TWI263851B

TWI263851B - Method for testing pixels for LCD TFT displays

Info

Publication number: TWI263851B
Application number: TW094125449A
Authority: TW
Inventors: Axel Wenzel; Ralf Schmid; Matthias Brunner
Original assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2004-08-03
Filing date: 2005-07-27
Publication date: 2006-10-11
Also published as: JP2006085154A; KR101227929B1; CN1737592B; KR20060049042A; JP5752868B2; CN1737592A; DE102005036521A1; US20060028230A1; TW200606539A; DE102005036521B4; US7256606B2

Description

1263851 玖、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係有關於測試一平板顯示器之複數像素。詳言之，本發明之具體例係有關於引導一電子束至一非均勻電極區上面來測試複數像素。【先前技術】過去數年來’通常一電腦和其他電子製品用之顯示器’係一陰線射線管、或稱為CRT。該CRT在二十世紀的下半世紀係作為個人電腦（pc，s)和電視之標準顯示器。該 CRT —般係在一彎曲的玻璃基板上運作來形成一顯示器。近年來’商業上已發展出主動陣列液晶顯示器、或稱為LCD。該LCD具有一些勝過CRT之優點，包含具有較高的晝像品質、重量較輕、需要電壓較低、以及較小的電能消耗。用於平板顯示器方面，[CD顯示器係有利的，而且最近有許多手持式電子裝置也已經商業化，諸如計算機螢幕、個電數位助理（pda)螢幕、手提電腦（筆記型）螢幕、行動電話顯示器、以及小型電腦及電視螢幕。此外，大型lcD顯示器目前已在消費市場被採用作為平面螢幕電視。主動陣列LCD之一種型式，包含夾於一 TFT陣列基板與形色濾光片基板之間之液晶材料。該丁ft陣列基板包含一陣列的複數薄膜電晶體（TFT，S)，該複數薄膜電晶體係各自連結至一像素電極。該彩色濾光片基板包含不同的彩色濾光片部分以及一共同電極。當一特定電壓施加至一像素電極， 3

1263851 在該像素電極與該共同電極之間產生一電場，使該液晶材料產生配向，可使光線通過該特定像素。第1圖係顯示一液晶顯示器1 0 0之概略圖，其包含有一均勻像素電極。該圖係下載自目前的富士網站 iUI^i/Z^MJLgie.funtsii'com/products/displavs/lcdvatech-}^ L。液晶材料120係夾在該TFT陣列基板110·與該彩色濾光片基板110”之間。因為該TFT陣列基板11〇,包含一均勻像素電極1 1 2’，當一特定電壓施加在該像素電極時，該液晶顯不器之該等複數分子係配向在一單一方向。該顯示器1〇〇之該光線強度係取決於相對於該液晶配向的觀看角度。因此，具有均勻的像素電極之該TFT-LCD的缺點是有效視角狹窄。第2圖係顯示一液晶顯示器2〇〇之概略圖，其包含有一非均勻像素電極。該圖係下載自目前的富士網站 http ：//www.fme.fui itsu.com/T3roducts/displavs/lcdvatech .htm L。液晶材料220A及220B係夾在該TF丁陣列21 0,與該彩色濾光片基材210”之間。該TFT陣列基板210,包含一非均勻像素電極21 2’。該非均勻電極包含形成於一導電區的上面之複數介電線。該等複數介電線使該液晶材料可朝向多種方向設置。結果，觀察者從不同角度觀看該顯示器20 〇時，看起來似乎較為鮮明。這種型式的顯示器被稱為一多區垂直調準 (multi-domain vertical alignment，MVA)顯示器，其具有一非均勻電極，其包含形成在一導電區上面之複數介電線。第3和4圖係顯示MVA顯示器之一個例子之概略圖，其中該液晶係配向於四個方向，稱為A區、B區、C區、和 1263851 D區。在第4圖可以看到6個像素其具有複數介電線⑴形成在複數導電部繼、上面。該等複數介電線218 用以區分並調準在_後去# 冢素内之該液曰曰成為複數調準配向。具有非均勻電極之顯示器的另外一種型式，被稱為面板内切換式（In Plane Switehing ; lps)顯示器，該顯示器包含形成在該TFT陣列基板上之—對電極n置該㈣顯示器採用一對成型為聯鎖指形（interl〇cking _口3)電極。該

