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TW293167B - - Google Patents

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TW293167B
TW293167B TW84104789A TW84104789A TW293167B TW 293167 B TW293167 B TW 293167B TW 84104789 A TW84104789 A TW 84104789A TW 84104789 A TW84104789 A TW 84104789A TW 293167 B TW293167 B TW 293167B
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TW
Taiwan
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lead
frame
leads
lead frame
resin
Prior art date
Application number
TW84104789A
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English (en)
Inventor
Suzuki Hiromichi
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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A7 B7 2ii〇i67 五、發明説明（！） 發明背景 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於用以生產引線框之技術和使用引線框以 形成半導镰裝置之技術，特別而言，本發明係關於一種技 術，其可有效的解決當使用阻塞構件以取代阻塞桿時，由 彎曲所引起之問題。 在習知技藝中，引線框包括阻塞桿，該阻塞桿和引線 框以相同的材料一起形成單塊結構。阻塞桿使密封樹脂免 於流向外引線側，在傅送模製處理時。由於阻塞桿和引線 框一 «成型，爲了達成阻塞桿之切除處理，必需使用金靥 模以進行切割處理。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 但是，近年來，由於半導雅裝置之容置之增加趨勢， 半導體裝置包封之腳之數目變大，其必需使引線框之精細 節距構造具有0 ·3mm至0.5mm之引線節距。如此 導致之技術問題爲其難以使用金屬模以進行阻塞桿之切割 處理。即使進行此種處理，產品成本亦將增加許多。因爲 此一問題，爲了省去以金靥模切割處理，已經揭示用以製 造阻塞桿之方法，其中，絕緣片和樹脂使用當成阻塞構件 以取代在單塊結構中形成阻塞桿。此種方法可參考日本專 利 JP-A-58-2884 1 ， JP — A— 2 — 122660，JP — A— 310955 ，和 JP— A— 4 — 9 1 4 6 4。 依照上述之方法，阻塞桿可輕易的形成在多腳引線框 中，且在模製處理後，可使用有機溶劑在簡單的處理中移 去。此外，由於阻塞桿由絕緣材料製成，移去阻塞桿之處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Α7 Β7 五、發明説明（2 ) 理在某些例子中可省略。 發明概要 因此，本發明之目的乃在提供一種精細節距構造之引 線框，其可利用包括阻塞構件之阻塞桿以明顯的降低引線 框之《曲，和使用該引線框之半導體裝置。 本發明之另一目的乃在提供一種精細節距結構之引線 框，其可正確的逹成外引線模製處理，和使用此引線框之 半導體裝置。 依照J Ρ-Α— 5 8-2 8 8 4 1 ，阻塞桿由絕緣片 所製成；其中依照JP — Α-2-1 2 2 6 6 0， JP-A-310955 ，和 JP-A— 4-91464 而使用各種不同之樹脂。使用絕緣片或樹脂在引線框上製 造阻塞桿需要在髙溫下之加壓模製處理。由於絕緣片和樹 脂之線性膨脹係數通常大於引線框之材料（特別是，F e -4 2 N i )，當黏著劑或樹脂硬化在片之表面上時，整 個引線框會因爲線性膨脹係數之差異而有害的彎曲。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圊2顯示依照J P — A-5 8 — 2 8 8 4 1之引線框 構造之習知例，其包括一阻塞桿3位在引線框1之外框和 相鄰之外引線2 b之間。當阻塞構件3硬化且收縮時，外 框1抽向和阻塞構件3連接之外引線2 b。由於外框1具 有高剛性，阻塞構件3之收縮無法由外框之內部形變所吸 收，如此導致整個引線框之彎曲。 圖3顯示依照JP— A— 4 — 9 1 4 6 4之引線框結 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^^〇1β7 a7 ____B7_ 五、發明説明（3 ) 構之另一習知例，其包括一阻塞構件3位於晶片墊支撑引 線5和相鄰之外引線2 b之間。由於具有兩支撑點之支撑 引線5之髙剛性，引線框經由如圖2之例所示相似之機構 而彎曲。在引線框中之彎曲會有害的引起模鍵結層之剝落 ，在配線結合處理後，引線之形變，和當在半導體製造處 理時，傅送引線框之阻礙。 依照本發明，於此提供一種引線框和使用該引線框之 半導髏裝置，其中由於阻塞桿和阻塞構件一起形成所會產 生之引線框之彎曲可受到相當明顯的抑制。 依照本發明，爲了達到上述之目的，當阻塞桿以絕緣 阻塞構件模製時，只有具有低刪性之外引線以阻塞構件互 相連接，亦即，具有高剛性之晶片墊支撑引線和引線框之 外框並未與阻塞構件耦合。此外，介於外框或支撑引線和 用以電俥導之電訊號引線間安排有虛擬引線至少僅包括一 外引線（亦即，不包括內引線）不需要電傅導，因此，虛 擬引線經由阻塞構件連接至電訊號引線。在樹脂模製處理 後，切除虛擬引線。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 簡言之，依照本發明之引線框之構造如下所構。在此 說明睿中， '阻塞構件'意即在樹脂模製中，金雇模之腔 在半導體製造處理中充塡以樹脂時，用以避免樹脂由引線 間之空間流出之構件。再者，*翼片|表示形成在引線框 表面之半導體晶片所安裝之部份，"內引線#表示在樹脂 中之引線部份（除了翼片外），而'^外引線#表示在樹脂 外之引線部份。