TW202234528A - 具有貫通玻璃通孔的3d插入件-增加銅與玻璃表面之間黏著的方法以及來自該方法的製品 - Google Patents
具有貫通玻璃通孔的3d插入件-增加銅與玻璃表面之間黏著的方法以及來自該方法的製品 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202234528A TW202234528A TW110142175A TW110142175A TW202234528A TW 202234528 A TW202234528 A TW 202234528A TW 110142175 A TW110142175 A TW 110142175A TW 110142175 A TW110142175 A TW 110142175A TW 202234528 A TW202234528 A TW 202234528A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- lateral dimension
- glass
- etch rate
- glass composition
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 257
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 160
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 title description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 125
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 claims description 104
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 25
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 239000004063 acid-resistant material Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 234
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 105
- 230000008569 process Effects 0.000 description 59
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 54
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 9
- 208000014903 transposition of the great arteries Diseases 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 210000001624 hip Anatomy 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000001218 confocal laser scanning microscopy Methods 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002961 polybutylene succinate Polymers 0.000 description 2
- 239000004631 polybutylene succinate Substances 0.000 description 2
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003302 UV-light treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003286 fusion draw glass process Methods 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- MVLMQGYYLCWMFP-UHFFFAOYSA-N neodymium yttrium Chemical compound [Y].[Nd] MVLMQGYYLCWMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/266—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by an apertured layer, the apertures going through the whole thickness of the layer, e.g. expanded metal, perforated layer, slit layer regular cells B32B3/12
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/481—Insulating layers on insulating parts, with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2250/00—Layers arrangement
- B32B2250/40—Symmetrical or sandwich layers, e.g. ABA, ABCBA, ABCCBA
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
在一些實施例中，方法包括使用雷射通過層壓玻璃結構形成導向孔或損傷軌跡。層壓玻璃結構包括第一層及與第一層毗鄰的第二層。第一層由第一玻璃組合物形成。第二層由不同於第一玻璃組合物的第二玻璃組合物形成。在形成導向孔之後，將層壓玻璃結構暴露於以第一蝕刻速率蝕刻第一玻璃組合物及以第二蝕刻速率蝕刻第二玻璃組合物的蝕刻條件，其中第一蝕刻速率不同於第二蝕刻速率，以形成蝕刻孔。
Description
相關申請案的交叉引用
此申請案依據美國專利法第119條請求於2020年11月16日提出申請之美國專利第63/114,122號臨時申請案號的優先權權利，以全文引用的方式併入本文中。
此描述涉及具有帶有新幾何形狀及/或改善的銅黏著的貫通通孔的玻璃表面及製品。
帶有貫通封裝通孔(TPV)互連接的3D插入件將一個側上的邏輯裝置及另一側上的記憶體連接起來，為高帶寬裝置的重要技術。符合需求的具有通孔的玻璃及玻璃陶瓷基材適用於許多應用，包含使用作電性介面、RF濾波器、及RF開關的插入件。當前選擇的基材為聚合物或矽。聚合物插入件遭受較差尺寸穩定性，而矽晶圓價格昂貴，且由於半導通性質遭受高介電損失。因而，由於玻璃的低介電常數、熱穩定性及、低成本，有使用玻璃作為優異基材材料的趨勢。當前製成玻璃貫通通孔的挑戰為長製程時間及有限制的貫通通孔的寬高比。玻璃貫通通孔可完全地或似型地填充諸如銅的導通金屬，以提供電氣路徑。然而，玻璃的化學惰性及低內在粗糙度會造成與銅與通孔內側玻璃壁的黏著有關的問題。銅和玻璃之間黏著的缺乏可能會導致可靠性問題，諸如開裂、分層、及低抽拉強度。
據此，存在具有改善的可靠性的具有導通金屬的TGV結構的需要。亦存在以有效率的方式製造具有貫通通孔的玻璃基材的需要，其對貫通通孔幾何形狀及寬高比具有更高程度的控制。
康寧已開發玻璃貫通通孔(TGV)處理技術，可在玻璃基材中創建貫通或盲通孔。此技術可在由快速蝕刻包層及慢速蝕刻芯組成的層壓玻璃及由慢速蝕刻包層及快速蝕刻芯組成的層壓玻璃中產生TGV。本揭露內容提供與單一玻璃組合物相比較在縮短的時間內從層壓玻璃基材製成玻璃貫通通孔的方法，其中玻璃通孔具有獨特且改善的形狀。本揭露內容提供製成玻璃貫通通孔的方法，此玻璃貫通通孔具有在貫通通孔之內保持金屬填充固緊的幾何形狀。
在第一態樣中，方法包括使用雷射通過層壓玻璃結構形成導向孔或損傷軌跡。層壓玻璃結構包括第一層及與第一層毗鄰的第二層。第一層由第一玻璃組合物形成。第二層由不同於第一玻璃組合物的第二玻璃組合物形成。在形成導向孔之後，將層壓玻璃結構暴露於以第一蝕刻速率蝕刻第一玻璃組合物及以第二蝕刻速率蝕刻第二玻璃組合物的蝕刻條件，其中第一蝕刻速率不同於第二蝕刻速率，以形成蝕刻孔。
在第二態樣中，針對第一態樣的方法，玻璃層壓結構進一步包括與第一層相對、與第二層毗鄰的第三層。第三層由不同於第二玻璃組合物的第三玻璃組合物形成。當暴露於此等蝕刻條件時，第三玻璃組合物具有第三蝕刻速率。第三蝕刻速率不同於第二蝕刻速率。
在第三態樣中，針對第二態樣的方法，第三玻璃組合物與第一玻璃組合物相同，且第一蝕刻速率與第三蝕刻速率相同
在第四態樣中，針對第二態樣的方法，第三玻璃組合物不同於第一玻璃組合物，且第三蝕刻速率不同於第一蝕刻速率。
在第五態樣中，針對第二態樣的方法，玻璃層壓結構進一步包括與第二層相對、毗鄰的第三層的第四層；第四層由與第三玻璃給合物不同的第四玻璃給合物形成；當暴露於蝕刻條件時，第四玻璃組合物具有第四蝕刻速率；第四蝕刻速率不同於第三蝕刻速率。
在第六態樣中，針對第一至第五態樣中的任何方法，蝕刻孔在第一層中具有第一橫向尺寸並在第二層中具有第二橫向尺寸，且其中第一橫向尺寸不同於第二橫向尺寸。
在第七態樣中，針對第六態樣的方法，將層壓玻璃結構暴露於蝕刻條件之步驟形成蝕刻孔，蝕刻孔在第三層中進一步具有第三橫向尺寸，其中第三橫向尺寸不同於第二橫向尺寸。
在第八態樣中，針對第七態樣的方法，第三橫向尺寸與第一橫向尺寸相同。
在第九態樣中，針對第七態樣的方法，第三橫向尺寸不同於第一橫向尺寸。
在第十態樣中，針對第七態樣的方法，將層壓玻璃結構暴露於蝕刻條件之步驟形成蝕刻孔，蝕刻孔在第四層中進一步具有第四橫向尺寸，其中第四橫向尺寸不同於第三橫向尺寸。
在第十一態樣中，針對第一至第十態樣中的任何方法，第一蝕刻速率與第二蝕刻速率之間的差值為第一蝕刻速率的至少5％或更多。
在第十二態樣中，針對第十一態樣的方法，第一蝕刻速率與第二蝕刻速率之間的差值為第一蝕刻速率的至少10%或更多。
