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TW577176B - Structure of thin-film transistor, and the manufacturing method thereof - Google Patents

Structure of thin-film transistor, and the manufacturing method thereof Download PDF

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TW577176B
TW577176B TW092107246A TW92107246A TW577176B TW 577176 B TW577176 B TW 577176B TW 092107246 A TW092107246 A TW 092107246A TW 92107246 A TW92107246 A TW 92107246A TW 577176 B TW577176 B TW 577176B
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Yung-Hui Yeh
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Ind Tech Res Inst
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Description

577176 五、發明說明（Ο 【發明所屬之技術領域】 種 本發明係有關於一種薄膜電晶體，特別是有關於 微晶矽薄膜電晶體的結構、其製造方法及其應用。 【先前技術】 薄膜電晶體為主動陣列型平面顯示器常用的主動元件 (active element )，其通常用來驅動主動式液晶顯示器 (active matrix type liqUid crystal dispUy)、主 動式有機電激發光顯示器（active matrix type 〇rganic 1 lght-emi tt ing display )、影像感測器等裝置。通常， 此薄膜電晶體具有半導體矽膜層，此半導體矽膜層可大致 分為多晶石夕（po ly-silicon )膜層以及非晶石夕 (amorphous silicon，a — Si:H)膜層。 程Π ί: ί: Γ的半導體石夕膜㉟’因為其具有低製 r度纟叮以用氧相沈積法來製備，因此適合 果 產，而且製程技術也較成熟，因此良率也 。缺生 多晶矽膜層相較’非晶矽膜層的導電特性比車:差：’與 多晶矽膜層的導電特性佳， 用 2 晶體相較’使用多晶妙膜的薄膜電膜：薄膜電 移率，因此，薄膜電晶體可以 二有較咼的場效遷 將控制像素的驅動電路整人=发下操作，而且還可以 膜層的製造方法大致有三；象：上。常見之多晶石夕 沈積形成’第二種是先形成非晶石夕匕：用沈積步驟直接 晶成多晶矽膜層，第三種、層後利用熱能使其結 y成非晶矽膜層後利用雷射
0412.8737TWF(Nl)；9i〇〇48;amy>ptd 577176
使其結晶成多晶硬膜層。 热而 必須沈積 面均勻度 雖然可以 步驟所需 長，會影 定，雷射 提供的驅 操作。此 矽薄膜電 丄处的方法有下 足夠厚才 差，所需 製造出厚 的溫度高 響產率。 結晶所完 動電流更 外，由於 晶體易產 丨王々/ί：的缺gn. a 能形成大晶粒的多晶石夕膜 ·、 ^
