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TW557302B - A mixed polymer, the production and use thereof - Google Patents

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TW557302B
TW557302B TW090112734A TW90112734A TW557302B TW 557302 B TW557302 B TW 557302B TW 090112734 A TW090112734 A TW 090112734A TW 90112734 A TW90112734 A TW 90112734A TW 557302 B TW557302 B TW 557302B
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TW
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scope
polymer
item
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Application number
TW090112734A
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Horst Berneth
Thomas Bieringer
Rainer Hagen
Serguei Kostromine
Original Assignee
Bayer Ag
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Publication date
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557302 A7 B7 五、發明說明（1 ) 本發明係有關一種混合聚合物及其於光學資料儲存之 用途。 光可編址聚合物為已知者（作為電光和光敏活性媒體之 聚合物，ν·Ρ· Shibaev(ed·)，Springer Verlag，紐約 1995)。 5 特別適合供此目的者為其中共聚物組群具有極廣泛特性變 化特徵之侧基聚合物。彼等之特色在於彼等之光學特性， 諸如吸收、放射、反射、雙折射、散射，可藉由光感應可 逆地予以改變。此種聚合物具有一種特殊之梳狀結構：可 吸收電磁輻射之側基位於（為充作間隔物之分子部分所連 10 接）一直線狀突脊(spine)上。此種實例為染料分子，特別是 根據US-A 5 173 381之包含偶氮苯基團之側基聚合物。該 物質之特徵在於當以偏振光照射時形成定向雙折射的能 力。此種寫入之雙折射囷形可在偏振光中被看見〇 又，已知在該聚合物層中之任意點可用偏振光刻入局部 15 有限之雙折射（其之主轴在偏振方位的旋轉上諧調地移動） (K. Anderle, R. Birenheide, M. Eich, J.H. WendorfF, Makromol. Chem., Rapid Commun. 10, 477-483(1989), J. Stumpe et al, 20th Freiburg Working Conference on Liquid Crystals 1991)° 原則上適合供製造光可編址基材者為所有可被寫入定 20 向雙折射之聚合物（作為電光和光敏活性媒體之聚合物， V.P· Shibaev(ed·)，Springer Verlag，组約 1995 ; Natansohn etal·，Chem· Mater· 1993, 403-411 )。這些尤其是側基聚合 物，其中以共聚物為較佳。較佳之此種共聚物被揭示於例 如DE-A 43 10 368 及DE_A 44 34 966。理想中，彼等包含 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----I--------I-------I-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557302 A7 B7 五、發明說明（2 ) 一充作突脊之具重覆單元之聚（甲基）丙烯酸酯主鏈，
R
I …—c一c* ...
H2 c = 0 I 5 其中R代表氩或甲基，點點表示主鏈之其他單元之鏈結， 而側鏈係被連接至羰基上。 由DE-A-19 620 588可得知一種聚合物，其包含由主键 分支出來之侧鍵且具有式一 S — T—Q—P，而P^A，Μ : -S^T^.Q^A (I)及 10 -S2-T2-Q2-M (II), 其中 S^S2互相獨立地表示原子0、S或基困NR1， R1 表示氩或CVC4烷基， T、T2互相獨立地表示基困(CH2)n，其選擇地可鍵結-0·、 15 -NR1-或-OSiR^O-及/或被甲基或乙基所取代，及 η 表示數字2,3或4， Q、Q2為一二價基困， A —可吸收電磁輻射之單元及 Μ —具有至少12;r-電子之可偏振的芳族基困。 20 Μ之功能為與真正的吸收單元協力地重新取向。此導致 重新取向之強化及重新取向分子之安定化。 特佳之聚合物為其中： Q1，Q2互相獨立地表示Ζ\Ζ2或基困-Ζ^Χ-Ζ2，其中 Ζ1，Ζ2互相獨立地表示基團-S-、-so2—〇·、-coo·、 ----I-----—丨裝------—丨訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) D73〇2 A7 B7 五、 發明說明
X 5
A 10 _OCO-、-CONRI-、-NRICO-、-NR、、-N^N-、 •CHNCH-、_N=CH-、-CH二N·或基團一（CH2)m·，而 m=l或2及 表示一 5-或6-員環脂族、芳香族或雜環之環，於此 情況中，ZL-COO-或-CONR1·、一直接鏈或基團 _(CH=CH)m-，其中m具有上述意義， 表示單偶氮染料殘基，其在波長範圍介於650和340 奈米之間吸收，及 表示具有至少127Γ-電子之已偏振化及進一步可偏 振化之芳香族直線結構系統之殘基。 較佳之基團A對應於下式： 15 R7 R5
R4 R3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 其中 R2至R7互相獨立地表示氩、羥基、鹵素、硝基、氱基、 (^，(：4烷基、(：1-(：4烷氧基、€?3、(：(：13、€81*3、802€卩3， ci_C6•烷基·磺基、苯基磺基、crC6-烷基胺基磺基、 苯基胺基磺基、胺基羰基、•烷基胺基羰基、苯 基胺基羰基或COOR1。 較隹基困Μ對應於下式： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 557302 R12 R11
