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TW517262B - Shadow ring with common guide member - Google Patents

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TW517262B
TW517262B TW90105634A TW90105634A TW517262B TW 517262 B TW517262 B TW 517262B TW 90105634 A TW90105634 A TW 90105634A TW 90105634 A TW90105634 A TW 90105634A TW 517262 B TW517262 B TW 517262B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
shielding ring
ring
shielding
support
Prior art date
Application number
TW90105634A
Other languages
English (en)
Inventor
Semyon Sherstinsky
Ling Chen
Joseph Yudovsky
Maitreyee Mahajani
Steve G Ghanayem
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Application granted granted Critical
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517262 五、發明說明() 發明領域: 本發明係關於一種共用對準及屏蔽設備,尤其是具共 用導引組件之遮蔽環。 發明背景: 於製造積體電路時’其設備已經發展到,藉由執行幾 順序之處理步驟’而不必將基材由真空環境下移開之自動 基材處理,藉以降低基材之傳送時間及污染。此一系統已 經例如為梅丹等人所揭示於美國專利第4,951,601號案 中其中^數處理室係連接至一傳送室。於中央傳送室中 之機械手臂將基材傳送經於各相連處理室中之狹缝閥,並 且’在基材於諸室内完成處理後將之取回。 執行於真空室中之處理步驟典型需要沉積或蝕刻於 基材表面上之多重金屬,介電質及半導體膜層。此等處理 例子包含化學氣相沉積(CVD),物理氣相沉積(PVD),及蝕 刻處理。真空室係用以沉積薄膜於基材上。典型地,一前 驅物氣體係經由一位於基材上方之氣體歧管板所帶至真 2室中’該基材係被加熱至處理溫度,大致係於约2 5 〇至 約6 5 0 °C間之範圍中。前驅物氣體反應於受熱基材表面 上,以沉積一薄層於其上。 為了增加製作效率及裝置能力,形成於基材上之裝置 的大小已經減少,形成於一基材上之裝置數量於近年來已 經增加。同時,於整個基材上之薄膜的厚度均勻是更加重 要’使得所有形成於基材上之裝置均為均勻。再者,於處 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標^iNS)A4規格(21〇 χ 297公釐) " --------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517262 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 理室内避免產生粒子,以降低基材的污染,而不致降低裝 置良率也是相當重要的。 於典型處理室中,於處理時,安裝有基材之支撐件係 可垂直移動於室中。基材係由外機械手臂刀葉所帶入室 中。多數支撐指邵同時也可被一電梯件所垂直移動,並延 伸穿過支撐件,以完成基材由機械手臂刀葉傳送至支蹲件 上。典型地,於多數CVD處理中,基材及其上支撐有基 材之支撐件均被加熱。 此等處理室可以用以沉積例如鎢之金屬,以及,其他 金屬及介電質,鎢係來自被送至基材上之WF6前驅物氣 體。WF0係為一高揮發性氣體,問題發生了,因為鎢不只 沉積於基材之頂面上,同時,也沉積於基材之邊緣表面及 背面。邊緣及背面表面一般係較粗糙於高度研磨之頂表 面,並且,一般係未被塗覆以一例如濺射氮化鈦之黏著 層,因此,所沉積材料傾向於由基材之邊緣及底表面剝 離,因而,污染了該室。同時,沉積於這些表面上之材料 可能使基材黏著至支撐件並危害了形成於基材邊緣之裳 置的整體性。