的製程溫度亦高達_度第而二且種方其表 度薄且均句的多晶石夕臈層，然而其社法曰 達600度，熱預算高，且所需的時間曰曰 第三種方法係受限於雷射光束的不穩 成的多晶矽薄膜電晶體均勻度不佳f所 是會影響電流驅動型之自發光顯示器的 多晶石夕薄膜的晶粒邊界的存在，使多晶 生南漏電流。 • 因此’本發明提出一種結合既有且技術成熟之低溫且 均勻之非晶石夕製程製造薄膜電晶體，但此薄膜電晶體卻擁 有傳統非晶矽薄膜電晶體所沒有之高驅動電流的特性，以 及傳統多晶矽薄膜電晶體所沒有之低漏電流的特性。 【發明内容】 有鑑於此’本發明提供一種薄膜電晶體的結構，包括 閘極電極、閘極絕緣層、微晶系半導體層、非晶系半導體| 層、源極和汲極、以及源極電極和汲極電極。其中閘極絕 緣層係設於閘極電極上；微晶系半導體層係設於閘極絕緣 層上’非晶糸半導體層係設於微晶系率導體層上，源極和 沒極係分別設於非晶系半導體層上，立對應於閘極電極之 兩側；且源極電極和汲極電極係分別設於源極和汲極上。
0412-8737TWF(Nl);910048;amy.ptd ^ c 笫b頁 577176 五 發明說明（3) 上述之薄膜電晶體的結構中 ' ^ 材質為微晶矽，非晶系半導體層的J中微晶系半導體 汲極為一摻雜的半導體層。其中，、材質為非晶矽，源極、 系半導體層具有相同的圖案。 微晶系半導體層和抽曰口 由於微晶系半導體層的高傳導 所需之驅動電流；由於非晶系半俨，因^可以提昇元件 以抑制關閉元件時不必要的電流。層的向阻值，因此可 本發明並提供另一種薄膜電晶 極、閘極絕緣層、通道層、高阻=枒的結構，包括閘極電 極上；通道層係設於二ί::極絕緣層係設於閉極電 通道…源極…係分= ”係設於 應於閘極電極之兩側；阻f材質層上，且對 源極和没極上。 電極和汲極電極係分別設於 上=之薄膜電晶體的結構中，其中通道層的材質為微 :的丰；：3材質層的材質為非晶石夕，源極和沒極為：摻 圖案。 s 。其中，通道層和高阻值材質層具有相同的 由於微晶系半導體層的高傳導性，因 二需之驅動電☆:由於高阻值材質層的高 = 可以抑制關閉元件時不必要的電流。 u 本發明又提供另一種薄膜電晶體的結構，包括 虽、問極絕緣I、第一通道層、第二通道層、源極和汲 極、以及源極電極和汲極電極。#中閘極絕緣層係設於開 577176 五、發明說明（4) 極電極上，源極和汲極係分別設於第二通道層上，且對應 ^閘極電極之兩側；且源極電極和汲極電極係分別設於源 ^和汲極上。此外，第一通道層係設於閘極絕緣層上，且 二第筮通f :提供一平行於閘極電極之平面之電流流動路 二係設於第一通道層上，此第二通道層提供 垂直於閘極電極之平面之電流流動路徑。 、上述之薄膜電晶體的結構中，其中第一诵言爲沾抖哲 為微晶矽，第二通道層的材質為 、Θ 、材質 r的半導體層。”，第源為-同的圖案。 $一通道層具有相 上述三種薄膜電晶體的結構均可 顯示器、或者其他有需要使用:二有機電激發光 置。由於微晶系半導體層的高==顯示器或裝 所需之驅動電流；由於非晶系半導體芦t可以提昇元件 以抑制關閉元件時不必要的電流。也‘：阻值，因此可 驅動的顯示器或裝置。 ϋ将別適合於電流 本發明並提供一種薄膜電晶體的製 f如下。首先於基板上形成-閘極電極。，其方法簡 極和基板上形成一開極絕緣層。繼續於閉ί者，於閘極電 形成一.微晶系半導體層、一非晶丰连j極絕緣層上依序（ 的半導體層，並同時定義摻雜的^導體層、以及一摻雜 層和微晶系半導體層，以形成一元 ^、非晶系半導體 雜的半導體層上形成一金屬層， ，區。之後，於摻 的半導體層，使摻雜的半導；層金屬層和換雜 、、 火疋義後形成一源極 i 第8頁 0412-8737TWF(N1);910048;amy.ptd