在第十三態樣中，針對第十二態樣的方法，第一蝕刻速率與第二蝕刻速率之間的差值為第一蝕刻速率的至少30%或更多。
在第十四態樣中，針對第一至第十三態樣中的任何方法，第一蝕刻速率大於第二蝕刻速率。
在第十五態樣中，針對第十四態樣的方法，蝕刻孔具有包括沙漏形狀的形態。
在第十六態樣中，針對第一至第十三態樣中的任何方法，第一蝕刻速率小於第二蝕刻速率。
在第十七態樣中，針對第十六態樣的方法，蝕刻孔具有的形態包括圓柱形形狀，或第一層及第三層的橫向尺寸小於第二層的橫向尺寸的情況下的形狀。
在第十八態樣中，針對第十六態樣的方法，第一層具有外表面，第三層具有外表面；且第一蝕刻速率小於第二蝕刻速率。
在第十九態樣中，針對第十八態樣的方法，在將層壓玻璃結構暴露於蝕刻條件之前在第一層的外表面上及/或第三層的外表面上形成遮罩。
在第二十態樣中，針對第十九態樣的方法，遮罩形成通過物理遮罩覆蓋外表面。
在第二十一態樣中，針對第二十態樣的方法，物理遮罩為耐酸材料。
在第二十二態樣中，針對第二十一態樣的方法，耐酸材料為耐酸層壓塗層。
在第二十三態樣中，針對第二十二態樣的方法，耐酸層壓塗層為耐酸膠帶。
在第二十四態樣中，針對第二十一態樣的方法，耐酸材料為耐酸沉積塗層。
在第二十五態樣中，針對第二十四態樣的方法，耐酸沉積塗層為氮氧化鉻。
在第二十六態樣中，針對第二十態樣的方法，物理遮罩具有複數個孔洞。
在第二十七態樣中，針對第二十六態樣的方法，遮罩材料被印刷或沉積在外表面之上。
在第二十八態樣中，針對第六態樣的方法，第一橫向尺寸與第二橫向尺寸之間的差值為第一橫向尺寸的5％或更多。
在第二十八態樣中，針對第六態樣的方法，第一橫向尺寸與第二橫向尺寸之間的差值為第一橫向尺寸的10%或更多。
在第三十態樣中，針對第二十八至第二十九態樣中的任何方法，第一橫向尺寸大於第二橫向尺寸。
在第三十一態樣中，針對第二十八至第二十九態樣中的任何方法，第一橫向尺寸小於第二橫向尺寸。
在第三十二態樣中，針對第一至第三十二態樣中的任何方法，方法進一步包括用導電材料填充蝕刻孔。
在第三十三態樣中，針對第一至第三十二態樣中的任何方法，層壓玻璃結構為熔融拉製。
在第三十四態樣中，針對第一至第三十三態樣中的任何方法，方法進一步包括使用雷射通過層壓玻璃結構形成損傷軌跡。
在第三十五態樣中，針對第一至第三十四態樣中的任何方法，層壓玻璃結構中的至少一個層由不可光加工的玻璃組合物形成。
在第三十六態樣中，針對第三十五態樣中的方法，層壓玻璃結構中的每層由不可光加工的玻璃組合物形成。
在第三十七態樣中，一種裝置包括：層壓玻璃結構，包括：第一層；與第一層毗鄰的第二層；與第一層相對、與第二層毗鄰的第三層；其中：第一層由第一玻璃組合物形成；第二層由不同於第一玻璃組合物的第二玻璃組合物形成；第三層由第一玻璃組合物形成；通過層壓玻璃結構的孔在第一層中具有第一橫向尺寸，在第二層中具有第二橫向尺寸，且在第三層中具有第三橫向尺寸。
在第三十八態樣中，用於第三十七態樣的裝置的方法，第一橫向尺寸小於第二橫向尺寸至少5％或更多，且第三橫向尺寸小於第二橫向尺寸至少5％或或更多。
在第三十九態樣中，用於第三十七態樣的裝置，第二橫向尺寸為第一橫向尺寸的大至少5%或更為多，且第二橫向尺寸為第三橫向尺寸大至少5%或更為多。
在第四十態樣中，針對第三十八至第三十九態樣的裝置，孔具有的形態包括第一層及第三層的橫向尺寸小於第二層的橫向尺寸的情況下的形狀。
在第四十一態樣中，用於第三十七態樣的裝置的方法，第一橫向尺寸大於第二橫向尺寸至少5％或更多，且第三橫向尺寸大於第二橫向尺寸至少5％或更多。
在第四十二態樣中，用於第三十七態樣的裝置的方法，其中第二橫向尺寸為第一橫向尺寸的至少5%或更為小，且第二橫向尺寸為第三橫向尺寸的至少5%或更為小。
在第四十三態樣中，針對第四十一至四十二態樣的裝置，孔具有包括沙漏形狀的形態。
在第四十四態樣中，針對第三十七態樣的裝置，第一橫向尺寸約等於第二橫向尺寸，第三橫向尺寸約等於第二橫向尺寸。
在第四十五態樣中，針對第三十七態樣的裝置，第二橫向尺寸大約等於第一橫向尺寸且第二橫向尺寸約等於第三橫向尺寸。
在第四十六態樣中，針對第四十四至第四十五態樣的裝置，孔具有包括圓柱形狀的形態。
在第四十七態樣中，針對第三十七至第四十六態樣的裝置，孔為蝕刻孔。
在第四十八態樣中，針對第三十二至第四十七態樣中的任何裝置，孔填充有導電材料。
在第四十九態樣中，針對第三十二至第四十八態樣中的任何裝置，層壓玻璃結構中的至少一個層由不可光加工的玻璃組合物形成。
在第五十態樣中，針對第三十二至第四十八態樣中的任何裝置，第一玻璃組合物及第二玻璃組合物不可光加工。
玻璃(包含玻璃陶瓷)基材(或玻璃層壓結構)中的通孔通常需要被完全地或似型地填充諸如銅等導通金屬，以提供電氣路徑。銅為特別符合需求的導通金屬。在一些實施例中，使用無電沉積、或無電沉積接著電鍍來沉積銅。無電沉積常常涉及使用催化劑，諸如Pd。對於此種類型的銅在玻璃上的無電沉積，銅通常不會與玻璃形成化學鍵，而是依靠機械互鎖及/或表面粗糙度以供黏著。更一般地而言，歸因於玻璃材料的化學惰性及低內在粗糙度，諸如銅的導電金屬常常不能很好地黏著至玻璃上。
此種黏著的缺乏會導致低抽拉強度，及故障機制，諸如當帶有銅通孔的基材被熱循環時，銅從通孔孔中掉出來，或歸因於差異的CTE導致銅上下移動(pistoning)。本文中所描述的為減輕藉由此種黏著的缺乏致使的一些問題的途徑。
本文中所描述的為使用層壓玻璃製成TGV的方法。一種方法將帶有高蝕刻速率的芯材料及具有低蝕刻速率的包層材料結合起來。此種設計允許此產物具有耐用的表層，其可抵抗化學(風化)及機械侵蝕，以在製造製程中倖免於難並延長產物壽命，且同時，較不耐用的芯材料可實現更快的蝕刻速率且可顯著地縮短製程時間。此外，由於芯層與包層之間的差別蝕刻速率，與類似組合物的單一組分物玻璃相比較，可在層壓玻璃中形成更高寬高比的通孔。
另一種方法將帶有低蝕刻速率的芯材料及帶有高蝕刻速率的包層材料結合起來。此方法運用物理圖案化遮罩，將遮罩應用於較不耐用的包覆層。物理遮罩將允許包覆層的保護，同時在圖案化區域中可能發生通過層壓結構厚度的擴散。當在層壓中形成TGV時，可利用物理遮罩，層壓具有的包覆玻璃不如芯玻璃耐用。額外地，此種遮蔽方法允許在TGV周圍或附近待形成凹坑。物理遮罩可為層壓材料形式的耐酸材料，諸如膜或膠帶。耐酸材料應由不與酸(包含HCl、HNO
3、稀釋的H
2SO
4、及HF)化學反應的材料製成，且不會響應稍微地溫度及環境改變而發生物理地改變。膠帶及膜可合適地為耐酸的有機聚合物材料，諸如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯、聚丁二酸丁二醇酯(PBS)、或聚四氟乙烯(PTFE)。含有酯(-COOC-)、醯胺(-NH-CO-)、醯亞胺(-N=CO-)鍵的聚合物在酸中會發生反應(分解)，且可能不適合用作耐酸遮罩。基於玻璃與聚合物(耐酸)材料之間的CTE不匹配，升高的溫度會在玻璃與遮罩之間引入張力並導致物理遮罩的分層。層壓聚合物耐酸材料可以薄膜或膠帶的形式運用。物理遮罩可為耐酸耐酸沉積塗層。沉積塗層的範例包含氮氧化鉻(CrON)、鉭、鎳(合金)、及矽樹脂。替代地，沉積的塗層可為前文所描述的聚合物塗層，其中塗層經由油墨印刷機或絲網印刷機被沉積為油墨。物理遮罩會在酸蝕刻(工作)溫度範圍之外的溫度下經歷去除或分層，並在蝕刻完成之後去除物理遮罩。
由此等方法產生的產物由含有TGV的層壓玻璃組成。TGV可由不同的形態組成，包含圓柱體及沙漏。TGV的頂部及底部具有的直徑可小於腰部直徑。若在蝕刻期間去除所有包覆，則可使玻璃產物保留保護性包覆，或為單一組合物。
定義
如本文中所使用，術語「液相線溫度」係指玻璃組合物中發生失透化的最高溫度。
如本文中所使用，術語「CTE」係指玻璃組合物在跨自約20°C至約300°C的溫度範圍的平均熱膨脹係數。
當被使用於描述玻璃組合物中不存在特定氧化物組分時，術語「大致上不含」意指該組分以小於1 mol.%的量存在於玻璃組合物中。
如本文中所使用，術語「玻璃層壓結構」係指具有，舉例而言，藉由熔融拉製製程熔融在一起的多個不同層的特定類型的玻璃基材。
在本文中所列舉數值的範圍包括上限值及下限值的情況下，除非在特定情況下另作說明，否則該範圍預期包含其端點，及該範圍之內的所有整數及分數。當界定範圍時，並無意將請求項的範圍限於所列舉的特定值。進一步地，當給予量、濃度、或其他值或參數的範圍、一個或更多個優選範圍或優選上限值及優選值下限值的列表時，應當瞭解成具體地揭露由任何範圍上限制或優選值及任何範圍下限制或優選值的任何對所形成的所有範圍，無論是否被單獨地被揭露。最後，當術語「約」被使用於描述範圍的值或端點時，此揭露內容應被瞭解為包含所稱作的特定值或端點。無論說明書中的範圍的數值或端點列舉「約」與否，範圍的數值或端點預期包含兩個實施例：一個由「約」修飾，一個未以「約」修飾。
如本文中所使用，術語「約」意指數量、大小、配方、參數、及其他數量與特徵並非且無需為準確，但是可根據需要為近似及/或更大或更小，反射容許偏差、轉換因數、四捨五入、量測誤差、及類似者，及熟習此項技藝者已知的其他因素。
如本文中所使用的術語「或」為包容性；更具體而言，短語「A或B」意指「A、B、或A及B二者」。舉例而言，排他性的「或」在本文中由諸如「若非A則或B」及「A或B之其中一個」之類的術語指定。
用於描述元素或組件的不定冠詞「一(a)」及「一(an)」意指存在一個或至少一個此等元素或組件。除非在特定情況下另作說明，儘管此等冠詞常規運用於表示被修飾的名詞為單數名詞，如本文中所使用的冠詞「一(a)」及「一(an)」亦包含複數。類似地，又除非在特定情況下另作說明，如本文中所使用的定冠詞「該(the)」亦表示修飾的名詞可為單數或複數。
針對本文中所描述為玻璃結構組分的玻璃組合物，除非另作說明，否則玻璃組合物的構成組分(例如，SiO
2、Al
2O
3、Na
2O及類似物等)的濃度以基於氧化物的莫耳百分比(mol.%)給出。本文中所揭露的玻璃組合物具有液相線黏度，這使得它們適用於熔融拉製製程，且特別地，供使用作熔融層壓製程中的玻璃包覆層組合物或玻璃芯組合物。如本文中所使用，除非另作提及，「玻璃」及「玻璃組合物」等術語涵蓋玻璃材料與玻璃陶瓷材料二者，如通常瞭解的二者材料分類。同樣，術語「玻璃結構」應被瞭解涵蓋含有玻璃、玻璃陶瓷、或二者的結構。
層壓玻璃結構及熔融拉製
