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TWI398402B - 製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液與其方法 - Google Patents

製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液與其方法 Download PDF

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TWI398402B
TWI398402B TW097146339A TW97146339A TWI398402B TW I398402 B TWI398402 B TW I398402B TW 097146339 A TW097146339 A TW 097146339A TW 97146339 A TW97146339 A TW 97146339A TW I398402 B TWI398402 B TW I398402B
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preparing
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Chuen Horng Tsai
Ming Chi Tsai
Tsung Kuang Yeh
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Nat Univ Tsing Hua
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Description

製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液與其方法
本發明係提供一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液與其方法，尤指添加檸檬酸於電鍍製程之電鍍液中，讓沈積在電極表面之鉑或鉑基合金金屬顆粒的尺寸能夠奈米化並有良好的分散度。
目前世界的能源主要是仰賴石化能源為主要來源，但是其中石油的蘊藏量有限，五十年後石油生產量將不敷使用，可以預期在不久的將來人類勢必將遭逢一場能源危機，高油價所帶來的衝擊無遠弗屆，首當其衝的就是民生工業，舉凡工業用電、居家用電、交通動力能源、消費性電子、行動通訊產品等等，都是需要“能源”的供應。目前不論我國政府或是國際社會都不斷的在尋找可替代性能源方案，因此使用其他替代能源實為刻不容緩。其中氫能是目前最被看好的新能源之一，而燃料電池又是使用氫能的最主要的方式，其中低溫燃料電池又可分為質子交換膜型燃料電池(Proton Exchange Membrane Fuel Cell，PEMFC)以及直接甲醇燃料電池(Direct Methanol Fuel Cell，DMFC)，可以在100℃以下的低溫操作。在可攜式能源部分，由於3C產品的功能不斷提昇，同時對電池的要求也在提昇，例如輕量化、高能量密度、持久性與便利性等，因 此以低溫燃料電池取代鋰電池的潛力備受矚目。
PEMFC係利用氫和氧的電化學反應，自然且環保。另外，直接甲醇燃料電池(Direct Methanol Fuel Cell，DMFC)配合質子交換膜(PEM)的發展，使DMFC的應用方向(朝小功率)和研究發展的方向都有革命性的改變。相較於飼氫(Hydrogen-fed)的PEMFC而言，DMFC的功率密度明顯較小，目前已知的最佳功率密度仍僅為前者的十分之一而已。但也由於DMFC的功率密度並不高，其應用範圍以小型可攜式電子產品較為適合，如筆記型電腦、個人數位助理、以及手機。典型的DMFC薄膜電極組(Membrane Electrode Assembly，MEA)包括了質子交換膜(Proton Exchange Membrane，PEM)、電極觸媒層及氣體擴散層(亦可做電子傳導層)三個部份。DMFC是能夠在低溫(100℃)將液態甲醇燃料的化學能直接轉換成電能的裝置。而PEMFC則是利用氫氣做為燃料的來源。目前DMFC所遭遇的最大瓶頸便是轉化效能過低，因此目前研究著重於發展高活性的觸媒電極。
已知DMFC在298°K時的理論電壓為1.18 V，此電壓值可由陰極與陽極的電化學半電池反應得知：
陽極：CH3 OH+H2 O → CO2 +6H+ +6e- E°anode =0.05 VSHE
陰極：3/2O2+6H+ +6e- → 3H2O E°cathode=1.23 VSHE
電池全反應：CH3 OH+H2 O+3/2O2 → CO2 +3H2 O E°cell =1.18 VSHE
上述的陽極及陰極電化學反應通常必須藉由金屬觸媒來降低反應能障(energy barrier)以加速氧化(陽極)及還原(陰極)反應的發生，而在各種貴重金屬觸媒中又以鉑(Pt)對於陽極燃料(甲醇)的氧化及陰極燃料(氧)的還原具有最好的活性，因此在目前的研究中主要都是以Pt做為電極觸媒材料。
要提高陽極的效率就必須先了解反應進行的機制，以下列出目前一般所認同的反應步驟：
(a)Pt+CH3 OH → Pt-COad +4H+ +4e-
