TW202238818A - 加工裝置 - Google Patents
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Abstract
[課題]本發明提供一種加工裝置,其容易去除晶圓的倒角部且容易透過切割膠膜而將晶圓配設於環狀框架。[解決手段]加工裝置包含:晶圓搬出單元;晶圓工作台,其支撐所搬出之晶圓;框架搬出單元;框架工作台,其支撐所搬出之環狀框架;膠膜黏貼單元,其將膠膜黏貼於框架;附膠膜之框架搬送單元;膠膜壓接單元,其將附膠膜之框架的膠膜壓接於晶圓的背面;框架單元搬出手段;以及倒角部去除單元,其從框架單元的晶圓將形成於外周剩餘區域之倒角部環狀地切斷並去除。
Description
本發明關於從晶圓環狀地去除形成於外周剩餘區域之倒角部的加工裝置。
於正面形成有由交叉之多條分割預定線劃分IC、LSI等多個元件所形成之元件區域及圍繞元件區域之外周剩餘區域之晶圓,係在背面經研削而形成期望的厚度後,藉由切割裝置、雷射加工裝置而被分割成一個個元件晶片,經分割之各元件晶片被利用於行動電話、個人電腦等電子設備。
研削晶圓的背面之研削裝置係至少由保持晶圓之卡盤台與能旋轉地具備研削輪之研削手段所構成,且可將晶圓加工成所期望的厚度,其中,所述研削輪環狀地配設有將保持於卡盤台之晶圓進行研削之研削磨石。
一般而言,在晶圓的外周會實施倒角加工,因此若將晶圓加工成薄至一半以下的厚度,則會在倒角部形成刀口(knife edge)而成為晶圓破裂的原因。於是,本案申請人已提案一種技術,其在研削晶圓前去除形成於晶圓的外周(例如參照專利文獻1)。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-109228號公報
[發明所欲解決的課題]
但是,並不存在自動地去除晶圓的倒角部且透過切割膠膜而將晶圓配設於環狀框架之自動機械,而有生產性不佳的問題。
因此,本發明之目的在於提供一種加工裝置,其容易去除晶圓的倒角部且容易透過切割膠膜而將晶圓配設於環狀框架。
[解決課題的技術手段]
根據本發明,提供一種加工裝置,其從晶圓環狀地去除形成於外周剩餘區域之倒角部,且具備:晶圓卡匣台,其載置容納有多片晶圓之晶圓卡匣;晶圓搬出單元,其從載置於該晶圓卡匣台之該晶圓卡匣搬出晶圓;晶圓工作台,其支撐藉由該晶圓搬出單元所搬出之晶圓;框架容納單元,其容納多個環狀框架,所述環狀框架形成有容納晶圓之開口部;框架搬出單元,其從該框架容納單元搬出該環狀框架;框架工作台,其支撐藉由該框架搬出單元所搬出之該環狀框架;膠膜黏貼單元,其配設於該框架工作台的上方,且將膠膜黏貼於該環狀框架;附膠膜之框架搬送單元,其將黏貼有該膠膜之該環狀框架搬送至該晶圓工作台,並將該環狀框架的開口部定位在支撐於該晶圓工作台之晶圓的單面,而將附膠膜之框架載置於該晶圓工作台;膠膜壓接單元,其將該附膠膜之框架的該膠膜壓接於晶圓的單面;框架單元搬出手段,其將藉由該膠膜壓接單元壓接該附膠膜之框架的該膠膜與晶圓的單面而成之該框架單元從該晶圓工作台搬出;倒角部去除單元,其從藉由該框架單元搬出手段所搬出之該框架單元的晶圓,將形成於該外周剩餘區域之該倒角部環狀地切斷並去除;無倒角部單元搬出手段,其將已環狀地去除倒角部之無倒角部單元從該倒角部去除單元搬出;以及框架卡匣台,其載置框架卡匣,所述框架卡匣容納藉由該無倒角部單元搬出手段所搬出之該無倒角部單元。
較佳為,該晶圓搬出單元包含搬送臂與手部,所述手部配設於該搬送臂的前端並支撐容納於晶圓卡匣之晶圓。
較佳為,該手部為藉由噴出空氣而產生負壓並以非接觸方式支撐晶圓之伯努利吸盤(Bernoulli pad)。
較佳為,該晶圓工作台具有:環狀支撐部,其支撐晶圓的外周剩餘區域,且未接觸比外周剩餘區域更內側的部分;以及框架支撐部,其配設於該環狀支撐部的外周,且支撐環狀框架。
較佳為,該膠膜黏貼單元包含:捲筒膠膜支撐部,其支撐使用前的膠膜所捲成之捲筒膠膜;膠膜捲收部,其捲收使用完畢的膠膜;膠膜拉出部,其從該捲筒膠膜拉出膠膜;壓接部,其將所拉出之膠膜壓接於環狀框架;以及切斷部,其將超出環狀框架的外周之膠膜沿著環狀框架切斷。
較佳為,該膠膜壓接單元包含:上部腔室,其配設於該晶圓工作台的上方;下部腔室,其容納有該晶圓工作台;升降機構,其使該上部腔室升降而形成與該下部腔室接觸之封閉狀態及從該下部腔室離開之開放狀態;真空部,其在該封閉狀態下使該上部腔室及該下部腔室成為真空;以及大氣開放部,其將該上部腔室及該下部腔室開放於大氣,並且,在將附膠膜之框架的膠膜定位在支撐於該晶圓工作台之晶圓的單面的狀態下,運作該升降機構,一邊維持該封閉狀態一邊使該上部腔室及該下部腔室成為真空,以配設於該上部腔室之推壓輥將該附膠膜之框架的膠膜壓接於晶圓的單面。
較佳為,該框架單元搬出手段包含:框架單元保持部,其具有保持晶圓之晶圓保持部及保持環狀框架之框架保持部;以及搬送部,其將該框架單元保持部搬送至暫置工作台。
較佳為,該框架單元搬出手段包含:二維移動機構,其使該框架單元保持部在水平方向二維地移動;以及攝像部,其拍攝保持於該框架單元保持部之框架單元的晶圓的外周,並且,運作該二維移動機構,並以該攝像部拍攝晶圓的外周的至少三處,求出晶圓的中心坐標,使晶圓的中心與該暫置工作台的中心一致。
較佳為,該倒角部去除單元包含:雷射光線照射單元,其朝向形成於晶圓的外周之倒角部的基部照射雷射光線,形成切斷槽或在晶圓的內部形成改質層;第一升降台,其保持暫置於暫置工作台之該框架單元並使其上升,且定位於該雷射光線照射單元;以及分離部,其從該切斷槽或該改質層環狀地分離倒角部,並且,該分離部包含:紫外線照射部,其對與倒角部對應之膠膜照射紫外線,使膠膜的黏著力降低;第二升降台,其使倒角部在外部露出,吸引保持晶圓的內側且支撐環狀框架;分離器,其作用於倒角部而環狀地分離倒角部;以及廢棄部,其將所分離之倒角部廢棄,並且,該第一升降台將形成有該切斷槽或該改質層之框架單元暫置於暫置工作台,該暫置工作台藉由暫置工作台搬送部而定位於該分離部,該第二升降台支撐暫置於該暫置工作台之框架單元。
較佳為,該暫置工作台具有加熱器,該第一升降台從該暫置工作台保持藉由加熱器加熱膠膜而使膠膜與倒角部的根部密接之框架單元。
較佳為,該暫置工作台具有:環狀支撐部,其支撐晶圓的外周剩餘區域,且未接觸比外周剩餘區域更內側的部分;以及框架支撐部,其配設於該環狀支撐部的外周,且支撐環狀框架。
較佳為,該無倒角部單元搬出手段包含:反轉機構,其具有與支撐於該第二升降台之無倒角部單元面對且保持環狀框架之框架保持部,並朝向該框架卡匣台移動且使該框架保持部反轉;無倒角部單元支撐部,其支撐藉由該反轉機構而反轉以使晶圓的另一面朝上之無倒角部單元;以及壓入部,其使支撐於該無倒角部單元支撐部之無倒角部單元進入載置於該框架卡匣台之框架卡匣並容納於該框架卡匣。
較佳為,該倒角部去除單元包含:去除檢測單元,其檢測是否已去除倒角部;以及切斷槽檢測單元,其檢測該切斷槽。
[發明功效]
根據本發明的加工裝置,容易去除晶圓的倒角部且容易透過切割膠膜而將晶圓配設於環狀框架,生產性變得良好。
以下,一邊參照圖式一邊說明本發明實施方式的加工裝置。
若參照圖1進行說明,則以符號2表示整體之加工裝置具備:晶圓卡匣台8,其載置容納有多片晶圓之晶圓卡匣6;晶圓搬出單元10,其從載置於晶圓卡匣台8之晶圓卡匣6搬出晶圓;以及晶圓工作台12,其支撐藉由晶圓搬出單元10所搬出之晶圓。
圖2中表示藉由加工裝置2而實施加工之晶圓4。晶圓4的正面4a具有:元件區域18,其係由格子狀的分割預定線16劃分IC、LSI等多個元件14而成;以及外周剩餘區域20,其圍繞元件區域18。在圖2中,為了方便而以二點鏈線表示元件區域18與外周剩餘區域20的交界22,但實際上不存在表示交界22之線。如同圖2(b)所示,在晶圓4的外周剩餘區域20形成有倒角部24。並且,在晶圓4的周緣形成有表示晶體方向之缺口26。
如同圖3所示,多片晶圓4以正面4a朝上的狀態在上下方向空開間隔而容納於晶圓卡匣6。本實施方式的晶圓卡匣台8具有:頂板28,其載置晶圓卡匣6;以及支撐板30,其支撐頂板28。此外,頂板28為升降自如,亦可設置有使頂板28升降而定位於任意高度之升降手段。
若參照圖3繼續說明,則晶圓搬出單元10具備:Y軸可動構件32,其在圖3中由箭頭Y所示之Y軸方向移動自如;以及Y軸進給機構34,其使Y軸可動構件32在Y軸方向移動。Y軸進給機構34具有:滾珠螺桿36,其與Y軸可動構件32的下端連結,且在Y軸方向延伸;以及馬達38,其使滾珠螺桿36旋轉。Y軸進給機構34藉由滾珠螺桿36而將馬達38的旋轉運動轉換成直線運動並傳遞至Y軸可動構件32,使Y軸可動構件32沿著在Y軸方向延伸之一對導軌40而於Y軸方向移動。此外,圖3中由箭頭X所示之X軸方向係與Y軸方向正交之方向,圖3中由箭頭Z所示之Z軸方向係與X軸方向及Y軸方向正交之上下方向。X軸方向及Y軸方向所規定之XY平面為實質上水平。
如同圖3所示,本實施方式的晶圓搬出單元10具備:搬送臂42與手部44,所述手部44配設於搬送臂42的前端,且支撐容納於晶圓卡匣6之晶圓4。搬送臂42設置於Y軸可動構件32的上表面,且藉由空氣驅動源或電動驅動源等適當的驅動源(未圖示)所驅動。此驅動源驅動搬送臂42,將手部44定位於X軸方向、Y軸方向及Z軸方向各方向的任意位置,且使手部44上下反轉。
若參照圖4進行說明,則手部44較佳為藉由噴出空氣而產生負壓並以非接觸方式支撐晶圓4之伯努利吸盤。本實施方式的手部44整體呈C形狀,在手部44的單面形成有與壓縮空氣供給源(未圖示)連接之多個空氣噴出口46。在手部44的外周緣,在圓周方向空開間隔而附設有多個導引銷48。各導引銷48被構成為在手部44的徑向移動自如。