在一些實施例中，利用層壓玻璃結構的性質以控制貫通層壓玻璃結構的蝕刻孔的形狀。「層壓玻璃結構」係指具有兩薄層或更多薄層玻璃層壓在一起以形成堆疊的結構。現在描述一種產製層壓玻璃結構的方法。可使用任何合適的方法。
圖1圖示具有三層—芯層102、第一包覆層104a、及第二包覆層104b的層壓玻璃結構100的橫截面。層壓玻璃結構100通常包括由芯玻璃組合物形成的芯層102。芯層102可介於一對包覆層，諸如第一包覆層104a及第二包覆層104b，之間。第一包覆層104a及第二包覆層104b可分別由第一包覆玻璃組合物及第二包覆玻璃組合物形成。在一些實施例中，第一包覆層玻璃組合物及第二包覆層玻璃組合物可為相同的材料。在其他實施例中，第一包覆層玻璃組合物及第二包覆層玻璃組合物可為不同的材料。在一些實施例中，第一包覆層104a、芯層102、及第二包覆層104b對應至第一、第二、及第三玻璃層。
圖1例示具有第一表面103a及與第一表面103a相對的第二表面103b的芯層102。第一包覆層104a直接地熔融至芯層102的第一表面103a且第二包覆層104b直接地熔融至芯層102的第二表面103b。將玻璃包覆層104a、104b熔融至芯層102而沒有任何額外材料，諸如黏著劑、聚合物層、塗覆層、或類似物，被設置在芯層102與包覆層104a、104b之間。因此，芯層102的第一表面103a與第一包覆層104a直接地毗鄰，且芯層102的第二表面103b與第二包覆層104b直接地毗鄰。在一些實施例中，經由熔融層壓製程形成芯層102及玻璃包覆層104a、104b。擴散層(未圖示)可形成在芯層102與包覆層104a之間，或芯層102與包覆層104b之間，或兩者。
在一些實施例中，本文中所描述的玻璃結構100的包覆層104a、104b可由具有平均具有包覆熱膨脹係數CTE
包覆的第一玻璃組合物形成，且芯層102可由具有平均熱膨脹係數CTE
芯的第二不同玻璃組合物形成。在一些實施例中，包覆層104a、104b的玻璃組合物可具有至少20 kPoise的液相線黏度。在一些實施例中，芯層102及包覆層104a、104b的玻璃組合物可具有小於250 kPoise的液相線黏度。
具體而言，根據本文中的一些實施例，可藉由熔融層壓製程，諸如美國專利第4,214,886號中描述的製程，形成玻璃結構100，藉由引用將該專利合併入本文中。藉由範例及進一步例示的方式參照圖2，用於形成層壓玻璃製品的層壓熔融拉製設備200可包含定位於下部等壓管204之上的上部等壓管202。上部等壓管202可包含槽210，可從熔爐(未圖示)將熔融包覆組合物206進料至槽中。類似地，下部等壓管204可包含槽212，可從熔爐(未圖示)將熔融玻璃芯組合物208進料至槽中。在本文中所描述的實施例中，熔融玻璃芯組合物208具有適當地高的液相線黏度以被流動越過下部等壓管204。
當熔融玻璃芯組合物208充滿槽212時，它溢出槽212並流動越過下部等壓管204的外成形表面216、218。下部等壓管204的外成形表面216、218在根部220處會聚。據此，流動越過外成形表面216、218的熔融芯組合物208在下部等壓管204的根部220處重新結合，從而形成層壓玻璃結構的芯層102。
同時，熔融組合物206溢出在上部等壓管202中形成的槽210並流動越過上部等壓管202的外成形表面222、224。熔融組合物206具有待在上部等壓管202上流動的較低液相線黏度要求，且當作為玻璃存在時將具有等於或小於玻璃芯組合物208的CTE。熔融包層組合物206被上部等壓管202向外偏轉，使得熔融包層組合物206圍繞下部等壓管204流動並接觸流動越過下部等壓管的外成形表面216、218的熔融芯組合物208，熔融至熔化的芯組合物並在芯層102周圍形成包覆層104a、104b。
在如此形成的層壓薄層中，包層厚度可能比芯部厚度顯著地更薄，以便包層進入壓縮狀態而芯部進入拉伸狀態。但是由於CTE差異很低，所以芯中的拉伸應力的幅度將非常低(舉例而言，類似於10 MPA或更低)，這將允許層壓薄層的生產，由於其此層壓薄層的低程度的芯部張力，因此相對容易切斷拉製件。因此可從熔融拉製設備拉製的層壓結構切割薄層。在切割薄層之後，切割的產物接著可經受合適的UV光處理(等)，如將在後文以用於加工玻璃結構100的方法的背景中描述。
作為例示性實施例，可使用參考圖1及圖2在本文中所描述及美國專利第4,214,886號中所描述，藉由熔融層壓形成玻璃結構的製程製備玻璃結構100，在結構中玻璃包覆層104a、104b具有相同的玻璃組合物。在其他實施例中，可由不同的玻璃組合物形成玻璃結構100的玻璃包覆層104a、104b。適用於形成具有不同組合物的玻璃包覆層的玻璃結構的非限制性範例性製程描述於申請人共有的美國專利第7,514,149號，其全部內容以全文引用的方式併入本文中。
玻璃組合物及不同的蝕刻速率
可由具有不同蝕刻速率的不同玻璃組合物形成層壓玻璃結構的不同層。表1中顯示出的組合物均適用於使用在本文中所描述的熔融拉製製程。進一步地，表1中顯示出的組合物可用作包層或芯層。舉例而言，它們具有適用於熔融拉製製程的Tg及黏度分佈。
表1(例1至10)
表1(例11至17)
表2(例18)
表3(例19)
| 組成以莫耳%為單位 | 例1 | 例2 | 例3 | 例4 | 例5 | 例6 | 例7 | 例8 | 例9 | 例10 |
| SiO 2 | 69.49 | 69.27 | 67.50 | 64.35 | 64.90 | 57.84 | 63.60 | 76.44 | 66.65 | 66.29 |
| Al 2O 3 | 10.29 | 10.58 | 12.70 | 13.95 | 13.90 | 16.53 | 15.67 | 5.18 | 12.39 | 12.19 |
| B 2O3 | 0.00 | 0.00 | 3.70 | 7.00 | 5.10 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 7.85 | 6.52 |
| P2O5 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 6.45 | 2.48 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| Na 2O | 14.01 | 14.76 | 13.60 | 14.01 | 13.60 | 16.53 | 10.81 | 11.67 | 0.00 | 0.00 |
| K 2O | 1.16 | 0.01 | 0.00 | 0.52 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| Li 2O | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 6.24 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| MgO | 6.20 | 5.27 | 2.40 | 0.05 | 2.40 | 2.61 | 0.00 | 6.61 | 2.83 | 6.03 |
| CaO。 | 0.51 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 8.44 | 5.33 |
| ZnO | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 1.16 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| BaO | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 2.11 |
| ZrO 2 | 0.01 | 0.01 | 0.00 | 0.01 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| SnO 2 | 0.19 | 0.11 | 0.09 | 0.09 | 0.07 | 0.05 | 0.04 | 0.10 | 0.08 | 0.08 |
| SrO | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 1.76 | 1.45 |
| Fe 2O 3 | 0.01 | 0.01 | 0.00 | 0.03 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| 蝕刻速率 1.45M HF, 室溫， 靜態（微米/分鐘/2邊） | 0.68 | 0.74 | 0.91 | 1.51 | 1.30 | 2.44 | 1.36 | 0.13 | 0.38 | 0.37 |
| 組成以莫耳%為單位 | 例11 | 例12 | 例13 | 例14 | 例15 | 例16 | 例17 | 例1至17範圍 | |
| 最小值 | 最大值 | ||||||||
| SiO 2 | 67.54 | 69.76 | 71.46 | 70.41 | 71.89 | 67.51 | 70.54 | 57.84 | 76.44 |
| Al 2O 3 | 11.02 | 12.02 | 12.40 | 13.31 | 12.31 | 6.48 | 8.03 | 5.18 | 16.53 |
| B 2O3 | 9.79 | 3.21 | 2.52 | 1.78 | 0.66 | 19.67 | 9.17 | 0.00 | 19.67 |
| P2O5 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 2.45 | 0.00 | 6.45 |
| Na 2O | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 6.29 | 0.00 | 16.53 |
| K 2O | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 1.16 |
| Li 2O | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 3.42 | 0.00 | 6.24 |
