TW202232245A - 包含加熱裝置與極化器的投影曝光設備 - Google Patents

Abstract

本發明關於用於半導體微影的投影曝光設備(1)，其包含用以藉由加熱輻射(31)加熱投影曝光設備(1)的光學元件(29)的一加熱裝置(25)以及包含用以將加熱輻射(31)分為至少兩個不同極化的加熱束部分(33、34)的一極化器(37)。在此處，存在至少一極化調節器(39)，其用於改變不同極化的加熱束部分(33、34)的其中至少一者的極化。

Description

包含加熱裝置與極化器的投影曝光設備

本發明關於一種用於半導體微影的投影曝光設備，其包含用以藉由加熱輻射來加熱投影曝光設備的光學元件的加熱裝置。 [相關專利參照]

本發明主張德國專利申請案DE 10 2020213416.2的優先權，其內容通過引用全部併入本文。

用於半導體微影的投影曝光設備在成像質量方面表現出顯著依賴於溫度的行為。例如底座和支架或外殼部件、以及光學元件本身(例如透鏡、或在EUV微影的情況下為反射鏡)這兩種不直接參與光學成像的元件在加熱或冷卻時會改變其範圍或其表面形狀，這對系統在半導體基板(所謂的晶圓)上所進行的微影遮罩(例如相位遮罩，所謂的光罩)的成像質量有直接影響。

在這種情況下，設備的各個組件在操作期間的加熱可追溯到吸收一些輻射，這些輻射用於將光罩成像到晶圓上並在下文中稱作使用輻射。特別是在沒有使用輻射的相對較長的階段之後，例如由於維護工作以及由於光罩更換，加熱對成像質量的影響是顯而易見的，直到形成恆定的溫度分佈。正是由於這個原因，在使用輻射被激活之前以及在曝光中斷期間，藉由額外的加熱裝置以針對性的方式加熱光學元件(即EUV系統中的反射鏡)。

因此，申請人的德國專利申請案DE 102012216284 A1揭露了這種加熱裝置。由雷射提供的熱輻射由實現為繞射光學元件的偏轉元件進行成形和偏轉，使得以期望的強度分佈來撞擊反射鏡表面。由於吸收了熱輻射，反射鏡被加熱且可形成實際上對應於由使用輻射所引起的溫度分佈的一溫度分佈。所揭露的加熱裝置的一個缺點是大部分的非極化加熱輻射沒有被反射鏡吸收而是被反射，首先降低了加熱裝置的效率，其次通過反射輻射加熱了投影曝光設備的其他部分，因此成像品質可能同樣受到限制。

本發明的目的是提供一種消除現有技術的缺點的裝置。

此目的藉由具有獨立請求項1的特徵的裝置來實現。附屬請求項係關於本發明的有利發展和變體。

根據本發明的用於半導體微影的投影曝光設備包含用於藉由加熱輻射來加熱投影曝光設備的光學元件的加熱裝置，且包含用於將加熱輻射分成至少兩個不同極化的加熱束部分的極化器。根據本發明，存在至少一個極化調節器，用於調整不同極化的加熱束部分中的至少一者的極化。

因此，可提供相對於待加熱的光學元件為平行極化的加熱輻射，其原則上在選擇合適入射角的情況下可完全進入光學元件。

特別地，極化調節器可設置以使至少一加熱束部分的極化與至少另一加熱束部分的極化相匹配。

結果，在加熱裝置的一部分上所提供的大部分的熱輻射可有效地用於加熱光學元件，因為這使得可將大部分所產生的熱輻射帶進極化態，從而允許在待加熱的光學元件中實現最大吸收。此外，通過此措施減少了熱輻射在光學元件處的反射，因此不會出現上述熱輻射的干擾影響。

舉例來說，極化器可為極化分束器立方體。

此外，可存在至少一偏轉元件，以偏轉離開極化分束器立方體的加熱束部分。在此上下文中並且在本發明的有利變型中，偏轉元件和極化分束器立方體可實施為一共同的組件部分。

特別地，極化調解器可為半波板。

此外，可存在至少一個偏轉元件，例如用於成形至少一加熱束部分的繞射元件。

偏轉元件可配置在極化調節器上游或下游的射束路徑中。

特別地，藉由熱輻射部分在布魯斯特角(Brewster angle)區域中撞擊待加熱光學元件的表面，可獲得熱輻射的特別高的吸收。

參照圖1，下文首先將以示例的方式描述微影投影曝光設備1的主要組件。對投影曝光設備1及其組件的基本結構的描述在此不應理解為限制。

投影曝光設備1的照明系統2除了輻射源3之外還具有照明光學單元4，其用於照明物體平面6中的物場5。在此處，配置在物場5中的光罩7被曝光。光罩7由光罩保持器8保持。光罩保持器8可藉由光罩位移驅動器9來位移，特別是在掃描方向上。