A7 B7 五、發明說明（4) R10 R9 其中 5 R8至R13互相獨立地表示氫、羥基、鹵素、硝基、氰基、 Cr-C4 烷基、CVCU 烷氧基、CF3、CC13、CBr3、S02CF3、 CkCV烧基-續基、苯基項基、Ci-C6-燒基胺基續基、 苯基胺基磺基、胺基羰基、烷基胺基羰基、苯 基胺基羰基或COOR1，及 10 Y 表示-COO-、·0(：0-、-CONH-、-NHCO·、-〇-、-NH·、 -N(CH3)-或一單鍵。 無定形聚合物為較佳的，亦即不會形成巨觀上可辨識之 液晶相者^ 無定形’’意表一種光學同方性狀態。此種聚合 物既不會散射可見光，在無外力作用下之初始同方性狀態 15 中亦不具有雙折射。 一種產生自由基聚合的方法亦被提及。 用於全像攝影資料儲存器之材料亦為已知的。 全像攝影術是一種利用兩相干光束（信號波及參考波） 之間的干涉，使物艘可在適當儲存材料上成像，且該等影 20 像可利用光（讀出光束）再被讀出的方法（D. Gabor，自 然151，454(1948)，Ν· H· Farath，全像攝影術之進展，第3 冊，Marcel Decker(1977)，Η· M· Smith，全像攝影記錄用材 料，Springer(1977))。藉由一方面改變信號及參考波之間 的角度，另一方面改變全像攝影儲存材料，可將無數全像 水紙張尺唐通用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------·裝-------'1 訂·-------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557302 A7 __ _B7 __ 五、發明說明（5 ) 闽寫入材料中，最後亦可個別地再被讀出。通常，係以雷 射光作為相干光源。許多不同之材料被揭示作為儲存材料， 例如無機結晶（如LiNb03)、有機聚合物（例如M.Eich，J.H· Wendorfif, Makromol. Chem., Rapid Commun. 8, 467(1987), J.H. 5 Wendorff，M· Eich，Cryst· Liq· Cryst 169, 133(1989))或光敏聚合 物（Uh-Sock Rhee et al” Applied Optics，34(5)，846(1995))。 然而，該等材料尚無法符合構成全像攝影記錄媒體的所 有要求。尤其，彼等不具有記錄後全像圖之適當安定性。 由於當記錄一種新的全像围時，已記錄的全像圓會被重寫 10 並因而被抹除，所以通常僅可有限度地重覆寫入。特別是 對於無機結晶而言也是如此，其接受複雜的熱處理，為的 就是要彌補該等安定性的問題。反過來說，光聚合物有收 縮的問題，其對全像攝影之成像特性有負面的影箏。 具有高安定性記錄全像圖之材料亦為已知，例如可由 15 EP-A 0 704 513 得知。 惟，該等材料之高光學密度不容許製備諸如可供無數全 像圓链存在儲存材料上所需要之高容量全像攝影铺存器。 因此，亟需一種材料，其可適合製備充分厚度之高容量 全像攝影術儲存器。材料之厚度應在毫米的範固内。就習 20知技藝的材料而言，雷射光束的穿透性幾乎總是因為高光 學密度而呈現出問題。 本發明之目的即在避免此問題，同時保證高儲存效率。 已注意到，隨著共聚物中染料的稀释度增加（光學密度降 低）’亦觀察到全像攝影繞射效率的降低。 —7一 本紙張尺度適用中國國家^^CNS)A4規格⑽χ撕公爱）1 ----- -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 557302 A/ B7 五、發明說明（6 ) 令人驚訝地，現已發現到，具特殊化學結構之聚合物的 混合物是可行的且不具有該缺點。 因此本發明乃提供一種混合聚合物，其特微在於其係由 以下所組成： 5 至少一種聚合物(A)，其具有至少1〇個通式（CI)之重覆 單元 R1 .一 C — C·… 10 c=o R701 (CI), (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 15 其中 R1G()代表氩或甲基，及 R701 為-O-R801，其中
RgG1代表氩或不帶有光可異構化基團之Ci-Cs直鏈或支鏈· 烷基，較佳為甲基、乙基、丙基、正-丁基，特隹為甲 基’及 至少一種聚合物（B)，其具有至少3個通式（CII)之重復單 元 ---Γ --1
ϋ ϋ ϋ 1 I 哔 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 20 R102 I .一C一 C —... h2 I c=o 1103 (CII)
R 其中 R702代表氩或甲基，及 R103為卜S-T-Q-P]且其中P代表A及/或从， 太姑棋疋疮硇田由圃圃宕摄楣谂网7公鰲） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557302 A7 B7_ 五、發明說明（7 ) 惟其中聚合物(B>經常是屬於P代表A者。
由主鏈分支出來之側鏈，即式_S_T-Q_P (而P=A(染料 基）、Μ(介原})，係由下列定義所決定， S-T-Q-P^S^T^Q^A 5 S.T-Q.P=S2-T2-Q2-M 其中 S'S2互相獨立地表示原子0、S或基KNR1， R1 表示氩或（VC4烷基， T1，T2互相獨立地表示基團(CH2>n，其選择地可鍵結·0_、 10 -NR1·或-OSiR^O-及/或被甲基或乙基所取代，及 η 代表數字2,3或4， Q\Q2為一二價基®， A 一可吸收電磁輻射之單元及 Μ —具有至少12ττ-電子之可偏振的芳香族基面。 15 Μ之功能為與真正的吸收單元協力地重新取向。此導致 重新取向之強化及重新取向分子之安定化〇 特佳之聚合物為其中：
Ql，Q2互相獨立地表示Ζ\Ζ2或基團-ZLX-Z2，其中 Z、互相獨立地表不基困-S·、-S〇2_、·0-、-COO-、 20 ·000·、-CONR1-、·NRkO-、-NR1·、·Ν=Ν-、-CH=CH·、 -N=CH·、-CH=N-或基團一（CH2)m-，而 m=l 或 2 及 X 表示一 5-或6_員環脂族、芳香族或雜環之環，於此情 況中，zL-COO-或-CONR1-、一直接鏈或基困 -(CH=CH)m•，其t m具有上述意義， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 557302 A7 B7_ 五、發明說明（8 ) A 表示革偶氮染料殘基，其在波長範®介於650和340 奈米之間吸收，及 Μ 一具有至少-貧子之已偏振化.及進一步可偏振之 芳香族直線結構系統之殘基。 5 較隹之A基®對應於下式： R7 R5
其中 10 R2至R7互祖獨立池表示氫、羥基、鹵素、硝基、氟基、 C广C4 烷基、CrC4 烷氧基 v CFp CCb、CBr?、S02CF3、 Ci-c6-堍基-磺基、苯基磺基、CVC6-悅基胺基磺基、 苯基胺基續基、胺基幾基、Ct-Cp烧基胺基幾基、苯 基胺基羰基或COOR1 α 15 較隹之Μ基®對應於下式： R··2 Rn
R10 R9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中 20 至R13互相獨立地表示氩、羥基、鹵素、硝基、氰基、