和一汲極 電極。 汲極 且使金屬層經定義後形成一源極電極和一 為讓本發明之μ 顯易懂，下文輯與Ϊ和其他目的、特徵、和優點能更明 細說明如下。、牛出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 【實施方式】 薄膜電晶體的結構 如第1D圖如示，其繪示本發明之薄膜電晶體的結構剖<| 圖。其中，閘極電極14係設置於基板12上，閘極電極14 的材質可為鋁、鋁合金、鉬。 閘極絕緣層16a係設置於閘極電極14和基板12上，閘 極絕緣層16a可為二氧化矽層、氮化矽（SiNx )層或氮氧 化矽（Si ON )層。 第一通道層1 8 a，即微晶系半導體層，係設置於閘極 絕緣層1 6 a上；第二通道層2 0 a，即非晶系半導體層，係設 置於微晶系半導體層18a上。其中，第一通道層iga的阻值 低於第二通道層20a，故第二通道層20a相對為一高阻值材+ 質層。上述之非晶系半導體層2 0 a的材質可為非晶矽；微 晶系半導體層1 8 a的材質可為微晶矽。 上述之非晶系半導體層20a和微晶系半導體層1 8a可以 具有相同的圖案，由於其阻值差異的特性，故不會因具有 相同的圖案而影響其電流流動方向；此外，非晶系半導體
〇412-8737TWF(Nl);910048;amy.ptd 第9頁 577176 五、發明說明（6) 層2 0 a未有電流流動的部份還可以做為第一通道層1 8 a的保 護層。或者，一部份的非晶系半導體層20a與源極22S和汲 極221)具有相同的圖案’另一部份的非晶系半導體層2〇a與 微晶系半導體層18a具有相同的圖案。 源極22S和汲極22D分別設於非晶系半導體層20a上， 且對應於閘極電極1 4之兩側。另外，源極電極24S和汲極 電極240係分別設置於源極223和汲極220上。而且源極223
和源極電極2 4S具有相同的圖案；且汲極2 2D和汲極電極 24D具有相同的圖案。 當該薄膜電晶體施加操作電壓開啟後，由於非晶系半 導體層20a的阻值高於其上方之源極22S和汲極22D以及其 下方之微晶系半導體層1 8 a，因此電流於非晶系半導體層 2 0 a中的流動方向係為源極2 2 S和微晶系半導體層1 8 a間的 最近路徑，以及汲極22D和微晶系半導體層18a間的最近路 徑。是故，微晶系半導體層18a係提供一平行於閘極電極 14之平面之電流流動路徑，而非晶系半導體層2〇&則係提 U ί ΐ閘極電極14之平面之電流流動路徑，電流流動 路徑Μ參見圖中之標號J。
元件：黨t : ^半導體層2 0 8的高傳導性，因此可以提昇 . 電流，同時利用高阻值補償區的非晶系半 導體層1 8 a來抑制關„ 一 ，丄+ 市』關閉7L件時不必要的電流。 圖係為。彳面圖，其繪示本發明之薄膜電 溥膜電晶體的製造方法 第1A圖至第么
577176 五、發明說明（7) 晶體的製程方法。 ** 首先請參照第1A圖，提供一基板丨2，例如是玻璃基 ' 板、或可撓性基板，其中可撓性基板例如是塑膠基板。之 後，在基板12上形成第一層導電層，並定義此導電層成閘· 極電極1 4。 接著請參照第1B圖，於閘極電極14上依序形成絕緣層 16、微晶系半導體層（micr〇crystalHne semic〇nduct〇r layer ) 18、非晶系、半導體層（am〇rph〇us semic〇nduct〇r layerj 20和摻雜的半導體層22。其中，絕緣層16的材質 可為經由沉積法所形成的二氧化矽層、氮化矽（SiNx )層 或氮氧化矽（SiON )層，厚度大約為3〇〇〇埃（A ))微晶 系半導體層1 8的材質可為微晶矽層，厚度大約為丨〇 〇〜 3 0 0、埃（），形成方法可為化學氣相沈積法，製程溫度 約為25 0 °C ;非晶系半導體層2〇的材質可為非晶矽層， f大約為11 0 0埃（A )，形成方法可為化學氣相沈積法， 製程溫度約為25 0 °C ; #雜的半導體層22的材質可為推雜 的非晶矽層或微晶矽層，厚度大約為5〇〇埃（A)，摻雜 的離子可為η型或p型，端視電晶體的電性而定。 "接著請參照第1C圖，定義摻雜的半導體層22、微 參 半導體層2 0、非晶系半導體層丨8和絕緣層丨6 士、 圖所示心a '20 a、18a和16a所構成的元件主動區轉為如 一接著請參照第1D圖，於摻雜的半導體層22a上形成 二層導電層’並同時定義第二層導電層和換雜的半導體層
