TW400443B

TW400443B - Dispersion shift fiber

Info

Publication number: TW400443B
Application number: TW087114301A
Authority: TW
Inventors: Eisuke Sasaoka; Takatoshi Kato; Yoshio Yokoyama; Akira Urano
Original assignee: Sumitomo Electric Industries
Priority date: 1997-08-28
Filing date: 1998-08-28
Publication date: 2000-08-01
Also published as: KR100329865B1; CN1237249A; EP0949517A4; US6275638B1; KR20000068867A; WO1999012064A1; AU8750898A; CN1094202C; IDP000009398A; AU734749B2; EP0949517A1; CA2267252A1

Description

五、發明說明u) 技術領域本發明係關於在光通訊等領域被模（Single mode)光纖，特別是關^於為傳送通路使用的單 (WDM : Wavelength DiViSi〇n M 於波長分割多重移位光纖。 U ^Piexing)傳送的分散背景技術從前’在適用單模光纖作為傳利用1. 3 // in波長帶域或是1, 55 # m波的光通訊系統’多用訊號光。但是，最近從降低傳送可域的光作為通訊點來看1. 55 "波長帶域的光的、S中的#送損失的觀適用於55"波長帶域的二增加。在如此被下，稱為K55"用光纖）==路的/模光纖（以其波長分散㈣波長不同光的、以二長：域，，： L , , ^ ' 兀07得达速度也相異的緣故所 V致的脈衝波擴張變寬的現象）成為零的方式設計的（零分散波長1550隨的分散移位光纖）。作為如此般的分散移位光纖，例如於曰本專利特公平3_18161號公報，被提出芯線區域由内層芯線，與具有較該内層芯線的折射率更低的折射率的外層芯線所構成的，具有雙外型芯線 (dua卜shape core)構造的分散移位光纖。此外，於特開昭6 3-43 1 0 7號公報或特開平2-141 7 04號公報，被提出包覆層區域由内層包覆層，及具有較該内層包覆層更大的折射率的外層包覆層所構成的’具有抑壓包覆層（depressed clad))雙外型芯線（dual-shape core)構造的分散移位光纖’進而，於特開平8-3 04655號公報或特開平9-33744號

C:\DATA\DATA28\53455.ptd 第5頁五、發明說明（2) 公報，被提出具有環狀芯線構造的分散移位光纖。此外，近年來，由於波長分割多重傳送或的出現而使得長距離傳送成為可果，採用了上述之雙外型芯線構造等’而且也被提出有長更移位至短波長側或是長開平7-168046號公報、美國又，所謂非線性光學效果， four-wave mixing )，自我 modulation )，相互相位調 modulation)等非線性現象之密度等成正例地變形的現系統之中繼間隔的限制要素在波長分割多重傳送所被藉由將零分散波長設定為與抑制非線性光學效果的產生變大’使光強度的密度減少生。能，為了避免非線性光學效線構造或抑壓包覆層雙外型芯零分散波長較訊號光的中心波波長側的分散移位光纖。（特專利第5 4 8 3 6 1 2號公報）。係由於四光波混合（FWM : 相位調變（SPM : self-phase 變（XPM : cross-phase ’而導致訊號光脈衝與光強度象’成為傳送速度或中繼傳送〇提出的上述分散移位光纖，係訊说光的中心波長相異的值而 ’或是藉由使實效剖面積Aeff 而抑制非線性光學效果的產特別是在採用環狀芯線構造的上述特開平3〇46 55號公報或特開平9- 33744號公報的分散移位光纖，使分散斜率更小，同時使實效剖面積Aeff更大而實現適於波長分割多重傳送的光纖特性。又’實效剖面積Aeff，如特開平8-2482 5 1號公報所示，係由下列之（1)式所決定。

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(1) 五、發明說明（3) 公式（1) a _其中’Ε為伴隨著傳送光的電γ，、徑方向的距離。 +琢’Γ為怒線中心起算之直此外’分.散斜率传^^户杜— 之圖的斜率來定義y a疋的波長帶域之顯示分散特性發明之揭示