另外’其他處理使用一阻障膜,其例如由教 及氮化欽形成’而覆盍了整個基材表面,其中鈦層係被部 份曝露。經常地’於這些製程中’一層鎢係沉積於阻障層 上。然而,當鎢未黏著至鈦時,沉積於其上之鎢傾向於由 其上剝離,而造成了粒子。 因此’已使用遮蔽環及沖洗氣體。於沉積時,遮蔽環 覆蓋住基材之週邊’以遮住基材之此區域,藉以防止沉積 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之>i意事項再填寫本頁> 517262 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 氣體到達基材之邊緣及$侧表面。然而,由於W F 6之揮發 性,例如遮蔽環本身並不能防止基材之邊緣及背侧沉積。 因此,已經在遮蔽環後使用沖洗氣體朝向基材後面或朝向 基材邊緣。沖洗氣體施加一正壓,而減少了處理氣體到達 這些邊緣及背側表面之可能性。於使用沖洗氣體的系統 中,支撐件典蜇具有多數分隔沖洗氣體小孔,延伸穿過其 間’以將沖洗氣體輸送至支撐件上表面中之環形氣體凹 槽。環形氣體凹槽包圍住基材並將氣體輸送至基材之週 緣。典型地,此氣體係被由邊緣下輸送至基材,使得其流 動於基材之邊緣並有效地流動於基材上表面上,呈一垂直 於基材邊緣的方向。第2-3圖顯示此傳統遮蔽環架構的例 子。 當想要較大產量及效率時’管理沉積於基材邊緣之膜 的厚度及均勻度之標準持續地更加嚴格。理想上,於整 個基材區域上,沉積膜均具有均勻厚度,及邊緣能快速下 降,使得不包含之區域具有較少或沒有沉積Q再者,於基 材之斜緣上,理想上係沒有沉積。工業實務上已經朝此理 想前進,使得現行工業標準要求,於基材之斜緣上沒有膜 沉積,及離開基材邊緣3mm之一點之薄厚度係為咬 更多於基材中心之膜厚度,該基材具有± 5%之厚产均句 性,除了離開基材邊緣5mm之區域以外。 符合這些要求之重要因素涉及沖洗氣體輪送及其流 速之最佳化。若沖洗氣體之流量太大,則沖洗氣體可能防 止或干擾處理氣體沉積於基材上之想要有沉於、^ ^ . ’ <處。當流 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) ----------1---^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517262 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明() 速上升時,沖洗氣體流進一步朝内流至基材之中心,造成 其與處理氣體流產生較大干擾立千擾了處理氣體之均勻 分佈。因此,干擾可能造成接近基材邊緣及基材中心之膜 均勻性問題。因此,沖洗氣體之高流速可能防止處理符合 工業標準之均勻性要求。因而’想要於基材及遮蔽環間的 間隙之窄公差區,以提供低定流量氣體沖洗速率。此一窄 公差區可能需要遮蔽環之穩定尺寸’以提供遮蔽環之可重 覆效能。 符合工業要求之另一重要因素為於晶圓外之邊緣之 同心性。傳統遮蔽環可以提供導引銷或其他對準件,以對 準基材與遮蔽環。然而,典型遮蔽環利用分開之對準件以 相互對準遮蔽環及基材。 示於第1圖中之傳統遮蔽環於遮蔽環1及基材14間 之直接接觸,而可能造成不當粒子產生於基材1 4及遮蔽 環1間之接觸點處。另外,因為遮蔽環1係設計以直接接 觸基材1 4,所以沖洗氣體並不會流動於基材1 4之邊緣及 於除外區上。相反地,沖洗氣體係被設計只流於基材1 4 之邊緣及以下之流動環帶2中,然後,離開流動環經出口 埠3至處理室(未示出)。除了不想要之粒子直接與基材1 4 接觸外’示於第1圖之架構同時也會造成局部鎢沉積於基 材1 4之背面側,因為局部間隙可能存在於遮蔽環1及基 材14之間。當此等間隙確實存在時,沖洗氣體可能不想 要地被抽動處理氣體進入流動環帶2中,並允許沉積發生 於接近間隙之基材丨4的邊緣或下表面。另外,也沒有準 第7頁 ^紙張尺度適用中國國家標準-- --------------裝--------訂---------線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517262 A7 _ " |: 五、發明說明() 備將基材1 4同心對準於遮蔽壤1。遮蔽被1之放置係為遮 蔽環導引銷4所維持。然而’基材丨4足放置係被保持於 遮蔽環1之放置無關。因此’遮蔽壤1之相對於基材14 之同心性於一些特定應用中,可犯不夠可靠。 第2圖顯示一傳統遮蔽環之架構’其中遮蔽環5並未 與基材1 4接觸。一沖洗間隙1 5係被提供於基材14及遮 蔽環5之間,經由該間隙沖洗氣體流動於基材1 4之下表 面旁,於基材14之邊緣上’及於基材14圓周之上表面除 外區域上。