Patent Gmbh
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Publication date
Application filed by Merck Patent Gmbh filed Critical Merck Patent Gmbh
Publication of TW200904951A publication Critical patent/TW200904951A/zh
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Description

液晶介質及液晶顯示器
本發明係關於液晶介質且係關於包含該等介質之液晶顯示器，尤其係關於藉由主動式矩陣定址之顯示器且具體而言係關於扭轉向列相(TN)、共面轉換(IPS)或邊緣場轉換(FFS)型顯示器。
液晶顯示器(LCD)可用於資訊顯示之多個領域。LCD可用於直視顯示器及投影型顯示器。使用諸如以下電－光模式：扭轉向列相(TN)、超扭轉向列相(STN)、光學補償彎曲(OCB)及電控雙折射(ECB)模式及其各種修改形式、以及其他模式。所有該等模式皆使用與基材或液晶層實質上垂直之電場。除該等模式外，亦存在使用與基材或液晶層實質上平行之電場之電－光模式，例如共面轉換(IPS)模式(如例如德國專利第40 00 451號及歐洲專利第0 588 568號中所揭示者)及邊緣場轉換(FFS)模式，其中存在強"邊緣場"，即靠近電極邊緣之強電場及在整個晶元內具有強垂直分量及強水平分量之電場。該後兩種電－光模式尤其可用於現代桌上型監視器中之LCD且意欲用於電視機及多媒體應用中之顯示器。本發明液晶較佳用於此類型之顯示器。一般而言，具有較低介電各向異性值之正介電性液晶介質可用於FFS顯示器中，但在某些情況下介電各向異性僅為約3或甚至更低之液晶介質亦可用於IPS顯示器中。
對於該等顯示器而言，需要具有改良特性之新穎液晶介 質。對於多種類型應用而言，尤其必須改良響應時間。因此，需要具有較低黏度(η)、尤其具有較低旋轉黏度(γ1 )之液晶介質。旋轉黏度應為80 mPa．s或更低，較佳為60 mPa．s或更低，且尤其為55 mPa．s或更低。除此參數外，介質必須具有具有適宜寬度及位置之向列相範圍及適宜雙折射率(△n)，且介電各向異性(△ε)應足夠高以使得可採用適當低之工作電壓。△ε較佳應大於3且極佳應大於4，但較佳不超過15且尤其不超過12，因為此可防止至少稍高之電阻率。
本發明顯示器較佳藉由主動式矩陣(簡稱為主動式矩陣LCD、AMD)定址，較佳藉由薄膜電晶體(TFT)來定址。然而，本發明液晶亦可有利地用於具有其他已知定址方式之顯示器中。
存在多種使用低分子量液晶材料以及聚合材料之複合系統之不同顯示模式。舉例而言，該等顯示模式係聚合物分散液晶(PDLC)、向列型曲線排列相(NCAP)及聚合物網絡(PN)系統(如例如WO 91/05 029中所揭示者)或軸向均衡性微區(ASM)系統及其他模式。與該等相反，本發明尤其較佳之模式使用如此定向於表面上之液晶介質。通常對該等表面實施預處理以獲得液晶材料之均勻排列。本發明顯示模式較佳使用與複合層實質上平行之電場。
適用於LCD且尤其適用於IPS顯示器之液晶組合物可自(例如)以下文獻得知：日本專利第07－181 439(A)號、歐洲專利第0 667 555號、歐洲專利第0 673 986號、德國專利第 195 09 410號、德國專利第195 28 106號、德國專利第195 28 107號、WO 96/23 851及WO 96/28 521。然而，該等組合物具有嚴重缺點。在其他缺點中，其大多不利地導致長響應時間、具有不足電阻率值及/或需要過高工作電壓。
因此，業內迫切需要具有適用於實際應用之特性的液晶介質，例如寬向列相範圍、對應於所用顯示模式之適宜光學各向異性△n、高△ε及特別低之黏度。
令人驚訝地，現在已發現可獲得具有適宜高△ε、適宜相範圍及△n之液晶介質，其不表現先前技術中材料之缺陷，或至少僅在顯著較低之程度上表現。
本申請案之該等經改良液晶介質至少包括下列組份：－第一正介電性組份，即組份A，其包含一或多種式I正介電性化合物 其中R1 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基且較佳為烷基或烯基，X1 表示－CN、鹵素、具有1至3個C原子之鹵代烷基或鹵代烷氧基或具有2或3個C原子之鹵代烯基 或鹵代烯氧基，較佳為F、Cl、－OCF3 、－CF3 或O－CH＝CF2 ，更佳為F、Cl或－OCF3 且極佳為F，Y1 表示＝N－、＝(CH)－或＝(CF)－，及彼此獨立，且若環A11 及/或A12 出現不止一次，則該等亦彼此獨立地表示以下基團： 或，較佳為 或，且亦表示Z11 至Z13 彼此獨立，且若Z11 及/或Z13 出現不止一次，則該等亦彼此獨立地表示以下基團：－CH2 CH2 －、－CF2 CF2 －、－COO－、反－CH＝CH－、反－CF＝CF－、－CH2 O－、－CF2 O－或單鍵，較佳為－CH2 CH2 －、－COO－、反－CH＝CH－或單鍵，且極佳為單鍵，L11 至L14 彼此獨立地表示H或F，較佳地L11 至L14 中之兩者或更多表示F，較佳地L11 及/或L13 表示F且極佳地其皆表示F，且j及k彼此獨立地表示0、1或2，但其中(j＋k)表示0、1或2，較佳為0或1，及－視需要第二正介電性組份，即組份B，其包含一或多種正介電性化合物，較佳具有大於3之介電各向異性，較佳選自式II及III化合物之群： 其中R2 及R3 彼此獨立地表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，且R2 及R3 較佳表示烷基或烯基， 彼此獨立地表示 或，較佳為 L21 、L22 、L31 及L32 彼此獨立地表示H或F，L21 及/或L31 較佳表示F，X2 及X3 