本發明之發明人等入 I 發現以下的課題。也就：：在位光纖的結果’ 學效果的產生的構造之分散移位光纖:光易獲得的課題。亦即 Γ3=八:Λ述特開平8,46 55號公報或^ …丨-Λ 散移位光纖的場-合’外側芯線的厚度 (外侧心線半徑與内側芯線半徑的差）變得極小小至卜2 此外，該外側芯線的比折射率差與内側芯線的比折射率差之差達到U前後之相當大的值。如此作為使外侧怎、線的比折射率差變大的手段，一般採用增加對該外側芯線的氧化鍺Ge〇2之添加量。氧化鍺Ge〇2之添加量增加的話’與該添加量的增加反向地光纖製造中拉線時的溫度之該外側芯線的黏度會跟著減少。此黏度變化沿著光纖的直徑方向來看，在外側芯線（厚度约1 ~ 2 # m )的區域内產生急峻的變化。由於如此般直徑方向的急峻黏度變化，在拉

第7頁 C:\DATA\DATA28\53455.ptd 五、發明說明（4) 線時的加至光纖的張力也在直徑方向急峻變化。此被施加的拉線張力的朝向直徑方向的急峻變化，成為内側芯線與外側芯線的界面之構造不整，成為玻璃缺陷的一個原因，結果引起所獲得的光纖的傳送損失的增加。本發明係為了解決如上述般的課題而發明者，目的在於提供：可以有效抑制非線性光學效果的產生，同時是適於長距離海底纜線等的傳送用分散移位光纖，有效地抑制起因於構造不整、玻璃缺陷等的傳送損失之具備再現性優異的構造的分散移位光纖。本發明相關的分散移位光纖，具備沿著指定的基準軸延伸的芯線區域與被設於該芯線區·域的外周之包覆層區域之供傳送1.55/zm波長帶域的訊號光（具有中心波長在 1500nm〜1600nm的範圍内之1或2以上的訊號光）之用的傳送媒體（石英系單模光纖）。而，在該分散移位光纖，芯線區域係被添加指定量的氟（F )的玻端區域，至少具備：對於包覆層區域的基準區域之第1平均比折射率差係△屮之内側芯線，及被設於前述内側芯線與前述包覆層區域之間的區域，且被添加指定量的氧化錯（Ge02)的玻璃區 I» 域，對於該包覆層區域的基準區域之第2平均比折射率差較第1平均比折射率差△ h更大之△ n2的外側芯線。又，於此說明書之上述基準區域，是包覆層區域在單一層的構成而以該單一層定義的但是如抑壓包覆層構造之類的被構成為複數層的場合是定義為最外層。於本發明相關的分散移位光纖，上述内側芯線、外側芯

C:\DAT/\\DATA28\53455.ptd 第8頁五 '發明說明（5) — ------- ^分別增加添加的氧化鍺（Ge02)，氟（F)的添加量的 ^你ΐ使拉線時的溫度之黏度降低，但是氧化鍺（Ge〇2 ) :$添加的破璃區域的折射率變大，而氟（F)會使被添 2玻璃區*的折射率變+。因&，藉由對内側芯、線添加同、對外侧芯線添加氧化鍺（G e 02 )可以使内側芯缘與外側芯線之拉線時的溫度之黏度差保持於小黏度差的狀態’而在這些玻璃區域間獲得充分的折射率的差。藉此’該内側芯線與外側芯線的境界之構造不整 '玻璃缺陷的產生可以有效地抑制。又，於此說明書中所提到地拉線時的溫度，是定義為供拉線之用而被加熱的光纖母材的表面溫度。此外’本發明相關的分散移位光纖’由於前述内侧芯線之添加氟所引起的前述第1平均比折射率差的減少量△ nf ’與由於前述外側芯線之添加氧化鍺所引起的前述第2 平均比折射率差的增加量△ ng之間，具有以下的關係。 0·05 * Ang‘ △iifSO·? · Z^rig 藉由滿足上述關係，可以將内側芯線與外側芯線之拉線日守的溫度下之黏度差抑制得更小^此外，該内側芯線與外側芯線的境界之構造不整' 玻璃缺陷的產生可以更為降 | 低。 . i | 又，於本發明相關之分散移位光纖，以前述内側芯線的ί 平均折射率較前述包覆層區域的折射率為小者較佳。 | 以對於包覆層區域使上述第1平均比折射率差係Δηι為 i 負的值，可以不須使對於包覆層區域外側芯線之上述第2 |

