[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TW510966B - Straight line defect detection - Google Patents

Straight line defect detection Download PDF

Info

Publication number
TW510966B
TW510966B TW090102296A TW90102296A TW510966B TW 510966 B TW510966 B TW 510966B TW 090102296 A TW090102296 A TW 090102296A TW 90102296 A TW90102296 A TW 90102296A TW 510966 B TW510966 B TW 510966B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pixel
pixels
feature
current pixel
plane
Prior art date
Application number
TW090102296A
Other languages
English (en)
Inventor
Nimrod Sarig
Gadi Greenberg
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW510966B publication Critical patent/TW510966B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

510966 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 發明領城: 本發明係有關一種用於在半導體元件中檢測微影成像 光罩之方法’特別是用於檢測光罩特徵之邊緣。本發明特 別適用於具有次微米設計特徵之光罩的共線檢測。 發明背景: 目前對於超大型積體電路之高密度及高效能的要求已 達次微米特徵的尺度,並要求增強電晶體及電路的速度及 才疋升可罪性。此等要求需要以高精確度及高均勻度來形成 元件特徵,而其又使仔細的製程監測成為必要。 微影成像術係一種需要仔細檢測的重要製程,其中罩 幕或「光罩」係用於將電路特徵轉移至半導體晶圓上。在 典型h ;兄下’一系列此種光罩係以預先設定的順序來加以 運用。各微影成像光罩包括對應於被整合於該晶圓上之電 路元件的幾何特徵之錯综複雜的集合,例如位於玻璃基材 上之鉻(c h Γ 0 m e )特徵結構。在序列中之各光罩係用於將 對應的特徵轉移至感光層(如光阻層),其已預先被塗佈於 膜層上,例如形成於矽晶圓上之多晶矽或金屬層。光罩特 徵至光阻之轉私係以習用方式利用如掃描器或步進機等曝 光〃來扣引光或其它輻射通過光罩而使光阻曝光。接 著,光阻被顯影而形成光阻罩幕,位於下方的多晶矽或金 屬層即根據該罩幕被選擇性㈣,以便在晶圓上形成如線 路或閘極等特徵。 光罩之製造係遵循一套由處理及設計上的限制所界定 第5頁 !!—♦ (請先Μ讀背面之泫意事項再填莴本頁) _ i · 1·_ n νϋ 111 I · - 一eJ« n —I— n - - - n I 1 1 510966 A7 B7 五、發明說明() 的預定設計規範。該等設計規範係定義,如元件及互連線 内連線間之空間允許量及該等線自身之間的寬度,以確保 該等元件或線不會以不理想之方式相互重疊或相互作用。 該設計規範限制係指「臨界尺寸」(c r i t i c a 1 D i m e n s i ο η, C D ),其被定義成於該元件之製造中所允許的一條線之最 小寬度或兩條線間的最小空間。對於最大的超大型積體應 用之設計規範而言,其數量級不到一微米。 當設計規範緊縮且處理窗(例如處理過程中之錯誤限 度)變小之際,光罩特徵之檢測及測量即逐漸變得重要, 因為即使對於設計尺寸之小偏離也可能負面影響完成之半 導體元件的效能。例如,光罩表面上之特徵包括穿過光罩 表面用於形成内連線或閘極之直線。第1A圖至第1B圖 係描繪直線特徵的典型缺陷。第1 A圖顯示一直線之超出 部分,其表現為直蜂上之「凸塊」。無缺陷特徵之尺寸係 以虛線表示。第1 B圖顯示直線之缺少部分,其表現為直 線上去掉的「缺口」,且無缺陷特徵之尺寸以虚線表示。 凡熟習本案之一般技藝人士當可瞭解,光罩上之缺 陷,如第1A圖至第1 B圖中所示之直線上多出或缺少的 鉻,可能會在處理過程中重複轉移到晶圓上,因而顯著降 低生產線的良率。因此,檢測該等光罩並偵測其上之任何 缺陷非常重要。檢測過程通常由光學系統來執行,如可從 位於美國加州Santa Clara市之應用材料公司(Applied Materials,Inc·)購得之 RT 8200 或 ARIS-i 光罩檢 測系統。在生產罩幕及光罩的罩幕製造廠中,檢測系統被 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (諝先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 戈--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510966 A7 B7 五、發明說明() 用於掃描罩幕,並將所得到的影像與生產罩幕的資料庫加 以比較。影像及資料庫之間的差異將會被標示為可疑位 置。 具體而言,在典型的習用檢測方案中,光罩之表面係 利用光電倍增管(Ph〇tomultiplier Tube,PMT)或電 荷耦合το件(C C D )而成像,而生成的影像一種被稱作「像 素」的資料το素陣列,其中各個像素對應於其密度而被指 定一「灰階」。換言之,各像素被指定一灰階,此灰階正 比於藉由光罩之一邵分所傳輸、反射(或兩者)的光,並依 照系統的設計而定。例如,根據掃描過程中所使用之照明 及成像技術,位於不透明特徵中間的像素將具有較高的灰 階,而位於特徵之間之空間的像素則具有較低的灰階,反 之亦然。像素通$疋一次分析一個,並分別與同一個位置 之參考像素進行比較,例如資料庫或對應臨近晶粒(d丨e ) 的相同位置,以決定缺陷之存在。被檢測之光罩的各個像 素之灰階係以用於與其臨近像素之灰階進行比較,以便在 尺寸測量時偵測出特徵的邊緣。 不利的是,習用的光罩檢測工具不能始終以精確或可 靠的方式來檢測直線特徵中的小缺陷或「局部」缺陷。習 用的檢測工具缺乏必要的靈敏度,因為其被限制於一個時 間只對一個像素執行分析。因此,吾人確實需要一種簡單、 快速且低廉之檢測光罩的方法,用以準確偵測出直線缺 陷0 第7頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項系填莴本頁) I ·It 1 --1· H 11 18 f 1 J .:·· 1 It ϋ 1— n f 1 I I n_ r^J 言 各一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
510966 五、發明說明() 發明目的及概述: 本發明之-優點係在於可靠偵測於直線特徵上之缺陷 而不用增加檢測時間。 根據本發月上逑及其它優點係部分通過檢測形成於 -表面上之目標特徵之方法來達成,該方法包括映象該目 標特徵以產生代表目標特徵之像素距陣,各個像素具有一 灰階且附帶對應於其各自在表面上之位置座標。 配置於目標特徵之邊緣的小陣列像素(如2X2陣列)被識 別。-平面係根據陣列中之各個像素的灰階以A x座標和 y座標而被計算。位於參考線(如正χ座標軸)及該計算平 面及參考平面交彙處之直線間的角度^^同時被計算。相臨 於第-陣列且位於目標特徵邊緣之若干其它陣列被識別; 例如,大約四個其它各自角度為^的2χ2陣列被計算。 然後再比較該等角度α ^如果該等α大致相等,則可判定 該目標特徵邊緣為直線。另一方面果該等。大致不相 等,則可判定該目標特徵邊緣為彎曲。一對應參考特徵影 像係以如同分析目標特徵影像的方式一般加以分析。當Ζ 標特徵邊緣為彎曲,且參考特徵邊緣為直線時,此判定出 孩目標特徵邊緣的不必要缺口或突起,並指出缺陷存在於 目標特徵中。 本發明之另一特徵係用於實施上述方法之檢測工具。 本發明之其它優點將從以下之詳細說明而得以更為明 顯’其中描述實施本發明之較佳實施例,且僅用以例示實 施本發明之最佳模式。凡熟習本案之一般技藝人士當可瞭 第8頁 本紙張尺度適用_國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公« ) (請先閱讀背面之注意事項再填骂本頁)
