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TWI442374B - 有機發光二極體補償電路 - Google Patents

有機發光二極體補償電路 Download PDF

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TWI442374B
TWI442374B TW100129312A TW100129312A TWI442374B TW I442374 B TWI442374 B TW I442374B TW 100129312 A TW100129312 A TW 100129312A TW 100129312 A TW100129312 A TW 100129312A TW I442374 B TWI442374 B TW I442374B
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Chien Chuan Ko
Chao Hui Wu
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Hannstar Display Corp
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Description

有機發光二極體補償電路
本發明是有關於一種有機發光二極體補償電路，特別是有關於一種可維持有機發光二極體OLED亮度之穩定性之有機發光二極體補償電路。
主動陣列有機發光二極體(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)顯示器擁有厚度薄、重量輕、自發光、低驅動電壓、高效率、高對比、高色彩飽和度、反應速度快、可饒曲等特色，被視為繼薄膜電晶體液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)之後，最被看好的新興顯示技術。
但由於有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)元件所表現出的亮度是由流過之電流大小所決定的，因此如果要精確控制畫素亮度就必須要做到精確控制電流，相較於TFT-LCD只要控制寫入畫素的電壓準位就能控制畫素亮度，難度可以說是來得相當高。
實際上AMOLED也遇到了許多問題。請一併參閱第1圖及第2圖，第1圖係為無補償之P型電晶體AMOLED畫素電路架構之電路示意圖；第2圖係為無補償之N型電晶體AMOLED畫素電路架構之電路示意圖。如圖所示，因為OLED電流IOLED 是由資料電壓VDATA 利用操作在飽和區之薄膜電晶體(Thin-Film Transistor,TFT)(第一圖及第二圖中的T200)來轉換成的電流，其公式為IOLED =K(VGS -VTH )2 ，當AMOLED經過長時間的使用之後，TFT的VTH 會變大，以及載子移動率(Mobility)也會變小，如此一來便會使得IOLED 下降，造成AMOLED的亮度衰減。
此外，由於OLED材料老化的現象，在長時間操作下，會發生跨壓逐漸上升以及發光效率下降的問題。OLED跨壓的上升可能會影響到薄膜電晶體的操作，以N型薄膜電晶體為例，若OLED接在薄膜電晶體的源極端，當OLED跨壓上升時會直接影響到薄膜電晶體的閘極-源極之間的端電壓源極也就是直接影響流過的電流。而在發光效率方面，若因長時間操作造成材料老化發光效率下降，那麼即使是流過相同的電流也無法產生預期的亮度。若紅(R)、綠(G)、藍(B)三色的發光效率下降程度不同，更會發生色偏的問題。但材料改善不易，因此這並不是一個能輕易解決的問題。
又，隨著面板尺寸的加大，訊號線逐漸拉長，其內阻效應會日益明顯，最後會影響面板亮度的均勻性，此現象稱之為I-R Drop。請參閱第3圖，其係為I-R Drop的示意圖。如圖所示，VDD與VSS訊號線會隨著內阻效應產生壓差，進而導致AMOLED面板不同位置畫素會有不同大小電流，影響面板亮度的均勻性。