| MgO | 2.28 | 4.71 | 3.52 | 4.07 | 4.97 | 0.53 | 0.00 | 0.00 | 6.61 |
| CaO。 | 8.77 | 5.81 | 5.24 | 5.34 | 5.29 | 5.27 | 0.00 | 0.00 | 8.77 |
| ZnO | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 1.16 |
| BaO | 0.00 | 3.17 | 3.39 | 3.78 | 3.34 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 3.78 |
| ZrO 2 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.01 |
| SnO 2 | 0.08 | 0.08 | 0.09 | 0.09 | 0.09 | 0.05 | 0.10 | 0.04 | 0.19 |
| SrO | 0.53 | 1.23 | 1.38 | 1.22 | 1.45 | 0.50 | 0.00 | 0.00 | 1.76 |
| Fe 2O 3 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.00 | 0.03 |
| 蝕刻速率 1.45M HF, 室溫， 靜態（微米/分鐘/2邊） | 0.34 | 0.34 | 0.27 | 0.34 | 0.30 | 0.528 | 0.281 | 0.13 | 2.44 |
| 包層 | 芯 | |
| 組成以莫耳%為單位 | ||
| SiO 2 | 50.9 | 66.3 |
| Al 2O 3 | 21.0 | 13.7 |
| B 2O 3 | 14.8 | 0.0 |
| CaO。 | 0.0 | 0.5 |
| Na 2O | 12.9 | 13.4 |
| K 2O | 0.0 | 1.7 |
| MgO | 0.0 | 3.9 |
| SrO | 0.0 | 0.0 |
| SnO 2 | 0.2 | 0.5 |
| BaO | 0.0 | 0.0 |
| Fe 2O 3 | 0.0 | 0.0 |
| 加總 | 100.00 | 100.00 |
| 包層 | 芯 | |
| 組成以莫耳%為單位 | ||
| SiO 2 | 78.64 | 73.71 |
| Al 2O 3 | 1.92 | 6.83 |
| B 2O 3 | 14.46 | 0.00 |
| P 2O 5 | 0.00 | 0.00 |
| CaO。 | 0.86 | 0.00 |
| Li 2O | 0.00 | 0.00 |
| Na 2O | 3.45 | 12.01 |
| K 2O | 0.00 | 2.74 |
| MgO | 0.00 | 4.51 |
| SrO | 0.00 | 0.00 |
| SnO 2 | 0.10 | 0.19 |
| BaO | 0.57 | 0.00 |
| ZnO | 0.00 | 0.00 |
| 加總 | 100.00 | 100.00 |
表1中顯示出的組合物均為不可光加工的。因此，依靠可光加工玻璃以形成複雜形狀的製程將不適用於此等玻璃組合物。
表1的玻璃組合物可在廣泛種類的層組合中混合及匹配，以在各種層中形成帶有符合需求的差異蝕刻速率的玻璃層壓結構。
雷射損傷軌跡/雷射鑽孔及蝕刻
在一些實施例中，可使用涉及單一雷射損傷(或鑽孔)及蝕刻製程的簡單製程而形成複雜的通孔形狀。
損傷區/孔形成
在一些實施例中，可應用一個或更多個高能量雷射脈衝以創造貫通基材的損傷區。在下游蝕刻製程期間，損傷區允許蝕刻劑在其中流動。在一些實施例中，損傷區可為藉由脈衝雷射形成的雷射誘導損傷線。舉例而言，脈衝雷射可藉由非線性多光子吸收形成損傷線。當隨後蝕刻時，損傷區允許蝕刻劑穿透基材。並且，如此損傷區120之內的材料去除速率比損傷區外側的材料去除速率更快。在美國專利第9,278,886號、美國專利公開第2015/0166393號、美國專利公開第 2015/0166395號、及美國申請第62/633,835號，2018年2月22日提出申請的「Alkali-Free Borosilicate Glasses with Low Post-HF Etch Roughness」中揭露用於進行雷射損傷創造及隨後蝕刻的範例性方式，各自以全文引用的方式併入本文中。在一些實施例中，可使用雷射以形成燒蝕孔而非損傷區，並可藉由蝕刻加寬燒蝕孔。可使用貫通層壓玻璃結構形成導向孔或損傷區的任何合適的方法。
蝕刻
可蝕刻損傷區或孔以形成通孔。蝕刻製程可包含將玻璃製品浸入蝕刻劑浴槽中。額外地，或替代地，可將蝕刻劑噴灑至玻璃製品上。蝕刻劑可去除基材的材料以擴大損傷區或孔洞。可利用任何合適的蝕刻劑及蝕刻方法。蝕刻劑的非限制性範例包含強無機酸，諸如硝酸、鹽酸、丙烯酸或磷酸；含有氟蝕刻劑，諸如氫氟酸、氫氟化銨、氟化鈉、及類似物等；及其混合物。在一些實施例中，蝕刻劑為氫氟酸。
已被蝕刻的玻璃表面具有獨特的結構特徵，且熟習此項技術者可藉由檢查玻璃表面判斷該表面是否已被蝕刻。蝕刻常常會改變玻璃的表面粗糙度。因此，若吾人已知玻璃的來源及該來源的粗糙度，則可使用表面粗糙度的量測值以決定玻璃是否已被蝕刻。此外，蝕刻通常會致使玻璃中不同材料的差異去除。此種差異去除可藉由諸如電子探針微量分析(EPMA)之類的技術來偵測。
過孔形狀
圖3至圖10圖示可使用本文中所描述的製程獲得的不同形狀的示意圖。
圖3例示在單層基材中蝕刻及填充通孔的製程。圖3圖示在製程中不同點的玻璃基材300。示意圖310圖示，舉例而言，已藉由雷射燒蝕製程形成孔312之後的玻璃基材300。可取代孔312，而存在損傷軌跡(未例示)。示意圖320圖示蝕刻步驟之後的玻璃基材300。由於基材300並非玻璃層壓結構而是不同層的單片玻璃，蝕刻已獲得孔322的形狀，不受不同層中差異蝕刻速率影響。示意圖330圖示在孔322中已形成通孔334之後的基材300。通孔334為諸如銅的導電金屬。示意圖340圖示通孔334帶有的問題—歸因於孔322的圓柱形形狀，及銅與玻璃的低黏著力，力346會致使通孔334滑動出孔322。
圖4例示在雙層玻璃層壓結構中蝕刻及填充通孔的製程，其中兩層具有不同的蝕刻速率。圖4圖示作為玻璃層壓結構的玻璃基材400，在製程的不同點處的。玻璃基材400具有兩個不同的層，第一層414及第二層415。在圖4的範例中，針對所使用的蝕刻條件，第一層414具有的蝕刻速率比第二層415的蝕刻速率更慢。示意圖410圖示，舉例而言，已藉由雷射燒蝕製程形成孔412之後的玻璃基材400。可取代孔412，而存在損傷軌跡(未例示)。示意圖420圖示蝕刻步驟之後的玻璃基材400。歸因於不同的蝕刻速率，第一層414中的孔422比第二層415中的更寬。示意圖430圖示在孔422中已形成通孔434之後的基材400。
圖5例示在三層基材中蝕刻及填充通孔的製程，其中第二層或芯層具有的蝕刻速率具比第一層及第三層或包覆層的蝕刻速率更快。圖5圖示作為玻璃層壓結構的玻璃基材500，在製程中的不同點。玻璃基材500具有三個不同的層，第一層514、第二層515、及第三層516。在圖5的範例中，對於所使用的蝕刻條件，第一層514及第三層516具有的蝕刻速率比第二層515更慢。示意圖510圖示，舉例而言，已藉由雷射燒蝕製程形成孔512之後的玻璃基材500。可取代孔512，而存在損傷軌跡(未例示)。示意圖520圖示蝕刻步驟之後的玻璃基材500。歸因於不同的蝕刻速率，第二層515中的孔522比第一層514及第三層516中的更寬。示意圖530圖示在孔522中已形成通孔534之後的基材500。
圖6例示在三層基材中蝕刻及填充通孔的製程，其中第二層或芯層具有的蝕刻速率具比第一層及第三層或包覆層的蝕刻速率更慢。圖6圖示作為玻璃層壓結構的玻璃基材600，在製程中的不同點。玻璃基材600具有三個不同的層，第一層614、第二層615、及第三層616。在圖6的範例中，對於所使用的蝕刻條件，第一層614及第三層616具有的蝕刻速率比第二層615更快。示意圖610圖示，舉例而言，已藉由雷射燒蝕製程形成孔612之後的玻璃基材600。可取代孔612，而存在損傷軌跡(未例示)。示意圖620圖示蝕刻步驟之後的玻璃基材600。歸因於不同的蝕刻速率，第二層615中的孔622比第一層614及第三層616中的更窄。示意圖630圖示在孔622中已形成通孔634之後的基材600。
圖7例示在五層基材中蝕刻及填充通孔的製程，其中五層中的每個層具有不同的蝕刻速率，且所得通孔為錐形的。圖7圖示作為玻璃層壓結構的玻璃基材700，在製程中的不同點。玻璃基材700具有五個不同的層，第一層714、第二層715、第三層716、第四層717、及第五層718。在圖7的範例中，針對所使用的蝕刻條件，蝕刻速率從第一層714(最慢的蝕刻速率)越過五層移動至第五層718(最快的蝕刻速率)時逐層變得更快。示意圖710圖示，舉例而言，已藉由雷射燒蝕製程形成孔712之後的玻璃基材700。可取代孔712，而存在損傷軌跡(未例示)。示意圖720圖示蝕刻步驟之後的玻璃基材700。歸因於不同的蝕刻速率，孔722在第一層715中最窄，且越過五層移動至第五層718時逐步地變為更寬。示意圖730圖示在孔722中已形成通孔734之後的基材700。
圖8例示在五層基材中蝕刻及填充通孔的製程，其中五層具有交替的蝕刻速率。圖8圖示作為玻璃層壓結構玻璃基材800，在製程中的不同點。玻璃基材800具有五個不同的層，第一層814、第二層815、第三層816、第四層817、及第五層818。在圖8的範例中，針對所使用的蝕刻條件，蝕刻速率在第一層814、第三層816、及第五層818中的較快與第二層815與第四層817中的較慢之間交替。示意圖810圖示，舉例而言，已藉由雷射燒蝕製程形成孔812之後的玻璃基材800。可取代孔812，而存在損傷軌跡(未例示)。示意圖820圖示蝕刻步驟之後的玻璃基材800。歸因於不同的蝕刻速率，孔822在第一層814、第三層816及第五層818中的較寬，而在第二層815與第四層817中的較窄之間交替。示意圖830圖示在孔822中已形成通孔834之後的基材800。