----訂---------線L 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510966 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 1 〇 成像器 3 3 0 監視器 A7 B7 五、發明說明() 解’本發明也夠以其它不同的實施例來實施,所作的不同 修飾或變化均不偏離本發明之精神及範圍。因此,圖式及 詳細說明應被視為說明性而非限制性。 圖式簡單說明: 以下將參照附圖進行說明,其中具有相同參考標號之 元件係代表相同元件,其中: 弟1A-1B圖描纟會光罩上之特徵的可能缺陷。 第2圖為根據本發明之一實施例,說明方法之連續步驟的 流程圖。 第3圖描繪本發明之一實施例的方塊圖。 第4圖描繪用於實施本發明之實施例的影像形成過程。 第5圖為根據本發明之一實施例,例示用於實施本發明之 方法的像素跨距。 第6A圖及第6B圖為根據本發明之一實施例,描述本發 明之方法中的連續步驟之流程圖。 , 第7圖描繪於本發明之一實施例中所計算的角度及平面。 第8圖描繪根據本發明之一實施例,其例示實施本發明之 方法的像素陣列。 第9圖描繪本發明之一實施例的方塊圖。 圖號對照說明: 3 0 0 檢測工具 3 2 0 處理 第9頁
510966 A7 B7 五、發明說明( 3 4 0 &己憶體元件 3 5 0 資料庫 4 0 0 光罩特徵 9 0 2 匯流排 904 中央處理單元 9 0 6 主記憶體 9 0 8 唯讀記憶體 9 10 儲存元件 發明詳細說明1 檢測形成於微影成像光罩表面上之特徵的習用方法盔 法以準確' 可靠及經濟的方式偵測直線 ’’’、 h f紙上之局部缺 陷,如缺口或突起。藉由將灰階數據轉譯 戈、# 子成局邵特徵邊緣 資訊並將複數角度值繪製成該邊緣資訊, 、 1』輕易相互比 較判定被檢測的邊緣究竟是局部筆直或局部弯自,以便指 示邊緣上之缺口或突起之可能性,本發明發現並解決此^ 問題。資訊能夠與從參考資料庫中搜集之相應資訊進行比 較,以偵測被偵測特徵當中的缺陷。由於本發明係利用於 成像過程中所收集到的資訊(即灰階資訊),因而本發明並 未大幅增加檢測時間,且除了習用檢測技術之外,.其可被 貫施以增加該檢測過程之整體靈敏性。 根據本發明之一實施例的方法,其係藉由習用檢測工 具來檢測光罩,例如使用RT 82〇〇或ARis]等檢測工 具,此等工具成像一光罩(如利用掃描CCD陣列)做為一 像素距陣,其中各像素具有一灰階,且對應於其於光罩上 之分別位置而與x & y座標相結合。—小陣列像素,如2 X 2陣列,被放置於目標特徵之一邊緣,藉由判定於該陣 列中之像素灰階之間的明顯對比即可加以識別。例如計算 第10頁 -----------_ (琦先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ ---- ! I--^ --------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度朝ti^i^(CNS)A4規格⑽ X 297 公 f 510966 Α7 五、發明說明() 陣列中之像素組的灰階差異,丙將此等差異和門檻值比 較。然後,一平面「設置」穿過該像素;即如邊緣跨式陣 列中的四個像素,其利用最小平方法、X座標和y座標, 以及該陣列中之各個像素的灰階。參考線(如正x座標軸) 與設置平面及參考平面交接處之直線間的角度α然後被計 算’該參考平面為通過像素之X及y座標的平面。 與第一陣列相臨且放置於目標特徵邊緣之若干其它陣 列被識別’如大約四個其它2 x 2陣列,且其各自角度α 被計算。然後,比較該等角度α。如果該等α大致相等, 則判定該目標特徵邊緣於被分析的像素組附近為筆直。另 一方面’如果該等α並非大致相等,則判定該目標特徵之 邊緣於被分析之像素組附近為彎曲。以上分析亦執行於從 參考#料庫所獲得之相應參考特徵影像。當目標特徵邊緣 為彎曲且參考特徵邊緣為筆直時,即可判定缺陷存在於該 目標特徵中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此’於本發明之方法中,小群組像素之灰階資訊被 分析以偵測一特徵邊緣,且確定跨過一邊緣之像素組。然 後’该等像素組之灰階及座標資訊被缚製成角度值,並相 互比較以判定該特徵邊緣究竟為局部筆直或弯曲。由於本 發明於一時間内分析少數像素(例如,一次四個像素),因 此能夠偵測極小光罩特徵之局部彎曲。本發明之靈敏性能 夠較早偵測直線缺陷,而習用的檢測技術無法輕易地或以 可靠的方式來偵測直線缺陷。 本發明之一實施例描繪於第2圖至第9圖。如第3圖 第11頁 本紙張尺度適用_國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐 510966 A7 B7 五、發明說明() 所示,本發明係實施於一檢測工具3 0 0,其包括成像器3 1 0 用於高速成像光罩R之表面,且通常採用光電倍增管或 C C D及一照明源,如燈或雷射。光罩R通常包括一透明 基材上之金屬特徵(如玻璃表面上之鉻),其可藉由穿過基 材而將光傳送至CCD,並從特徵將光反射至CCD或兩 者皆有而成像。檢測工具3 0 0進一步包括處理器3 2 0, 其適於執行在此揭露之電子分析,並包括一監視器330, 以顯示處理器3 2 0之分析結果。處理器3 2 0可與傳統光 罩參考設計資料庫3 5 0及記憶體元件3 4 0聯繫,如半導 體記憶體。處理器3 2 0之功能適於實施於如邏輯閘之硬 體中,以相較於軟體實施提升其處理速度。 弟2圖係本發明之缺陷偵測過程之概觀。本發明之處 理過程具有兩個幾乎相同的主要路線:位於圖表上部的參 • 考(資料庫)路線,以及位於圖表下部的檢測路線。在第2 圖之步驟2 0 0 a中,光罩R係以習用方式由成像器3 i 〇 成像’該影像而後由處理器3 2 0接收,處理器係處理複 數被稱作「像素」的資料元素之影像,各像素具有一灰階 且伴隨光罩R上之一位置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之泫意箏項再填寫本頁) 線明 步驟2 0 0 b之參考資料可來自資料庫中或成像器 3 1 0。如果參考資料來自資料庫,則其可藉由.採用如美國 專利第5,9 0 7,6 2 8號所述之系統而獲得。 、 τ 乃一万面,該 資料可從臨近小片上之對應位置利用習知 " 口口 J筏術而將成像 器310之輸入分成兩個路線,並於一路 、、甲提供一格岑 一小片之延遲而獲得。 ____ 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -------- 510966 Α7 Β7 五、發明說明( 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 η 社 印 製 第4圖顯不光罩R上之理想光罩特徵4 〇 〇 (例如出現 於資料庫3 5 0中的特徵4 〇 〇 ),其具有邊緣Ε及表面s。 万塊陣列係4示像素如何形丨,㈣顯示各個冑素的灰階 程度;例如,位於臨近邊緣E之像素pi-pi2。對應於特 徵4 0 0又光罩R上的實際特徵通常類似於特徵4㈣,但 具有少量偏離。實際像素通常為代表其灰階的數字距陣, 各像素相應於其於特徵4 0 0之影像上的位置而與χ及乂 座標相關聯。 在步知2 1 〇 a & 21 0 b ’所檢測之路線的像素被用於 分析,以確定與光罩R的特徵邊緣相關聯,並由本發明所 提供之方法進行檢測,㈣該參考路線像素被分析,以找 出對應參考特徵之邊緣相關聯的像素組,即如經由比較各 組之間之像素的灰階而#。如果_组中之任意兩㈣=, 如2X2 睁像纟’其灰階具有一預設定限量之差異,則 表示該組跨過一特徵邊緣。 ^ 在步驟2 2 0 a及2 2 0 b,藉由机罢 τ 稭由叹置一平面穿過基於該 組像素之灰階而將該組内的所有像素被識別之邊緣像素级 緣製成角度(即從灰階轉變成角度),例如採用最小平方法 計算參考線(如正X軸)及位於設置平 直十面及參考平面相交接 處 < 直線間的角度,參考平面即如穿 、诼素及y座標 的平面。在步驟2 3 0 a及2 3 0 b,相臨邊緣' 建緣像素組之角度(如 四個相臨像素組)相互比較。如旲洛 度大致相同,則該邊 緣被判定於該局部區域為筆直,如I念& . 如果角度的差異超過門檻 值’則该邊緣被判定為彎曲。如果蠻 果4曲的邊緣存在於步驟 第13頁 本紙張尺度適用尹國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) Μ ____一ST___11 嘴. 510966 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 2 3 〇 a之影像路線内,且不存在於步驟2 3 0 b之參考路線 内’則步驟2 4 0判定所檢測之特徵上具有一缺陷。 在步驟2 10a及步驟2 10b,其中小群組像素被偵測 出位於—特徵邊緣,現將參照第5圖及第6A圖之流程圖 進行更為詳細的描述。在此步驟係比較四個相臨像素的灰 階,如2 X 2像素之距陣。如果四個像素中之任意兩個的 灰階間之差異超過一門檻值,則該陣列被認定為位於一特 徵邊緣。 第5圖係描繪一 2 X 2陣列之四個像素z i』,z丨+ ^ , Z i 1,Z i + !,j + !的比較。Z代表其灰階值,而i及』則 分別代表X -及y -軸座標,C · P ·代表當前像素(c u r r e W P 1 x e 1),亦即和下述處理程序相關的任意選擇之像素。“ 軸係從左至右,而j -轴則向下。 在步驟6 0 1,當前像素C . p .係藉由將其灰階與高門 檻值及低門檻值加以比較而被檢查,以確保其灰階係於— 有效範圍内。如果C · P ·之灰階在範圍之外,因而表示其 並不靠近邊緣,則c . p ·及陣列中之其它各像素之間的灰 階差異的絕對值將會被計算(請參考步驟6 〇 3 )。換言之, 以下六對像素之灰階係被比較: C.P·與Z』 C · P ·與Z丨,』+1 c.p•與Z…,…