彼此獨立地表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵代烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵代烯基或烯氧基，較佳為F、Cl、－OCF3 或－CF3 ，極佳為F、Cl或－OCF3 ，Z3 表示－CH2 CH2 －、－CF2 CF2 －、－COO－、反－CH＝CH－、反－CF＝CF－、－CH2 O－或單鍵，較佳為－CH2 CH2 －、－COO－、反－CH＝CH－或單鍵，且極佳為－COO－、反－CH＝CH－或單鍵，且l、m、n及o彼此獨立地表示0或1，及－視需要介電中性組份，即組份C，其包含一或多種式IV介電中性化合物 其中 R41 及R42 彼此獨立地具有上述用於式II下R2 之含義，較佳地R41 表示烷基且R42 表示烷基或烷氧基或R41 表示烯基且R42 表示烷基， 彼此獨立，且倘若出現兩次，則該等亦彼此獨立地表示以下基團： 較佳地及中之一或多種表示 Z41 及Z42 彼此獨立，且倘若Z41 出現兩次，則該等亦彼此獨立地表示以下基團：－CH2 CH2 －、－COO－、反－CH＝CH－、反－CF＝CF－、－CH2 O－、－CF2 O－、－C≡C－或單鍵，較佳地其中之一或多個表示單鍵，且p表示0、1或2，較佳為0或1。
組份A較佳包含一或多種介電各向異性大於3之式I正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成，其中各參數具有針對上述式I指明之相應含義且X1 較佳表示F。
在本發明較佳實施例中，組份A較佳包含一或多種介電各向異性大於3之式I'、I"及I'''正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成： 其中各參數具有上述式I下之含義。
在本發明第一尤其較佳之實施例中，組份A較佳包含一或多種介電各向異性大於3之式I'正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成。
在本發明另一尤其較佳之實施例中，組份A較佳包含一或多種介電各向異性大於3之式I"正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成。
在本發明另一尤其較佳之實施例中，組份A較佳包含一或多種介電各向異性大於3之式I'正介電性化合物及一或多種介電各向異性大於3之式I"正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成。
在本發明極佳實施例中，組份A較佳包含一或多種介電各向異性大於3之正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成，該等化合物係選自式I'A、I'B及I'C化合物之群，且較佳具有式 I'A： 其中各參數具有上述式I下之含義，但在式I'B中j不表示0。
在本發明較佳實施例中，組份A較佳包含一或多種介電各向異性大於3之正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成，該等化合物係選自式I'A－1及I'A－2化合物之群： 其中各參數具有上述式I下之相應含義，且在式I'A－2中參數L15 及L16 彼此獨立且獨立於其他參數並且表示H或F，且L15 較佳表示F。
在本發明較佳實施例中，組份A包含一或多種式I'A－1化合物。式I'A－1化合物較佳係選自式I'A－1a至I'A－1d化合物之群： 其中R1 及X1 具有上述式I'A－1下之相應含義，且X1 較佳表示F、CF3 或OCF3 且尤其較佳為F。
在本發明較佳實施例中，組份A包含一或多種式I'A－2化合物。式I'A－2較佳係選自式I'A－2a至I'A－2n化合物之群， 較佳選自式I'A－2e至I'A－21化合物之群，且極佳具有式I'A－21： 其中R1 及X1 具有上述式I'A－2下之相應含義，且X1 較佳表示F、CF3 或OCF3 且尤其較佳為F。
在本發明另一尤其較佳之實施例中，組份A較佳包含一或多種介電各向異性大於3之正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成，該等化合物係選自式I"A、I"B及I"C化合物之群，較佳具有式I"A及I"B： 其中各參數具有上述式I下之含義，但在式I"B中j不表示0。
在本發明較佳實施例中，組份A較佳包含一或多種介電 各向異性大於3之正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成，該等化合物係選自式I"A－1及I"A－2化合物之群： 其中各參數具有上述式I下之相應含義，且在式I"A－2中參數L15 及L16 彼此獨立且獨立於其他參數並且表示H或F，且L15 較佳表示F。
在本發明較佳實施例中，組份A包含一或多種式I"A－1化合物。式I"A－1化合物較佳係選自式I"A－1a至I"A－1d化合物之群，尤其較佳具有式I"A－1d： 其中R1 及X1 具有上述式I"A－1下之相應含義，且X1 較佳表示F、CF3 或OCF3 且尤其較佳為F。
在本發明較佳實施例中，組份A包含一或多種式I"A－2化合物。式I"A－2化合物較佳係選自式I"A－2a至I"A－2n化合物之群，較佳係選自式I"A－2e至I"A－21化合物之群且極佳具有式I"A－21： 其中R1 及X1 具有上述式I"A－2下之相應含義，且X1 較佳表示F、CF3 或OCF3 且尤其較佳為F。
在本發明較佳實施例中，組份A包含一或多種選自式I"B－1至I"B－3化合物之群之化合物，較佳較佳具有式I"B－2： 其中R1 及X1 具有上述式I"B下之相應含義，且在式I"B－3中參數L15 及L16 彼此獨立且獨立於其他參數並且表示H或F，且L15 較佳表示F，且X1 較佳表示F、CF3 或OCF3 且尤其較佳為F。