示於第2圖中之遮蔽環5可以具有約0.006吋 之沖洗間隙1 5於基材14及遮蔽壤5之間。然而,沖洗間 隙之尺寸上之公差可能於製造時受到變動,因為兩分立部 件之公差可能影響沖洗間隙之尺寸公差。額外之間隙變化 可能由於遮蔽環5所安裝之沖洗環6之熱扭曲而發生,如 於第2a圖所示。 第3圖顯示一傳統遮蔽環之架構,其中基材1 4及遮 蔽環7之橫向對準係由共用導引銷8所維持。基材位置係 為銷8之前面所限定,及遮蔽環7之一部份延伸於銷上, 及其位置係為銷8之前面所限定。因此,遮蔽環及基材之 同心性可以適當地提供一均勻徑向寬度除外區域。然而, 示於第3圖之遮蔽環7架構於基材14及遮蔽環間需要直 接接觸,這可能造成不想要之粒子產生,同時,需要將沖 洗氣體排出經過於遮蔽環7及沖洗環9間之間隙。再者, 為了完成基材與遮蔽環之對準,局部切口 1 〇係被提供於 遮蔽環7之中,以允终導引銷8延伸經該切口 1 〇。因此, 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^--------^---------^ rtt先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 517262 A7 B7 五、發明說明() 例如鎢之處理氣體可能流經切口 10並允許不想要之局部 沉積於基材14接近切口 10之斜緣及背面上。 因此有而要提供一系統,其提供基材之相對於遮蔽 環之可重覆同心性,而提供了於遮蔽環及基材間之吁重覆 沖洗間隙,而於遮蔽環中沒有局部切口。 發明目__的及概j : 於一方面中,本發明有關於—種於基材處理系統中, 用以同心對準遮蔽環及於基材支撐件上之基材的對潭設 備,其包含:至少一共用導引件,適用以收納基材之/邊 緣及遮蔽環之導引密封部份;其中,遮蔽環之導引密封部 係被屏蔽開由遮蔽環來之朝向遮蔽環之處理氣體。遮蔽環 之導引密封部份可以包含至少一導引件凹陷,形成於遮蔽 環之下表面中。遮蔽環凹陷可以較佳適用以收納至少〆共 用導引件於其中。再者,遮蔽環可以具有空氣動力形上表 面,於接近每一導引密封部份處,及一連續沖洗間隙可以 於處理時,維持於遮蔽環及基材之間。再者,沖洗間隙可 以藉由支撐遮蔽環於基材支撐件上加以維持,以及,基材 支撐件可以是單體結構。 於另一方面中,本發明可能有關於一基材對準及遮蔽 設備。該設備可以包含:一基材支撐件,具有一基材支撐 部加工於其中。基材支撐件可以具有一上表面形成於其週 邊處;一遮蔽環可以適用以停靠在基材支撐件之上表面 上;及基材支撐件可以具有一環形沖洗間隙形成於其中。 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格mo X 297公釐) C請先閱讀背面之注音項再填寫本頁) · •線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517262 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 再’基材支每件可以具有至少一共用導引件與之相關; 及基材支杈件可以適用以收納並對準基材與遮蔽環。每一 共用導引件可以安裝於基材支撐件上,或者,每一共用導 引件可以與基材支撐件一體成型。 於另一方面中,本發明提供一種於基材處理系統中, 將一基材及一遮蔽環彼此對準之方法,其包含步驟:提供 一具有一基材支撐件’其具有一沖洗間隙形成於其中,具 有一基材支撐部份定義於其中,及具有一上表面於其上; 提供至少一共用導引件,接近形成於基材支撐件中之沖洗 間隙’以收納並對準基材及遮蔽環;將遮蔽環及基材移動 彼此靠近’使得基材係大致對齊於共用導引件内;並使得 遮蔽環停靠於基材支撐件之上表面上,於大致對準係維持 共用導引件及形成於遮蔽環之下表面中之導引入凹陷之 於另一方面,本發明係有關於一基材處理系統,包 含·一處理室;及一基材支撐件,安裝於該處理室内,具 有一基材支撐部加工於其中。基材支撐件可以具有一上表 面’形成於其週邊處;及一遮蔽環可以適用以停靠在基材 支4件之上表面上。基材支撐件可以另外具有一環形沖洗 間隙形成於其中;基材支撐件更具有至少一與之相關的共 用導引件;及基材支撐件可以適用以收納並對準基材及遮 欧壤。本發明之此方面的特性係每一共用導引件可以安裝 至基材支撐件上;及每一共用導引入可以與基材支撐件一 體成型。 