圖9例示在五層基材中蝕刻及填充通孔的製程，其中五層中的每個層具有與毗鄰層不同的蝕刻速率，且所得通孔具有收縮的腰部。玻璃基材900具有五個不同的層，第一層914、第二層915、第三層916、第四層917、及第五層918。在圖9的範例中，最中心的第三層916中的蝕刻速率最慢，並在更靠近基材900表面的層中逐步地增加，第一層914及第五層918中的蝕刻速率最快。示意圖910圖示，舉例而言，已藉由雷射燒蝕製程形成孔912之後的玻璃基材900。可取代孔912，而存在損傷軌跡(未例示)。示意圖920圖示蝕刻步驟之後的玻璃基材900。歸因於不同的蝕刻速率，孔922在最中心的第三層916中最窄，並向外移動朝向第一層914及第五層918逐步地變為更寬，其中孔922最寬。示意圖930圖示在孔922中已形成通孔934之後的基材900。
類似於圖5，圖10例示在三層基材中蝕刻及填充通孔的製程，其中第二層或芯層的蝕刻速率比第一層及第三層或包覆層的蝕刻速率更快。圖10進一步例示此等層不必然具有相同的厚度。圖10圖示作為玻璃層壓結構的玻璃基材1000，在製程中的不同點。玻璃基材1000具有三個不同的層，第一層1014、第二層1015、及第三層1016。在圖10的範例中，對於所使用的蝕刻條件，第一層1014及第三層1016具有的蝕刻速率比第二層1015更慢。示意圖1010圖示，舉例而言，已藉由雷射燒蝕製程形成孔1012之後的玻璃基材1000。可取代孔1012，而存在損傷軌跡(未例示)。示意圖1020圖示蝕刻步驟之後的玻璃基材1000。歸因於不同的蝕刻速率，第二層1015中的孔1022比第一層514及第三層516中的更寬。示意圖530圖示在孔522中已形成通孔534之後的基材500。
圖3至圖10例示在玻璃層壓結構中使用不同蝕刻速率的層以創造非圓柱形孔形狀。但是，此類層亦可被使用於創造圓柱形狀。舉例而言，暴露於蝕刻劑的均勻基材(沒有具有不同玻璃組成物的層壓層)中的狹窄孔可能導致收縮或沙漏形狀，其腰部比在基材表面處的開口更窄。此舉發生是由於取決於傳送及表面現象的相對速率，傳送作用可能會影響孔不同部分的蝕刻速率。舉例而言，反應性物種向基材中心的傳送速率可能致使中心處的蝕刻速率較慢。類似地，若反應產物減慢蝕刻速率，則來自基材中心的反應產物的傳送速率亦可能致使較慢的蝕刻速率。這些作用可藉由使用具有(帶有比外層更快的蝕刻速率的中心層(或層等))的層壓結構來補償。舉例而言，圖5的基材500，若在單層基材具有腰部的背景情況下使用，將致使腰部減小及更多圓柱形幾何形狀。
基材、層、及通孔尺寸
在一些實施例中，孔的直徑以軸向定位的函數而改變。舉例而言，圖5中的孔522的直徑從層514中的較小改變為層515中的較大，再次返回至層516中的較小。孔具有最大直徑(舉例而言，層515中的直徑)及最小直徑(舉例而言，層514及516中的直徑)。若孔不為圓形，則孔的「直徑」為在垂直於軸向方向的平面中與孔具有相同橫截面積的圓的直徑。
在一些實施例中，作為最大直徑的百分比的最小直徑可為1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55 %、60%、65%、70%、75%、80%、90%、99%、或具有這些值中的任何兩個作為端點的任何範圍，包含端點。在一些實施例中，最小直徑為最大直徑的50%至100%。
孔可具有任何合適的軸向長度。孔的軸向長度對應至孔附近基材的厚度。作為非限制性範例，基材的厚度(及軸向孔長度)可為10 µm、60 µm、120 µm、180 µm、240 µm、300 µm、360 µm、420 µm、480 µm、540 µm、600 µm、720 µm、840 µm、960 µm、1080 µm、1500 µm、2000 µm，或以具有此等值中的任何兩個作為端點的任何範圍，包含端點。在一些實施例中，基材的厚度及軸向孔長度為10 µm至2000 µm，或240 µm至360 µm，或600 µm至1500 µm。
基材之內的玻璃層可具有任何合適的厚度。基材之內的每層可具有相同的厚度。或者，一些層可能具有與其他層不同的厚度。作為非限制性範例，個別層的厚度可為0.1 µm、1 µm、5 µm、10 µm、60 µm、120 µm、180 µm、240 µm、300 µm、360 µm、420 µm、480 µm、540 µm、600 µm、720 µm、840 µm、960 µm、1080 µm、或1500 µm，或具有此等值中的任何兩個作為端點的任何範圍，包含端點。在一些實施例中，最外側層各自具有10 µm至120 µm的厚度，且單一內層或芯層具有480 µm至840 µm的厚度。
通孔110可具有任何合適的最小直徑及最大直徑。作為非限制性範例，此等直徑可為10 µm、20 µm、30 µm、40 µm、50 µm、60 µm、70 µm、80 µm、90 µm、100 µm、120 µm、140 µm、160 µm、180 µm、200 µm、或具有此等值中的任何兩個作為端點的任何範圍，包含端點。在一些實施例中，最大通孔直徑可為10 µm至200 µm，或40 µm至60 µm。在一些實施例中，最大通孔直徑可為10 µm至200 µm，或40 µm至60 µm。
具有240 µm至360 µm的通孔長度及40 µm至60 µm的最大通孔直徑的高寬高比通孔對於目前的某些應用為特別地符合需求的。如本文中所使用，「寬高比」係指通孔長度與最大通孔直徑的比值。
通孔110可具有任何合適的寬高比。作為非限制性範例，寬高比可為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、25、30、40、或具有以此等值中的任意兩個作為端點的任何範圍，包含端點。在一些實施例中，寬高比可為4至8、12至20、或14至18。
在一些實施例中，諸如在圖11及圖12的範例中描述的該等實施例，600 µm至1500 µm的高基材厚度與40 µm至60 µm的最大通孔直徑相結合。如此通孔可具有，舉例而言，圖12中的14.58、或12至20、或14至18的寬高比。如此通孔可進一步具有作為最大直徑的百分比的最小直徑，舉例而言，如圖12中的42％，或40％至100％。在所描述之大小範圍內，實現高的寬高比及協合作為最大直徑的百分比的高的最小直徑可能為困難的。高寬高比意指歸因於傳送動力學，基材中間的孔部分比表面附近的部分蝕刻得更為慢，這會導致孔的「收縮」—基材中間的小的最小直徑，相對於表面附近高得多的最大直徑。如圖12中的範例所例示，在基材中間使用蝕刻速度較快的材料並在表面附近使用蝕刻速度較慢的材料可減輕這種作用。
預期符合需求的尺寸將在未來改變，且本文中所描述的概念可被使用於為此等尺寸提供適當的孔及通孔。
除非另作說明，本文中所描述之尺寸使用以下方法量測：(1) 外部特徵的光學顯微鏡，諸如基材厚度及基材表面處的通孔直徑；(2)內部特徵的熒光共焦顯微鏡圖像，諸如基材內側的通孔直徑。
金屬化
在形成通孔之後，能備選地採用導電材料塗覆及/或填充它們，舉例而言，藉由金屬化。金屬或導電材料可為，舉例而言，銅、鋁、金、銀、鉛、錫、氧化銦錫、或其等的組合或合金。被使用於使孔的內部金屬化的製程可為，舉例而言，電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、或其他蒸發塗覆方法。孔亦可塗覆有催化材料，諸如鉑、鈀、二氧化鈦、或有助於孔之內化學反應的其他材料。
層壓玻璃中的 TGV
康寧已開發玻璃貫通通孔(TGV)處理技術，以在玻璃基材中創建貫通通孔。此技術可在由快速蝕刻包層及慢速蝕刻芯組成的層壓玻璃及由慢速蝕刻包層及快速蝕刻芯組成的層壓玻璃中產生TGV。本揭露內容提供與單一玻璃組合物相比較在縮短的時間內從層壓玻璃基材製成玻璃貫通通孔的方法，其中玻璃通孔具有獨特且改善的形狀。根據本文中所論述的實施例的TGV形成方法能在層壓玻璃中形成TGV，該層壓玻璃具有在芯玻璃與外部包覆玻璃之間具有不同蝕刻速率的層的增加的複雜性。被使用於創造TGV的方法取決於被使用於形成層壓板的兩種結合玻璃的化學物質。
待描述的本發明為一種在層壓玻璃結構中製成TGV的製程。圖13圖示藉由在單一組分玻璃中蝕刻的TGV的典型形成及歸因於擴散的形狀/寬高比局限。圖14圖示藉由調整包層1414及1416及芯1415層的玻璃組合物以在兩者之間展現有利的蝕刻速率比值來實現，在層壓玻璃結構1400中製成TGV的製程。若包層1414及1416(E1)及芯1415(E2)的蝕刻速率相等，則兩者之間的蝕刻速率比值以E1/E2=1代表。在此種情況下，層壓玻璃充當單組分玻璃，具有與單一組分玻璃相同的擴散限制寬高比局限。為了增加改性區的擴散/穿透，最好具有比耐用包覆層1414及1416具有更高蝕刻速率的芯層1415組合物。這將為小於一的包層與芯蝕刻速率比值，以E1/E2＜1代表。取決於符合需求的基材厚度及應用，可接受在此等比值中的任何一個以在層壓玻璃中形成通孔，從而獲得需要的蝕刻速率比值為E1/E2≤1。
參照圖18，描繪了玻璃基材100，包含上玻璃包覆層1805、下玻璃包覆層1807、及玻璃中央芯1810。如前文所描述，上玻璃包覆層1805、下玻璃包覆層1807、且玻璃中央芯1810的玻璃組合物可變化，使得上玻璃包覆層1805、下玻璃包覆層1807、及玻璃中央芯1810在蝕刻劑中的耐久性發生改變。舉例而言，可能符合需求的上玻璃包覆層1805及下玻璃包覆層1807中的一者或兩者在蝕刻劑中具有不同於玻璃中央芯1810的溶解速率。
參照圖19，在玻璃基材100中形成空腔或阱1925以將玻璃基材轉換成如本文中所描述的結構化製品。可使用圖12中描繪的製程在玻璃基材100的表面中形成空腔或阱1925。在一些實施例中，該製程包括在玻璃基材100的表面上形成遮罩1915。舉例而言，在上玻璃包覆層105及/或下玻璃包覆層107的表面上形成遮罩1915。可藉由印刷(如，噴墨印刷、凹版印刷、絲網印刷、或另一印刷製程)或另一沉積製程形成遮罩1915。在一些實施例中，遮罩1915耐受蝕刻劑(例如，將被使用於蝕刻玻璃基材100中的空腔或阱1925的蝕刻劑)。舉例而言，遮罩1915可包括丙烯酸酯、多官能丙烯酸酯-n-乙烯基己內醯胺、或另一合適的遮罩材料。在一些實施例中，遮罩1915由包括底漆的油墨材料形成以增強遮罩與玻璃基材100之間的黏著力。如此增強的黏著力可減少遮罩1915與玻璃基材100之間蝕刻劑的滲漏，這可幫助實現本文中所描述的精確空腔。
