TW202230655A - 基板固持器、鍍覆裝置、鍍覆方法、及記憶媒體 - Google Patents
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Abstract
本發明為抑制或防止鍍覆液侵入基板固持器之密封空間,並早期發現鍍覆液侵入。本發明之基板固持器係用於保持基板,並使基板接觸於鍍覆液來進行鍍覆,且具備:在前述基板固持器保持了前述基板之狀態下,在從前述基板固持器之外部密封的狀態下收容前述基板之外周部的內部空間;連絡前述基板固持器之外部與前述內部空間,並將液體導入前述內部空間之第一通路;及配置於前述內部空間,在將前述液體導入前述內部空間之狀態下,用於藉由監視在鍍覆中流入前述液體之電流或前述液體之電阻,來檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間的檢測器。
Description
本申請案係關於一種基板固持器、鍍覆裝置、鍍覆方法、及記憶使電腦執行鍍覆裝置之控制方法的程式之記憶媒體。
在電解鍍覆中,因為某些瑕疵(基板凹凸、密封老化等)而發生鍍覆液洩漏至基板固持器內時,由於侵入固持器內部之鍍覆液會導致種層腐蝕及/或溶解,並發生導通不良,而造成鍍覆之均勻性降低。
美國專利第7727366號說明書(專利文獻1)及美國專利第8168057號說明書(專利文獻2)中記載有將基板之密封的一側以流體加壓,來防止流體從密封之相反側侵入。日本特開2020-117763號公報(專利文獻3)及日本特開2020-117765號公報(專利文獻4)中記載有藉由在密封收容基板之外周部的內部空間注入液體,防止鍍覆液侵入內部空間,而防止鍍覆析出至基板之外周部及接觸構件。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]美國專利第7727366號說明書
[專利文獻2]美國專利第8168057號說明書
[專利文獻3]日本特開2020-117763號公報
[專利文獻4]日本特開2020-117765號公報
(發明所欲解決之問題)
即使採取如上述專利文獻中記載之技術的對策,依基板凹凸、密封老化之程度,鍍覆液仍有可能侵入內部空間,而上述專利文獻中並未記載任何鍍覆液侵入內部空間時之有效對策。
本發明之一個目的為抑制或防止鍍覆液侵入基板固持器之密封空間,並早期發現鍍覆液侵入。此外,本發明之一個目的為當鍍覆液侵入基板固持器之密封的空間時,亦可防止鍍覆膜厚之均勻性降低。
(解決問題之技術手段)
一個實施形態提供一種基板固持器,係用於保持基板,並使基板接觸於鍍覆液來進行鍍覆,且具備:內部空間,其係在前述基板固持器保持了前述基板之狀態下,在從前述基板固持器之外部密封的狀態下收容前述基板之外周部;第一通路,其係連絡前述基板固持器之外部與前述內部空間,並將液體導入前述內部空間;及檢測器,其係配置於前述內部空間,在將前述液體導入前述內部空間之狀態下,用於藉由監視在鍍覆中流入前述液體之電流或前述液體之電阻,來檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。
一個實施形態係基板固持器可具備:接點,其係配置於前述內部空間,與形成於前述基板表面之種層接觸,將鍍覆電流流入前述基板;及溶解性之電極,其係對前述接點偏置於高電位側。
以下,參照圖式說明本發明之實施形態。附圖中,在相同或類似之元件上註記相同或類似的參考符號,在各種實施形態之說明中省略關於相同或類似之元件的重複說明。此外,各種實施形態顯示之特徵只要彼此不矛盾,亦可適用於其他實施形態。
本說明書中,「基板」除了半導體基板、玻璃基板、液晶基板、印刷電路基板之外,還包含磁性記錄媒體、磁性記錄感測器、反射鏡、光學元件、微小機械元件、或是局部製作之積體電路、及其他任何被處理對象物。基板包含係包含多角形、圓形之任意形狀者。此外,本說明書中係使用「前面」、「後面」、「正面」、「背面」、「上」、「下」、「左」、「右」等的表達方式,不過,此等係為了方便說明而顯示例示之圖式在紙面上的位置、方向者,使用裝置時等實際的配置會有不同。
圖1係一個實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。鍍覆裝置100係在基板固持器200(圖2)上保持基板之狀態下對基板實施鍍覆處理者。鍍覆裝置100大致上區分為:在基板固持器200上裝載基板,或是從基板固持器200卸載基板之裝載/卸載站110;處理基板之處理站120;及清洗站50a。處理站120中配置有:進行基板之前處理及後處理的前處理及後處理模組120A;及對基板進行鍍覆處理之鍍覆模組120B。
裝載/卸載站110具有:1個或複數個匣盒台25、及基板裝卸模組29。匣盒台25上搭載收納基板之匣盒25a。基板裝卸模組29係以將基板裝卸於基板固持器200之方式構成。此外,在基板裝卸模組29附近(例如下方)設置用於收容基板固持器200之暫存盒30。清洗站50a具有清洗鍍覆處理後之基板並使其乾燥的清洗模組50。清洗模組50例如係自旋沖洗乾燥器。