Zi + i,j 與 Zi,j + i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ^1 ^---------訂---------線· 第u頁
Α7 五、發明說明() l,j + i 與 + + i 接著’灰階差異或「梯度」係與適當的門棍值相比較。 在步驟6 0 4,互相垂直相臨之像素組(請參見id邊)之 間的差異將與-對比門檻值相比較;例如,灰階值約4〇。 在步驟6 0 5,對角相臨之像素(請參見sl及bsl線)係 與-對角門檻值相比較。該垂直相臨且對角之像素組係與 不同之門檻值相比較,以說明對角像素間之距離長於垂直 相臨像素間之距離且影響其灰階梯度此一事實。 如果六對像素無一灰階梯度大於或等於在步驟6 〇 4 及6 0 5中所比較之門檻值,則在步驟6〇6,該2χ2陣列 之像素不設置於特徵邊緣,且於步驟6 〇 7選擇另一當前 像素。然而,如果任意六像素組之灰階梯度大於或等於其 所比較之門檻值,則該陣列之分析繼續進行步驟6 〇 8,其 中該陣列被檢查,以判定是否正在形成搭橋或「跨接」, 而不是設置於特徵邊緣。此測試係藉由比較該陣列之對角 線S L·、B S L·之像素組的灰階而加以實施。如果斜對角線 (SL)之最低灰階大於反斜線(BSL)之最高灰階,或者bsl 之最低灰階大於S L之最高灰階,則判定該陣列形成一搭 橋或跨接’且其它當前像素於步驟6 〇 9中被選擇。否則, 在步驟6 1 0中判定陣列設置於特徵邊緣。 請再次參照第2圖,步驟220a、220b將參考第5 圖、第6B圖之流程圖及第7圖而詳細解說,其中設置於 該特徵邊緣之像素組的灰階被轉換成角度。第5圖中之2 X2陣列之各個四像素Ζί,』·,Ζι + ι,』·,z +i,Zi + 1,j + i 第15頁 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先M讀背面之注意事項d填寫本頁) 裝 •線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510966
五、發明說明( 可被認為係一三維圖A 咨 *園表足貝枓點,請參照第7圖,其中於 該特徵之影像中之傻去户w . 像素位置的x及y座標係對應於x及} 一維圖表’且該像素之;^_、λ # <及1¾係對應於其ζ維。將被計算之 角度係於正X -軸(即「耒去飧 、η τ v P參考、.泉」)及平面P1的交線(IL: 之間的角度,該平面P1谪人宮 _ ^週口穿過x及y像素座標之X-》 平面P 2 (即「參考平面」)的四個資料點。
PI 習知的最小平方法被用於找出適合該四個像素的平面 在二維(i,j,z)中,平面之方程式為: ⑴ Ai + Bj + z + C-〇 將最小平方法應用於方程式⑴即產生下列方程式: (2) Σ S[zi>J~(Ai + Bj+C)j2=£2 其中Σ Σ係分別總和i及j,而ε 2則為最小平方法之 最小化誤差。 相對_於各個變數A、Β、C針對女去口9、石 , 4珂万私式(2 )加以微分 可縮小誤差的總和: (3) 2ZZiji.SZAi2-ESBji.sZCi = 〇 (4) Σ ZZi jj-Σ ZAij-Σ SBj2.^ £Cj = 〇 (5) Σ Σ Z^r Σ Σ Ai- Σ Σ Bj. Σ Σ c = 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i,j座標係之定義如下:當前像素(Current pixel , C · Ρ ·)係i軸及j軸之起點,即(〇,〇 ),因此,i之範圍從 0至1 ’ j亦然。變數z為灰階Zu。將該等值帶入方程 式(3 ) - ( 5 )則得到: (6) 2 A + B + 2C = Z10 + Z1 1 (7) A + 2B + 2C = Z〇1 + Z1 ! 第16頁 本紙張尺度適用+國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公笼〉 510966
五、發明說明() (8) 2A + 2B + 4C-Z00 + Z01+Z10 + zi1 利用方程式(6)-(8),變數A、B、C可表示為Z〇0 z〇i、ζι〇及Zh之函數。 由於局部平面pi之座標及該影像之全域軸x、y、z 係基於同一系統(唯一差異僅在於其已被平移),彳面p 1 能從一個系統-局部系統-傳遞到全域系統(即影像系統)。 因此’藉插入該值Z = 0以產生該χ-y平面P1的方程式 平面P 1及P 2間之交接線I L可由平面方程式(1 )直接表 示,其結果為: (9) Ax+By+C=0 該角度α可從線I L之梯度中相對於χ軸而獲得,其 等於t a η α,因而: (10) tan(a )=-(A/B) 由於變數A及B之表示式為灰階值Zq()、Z〇i、Zl° 及z 1 1之函數且為已知(請參見方程式(6 ) _ ( 8 )),因此能 夠利用習知的數學方法導出下列表示式,以便將灰階值轉 換成角度α : (11) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 tana = JZ00 -ζπ) + (ζ01 一ΖΐΛ) - (Ζ。。-Zu) + (Z。丨-Ζ10) 請參照第6Β圖,在步驟611,角度《係採用方程式 (η)而被計算,以用於被發現設置於第6圖之步驟61〇 之特徵邊緣的2X2陣列像素。接著,上述步驟⑷·6ιι C · p •之像素被計算為止 ’直到四個臨近2 X 2陣 之過程重複進行,直到一些臨近 (請參見步驟6 1 2、6 1 3 );例如 第17頁 510966
五、發明說明() 列像素係被識別為設置於特徵邊緣,且其角度α被計算為 止。在較佳情況下,為了對稱的緣故,四個臨近陣列形成 具有C.P·於其中心的3Χ3距陣,即如第8圖所示。請 再參照第4圖’此3 X 3陣列可比作具有像素ρ 5於其中 心的陣列像素Ρ 1 - Ρ 9,並由四個2 χ 2陣列所組成,此等 陣列包含: Ρ 1,Ρ 2,Ρ 4,Ρ 5 Ρ2, Ρ 3 ? Ρ5,Ρ 6 Ρ4,Ρ5,Ρ7,Ρ 8 Ρ5,Ρ6,Ρ8,Ρ9 當然’ 一個或多個被分析的2 X 2像素陣列可能不會 產生適當的α值,例如當此等陣列不在特徵邊緣時。如果 是此種情況,該陣列不會被用於隨後的計算。 • 請再次參照第2圖之步驟2 3 0 a、2 3 0 b,其中被計 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 算之角度α係相互比較,以確定特徵邊緣究竟為彎曲或筆 直’以下將參考第8圖及第6圖之流程圖而詳加說明。經 過預設的角度α之後,例如一 η X η陣列鄰角(如第8圖 中之 α 、α i,j - 1、a i - 1,j - 1 , a i - 1,j )已被計算並 相互比較,如果其大致相等,則該特徵邊緣被判定為筆直β 另一方面,如果角度α並非大致相等,則該特徵邊緣被判 定為弯曲。 舉例而言’步驟614計算所有四個各角度α與其它 各者間之差值(總共六個角度差值),並於步驟6 1 5,該角 度^的差值會與角度差值的門檻值相互比較。如果任一角 _— —_ 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公4 ) 一 '
510966 五、發明說明() 又 值大於角度差值之門檻值,則該特徵邊緣於步驟 6、16中被判定為彎曲。如果無一角度α差值大於角度差值 I門檢值’則該特徵邊緣於步驟6丨7中被判定為筆直。 不同角度差值之門檻值可用於提升靈敏度;舉例而言,在 較佳情況下,被用於判定該角度之各2 χ 2陣列的像素間 足灰階差值越小,則被允許限定一彎曲邊緣之角度差異越 寬。 如上所述’並參照第2圖,步驟6 0 1 - 6 1 7係於兩段 像素;貝料上執行:在所檢測路線(步驟2 0 0 a - 2 3 0 a )之像 素上以及在參考路線(步驟2〇 〇b _2 3〇㈨之對應像素上, 藉以判定對應參考特徵邊緣為筆直或彎曲。在步驟2 4 0, 參考及目標特徵邊緣相互比較,如果該目標特徵邊緣為彎 曲’但是對應參考特徵邊緣為筆直,則於步驟2 5 0 - 2 7 0 判疋缺陷存在於該目標特徵。在本發明之一實施例中,無 論何時當該參考路線或被檢測路線發現一彎曲邊緣時,「標 註、」即被設定。如果標誌被設定於該被檢測路線,且一個 或多個標誌不設定於該參考路線之大致相同的位置,則該 目標特徵被判定為有缺陷。採用此標誌比對技術,被檢測 及參考路線之間並不需要完美之重合,因而縮短檢測時 間。 第9圖描繪第3圖所示本發明的實施例之方塊圖。根 據該實施例,處理器3 2 0 (如第3圖所示)包括匯流排9 0 2 或其它用於通訊的通訊機制,以及中央處理單元 (CPU)904,其結合於匯流排902而用於處理資訊。處 第19頁 ___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) '" (請先M讀背面之注意事項4<填寫本頁) *裝---
訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510966 A7 B7 五、發明說明() 理器3 2 0亦包括主記憶體9 〇 6,如隨機存取記憶體(r a μ ) 或其它動態儲存裝置,其結合匯流排6 〇 2用於儲存由C P U 9 〇 4執行的資訊及指令。主記憶體9 〇 6亦可於指令之執 行過程中被用於儲存由C p U 9 0 4執行的暫時變數或其它 中間'貝訊。處理器3 2 0進一步包括唯讀記憶體(R 〇 Μ ) 9 〇 8 或其i靜惡儲存裝置’其結合於匯流排902而為CPU 904 儲存靜慼資訊及指令。儲存裝置91〇,如磁碟或光碟,係 結合於匯流排9 0 2,以用於儲存資訊及指令。儲存裝置9 i 〇 亦可做為第3圖中之記憶體3 4 0。 處理器:> 2 0係藉由匯流排9 〇 2而結合於監視器 3 3 0 (請參照第3圖),如陰極射線管,以用於顯示資訊給 使用者。輸入裝置91 4,包括字母數字鍵及其它鍵,係結 合於匯流排9 0 2 ,用以聯繫c p u 9 〇 4進行通訊及指令選 擇。另一類型的使用者輸入裝置係游標控制9 1 6 ,例如滑 私、軌跡球或游標方向鍵,其用於聯繫c ρ υ 9 〇 4進行通 訊方向資訊及指令之選擇,並用於在監視器3 3 0上控制 游標移動。 成像器3 1 0 (請參照第3圖)輸入代表在檢測下的光罩 影像之資料給匯流排9 0 2 ,即如以上所述。此資料可儲存 於王記憶體906及/或儲存裝置34〇,同時提供cpu 9〇4 執行指令時之用。成像器310亦可藉由匯流排9〇2從cpu 9 0 4處接收指令。 同樣地,資料庫3 50(請參照第3圖)輸入代表大致無 缺陷之光罩的輸入資料給匯流排9 〇 2,即如上述方式。此 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公贫 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • · n I u n II n I ^ ^ · n In n n u n m I ^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510966 A7 B7 五、發明說明( 貝料可被儲存於王記憶冑9G6中及/或儲存裝置340,且 當CPU 9 0 4執行指令時所使用。
本發明係有關於用於檢測光罩表面之處理器3 2 0的 使用根據本發明《一實心列,該光罩之檢測係由處理器 3 2 0 供’其對應於執行包含於主記憶體9 〇 6之一個或 多個扣々的一個或多個程序。此指令可從另一電腦可讀媒 介’如儲存裝置9 1 〇,而被讀入主記憶體9 〇 6。主記憶體 9 0 6所包含之指令之程序的執行將引發匚p u 9 〇 4執行上 述處理步驟。多重處理裝置中之一個或多個處理器亦可被 實施’以執行包含於主記憶體9 〇 6中之指令程序。如上 所述’於另一實施例中,固線式電路可用於取代或合併於 軟體指令以貫施本發明。因此,本發明之實施例並不限於 任何特定的固線式電路及軟體之結合。各種裝置之編程動 作可輕易地由熟習本案之一般技藝人士根據第2圖、第6 a 圖及弟6B圖而達成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此所使用的術語「電腦可讀媒介」係指參與提供指 令給C P U 9 0 4以用於執行的任意媒介。此一媒介可為許 多形式’其中包括永久性媒介、非永久性媒介及傳輸媒介, 但不以上述者為限。永久性媒介包括光碟或磁碟,如儲存 裝置9 1 0。非永久性媒介包括動態記憶體,如主記憶體 906。傳輸媒介包括同軸纜線、銅線及光纖,且包括含有 匯流排9 0 2之導線。傳輸媒介亦可為聲波或光波,例如 該等於無線電頻率及紅外線資料通訊過程中所生成者。電 腦可讀媒介之一般形式包括軟碟、抽取式磁碟、硬碟、磁 第21頁 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 510966
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明() γ,以及任何其它磁性媒介,如光碟或數位化視頻光碟, 或任何其它光學媒介、穿孔卡片、紙帶,以及任何其它具 有孔特徵之物理媒介、RAM、R0M、可規劃唯讀記憶體 (p R Ο Μ )、可消除程式化唯讀記憶體(E p R 〇 M )、快閃可 消除程式化唯讀記憶體(F L A s H _ E p R 〇 M ),或任何其它 口己隐m日曰片或插入式片盒,或任何其它電腦可讀媒介。 電腦可讀媒介之不同形式可用於實施CPU 904所執 行之一個或多個指令之一個或多個程序。舉例而言,該等 才9々可於取初存放於遠端電腦之磁碟上。該遠端電腦能裝 載指令進入其動態記憶體,並採用調變解調器於電話線上 發送指令。位於處理器320近端之調變解調器可於電話 線上接收資料,並使用紅外線傳送器將資料轉變成紅外線 #號。結合於匯流排9 0 2之紅外線偵測器可接收攜載於 紅外線信號中之資料,並且將資料置於匯流排9 〇 2。M流 排攜載資料至主記憶體9 0 6,C P U 9 0 4從中檢索並執行 該等指令。在被C P U 9 0 4所執行之前或之後,由主記憶 體9 0 6所接收之指令可被選擇性儲存於儲存裝置9 1 〇。 因此,藉由分析小群組像素之灰階資訊以偵測一特徵 邊緣及確定跨過一邊緣之像素組’然後將邊緣像素組之灰 階資訊繪製於可互相比較的角度值中,本發明之方法即可 實施特徵邊緣之直線性的準確可靠檢測。此方法避免習用 光罩工具之像素與像素間的比較檢測,而習用的比較可能 會忽略小的局部邊緣曲率或給出不準確的結果。此外,藉 由計算對光罩上之大致與所檢測特徵之同一位置的參考特 第22頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公茇) (請先Mtjr背面之泫意1^¾¾寫本頁) 丨.t--------訂i
510966 A7

Claims (1)

  1. 510966 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種檢測形成於一表面上之目標特徵的方法,該目標特 徵包括一邊緣,該方法至少包含: 成像該目標特徵’以產生代表該目標特徵之一距陣 像素,各像素具有一灰階且結合相應於該表面上之其對 應位置的X及y座標; 確定一當前像素及相臨於該當前像素之第一複數像 素; 判定基於該X座標,y座標及各個當前像素及第一 複數像素的灰階上之第一平面; 計算於第一參考線及於該第一平面與一參考平面之 交接處之第一交接線之間的第一角度; 確定一第二當前像素及相臨於該第二當前像素之第 二複數像素; 判定基於該X座標、y座標及各個第二當前像素及 第二複數像素之灰階上的第二平面; 計算對應於該第一參考線之第二參考線’以及該第 二平面及該參考平面之交接處之第二文接線之間的角 度;及 比較該第一及第二角度,以判定是否有缺陷存在於 該目標特徵中。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之方法,其包括藉由相互比 較該當前像素及各該等第一複數像素之灰階來確定結合 該特徵邊緣之當前像素及該等第/複數像素;及 第24頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 裝 訂· -丨線- )10966 A8 B8 C8 D8 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 « --- (請先閱讀背面之注意事寫本頁} 藉由相互比較該第二當前像素及各該等第二複數像 素來確定結合該特徵邊緣之第二當前像素及該等第二才复 數像素。 3 .如申請專利範圍第2項所述之方法’其包含: 計算該當前像素及各該等第一複數像素之間,& I 該等第一複數像素及相互之間之灰階的差異; 與對比門檻值比較該等灰階差異; 當該灰階差異其中之一大於或等於該對比門I <直 時,判定該當前像素及該等第一複數像素係結合於該特 徵邊緣; 計算該第二當前像素及各該等第二複數像素之間, 及該等第二複數像素及相互之間的灰階之更新差異· 將該對比門檻值與該更新灰階差異加以比較;及 當該更新灰階差異其中之一大於或等於該對比門_ 值時,判定該第二當前像素及該等第二複數像素係、纟士人 於該特徵邊緣。 4 .如申請專利範圍第3項所述之方法,其包含將對角對比 門檻值與成對相互對角通過2 X 2陣列之灰階及該更新 灰階差異進行比較; 當遠更新灰階差異其中之一大於或等於該對比門摇 值時’判疋该當觔像素及該等第一複數像素係結合於該 特徵邊緣;及 第25頁 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 510966 B8 C8 D8 六 申請專利範圍 當該更新灰階差異其中之一大於或等於該對比門摄 值時,判定該第二當前像素及該等第二複數像素係結合 於該特徵邊緣。 