第10頁 本紙張尺度適用中國國家^^(CNS)A4規格(21G x 297公餐) -- I------ - -------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517262 A7 B7 五、發明說明( 本發明之上述特性,優點及目的可以藉由參考其實施 例加以詳細了解並取得本發明之特定說明,諸實施例係例 不於附圖中。然而,應注意的是,附圖只是本發明之典蜇 例子,並不疋用以限定其範圍,因為,本發明可以容易採 用其他等效之實施例。 圖式簡單說明: 第1圖為傳統遮蔽環直接接觸基材之部份剖面圖。 第2圖為具有沖洗環之傳統遮蔽環之部份剖面圖。 弟2 a圖為示於第2圖之傳統遮蔽環之部份剖面圖,其中 顯示於基材及遮蔽環於沖洗環扭曲後之沖洗間隙 的放大圖。 第3圖為傳統遮叙環之部份剖面圖,其具有一共用導引件 通過於遮蔽環中之局部切口。 第4圖為依據本發明之基材處理系統之剖面,側視圖。 第5圖為依據本發明之基材支撐件之俯視圖,其中一基材 放置於其上及遮蔽環被移開。 第6圖為第5圖沿著線6-6所取之剖面圖,其顯示有關基 材之遮蔽環1之對準及間距並同時顯示形成於支撐 件中之沖洗通道。 第7圖為第5圖沿著線7-7所取之剖面圖’其顯示兩為形 成於遮蔽環1之下表面中之導引件收納凹陷所收納 之兩共用導引件。 第8圖為第6圖之詳細部份剖面圖。 第11頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 訂' -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517262 A7 B7 五、發明說明() 第9圖為第7圖之詳細部份剖面圖。 圖號讲照說明= 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------裝·-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 遮蔽環 2 流動環帶 3 出口埠 4 導引銷 5 遮蔽環 6 沖洗環 7 遮蔽環 8 導引銷 9 沖洗環 10 切口 12 處理室 14 基材 15 沖洗間隙 16 上表面 18 週緣 20 配氣設備 30 支撐件 31 上表面 32 平坦基材收納面 34 沖洗通道 36 垂直沖洗壁 38 垂直軸 48 沖洗氣體管線 49 沖洗氣體開口 70 遮蔽環 71 下表面 200 抬舉指部 202 致動器 210 抬舉件 220 凹槽 224 共用導引件 225 第一元件 226 第二元件 229 上角度面 23 1 下角度面 300 沖洗氣體方向 324 導引密封部 341 沖洗通道 342 沖洗通道 343 沖洗間隙 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517262 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明說明() 發明詳細說明: 參考第4圖,本發明大致提供一種裝置,用以沿著基 材1 4之週邊輸送一沖洗氣體流。更明確地說,本發明提 供一配氣設備20,其導引一沖洗氣體流於處理室12内, 由一氣體供給至基材1 4之底部,至基材1 4之邊緣1 8,及 在基材1 4之上側接近基材之邊緣之除外區域旁。本發明 更提供一改良遮蔽環及一基材托架,或基材支撐件,其中 基材托架包含至少一晶圓導引與之相關,用以對準遮蔽環 及基材至一共用導引件。遮蔽環更包含有蓋導引件收納部 份,用以配合導引件並防止處理氣體流經其間。 配氣設備20係特別有用於CVD處理室,以及,以下 說明係主要針對這些C V D處理,使之容易說明與了解。 然而,應了解的是,喷氣設備20可以應用至其他處理, 處理室,及設備,例如PVD及蝕刻設備,因此,並不被 限定於所述之細節。 典型地,基材基材14係為薄圓形件。因此,它們具 有一中心’一圓周,其中沿著圓周之每一點係與中心等 距,一徑向係特徵於由線中心所線性發散,及正切,或正 切方向係特徵於一線,或諸線,於單一點處相交於該圓 周。正切方向及徑向係彼此相互垂直。雖然,基材典型為 圓形’但本發明可以等效地應用至非圓形基材,及實際圓 形基材’其包含一圓周爲平部者。因此,如於此所用,徑 向表示由基材1 4之中心所線性發散之方向。 仍參考第4圖,基材14係大致被處理於一處理室12 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297 ^爱) ------------- ---I--------------I--訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517262 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明() 中’於足位於其中之支撐件30上。