在被匣盒台25、基板裝卸模組29、及清洗站50a包圍之位置配置有在此等單元間搬送基板的搬送機器人27。搬送機器人27可藉由行駛機構28而行駛地構成。搬送機器人27例如係以從匣盒25a取出鍍覆前之基板而搬送至基板裝卸模組29,並從基板裝卸模組29接收鍍覆後之基板,將鍍覆後之基板搬送至清洗模組50,再從清洗模組50取出清洗及乾燥後之基板而收納於匣盒25a的方式構成。
前處理及後處理模組120A具有預濕模組32、預浸模組33、第一沖洗模組34、送風模組35、及第二沖洗模組36。預濕模組32藉由以純水或脫氣水等處理液濕潤鍍覆處理前之基板的被鍍覆面,而將形成於基板表面之圖案內部的空氣替換成處理液。預濕模組32係以實施鍍覆時藉由將圖案內部之處理液替換成鍍覆液,以便容易在圖案內部供給鍍覆液之預濕處理的方式構成。預浸模組33例如係以硫酸或鹽酸等處理液蝕刻除去存在於鍍覆處理前之基板的被鍍覆面上所形成之種層表面等的電阻大之氧化膜,來清洗或活化鍍覆基底表面之預浸處理的方式構成。第一沖洗模組34係將預浸後之基板與基板固持器200一起以清洗液(純水等)清洗。送風模組35係進行清洗後之基板的排液。第二沖洗模組36係將鍍覆後之基板與基板固持器200一起以清洗液清洗。預濕模組32、預浸模組33、第一沖洗模組34、送風模組35、及第二沖洗模組36依該順序配置。另外,該構成係一例,不限定於上述之構成,前處理及後處理模組120A亦可採用其他構成。
鍍覆模組120B具有:複數個鍍覆槽(鍍覆室)39、與溢流槽38。各鍍覆槽39在內部收納一個基板,並使基板浸漬於保持於內部的鍍覆液中,而在基板表面進行銅鍍覆等之鍍覆。此處,鍍覆液之種類不特別限定,可依用途而使用各種鍍覆液。該鍍覆模組120B之構成係一例,鍍覆模組120B可採用其他構成。
鍍覆裝置100具有位於此等各設備之側方,而在此等各設備之間與基板固持器200一起搬送的例如採用線性馬達方式之搬送裝置37。該搬送裝置37係以在與基板裝卸模組29、暫存盒30、預濕模組32、預浸模組33、第一沖洗模組34、送風模組35、第二沖洗模組36、及鍍覆模組120B之間搬送基板固持器200的方式而構成。
如以上構成之鍍覆裝置100具有如控制上述各部之方式而構成的作為控制部之控制模組(控制器)175。控制模組175具有:儲存指定之程式的記憶體175B;與執行記憶體175B之程式的CPU175A。構成記憶體175B之記憶媒體儲存各種設定資料、包含控制鍍覆裝置100之程式的各種程式等。程式例如包含執行搬送機器人27之搬送控制、基板裝卸模組29中之基板對基板固持器200的裝卸控制、搬送裝置37之搬送控制、各處理模組中之處理控制、各鍍覆槽39中之鍍覆處理的控制、清洗站50a之控制的程式。記憶媒體可包含非揮發性及/或揮發性記憶媒體。記憶媒體例如可使用電腦可讀取之ROM(唯讀記憶體)、RAM(隨機存取記憶體)、快閃記憶體等記憶體、硬碟、CD-ROM(唯讀光碟)、DVD-ROM(唯讀多樣化數位光碟)及軟式磁碟等碟狀記憶媒體等習知者。
控制器175可與統籌控制鍍覆裝置100及其他相關裝置之無圖示的上階控制器通信地構成,可在與上階控制器具有的資料庫之間進行資料交換。控制器175之一部分或全部功能可由ASIC(特定應用積體電路)等硬體構成。控制器175之一部分或全部功能亦可由排序器構成。控制器175之一部分或全部可配置於鍍覆裝置100之框體內部及/或外部。控制器175之一部分或全部藉由有線及/或無線可與鍍覆裝置100之各部通信地連接。
(鍍覆模組)
圖2係顯示鍍覆模組120B之概略圖。如該圖所示,鍍覆模組120B具備:內部保持鍍覆液之鍍覆槽39;在鍍覆槽39內與基板固持器200相對而配置之陽極40;及保持陽極40之陽極固持器60。基板固持器200係以將晶圓等之基板W裝卸自在地保持,且使基板W浸漬於鍍覆槽39內之鍍覆液Q的方式而構成。本實施形態之鍍覆裝置100係藉由在鍍覆液Q中流入電流,而以金屬鍍覆基板W表面之電解鍍覆裝置。陽極40使用由被覆不溶解於鍍覆液之例如氧化銥或鉑的鈦而構成的不溶性陽極。陽極40亦可使用溶解性陽極。溶解性陽極例如係可使用由含磷銅構成之溶解性陽極。基板W例如係半導體基板、玻璃基板、樹脂基板、或其他任何被處理對象物。鍍覆於基板W表面之金屬例如係銅(Cu)、鎳(Ni)、錫(Sn)、錫-銀(Sn-Ag)合金、或鈷(Co)。鍍覆液Q係包含鍍覆之金屬的酸性溶液,例如鍍覆銅時係硫酸銅溶液。
陽極40及基板W係以在鉛直方向延伸之方式配置,且在鍍覆液中彼此相對而配置。但是,其他實施形態還可採用陽極40及基板W在水平方向延伸之方式配置的構成(杯式)。陽極40經由陽極固持器60連接於電源90之正極,基板W經由基板固持器200連接於電源90之負極。在陽極40與基板W之間施加電壓時,電流流入基板W,並在鍍覆液存在下於基板W表面形成金屬膜。
鍍覆模組120B進一步具備鄰接於鍍覆槽39之溢流槽38。鍍覆槽39內之鍍覆液越過鍍覆槽39之側壁流出,可流入溢流槽38內。在溢流槽38之底部連接鍍覆液之循環管線58a的一端,循環管線58a之另一端連接於鍍覆槽39的底部。循環管線58a中安裝有:循環泵浦58b、恆溫單元58c、及過濾器58d。鍍覆液Q經鍍覆槽39之側壁溢流而流入溢流槽38,進一步從溢流槽38通過循環管線58a而返回鍍覆槽39。因此,鍍覆液Q係通過循環管線58a而在鍍覆槽39與溢流槽38之間循環。
