TWI393913B - 利用溶膠凝膠法製備光學元件之方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關於光學元件之製造方法,且特別是有關於一種利用溶膠-凝膠(sol-gel)製程來製備光學元件之方法。
傳統光學元件製程可區分為研磨與模造兩種方法。研磨製程是採用玻璃毛胚為初始基材,經切削、研磨、拋光、對心等工序製成。研磨製程適合製作球面透鏡等高精度之成像透鏡,但無法製作直徑曲率比(D/R)大於1.8以上之鏡片,且研磨製程既費時又費工。模造製程係將玻璃球胚加溫至約400-600℃將玻璃軟化後再施以高壓將球胚壓合成型,之後經過退火、回火、研磨、拋光等工序而成。模造製程適合製作非球面或複合曲面等研磨製程無法生產之光學元件,如透鏡陣列,且成品之精度已達成像等級,可普遍應用於高階光學系統中。在模造製程中,透鏡是在高溫高壓的環境下成型,內部應力釋放不易,製程損壞率較高。此外,為了因應高溫高壓下之工作條件,模具的材料及維修成本十分高昂。
近年來隨著溶膠-凝膠技術的興起和發展,以溶膠-凝膠製程來製備矽玻璃也越來越普遍。利用溶膠-凝膠製程來製備矽玻璃(silica glass)時,主要是將矽酸酯在酸或鹼的催化下進行水解及縮聚反應,以得到一濕凝膠(wet gel),再
將上述濕凝膠乾燥後進行燒結即可得到矽玻璃。
濕凝膠是由三維的固態網狀結構為主體,其具有非常多的孔隙,而孔隙中通常佈滿了反應時所用的溶劑或其他物質。一般而言,濕凝膠的乾燥方式可分為一般加熱法以及超臨界乾燥法(supercritical drying)。
利用一般加熱法所得的中間產物稱為乾凝膠(xerogel),其係利用一般的加熱蒸發裝置來移除濕凝膠孔隙中之溶劑。然而,在溶劑蒸發的過程中,會產生不均勻的毛細管張力而破壞凝膠的網狀結構,進而使得整個膠體大幅收縮(收縮率可高達90%)。上述現象往往會導致乾凝膠破裂,因此一般乾燥法不適合用以大量生產具有優良精度之光學元件。
為了解決一般乾燥法面臨的膠體破裂之問題,相關領域中開發出了超臨界乾燥法,其係在溶劑的超臨界狀態下利用氣體取代孔隙中的溶劑,由於此種方法對凝膠結構的破壞力較低,因此所得到的氣凝膠(aerogel)較不易破裂。然而,溶膠-凝膠製程中常用的溶劑之臨界點都屬於高溫高壓的狀態,因此其設備成本和操作危險性較高。此外,氣凝膠的收縮率較小,通常介於15%左右,因此也不適合用來製造尺寸較小的精密光學元件。
有鑑於此,相關領域亟需提出一種高生產效率、低設備成本之光學元件的製造方法。
因此,根據本發明之一態樣,提供了一種光學元件之製造方法,其係利用溶膠-凝膠製程以及於常壓下加熱以大量生產精密光學元件。
根據本發明一實施例,上述光學元件之製造方法包含將二氧化矽奈米粒子加入水中以形成分散液;將四烷氧基矽加入分散液中;調整分散液之pH值並攪拌分散液以形成溶膠溶液(sol solution);將溶膠溶液到入模具中;陳化(aging)溶膠溶液以得到濕凝膠;以弱酸水溶液沖洗濕凝膠;於常壓下加熱乾燥上述濕凝膠以得到乾凝膠;以及燒結乾凝膠以得到光學元件。
根據本發明之另一態樣,提供了利用上述方法所製造之各種精密光學元件,其中在上述光學元件的製備過程中,所得之乾凝膠的體積收縮率為約25-40%。
如上所述,傳統光學元件製程以及溶膠-凝膠製程各有其應用上的優缺點,而本發明實施例係針對既有的溶膠-凝膠製程加以改良。
雖然超臨界乾燥法能夠降低乾燥過程中膠體破裂的比例,但超臨界乾燥法對於操作條件的要求很高,又需要昂貴的設備。就目前的超臨界乾燥技術而言,所需的乾燥溫度約為250℃,而壓力約需55 bar。此外,超臨界乾燥法往往會在乾燥前進行溶劑置換,以至少部分取代膠體孔隙中之水分,此一溶劑置換步驟導致在後續燒結步驟中,必須
加入額外的燒結氣體以移除溶劑或其他雜質,使得燒結步驟及所需設備更為複雜。
因此本發明之一態樣係針對於常壓下加熱進行改良,並成功克服了以往運用於常壓下加熱難以避免的膠體破裂問題。由於根據本發明實施例之方法,不需進行上述溶劑置換、超臨界乾燥、額外氣體燒結等步驟,因此可大幅降低製程的複雜度,同時可節省時間與設備成本。