為了說明目的，圖1顯示了笛卡爾xyz座標系統。x方向垂直於繪圖平面延伸。y方向水平延伸，且z方向垂直延伸。掃描方向沿圖1中的y方向延伸。z方向垂直於物體平面6延伸。

投影曝光設備1包含投影光學單元10。投影光學單元10用於將物場5成像到影像平面12中的影像場11中。影像平面12平行於物體平面6延伸。或者，物體平面6和影像平面12之間的角度不等於0°也是可能的。

光罩7上的結構被成像到配置在影像平面12中的影像場11的區域中的晶圓13的光敏層上。晶圓13由晶圓保持器14保持。晶圓保持器14可藉由晶圓位移驅動器15來位移，特別是沿y方向。一方面由光罩位移驅動器9對光罩7進行的位移和另一方面由晶圓位移驅動器15對晶圓13進行的位移是可以彼此同步的方式發生。

輻射源3是EUV輻射源。特別地，輻射源3發射EUV輻射16，其在下文中也稱作使用輻射或照明輻射。特別地，使用輻射具有在5 nm和30 nm之間範圍內的波長。輻射源3可為電漿源，例如LPP(雷射產生電漿)源或GDPP(氣體放電產生電漿)源。它也可為基於同步加速器的輻射源。輻射源3可為自由電子雷射(FEL)。

從輻射源3射出的照明輻射16由集光器17聚焦。集光器17可為具有一個或多個橢圓及/或雙曲面反射表面的集光器。照明輻射16可以掠入射(GI)(即入射角大於45°)或以垂直入射(NI)(即入射角小於45°)照射至集光器17的至少一反射表面上。集光器17可被結構化及/或塗佈，其首先用以最佳化其對使用輻射的反射率，其次用以抑制外來光。

在集光器17的下游，照明輻射16傳播通過中間焦平面18中的中間焦點。中間焦平面18可代表輻射源模組(其具有輻射源3和集光器17)與照明光學單元4之間的分隔。

照明光學單元4包含偏轉反射鏡19和在射束路徑中配置在其下游的第一琢面反射鏡20。偏轉反射鏡19可為平面偏轉反射鏡，或者替代地，偏轉反射鏡19可為具有超越純粹偏轉效應的射束影響效應的反射鏡。替代地或附加地，反射鏡19可實施為光譜過濾器，其將照明輻射16的使用波長與具有與其偏離的波長的外來光分離。如果第一琢面反射鏡20配置在照明光學單元4的一平面中，該平面作為場平面與物體平面6光學共軛，則該琢面反射鏡(facet mirror)也稱作場琢面反射鏡。第一琢面反射鏡20包含多個個別的第一琢面21，其在下文中也稱作場琢面。圖1中僅作為示例顯示這些琢面21的其中一些琢面。

第一琢面21可實施為宏觀琢面，特別是矩形琢面或具有弧形邊緣輪廓或一部分圓的邊緣輪廓的琢面。第一琢面21可實施為平面琢面，或者替代地實施為凸形或凹形彎曲的琢面。

舉例來說，從DE 10 2008 009 600 A1已知，第一琢面21本身在各個情況下也可由多個個別的反射鏡、特別是多個微反射鏡所組成。第一琢面反射鏡20尤其可形成為微機電系統(MEMS系統)。詳情參見DE 10 2008 009 600 A1。

照明輻射16在集光器17和偏轉反射鏡19之間水平地(即沿y方向)行進。

在照明光學單元4的射束路徑中，第二琢面反射鏡22配置在第一琢面反射鏡20的下游。如果第二琢面反射鏡22配置在照明光學單元4的光瞳平面中，則它也稱作光瞳琢面反射鏡。第二琢面反射鏡22也可配置在距照明光學單元4的光瞳平面一定距離處。在這種情況下，第一琢面反射鏡20和第二琢面反射鏡22的組合也稱作鏡面反射器。鏡面反射器已揭露於US 2006/0132747 A1、EP 1 614 008 B1和US 6,573,978。