(b)H2 O+Pt → Pt-OH+H+ +e-
(c)Ru+H2 O → Ru-OH+H+ +e-
(d)Pt-CO+Ru-OH → Pt+Ru+CO2 +H+ +e-
(e)Pt-COad +Pt-OHad → CO2 +H+ +e-
(f)Pt-CHOad +Ru-OHad → CO2 +2 H+ +2 e-
首先甲醇會吸附於Pt表面，經由一連串脫去質子的步驟產生一氧化碳(CO)吸附於Pt表面(反應(a))，而Pt又會與CO產生強鍵結不容易脫附，這樣一來Pt的表面就會被CO佔據，逐漸使得催化反應進行的活性位置(Pt表面)減少，而使得電池的功率下降，因此被稱為一氧化碳毒化現象(CO poisoning)。若使用鉑-釕(Pt-Ru)觸媒進行催化反應，形成合金型態的Pt-Ru可有效改善CO poisoning的現象，進行的方式包含兩個步驟：首先Ru與水分子反應活化形成Ru-OH(反應(c))，接著便可以提供給鄰近的Pt-COad 進行CO的氧化生成二氧化碳後脫附(反應(d))，若是生成Pt-CHOad 也可以進行相似的反應 而脫附(反應(f))。因此，發展鉑基合金觸媒，來提升DMFC陽極甲醇氧化的反應效率，實為目前最重要之課題之一。
另外，在DMFC陰極的部份，甲醇在陽極氧化產生二氧化碳、質子及電子，生成的電子從陽極經由外部迴路流向陰極的過程中提供電能，繼而與經由PEM擴散至陰極的質子和陰極的燃料(氧)，在陰極還原成水(大多以鉑金屬做為觸媒)。其中，造成陰極觸媒電化學活性不佳的原因可歸因於以下之電化學反應〔3〕：
(g)O2 +4H+ +4e- =H2 O E°298°K =+1.23 VSHE
(h)O2 +2H+ +2e- =H2 O2 E°298°K =+0.68 VSHE
(h)Pt+H2 O=Pt-O+2H+ +2e- E°298°K =+0.88 VSHE
在DMFC陰極的電化學反應中，氧化還原成水的過程當中，會因為部份的氧還原成過氧化氫(反應(h))，加上在較高電位時鉑金屬表面的氧化(反應(i))，而使得DMFC陰極還原反應的電壓損失超過0.3 V。另外在甲醇穿透(methanol crossover)的問題方面，目前雖然已有很多的改善方法(例如增加PEM厚度、增加一層純碳粉或鉑基觸媒金屬層於PEM及觸媒層之間以減緩甲醇的穿透)，但這些作法同時也增加了DMFC的接面阻抗，進而造成電池效能的降低而嚴重限制DMFC的發展。
一般來說，為提升DMFC觸媒活性，高分散度及較小尺寸的觸媒擁有較好的活性，目前最常使用的改善方法有 二，除了利用奈米尺寸的碳載體擔載觸媒以提高觸媒的分散度外，就是改變觸媒的結構，例如利用鉑基的雙合金或三元合金來做為觸媒。另外，利用奈米尺寸的觸媒亦能提高觸媒的比表面積，使其接觸到燃料的面積增加，提高該觸媒的利用率(Utilization)。因此，綜上所述，發展一種新的奈米尺度的鉑基合金觸媒，來提升甲醇氧化及氧氣還原成水的反應效率，實為目前最重要之課題之一。
目前用來做為製備低溫燃料電池觸媒電極的方法，大致上可分為二種：一為化學還原法，另外就是電鍍法。
化學還原法基本上即將碳載體浸泡於含有鉑及其他過渡金屬(如鎢、釕、鈷、鐵、鎳等)的鹽類-醇類的水溶液中數小時後，拿起在室溫下風乾後，在氬氣(或含氫氣)之高溫爐約250~300℃中持溫約半小時；或者，將通入氫氣於該水溶液中數小時。最後鉑金屬或鉑基合金奈米顆粒沈積在碳載體結構表面。基本上化學還原法都需控制溶液的pH值以利還原-氧化-還原的進行。另外，製程的溫度通常介於60℃至150℃之間。雖然化學還原法在沈積單一金屬如鉑的技術上已經相常成熟，但在沈積的過程當中，控制pH值需要額外添加中合劑如氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)。由於化學還原法較費時，在製作的過程中，這些鈉離子及鉀離子也可能會同時沈積於碳載體上而導致不必要的汙染。
另外，利用電鍍法沈積單一金屬或複數金屬種類之顆粒，則是將欲沈積之金屬前驅物(通常為錯化合物鹽類)放入做為導離子溶液之酸性溶液，例如：硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)、過氯酸(HClO4)、氫氯酸(HCl)等，並在導電的基材上外加一電位(通常為負電位)，則基材本身帶負電(陰極)，而對應電極(通常為非極化電極，如鉑)帶正電(陽極)。溶液中的金屬離子則會和帶負電之基材產生電子交換而沈積在基材上。然而，目前利用電鍍法所製備的金屬顆粒尺寸通常都在20奈米以上，這會使得該觸媒的表面積大幅的降低，這對應用在觸媒化學上，將是相當大的障礙。
故，有鑑於前述之問題，發明人以多年之經驗累積，並發揮想像力與創造力，在不斷地實驗與研討之後，始有本發明之一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液與其方法。
本發明之第一目的係提供一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液與其方法，選用適當濃度之檸檬酸做為電鍍製程之電鍍液，檸檬酸在電鍍的過程中同時扮演分散劑及穩定劑的角色，且不影響鉑及過渡金屬錯化合物在電極表面的氧化反應(金屬離子之還原)之下，讓沈積在電極表面之鉑及鉑基合金顆粒的尺寸能夠奈米化，並有良好的分 散度，以突破目前利用電鍍法所製備之觸媒金屬顆粒無法奈米化的瓶頸，使其在燃料電池觸媒電極的應用上能發揮最大的效益。