有鑑於上述習知技藝之問題，本發明之其中一目的就是在提供一種有機發光二極體補償電路，以解決習知技術中有機發光二極體OLED亮度衰減、發光效率下降以及I-R Drop等問題。
根據本發明之另一目的，提出一種有機發光二極體補償電路，其包含一第一電容、一第二電容、一穩定單元、一第三電晶體、一有機發光二極體及一驅動單元。第一電容其一端係為一第一節點，另一端係為一第二節點。第二電容係連接一第一電源及第一節點。穩定單元係連接第一電源、一第二電源、一第一控制訊號及一第二控制訊號，穩定單元包含一第一電晶體、一第二電晶體及一光電二極體，第一電晶體連接第二電晶體且其連接處係為第一節點，第二電晶體連接光電二極體。第三電晶體係連接第一節點、一資料電壓及一第三控制訊號。有機發光二極體係連接第一電源或第二電源。驅動單元係連接第一電源或第二電源、第二節點、有機發光二極體、第二控制訊號及一第四控制訊號，驅動單元包含一第四電晶體、一第五電晶體及一第六電晶體，第四電晶體之一端連接第五電晶體之一端且其連接處係為第二節點，第四電晶體之另一端則連接第五電晶體之另一端及第六電晶體。
其中，穩定單元係經由第一電晶體連接第一電源及第一控制訊號，並經由第二電晶體連接第二控制訊號，且經由光電二極體之輸入端連接第二電源；驅動單元係經由第四電晶體連接第二控制訊號，並經由第五電晶體連接有機發光二極體，有機發光二極體則連接第一電源，驅動單元再經由第六電晶體連接第四控制訊號及第二電源。
其中，第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體及第六電晶體係分別為一第一P型薄膜電晶體、一第二P型薄膜電晶體、一第三P型薄膜電晶體、一第四P型薄膜電晶體、一第五P型薄膜電晶體及一第六P型薄膜電晶體。
其中，第一P型薄膜電晶體係用以將第一電源充電到第一節點上；第二P型薄膜電晶體係用以控制光電二極體對第一節點放電之時間；第三P型薄膜電晶體係用以控制資料電壓輸入之時間；第四P型薄膜電晶體係於補償階段時將一電位儲存於第一電容；第五P型薄膜電晶體係用以驅動有機發光二極體；第六P型薄膜電晶體係於初始重置階段時用以將第二電源及第六P型薄膜電晶體上之電位差充電至第二節點上。
其中，穩定單元係經由第一電晶體連接第二電源及第一控制訊號，並經由第二電晶體連接第二控制訊號，且經由光電二極體之輸出端連接第一電源；驅動單元係經由第四電晶體連接第二控制訊號，並經由第五電晶體連接有機發光二極體，有機發光二極體則連接第二電源，驅動單元再經由第六電晶體連接第四控制訊號及第一電源。
其中，第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體及第六電晶體係分別為一第一N型薄膜電晶體、一第二N型薄膜電晶體、一第三N型薄膜電晶體、一第四N型薄膜電晶體、一第五N型薄膜電晶體及一第六N型薄膜電晶體。
其中，第一N型薄膜電晶體係用以將第一節點放電至第二電源；第二N型薄膜電晶體係用以控制光電二極體對第一節點充電之時間；第三N型薄膜電晶體係用以控制資料電壓輸入之時間；第四N型薄膜電晶體係於補償階段時將一電位儲存於第一電容；第五N型薄膜電晶體係用以驅動有機發光二極體；第六N型薄膜電晶體係於初始重置階段時用以將第一電源減掉該第六N型薄膜電晶體上之電位差後之電位充電到第二節點上。
承上所述，本發明之有機發光二極體補償電路，藉由控制電路中節點上之電位差，使得即使有機發光二極體發光效率下降時，可經由補償電路使IOLED 變大，如此一來便可讓OLED元件更亮，達到補償的效果，藉此維持OLED亮度的穩定性。
請參閱第4圖，其係為本發明之有機發光二極體補償電路之第一實施例之電路示意圖。圖中，有機發光二極體補償電路1包含七個P型薄膜電晶體、第一電容C1、第二電容C2、第一控制訊號Reset[n]、第二控制訊號Scan[n-1]、第三控制訊號Scan[n]、第四控制訊號Emit[n]、資料電壓VData 、第一電源訊號VDD、第二電源訊號VSS及有機發光二極體OLED。七個P型薄膜電晶體中，其中一個作為光電二極體(Photo Diode) D使用，其餘分別為第一P型薄膜電晶體T1、第二P型薄膜電晶體T2、第三P型薄膜電晶體T3、第四P型薄膜電晶體T4、第五P型薄膜電晶體T5及第六P型薄膜電晶體T6，第一P型薄膜電晶體T1、第二P型薄膜電晶體T2及光電二極體D在此視為一穩定單元U1，第四P型薄膜電晶體T4、第五P型薄膜電晶體T5及第六P型薄膜電晶體T6在此視為一驅動單元U2。其中T5用於驅動有機發光二極體OLED，其餘T1、T2、T3、T4及T6是作為開關使用，第一電容C1作為補償用，第二電容C2用於儲存資料電壓VData 。