Cr-C4 烷基、(VC4 烷氧基、CF3、CC13、CBr3、S02CF3、 Cr-C6_烧基-續基、苯基續基、Ct-Cp燒基胺基罐基、 苯基胺基磺基、胺基羰基、Q-Cer烷基胺基羰基、苯 基胺基羰基或COOR1，及 一10-— 本紙張尺唐摘用中國囲茇燻a ir：N[5V)A4掮格m〇x297公驁） 557302 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（9 ; Y 表示-C00·、·0€〇-、·〇ΟΝΗ-、-NHCO·、-Ο-、-ΝΗ-、 *N(CH3}_ 或一厚鍵》 若聚合物(A)中包含至少f〇,較佳至少2〇，特佳至少3〇, 最佳至少50個重覆·單元者，則可獲致特佳之結果。 多敷之.重覆單元亦應存在於聚合物(B)中，包含至少3 , 較佳至少5，特隹至少1〇 ,最佳至少2〇個重覆單元。 特佳者為聚合物A和聚合物B之混合物，其中聚合物a 係均一地由相同的單體單元所構成，而聚合物B:亦由相同 之單鳢單元（但不同於根據上述定義之A)所構成。 本質上’包含多於1個聚合物(A)及/或(B)者亦涵括於 本發明中，惟其中聚合物(B)經常是屬於p代表A者。 若聚合物⑻之單艘總數對聚合物⑷之桊艘總數的比例 為介於1:1和1:10000之間，較佳介於.1:1和5〇〇G之間， 特佳介於1:2和1:3000之間，極佳介於1:5和:1:15〇〇之間， 最隹介於1:10和1:1000之間者，則可獲致極隹的結果。較佳之混合聚合物為其中聚合物(A)包含甲基丙烯酰甲 醋單元者。 當具有機帶STQP之元素的聚合物(B)存在時，可達到良 妤的結果。一改良之具體例在於聚合物B包含至少2.個不 珂之搆帶通式[STQPJ之單體，其中談單體之至少一個攜帶 一染料基® A，較:佳為一光可異橋化基團&進一步特佳奢，_ 該光可異構化基®為一偶氮基®。最佳者，該基鷗具有式 (CIV)之結構， ίο 15 20 一11— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂------
P 557302 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（10)
5 其中 R101和r1G2互相獨立地代表氩或一非離子性取代基， m和η互相獨立地代表〇至4，較佳〇至2的整數， X101代表與S^T^Q101之鏈結，亦即X101具有X101’之意 義，其中X101’以其第二共價鍵被鏈接至Q， 10 X1。2 表示 X1()2’-R104， X10】’和X102’代表一直接鍵、-0-、各、-(义111()5)_、 •C(R106R107)·、·(0：=〇)-、_(C0-0).、.(CO-NR105)·、 -(S02)·、-(S02-0)-、-(S〇2-NR105)_、-(c=NR18)-或 •(CNR18-NR15)-, 15 R104, R15和R1*互相獨立地代表氩、CV至C2(r烷基、C3-至 C10-環烷基、C2-至C2(T烯基、C6-C1(r芳基、CrCM烷 基、C3-至 C!。-環烧基-(C一0)-、C2-至 C2D-稀基 _(C=0)-、Ce-至 Cht芳基、Ci-至 C2〇_烧基-(S〇2)·、C3-至 Ci〇-環统基-(S〇2)-、C。-至 C20-稀基-20 (S02)·或 c6-至 C〗(T芳基-(S〇2)-或 X1G2’-R1G4可代表氩、鹵素、氰基、硝基、CF3或CC13， R1G6和R1G7互相獨立地代表氩、鹵素、C!_至c2(r烷基、Cr 至c2(r烷氧基、c3-至c1(r環烷基、c2-至c2(r烯基或 〇：6-至c1(r芳基， —12— I--------- 裝！丨—丨丨訂！----— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 太紙祺尺皮摘用中圃圃定嫂A4插格（2U) X 297公蝥） 557302 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11 ) S101 表示原子0、S或基團NR1G9， R109 表示氫或CrCU烷基， jioi 表示基團（CH2)X，其選擇地可鍵結·0-、-NR1'或 -0SiR1G920-及/或被甲基或乙基所取代，及 5 X 表示數字2,3或4， Q101 表示 Z1G1，Z1G2 或基團-Ζ1()1·Χ1()()-Ζ1ί)2-，其中 Z101 和 Ζΐ〇2互相獨立地表不基團-S-、-S〇2-、-0-、-COO-、 •OCO-、-CONR109-、-NR109CO-、-NR109·、-Ν=Ν·、 晒CH=CH---N=CH·、·Οί=Ν·或基團一（CH2)y·，而 10 y=l或2及 X100 表示一 5-或6-員環脂族、芳香族或雜環之環，於此 情況中，Z1G1=-COO-或-CONR1G9-、一直接鏈或基團 -(CH=CHV , 其中y具有上述意義。 15 非離子性取代基應瞭解係為齒素、氰基、硝基、C!-至 c20-烷基、Cr至C2(r烷氧基、苯氧基、（：3-至C1(r環烷基、 Qr至C2〇·烯基或（：6-至C10-芳基、（:广至C2(r烷基-(C=0)-、 <：6-至 C10-芳基-(〇=0)-、Ci-至 C2(r烷基-(S02)·、（：丨-至 C2(r 统基-(C=0)_0-、Ci_至 C20-燒基-(ί^Ο^-ΝΗ·、Cp至 Ci〇·芳 20 基-(C=0)-NH-、CV至 C2(r烷基-0-(C=0)-、CV至 C2(r烷基 -NH-(OO)-或 0：6-至 C1(r 芳基-NH-(OO)-。 烷基、環烷基、烯基及芳基基困各自可被至多達三個選 自鹵素、氰基、硝基、（^-至C2(r烷基、-至C20-烷氧基、 (：3-至C1(r環烷基、(：2-至c2(r烯基或c6•至c1(r芳基所取代， —13— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ I n I^OJ· ϋ 1 mmat n 1 557302 A7 _B7_ 五、發明說明（12 ) 且烷基及烯基可為直鏈或支鏈。 鹵素應瞭解為氟、氣、溴及碘，特別是氟及氯。 較佳之混合聚合物之特徵在於具有光可異構化基團A之 單體具有式(CV) 5 Ο
R 102 ,τ
X 102 (CV), 其中 10 R102 代表氫或甲基，及 其他基團具有上述之意義。 特佳之攜帶光可異構化基困Α之單體為： Ο 15
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25
—14— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 557302 A7B7 五、發明說明（13) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
—15— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1_ ϋ i·— imm n ϋ n 一S«J aaa w a·· mb 籌 · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公嫠〉 557302 A7 _B7_ 五、發明說明（仏） 亦為較佳之混合聚合物之特徵在於彼等除了具有光可 異構化基圑A之單體（較佳為具有式(CV)者）外，尚包含 具有式（CVI)之可偏振化芳香族基團Μ之單體， 5
(CVI)， 其中 Ζ200 代表具下式之基團 10
X1 (R202)『 (CVIa)或 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
N </ B