本發明之第二目的係提供一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液與其方法，選用適當濃度之檸檬酸及乳酸做為電鍍製程之電鍍液，檸檬酸在電鍍的過程中同時扮演分散劑及穩定劑的角色，且不影響鉑及過渡金屬錯化合物在電極表面的氧化反應(金屬離子之還原)之下，讓沈積在電極表面之鉑及鉑基合金顆粒的尺寸能夠奈米化，並有良好的分散度，以突破目前利用電鍍法所製備之觸媒金屬顆粒無法奈米化的瓶頸，使其在燃料電池觸媒電極的應用上能發揮最大的效益。
本發明之第三目的係提供一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液與其方法，選用適當濃度之檸檬酸及硼酸做為電鍍製程之電鍍液，檸檬酸在電鍍的過程中同時扮演分散劑及穩定劑的角色，且不影響鉑及過渡金屬錯化合物在電極表面的氧化反應(金屬離子之還原)之下，讓沈積在電極表面之鉑及鉑基合金顆粒的尺寸能夠奈米化，並有良好的分散度，以突破目前利用電鍍法所製備之觸媒金屬顆粒無法奈米化的瓶頸，使其在燃料電池觸媒電極的應用上能發揮最大的效益。
本發明之第四目的係提供一種製備鉑及鉑基合金奈米 顆粒之電鍍液與其方法，選用適當濃度之檸檬酸及硫酸做為電鍍製程之電鍍液，檸檬酸在電鍍的過程中同時扮演分散劑及穩定劑的角色，且不影響鉑及過渡金屬錯化合物在電極表面的氧化反應(金屬離子之還原)之下，讓沈積在電極表面之鉑及鉑基合金顆粒的尺寸能夠奈米化，並有良好的分散度，以突破目前利用電鍍法所製備之觸媒金屬顆粒無法奈米化的瓶頸，使其在燃料電池觸媒電極的應用上能發揮最大的效益。
本發明之第五目的係提供一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液與其方法，選用適當濃度之檸檬酸及乙二醇做為電鍍製程之電鍍液，檸檬酸在電鍍的過程中同時扮演分散劑及穩定劑的角色，且不影響鉑及過渡金屬錯化合物在電極表面的氧化反應(金屬離子之還原)之下，讓沈積在電極表面之鉑及鉑基合金顆粒的尺寸能夠奈米化，並有良好的分散度，以突破目前利用電鍍法所製備之觸媒金屬顆粒無法奈米化的瓶頸，使其在燃料電池觸媒電極的應用上能發揮最大的效益。
本發明之第六目的係提供一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液與其方法，係將至少含檸檬酸之電鍍液置入一反應槽中，選擇適當之陰極與陽極，並施以一適當電位，以達成最佳之鉑及鉑基合金奈米顆粒之製備。
為達前述之目的與功效，發明人將檸檬酸或檸檬酸與其他酸性溶液之混合物加入電鍍製程之電鍍液中，並反覆測試與修正檸檬酸與酸性溶液之濃度，始得到本發明之以電鍍法於檸檬酸水溶液中製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之方法。茲分別以本發明之一第一較佳電鍍液組成成份、一第二較佳電鍍液組成份、一第三較佳電鍍液組成份、一第四較佳電鍍液組成成份、一第五較佳電鍍液組成成份與一較佳實施例之電鍍法實施步驟對於本發明之以電鍍法於檸檬酸水溶液中製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之方法做詳細介紹。
首先，本發明針對以電鍍法於檸檬酸水溶液中製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之方法，係提供一第一較佳電鍍液組成成份，該第一較佳電鍍液組成成份係包含：一含有鉑金屬錯化合物之溶液，鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度；及一含有檸檬酸之酸性溶液，檸檬酸在電鍍液中之濃度為0.01莫耳濃度至5莫耳濃度；其中，該電鍍液係達到18℃至60℃方可進行電鍍製程。
在該第一較佳電鍍液組成成份中，更可加入一非鉑金屬錯化合物，該非鉑金屬錯化合物之金屬種類可由以下組合物中擇一使用：化學週期表B族元素、鉍(Bismuth)、鎂(Magnesium)、銥(Iridium)與錫(Tin)，且非鉑金屬 錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
接著，本發明亦提供一第二較佳電鍍液組成成份，該第二較佳電鍍液組成成份係包含：一含有鉑金屬錯化合物之溶液，鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度；及一含有檸檬酸與乳酸之酸性混合溶液，檸檬酸在電鍍液中之濃度為0.01莫耳濃度至5莫耳濃度，乳酸在電鍍液中之濃度為0.005莫耳濃度至10莫耳濃度；其中，該電鍍液係達到18℃至60℃方可進行電鍍製程。
在該第二較佳電鍍液組成成份中，更可加入一非鉑金屬錯化合物，該非鉑金屬錯化合物之金屬種類可由以下組合物中擇一使用：化學週期表B族元素、鉍(Bismuth)、鎂(Magnesium)、銥(Iridium)與錫(Tin)，且非鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