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明説明（4 ) (1 ) 一種用於塑膠密封半導體裝置之引線框，包含 « 一翼片，而半導髋晶片安裝在翼片上； 晶片墊支撑引線，其連接至霣片： 多數之內引線與半導髅晶片電耦合： 外引線和內引線一起形成在單塊結構； 一框，其用以支撑晶片墊支撑引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷；和 一阻塞構件，其由絕緣材料製成，且設置於外引線之 間以避免密封樹脂流出。 (2 ) —種用於塑膠密封半導髗裝置之引線框，包含 一翼片，而半導饅晶片安裝在翼片上； 晶片墊支撑引線，其連接至翼片： 多數之內引線與半導體晶片電耦合； 外引線和內引線一起形成在單塊結構： 一框，其用以支撑晶片墊支撑引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷；和 一阻塞構件，其由絕緣材料製成，且設e於內引線和 外引線間之邊界，用以避免密封樹脂流出，阻塞構件在一 位置上連接至晶片墊支撑引線或框。 (3 )—種用於塑膠密封半導體裝置之引線框，包含 一翼片，而半導髖晶片安裝在翼片上： 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -------------(I 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 如 id7 A7 B7 五、發明説明（5 ) 晶片墊支撑引線，其連接至翼片： 多數之內引線與半導髏晶片電耦合： 外引線和內引線一起形成在單塊結構； 一框，其用以支撑晶片墊支撑引線和外引線，而在半 導體裝®組裝後，受到切斷；和 一阻塞構件，其由_緣材料製成，且，置於內引線和 外引線間之邊界，用以避免密封樹脂流出，該阻塞構件連 接至晶片墊支掸引線或框在兩個互相對角線之位®上。 (4 )—種用於塑膠密封半導體裝置之引線框，包含 一翼片，而半導體晶片安裝在翼片上： 晶片墊支撑引線，其連接至翼片； 多數之內引線與半導體晶片電耦合； 外引線和內引線一起形成在單阻隔結構： 一框，其用以支撑晶片墊支撑引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷：和 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一阻塞構件，其由絕緣材料製成，且設置於內引線和 外引線間之邊界以避免密封樹脂流出，該阻塞構件連接至 晶片墊支撑引線和框，除了至少在一位置上。 (5 ) —種用於塑膠密封半導髏裝置之引線框，包含 ♦ 一翼片，而半導髓晶片安裝在翼片上； 晶片墊支撑引線，其連接至霣片： 多數之內引線與半導體晶片電耦合： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -8 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 外引線和內引線一起形成在單塊結構； 一框，其用以支撑晶片墊支撑引線和外引線，而在半 導嫌裝e組裝後，受到切斷；和 虛擬引線，設置在電訊號引線間用以電傅導至半導體 晶片和晶片埜支撑引線，該虛擬引線並未電傳導至包括至 少只有外引線之半導體晶片；和 —阻塞構件，其由絕緣材料所製成，且以連縯方式設 置在電訊號引線和虛擬引線間用以避免密封樹脂流出。 (6 )在第（5 )項所述之引線框中，虛擬引線位在 相對於由金雇模所箝夾之箝夾外綠之內側。 (7 )在第（1 )項所述之引線框中，一絕緣片固定 在阻塞形成部份上，而後在高溫下箝夾，以形成一阻塞桿 0 (8 )在第（1 )項所述之引線框中，利用分配器將 樹脂施加在阻塞形成部份上，而後在髙溫下箝夾，以形成 一阻塞桿。 (9 )在第（1 )至（8 )項所述之引線框中，外引 線在阻塞構件置放位置具有較大的宽度。 (10)在第（1)至（8)項所述之引線框中，引 線安排成至少爲0.5mm之引線節距。 再者，本發明之半導髓裝置具有任一型態。 (1 1 ) 一種半導雠裝置，其藉由係半導體晶片安裝 在如第（1)至（1〇)項所述之引線框上，電連接半導 髖晶片至引線框，和以樹脂密封半導體晶片和引線框而構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ------„----「裝-- (請先閲讀背面之注意事項#-填寫本頁)
*1T - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7) 成0 (1 2 )—種使用引線框之半導镰裝置，其用以和塑 滕密封半導體裝置一起使用，包含 一翼片，而半導體晶片安裝在翼片上； 晶片墊支撑引線，其連接至翼片； 多歡之內引線與半導嫌晶片電耦合： 外引線和內引線一起形成在單塊結構： —框，其用以支撑晶片墊支撑引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷；和 —阻塞構件，其由絕綠材料製成，且設置於外引線之 間以避免密封樹脂流出，其中 阻塞構件位於外引線之週園，但是並非至少在晶片墊 支撑引線之週園之一個位置上，在切割處理時。 (1 3 )在第（1 2 )項所述之半導體裝置中，在配 線結合處理時之內引線之外緣之平坦性最多爲1 0 0 //m 0 (14)在第（8)項所述之使用引線框之半導髄裝 置，其中阻塞構件在半導髋裝置組裝後移去。 (1 5 ) —種使用引線框之半導體裝置，其用以和塑 膠密封半導體裝置一起使用，包含： 一翼片，而半導體晶片安裝在翼片上； 晶片墊支撑引線，其連接至翼片； 多數之內引線與半導體晶片電耦合； 外引線和內引線一起形成在單塊結構： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 、1T- 東_ 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 2USi〇7 A7 B7 五、發明説明（8) —框，其用以支撑晶片墊支撑引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷：和 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一阻塞構件，其由絕緣材料製成，且設置於外引線之 間以避免密封樹脂流出；其中 在配線結合處理下之內引線之外緣之平坦性至多爲 1 0 0 " m 〇 依照上述之機構，位在外引線間之絕緣阻塞構件當成 在單塊構造中和引線一起製造之習知阻塞桿之功能。