第二琢面反射鏡22包含複數個第二琢面23。在光瞳琢面反射鏡的情況下，第二琢面23也稱作光瞳琢面。

第二琢面23同樣可為宏觀琢面，其可例如具有圓形、矩形或六邊形周邊，或替代地為由微鏡所構成的琢面。在這方面，同樣參考DE 10 2008 009 600 A1。

第二琢面23可具有平面、或是替代地可具有凸形或凹形彎曲的反射表面。

照明光學單元4因此形成雙琢面系統。這個基本原理也稱作蠅眼積分器。

將第二琢面反射鏡22不完全地配置在與投影光學單元10的光瞳平面光學共軛的平面內可能是有利的。

在第二琢面反射鏡22的幫助下，個別的第一琢面21被成像到物場5中。第二琢面反射鏡22是最後一個射束成形反射鏡，或者實際上是在物場5之前的射束路徑中用於照明輻射16的最後一個反射鏡。

在照明光學單元4的另一具體實施例(未示出)中，傳輸光學單元可配置在第二琢面反射鏡22與物場5之間的射束路徑中，該傳輸光學單元特別地有助於第一琢面21到物場5中的成像。傳輸光學單元可具有正好一個反射鏡，或者具有兩個或更多個反射鏡，其連續地配置在照明光學單元4的射束路徑中。傳輸光學單元可特別地包含一或兩個垂直入射反射鏡(normal-incidence mirror，NI反射鏡)及/或一或兩個掠入射反射鏡(grazing-incidence mirror，GI反射鏡)。

在圖1所示的具體實施例中，照明光學單元4在集光器17的下游具有正好三個反射鏡，特別是偏轉反射鏡19、場琢面反射鏡20和光瞳琢面反射鏡22。

在照明光學單元4的另一具體實施例中也可省去偏轉反射鏡19，那麼照明光學單元4在集光器17的下游可具有正好兩個反射鏡，特別是第一琢面反射鏡20和第二琢面反射鏡22。

通常，藉由第二琢面23或使用第二琢面23和透射光學單元將第一琢面21成像到物體平面6中只是近似成像。

投影光學單元10包含複數個反射鏡Mi，這些反射鏡根據它們在投影曝光設備1的射束路徑中的配置進行編號。

在圖1所示的示例中，投影光學單元10包含六個反射鏡M1至M6。具有四個、八個、十個、十二個或任何其他數量的反射鏡Mi的替代方案同樣是可能的。倒數第二個反射鏡M5和最後一個反射鏡M6都具有用於照明輻射16的通孔。投影光學單元10為雙重遮蔽光學單元。投影光學單元10的影像側數值孔徑大於0.5，也可大於0.6，例如為0.7或0.75。

反射鏡Mi的反射表面可實現為沒有旋轉對稱軸的自由曲面。或者，反射鏡Mi的反射表面可設計為具有恰好一個反射表面形式的旋轉對稱軸的非球形表面。就像照明光學單元4的反射鏡一樣，反射鏡Mi可具有用於照明輻射16的高反射塗層。這些塗層可設計為多層塗層，特別是具有交替的鉬和矽層。

投影光學單元10在物場5的中心的y座標與影像場11的中心的y座標之間的y方向上具有大的物像偏移。在y方向上，該物像偏移可與物體平面6和影像平面12之間的z距離的大小大致相同。

特別地，投影光學單元10可具有變形形式。特別是，它在x和y方向上具有不同的成像比例β _x、β _y。投影光學單元10的兩個成像比例β _x、β _y較佳落在(β _x, β _y) = (+/- 0.25, +/- 0.125)。正的成像比例β表示沒有影像反轉的成像。成像比例β的負號表示成像具有影像反轉的成像。

因此，投影光學單元10導致在x方向(即與掃描方向垂直的方向)上以4:1的比例縮小。

投影光學單元10導致在y方向上(即在掃描方向上)的8:1的縮小。

其他成像比例同樣是可能的。在x和y方向上具有相同符號和相同絕對值的成像比例也是可能的，例如具有0.125或0.25的絕對值。

物場5和影像場11之間的射束路徑中的x方向和y方向上的中間影像平面的數量可為相同，或可取決於投影光學單元10的具體實施例而有不同。從US 2018/0074303 A1已知在x和y方向上具有不同數量的這種中間影像的投影光學單元的示例。