在所有作為開關的TFT中，T6用於在第二節點B於初始重置階段時將第二節點B重置至VTH_T6 +VSS，以便能在後續VTH 偵測補償階段時讓T5導通進行補償動作，T6在OLED發光時也必須導通。T4則是讓T5能夠形成二極體接法(Diode-connection)，讓電路在補償階段時，能夠產生T6的VTH 值並儲存在第一電容(補償電容)C1內。T3為一般畫素電路都會具備的開關，用於控制資料電壓VData 輸入的時間。T1則是在第一節點A於初始重置階段時將第一節點A預充電至VDD後關閉。T2控制著光電二極體D對第一節點A的放電時間。
請參閱第5圖，其係為本發明之有機發光二極體補償電路之第一實施例之訊號波形示意圖。如圖所示，於本實施例中，有機發光二極體補償電路1的電路操作步驟可分為五個階段。
一、第一節點A初始重置階段：
Reset[n]訊號為Low，T1導通，第一節點A預充電至VDD。
二、第二節點B初始重置階段：
Reset[n]訊號拉為High，T1關閉，Scan[n-1]與Emit[n]訊號則切換為Low，T2、T4、T5及T6導通，第二節點B初始化至VTH_T6 +VSS。同時第一節點A透過T2與光電二極體D放電，放電電流取決於有機發光二極體OLED元件的亮度。
三、VTH 偵測補償階段：
Scan[n-1]訊號為持續為Low，Emit[n]訊號則拉為High，T6關閉，T2、T4及T5持續導通，第二節點B電位會被充電至VDD-VTH_OLED -VTH-T5 使得T5從導通狀態變成關閉狀態，第二節點B電位也會被保持在VDD-VTH_OLED -VTH-T5 ，完成VTH 補償動作。另外第一節點A也持續透過T2與光電二極體D放電，放電電流取決於有機發光二極體OLED元件的亮度。
四、畫素資料電位寫入階段：
Scan[n-1]訊號拉為High，Scan[n]切換至Low，T2及T4關閉，T3導通，進行畫素資料電位寫入，第二節點B此時為浮接(Floating)狀態，第一節點A電位由VA’ 變成VData ，其變化量為VData -VA’ (為負值)，第二節點B受到第一節點A電容偶合效應會變成(VDD-VTH_OLED -VTH-T5 )-(VA’ -VData )。
五、有機發光二極體OLED發光顯示階段：
Scan[n]切換至High，Emit[n]訊號則拉為Low，T3關閉，T6導通，驅動有機發光二極體OLED的T5，其導通電流決定了有機發光二極體OLED發光亮度，VGate_T5 =VB =(VDD-VTH_OLED -VTH-T5 )-(VA’ -VData )，Vsource_T5 =VDD-VOLED =VDD-[VTH_OLED +V(f(VData ))]，V(f(VData ))為OLED元件發光時所會增加的跨壓，與所寫入的資料電壓VData 成一函數關係，不會因為OLED元件發光效率改變而改變，IOLED =β/2*(VSG_T5 -|VTH_T5 |)2 =β/2*[(VA’ -VData )-V(f(VData ))]2 。當有機發光二極體OLED元件發光效率下降時，光電二極體D的光電流也會下降，使得VA’變大，如此一來IOLED 也會變大，可以讓有機發光二極體OLED元件更亮，達到補償的效果。
針對I-R Drop，遠離VDD、VSS訊號輸入端的AMOLED畫素，其看到的VDD、VSS會變成VDD-I*R、VSS+I*R，這也意謂著第一節點A會先預充電至較低的VDD-I*R準位，然後透過光電二極體D放電至較高的VSS+I*R準位，也就是說光電二極體D的跨壓會變小，對第一節點A放電的電流也會變小，使得VA’不至於因為I-R Drop而變小太多，達到有補償I-R Drop的效果。