在本發明另一尤其較佳之實施例中，組份A較佳包含一或多種介電各向異性大於3之正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成，該等化合物係選自式I'''A、I'''B及I'''C化合物之群，較佳具有式I'''A及I'''B： 其中各參數具有上述式I下之含義，但在式I'''B中j不表示0。
在本發明較佳實施例中，組份A較佳包含一或多種介電各向異性大於3之正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成，該等化合物係選自式I'''A－1及I'''A－2化合物之群： 其中各參數具有上述式I下之相應含義，且在式I'''A－2中參數L15 及L16 彼此獨立且獨立於其他參數並且表示H或F，且L15 較佳表示F。
在本發明較佳實施例中，組份A包含一或多種式I'''A－1化合物。式I'''A－1化合物較佳係選自式I'''A－1a至I'''A－1d化合物之群，尤其較佳具有式I'''A－1d： 其中R1 及X1 具有上述式I"A－1下之相應含義，且X1 較佳表示F、CF3 或OCF3 且尤其較佳為F。
在本發明較佳實施例中，組份A包含一或多種選自式I'''B－1至I'''B－3化合物之群之化合物，較佳具有式I'''B－3： 其中R1 及X1 具有上述式I'''B下之相應含義，且在式I'''B－3中參數L15 及L16 彼此獨立且獨立於其他參數並且表示H或F且L15 較佳表示F，且X1 較佳表示F、CF3 或OCF3 且尤其較佳為F。
介質中組份A之濃度較佳在1%至50%範圍內，更佳為2%至40%，甚至更佳為4%至35%且極佳為5%至30%。
本發明介質較佳包含第二正介電性組份，即組份B。此第二電介質組份(組份B)較佳包含介電各向異性大於3之正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成。
此組份(組份B)較佳包含一或多種介電各向異性大於3之正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成，該等化合物係選自式II及III之群。
在本發明較佳實施例中，組份B較佳包含一或多種介電各向異性大於3之正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成，該等 化合物係選自式II－1至II－3化合物之群： 其中各參數具有上述式II下之相應含義，且在式II－1中參數L23 及L24 彼此獨立且獨立於其他參數並且表示H或F，且在式II－2中， 較佳彼此獨立地表示
組份B較佳包含選自式II－1至II－3化合物之群之化合物， 其中L21 及L22 或L23 及L24 二者皆表示F。
在較佳實施例中，組份B包含選自式II－1及II－2化合物之群之化合物，其中L21 、L22 、L23 及L24 皆表示F。
組份B較佳包含一或多種式II－1化合物。式II－1化合物較佳選自式II－1a至II－1j化合物之群： 其中各參數具有上述相應含義，且L25 至L28 彼此獨立地表示H或F，較佳地L27 及L28 二者皆表示H，尤其較佳地L26 表示H。
組份B較佳包含選自式II－1a至II－1e化合物之群之化合物，其中L21 及L22 二者皆表示F及/或L23 及L24 二者皆表示F。
在較佳實施例中，組份B包含選自式II－1a至II－1h化合物之群之化合物，其中L21 、L22 、L23 及L24 皆表示F。
尤其較佳之式II－1化合物係 其中R2 及X2 具有上述含義，且X2 較佳表示F。
組份B較佳包含一或多種式II－2化合物。式II－2化合物較佳係選自式II－2a至II－2c化合物之群： 其中各參數具有上述相應含義，且L21 及L22 二者較佳皆表示F。
組份B較佳包含一或多種式II－3化合物。式II－3化合物較佳係選自式II－3a至II－3e化合物之群： 其中各參數具有上述相應含義，且L25 及L26 彼此獨立且獨立於其他參數並且表示H或F，且較佳地，在式II－3a及II－3b中L21 及L22 二者皆表示F，在式II－3c及II－3d中L21 及L22 二者皆表示F及/或L23 及L24 二者皆表示F，且在式II－3e中L21 、L22 及L23 表示F。
尤其較佳之式II－3化合物係 其中R2 具有上述含義。
在本發明另一較佳實施例中，組份B較佳包含一或多種介電各向異性大於3之正介電性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成，該等化合物係選自式III－1及III－2之群： 其中各參數具有上述式III下之相應含義。
組份B較佳包含一或多種式III－1化合物。式III－1化合物較佳係選自式III－1a及III－1b化合物之群： 其中各參數具有上述相應含義，且參數L33 及L34 彼此獨立且獨立於其他參數並且表示H或F。
組份B較佳包含一或多種式III－2化合物。式III－2化合物較佳係選自式III－2a至III－2h化合物之群： 其中各參數具有上述相應含義，且參數L35 及L36 彼此獨立且獨立於其他參數並且表示H或F。
組份B較佳包含一或多種式III－1a化合物，其較佳係選自式III－1a－1至III－1a－6化合物之群： 其中R3 具有上述含義。
組份B較佳包含一或多種式III－1b化合物，其較佳係選自式III－1b－1至III－1b－4化合物之群，較佳為III－1b4： 其中R3 具有上述含義。
組份B較佳包含一或多種式III－2a化合物，其較佳係選自式III－2a－1至III－2a－4化合物之群： 其中R3 具有上述含義。
組份B較佳包含一或多種式III－2b化合物，其較佳係選自 式III－2b－1及III－2b－2化合物之群，較佳為III－2b－2： 其中R3 具有上述含義。
組份B較佳包含一或多種式III－2c化合物，其較佳係選自式III－2c－1至III－2c－5化合物之群： 其中R3 具有上述含義。
組份B較佳包含一或多種選自式III－2d及III－2e化合物之群之化合物，其較佳係選自式III－2d－1及III－2e－1化合物之群： 其中R3 具有上述含義。
