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TW202426590A - 剝離襯墊 - Google Patents

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TW202426590A
TW202426590A TW112140187A TW112140187A TW202426590A TW 202426590 A TW202426590 A TW 202426590A TW 112140187 A TW112140187 A TW 112140187A TW 112140187 A TW112140187 A TW 112140187A TW 202426590 A TW202426590 A TW 202426590A
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TW
Taiwan
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peeling
thickness
less
silicone
adhesive sheet
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TW112140187A
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Inventor
小原裕貴
野中崇弘
山村和広
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種適合抑制矽酮剝離層之厚度，並且同時確保輕剝離性之剝離襯墊。 本發明之剝離襯墊X具備基材膜10、及作為矽酮剝離層之剝離層20。基材膜10具有第1面11、及與該第1面11相反側之第2面12。剝離層20配置於基材膜10之第1面11上。剝離層20具有100 nm以下之厚度。基材膜10之第1面11之最大高度粗糙度Rz相對於剝離層20之厚度的比率為1以下。

Description

剝離襯墊
本發明係關於一種剝離襯墊。
作為被覆黏著片材之表面之保護材，已知有剝離襯墊。黏著片材例如以該黏著片材之單面或兩面經剝離襯墊被覆之附剝離襯墊之黏著片材的形態來製造。當使用黏著片材時，附剝離襯墊之黏著片材中之剝離襯墊自該黏著片材剝離。
作為剝離襯墊，已知有一種具備基材膜、及該膜上之矽酮剝離層之剝離襯墊。此種剝離襯墊係於矽酮剝離層側貼合於黏著片材。並且，藉由矽酮剝離層，確保剝離襯墊自黏著片材之輕剝離性。關於與此種附矽酮剝離層之剝離襯墊有關之技術，例如記載於下述專利文獻1中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-244667號公報
[發明所欲解決之問題]
對於剝離襯墊，根據黏著片材之用途，要求高度之輕剝離性。例如，對於顯示面板用途之光學黏著片材之剝離襯墊，要求高度之輕剝離性。並且，於附矽酮剝離層之剝離襯墊中，矽酮剝離層越厚，越可降低自黏著片材將剝離襯墊剝離所需之力(剝離力)。
然而，於附矽酮剝離層之剝離襯墊中，矽酮剝離層越厚，則當自黏著片材將剝離襯墊剝離時，矽酮剝離層之形成材料(剝離層材料)越容易自矽酮剝離層轉印至黏著片材。剝離層材料轉印至黏著片材會導致黏著片材之黏著力下降，從而不佳。轉印至黏著片材之剝離層材料對於黏著片材而言為異物，從而不佳。
又，關於此種附矽酮剝離層之剝離襯墊，本發明人等獲得如下見解。如圖4所示，剝離襯墊40中，形成於基材膜41上之矽酮剝離層42之厚度於微觀上具有與基材膜41之表面41a之表面粗糙度相應的不均。因此，自黏著片材50之剝離力於微觀上具有與矽酮剝離層42之厚度之不均相應的不均。又，自黏著片材50將剝離襯墊40剝離所需之力中，矽酮剝離層42之薄壁部42a(因其薄於周圍而剝離力較大之部分)處之剝離力起主導作用。
本發明提供一種適合抑制矽酮剝離層之厚度，並且同時確保輕剝離性之剝離襯墊。 [解決問題之技術手段]
本發明[1]包含一種剝離襯墊，其具備：基材膜，其具有第1面及與該第1面相反側之第2面；以及矽酮剝離層，其配置於上述基材膜之上述第1面上；且上述矽酮剝離層具有100 nm以下之厚度，上述第1面之最大高度粗糙度Rz相對於上述矽酮剝離層之厚度之比率為1以下。
本發明[2]包含如上述[1]中所記載之剝離襯墊，其中上述第1面之算術平均粗糙度Ra相對於上述矽酮剝離層之厚度之比率為0.1以下。
本發明[3]包含一種剝離襯墊，其具備：基材膜，其具有第1面及與該第1面相反側之第2面；以及矽酮剝離層，其配置於上述基材膜之上述第1面上；且上述矽酮剝離層具有100 nm以下之厚度，上述第1面之算術平均粗糙度Ra相對於上述矽酮剝離層之厚度之比率為0.1以下。
本發明[4]包含如上述[1]至[3]中任一項所記載之剝離襯墊，其中上述基材膜係無填料膜。