請參閱第6圖，其係為本發明之有機發光二極體補償電路之第二實施例之電路示意圖。圖中，有機發光二極體補償電路2包含七個N型薄膜電晶體、第一電容C1、第二電容C2、第一控制訊號Reset[n]、第二控制訊號Scan[n-1]、第三控制訊號Scan[n]、第四控制訊號Emit[n]、資料電壓VData 、第一電源訊號VDD、第二電源訊號VSS及有機發光二極體OLED。七個N型薄膜電晶體中，其中一個作為光電二極體(Photo Diode) D使用，其餘分別為第一N型薄膜電晶體T10、第二N型薄膜電晶體T20、第三N型薄膜電晶體T30、第四N型薄膜電晶體T40、第五N型薄膜電晶體T50及第六N型薄膜電晶體T60，第一N型薄膜電晶體T10、第二N型薄膜電晶體T20及光電二極體D在此視為一穩定單元U1，第四N型薄膜電晶體T40、第五N型薄膜電晶體T50及第六N型薄膜電晶體T60在此視為一驅動單元U2。其中T50用於驅動有機發光二極體OLED，其餘T10、T20、T30、T40及T60是作為開關使用，第一電容C1作為補償用，第二電容C2用於儲存資料電壓VData 。
在所有作為開關的TFT中，T60用於在第二節點B於初始重置階段時將第二節點B重置至VDD-VTH_T60 ，以便能在後續VTH 偵測補償階段時讓T50導通進行補償動作，T60在有機發光二極體OLED發光時也必須導通。T40則是讓T50能夠形成二極體接法(Diode-connection)，讓電路在補償階段時，能夠產生T50的VTH 值並儲存在第一電容(補償電容)C1內。T30為一般畫素電路都會具備的開關，用於控制資料電壓VData 輸入的時間。T10則是在第一節點A於初始階段時將第一節點A預放電至VSS後關閉。T20控制著光電二極體D對第一節點A的充電時間。
請參閱第7圖，其係為本發明之有機發光二極體補償電路之第二實施例之訊號波形示意圖。如圖所示，於本實施例中，有機發光二極體補償電路2的電路操作步驟可分為五個階段。
一、第一節點A初始重置階段：
Reset[n]訊號為High，T10導通，第一節點A預放電至VSS。
二、第二節點B初始重置階段：
Reset[n]訊號拉為Low，T10關閉，Scan[n-1]與Emit[n]訊號則切換為High，T20、T40、T50及T60導通，第二節點B初始化至VDD-VTH_T60 。同時第一節點A透過T20與光電二極體D充電，充電電流取決於有機發光二極體OLED元件的亮度。
三、VTH 偵測補償階段：
Scan[n-1]訊號為持續為High，Emit[n]訊號則拉為Low，T60關閉，T20、T40及T50持續導通，第二節點B電位會被放電至VTH-_T50 +VTH_OLED +VSS使得T50從導通狀態變成關閉狀態，第二節點B電位也會被保持在VTH-_T50 +VTH_OLED +VSS，完成VTH 補償動作。另外第一節點A也持續透過T20與光電二極體D充電，充電電流取決於有機發光二極體OLED元件的亮度。
四、畫素資料電位寫入階段：
Scan[n-1]訊號拉為Low，Scan[n]切換至High，T20及T40關閉，T30導通，進行畫素資料電位寫入，第二節點B此時為浮接(Floating)狀態，第一節點A電位由VA’ 變成VData ，其變化量為VData -VA’ (為正值)，第二節點B受到第一節點A電容偶合效應會變成(VTH-_T50 +VTH_OLED +VSS)+(VData -VA’ )。
五、有機發光二極體OLED發光顯示階段：