本發明亦提供一第三較佳電鍍液組成成份，該第三較佳電鍍液組成成份係包含：一含有鉑金屬錯化合物之溶液，鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度；及一含有檸檬酸與硼酸之酸性混合溶液，檸檬酸在電鍍液中之濃度為0.01莫耳濃度至5莫耳濃度，硼酸在電鍍液中之濃度為0.005莫耳濃度 至10莫耳濃度；其中，該電鍍液係達到18℃至60℃方可進行電鍍製程。
在該第三較佳電鍍液組成成份中，更可加入一非鉑金屬錯化合物，該非鉑金屬錯化合物之金屬種類可由以下組合物中擇一使用：化學週期表B族元素、鉍(Bismuth)、鎂(Magnesium)、銥(Iridium)與錫(Tin)，且非鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
本發明亦提供一第四較佳電鍍液組成成份，該第四較佳電鍍液組成成份係包含：一含有鉑金屬錯化合物之溶液，鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度；及一含有檸檬酸與硫酸之酸性混合溶液，檸檬酸在電鍍液中之濃度為0.01莫耳濃度至5莫耳濃度，硫酸在電鍍液中之濃度為0.005莫耳濃度至10莫耳濃度；其中，該電鍍液係達到18℃至60℃方可進行電鍍製程。
在該第四較佳電鍍液組成成份中，更可加入一非鉑金屬錯化合物，該非鉑金屬錯化合物之金屬種類可由以下組合物中擇一使用：化學週期表B族元素、鉍(Bismuth)、鎂(Magnesium)、銥(Iridium)與錫(Tin)，且非鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
本發明亦提供一第五較佳電鍍液組成成份，該第五較佳電鍍液組成成份係包含：一含有鉑金屬錯化合物之溶液，鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度；及一含有檸檬酸與乙二醇之酸性混合溶液，檸檬酸在電鍍液中之濃度為0.01莫耳濃度至5莫耳濃度，乙二醇在電鍍液中之濃度為0.005莫耳濃度至10莫耳濃度；其中，該電鍍液係達到18℃至60℃方可進行電鍍製程。
在該第五較佳電鍍液組成成份中，更可加入一非鉑金屬錯化合物，該非鉑金屬錯化合物之金屬種類可由以下組合物中擇一使用：化學週期表B族元素、鉍(Bismuth)、鎂(Magnesium)、銥(Iridium)與錫(Tin)，且非鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
接著，請參照如第一圖所示，係本發明之一較佳實施例之電鍍法實施步驟，其中係包含以下步驟：配製一至少含有鉑金屬錯化合物及至少含有檸檬酸之電鍍液，並且使電鍍液達到一特定溫度(步驟102)，其中，該電鍍液即利用上述之第一、第二、第三、第四及第五較佳電鍍液組成成份進行製備，此處不再贅述，並且電鍍液需達到18℃至60℃；將製備好之電鍍液置入一常壓反應槽中，以一導電物質或半導體物質為陰極(工作電極)，一鉑金屬為陽極 (對應電極)(步驟103)；於該常壓反應槽內放入一參考電極(步驟104)，該參考電極可由以下之電極種類中擇一使用：一飽和甘汞電極(Saturated Calomel Electrode)、一銀/氯化銀電極(Sliver/Sliver Chloride Electrode)及一標準氫電極(Standard Hydrogen Electrode)；及在陰極部位施加一電位，該電位可由以下之電位種類中擇一使用：一脈衝式直流電及一非脈衝式直流電(定電位)，其中，該脈衝式直流電之電位範圍(相對於標準氫電極電位)為1 VSHE 至-2 VSHE ，頻率範圍為0.1微赫茲至1000千赫茲，而該非脈衝式直流電之電位範圍(相對於標準氫電極電位)為0.0 VSHE 至-2 VSHE ，並且脈衝式直流電及非脈衝式直流電之施加時間為1毫秒至24小時(步驟105)，即完成鉑及鉑基合金奈米顆粒之製備。
請參照如第二圖及第三圖所示，係分別為本發明一電鍍反應槽裝置示意圖之上視圖及側視圖，由圖中可得知，該電鍍反應槽由外而內之之配置分別為：常壓反應槽201、陽極(對應電極)202、陰極(工作電極)204、陰極支撐管205、參考電極支撐管206及參考電極207，而電鍍反應槽內則裝有電鍍液203。
接著以下將以一較佳實施例來展示實際應用之成效。本較佳實施例使用三電極電化學系統，以一飽和甘汞電極(Saturated Calomel Electrode，SCE)為參考電極( Reference Electrode)，一鉑金屬為對應電極(Counter Electrode)，而一奈米碳管試片為工作電極(Working Electrode)，本較佳實施例之目的為分別將Pt、Pt-Ru及Pt-Co奈米觸媒沈積在該奈米碳管試片(工作電極)上。施加電鍍電位的方法分為一脈衝式直流電位及一非脈衝式直流電位(定電位)二種，其中該脈衝式直流電位選擇為+0.0 VSCE (相對於飽和甘汞電極電位)及-1.20 VSCE ，施加電位的頻率為5 Hz(+0.0 VSCE )及1 Hz(-1.20 VSCE )，而該非脈衝式直流電(定電位)則是選用-1.2 VSCE 。本較佳實施例所選用之金屬前驅物分別為氯鉑酸(H2 PtCl6 ．6H2 O)、氯化釕(RuCl3 ．xH2 O)及氯化鈷(CoCl2 ．6H2 O)，所添加之檸檬酸(citric acid mono hydrate)水溶液濃度為0.01~0.15莫耳濃度(pH=1.9~2.2)。本較佳實施例亦選用硫酸(sulfuric acid，H2 SO4 )水溶液(pH=1.9~2.2)做為電鍍液之支撐溶液做為比較。另外本較佳實施例亦使用檸檬酸與硼酸之混合溶液、檸檬酸與乳酸之混合溶液、檸檬酸與乙二醇之混合溶液及檸檬酸與硫酸之混合溶液做為電鍍液並比較各不同溶液之差異性。製備Pt、Pt-Ru及Pt-Co奈米觸媒之條件如表一所示：