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (CVIb), 15 其中 B 代表Ο、S或N-CV至C4-烷基， x103 代表-X1G3’-(Q102)rT1G2-S1(>2-， X1(M 代表 X1G4’-R2()3， X1G3’及X1G4’互相獨立地代表一直接鍵、-Ο-、-s-、 20 -(N-R205)· - ^C(R206R207)-、-(C=0)-、-(CO-O)·、 -(CO-NR205)- > -(S02)- ' -(S02-0)- ' -(S02-NR205)- > _(C=NR2。8)-或-(CNR208-NR205)-， R2G5、R2G8及R2G3互相獨立地代表氩、Q-至C2(r烷基、C3-至C10-環烷基、C2-至C20-烯基、C6_C1(r芳基、CrCw -16— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 557302 A7 B7 五、發明說明（1S) 统基_(C=〇)_、C3-C1。-環炫基-(C=〇)_、C2-C2。-晞基· (C=0)_、c6-至 C1()-芳基-(〇〇)_、C!-至 C2(r烷基-(S〇2)_、C3_至 Cio-環烧基_(S〇2)-、。2_至 C2〇_稀基· (S〇2)-或 C；6_至 Ci〇-芳基-(S〇2)*•，或 5 x1G4’-r2G3可代表氫、i素、氰基、硝基、cf3或CC13， r2〇6及r2〇7互相獨立地代表氫、鹵素、Cl_至c2(r烷基、Cr 至c2(r烷氧基、C3-至c1(r環烷基、c2-至c2(r烯基或 C6-至ClQ-芳基； Y 代表一單鍵、-COO-、OCO-、-CONH·、-NHCO-、 10 -CON(CH3)-、-N(CH3)CO-、-Ο-、-NH-或 _N(CH3)-， r2(H、R2〇2、R2〇6互相獨立地代表氫、鹵素、氰基、硝基、 Cl·至C2G·燒基、Cl-至C2G-烧氧基、苯氧基、C3-至Ci〇-環烷基、c2-至c2(r烯基或c6-至C1(r芳基、C!-至c20-烷基-(C=0)-、C6-至 C1(r芳基-(C:0)·、C!•至 C2(r烷基 15 -(SO2)- ' C1-C20- ^ & -(C=0)-0- ' Ci- M. C20-院基 •(C=0)_NH-、C6-至 C10-芳基-(C=0)-NH·、C!-至 C20_ 烷基-CKC^O)-、^-至 C2(r烷基-NH-(C=0)-或 C6-至 C10-芳基·ΝΗ·(Ο=0)·， q、r及s互相獨立地代表一由0至4，較佳由0至2之整 20 數， Q102 代表-0-、、-(N-R205)-、-C(R206R207)·、-(〇0)·、 _(CO_〇)_、_(CO-NR205)_、_(S02)_、_(S〇2-〇)_、 -(S02-NR205)-、-(ONR208)-、-(CNR208-NR205)-、 _(ch2)p-、對-或間-C6H4-或下式之二償基團： —17— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ 1_1 ϋ n^eJ· ϋ n ϋ I ϋ I ϋ I - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557302 A7 B7 五、發明說明（16〉
或 5 10 j 代表一由0至4之整數，其中當j>l時，個別基團Q1G2 可具有不同的意義； T1G2代表-(CH2)P-，其十該鏈可鍵結-0-、-NR2G9-或 -OSiR2202O-; S1G2 代表一直接鍵、-Ο-、-S-或-NR209-; p 代表一由2至12,較佳由2至8,特別是由2至4之 整數， R2Q9代表氫、甲基、乙基或丙基，及 R22()代表甲基或乙基。 較佳具有此種表現形狀異方性之基困的單體可具有式 (CVII)： /丁102 χ1〇3 (R2〇1)q (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 0^02 \ ,02 s (Q102)· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 (CVn), 其中 R102 代表氫或甲基，及 其他基團具有上述之意義。 特佳具有式（CVII)之表現形狀異方性之單體為例如：
-18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557302 A7 |7 五、發明說明（17) 〇
10 根據本發明之混合聚合物，除了至少一種聚合物（A)外， 尚包含： a) 較隹地至少-種由具式(CV)之單艘所組成之聚合物⑻， b) 較佳地至少一種由具式（CV)之單體所組成之聚合物（B) 和至少一種由具式（CVII)之單體所組成之聚合物(B), 15 c)特佳地至少一種由具式（CV)之單體和具式（CVII)之單髏 所組成之聚合物。 在情況a)中，聚合物（B)之具式（cv)之單體可為相同或不 同。同樣亦適用於情況b)及c)之聚合物（B)中之單體（cv) 及/ 或（CVII)。 20 具式（CV)和式（CVII)之單體可以1:1至1:3〇，較佳1:1 至1:20，特佳1:2至1:10之比例被使用於根據本發明之混 合聚合物中。 聚合物(Α)及(Β)係分別被製造，例如藉自由基聚合法來 製造。混合聚合物可在被加熱至玻璃轉變溫度以上，藉混 —19— 太紙張尺唐迪用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
557302 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（18 ) 合所需定量比例之個別聚合物來製造。 本發明之一重要參數為光學密度，就寫入雷射之波長及 1毫米樣品厚度而言，其具有;£2,較佳$1，特佳s〇.3之值。 依此可確定光化光導致整個儲存媒體之均勻的透射並可產 5 生一厚的全息圖。光學密度可藉商用UV/VIS分光計（如 CARY，4G)來測定。 尤其，根據本發明之混合聚合物為一種具有^〇·1毫米， 特別20.5毫米，較佳毫米且最佳不大於1公分之透射厚 度。 10 與電磁輻射交互作用之基團宜為一種上述之染料，其較 佳在介於390和800奈米之間的波長範園，特佳在約400 至650奈米之範園，且最佳在510至570奈米之範圍中吸 收。一 Nd:YAG雷射（λ==532奈米）可被用作典型之試驗 雷射。 15 就讀取而言，記錄材料不再如寫入期間一樣地曝露於兩 干涉光束中，而是曝露於一種光束，即讀取光束中。 讀取光束之波長較佳長於信號及參考波，例如70至500 奈米長。然而，以寫入雷射之波長讀取亦可行且特別可用 在大容量全像攝影儲存器之商業用途。惟，在此情況中， 20 於讀取動作期間，讀取光束的能量可藉曝光強度或曝光時 間的降低，或藉曝光強度和曝光時間的降低而減少。 根據本發明之混合聚合物之光學密度係藉聚合物材料 中至少一種染料的濃度所決定〇 I n n 1 ϋ n I ϋ n · ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ I n 一-0*· · ϋ ϋ ϋ ϋ 1 n —i I - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) /r>XTO\ Λ >1 4H 44 /ΟΙΛ W /Χί» Ν 557302 A7 B7 五、發明說明（19) 實施例： 實施傲J:單體的製備 5
10 15 將85.9克含於200毫升二嚼燒中=:4-('基_氧旬-⑽笨;= 毫升二噁烷之溶液中，將全部攙抹 卿2㈣並軸溶液傾到 於2公升之水中予以沉L爽物抽出、乾燥並藉兩次 重覆再結晶而自異丙醇中將其純化出I產量達到鄉之 理論值。Μ·ρ.= 111β(：。 元素分析：C25H23N05(417.47) 計算值：C71.93 ; Η5·55 ; N3.36 實際值：C71.50 ; H5.70 ; N3.40 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂：