根據本發明之一態樣,光學元件之製造方法包含下列步驟:(a)將二氧化矽奈米粒子加入水中以形成分散液;(b)將四烷氧基矽加入分散液中;(c)調整分散液之pH值並攪拌分散液以形成溶膠溶液;(d)將溶膠溶液到入模具中;(e)陳化溶膠溶液以得到濕凝膠;(f)以弱酸水溶液沖洗濕凝膠;(g)於常壓下加熱乾燥上述濕凝膠以得到乾凝膠;以及(h)燒結乾凝膠以得到光學元件。
在本發明一實施例中,在進行步驟(a)時可於分散液中加入無機酸,將該分散液之pH值調整至約1.5-2.5,以利二氧化矽奈米粒子均勻地分布於分散液中。舉例而言,上述無機酸可為鹽酸。
此外,在本發明另一實施例中,亦可在步驟(a)中利
用攪拌分散器來攪拌分散液,以利二氧化矽奈米粒子均勻地分布於分散液中。舉例來說,上述攪拌可視情形調整為數分鐘至數小時。
在本發明一實施例中,步驟(a)所用之二氧化矽奈米粒子的粒徑大小為約5-100 nm。在本發明又一實施例中,上述二氧化矽奈米粒子佔分散液之重量百分比為約25-40%。
在本發明一實施例中,步驟(b)所用之四烷氧基矽可為四乙氧矽烷(tetraethoxysilane,TEOS)或四甲氧矽烷(tetramethoxysilane,TMOS)。在本發明又一實施例中,上述分散液與四烷氧基矽之重量比約為3:1至4:1。
在本發明一實施例中,步驟(c)係利用胺液逐滴中和分散液,直到分散液之pH值為約4.6-5.0。舉例來說,上述胺液可為氫氧化銨。
根據本發明實施例,步驟(d)所用的模具形狀可依欲得到之光學元件的形狀來設計。
根據本發明實施例,步驟(f)所用之弱酸水溶液的pH值為約4.0-8.0,較佳的範圍為約4.5-7.5。舉例而言,在本發明一實施例中,可利用水沖洗濕凝膠。在本發明實施例中,上述步驟(f)的進行時間可視需要加以調整,一般而言,沖洗時間為約1-20小時。
根據本發明實施例,於恆溫恆濕機中進行步驟(g)。根據本發明實施例,步驟(g)之乾燥條件為溫度小於等於60℃以及相對濕度大於等於20%。在本發明實施例中,上
述步驟(g)的進行時間為約1小時至約48小時,其中實際乾燥時間可視模具中濕凝膠尺寸來調整,通常尺寸越小乾燥時間也越短。
根據本發明實施例,步驟(h)係利用環境空氣(ambient air)進行燒結,而不需如先前技術一般,需在燒結時另行提供含氧氣或氯離子之燒結氣體以移除其中之雜質。在本發明實施例中,適當的燒結溫度應大於等於約1200℃,且燒結時間約需10-24小時。
本發明另一態樣提出利用上述製造方法所得的光學元件。在本發明實施例中,上述製造方法中所得乾凝膠的體積收縮率為約25-40%(體積收縮率的計算方式如下:模具體積為M1,乾凝膠體積為M2,則體積收縮率S=(M1-M2)/M1 * 100%),此外所得光學元件的體積收縮率為約45-55%。
在本發明實施例中,可利用不同的模具以得到各種形狀、尺寸及種類之光學元件。舉例來說,上述光學元件可以是透鏡、鏡片陣列、砲彈型光學元件或長條型光學元件。可想而知,上述光學元件之類型僅為例示,本發明實施例不限於上述特定類型之光學元件。
下文舉出數個實驗例與比較例,以進一步闡明根據本發明實施例來製造光學元件時,不同參數對於光學元件良率及品質之影響,上述參數包括沖洗條件、乾燥溫度、乾燥濕度、乾燥時間等。
本說明書中,各實驗例及比較例之製造方法如下:首先,製備約3000 g之二氧化矽分散液,其中二氧化矽粒子之粒徑為約5-100 nm,分散液中二氧化矽粒子的重量百分比約25-40%。在分散液中加入690 g濃度為0.01 N之鹽酸,並以攪拌器攪拌約30分鐘。在分散液中加入約1000 L之四乙氧矽烷,並以攪拌器攪拌約90分鐘。
接著,利用濃度0.1 N之氫氧化銨逐滴中和上述分散液,直到分散液之pH值為約5.0。將逐滴中和完成之分散液(溶膠溶液)倒入成型用之模具中,使溶膠溶液在模具中陳化(即進行水解及縮聚反應),以得到成型之濕凝膠。
以弱酸水溶液沖洗濕凝膠,在下述各實驗例及比較例中,所用之弱酸水溶液的pH值可能不同,將於個別實驗例中另行指明相關參數。