如申請專利範圍第1項所述之方法,其包含根據最小平 方分析來判定該第一平面。 如申請專利範圍第5項所述之方法,其中該當前像素及 該等第一複數像素係一第一 2 X 2陣列,且該第二當前 像素及該等第二複數像素係一第二2 X 2陣列像素,該 方法包含根據以下關係式分別計算第一及第二角度: 一(Z00-Z”) + (Z01-210)~(Ζ00 ~Ζη) + (Ζ01 -^ιο) 其中α分別為該第一角度及該第二角度,相對於χ座標 及y座標之下標之第一及第二位數係分別對應於該陣列 之各像素的χ座標及y座標,而Z則對應於該陣列之 個別像素之灰階。 ---— 1111--------- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 訂- 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 ·如申請專利範圍第1項所述之方法,其包含判定僅穿 該像素之χ及y座標之參考平面。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之方法,其包含: 確定一第三當前像素及臨近於該第三當前像素且 互臨近之結合特徵邊緣的第三複數像素; 第26頁 過 相 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510966 A8 B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍 根據X座標、y座標及各個第三當前像素及該等第 三複數像素之灰階來判定一第三平面; 計算對應於該第一參考線之第三參考線及該第三平 面與一參考平面之交接處之第三交接綠之間的第三角 度; 確定一第四平面及臨近該第四當前像素且相互臨近 ‘ 之結合特徵邊緣的第三複數像素; 根據X座標、y座標及各個第四當前像素及該等第 四複數像素之灰階來判定一第四平面; 計算對應於該第一參考線之第四參考線及第四平面 與一參考平面之交接處之第四交接線之間的第四角度; 其中該當前像素及該等第一複數像素係第一 2X2 陣列像素,該第二當前像素及該等第二複數像素係第二 2 X 2陣列像素,該第三當前像素及該等第三複數像素 係第三2 X 2陣列像素,而該第四當前像素及該等第四 複數像素係第四2 X 2陣列像素; 其中該第一、第二、第三及第四陣列係相互臨近於 該距陣,以構成其中心為該當前像素之3 X 3陣列像素; 及 其中該比較步驟包含比較該第一、第二、第三及第 四角度,以判定缺陷是否存在於該目標特徵。 9 .如申請專利範圍第1項所述之方法,其包含: 當該第一及第二角度大致不相等時,判定該邊緣為 第27頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) '-- --------------裝—— (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 訂· .線 、申請專利範圍 田罘及第二角度係大致相等時,則判定該邊緣 為筆直;及 、將居目‘特徵邊緣與對應於該目標特徵之參考特徵 、、彖相互比較’以判定缺陷是否存在於該目標特 徵0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 〇 ’如申請專利範圍第9項所述之方法,其包含: 接收代表該參考特徵之一距陣像素,各參考特徵 素/、有灰階且結合於接收代表該參考特徵之一距陣 素,各參考特徵像素具有一灰階且相結合於對於如目 特徵像素之表面上大致同一位置的x座標及y座標; 確定該第一當前像素及臨近於該當前像素且相互 近 < 結合特徵邊緣的第一複數像素; 根據X座標、y座標及各個當前像素及該等第一 數參考特徵像素之灰階來判定一第一參考平面; 計算第一基本參考線及於第一參考平面及一基本 考特徵平面之交接處之第一交接線之間的第一參考特 角度; 確定該第二當前像素及臨近於該第二當前像素且 互臨近之結合參考特徵邊緣的第二複數參考特徵像素 根據X座標、y座標及各個第二當前像素及該等 二複數參考特徵像素之灰階來判定一第二參考平面; 計算對應於該第一基本參考線之第二基本參考線 該第二參考平面與該基本參考特徵平面之交接處之 標 臨 複 參 徵 第 及 (請先閱讀背面之注意事寫本 裝 頁) -線- 第 第28頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 510966 A8 B8 C8 ____ D8 _ 六、申請專利範圍 交接線之間的第二參考特徵角度; 當該第一及第二參考特徵角度大致不相等時,判定 該參考特徵邊緣為彎曲,當該第一及第二參考特徵角度 大致相等時,則判定該參考特徵邊緣為筆直;及 當該目標特徵為彎曲且該參考特徵邊緣為筆直時, 判定缺陷存在於該特徵邊緣。 11· 一種電腦可讀媒介,其承載用於檢測形成於一表面上 之目標特徵之指令,當該等指令被執行時,其被設置致 使一或多處理器執行下列步驟: 控制一成像器致使該目標特徵成像,以產生代表該 目標特徵之一距陣像素,各像素具有對應於其各自表面 上之位置且結合X及y座標之一灰階; 確定一當前像素及臨近於該當前像素且相互臨近之 結合特徵邊緣的第一複數像素; 根據X座標,y座標及各個當前像素及第一複數像 素之灰階來判定一第一參考平面; 计算一第一參考線及一第一平面及一參考平面之交 接處之第一交接線之間的第一角度; 確定一第二當前像素及臨近於該當第二前像素且相 互臨近之結合特徵邊緣的第二複數像素; 根據X座標、y座標及各個第二當前像素及第二複 數像素之灰階來判定一第二平面; 計算於對應於第一參考線之第二參考線及於第二平 第29頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) " " ~~~— ----------------- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) « . -線· 510966 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 面及一參考斗面之交接處之第二交接線之間的第二角 度;及 比較該第一及第二角度以判定是否有缺陷存在於該 目標特徵。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述之電腦可讀媒介,其中 該等指令被執行時,係設置致使一或多處理器執行下列 步驟: 藉由將該當前像素及各第一複數像素之灰階進行相 互比較而確定該當前像素及結合於該特徵邊緣之第一複 數像素;及 藉由將該第二當前像素及各個第二複數像素之灰階 進行相互比較而確定該第二當前像素及結合於該特歡邊 緣之第二複數像素。 -------------裝--- 請先閱讀背面之注意事寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13 ·如申請專利範圍第1 2項所述之電腦可讀媒介,其 該等指令被執行時,係设置致使一或多處理器執行下 步驟: 計算於該當前像素及各個第一複數像素,以及各 第一複數像素及相互之間的灰階差異; 將該灰階差異與一對比門檻值進行比較, 當該灰階差異其中之-大於或等於讀對比門模伯 時,判定該當前像素及該等第一複數像素係#合於該相 徵邊緣; 中列 個 第30頁 -線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510966 A8 B8 C8 D8 —---------- 六、申請專利範圍 计算該第二當前像素及各個第二複數像素之間,以 及各個第二複數像素及相互之間的灰階之更新差異; 將該對比門檻值與該更新灰階差異進行比較;及 當該更新灰階差異其中之一大於或等於該對比門檻 值時,判定該第二當前像素及該等第二複數像素係結合 於該特徵邊緣。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之電腦可讀媒介,其中 該等指令被執行時,係設置致使一或多處理器執行下列 步驟: 將相互於2 X 2陣列之對角通過之成對像素之灰階 及更新灰階之差異與一對角對比門檻值進行比較; 當該對角灰階差異之一係大於或等於該對角對比門 檻值時,判定該當前像素及第一複數像素係結合於該特 徵邊緣;及 當該該更新對角灰階差異其中之一係大於或等於該 對角對比門檻值時,判定該第二當前像素及該等第二複 數像素係結合於該特徵邊緣。 1 5 .如申請專利範圍第1 〇項所述之電腦可讀媒介,其中 該等指令被執行時,係適當設置致使一或多處理器執行 根據最小平方分析來判定該第一平面之步驟。 第31貫 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --— — — — —---- --- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 訂· -線- 510966 A8 B8 C8