組份B較佳包含一或多種式III－2f化合物，其較佳係選自式III－2f－1至III－2f－5化合物之群： 其中R3 具有上述含義。
組份B較佳包含一或多種式III－2g化合物，其較佳係選自式III－2g－1至III－2g－5化合物之群： 其中R3 具有上述含義。
組份B較佳包含一或多種式III－2h化合物，其較佳係選自式III－2h－1至III－2h－5化合物之群： 其中R3 具有上述含義。
或者或除式III－1及/或III－2化合物外，本發明介質可包含一或多種式III－3化合物 其中各參數具有上述式III下之相應含義且較佳係選自式III－3a及III－3b之群： 其中R3 具有上述含義。
本發明液晶介質較佳包含介電中性組份，即組份C。該組份具有介於－1.5至3之間之介電各向異性。其較佳包含介電各向異性在－1.5至3範圍內之介電中性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且尤其較佳地完全由其組成。此組份較佳包含一或多種介電各向異性在－1.5至3範圍內之式IV介電中性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成。
介電中性組份(組份C)較佳包含一或多種選自式IV－1至 IV－6化合物之群之化合物： 其中R41 及R42 具有上述式IV下之相應含義，且在式IV－1、IV－5及IV－6中R41 較佳表示烷基或烯基，較佳為烯基，且R42 較佳表示烷基或烯基，較佳為烷基，在式IV－2中R41 及R42 較佳表示烷基，且在式IV－4中R41 較佳表示烷基或烯基，更佳為烷基，且R42 較佳表示烷基或烷氧基，更佳為烷氧基。
介電中性組份(組份C)較佳包含一或多種選自式IV－1、IV－4、IV－5及IV－6之化合物，較佳包含一或多種式IV－1化合物及一或多種選自式IV－4及IV－5之群之化合物，更佳包 含式IV－1、IV－4及IV－5中每一種之一或多種化合物，且極佳地包含式IV－1、IV－4、IV－5及IV－6中每一種之一或多種化合物。
在較佳實施例中，組份C較佳包含一或多種式IV－5化合物，該等化合物更佳選自其以下各子式：式CCP－V－n及/或CCP－nV－m及/或CCP－Vn－m，更佳具有式CCP－V－n及/或CCP－V2－n且極佳地選自式CCP－V－1及CCP－V2－1之群。該等縮寫(首字母縮略詞)之定義闡述於下表D中或可自表A至C獲得。
在同樣較佳實施例中，組份C較佳包含一或多種式IV－1化合物，該等化合物更佳選自其以下各子式：式CC－n－m、CC－n－V及/或CC－n－Vm，更佳具有式CC－n－V及/或CC－n－Vm且極佳地選自式CC－3－V、CC－4－V、CC－5－V、CC－3－V1、CC－4－V1、CC－5－V1及CC－3－V2之群。該等縮寫(首字母縮略詞)之定義亦闡述於下表D中或可自表A至C獲得。
在本發明另一較佳實施例中(其可與前一實施例相同或不同)，本發明液晶混合物包含組份C，其包含式IV化合物、較佳主要由其組成、且極佳地完全由其組成，該等化合物係選自如上所述式IV－1至IV－6化合物之群且視需要具有式IV－7至IV－14： 其中R41 及R42 彼此獨立地表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，且 L4 表示H或F。
在較佳實施例中，組份C較佳包含一或多種式IV－7化合物，該等化合物更佳選自其以下各子式：式CPP－3－2、CPP－5－2及CGP－3－2，更佳具有式CPP－3－2及/或CGP－3－2且極佳具有式CPP－3－2。該等縮寫(首字母縮略詞)之定義闡述於下表D中或可自表A至C獲得。
或者或除式II及/或III化合物外，本發明介質可在組份B中包含一或多種式V正介電性化合物 其中R5 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，且較佳表示烷基或烯基， 彼此獨立地表示 L51 及L52 彼此獨立地表示H或F，L51 較佳表示F，且X5 表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵代烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵代烯基或烯氧基，較佳為F、Cl、－OCF3 或－CF3 ，極佳為F、Cl或－OCF3 ，Z5 表示－CH2 CH2 －、－CF2 CF2 －、－COO－、反－CH＝CH－、反－CF＝CF－或－CH2 O－、較佳為－CH2 CH2 －、－COO－或反－CH＝CH－且極佳為－COO－或反－CH＝CH－，且q表示0或1。
本發明介質較佳包含一或多種式V化合物，其較佳係選自式V－1及V－2化合物之群： 其中各參數具有上述相應含義，且參數L53 及L54 彼此獨立且獨立於其他參數並且表示H或F，且Z5 較佳表示－CH2 －CH2 －。
式V－1化合物較佳係選自式V－1a及V－1b化合物之群： 其中R5 具有上述含義。
式V－2化合物較佳係選自式V－2a至V－2d化合物之群： 其中R5 具有上述含義。
本發明液晶介質較佳包含額外介電中性組份，即組份D。該組份具有介於－1.5至3之間之介電各向異性。其較佳包含介電各向異性在－1.5至3之間之介電中性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且尤其較佳地完全由其組成。該組份較佳包含一或多種介電各向異性在－1.5至3之間之式VI介電中性化合物、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成， 其中R61 及R62 彼此獨立地具有上述式II下R2 之含義，較佳地R61 表示烷基且R62 表示烷基或烯基，且若其出現兩次，則在每次出現時均彼此獨立地表示以下基團： 較佳地一或多個表示Z61 及Z62 彼此獨立，且若Z61 出現兩次，則該等亦彼此獨立地表示以下基團：－CH2 CH2 －、－COO－、反－CH＝CH－、反－CF＝CF－、－CH2 O－、－CF2 O－或單鍵，較佳地其一或多個表示單鍵，且r表示0、1或2，較佳為0或1。