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20 η/νη〇λ ο a) 4-(2-羥乙基氧基）苯甲酸 將138克之對-羥基苯甲酸和〇·5克κι,於攪拌中置入 350毫升的乙醇争。逐滴添加15〇克ΚΟΗ於150毫升水 所成之溶液中。在30-60°C下於30分鐘内逐滴添加88j —21— 557302 A7 B7 五、發明說明（20 ) 克的2-氣乙醇。在迴流下攪拌反應混合物15小時。然 後將溶劑先在常壓、後在真空下予以完全地蒸餾。將殘 餘物溶解在1公升的水中並用HC1酸化。以抽吸過濾沉 澱物並自1·8公升的水中再結晶。乾燥產物及自乙醇中 5 再結晶兩次，產量總計46克（25%理論值）。Μ·ρ· 179·5 b) 4·(2-甲基丙烯醯氧基己氧基）苯甲酸 將45克之4_(2·羥基乙氧基）苯甲酸、180毫升甲基丙烯 1〇 酸、10克對·羥甲苯磺酸和10克氫醍，於150毫升氯仿 中伴隨攪拌地予以迴流加熱。於水分離器中，將反應期 間所獲得的水分離。以150毫升的氯仿稀釋反應混合物， 以100毫升水洗滌數次並以Na2S04乾燥。過濾掉乾燥 劑，在迴轉蒸發器中將氣仿蒸餾至三分之二。以抽吸過 15 濾產物沉澱物並自異丙酵中再結晶兩次，產量總計28 克（45%理論值）。Μ·ρ· 146°C。 e)氣化4-(2_甲基丙烯醯氧基乙氧基）苯甲酸 在室溫下，將25克4·(2-甲基丙烯醯氧基乙氧基）苯甲 20 酸、80毫升亞磺醯氣化物及0·5毫升DMF攪拌30分鐘。 然後將過量之亞磺醯氣化物先在中度真空、後在高真空 下予以蒸餾。藉此所獲得之幾乎為定量產率之酸氯化物 在室溫下被緩慢地結晶出來。 元素分析：C13H13C104(268.7) 太紙張尺疳摘用中國國茨揼iMCNS)A4揿格（210 X 297公釐） ----- 裝 i I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557302 A7 B7______ 五、發明說明（21 ) 計算值：C 58·11; Η 4·88; C1 13·19 實際值：C 58.00; Η4·90; C113.20 d) 4-三甲基乙琳酿基胺基-4’-胺基偶氮苯 5 將36克4,4，-二胺基偶氮苯及62克三乙胺置於400毫升 THF中。逐滴緩慢地添加23.2克氣化三甲基乙酸於100 毫升THF所成之溶液中。於室溫下攪拌2小時後，將反 應混合物與水混合。過濾沉澱物並予以乾燥。獲得42 克產物。藉層析法進行進一步的純化（梦膠；甲苯/乙 10 酸乙酯1 : 1)。產量總計8克。Μ·ρ· 230°C。 e) 4-三甲基乙啉醯基胺基-4’-[對-(甲基丙烯醢氧基·6氧基) 苯甲醢胺基]偶氮苯 將1克4-三甲基乙唯醯基胺基-4’·胺基偶氮苯置入50t 15 之10毫升N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)中並添加到50°C之 1克4-(2-甲基丙烯釀氧基乙氧基)·苯甲酸於1毫升NMP 所成之溶液中。在此溫度下攪拌反應混合物1小時並予 以冷卻，並與200毫升的水混合。過濾沉澱物及在室溫 下於30毫升甲酵中再度攪拌，濾除母液並在真空下乾 20 燥。產量總計克。Μ·ρ. 194°C。Amax= 378奈米 (DMF); ε = 37000 升/(莫耳·公分）。 :均聚物的锄推 在7〇t下，於氩氣中將7·5克單體M和015克2,2，- "準(CNS)A4 規x 297 公釐)--- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： 557302 15 A7 B7 五、發明說明（22) 偶氮異丁酸二腈置於70毫升之DMF中攪拌24小時，藉 傾注溶液至200毫升水中以沉澱聚合物，並藉於甲酵中沸 騰予以純化。 5 例3 :共聚物的匍造 在70X：下，於氩氣中將〇·8克單體M、〇 632克單體12 和〇·〇3克2,2’-偶氮異丁酸二腈置於15毫升之DMF中攪 拌24小時。藉傾注溶液至2〇〇毫升水中以沉澱共聚物，並 藉於甲酵中沸騰予以純化。 1〇 根據本發明之混合聚合物可優選地被用於製造光學元件 及儲存器，其較佳被用於資料之儲存，其中特佳為使用全 像攝影術。 事實證明，極佳的資訊可藉雷射光束被記錄於光學元件 中。 本申請案之較佳主題為包含至少一種根據本發明之混 合聚合物之高容量儲存器，其具有”.丨毫米較佳^〇5毫 米，特佳匕1·0毫米，最佳介於1毫米和i公分之間之透射 厚度β 呈薄膜、箔、板及立方體形式之高容量儲存器的製備無 需利用外部電場及/或表面效應之複雜的定位方法即可行 之。彼等可藉旋塗、浸溃、洗注或其他技術上易於控制之 塗復方法將其施至基材上，可藉壓製或流入法將其引入兩 透明板之間，或簡單地藉澆注或擠壓被製成自撐材料^此 種薄膜、箔、板及立方體亦可藉驟冷（亦即藉冷卻速率> -24— ----------裝--------訂--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 20 妓里 Π、Α4 ά格 mo X 297 么七） 557302 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（23) 100K/分），或藉由自包含所述定義中之結構元素的液晶 聚合物或低聚物中快速抽出溶劑予以製備。 層厚為20.1毫米，較佳20.5毫米，特佳U毫米。特佳製 備毫米範圍之層的方法可以射出成形法為代表。在此方法 5 中，聚合物熔體被驅使通過一喷嘴進入一有形容器中，在 其冷卻後將其由該容器中取出。本申請案之主題亦為該高 容量儲存器，其藉一保護層保護其免於受機械損害。 全像攝影資料儲存的方法被描述於例如LASER FOCUS WORLD，1996 年 11 月，第 81 頁起。 10 在寫入全像圖期間，上述之聚合物薄膜被兩束可產生所 需光誘導重新取向之波長的相干雷射光束所照射〇 —光束 (物體光束）包含將被儲存之光學訊息，例如由光束通過 二維、棋盤狀圖素結構（資料頁）所引起的強度曲線。但 是原則上，由任何選擇之二維或三維物體所繞射、散射或 15 反射之光可被用作影像光束。在儲存媒體上，影像光束被 引至與第一雷射光束（參考光束，其通常為一平面或圓形 波）進行干涉。形成之干涉圖型被印記在儲存媒趙中成為 一種光學常數（折射率及/或吸收係數）的調制。該調制 擴及整個輻射區，尤其是儲存媒體的厚度。若現在物艘光 20束被阻斷，且媒艘單獨被參考光束透射，則經調制的儲存 媒體即充作一種參考光束之繞射光栅。由繞射而來之強度 分布對應於由被儲存之物體所發出之強度分布，以致其不 再能被區別是否光係來自物體本身，抑或是否其係因參考 光束之繞射而導致者。 —25一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " --—---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂· 557302 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（24) 各種多工方法可被用於在一樣品位置上儲存不同之全 像囷·波長多工、遷移多工、相位多工、周邊旋律多工及 /或角度多工等。在角度多工的情況中，儲存媒艘（其中 全像囷已在現時角度下被儲存）和參考光束之間的角度被 5改變。由某一前進角度之變化，原先的全像圖消失（布拉 格錯配，Braggmismatch)·•入射參考光束可不再為重現此物 雜而被儲存媒體所偏轉。由此所發生之角度精確地視儲存 媒雜的厚度而定（及視媒艘中所產生之光學常數的調制而 定）·媒艘愈厚，參考光束必須被改變的角度愈小。 10 在該新的角度構形中，可記錄另一全像围。該全像圖的 3賣出，再次精確地在赌存媒想與其所寫入之參考光束之間 的相同角度構形中動作。 因此，藉連績改變媒體與寫入光束之間的角度，可將多 個全像囷記錄在儲存媒體上之相同位置上。 15 本申請案之主題為申請專利範圍中所述之所有的聚合 物、方法及用途。 本申請案之主題為一種藉射出成形製造光學元件及健 存元件（較佳為全像攝影高容量儲存器）的方法。 本申請案之主題為一種藉射出成形製造光學元件及儲 20 存元件（較佳為全像攝影高容量儲存器）的方法，其中模 製物另外被拋光。 模製物的拋光係進行到如波前失真及表面類像 (phenority)的時點優於；1/1〇為止。波前失真係藉模製物於 曝露於波長λ之寫入雷射光束中被成像在例如CCD照相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂：