577176 五、發明說明（8) 22a 使第一層導電層轉為源極電極24S和沒極電極24D， 並使摻雜的半導體層22a轉為源極22S和汲極22D。 在上述定義源極22S和汲極22D的步驟中，亦可以同時 非等向性地部份移除暴露出之非晶系半導體層2 〇a。 本發明所形成之薄膜電晶體具有類垂直型淡摻雜汲極 結構，因此可提高電晶體元件的電性可靠度。 應用例： 一 以下係以將上述之薄膜電晶體應用於有機電激發光顯 示器為例’然而本發明並不限定於該種顯示器之應用，其 他有需要使用薄膜電晶體的顯示器或裝置均可使用。 > 有機電激發光顯示器為一種自發光顯示器，無需額外 光源，並且具有快速反應速度、高亮度與廣視角的特性。 依照其驅動方式可區分成主動式（active )與被動式 (passive )兩種，其中主動式有機電激發光顯示器是利 用電流驅動，每一個晝素至少要有一開關薄膜電晶體 (swi tch TFT )，作為影像資料進入儲存開關及定址之 用’另外需要一個驅動薄膜電晶體（driving TFT )，根 據電容儲存電壓的不同來調節驅動電流的大小，即控制畫 素明π及灰階的不同。目前的主動式驅動方式有使用2個 TFT元件的驅動方式及使用4個tft元件的驅動方式。 以使用2個TFT元件的驅動方式為例，如第2圖所示， 吊見之有機電激發光顯示器之晝素結構A包括有一開關電 晶體Ί\、一儲存電容Cs，一驅動電晶體八以及一有機發光
0412.8737W(Nl)；910048;amy.ptd 第12頁 577176 五、發明說明（9) 二極體OLED。其中，開關電晶體Τι具有一閘極耦接掃描信 號線SCAN，一源極耦接資料信號線DATA。儲存電容Cs 一端 耦接開關電晶體1^之汲極，另一端耦接一參考電位VL。驅 動電晶體I具有一閘極耦接開關電晶體Τι之汲極，以及一 源極，接電源供應電壓vDD。另外，有機發光二極體〇LED具 有一陽極耦接驅動電晶體τ2之一汲極，一陰極耦接接地電 位 G N D 〇 以下係以有 光二極體 一、organic light emitting diode ) OLED和驅動電晶體&的部份之結構來做說明。 首先’於基板12上完成上述之薄膜電晶體26後，於薄 膜電晶體26上覆蓋一層絕緣層32，其材質例如為聚醯胺 (P〇lyamide)、丙烯酸樹脂（Acrylic resin)，具體而 言例如是JSR日本合成橡膠編號pC4〇3之耐熱透明絕緣物。 之後，於絕緣層32中形成暴露出汲極電極24D的孔洞34。 接著於絕緣層32上形成一導電層，並且填入孔洞34 與汲極電極24D連接。#中，此導電層的材質可為銦錫氧 化物尸丁〇 )、銦鋅氧化物（IZ〇 )、辞鋁氧化物（az〇 ) 或是氧化辞（ZnO)，其形成方法可為濺鑛法、冑子束蒸 ，法、熱蒸鑛法、化學氣相鍍膜法及喷霧熱裂解法。之、 ，’定，此導電層，以形成連接沒極電極24D的像素電極 丄即陽極層。其定義的方法例如是配合微影製程進行 #向性餘刻。 卜 接著於絕緣層32和陽極層36上形成發光材料層38，1 中發光材料層3 8的材曾可在|八工々> J何負可為小分子或高分子有機發光二極
577176 五、發明說明（ίο) 體材料，若為小 鍍方式形成有機 二極體材料，則 形成有機發光二 接著於陽極 可為Cu、Ag、Mg 合金’其形成方 因此，便大 本發明採用 術，以高傳導微 電流，同時以高 時不必要的電流 分子有機 發光二極 可使用旋 極體材料 層36上形 、A1、其 法可為真 致完成有 傳統成熟 晶矽提昇 阻值補償 發光^極體 體材料層； 轉塗佈、喷 層。 成陰極層40 它低工作函 空熱蒸鍍或 機電激發光 的非晶矽技 有機電激發 區抑制有機 材料，可利用真空蒸 若為高分子有機發光 墨或網版印刷等方式 ，此陰極層40的材質 數之金屬材料、或其 濺錄方式。 二極體的製程。 