電鍍製程開始前，電鍍液皆以氮氣或氬氣除氧，電鍍的環境則是控制在常壓及恆溫30℃。觸媒電極製備完成後皆以去離子水加以清洗之。經由金屬前驅物(H2 PtCl6 ． 6H2 O、RuCl3 ．xH2 O、CoCl2 ．6H2 O)於電極表面的氧化反應(金屬離子之還原)，奈米尺寸的Pt、Pt-Ru及Pt-Co觸媒最後分別沈積於奈米碳管電極上(Pt/CNTs/CC、Pt-Ru/CNTs/CC、Pt-Co/CNT/CC)。
請參閱如第四圖所示，係為本較佳實施例之試片編號C-P(a)、H-P(b)、PC-P(c)及PH-P(d)利用本發明之電鍍法，將Pt沈積於奈米碳管上之掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy，SEM)及穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy，TEM)微影圖。其中，選用之金屬前驅物為氯鉑酸(H2 PtCl6 ．6H2 O)，而C-P(a)及PC-P(c)所使用之支撐溶液為檸檬酸(citric acid，C6 H8 O7 ．H2 O)，H-P(b)及PH-P(d)所使用之支撐溶液為硫酸(sulfuric acid,H2 SO4 )，濃度如表一所示。另外，C-P(a)及H-P(b)使用之電位為一定電位，而PC-P(c)及PH-P(d)使用之電位為一脈衝式直流電位。在第四圖中，左側掃描式電子顯微鏡圖中之白色顆粒及右側穿透式電子顯微鏡圖中之黑色顆粒為Pt金屬顆粒，在定電位的電鍍條件下比較時，添加檸檬酸做為支撐溶液所製備之試片C-P(a)，其所承載之Pt金屬顆粒之粒徑分佈為3至6 nm，其比添加硫酸做為支撐溶液所製備之試片H-P(b)之Pt金屬顆粒粒徑分佈均勻。由H-P(b)中之左側掃描式電子顯微鏡微影圖可看出，利用硫酸做為支撐溶液所製備之Pt 顆粒有明顯之聚集現象，粒徑大小約為50至300 nm。而在脈衝式直流電位方面，亦顯示添加檸檬酸做為支撐溶液所製備之試片PC-P(c)之Pt金屬顆粒粒徑較於硫酸水溶液中所製備之試片PH-P(d)之Pt金屬顆粒粒徑分佈佳。進一步比較同樣使用檸檬酸做為支撐溶液所製備之試片C-P(a)及PC-P(c)，其中，利用脈衝式直流電位法所製備之試片PC-P(c)，其奈米Pt金屬顆粒之分佈密度較利用定電位法所製備之試片C-P(a)佳。由上述結果可比較出，於電鍍製程中利用檸檬酸做為支撐溶液所製備的Pt奈米金屬顆粒，其金屬顆粒分散性及粒徑分佈皆較利用硫酸所製備之Pt金屬顆粒為佳，顯示檸檬酸能同時扮演電解液(傳導離子)及分散劑(形成奈米化金屬顆粒)的角色。再者，利用脈衝式直流電位法製備Pt奈米金屬顆粒於CNTs表面，可得到較佳之金屬分佈及較小之顆粒粒徑。此高分散度及較小粒徑尺寸的Pt觸媒在低溫燃料電池之應用當中，預期能擁有較好的活性。
請繼續參閱如第五圖所示，係為試片編號C-PR(a)與PC-PR(b)之掃描式電子顯微鏡及穿透式電子顯微鏡微影圖以及H-PR(c)與PH-PR(d)之掃描式電子顯微鏡微影圖，而此四個試片係利用本發明之電鍍法將Pt-Ru沈積於奈米碳管上，即同時加入金屬前驅物氯鉑酸(H2 PtCl6 ．6H2 O)及氯化釕(RuCl3 ．xH2 O)於電鍍液中。C-PR(a) 及PC-PR(b)所使用之支撐溶液為檸檬酸(citric acid,C6 H8 O7 ．H2 O)，H-PR(c)及PH-PR(d)所使用之支撐溶液為硫酸(sulfuric acid,H2 SO4 )，濃度如表一所示。另外，C-PR(a)及H-PR(c)使用之電位為一定電位，而PC-PR(b)及PH-PR(d)使用之電位為一脈衝式直流電位。比較利用檸檬酸做為支撐溶液所製備之Pt-Ru奈米觸媒顆粒之試片C-PR(a)及PC-PR(b)與利用硫酸做為支撐溶液所製備之Pt-Ru奈米觸媒顆粒之試片H-PR(c)及PH-PR(d)，可以看出，利用硫酸做為支撐溶液所製備之Pt-Ru觸媒金屬，即使是利用脈衝式直流電位法，其形貌大部分呈現薄膜狀，亦即均勻包覆在CNTs表面上，此情況可以預期為金屬之間的聚集所造成，且預期將會有較小的觸媒表面積。另一方面，利用檸檬酸做為支撐溶液所製備之Pt-Ru，其觸媒顆粒的形狀則大多呈現似圓形，粒徑大小約為3至6 nm。由此可知，以檸檬酸做為支撐溶液，可以製備出奈米尺寸之Pt-Ru觸媒顆粒，其在電鍍過程中，亦是同時扮演電解液(傳導離子)及分散劑(形成奈米尺寸之觸媒顆粒)的角色。進一步分析使用相同的支撐溶液(檸檬酸)下，利用脈衝式直流電位法之試片PC-PR(b)所製備之Pt-Ru奈米觸媒顆粒，其在CNTs表面之分散度較利用定電位法之試片C-PR(a)所製備之奈米觸媒顆粒分散度為佳。