C:\DATA\DATA28\53455.ptd 第9頁五 '發明說明（6) 平句比折射率差係△ 1½ (〉A )極端變大即可實現所要，光纖特性。這由可以減少對外側芯線添加氧化鍺的添加 ϊ、’抑制非線性光學效果的產生之觀點來看是較佳的。，而，包覆層區域也可以適用於具備被設於内側芯線的 σ的内側包覆層，與被設於該内側包覆層的外周的.外侧 ^覆層之抑壓包覆層構造。在此構成的場合，因為包覆層 f域是在複數的層區域被構成的緣故，所以各區域之供^ 義比折射率差之用的基準區域為上述外侧包覆層。又^於此包覆層區域，上述内側包覆層被添加指定量的氟（f)，、而且具有對於外側包覆層之第3平均比折射率差Ah。由：ί =於具有上述抑壓包覆.層構造的分散移位3光纖，率差：i巧線之：加氟所引起的前述第1平均比折射 η，與由於前述内側包覆層之添加氣所引外側I I 、平均比折射率差的減少量△〜2 ’與由於前述 j之添加氧㈣所引起的前述第2平均比折射的增加iAng之間，具有以下的關係。〇.〇5 · Δη2 ^ Δηπ ^ 〇. 7 · Δ ng °· 05 ' Δηι ^ Anf2 S〇. 7 . Δηδ 圖面之簡單說明 g 私f 1Α ί本發明相關之分散移位光纖之圖，圖1 A係顯示八的分散移位光纖i以口造之圖，圖1B係圖1a所示射；=:。雙外型芯線構造的從前的分散移位光纖之折

第10頁五、發明說明（7) -—~~— 圖3係於本發明相關之分散矛多位光由於添加說所引起的内側芯線的平均折射率變化量△ 添加氧化錯所引起的外側芯線的平均折射率變化之比（〜△ ng) ’與内侧及外侧芯線之拉線時的溫度之黏度比之關係圖。圖“係顯示相關於本發明第1實施例之分散移位光纖之圖’圖4A係顯不分散移位光纖的剖面構造，圖4B係圖4A所示的分散移位光纖之折射率變化圖。圖5A係顯不相關於本發明第2實施例之分散移位光纖之圖，圖5A係顯示分散移位光纖的剖面構造，圖5β係圖5A所示的分散移位光纖之折射率變化_圖。圖6顯不圖4A及圖4B、圖5A及圖5B所示之分散移位光纖之各種特性之表。圖7 A係顯示相關於本發明第3實施例之分散移位光纖之圖’圖7A係顯示分散移位光纖的剖面構造，圖7B係圖7A所示的分散移位光纖之折射率變化圖。供實施發明之最佳形態以下’利用圖1〜7說明相關於本發明的分散移位光纖之實施例。又’於圖面之說明，同一要素赋予同一符號並省略重複的說明。圖1 A係本發明相關之分散移位光纖（石英系單模光纖）的剖面構造，圖1 B係圖1 A所示的分散移位光纖之折射率變化圖。如圖1A所示般的，該分散移位光纖1，係以石英玻璃為主成份的單模光纖，具備芯線區域及被設於該芯線區

C:\DATA\DATA28\53455.ptd 第11頁五、發明說明（8) ： ;一· 域的外*周的具有指定折射率的遮蔽區域1 2，供傳送1. 5 5 # m波長帶域的訊號光（具有中心波長在波長150 Onm〜160 〇nm ，範圍内之1或2以上之訊號光）之用的傳送媒體。特別是、’在芯線區域的構造，採用至少具備内侧芯線1 〇，其係被添加指定量的氟（F)之玻璃區域，其對於遮蔽區域12之平=比折射率差為Δη〗之内側芯線1〇 (外徑& ，以及外側芯線11三，係被設於内側芯線部丨〇的外周的玻璃區域，被添加/、疋量的氧化錯（Ge〇)而且對於遮蔽區均比爾差為“2 (>缽）之外側芯線n 之〉： )之％狀芯線構造。又，上述遮蔽區域丨2也可以是由折射率不同的至少2個玻璃區域所構成的抑壓包覆層構造。圖1 B的折射率變化圖丨5 〇，顯示對應圖丨A沿著通過該分散移位光纖1的剖面（對於傳送的訊號光進行方向垂直的面）中心〇2之線L1的各部位的折射率。於此折射率變化圖 150，區域1〇〇相當於上述内側芯線1〇的線u上的各部位’ 區域1 01相當於上述外側芯線丨丨的線L1上的各部位，區域 102相當於上述遮蔽區域12的線L1上的各部位。此外，上述平均折射率差△ ηι、△ ^的值，分別為 Δ n, = (n,-ncd)/ncd △ n2 = (n2-ncd)/ncd 此處，：内側芯線〗〇的平均折射率 ^ :外側芯線11的平均折射率 ncd ·遮蔽區域1 2 (基準區域）的平均折射率（抑壓包覆層構造的場合位於外側的遮蔽的平均折射率）