術’並結合微晶矽技 光顯示器所需之驅動 電激發光顯示器關閉 【發明之 綜上 汲極結構 體層所構 流流動路 流流動路 就驅 非晶^夕薄 壓值為4. 動電壓值 就開 特徵與效果】 斤U心明的'專膜電晶體具有類垂直型淡摻雜 :、其ΐ道部份係由非晶系半導體層和微晶系半Ϊ ，，/、中微晶系半導體層係提供一水平方向之 徑’而非晶系半導體層則係提供一垂直畲 徑。 \ 膜ϊ晶體之：動能力較 5伏特，非晶矽薄膜電晶體的驅動電 ^ 率為0.75 cm2/Vsec ;而本發明之七 為2 · 5伏特，濃必+ ^ ^ ^ 移率為 4.3 cm2/Vsec。 / 關比（〇n/〇ff ,. 11 rati〇 )而言，本發明的薄膜電
第14頁 577176 五、發明說明（11) "一 -------------- 晶體f開/關比較非晶矽薄膜電晶體高，傳統之非晶矽薄 膜電晶體的開/關比為1〇6，而本發明之開/關比為1〇7.5。 另外本發明的薄膜電晶體之操作效能的一致性較傳 統之多晶矽薄膜電晶體高。 此外’就製程而言，本發明的薄膜電晶體之微晶系半 導體層可藉由低溫的沈積製程來製備，因此結合其他次構 造的低溫製程後，可以設置於不耐高溫的可撓基板（例如 塑膠基板）上。 再者’就製造成本而5 ’本發明的製造成本較低溫多 晶矽薄膜製程的製造成本低。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本^明之精神 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
0412-8737TWF(Nl);910048;aniy.ptd 第15頁 577176 圖式簡單說明 第1A圖至第ID圖係為刮面圖，其繪示本發明之薄膜電 晶體的製程方法，其中 第1 A圖係搶示基板上形成閘極電極的示意圖； 第1 B圖係纷示於形成閘極電極的基板上依序形成絕緣 層、#晶系半導體層、微晶系半導體層和摻雜的半導體層 的示意圖； 第1 C圖係繪不疋義元件主動區的示意圖；以及 第1 D圖係繪示具有類垂直型淡摻雜汲極結構之薄膜電 晶體的示意圖。 第2圖係繪示使用2個TFT元件的驅動方式之有機電激 發光顯示器的等效電路圖。 第3圖係繪示有機電激發光顯示器之有機發光二極體 OLED和驅動電晶體T2的部份之結構剖面圖。 【符號簡單說明】 1 2〜基板 1 4〜閘極電極 16、16a〜閘極絕緣層 1 8〜微晶系半導體層 18a〜第一通道層（微晶系半導體層） 2 0〜非晶系半導體層 2 0 a〜第二通道層（非晶系半導體層） 2 2 S〜源極 2 2 D〜汲極 577176 圖式簡單說明 24S〜源極電極 2 4 D〜》及極電極 I〜電流流動路徑 A〜畫素結構 〜開關電晶體 Cs〜儲存電容 T2〜驅動電晶體 OLED〜有機發光二極體 SCAN〜掃描信號線 DATA〜資料信號線 VL〜參考電位 VDD〜電源供應電壓 GND〜接地電位 2 6〜薄膜電晶體 3 2〜絕緣層 3 4〜孔洞 3 6〜像素電極（陽極層） 3 8〜發光材料層 40〜陰極層
0412-8737TWF(Nl);91OO48;amy.ptd 第17頁

Claims (1)

  1. 577176 六、申請專利範圍 1 · 一種薄膜電晶體的結構，包括： 一閘極電極； 一閘極絕緣層，設於該閘極電極上； 一微晶系半導體層，設於該閘極絕緣層上； 一非晶系半導體層，設於該微晶系半導體層上； 一源極和一汲極，分別設於該非晶系半導體層上，且 對應於該閘極電極之兩側；以及 一源極電極和一汲極電極，分別設於該源極和該汲極 其中 圖案 2.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的結f構， ，該微晶系半導體層和該非晶系半導體層具有相同的 其中， 相同。 4. 其中， 案相同 層的圖 5. 其中該 層的材 6. 其中該 3.