557302 A7 B7 五、發明說明（25) 機上來測定。 本申請案之主題為一種藉射出成形製造光學元件及儲 存元件（較佳為高容量全像攝影儲存器）的方法，其中另 施加一透明保護層。 5 本申請案之主題為根據本發明之光學元件及儲存器，較 佳為高容量儲存器，特佳為高容量全像攝影儲存器。 實施例4樣品製備聚合物混合物B1 聚合物混合物B1為介於一聚合物 10 1 ~1 15 及式2聚合物之間的混合物 ------------裝--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 557302 A7 B7 五、發明說明（26) 於製造後，將兩聚合物以固相混合，使混合物中偶氮苯 單元X的平均濃度總計達1莫耳％ (相對於x+y+p之總 合）。在真空下將混合物加熱至180°C以除氣。在此過程 中，其轉變成液相◊於該相中，混合物可在2玻璃板之間 5 被壓製^為此目的，將聚合物之聚合物滴液置於一玻璃基 材上（大小·· 2.5公分X 2.5公分）。在玻璃基材的邊緣上 設置薄的PET塑膠條。將另一玻璃基材放在聚合物滴液 上。將一重金屬重量施加在上蓋玻璃上並充作一加壓重 量。將玻璃基材•聚合物·玻璃基材夾芯儲存在180°C真空下 10 約1小時。於樣品之壓製及冷卻後，測量玻璃-聚合物-玻 璃夾芯的厚度：結果是137微米之聚合物薄膜的厚度。薄 膜為光學透明且非散射的。在532奈米之波長下，〇D(532 奈米）==0.15之聚合物的光學密度係以UV/VIS分光計測 定。 15 會施例5樣品製備聚合物混合物2 於製造後，在真空下將具有偶氮苯濃度x=l莫弄％之式 2的聚合物混合物Β2加熱至180°C以除氣。進一步的樣品 製備如實施例1。於真空下之壓製後，獲得156微米之薄 20 膜厚度。在532奈米之波長下，〇d(532奈米）=0.15之聚合 物的光學密度係以UV/VIS分光計測定。 太铋祺尺疮镝玥+因团窒摄里播格（210 x 297公釐） ----------丨裝 i I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557302 Α7 Β7 五、發明說明（27)
10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 t施例6來自實施例1及2之聚合物混合物B1及B2之 全像攝影研究 於全像攝影試驗中，具256x256資料點之資料光罩的全 像囷被記錄下來。所使用之雷射的波長達λ =532奈米。在 樣品位置上之物體光束的能量密度達2·8 mW/cm2，參考 光束的能量密度達134·3 mW/cm2。由此計算得到m=0.28 之全像攝影對比度m。兩種寫入雷射之曝光時間各為60 秒。之後，在物體光束被阻斷5毫秒下，以參考光束讀出 全像圖。由參考光束之入射光輸出Iinc和在檢測器（此例 中為CCD照相機）所測量之強度Icutg的比例計算繞射效 。由該數量可導出材料·比尺寸（η>1/2(厚 度），其與光誘導之折射係數調制成比例。材料之光敏感度 S可進一步由折射效率随著全像攝彩成長曲線上升之經時 發展來測定： ----- - -4^-裝 i I f清先閱蜻背面之生意事項再魂寫本頁) ^紙張尺唐谪用甲國國茨標車（CNS)A4銳格（210 X 297公爱） 557302 A7 B7 五、發明說明（28 )
S 5 dEd a代表微分，E為所消耗的寫入能量（寫入輸出x曝光時 間）以及d代表樣品的厚度。 下表比較聚合物1和聚合物2之測量結果。 聚合物 厚度d (微米） OD@ λ窝人 η Olmax) / /d (微米’ S (公分/焦耳） 聚合物混合物1 137 0.15 7xl〇·5 6·11χ10·5 0.089 聚合物混合物2 156 0.15 5xl(T6 1.43xl0*5 0.024 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 表中顯示聚合物混合物B1容許一較高的繞射效率η，因 此有較高的折射係數調制，且更光敏感的，亦即具有較高 的S值。 10 實施例7聚合物混合物之濁度試驗 為定量分析各種聚合物之易混性，在下列變數之1:1混 合物上實施光散射試驗。聚合物混合物Β3為式3之聚合 物 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20
DS 本紙張尺唐ift用中國团茇燋進iCMAΑ4梘格（210 X 297公釐） 557302 A7 B7 五、發明說明（29) 5 、y 〇
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 之1:1混合物。 聚合物混合物B4為式3聚合物(p=3000)和聚合物5 ,〇、 〇
N\、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15
Ν 20 之1:1混合物。 為製造聚合物混合物，將個別組份以等重量比例溶解於 THF中並藉旋塗法塗覆至玻璃基材上獲得具约1微米厚 度之薄膜。 在濁度試驗中，所謂的霧度值(haze value)被給定作為定 —-3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 557302 Α7 Β7 五、發明說明（30) 量測量之變數。該值代表散射之透射光相對於所透射光之 總量的比例。 散射光(透射） 露度= --------- 5 務 總透射 在混合物的情況中，聚合物之散射或濁度係當分開之相 位在光波長區具有擴張(exPansion)時發生。為容許聚合物 薄膜之吸收差異’測試係以光譜進行。必須想到在光譜之 藍-綠區中，由於樣品之高吸收’散射光亦已於樣品中被吸 10 收，並不會影饗所測得之散射光。具體言之，這表示說， 因為發色困在光譜之藍·綠區中自我吸收’霧度值必須在所 研究之發色困系統之吸收帶外侧之一光譜區中進行，在此 情況中為在波長大於奈米者。 聚合物混合物B3之濁度值在霧度=0·3下為高於光譜之 15 整個綠/紅區，而聚合物混合物Β4提供介於4和8·5之間 的霧度值。在λ=630奈米下之霧度值可被看作是參考值， 因為在該波長下，所使用之薄膜具有相當之總吸收度：聚 合物混合物Β4之霧度值比聚合物混合物Β3之霧度值大 200 倍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ----11----I i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 20 此強調了一項事實，因為聚合物混合物Β3之各別成分 中（3個各別之核心成分）之側鏈的相似性，可產生一均 勻的混合物，而在聚合物混合物Β4的情況中，由於光波 長區中擴張之相位形成，所以混合物不會完美地發生，其 必須被認為是散射所致。 25 -32- 本紙張尺唐iS用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 557302