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五、發明說明（9) 又式區包外直部的折射書内這些值是以百分比表示的。此外，各的折射率依序不同。亦即，於此分物比折射率差為負值的玻璃區域：表;=覆層覆層區域1 2的折射率更低的平均折射率的玻：口：較：，所謂平均折射率，代表在觀察該分散移位^ s 於訊號光行進方向的剖面時’在指定的：：位之折射率的平均。匕埤干的各對石英玻璃之鍺的添加量與折射率的關係，可以由

James W. Fleming, "Dispersion in Ge02-Si〇2 glasses", (APPLIED OPTICS, Voi. 24, No, 24, 'i5 December，1 984，pp，4486-449幻獲得，而對石英玻璃之氟（F)的添加量與折射率的關係，可以由James Fleming et al., "Refractive index dispersion and related properties in fluorine doped silica", (APPLIED OPTICS, Vol.23, No. 19,-1 October, 1 983, pp. 3 1 02-3 1 04 )獲得。又’相關於本發明之分散移位光纖 1 ’係藉由加熱拉線藉由習知的〇V])法或MCVD法等而被製造的光纖母材而獲得的。特別是’相關於本發明的分散移位光纖1，由於前述内側怎線丨0之添加氟所引起的前述第1平均比折射率差的減少ΐ △ nf ’與由於前述外側芯線11之添加氧化鍺所引起的前述第2平均比折射率差的增加量△心之間，滿足以下的關係式。 △ng 0.05 · Δ ng ^ Δ nf ^ 〇. 7 .

C:\DATA\DATA28\53455.ptd 第13頁五、發明說明（10) 亦即’已知在光纖剖面在各玻璃區域間的黏度不整合很大的場合’起因於構造不整的傳送損失（構造不整損失）會有所增加（1995年電子資訊通訊學會電子學會大會， C-232)。圖2係顯示於此文獻之採用雙外型芯線構造的從前的分散移位光纖的折射率變化圖。又，於此折射率變化圖’區域1 1 0 (相當於沿著芯線區域全體的直徑方向之各部位）之中的區域111相當於沿著内側芯線的直徨方向的各部位，此外區域1 2 0相當於沿著包覆層區域的直徑方向的各部位。在此’為了將構造不整損失抑制至與圖2的分散移位光纖相同的程度，針對内侧芯線1 〇與外側芯線Π的黏度之不整合（拉線時的溫度下之黏度差），也必須要成為與圖2 的分散移位光纖同等程度。尚且，圖2的分散移位光纖，内側芯線與外側芯線皆被添加氧化鍺（Ge〇2 )，内側芯線的比折射率差與外側芯線的比折射率差約為0 · 7 5 %。此作為黏度比相當於約4倍。另一方面，被添加G e 02的S i 02玻璃與被添加氟F的S i 〇2 玻璃之指定的拉線時的溫度（以被加熱的光纖母材的表面溫度來定義）之黏度比，如圖3所示，伴隨著Ge02以及F 的各添加量的變化而變化。此關係揭示於Ρ· K- Bachman, et al., "Stressinoptica1waveguides2：Fi^ers"( APPLIED OPTICS， Vol.26， No.7，1 April l987)。亦即，圖3係基於此關係針對該分散移位光纖1，計算内側芯線1 0與外側芯線11的黏度比，顯示隨著因内側芯線1 0