液晶顯示器維持與該基材平行。結果，可以增加顯示器的視角0 當MVA型式及IPS型式顯示器的尺寸增加，製造廠商必須在基板上增加更多的像素以及電晶體。具有通常技藝者應了解甚至-中等尺寸的彩色顯示器，也可能採用數百萬個電晶體。若其中有任何電晶體發生問題，會在顯示器產生一具有缺陷的像素。當電晶體數量增加時，在一顯示器具有不良電晶體的可能性越高。因此，作為品質控制的一部分，一大型LCD的製造廠商會對顯示器複數像素的全部或是一部分進行測試。在製程中電子束測試（EBT)能夠被使用來監控並檢修缺陷。在一典型的EBT步驟，探測在該等像素内之TFT的回應來提供一缺陷資料。例如，在EBT測試，對該等薄膜電晶體施加特定電壓，且在測試時該電子束被引導至該等被調查的各自像素電極。藉由感知從該像素電子區域放射之二次電子來決定該TFT電壓。在測試時，一電子束被放置在該TFT陣列之各像素電 1263851 上面自接著-個。為了完成此移動，一基板首先被放置在位於t子束柱下面的一工作台上。一基板區域(有時稱為次顯示器區域)可以在該電子束柱的下面移動。當一基板&域之次顯示器區域位於該電子束柱下方時，該電子束依料被移動至該基板區域内之各像素電極上面。在此區域被 j式後工作台被移動來測試下一區域。在一些較新的系統’ 一至四電子束被並行利用來測試分由該非均勻電極之該導電部和介電部的存在域電子束測試包含非均句電極之顯示器時係有問題的。結果，希望提供一種測試包含非均勻電極之顯示器之改良方法。發明内容本發明係提供一設備和液晶顯示器電子束測試方法，該液晶顯示器包含具有一導電部 ^, 電部之複數非均勻電極。依照本發明方法，因為增加該 |直徑，所以該電子束較不聚焦，亦即，在一非均勻電極

u , 工面被放大或被模糊化。該電子束之該直徑增加，因此、果產生來自該非均勻電極區之該導電部之複數個二次電人电于所配置之測試電子束可以為圓形、橢圓形或是其他形狀。【實施方式】因此，參照以下本發明之具體例及町加圖不之說明，能夠對本發明上述所敘述之特徵及上述 4调要，更清楚明白。應了解附加圖示、實施例說明只是本發义典型具體例，本 6 1263851 發月並未限定在此範圍，本發明之範圍係包含其他等效具體例。 • 係例示電子束測試（EMT)系統之一概略示意 ^ 〇例示=EBT系統5〇〇能夠測試大型面板基材，可以大 1_9公尺乘2.2公尺以上。該EBT系統5〇〇係作為例示性的目的，應了解拓t 任订尺寸之任何EBT系統可以經過修改來實施本發明所揭示之方法。 _ ㉟電子束測試系、统500 it常包含一探㈣器儲存構件 =〇、-探測器傳送構件53()、一負載鎖定室54G、以及—測忒至550。該探測器儲存構件520可容納一或多個鄰近該測忒至550之探測器5〇5，用以方便使用以及收回。最好是該探測器儲存構件52〇配置於該測試室55〇的下方，如第5圖所不’以降低為了達到無污染及有效運作用所需要的無塵室空間。該探測器儲存構件52G之尺寸最好是約等於該測試室寸並配置在支樓該測試室5 5 0之一主框5 1 〇的上面該探/則器健存構件52〇包含配置在該主框51〇上之一架 • 522 ’用以支撐一或多個探測器505。該探測器儲存構件52〇可以更包含一可伸縮門524，其能密閉該儲存區域並且在未使用時可以保護所儲存之探測器505。々該探測器傳送構件53〇係_模組單元，配置在該測試的附近用以在該探測器儲存構件5 2 0與該測試室5 5 〇 t間傳送-探測器5G5。該探測器傳送構件53()包含一底座 3〇5其連接二或更多個垂直支撑構件3i〇a、3⑽（圖示中示出二個）。若需要時，魏輪或腳輪315可以配置在底座3〇5 7 1263851 之-底部表面’用以使該探測動。义傅件530可以方便地調該探測器傳送構件53〇更包旯^ 3 —升降臂320其安裝在該支撐構件31〇Α、31〇Β之一東踹。4 + 夂白々人末端該支撐構件310Α、310Β 各自包3—凹槽312(有圖示其中—個吻合銜接。料凹槽312中之_ ^升降^3 ^ ^ A ~個可以容納一線性致 Γ:Ί—空氣汽缸、一水力汽缸、-磁驅動器、-步進器、 ΐ:Γ達、或其他型式之移動元件(未圖示)。該凹槽312 了搭配該移動元件（未圖示 ^ ^ , 篼勒作，用以引導並使該升降 U便進行垂直移動。該升降臂320係配置成可以插入二〆50或進入該探測器儲存構件520,用以收回和傳送該探測器505。該負載鎖定室540係配置^鄰近並連結至該測試室 550。該等室54〇、55〇丘用一丘 /、用，、同裱境，其通常係藉由貫通連接該測試室550之一幫浦維持在真空狀態（未圖示）。該負載鎖定室540在該測試室55()與該外部之間傳送基板該負載鎖定室540通常是在大氣壓下之_無塵室。該負載鎖定室可以冑立處理環境運作，其能夠依照係系統需求而被加熱或被冷部、以及被加壓或被減壓。因此，負載鎖定室540 在不暴露於外部的方式將複數基板傳送進或傳送出該測試室550。第5圖顯示四支EBT柱525A、B、c、D。該ΕΒΤ枉 525A/B/C/D配置在該測試室55Q之—±表面。當被啟動時，該等柱傳送一電子束至該基板上之該等電極，用以在測試時 1263851 激發該等電極。關於測試該等傻去>_