鍍覆裝置100進一步具備:調整基板W上之電位分布的調整板(Regulation Plate)14;及攪拌鍍覆槽39內之鍍覆液的槳葉16。調整板14具有配置於槳葉16與陽極40之間,用於限制鍍覆液中之電場的開口14a。槳葉16配置於鍍覆槽39內之保持於基板固持器200的基板W表面附近。槳葉16例如由鈦(Ti)或樹脂構成。槳葉16藉由與基板W之表面平行地往返運動,而以在基板W之鍍覆中將充分之金屬離子均勻地供給基板W表面的方式來攪拌鍍覆液Q。
另外,上述之構成係一例,鍍覆裝置100、鍍覆模組120B等之構成可採用其他構成。
圖3係從內側觀看基板固持器之前面板的概略圖。圖4係從內側觀看基板固持器之背面板的概略圖。基板固持器200係具備:前面板210及背面板220,且藉由前面板210及背面板220夾著基板W而保持者。
前面板210具備:保持體211、複數個接點213、匯流條214、及夾持機構217。複數個接點213、匯流條214、夾持機構217設於保持體211之內側面。保持體211具有露出基板W之被鍍覆面的開口211A。在保持體211之一端側安裝有手柄212。複數個接點213沿著開口211A之外周而設。接點213係與基板W之種層接觸,用於在基板中流入電流的電接點。匯流條214在接點213與設於手柄212的外部連接端子218之間電性連接。匯流條214係用於經由外部連接端子218而將接點213連接於電源90的配線。在開口211A之周圍,於接點213的內側設有接觸於基板W而密封基板W與基板固持器200之間的內側密封215。此外,在匯流條214之外側設有接觸於背面板220,而密封基板固持器200之外側密封216。夾持機構217設於外側密封216之外側,並與背面板220之夾持機構227合作使前面板210與背面板220彼此嚙合。
背面板220具備:保持體221;及設於保持體221之外周部的夾持機構227。保持體221具有開口221A。但是,開口221A亦可如圖2所示地省略。在保持體221之一端側安裝有手柄222。手柄222與前面板210之手柄212嚙合,而發揮一體之手柄的功能。將該手柄之兩端掛在各模組之處理槽的牆壁邊緣而懸吊設置基板固持器200。保持體221中,在對應於前面板210之內側密封215的位置設有內側密封225。在保持體221上,以虛線顯示對應於前面板210之外側密封216的位置。以前面板210及背面板220夾著基板W而保持時,內側密封215、225與外側密封216形成基板固持器200之密閉的內部空間(密封空間)240(圖3、圖4、圖6A、圖6B)。內部空間240在圖3中係對應於內側密封215與外側密封216之間的部分,在圖4中係對應於內側密封225與虛線之間的部分。
如圖3所示,在前面板210的內側密封215及外側密封216之間設有用於檢測鍍覆液的洩漏之檢測器230。檢測器230係設於複數個接點213附近之導電體或電極。導電體或電極亦可係一體,亦可由複數片構成。檢測器230藉由以點線表示之配線而連接於外部連接端子219。外部連接端子219與外部連接端子218電性絕緣。以複數片構成導電體或電極,而將各片以個別之配線連接時,可特定發生鍍覆液洩漏的部位。
如圖4及圖5所示,在背面板220中設有連絡基板固持器200之內部空間240與基板固持器200的外部之導入通路231及排出通路232。如圖5所示,在導入通路231及排出通路232中分別設有用於控制各通路之導通及遮斷的閥門231A及閥門232A。閥門231A及閥門232A例如可為電磁閥,亦可為開閉閥,亦可為可控制流量之流量控制閥。閥門231A及閥門232A藉由控制器175來控制。閥門231A及閥門232A可設於基板固持器200之背面板220的內部或表面。導入通路231及排出通路232之一部分或全部可作為形成於基板固持器200之保持體221內部的通路、及/或配置於保持體221表面之配管而設。
圖5係在預濕模組中之基板固持器的概略圖。預濕模組300具備:處理槽301、循環管線302、設於循環管線302之泵浦303及脫氣模組304。脫氣模組304係除去液體中之空氣(脫氣)或以不活潑氣體替換的裝置。圖5係顯示以真空泵浦將脫氣模組減壓,而除去液體中的空氣之例。另外,取代真空泵浦之減壓,而使不活潑氣體在脫氣模組中流通時,可將液體中之空氣替換成不活潑氣體。本例係在處理槽301中積存純水(例如DIW)。本實施形態係在處理槽301中積存經脫氣模組304脫氣或替換成不活潑氣體的純水。處理槽301中之純水係以藉由泵浦303傳送至脫氣模組304,以脫氣模組304脫氣或替換成不活潑氣體後返回處理槽301之方式循環,而在處理槽301中積存脫氣水。此處,脫氣水是指除去了空氣之水、或是水中之氣體以不活潑氣體替換後的水。另外,在處理槽301中設有無圖示之供給口及排出口,並藉由供給口及排出口適當更換處理槽301中之純水。藉由脫氣及替換不活潑氣體等使純水中之溶解氧濃度減少。
本實施形態係將保持基板W之基板固持器200浸漬於處理槽301中的純水(脫氣水)中,開放導入通路231之閥門231A,經由導入通路231將純水導入基板固持器200之內部空間240,而以純水裝滿內部空間240。另外,亦可將保持基板W之基板固持器200浸漬於處理槽301中的純水中,開放閥門231A、閥門232A,並經由導入通路231將純水導入基板固持器200之內部空間240,並經由排出通路232排出內部空間240中之空氣,並且經由排出通路232排出裝滿於內部空間240的純水,再以純水裝滿內部空間240。閥門231A及/或閥門232A亦可在基板固持器200浸漬於純水之前開放。並在以純水裝滿內部空間240後,關閉閥門231A及閥門232A。