介電中性組份(組份D)較佳包含一或多種選自式VI－1及VI－2化合物之群之化合物： 其中R61 及R62 具有上述式VI下之相應含義，且R61 較佳表示烷基，且在式VI－1中R62 較佳表示烯基，較佳為－(CH2 )2 －CH＝CH－CH3 ，且在式VI－2中R62 較佳表示烷基。
介電中性組份(組份D)較佳包含一或多種選自式VI－1及VI－2化合物之群之化合物，其中R61 較佳表示正烷基，且在式VI－1中R62 較佳表示烯基，且在式VI－2中R62 較佳表示正烷基。
在較佳實施例中，組份D較佳包含一或多種式VI－1化合物，該等化合物更佳具有其子式PP－n－2Vm，甚至更佳具有式PP－1－2V1。該等縮寫(首字母縮略詞)之定義闡述於下表D中或可自表A至C獲得。
在較佳實施例中，組份D較佳包含一或多種式VI－2化合物，該等化合物更佳具有其子式PGP－n－m，甚至更佳具有其子式PGP－3－m，極佳地係選自式PGP－3－2、PGP－3－3、PGP－3－4及PGP－3－5。該等縮寫(首字母縮略詞)之定義亦闡述於下表D中或可自表A至C獲得。
除組份A及B外，本發明液晶混合物較佳包含至少一種其他組份。此第三組份可為組份C及D之一；所存在第三組份較佳為組份C。
當然本發明混合物亦可包含所有四種組份A、B、C及D。
另外，本發明液晶混合物可包含另一可選組份，即組份E，其具有負介電各向異性且包含較佳具有式VII之負介電性化合物、較佳主要由其組成、更佳基本由其組成、且極佳地完全由其組成 其中R71 及R72 彼此獨立地具有上述式II下R2 之含義，表示 較佳為 表示 Z71 及Z72 彼此獨立地表示－CH2 CH2 －、－COO－、反－CH＝CH－、反－CF＝CF－、－CH2 O－、－CF2 O－或單鍵，較佳其一或多個表示單鍵且極佳地兩者皆表示單鍵，L71 及L72 彼此獨立地表示C－F或N，較佳地其一或多個 表示C－F且極佳地二者皆表示C－F，且s表示0或1。
另外，本發明液晶混合物可包含另一可選組份，即組份F，其具有正介電各向異性且包含較佳具有式VIII之正介電性化合物、較佳主要由其組成、更佳基本由其組成、且極佳地完全由其組成 其中R8 具有上述針對式II指明的R2 之含義，所存在至之一表示 較佳為 較佳地表示或表示且其他具有相同含義或彼此獨立地表示 較佳為 Z81 及Z82 彼此獨立地表示－CH2 CH2 －、－COO－、反－CH＝CH－、反－CF＝CF－、－CH2 O－、－CF2 O－或單鍵，較佳地其一或多個表示單鍵且極佳地兩者皆表示單鍵，t表示0、1或2，較佳為0或1，更佳為1，且X8 具有上述式II下X2 之含義或者可獨立於R8 地具有所述R8 之含義，且自其排除式I化合物。
本發明液晶介質較佳包含組份A至E(較佳為A至D，且極佳為A至C，且具體而言為選自式I至VIII(較佳為I至V且極佳為I至III及/或IV)化合物之群之化合物)、更佳主要由其組成、甚至更佳地基本由其組成、且極佳地完全由其組成。
在此申請案中，當提及組合物包含時意指相關實體(即介質或組份)較佳以10%或更高且極佳20%或更高之總濃度包含所述組份或化合物。
在此情形中，主要由其組成意指相關實體包含55%或更多、較佳60%或更多且極佳70%或更多的所述組份或化合物。
在此情形中，基本由其組成意指相關實體包含80%或更多、較佳90%或更多且極佳95%或更多之所述組份或化合物。
在此情形中，完全由其組成意指相關實體包含98%或更多、較佳99%或更多且極佳100.0%之所述組份或化合物。
組份E較佳包含、更佳主要由其組成、且極佳完全由其組成一或多種較佳選自式VII－1至VII－3化合物之群之式VII化合物： 其中R71 及R72 具有上述式VII下之相應含義。
在式VII－1至VII－3中，R71 較佳表示正烷基或1E－烯基且R72 較佳表示正烷基或烷氧基。
亦可視需要且有利地將上文未明確提及之其他液晶原化合物用於本發明介質中。該等化合物係為熟習此項技術者所知。
本發明液晶介質之透明點較佳為60℃或更高，尤其較佳為70℃或更高，且極佳為75℃或更高。
在589 nm(NaD )及20℃下，本發明液晶介質之△n之範圍較佳為0.060或更高至0.140或更低，更佳為0.070或更高至0.130或更低，甚至更佳為0.080或更高至0.125或更低，且極佳為0.090或更高至0.122或更低。
在本申請案較佳實施例中，本發明液晶介質之△n較佳為0.080或更高，更佳為0.090或更高。
在1 kHz及20℃下，本發明液晶介質之△ε較佳為2或更高，更佳為4或更高，且極佳為6或更高。具體而言，△ε為15或更低。
本發明介質之向列相較佳至少自0℃或更低拓寬至65℃或更高，更佳至少自－20℃或更低拓寬至70℃或更高，極佳地至少自－30℃或更低拓寬至75℃或更高，且尤其至少自－40℃或更低拓寬至75℃或更高。
在本發明第一較佳實施例中，液晶介質之△n之範圍為0.090或更高至0.130或更低，更佳為0.095或更高至0.120或 更低，且極佳為0.100或更高至0.115或更低，同時△ε較佳在2或更高至12或更低範圍內，較佳為10或更低。
在本發明第二較佳實施例中，液晶介質之△n之範圍為0.085或更高至0.130或更低，更佳為0.090或更高至0.125或更低，且極佳為0.095或更高至0.120或更低，同時△ε較佳為4或更高，更佳為6或更高，甚至更佳為8.0或更高，且極佳為8.0或更高至10.0或更低。
在此實施例中，本發明介質之向列相較佳至少自－20℃或更低拓寬至65℃或更高，更佳至少自－20℃或更低拓寬至70℃或更高，極佳地至少自－30℃或更低拓寬至70℃或更高，且尤其至少自－40℃或更低拓寬至70℃或更高。
在本發明第三較佳實施例中，液晶介質之△n之範圍為0.070或更高至0.120或更低，更佳為0.075或更高至0.115或更低，且極佳為0.080或更高至0.110或更低，同時△ε較佳為2.0或更高，更佳為3.0或更高至14.0或更低，且極佳為4.0或更高至6.0或更低或尤其較佳為6.0或更高至11.0或更低。