再者 ，在引線框中，由於樹脂之阻塞構件並未延伸至外框，因 此可避免外部區域之形變，且因此，可明顯的減少由於阻 塞構件所生引線框之彎曲，藉此可解決相關於«曲所產生 之問題。 再者，本發明提供一種引線框和使用此引線框之半導 體裝置，其中利用和習知技藝所使用相同的模製夾具，而 可適當的進行外引線模製處理。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 亦即，本發明之另一目的可藉由使用外引線彎曲處理 而達成，其中彎曲之引線部份具有較窄的宽度和較小之厚 度。 依照本發明，本發明提供一種引線框以使用於塑膠密 封半導體裝e，其一般包含一矩形且平面形翼片以供半導 體晶片安裝在其上，一外框藉由晶片墊支撑引線由四個方 向支撑翼片，內引線群側向的分別相關於翼片之四綠而安 排且由接近緣之位B向外延伸，外引線群和內引線群連接 並向外延伸以耦合外框，和由樹脂製成之阻塞構件互相連 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ B7_ 五、發明説明（9 ) · 接側向安排之外引線。當模製阻塞構件時，只有外引線以 阻塞構件互相耦合，亦即，具有高剛性之外框或晶片埜支 撑引線並未連接於此。結果，當樹脂硬化時，阻塞構件之 形變由具有低剛性之外引線所吸收以抑制整個引線框之形 變。 再者，當彎曲外引線時，彎曲部份之宽度和厚度縮小 以利於成形處理。其次，以下將詳細說明本發明。 爲了達成上述之目的，本發明之第一引線框爲一種引 線框以使用於塑膠密封半導髋裝置，其包括一短形且平面 形翼片以供半導髋晶片安裝在其上，晶片墊支撑引線分別 連接至翼片之四個角落且向外延伸，一外框和晶片墊支撑 引線之外端耦合以由四個方向支撑翼片，內引線群側向的 分別相關於翼片之四緣而安排且由接近緣之位置向外延伸 ，外引線群和內引線群連接並向外延伸以耦合外框，和絕 緣阻塞構件，其只對於介於內引線和外引線間之邊界附近 之每一引線群之外引線互相連接，藉此，以阻塞構件充塡 介於相鄰外引線間之間隙。再者，在安排阻塞構件之區域 中之每個外引線之部份具有減少引線宽度之窄部份。 再者，如同第一引線框，本發明之第二引線框爲一種 引線框以使用於塑膠密封半導體裝e，其包括之元件例如 ，翼片，晶片墊支撑引線，外框，內引線和外引線。於此 亦設置一絕綠阻塞構件，其只對介於內引線和外引線間之 邊界附近之引線群之外引線互相連接，藉以利用阻塞構件 充塡相鄰外引線間之間隙。再者，於此安排有一額外的阻 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ2ξ>7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 12 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10) 塞構件，其由連接兩相鄰之外引線群之阻塞構件延伸至存 在其間之晶片墊支撑引線。再者，在安排阻塞構件之區域 中每個外引線之部份具有減少引線宽度之窄部份。此額外 的阻塞構件安排在一至三個位置。 此外，如同第一引線框，本發明之第三 引線框包括 之元件例如一翼片，晶片墊支撑引線，一外框，內引線和 外引線。於此進一步設置虛擬引線在晶片墊支揮引線之兩 相鄰側並由外框向內延伸。於此亦設置有一絕緣阻塞構件 ，其在介於內引線和外引線間之邊界附近，連接兩虛擬引 線和由虛擬引線所包園之外引線群之一。介於相鄰虛擬引 線間和介於外引線間之間隙受充塡以絕緣阻塞構件。再者 ，安排阻塞構件之區域中之每個外引線之部份具有減少引 線寬度之窄部份。 此外，相對於本發明之第一至第三引線框，亦有許多 的變化。在阻塞構件所設置之區域中之每個外引線之部份 中，最好在窄部份之前和後設置具有如同在附近部份之較 大引線宽度之宽部份。此外，亦可設置具有相同引線宽度 和如同延伸在附近之部份之較小引線板厚度之薄部份以取 代窄部份。在此狀況下，薄部份最好設置成在外引線之上 表面形成凹陷。 因此，在第一至第三引線框和其變化例中，外框爲一 個在半導體晶片以配線連接至內引線以及半導體晶片和內 引線以樹脂模製後需切除之構件，因此，具有較小引線宽 度之窄部份位在外框受切除後，彎曲處理可有致執行之位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公嫠） ------.----—「裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --° 泉 -13 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（n) 置。 爲了達成上述之目的，於此提供一種依照本發明之半 導髏裝置，其中半導體裝置安裝在依照本發明之任一引線 框上，且其中藉由配線而連接至半導體裝置之內引線由密 封樹脂所密封。再者，外框受切除且外引線在窄部份（薄 部份）彎曲。 依照一種引線框以使用於塑膠密封半導雅裝置，半導 髓裝置安裝在以配線連接至內引線之翼片上，而後翼片之 部份，半導體裝置，和內引線由金靥模所覆蓋。模之腔以 液態樹脂充塡以便密封此部份。爲了避免在此處理中樹脂 由腔中經由介於相鄰內引線間之間隙流出，一阻塞構件設 置在在外引線側介於內和外引線間之邊界上。經由配線欲 傅導至半導體裝置之引線包括內引線，其設置在密封樹脂 中，和安排在樹脂外之外引線。 在每個依照本發明之引線框中，設置於外引線之絕緣 阻塞構件當成習知與引線框以相同材料一起形成單塊結構 之阻塞桿相似之功能。再者，由於阻塞梅件並未延伸至具 有髙剛性之外框，在硬化時阻塞構件之形變由具有低剛性 之引線所吸收，以壓抑整個引線框之形變。由於因爲阻塞 權件而引起之引線框之《曲可明顯的降低，因此，可解決 例如配線連接部份之剝落和斷開。 依照此引線框，在密封處理後，切除外框，而外引線 在密封樹脂模附近彎曲。在本發明之引線框中，在外引線 設置之區域中，外引線彎曲位e之部份形成具有較小引線 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公嫠) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. -訂 -14 - a7 B7 五、發明説明（12 ) 寬度之窄部份或薄部份以降低引線之剛性。