如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的結構， ，該非晶系半導體層的圖案與該源極和該汲極的圖案 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的結構， « 該非晶系半導體層的一部份與該源極和該沒極的圖 ，該非晶系半導體層的另一部份與該微晶系半導體 案相同。 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的結構， 微晶系半導體層的材質為微晶矽，該非晶系半導體 質為非晶矽。 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的結構， 源極和該汲極為一摻雜的半導體層。
    0412-8737TWF(N1);910048;amy.ptd 第18頁
    I ； ： ： ； ：! 其 8·如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的結構 中該沒極電極耦接一有機發光二極體。 9· 一種薄膜電晶體的結構，包括·· 一閘極絕緣層，設於該閘極電極上； 一通道層，設於該閘極絕緣層上； 一高阻值材質層，設於該通道層上； 一源極和一沒極，分別設於該高阻值材質層上’且對 應於该閘極電極之兩側；以及 一源極電極和一汲極電極，分別設於該源極和該汲極 上。 I 0 ·如申請專利範圍第9項所述之薄膜電晶體的結構， 其中，該通道層和該高卩旦值材質層具有相同的圖案。 II ·如申請專利範圍第9項所述之薄膜電晶體的結構， 其中，該高阻值材質層的圖案與該源極和該沒極的圖案相 同。 1 2 ·如申請專利範圍第9項所述之薄膜電晶體的結構， 其中，該高阻值材質層的一部份與該源極和該汲極的圖案 相同，該高阻值材質層的另一部份與該通道層的圖案相 同。 1 3 ·如申請專利範圍第9項所述之薄膜電晶體的結構
    0412.8737TWF(N1) ;910048;amy .ptd 第19頁 ^>77176 申請專利範圍 其中該通道層的材質為微晶矽，該高阻值材質層的材質為 非晶石夕。 ^ 14·如申請專利範圍第9項所述之薄膜電晶體的結構， 其中該源極和該汲極為一摻雜的半導體層。 1 5 ·如申請專利範圍第丨4項所述之薄膜電晶體的結 構’其中該源極和該汲極為一摻雜的非晶矽層和一摻雜的 微晶矽層擇一。 1 6 ·如申請專利範圍第9項所述之薄膜電晶體的結構， 其中該汲極電極耦接一有機發光二極體。 1 7 · 一種薄膜電晶體的結構，包括： 丨· 一閘極電極； 一閘極絕緣層，設於該閘極電極上； 一第一通道層，設於該閘極絕緣層上，該第一通道層 提供一平行於該閘極電極之平面之電流流動路徑； 一第二通道層，設於該第一通道層上，該第二通道層 提供一垂直於該閘極電極之平面之電流流動路徑； 一源極和一沒極，分別設於該第一通道層上，且對應 於該閘極電極之兩側；以及 一源極電極和一汲極電極，分別設於該源極和該汲極¥ 上。 1 8 ·如申請專利範圍第1 了項所述之溥膜電晶體的結 構，其中，該第一通道層和該第；通道層具有相同的圖 案。 1 9 ·如申請專利範圍第1 了項所述之溥膜電晶體的結
    0412-8737TW(Nl);910048;amy.ptd 577176 六、申請專利範圍 構，其中，該第二通道層的圖案與該源極和該汲極的圖案 相同。 20.如申請專利範圍第1 7項所述之薄膜電晶體的結 構，其中，該第二通道層的一部份與該源極和該汲極的圖 案相同，該第二通道層的另一部份與該第一通道層的圖案 相同。 2 1.如申請專利範圍第1 7項所述之薄膜電晶體的結 構，其中該第一通道層的材質為微晶矽，該第二通道層的 材質為非晶矽。 22. 如申請專利範圍第1 7項所述之薄膜電晶體的結 構，其中該源極和該汲極為一摻雜的半導體層。 23. 