於處理基材14時,一 遮蔽環70係被用以覆蓋基材14之邊緣,藉以提供一其上 不1、有’儿積之除外區域。藉由覆蓋基材1 4之外圓周,遮 蔽壤70協助防止材料之不想要地沉積於基材14之上表面 1 6心除外區域上,該區域包含基材1 4的邊緣,其可以是 有斜角的。雖然單單使用遮蔽環7 〇可以部份地作用以防 止不想要的沉積,但一更有效系統同時合併使用一沖洗氣 體,其朝向基材14之圓周,其流經基材14之邊緣1 8並 於接近邊緣之上表面丨6上。沖洗氣體管線48係較佳提供 於支彳牙件3 0中’使得例如氬之沖洗氣體可以通入於支撐 件3 〇中之夕數冲洗氣體開口 4 9中。沖洗氣體開口 4 9使 沖洗氣體朝向-氣體小孔’或沖洗通道,其較佳係以連續 環形凹槽之形式形成於支撐件3〇之上表面中。以此方式, 氣體流可以被輸送於基材14之整個週邊上,藉以禁止處 理氣體與基材邊緣表面或除外區域接觸,同時,禁止處理 氣體流至基材14背面並沉積材料於其上。 現參考第5 S,基材“係被放置於支撐件30上。導 引件224係被提供於支撐件分隔部上並安裝至晶圓^ 4之 圓周上(支撐件,用以定位晶圓14於支撐件3〇上。較值 地,相同共用導引件224可以作用為基材導引銷224及遮 蔽環對準導件224。因此,導引件…可以被稱為m共用導 引件224。多數共用導引件224較佳係圓周分隔於基材支 撐件3〇之圓周上,並-起定義-基材支撐面的圓周。較 佳地,導引件係直接安裝於支揮件3〇上。因此,共用導 第U頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4 4格(210 X 297公釐1------ -------------1 · ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517262 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 引件224可以提供基材之實質對準於支撐件3〇上,同時, 允許沖洗氣體流經接近導引件224之基材邊緣上。 現參考第6圖,配氣設備20之支撐件3 〇係沿著第f 圖之到面線6 - 6加以顯示。第6圖例示安置於其上之美材 14 ’其中遮蔽環70係安裝於基材14上。遮蔽環7〇較佳 有一平坦下表面7 1並係較佳適用以停放在支撐件3 〇之平 坦上表面3 1上,當下降至示於第6圖之操作位置時。支 撐件j 0更包含一平坦基材收納面3 2加工於支撐件3 〇之 上表面31中’以定義於上表面31下之一深度pd。較佳地, 基材收納面3 2係加工以具有一沖洗深度pd,其係接近等 於想要基材厚度及予以提供於基材14之上表面及遮蔽環 70下側間之想要沖洗間隙距離pg之總和。因此,沖洗間 隙Pg係被定義於基材14之上表面及遮蔽環7〇之下表面 71間。 較佳為環形凹槽包圍基材收納面3 2之沖洗通道3 4係 較佳被加工於支撐件30中,就在由基材收納面32向外, 並作成適备大小’以允許基材1 4停放在基材收納面3 2上 並進一步提供於基材1 4及垂直沖洗壁3 6間之向外徑向距 離。沖洗通道34係較佳被加工至一離開基材支撐件之 上表面3 1之沖洗深度Pd為大之深度,並較佳定義通道高 度Ch,其係由環下側71延伸至沖洗通道34之底部。沖 洗氣體供給孔49係較佳被鑽孔或加工於支撐件3 〇之底 部,並以一想要壓力,作流體相通於沖洗通道34及沖洗 氣體源之間,例如於孔之末端之歧管,該孔係經由氣體面 第15頁 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公餐)' "" "~ — 丨 — — — — 1 — — — — - 一 — I I I I I I — — — — — — — I* 15^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517262 A7 B7 五、發明說明( 板(未7K出)被供給以適當氣體。因 此基材1 4係被支撐於 單體支撐件30内,其具有沖洗通道 、供於其中,以與 一沖洗流體源作流體相通。 、 仍參考第6圖,遮蔽環70係較佳作成環形並大小作 成以使得遮蔽環70之内徑略小於基材14之圓周。因此, 遮蔽環70可以遮蔽於基材14之圓周之除外區域以,不會 收到直接朝向基材丨4上表面的處理氣體。 