在一些實施例中，遮罩1915包括一個或更多個開放區，玻璃基材100於該等開放區保持裸露。遮罩1915的開放區可具有的圖案對應至在玻璃基材100中待形成之符合需求的空腔或阱1925的圖案。舉例而言，遮罩1915的圖案可為規則地重複之矩形形狀的陣列(例如，接收本文中所描述的微處理器/電子組件)。在此等實施例中，藉由遮罩1915圖案化的形狀可緊密地對應至微處理器/電子組件的形狀。亦可使用其他形狀，且此等形狀可緊密地對應至電子組件的形狀或者能將電子組件牢固地固持在玻璃基材100上的適當定位。因此，可將遮罩1915配置成蝕刻遮罩以可實現上玻璃包覆層1905及/或下玻璃包覆層1907的選擇性蝕刻並如本文中所描述在玻璃基材100中形成空腔或阱1925。
在一些實施例中，將其上設置帶有遮罩1915的玻璃基材100暴露於蝕刻劑1920。舉例而言，如圖19中所圖示，上玻璃包覆層1905及/或下玻璃包覆層1907與蝕刻劑1920接觸，從而選擇性地蝕刻相應玻璃包覆層被遮罩1915露出的暴露部分並在玻璃基材中形成空腔或阱1925，從而將基材轉換成塑形製品。在一些實施例中，其上設置有遮罩1915的玻璃基材100在蝕刻溫度下暴露於蝕刻劑1920達一蝕刻時間。舉例而言，蝕刻溫度為約20°C、約22°C、約25°C、約30°C、約35°C、約40°C、約45°C、或約50°C，或任何由所述值的任意組合界定的範圍。較低的蝕刻溫度可幫助在蝕刻期間保持遮罩1915的完整性，這可實現如本文中所描述的增加的蝕刻時間及/或改善的空腔形狀。額外地，或替代地，蝕刻時間可為約10分鐘、約15分鐘、約20分鐘、約25分鐘、約30分鐘、約35分鐘、約40分鐘、約45分鐘、約50分鐘、約55分鐘、約60分鐘、約65分鐘、約70分鐘、約75分鐘、約80分鐘、約85分鐘、或約90分鐘，或由所述值的任何組合界定的任何範圍。相對長的蝕刻時間可實現如本文中所描述的空腔或阱1925的大致上直的側壁。
在一些實施例中，上玻璃包覆層1905及/或下玻璃包覆層1907蝕刻比玻璃中央芯110快至少快1.5倍、至少快2倍、至少快5倍、至少快10倍、至少快20倍、或至少100倍。額外地，或替代地，上玻璃包覆層1905及/或下玻璃包覆層1907的蝕刻速率與玻璃中央芯1910的蝕刻速率的比值為約5、約10、約15、約20、約25、約30、約35、約40、約45、約50、約55、約60、約65、約70、約75、約80、約85、約90、約95、約100、或任何由所述值的任意組合界定的範圍。
本發明利用芯材料與包覆材料之間不同的化學組合物。在一種情況下，包覆充當內部芯的內建遮罩/保護層。在另一種情況下(圖17)，可選擇性地蝕刻掉包覆，在TGV周圍或附近保留界定的凹坑。此外，由於此種包層為玻璃結構的一部分，蝕刻之後不需要被去除，因此它允許玻璃表面更能抵抗製造製程中的化學侵蝕及來自環境的濕氣侵蝕。
為含有快速蝕刻芯及慢速蝕刻包層的層壓玻璃製成TGV的具體優點包含：
1.耐用的表層允許玻璃表面在製造製程期間更能抵抗化學及機械侵蝕，並改善產物產量。此外，耐用的表層可藉由防止產物受到來自製造製程中的濕氣及化學物質的侵蝕，從而延長所得產物的使用壽命。
2.與單一組合物玻璃相比較，快速蝕刻的芯層允許在層壓玻璃中更快地製成TGV及/或以更少的厚度去除。當前的層壓玻璃可實現9:1的芯-包層厚度比值。鑑於吾等使用類Iris玻璃組合物作為包層，且類Odin玻璃組合物作為芯，Iris的蝕刻速率比Odin玻璃更高~70倍。這可允許TGV在層壓玻璃中形成的速度比在類似厚度的單一組合物玻璃中更快~70倍。(見圖16)
3.由於表層更為耐化學腐蝕，使用層壓玻璃可實現高寬高比。
替代地，圖15圖示在含有快速蝕刻包層1514及1516及慢速蝕刻芯1515的層壓玻璃中製備的TGV，其具有的優點為可藉由使用適當的蝕刻劑(以在層壓玻璃的芯層1515處停止)在TGV 1512附近或頂部形成功能阱1517。
實驗性
使用層壓玻璃製備樣品1，該層壓玻帶有具有範例1的組合物的600 µm芯，並在兩側帶有範例11的組合物的50 µm包層。該結構類似於圖10的結構，其中第二層1015為具有範例1組合物的600 µm芯，且第一層1014及第三層1016為具有範例11組合物的50 µm包層。
樣品1為使用先前康寧專利公開案中描述的雷射技術鑽孔：美國專利公開第US 2013-0247615號，「Methods of Forming High-Density Arrays of Holes in Glass」，2011年11月30日提出申請；美國專利公開第2014-0147623號，「Sacrificial Cover Layers for Laser Drilling Substrates and Methods Thereof」，2013年11月27日提出申請，以全文引用的方式併入本文中。在使用的雷射鑽孔技術中，脈衝紫外線(UV)雷射被聚焦至樣品表面上大約6 微米直徑(1/e
2)的光點上。雷射為三倍頻率摻雜釹原釩酸釔(Nd:YVO
4)雷射，波長約為355 nm。脈衝寬度約為30 nsec。從基材上平均去除材料的速率約為每個脈衝0.5 µm至2 µm。因此，可藉由應用的雷射脈衝數量控制個別鑽孔的深度。製程期間的脈衝串的重複速率在1 kHz至150 kHz之間，其中最通常使用者為1 kHz至30 kHz。採用此種方法形成的導向孔通常具有12至16 um的入口(頂部)直徑及4至8 um的出口(底部)直徑。
將此種雷射鑽孔技術使用於樣品1，採用重複速率為5K的1100個脈衝。接著在含有3M HF及2.4M HNO
3的溶液中蝕刻樣品1，設定蝕刻時間目標為28 µm的頂部直徑。
圖11圖示層壓玻璃中形成的通孔的入口及出口的俯視圖及3D視圖光學顯微鏡圖像。
圖12圖示在層壓玻璃中形成的通孔的熒光共焦顯微鏡圖像的3D及截面視圖。從圖12可看出，樣品1中拍照標記的通孔具有的長度為700 µm，最大直徑為48 µm，最小直徑為20 µm，頂部開口直徑為28 µm，底部開口直徑為22 µm，寬高比為14.6(700 µm/48 µm)，最小直徑為最大直徑(20 µm/48 µm)的42%。
圖11及圖12圖示如何使用層壓基材結構以控制孔形狀。在未存有層壓結構的情況下，舉例而言，若整個基材具有芯組合物，孔將繼續向表面加寬，導致更小的寬高比及更低的最小直徑/最大直徑百分比值(即，更多「收縮」的孔)，這為不太圓柱形的孔。針對大寬高比及更多圓柱形孔為符合需求的應用的情況，樣品1及採用類似結構及技術製成的其他樣品提供解決方案。
範例18為含有快速蝕刻包層及慢速蝕刻芯的層壓玻璃製成TGV(表2)
與單一玻璃組合物相比較，層壓玻璃具有製成精確玻璃結構的優點。鑑於可以在芯-包層交界發展蝕刻停止層，可將層壓玻璃潛在地使用於微電子產業的電子封裝。在此等層壓玻璃上產製TGV可實現安裝在玻璃結構中的矽晶片之間的連接。然而，由於外部包覆玻璃不如內部芯玻璃(E1＞E2)耐用，因此可在表面上運用物理遮罩。如圖17中所圖示，物理遮罩1740可為耐酸層壓塗層1741或耐酸沉積塗層1742。層壓塗層的範例包含膜或膠帶。沉積塗層的範例包含氮氧化鉻(CrON)、鉭、鎳(合金)、及矽樹脂。在實施例中，將乙烯基膠帶用作物理遮罩1740以保護包覆層1714及1716。將層壓塗層1741(即，乙烯基膠帶)圖案化成具有1 mm的孔並在玻璃基材1700的任一側對齊。接著將UV衝擊雷射使用以下參數，使用在非遮罩區域中鑽孔導向孔1712：3000個脈衝，每個脈衝240 uJ，重複速率為5 kHz。導向孔1712為雷射製程所固有的錐形，且分別具有12 um及7 um的頂部及底部直徑。為了使金屬化成為可能，藉由酸蝕刻加寬此等導向孔1712。在2.9 M氫氟酸及0.1 vol%聚電解質含氟表面活性劑添加劑的靜態浴槽中蝕刻雷射鑽孔樣品，在攝氏10度下保持9至10小時。所得TGV 1722具有的頂部直徑為204 um，底部直徑為190 um，腰部直徑約為80 um。在TGV周圍有~2.5 mm直徑/200 um深的坑或阱1751，蝕刻劑在那裡底切乙烯基膠帶並蝕刻掉包覆材料。可藉由使用諸如帶有受控直徑的氮氧化鉻的沉積塗層1742，在一些程度上控制此底切區或阱1751。沉積塗層遮罩的底切應該為最小的。參照圖17中的製程流程。
範例19為含有慢速蝕刻包層及快速蝕刻芯的層壓玻璃製成TGV(表3)
在外部包覆層比芯更為耐用的層壓玻璃(E1＜E2)的情況下，覆層本身可充當表面遮罩層，而允許酸穿透並創造貫通快速蝕刻芯材料的中心厚度的TGV。在此情況下，將使用貝塞爾光束光學元件的皮秒脈衝雷射形成焦線，使用於貫通玻璃的厚度創造損傷軌跡。此損傷軌跡優先地使用相同的2.9M HF 0.1 vol%聚電解質表面活性劑溶液蝕刻以形成TGV。
圖16顯示在包覆層中具有較小頂部直徑的TGV，一旦達到更快的蝕刻芯層，該包覆就擴展。這是歸因於包層/芯兩者蝕刻速率比值低於1，在此情況下為0.38，且兩種組合物的絕對蝕刻速率均較低。若在形成的層壓玻璃中待使用相同的玻璃組合物對，其上形成的芯層比包覆更薄，則可形成圓柱形通孔。為了保護層壓玻璃的包覆，以~0.7 um/min的蝕刻速率將玻璃蝕刻142分鐘以從表面去除100 um，從而產生貫通通孔。以~1.34 um/min的蝕刻速率蝕刻~250 um的類似玻璃組合物的單一導向孔組件，持續190分鐘，且當時無法連接損傷軌跡。層壓類型玻璃節省大約50分鐘的製程時間，並藉由去除至少150 um更少的材料創建TGV。
結論
相關領域的技藝者將認知並理解，可對本文中所描述的各種實施例進行許多改變，同時仍然獲得有益的結果。亦顯而易見者為，可藉由選擇一些特徵而不利用其他特徵來獲得本實施例的一些符合需求的效益。據此，本領域工作者將認知到，許多修改及改編為可能的，且在某些情況下甚至為符合需求的，且為呈現本揭露內容的一部分。因而，應當瞭解，除非另作說明，否則本揭露內容不限於所揭露的具體組合物、製品、裝置、及方法。亦應當瞭解，本文中使用的術語僅用於描述特定實施例的目的，並未意圖具限制性。圖中所圖示的特徵為對本說明書的所選實施例的例示，不必然以適當的比例描繪。此等圖面特徵僅為範例性，且未意圖具限制性。
除非另作明確地說明，否則不應預期將本文中所闡述的任何方法解釋為需要以特定順序進行其步驟。據此，在方法請求項實際上沒有列舉其步驟所被遵循的順序的情況下，或在請求項或說明書中具體地說明此等步驟僅限於特定的順序時，並非預期推斷任何特定的順序。
除非另作明確地說明，本文中所描述玻璃組分的百分比以基於氧化物的mol％計。