八/寻像素之進一步細節、以及例示EBT 系..先500之操作及特徵，如中請中的美國專利中請號碼 M33,717號’公告曰期2〇〇4年12月21曰。該申請案之案名為"具有積體電路板傳送模組之電子束測試系統,，，該申言主案以引用的方式併入本文。

在測試時，-基板係放置在位於該電子束下方之一工作台上，該電子束被移動並依順序測試該Μ陣列之該等電極。觀測到使用EBT對- MVA型式顯示器進行測試時，在該TFT陣列基板上所形成的複數絕緣線，會干擾該電子反應。例如’參照第4圖，在EBT進行測試一 MVa型式顯示器，希望該電子束激發位於在該等介電線218之間之該等暴露的導電部22〇B/G/R上之複數電子。然而，一電子束可以非故意地被引導至主要位於該等絕緣線218其中之一的2 面，而非位於一導電部的上面，而干擾來自該導電區之電子反應。同樣地，㈣到-IPS顯示器之該導電線指形結構會干擾該電子反應。例如，—電子束會被引導至主要位於 '對電極之間之一介電部，因而干擾該電子反應。在各例子，當一電子束係單獨位於該介電部時所探測到的二次電子的= 號係與該電子束位於該導電部所探測到的不同。希望避免該電子束因為在一非均勻電極區域内的不同位置而產生不同的電子信號值之情形。因此，本發明之方去係採用一放大或「散焦（def0cused)」測試電子束，其實質上產生一平均或混合信號。換句話說，係增加該測試電子束之 1263851 直徑，可以實質上減少該介電部之信號干擾。第6圖係一非均勻電極區域600之具體例之一概略示意圖。希望使用該非均勻電極區域600代表一 MVA型式顯示器之一單一像素。該介電線618係形成在一導電部622和 624的上面。在該例示非均勻電極6〇〇，導電部624係暴露在該等絕緣線6 1 8之間。為了克服測試該MVA型式顯示器時之不一致的電子束反應問題，增加該電子束的直徑，或稱為「糢糊化 (blurred)」，至該介電線618寬度之2倍至1〇倍（或更多）之間。在一態樣，該電子束的直徑增加為該介電線618的寬度的約4倍至8倍之間。在一非限定的實施例，該介電線6ι 8 的寬度約為1 0微米。在此例，該電子束的直徑增加至約微米至100微米之間。增加該電子束之直徑會導致較少比例的該等介電線618被充電，而實質上係使該等介電線618對電極激發的影響被加以平均。一電子束625如第6圖所示，在測試時被引導至該非均勻電極600的一部分上。在此，該電子束625通常係圓形。該電子束625的直徑比該等不同的介電線618大許多。、亦可以採用其他的電子束架構。帛7_係非均句電極區域700之另具體例之一概略示意圖。在此，該電子束725 通ΐ係11形°該電子束725之直徑係測量橫跨其較短的轴而得到。、亦可以测置該”糢糊化”電子束的尺寸來與該像素電極區域本身進仃比較。在此，該方法之一具體例，該電子束區 10 Ϊ263851 域被增加至具有約被測試的該开β qj電極區域之至少約 50%。第8圖係又另一非均句雷 Ί電極區域800之一概略平面圖。顯示有二鄰接的線8 1 8位於兮韭 %该非均勻電極區域8〇0上面。該像素區域被設置成為一般性區域， K U此該4線818可以是介電的或是導電的，而在該等後琛818之鄰接區域可以分別是導電的或是介電的。由第8圖應可丢山應了看出一電子測試束825被引導至該非均勻電極區域8〇〇的上而分希7 — 的上面。該電子測試束825線覆