C:\DATA\DATA28\53455.ptd 第14頁五、發明說明（u) 之添加氟所引起的比折射率差的減少量△心與因外側怒線 11之添加氧化錯Ge〇2所引起的比折射率差的增加量之比△ nf/ △ ng的變化，年度比會如何變化。減少量△ nf與增加量Δηε分別以對於遮蔽區域12的比折射率差來表示（其中，變化量△ nf ' △ ng皆為純量）。此外，在此圖3，將對於外側芯線11的Ge〇2的添加量所導致的增加量作為參數（Ang= 0.8%，1.0%，1.2% )，顯示該分散移位光纖工的典型值。從圖3可知，^/^如果在0,5〜〇7〇的範圍内的話内側芯線10與外側芯線11的黏度比成為在4以下，可以將構造不整損失抑制為與圖2的分散移位光程度或是制得更低。又’於本發明相關的分散折射率以較遮蔽區域12的折對於遮蔽區域1 2的平均比折於遮蔽區域1 2的外側芯線11 )非常大也可以實現所要的要的光纖特性的同時可以減量，可以有效地抑制非線性第1實施例移位光纖，内側芯線丨〇的平均射率為低者較佳。這是因為使射率差△ ηι成為負值，即使對的平均折射率差Δη2 (>z\n 光纖特性。換句話說，得到所低對外側芯線U的以〇2的添加光學效果的產生。其次，使用圖4A、圖4B以及圖Μ 4 實施例之分散移位光纖。 ° °目關於本發明的第1 於圖4Α所示的相關於第i實施構造，基本上與圖u所示的分散H刀/移位光纖2的剖面刀放移位光纖1是同樣的，具

五、發明說明（12) 備外徑A的内側芯線20 (相當於内側芯線1 0 )，及外徑B的外側芯線2 1 (相當於外側芯線11 )，及遮蔽區域2 2 (相當於遮蔽區域12 )。此外，圖4B的折射率變化圖25 0，與圖 1B的場合相同，對應圖4 A顯示分散移位光纖2的剖面（垂直於傳送的訊號光的進行方向的面）之通過中心〇2的線L2 上之各位置的折射率。於此折射率變化圖2 5 0，區域2 0 〇相當於上述内側芯線20的線L2上的各部位，區域2〇1相當於上述外側芯線2 1的線L 2上的各部位，區域2 〇 2相當於上述包覆層區域22的線L 2上的各部位。又’於此第1實施例，外側芯線2 1的外徑b為7. 5 /z m，内側芯線20與外側芯線21之外徑-比Ra ( = a/b )為〇. 65。此外，藉由對内側芯線20添加F，對外側芯線21添加

Ge〇2，由上述定義式所給定的内侧芯線2〇的平均比折射率差被設定為一〇. 40%，外側芯線21的平均比折射率差 △ n2係被設定為+ 1. 2 0 %。 _ 於圖6之表（第1實施例），針對如以上所述的被設分散移位光纖2，顯示對於波長155〇nm的訊號光的光纖 :於ί 明’確認了所得到的分散移位光纖2的十、波長1 55 0rnn的訊號光的傳送損失係〇, 22仙/}^之 m值。此夕卜’也確認了該分散移位光纖2的零分散；，為158— ’分散斜率為〇.〇88ps/nm2/km ^皮 86/^與適於WDM傳送的光纖特性被實現了。 j面積為又’於圖6之表’也合併顯示非線於近年來的光增幅器的出現而使得波長分割多2重二由五、發明說明（13) 光傳送技術成為可能’由於四光波混合等非線性光學效果所導致的訊號光脈衝的變形’成為對傳送距離或傳送速度的重大限制要因，對相關於本發明的分散移位光纖的製造而言已是無法忽視的。使訊號光脈衝產生變形的非線性光學效果，已知會使訊號光的光功率密度（SM光光纖的指定部位之訊號光^度的密度）’與光傳送媒體之光纖之非線性折射率成正比^變大。因此，在適用了光增幅器的光傳送系統，隨著訊號光強度的增大，在未適用光增幅器之從前的光傳送系統^並不會成為問題的非線性光學效果所導致的訊號光脈衝的變形大到成為無法忽視的程度。- 又’強光下之媒質的折射率N，如上所述隨著光線強度而改變。亦即，對此折射率N的最低次的效果係以 Ν = Ν Ο+ N2 . P/Aeff 表示。 f、此處’ N 0 :對於線性分極之折射_率 N2 :對於3次的非線性分極之非線性折射率 P :光功率