如同圖3及圖4所示,晶圓搬出單元10將手部44定位在載置於晶圓卡匣台8之晶圓卡匣6內的晶圓4的背面4b側(下側)後,從手部44的空氣噴出口46噴出壓縮空氣,藉由伯努利效應而在手部44的單面側產生負壓,藉由手部44以非接觸方式從背面4b側吸引支撐晶圓4。吸引支撐於手部44之晶圓4的水平移動係藉由各導引銷48所控制。然後,晶圓搬出單元10藉由使Y軸可動構件32及搬送臂42移動,而將以手部44吸引支撐之晶圓4從晶圓卡匣6搬出。
如同圖4所示,本實施方式的晶圓搬出單元10具備檢測晶圓4的切口26的位置之切口檢測單元50。切口檢測單元50例如包含:互相在上下方向空開間隔所配置之發光元件52及受光元件54、以及使手部44的至少一個導引銷48旋轉之驅動源(未圖示)。
發光元件52及受光元件54能透過適當的支架(未圖示)而附設於Y軸可動構件32或搬送路徑。並且,若導引銷48藉由上述驅動源而進行旋轉,則起因於導引銷48的旋轉,以手部44吸引支撐之晶圓4會進行旋轉。為了確實地使旋轉從導引銷48傳遞至晶圓4,藉由驅動源而進行旋轉之導引銷48的外周面較佳由適當的合成橡膠所形成。
切口檢測單元50可在晶圓4被手部44吸引支撐且晶圓4的外周被定位於發光元件52與受光元件54之間的狀態下,利用驅動源並透過導引銷48而使晶圓4旋轉,藉此檢測缺口26的位置。藉此,能將晶圓4的方向調整為任意方向。
如同圖3所示,晶圓工作台12係與晶圓搬出單元10相鄰配置。本實施方式的晶圓工作台12具備:環狀支撐部56,其支撐晶圓4的外周剩餘區域20,且未接觸比外周剩餘區域20更內側的部分;以及框架支撐部58,其配設於環狀支撐部56的外周,且支撐後述的環狀框架64(參照圖5)。在環狀支撐部56的上表面,在圓周方向形成有空開間隔所配置之多個吸引孔60,各吸引孔60與吸引手段(未圖示)連接。晶圓工作台12中之比環狀支撐部56更靠徑向內側的部分成為往下方凹陷之圓形的凹處62。
若手部44反轉180°而使晶圓4的正面背面反轉,且在晶圓4的正面4a朝下的狀態下將晶圓4載置於晶圓工作台12,則晶圓4的外周剩餘區域20被環狀支撐部56支撐,晶圓4的元件區域18位於凹處62。因此,即使在形成有元件14之正面4a朝下的狀態下將晶圓4載置於晶圓工作台12,元件14與晶圓工作台12亦不會接觸,因此防止元件14的損傷。並且,晶圓工作台12在藉由環狀支撐部56而支撐外周剩餘區域20後,使吸引手段運作而在各吸引孔60產生吸引力以吸引保持外周剩餘區域20,藉此防止晶圓4的位置偏離。
若參照圖5進行說明,則加工裝置2進一步具備:框架容納單元66,其容納多個環狀框架64,所述環狀框架64形成有容納晶圓4之開口部64a;框架搬出單元68,其從框架容納單元66搬出環狀框架64;以及框架工作台70,其支撐藉由框架搬出單元68所搬出之環狀框架64。
如同圖5所示,本實施方式的框架容納單元66具備:外殼72;升降板74,其升降自如地配置於外殼72內;以及升降手段(未圖示),其使升降板74升降。在圖5中,在外殼72的X軸方向裡側的側面配置有在Z軸方向延伸之Z軸導引構件78。升降板74升降自如地被支撐於Z軸導引構件78,使升降板74升降之升降手段配置於Z軸導引構件78的內部。升降手段例如可為具有滾珠螺桿與馬達之構成,所述滾珠螺桿係與升降板74連結且在Z軸方向延伸,所述馬達使此滾珠螺桿旋轉。在圖5中,在外殼72的X軸方向前側的側面設有門扉76,所述門扉76附設有把手76a,在框架容納單元66中,握持把手76a而打開門扉76,藉此可將環狀框架64容納於外殼72的內部。並且,在外殼72的上端設有開口部80。
如同圖5所示,環狀框架64係在外殼72的內部中層積並容納於升降板74的上表面。藉由框架搬出單元68,將所層積之多片環狀框架64之中最上部的環狀框架64從外殼72的開口部80搬出。並且,若從開口部80搬出環狀框架64,則框架容納單元66藉由升降手段而使升降板74適當上升,將最上部的環狀框架64定位於能藉由框架搬出單元68搬出之位置。
若參照圖5繼續說明,則框架搬出單元68包含:X軸導引構件82,其固定於適當的支架(未圖示)且在X軸方向延伸;X軸可動構件84,其在X軸方向移動自如地支撐於X軸導引構件82;X軸進給機構(未圖示),其使X軸可動構件84在X軸方向移動;Z軸可動構件86,其在Z軸方向移動自如地支撐於X軸可動構件84;以及Z軸進給機構(未圖示),其使Z軸可動構件86在Z軸方向移動。框架搬出單元68的X軸進給機構可為具有滾珠螺桿與馬達之構成,所述滾珠螺桿係與X軸可動構件84連結且在X軸方向延伸,所述馬達使此滾珠螺桿旋轉,Z軸進給機構可為具有滾珠螺桿與馬達之構成,所述滾珠螺桿係與Z軸可動構件86連結且在Z軸方向延伸,所述馬達使此滾珠螺桿旋轉。
框架搬出單元68的Z軸可動構件86具有保持環狀框架64之保持部88。本實施方式的保持部88具有矩形狀的基板90與設置於基板90的下表面之多個吸引墊92,各吸引墊92與吸引手段(未圖示)連接。
框架搬出單元68以保持部88的吸引墊92吸引保持容納於框架容納單元66之最上部的環狀框架64後,使X軸可動構件84及Z軸可動構件86移動,藉此將已吸引保持之最上部的環狀框架64從框架容納單元66搬出。
如同圖5所示,框架工作台70在由實線所示之下降位置與由二點鏈線所示之上升位置之間升降自如地支撐於Z軸導引構件94。在Z軸導引構件94附設有使框架工作台70在下降位置與上升位置之間升降之適當的驅動源(例如空氣驅動源或電動驅動源)。在框架工作台70中,在下降位置接收藉由框架搬出單元68所搬出之環狀框架64。
如同圖1及圖5所示,加工裝置2包含:膠膜黏貼單元98(參照圖1),其配設於框架工作台70的上方,且將膠膜96黏貼於環狀框架64;附膠膜之框架搬送單元100(參照圖5),其將黏貼有膠膜96之環狀框架64(以下有時稱為「附膠膜之環狀框架64’」)搬送至晶圓工作台12,並將環狀框架64的開口部64a定位在支撐於晶圓工作台12之晶圓4的單面,而將附膠膜之環狀框架64’載置於晶圓工作台12;以及膠膜壓接單元102(參照圖1),其將附膠膜之環狀框架64’的膠膜96壓接於晶圓4的單面。
若參照圖6進行說明,則本實施方式的膠膜黏貼單元98具備:捲筒膠膜支撐部104,其支撐使用前的膠膜96所捲成之捲筒膠膜96R;膠膜捲收部106,其捲收使用完畢的膠膜96;膠膜拉出部108,其從捲筒膠膜96R拉出膠膜96;壓接部110,其將所拉出之膠膜96壓接於環狀框架64;以及切斷部112,其將超出環狀框架64的外周之膠膜96沿著環狀框架64切斷。
如同圖6所示,捲筒膠膜支撐部104包含支撐輥114,所述支撐輥114以在X軸方向延伸之軸線作為中心而旋轉自如地支撐於適當的支架(未圖示)。在支撐輥114支撐有捲筒膠膜96R,所述捲筒膠膜96R於膠膜96的黏著面附設有用於保護膠膜96的黏著面之剝離紙116,且捲成圓筒狀。
膠膜捲收部106包含:捲收輥118,其以在X軸方向延伸之軸線作為中心而旋轉自如地支撐於適當的支架(未圖示);以及馬達(未圖示),其使捲收輥118旋轉。如同圖6所示,膠膜捲收部106藉由馬達而使捲收輥118旋轉,藉此捲收形成有圓形的開口部120之使用完畢的膠膜96,所述開口部120係相當於貼附於環狀框架64之部分。
若參照圖6繼續說明,則膠膜拉出部108包含:拉出輥122,其配置於捲筒膠膜支撐部104的支撐輥114的下方;馬達(未圖示),其使拉出輥122旋轉;以及從動輥124,其伴隨著拉出輥122的旋轉而進行旋轉。膠膜拉出部108藉由馬達而使從動輥124與拉出輥122一起旋轉,藉此將夾在拉出輥122與從動輥124之間的膠膜96從捲筒膠膜96R拉出。
從通過拉出輥122與從動輥124之間的膠膜96將剝離紙116剝離,所剝離之剝離紙116係藉由剝離紙捲收部126而被捲收。本實施方式的剝離紙捲收部126具有:剝離紙捲收輥128,其配置於從動輥124的上方;以及馬達(未圖示),其使剝離紙捲收輥128旋轉。並且,已將剝離紙116剝離之膠膜96係經過與拉出輥122在Y軸方向空開間隔所配置之導引輥130,而被導引至捲收輥118。
壓接部110包含:推壓輥132,其以在Y軸方向移動自如的方式配置;以及Y軸進給機構(未圖示),其使推壓輥132在Y軸方向移動。壓接部110的Y軸進給機構能由適當的驅動源(例如空氣驅動源或電動驅動源)所構成。
如同圖6所示,切斷部112包含:Z軸導引構件134,其固定於適當的支架(未圖示)且在Z軸方向延伸;Z軸可動構件136,其在Z軸方向移動自如地支撐於Z軸導引構件134;以及Z軸進給機構(未圖示),其使Z軸可動構件136在Z軸方向移動。切斷部112的Z軸進給機構可為具有滾珠螺桿與馬達之構成,所述滾珠螺桿係與Z軸可動構件136連結且在Z軸方向延伸,所述馬達使此滾珠螺桿旋轉。
並且,切斷部112包含:馬達138,其固定於Z軸可動構件136的前端下表面;以及臂片140,其以在Z軸方向延伸之軸線作為中心並藉由馬達138而進行旋轉。在臂片140的下表面互相空開間隔地附設有第一/第二垂下片142a、142b。圓形的切斷器144係以與Z軸方向正交之軸線作為中心而旋轉自如地支撐於第一垂下片142a,壓輥146係以與Z軸方向正交之軸線作為中心而旋轉自如地支撐於第二垂下片142b。
在將已從框架搬出單元68接收環狀框架64之框架工作台70從下降位置(圖6(a)所示之位置)定位於上升位置(圖6(b)所示之位置)前,膠膜黏貼單元98藉由拉出輥122與從動輥124而拉出未使用的膠膜96。然後,以可藉由壓接部110的推壓輥132而將膠膜96推壓至環狀框架64之程度,將框架工作台70定位於上升位置,使環狀框架64透過膠膜96而與推壓輥132接觸。然後,一邊以推壓輥132將膠膜96的黏著面推抵於環狀框架64,一邊使推壓輥132在Y軸方向滾動。藉此,可將藉由膠膜拉出部108而從捲筒膠膜96R拉出之膠膜96壓接於環狀框架64。