內部空間240宜以純水完全裝滿而避免殘留空氣,不過,有時依後述之作用效果希望達到何種程度而容許有一些空氣或氣泡殘留。以下,將內部空間240完全以純水裝滿來說明本實施形態。
另外,亦可進一步設置用於將內部空間240連接於無圖示之減壓裝置(例如真空泵浦)的另外通路,將內部空間240中減壓後,遮斷該另外通路,並且開放閥門231A,而將純水導入內部空間240。再者,亦可開放閥門232A,而更確實地以純水裝滿內部空間240。此外,亦可不設另外通路,而在排出通路232上連接減壓裝置,將內部空間240中減壓後,關閉閥門232A並且開放閥門231A,而將純水導入內部空間240。
另外,鍍覆後,亦可在沖洗工序(第二沖洗模組36)或送風工序(送風模組35)中,再度開放閥門231A、閥門232A,而排出基板固持器200之內部空間240中的純水。
圖6A及圖6B係放大在鍍覆槽之基板固持器的內部空間之剖面概略圖。圖6C係放大在鍍覆槽之比較例的基板固持器之內部空間的剖面概略圖。如圖6C所示,比較例之基板固持器200A的內部空間240A係空穴,且存在空氣。因為內部空間240A係空穴,所以一旦發生鍍覆液Q侵入洩漏至內部空間240A中時,藉由鍍覆液Q之液壓壓縮內部空間240A的空氣,可能大量的鍍覆液Q會侵入密封內。內部空間240A中之種層401上附著鍍覆液Q時,藉由鍍覆液中之溶解氧及/或鍍覆電流之分流造成電解腐蝕,可能導致種層401溶解而電性絕緣。
圖7係說明以溶解氧濃度溶解種層之說明圖。鍍覆液Q侵入裝滿空氣之內部空間240A(圖6C)時,鍍覆液Q之原液不被稀釋而附著在接點213附近露出的種層401上。此外,因為藉由鍍覆液Q侵入而壓縮之內部空間240A中的空氣(O
2)溶解於鍍覆液Q,所以在氣液界面附近產生O
2的濃度梯度,因局部電池之作用導致種層401溶解。具體而言,如圖7所示,空氣中之氧O
2溶入鍍覆液Q中,在氣-液界面附近溶解氧濃度高之部位,O
2係從種層401接收電子而成為OH
-,另外,從氣-液界面離開之溶解氧濃度更低的部位,係銅從種層401放出電子,成為銅離子而洗脫。藉由該反應,可能造成從種層401洗脫銅導致種層401變薄,種層401之電阻增加,而種層401電性絕緣。此處雖係說明銅鍍覆之情況,但若鍍覆的是其他金屬時也會產生同樣的現象。
圖8A係說明以分流(Shunt)電流溶解種層之說明圖。圖8B係說明分流電流之等效電路圖。圖中,I
total係流入接點之電流的總和,I
cw係經由種層與接點之接觸部位而流動的電流,I
shunt係分流電流。R
contact係接點213與種層401之間的接觸電阻,R
wafer係種層之電阻,R
dissolution係在分流電流路徑之種層側的溶解部位之電阻,R
deposition係在分流電流路徑之接點側的析出部位之電阻,R
electrolyte表示鍍覆液之電阻。
鍍覆液Q侵入內部空間240A中時,種層401之電阻R
wafer及/或接點213與種層401之間的接觸電阻R
contact高時,藉由鍍覆液Q中之離子導電、與種層401表面及接點213表面之氧化還原反應,而發生從種層401經由鍍覆液Q而流入接點213的短路電流(分流電流)I
shunt。該分流電流如圖8A所示,在種層401表面Cu變成Cu
2 +而洗脫於鍍覆液Q中,鍍覆液Q中之Cu
2 +藉由在接點213表面成為Cu而流動。因此,發生分流電流時,可能造成種層401之Cu溶解,種層401變薄,種層401之電阻增加,而種層401電性絕緣。該分流電流藉由上述之局部電池作用也發生局部種層401之電阻值增大的情況。
因此,比較例之基板固持器200A的構成係當鍍覆液Q侵入內部空間240A時,因上述溶解氧濃度梯度之局部電池作用及/或分流電流,可能造成種層401溶解,而種層401電性絕緣。
因此,本實施形態係採用以純水(例如DIW)裝滿基板固持器200之內部空間240的構成(圖5、圖6A、圖6B),並設有檢測鍍覆液Q洩漏至基板固持器200之內部空間240中的檢測器230(圖3、圖6A、6B)。檢測器230例如可作為檢測經由內部空間240中之純水而在接點213或匯流條214之間流動的電流之電極,亦即作為檢測在內部空間240中之純水中流動的電流(或純水之電阻)之電極。
圖6A之例,檢測器230為採用發揮犧牲陽極或犧牲電極之功能的溶解性之電極235A。該圖中,符號401表示形成於基板W表面之種層,符號402表示形成於種層401表面之抗蝕劑圖案。在從抗蝕劑圖案之開口露出的種層401上電場鍍覆金屬。基板固持器200之接點213接觸於種層401而與種層401電性導通。溶解性之電極可使用與鍍覆金屬相同材料之導體,例如與溶解性陽極同樣地可使用由含磷銅構成之電極。在電極235A與接點213(匯流條214)之間以電極235A比接點213(匯流條214)高電位之方式,藉由直流電源裝置236A施加直流電壓。此外,在直流電源裝置236A中或在來自直流電源裝置236A之配線上設置電流檢測器237A。在該狀態下,控制器175監控在電極235A與接點213(匯流條214)之間流動之電流或此等之間的電阻。在電極235A與接點213(匯流條214)之間流動的電流相當於在內部空間240中之純水中流動的電流。在電極235A與接點213(匯流條214)之間的電阻相當於內部空間240中之純水的電阻。