分別將光瞳琢面23的其中一個分配給剛好一個場琢面21，用於形成用於照明物場5的照明通道。特別是，這可根據科勒原理(Köhler principle)產生照明。在場琢面21的幫助下，遠場被分解為多個物場5。場琢面21在分別分配給其的光瞳琢面23上產生中間焦點的複數個影像。

藉由相應分配的光瞳琢面23，場琢面21以彼此重疊的方式成像至光罩7上，用以照明物場5。物場5的照明特別是盡可能地均勻。較佳具有小於2%的均勻性誤差。可藉由疊加不同的照明通道來實現場均勻性。

投影光學單元10的入射光瞳的照明可由光瞳琢面的配置來進行幾何上的定義。投影光學單元10的入射入瞳中的強度分佈可藉由選擇照明通道來設定，特別是引導光的光瞳琢面的子集。這種強度分佈也稱作照明設定。

可藉由照明通道的重新分佈來實現照明光學單元4的照明光瞳中以一定義方式進行照明的部分的區域中的同樣較佳的光瞳均勻性。

下文將描述物場5的照明、特別是投影光學單元10的入射光瞳的其他態樣和細節。

特別地，投影光學單元10可包含同心入射光瞳。同心入射光瞳可能是可接近的。它也可能是無法接近的。

投影光學單元10的入射光瞳無法由光瞳琢面反射鏡22精確地進行規律照明。在對投影光學單元10(其中光瞳琢面反射鏡22的中心係遠心地成像到晶圓13上)進行成像的情況下，孔徑射線通常不在單一點處相交。然而，有可能找到成對決定的孔徑射線的距離變得最小的區域。此區域代表入射光瞳或真實空間中與其共軛的區域。特別地，此區域具有有限的曲率。

有可能投影光學單元10對於切向射束路徑和矢狀射束路徑有不同的入射光瞳位置。在這種情況下，應該在第二琢面反射鏡22和光罩7之間設​​置成像元件，特別是透射光學單元的光學組件。在此光學元件的協助下，可考慮切向入射光瞳和矢狀入射光瞳不同位置。

在圖1所示的照明光學單元4的組件的配置中，光瞳琢面反射鏡22配置在與投影光學單元10的入射光瞳共軛的區域中。場琢面反射鏡20以相對於物體平面6傾斜的方式配置。第一琢面反射鏡20以相對於由偏轉反射鏡19所定義的配置平面傾斜的方式配置。

第一琢面反射鏡20以相對於由第二琢面反射鏡22所定義的配置平面傾斜的方式配置。

圖2顯示了反射鏡29的側視圖，其例如可對應於圖1中描述的投影曝光設備1的反射鏡M1至M6中的一個，且包含現有技術中已知的加熱裝置24。加熱裝置24包含加熱輻射源，其在所示的示例中實施為雷射27並通過光纖28連接到加熱裝置24的外殼26。加熱輻射31例如藉由繞射光學元件(未示出)在加熱裝置24中成形，因此如此成形的加熱輻射31以期望的強度分佈入射到反射鏡29上。結果，在反射鏡表面30被熱輻射31照射的區域中形成溫度分佈，因此反射鏡29在被用以成像結構的使用輻射(未示出)撞擊之前已經具有較佳的溫度分佈，因此由於反射鏡29加熱而產生的像差可被最小化。