請繼續參閱如第六圖所示，係為試片編號CD26-03(a)、CD26-20(b)、CD28-01(c)、CD28-02(d)及CD28-09(e)之掃描式電子顯微鏡微影圖，其中，試片CD26-03(a)及CD26-20(b)係以檸檬酸與硼酸之混合溶液為電鍍製程之電鍍液，試片CD28-01(c)及CD28-02(d)係以檸檬酸與乳酸之混合溶液為電鍍製程之電鍍液，試片CD28-09(e)係以檸檬酸與乙二醇之混合溶液為電鍍製程之電鍍液。首先比較試片CD26-03(a)與CD26-20(b)，係使用相同濃度之檸檬酸與硼酸混合溶液，以不同之氯化鈷濃度(試片CD26-03(a)為3 mM，試片CD26-20(b)為40 mM)搭以相同之氯鉑酸濃度，皆能製備出Pt-Co之奈米顆粒。接著比較試片CD28-01(c)及CD28-02(d)，係利用檸檬酸及乳酸之酸性混合溶液分別製備Pt及Pt-Ru奈米顆粒。如圖所示，在檸檬酸(濃度為0.01 M)及乳酸(濃度為0.05 M)的支撐溶液中，皆能製備出奈米顆粒之Pt及Pt-Ru。試片CD28-09(e)係以檸檬酸與乙二醇之混合溶液為電鍍液以製備Pt-Ru奈米顆粒，如圖所示，此混合溶液亦能有效製備出Pt-Ru之奈米顆粒。
最後看到如第七圖所示，係為試片編號0115(a)、0118(b)及0219(c)之掃描式電子顯微鏡微影圖。其中，試片0115(a)為在檸檬酸(0.15 M)及硫酸(0.01 M)之酸性混合溶液的製程當中，且氯鉑酸濃度為0.2 mM的條件 下，所製備之Pt奈米顆粒。而在相同的濃度下，增加氯鉑酸之濃度為0.5 mM條件之下，亦能製備出Pt奈米顆粒，如試片0118(b)所示，顯示改變Pt金屬前驅物之濃度並不會對製備出奈米顆粒有造成顆粒粒徑變大之影響。最後，在固定的氯鉑酸濃度(0.5 mM)下，提高硫酸之濃度(0.1 M)，在不同的檸檬酸濃度下(試片0118(b)為0.15 M，試片0219(c)為0.3 M)以製備Pt奈米顆粒。如圖所示、，在較高的硫酸濃度下，改變檸檬酸之濃度亦能製備出Pt奈米顆粒。由以上之實驗結果顯示，在有添加檸檬酸的條件下，無論其濃度之高低及所搭配之酸性溶液或醇類(乙二醇)溶液，皆能製備出奈米顆粒之Pt、Pt-Co及Pt-Ru。
近年來各式可攜帶式電子產品需要微型化的電力產生單元當作供電來源，舉凡筆記型電腦、數位相機、個人數位助理以及手機等。傳統使用之充電電池在重量與便利性上受到相當的限制，於是多種替代之電力產生單元均陸續投入開發的行列，其中，直接甲醇燃料電池(Direct Methanol Fuel Cell，DMFC)的開發，不僅可滿足可攜式電子產品快速供電的需求，亦能提供其使用的方便性。另外，DMFC是一種將甲醇燃料的化學能直接轉化成電能的發電裝置，使用甲醇為燃料之優點包括質輕、體積小、使用時間長、燃料更換方便以及低汙染，已成為下一代微型電能供應系統的重要選項之一。然而，目前應用於燃料電池 的觸媒擔載量仍偏高(以直接甲醇燃料電池為例，目前能達到較佳的電池效能，其觸媒擔載量最低的要求為每平方公分2毫克)，加上貴重金屬價格居高不下，使得燃料電池的開發成本仍無法達到商業化的要求。因此，提供一種低擔載量並同時能有高催化效能的觸媒實為目前發展低溫燃料電池的重點之一。
本發明主要是開發一種新穎的電鍍法，以製備奈米尺寸的觸媒；於電鍍液中添加乙二醇可使得觸媒顆粒分散均勻；另外乙二醇也可當做穩定劑，不會造成觸媒顆粒的聚集並使之奈米化。分散均勻且奈米尺寸的觸媒顆粒，可相對降低觸媒的擔載量並提高觸媒的利用率(Utilization)，使電化學反應效能提高，使燃料電池產生最大之效益，有效提昇電池整體的效能；本發明亦可避免因為觸媒的浪費而造成燃料電池製作成本的增加。
綜合上述，同時在國際油價價格持續上揚與綠色環保能源發展的趨勢下，開發新能源已成為全球各地共同的目標，其中燃料電池因具備高能量密度、高轉換效率、低污染等特性成為備受矚目的新能源開發技術。尤其近來針對可攜式電子產品功能所衍生出電池續航力不足、補充攜帶與能源環保等問題，燃料電池因具有較二次電池續航力高、可隨時補充以及污染低等優勢而可望成為新一代能源技術主流。燃料電池邁向主流的近期未來內，預期將會對 燃料電池供電產生龐大的需求。因此，本專利之開發成果將有利於加速直接甲醇燃料電池商業化之腳步。
以上所述之實施例與較佳實施例僅係說明本發明之技術思想與特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，若依本發明所揭露之精神作均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
發明人經過不斷的構想與修改，最終得到本發明之設計，並且擁有上述之諸多優點，實為優良之發明，應符合申請發明專利之要件，特提出申請，盼 貴審查委員能早日賜與發明專利，以保障發明人之權益。
101‧‧‧步驟開始
102‧‧‧配製一至少含有鉑金屬錯化合物及至少含有檸檬酸之電鍍液，並且使電鍍液達到一特定溫度
103‧‧‧將製備好之電鍍液置入一常壓反應槽中，以一導電物質或半導體物質為陰極(工作電極)，一鉑金屬為陽極(對應電極)
104‧‧‧於該常壓反應槽內放入一參考電極