對電極235A施加直流電流、及檢測電流(電阻)係藉由控制器175來控制。控制器175經由電流檢測器237A取得流入電極235A之電流(流入內部空間240之純水中的電流),並依據該電流檢測鍍覆液對內部空間240之洩漏。此外,控制器175取得流入電極235A之電流,並從電極235A與接點213(匯流條214)之間的電壓、與檢測出之電流算出純水的電阻值,再依據電阻值檢測洩漏。
由於未發生鍍覆液洩漏至內部空間240時,內部空間240中之純水的電阻極高,因此電流不在電極235A與接點213(匯流條214)之間流動(或是僅有極為微弱之電流流動)。另外,發生洩漏時,純水中混入鍍覆液使純水之電阻下降,而電流在電極235A與接點213(匯流條214)之間流動(或是電流增加)。因此,可藉由電極235A檢測鍍覆液洩漏至內部空間240中。此外,萬一發生洩漏了會腐蝕種層401之量的鍍覆液時,因為發揮犧牲陽極之功能的電極235A對接點213及種層401偏置於高電位,所以電極(犧牲陽極)235A優先溶解,而抑制或防止種層401溶解。
採用本實施形態時,因為以純水裝滿基板固持器200之內部空間240,所以與內部空間240係空穴時比較,降低內部空間240的內部與外部之間的壓力差,可抑制或防止鍍覆液洩漏至內部空間240。藉此,可抑制或者防止因鍍覆液洩漏導致鍍覆膜厚之均勻性降低。
採用本實施形態時,即使發生鍍覆液洩漏,因為以純水裝滿內部空間240中,由於鍍覆液對內部空間240中之侵入限於擴散的部分,而可抑制在極少量,因此可抑制因溶解氧濃度產生之局部電池作用及/或分流電流而溶解(腐蝕)種層401。此外,因為侵入內部空間240之鍍覆液被純水稀釋,所以可進一步抑制種層401之腐蝕。藉此,可抑制或者防止鍍覆膜厚之均勻性降低。
此外,採用本實施形態時,以純水裝滿內部空間240中,因為氧濃度低,所以可抑制因溶解氧產生的局部電池作用而溶解種層401。藉此,可抑制或者防止鍍覆膜厚之均勻性降低。
此外,採用本實施形態時,萬一發生洩漏了會腐蝕之量的鍍覆液時,因為發揮犧牲陽極之功能的電極235A優先溶解,所以可抑制或防止種層401溶解。藉此,可抑制或者防止因鍍覆液洩漏造成鍍覆膜厚之均勻性降低。
此外,採用本實施形態時,藉由監控電極235A與接點213(匯流條214)之間的電流(電阻),可早期檢測有無鍍覆液洩漏至內部空間240。因此,即使發生了鍍覆液的洩漏,仍可藉由電極235A早期檢測鍍覆液之洩漏,可早期檢知基板固持器200之異常及密封的更換時期。因而,可早期檢測鍍覆液之洩漏,抑制或者防止鍍覆膜厚之均勻性降低。
另外,圖6A之例中,亦可不藉由電極235A進行洩漏檢測,而僅使用電極235A作為犧牲陽極。
圖6B之例,檢測器230為採用非溶解性之電極235B。非溶解性之電極可使用不溶解於鍍覆液之例如由被覆金或鉑之不銹鋼或鈦而構成的電極。此時,使用與量測導電率或檢知漏液同樣之原理,藉由交流電源裝置236B在電極235B與接點213(匯流條214)之間施加交流電壓,藉由量測在電極235B與接點213(匯流條214)之間流動的交流電流(或是作為電極235B與接點213(匯流條214)之間的電阻之阻抗),來檢測鍍覆液之洩漏。在電極235B與接點213(匯流條214)之間流動的交流電流相當於在內部空間240中之純水中流動的電流。電極235B與接點213(匯流條214)之間的電阻(阻抗)相當於內部空間240之純水的電阻(阻抗)。另外,在交流電源裝置236B中或來自交流電源裝置236B之配線上設置電流檢測器237B。本說明書之電阻包含阻抗、或阻抗之電阻成分。
對電極235B施加交流電壓、及檢測電流(電阻)係藉由控制器175來控制。控制器175經由電流檢測器237B取得流入電極235B之電流(流入內部空間240之純水中的電流),並依據該電流檢測鍍覆液對內部空間240之洩漏。此外,控制器175取得流入電極235B之電流,並從電極235B與接點213(匯流條214)之間的電壓與檢測出之電流算出純水之電阻值,再依據電阻值檢測洩漏。
由於未發生鍍覆液洩漏至內部空間240時,內部空間240中之純水的電阻極高,因此電流不在電極235B與接點213(匯流條214)之間流動(或是僅有極為微弱之電流流動)。發生洩漏時,純水中混入鍍覆液使純水之電阻下降,而電流在電極235B與接點213(匯流條214)之間流動(或是電流增加)。因此,可藉由非溶解性之電極235B檢測鍍覆液洩漏至內部空間240中。
即使為圖6B之例的構成,除了犧牲陽極的功能之外,仍可達到與圖6A之例的構成同樣之作用效果。此外,使用非溶解性之電極235B時,基板固持器200之維修容易。使用溶解性之電極(犧牲陽極)情況下,當鍍覆液洩漏時,從犧牲陽極洗脫之銅(Cu)的一部分會析出至接點,而需要進行除去析出之Cu的維修。此外,犧牲陽極減少時還需要更換。另外,使用非溶解性之電極235B情況下,可抑制或防止此種維修。另外,當鍍覆液洩漏時,雖然有可能種層401溶解(接點213與種層401之間的接觸電阻高時、基板固持器之內部空間有氣泡殘留時),因為可藉由電極235B(檢測器230)早期檢測鍍覆液之洩漏,所以可藉由更換基板固持器等,而防止繼續使用有瑕疵的基板固持器,來抑制或防止鍍覆品質降低。