圖3a顯示了根據本發明的加熱裝置25的第一具體實施例，其同樣包含耦合到光纖28中的雷射27、以及外殼26。光纖28被引導到外殼26中並在其末端發射發散的非極化加熱輻射31，其中加熱輻射31的平行和垂直極化方向在各個情況下由繪圖平面中的雙箭頭表示並垂直於繪圖平面。隨後，熱輻射31通過準直器36，並由準直器成形以形成仍為非極化的準直熱輻射31。準直熱輻射31此時撞擊極化器，該極化器實施為極化分束器立方體37且包含相對於熱輻射31的束方向成45°配置的部分透射反射鏡38。該反射鏡通過熱輻射31的平行極化部分33並反射熱輻射31的垂直極化部分34，即輸出耦合熱輻射31的一部分34。圖3a所示的兩個加熱束部分33、34的極化方向(雙箭頭，s，p)與加熱裝置25的光學元件37、40、41.1、41.2的入射平面有關，而不是與待加熱的反射鏡的入射平面(與吸收有關)有關。垂直極化的加熱束部分34隨後通過極化調節器39，其實施為半波板並將極化方向旋轉90°，使得垂直極化的加熱束部分34在通過後半波板39後同樣具有平行極化。隨後，此加熱束部分34在偏轉元件40處反射，該偏轉元件40係實施為偏轉反射鏡，使得兩個加熱束部分33、34彼此平行延伸。兩個加熱束部分33、34現在分別被引導通過實施為繞射光學元件41.1、41.2的偏轉元件，該偏轉元件具有用於兩個加熱束部分33、34的不同具體實施例且對後者進行成形和偏轉。加熱束部分33、34係成形使得在待加熱的反射鏡(未示出)的表面上形成期望的強度分佈。繞射元件41.1、41.2的結構基於反射鏡上所需的強度分佈而預先決定，基本上係藉由傅里葉變換。另外，加熱束部分33、34由繞射光學元件41.1、41.2偏轉，使得加熱束部分33、34的極化方向平行於反射鏡(未示出)的反射鏡表面的入射平面(未示出)。

此外，加熱裝置25配置為使得加熱束部分33、34以布魯斯特角或至少在布魯斯特角的區域中撞擊反射鏡表面，以在反射鏡中實現最大吸收。除了加熱裝置25的高效率之外，這還導致有利的較低反射，這將在圖1中描述的投影光學單元10中作用為熱干涉。

或者，繞射光學元件41.1、41.2也可配置在半波板的上游，其中半波板的極化效應取決於束的入射角，因此在示例性具體實施例中所示的配置(其在準直光通過半波板39的範圍內)應為較佳的。

圖3b顯示了本發明的第二具體實施例，其同樣顯示了具有外殼26的加熱裝置25。此具體實施例與圖3a中描述的具體實施例的不同之處在於加熱束部分33(其通過極化分束器立方體37的部分透射反射鏡38且在極化分束器立方體37下游具有平行極化)隨後藉由半波板39旋轉90°且因此以垂直極化撞擊後面的繞射元件41.1。在極化分束器立方體37中輸出耦合的加熱束部分34僅被偏轉反射鏡40反射，使得它平行於第一加熱束部分33延伸。因此，從加熱裝置25出現的加熱束部分33、34相對於加熱裝置的光學元件38、40、41.1、41.2具有垂直極化。藉由加熱裝置25相對於反射鏡(未示出)的適當配置來實現反射鏡表面(未示出)上的有效加熱功率所需的加熱輻射31的平行極化。在這方面，另參見圖5的描述。

圖4顯示了本發明的另一具體實施例，其中顯示了加熱裝置25，其在束分佈和極化組件的配置方面基本上對應於圖3a和圖3b中描述的加熱裝置25。與圖3a所描述的加熱裝置25相反，極化分束器立方體42包含用於輸出耦合加熱束部分34的偏轉反射鏡40；這兩個元件因此形成為一個組件部分。減少光學材料與周圍環境(例如在EUV投影曝光光學單元的情況下的射束路徑中的真空)之間的界面，由於界面處反射導致的損耗降低，進一步提高了加熱裝置的效率。另外，一個半波板39配置在兩個加熱束部分33、34的每個射束路徑中，使得在所示的示例性實施例中，兩個加熱束部分33、34的極化相對於加熱裝置25中的繞射元件41.1、41.2的入射平面為45°。所示的角度45°是示例性的且應闡明極化方向可根據需要設定，以結合加熱裝置25相對於待加熱反射鏡(未示出)的配置，以便能夠設定平行於反射鏡的入射平面的極化。此外，望遠鏡43配置在繞射元件41.1、41.2下游，且由於放大效應，這些有助於減小由繞射元件41.1、41.2引起的束偏轉。這可使繞射光學元件41中的束偏轉保持較小，這額外增加了繞射光學元件41.1、41.2的繞射效率，從而提高了加熱裝置25的效率。另外，生產具有較小偏轉角度的繞射元件41更為容易，因此對根據本發明的設備的生產成本具有有利的影響。