本發明[5]包含如上述[1]至[4]中任一項所記載之剝離襯墊，其中上述基材膜係環烯烴聚合物膜。 [發明之效果]
如上所述，本發明之剝離襯墊中，矽酮剝離層之厚度薄至100 nm以下。此種剝離襯墊適合在矽酮剝離層側貼合於黏著片材後，自該黏著片材剝離時，抑制矽酮剝離層材料轉印至黏著片材。又，如上所述，本發明之剝離襯墊中，基材膜之第1面之最大高度粗糙度Rz相對於矽酮剝離層之厚度之比率為1以下，或者基材膜之第1面之算術平均粗糙度Ra相對於矽酮剝離層之厚度之比率為0.1以下。基材膜之第1面(形成有矽酮剝離層之面)之平滑性如此較高亦適合抑制厚度薄至100 nm以下之矽酮剝離層中矽酮剝離層之厚度不均。因此，本發明之剝離襯墊適合抑制矽酮剝離層之厚度，並且同時確保輕剝離性(於平均厚度相同之矽酮剝離層彼此之比較中，矽酮剝離層之厚度之不均越小，則對剝離力起主導作用之上述薄壁部之厚度越大，因此，剝離襯墊自黏著片材之整體剝離力越小)。
如圖1所示，作為本發明之剝離襯墊之一實施方式(第1實施方式、第2實施方式)之剝離襯墊X於厚度方向H上依序具備基材膜10、及剝離層20。剝離襯墊X在與厚度方向H正交之方向(面方向)上擴展。基材膜10係具有可撓性之樹脂膜。基材膜10具有第1面11、及與該第1面相反側之第2面12。剝離層20係矽酮剝離層。剝離層20配置於基材膜10之第1面11上。剝離層20與第1面11相接。此種剝離襯墊X係黏著片材之保護材。圖2表示剝離襯墊X被覆黏著片材30之單面之情形。圖2所示之附剝離襯墊X之黏著片材30中，剝離襯墊X配置於黏著片材30之厚度方向H之一面上。圖3表示剝離襯墊X分別被覆黏著片材30之兩面之情形。圖3所示之附剝離襯墊X之黏著片材30中，一剝離襯墊X配置於黏著片材30之厚度方向H之一面上。另一剝離襯墊X配置於黏著片材30之厚度方向H之另一面上。
作為第1實施方式之剝離襯墊X中，剝離層20具有100 nm以下之厚度H 1，基材膜10之第1面11之最大高度粗糙度Rz相對於該厚度H 1之比率(Rz/H 1)為1以下。具體而言，剝離層20之厚度H 1之測定方法係如下述實施例中所述。最大高度粗糙度Rz係作為粗糙度評價對象之輪廓線上，最高之山頂部與最深之谷底部之間之高度方向上的距離(JIS B0601：2001)。此種最大高度粗糙度Rz例如可於剝離襯墊之厚度方向之剖面出現之基材膜之剝離層側表面進行測定(下述算術平均粗糙度Ra亦相同)。剝離襯墊之厚度方向之剖面出現之基材膜之剝離層側表面可利用電子顯微鏡進行觀察並進行拍攝。又，最大高度粗糙度Rz例如亦可於形成剝離層之前之基材膜之表面進行測定(下述算術平均粗糙度Ra亦相同)。具體而言，第1面11之最大高度粗糙度Rz之測定方法係如下述實施例中所述。
藉由剝離層20之厚度薄至100 nm以下，而適合剝離襯墊X於剝離層20側貼合於黏著片材30後，自黏著片材30將剝離襯墊X剝離時，抑制剝離層材料自剝離層20轉印至黏著片材30。又，藉由如上述比率(Rz/H 1)為1以下般基材膜10之第1面11(形成有剝離層20之面)之平滑性較高，亦適合抑制具有100 nm以下之厚度之剝離層20中剝離層之厚度不均。因此，作為第1實施方式之剝離襯墊X適合抑制剝離層20之厚度，並且同時確保輕剝離性(於平均厚度相同之矽酮剝離層彼此之比較中，矽酮剝離層之厚度之不均越小，則對矽酮剝離層之剝離力起主導作用之上述薄壁部之厚度越大，因此，剝離襯墊自黏著片材之整體剝離力越小)。具體而言，如下述實施例及比較例所示。
基於抑制剝離層材料之轉印之觀點而言，剝離層20之厚度H 1較佳為80 nm以下，更佳為70 nm以下，進而較佳為60 nm以下。基於剝離襯墊X之輕剝離性之觀點而言，剝離層20之厚度H 1較佳為20 nm以上，更佳為30 nm以上，進而較佳為40 nm以上。
基於抑制剝離層20之厚度不均之觀點而言，比率(Rz/H 1)較佳為0.92以下，更佳為0.8以下，進而較佳為0.6以下。基於確保剝離層20對基材膜10之密接性之觀點而言，比率(Rz/H 1)較佳為0.05以上，更佳為0.1以上，進而較佳為0.2以上。
基於抑制剝離層20之厚度不均之觀點而言，第1面11之最大高度粗糙度Rz較佳為100 nm以下，進而較佳為70 nm以下，進而更佳為50 nm以下，特佳為30 nm以下。基於確保剝離層20對基材膜10之密接性之觀點而言，第1面11之最大高度粗糙度Rz較佳為10 nm以上，更佳為20 nm以上，進而較佳為25 nm以上。作為調整第1面11之最大高度粗糙度Rz之方法，例如可例舉：調整形成基材膜之樹脂材料之種類及組成，調整基材膜中之填料之有無及填料含量。