Scan[n]切換至Low，Emit[n]訊號則拉為High，T30關閉，T60導通，驅動有機發光二極體OLED的T50，其導通電流決定了有機發光二極體OLED發光亮度，VGate_T50 =VB =(VTH-_T50 +VTH_OLED +VSS)+(VData -VA’ )，Vsource_T50 =VOLED +VSS=VTH_OLED +V(f(VData ))+VSS，V(f(VData ))為有機發光二極體OLED元件發光時所會增加的跨壓，與所寫入的資料電壓成一函數關係，不會因為有機發光二極體OLED元件發光效率改變而改變，IOLED =β/2*(VGS_T50 -VTH_T50 )2 =β/2*(VData -VA’ -V(f(VData )))2 。當有機發光二極體OLED元件發光效率下降時，光電二極體D的光電流也會下降，使得VA’變小，如此一來有機發光二極體IOLED 也會變大，可以讓有機發光二極體OLED元件更亮，達到補償的效果。
針對I-R Drop，遠離VDD、VSS訊號輸入端的AMOLED畫素，其看到的VDD、VSS會變成VDD-I*R、VSS+I*R，這也意謂著第一節點A會先預放電至較高的VSS+I*R準位，然後透過光電二極體D充電至較低的VDD-I*R準位，也就是說光電二極體D的跨壓會變小，對第一節點A充電的電流也會變小，使得VA’不至於因為I-R Drop而變大太多，達到有補償I-R Drop的效果。
請參閱第8及9圖，其係為本發明之有機發光二極體補償電路之第二實施例之電路變化之第一電路示意圖及第二電路示意圖。第8圖之電路中，主要是將逆遍之光電二極體D改以較小尺寸且為順偏之光電二極體D來取代之。第9圖之電路中，則是更進一步將光電二極體D與第二N型薄膜電晶體T20縮減成一光電開關Photo Switch。
綜合上述，本發明之有機發光二極體補償電路可解決習知技術中有機發光二極體OLED亮度衰減、發光效率下降以及I-R Drop等問題。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
1、2．．．有機發光二極體補償電路
T100、T200．．．薄膜電晶體
T1．．．第一P型薄膜電晶體
T2．．．第二P型薄膜電晶體
T3．．．第三P型薄膜電晶體
T4．．．第四P型薄膜電晶體
T5．．．第五P型薄膜電晶體
T6．．．第六P型薄膜電晶體
T10．．．第一N型薄膜電晶體
T20．．．第二N型薄膜電晶體
T30．．．第三N型薄膜電晶體
T40．．．第四N型薄膜電晶體
T50．．．第五N型薄膜電晶體
T60．．．第六N型薄膜電晶體
OLED．．．有機發光二極體
D．．．光電二極體
Cst ．．．電容
C1．．．第一電容
C2．．．第二電容
VDD．．．第一電源
VSS．．．第二電源
Reset[n]．．．第一控制訊號
Scan[n-1]．．．第二控制訊號
Scan[n]．．．第三控制訊號
Emit[n]．．．第四控制訊號
VData ．．．資料電壓
A．．．第一節點
B．．．第二節點
U1．．．穩定單元
U2．．．驅動單元
第1圖　係為無補償之P型電晶體AMOLED畫素電路架構之電路示意圖。
第2圖　係為無補償之N型電晶體AMOLED畫素電路架構之電路示意圖。
第3圖　係為I-R Drop的示意圖。
第4圖　係為本發明之有機發光二極體補償電路之第一實施例之電路示意圖。
第5圖　係為本發明之有機發光二極體補償電路之第一實施例之訊號波形示意圖。
第6圖　係為本發明之有機發光二極體補償電路之第二實施例之電路示意圖。
第7圖　係為本發明之有機發光二極體補償電路之第二實施例之訊號波形示意圖。
第8圖　係為本發明之有機發光二極體補償電路之第二實施例之電路變化之第一電路示意圖。
第9圖　係為本發明之有機發光二極體補償電路之第二實施例之電路變化之第二電路示意圖。
1．．．有機發光二極體補償電路
T1．．．第一P型薄膜電晶體
T2．．．第二P型薄膜電晶體
T3．．．第三P型薄膜電晶體
T4．．．第四P型薄膜電晶體
T5．．．第五P型薄膜電晶體
T6．．．第六P型薄膜電晶體
OLED．．．有機發光二極體
D．．．光電二極體
C1．．．第一電容
C2．．．第二電容
VDD．．．第一電源
VSS．．．第二電源
Reset[n]．．．第一控制訊號
Scan[n-1]．．．第二控制訊號
Scan[n]．．．第三控制訊號
Emit[n]．．．第四控制訊號
VData ．．．資料電壓
A．．．第一節點
B．．．第二節點
U1．．．穩定單元
U2．．．驅動單元

Claims (19)