結果，安排有 阻塞構件之外引線可以在如同習知引線框相同的位置輕易 的《曲，且因此，外引線可模製成和習知外引線相等之輪 廓。 亦即，依照本發明之引線框，在阻塞構件設置之區域 中，外引線彎曲位置部份形成具有減少引線寬度之窄部份 或薄部份以減少引線之剛性。結果，外引線可輕易的在相 關於習知引線框相同的位置彎曲，且因此，外引線可模製 成如同習知產品相同之形狀。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 依照本發明，當阻塞桿以包括絕緣片或樹脂之阻塞構 件形成時本發明可顯著的降低呈現在整個引線框之«曲。 再者，由於三維彎曲可藉由只在外引線間形成阻塞而避免 ，在內引線之外端只呈現二維形變。結果，內引線外端之 形變量可依照引線之輪廓和阻塞構件之特性而輕易的估計 ，藉此可有效的避免不充足的配線結合。再者，當以絕緣 片製造阻塞桿時，絕緣片必需形成依照圖3所示之習知技 藝之發明之框之輪廓。但是，依照本發明，並不薔要上述 之步驟，且因此可降低產品成本。依照本發明，外引線在 已定位置彎曲。依照本發明，可獲得具有0.2mm至 0 . 5 tn m之精細節距之節距型態。 附圖簡述： 本發明之上述和其它目的和優點藉由參考下述之說明 和伴隨之附圖會變的更加明顯，其中： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -15 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 Α7 _____Β7_ 五、發明説明（13 ) 圖1 Α爲本發明之第一實施例之引線框之平面圓： 圖1 B和1 C爲圖1 A之引線框之横截面部份之圖； 圖2爲使用習知阻塞構件之引線框之平面圓： 圖3爲使用習知阻塞構件之引線框之平面圖； 圓4爲本發明之第二實施例之引線框之平面圖： 圖5爲本發明之第三實施例之引線框之平面圖； 圖6爲本發明之第四實施例之引線框之平面圖： 圖7 A爲本發明之第五實施例之引線框之平面圚； 圖7 B爲圖7 A之引線框之横截面部份之放大圚； 圖8爲依照本發明之第八實施例之半導雔裝置之横截 面圖； 圖9爲依照本發明之第九實施例之半導酱裝置之頂表 面圖： 圖1 0爲習知例之半導體裝置之頂表面圖： 圖11爲依照本發明之第十實施例之半導體裝置之頂 表面圖； 圖1 2爲依照本發明之以樹脂形成阻塞構件之部份之 横截面圖： 圖13爲依照本發明之第六實施例之引線框之平面圖 之部份放大圊； 圖14爲外引線之基底部份之彎曲部份之放大立體圇 t 圚15爲依照本發明之第七實施例之引線框之平面圓 之部份放大圚； 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS > A4規格（210X297公釐） ------Ί — I--裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 - -β -16 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 S{J〇167 A7 B7__ 五、發明説明（) 圓1 6爲本發明之第八實施例之半導《裝置之部份平 面圖：和 圚17爲外引線之模製例之平面園。 較佳實施例之說明 圖1 A爲疼照本發明之第一實施例之引線框之平面圖 0 引線框包括一翼片4當成用以安裝半導體晶片之部份 ，晶片埜支撑引線5，內引線2a，和外引線2b連績的 連接內引線，一阻塞構件3形成在內引線2 a和外引線 2 b間之邊界，其中阻塞桿設β在單塊結構中，藉以由阻 塞構件3將外引線2 b互相連接。 阻塞梅件3相對於引線框之外框1或支撑引線5並未 形成連績的形式。亦即，阻塞構件3只設置以互相連接外 引線2 b，而與引線框之外框1或支撑引線5分離。但是 ，並不番要分離所有的連接部份，亦即，分離部份依照產 品所需而定。 在模製步驟中，樹脂流入圖1A之部份（毛邊〉。但 是，當支撑引線5切除或引線彎曲時，樹脂可輕易的移去 。由於只在外引線2 b間形成之阻塞構件3之硬化相之收 縮置由介於外引線2 b間之內部形變所吸收，因此，和習 知結構比較，引線框之彎曲可顯著的減少。 本發明中所使用之阻塞構件可選自包括絕綠環氧樹脂 ’ Β T樹脂’紛樹脂，聚酿亞胺樹脂，iSQmeran樹脂，砂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -17 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ]I裝· 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（15 ) 酮樹脂，任何具有多數上述樹脂之熱固性樹脂，或任何熱 塑性樹脂例如芳族聚醚醢胺，聚醚酮，聚碩，芳族聚醢亞 胺，聚酯，和聚醯胺之群。當使用絕緣片時，可利用上述 材料固定絕緣膜以在高溫下箝夾絕緣膜。 當形成阻塞構件3時，利用沖壓或蝕刻使引線框材料 形成已定圖樣，因此以分配器只將樹脂施加至阻塞桿習知 安排部份之外引線2 b間之空間。而後以箝夾使樹脂在壓 力下加熱和定型。由圖1 A之AA >線所截取之横截面可 知，阻塞部份包園外引線2 b。圚1 B和1 C分別顯示樹 脂分別施加至一表面和兩表面之情形。藉由澆入或沖壓可 將樹脂施加至表面。在此操作中，當具有高黏性之樹脂施 加至引線框之背表面時，可避冤樹脂流入前表面，且因此 可獲得一適當的加工產品。在本發明之圖1 A中，阻塞構 件3在四個位置斷開。但是，本發明之較佳效果只薔在阻 塞構件3之一個斷開部份上即可連成。 因此，阻塞構件設置在圖12所示之位置。亦即，引 線框檐件2 6安插在金屬模之上件2 2和下件2 3之間以 使樹脂2 5注入由金雇模所構成之腔2 4中。在上件2 2 和下件2 3接觸之中央部份上建立具有相當大宽度之樹脂 阻塞帶2 1。 圊4爲依照本發明之第二實施例之引線框之平面圚。 在電傅導之引線（內引線2 a和外引線2 b )和引線 框之外框1之間，具有不導電內引線，亦即，不提供電傳 導。於此製造虛擬外引線7 (以下視爲虛擬引線），其在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） —1.----5------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T at B7 五、發明説明（16 ) 樹脂模製處理後切除，因此，介於虛擬外引線7和相鄰內 引線2 a和外引線2 b間之邊界部份充填阻塞構件3以經 由阻塞構件3將元件互相耦合在上述之處理中。 