基於抑制剝離層20之厚度不均之觀點而言，基材膜10之第1面11之算術平均粗糙度Ra相對於剝離層20之厚度H 1的比率(Ra/H 1)較佳為0.1以下，更佳為0.08以下，進而較佳為0.06以下，特佳為0.04以下。基於確保剝離層20對基材膜10之密接性之觀點而言，比率(Ra/H 1)較佳為0.005以上，更佳為0.01以上，進而較佳為0.02以上。算術平均粗糙度Ra係作為粗糙度評價對象之輪廓線上之高度方向距高度方向之平均位置之距離(絕對值)的平均值(JIS B0601：2001)。具體而言，第1面11之最大高度粗糙度Ra之測定方法係如下述實施例中所述。
基於抑制剝離層20之厚度不均、與藉由剝離層20確保剝離襯墊X之輕剝離性之平衡性的觀點而言，第1面11中之最大高度粗糙度Rz相對於算術平均粗糙度Ra之比率(Rz/Ra)較佳為10以上，更佳為15以上，進而較佳為18以上，又，較佳為30以下，更佳為28以下，進而較佳為26以下，特佳為24以下。
基於抑制剝離層20之厚度不均之觀點而言，第1面11之算術平均粗糙度Ra較佳為20 nm以下，更佳為10 nm以下，進而較佳為5 nm以下，特佳為3 nm以下。基於確保剝離層20對基材膜10之密接性之觀點而言，第1面11之算術平均粗糙度Ra較佳為0.2 nm以上，更佳為0.5 nm以上，進而較佳為0.8 nm以上，進而更佳為1 nm以上，特佳為1.5 nm以上。作為調整第1面11之算術平均粗糙度Ra之方法，例如可例舉：調整形成基材膜之樹脂材料之種類及組成，調整基材膜中之填料之有無及填料含量。
於作為第2實施方式之剝離襯墊X中，剝離層20具有100 nm以下之厚度H 1，基材膜10之第1面11之算術平均粗糙度Ra相對於該厚度H 1之比率(Ra/H 1)為0.1以下。又，於作為第2實施方式之剝離襯墊X中，上文中於第1實施方式中所述之比率(Rz/H 1)亦可超過1。除了與比率(Ra/H 1)及比率(Rz/H 1)有關之該等構成以外，第2實施方式與第1實施方式相同。
如上所述，藉由剝離層20之厚度薄至100 nm以下，適合抑制剝離層材料自剝離層20轉印至黏著片材30。又，藉由如上述比率(Ra/H 1)為0.1以下般基材膜10之第1面11(形成有剝離層20之面)之平滑性較高，亦適合抑制具有100 nm以下之厚度之剝離層20中剝離層之厚度不均。因此，作為第2實施方式之剝離襯墊X亦與作為第1實施方式之剝離襯墊X同樣地，適合抑制剝離層20之厚度，並且同時確保輕剝離性。具體而言，如下述實施例及比較例所示。
於此種第2實施方式中，基於抑制剝離層20之厚度不均之觀點而言，比率(Ra/H 1)較佳為0.08以下，更佳為0.06以下，進而較佳為0.04以下。基於確保剝離層20對基材膜10之密接性之觀點而言，比率(Ra/H 1)較佳為0.005以上，更佳為0.01以上，進而較佳為0.02以上。
基材膜10例如為具有可撓性之樹脂膜。作為基材膜10之樹脂材料，例如可例舉：聚烯烴、聚酯、丙烯酸、聚醯胺、聚醯亞胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素、改性纖維素、聚苯乙烯、及聚碳酸酯。作為聚烯烴，例如可例舉：聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物(COP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及乙烯-乙烯醇共聚物。作為聚酯，例如可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、及聚對苯二甲酸丁二酯。作為聚醯胺，例如可例舉：聚醯胺6、聚醯胺6,6、及部分芳香族聚醯胺。作為改性纖維素，例如可例舉三乙醯纖維素(TAC)。該等樹脂材料可單獨使用，亦可併用兩種以上。作為基材膜10之材料，較佳為選自由COP及PET所組成之群中之至少一種，更佳為COP。基材膜10較佳為COP膜或PET膜，更佳為COP膜。
基於確保第1面11之平滑性之觀點而言，基材膜10較佳為無填料膜。即，基材膜10較佳為不含或實質上不含填料。基材膜10實質上不含填料意指基材膜10中之填料含有比率為0.05質量%以下。
於基材膜10含有填料之情形時，基於確保第1面11之平滑性之觀點而言，該填料較佳為奈米填料。奈米填料意指一次粒子之平均粒徑為100 nm以下之粒子。基材膜10中之奈米填料之平均粒徑較佳為80 nm以下，更佳為60 nm以下，進而較佳為50 nm以下。基材膜10中之奈米填料之平均粒徑例如為2 nm以上。
基於確保剝離襯墊X之強度之觀點而言，基材膜10之厚度H 2較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上。又，基於確保剝離襯墊X之適度可撓性之觀點而言，基材膜10之厚度H 2較佳為200 μm以下，更佳為150 μm以下，進而較佳為100 μm以下。
基於基材膜10與剝離層20之功能分擔之平衡性之觀點而言，剝離層20之厚度H 1相對於基材膜10之厚度H 2之比率(H 1/H 2)較佳為0.0005以上，更佳為0.0008以上，又，較佳為0.01以下，更佳為0.008以下。