現參考第7圖,配氣設備20之支撐件30係沿著第5 圖之剖面線7_7所取,其例示“丨件…之相對於遮蔽環 70的位置。如所示,共用導引件⑵係安裝於凹陷m 中’凹陷較佳係加工於其中並與支撐件3〇之上表面Η分 隔。共用導引件224較佳係適用以收納並實質對準基材h 及遮蔽環70。因此,沖洗間隙34係於基材i4之圓周係大 致呈均勻的,及基材14之同心性係相對於遮蔽環7〇加以 維持的《如下所述之遮蔽環70之導引密封部324係較佳 被覆盍或封閉以防止處理氣體通過其間,並進入洗通道 34 ° 現參考第8圖’示於第6圖中之設備的部係係較詳細 地顯示’其實質上係為遮蔽環7〇之最内圓周的顯示。所 示之沖洗通道3 4係包含水平沖洗通道3 4丨,垂直沖洗通道 342,及基材沖洗間隙343提供於基材14之上表面及遮蔽 環70之下表面之間。沖洗間隙343係較佳於〇.〇〇4吋及 0.0 0 6吋之間,並係間隔較佳為〇 〇 〇 5吋。與遮蔽環7 0及 基材1 4間無接觸之沖洗間隙343的緊密公差係較佳藉由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) (請先閱讀背面之注意事項再填冩本頁) L§J·- •線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517262 A7 B7 五、發明說明() 將遮蔽環70垂直對準於遮蔽環70之平坦下表面71與支 撐件3 0之上平坦表面接觸加以完成。如以下所述,基材 14及遮蔽環70之縱向對準係藉由共用導引件224加以提 供(第5 ’ 7及9圖)。 仍參考第8圖’沖洗氣體係經由支撐件3 0中之沖洗 氣體供給孔49加以提供,該孔49係較佳定向於基材14 之緣的徑向向内之位置’使得沖洗氣體係沿著基材1 4之 下表面1 5被導引入水平沖洗通道3 4 1,然後,較佳沿著基 材14之斜緣進入垂直沖洗通道342,並且,沿著基材14 之除外區Ez(第6圖)進入沖洗間隙343。沖洗氣體流之方 向係由箭頭300所示。當沖洗氣體離開間隙343時,其較 佳流於遮蔽環70之内緣,並大致隨著遮蔽環70之表面, 以不干擾處理氣體直接導向基材14之表面,至基材14之 徑向向内除外區域Ez(第6圖)。於遮蔽環70表面上之沖 洗氣體流係由接近處理室1 2圓周之真空埠(未示出)造 成。較佳地,遮蔽環70之内緣係氣動形狀,以使沖洗氣 體容易順著方向流。 現在參考第9圖,其中詳細顯示由第7圖之設備的一 部份’其係為遮蔽環7 0之部份示意,其係適用以收納共 用導引件224。於一實施例中,共用導引件224係被顯示 安裝於支撐件30之凹陷220中,並可以包含第一或遮蔽 環收納元件2 2 5及一第二或基材收納元件2 2 6。第一元件 2 2 5較佳係為一適當硬材料,例如不鏽鋼並主要適用以於 對準時接觸遮蔽環7 0。第二元件2 2 6係主要適用以於其對 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂: -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517262 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7_ 五、發明說明() 準時,接觸基材1 4。因此,第二元件226較佳係為—與沉 積化學物不產生反應之元件,具有適當之特徵,以於此接 觸時使粒子產生最小化。 參考第5,7及9圖,共用導引件224係較佳為螺栓 或其他適當固定件所安裝或固定至基材支撐件3()。較佳 地,共用導引件224包含一内面,其較佳地包含一上角度 表面229,適用以配合遮蔽環7〇之下側,以將遮蔽環7〇 對準於支撐件30之基材收納面32上。一下角度表面23ι 可以提供於共用導引件224之内表面上,該共用導引件 224係適用以配合並收納與對準基材14於基材支撐件 之基材收納面3 2上。 再次參考第4圖,一為外體13所定義之典型處理室 12係加以定義。室12可以為真空處理系統之一部份,該 系統具有多數處理室1 2,其連接至一中央傳送室。處理室 12包圍住支撐件30’其可以採被安裝於垂直向軸上之 托架或晶座形式。支撐件3〇係作用以支撐基材14於其上 基材收納面3 2上。典型地,支撐件3 〇包含一塊例如銘之 金屬,其具有一電阻性加熱器内藏於其中。然而,支攆件 可以例如陶瓷之其他材料所形成。 第4圖同時顯示一基材抬舉指部2⑽,其係被收訥於 通過支撐件3 0主體之指部孔徑。