在此實施例中，本發明介質之向列相較佳至少自－20℃或更低拓寬至75℃或更高，更佳至少自－30℃或更低拓寬至70℃或更高，極佳地至少自－30℃或更低拓寬至75℃或更高，且尤其至少自－30℃或更低拓寬至80℃或更高。
在本發明第四較佳實施例中，液晶介質之△n之範圍為0.080或更高至0.120或更低，更佳為0.085或更高至0.115或更低，且極佳為0.090或更高至0.110或更低，同時△ε較佳 為1.5或更高，更佳為2.0或更高至8.0或更低，且極佳為2.0或更高至6.0或更低或尤其較佳為2.0或更高至4.0或更低。
在此實施例中，本發明介質之向列相較佳至少自－20℃或更低拓寬至65℃或更高，更佳至少自－30℃或更低拓寬至70℃或更高，極佳地至少自－30℃或更低拓寬至75℃或更高，且尤其較佳至少自－30℃或更低拓寬至80℃或更高。
在本發明第五較佳實施例中，液晶介質之△n之範圍為0.090或更高至0.140或更低，同時△ε為2.0或更高至14.0或更低。
根據本發明，所使用組份A在總混合物中之濃度較佳為1%至50%、更佳為1%至30%、甚至更佳為2%至30%且極佳為3%至30%。
所使用組份B在總混合物中之濃度較佳為2%至60%、更佳為3%至55%、甚至更佳為15%至50%且極佳為20%至45%。
所使用組份C在總混合物中之濃度較佳為0%至70%、更佳為10%至65%、甚至更佳為20%至60%且極佳為15%至55%。
所使用組份D在總混合物中之濃度較佳為0%至50%、更佳為1%至40%、甚至更佳為5%至30%且極佳為10%至20%。
所使用組份E在總混合物中之濃度較佳為0%至30%、更佳為0%至15%且極佳為1%至10%。
本發明介質視需要可包含其他液晶化合物以調節物理特性。該等化合物係為熟習此項技術者所知。其在本發明介質中之濃度為較佳0%至30%、更佳0.1%至20%且極佳1%至15%。
在上述本發明第一較佳實施例中，所使用組份A在總混合物中之濃度較佳為1%至65%、更佳為3%至60%且極佳為5%至57%，而所使用組份D在總混合物中之濃度較佳為5%至40%、更佳為10%至35%且極佳為10%至30%。
在此較佳實施例中，介質較佳包含一或多種式VI化合物且極佳具有式VI－2。
尤其在上述本發明第二較佳實施例中，組份C較佳包含一或多種式IV化合物，更佳為式IV－1之化合物，甚至更佳為選自其以下各子式之化合物：式CC－n－V及/或CC－n－Vm，更佳具有式CC－n－V1及/或CC－n－V且極佳選自式CC－3－V、CC－4－V、CC－5－V及CC－3－V1之群。該等縮寫(首字母縮略詞)之定義闡述於下表D中。
液晶介質總共包含較佳50%至100%、更佳70%至100%且極佳80%至100%且尤其90%至100%之組份A、B、C及D(較佳組份A、B及C)，該等組份進而包含一或多種式I、II、III、IV、V、VI及VII(較佳式I、II、III、IV、V及VI)化合物、較佳主要由其組成、且極佳地完全由其組成。
在本申請案中，術語正介電性闡述其中△ε>3.0之化合物或組份，介電中性闡述其中－1.5△ε3.0之彼等，且負介電性闡述其中△ε<－1.5之彼等。△ε係在1 kHz之頻率及20℃下 測定。各化合物之介電各向異性係根據向列相主體混合物中相應個別化合物之10%之溶液的結果來確定。若主體混合物中各化合物之溶解度低於10%，則濃度降低至5%。測試化合物之電阻係在具有垂直配向之晶元及具有平行配向之晶元二者中測定的。該兩種類型晶元之厚度為約20 μm。所施加電壓係頻率為1 kHz之矩形波且均方根值通常為0.5 V至1.0 V，然而其始終經選擇以低於相應測試混合物之電容臨限值。
將△ε定義為(ε||－ε⊥ )，而εav. 係(ε||＋2 ε⊥ )/3。
用於正介電性化合物之主體混合物係混合物ZLI－4792，且用於介電中性及負介電性混合物之主體混合物係混合物ZLI－3086，二者皆來自Merck KGaA,Germany。化合物之介電常數係自添加目標化合物後主體混合物之對應值中之變化來確定的。將該等值外推至100%之目標化合物之濃度。
如此量測在20℃之量測溫度下具有向列相之組份，所有其他組份皆如化合物一樣處理。
在本申請案中描述臨限電壓係指光臨限值且係針對10%之相對反差比(V10 )，且描述飽和電壓係指光飽和且係針對之90%之相對反差比(V90 )，在兩種情況中另外明確表明之情形除外。電容臨限電壓(V0 ，亦稱為Freedericksz－臨限值(VFr ))僅在明確提及時使用。
除非另外明確說明，否則在本申請案中所給出參數之範圍皆包括界限值。
所述用於各特性範圍之不同上限及下限值彼此結合產生其他較佳範圍。
除非另外明確說明，否則在整篇本申請案中，皆使用下述條件及定義。所有濃度皆表示為重量百分比且係關於對應混合物整體，所有溫度皆以攝氏度表示且所有溫度差皆以度數差表示。所有物理特性皆係根據"Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals"，Status Nov.1997，Merck KGaA,Germany測定，且除非另外明確說明，否則係在20℃之溫度下引用。光學各向異性(△n)係在589.3 nm之波長下測定。介電各向異性(△ε)係在1 kHz之頻率下測定。臨限電壓及其他電光特性係利用在Merck KGaA，Germany生產之測試晶元來測定。用於測定△ε之測試晶元具有約20 μm之晶元間隙。電極係具有1.13 cm2 面積及保護環之圓形ITO電極。定向層係來自Nissan Chemicals,Japan之SE－1211(用於垂直定向(ε||))及來自Japan Synthetic Rubber,Japan之聚醯亞胺AL－1054(用於平行定向(ε⊥ ))。電容係利用頻率響應分析器Solatron 1260使用0.3 Vrms電壓之正弦波來測定。電光量測中所用光係白光。本文使用利用來自Autronic－Melchers,Germany之市售DSM儀器之設定。已在垂直觀察下測定特徵電壓。已分別在10%、50%及90%相對反差比下測定臨限(V10 )、中間灰度(V50 )及飽和(V90 )電壓。