105‧‧‧在陰極部位施加一電位，並且施加一特定時間
106‧‧‧步驟結束
201‧‧‧常壓反應槽
202‧‧‧陽極(對應電極)
203‧‧‧電鍍液
204‧‧‧陰極(工作電極)
205‧‧‧陰極支撐管
206‧‧‧參考電極支撐管
207‧‧‧參考電極
第一圖 係為本發明之一較佳實施例之電鍍法實施步驟；第二圖 係為本發明之一電鍍反應槽裝置示意圖之上視圖；第三圖 係為本發明之該電鍍反應槽裝置示意圖之側視圖；第四圖 係為較佳實施例之試片編號C-P、H-P、PC-P及PH-P之掃描式電子顯微鏡及穿透式電子顯微鏡微影圖；第五圖 係為較佳實施例之試片編號C-PR與PC-PR之掃描式電子顯微鏡及穿透式電子顯微鏡微影圖以及H-PR與PH-PR之掃描式電子顯微鏡微影圖；第六圖 係為較佳實施例之試片編號CD26-03、CD26-20、CD28-01、CD28-02及CD28-09之掃描式電子顯微鏡微影圖；及第七圖 係為較佳實施例之試片編號0115、0118及0219之掃描式電子顯微鏡微影圖。
101~106‧‧‧係本發明之一較佳實施例之電鍍法實施步驟

Claims (41)

  1. 一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其成份包括：一含有鉑金屬錯化合物之溶液；及一含有檸檬酸之酸性溶液；其中，該電鍍液係達到一特定溫度方可進行電鍍製程。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該電鍍液中更可加入一非鉑金屬錯化合物，該非鉑金屬錯化合物之金屬種類可由以下組合物中擇一使用：化學週期表B族元素、鉍(Bismuth)、鎂(Magnesium)、銥(Iridium)與錫(Tin)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該非鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，檸檬酸在電鍍液中之濃度為0.01莫耳濃度至5莫耳濃度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該電鍍液之特定溫度為18℃至60 ℃。
  7. 一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其成份包括：一含有鉑金屬錯化合物之溶液；及一含有檸檬酸與乳酸之酸性混合溶液；其中，該電鍍液係達到一特定溫度方可進行電鍍製程。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該電鍍液中更可加入一非鉑金屬錯化合物，該非鉑金屬錯化合物之金屬種類可由以下組合物中擇一使用：化學週期表B族元素、鉍(Bismuth)、鎂(Magnesium)、銥(Iridium)與錫(Tin)。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該非鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，檸檬酸在電鍍液中之濃度為0.01莫耳濃度至5莫耳濃度。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，乳酸在電鍍液中之濃度為0.005莫 耳濃度至10莫耳濃度。
  13. 如申請專利範圍第7項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該電鍍液之特定溫度為18℃至60℃。
  14. 一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其成份包括：一含有鉑金屬錯化合物之溶液；及一含有檸檬酸與硼酸之酸性混合溶液；其中，該電鍍液係達到一特定溫度方可進行電鍍製程。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該電鍍液中更可加入一非鉑金屬錯化合物，該非鉑金屬錯化合物之金屬種類可由以下組合物中擇一使用：化學週期表B族元素、鉍(Bismuth)、鎂(Magnesium)、銥(Iridium)與錫(Tin)。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該非鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之製備鉑及鉑基合金奈米 顆粒之電鍍液，其中，檸檬酸在電鍍液中之濃度為0.01莫耳濃度至5莫耳濃度。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，硼酸在電鍍液中之濃度為0.005莫耳濃度至10莫耳濃度。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該電鍍液之特定溫度為18℃至60℃。