虛擬外引線7可分別相關於引線框之外框1或任一端 而製造。虛擬外引線7吸收在收縮相之阻塞構件3之收鮪 以減少引線框之彎曲。 此外，在第一實施例中，當樹脂模製處理執行而未設 置虛擬引線7時，在角落中之電訊號引線由金屬模所箝夾 。和此不同的是，依照第二實施例，由於在角落中之虛擬 引線7可使用當成箝夾表面，因此可避冤由於電訊號引線 之箝夾而產生之缺點和形變。 爲了避免樹脂在模製處理中流出金雇模，在圓4和圊 1 A之部份6中，介於引線框之外框1和虛擬引線7間之 間隙需要位在相對於由金靥模所箝夾之外端部份之內部位 置上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圚5爲依照本發明之第三實施例之引線框之平面圖。 在引線框之外框中設有在外端具有開口之細縫8 (如圖所 示），以形成L型之虛擬引線7 a，其中引線之中介點以 —直角彎曲。如果虛擬引線7 a可形成在彎曲結構，細縫 8並不受限於此種形狀。介於虛擬引線7 a，內引線2 a 和外引線2 b間之邊界部份充塡阻塞構件3以在上述之模 製方法中使元件互相連接。 如同第一和第二實施例，此實施例窬要使細縫8位在 由箝夾所夾住之箝夾1 2之外端之內部位置。但是，由於 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ' 19 - A 7 B7 五、發明説明（17) 虛擬引線7 a形成L形，在和第一和第二實施例比較下， 引線框之外框之箝夾區域可顯著的減少。結果，可有效的 避免由於箝夾而產生引線框之形變和彎曲° 圚6爲依照本發明之第四實施例之引線框之平面圖° 第一至第三實施例之引線安排在兩方向。在此例中，阻塞 構件3只設置在外引線2 b之間，且並不與引線框之外框 1接觸。 圓7爲依照本發明之第五實施例之引線框之平面圖。 外引線2 b之寬度只在阻塞構件3所設置之部份擴大，以 形成宽引線部份2 c，藉以便於阻塞構件3之應用處理。 圖1 4爲依照本發明之第六實施例之引線框之平面圊 之放大圊。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了使使用引線框之半導體裝置在以密封樹脂模製處 理後安裝在實際印刷電路板上，於此使用依照已定輪廓而 彎曲外引線之模製處理。圖1 7顯示外引線之模製處理之 例。外引線2 b之基底部份（在包封側表面1 4 a附近） 之下表面2 b 5由一刷動夾具1 5所保持，外引線2 b之 上表面由彎曲夾具1 6所推動，以使外引線2 b向下彎曲 在側表面1 a附近之彎曲位置2 b 2上。結果，外引線彎 曲如圊1 7之參考數字2 b >所示。 外引線2 b之彎曲部份2 b 2和包封側表面1 4 a分 開0 · lmm至0 . 3mm，位在阻塞構件所設置之部份 中。當外引線2 b之彎曲位置2 b 2位在阻塞構件所設置 之部份時，外引線之基底部份由於阻塞構件之存在而具有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20 - A7 B7 2^3167 五、發明説明（18 ) 較高之剛性。結果，外引線在阻塞構件之外端部份中在位 置3 a上彎曲如2 b"所示，其引起之問題是外引線無法 彎曲在原始所欲彎曲位置2 b 2。亦即，當引線框之外引 線（其中習知阻塞桿形成在單塊結構中）由引線槙製夾具 模製時，於此產生之問題是在模製處理後之外引線之輪廓 和習知引線框不同，且因此，外引線之平坦度無法保持， 而模製夾具和引線接觸，且板塗層由引線中剝離，模製夾 具磨穿。 在阻塞構件3設置之區域中之外引線2 b之部份中， 形成一引線部份2 b 1，其具有較窄之宽度如圔1 3之放 大圖所示。因此，安排有阻塞構件3之區域由破折線所示 。減少宽度部份2 b 1使用以將半導镫晶片安裝在引線框 上，且實質的在一彎曲位置2 b 2 ，其中由密封樹脂所處 理之外引線2 b在模製處理中彎曲。亦即，此位置相當於 圖1 7之位B2 b 2，其指示外引線2 b在已定位置彎曲 0 再者，由於在設置阻塞構件3之區域中，在外引線 2 b之部份中提供具有窄宽度之引線部份2 b 1 ，外引線 在彎曲部份具有較低之剛性。結果，在外引線2 b之彎曲 處理中，可彎曲外引線2 b在等於習知引線框之位置，其 中四個阻塞桿完全的互相耦合在單塊結構中。亦即，在鹫 曲處理後之引線形狀和習知產品相同。結果，在習知技藝 Φ所採用之模製夾具亦可使用：再者，亦可避免發生在模 製處理中之問題。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -21 - 經濟部中央樣隼局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明说明（19 ) 此外，圈1 4顯示在外引線之基底部份中，彎曲部份 之另一例之放大立髏圓。在彎曲位鬣中，降低板厚度以降 低剛性。在包括安排有阻塞構件3之部份中之彎曲位置 2 b 2之外引線2 b之ffi域中，有一具有減少引線厚度之 薄部份2 b 3。由於提供如圖1 4所示之薄部份2 b 3， 在外引線2 b之彎曲部份2 b 2之剛性降低。結果，當形 成外引線2 b時，外引線2 b可與習知阻塞桿模製成單塊 結構之引線框在相同之位置彎曲，藉由設置凹陷在外引線 2 b之一或兩表面上，可模製薄部份2 b 3。凹陷最好設 置在當外引線2 曲時應力所作用之表面上，藉以減少 厚度。 圖1 5爲依照本發明之第七資施例之引線框之圓，其 中阻塞構件設置所在之引線部份受到放大。 阻塞構件3安排在包括介於外引線2 b和內引線2 a 間之邊界2 a b之部份。在圖1 5中，阻塞構件3所在之 區域由破折線所指示。在設置阻塞構件3之引線部份中， 設置有具有較大引線宽度之宽部份2 c (除了外引線2 b 之部份2 b 1 )。在宽部份2 c之減少宽度部份2 b 1在 樹脂模製處理後匹配在外引線2 b之彎曲處理中之引線彎 曲部份2 b 2。 由於具有較大引線宽度之宽部份2 c在設置阻塞構件 3之部份中製造（除了匹配外引線2 b之彎曲位置之部份 )，應用阻塞構件3之處理更加便利。 圚1 6和8顯示依照本發明之第八實施例。