蓋一線818和一鄰接該線818 &域#兩邛分。該電子測試束825的直徑足以產生來自—導電部之複數個二次電子。而且’該電子束具有；i夠的直徑，因此當該電子束⑵移至在該相同TFT陣列内之不同的非均勻外j j冤極時，該電子信號實質上係相同。如第8圖所示，該電子束區域係該整體非均句電極區域之至少观。在一具體例’該電子束825之區域可以與從線818至-鄰接線818的距離同樣大。在—態樣，該電子束具有一區域，其係為所調查的該非均勻電極區域8〇〇之約 50%至 90%。第9圖係又另一非均勻電極區域9〇〇之一概略平面圖，如一 IPS-型式晶胞。該非均勻電極區域9〇〇包含形成一交錯指形結構之一對電極918，、918”。該等電極9ΐ8，、Μ", 之間的寬度被界定為橫跨一介電部924之寬度。一電子測試束925被引導至該非均勻電極區域9〇〇的上面。該電子測試束925至少覆蓋該電極918，、該該電極 918”、以及位於該等電極918，' 918"之間的一介電部Μ#之 11 1263851 多個部分。該電子束具有足夠 J〜且k，因此當該電子束925 移至在該相同TFT陳列内之：Η AA # , 丨早夕〗円之不冋的非均勻電極時，該電子信號實質上係相同。 ’或「糢糊化」，為該介電倍（或更多）之間。在一態樣，增加該電子束925的直徑線918’、918”的寬度之2倍至1〇該電子束的直徑增加為該介電線918，、918，，寬度的約4倍至 8倍之間if加該電子束之直徑會導致較少比例的該等介電口P 924被充電’而實質上係使該等介電部924對電極激發的影響被平均。

在此所敘述之方法的另外一具體例，一聚焦電子束被用來對該基板上面之定位/調準標記進行第一掃描。因為在該電子束下方之該顯示器基板位置，通常會因為基板誤差、工作台位置誤差、以及其他誤差而移動，且因為該電子束位置控制具有一誤差餘裕，對該基板上面之定位/調準標記進行掃描有助於去除該等位置誤差並修正該電子束相對於該基板的位置。例如，該電子束可以被聚焦在小於該非均勻電極區域約20%之一區域，隨後該電子束被掃描於該定位/調準標記上面。接著，藉由改變在該聚焦透鏡中之電流及/或改變在一磁聚焦線圈内之電流可以使電子束散焦。接著，該已散焦之電子束被依順序引導至該TFT陣列之目標非均勻電極區域的上面。在此’上述之本發明之敘述，主要是參照Μ V A型和 IpS型顯示器。然而，應了解本發明並不限定於此等型式之元件，所敘述之該等元件只是為了例示性說明之目的。關於 12 1263851 此點，在此所敘述的方法，用以測試任何其他型式之具有非均勻電極之顯示器元件係有用的。雖然上前敘述已本發明的具體例，但是在未悖離本發明之基本範圍，可以設計本發明之其他和進一步具體例，本發明之範圍係由隨附之申請專利範圍所限定。【圖式簡單說明】第1圖係包含均勻電極之液晶顯示器之一像素之概略圖。