本發明液晶介質可以常規濃度包含其他添加劑及手性摻雜劑。以總混合物計，該等其他成份之總濃度為0%至 10%，較佳為0.1%至6%。所用個別化合物各自之濃度較佳介於0.1%至3%之間。在本申請案中該等及類似添加劑之濃度並不計入液晶介質之液晶組份及化合物之濃度值及範圍內。
本發明液晶介質係由複數種化合物、較佳3至30種、更佳4至20種且極佳4至16種化合物組成。該等化合物係以常規方法混合。通常，使以較少量使用之化合物之所需量溶於以較大量使用之化合物中。若溫度高於以較高濃度使用之化合物之透明點，尤其易於觀察到溶解過程的完成。然而，亦可以其他常規方法製備介質，例如使用可為(例如)化合物之同源或低共熔混合物之所謂預混合、或使用所謂"多瓶系統"，其成份自身為即用型混合物。
藉由加入適宜添加劑，可將本發明液晶介質改良為可用於所有原樣使用液晶介質之已知液晶顯示器類型中(例如TN、TN－AMD、ECB－AMD、VAN－AMD、IPS－AMD、FFS－AMD LCD)，或用於複合系統中(例如PDLC、NCAP、PN LCD)且尤其用於ASM－PA LCD中。
所有溫度，例如液晶之熔點T(C,N)或T(C,S)、自層列(S)相至向列(N)相之轉變溫度T(S,N)及透明點T(N,I)皆係以攝氏度引用。所有溫度差皆係以度數差表示。
在本發明中且尤其在下列實例中，液晶原化合物之結構係由縮寫(亦稱為首字母縮略詞)來表示。在該等首字母縮略詞中，使用下表A至C將化學式縮寫如下。所有基團Cn H2n＋1 、Cm H2m＋1 及Cl H2l＋1 或Cn H2n－1 、Cm H2m－1 及Cl H2l－1 皆 表示直鏈烷基或烯基，較佳表示1E－烯基，其各自分別具有n、m及l個C原子。表A列出用於化合物核心結構之環單元之代碼，而表B展示連接基團。表C列出左側或右側末端基團之代碼之含義。表D結合化合物各自的縮寫展示其闡釋性結構。
其中n及m各自表示整數，且三個點"..."係用於來自此表格之其他縮寫之間隔。
下表結合其各自的縮寫展示闡釋性結構。展示該等結構以闡釋縮寫規則的含義。此外其代表較佳使用之化合物。
下表(表E)展示可用作本發明液晶原介質中之穩定劑之闡釋性化合物。
在本發明較佳實施例中，液晶原介質包含一或多種選自 來自表E之化合物之群之化合物。
下表(表F)展示較佳可用作本發明液晶原介質中之手性摻雜劑之闡釋性化合物。
在本發明較佳實施例中，液晶原介質包含一或多種選自來自表F之化合物之群之化合物。
本發明液晶原介質較佳包含兩種或更多種(較佳四種或更多種)選自由來自上表之化合物組成之群之化合物。
本發明液晶介質較佳包含－七種或更多種(較佳八種或更多種)選自來自表D之化合物之群之化合物(較佳具有不同化學式)。
實例
以下實例闡釋本發明而不以任何方式限制本發明。
然而，物理特性展示熟習此項技術者可獲得之特性及其可改良之範圍。具體而言，由此可對熟習此項技術者詳細限定較佳可達成之各種特性之組合。
實例1
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例2
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例3
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例4
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例5
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例6
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例7
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例8
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例9
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例10
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例11
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例12
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例13
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例14
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例15
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例16
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例17
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。
實例18
製備具有下表中所述組成及特性之液晶混合物。
此混合物對以IPS或FFS模式作業之顯示器具有極高適應性。

Claims (16)