圖1 6顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） J------^----—「裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -22 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（20 ) 示在引線框之引線彎曲處理之前之狀態’其中密封樹脂部 份移除。圖8顯示在模製處理後，外引線之輪廓之橫截面 製造如圚16和8所示之半導體裝置之方法如下所述 。在圚1，4至7所示之引線框之翼片4上，半導《I晶片 9以一_結合劑安裝，而後，晶片9和內引線2a之相關 已定區域藉由細金屬線1〇互相電連接。此外，引線框安 排在金屬模中，而後密封樹脂1 1供應至金Λ模中，藉以 完成樹脂模製處理。 而後，晶片墊支撑引線5和留在周園之樹脂毛邊同時 切除，而外引線2 b依照已定之長度形成和切除，藉以獲 得半導髗裝置。依照使用本發明之引線框而製造之半導體 裝置，由於引線框之彎曲可顯著的減少對於配線所窬之可 靠度而言，在配線結合方法進行下之內引線之外端部份之 平坦度可設定成1 0 0 //m或更小。 圖9顯示所生產之半導體裝置之上表面圖。在密封樹脂 1 1之外緣部份，外引線2 b之週園仍留有阻塞構件3。 由於阻塞構件3和晶片墊支撑引線5分離，在切割處理後 ，阻塞構件3在支撑引線5之週圍火傅導。但是，如同和 第一資施例一起說明，阻塞桿並不需要和所有的晶片墊支 撑引線分離。結果，依照本發明，在所得之半導髏裝置中 ，？且塞構件3可在至少一個晶片埜支撑引線之週圍 不傅 導。 當半導體裝置利用依照習知技藝之引線框製造時，樹 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） I------5-----「裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -23 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（21 ) 脂阻塞等以單塊結構形成在習知阻塞桿設置處。結果，剩 餘阻塞構件3之連績部份亦呈現在在切割處理下之晶片整 支撑引線5和相鄰之外引線2 b之間，如圖1 0所示。 再者，阻塞部份由絕緣有機物質所製成。結果，雖然 在此狀態不會產生任何問題，阻塞部份可由有機溶劑等輕 易的移去。 圖1 1顯示半導體裝置之上表面圖，其中阻塞部份已 移除。由於阻塞構件3之部份亦形成在如圖8所示之樹脂 模製處理中，當阻塞部份由有機溶劑等移除時，在此部份 產生間隙1 3，由此間隙可將阻塞部份移除。在使用依照 本發明之引線框之半導體裝置之例中，間隙1 3只呈現在 外引線2 b之週園。在使用依照習知技藝之引線框之半導 嫌裝置之例中，圖10之阻塞構件3完全的移除。結果， 可了解的是，在以切割處理進行下之晶片墊支撑引線5和 相鄰之外引線2 b間會呈現連績型式之凹陷。 雖然本發明已參考特別之實施例說明如上，但是本發 明並非由這些實施例所限制，本發明應由隨後之申請專利 範園所界定。必需了解的是，對於熟悉此項技藝之人士對 上述實施例所做的改變或修飾仍未能悖離本發明之精神和 範疇。 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS > A4規格（210X297公釐） ------=-----「裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -24 -

Claims (1)

  1. Α8 修} Β8 C8 ㈣月(ιΛΛ: D8 六、申請專利範固 經濟部中央揉準局β；工消费合作社印製 第8 4104789號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國85年1月修正 1 ·—種用於塑膠密封半導體裝置之引線框，包含： 一翼片，而半導體晶片安裝在翼片上； 晶片墊支撐引線，其連接至翼片； 多數之內引線與半導體晶片電耦合； 外引線和內引線一起形成在單塊結構； 一框’其用以支撐晶片墊支撐引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷；和 一阻塞構件，其由絕緣材料製成，且設置於外引線之 間以避免密封樹脂流出》 2 ·—種用於塑膠密封半導體裝置之引線框，包含： —翼片，而半導體晶片安裝在翼片上； 晶片墊支撐引線，其連接至翼片； 多數之內引線與半導體晶片電耦合； 外引線和內引線一起形成在單塊結構； 一框，其用以支撐晶片墊支撐引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷；和 一阻塞構件，其由絕緣材料製成，且設置於內引線和 外引線間之邊界，用以避免密封樹脂流出，阻塞構件在一 位置上連接至晶片墊支撐引線或框。 3 . —種用於塑膠密封半導體裝置之引線框，包含： 一翼片，而半導體晶片安裝在翼片上； I-----：------^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度逍用中國國家搮率（CNS)A4规格（210x297公釐) " A8 B8 C8 D8 :、申請專利範圍 晶片墊支撐引線，其連接至翼片； 多數之內引線與半導體晶片電耦合； 外引線和內引線一起形成在單塊結構； —框，其用以支撐晶片墊支撐引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷：和 —阻塞構件，其由絕緣材料製成，且設置於內引線和 外引線間之邊界，用以避免密封樹脂流出，該阻塞構件連 接至晶片墊支撐引線或框在兩個互相對角線之位置上。 4 .—種用於塑膠密封半導體裝置之引線框，包含： 一翼片，而半導體晶片安裝在翼片上： 晶片墊支撐引線，其連接至翼片； 多數之內引線與半導體晶片電耦合： 外引線和內引線一起形成在單阻隔結構； 一框，其用以支撐晶片墊支撐引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷；和 經濟部中央橾準局員工消费合作社印装 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —阻塞構件，其由絕緣材料製成，且設置於內引線和 外引線間之邊界以避免密封樹脂流出，該阻塞構件連接至 晶片墊支撐引線和框，除了至少在一位置上。 