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 6 ·如申請專利範圍第丨5項所述之電腦可讀媒介,其中 上述當前像素及該等第一複數像素係一第一 2 χ 2陣 列,且垓第二當前像素及該等第二複數像素係一第二2 X 2陣列像素,其中該等指令被執行時,係適當設置致 使一或多處理·器執行下列步驟: 根據以下關係式分別計算第一及第二角度·· + -Zm) ~(^ο〇 ~^π) + (Ζ〇1 -Zl0) 其中α分別為該第一角度及該第二角度,相對於χ座標 及y座標之下標之第一及第二位數係分別對應於該陣列 之各像素的χ座標及y座標,而z則對應於該陣列之 個別像素之灰階。 1 7 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之電腦可讀媒介,其中 $亥等^曰令被當執行時,係適當設置致使一或多處理器執 行判定通過該等像素之χ及y座標之參考平面的步驟。 1 8 ·如申請專利範圍第1 0項所述之電腦可讀媒介,其中 該等指令被執行時,係適當設置致使一或多處理器執〜 下列步驟: 確定一第三當前像素及臨近於該第三當前像素且相 互臨近之結合特徵邊緣的第三複數像素; 根據X座標、y座標及各個弟二當前像素及第一複 第32頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I I--- --- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) « 線 A8 B8 C8 D8
    MU966 六、申請專利範圍 數像素之灰階來判定一第三平面; 計算對應於一第一參考線之第三參考線,以及第三 平面及一參考平面之交接處之第三交接線之間的第三角 度; 確定一第四平面及臨近該第四當前像素且相互臨近 之結合特徵邊緣的第四複數像素; 根據X座標、y座標及各個第四當前像素及第四複 數像素之灰階來判定一第四平面; 計算對應於該第一參考線之第四參考線及該第四平 面及一參考平面之叉接處之第四交接線之間的第四角 度; 其中該當前像素及該等第一複數像素係第一 2 X 2 陣列像素,該第二當前像素及該等第二複數像素係第二 2 X 2陣列像素,該第三當前像素及該等第三複數像素 係第三2 X 2陣列像素,而該第四當前像素及該等第四 複數像素係第四2 X 2陣列像素; 其中該第一、第二、第三及第四陣列係相互臨近於 該距陣以構成其中心為該當前像素之3 X 3陣列像素; 及 其中該比較步驟包含比較該第一、第二、第三及第 四角度,以判定缺陷是否存在於該目標特徵。 1 9 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之電腦可讀媒介,其中 該等指令被執行時,係適當設置致使一或多處理器執行 第33頁 本紙張尺度綱+ _國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) — 11 --- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 旬: •線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510966
    申凊專利範圍 下列步驟: 當該第一及第二角度係大致不相等時, 係f曲,^ w疋该邊緣 …-及第二角度大致相等時,則判定該 度係筆直;及 、將孩目標特徵邊緣與對應於該目標特徵之參考特 ::逢緣進行比較’以判定缺陷是否存在於該目標 角 徵 (請先閱讀背面之注意- 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 、、〃申π專利範圍第1 9項所述之電腦可讀媒介,其τ ' 々被執行時,係適當設置致使一或多處理哭執扞 下列步驟: 1接收代表該參考特徵之一距陣像素,各參考特徵像 素一有灰階且結合於接收代表該參考特徵之一距陣像 素,各參考特徵像素具有一灰階且相結合於對於如目標 " 素之表面上大致同一位置的X及y座標; 確疋一第一當前像素及臨近於該當前像素且相互 近之結合特徵邊緣的第一複數像素; 根據x座‘、y座標及各個當前像素及該等第一 數參考特徵像素之灰階來判定一第一參考平面; 叶算一第一基本參考線及該第一參考平面與 參考特徵平面之交接處之第一交接線之間的第一參 徵角度; 確定一第二當前像素及臨近於該第二當前像素 互^近之結合參考特徵邊緣的第二複數參考特徵像 中 臨 複 基本 考特 且相 素; -事^^寫本頁) 裝 訂· _線. 第34頁 α 297公釐) 510966 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 根據X座標、y座標及各個第二當前像素及該等第 一複數參考特徵像素之灰階來判定一第二參考平面; 汁算於對應於第一基參考線之第二基參考線及於第 一參考平面及該基參考特徵平面之交接處之第二交接線 《間的一第二參考特徵角度; 备琢第一及第二參考特徵角度大致不相等時,判定 該參考特徵邊緣為彎曲,當該第一及第二參考特徵角度 大致相等時,則判定該參考特徵角度為筆直;及 當琢目標特徵係彎曲且該參考特徵邊緣係筆直時, 判定缺陷存在於該特徵邊緣。 2 1 · —種用於檢測形成於一表面上之目標特徵之檢測工 具,該檢測工具至少包含: 一成像器,其用於使該目標特徵成像,以產生代表 該目標特徵之一距陣像素,各像素具有對應於其各自該 表面上之位置且結合X及y座標的灰階;及 一處理器,其用於: 確足一當前像素及臨近於該當前像素且相互臨近之 結合特徵邊緣的第一複數像素; 根據X座標、y座標及各個當前像素及第一複數像 素之灰階來判定一第一參考平面; 計算一第一參考線及一第一平面與一參考平面之交 接處之第一交接線之間的第一角度; 確疋一第二當前像素及臨近於該當第二前像素且相 第35頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — Ι1ΙΙΙΙ1Ι1» --- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) - .線. 510966
    六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 互臨近之結合特徵邊緣的第二複數像素; 根據X座;b、y座標及各個第二當前像素及該等第 二複數像素之灰階來判定一第二平面; 叶算對應於該第一參考線之第二參考線與該第二平 面及參考平面之父接處之第二交接線之間的第二角 度;及 比車又泫第一及第二角度,以判定缺陷是否存在於該 目標特徵。 2 2 .如申請專利範圍第2 1項所述之檢測工具,其中上述 處理益進一步被設置用以: 藉由將該當前像素及各個第一複數像素之灰階進行 相互比較而確定該當前像素及結合於該特徵邊緣之第一 複數像素;及 藉由將該第二當前像素及各個第二複數像素之灰階 進行相互比較而確定該第二當前像素及結合於該特# 緣之第二複數像素。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項所述之檢測工具,其ψ 處理器進一步被設置用以: 泛各個 計算於該當前像素及各個第一複數像素’以 第一複數像素及相互之間的灰階差異; 將該灰階差異與一對比門檻值進行比較; 七 、、 μ 權·值 當該灰階差異其中之一大於或等於該對比 第36頁 ^----- 本紐尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21Q Χ 297公爱^ (請先閱讀背面之注意事 寫本頁) -裝 訂· 線· 510966 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 時,判定當前像素及該等第一複數像素係結合於該特徵 邊緣; 計算一第二當前像素及各個第二複數像素之間,以 及各個第二複數像素及相互之間的灰階之更新差異; 將該對比門檻值與該更新灰階差異進行比較;及 當該更新灰階差異其中之一大於或等於該對比門檻 值時’判定該第二當前像素及該等第二複數像素係結合 於該特徵邊緣。 2 4 ·如申請專利範圍第2 3項所述之檢測工具,其中上述 處理器進一步被設置用以: 將相互於2 X 2陣列之對角通過之成對像素之灰階 及更新灰階之差異與一對角對比門檻值進行比較; 當對角灰階差異之一係大於或等於該對角對比門摇 值時,判定該當前像素及該等第一複數像素係結合於該 特徵邊緣;及 當該該更新對角灰階差異其中之一係大於或等於該 對角對比門檻值時,判定該第二當前像素及該等第二複 數像素係結合於該特徵邊緣。 2 5 ·如申請專利範圍第2 1項所述之檢測工具,其中上述 處理器進一步被設置用以根據取小平方分析來判定該第 一平面0 第37頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事 寫本頁) 裝 · -線'