亦可組合圖6A及圖6B之構成。此時,亦可僅以電極235B進行洩漏檢知,亦可以電極235A及電極235B兩者進行洩漏檢知。以電極235A及電極235B兩者進行洩漏檢知情況下,可使洩漏檢知之冗長性提高。
(其他實施形態)
(1)上述實施形態係以四方形之基板的基板固持器為例作說明,不過,可將上述實施形態適用於圓形、四方形以外之多角形及其他任意形狀的基板之基板固持器。
(2)上述實施形態係以前面板及背面板夾著基板而保持之基板固持器為例,不過只要是具有接點被密封之內部空間的基板固持器,可將本發明適用於任何構成之基板固持器。
(3)上述實施形態係以使基板固持器浸漬於鍍覆液而在基板上進行鍍覆的鍍覆裝置(所謂浸漬式)為例作說明,不過亦可將本發明適用於以基板固持器使基板向下保持而接觸於鍍覆液並在基板上進行鍍覆之鍍覆裝置(所謂杯式)。
(4)上述實施形態係在預濕模組中,於基板固持器之內部空間導入純水,不過,亦可設置用於在基板固持器之內部空間導入純水等液體的另外模組。
(5)導入內部空間之液體只要是不使在基板固持器之內部空間露出的構成零件腐蝕的液體即可,亦可係水以外之液體。液體例如可使用不含金屬鹽之液體(金屬鹽之濃度未達指定濃度(例如5g/L)的液體)。此種液體例如包含自來水、天然水、純水。純水例如包含:脫離子水(DIW)、蒸餾水、精製水、或RO水。
本發明亦可作為以下之形態來記載。
形態1提供一種基板固持器,係用於保持基板,並使基板接觸於鍍覆液來進行鍍覆,且具備:內部空間,其係在前述基板固持器保持了前述基板之狀態下,在從前述基板固持器之外部密封的狀態下收容前述基板之外周部;第一通路,其係連絡前述基板固持器之外部與前述內部空間,並將液體導入前述內部空間;及檢測器,其係配置於前述內部空間,在將前述液體導入前述內部空間之狀態下,用於藉由監視在鍍覆中流入前述液體之電流或前述液體之電阻,來檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。液體例如可為水、或不使在基板固持器之內部空間露出的構成零件腐蝕之其他液體。液體,例如可使用在預濕工序中使用之純水。
採用該形態時,可抑制或防止因鍍覆液洩漏而腐蝕基板之種層,抑制或防止鍍覆膜厚之均勻性降低。因為以液體裝滿基板固持器之內部空間,所以降低內部空間的內部與外部之間的壓力差,可抑制或防止鍍覆液洩漏至內部空間。此外,即使發生鍍覆液侵入密封之內部空間的洩漏,因為內部空間中被液體裝滿,由於鍍覆液對內部空間中之侵入限於擴散到液體中的部分,可抑制為極少量,因此可抑制基板之種層的腐蝕。此外,因為侵入內部空間之鍍覆液被液體稀釋,所以可進一步抑制基板之種層的腐蝕。此外,因為內部空間中之氧濃度低,所以可抑制因溶解氧產生之局部電池作用導致種層腐蝕。
此外,即使發生鍍覆液洩漏,仍可藉由檢測器早期檢知鍍覆液之洩漏。藉此,可早期檢知基板固持器之異常及密封的更換時期。因而,可早期檢知鍍覆液之洩漏,抑制或者防止鍍覆膜厚之均勻性降低。
形態2如形態1之基板固持器,其中具備:接點,其係配置於前述內部空間,與形成於前述基板表面之種層接觸,將鍍覆電流流入前述基板;及溶解性之電極,其係對前述接點偏置於高電位側。
採用該形態時,萬一發生洩漏了會腐蝕種層之量的鍍覆液時,因為溶解性之電極對接點及種層偏置於高電位,所以溶解性之電極發揮犧牲陽極之功能優先溶解,而可抑制或防止種層溶解。
形態3如形態1之基板固持器,其中前述溶解性之電極發揮前述檢測器之功能,前述檢測器構成在將前述液體導入前述內部空間之狀態下,藉由監視流入前述接點或電性導通於前述接點的配線與前述電極之間的電流,可檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。
採用該形態時,由於可藉由監視在犧牲陽極(溶解性電極)與接點等之間流動的電流,來檢知鍍覆液有無洩漏,因此不需要另外設置用於檢知洩漏之電極。
形態4如形態1之基板固持器,其中具備接點,其係配置於前述內部空間,與形成於前述基板表面之種層接觸,而將鍍覆電流流入前述基板,前述檢測器具有非溶解性之電極,前述檢測器構成藉由在前述內部空間導入前述液體之狀態下,在前述接點或電性導通於前述接點之配線與前述非溶解性電極之間施加交流電壓,藉由監視流入前述非溶解性電極之電流,可檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。
採用該形態時,因為使用非溶解性之電極作為檢測器,所以電極之金屬不致析出至接點等,維修基板固持器容易。
形態5如形態4之基板固持器,其中進一步具有溶解性之電極,其係對前述接點偏置於高電位側。
採用該形態時,除了形態1及4的作用效果之外,溶解性之電極優先於種層而溶解,可抑制或防止種層溶解。
形態6係前述溶解性電極發揮前述檢測器之功能,前述檢測器構成可以前述非溶解性電極及前述溶解性電極兩者檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。
採用該形態時,由於以溶解性電極(犧牲陽極)及非溶解性電極兩者檢測鍍覆液的洩漏,因此可使鍍覆液之洩漏的檢測精度提高。此外,即使一方電極發生瑕疵時,仍可檢測鍍覆液之洩漏,因此可更確實地檢測鍍覆液之洩漏,可使檢知洩漏之冗長性提高。