基材膜10較佳為具有透明性。基材膜10之霧度較佳為3%以下，更佳為2%以下，進而較佳為1%以下。基材膜10之霧度例如為0.05%以上。基材膜10之霧度可依據JIS K7136(2000年)進行測定。基材膜10之全光線透過率較佳為90%以上，更佳為95%以上。基材膜10之全光線透過率例如為100%以下。全光線透過率可依據JIS K7375(2008年)進行測定。
剝離層20係用於確保剝離襯墊X之剝離性之矽酮剝離層。剝離層20係具有硬化性之矽酮樹脂組合物之硬化物層。矽酮樹脂組合物例如含有硬化型矽酮樹脂、硬化觸媒、及溶劑。
作為硬化型矽酮樹脂，可例舉具有聚合性官能基之有機聚矽氧烷。作為聚合性官能基，例如可例舉烯基。作為烯基，例如可例舉：乙烯基、烯丙基、丙烯基及己烯基。又，硬化型矽酮樹脂可為加成反應型矽酮樹脂，亦可為縮合反應型矽酮樹脂。作為縮合反應型矽酮樹脂之市售品，例如可例舉：信越化學工業製造之「X-52-195」及「X-52-170」、以及東麗道康寧製造之「SRX290」及「SRX244」。作為加成反應型矽酮樹脂之市售品，例如可例舉：信越化學工業製造之「KS-847H」、「KM-3951」、「X-52-151」、「X-52-6068」及「X-52-6069」。
作為硬化觸媒，可例舉：鉑觸媒及有機錫觸媒。作為鉑觸媒，可例舉：微粒子狀鉑、氯鉑酸、醇改性氯鉑酸、及氯鉑酸之烯烴錯合物。作為有機錫觸媒，例如可例舉有機錫醯化物觸媒。加成反應型矽酮樹脂之硬化觸媒較佳為鉑觸媒。作為鉑觸媒之市售品，例如可例舉信越化學工業製造之「CAT-PM-10」。作為縮合反應型矽酮樹脂之硬化觸媒，較佳為有機錫觸媒。作為有機錫觸媒之市售品，例如可例舉信越化學工業製造之「CAT-PL10」。相對於矽酮樹脂每100質量份，硬化觸媒之量較佳為0.5質量份以上，更佳為1質量份以上，又，較佳為7質量份以下，更佳為5質量份以下。
作為溶劑，例如可例舉：甲苯、正己烷、及甲基乙基酮。溶劑可單獨使用，亦可併用兩種以上。矽酮樹脂組合物之固形物成分之濃度例如為0.1～1質量%。固形物成分包含矽酮樹脂、硬化觸媒、及含有之情形時之下述交聯劑。
矽酮樹脂組合物可含有交聯劑。作為交聯劑，例如可例舉氫矽氧烷(1分子中具有至少2個鍵結於矽原子之氫原子之有機聚矽氧烷)。作為氫矽氧烷，例如可例舉：二甲基氫矽烷氧基末端封端二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、三甲基矽烷氧基末端封端二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、三甲基矽烷氧基末端封端甲基氫聚矽氧烷、及聚(氫倍半矽氧烷)。交聯劑可單獨使用，亦可併用兩種以上。相對於矽酮樹脂每100質量份，交聯劑之量較佳為1質量份以上，更佳為3質量份以上，又，較佳為10質量份以下，更佳為7質量份以下。
基於確保剝離襯墊X之強度之觀點而言，剝離襯墊X之厚度較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上。又，基於確保剝離襯墊X之適度可撓性之觀點而言，剝離襯墊X之厚度較佳為200 μm以下，更佳為150 μm以下，進而較佳為100 μm以下。
剝離襯墊X較佳為具有透明性。剝離襯墊X之霧度較佳為3%以下，更佳為2%以下，進而較佳為1%以下。剝離襯墊X之霧度例如為0.05%以上。剝離襯墊X之霧度可依據JIS K7136(2000年)進行測定。剝離襯墊X之全光線透過率較佳為90%以上，更佳為95%以上。剝離襯墊X之全光線透過率例如為100%以下。全光線透過率可依據JIS K7375(2008年)進行測定。
剝離襯墊X例如可以如下方式製造。
首先，準備基材膜10。基材膜10例如可藉由使經熔融之樹脂材料成形為膜而製作。作為成形之方法，例如可例舉：擠出成形、吹脹成形、及壓延成形。
其次，於基材膜10上形成矽酮剝離層20。具體而言，首先，於基材膜10之第1面11上塗佈上述矽酮樹脂組合物而形成塗膜。其次，使該塗膜乾燥。作為矽酮樹脂組合物之塗佈方法，例如可例舉：輥塗、接觸輥式塗佈、凹版塗佈、反向塗佈、輥式刷塗、噴塗、浸漬輥塗佈、棒式塗佈、刮塗、氣刀塗佈、淋幕式塗佈、模唇塗佈、及模嘴塗佈。塗膜之乾燥溫度例如為50℃～200℃。乾燥時間例如為5秒～20分鐘。
如上可製造剝離襯墊X。
黏著片材30例如為光學透明黏著片材(光學黏著片材)。黏著片材30具有規定厚度之片狀，在與厚度方向正交之方向(面方向)上擴展。又，黏著片材30例如為配置於軟性裝置中之光通過部位之光學透明黏著片材。作為軟性裝置，例如可例舉軟性顯示面板。作為軟性顯示面板，例如可例舉：可摺疊顯示面板及可捲曲顯示面板。軟性顯示面板例如具有包含像素面板、偏光膜、觸控面板及覆蓋膜等元件之積層構造。黏著片材30例如在軟性顯示面板之製造過程中，用於積層構造中所含之元件彼此之接合。