第2圖係包含非均勻電極之液晶顯示器之一像素之一具體例之概略圖。第3和4圖係例示MVA顯示器其液晶可以配向在四個方向之概略圖。第5圖係例示電子束測試（EMT)系統之一概略示意圖。第6圖係非均勻電極區域之具體例之一概略示意圖。第7圖係非均勻電極區域之另一具體例之一概略示意圖。第8圖係又另一非均勻電極區域之一概略平面圖。第9圖係又另一非均勻電極區域之一概略平面圖。【主要元件符號說明】 100 > 200 液晶顯不器 110,、 210' TFT陣列基板 110，，、 2 10丨，彩色濾光板片基 112' 均勻像素電極 120 ^ 220 液晶材料 212' 非均句像素電極 220A 液晶材料 218 介電線 13 1263851

220B 220G、液晶材料 305 底座 220R 3 1 OA、支撐構件 3 12 凹槽 3 1 OB 3 15 輪或腳輪 320 升降臂 500 電子束測試系 505 探測器統 510 主框 520 探測器儲存構件 524 可伸縮門 522 架 540 負載鎖定室 525A、 EBT柱 B、C、 D 550 測試室 600 非均勻電極區域 622 導電部 618 介電線 624 導電部 700 非均勻電極區域 725 電子束 800 非均勻電極區域 818 二鄰接區線 825 電子測試束 900 非均勻電極區 918·、電極域 91 8丨， 924 介電部 925 電子測試束

(S) 14

Claims

1263851 拾、申請專利範圍： L -種用以在一平板顯示器基板上執行電子束測試複 TFT疋件的方法，該平板顯^基板包含複數非均句電木，各非均勾電極區域具有—導電部和一介電包含：配置-電子測試束之步驟’該電子測試束具有一… 足夠覆蓋該介電部的至少—部分和該導電部的至少分；以及 ° 引導該電子測試束至該非均句電極區域上面之步驟。 2·如申請專利範圍第係該非均勻電極£域… 中該電子束的區域 J J €極£域之至少約5〇%。 3·如申請專利範圍第1 #嗲非方法其中該電子束的區域係該非均勾電極區域之約50%至約9〇%之間。 4 ·如申睛專利範圍第1 測兮击項之方法，其中所配置該電子 β式束之形狀係圓形。 5.如申請專利範圍第試束之形狀係橢圓形。 1項之方法，其中所配置該電子測種用以在一平板 TFT元件的方顯不器基板上執行電子束測試複數法’該平板顯示器基板包含複數非均勻電極區 15 1263851 域，各非均勻電極區域具有形成在一導電部上面之複數介電線，該方法包含：配置一電子測試束之步驟，該電子測試束具有一直徑其足夠覆蓋該等介電線其中之一的至少一部分和覆蓋該導電部的至少一部分；以及引導該電子測試束至該平板顯示器之該非均勻電極區域上面之步驟。

7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該電子束的直徑係該等介電線其中之一的寬度之約2倍至約10倍。 8. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該電子束的直徑係該等介電線其中之一的寬度之約4倍至約8倍。 9.如申請專利範圍第6項之方法，其中所配置該電子測試束之形狀係圓形。

1 0.如申請專利範圍第6項之方法，其中所配置之該電子測試束之形狀係橢圓形，所配置之該電子測試束之直徑係藉由測量橫跨其較短軸來得到的。 11.如申請專利範圍第6項之方法，其中該平板顯示器基板包含一多區垂直調準（MVA)顯示器基板。 (S) 16 1263851 數TFT 、’反顯示器基板上執行電子束測試複兀、，該平板顯示器基板包含複數非均勾電招區域，各非均勻電極區域包含 Ί1電移 3由7丨電部所分隔開來之一楚一電極和一第二電極，該方法包含：弟配置-電子測試束之步驟，該電子測試束具有一直足夠覆蓋該第-電極的至少一部分、該第二電極的至少：部分、及該介電部的至少一部分；以及引導該電子測試束至該平板顯示器之該非均勻電極區域上面之步驟。 13·如申請專利範圍第12項之方法，其中 Τ必电子束的直徑係該等介電線其中之一的寬度之約2倍至約1〇伴 14·如申請專利範圍第12項之方法，其中該電子束的直徑係該等介電線其中之一的寬度之約4倍至約8件、