典型地,處理室丨2將包 。一或四此等抬舉指邵2 0 〇。這些抬舉指部2⑽操作以将 基材14於處理後,抬離開支撐件3〇之基材收納面32。基 材丨4 <移除係藉由傳統處理室機械手臂(未示出)加以宅 第 181* 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ ---------------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 517262 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 成,該手臂經由一狹縫閥開口進入處理室丨2。相同機械手 臂係用以將基材1 4插入處理室1 2。抬舉指部2〇〇係可在 二次動作致動器202之作用下,垂直地移動,該致動器只 有一部份示於第4圖中。 一互連至支撐件30之動作致動器係適用以垂直移動 支撐件30於處理室12内,於第一之下降位置及第二升高 位置之間’處理步驟係進行升高位置中。遮蔽環70直接 停放在第二升高位置中,處理步驟係執行於該位置。遮蔽 環70可以使用遮蔽環抬舉件21〇上升至第二升高位置, 以插入或移除基材1 4。 於操作中,基材1 4係如下地被放於支撐件3 〇之基材 收納面32上。遮蔽環抬舉件210將遮蔽環7〇上升至其第 二升高位置。機械手臂然後經由狹縫閥開口,將基材工斗 插入處理室12中,以定位基材14於支撐件3〇上。二次 動作致動器(未示出)將抬舉指部200升高與基材14接觸並 將基材1 4由支撐基材1 4之機械手臂抬離開於支撐件3 〇 之第一及第二位置之間,該指部延伸經支撐件3 〇中之产 部孔徑。機械手臂然後由處理室12取回。再者,活動致 動器將支撐件30由第一位置抬離,將抬舉指部2〇〇之頂 部傳送至第二位置。支撐件30之動作將基材14抬離開# 舉指部200。以逆向順序執行這些步驟操作以完成基材 之由支撐件3 0傳送至機械手臂並由處理室1 2傳送室機械 手臂。於特定實施例中,支撐件30可以當遮蔽環7〇被遮 蔽環抬舉件2 1 0所升高時,保持不動。於其他實施例中, 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標進A4楣*夂,91Π X 公蝥) ϋ ϋ i·— I n n Λ— n n n ϋ n I 0 n ϋ I n emmmw i n 一 el n n I— n I— I 1· I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517262 A7 五、發明說明( 支撑件3 0可以被下隆芬1 下降及升向’及遮蔽環抬舉件遮蔽環70 不動地停放在遮蔽環抬舉件2丨〇上。 (請先閱讀貧面之注意事項再填寫本頁) 於處理時,支撐件支揮件3〇可以向上移動至一升高 位置’其由在遮蔽環抬舉環21〇上之遮蔽環7〇抬高。遮 蔽環70停放在支撐件3〇> ^匕 牙作<上表面31上,並支撐遮蔽環 70於基材14之上表面上。遮蔽環7〇定義—圓形上孔徑 82貫穿其間。上孔徑82之直徑可以略小於基材μ之外 徑,以於基材丨4上形成—除外區域。然而,新處理可能 需要於基材14上沒有遮蔽環7〇之突懸。 當基材14被放置於基材支撐件3〇上時,其係為共用 導引件224所對中並對準於其上,如上所述。當遮蔽環 被降低以停放在基材支撐件3〇之上支撐面31上時,或 者,當支撐件3 0係被抬高以由遮蔽環抬舉件2丨〇抬高遮 蔽裱70時,遮蔽環70係被對中並對準基材丨4,藉由同一 對中基材14之共用導引件224。共用導引件224可以被安 裝至基材支撐件30或可以與基材支撐件30 —體成型。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖然如述係有關於本發明之較佳實施例,但本發明之 其他實施例可以在不脫離其基本範圍下加以導出,本發明 之範圍係由以下之申請專利範圍所決定。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2iG X 297公餐—

Claims (1)