Aeff :實效剖面積亦即，在強光下，媒質的折射率N係通常的值N 〇與正比於光電場振幅E的2階的增加量的和。特別是，第2 ^的比例常數N2 (單位：m2/W )被稱為2次的非線性折射率。此外，訊號光脈衝的變形’因為非線性折射率之中主要受到 2次的非線性折射率的影響，所以於此說明書，所謂非線性折射率主要指的是此2次非線性折射率。

五、發明說明04) 第2實施例其次，使用圖5A、圖5B以及圖6說明相關於本發明的第2 實施例之分散移位光纖。於圖5Α所示的，相關於第2實施例的分散移位光纖3的剖面構造，在基本上與顯示於圖1人的分散移位光纖1是相同的’具備外徑Α的内側芯線3 〇 (相當於内侧芯線1 〇 ) ’及外徑B的外側芯線3 1 (相當於外側芯線11 )，及遮蔽區域 32 (相當於遮蔽區域1 2 )。此外，圖5B的折射率變化圖 3 5 0，與圖1 B的場合相同’對應圖5 A顯示分散移位光纖3的剖面（垂直於傳送的訊號光的進行方向的面）之通過中心 03的線L3上之各位置的折射率。·於此折射率變化圖350，區域300相當於上述内側芯線30的線L3上的各部位，區域 301相當於上述外側芯線31的線L3上的各部位，區域3 〇2相當於上述包覆層區域32的線L3上的各部位。又’於此第2實施例’外側芯線3 1-的外徑b為7. 1 ，内側芯線30與外側芯線31之外徑比Ra ( = a/b )為〇. 60。此外’藉由對内側芯線30添加F，對外側芯線31添加Ge〇2，由上述定義式所給定的内側芯線30的平均比折射率差2δ η 被設定為一0. 60%，外侧芯線31的平均比折射率差係1 被設定為+1.00%。 ι , 如以上所述’ Α第2 f施例之分散移位光纖3，藉由使對内側芯線30添加的氟F的添加量較先 ^ 垆加（平均比折射率差Ληι由—〇的第1貝施例更為增得内側芯線30的平均比折射率差二：為-60% )，使

C:\DATA\DATA28\53455.ptd 第18頁讲射羊差與外側芯線31的平均比折五、發明說明（15) 射率差的差不會改變’而使對外側芯線3丨所添加的Ge〇2的添加量減少。於圖6之表（第2實施例）’針對如以上所述的被設計的分散移位光纖3 ’顯示對於波長1 5 5 0 n m的訊號光的光纖特性。從此表可知’在第2實施例的分散移位光纖3，與上述的第1實施例幾乎同，地，維持零分散波長為丨58〇nm，分散斜率為0. 0 8 6ps/nm2/km ’實效剖面積為83 的狀態下，使外側芯線3 1的平均比折射率差△七可以降低至 1. 00%。又，此第2實施例之分散移位光纖3之對.於波長 1550nm的訊號光的傳送損失為〇.2idB/km，係較上述第1實施例更小的數值。 - 第3實施例其次，使用圖7 A '圖7 B說明相關於本發明的第3實施例之分散移位光纖。於圖7 A所示的’相關於第3實施例-的分散移位光纖4的剖面構造，具備外徑A的内側芯線40、外徑B的外侧芯線41、外徑c的内側遮蔽4 2及外側遮蔽4 3。此外，圖7 B的折射率變化圖4 5 0，與圖1 B的場合相同，對應圖7 A顯示分散移位光纖4的剖面（垂直於傳送的訊號光的進行方向的面）之通過中心04的線L4上之各位置的折射率。於此折射率變化圖45 0，區域40 0相當於上述内側芯線40的線L4上的各部位，區域4 0 1相當於上述外側芯線4 1的線L 4上的各部位，區域402相當於上述内側包覆層42的線L4上的各部位，區域40 3相當於上述包覆層區域43的線L4上的各部位。