  1. 一種有機發光二極體補償電路，其包含：一第一電容，其一端係為一第一節點，另一端係為一第二節點；一第二電容，係連接一第一電源及該第一節點；一穩定單元，係連接該第一電源、一第二電源、一第一控制訊號及一第二控制訊號，該穩定單元包含一第一電晶體、一第二電晶體及一光電二極體，該第一電晶體連接該第二電晶體且其連接處係為該第一節點，該第二電晶體連接該光電二極體；一第三電晶體，係連接該第一節點、一資料電壓及一第三控制訊號；一有機發光二極體，係連接該第一電源或該第二電源；以及一驅動單元，係連接該第一電源或該第二電源、該第二節點、該有機發光二極體、該第二控制訊號及一第四控制訊號，該驅動單元包含一第四電晶體、一第五電晶體及一第六電晶體，該第四電晶體之一端連接該第五電晶體之一端且其連接處係為該第二節點，該第四電晶體之另一端則連接該第五電晶體之另一端及該第六電晶體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體補償電路，其中該穩定單元係經由該第一電晶體連接該第一電源及該第一控制訊號，並經由該第二電晶體連接該第二控制訊號，且經由該光電二極體之輸入端連接該第二電源；該驅動單元係經由該第四電晶體連接該第二控制訊號，並經由該第五電晶體連接該有機發光二極體，該有機發光二極體則連接該第一電源，該驅動單元再經由該第六電晶體連接該第四控制訊號及該第二電源。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體、該第五電晶體及該第六電晶體係分別為一第一P型薄膜電晶體、一第二P型薄膜電晶體、一第三P型薄膜電晶體、一第四P型薄膜電晶體、一第五P型薄膜電晶體及一第六P型薄膜電晶體。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第一P型薄膜電晶體之源極係連接該第一電源，該第一P型薄膜電晶體之閘極係連接該第一控制訊號，該第一P型薄膜電晶體之汲極係連接該第一節點、該第二P型薄膜電晶體之源極及該第三P型薄膜電晶體之汲極。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第二P型薄膜電晶體之源極係連接該第一節點、該第一P型薄膜電晶體之汲極及該第三P型薄膜電晶體之汲極，該第二P型薄膜電晶體之閘極係連接該第二控制訊號，該第二P型薄膜電晶體之汲極係連接該光電二極體之輸出端。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第三P型薄膜電晶體之源極係連接該資料電壓，該第三P型薄膜電晶體之閘極係連接該第三控制訊號，該第三P型薄膜電晶體之汲極係連接該第一節點、該第一P型薄膜電晶體之汲極及該第二P型薄膜電晶體之源極。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第四P型薄膜電晶體之源極係連接該第二節點及該第五P型薄膜電晶體之閘極，該第四P型薄膜電晶體之閘極係連接該第二控制訊號，該第四P型薄膜電晶體之汲極係連接該第五P型薄膜電晶體之汲極及該第六P型薄膜電晶體之源極。
  8. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第五P型薄膜電晶體之源極係連接該有機發光二極體之輸出端，該有機發光二極體之輸入端則連接至該第一電源，該第五P型薄膜電晶體之閘極係連接該第二節點及該第四P型薄膜電晶體之源極，該第五P型薄膜電晶體之汲極係連接該第四P型薄膜電晶體之汲極及該第六P型薄膜電晶體之源極。
  9. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第六P型薄膜電晶體之源極係連接該第四P型薄膜電晶體之汲極及該第五P型薄膜電晶體之汲極，該第六P型薄膜電晶體之閘極係連接該第四控制訊號，該第六P型薄膜電晶體之汲極係連接該第二電源。