如申請專利範圍第2 2項所述之薄膜電晶體的結 構，其中該源極和該汲極為一摻雜的非晶矽層和一摻雜的 微晶矽層擇一。 24. 如申請專利範圍第1 7項所述之薄膜電晶體的結 構，其中該汲極電極耦接一有機發光二極體。 2 5. —種薄膜電晶體的製造方法，包括： 提供一基板； Φ 形成一閘極電極於該基板上； 形成一閘極絕緣層於該閘極電極和該基板上； 形成一微晶系半導體層於該閘極絕緣層上； 形成一非晶系半導體層於該微晶系半導體層上； 形成一摻雜的半導體層於該非晶系半導體層上； 定義該摻雜的半導體層、該非晶系半導體層和該微晶
    0412-8737TWF(N1) ;910048 ;aray.ptd 第21頁 577176
    系半導體層，以形成一元件主動麁； 形成一金屬層於該摻雜的半導體層上；以及 定義該金屬層和該摻雜的半導體層，使該摻雜的半 體層經兩次定義後形成一源極和〆沒極，且使該今遥思 a * 边馮層經 疋義後形成一源極電極和一沒極電極。 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項所述之薄膜電晶體的製造 方法’其中該基板包括玻璃基板和可撓性基板。 2 7 ·如申請專利範圍第2 6項所述之薄膜電晶體的製造 方法，其中該可撓性基板包括塑膠基板。 、 28 ·如申請專利範圍第2 5項所述之薄膜電晶體的製造1瞻 方法，其中該摻雜的半導體層為/摻雜的非晶矽層和一摻 雜的微晶碎層擇—。 29 ·如申請專利範圍第2 5項所述之薄膜電晶體的製造 方法’其中該微晶系半導體層的材質為微晶矽，該非晶系 半導體層的材質為非晶矽。 3 0 ·如申請專利範圍第2 9項所述之薄膜電晶體的製造 方法’其中該非晶系半導體層的製造方法為化學氣相沈積 法，製程溫度大致為250 °C。 3 1 ·如申請專利範圍第2 9項所述之薄膜電晶體的製造 方法，其中該微晶系半導體層的製造方法為化學氣相沈積 法，製程溫度大致為250 °C。 3 2 ·如申請專利範圍第2 5項所述之薄膜電晶體的製造 方法’其中在定義該金屬層和該摻雜的半導體層時，更包 括同時定義該非晶系半導體層。
    577176 六、申請專利範圍 33·如申請專利範圍第25項所述之薄膜電晶體的製造 方法’其中在定義該金屬層和該摻雜的半導體層時，更包 括同時部份定義該非晶系半導體層之上部份。 34·如申請專利範圍第25項所述之薄臈電晶體的製造 方法’其中該汲極電極耦接一有機發光二極體。 35 ·如申請專利範圍第3 4項所述之薄膜電晶體的製造 方法’其中該有機發光二極體的製造方法包括： 覆蓋一絕緣層於由該閘極電極、該閘極絕緣層、該微 晶系半導體層、該非晶系半導體層、該源極、該汲極、該 源極電極和該汲極電極所構成之薄膜電晶體上； 於該絕緣層中形成暴露出該汲極電極的一孔洞； 形成一像素電極於該絕緣層上，並經由該孔洞電性連 接至該汲極電極； 形成一發光材料層於該像素電極和該絕緣層上；以及 形成一陰極層於該發光材料層上。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項所述之薄膜電晶體的製造 方法’其中該像素電極的材質包括銦錫氧化物（丨τ〇 )、 铜鋅氧化物（ΙΖΟ )、鋅鋁氧化物（ΑΖΟ )和氧化鋅（ΖηΟ )° 37.如申請專利範圍第3 5項所述之薄膜電晶體的製造 方法’其中該發光材料層的材質包括小分子有機發光二極 體材料和高分子有機發光二極體材料。 3 8 ·如申請專利範圍第3 5項所述之薄膜電晶體的製造 方法’其中該陰極層的材質包括Cu、Ag、Mg、Α1、其它低
    577176 六、申請專利範圍 工作函數之金屬材料、和其合金 IBB 0412-8737TWF(N1);910048;amy.ptd 第24頁
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