對於熟習此項技藝者顯而易見者為，在不脫離例示實施例的精神或範圍的情況下，能進行各種修改及變化。由於本領域熟習技藝者可想到合併例示實施例的精神及實質的所揭露實施例的修改組合、子組合、及變化，因此應當將說明書解釋成包含隨附請求項及其均等物範圍之內的所有內容。
100:層壓玻璃結構
102:芯層
103a:第一表面
103b:第二表面
104a:第一包覆層
104b:第二包覆層
200:層壓熔融拉製設備
202:上部等壓管
204:下部等壓管
206:熔融包覆組合物
208:熔融玻璃芯組合物
210,212:槽
216,218,222,224:外成形表面
220:根部
300,400,500,600,700,800,900,1000:玻璃基材
1700
310,330,410,420,430,510,520,530:示意圖
610,620,630,710,720,730,810,820
830,910,920,930,1010,1020
312,412,512,612,712,812:雷射燒蝕製程形成孔
912,1012
322,422,522,622,722,822,922,1022:已獲得孔
334,434,534,634,734,834,934,1034:通孔
346:力
414,514,614,714,814,914,1014:第一層
415,515,615,715,815,915,1015:第二層
516,616,716,816,916,1016:第三層
717,817,917:第四層
718,818,918:第五層
1414,1416:調整包層
1415:芯
1512:TGV
1514,1516,1714,1716:快速蝕刻包層
1515:慢速蝕刻芯
1517:功能阱
1712:導向孔
1740:物理遮罩
1741:耐酸層壓塗層
1742:耐酸沉積塗層
1751,1925:阱
1805,1905:上玻璃包覆層
1807,1907:下玻璃包覆層
1810:玻璃中央芯
1915:遮罩
圖1圖示具有三層的層壓玻璃結構100的橫截面。
圖2圖示層壓熔融拉製設備。
圖3例示用於在單層玻璃結構中蝕刻及填充通孔的製程。
圖4例示在雙層玻璃層壓結構中蝕刻及填充通孔的製程，其中二個層具有不同的蝕刻速率。
圖5例示在三層玻璃層壓結構中蝕刻及填充通孔的製程，其中第二層或芯層具有的蝕刻速率比第一及第三層或包覆層的蝕刻速率更快。
圖6例示在三層玻璃層壓結構中蝕刻及填充通孔的製程，其中第二層或芯層具有的蝕刻速率比第一及第三層或包覆層的蝕刻速率更慢。
圖7例示在五層玻璃層壓結構中蝕刻及填充通孔的製程，其中五層中的每個層具有不同的蝕刻速率，且所得通孔為錐形。
圖8例示在五層玻璃層壓結構中蝕刻及填充通孔的製程，其中五層具有交替的蝕刻速率。
圖9例示在五層玻璃層壓結構中蝕刻及填充通孔的製程，其中五層中的每個層具有與毗鄰層不同的蝕刻速率，且所得通孔具有收縮的腰部。
圖10類似於圖5，例示在三層玻璃層壓結構中蝕刻及填充通孔的製程，其中第二層或芯層具有的蝕刻速率比第一層及第三層或包覆層更快。圖10進一步例示層不必然具有相同的厚度。
圖11圖示層壓玻璃中形成的通孔的入口及出口的俯視圖及3D視圖光學顯微鏡圖像。
圖12圖示在層壓玻璃中形成的通孔的熒光共焦顯微鏡圖像的3D及截面視圖。
圖13圖示在單一組分玻璃中藉由蝕刻形成的典型通孔及其歸因於擴散的形狀/寬高比局限。
圖14圖示在已被雷射損傷及蝕刻的層壓玻璃中形成通孔，玻璃具有的組合物致使E1/E2≤1的蝕刻速率比值。
圖15圖示1 mm厚的層壓玻璃中的貫通通孔。
圖16圖示在單一組分層壓玻璃及多組分層壓玻璃中形成的貫通通孔。
圖17圖示在需要遮罩的層壓玻璃中創建貫通通孔的製程步驟。
圖18圖示根據本文中圖示及所描述的一個或更多個實施例，玻璃基材的橫截面。
圖19為根據本文中圖示及所描述的一個或更多個實施例，圖11的玻璃基材的橫截面，其藉由遮罩選擇性地暴露於蝕刻劑以在包覆層中形成空腔。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:層壓玻璃結構
102:芯層
103a:第一表面
103b:第二表面
104a:第一包覆層
104b:第二包覆層
Claims (48)
- 一種方法，包括以下步驟： 使用一雷射通過一層壓玻璃結構形成一導向孔或損傷軌跡，該層壓玻璃結構包括一第一層及與該第一層毗鄰的一第二層； 其中: 該第一層由一第一玻璃組合物形成； 該第二層由不同於該第一玻璃組合物的一第二玻璃組合物形成；及 形成該導向孔之後，將該層壓玻璃結構暴露於以一第一蝕刻速率蝕刻該第一玻璃組合物及以一第二蝕刻速率蝕刻該第二玻璃組合物的蝕刻條件，其中該第一蝕刻速率不同於該第二蝕刻速率，以形成一蝕刻孔。
- 如請求項1所述之方法，其中： 該玻璃層壓結構進一步包括與該第一層相對、與該第二層毗鄰的一第三層； 第三層由不同於第二玻璃組合物的第三玻璃組合物形成； 當暴露於該等蝕刻條件時，一第三玻璃組合物具有一第三蝕刻速率；及 該第三蝕刻速率不同於該第二蝕刻速率。
- 如請求項2所述之方法，其中該第三玻璃組合物與該第一玻璃組合物相同，且該第一蝕刻速率與該第三蝕刻速率相同。
- 如請求項2所述之方法，其中該第三玻璃組合物不同於該第一玻璃組合物，且該第三蝕刻速率不同於該第一蝕刻速率。
- 如請求項2所述之方法，其中： 該玻璃層壓結構進一步包括與該第二層相對、與該第三層毗鄰的一第四層； 該第四層由與該第三玻璃組合物不同的一第四玻璃組合物形成； 當暴露於該等蝕刻條件時，該第四玻璃組合物具有一第四蝕刻速率；及 該第四蝕刻速率不同於該第三蝕刻速率。
- 如請求項1至5任一項所述之方法，其中該蝕刻孔在該第一層中具有一第一橫向尺寸並在該第二層中具有一第二橫向尺寸，且其中該第一橫向尺寸不同於該第二橫向尺寸。
- 如請求項6所述之方法，其中： 將該層壓玻璃結構暴露於該蝕刻條件之步驟形成該蝕刻孔，該蝕刻孔在該第三層中進一步具有一第三橫向尺寸，其中該第三橫向尺寸不同於該第二橫向尺寸。
- 如請求項7所述之方法，其中該第三橫向尺寸與該第一橫向尺寸相同。
- 如請求項7所述之方法，其中該第三橫向尺寸不同於該第一橫向尺寸。
- 如請求項7所述之方法，其中將該層壓玻璃結構暴露於該等蝕刻條件的步驟形成該蝕刻孔，該蝕刻孔在該第四層中進一步具有一第四橫向尺寸，其中該第四橫向尺寸不同於該第三橫向尺寸。
- 如請求項1至5任一項所述之方法，其中該第一蝕刻速率與該第二蝕刻速率之間的該差值為該第一蝕刻速率的至少5％或更多。
- 如請求項11所述之方法，其中該第一蝕刻速率與該第二蝕刻速率之間的該差值為該第一蝕刻速率的至少10%或更多。
- 如請求項12所述之方法，其中該第一蝕刻速率與該第二蝕刻速率之間的該差值為該第一蝕刻速率的至少30%或更多。
- 如請求項1至5任一項所述之方法，其中該第一蝕刻速率大於該第二蝕刻速率。
- 如請求項14所述之方法，其中該蝕刻孔具有包括一沙漏形狀的一形態。
- 如請求項1至5任一項所述之方法，其中該第一蝕刻速率小於該第二蝕刻速率。
- 如請求項16所述之方法，其中該蝕刻孔具有的一形態包括一圓柱形形狀或該第一層及該第三層的一橫向尺寸小於該第二層的一橫向尺寸的情況下的形狀。
- 如請求項16所述之方法，其中： 該第一層具有一外表面，該第三層具有一外表面；及 該第一蝕刻速率小於該第二蝕刻速率。
- 如請求項18所述之方法，進一步包括以下步驟：在將該層壓玻璃結構暴露於該蝕刻條件之前在該第一層的該外表面上及/或該第三層的該外表面上形成一遮罩。
- 如請求項19所述之方法，其中該形成步驟包括採用一物理遮罩覆蓋該外表面之步驟。
- 如請求項20所述之方法，其中該物理遮罩為一耐酸材料。
- 如請求項21所述之方法，其中該耐酸材料為一耐酸層壓塗層。
- 如請求項22所述之方法，其中該耐酸層壓塗層為一耐酸膠帶。
- 如請求項21所述之方法，其中該耐酸材料為一耐酸沉積塗層。
- 如請求項24所述之方法，其中該耐酸沉積塗層為氮氧化鉻。
- 如請求項20所述之方法，其中該物理遮罩具有一複數個孔。
- 如請求項26所述之方法，其中該形成步驟包括在該外表面之上印刷或該沉積一遮罩材料之步驟。
- 如請求項6所述之方法，其中該第一橫向尺寸與該第二橫向尺寸之間的該差值為該第一橫向尺寸的至少5％或更多。
- 如請求項28所述之方法，其中該第一橫向尺寸與該第二橫向尺寸之間的該差值為該第一橫向尺寸的至少10％或更多。
- 如請求項28所述之方法，其中該第一橫向尺寸大於該第二橫向尺寸。
- 如請求項28所述之方法，其中該第一橫向尺寸小於該第二橫向尺寸。
- 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：(i)採用一導電材料填充該蝕刻孔； 或(ii)使用該雷射通過該層壓玻璃結構形成該損傷軌跡。
- 如請求項1至5任一項所述之方法，其中該層壓玻璃結構為熔融拉製。
- 如請求項28所述之方法，進一步包括以下步驟：(i)使用該雷射通過該層壓玻璃結構形成該損傷軌跡；或(ii)採用一導電材料填充該蝕刻孔。
- 如請求項1至5任一項所述之方法，其中該層壓玻璃結構中的至少一個層由不可光加工的一玻璃組合物形成。
- 如請求項35所述之方法，其中該層壓玻璃結構中的每層由不可光加工的一玻璃組合物形成。
- 一種裝置，包括： 一層壓玻璃結構，包括： 一第一層； 一第二層，與該第一層毗鄰； 一第三層，與該第一層相對、與該第二層毗鄰； 其中: 該第一層由一第一玻璃組合物形成； 該第二層由不同於第一玻璃組合物的第二玻璃組合物形成； 該第三層由該第一玻璃組合物形成；及 通過該層壓玻璃結構的一孔在該第一層中具有一第一橫向尺寸，在該第二層中具有一第二橫向尺寸，並在該第三層中具有一第三橫向尺寸。
- 如請求項37所述之裝置，其中該第一橫向尺寸小於該第二橫向尺寸至少5％或更多，且該第三橫向尺寸小於該第二橫向尺寸至少5％或更多。
- 如請求項37所述之裝置，其中該第二橫向尺寸為該第一橫向尺寸的大至少5%或更為多，且該第二橫向尺寸為該第三橫向尺寸的大至少5%或更為多。
- 如請求項38及39所述之裝置，其中該孔具有的一形態包括該第一層及該第三層的一橫向尺寸小於該第二層的一橫向尺寸的情況下的形狀。
- 如請求項37所述之裝置，其中：(i)該第一橫向尺寸大於該第二橫向尺寸至少5%或更多，且該第三橫向尺寸大於該第二橫向尺寸至少5%或更多；或(ii)該第二橫向尺寸至少為該第一橫向尺寸的5%或更為小，且該第二橫向尺寸至少為該第三橫向尺寸的5%或更為小。