  10. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第一P型薄膜電晶體係用以將該第一電源充電到該第一節點上；該第二P型薄膜電晶體係用以控制該光電二極體對該第一節點放電之時間；該第三P型薄膜電晶體係用以控制該資料電壓輸入之時間；該第四P型薄膜電晶體係於補償階段時將一電位儲存於該第一電容；該第五P型薄膜電晶體係用以驅動該有機發光二極體；該第六P型薄膜電晶體係於初始重置階段時用以將該第二電源及該第六P型薄膜電晶體上之電位差充電至該第二節點上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體補償電路，其中該穩定單元係經由該第一電晶體連接該第二電源及該第一控制訊號，並經由該第二電晶體連接該第二控制訊號，且經由該光電二極體之輸出端連接該第一電源；該驅動單元係經由該第四電晶體連接該第二控制訊號，並經由該第五電晶體連接該有機發光二極體，該有機發光二極體則連接該第二電源，該驅動單元再經由該第六電晶體連接該第四控制訊號及該第一電源。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體、該第五電晶體及該第六電晶體係分別為一第一N型薄膜電晶體、一第二N型薄膜電晶體、一第三N型薄膜電晶體、一第四N型薄膜電晶體、一第五N型薄膜電晶體及一第六N型薄膜電晶體。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第一N型薄膜電晶體之源極係連接該第二電源，該第一N型薄膜電晶體之閘極係連接該第一控制訊號，該第一N型薄膜電晶體之汲極係連接該第一節點、該第二N型薄膜電晶體之源極及該第三N型薄膜電晶體之源極。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第二N型薄膜電晶體之源極係連接該第一節點、該第一N型薄膜電晶體之汲極及該第三N型薄膜電晶體之源極，該第二N型薄膜電晶體之閘極係連接該第二控制訊號，該第二N型薄膜電晶體之汲極係連接該光電二極體之輸入端。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第三N型薄膜電晶體之汲極係連接該資料電壓，該第三N型薄膜電晶體之閘極係連接該第三控制訊號，該第三N型薄膜電晶體之源極係連接該第一節點、該第一N型薄膜電晶體之汲極及該第二N型薄膜電晶體之源極。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第四N型薄膜電晶體之源極係連接該第二節點及該第五N型薄膜電晶體之閘極，該第四N型薄膜電晶體之閘極係連接該第二控制訊號，該第四N型薄膜電晶體之汲極係連接該第五N型薄膜電晶體之汲極及該第六N型薄膜電晶體之源極。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第五N型薄膜電晶體之汲極係連接該第四N型薄膜電晶體之汲極及該第六N型薄膜電晶體之源極，該第五N型薄膜電晶體之閘極係連接該第二節點及該第四N型薄膜電晶體之源極，該第五N型薄膜電晶體之源極係連接該有機發光二極體之輸入端，該有機發光二極體之輸出端則連接至該第二電源。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第六N型薄膜電晶體之源極係連接該第四N型薄膜電晶體之汲極及該第五N型薄膜電晶體之汲極，該第六N型薄膜電晶體之閘極係連接該第四控制訊號，該第六N型薄膜電晶體之汲極係連接該第一電源。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體補償電路，其中該第一N型薄膜電晶體係用以將該第一節點放電至該第二電源；該第二N型薄膜電晶體係用以控制該光電二極體對該第一節點充電之時間；該第三N型薄膜電晶體係用以控制該資料電壓輸入之時間；該第四N型薄膜電晶體係於補償階段時將一電位儲存於該第一電容；該第五N型薄膜電晶體係用以驅動該有機發光二極體；該第六N型薄膜電晶體係於初始重置階段時用以將該第一電源減掉該第六N型薄膜電晶體上之電位差後之電位充電到該第二節點上。
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