黏著片材30係由黏著劑組合物所形成。黏著劑組合物包含基礎聚合物。基礎聚合物係表現出黏著性之黏著成分。作為基礎聚合物，例如可例舉：丙烯酸聚合物、聚胺基甲酸酯聚合物、聚醯胺聚合物、及聚乙烯醚聚合物。基礎聚合物可單獨使用，亦可併用兩種以上。基於確保黏著片材30中之良好之透明性及黏著性之觀點而言，作為基礎聚合物，較佳為使用丙烯酸聚合物。
丙烯酸聚合物係以50質量%以上之比率包含(甲基)丙烯酸酯之單體成分之共聚物。「(甲基)丙烯酸」意指丙烯酸及/或甲基丙烯酸。作為(甲基)丙烯酸酯，較佳為使用(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為使用烷基之碳數為1～20之(甲基)丙烯酸烷基酯。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(即，丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸異十三烷基酯、及(甲基)丙烯酸十四烷基酯。(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為選自由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、丙烯酸月桂酯(LA)、及丙烯酸正丁酯所組成之群中之至少一種。基於適當地表現出黏著片材30之黏著性等基本特性之觀點而言，單體成分中之(甲基)丙烯酸烷基酯之比率較佳為50質量%以上，更佳為70質量%以上，進而較佳為90質量%以上，又，例如為99質量%以下。
單體成分亦可包含能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯共聚之共聚性單體。作為共聚性單體，例如可例舉具有極性基之單體。作為含極性基之單體，例如可例舉：含羥基之單體、含羧基之單體、及具有含氮原子之環之單體。含極性基之單體有助於丙烯酸聚合物之改質，例如向丙烯酸聚合物導入交聯點，確保丙烯酸聚合物之凝聚力等。
作為含羥基之單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、及(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯。作為含羥基之單體，較佳為使用選自由(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯及(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯所組成之群中之至少一種。基於向丙烯酸聚合物導入交聯結構，及確保黏著片材30中之凝聚力之觀點而言，單體成分中之含羥基之單體之比率較佳為0.2質量%以上，更佳為0.5質量%以上，進而較佳為1質量%以上。基於調整丙烯酸聚合物之極性(與黏著片材30中之各種添加劑成分和丙烯酸聚合物之相溶性有關)之觀點而言，該比率較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下。
作為具有含氮原子之環之單體，例如可例舉：N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌𠯤、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、及N-(甲基)丙烯醯基-2-吡咯啶酮。作為具有含氮原子之環之單體，較佳為使用N-乙烯基-2-吡咯啶酮。基於確保黏著片材30中之凝聚力，及確保黏著片材30中之對被黏著體之密接力之觀點而言，單體成分中之具有含氮原子之環之單體之比率較佳為0.1質量%以上，更佳為0.5質量%以上，進而較佳為0.8質量%以上。基於調整丙烯酸聚合物之玻璃轉移溫度，及調整丙烯酸聚合物之極性(與黏著片材30中之各種添加劑成分和丙烯酸聚合物之相溶性有關)之觀點而言，該比率較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下。
基礎聚合物較佳為具有交聯結構。作為向基礎聚合物導入交聯結構之方法，可例舉：於黏著劑組合物中調配具有能夠與交聯劑進行反應之官能基之基礎聚合物及交聯劑，使基礎聚合物與交聯劑於黏著片材中進行反應的方法(第1方法)；及使形成基礎聚合物之單體成分中含有作為交聯劑之多官能單體，藉由使該單體成分聚合，而形成聚合物鏈中導入有分支結構(交聯結構)之基礎聚合物的方法(第2方法)。該等方法可併用。
作為上述第1方法中所使用之交聯劑，例如可例舉與基礎聚合物中所含之官能基(羥基及羧基等)進行反應之化合物。作為此種交聯劑，例如可例舉：異氰酸酯交聯劑、過氧化物交聯劑、及環氧交聯劑。交聯劑可單獨使用，亦可併用兩種以上。
上述第2方法中，單體成分(包含用於導入交聯結構之多官能單體及其他單體)可一次聚合，亦可以多階段進行聚合。多階段聚合之方法中，首先，使用於形成基礎聚合物之單官能單體聚合(預聚合)，藉此製備含有部分聚合物(低聚合度之聚合物與未反應之單體之混合物)之預聚物組合物。其次，於預聚物組合物中添加作為交聯劑之多官能單體後，使部分聚合物與多官能單體聚合(正式聚合)。作為多官能單體，例如可例舉1分子中含有2個以上乙烯性不飽和雙鍵之多官能(甲基)丙烯酸酯。作為多官能單體，基於能夠藉由活性能量線聚合(光聚合)而導入交聯結構之觀點而言，較佳為多官能丙烯酸酯。作為多官能(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、及二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。作為多官能(甲基)丙烯酸酯，較佳為使用1,6-己二醇二丙烯酸酯。
丙烯酸聚合物可藉由使上述單體成分聚合而形成。作為聚合方法，例如可例舉：溶液聚合、無溶劑下之光聚合(例如，UV(Ultraviolet，紫外線)聚合)、塊狀聚合、及乳化聚合。作為溶液聚合之溶劑，例如可使用乙酸乙酯及甲苯。又，作為聚合之起始劑，例如可使用熱聚合起始劑及光聚合起始劑。
黏著劑組合物亦可視需要含有其他成分。作為其他成分，例如可例舉：溶劑、矽烷偶合劑、紫外線吸收劑、黏著賦予劑、軟化劑、及抗氧化劑。作為溶劑，例如可例舉：丙烯酸聚合物聚合時視需要使用之聚合溶劑、及聚合後添加於聚合反應溶液中之溶劑。作為該溶劑，例如可使用乙酸乙酯及甲苯。
黏著片材30例如可藉由如下方式製造：將上述黏著劑組合物塗佈於剝離襯墊X之剝離層20上而形成塗膜後，使該塗膜乾燥。藉此，可製造圖2所示之單面附剝離襯墊之黏著片材30(於單面具有剝離襯墊X)。又，藉由將另一剝離襯墊X之剝離層20側貼合於剝離襯墊X上之黏著片材30之露出面，可製造圖3所示之兩面附剝離襯墊之黏著片材30(於兩面具有剝離襯墊X)。
基於確保對被黏著體之充分之黏著性之觀點及操作性之觀點而言，黏著片材30之厚度較佳為10 μm以上，更佳為15 μm以上。基於軟性裝置之薄型化之觀點而言，黏著片材30之厚度較佳為300 μm以下，更佳為200 μm以下，進而較佳為100 μm以下，特佳為50 μm以下。 [實施例]
以下示出實施例，對本發明具體地進行說明。但，本發明並不限定於實施例。又，以下所記載之調配量(含量)、物性值、參數等具體數值可代替上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配量(含量)、物性值、參數等之上限(定義為「以下」或「未達」之數值)或下限(定義為「以上」或「超過」之數值)。
[實施例1] ＜剝離襯墊之製作＞ 首先，將矽酮剝離劑(商品名「KS-847H」，加成反應型矽酮樹脂，信越化學工業製造)100質量份、矽酮硬化用鉑觸媒(商品名「CAT-PL-50T」，信越化學工業製造)3.3質量份、及溶劑加以混合，製備矽酮固形物成分濃度0.3質量%之矽酮樹脂組合物。溶劑係甲苯(出光石油化學製造)、正己烷(丸善石油化學製造)、及甲基乙基酮(出光興產製造)之重量比1：2：1之混合溶劑。
其次，將上述矽酮樹脂組合物塗佈於作為基材膜之厚度50 μm之環烯烴聚合物(COP)膜(商品名「ZeonorFilm ZF14-050」，無填料，日本瑞翁製造)之單面而形成塗膜。塗佈時使用線棒塗佈器#9。其次，利用熱風乾燥機，將基材膜上之塗膜於130℃下加熱1分鐘使其乾燥。藉此，於基材膜上形成厚度50 nm之矽酮剝離層。
如上製作實施例1之剝離襯墊。實施例1之剝離襯墊具有作為基材膜之COP膜(厚度50 μm)與矽酮剝離層(厚度50 nm)之積層構造。
＜附剝離襯墊之黏著片材之製作＞ 首先，對包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)78質量份、N-乙烯基-2-吡咯啶酮(NVP)18質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)4質量份、光聚合起始劑(商品名「Irgacure 184」，1-羥基環己基苯基酮，BASF製造)0.035質量份、及第2光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」，2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮，BASF製造)0.035質量份之混合物照射紫外線(聚合反應)，獲得預聚物組合物(聚合率約為8%)(預聚物組合物包含未經過聚合反應之單體成分)。持續進行照射紫外線直至組合物之黏度成為約20 Pa・s。該黏度係利用B型黏度計，於轉子No.5、轉子轉速10 rpm及溫度30℃之條件下進行測定所獲得之值。