5 . —種用於塑膠密封半導體裝置之引線框，包含： —翼片，而半導體晶片安裝在翼片上； 晶片墊支撐引線，其連接至翼片： 多數之內引線與半導體晶片電耦合； 外引線和內引線一起形成在單塊結構； 一框，其用以支撐晶片墊支撐引線和外引線，而在半 私纸張尺度逋用中國國家梯準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ^^〇167 H C8 ____ D8 六、申請專利範圍 導體裝置組裝後，受到切斷； 虛擬引線，設置在電訊號引線間用以電傳導至半導體 晶片和晶片墊支撐引線，該虛擬引線並未電傳導至包括至 少只有外引線之半導體晶片；和 一阻塞構件，其由絕緣材料所製成，且以連績方式設 置在電訊號引線和虛擬引線間用以避免密封樹脂流出。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之引線框，其中虛擬 引線位在相對於由金靥模所箝夾之箝夾外緣之內側。 7 .如申請專利範圍第1項所述之引線框，其中一絕 緣片固定在阻塞形成部份上，而後在高溫下箝夾，以形成 一阻塞桿。 8 .如申請專利範圍第1項所述之引線框，其中利用 分配器將樹脂施加在阻塞形成部份上，而後在高溫下箝夾 ，以形成一阻塞桿。 9.如申請專利範圍第1至8項所述之引線框，其中 外引線在阻塞構件置放位置具有較大的寬度。 經濟部中央棵準局Λ工消费合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 0 .如申請專利範圍第1至8項所述之引線框，其 中引線安排成至少爲0·5mm之引線節距。 1 1 . 一種半導體裝置，其藉由將半導體晶片安裝在 如申請專利範圍第1至8項所述之引線框上，電連接半導 體晶片至引線框，和以樹脂密封半導體晶片和引線框而構 成。 1 2 . —種使用引線框之半導體裝置，其用以和塑膠 密封半導體裝置一起使用，包含 本纸張尺度逋用中國B家梂準（CNS ) A4規《格（210X297公釐） I ~ A8 B8 C8 D8 經濟部中央#率局β；工消费合作社印装 六、申請專利範圍 一翼片，而半導體晶片安裝在翼片上； 晶片墊支撐引線，其連接至翼片； 多數之內引線與半導體晶片電耦合： 外引線和內引線一起形成在單塊結構； 一框’其用以支撐晶片墊支撐引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷；和 —阻塞構件，其由絕緣材料製成，且設置於外引線之 間以避免密封樹脂流出，其中 阻塞構件位於外引線之週圍，但是並非至少在晶片墊 支撐引線之週圍之一個位置上，在切割處理時。 13.如申請專利範圍第12項所述之半導體裝置， 其中在配線結合處理時之內引線之外緣之平坦性最多爲 1 Ο Ο β m。 1 4 . 一種半導體裝置，其使用如申請專利範圍第8 項所述之引線框，其中阻塞構件在半導體裝置組裝後移去 〇 1 5 . —種使用引線框之半導體裝置，其用以和塑膠 密封半導體裝置一起使用，包含： —翼片，而半導體晶片安裝在翼片上； 晶片墊支撐引線，其連接至翼片： 多數之內引線與半導體晶片電耦合； 外引線和內引線一起形成在單塊結構； —框，其用以支撐晶片墊支撐引線和外引線，而在半 導體裝置組裝後，受到切斷：和 木紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) -装· k B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一阻塞構件’其由絕緣材料製成，且設置於外引線之 間以避免密封樹脂流出；其中 在配線結合處理下之內引線之外緣之平坦性至多爲 1 0 0 4 m 〇 1 6 .如申請專利範圍第1至8項所述之引線框，其 中具有降低引線寬度之窄部份位在阻塞構件所設置之區域 之每一外引線部份。 1 7 .如申請專利範圍第1至8 中寬部份在窄部份位在阻塞構件所設 線部份之前或後設置，寬部份具有之 之引線之寬度。 1 8 .如申請專利範圍第1項所 薄部份取代窄部份，該薄部份之引線 近引線之寬度和一降低引線厚度。 1 9 _如申請專利範圍第1 *7項 以一薄部份取代窄部份，該薄部份具 附近引線之寬度和一降低引線厚度》 經濟部中央梯準局負工消费合作社印裝 項所述之引線框，其 置之區域之每一外引 引線寬度大於在附近 述之引線框，其中以 寬度實質的等於在附 所述之引線框，其中 有引線寬度實質等於 項所述之引線框，其 而設置該薄部份。 所述之引線框，其中 去後引線彎曲之位置 •裝. (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 20.如申請專利範圍第1至8 中藉由形成一凹陷在外引線之上表面 2 1 .如申請專利範園第1 6項 具有降低引線寬度之窄部份位在框移 2 2 .如申請專利範圔第1 8項所述之引線框’其中 薄部份位在框择去後引線彎曲之位置* 衣纸張尺度適用中•國家操率（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局貞工消费合作社印裂 V ί> ^ ·〜0167 Μ C8 ______ D8六、申請專利範圍 2 3 .—種半導體裝置，包括安裝在如申請專利範圍 第16項所述之引線框上之半導體晶片， 其中半導體晶片和藉由配線連接之內引線以密封樹脂 密封，而外引線在窄部份彎曲。 2 4 . —種半導體裝置，包括安裝在如申請專利範圍 第18項所述之引線框上之半導體晶片， 其中半導體晶片和藉由配線連接之內引線以密封樹脂 密封，而外引線在窄部份彎曲。 2 5 .—種引線框，包含： 一翼片用以安裝一半導體晶片，該翼片具有四個實質 爲矩形輪廓之緣； 至少兩晶片墊支撐引線連接至翼片用以支撐翼片； 引線群，具有端表面至少與翼片之四緣之兩緣分離， 且互相相對： 晶片墊支撐引線具有一端僅連接至引線框之外框，藉 以形成引線框之單塊結構，其中 樹脂區域形成線性形狀，樹脂區域橫過引線群，且和 晶片墊支撐引線分離。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項所述之引線框，其中 樹脂區域藉由將片形物質附著至引線群之兩側表面之至少 —面而形成。 2 7 .如申請專利範圍第2 5項所述之引線框，其中 樹脂區域藉由將液體樹脂化合物掉落或施加至介於引線群 間之空間和上表面而形成，該樹脂區域橫過引線群，並更 (請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) .裝- 訂 泉 本纸張尺度逍用中國國家揉準（CNS )八4规格（210 X 297公釐） 6 六、申請專利範圍 熱以硬化。 