C:\DATA\DATA28\53455.ptd 第 19 頁五、發明說明（16) 又，於此第3實施例，内側芯線4〇的外^為4 4口，外側芯線41的外徑b為7. 9 ，内側包覆42的外秤c為13 9私為 „。此外，藉由對内側芯線40添加F，對外側=線41添加 Ge〇2，由上述定義式所給定的内側芯線4〇的平均比折射率差Δηι為一0· 50%，外側芯線41的平均比折射率差Δη為+ 1.00% ’内側遮蔽42的平均比折射率差為—〇 2〇%2f 此外’上述平均折射率差Δη!、Ah、Δη3的值，分別 Δ η! = (η^η^)/ ncd Δ n2 = (n2-ncd)/ncd Δ n3 = ( n3 - ncd ) /ncd 此處，n i .内側芯線4 0的平均折射率 n2 :外側芯線41的平均折射率 n3 :内側包覆42的平均折射率 ncd:遮蔽區域43 (基準區域）的平均折射率如以上所述的被設計的第3實施例的分散移位光纖4，具有1590nm的零分散波長’同時對於1550nm的光線之各種斗产性，還包括分散斜率為0.070ps/nm2/km，實效芯線剖面^ 為83/zm2 ’傳送損失為0.21dB/km ’於2m長具有1.4/zm的、截止波長，7. 4以m的模式場徑（MFD)、3. 7 X l〇_2V/w之非線性折射率（N2 ) ’及於彎曲徑2〇_具有5. 7dB/m的彎曲損失。進而，於具有如上述般的抑壓包覆層構造之第3實施例的分散移位光纖’由於前述内側芯線之添加氟所引起的^

五、發明說明（17) 一~-- --一述第1平均比/斤射率差的減少量Ληίΐ，與由於前述内側包覆層之添加氟所引起的前述第3平均比折射率差的減少量 △ nfz ’與由於前述外側芯線之添加氧化鍺所引起的前述第 2平均比折射率差的增加量△ ng之間，滿足以下的關係。〇.〇5 · Δη8 g Ληη ^ °· 7 ' Δ ng 0.0 5 · Δηδ g Anf2 ^ ° · 7 ' Δ ng 產業上之利用可能性如以上所詳細說明的’根據本發明，對内側芯線添加指定量的F同時對外側芯線添加指定量的Ge〇2，由於各玻璃區域的拉線時的溫度下之黏度比係以使被設定在指定範圍内的方式控制的緣故’可以確實.降低内侧芯線與外侧芯線的境界之構造不整、破璃缺陷等情形，而具有可以有效抑制所獲得的分散移位光纖之相關的不良狀況所導致的傳送損失增加。此外，因為内側芯線的平均折射率被設定為較包覆區域的折射率更低的緣故’所以被添加至外侧芯線的G e 〇2的添加量也可以減少’藉此’可以有效地降低依存於G e 〇2添加量而增大的傳送損失。

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Claims

六' 申請專利範圍 ~~^ __〜淮1紅種刀政移位光纖，其特徵為：係具備沿著指定认 '軸延伸的芯線區域與被設於該 =基 =之:=1. 一帶域的訊號光之:巧内側芯線，前述芯線區域被添加指定覆層區域的基準區域之第1平均比心率: 外側芯線，被設於前述内側芯線與之間的㈣’被添加指定量的氡化鍺，且對於以J域，的基準區域之第2平均比折射率差較前：區率差更大之△ n2者。 . 卞^比折射 2.如申請專利範圍第i項之分散移位光纖，复線之，敗所引起的前述第丨平均比 ^ 篁Δι^，與由於前述外側芯線之添加氧化差的珂述第2平均比折射率差的增加量Δη之間’ 斤引起的 0.05 . “ . Δη/ Β、、有的關係。如τ印寻刊範圍第1或2項之分散移位、内側芯線的平均折射率較前述包覆層區九纖，其t 4 _如申請專利範圍第1項之分散移位朵―的折射率j 覆層區域’具備内側包覆層，係被設於t纖、’其中前周的區域、被添加指定量的氟F '而且'別述外側芯衾域的基準區域之第3平均比折射率差係△於前述包覆外側包覆層，被設於前述内側“3者’之吸笮的外周3

六、申請專利範圍前述基準區域者。 5.如申請專利範圍第4項之分散移位光纖，其中由於前述内側芯線之添加氟所引起的前述第1平均比折射率差的減少量△ n f 1，與由於前述内側包覆層之添加氟所引起_的前述第3平均比折射率差的減少量△ nf2，與由於前述外側芯線之添加氧化鍺所引起的前述第2平均比折射率差的增加量△ ng之間，具有 0.05 · Δ ng ^ Δ nfl ^ 0 . 7 ·. Δ ng 0.05 · Δηε^ Δηί2^0.7 · Δ ng 的關係。

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