形態7如形態3~6中任何一個形態之基板固持器,其中前述配線係匯流條。採用該形態時,與使用複數條纜線時比較,可減少配線之設置空間,可抑制配線之電阻。
形態8如形態1~7中任何一個形態之基板固持器,其中進一步具備閥門,其係配置於前述第一通路,而導通或遮斷前述基板固持器的外部與前述內部空間之間。
採用該形態時,由於可藉由閥門之開閉而導通或遮斷基板固持器的內部空間與外部,因此可在確實密閉基板固持器之內部空間的狀態下進行基板的鍍覆處理。
形態9如形態1~8中任何一個形態之基板固持器,其中進一步具備第二通路,其係連絡前述基板固持器之外部與前述內部空間,而從前述內部空間排出空氣及/或液體。
採用該形態時,在從第一通路導入液體時,藉由第二通路排出內部空間內之空氣,可有效對內部空間導入液體。此外,藉由從第一通路導入液體,並從第二通路排出裝滿內部空間之液體,可避免氣泡殘留而以液體裝滿內部空間。此外,亦可將第二通路連接於減壓裝置,並在減壓之同時或減壓後從第一通路導入液體至內部空間。此時,可迅速將液體導入減壓後之內部空間。
形態10如形態1~9中任何一個形態之基板固持器,其中進一步具備第三通路,其係連絡前述基板固持器之外部與前述內部空間,並連接於將內部空間中減壓之裝置。
採用該形態時,由於在減壓之同時或減壓後從第一通路將液體導入內部空間,因此可迅速將液體導入內部空間。
形態11如形態1~10中任何一個形態之基板固持器,其中前述液體係純水、或脫氣或替換成不活潑氣體後之純水。
採用該形態時,藉由將純水導入內部空間,可抑制內部空間中之導體構件腐蝕,並且抑制鍍覆液侵入。此外,將純水、或脫氣或替換成不活潑氣體之純水導入內部空間時,可降低內部空間中之氧濃度,當鍍覆液侵入時,可抑制因溶解氧濃度產生之局部電池作用造成種層的化學腐蝕。
形態12提供一種鍍覆裝置,係具備:申請專利範圍第1項至第11項中任一項之基板固持器;液體供給模組,其係經由前述基板固持器之前述第一通路將液體供給至前述內部空間;鍍覆模組,其係接納前述基板固持器使其接觸於鍍覆液,來鍍覆前述基板;及控制模組,其係在將液體導入前述內部空間之狀態下,於鍍覆中取得來自前述檢測器之輸出,判斷鍍覆液有無洩漏至前述內部空間。
採用該形態時可提供達到上述作用效果之鍍覆裝置。
形態13如形態12之鍍覆裝置,其中前述液體供給模組係使前述基板表面接觸於純水、或脫氣或替換成不活潑氣體之純水的預濕模組。
採用該形態時,因為以預濕模組將液體導入基板固持器之內部空間,所以不需要設置將液體導入內部空間之另外的模組,可抑制裝置大型化及/或成本提高。
形態14提供一種方法,係用於鍍覆基板,且包含在從外部密封前述基板外周部之狀態下收容的前述基板固持器之內部空間導入液體,在將液體導入前述內部空間後之狀態下,藉由監視流入前述液體之電流或前述液體之電阻,來檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。採用該形態時,可達到與形態1所述者同樣之作用效果。
形態15提供一種記憶媒體,係記憶用於藉由電腦執行鍍覆裝置之控制方法的程式,且記憶包含在從外部密封前述基板外周部之狀態下收容的前述基板固持器之內部空間導入液體,在將液體導入前述內部空間後之狀態下,藉由監視前述液體之電阻,來檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間的程式。採用該形態時,可達到與形態1所述者同樣之作用效果。
以上,係說明本發明之實施形態,不過上述發明之實施形態係為了容易理解本發明者,而並非限定本發明者。本發明在不脫離其旨趣之範圍內可變更及改良,並且本發明當然包含其等效物。此外,在可解決上述問題之至少一部分的範圍、或是可達到效果之至少一部分的範圍內,實施形態及修改例可任意組合,且申請專利範圍及說明書記載之各元件可任意組合或省略。
25:匣盒台
25a:匣盒
27:搬送機器人
28:行駛機構
29:基板裝卸模組
30:暫存盒
32:預濕模組
33:預浸模組
34:第一沖洗模組
35:送風模組
36:第二沖洗模組
37:搬送裝置
38:溢流槽
39:鍍覆槽
40:陽極
50:清洗模組
50a:清洗站
14:調整板
14a:開口
16:槳葉
58a:循環管線
58b:循環泵浦
58c:恆溫單元
58d:過濾器
60:陽極固持器
100:鍍覆裝置
110:裝載/卸載站
120:處理站
120A:前處理及後處理模組
120B:鍍覆模組
175:控制器
175A:CPU
175B:記憶體
200, 200A:基板固持器
210:前面板
211:保持體
211A:開口
212:手柄
213:接點
214:匯流條
215:內側密封
216:外側密封
217:夾持機構
218:外部連接端子
219:外部連接端子
220:背面板
221:保持體
221A:開口
222:手柄
225:內側密封
227:夾持機構
230:檢測器
231:導入通路
231A:閥門
232:排出通路
232A:閥門
235A, 235B:電極
236A:直流電源裝置
236B:交流電源裝置
237A, 237B:電流檢測器
240, 240A:內部空間
300:預濕模組
301:處理槽
302:循環管線
303:泵浦
304:脫氣模組
401:種層
402:抗蝕劑圖案
W:基板