圖5示出了加熱裝置25的示例性配置，其中顯示了加熱裝置25和由此加熱的反射鏡29。再次地，加熱裝置25使用光纖28連接到實施為雷射27的加熱輻射源。在所示的示例性具體實施例中，兩個加熱束部分33、34照射反射鏡29的表面30的相同表面分量。如前文關於圖3a所作的進一步描述，這是由繞射元件的不同具體實施例(未示出)所引起。或者，由加熱束部分33、34所照射的表面分量也可為互補的或僅部分重疊。加熱裝置25有助於非常有效地加熱反射鏡29與其反射鏡表面30。除了節省電力之外，這還減少了輻射到周圍環境中的功率，這有利地減少了對投影光學單元的成像品質的熱干擾，其對溫度變化反應敏感。為了進一步說明的目的，在圖5中說明了入射平面32，它與所示示例中的板材平面重合。

1:投影曝光設備 2:照明系統 3:輻射源 4:照明光學單元 5:物場 6:物體平面 7:光罩 8:光罩保持器 9:光罩位移驅動器 10:投影光學單元 11:影像場 12:影像平面 13:晶圓 14:晶圓保持器 15:晶圓位移驅動器 16:EUV輻射 17:集光器 18:中間焦平面 19:偏轉反射鏡 20:琢面反射鏡 21:琢面 22:琢面反射鏡 23:琢面 24:加熱裝置 25:加熱裝置 26:外殼 27:雷射 28:光纖 29:反射鏡 30:反射鏡表面 31:加熱輻射 32:入射平面 33:第一加熱束部分 34:第二加熱束部分 36:準直器 37:極化分束器立方體 38:部分透射反射鏡 39:半波板 40:偏轉反射鏡 41.1:繞射光學元件 41.2:繞射光學元件 42:極化分束器立方體 43:望遠鏡 M1-M6:反射鏡 p:極化方向 s:極化方向

下文將參考附圖更詳細地解釋本發明的示例性具體實施例和變體，其中：

圖1示意性地顯示了用於EUV投影微影的投影曝光設備的子午截面；

圖2顯示了現有技術中已知的加熱裝置；

圖3a、3b顯示了根據本發明的加熱裝置的第一和第二示例性具體實施例；

圖4顯示了本發明的另一個示例性具體實施例；以及

圖5顯示了用以說明本發明用途的示意圖。

25:加熱裝置

26:外殼

27:雷射

28:光纖

31:加熱輻射

33:第一加熱束部分

34:第二加熱束部分

36:準直器

37:極化分束器立方體

38:部分透射反射鏡

39:半波板

40:偏轉反射鏡

41.1:繞射光學元件

41.2:繞射光學元件

p:極化方向

s:極化方向

Claims (11)

1. 一種用於半導體微影的投影曝光設備，包含用以藉由加熱輻射來加熱該投影曝光設備的多個光學元件的一加熱裝置以及包含用以將該加熱輻射分為至少兩個不同極化的加熱束部分的一極化器，其特徵在於：存在至少一極化調節器，用於改變該等不同極化的加熱束部分的其中至少一者的極化。
2. 如請求項1所述之投影曝光設備，其特徵在於：該極化調節器係設置以使至少一加熱束部分的極化與至少另一加熱束部分的極化相匹配。
3. 如請求項1或2所述之投影曝光設備，其特徵在於：該極化器為一極化分束器立方體。
4. 如請求項3所述之投影曝光設備，其特徵在於：存在至少一偏轉元件，其用於偏轉離開該極化分束器立方體的一加熱束部分。
5. 如請求項4所述之投影曝光設備，其特徵在於：該偏轉元件和該極化分束器立方體係實施為一共同的組件部分。
6. 如請求項1至5的其中任一項所述之投影曝光設備，其特徵在於：該極化調節器為一半波板。
7. 如請求項1至6的其中任一項所述之投影曝光設備，其特徵在於：存在至少一偏轉元件，其用於使至少一加熱束部分成形。
8. 如請求項7所述之投影曝光設備，其特徵在於：該偏轉元件為一繞射元件。
9. 如請求項7或8所述之投影曝光設備，其特徵在於：該偏轉元件配置在該極化調節器下游的射束路徑中。
10. 如請求項7或8所述之投影曝光設備，其特徵在於：該偏轉元件配置在該極化調節器上游的射束路徑中。
11. 如前述請求項的其中任一項所述之投影曝光設備，其特徵在於：該等加熱束部分在布魯斯特角(Brewster angle)區域中撞擊待加熱的一光學元件的一表面。

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