在沖洗之後,利用於常壓下加熱來乾燥上述濕凝膠。在下述各實驗例及比較例中,係將濕凝膠放置於恆溫恆濕機內,以不同的溫度及相對濕度條件,將濕凝膠乾燥為乾凝膠。此外,隨著模具尺寸不同,所需的乾燥時間亦不相同。
最後,在周圍空氣的條件下,燒結乾凝膠以得到光學元件。所用的燒結溫度為約1300℃,燒結時間約12個小時。
為了探討沖洗步驟以及不同沖洗條件對於光學元件品質之影響,本系列實驗利用上述方法來製備12 mm之透鏡光學元件。在本系列實驗中,皆將濕凝膠放置於恆溫恆濕機中,以約40℃及相對濕度約65%的條件乾燥,乾燥時間約10小時。各實驗例不同之處在於用以沖洗濕凝膠之弱酸水溶液的pH值不同,而比較例1則未進行沖洗步驟。下表1列出各實驗例及比較例之相關參數與結果:
在比較例1中,以經過沖洗之濕凝膠進行乾燥時,所得到的乾凝膠中約有15%會破裂,其餘未破裂的乾凝膠經過燒結後,所得到的光學元件呈現霧狀,屬於不良品。相較之下,實驗例1-3中,濕凝膠於乾燥過程中破裂的比例不到1%,且經燒結所得之光學元件品質良好。
此外,實驗例1-3所得之乾凝膠收縮率約為27%,亦優於比較例1之乾凝膠收縮率20%。
由此可知,在將濕凝膠乾燥之前,根據本發明實施例利用弱酸水溶液沖洗成型的濕凝膠的確有助於減少乾燥過程中膠體破裂之情形。此外,利用弱酸水溶液沖洗可進一步移除濕凝膠中之雜質,因此可利用環境空氣進行燒結,而不需另外提供含氧或氯之燒結氣體。
為了探討乾燥條件對於光學元件品質之影響,本系列實驗利用上述方法來製備多種光學元件。本系列實驗中,皆利用pH值約為6.0之弱酸水溶液來沖洗濕凝膠,沖洗時間約8小時。在各實驗例中,針對不同類型、尺寸之光學元件,調整其乾燥時之溫度及相對濕度。下表2列出部分實驗例及比較例之相關參數與結果:
參照表2,以1 mm之透鏡為例,當乾燥溫度為45℃且相對濕度為20%時,所得到的乾凝膠收縮率可達27%而光學元件收縮率可達49.5%,且產品的良率約為50%。在乾燥溫度同樣保持45℃而相對濕度提升至40%時,乾凝膠收縮率與光學元件收縮率皆與前一條件中相同,但產品的良率可提升至85%。當將乾燥溫度提高至60℃時。產品的良率則為35%,但仍可得到理想的乾凝膠收縮率與光學元件收縮率。
再以鏡片陣列(尺寸為15mm*17mm*1.8mm)為例,由於單一鏡片陣列元件的表面積大於單一個1 mm透鏡元件,在乾燥過程中,乾燥溫度和相對濕度等參數亦與1 mm透鏡元件略有不同。然而,由表2可以發現,當相對濕度同樣為80%時,乾燥溫度55℃下鏡片陣列的產品良率為85%;而乾燥溫度升高到70℃時,鏡片陣列的產品良率為0%。
由表2可知,不論光學元件的類型為何,根據本發明實施例提出之方法進行乾燥時,乾燥溫度應小於等於60°
C,當乾燥溫度高於60℃時,上述四種光學元件類型的產率都極低甚或為0%。另一方面,乾燥時之相對濕度應大於等於20%。研究結果顯示,在乾燥過程中,乾燥溫度與相對濕度兩種環境參數都會影響產物乾燥的情形,而且兩種環境參數間也存在交互影響的作用。由上述實驗1及實驗2可知,根據本發明實施例之光學元件製造方法,可利用於常壓下加熱來乾燥濕凝膠。相較於習知超臨界乾燥法,本發明實施例提供之方法不但不需要高價的設備,亦可大幅縮短乾燥所需的時間。因此本發明實施例提出之方法,不但可用於量產各種外形及尺寸之光學元件,更可節省所需之時間與設備成本。同時,利用本發明實施例提出之光學元件製造方法,亦可得到理想的乾凝膠收縮率及光學元件收縮率。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (26)
- 一種光學元件之製造方法,其係利用溶膠-凝膠製程,該製造方法包含:(a)將二氧化矽奈米粒子加入水中以形成一分散液;(b)將一四烷氧基矽加入該分散液中;(c)調整該分散液之pH值並攪拌該分散液以形成一溶膠溶液;(d)將該溶膠溶液到入一模具中;(e)陳化該溶膠溶液以得到一濕凝膠;(f)以一弱酸水溶液沖洗該濕凝膠;(g)於常壓下加熱乾燥該濕凝膠以得到一乾凝膠;以及(h)燒結該乾凝膠以得到該光學元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(a)更包含加入一無機酸至該分散液中,以將該分散液之pH值調整至約1.5-2.5。