28· —種引線框，包含： 一翼片用以安裝一半導體晶片，該翼片具有四個實質 爲矩形輪廓之緣： 至少兩晶片墊支撐引線連接至翼片之四個角落； 引線群，具有端表面與翼片之四緣之側表面分離，且 互相相對； 晶片墊支撐引線具有一端僅連接至引線框之外框，藉 以形成引線框之單塊結構，其中 樹脂區域形成線性形狀以和四緣連接，樹脂區域橫過 相連的引線群，且和晶片墊支撐引線分離。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項所述之引線框，其中 樹脂區域藉由將片形物質附著至引線群之兩側表面之至少 一面而形成》 經濟部中央梯车局貞工消费合作社印装 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 0 .如申請專利範圍第2 8項所述之引線框，其中 樹脂區域藉由將液體樹脂化合物掉落或施加至介於引線群 間之空間和上表面而形成，該樹脂區域橫過引線群，並更 熱以硬化。 3 1 . —種引線框之製造方法，該引線框包括 一翼片用以安裝一半導體晶片，該翼片具有四個實質 爲矩形輪廊之緣； 至少兩晶片墊支撐引線連接至翼片用以支撐翼片； 引線群，具有端表面至少與翼片之四緣之兩緣分離， 且互相相對； 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐）。 Λ8 B8 C8 D8 ^〇Sl67 六、申請專利範圍 晶片墊支撐引槔具有一端僅連接至引線框之外框，藉 以形成引線框之單塊結構，其中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該方法包含形成線性形狀之樹脂區域之步驟，樹脂區 域橫過引線群，且和晶片墊支撐引線分離。 3 2 .如申請專利範圍第3 1項所述之引線框製造方 法，其中樹脂區域藉由將片形物質附著至引線群之兩側表 面之至少一面而形成。 3 3 .如申請專利範圍第3 1項所述之引線框製造方 法，其中樹脂區域藉由將液體樹脂化合物掉落或施加至介 於引線群間之空間和上表面而形成，該樹脂區域橫過引線 群，並更熱以硬化。 34 種引線框製造方法，該引線框，包含： 一翼片用以安裝一半導體晶片，該翼片真有四個實質 爲矩形輪廓之緣； 至少兩晶片墊支撐引線連接至翼片之四個角落； 引線群，具有端表面與翼片之四緣之側表面分離.，且 互相相對； 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印裒 晶片墊支撐引線具有一端僅連接至引線框之外框，藉 以形成引線框之單塊結構，其中 該方法包含形成線性形狀之樹脂區域以和四緣連接， 樹脂區域橫過相連的引線群，且和晶片墊支撐引線分離。 3 5 .如申請專利範圍第3 4項所述之引線框製造方 法，其中樹脂區域藉由將片形物質附著至引線群之兩側表 面之至少一面而形成· 表紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4洗格（210X297公釐） -8 - B8 C8 D8 經濟部中央樑率局貝工消费合作社印家 ☆、申請專利範圍 3 6 .如申請專利範圍第3 4項所述之引線框製造方 法，其中樹脂區域藉由將液體樹脂化合物掉落或施加至介 於引線群間之空間和上表面而形成，該樹脂區域橫過引線 群，並更熱以硬化。 3 7 .—種半導體裝置之製造方法，其使用如申請專 利範圍第5項所述之引線框，其中當引線框由金屬模所箝 夾時，箝夾之外緣在虛擬引線之表面上，且沿著虛擬引線 〇 3 8 . —種用以製造如申請專利範圍第2 5項所述之 引線框之方法，其中絕緣片附著在阻塞形成區域，且在高 溫下箝夾，以形成阻塞桿。 3 9 . —種用以製造如申請專利範圍第2 5項所述之 引線框之方法，其中藉由分配器將樹脂施加至阻塞形成區 域，且在高溫下箝夾，以形成阻塞桿。 40. —種用以製造如申請專利範圍第5項所述之引 線框之方法，其中絕緣片附著在阻塞形成區域，且在高溫 下箝夾，以形成阻塞桿。 41. 一種用以製造如申請專利範圔第5項所述之引 線框之方法，其中藉由分配器將樹脂施加至阻塞形成區域 *且在高溫下箝夾，以形成阻塞桿。 4 2 . —種半導體裝置製造方法，其中半導體晶片安 裝在具有四個緣之翼片上，至少兩晶片墊支撐引線由翼片 抽出以支撐霣片，設置引線群，引線之端表面與翼片之四 緣之至少兩緣分離且互相相對，安排有用以將每一引線群 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. >1T -率 本紙張尺度逋用中國國家橾率（CNS ) A4規《格（210X297公釐） A8 B8 D8 六、申請專利範園 傳導至半導體晶片之傅導機構，和在翼片側之每一引線群 之部份’翼片，晶片墊支撐引線，和傳導機構以樹脂密封 * 該方法包含下列之步驟： 傳導樹脂模製處理，其中在晶片墊支撐引線和引線群 連接至引線框之外框以形成單塊結構中，引線框安排在金 靥模中，半導體晶片安裝在翼片上； 形成線性形狀之樹脂區域，樹脂區域橫過每個引線群 並與晶片墊支撐引線分離； 藉由樹脂區域和金靥模以使模製樹脂免於由金靥模中 流出；和 在移去金屬模後，將引線框之外框切除，而保留模製 樹脂。 請專利範圍第4 2項所述之半導體裝置之 樹脂區域藉由將片形物質附著至引線群之 一面而形成。 經濟部中央輮率局貞工消費合作社印«. 4 3 .如申 製造方法，其中 兩側表面之至少 4 4 .如申 製造方法，其中 加至介於引線群 過引線群，並更 4 5 . —種 小寬度之窄部份 ，引線彎曲在外 4 6 種 請專利範圍第42項所述之半導體裝置之 樹脂區域藉由將液體樹脂化合物掉落或施 間之空間和上表面而形成，該樹脂區域橫 熱以硬化。 半導體裝置製造方法，其使用包括具有較 之引線之引線框，其中在樹脂模製處理後 引線形成處理之窄部份上。 半導體裝置製造方法，其使用包括具有較 衣紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4现格（210 X 297公釐） -10 - Sd〇iH7 A8 B8 C8 D8 •、申請專利範圍 大寬度之厚部份之引線之引線框，其中在樹脂模製處理後 ，引線彎曲在外引線形成處理之厚部份上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印装 本紙張尺度遑用中國國家橾率（CNS ) A4洗格（210X297公釐） 11
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