    公告本 Α8 Β8 C8 D8 10 專利申請案第90112734號 ROC Patent Appln. No.90112734 修正之申請專利範圍中文朵—附杯(四） Amended Claims in Chinese - Rncl.(lV) ($國92年1月—曰送呈） (Submitted on January , 2003) 1· 一種混合聚合物，其特徵在於其係由以下所組成： 至少一種聚合物(A)，其具有至少1〇個具通式(CI)之重 覆單元 152025 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R100I —C—c*... 2 c=〇 (CI)， R701 其中 Rl()<)代表氫或曱基，及 R7()1 為-〇_R801，其中 r8()1代表氫或不帶有光可異構化基團之Crcs直鏈或支 鏈-烷基，及 至少一種聚合物(B)，其具有至少3個具通式(CII)之重 R102 I …~~* c 一 C ~...H2 (Uo (cn) R103 R1UZ代表氫或曱基，及 R 為卜S-T-Q-P]且其中P代表A及/或Μ， 惟其中聚合物(Β)經常是屬於ρ代表Α者， -33 - 覆單元 其中
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（2i〇 x 297公楚） 90245-申請範圍(接) 557302 AS B8 C8 D8 申請專利範園 其中由主鍵分支出來之側鍵’即式-S-T-Q-P (而p=A(染 料基）、Μ(介原）），係由下列定義所決定， S-T-Q.p=s2-T2.Q2-M 5 其中 S1，s2互相獨立地表示原子〇、S或基團NR1， ^ 表示氫或C1-C4烧基， Tl，T2互相獨立地表示基團（CH2)n，其選擇地可鍵結_ 〇-、-NR1-或-OSiR^O-及/或被甲基或乙基所取 10 代， n 代表數字2,3或4， q\q2為二價基團， A 一可吸收電磁輻射之單元及 M 一具有至少12;Γ-電子之可偏振,的芳香族基團。 15 2·根據申請專利範圍第1項之混合聚合物，其特徵在於至 少10個重覆單元被包含於聚合物(Α)中。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 3·根據申請專利範圍第丨或2項之混合聚合物，其特徵在 於至少3個重覆單元被包含於聚合物(B)中。 (根據中請專利範圍第i或2項之混合聚合物，其特徵在 於L a夕於一種之聚合物(A)及/或聚合物(B),其中聚 合物(B)經常是屬於p代表a者。 、 5·根據中請專利範圍第1或2項之混合聚合物，其特徵在 於聚合物⑻之單體總數對聚合物(A)之單體總數的比例 為介於1:1和1:10000之間。 本紙張尺度適財關家標準(CNS)A^" (210x297 公釐） 六、申請專利範圍 6·根據中請專利範圍第丨或2項之混合聚合物，其特徵在 於聚合物(A)包含f基丙_甲醋單元。 7·根據中請專利範圍第1或2項之混合聚合物，其特徵在 於聚合物⑻包含至少2個不同之具通式 [S-T-Q_p]之單體，其中該單體之至少一個攜帶一光可 異構化基團(A)。 Μ艮據U利範圍第丨或2項之混合聚合物’其特徵在 於聚合物⑻包含一種單體，其中該光可異構化基團(A) 為一偶氮基團。 10 15 9·根據巾請專觀圍第1或2項之齡聚合物，其特徵在 於該光可異構化基團（A)具有結構(CIV)，
    X 102 ^ 其中 R 01和R1G2互相獨立地代表氫或一非離子性取代基， m和η互相獨立地代表〇至4，較佳〇至2的整數， (CIV) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 X101代表與S1()1T1()1Q1()1之鏈結，亦即Xi〇i具有χι〇ι’之 意義，其中X101’以其第二共價鍵被鏈接至q， x1G2 表示 X1G2’-R104 X101’和 X1。2’代表一直接鍵、_〇_、-S_、_(N_R，_、 C(R106R107)_、-(c=〇)-、-(CO-O)-、-(CO-NR105：l·、 (S02)- > -(S02-0)- > -(SO2-NR105). > -(C=NR18)-^ 35 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557302 六、申請專利範圍 (CNR18-NR15)-， R104, R15和R18互相獨立地代表氫、Cr至C2(r烷基、Cr C1(r環烷基、C2-至C2(r烯基、〇6-至C1(r芳基、Cr 至 C2(r烷基-(C=0)-、C3-至 Cur環烷基-(〇〇>、 5 C2-至 C2(r 烯基-(〇0)-、C6-至 C10-芳基-(〇〇>、 (:广至 C2(r烷基-(S02)-、c3-至 C1(r環烷基-(S〇2)-、C2-至 C20-稀基-(8〇2)_或 C6_至 Ci〇_芳基-(S〇2)-或 X1G2’-R1G4可代表氫、鹵素、氰基、硝基、CF3或CCb ’ 10 R1G0和R1G7互相獨立地代表氫、鹵素、cr至c2(r烷基、 Q-至C2(r烷氧基、（：3-至C1(r環烷基、C2-至C2(T烯 基或c6-至c1(r芳基， s1()1表示原子o、s或基團nr1G9， R1()9表示氫或CrC4烷基， ， 15 T1G1表示基團（CH2)X，其選擇地可鍵結_0·、-NR109-或-0SiR1G920-及/或被甲基或乙基所取代，及 X 表示數字2,3或4， Q1G1 表示 z101，z1()2或基團-z101-x1()()-z1()2-，其中 z 和zi〇2互相獨立地表不基團、-So:-、_ 20 C00_、-OCO-、-CONR109-、_NR109C〇_、·ΝΙΙΗ)9_ 、-Ν=Ν-、-CH=CH-、-N=CH-、或基團一 (CH2)y-，而 y=l 或 2 及 X1(K)表示一 5-或6-員環脂族、芳香族或雜環之環，於 此情況中，Z101=-COO_或_CONR109-、—直接鍵戍 -36 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）
    557302 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 基團-(CH=CH)y-， 其中y具有上述意義。 10.根據申請專利範圍第1或2項之混合聚合物，其特徵在 於攜帶一光可異構化基團之單體具有式(CV) 〇
    S R
    X (CV), 其中 10 R102代表氫或甲基，及 其他基團具有上述之意義。 11.根據申請專利範圍第10項之混合聚合物，其中攜帶光 可異構化基團之單體係選自結構：