將膠膜96壓接於環狀框架64後,膠膜黏貼單元98藉由Z軸進給機構而使切斷部112的Z軸可動構件136下降,將切斷器144按壓於環狀框架64上的膠膜96,且以壓輥146從膠膜96的上方壓環狀框架64。接著,藉由馬達138而使臂片140旋轉,使切斷器144及壓輥146以沿著環狀框架64畫圓的方式移動。藉此,可將超出環狀框架64的外周之膠膜96沿著環狀框架64切斷。並且,因以壓輥146從膠膜96的上方壓環狀框架64,故在切斷膠膜96時會防止環狀框架64或膠膜96的位置偏離。然後,使框架工作台70下降後,形成有圓形的開口部120之使用完畢的膠膜96係藉由膠膜捲收部106而被捲收,所述開口部120係相當於貼附於環狀框架64之部分。
如同圖5所示,附膠膜之框架搬送單元100包含:Y軸導引構件148,其固定於適當的支架(未圖示)且在Y軸方向延伸;Y軸可動構件150,其在Y軸方向移動自如地支撐於Y軸導引構件148;Y軸進給機構(未圖示),其使Y軸可動構件150在Y軸方向移動;Z軸可動構件152,其在Z軸方向移動自如地支撐於Y軸可動構件150;以及Z軸進給機構(未圖示),其使Z軸可動構件152在Z軸方向移動。附膠膜之框架搬送單元100的Y軸進給機構可為具有滾珠螺桿與馬達之構成,所述滾珠螺桿係與Y軸可動構件150連結且在Y軸方向延伸,所述馬達使此滾珠螺桿旋轉,Z軸進給機構可為具有滾珠螺桿與馬達之構成,所述滾珠螺桿係與Z軸可動構件152連結且在Z軸方向延伸,所述馬達使此滾珠螺桿旋轉。
附膠膜之框架搬送單元100的Z軸可動構件152具有保持附膠膜之環狀框架64’之保持部154。本實施方式的保持部154具有矩形狀的基板156與設置於基板156的下表面之多個吸引墊158,各吸引墊158與吸引手段(未圖示)連接。
附膠膜之框架搬送單元100係以保持部154的各吸引墊158吸引保持在膠膜96的黏著面朝下的狀態下支撐於框架工作台70之附膠膜之環狀框架64’的上表面,並使Y軸可動構件150及Z軸可動構件152移動,藉此將以保持部154吸引保持之附膠膜之環狀框架64’從框架工作台70搬送至晶圓工作台12,並將環狀框架64的開口部64a定位在支撐於晶圓工作台12之晶圓4的單面,而將附膠膜之環狀框架64’載置於晶圓工作台12。
參照圖7至圖9,針對膠膜壓接單元102進行說明。如同圖7所示,膠膜壓接單元102具備:上部腔室160,其配設於晶圓工作台12的上方;下部腔室162,其容納有晶圓工作台12;升降機構164,其使上部腔室160升降而產生與下部腔室162接觸之封閉狀態與從下部腔室162分離之開放狀態;真空部166,其在封閉狀態下使上部腔室160及下部腔室162成為真空;以及大氣開放部168,其將上部腔室160及下部腔室162開放於大氣。
如同圖7所示,本實施方式的上部腔室160包含圓形的頂板170與從頂板170的周緣垂下之圓筒狀的側壁172。在頂板170的上表面裝設有能由氣缸等適當的致動器所構成之升降機構164。在藉由頂板170的下表面與側壁172的內周面所規定之容納空間配設有:推壓輥174,其用於將附膠膜之環狀框架64’的膠膜96推抵在支撐於晶圓工作台12之晶圓4的單面;支撐片176,其旋轉自如地支撐推壓輥174;以及Y軸進給機構178,其使支撐片176在Y軸方向移動。
Y軸進給機構178具有:滾珠螺桿180,其與支撐片176連結且在Y軸方向延伸;以及馬達182,其使滾珠螺桿180旋轉。然後,Y軸進給機構178係藉由滾珠螺桿180而將馬達182的旋轉運動轉換成直線運動並傳遞至支撐片176,使支撐片176沿著在Y軸方向延伸之一對導軌184移動。
如同圖7所示,下部腔室162具有圓筒狀的側壁186,側壁186的上部被開放,側壁186的下部被封閉。在側壁186形成有連接開口188。能由適當的真空泵所構成之真空部166係透過流路190而與連接開口188連接。在流路190設有大氣開放部168,所述大氣開放部168能由能將流路190開放於大氣之適當的閥所構成。
膠膜壓接單元102係在將附膠膜之環狀框架64’的膠膜96定位在支撐於晶圓工作台12之晶圓4的單面的狀態下,藉由升降機構164而使上部腔室160下降,使上部腔室160的側壁172的下端與下部腔室162的側壁186的上端接觸,使上部腔室160及下部腔室162呈封閉狀態,且使推壓輥174與附膠膜之環狀框架64’接觸。
接著,膠膜壓接單元102係在將構成大氣開放部168之閥關閉的狀態下使構成真空部166之真空泵運作,使上部腔室160及下部腔室162的內部成為真空後,如同圖8及圖9所示,以Y軸進給機構178使推壓輥174在Y軸方向滾動,藉此將膠膜96壓接於晶圓4的單面而製成框架單元U。
在本實施方式中,在使上部腔室160及下部腔室162的內部成為真空的狀態下將晶圓4與膠膜96進行壓接,因此若在壓接膠膜96後將大氣開放部168開放,則藉由大氣壓而將膠膜96推抵於晶圓4。藉此,膠膜96與晶圓4的單面密接。
如同圖1及圖10所示,加工裝置2進一步包含:框架單元搬出手段192,其將藉由膠膜壓接單元102而使附膠膜之環狀框架64’的膠膜96與晶圓4的單面壓接而成之框架單元U從晶圓工作台12搬出;倒角部去除單元194,其從藉由框架單元搬出手段192所搬出之框架單元U的晶圓4,將形成於外周剩餘區域20之倒角部24環狀地切斷並去除;無倒角部單元搬出手段196(參照圖1),其將已環狀地去除倒角部24之無倒角部單元從倒角部去除單元194搬出;以及框架卡匣台200(參照圖1),其載置框架卡匣198,所述框架卡匣198容納藉由無倒角部單元搬出手段196所搬出之無倒角部單元。
如同圖10所示,本實施方式的框架單元搬出手段192具備:框架單元保持部202,其包含保持晶圓4之晶圓保持部202a及保持環狀框架64之框架保持部202b;以及搬送部206,其將框架單元保持部202搬送至暫置工作台204。
框架單元保持部202的晶圓保持部202a包含:圓形狀的基板208;以及圓形狀的吸附片210,其裝設於基板208的下表面。在吸附片210的下表面形成有多個吸引孔(未圖示),各吸引孔與吸引手段(未圖示)連接。框架保持部202b包含:多個(本實施方式中為四個)突出片212,其等在圓周方向空開間隔而從晶圓保持部202a的基板208的周緣往徑向外側突出;以及吸引墊214,其附設於突出片212的下表面,各吸引墊214與吸引手段(未圖示)連接。
搬送部206包含:X軸導引構件216,其固定於適當的支架(未圖示)且在X軸方向延伸;X軸可動構件218,其在X軸方向移動自如地支撐於X軸導引構件216;X軸進給機構(未圖示),其使X軸可動構件218在X軸方向移動;Z軸可動構件220,其在Z軸方向移動自如地支撐於X軸可動構件218;Z軸進給機構(未圖示),其使Z軸可動構件220在Z軸方向移動;Y軸可動構件222,其在Y軸方向移動自如地支撐於Z軸可動構件220;以及Y軸進給機構(未圖示),其使Y軸可動構件222在Y軸方向移動。Y軸可動構件222的前端連結有晶圓保持部202a的基板208。搬送部206的X軸/Y軸/Z軸進給機構各自可為具有滾珠螺桿與使滾珠螺桿旋轉之馬達的構成。
框架單元搬出手段192較佳為具備:二維移動機構,其使框架單元保持部202在水平方向二維地移動;以及攝像部224,其拍攝保持於框架單元保持部202之框架單元U的晶圓4的外周,在本實施方式中,藉由搬送部206的X軸進給機構及Y軸進給機構而在XY平面使框架單元保持部202在水平方向上二維地移動,並藉由搬送部206而構成二維移動機構。並且,本實施方式的攝像部224配置於晶圓工作台12與暫置工作台204之間,從晶圓4的下方拍攝保持於框架單元保持部202之框架單元U的晶圓4的外周。
框架單元搬出手段192在以晶圓保持部202a的吸附片210從背面4b側(膠膜96側)吸引保持晶圓4且以框架保持部202b的吸引墊214吸引保持環狀框架64的狀態下,使搬送部206運作,藉此將以框架單元保持部202保持之框架單元U從晶圓工作台12搬出。
並且,本實施方式的框架單元搬出手段192使構成二維移動機構之搬送部206運作,並以攝像部224拍攝以框架單元保持部202保持之框架單元U的晶圓4的外周的至少三處,藉此量測晶圓4的外周上的至少三點的座標,並根據所量測之三點的座標而求出晶圓4的中心座標。然後,框架單元搬出手段192使晶圓4的中心與暫置工作台204的中心一致,並將框架單元U暫置於暫置工作台204。
如同圖10所示,暫置工作台204係與晶圓工作台12在X軸方向空開間隔地配置。本實施方式的暫置工作台204具備:環狀支撐部226,其支撐框架單元U的晶圓4的外周剩餘區域20,且未接觸比外周剩餘區域20更內側的部分;以及框架支撐部228,其配設於環狀支撐部226的外周,且支撐環狀框架64。
比環狀支撐部226更靠徑向內側的部分成為往下方凹陷之圓形的凹處230。暫置工作台204的框架支撐部228較佳為具備加熱器(未圖示),且藉由加熱器而將暫置於暫置工作台204之框架單元U的膠膜96進行加熱,藉此使膠膜96軟化,使膠膜96與倒角部24的根部進一步密接。
本實施方式的加工裝置2包含暫置工作台搬送部232,所述暫置工作台搬送部232係在Y軸方向搬送暫置工作台204。暫置工作台搬送部232具備:Y軸導引構件234,其在Y軸方向延伸;Y軸可動構件236,其在Y軸方向移動自如地支撐於Y軸導引構件234;以及Y軸進給機構238,其使Y軸可動構件236在Y軸方向移動。在Y軸可動構件236的上部固定有暫置工作台204。Y軸進給機構238具有:滾珠螺桿240,其與Y軸可動構件236連結,且在Y軸方向延伸;以及馬達242,其使滾珠螺桿240旋轉。然後,暫置工作台搬送部232係藉由滾珠螺桿240而將馬達242的旋轉運動轉換成直線運動並傳遞至Y軸可動構件236,將暫置工作台204與Y軸可動構件236一起在Y軸方向搬送。
如同圖1及圖10所示,倒角部去除單元194具備:雷射光線照射單元244,其朝向形成於晶圓4的外周之倒角部24的基部照射雷射光線,形成切斷槽或在晶圓的內部形成改質層;第一升降台246(參照圖1),其保持暫置於暫置工作台204之框架單元U並使其上升,且在X軸方向移動而定位於雷射光線照射單元244;以及分離部248,其從切斷槽或改質層環狀地分離倒角部24。