第。圍形範圓利係專狀請形申之如束 5 試 1測子 _ ,六T尸π配置驾測試束之形狀係橢圓形，所配置該電子測試束之直測量橫跨其較短軸而得到。 17.如申請專利範圍第12項之方法，其中該平板羅 17 1263851 Un Plane Switching ; IPS)顯示器基基板包含面板内切換式板0 18_—種用以在一单缸取— 一板颂不器基板上執行電子束測試複數TFT元件的方法，命承4 μ 板颂示器基板包含複數非均勻電極區域，各非均勻電極具有一 "冤°卩以及一導電部，該方法

/貝ll 5式束具有一第一區定位標記，用以調準配置一電子測試束之步驟，該電子域其小於該非均句電極區域約2〇%; 引導該電子測試束至該基板上之一該電子束之一位置之步驟；董新配置一電子測試束之步驟，區域其大於該非均句電極區域約20%;:束，、依順序引導該電子測試束至該非均句電極區域上

19·如申請專利範圍第18項之方法測試束之形狀係圓形。其中所配置該電子 18項之方法，其中所配置該電子所配置該電子測試束之直徑係藉由 20·如申請專利範圍第測試束之形狀係橢圓形，測量橫跨其較短軸而得到 2 1 ·如申請專利範圍第1 8項之電子：目丨丨钟土 t 々法’其中該重新配 ' 的該第二區域係該非岣勹雷；fere J 3電極區域之約501 18 1263851 約90%之間。 22.—種用以測試一基板上之複數元件的設備，^ 一設置在該基板一元件上方的電子束該電該基板上形成一可配置的點區域，其適合從該基板言數個二次電子信號，其中該點係配置成可以使該们被降至最低。 23. 如申請專利範圍第22項之設備’其中該元件膜電晶體（TFT)，&具有—非均勻電極區域，並且該係該非均勻電極區域之至少5 〇%。 24. 如申請專利範圍第23項之設備，其中該點區非均句電極區域之約5〇%至約9〇〇/〇之間。 25·如申請專利範圍第22項之設備，其中該點區狀係圓形。 L含：子束在秀導出複 ft的干擾係一薄點區域域係該域之形 26.如申請專利範圍第22項之設備，其中該點區狀係橢圓形。域之形 27.如申請專利範圍第22項之設備，其中該薄膜 (TFT)具有一導電部和—介電線部。電晶體 19 1263851 28.如申請專利範圍第27項之設備，其中該點區域界定一直徑，該直徑係該等介電線其中之一的寬度之約2倍至約 10倍。 29.如申請專利範圍第27項之設備，其中該點區域之形狀係圓形並界定一直徑，該直徑係該等介電線其中之一的寬度之約4倍至約8倍。

3 0.如申請專利範圍第27項之設備，其中該點區域之形狀係橢圓形，所界定之該直徑係藉由測量橫跨其較短軸而得到，該直徑係該等介電線其中之一的寬度之約4倍至約8倍。 3 1 · —種用以測試一平面基板上之複數薄膜電晶體的電子測試束設備，該平面基板包含複數非均勻電極區域，各非均勻電極具有一介電部、以及一導電部，該設備包含··

一電子測試束，其界定出該基板上的一點，該點具有一區域其被調整成可以覆蓋該介電部的至少一部分、以及該導電部的至少一部分。 32.如申請專利範圍第31項之設備，其中該區域可被調節以界定出一直徑，該直徑係該等介電線其中之一的寬度之約2倍至約10倍。 3 3 .如申請專利範圍第3 1項之設備，其中該區域可被調 20 1263851 節成圓形之形狀，該直徑係該等介電線其令之一的寬度之約 4倍至約8倍。 3 4 ·如申凊專利範圍第3〗項之設備，其中該區域可被調節成橢圓形之形狀，並且界定一直徑其係藉由測量橫跨其較短軸而得到，該直徑係該等介電線其中之一的寬度之約4倍至約8倍。 3 5 ·如申請專利範圍第31項之設備，其中該區域可被調節成可覆蓋該非均勻電極區域之至少約5〇〇/0。 3 6·如申請專利範圍第31項之設備，其中該區域可被調節成可覆蓋該非均勻電極區域之約50%至約90%之間。 3 7·如申請專利範圍第31項之設備，其中該區域可被調節成圓形形狀。 38.如申請專利範圍第31項之設備，其中該區域可被調節成橢圓形形狀。