- 如申請專利範圍第2項所述之光學元件之製造方法,其中該無機酸為鹽酸。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(a)更包含利用攪拌分散器攪拌該分散液。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方 法,其中該步驟(a)所用之該二氧化矽奈米粒子之粒徑大小為約5-100 nm。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(a)所用之該二氧化矽奈米粒子佔該分散液之重量百分比為約25-40%。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(b)所用之該四烷氧基矽為四乙氧矽烷或四甲氧矽烷。
- 如申請專利範圍第7項所述之光學元件之製造方法,其中該分散液與四烷氧基矽之重量比為約3:1至4:1。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(c)係利用胺液逐滴中和該分散液,直到該分散液之pH值為約4.6-5.0。
- 如申請專利範圍第9項所述之光學元件之製造方法,其中該胺液為氫氧化銨。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(f)所用之該弱酸水溶液的pH值為約4.0-8.0。
- 如申請專利範圍第11項所述之光學元件之製造方法,其中該弱酸水溶液的pH值為約4.5-7.5。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(f)進行約1-20小時。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(g)係於一恆溫恆濕機中進行。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(g)之一乾燥條件為一溫度小於等於60℃以及一相對濕度大於等於20%。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(g)進行約1小時至約48小時。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(g)所得之該乾凝膠的體積收縮率為約25-40%。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(h)所得之該光學元件的體積收縮率為約45-55%。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(h)係利用環境空氣進行燒結。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法,其中該步驟(h)之一燒結溫度為大於等於約1200℃,且一燒結時間約10-24小時。
- 一種光學元件,其係利用如申請專利範圍第1項所述之光學元件之製造方法所製備,其中在該製備過程中所得之一乾凝膠的體積收縮率為約25-40%。
- 如申請專利範圍第21項所述之光學元件,其中該光學元件的體積收縮率為約45-55%。
- 如申請專利範圍第21項所述之光學元件,其中該光學元件為一透鏡。
- 如申請專利範圍第21項所述之光學元件,其中該光學元件為一鏡片陣列。
- 如申請專利範圍第21項所述之光學元件,其中該光學元件為一砲彈型光學元件。
- 如申請專利範圍第21項所述之光學元件,其中該光學元件為一長條型光學元件。
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