圖1係一個實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。
圖2係顯示鍍覆模組之概略圖。
圖3係從內側觀看基板固持器之前面板的概略圖。
圖4係從內側觀看基板固持器之背面板的概略圖。
圖5係在預濕模組中之基板固持器的概略圖。
圖6A係放大在鍍覆槽之基板固持器的內部空間之剖面概略圖。
圖6B係放大在鍍覆槽之基板固持器的內部空間之剖面概略圖。
圖6C係放大在鍍覆槽之比較例的基板固持器之內部空間的剖面概略圖。
圖7係說明以溶解氧濃度溶解種層之說明圖。
圖8A係說明以分流(Shunt)電流溶解種層之說明圖。
圖8B係說明分流電流之等效電路圖。
175:控制器
200:基板固持器
210:前面板
213:接點
214:匯流條
215:內側密封
216:外側密封
220:背面板
225:內側密封
230:檢測器
231:導入通路
231A:閥門
232:排出通路
232A:閥門
235A:電極
236A:直流電源裝置
237A:電流檢測器
240:內部空間
401:種層
402:抗蝕劑圖案
W:基板
Claims (15)
- 一種基板固持器,係用於保持基板,並使基板接觸於鍍覆液來進行鍍覆,且具備: 內部空間,其係在前述基板固持器保持了前述基板之狀態下,在從前述基板固持器之外部密封的狀態下收容前述基板之外周部; 第一通路,其係連絡前述基板固持器之外部與前述內部空間,並將液體導入前述內部空間;及 檢測器,其係配置於前述內部空間,在將前述液體導入前述內部空間之狀態下,用於藉由監視在鍍覆中流入前述液體之電流或前述液體之電阻,來檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。
- 如請求項1之基板固持器,其中具備: 接點,其係配置於前述內部空間,與形成於前述基板表面之種層接觸,將鍍覆電流流入前述基板;及 溶解性之電極,其係對前述接點偏置於高電位側。
- 如請求項1之基板固持器,其中前述溶解性之電極發揮前述檢測器之功能, 前述檢測器構成在將前述液體導入前述內部空間之狀態下,藉由監視流入前述接點或電性導通於前述接點的配線與前述電極之間的電流,可檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。
- 如請求項1之基板固持器,其中具備接點,其係配置於前述內部空間,與形成於前述基板表面之種層接觸,而將鍍覆電流流入前述基板, 前述檢測器具有非溶解性之電極, 前述檢測器構成藉由在前述內部空間導入前述液體之狀態下,在前述接點或電性導通於前述接點之配線與前述非溶解性電極之間施加交流電壓,藉由監視流入前述非溶解性電極之電流,可檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。
- 如請求項4之基板固持器,其中進一步具有溶解性之電極,其係對前述接點偏置於高電位側。
- 如請求項5之基板固持器,其中前述溶解性電極發揮前述檢測器之功能, 前述檢測器構成可以前述非溶解性電極及前述溶解性電極兩者檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。
- 如請求項3~6中任一項之基板固持器,其中前述配線係匯流條。
- 如請求項1~6中任一項之基板固持器,其中進一步具備閥門,其係配置於前述第一通路,而導通或遮斷前述基板固持器的外部與前述內部空間之間。
- 如請求項1~6中任一項之基板固持器,其中進一步具備第二通路,其係連絡前述基板固持器之外部與前述內部空間,而從前述內部空間排出空氣及/或液體。
- 如請求項1~6中任一項之基板固持器,其中進一步具備第三通路,其係連絡前述基板固持器之外部與前述內部空間,並連接於將內部空間中減壓之裝置。
- 如請求項1~6中任一項之基板固持器,其中前述液體係純水、除去了空氣之純水、或是將其中之氣體以不活潑氣體替換後的純水。
- 一種鍍覆裝置,係具備: 請求項1~6中任一項之基板固持器; 液體供給模組,其係經由前述基板固持器之前述第一通路將液體供給至前述內部空間; 鍍覆模組,其係接納前述基板固持器使其接觸於鍍覆液,來鍍覆前述基板;及 控制模組,其係在將液體導入前述內部空間之狀態下,於鍍覆中取得來自前述檢測器之輸出,判斷鍍覆液有無洩漏至前述內部空間。
- 如請求項12之鍍覆裝置,其中前述液體供給模組係使前述基板表面接觸於純水、除去了空氣之純水、或是將其中之氣體以不活潑氣體替換後的純水的預濕模組。
- 一種鍍覆方法,係用於鍍覆基板, 且包含在從外部密封前述基板外周部之狀態下收容的前述基板固持器之內部空間導入液體, 在將液體導入前述內部空間後之狀態下,藉由監視流入前述液體之電流或前述液體之電阻,來檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間。
- 一種記憶媒體,係記憶用於藉由電腦執行鍍覆裝置之控制方法的程式, 且記憶包含在從外部密封前述基板外周部之狀態下收容的前述基板固持器之內部空間導入液體, 在將液體導入前述內部空間後之狀態下,藉由監視流入前述液體之電流或前述液體之電阻,來檢測鍍覆液洩漏至前述內部空間的程式。
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