    六、申請專利範圍 2 6 ·如申請專利範圍第2 $項所述之檢測工具 當前像素及該等第一複數像素係一第一,其中上述 茲第二當前像素及該等第二複數像素係一第陣列,且 列像素,其中該處理器進一步被設置用以八2 X 2陣 -及第二角度,其根據以下關係式:刀別計算該第 tana = _lZ〇〇 -Zn) + (Z(n -4〇) -(Z〇〇 - Zu) + (Z01 -Ζι〇) 其中α分別為該第一角度及該第二角度, 及y座標之下標之第一及第二位數係分 x坐r .. 士應於該陣列 •^各像素的X座標及y座標,而Z則盤庵 、T愿於該陣列之 個別像素之灰階。 2 7 ·如申請專利範圍第2 1項所述之檢測工具,其中上述 處理器進一步被設置,用以判定通過該等像素之χ及y 座標的參考平面之步驟。 2 8 ·如申請專利範圍第2 1項所述之檢測工具,其中上述 處理器進一步被設置用以: 確定一第三當前像素及臨近於該第三當前像素且相 互臨近之結合特徵邊緣的第三複數像素; 根據χ座標、y座標及各個第三當前像素及第二複 數像素之灰階來判定一第三平面; 計算對應於一第一參考線之第三參考線,以及該第 第38頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公爱) -------------裝—— (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 訂. 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
    申請專利範圍 一平面及一參考平面之交接處之第三交接線之間的 角度; _ 確疋一第四平面及臨近該第四當前像素且相互臨近 之結合特徵邊緣的第四複數像素; 根據X座標、y座標及各個第四當前像素及第四複 數像素之灰階來判定一第四平面; "十算對應於一第一參考線之第四參考線與第四平面 及一參考平面之交接處之第四交接線之間的第四角度; 其中該當前像素及該等第一複數像素係第一 2 X 2 陣列像素,該第二當前像素及該等第二複數像素係第二 2 X 2陣列像素,談第三當前像素及該等第三複數像素 係第三2 X 2陣列像素,而該第四當前像素及該等第四 複數像素係第四2 X 2陣列像素; 其中該第一、第二、第三及第四陣列係相互臨近於 居距陣以構成其中心為當前像素之3 X ^陣列像素;及 其中該比較步驟包含比較該第一、第二、第三及第 四角度,以判定缺陷是否存在於該目標特徵。 2 9 ·如申請專利範圍第2 1項所述之檢測工具,其中上述 處理器進一步被設置用以: 當該第一及第二角度大致不相等時’判定該邊緣為 彎曲,當該第一及第二角度大致相等時’則判定該角度 為筆直;及 將該目標特徵邊緣與對應於該目標特徵之參考特徵 第39頁 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8
    、申請專利範圍 < 一邊緣進行比較,以判定缺陷是否存在於該目標特 徵。 0 ·如申請專利範圍第2 9項所述之檢測工具,其中上述 處理器進一步被設置用以: 接收代表該參考特徵之一距陣像素,各參考特徵像 素具有一灰階且結合於接收代表該參考特徵之一距陣像 素,各參考特徵像素具有一灰階且相結合於對於如目標 特徵像素之表面上大致同一位置的χ及y座標; 確定一第一當前像素及臨近於該當前像素且相互臨 近之結合特徵邊緣的第一複數像素; 根據X座標、y座標及各個當前像素及第一複數參 考特徵像素之灰階來判定一第一參考平面; 計算一第一基本參考線及該第一參考平面與一基本 參考特徵平面之交接處之第一交接線之間的第一參考特 徵角度; 確定一第二當前像素及臨近於該第二當前像素且相 互臨近之結合參考特徵邊緣的第二複數參考特徵像素; 根據X座標、y座標及各個第二當前像素及第二複 數參考特徵像素之灰階來判定一第二參考平面; 計算對應於該第一基本參考線之第二基參考線與該 第一參考平面及該基本參考特徵平面之交接處之第二交 接線之間的第二參考特徵角度; 备第一及第一參考特徵角度大致不相等時,判定該 第40頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) « I---I-------I I --- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) Η叮· •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 510966 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 參考特徵邊緣為彎曲,當該第一及第二參考特徵角度大 致相等時,則判定該參考特徵邊緣為筆直;及 當該目標特徵係彎曲且該參考特徵邊緣係筆直時, 判定缺陷存在於該特徵邊緣。 ----------------- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) IT: •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 第41頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
TW090102296A 2000-02-03 2001-03-26 Straight line defect detection TW510966B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/497,391 US6361910B1 (en) 2000-02-03 2000-02-03 Straight line defect detection

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW510966B true TW510966B (en) 2002-11-21

Family

ID=23976666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090102296A TW510966B (en) 2000-02-03 2001-03-26 Straight line defect detection

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6361910B1 (zh)
EP (1) EP1287332A2 (zh)
JP (1) JP4943616B2 (zh)
KR (1) KR100913755B1 (zh)
TW (1) TW510966B (zh)
WO (1) WO2001057496A2 (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4122735B2 (ja) * 2001-07-24 2008-07-23 株式会社日立製作所 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法
US7525659B2 (en) * 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
US6892013B2 (en) * 2003-01-15 2005-05-10 Negevtech Ltd. Fiber optical illumination system
US7486861B2 (en) * 2003-01-15 2009-02-03 Negevtech Ltd. Fiber optical illumination system
US7463765B2 (en) * 2003-02-25 2008-12-09 Lamda-Lite Enterprises Incorporated System and method for detecting and reporting fabrication defects using a multi-variant image analysis
EP1766363A2 (en) * 2004-07-12 2007-03-28 Negevtech Ltd. Multi mode inspection method and apparatus
US20060012781A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Negevtech Ltd. Programmable spatial filter for wafer inspection
US7804993B2 (en) * 2005-02-28 2010-09-28 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images
US7813541B2 (en) * 2005-02-28 2010-10-12 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers
US8031931B2 (en) * 2006-04-24 2011-10-04 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Printed fourier filtering in optical inspection tools
US20070280526A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-06 Irfan Malik Determining Information about Defects or Binning Defects Detected on a Wafer after an Immersion Lithography Process is Performed on the Wafer
US7714998B2 (en) * 2006-11-28 2010-05-11 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Image splitting in optical inspection systems
US7719674B2 (en) * 2006-11-28 2010-05-18 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Image splitting in optical inspection systems
US8275170B2 (en) * 2006-12-08 2012-09-25 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus and method for detecting horizon in sea image
US8090189B1 (en) * 2007-03-05 2012-01-03 Kla-Tencor Corporation Detection of thin line for selective sensitivity during reticle inspection
KR100886611B1 (ko) * 2007-08-14 2009-03-05 한국전자통신연구원 영상에서 점진적 화소 확장에 의한 선분 추출 방법 및 장치
US9361538B2 (en) * 2012-12-26 2016-06-07 Microsoft Technology Licensing, Llc Real time photometric edge description
CN110335288A (zh) * 2018-09-26 2019-10-15 惠州学院 一种视频前景目标提取方法及装置
CN112434694B (zh) * 2020-11-20 2021-07-16 哈尔滨市科佳通用机电股份有限公司 一种滚动轴承前盖外圈破损故障识别方法及系统
CN112577448B (zh) * 2020-12-04 2021-09-24 长飞光纤光缆股份有限公司 一种基于图像灰度值的光纤端面倾角测量方法及系统
KR102489548B1 (ko) * 2022-05-11 2023-01-18 김영봉 X선을 이용한 반도체 소자의 결함 검사방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60256290A (ja) * 1984-06-01 1985-12-17 Nec Corp パタ−ン検査装置
JP2545151B2 (ja) * 1990-02-23 1996-10-16 英彦 ▲高▼野 角度計測装置
IL99823A0 (en) 1990-11-16 1992-08-18 Orbot Instr Ltd Optical inspection method and apparatus
EP0559919B1 (en) * 1991-10-02 1999-03-24 Fujitsu Limited Method for determining orientation of contour line segment in local area and for determining straight line and corner
US5825400A (en) * 1994-11-02 1998-10-20 Texas Instruments, Inc. Method and apparatus for ameliorating the effects of misalignment between two or more imaging elements

Also Published As

Publication number Publication date
KR100913755B1 (ko) 2009-08-24
KR20020074230A (ko) 2002-09-28
EP1287332A2 (en) 2003-03-05
US6361910B1 (en) 2002-03-26
JP2004500565A (ja) 2004-01-08
WO2001057496A2 (en) 2001-08-09
US6444382B1 (en) 2002-09-03
WO2001057496A3 (en) 2002-12-05
JP4943616B2 (ja) 2012-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW510966B (en) Straight line defect detection
JP3998334B2 (ja) 欠陥検査方法
TW490591B (en) Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium
US20130010100A1 (en) Image generating method and device using scanning charged particle microscope, sample observation method, and observing device
US6883160B2 (en) Pattern inspection apparatus
US20150110384A1 (en) Image inspection method of die to database
US20180268539A1 (en) Technique for measuring overlay between layers of a multilayer structure
JP2020510864A (ja) 2つのフォトマスクを比較することによるフォトマスクの検査
JP6472447B2 (ja) フォトマスク欠陥性における変化の監視
KR102449376B1 (ko) 다이 내부 검사에 있어서의 등록 및 설계 주변부에서 야기된 노이즈의 저감
JP2015508513A (ja) データベース支援再適格性レチクル検査の方法および装置
JP2009042055A (ja) マスク欠陥検査データ生成方法とマスク欠陥検査方法
JP2018529088A (ja) 半導体マスク検査のためのポリゴンベースの幾何学的分類
JP4860294B2 (ja) 電子顕微鏡
US6603873B1 (en) Defect detection using gray level signatures
US20160110859A1 (en) Inspection method for contact by die to database
JP2011023638A (ja) 検査領域設定方法
TW201940958A (zh) 加速抗蝕及蝕刻模型校準的即時調整方法
Fanton et al. Process Window Optimizer for pattern based defect prediction on 28nm Metal Layer
JP2006214816A (ja) 半導体検査装置
US10387601B2 (en) Methods to store dynamic layer content inside a design file
US11727552B2 (en) Method of verifying optical proximity effect correction
Lee et al. Absolute overlay measurement based on voltage contrast defect inspection with programmed misalignments for DRAM devices
CN117518747B (zh) 一种光刻量测强度的生成方法、装置、设备及存储介质
JP2009092674A (ja) 試料検査装置、試料検査方法及びプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees