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TW202415988A - 光學積層體 - Google Patents

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TW202415988A
TW202415988A TW112131678A TW112131678A TW202415988A TW 202415988 A TW202415988 A TW 202415988A TW 112131678 A TW112131678 A TW 112131678A TW 112131678 A TW112131678 A TW 112131678A TW 202415988 A TW202415988 A TW 202415988A
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TW
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difference component
film
resin
component
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TW112131678A
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Inventor
田中卓哉
伊崎章典
後藤周作
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明課題在於提供一種光學積層體，其在積層方向及斜向上具有優異光學補償性能。 其解決手段為：本發明實施形態之光學積層體，具備：偏光構件；及，複數個相位差構件，其等係配置於偏光構件之視辨側；前述光學積層體在方位角0°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率為0.8以上。

Description

光學積層體
本發明涉及一種光學積層體。
以液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如，有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)為代表之影像顯示裝置正迅速普及。以影像顯示裝置來說，為了實現影像顯示、提高影像顯示之性能，而廣泛使用含偏光構件與相位差構件之光學積層體(例如，參照專利文獻1)。而近年來開發出影像顯示裝置之新用途。作為所述用途之一例，可舉虛擬實境(VR)護目鏡。對VR護目鏡已探討了在各種情形下之利用，期望高精細化。但是，即便將專利文獻1中記載之光學積層體應用於VR護目鏡，在從斜向觀看影像顯示畫面時光學補償性能仍不充分，在高精細化上尚存改善之餘地。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2013-182162號公報
發明欲解決之課題 本發明是為了解決上述現有之課題而完成，其主要目的在於提供一種光學積層體，該光學積層體在積層方向及與積層方向相交之斜向上具有優異光學補償性能。
用以解決課題之手段 [1]本發明實施形態之光學積層體，具備：偏光構件；及，複數個相位差構件，其等係配置於該偏光構件之視辨側；前述光學積層體在方位角0°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率為0.80以上。 [2]如上述[1之光學積層體，其在方位角45°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率亦可為0.80以上。 [3]如上述[1]或[2]之光學積層體，其中上述複數個相位差構件從視辨側起亦可依序包含：具有nz＞nx=ny之折射率的第一相位差構件；作為λ/4構件發揮功能之第二相位差構件；具有nz＞nx≧ny之折射率的第三相位差構件；及，具有nx＞ny≧nz之折射率的第四相位差構件。 [4]如上述[1]或[2]之光學積層體，其中上述複數個相位差構件從視辨側起亦可依序包含：具有nz＞nx=ny之折射率的第一相位差構件；作為λ/4構件發揮功能之第二相位差構件；及，具有nx＞nz＞ny之折射率的第五相位差構件。
發明效果 根據本發明實施形態，可實現一種在積層方向及斜向上具有優異光學補償性能之光學積層體。
以下，針對本發明代表性實施形態進行說明，但本發明不受該等實施形態所限。
(用語及符號的定義) 本說明書中之用語及符號之定義如下。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」是面內折射率達最大之方向(即慢軸方向)的折射率，「ny」是在面內與慢軸正交之方向(即快軸方向)的折射率，「nz」是厚度方向的折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」是在23℃下以波長λnm的光測定的面內相位差。例如，「Re(550)」是在23℃下以波長550nm的光測定的面內相位差。Re(λ)可在令層(薄膜)之厚度為d(nm)時，藉由式：Re(λ)=(nx-ny)×d求出。 (3)厚度方向的相位差(Rth) 「Rth(λ)」是在23℃下以波長λnm的光測定的厚度方向的相位差。例如，「Rth(550)」是在23℃下以波長550nm的光測定的厚度方向的相位差。Rth(λ)可在令層(薄膜)之厚度為d(nm)時，藉由式：Rth(λ)=(nx-nz)×d求出。 (4)Nz係數 Nz係數可藉由Nz=Rth/Re求出。 (5)角度 本說明書中提及角度時，該角度包括相對於基準方向往順時針方向及往逆時針方向兩方向。因此，例如「45°」是指±45°。
A.光學積層體的整體構成 圖1是本發明一實施形態之光學積層體的概略剖面圖；圖2是本發明另一實施形態之光學積層體的概略剖面圖。 圖式例的光學積層體100具備有：包含偏光膜51之偏光構件5；及，複數個相位差構件，其等係配置於偏光構件5之視辨側。在光學積層體100中，在方位角0°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率為0.80以上。在方位角0°時在仰角90°測定之橢圓率宜為0.85以上，較宜為0.88以上，更宜為0.90以上。在方位角0°時在仰角30°下測定之橢圓率宜為0.82以上，較宜為0.84以上，更宜為0.85以上。 在方位角0°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率若為上述下限以上，便可在光學積層體之積層方向及與積層方向相交之斜向上提高光學補償性能。在方位角0°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率的上限代表上為1.00以下，又例如為0.95以下。
本說明書中所謂「方位角」如圖3所示，是指以偏光膜之吸收軸方向為基準，該基準方向與光學積層體之面方向(與積層方向正交之方向)構成之角度θ1。方位角θ1為0°時，面方向與基準方向係實質上平行。 本說明書中所謂「仰角」如圖4所示，是指以光學積層體之面方向為基準，該基準方向及位於與該基準方向同一假想平面上之測定方向構成之角度θ2。測定方向代表上在測定橢圓率時，係連結橢圓率測定裝置(代表上為穆勒矩陣偏光儀)之受光部與光學積層體表面之任意點的方向。當仰角為0°時，測定方向與基準方向係實質上平行，當仰角為90°時，測定方向與積層方向係實質上平行。 本說明書中，「橢圓率」是表示光(偏光)接近圓偏光或接近直線偏光的指標，其是橢圓偏光之短軸半徑b相對於長軸半徑a的比(b/a)。橢圓率為1.0意味著實質上為圓偏光，而橢圓率為0意味著實質上為直線偏光。 橢圓率可藉由例如以下方法計算。 分別將波長450nm、550nm及650nm之光從偏光構件側入射光學積層體，使其等通過複數個相位差構件後射出，並在預定仰角及方位角下測定射出光(橢圓偏光)的長軸半徑a及短軸半徑b，將其等波長不同之光的短軸半徑b/長軸半徑a的平均值作為橢圓率。此外，更詳細而言，橢圓率可依循後述實施例中記載之方法計算。
在一實施形態中，在光學積層體100中，在方位角45°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率為0.8以上。在方位角45°時在仰角90°下測定之橢圓率宜為0.85以上，較宜為0.88以上，更宜為0.90以上。在方位角45°時在仰角30°下測定之橢圓率宜為0.81以上，較宜為0.83以上，更宜為0.84以上。 在方位角45°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率若為上述下限以上，便可穩定提高積層方向及斜向上之光學補償性能。在方位角45°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率的上限代表上為1.00以下，又例如為0.95以下。
如圖1及圖2所示，複數個相位差構件代表上從視辨側起依序包含有具有nz＞nx=ny之折射率的第一相位差構件1與作為λ/4構件發揮功能之第二相位差構件2。根據所述構成，可更穩定提高積層方向及斜向上之光學補償性能。
如圖1所示，在一實施形態中，複數個相位差構件從視辨側起依序包含有：上述第一相位差構件1；上述第二相位差構件2；具有nz＞nx≧ny之折射率的第三相位差構件3；及，具有nx＞ny≧nz之折射率的第四相位差構件4。 又，如圖2所示，複數個相位差構件從視辨側起依序包含有：上述第一相位差構件1；上述第二相位差構件2；及，具有nx＞nz＞ny之折射率的第五相位差構件50。即，複數個相位差構件亦可包含第五相位差構件50來代替第三相位差構件3及第四相位差構件4。此時，偏光構件5具備之偏光膜51之吸收軸方向與第五相位差構件50之慢軸方向構成之角度例如90°±小於1°(即，大於89.0°且小於91.0°)，宜為90°±0.5°以下(即，89.5°以上且90.5°以下)。 根據該等構成，可又更穩定提高積層方向及斜向上之光學補償性能。 此外，在圖1中，相位差構件之數量為4個，在圖2中，相位差構件之數量為3個，但相位差構件之數量不受此限。除了上述相位差構件外，複數個相位差構件還可更包含其他相位差構件。
在一實施形態中，光學積層體100更具備有：基材6，其相對於第一相位差構件1位於與第二相位差構件2相反側；及，光學機能層7，其相對於基材6位於第一相位差構件1之相反側。藉由光學積層體具備光學機能層，可對光學積層體賦予符合光學機能層之光學機能。
在一實施形態中，光學積層體100更具備有第1表面保護薄膜8，其相對於第一相位差構件1位於與第二相位差構件2相反側。圖式例中，第1表面保護薄膜8係相對於基材6位於與第一相位差構件1相反側。
又，光學積層體100亦可更具備有第2表面保護薄膜9。第2表面保護薄膜9係相對於第1表面保護薄膜8位於與第一相位差構件1相反側，且暫時黏著於第1表面保護薄膜8上。
在一實施形態中，光學積層體100更具備有黏著劑層20，其係相對於偏光構件5位於與複數個相差構件相反側(與視辨側相反側)。藉此，光學積層體100可藉由黏著劑層20貼附於影像顯示單元。
又，光學積層體100亦可更具備有剝離襯墊10。剝離襯墊10係相對於黏著劑層20位於與偏光構件5相反側，且暫時貼附於黏著劑層20之表面。剝離襯墊10係暫時貼附於黏著劑層20直至光學積層體貼附於影像顯示單元為止，且在貼附光學積層體時會從黏著劑層20剝離。
光學積層體100代表上從積層方向觀看時為矩形。更具體而言，光學積層體100可為長邊10mm~70mm及短邊10mm~70mm左右之矩形，又可為長邊20mm~40mm及短邊10mm~30mm左右之矩形，更詳細而言可為長邊30mm及短邊20mm左右之矩形。
以下，針對光學積層體之構成要素進行說明。
B.偏光構件 偏光構件5代表上為吸收型偏光構件。偏光構件5具備偏光膜51。偏光構件5亦可更具備保護層。保護層可設於偏光膜之至少一面，亦可設於偏光膜兩面。圖式例中，偏光構件5具備保護層52，其係設於偏光膜51之與視辨側相反側的面上。保護層52代表上係透過任意適當之接著劑層53貼合於偏光膜51上。作為形成接著劑層53之接著劑，代表上可舉紫外線硬化型接著劑。接著劑層53之厚度例如為1.5μm以上，宜為2.0μm以上，又例如為5.0μm以下，宜為3.0μm以下。
B-1.偏光膜 偏光膜51可採用任意適當之吸收型偏光膜。偏光膜51代表上包含含二色性物質之樹脂薄膜。偏光膜51可由單層之樹脂薄膜製作，亦可使用兩層以上之積層體製作。
由單層樹脂薄膜製作時，例如可藉由對聚乙烯醇(PVA)系薄膜、部分縮甲醛化PVA系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜，實施利用碘或二色性染料等二色性物質進行之染色處理、延伸處理等，而獲得吸收型偏光膜。其中，宜為利用碘對PVA系薄膜進行染色並進行單軸延伸所得之吸收型偏光膜。
上述利用碘進行之染色，例如可藉由將PVA系薄膜浸漬於碘水溶液中進行。上述單軸延伸之延伸倍率宜為3~7倍。延伸可在染色處理後進行，亦可邊染色邊進行。又，亦可延伸後再進行染色。視需要對PVA系薄膜實施膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。
作為使用上述兩層以上之積層體製作時的積層體，可列舉以下積層體：樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂薄膜)的積層體；或者樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層的積層體。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層的積層體而得之吸收型偏光膜，例如可藉由以下步驟來製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材並使其乾燥，於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層的積層體；以及，將該積層體延伸及染色而將PVA系樹脂層製成吸收型偏光膜。本實施形態中，宜在樹脂基材之單側形成含鹵化物與聚乙烯醇系樹脂之聚乙烯醇系樹脂層。延伸在代表上包括使積層體浸漬於硼酸水溶液中來延伸。並且視需要，延伸可更包括在硼酸水溶液中進行延伸前將積層體在高溫(例如，95℃以上)下進行空中延伸。並且，在本實施形態中，宜將積層體供於乾燥收縮處理，該乾燥收縮處理係將積層體一邊往長度方向輸送一邊加熱藉此使其於寬度方向收縮2%以上。代表上，本實施形態之製造方法包括對積層體依序實施空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及乾燥收縮處理。藉由導入輔助延伸，即使是在熱塑性樹脂上塗佈PVA之情況下仍可提高PVA之結晶性，而可達成高光學特性。又，藉由同時事先提高PVA之定向性，可在後續之染色步驟或延伸步驟中浸漬於水中時，防止PVA之定向性降低或溶解等問題，而可達成高光學特性。並且，將PVA系樹脂層浸漬於液體中時，與PVA系樹脂層不含鹵化物之情況相比，更可抑制聚乙烯醇分子之定向紊亂及定向性之降低。藉此，可提高經由染色處理及水中延伸處理等將積層體浸漬於液體中來進行之處理步驟而得之吸收型偏光膜的光學特性。並且，透過乾燥收縮處理使積層體在寬度方向收縮，可提高光學特性。所得樹脂基材/吸收型偏光膜之積層體可直接使用(即，可將樹脂基材作為吸收型偏光膜之保護層)，亦可將樹脂基材從樹脂基材/吸收型偏光膜之積層體剝離，並在該剝離面、或在與剝離面相反側的面積層符合目的之任意適當之保護層來使用。所述吸收型偏光膜之製造方法之詳細內容記載於例如日本專利特開2012-73580號公報、日本專利第6470455號中。本說明書中係引用該等公報整體之記載作為參考。
偏光膜之厚度例如為1μm以上且20μm以下，宜為2μm以上且15μm以下，較宜為12μm以下，更宜為10μm以下，特別宜為8μm以下，尤宜為5μm以下。
偏光膜宜在波長380nm~780nm之任一波長下顯示吸收二色性。偏光膜之正交透射率(Tc)例如為0.5%以下，宜為0.1%以下，較宜為0.05%以下。偏光膜之單體透射率(Ts)例如為41.0%~46.0%，宜為42.0%以上。偏光膜之偏光度例如為97.0~99.997%，宜為99.0%以上，較宜為99.9%以上。
B-2.保護層 保護層係以可作為偏光膜之保護層使用之任意適當的薄膜形成。作為成為該薄膜之主成分的材料之具體例，可列舉：聚降𦯉烯系等環烯烴(COP)系、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系等聚酯系、三醋酸纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、聚碳酸酯(PC)系、(甲基)丙烯酸系、聚乙烯醇系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚烯烴系及乙酸酯系等透明樹脂。又，亦可舉(甲基)丙烯酸系、胺甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。此外，「(甲基)丙烯酸系樹脂」是指丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂。其他還可舉例如矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)中記載之聚合物薄膜。作為該薄膜之材料，可使用例如含有在側鏈具有取代或非取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂、及在側鏈具有取代或非取代之苯基以及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組成物，可舉例如具有由異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺構成之交替共聚物及丙烯腈-苯乙烯共聚物的樹脂組成物。該聚合物薄膜例如可為上述樹脂組成物之擠製成形物。樹脂薄膜之材料可單獨使用或組合來使用。
保護層之厚度代表上為5mm以下，宜為1mm以下，較宜為1μm~500μm，更宜為5μm~150μm。
又，亦可在保護層52之與偏光膜51相反側(與視辨側相反側)之表面設有硬塗層54。即，偏光構件5亦可包含有硬塗層54。硬塗層54係直接形成於保護層52之表面。本說明書中，「直接」是指不中介接著層(接著劑層或黏著劑層)。 硬塗層54宜具有充分之表面硬度、優異之機械強度及優異之光透射性。硬塗層54可由任意適當之樹脂形成。硬塗層54代表上係由紫外線硬化型樹脂形成。作為紫外線硬化型樹脂，可舉例如聚酯系、丙烯酸系、胺甲酸酯系、醯胺系、聚矽氧系、環氧系。硬塗層54之厚度例如為0.5μm以上，宜為1μm以上，又例如為20μm以下，宜為15μm以下。
C.第一相位差構件 第一相位差構件1係相對於第二相位差構件2位於與偏光構件5相反側。第一相位差構件1代表上為相位差薄膜。第一相位差構件1代表上係透過任意適當之接著劑層11貼附於第二相位差構件2上。作為形成接著劑層11的接著劑，代表上可舉紫外線硬化型接著劑。接著劑層11之厚度例如為1.5μm以上，宜為2.0μm以上，又例如為5.0μm以下，宜為3.0μm以下。
第一相位差構件1如上述具有nz＞nx=ny之折射率。具有nz＞nx=ny之折射率之層(薄膜)有時稱為「正C板」等。此外，「nx=ny」不僅nx與ny完全相等之情況，還包括實質上相等之情況。第一相位差構件1之面內相位差Re(550)例如可為0nm以上且小於10nm。 第一相位差構件1之厚度方向的相位差Rth(550)代表上小於0nm，宜為-5nm以下，較宜為-50nm以下，又例如為-200nm以上，宜為-150nm以上，較宜為-110nm以上。
第一相位差構件1可由任意適當之材料形成。第一相位差構件1宜由含固定成垂面定向之液晶材料的薄膜構成。可進行垂面定向的液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體亦可為液晶聚合物。作為該液晶化合物及該光學補償層之形成方法的具體例，可舉日本專利特開2002-333642號公報之段落[0020]~[0028]中記載之液晶化合物及該光學補償層之形成方法。此時，第一相位差構件1之厚度例如為10μm以下，宜為8μm以下，較宜為5μm以下，且代表上為0.5μm以上。
D.第二相位差構件 第二相位差構件2在圖1中係位於第一相位差構件1與第三相位差構件3之間，在圖2中係位於第一相位差構件1與第五相位差構件50之間。第二相位差構件2代表上為相位差薄膜。第二相位差構件2代表上係透過任意適當之黏著劑層21貼附於第三相位差構件3或第五相位差構件50上。作為形成黏著劑層21之黏著劑，可舉例如(甲基)丙烯酸系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、橡膠系黏著劑，宜可舉(甲基)丙烯酸系黏著劑。黏著劑層21之厚度例如為3.5μm以上且35μm以下。
第二相位差構件2如上述係作為λ/4構件發揮功能。第二相位差構件2代表上具有nx＞ny≧nz之折射率。此外，在此「ny=nz」不僅ny與nz完全相等之情況，還包括實質上相等之情況。 第二相位差構件2之面內相位差Re(550)代表上為100nm以上且200nm以下，宜為110nm以上且180nm以下，較宜為130nm以上且150nm以下。第二相位差構件2之Nz係數宜為0.9~2.0，較宜為0.9~1.5，更宜為0.9~1.2。
偏光膜51之吸收軸方向與第二相位差構件2之慢軸方向構成之角度代表上為40°以上且50°以下，宜為42°以上且48°以下，較宜為44°以上且46°以下，特別宜為45°。 第二相位差構件2可展現相位差值隨測定光之波長變大的逆色散波長特性，亦可展現相位差值隨測定光之波長變小的正波長色散特性，又可展現相位差值幾乎不隨測定光之波長變化的平坦的波長色散特性。第二相位差構件2宜展現逆色散波長特性。即，第二相位差構件2宜滿足Re(450)＜Re(550)之關係。
作為構成第二相位差構件2之樹脂，可列舉例如聚碳酸酯系樹脂、聚酯碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯縮醛系樹脂、聚芳酯系樹脂、環狀烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂。所述樹脂可單獨使用或組合來使用。構成第二相位差構件2之樹脂宜包含聚碳酸酯系樹脂。
聚碳酸酯系樹脂宜包含選自於由下述通式(1)所示結構單元及/或下述通式(2)所示結構單元所構成群組中之至少一種結構單元。該等結構單元是源自2價寡聚芴之結構單元，以下有時稱為寡聚芴結構單元。所述聚碳酸酯系樹脂等具有正折射率各向異性。 [化學式1] [化學式2] 通式(1)及(2)中，R 1~R 3分別獨立為直接鍵結、取代或非取代之碳數1~4之伸烷基；R 4~R 9分別獨立為氫原子、取代或非取代之碳數1~10之烷基、取代或非取代之碳數4~10之芳基、取代或非取代之碳數1~10之醯基、取代或非取代之碳數1~10之烷氧基、取代或非取代之碳原子數1~10之芳氧基、取代或非取代之胺基、取代或非取代之碳數1~10之乙烯基、取代或非取代之碳數1~10之乙炔基、具有取代基之硫原子、具有取代基之矽原子、鹵原子、硝基或氰基；惟，R 4~R 9可彼此相同亦可互異，且R 4~R 9中鄰接之至少兩個基可彼此鍵結形成環。
聚碳酸酯系樹脂中之寡聚芴結構單元之含有比率例如為1質量%以上，宜為10質量%以上，較宜為15質量%以上，更宜為18質量%以上，又例如40質量%以下，宜為35質量%以下，較宜為30質量%以下，更宜為25質量%以下。寡聚芴結構單元之含有比率若為上述下限以上，便可在第二相位差構件中穩定展現所期望之逆色散波長依存性。寡聚芴結構單元之含有比率若為上述上限以下，便可穩定展現相位差。
聚碳酸酯系樹脂較宜為除了寡聚芴結構單元外還包含下述結構式(3)所示結構單元及/或下述結構式(4)所示結構單元。聚碳酸酯系樹脂若含有下述結構式(3)及/或下述結構式(4)所示結構單元，便可在第二相位差構件2更穩定展現所期望之逆色散波長依存性。 [化學式3] [化學式4] 聚碳酸酯系樹脂中之上述結構式(3)所示結構單元之含有比率例如為5質量%以上，宜為10質量%以上，較宜為20質量%以上，更宜為25質量%以上，又例如為90質量%以下，宜為70質量%以下，較宜為50質量%以下。 聚碳酸酯系樹脂中之上述結構式(4)所示結構單元之含有比率例如為5質量%以上，宜為10質量%以上，較宜為15質量%以上，又例如為90質量%以下，宜為70質量%以下，較宜為50質量%以下。
構成第二相位差構件2之樹脂特別宜為除了聚碳酸酯系樹脂外還包含(甲基)丙烯酸系樹脂。 (甲基)丙烯酸系樹脂代表上包含源自甲基丙烯酸甲酯之結構單元。(甲基)丙烯酸系樹脂中源自甲基丙烯酸甲酯之結構單元之含有比率例如為70質量%以上，宜為80質量%以上，較宜為90質量%以上，更宜為95質量%以上。源自甲基丙烯酸甲酯之結構單元之含有比率若在上述下限以上，便可展現與聚碳酸酯系樹脂之優異相溶性。源自甲基丙烯酸甲酯之結構單元之含有比率代表上為100質量%以下。 (甲基)丙烯酸系樹脂之重量平均分子量Mw例如為10,000以上，宜為30,000以上，較宜為50,000以上，又例如為200,000以下，宜為180,000以下，較宜為150,000以下。此外，上述重量平均分子量是藉由GPC測定之以聚苯乙烯換算之分子量。重量平均分子量Mw若在所述範圍內，便可穩定展現與聚碳酸酯系樹脂之優異相溶性。 構成第二相位差構件2之樹脂中之(甲基)丙烯酸系樹脂之含有比率例如為0質量%以上，宜為0.5質量%以上，較宜為0.6質量%以上，又例如為2.0質量%以下，宜為1.5質量%以下，較宜為1.0質量%以下，更宜為0.9質量%以下，特別宜為0.8質量%以下。(甲基)丙烯酸系樹脂之含有比率若在上述範圍內，便可顯著增大伸張性及相位差展現性，且可抑制霧度。
所述第二相位差構件2代表上係由構成上述第二相位差構件之樹脂形成的高分子薄膜之延伸薄膜，其係藉由將高分子薄膜延伸而調製。 第二相位差構件2之厚度可設定成可獲得所期望之光學特性。第二相位差構件2之厚度例如為10μm以上，宜為15μm以上，較宜為20μm以上，又例如為60μm以下，宜為55μm以下，更宜為50μm以下。
E.第三相位差構件 如圖1所示，第三相位差構件3係位於第二相位差構件2與第四相位差構件4之間。第三相位差構件3代表上係透過任意適當之接著劑層31貼附於第四相位差構件4上。形成接著劑層31之接著劑及接著劑層31之厚度之範圍係與上述接著劑層11相同。
第三相位差構件3如上述具有nz＞nx≧ny之折射率。第三相位差構件3宜具有nz＞nx＞ny之折射率。具有nz＞nx＞ny之折射率之層(薄膜)有時稱為「正B板」等。 第三相位差構件3之面內相位差Re(550)例如為15nm以上，宜為20nm以上，又例如為55nm以下，宜為45nm以下。 第三相位差構件3之厚度方向的相位差Rth(550)代表上為0nm以下，宜為-20nm以下，較宜為-60nm以下，又例如為-250nm以上，宜為-200nm以上，較宜為-150nm以上。
第三相位差構件3具有nz＞nx＞ny之折射率時，第三相位差構件3之慢軸方向與偏光膜51之吸收軸方向構成之角度代表上為80°以上且100°以下，宜為85°以上且95°以下，較宜為88°以上且92°以下，更宜為89°以上且91°以下。又，第三相位差構件3之慢軸方向與偏光膜51之吸收軸方向亦可實質上平行。此時，第三相位差構件3之慢軸方向與偏光膜51之吸收軸方向構成之角度代表上為0°±5°以下，宜為0°±1°以下。
第三相位差構件3可展現逆色散波長特性，可展現正波長色散特性，亦可展現平坦的波長色散特性。第三相位差構件3宜展現逆色散波長特性。即，第三相位差構件3宜滿足Re(450)＜Re(550)的關係。
第三相位差構件3可為任意適當之構成。具體而言，相位差構件可為單獨的相位差構件，亦可為兩片以上相同或不同之相位差構件之積層體。第三相位差構件3宜為單獨的相位差構件(相位差薄膜)。 作為構成第三相位差構件3之樹脂，可舉例如熱塑性樹脂，宜可舉展現負雙折射之聚合物、展現正雙折射之聚合物。所述樹脂可單獨使用或組合來使用。構成第三相位差構件3之樹脂較宜包含展現負雙折射之聚合物。藉由使用展現負雙折射之聚合物，可簡便獲得具有nz＞nx＞ny之折射率橢圓體且慢軸方向之均一性優異的相位差構件。在此，「展現負雙折射」是指在藉由延伸等使聚合物定向時，其延伸方向之折射率相對變小。換言之，係指與延伸方向正交之方向的折射率變大。作為展現負雙折射之聚合物可舉例如側鏈導入有芳香環或羰基等極化各向異性大的化學鍵或官能基之聚合物。具體上可舉丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、延胡索酸酯系樹脂，宜可舉苯乙烯系樹脂及延胡索酸酯系樹脂。 作為構成第三相位差構件3之苯乙烯系樹脂宜可舉苯乙烯-馬來酸酐共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、苯乙烯-馬來醯亞胺共聚物、乙烯酯-馬來醯亞胺共聚物、烯烴-馬來醯亞胺共聚物。 作為構成第三相位差構件3之延胡索酸酯系樹脂宜可舉延胡索酸酯-(甲基)丙烯酸酯共聚物。 該等可單獨使用或組合兩種以上來使用。
又，作為上述展現負雙折射之聚合物亦可使用具有下述通式(I)所示重複單元之聚合物。所述聚合物可展現更高之負雙折射，且耐熱性、機械強度優異。所述聚合物可藉由例如使用導入有至少在鄰位具有取代基之苯基作為起始原料之馬來醯亞胺系單體的N取代基之N-苯基取代馬來醯亞胺而得。 [化學式5] 上述通式(I)中，R 1~R 5分別獨立表示氫、鹵原子、非羧酸、羧酸酯、羥基、硝基或是碳數1~8之直鏈或支鏈烷基或烷氧基(惟，R 1及R 5非同時為氫原子)，R 6及R 7表示氫或碳數1~8之直鏈或支鏈烷基或烷氧基，n表示2以上之整數。
所述第三相位差構件3代表上係由構成上述第三相位差構件3之樹脂形成的高分子薄膜之延伸薄膜，其係藉由在任意適當之延伸條件下將高分子薄膜延伸而調製。 第三相位差構件3之厚度可設定成可獲得所期望之光學特性。第三相位差構件3之厚度例如為5μm以上，宜為10μm以上，較宜為20μm以上，又例如為70μm以下，宜為60μm以下，更宜為40μm以下。
F.第四相位差構件4 第四相位差構件4代表上係透過任意適當之接著劑層41貼合於偏光膜51上。形成接著劑層41之接著劑及接著劑層41之厚度之範圍係與上述接著劑層11相同。第四相位差構件4代表上為相位差薄膜。
第四相位差構件4如上述顯示nx＞ny≧nz之折射率。具有nx＞ny＞nz之折射率之層(薄膜)有時稱為「負B板」等。具有nx＞ny=nz之折射率之層(薄膜)有時稱為「正A板」等。此外，「ny=nz」不僅ny與nz完全相等之情況，還包括實質上相等之情況。第四相位差構件4宜顯示nx＞ny＞nz之折射率。 第四相位差構件4之面內相位差Re(550)例如為70nm以上，宜為90nm以上，又例如為140nm以下，宜為130nm以下。 第四相位差構件4之厚度方向的相位差Rth(550)例如為40nm以上，宜為60nm以上，又例如為120nm以下，宜為100nm以下。
第四相位差構件4之慢軸方向與偏光膜51之吸收軸方向構成之角度代表上為80°以上且100°以下，宜為85°以上且95°以下，較宜為88°以上且92°以下，更宜為89°以上且91°以下。又，第四相位差構件4之慢軸方向與偏光膜51之吸收軸方向亦可實質上平行。此時，第四相位差構件4之慢軸方向與偏光膜51之吸收軸方向構成之角度代表上為0°±5°以下，宜為0°±1°以下。 第三相位差構件3之慢軸方向與第四相位差構件4之慢軸方向宜實質上平行。此時，第三相位差構件3之慢軸方向與第四相位差構件4之慢軸方向構成之角度代表上為0°±5°以下，宜為0°±1°以下。
第四相位差構件4可展現逆色散波長特性，可展現正波長色散特性，亦可展現平坦的波長色散特性。第四相位差構件4宜展現平坦的波長色散特性。
作為構成第四相位差構件4之樹脂，可舉例如降𦯉烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚碸系樹脂。所述樹脂可單獨使用或組合來使用。構成第四相位差構件4之樹脂宜包含降𦯉烯系樹脂及/或纖維素系樹脂。
所述第四相位差構件4代表上係由構成上述第四相位差構件4之樹脂形成的高分子薄膜之延伸薄膜，其係藉由在任意適當之延伸條件下將高分子薄膜延伸而調製。 第四相位差構件4之厚度可設定成可獲得所期望之光學特性。第四相位差構件4之厚度例如為10μm以上，宜為20μm以上，較宜為60μm以上，又例如為100μm以下，宜為90μm以下，更宜為80μm以下。
G.第五相位差構件 如圖2所示，第五相位差構件50代表上係透過任意適當之接著劑層41貼合於偏光膜51上。
第五相位差構件50如上述具有nx＞nz＞ny之折射率。具有nx＞nz＞ny之折射率之層(薄膜)有時稱為「Z薄膜」等。 第五相位差構件50的面內相位差Re(550)代表上為210nm以上且360nm以下、宜為250nm以上且290nm以下。 第五相位差構件50的Nz係數代表上為0.1以上且1.0以下，宜為0.3以上且0.7以下。
第五相位差構件50可展現逆色散波長特性，可展現正波長色散特性，亦可展現平坦的波長色散特性。第五相位差構件50宜展現平坦的波長色散特性。
第五相位差構件50代表上係以可實現上述特性之任意適當之樹脂構成的相位差薄膜。作為構成第五相位差構件50之樹脂可列舉例如：聚芳酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚酯系樹脂、聚芳基醚酮系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚酯醯亞胺系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚延胡索酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碸系樹脂、環烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂及聚胺甲酸酯系樹脂。所述樹脂可單獨使用或組合來使用。 作為構成第五相位差構件50之樹脂宜可舉環烯烴系樹脂，較宜可舉降𦯉烯系樹脂。作為降𦯉烯系樹脂，具體上可舉日本專利特開2006-208925號公報中所記載之「已對降𦯉烯系單體之開環聚合物加氫的環烯烴系樹脂」。
第五相位差構件50可藉由例如於以上述樹脂為主成分之高分子薄膜兩面貼合高收縮性薄膜(例如，聚丙烯薄膜)後，利用輥延伸機以縱向單軸延伸法進行加熱延伸來製作。高收縮性薄膜係用以於加熱延伸時賦予與延伸方向正交之方向的收縮力，並可提高第五相位差構件50之厚度方向的折射率(nz)。作為於上述高分子薄膜兩面貼合高收縮性薄膜之方法無特別限制，可舉於上述高分子薄膜與上述高收縮性薄膜之間設置以丙烯酸系聚合物為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑層來接著之方法。 第五相位差構件50之厚度代表上為20μm以上，宜為30μm以上，較宜為40μm以上，且代表上為200μm以下，宜為150μm以下。
H.基材 基材6是用以形成光學機能層7之機能層形成用基材，其係相對於第一相位差構件1位於與第二相位差構件2相反側(視辨側)。基材6代表上係透過任意適當之黏著劑層61貼附於第一相位差構件1上。形成黏著劑層61之黏著劑及黏著劑層61之厚度之範圍係與上述黏著劑層21相同。
基材6係以任意適當之樹脂薄膜形成。作為構成樹脂薄膜的樹脂可列舉例如：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯系樹脂、降𦯉烯系樹脂等環烯烴系樹脂、環烯烴(例如，降𦯉烯)與α-烯烴(例如，乙烯)加成聚合而得的樹脂(COC)、三醋酸纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂。所述樹脂可單獨使用或組合來使用。構成基材6之樹脂宜包含(甲基)丙烯酸系樹脂，較宜包含具有戊二醯亞胺結構之(甲基)丙烯酸系樹脂。
基材6之厚度可視目的適當設定。基材6之厚度例如為20μm以上，宜為50μm以上，較宜為70μm以上，又例如為200μm以下，宜為150μm以下，較宜為90μm以下。
I.光學機能層 光學機能層7代表上係直接形成於基材6之與第一相位差構件1相反側的表面(視辨側的表面)。作為光學機能層7可舉例如硬塗層、抗反射層、抗黏層、防眩層。圖式例中，光學機能層7為抗反射層7a。
防反射層7a係為了防止外光(例如，螢光燈)等反射而設置。 作為抗反射層7a，可採用任意適當之構成。作為抗反射層7a之代表性構成，可舉：(1)光學膜厚為120nm~140nm且折射率為1.35~1.55左右之低折射率層的單一層；(2)從基材6起依序具有中折射率層、高折射率層及低折射率層之積層體；(3)高折射率層與低折射率層之交替多層積層體。
作為可形成低折射率層之材料，可舉例如氧化矽(SiO 2)、氟化镁(MgF 2)。低折射率層之折射率代表上為1.35~1.55左右。作為可形成高折射率層之材料，可舉例如氧化鈦(TiO 2)、氧化鈮(Nb 2O 3或Nb 2O 5)、錫摻雜氧化銦(ITO)、銻摻雜氧化錫(ATO)、ZrO 2-TiO 2。高折射率層之折射率代表上為1.60~2.20左右。作為可形成中折射率層之材料，可舉例如氧化鈦(TiO 2)、可形成低折射率層之材料與可形成高折射率層之材料的混合物(例如，氧化鈦與氧化矽之混合物)。中折射率層之折射率代表上為1.50~1.85左右。低折射率層、中折射率層及高折射率層之厚度可設定成可實現符合抗反射層之層結構、所期望之抗反射性能等適當之光學膜厚。
抗反射層7a之厚度例如為20nm~300nm左右。 抗反射層7a在波長400nm~700nm之範圍內的最大反射率與最小反射率之差宜為2.0%以下，較宜為1.9%以下，更宜為1.8%以下。最大反射率與最小反射率之差若在所述範圍內，便可良好地防止反射光之著色。
J.第1表面保護薄膜 圖式例中，第1表面保護薄膜8係相對於基材6位於與第一相位差構件1相反側(視辨側)，其係藉由接著層82貼附於光學機能層7(更具體而言為抗反射層7a)上。第1表面保護薄膜8可為在光學積層體之輸送步驟中暫時黏著且在使用光學積層體前被剝離(被用作製程材)者，亦可為保持著貼附於光學積層體表面之狀態而直接使用(以永久接著為目的)者。 第1表面保護薄膜8具備薄膜基材81與積層於薄膜基材81上之接著層82。
K.第2表面保護薄膜 第2表面保護薄膜9是在光學積層體之輸送步驟中暫時黏著、且在光學積層體之異物檢查前從第1表面保護薄膜8剝離之製程材。第2表面保護薄膜9係貼附於第1表面保護薄膜8之薄膜基材81上。
L.黏著劑層 圖式例中，黏著劑層20係相對於保護層52位於偏光膜51之相反側，且積層於硬塗層54上。形成黏著劑層20之黏著劑係與上述黏著劑層21相同。 黏著劑層20之厚度代表上為1μm以上，宜為5μm以上，較宜為12μm以上，且代表上60μm以下，宜為30μm以下，較宜為23μm以下。
M.剝離襯墊 剝離襯墊10係以任意適當之樹脂薄膜形成。作為成為該樹脂薄膜之主成分的材料之具體例，可舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯。樹脂薄膜之材料可單獨使用或組合來使用。剝離襯墊10可透明亦可不透明。
剝離襯墊10之與黏著劑層20之接觸面上亦可設置脫模處理層。作為形成脫模處理層之脫模處理劑，可舉例如聚矽氧系脫模處理劑、氟系脫模處理劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑。脫模處理劑可單獨使用或組合來使用。脫模處理層之厚度代表上為50nm以上且400nm以下。 剝離襯10之厚度代表上為5μm以上，宜為20μm以上，且代表上為60μm以下，宜為45μm以下。此外，在施加了脫模處理層的情況下，剝離襯墊之厚度是包含脫模處理層之厚度在內的厚度。
N.影像顯示裝置 上述A項~M項所記載之光學積層體可應用於影像顯示裝置。更詳細而言，係將第2表面保護薄膜9從第1表面保護薄膜8剝離，並在將剝離襯墊10從黏著劑層20剝離後，藉由黏著劑層20將該光學積層體貼附於影像顯示元件(影像顯示單元)上，而應用於影像顯示裝置。因此，本發明一實施形態還包括使用了所述光學積層體之影像顯示裝置。作為影像顯示裝置之代表例，可舉液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置。本發明實施形態之影像顯示裝置代表上於其視辨側具備上述A項~M項所記載之光學積層體。影像顯示裝置包含影像顯示面板。影像顯示面板包含影像顯示元件(影像顯示單元)。此外，有時會將影像顯示裝置稱為光學顯示裝置，有時會將影像顯示面板稱為光學顯示面板，且有時會將影像顯示單元稱為光學顯示單元。 在一實施形態中，光學積層體係以使其積層方向實質上與影像顯示面板之厚度方向平行之方式應用於影像顯示裝置。藉此，可對影像顯示裝置穩定賦予正面方向及與正面方向相交之斜向上之優異光學補償性能。
在一實施形態中，光學積層體可適宜應用於VR護目鏡等小型顯示系統。顯示系統具備有：影像顯示元件(以下稱為顯示元件)、反射部、第一透鏡部、半反射鏡及第二透鏡部。有時會將從半反射鏡起往前方配置之構成要素(在圖式例中為半反射鏡、第一透鏡部及第二透鏡部)統稱為透鏡部。
顯示元件例如為液晶顯示器或有機EL顯示器，其具有用以顯示影像之顯示面。反射部係配置於屬於顯示元件之顯示面側的前方。第一透鏡部係配置於顯示元件與反射部之間的光路上。半反射鏡係配置於顯示元件與第一透鏡部之間。半反射鏡係與第一透鏡部一體地設置。第二透鏡部係相對於反射部配置於與第一透鏡部相反側。 於所述顯示系统中應用光學積層體時，光學積層體係配置於顯示元件與半反射鏡部之間的光路上。光學積層體的積層方向宜實質上和與顯示元件之顯示面正交之方向平行。根據所述構成，可對VR護目鏡等顯示系统穩定賦予正面方向及斜向上之優異光學補償性能。 從顯示元件射出之光通過光學積層體後，透過半反射鏡而到達反射部。反射部係將該光朝半反射鏡反射。半反射鏡係將來自反射部之反射光再次朝反射部反射。然後，光依序通過反射部及第二透鏡部後入射使用者之眼睛。
實施例 以下，藉由實施例來具體說明本發明，惟本發明不受該等實施例所限。各特性之測定方法如以下所述。
(1)相位差值之測定 針對實施例及比較例所用之第一相位差構件~第五相位差構件各自之相位差，使用王子計測製KOBRA-WPR進行了自動測量。測定波長為550nm，測定溫度為23℃。 (2)橢圓率之測定 使用高速、高精度穆勒矩陣偏光儀(Axometrics公司製，AxoScan)測定實施例及比較例中所得之光學積層體之橢圓率。更詳細而言，係將光學積層體設置於上述偏光儀，在23℃下從偏光構件側入射波長450nm、550nm、650nm之光，並從第一相位差構件側射出光，測定在表1所示方位角及仰角下之射出光的短軸半徑b/長軸半徑a，並將上述三種波長之光的短軸半徑b/長軸半徑a的平均值作為橢圓率列示於表1。
[偏光構件之製作] ＜製造例1＞ 作為熱塑性樹脂基材，係使用了長條狀且Tg為約75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度：100μm)，並對樹脂基材之單面實施了電暈處理。 在以9:1混合聚乙烯醇(聚合度4200，皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改質PVA(日本合成化學工業公司製，商品名「GOHSEFIMER」)而成之PVA系樹脂100質量份中添加碘化鉀13質量份，並將所得者溶於水中而調製了PVA水溶液(塗佈液)。 於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液並在60℃下乾燥，藉此形成厚度13μm之PVA系樹脂層，而製作了積層體。 將所得積層體於130℃之烘箱內往縱向(長邊方向)進行單軸延伸至2.4倍(空中輔助延伸處理)。 接著，使積層體浸漬於液溫40℃的不溶解浴(相對於水100質量份摻混硼酸4質量份而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(不溶解處理)。 接著，於液溫30℃之染色浴(相對於水100質量份，以1:7的重量比摻混碘與碘化鉀而得之碘水溶液)中，一邊調整濃度一邊使其浸漬於其中60秒鐘，以使最終所得偏光膜之單體透射率(Ts)成為所期望之值(染色處理)。 接著，使其浸漬於液溫40℃的交聯浴(相對於水100質量份摻混碘化鉀3質量份並摻混硼酸5質量份而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(交聯處理)。 然後，一邊使積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4重量%、碘化鉀濃度5重量%)中，一邊在圓周速度不同之輥間往縱向(長邊方向)進行了單軸延伸以使總延伸倍率達5.5倍(水中延伸處理)。 然後，使積層體浸漬於液溫20℃的洗淨浴(相對於水100質量份摻混碘化鉀4質量份而得之水溶液)中(洗淨處理)。 然後，一邊在保持於約90℃之烘箱中乾燥，一邊使其接觸表面溫度保持於約75℃之SUS製加熱輥(乾燥收縮處理)。 依上述方式，於樹脂基材上形成厚度約5μm之偏光膜，而獲得了具有樹脂基材/偏光膜之構成的積層體。 透過紫外線硬化型接著劑層，於所得積層體之偏光膜表面(與樹脂基材為相反側的面)貼合設有硬塗層之纖維素系樹脂薄膜(厚度：32μm)作為保護層。接下來，將樹脂基材剝離，而獲得了具有保護層/偏光膜之構成的偏光構件。
[具有nz＞nx=ny之折射率的第一相位差構件(正C板)之製作] ＜製造例2＞ 將下述化學式(II)(式中之數字65及35表示單體單元之莫耳%，權宜上以嵌段聚合物表示：重量平均分子量5000)所示側鏈型液晶聚合物20質量份、展現向列液晶相之聚合性液晶(BASF公司製：商品名PaliocolorLC242)80質量份及光聚合引發劑(Ciba Specialty Chemicals公司製：商品名IRGACURE 907)5質量份溶解於環戊酮200質量份，而調製了液晶塗敷液。 [化學式6] 然後，利用棒塗機將該塗敷液塗敷於基材薄膜(降𦯉烯系樹脂薄膜：日本ZEON公司製，商品名「ZEONEX」)後，在80℃下加熱乾燥4分鐘，藉此使液晶定向。對該液晶層照射紫外線使液晶層硬化，藉此於基材上形成了厚度4μm之第一相位差構件(第一相位差薄膜)。 依上述方式獲得之第一相位差構件具有nz＞nx=ny之折射率。將第一相位差構件(正C板)之厚度方向的相位差Rth(550)列示於表1。
[作為λ/4板發揮功能之第二相位差構件之製作] ＜製造例3＞ 於由2台具備有攪拌葉片及控制成100℃之回流冷卻器的直立式反應器構成之批次聚合裝置中，饋入雙[9-(2-苯氧基羰基乙基)芴-9-基]甲烷29.60質量份(0.046mol)、異山梨醇(ISB)29.21質量份(0.200mol)、螺甘油(SPG)42.28質量份(0.139mol)、碳酸二苯酯(DPC)63.77質量份(0.298mol)及作為觸媒的乙酸鈣一水合物1.19×10 -2質量份(6.78×10 -5mol)。將反應器內進行減壓氮置換後，利用熱介質加溫，並於內溫達100℃之時間點開始攪拌。於升溫開始40分鐘後使內溫達到220℃，在控制保持該溫度的同時開始減壓，在達到220℃後以90分鐘使其成為13.3kPa。將與聚合反應一同副生成之苯酚蒸氣導入100℃之回流冷卻器，使苯酚蒸氣中所含些許量之單體成分返回反應器，並將未凝聚之苯酚蒸氣導入45℃的凝聚器中回收。將氮導入第1反應器中而暫時恢復至大氣壓後，將第1反應器內之經寡聚化的反應液移至第2反應器。接著，開始進行第2反應器內的升溫及減壓，並以50分鐘使內溫成為240℃、壓力成為0.2kPa。然後，進行聚合至達到預定之攪拌動力。在達到預定功率之時間點將氮導入反應器中使壓力恢復，並將所生成之聚酯碳酸酯系樹脂擠出至水中，裁切束狀物而獲得了丸粒。 將所得聚酯碳酸酯系樹脂(丸粒)在80℃下真空乾燥5小時後，使用具備單軸擠製機(東芝機械公司製，缸筒設定溫度：250℃)、T型模(寬度200mm，設定溫度：250℃)、冷卻輥(設定溫度：120~130℃)及捲取機之製膜裝置，在延伸溫度150℃下往輥的寬度方向延伸，而獲得表1中記載之厚度47μm的第二相位差構件(第二相位差薄膜)。 依上述方式獲得之第二相位差構件的Re(550)為147nm，可作為λ/4構件發揮功能。
[具有nz＞nx＞ny之折射率的第三相位差構件(正B板)之製作] ＜製造例4＞ 加入羥丙基甲基纖維素(信越化學公司製，商品名Metolose 60SH-50)48質量份、蒸餾水15601質量份、延胡索酸二異丙酯8161質量份、丙烯酸3-乙-3-氧雜環丁烷基甲酯240質量份及作為聚合引發劑之過氧化三甲基乙酸三級丁酯45質量份，進行氮起泡1小時後，一邊攪拌一邊在49℃下保持24小時，藉此進行了自由基懸浮聚合。接著，冷卻至室溫，將包含所生成之聚合物粒子的懸浮液進行了離心分離。將所得聚合物用蒸餾水洗淨2次並用甲醇洗淨2次後，進行了減壓乾燥。 將所得延胡索酸酯系樹脂溶解於甲苯、甲基乙基酮混合溶液(甲苯/甲基乙基酮50質量%/50質量%)中，製成了20質量%溶液。並且，相對於延胡索酸酯系樹脂100質量份添加偏苯三甲酸三丁酯5質量份作為塑化劑，而調製了摻雜物。 作為支持體薄膜，係使用了聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯/間苯二甲酸乙二酯共聚物)之雙軸延伸薄膜(厚75μm，寬1350mm)，將調整出之摻雜物製膜成任意厚度並使其加熱乾燥。 將上述積層體安裝於延伸裝置之釋出部，一邊釋出積層體並輸送至下游側，一邊調整延伸倍率及延伸溫度以成為表1所示之相位差值，在延伸爐內進行了自由端單軸延伸。將支持體從延伸後之積層體剝離，而獲得了第三相位差構件(第三相位差薄膜)。 依上述方式獲得之第三相位差構件(第三相位差薄膜)具有nz＞nx＞ny之折射率。將第三相位差構件之面內相位差Re(550)及厚度方向之相位差Rth(550)列示於表1。 ＜製造例5~9＞ 除了變更了延伸倍率以成為表1所示之相位差值外，依與製造例4相同方式而獲得表1記載之厚度5μm之第三相位差構件(第三相位差薄膜)。
[具有nx＞ny＞nz之折射率的第四相位差構件(負B板)之製作] ＜製造例10＞ 調整延伸倍率及乾燥溫度以成為表1所示之相位差值，將長條降𦯉烯系樹脂薄膜(日本ZEON公司製，商品名Zeonor，厚度40μm，光彈性係數3.10×10 -12m 2/N)進行固定端橫向延伸，藉此製作了厚度18μm之第四相位差構件(第四相位差薄膜)。 依上述方式獲到之第四相位差構件具有nx＞ny＞nz之折射率。將第四相位差構件之面內相位差Re(550)及厚度方向之相位差Rth(550)列示於表1。 ＜製造例11＞ 除了變更延伸倍率及乾燥溫度以成為表1所示之相位差值外，依與製造例10相同方式而獲得了表1中記載之第四相位差構件。
[具有nx＞nz＞ny之折射率的第五相位差構件(Z薄膜)之製作] ＜製造例12＞ 透過丙烯酸系黏著劑層(厚度20μm)，將厚度60μm之收縮性薄膜(Toray公司製，Torayfan BO2873)貼合於厚度130μm之降𦯉烯系樹脂薄膜(Optes公司製，Zeonor ZF-14-100)之單側。然後，在146℃之空氣循環式烘箱內延伸成1.3倍，藉此獲得於收縮性薄膜上形成有第五相位差構件(第五相位差薄膜)之積層體。接下來，將第五相位差構件從收縮性薄膜剝離。 依上述方式獲得之第五相位差構件具有nx＞nz＞ny之折射率。將第五相位差構件之面內相位差Re(550)及Nz係數列示於表1。
＜＜實施例1~7＞＞ 如表1所示依序積層：製造例2之第一相位差構件、製造例3之第二相位差構件、製造例4至9中任一第三相位差構件、製造例10或11之第四相位差構件及製造例1之偏光構件(偏光膜/保護層)。積層係以使偏光件之吸收軸方向與相位差構件(第一相位差構件~第四相位差構件各自)之慢軸方向構成之角度成為表1之值之方式來進行。又，第一相位差構件與第二相位差構件係藉由紫外線硬化型接著劑層(厚度1μm)貼合。第二相位差構件與第三相位差構件係藉由(甲基)丙烯酸系黏著劑層(厚度23μm)貼合。第三相位差構件與第四相位差構件係藉由紫外線硬化型接著劑層(厚度1μm)貼合。第四相位差構件與偏光構件(具體而言為偏光膜)係藉由紫外線硬化型接著劑層(厚度1μm)貼合。 藉此製作了光學積層體。將所得光學積層體供於上述橢圓率之測定。
＜＜實施例8＞＞ 如表1所示依序積層：製造例2之第一相位差構件、製造例3之第二相位差構件、製造例12之第五相位差構件及製造例1之偏光構件(偏光膜/保護層)。積層係以使偏光件之吸收軸方向與相位差構件(第一相位差構件、第二相位差構件及第五相位差構件各自)之慢軸方向構成之角度成為表1之值之方式來進行。又，第一相位差構件與第二相位差構件係藉由紫外線硬化型接著劑層(厚度1μm)貼合。第二相位差構件與第五相位差構件係藉由(甲基)丙烯酸系黏著劑層(厚度23μm)貼合。第五相位差構件與偏光構件(具體而言為偏光膜)係藉由紫外線硬化型接著劑層(厚度1μm)貼合。 藉此製作了光學積層體。將所得光學積層體供於上述橢圓率之測定。
＜＜實施例9＞＞ 如表1所示依序積層：製造例2之第一相位差構件、製造例3之第二相位差構件及製造例1之偏光構件(偏光膜/保護層)。積層係以使偏光件之吸收軸方向與相位差構件(第一相位差構件或第二相位差構件)之慢軸方向構成之角度成為表1之值之方式來進行。又，第一相位差構件與第二相位差構件係藉由紫外線硬化型接著劑層(厚度1μm)貼合。第二相位差構件與偏光構件(具體而言為偏光膜)係藉由紫外線硬化型接著劑層(厚度1μm)貼合。 藉此製作了光學積層體。將所得光學積層體供於上述橢圓率之測定。
＜＜比較例1＞＞ 如表1所示依序積層：製造例3之第二相位差構件及製造例1之偏光構件(偏光膜/保護層)。積層係以使偏光件之吸收軸方向與第二相位差構件之慢軸方向構成之角度成為表1之值之方式來進行。又，第二相位差構件與偏光構件(具體而言為偏光膜)係藉由紫外線硬化型接著劑層(厚度1μm)貼合。 藉此製作了光學積層體。將所得光學積層體供於上述橢圓率之測定。
＜＜比較例2~5＞＞ 除了進行變更以使偏光件之吸收軸方向與第五相位差構件之慢軸方向構成之角度成為表1之值外，依與實施例8相同方式而製作了光學積層體。將所得光學積層體供於上述橢圓率之測定。
[表1]
本發明不受上述實施形態所限，可進行各種變形。例如，可以實質上與上述實施形態所示構成相同之構成、可發揮相同作用效果之構成或可達成相同目的之構成進行置換。
產業上之可利用性 本發明光學積層體可用於影像顯示裝置(代表上為液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置)，尤其可適宜用於非常小型影像顯示裝置(例如，VR護目鏡)。
100:光學積層體 10:剝離襯墊 1:第一相位差構件 11:接著劑層 2:第二相位差構件 20:黏著劑層 21:黏著劑層 3:第三相位差構件 31:接著劑層 4:第四相位差構件 41:接著劑層 5:偏光構件 51:偏光膜 52:保護層 53:接著劑層 54:硬塗層 6:基材 61:黏著劑層 7:光學機能層 7a:抗反射層 8:第1表面保護薄膜 81:薄膜基材 82:接著層 9:第2表面保護薄膜 θ1:方位角 θ2:仰角
圖1係本發明一實施形態之光學積層體的概略剖面圖。 圖2係本發明另一實施形態之光學積層體的概略剖面圖。 圖3係概略俯視圖，用以說明圖1之光學積層體中之方位角。 圖4係概略側視圖，用以說明圖1之光學積層體中之仰角。
100:光學積層體
10:剝離襯墊
1:第一相位差構件
11:接著劑層
2:第二相位差構件
20:黏著劑層
21:黏著劑層
3:第三相位差構件
31:接著劑層
4:第四相位差構件
41:接著劑層
5:偏光構件
51:偏光膜
52:保護層
53:接著劑層
54:硬塗層
6:基材
61:黏著劑層
7:光學機能層
7a:抗反射層
8:第1表面保護薄膜
81:薄膜基材
82:接著層
9:第2表面保護薄膜

Claims (4)

  1. 一種光學積層體，具備： 偏光構件；及 複數個相位差構件，其等係配置於前述偏光構件之視辨側； 前述光學積層體在方位角0°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率為0.80以上。
  2. 如請求項1之光學積層體，其在方位角45°時分別在仰角90°及仰角30°下測定之橢圓率為0.80以上。
  3. 如請求項1或2之光學積層體，其中前述複數個相位差構件從視辨側起依序具備： 具有nz＞nx=ny之折射率的第一相位差構件； 作為λ/4構件發揮功能之第二相位差構件； 具有nz＞nx≧ny之折射率的第三相位差構件；及 具有nx＞ny≧nz之折射率的第四相位差構件。
  4. 如請求項1或2之光學積層體，其中前述複數個相位差構件從視辨側起依序具備： 具有nz＞nx=ny之折射率的第一相位差構件； 作為λ/4構件發揮功能之第二相位差構件；及 具有nx＞nz＞ny之折射率的第五相位差構件； 前述偏光構件之吸收軸方向與前述第五相位差構件之慢軸方向構成之角度為90°±小於1°。
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