其次，將預聚物組合物100質量份、作為交聯劑之1,6-己二醇二丙烯酸酯(HDDA)0.15質量份、光聚合起始劑(商品名「Irgacure 819」，雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦，BASF製造)0.2質量份、矽烷偶合劑(商品名「KBM-403」，3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，信越化學工業製造)0.3質量份、及紫外線吸收劑(商品名「Tinosorb S」，2,4-雙-[{4-(4-乙基己氧基)-4-羥基}苯基]-6-(4-甲氧基苯基)-1,3,5-三𠯤，BASF製造)1.4質量份加以混合，獲得紫外線硬化型黏著劑組合物。
其次，將黏著劑組合物塗佈於實施例1之剝離襯墊(第1剝離襯墊)之矽酮剝離層上而形成塗膜。其次，將厚度38 μm之PET膜作為第2剝離襯墊貼合於剝離襯墊上之塗膜。其次，自第2剝離襯墊側對塗膜照射紫外線，使塗膜紫外線硬化，形成厚度50 μm之黏著劑層。紫外線照射中，使用黑光燈作為照射光源，照射強度設為6.5 mW/cm 2。
如上製作實施例1之附剝離襯墊之黏著片材(第1剝離襯墊/黏著片材/第2剝離襯墊)。
[實施例2] 使用厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(商品名「Lumirror U403」，無填料，東麗製造)作為基材膜，除此以外，以與實施例1之剝離襯墊相同之方式製作實施例2之剝離襯墊。實施例2之剝離襯墊具有作為基材膜之PET膜(厚度50 μm)與矽酮剝離層(厚度50 nm)之積層構造。又，使用實施例2之剝離襯墊代替實施例1之剝離襯墊作為第1剝離襯墊，除此以外，以與實施例1之附剝離襯墊之黏著片材相同之方式製作實施例2之附剝離襯墊之黏著片材。
[比較例1] 使用厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(商品名「Lumirror XD500P」，含填料，東麗製造)作為基材膜，除此以外，以與實施例1之剝離襯墊相同之方式製作比較例1之剝離襯墊。比較例1之剝離襯墊具有作為基材膜之PET膜(厚度50 μm)與矽酮剝離層(厚度50 nm)之積層構造。又，使用比較例1之剝離襯墊代替實施例1之剝離襯墊作為第1剝離襯墊，除此以外，以與實施例1之附剝離襯墊之黏著片材相同之方式製作比較例1之附剝離襯墊之黏著片材。
[比較例2] 使用厚度50 μm之PET膜(商品名「DIAFOIL T100C50」，含填料，三菱樹脂製造)作為基材膜，除此以外，以與實施例1之剝離襯墊相同之方式製作比較例2之剝離襯墊。比較例2之剝離襯墊具有作為基材膜之PET膜(厚度50 μm)與矽酮剝離層(厚度50 nm)之積層構造。又，使用比較例2之剝離襯墊代替實施例1之剝離襯墊作為第1剝離襯墊，除此以外，以與實施例1之附剝離襯墊之黏著片材相同之方式製作比較例2之附剝離襯墊之黏著片材。
[比較例3] 使用厚度75 μm之PET膜(商品名「XD3DA2」，含填料，東麗製造)作為基材膜，除此以外，以與實施例1之剝離襯墊相同之方式製作比較例3之剝離襯墊。比較例3之剝離襯墊具有作為基材膜之PET膜(厚度75 μm)與矽酮剝離層(厚度50 nm)之積層構造。又，使用比較例3之剝離襯墊代替實施例1之剝離襯墊作為第1剝離襯墊，除此以外，以與實施例1之附剝離襯墊之黏著片材相同之方式製作比較例3之附剝離襯墊之黏著片材。
＜基材膜之表面粗糙度＞ 針對實施例1、2及比較例1～3中所使用之各基材膜，在形成矽酮剝離層之前，測定表面粗糙度。具體而言，利用作為非接觸式表面粗糙度測定裝置之三維光學輪廓分析儀(商品名「NewView7300」，ZYGO製造)，於23℃及相對濕度50%之環境下測定基材膜之第1面(形成有矽酮剝離層之側之面)之形狀。本測定中，使用Micro7k作為測定用應用軟體，將物鏡設為10倍透鏡，內部透鏡設為1.0倍透鏡，視野尺寸設為0.70 mm×0.52 mm。然後，基於對基材膜之表面形狀所測得之資料，算出依據JIS B0601：2001之算術平均粗糙度Ra(nm)及最大高度粗糙度Rz(nm)。將該值示於表1中。Rz相對於Ra之比率(Rz/Ra)亦示於表1中。
＜矽酮剝離層之厚度＞ 藉由FE-TEM(Field Emission Transmission Electron Microscopy，場發射穿透式電子顯微鏡)觀察而測定實施例1、2及比較例1～3之各剝離襯墊之矽酮剝離層之厚度。具體而言，首先，於剝離襯墊之矽酮剝離層表面上設置保護層後，將該剝離襯墊冷卻，於該狀態下，利用FIB(Focused Ion Beam，聚焦離子束)微採樣法，對剝離層進行薄片化加工，製作剖面觀察用樣品。FIB微採樣法中，使用FIB裝置(商品名「FB2200」，日立製造)，將加速電壓設為30 kV。其次，藉由FE-TEM觀察而測定剖面觀察用樣品中之剝離層之厚度。FE-TEM觀察中，使用FE-TEM裝置(商品名「JEM-2800」，JEOL製造)，將加速電壓設為200 kV。將觀察區域(3 mm寬度)內之矽酮剝離層之厚度之平均值作為厚度H 1(nm)示於表1中。又，最大高度粗糙度Rz相對於厚度H 1之比率(Rz/H 1)、及算術平均粗糙度Ra相對於厚度H 1之比率(Ra/H 1)亦示於表1中。
＜剝離力＞ 針對實施例1、2及比較例1～3之各附剝離襯墊之黏著片材，測定用於自黏著片材將第1剝離襯墊剝離之剝離力。
試片之製作中，首先，自附剝離襯墊之黏著片材切出樣品片材(寬度50 mm×長度100 mm)。其次，自樣品片材將第2剝離襯墊剝離，將藉此露出之黏著片材露出面貼合於玻璃板，獲得試片。
其次，將試片於23℃下靜置60分鐘後，實施將試片中之第1剝離襯墊自黏著片材剝離之剝離試驗，測定剝離所需之力作為剝離力。本測定中，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AG-50NX plus)」，島津製作所製造)，將測定溫度設為23℃，剝離角度設為180°，拉伸速度設為300 mm/分鐘。將測得之剝離力(N/50 mm)示於表1中。
[評價] 實施例1、2之剝離襯墊之矽酮剝離層、與比較例1～3之剝離襯墊之矽酮剝離層彼此之組成及厚度相同。但是，實施例1、2之剝離襯墊與比較例1～3之剝離襯墊相比，實現對黏著片材之更輕之剝離性。具體而言，如下所述。
比較例1～3之各剝離襯墊中，基材膜之上述最大高度粗糙度Rz相對於厚度100 nm以下之矽酮剝離層之厚度H 1的比率(Rz/H 1)超過1。又，比較例1～3之各剝離襯墊中，基材膜之上述算術平均粗糙度Ra相對於厚度H 1之比率(Ra/H 1)超過0.1。此種比較例1～3之剝離襯墊自上述黏著片材之剝離力大至0.44 N/50 mm以上。與之相對，實施例1、2之各剝離襯墊中，基材膜之上述最大高度粗糙度Rz相對於厚度100 nm以下之矽酮剝離層之厚度H 1的比率(Rz/H 1)為1以下。又，實施例1、2之各剝離襯墊中，基材膜之上述算術平均粗糙度Ra相對於厚度H 1之比率(Ra/H 1)為0.1以下。此種實施例1、2之剝離襯墊自上述黏著片材之剝離力較小為0.31 N/50 mm以下。
[表1]
表1
   基材膜 矽酮剝離層之厚度H 1(nm) 剝離力(N/50 mm)
種類 厚度H 2(μm) Rz (nm) Ra (nm)
實施例1 COP膜 (ZF14-050，無填料) 50 26.2 1.1 23.8 50 0.524 0.022 0.21
實施例2 PET膜 (U403，無填料) 50 45.3 1.8 25.1 50 0.906 0.036 0.31
比較例1 PET膜 (XD500P，含填料) 75 875 24.5 35.7 50 17.5 0.49 0.44
比較例2 PET膜 (T100C50，含填料) 50 1272.4 36.2 35.1 50 25.4 0.72 0.47
比較例3 PET膜 (XD3DA2，含填料) 75 1002.1 32.1 31.2 50 20.0 0.62 0.44
10:基材膜 11:第1面 12:第2面 20:剝離層(矽酮剝離層) 30:黏著片材 40:剝離襯墊 41:基材膜 41a:表面 42:矽酮剝離層 42a:薄壁部 50:黏著片材 H:厚度方向 X:剝離襯墊
圖1係本發明之剝離襯墊之一實施方式之剖面模式圖。 圖2係具備本發明之剝離襯墊之附剝離襯墊之黏著片材之一例(單面附剝離襯墊之黏著片材)的剖面模式圖。 圖3係具備本發明之剝離襯墊之附剝離襯墊之黏著片材之另一例(兩面附剝離襯墊之黏著片材)的剖面模式圖。 圖4係被覆黏著片材之先前之剝離襯墊之局部放大剖面模式圖。
10:基材膜
11:第1面
12:第2面
20:剝離層(矽酮剝離層)
H:厚度方向
X:剝離襯墊

Claims (5)

  1. 一種剝離襯墊，其具備： 基材膜，其具有第1面及與該第1面相反側之第2面；以及 矽酮剝離層，其配置於上述基材膜之上述第1面上；且 上述矽酮剝離層具有100 nm以下之厚度， 上述第1面之最大高度粗糙度Rz相對於上述矽酮剝離層之厚度之比率為1以下。
  2. 如請求項1之剝離襯墊，其中上述第1面之算術平均粗糙度Ra相對於上述矽酮剝離層之厚度之比率為0.1以下。
  3. 一種剝離襯墊，其具備： 基材膜，其具有第1面及與該第1面相反側之第2面；以及 矽酮剝離層，其配置於上述基材膜之上述第1面上；且 上述矽酮剝離層具有100 nm以下之厚度， 上述第1面之算術平均粗糙度Ra相對於上述矽酮剝離層之厚度之比率為0.1以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之剝離襯墊，其中上述基材膜係無填料膜。
  5. 如請求項1至3中任一項之剝離襯墊，其中上述基材膜係環烯烴聚合物膜。
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