- 如請求項41所述之裝置，其中該孔具有包括一沙漏形狀的一形態。
- 如請求項37所述之裝置，其中：(i)該第一橫向尺寸約等於該第二橫向尺寸，而該第三橫向尺寸約等於該第二橫向尺寸；或(ii)該第二橫向尺寸約等於該第一橫向尺寸及該第二橫向尺寸。
- 如請求項43所述之裝置，其中該孔具有包括一圓柱形形狀的一形態。
- 如請求項37至39任一項所述之裝置，其中該孔為一蝕刻孔。
- 如請求項37至39任一項所述之裝置，其中該孔填充有一導電材料。
- 如請求項37至39任一項所述之裝置，其中該層壓玻璃結構中的至少一個層由不可光加工的一玻璃組合物形成。
- 如請求項37至39任一項所述之裝置，其中該第一玻璃組合物及該第二玻璃組合物不可光加工。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202063114122P | 2020-11-16 | 2020-11-16 | |
| US63/114,122 | 2020-11-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202234528A true TW202234528A (zh) | 2022-09-01 |
Family
ID=79171113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110142175A TW202234528A (zh) | 2020-11-16 | 2021-11-12 | 具有貫通玻璃通孔的3d插入件-增加銅與玻璃表面之間黏著的方法以及來自該方法的製品 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230402337A1 (zh) |
| EP (1) | EP4244889A1 (zh) |
| KR (1) | KR20230107620A (zh) |
| CN (1) | CN116547803A (zh) |
| TW (1) | TW202234528A (zh) |
| WO (1) | WO2022103749A1 (zh) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4214886A (en) | 1979-04-05 | 1980-07-29 | Corning Glass Works | Forming laminated sheet glass |
| US7514149B2 (en) | 2003-04-04 | 2009-04-07 | Corning Incorporated | High-strength laminated sheet for optical applications |
| CN103237771B (zh) | 2010-11-30 | 2016-10-19 | 康宁股份有限公司 | 在玻璃中形成高密度孔阵列的方法 |
| US9758876B2 (en) | 2012-11-29 | 2017-09-12 | Corning Incorporated | Sacrificial cover layers for laser drilling substrates and methods thereof |
| US9340451B2 (en) * | 2013-02-28 | 2016-05-17 | Corning Incorporated | Machining of fusion-drawn glass laminate structures containing a photomachinable layer |
| US10293436B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-05-21 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
| US20150166393A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Corning Incorporated | Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates |
| WO2020112710A1 (en) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | Corning Incorporated | 3d interposer with through glass vias - method of increasing adhesion between copper and glass surfaces and articles therefrom |
-
2021
- 2021-11-09 CN CN202180077208.1A patent/CN116547803A/zh active Pending
- 2021-11-09 KR KR1020237019389A patent/KR20230107620A/ko active Search and Examination
- 2021-11-09 US US18/035,343 patent/US20230402337A1/en active Pending
- 2021-11-09 EP EP21835449.6A patent/EP4244889A1/en not_active Withdrawn
- 2021-11-09 WO PCT/US2021/058613 patent/WO2022103749A1/en active Application Filing
- 2021-11-12 TW TW110142175A patent/TW202234528A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230402337A1 (en) | 2023-12-14 |
| EP4244889A1 (en) | 2023-09-20 |
| CN116547803A (zh) | 2023-08-04 |
| WO2022103749A1 (en) | 2022-05-19 |
| KR20230107620A (ko) | 2023-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI761355B (zh) | 附接至半導體晶圓之具有貫通孔的無機晶圓 | |
| US10438039B2 (en) | Glass-based substrate with vias and process of forming the same | |
| EP3510002A1 (en) | Articles having holes with morphology attributes and methods for fabricating the same | |
| KR102539132B1 (ko) | 기하학적 속성을 갖춘 비아를 가진 물품 및 이를 제조하는 방법 | |
| CN105451988B (zh) | 制造具有改进的边缘状态的层压玻璃制品的方法 | |
| KR102273664B1 (ko) | 광피삭성 층을 포함한 융합-인발된 유리 적층 구조부의 기계가공 방법 | |
| TW202028146A (zh) | 具有玻璃穿孔之三維中介層-提高銅與玻璃表面間的黏著性之方法及其物件 | |
| TWI659002B (zh) | 用於製造貫穿玻璃之連通件的接合材料回蝕製程 | |
| Ostholt et al. | High speed through glass via manufacturing technology for interposer | |
| TW201944867A (zh) | 用於在通孔形成期間減少基板表面破壞的系統及方法 | |
| TWI461122B (zh) | 電路板及其製造方法 | |
| WO2021108079A1 (en) | Fabricating laminate glass with blind vias | |
| TW202234528A (zh) | 具有貫通玻璃通孔的3d插入件-增加銅與玻璃表面之間黏著的方法以及來自該方法的製品 | |
| US20190157107A1 (en) | Low surface roughness substrate having a via and methods of making the same | |
| JP2010221573A (ja) | 多層基板の製造方法 | |
| CN111757856B (zh) | 具有低的hf蚀刻后粗糙度的不含碱性硼硅酸盐玻璃 | |
| Ding et al. | Through glass vias by wet-etching process in 49% HF Solution using an AZ4620 enhanced Cr/Au mask | |
| KR20190068641A (ko) | 전자 장치들 내에서의 지연된 비아 형성 | |
| US20200185272A1 (en) | Method of forming capped metallized vias | |
| TWI681938B (zh) | 玻璃支架支撐之金屬薄膜的製造方法 | |
| JP2005527858A (ja) | 電気光学システムのレーザー構造化 | |
| TW202312375A (zh) | 具有穿玻璃通孔之玻璃陶瓷基板 | |
| Nukaga et al. | Glass interposer with high-density three-dimensional structured TGV for 3D system integration | |
| TW201936524A (zh) | 處理基板之方法 | |
| Hägglund | Maskmaterial för djupets avborosilikatglas |