  1. 517262 共用導引件於 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 1 · 一種對準設備’用η认 甘u奋 用以於一基材處理系統中,同心對準一 遮敝_每與基材;^ 、基材支撐件上,該對準設至少包含: 一支撐件; 或夕數共用導引件,適用以收納基材之邊緣及遮 蔽環之導引密封部; 一遮敝%,定義一或多數凹陷於其下表面上,以收 納一或多數導引件;及 该遮敝%之導引密封部係屏蔽開由遮蔽環上方來之 被導引向遮蔽環之處理氣體。 2 ·如申請專利範圍第丨項所述之對準設備,其中上述之遮 蔽%足每一導引密封部均至少包含一導?丨件凹槽,形成 於遮蔽環之下表面,並適用以收納至少 其中。 3.如申請專利範圍第2項所述之對準設備,其中上述之遮 蔽環具有一空氣動力形上表面,於接近每一導引密封部 之處。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之對準設備,其中,一連續 沖洗間隙於處理時,係維持於遮蔽環與基材之間。 5 .如申請專利範圍第4項所述之對準設備,其中上述之沖 洗間隙係藉由支撐遮蔽環於基材支撐件上而加以維 第21頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----------.---裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517262
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6.如申請專利範圍第5項所述之對準設備’其中上述之其 材支撐件為單體結構。 7 ·如申請專利範圍第5項所述之對準設備,其中,並沒有 分離之沖洗環附著至基材支撐件上,以支撐遮蔽環。 8·—種基材對準及屏蔽設備,至少包含: (a) —基材支撐件,至少包含: 一基材支撐部定義於其中,一上表面形成於其 周邊’ 一環形沖洗間隙形成於其中,及一或多數與之相 關的共用導引件;及 (b) —遮敝% ’適用以停靠在基材支撐件之上表面。 9.如申請專利範圍第8項所述之基材對準及屏蔽設備,其 中,上述之至少一共用導引件均安裝至基材支撐件上。 1 0 ·如申請專利範圍第9項所述之基材對準及屏蔽設備,其 中,上述之至少一共用導引件均與基材支撐件一體成 型。 1 1. 一種於一基材處理系統中將一基材及一遮蔽環彼此對 準之方法,至少包含步驟: 第22頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----------.---裝--------訂. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 517262 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8
    提供一基材支撐件,其具有一沖洗間隙形成、、 中,具有一基材支撐部份於其中,並I 於其 上; /、 上表面於其 基材支撐件包含至少一共用導引件,於 、、、 、>成於其中 之沖洗間隙附近’並適用以收納並對準其 了卞基材與遮蔽環; 將基材下降至接近於共用導引件之基材支揮件上’ 使知當基材降低時,基材係對準於共用導引件内及 將遮蔽環下降至基材支撐件之上表面上,同時,維 持於共用導引件與形成於遮蔽環之下表面中之導引件 凹槽之大致對準。 1 2 · —種基材處理系統,至少包含: 一處理室; 一基材安撐件,安置於處理室内,具有/基材支撐 部加工於其中; 基材支撐件具有一上表面形成於其圓周附近; 一遮蔽環,適用以停靠在基材支撐件之上表面,基 材支樓件更具有環形沖洗間隙形成於其中; 基材支撐件更具有與之相關的至少一共用導引件’ 及 基材支撐件係適用以收納並對準一基材與該遮蔽 環0 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之基材處理系統 ,其中上 I n -1_1 ί ι ί I I n n n^. «I ϋ I · n n n n n n n 一 ^ n ί I I I l i 1 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) 517262 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 述之至少一共用導引件均安裝至基材支撐件。 14·如申請專利範圍第13項所述之基材處理系統,其中上 述之至少一共用導引件係與基材支撐件一體成型。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第24頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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