如同圖10所示,雷射光線照射單元244包含:外殼250,其在X軸方向與暫置工作台204相鄰配置;雷射振盪器(未圖示),其容納於外殼250,振盪雷射而射出雷射光線;聚光器252,其將從雷射振盪器所射出之雷射光線進行聚光並照射至形成於晶圓4的外周之倒角部24的基部;吸引噴嘴254,其吸引在對晶圓4照射雷射光線時所產生之碎片;以及吸引手段(未圖示),其與吸引噴嘴254連接。
聚光器252從外殼250的上表面朝向上方並往吸引噴嘴254側傾斜延伸,藉此抑制在照射雷射光線時所產生之碎片落下至聚光器252。並且,吸引噴嘴254從外殼250的上表面朝向上方並往聚光器252側傾斜延伸。
如同圖11所示,雷射光線照射單元244一邊使藉由第一升降台246保持之框架單元U旋轉,一邊朝向形成於晶圓4的外周之倒角部24的基部(比晶圓4的外周緣更稍靠內側的部分)照射雷射光線LB,並藉由燒蝕加工而沿著倒角部24的基部形成環狀的切斷槽256,或者,沿著倒角部24的基部而環狀地形成改質層。並且,雷射光線照射單元244在形成切斷槽256之情形中,藉由吸引噴嘴254而吸引因燒蝕加工所產生之碎片。
如同圖1所示,第一升降台246係以在X軸方向移動自如且在Z軸方向移動自如的方式配置於暫置工作台204的上方。若參照圖12進行說明,則第一升降台246包含:X軸導引構件258,其固定於適當的支架(未圖示)且在X軸方向延伸;X軸可動構件260,其在X軸方向移動自如地支撐於X軸導引構件258;X軸進給機構(未圖示),其使X軸可動構件260在X軸方向移動;Z軸可動構件262,其在Z軸方向移動自如地支撐於X軸可動構件260;以及Z軸進給機構(未圖示),其使Z軸可動構件262在Z軸方向移動。第一升降台246的X軸/Z軸進給機構各自可為具有滾珠螺桿與使滾珠螺桿旋轉之馬達的構成。
在Z軸可動構件262的前端下表面旋轉自如地支撐有往下方延伸之支撐軸264,在Z軸可動構件262的前端上表面安裝有馬達266,所述馬達266使支撐軸264以在Z軸方向延伸之軸線作為中心而旋轉。在支撐軸264的下端固定有圓形狀的保持片268。
如同圖12(b)所示,在保持片268的下表面裝設有:圓形的晶圓用吸附卡盤400;以及多個框架用吸附卡盤402,其等配置於晶圓用吸附卡盤400的周圍。晶圓用吸附卡盤400的直徑稍小於晶圓4的元件區域18的直徑。多個框架用吸附卡盤402在圓周方向空開間隔而配置於與環狀框架64的尺寸對應之圓周上。並且,晶圓用吸附卡盤400及框架用吸附卡盤402係由多孔質材料所形成,且與吸引手段(未圖示)連接。
第一升降台246以晶圓用吸附卡盤400吸引保持藉由暫置工作台204的框架支撐部228的加熱器而將膠膜96進行加熱以使膠膜96與環狀的倒角部24的根部密接而成之框架單元U的晶圓4,且以框架用吸附卡盤402吸引保持環狀框架64後,使Z軸可動構件262及X軸可動構件260移動,使以保持片268吸引保持之框架單元U上升且在X軸方向移動而定位於雷射光線照射單元244。
並且,在藉由雷射光線照射單元244而對晶圓4照射雷射光線LB之際,第一升降台246使馬達266運作,使以保持片268吸引保持之框架單元U旋轉。再者,第一升降台246使在倒角部24的基部形成有切斷槽256或改質層之框架單元U在X軸方向、Z軸方向移動而暫置於暫置工作台204。
如同圖12所示,本實施方式的倒角部去除單元194具有切斷槽檢測單元404,所述切段槽檢測單元404檢測朝向形成於晶圓4的外周之倒角部24的基部照射雷射光線LB所形成之切斷槽256。切斷槽檢測單元404包含:環狀的照明部406,其配置於第一升降台246的保持片268的下表面;以及受光部408,其與第一升降台246相鄰配置。
如同圖12(c)所示,照明部406的直徑與切斷槽256的直徑幾乎相同,在藉由保持片268而保持框架單元U之際,照明部406會位於切斷槽256的上方。並且,受光部408係透過支架410而支撐於X軸導引構件258,在藉由保持片268而保持框架單元U之際,受光部408會位於切斷槽256的下方。
然後,在切斷槽檢測單元404中,一邊使藉由第一升降台246保持之框架單元U旋轉,一邊藉由受光部408接收照明部406的光,藉此檢測切斷槽256。更具體而言,切斷槽檢測單元404檢測切斷槽256是否從晶圓4的正面4a到達背面4b,亦即晶圓4是否被完全切斷。
若切斷槽256從晶圓4的正面4a到達背面4b而晶圓4被完全切斷,則照明部406的光會通過切斷槽256到達受光部408,因此受光部408的受光量變得較大。此外,因照明部406的光會穿透膠膜96,故受光部408的受光量不會受到膠膜96影響。另一方面,若切斷槽256未從晶圓4的正面4a到達背面4b而晶圓4有未被完全切斷之不完全切斷部分,則照明部406的光會被不完全切斷部分所遮蔽,因此在不完全切斷部分位於受光部408的上方時,受光部408的受光量變得較小。因此,切斷槽檢測單元404在受光部408的受光量於切斷槽256的整個圓周為預定的閾值以上之情形中,判定晶圓4被完全切斷,反之,存在受光部408的受光量小於上述閾值的區域之情形中,判定晶圓4未被完全切斷。
圖13所示之例中,在晶圓4的旋轉角度為0°~θ1的區域及θ2~360°的區域中,受光部408的受光量為閾值T1以上,但在晶圓4的旋轉角度為θ1~θ2的區域中,受光部408的受光量小於閾值T1,因此判定晶圓4存在不完全切斷部分。
此外,切斷槽檢測單元404亦可包含在藉由保持片268而保持框架單元U之際從下方拍攝切斷槽256之攝影機,以代替上述受光部408,亦可基於藉由攝影機所拍攝之切斷槽256的影像,檢測切斷槽256是否從晶圓4的正面4a到達背面4b。
如同圖1所示,分離部248係在暫置工作台204的Y軸方向的可動範圍中與第一升降台246在Y軸方向空開間隔而配置。若參照圖14及圖16進行說明,則分離部248具備:紫外線照射部270(參照圖14),其對與倒角部24對應之膠膜96照射紫外線,使膠膜96的黏著力降低;第二升降台272(參照圖14),其使倒角部24在外周露出而吸引保持晶圓4的內側,且支撐環狀框架64;分離器274(參照圖14),其作用於倒角部24,將倒角部24環狀地分離;以及廢棄部276(參照圖16),其將所分離之倒角部24廢棄。
如同圖14所示,本實施方式的分離部248包含:Z軸導引構件278,其固定於適當的支架(未圖示)且在Z軸方向延伸;Z軸可動構件280,其在Z軸方向移動自如地支撐於Z軸導引構件278;以及Z軸進給機構(未圖示),其使Z軸可動構件280在Z軸方向移動。Z軸進給機構亦可為具有滾珠螺桿與馬達之構成,所述滾珠螺桿係與Z軸可動構件280連結且在Z軸方向延伸,所述馬達使此滾珠螺桿旋轉。
在Z軸可動構件280的前端下表面支撐有支撐片282,且旋轉自如地支撐有支撐軸286,在此支撐軸286連結有上述第二升降台272。在Z軸可動構件280的前端上表面安裝有使第二升降台272與支撐軸286一起旋轉之馬達284。在本實施方式的支撐片282,在Y軸方向空開間隔地附設有一對上述紫外線照射部270。
第二升降台272為圓形,第二升降台272的直徑稍小於晶圓4的元件區域18的直徑。在第二升降台272的下表面形成有多個吸引孔(未圖示),各吸引孔與吸引手段連接。
並且,在支撐片282裝設有上述分離器274。分離器274包含:一對可動片288,其空開間隔而在支撐片282的長邊方向移動自如地配置於支撐片282的下表面;以及一對進給機構290,其使一對可動片288移動。一對進給機構290各自能由氣缸或電動汽缸等適當的致動器所構成。
分離器274包含:一對夾入輥292a、292b,其在上下方向空開間隔地支撐於各可動片288;以及Z軸進給機構294,其使上側的夾入輥292a在Z軸方向移動。Z軸進給機構294能由氣缸或電動汽缸等適當的致動器所構成。各夾入輥292a、292b以在X軸方向延伸之軸線作為中心而旋轉自如地支撐於可動片288。在上側的夾入輥292a透過支撐軸296而裝設有推壓輥298。
若參照圖16進行說明,則廢棄部276包含:輸送帶300,其搬送已分離之倒角部24;以及集塵箱302,其容納藉由輸送帶300所搬送之倒角部24。輸送帶300係藉由適當的致動器(未圖示)而定位於實質上水平地延伸之回收位置(圖16中由實線所示之位置)與實質上垂直地延伸之待機位置(圖16中由二點鏈線所示之位置)。在圖16中,於集塵箱302的X軸方向前側的側面設有門扉304,所述門扉304附設有把手304a。在集塵箱302的內部安裝有將已回收之倒角部24進行破碎的破碎機(未圖示)。在集塵箱302中,藉由握持把手304a打開門扉304,而可取出容納於集塵箱302之倒角部24的破碎屑。
若藉由暫置工作台搬送部232而將暫置有在倒角部24的基部已形成切斷槽256之框架單元U之暫置工作台204定位於分離部248的下方,則如同圖15所示,分離部248藉由第二升降台272而吸引保持框架單元U的晶圓4的背面4b側,且以分離器274的夾入輥292a、292b夾入環狀框架64後,從一對紫外線照射部270照射紫外線,使貼附於倒角部24之膠膜96的黏著力降低,且一邊藉由推壓輥298而將倒角部24往下方推抵,一邊藉由馬達284而使框架單元U與支撐軸286及第二升降台272一起相對於分離器274進行旋轉,藉此從框架單元U分離倒角部24。已分離之倒角部24被輸送帶300搬送至集塵箱302並回收。此外,在分離倒角部24之際,亦可使分離器274相對於框架單元U進行旋轉。
如同圖14及圖15所示,本實施方式的倒角部去除單元194具有檢測倒角部24是否已去除之去除檢測單元412。去除檢測單元412係與紫外線照射部270相鄰配設。去除檢測單元412具有:本體414,其支撐於支撐片282;以及發光部416及受光部418,其等皆裝設於本體414的下表面。如同圖15所示,發光部416係對於被第二升降台272保持且已去除倒角部24之框架單元U而朝向存在倒角部24之區域照射光L1。並且,受光部418係接收在未去除而殘留之倒角部24中發光部416的光L1進行反射之反射光L2。
然後,在去除檢測單元412中,一邊使被第二升降台272保持且已去除倒角部24之框架單元U旋轉,一邊從發光部416朝向存在倒角部24之區域照射光L1,藉由受光部418的受光量是否小於預定的閾值而檢測倒角部24是否已被完全去除。
若倒角部24被去除,則發光部416的光L1被照射至膠膜96,因此幾乎沒有反射光L2,而受光部418的受光量變得較小。另一方面,若倒角部24的至少一部分未被去除而殘留,則發光部416的光L1會在殘留之倒角部24進行反射,因此受光部418的受光量變得較大。因此,去除檢測單元412在受光部418的受光量於晶圓4的整個圓周為小於預定的閾值之情形中,判定倒角部24被完全去除,反之,存在受光部418的受光量為預定的閾值以上的區域之情形中,判定倒角部24的至少一部分未被去除而殘留。
如同圖1所示,無倒角部單元搬出手段196係與倒角部去除單元194相鄰配置。若參照圖17及圖18進行說明,則本實施方式的無倒角部單元搬出手段196具備:反轉機構308(參照圖17),其具備與支撐於第二升降台272之無倒角部單元面對並保持環狀框架64之框架保持部306,並朝向框架卡匣台200移動且使框架保持部306反轉;無倒角部單元支撐部310(參照圖18),其支撐藉由反轉機構308而反轉以使晶圓4的正面4a朝上之無倒角部單元;以及壓入部312(參照圖18),其使支撐於無倒角部單元支撐部310之無倒角部單元進入載置於框架卡匣台200之框架卡匣198並容納於框架卡匣198。
如同圖17所示,反轉機構308包含:Y軸導引構件314,其在Y軸方向延伸;Y軸可動構件316,其在Y軸方向移動自如地支撐於Y軸導引構件314;Y軸進給機構(未圖示),其使Y軸可動構件316在Y軸方向移動;臂部318,其在Z軸方向移動自如地支撐於Y軸可動構件316;以及Z軸進給機構(未圖示),其使臂部318在Z軸方向移動。反轉機構308的Y軸/Z軸進給機構各自可為具有滾珠螺桿與使滾珠螺桿旋轉之馬達的構成。
在臂部318上下反轉自如地支撐有上述框架保持部306,且安裝有使框架保持部306上下反轉之馬達320。本實施方式的框架保持部306包含:基板324,其透過一對旋轉軸322而旋轉自如地支撐於臂部318;以及多個吸引墊326,其等附設於基板324的單面,各吸引墊326與吸引手段(未圖示)連接。並且,其中一個旋轉軸322與馬達320連結。
反轉機構308在使吸引墊326朝上的狀態下,以吸引墊326吸引保持支撐於第二升降台272之無倒角部單元U’的環狀框架64的下表面,從第二升降台272接收無倒角部單元U’。並且,反轉機構308在藉由馬達320而使框架保持部306反轉以使晶圓4的正面4a朝上後,使Y軸可動構件316移動,藉此使以框架保持部306保持之無倒角部單元U’朝向框架卡匣台200移動。
如同圖18所示,本實施方式的無倒角部單元支撐部310包含:一對支撐板328,其透過適當的支架(未圖示)而在X軸方向移動自如地被支撐;以及間隔調整手段(未圖示),其調整一對支撐板328在X軸方向的間隔。間隔調整手段能由氣缸或電動汽缸等適當的致動器所構成。
在支撐無倒角部單元U’之一對支撐板328裝設有加熱器(未圖示)。在已縮窄一對支撐板328的間隔之狀態下,一對支撐板328藉由加熱器而將無倒角部單元U’的膠膜96進行加熱,藉此將因去除倒角部24而產生之膠膜96的鬆弛、皺褶展開。
若參照圖18繼續說明,則本實施方式的壓入部312包含:Y軸導引構件330,其在Y軸方向延伸;Y軸可動構件332,其在Y軸方向移動自如地支撐於Y軸導引構件330;以及Y軸進給機構(未圖示),其使Y軸可動構件332在Y軸方向移動。Y軸可動構件332具有:基部334,其支撐於Y軸導引構件330;支柱336,其從基部334的上表面往上方延伸;以及推壓片338,其附設於支柱336的上端。壓入部312的Y軸進給機構可為具有滾珠螺桿與馬達之構成,所述滾珠螺桿係與Y軸可動構件332連結且在Y軸方向延伸,所述馬達使此滾珠螺桿旋轉。
如同圖19所示,無倒角部單元支撐部310在接收無倒角部單元U’前藉由間隔調整手段而擴大一對支撐板328的間隔後,接收保持於吸引墊326之無倒角部單元U’。然後,若無倒角部單元支撐部310接收無倒角部單元U’,則壓入部312藉由Y軸進給機構而使Y軸可動構件332在Y軸方向移動,藉此藉由推壓片338而使支撐於無倒角部單元支撐部310之無倒角部單元U’進入載置於框架卡匣台200之框架卡匣198並容納於框架卡匣198。
在圖1及圖19所示之框架卡匣198中,在上下方向空開間隔地容納有多片無倒角部單元U’。如同圖18及圖19所示,框架卡匣台200包含:載置部340,其載置框架卡匣198;以及升降部342,其使載置部340升降並定位於任意高度。升降部342可為具有滾珠螺桿與馬達之構成,所述滾珠螺桿係與載置部340連結且在Z軸方向延伸,所述馬達使此滾珠螺桿旋轉。
接著,針對以下加工方法進行說明:使用如同上述之加工裝置2,將切割膠膜96黏貼於在外周剩餘區域20形成有倒角部24之晶圓4而與環狀框架64成為一體,且將倒角部24切斷並從晶圓4環狀地去除。
在本實施方式中,首先,如同圖1及圖3所示,實施將容納有多片晶圓4之晶圓卡匣6載置於晶圓卡匣台8之晶圓卡匣載置步驟。在晶圓卡匣6中,以正面4a朝上的狀態在上下方向空開間隔地容納有多片晶圓4。
並且,如同圖1及圖5所示,實施框架容納步驟,所述框架容納步驟將多個環狀的環狀框架64容納於框架容納單元66,所述環狀框架64形成有容納晶圓4之開口部64a。框架容納步驟可在晶圓卡匣載置步驟之前實施,亦可在晶圓卡匣載置步驟之後實施。
在框架容納步驟中,使框架容納單元66的升降板74下降至任意位置後,握持把手76a而打開門扉76,將多個環狀框架64層積並容納於升降板74的上表面。並且,適當調整升降板74的高度,將最上部的環狀框架64定位於能藉由框架搬出單元68搬出之位置。
實施晶圓卡匣載置步驟及框架容納步驟後,實施晶圓搬出步驟,所述晶圓搬出步驟從載置於晶圓卡匣台8之晶圓卡匣6搬出晶圓4。
若參照圖3進行說明,則在晶圓搬出步驟中,首先,使晶圓搬出單元10的Y軸進給機構34運作,將Y軸可動構件32定位於晶圓卡匣台8的附近。接著,驅動搬送臂42,將空氣噴出口46朝上之手部44定位於晶圓卡匣6內的晶圓4的背面4b側(下側)。在已將手部44定位於晶圓4的背面4b側之際,在晶圓4的背面4b與手部44之間設置間隙,並且,預先將各導引銷48定位於徑向外側。
接著,從手部44的空氣噴出口46噴出壓縮空氣,藉由伯努利效應而在手部44的單面側產生負壓,並藉由手部44而以非接觸方式從背面4b側吸引支撐晶圓4。接著,使各導引銷48往徑向內側移動,藉由各導引銷48而控制以手部44吸引支撐之晶圓4的水平移動。然後,使晶圓搬出單元10的Y軸可動構件32及搬送臂42移動,將以手部44吸引支撐之晶圓4從晶圓卡匣6搬出。
實施晶圓搬出步驟後,較佳為實施檢測晶圓4的缺口26的位置之缺口檢測步驟。在缺口檢測步驟中,如同圖4所示,將以手部44吸引支撐之晶圓4的外周定位於缺口檢測單元50的發光元件52與受光元件54之間。接著,以驅動源透過導引銷48而使晶圓4旋轉,藉此檢測晶圓4的缺口26的位置。藉此,能將晶圓4的方向調整為任意方向。
實施缺口檢測步驟後,實施晶圓支撐步驟,所述晶圓支撐步驟係以晶圓工作台12支撐藉由晶圓搬出單元10所搬出之晶圓4。
若參照圖3進行說明,則在晶圓支撐步驟中,首先,使晶圓搬出單元10的手部44上下反轉而將晶圓4的正面4a朝下。接著,使晶圓搬出單元10的Y軸可動構件32及搬送臂42移動,使以手部44吸引支撐之晶圓4的正面4a的外周剩餘區域20與晶圓工作台12的環狀支撐部56接觸。此時,晶圓4的正面4a的元件區域18位於晶圓工作台12的凹處62,因此元件14與晶圓工作台12不會接觸,而防止元件14的損傷。
接著,使晶圓工作台12的吸引手段運作,在各吸引孔60產生吸引力,藉此吸引保持晶圓4的正面4a的外周剩餘區域20。接著,解除由手部44所進行之晶圓4的吸引支撐,且使手部44從晶圓工作台12分離。如此進行,將晶圓4從晶圓搬出單元10移交至晶圓工作台12。移交至晶圓工作台12之晶圓4係藉由各吸引孔60而被吸引保持,因此晶圓4的位置不會偏離。
並且,實施晶圓卡匣載置步驟及框架容納步驟後,與晶圓搬出步驟或晶圓支撐步驟同時實施將環狀框架64從框架容納單元66搬出之框架搬出步驟。
若參照圖5進行說明,則在框架搬出步驟中,首先,使框架搬出單元68的X軸可動構件84及Z軸可動構件86移動,使保持部88的吸引墊92與容納於框架容納單元66之最上部的環狀框架64的上表面接觸。接著,使框架搬出單元68的吸引手段運作,在吸引墊92產生吸引力,藉此以吸引墊92吸引保持最上部的環狀框架64。然後,使框架搬出單元68的X軸可動構件84及Z軸可動構件86移動,從框架容納單元66搬出以保持部88的吸引墊92吸引保持之最上部的環狀框架64。
實施框架搬出步驟後,實施框架支撐步驟,所述框架支撐步驟係以框架工作台70支撐藉由框架搬出單元68所搬出之環狀框架64。
若參照圖5繼續說明,則在框架支撐步驟中,首先,使框架搬出單元68的X軸可動構件84及Z軸可動構件86移動,使以吸引墊92吸引保持之環狀框架64與框架工作台70的上表面接觸。此時,預先將框架工作台70定位於下降位置(圖5中由實線所示之位置)。接著,解除框架搬出單元68的吸引墊92的吸引力,將環狀框架64載置於框架工作台70。然後,使框架搬出單元68的X軸可動構件84及Z軸可動構件86移動,使保持部88從框架工作台70的上方離開。
實施框架支撐步驟後,實施膠膜黏貼步驟,所述膠膜黏貼步驟係將膠膜96黏貼於環狀框架64。
若參照圖6進行說明,則在膠膜黏貼步驟中,首先,在使框架工作台70從下降位置(圖6(a)所示之位置)移動至能將膠膜96黏貼於環狀框架64之上升位置(圖6(b)所示之位置)前,預先從捲筒膠膜96R拉出膠膜96且將已將剝離紙116剝離之膠膜96定位於框架工作台70的上方。此外,位於框架工作台70的上方之膠膜96的黏著面朝下。
接著,使框架工作台70上升至可藉由膠膜黏貼單元98的壓接部110的推壓輥132而從上方將膠膜96推壓至環狀框架64之程度。然後,一邊以推壓輥132將膠膜96的黏著面推抵於環狀框架64,一邊使推壓輥132在Y軸方向滾動。藉此,可將藉由膠膜拉出部108而從捲筒膠膜96R拉出之膠膜96壓接於環狀框架64。
接著,使膠膜黏貼單元98的切斷部112的切斷器144及壓輥146下降,將切斷器144按壓於環狀框架64上的膠膜96,且以壓輥146從膠膜96的上方壓環狀框架64。接著,藉由馬達138而使臂片140旋轉,而使切斷器144及壓輥146以沿著環狀框架64畫圓的方式移動。藉此,可將超出環狀框架64的外周之膠膜96沿著環狀框架64切斷。並且,因以壓輥146從膠膜96的上方壓環狀框架64,故在切斷膠膜96時會防止環狀框架64或膠膜96的位置偏離。此外,形成有圓形的開口部120之使用完畢的膠膜96係被膠膜捲收部106捲收。
實施膠膜黏貼步驟後,實施附膠膜之框架的搬送步驟,所述附膠膜之框架的搬送步驟係將黏貼有膠膜96之環狀框架64搬送至晶圓工作台12,將環狀框架64的開口部64a定位在支撐於晶圓工作台12之晶圓4的背面4b,而將附膠膜之環狀框架64’載置於晶圓工作台12。
在附膠膜之框架的搬送步驟中,首先,使框架工作台70從上升位置移動至下降位置。接著,使附膠膜之框架搬送單元100(參照圖5)的Y軸可動構件150及Z軸可動構件152移動,在膠膜96的黏著面朝下的狀態下,使附膠膜之框架搬送單元100的保持部154的各吸引墊158與支撐於框架工作台70之附膠膜之環狀框架64’(參照圖7)的上表面接觸。
接著,使附膠膜之框架搬送單元100的吸引手段運作,在吸引墊158產生吸引力,藉此以吸引墊158吸引保持附膠膜之環狀框架64’的上表面。接著,使附膠膜之框架搬送單元100的Y軸可動構件150及Z軸可動構件152移動,從框架工作台70搬出以吸引墊158吸引保持之附膠膜之環狀框架64’。
接著,將以附膠膜之框架搬送單元100的吸引墊158吸引保持之附膠膜之環狀框架64’搬送至晶圓工作台12,如同圖7所示,將環狀框架64的開口部64a定位在支撐於晶圓工作台12之晶圓4的背面4b,並使附膠膜之環狀框架64’與晶圓工作台12的框架支撐部58接觸。此時,附膠膜之環狀框架64’的膠膜96的黏著面朝下,晶圓4的背面4b朝上而面對膠膜96的黏著面。
接著,解除附膠膜之框架搬送單元100的吸引墊158的吸引力,將附膠膜之環狀框架64’載置於晶圓工作台12的框架支撐部58。然後,使附膠膜之框架搬送單元100的Y軸可動構件150及Z軸可動構件152移動,使保持部154從晶圓工作台12的上方離開。
實施附膠膜之框架的搬送步驟後,實施膠膜壓接步驟,所述膠膜壓接步驟係將附膠膜之環狀框架64’的膠膜96壓接於晶圓4的背面4b。
若參照圖7至圖9進行說明,則在膠膜壓接步驟中,首先,藉由膠膜壓接單元102的升降機構164而使上部腔室160下降,使上部腔室160的側壁172的下端與下部腔室162的側壁186的上端接觸。藉此,使上部腔室160及下部腔室162成為封閉狀態,且使推壓輥174與附膠膜之環狀框架64’接觸。如此一來,如同圖8所示,晶圓4的背面4b與附膠膜之環狀框架64’的膠膜96的黏著面接觸。
接著,在將膠膜壓接單元102的大氣開放部168關閉的狀態下使真空部166運作,使上部腔室160及下部腔室162的內部成為真空。接著,如同圖8及圖9所示,藉由使膠膜壓接單元102的推壓輥174在Y軸方向滾動,而將膠膜96壓接於晶圓4的背面4b。藉此,可製成將晶圓4的背面4b與膠膜96壓接而成之框架單元U。接著,將大氣開放部168開放,藉由大氣壓而使膠膜96與晶圓4的背面4b密接。然後,藉由升降機構164而使上部腔室160上升。此外,藉由使上部腔室160及下部腔室162的內部成為真空,而由晶圓工作台12所導致之晶圓4的吸引力會消失,但在使上部腔室160及下部腔室162成為封閉狀態之際,因晶圓4的背面4b與附膠膜之環狀框架64’的膠膜96的黏著面接觸,故在膠膜壓接步驟中晶圓4的位置不會偏離。
實施膠膜壓接步驟後,實施框架單元搬出步驟,所述框架單元搬出步驟係從晶圓工作台12搬出將附膠膜之環狀框架64’的膠膜96與晶圓4的背面4b壓接而成之框架單元U。
若參照圖5進行說明,則在框架單元搬出步驟中,首先,使框架單元搬出手段192的搬送部206運作,使框架單元保持部202的晶圓保持部202a的吸附片210的下表面與晶圓4的背面4b側的膠膜96接觸,且使框架保持部202b的吸引墊214與環狀框架64接觸。
接著,在晶圓保持部202a的吸附片210及框架保持部202b的吸引墊214產生吸引力,以晶圓保持部202a的吸附片210從背面4b側(膠膜96側)吸引保持晶圓4,且以框架保持部202b的吸引墊214吸引保持環狀框架64。接著,解除由晶圓工作台12所進行之晶圓4的吸引保持。然後,使搬送部206運作,從晶圓工作台12搬出以框架單元保持部202保持之框架單元U。
實施框架單元搬出步驟後,實施暫置步驟,所述暫置步驟係使晶圓4的中心與暫置工作台204的中心一致,並將框架單元U暫置於暫置工作台204。
若參照圖10進行說明,則在暫置步驟中,首先,將以框架單元保持部202保持之框架單元U定位於攝像部224的上方。接著,使構成框架單元搬出手段192的二維移動機構之搬送部206運作,以攝像部224拍攝以框架單元保持部202保持之框架單元U的晶圓4的外周的至少三處。藉此,量測在晶圓4的外周中之至少三點的座標。接著,基於所量測之三點的座標而求出晶圓4的中心座標。
接著,使搬送部206運作,將晶圓4的中心定位於暫置工作台204的環狀支撐部226的中心,使晶圓4的正面4a的外周剩餘區域20與暫置工作台204的環狀支撐部226的上表面接觸,且使環狀框架64的下表面與暫置工作台204的框架支撐部228的上表面接觸。此時,晶圓4的正面4a朝下,但元件區域18位於暫置工作台204的凹處230,因此元件14與暫置工作台204不會接觸,而防止元件14的損傷。
接著,解除由晶圓保持部202a所進行之晶圓4的吸引保持,且解除由框架保持部202b所進行之環狀框架64的吸引保持,將框架單元U從框架單元搬出手段192移交至暫置工作台204。接著,使框架支撐部228的加熱器運作,藉由加熱器而將暫置於暫置工作台204之框架單元U的膠膜96進行加熱。藉此,膠膜96會軟化,膠膜96與倒角部24的根部密接。
實施暫置步驟後,實施倒角部去除步驟,所述倒角部去除步驟係從藉由框架單元搬出手段192所搬出之框架單元U的晶圓4將形成於外周剩餘區域20之倒角部24環狀地切斷並去除。
若參照圖1、圖10及圖12進行說明,則在倒角部去除步驟中,首先,使倒角部去除單元194的第一升降台246的X軸可動構件260及Z軸可動構件262移動,使晶圓用吸附卡盤400的下表面與暫置於暫置工作台204之框架單元U的晶圓4的背面4b側(膠膜96側)接觸,且使框架用吸附卡盤402的下表面與環狀框架64的上表面接觸。接著,在晶圓用吸附卡盤400及框架用吸附卡盤402產生吸引力,藉由晶圓用吸附卡盤400而吸引保持框架單元U的晶圓4,且藉由框架用吸附卡盤402而吸引保持環狀框架64。
接著,使第一升降台246的X軸可動構件260及Z軸可動構件262運作,如同圖11所示,將以保持片268吸引保持之框架單元U定位於雷射光線照射單元244的上方。接著,將雷射光線LB的聚光點定位於框架單元U的晶圓4的倒角部24的基部。
接著,一邊藉由第一升降台246的馬達266而使保持片268及框架單元U旋轉,一邊對晶圓4的倒角部24的基部照射雷射光線LB。藉此,可對晶圓4的倒角部24的基部實施燒蝕加工而形成環狀的切斷槽256。或者,亦可藉由照射雷射光線,而在晶圓4的內部沿著晶圓4的外周環狀地形成改質層(未圖示)。並且,在對晶圓4照射雷射光線LB之際,使雷射光線照射單元244的吸引手段運作,在吸引噴嘴254產生吸引力,藉由吸引噴嘴254而吸引因燒蝕加工所產生之碎片。
在晶圓4的倒角部24的基部形成環狀的切斷槽256後,藉由切斷槽檢測單元404而檢測切斷槽256是否從晶圓4的正面4a到達背面4b。切斷槽256的檢測係藉由一邊使藉由第一升降台246保持之框架單元U旋轉,一邊量測受光部408的受光量而進行。
存在受光部408的受光量小於預定的閾值的區域之情形中,判定存在切斷槽256未從晶圓4的正面4a到達背面4b之部分,亦即晶圓4未被完全切斷之不完全切斷部分。在判定存在不完全切斷部分之情形中,再次藉由雷射光線照射單元244而對晶圓4的不完全切斷部分照射雷射光線LB並實施燒蝕加工。另一方面,受光部408的受光量在切斷槽256的整個圓周為預定的閾值以上之情形中,判定切斷槽256的整個圓周從晶圓4的正面4a到達背面4b,晶圓4被完全切斷。
如此,在本實施方式中,在形成切斷槽256後,確認晶圓4是否被切斷槽256完全切斷,若晶圓4未被完全切斷,則再次實施燒蝕加工,因此防止在晶圓4具有不完全切斷部分的狀態下將框架單元U搬送至下一個步驟。
接著,使第一升降台246的X軸可動構件260及Z軸可動構件262移動,使以保持片268吸引保持之框架單元U的晶圓4的正面4a的外周剩餘區域20與暫置工作台204的環狀支撐部226的上表面接觸,且使環狀框架64的下表面與暫置工作台204的框架支撐部228的上表面接觸。接著,解除第一升降台246的保持片268的吸引力,將框架單元U從第一升降台246移交至暫置工作台204。
接著,藉由暫置工作台搬送部232而將已接收框架單元U之暫置工作台204定位於倒角部去除單元194的分離部248的下方(參照圖10)。此外,此時,預先將廢棄部276的輸送帶300定位於待機位置。接著,使分離部248的第二升降台272下降,使第二升降台272的下表面與晶圓4的背面4b部分的膠膜96接觸。接著,在第二升降台272的下表面產生吸引力,以第二升降台272吸引保持框架單元U的晶圓4的背面4b側。
接著,使已吸引保持框架單元U的晶圓4之第二升降台272上升,使框架單元U從暫置工作台204離開,且使暫置工作台204移動至第一升降台246的下方。接著,如同圖15所示,使分離器274的一對進給機構290及Z軸進給機構294運作,以上下的夾入輥292a、292b在上下方向將環狀框架64夾入。並且,將廢棄部276的輸送帶300從待機位置定位於回收位置。
接著,從一對紫外線照射部270照射紫外線而使貼附於倒角部24之膠膜96的黏著力降低,且一邊藉由推壓輥298而將倒角部24往下方推抵,一邊藉由馬達284而使框架單元U與支撐軸286及第二升降台272一起相對於分離器274進行旋轉。藉此,可將倒角部24從框架單元U分離。從框架單元U落下之倒角部24被輸送帶300搬送並回收至集塵箱302。此外,在將倒角部24分離之際,亦可使分離器274相對於框架單元U旋轉。
將倒角部24從框架單元U分離後,藉由去除檢測單元412而檢測倒角部24是否已被去除。倒角部24的去除檢測係藉由一邊使被第二升降台272保持且倒角部24已被去除之晶圓4旋轉一邊從發光部416朝向存在倒角部24之區域照射光線L1並量測受光部418的受光量而進行。
存在受光部418的受光量為預定的閾值以上之區域之情形中,判定倒角部24的至少一部分未被去除而殘留。此情形中,再次進行藉由分離部248而將倒角部24從框架單元U分離之作業。另一方面,受光部418的受光量在晶圓4的整個圓周小於預定的閾值之情形中,判定倒角部24被完全去除。
如此,在本實施方式中,在藉由分離部248而去除倒角部24後,確認倒角部24是否被完全去除,若倒角部24未被完全去除,則再次進行由分離部248所進行之倒角部24的去除作業,因此防止在框架單元U殘留有倒角部24的狀態下將框架單元U搬送至下一個步驟。
實施倒角部去除步驟後,實施無倒角部單元搬出步驟,所述無倒角部單元搬出步驟係將已去除倒角部24之無倒角部單元U’從倒角部去除單元194搬出。
在無倒角部單元搬出步驟中,首先,將倒角部去除單元194的廢棄部276的輸送帶300從回收位置定位於待機位置。接著,將無倒角部單元搬出手段196的反轉機構308(參照圖17)的框架保持部306定位於吸引保持於第二升降台272之無倒角部單元U’的下方。
接著,在將框架保持部306的吸引墊326朝上的狀態下使臂部318上升,使框架保持部306的吸引墊326與支撐於第二升降台272且晶圓4的正面4a朝下之狀態的無倒角部單元U’的環狀框架64的下表面側接觸。
接著,在框架保持部306的吸引墊326產生吸引力,以吸引墊326吸引保持無倒角部單元U’的環狀框架64。接著,解除由第二升降台272所進行之無倒角部單元U’的吸引保持。藉此,將無倒角部單元U’從倒角部去除單元194的第二升降台272移交至無倒角部單元搬出手段196的框架保持部306。
實施無倒角部單元搬出步驟後,實施無倒角部單元容納步驟,所述無倒角部單元容納步驟容納藉由無倒角部單元搬出手段196所搬出之無倒角部單元U’。
在無倒角部單元容納步驟中,首先,使無倒角部單元搬出手段196的反轉機構308上下反轉,使以框架保持部306吸引保持之無倒角部單元U’上下反轉。藉此,使無倒角部單元U’位於框架保持部306的下方,且晶圓4的正面4a朝上。
接著,使反轉機構308的Y軸可動構件316及臂部318移動,而使無倒角部單元U’與無倒角部單元支撐部310的一對支撐板328的上表面接觸。此時,藉由間隔調整手段而使一對支撐板328的間隔縮窄,一對支撐板328互相密接。接著,解除由框架保持部306所進行之無倒角部單元U’的吸引保持,將無倒角部單元U’載置於一對支撐板328。接著,使裝設於各支撐板328之加熱器運作,將無倒角部單元U’的膠膜96進行加熱,藉此將因去除倒角部24而產生之膠膜96的撓曲、皺褶展開。然後,再次以框架保持部306吸引保持無倒角部單元U’並使其上升。
接著,藉由間隔調整手段而擴大一對支撐板328的間隔後,將無倒角部單元U’載置於支撐板328的上表面。然後,如同圖19所示,藉由壓入部312的推壓片338而推壓支撐於無倒角部單元支撐部310之無倒角部單元U’,使其進入載置於框架卡匣台200之框架卡匣198並容納於框架卡匣198。
如同上述,在本實施方式的加工裝置2中,容易進行將切割膠膜96黏貼於在外周剩餘區域20形成有倒角部24之晶圓4而與環狀框架64成為一體之作業,且容易將倒角部24切斷並從晶圓4去除,生產性變得良好。
2:加工裝置
4:晶圓
4a:晶圓的正面
4b:晶圓的背面
6:晶圓卡匣
8:晶圓卡匣台
10:晶圓搬出單元
12:晶圓工作台
20:外周剩餘區域
24:倒角部
64:環狀框架
64a:開口部
64’:附膠膜之框架
66:框架容納單元
68:框架搬出單元
70:框架工作台
96:膠膜
98:膠膜黏貼單元
100:附膠膜之框架搬送單元
102:膠膜壓接單元
192:框架單元搬出手段
194:倒角部去除單元
196:無倒角部單元搬出手段
198:框架卡匣
200:框架卡匣台
202:框架單元保持部
202a:晶圓保持部
202b:框架保持部
204:暫置工作台
206:搬送部
232:暫置工作台搬送部
244:雷射光線照射單元
246:第一升降台
248:分離部
256:切斷槽
270:紫外線照射部
272:第二升降台
274:分離器
276:廢棄部
404:切斷槽檢測單元
412:去除檢測單元
U:框架單元
U’:無倒角部單元
圖1係本發明實施方式的加工裝置的立體圖。
圖2(a)係藉由圖1所示之加工裝置而實施加工之晶圓的立體圖,圖2(b)係圖2(a)所示之晶圓的剖面圖。
圖3係圖1所示之晶圓卡匣台等的立體圖。
圖4係圖1所示之手部的立體圖。
圖5係圖1所示之框架容納單元等的立體圖。
圖6(a)係圖1所示之框架工作台位於下降位置之狀態下的膠膜黏貼單元等的立體圖,圖6(b)係圖1所示之框架工作台位於上升位置之狀態下的膠膜黏貼單元等的立體圖。
圖7係圖1所示之膠膜壓接單元的分解立體圖。
圖8係表示在膠膜壓接步驟中開始由推壓輥所進行之膠膜的推壓之狀態之剖面圖。
圖9係表示在膠膜壓接步驟中由推壓輥所進行之膠膜的推壓已結束之狀態之剖面圖。
圖10係圖1所示之倒角部去除單元的立體圖。
圖11係表示在倒角部去除步驟中對晶圓的倒角部的基部照射雷射光線之狀態之示意性剖面圖。
圖12(a)係圖1所示之倒角部去除單元的第一升降台的立體圖,圖12(b)係從下方觀看圖12(a)所示之保持構件之立體圖,圖12(c)係表示檢測切斷槽之狀態之示意性剖面圖。
圖13係表示切斷槽檢測單元的受光部的受光量與晶圓的旋轉角度之關係的一例之圖表。
圖14(a)係圖1所示之倒角部去除單元的分離部的立體圖,圖14(b)係圖14(a)所示之去除檢測單元的示意圖。
圖15係表示在倒角部去除步驟中從晶圓分離倒角部之狀態之示意圖。
圖16係圖1所示之倒角部去除單元的廢棄部的立體圖。
圖17係圖1所示之無倒角部單元搬出手段的反轉機構的立體圖。
圖18係圖1所示之無倒角部單元搬出手段的無倒角部單元支撐部及壓入部的立體圖。
圖19係表示實施無倒角部單元容納步驟之狀態之立體圖。
2:加工裝置
6:晶圓卡匣
8:晶圓卡匣台
10:晶圓搬出單元
12:晶圓工作台
28:頂板
30:支撐板
32:Y軸可動構件
34:Y軸進給機構
36:滾珠螺桿
38:馬達
40:一對導軌
42:搬送臂
44:手部
64:環狀框架
64a:開口部
66:框架容納單元
68:框架搬出單元
70:框架工作台
74:升降板
76:門扉
76a:把手
82:X軸導引構件
84:X軸可動構件
86:Z軸可動構件
90:基板
94:Z軸導引構件
96:膠膜
96R:捲筒膠膜
98:膠膜黏貼單元
100:附膠膜之框架搬送單元
102:膠膜壓接單元
112:切斷部
134:Z軸導引構件
136:Z軸可動構件
144:切斷器
160:上部腔室
162:下部腔室
164:升降機構
170:頂板
172:側壁
186:側壁
188:連接開口
192:框架單元搬出手段
194:倒角部去除單元
196:無倒角部單元搬出手段
198:框架卡匣
200:框架卡匣台
202:框架單元保持部
204:暫置工作台
232:暫置工作台搬送部
234:Y軸導引構件
244:雷射光線照射單元
246:第一升降台
248:分離部
250:外殼
252:聚光器
254:吸引噴嘴
258:X軸導引構件
260:X軸可動構件
264:支撐軸
266:馬達
270:紫外線照射部
272:第二升降台
274:分離器
276:廢棄部
300:輸送帶
302:集塵箱
306:框架保持部
308:反轉機構
310:無倒角部單元支撐部
312:壓入部
314:Y軸導引構件
318:臂部
320:馬達
324:基板
326:吸引墊
330:Y軸導引構件
332:Y軸可動構件
334:基部
340:載置部
342:升降部
404:切斷槽檢測單元
412:去除檢測單元
Claims (13)
- 一種加工裝置,其從晶圓環狀地去除形成於外周剩餘區域之倒角部,且具備: 晶圓卡匣台,其載置容納有多片晶圓之晶圓卡匣; 晶圓搬出單元,其從載置於該晶圓卡匣台之該晶圓卡匣搬出晶圓; 晶圓工作台,其支撐藉由該晶圓搬出單元所搬出之晶圓; 框架容納單元,其容納多個環狀框架,該環狀框架形成有容納晶圓之開口部; 框架搬出單元,其從該框架容納單元搬出該環狀框架; 框架工作台,其支撐藉由該框架搬出單元所搬出之該環狀框架; 膠膜黏貼單元,其配設於該框架工作台的上方,且將膠膜黏貼於該環狀框架; 附膠膜之框架搬送單元,其將黏貼有該膠膜之該環狀框架搬送至該晶圓工作台,並將該環狀框架的開口部定位在支撐於該晶圓工作台之晶圓的單面,而將附膠膜之框架載置於該晶圓工作台; 膠膜壓接單元,其將該附膠膜之框架的該膠膜壓接於晶圓的單面; 框架單元搬出手段,其將藉由該膠膜壓接單元壓接該附膠膜之框架的該膠膜與晶圓的單面而成之該框架單元從該晶圓工作台搬出; 倒角部去除單元,其從藉由該框架單元搬出手段所搬出之該框架單元的晶圓,將形成於該外周剩餘區域之該倒角部環狀地切斷並去除; 無倒角部單元搬出手段,其將已環狀地去除倒角部之無倒角部單元從該倒角部去除單元搬出;以及 框架卡匣台,其載置框架卡匣,該框架卡匣容納藉由該無倒角部單元搬出手段所搬出之該無倒角部單元。
- 如請求項1之加工裝置,其中,該晶圓搬出單元包含搬送臂與手部,該手部配設於該搬送臂的前端並支撐容納於該晶圓卡匣之晶圓。
- 如請求項2之加工裝置,其中,該手部為藉由噴出空氣而產生負壓並以非接觸方式支撐晶圓之伯努利吸盤(Bernoulli pad)。
- 如請求項1之加工裝置,其中,該晶圓工作台包含:環狀支撐部,其支撐晶圓的該外周剩餘區域,且未接觸比該外周剩餘區域更內側的部分;以及框架支撐部,其配設於該環狀支撐部的外周,且支撐該環狀框架。
- 如請求項1之加工裝置,其中,該膠膜黏貼單元包含:捲筒膠膜支撐部,其支撐使用前的膠膜所捲成之捲筒膠膜;膠膜捲收部,其捲收使用完畢的膠膜;膠膜拉出部,其從該捲筒膠膜拉出該膠膜;壓接部,其將所拉出之該膠膜壓接於該環狀框架;以及切斷部,其將超出該環狀框架的外周之該膠膜沿著該環狀框架切斷。
- 如請求項1之加工裝置,其中,該膠膜壓接單元包含:上部腔室,其配設於該晶圓工作台的上方;下部腔室,其容納有該晶圓工作台;升降機構,其使該上部腔室升降而形成與該下部腔室接觸之封閉狀態及從該下部腔室離開之開放狀態;真空部,其在該封閉狀態下使該上部腔室及該下部腔室成為真空;以及大氣開放部,其將該上部腔室及該下部腔室開放於大氣, 在將附膠膜之框架的該膠膜定位在支撐於該晶圓工作台之晶圓的單面的狀態下,運作該升降機構,一邊維持該封閉狀態一邊使該上部腔室及該下部腔室成為真空,以配設於該上部腔室之推壓輥將該附膠膜之框架的該膠膜壓接於晶圓的單面。
- 如請求項1之加工裝置,其中,該框架單元搬出手段包含:框架單元保持部,其包含保持晶圓之晶圓保持部及保持該環狀框架之框架保持部;以及搬送部,其將該框架單元保持部搬送至該暫置工作台。
- 如請求項7之加工裝置,其中,該框架單元搬出手段包含:二維移動機構,其使該框架單元保持部在水平方向二維地移動;以及攝像部,其拍攝保持於該框架單元保持部之框架單元的晶圓的外周, 運作該二維移動機構,並以該攝像部拍攝晶圓的外周的至少三處,求出晶圓的中心坐標,使晶圓的中心與該暫置工作台的中心一致。
- 如請求項7之加工裝置,其中,該倒角部去除單元包含:雷射光線照射單元,其朝向形成於晶圓的外周之倒角部的基部照射雷射光線,形成切斷槽或在晶圓的內部形成改質層;第一升降台,其保持暫置於該暫置工作台之該框架單元並使其上升,且定位於該雷射光線照射單元;以及分離部,其從該切斷槽或該改質層環狀地分離該倒角部, 該分離部包含:紫外線照射部,其對與該倒角部對應之該膠膜照射紫外線,使該膠膜的黏著力降低;第二升降台,其使該倒角部在外周露出,吸引保持晶圓的內側且支撐該環狀框架;分離器,其作用於該倒角部而環狀地分離該倒角部;以及廢棄部,其將所分離之該倒角部廢棄, 該第一升降台將形成有該切斷槽或該改質層之該框架單元暫置於該暫置工作台,該暫置工作台藉由暫置工作台搬送部而定位於該分離部,該第二升降台支撐暫置於該暫置工作台之該框架單元。
- 如請求項9之加工裝置,其中,該暫置工作台具有加熱器,該第一升降台從該暫置工作台保持藉由該加熱器而將該膠膜進行加熱以使該膠膜與該倒角部的根部密接而成之該框架單元。
- 如請求項9之加工裝置,其中,該暫置工作台包含:環狀支撐部,其支撐晶圓的該外周剩餘區域,且未接觸比該外周剩餘區域更內側的部分;以及框架支撐部,其配設於該環狀支撐部的外周,且支撐該環狀框架。
- 如請求項10之加工裝置,其中,該無倒角部單元搬出手段包含:反轉機構,其具有與支撐於該第二升降台之無倒角部單元面對且保持該環狀框架之框架保持部,並朝向該框架卡匣台移動且使該框架保持部反轉;無倒角部單元支撐部,其支撐藉由該反轉機構而反轉以使晶圓的另一面朝上之該無倒角部單元;以及壓入部,其使支撐於該無倒角部單元支撐部之該無倒角部單元進入載置於該框架卡匣台之該框架卡匣並容納於該框架卡匣。
- 如請求項9之加工裝置,其中,該倒角部去除單元包含:去除檢測單元,其檢測是否已去除該倒角部;以及切斷槽檢測單元,其檢測該切斷槽。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-026588 | 2021-02-22 | ||
JP2021026588A JP2022128193A (ja) | 2021-02-22 | 2021-02-22 | 加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202238818A true TW202238818A (zh) | 2022-10-01 |
Family
ID=82702407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111105895A TW202238818A (zh) | 2021-02-22 | 2022-02-17 | 加工裝置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11862505B2 (zh) |
JP (1) | JP2022128193A (zh) |
KR (1) | KR20220120459A (zh) |
CN (1) | CN114975173A (zh) |
DE (1) | DE102022201551A1 (zh) |
TW (1) | TW202238818A (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220048938A (ko) * | 2020-10-13 | 2022-04-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 장치 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156633A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Lintec Corp | 脆質部材の処理装置 |
JP2007214357A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Nitto Denko Corp | ワーク貼付け支持方法およびこれを用いたワーク貼付け支持装置 |
JP4698519B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-06-08 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハマウント装置 |
JP5199831B2 (ja) | 2008-10-31 | 2013-05-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハ面取り部除去装置及びウェーハ面取り部の除去方法 |
JP7464472B2 (ja) | 2020-07-17 | 2024-04-09 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
-
2021
- 2021-02-22 JP JP2021026588A patent/JP2022128193A/ja active Pending
-
2022
- 2022-01-25 KR KR1020220010858A patent/KR20220120459A/ko active Search and Examination
- 2022-02-15 DE DE102022201551.7A patent/DE102022201551A1/de active Pending
- 2022-02-15 US US17/651,114 patent/US11862505B2/en active Active
- 2022-02-17 TW TW111105895A patent/TW202238818A/zh unknown
- 2022-02-21 CN CN202210156484.3A patent/CN114975173A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11862505B2 (en) | 2024-01-02 |
DE102022201551A1 (de) | 2022-08-25 |
CN114975173A (zh) | 2022-08-30 |
JP2022128193A (ja) | 2022-09-01 |
KR20220120459A (ko) | 2022-08-30 |
US20220270911A1 (en) | 2022-08-25 |
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