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 557302 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 557302 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 12.根據申請專利範圍第1或2項之混合聚合物，其特徵在 於可偏振化芳香族基團Μ係對應於式(CVI) X 1〇3
    (CVI) 其中 ζ2()()代表具下式之基團 y104 見2 (R202), (CVIa)或 10 _^J^(r206)s (㈣)， 其中 15 B代表Ο、S或N-Q-至C4-烷基， X103 代表-X103’-(Q102)rT1()2-S102-， X1Q4 代表 X1Q4’-】 ,203 X1G3’及XiU4'互相獨立地代表一直接鍵、-0_、-S-、-(N_ R205)_、_c(r206r2°7)_、-(〇〇)-、-(C0_0)-、-(CO· -104, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 205> 20 R 205 NR205)-、-(S02)-、-(S02-0)-、-(S02-NRzud) 208 ,205> (C=NR208)-或 _(CNRZU8-NRZU：))-， R2〇8及R2〇3互相獨立地代表氫、Cl-至c2G-烷基、 C3-至C1(r環烷基、C2-至C2〇-烯基、C6-C1(r芳 基、Q-至C2(r烷基-(〇0)-、0：3-至（：10-環烷基-(C=0)_、0：2_至 C20-烯基-(〇0)-、C6_至（310-芳基- 39
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 557302 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (〇0)-、Ci-至 C2G_烷基-(S〇2)_、c3_至 C1(r環烷 基-(S02)-、C2-至 c2(r烯基-(S〇2)-或 C6-至 C10-芳 基_(S02)-，或 X104 -R203可代表氫、鹵素、氰基、硝基、CF3或cCl3 , 5 r2G0& r207互相獨立地代表氫、鹵素、cr至c2(r烷基、 Ci-至 C2(r烧氧基、c3_至c1(r環烷基、c2-至c2(r 烯基或c6-至c1(r芳基； Y 代表一單鍵、-(：0〇-、〇(：〇_、-〇：0>111-、-1\[110：0-、-CON(CH3)-、-N(CH3)CO-、-0-、-NH-或-N(CH3)-10 ， r2g1、r202、r206互相獨立地代表氫、鹵素、氰基、硝 基、Q-至C2(r烷基、（^-至C2G」烷氧基、苯氧 基、C3-至C1(r環烷基、c2-至C2(r烯基或C6-至 Cl〇-方基、Ci_ 至 〇2〇_烧基-(0=0))-、C6_ 至 Ci〇-芳 15 基-(C=0)-、Ci-至 C20_^l：-(SO2)-、CVC20-烧基_ (C=〇)-〇-、C!•至 C20-烧基·(C^CO-NH-、C6-至 Cur芳基-(C=0)-NH-、Ci-至 C20_烧基-0-(C=0)-、 cv至 C2〇_烷基-NH-(C=0)-或（：6_至 C1(r芳基-NH- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (c=o)-， 20 q、r及s互相獨立地代表一由〇至4之整數， Q102 代表-〇”、各、_(>^2。5)-、_0：(112。6112。7)-、_(€=〇)· 、-(COO)-、-(CO_NR205)_、-(so2)_、-(so2-o)-、-(S〇2-NR205)_、_(c=nr208)_、_(cnr2C)8-nr205)- 、-(ch2)p-、對-或間-c6h4-或下式之二價基團： -40 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 557302 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍
    或 XT 10 代表一由0至4之整數，其中當j>l時，個別基 團Q1G2可具有不同的意義； 代表-(CH2)P-,其中該鏈可鍵結-0-、-NR2G9_或-OSiR2202O-； 代表一直接鍵、-〇-、或-NR2' ; 代表一由2至12之整數， 代表氫、甲基、乙基或丙基，及 代表甲基或乙基。 13.根據申請專利範圍第1或2項中之混合聚合物，其特徵 在於具有表現形狀異方性之基團Μ的單體具有式 (CVII): T S P 102 102 ,209 ,220 15 〇 Τ 102 (Q102), χ1〇3 (R2〇1)q
    (CVII) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 其中 R1()2代表氫或甲基，及 其他基團具有上述之意義。 14.根據申請專利範圍第13項之混合聚合物，其中攜帶表 現形狀異方性基團（M)之單體為選自結構： Ο fo〜XVN 〇
    -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 557302 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍
    V。〜XV 〇
    10 15·根據申請專利範圍第1或2項之混合聚合物，其特徵在 於式(CV)和式(CVII)之單體可以1:1至1:30之比例被使 用。 16.根據申請專利範圍第1或2項之混合聚合物，其特徵在 於其具有S2之光學密度。 / 15 17·根據申請專利範圍第1項之混合聚合物，其中R8G1代 表甲基、乙基、丙基或正丁基。 18.根據申請專利範圍第17項之混合聚合物，其中R8G1代 表曱基。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19·根據申請專利範圍第12項之混合聚合物，其中q、r 20 及s互相獨立地代表一由0至2之整數。 20·根據申請專利範圍第12項之混合聚合物，其中p代表 一由2至8之整數。 21·根據申請專利範圍第20項之混合聚合物，其中p代表 一由2至4之整數。 -42 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 557302 A8 B8 C8 D8 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 22·種製造根據申請專利範圍第1至a項中之一項成爹 項之混合聚合物的方法，其中聚合物(Α)及(Β)係藉自由 基聚合法來製造，且混合聚合物係在加熱至玻璃轉變浪 度以上’藉混合所需定量比例之個別聚合物來製造。 23·根據申請專利範圍第丨或2項之混合聚合物，其係用於 供製造光學元件及儲存元件。 24·根據申請專利範圍第幻項之混合聚合物，其中光學元 件係被用於資料之儲存。 25_根據申請專利範圍第幻項之混合聚合物，其中光學元 件或儲存元件，係被用於藉全像攝影術之資料健存。 26.，請專利範圍第23項之混合聚合物，其中資訊係 藉一雷射光束被寫人光學元件及/或儲存器中。 A-種儲存器，包含至少—種根據申請專利範圍第i至 3項山中之-項或多項之混合聚合物，其中後者具有 2〇·ι耄米之透射厚度。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇χ297公釐）
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