  1. 一種液晶介質，其包含：正介電性組份，即組份A，其包含一或多種選自式I'A-1、I'A-2、I"A-1、I"A-2、I'''A-1及I'''A-2之正介電性化合物： 其中R1 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，X1 表示-CN、鹵素、具有1至3個C原子之鹵代烷基或鹵代烷氧基或具有2或3個C原子之鹵代烯基或鹵代烯氧基，且L11 至L16 彼此獨立地表示H或F；且包含介電中性組份，即組份D，其包含一或多種式VI介電中性化合物： 其中R61 及R62 彼此獨立地具有如上R1 之含義；且若其出現兩次，則在每次出現時均彼此 獨立地表示 Z61 及Z62 彼此獨立，且若Z61 出現兩次，則該等亦彼此獨立地表示以下基團：-CH2 CH2 -、-COO-、反-CH=CH-、反-CF=CF-、-CH2 O-、-CF2 O-或單鍵，且r 表示1或2。
  2. 如請求項1之液晶介質，其進一步包含第二正介電性組份，即組份B，其包含一或多種選自式II及III化合物之群之正介電性化合物： 其中R2 及R3 彼此獨立地表示具有1至7個C原子之烷基、 烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，至，彼此獨立地表示 L21 、L22 、L31 及L32 彼此獨立地表示H或F，X2 及X3 彼此獨立地表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵代烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵代烯基或烯氧基，Z3 表示-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -、-COO-、 反-CH=CH-、反-CF=CF-、-CH2 O-或單鍵，且l、m、n及o 彼此獨立地表示0或1。
  3. 如請求項1或2之液晶介質，其進一步包含介電中性組份，即組份C，其包含一或多種式IV介電中性化合物： 其中R41 及R42 彼此獨立地表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，及彼此獨立，且倘若出現兩次，則該等亦彼此獨立地表示以下基團： Z41 及Z42 彼此獨立，且倘若Z41 出現兩次，則該等亦彼此獨立地表示以下基團：-CH2 CH2 -、-COO-、反-CH=CH-、反-CF=CF-、-CH2 O-、-CF2 O-、-C≡C-或單鍵，且p 表示0、1或2。
  4. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質中組份A之濃度在1%至50%範圍內。
  5. 如請求項1或2之液晶介質，其中組份A包含一或多種其中X1 表示F之式I'A-1、I'A-2、I"A-1、I"A-2、I'''A-1或I'''A-2化合物。
  6. 如請求項2之液晶介質，其包含一或多種如請求項2中所述之式II化合物。
  7. 如請求項2之液晶介質，其包含一或多種如請求項2中所述之式III化合物。
  8. 如請求項3之液晶介質，其包含一或多種如請求項3中所述之式IV介電中性化合物。
  9. 一種液晶介質，其包含： 正介電性組份，即組份A，其包含一或多種式I正介電性化合物： 其中R1 表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，X1 表示-CN、鹵素、具有1至3個C原子之鹵代烷基或鹵代烷氧基或具有2或3個C原子之鹵代烯基或鹵代烯氧基，且Y1 表示=N-、=(CH)-或=(CF)-，及彼此獨立，且若環A11 及/或A12 出現一次以上，則該等亦彼此獨立地表示以下基團： Z11 至Z13 彼此獨立，且若Z11 及/或Z13 出現一次以上，則該等亦彼此獨立地表示以下基團：-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -、-COO-、反-CH=CH-、反-CF=CF-、-CF2 O-、-CH2 O-或單鍵，L11 至L14 彼此獨立地表示H或F，且j及k 彼此獨立地表示0、1或2，但其中(j+k)表示0、1或2；第二正介電性組份，即組份B，其包含一或多種選自式II及III化合物之群之正介電性化合物： 其中R2 及R3 彼此獨立地表示具有1至7個C原子之烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基、具有2至7個C原子之烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，至，彼此獨立地表示 L21 、L22 、L31 及L32 彼此獨立地表示H或F，X2 及X3 彼此獨立地表示鹵素、具有1至3個C原子之鹵代烷基或烷氧基或具有2或3個C原子之鹵代烯基或烯氧基，Z3 表示-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -、-COO-、反-CH=CH-、反-CF=CF-、-CH2 O-或單鍵，且l、m、n及o 彼此獨立地表示0或1；及介電中性組份，即組份D，其包含一或多種式VI介電中性化合物： 其中R61 及R62 彼此獨立地具有式II指明的R2 之含義；且若其出現兩次，則在每次出現時均彼此 獨立地表示 Z61 及Z62 彼此獨立，且若Z61 出現兩次，則該等亦彼此獨立地表示以下基團：-CH2 CH2 -、-COO-、反-CH=CH-、反-CF=CF-、-CH2 O-、-CF2 O-或單鍵，且r 表示1或2。
  10. 一種液晶顯示器，其包含如請求項1至9中任一項之液晶介質。
  11. 如請求項10之液晶顯示器，其係藉由主動式矩陣來定址。
  12. 如請求項1之液晶介質，其包含至少一種式I'A-1化合物。
  13. 如請求項1之液晶介質，其包含至少一種式I"A-1化合物。
  14. 如請求項1之液晶介質，其包含至少一種式I'''A-1化合物。
  15. 如請求項1之液晶介質，其中該正介電性組份，即組份A，包含一或多種選自式I'A-1、I"A-1、I'''A-1及I'''A-2之正介電性化合物。
  16. 如請求項9之液晶介質，其包含其中r係1之式VI化合物。
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