  21. 一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其成份包括：一含有鉑金屬錯化合物之溶液；及一含有檸檬酸與硫酸之酸性混合溶液；其中，該電鍍液係達到一特定溫度方可進行電鍍製程。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該電鍍液中更可加入一非鉑金屬錯化合物，該非鉑金屬錯化合物之金屬種類可由以下組合物中擇一使用：化學週期表B族元素、鉍(Bismuth)、鎂(Magnesium)、銥(Iridium)與錫(Tin)。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之製備鉑及鉑基合金奈米 顆粒之電鍍液，其中，該非鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，檸檬酸在電鍍液中之濃度為0.01莫耳濃度至5莫耳濃度。
  26. 如申請專利範圍第21項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，硫酸在電鍍液中之濃度為0.005莫耳濃度至10莫耳濃度。
  27. 如申請專利範圍第21項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該電鍍液之特定溫度為18℃至60℃。
  28. 一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其成份包括：一含有鉑金屬錯化合物之溶液；及一含有檸檬酸與乙二醇之酸性混合溶液；其中，該電鍍液係達到一特定溫度方可進行電鍍製程。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
  30. 如申請專利範圍第28項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該電鍍液中更可加入一非鉑金屬 錯化合物，該非鉑金屬錯化合物之金屬種類可由以下組合物中擇一使用：化學週期表B族元素、鉍(Bismuth)、鎂(Magnesium)、銥(Iridium)與錫(Tin)。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該非鉑金屬錯化合物在電鍍液中之濃度為0.1微莫耳濃度(0.1×10-6 M)至100莫耳濃度。
  32. 如申請專利範圍第28項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，檸檬酸在電鍍液中之濃度為0.01莫耳濃度至5莫耳濃度。
  33. 如申請專利範圍第28項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，乙二醇在電鍍液中之濃度為0.005莫耳濃度至10莫耳濃度。
  34. 如申請專利範圍第28項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之電鍍液，其中，該電鍍液之特定溫度為18℃至60℃。
  35. 一種製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之方法，係包含以下步驟：(1)配製一至少含有鉑金屬錯化合物及至少含有檸檬酸之電鍍液，並且使電鍍液達到一特定溫度；(2)將製備好之電鍍液置入一常壓反應槽中，一導電物質及一半導體物質選擇其一為陰極(工作電 極)，一鉑金屬為陽極(對應電極)；(3)於該常壓反應槽內放入一參考電極；及(4)在陰極部位施加一電位，並且施加一特定時間，即完成鉑及鉑基合金奈米顆粒之製備。
  36. 如申請專利範圍第35項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之方法，其中，步驟(1)之該電鍍液須達到18℃至60℃。
  37. 如申請專利範圍第35項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之方法，其中，步驟(3)之該參考電極可由以下之電極種類中擇一使用：一飽和甘汞電極(Saturated Calomel Electrode)、一銀/氯化銀電極(Sliver/Chloride Electrode)及一標準氫電極(Standard Hydrogen Electrode)。
  38. 如申請專利範圍第35項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之方法，其中，步驟(4)之該電位可由以下之電位種類中擇一使用：一脈衝式直流電及一非脈衝式直流電(定電位)。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之方法，其中，該脈衝式直流電之電位範圍(相對於標準氫電極電位)為1 VSHE 至-2 VSHE ，頻率範圍為0.1微赫茲至1000千赫茲。
  40. 如申請專利範圍第38項所述之製備鉑及鉑基合金奈米 顆粒之方法，其中，該非脈衝式直流電之電位範圍(相對於標準氫電極電位)為0.0 VSHE 至-2 VSHE 。
  41. 如申請專利範圍第35項所述之製備鉑及鉑基合金奈米顆粒之方法，其中，步驟(5)施加電位的時間為1毫秒至24小時。
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