TW202202489A

TW202202489A - 羧酸鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法

Info

Publication number: TW202202489A
Application number: TW110115902A
Authority: TW
Inventors: 小室勝洋; 市川幸司
Original assignee: 日商住友化學股份有限公司
Priority date: 2020-05-15
Filing date: 2021-05-03
Publication date: 2022-01-16
Also published as: BE1028240B1; US20210371377A1; US12060316B2; JP2021181431A; BE1028240A1; KR20210141401A

Abstract

本發明的目的在於提供一種可製造具有良好的CD均勻性（CDU）的抗蝕劑圖案的羧酸鹽及包含其的抗蝕劑組成物。一種式（I）所表示的羧酸鹽、淬滅劑及包含其的抗蝕劑組成物。

[式中，R¹ 、R² 及R³ 分別表示鹵素原子、氟化烷基或烴基，該烴基中包含的-CH₂ -可被-O-、-CO-等取代。m1表示0～5的整數，m2表示0～4的整數，m3表示0～3的整數。X¹ 表示單鍵、-CH₂ -、-O-、-S-、-CO-、-SO-或-SO₂ -。]

Description

羧酸鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法

本發明是有關於一種羧酸鹽、包含該羧酸鹽的淬滅劑及抗蝕劑組成物以及使用該抗蝕劑組成物的抗蝕劑圖案的製造方法等。

於專利文獻1中記載有一種含有包含下述結構式的羧酸鹽的抗蝕劑組成物。

於專利文獻2中記載有一種含有包含下述結構式的羧酸鹽的抗蝕劑組成物。

[現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2017-202993號公報 [專利文獻2]日本專利特開2018-066985號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明的課題在於提供一種相較於由含有所述羧酸鹽的抗蝕劑組成物所形成的抗蝕劑圖案，形成CD均勻性（critical dimension uniformity，CDU）更良好的抗蝕劑圖案的鹽。 [解決課題之手段]

本發明包含以下發明。〔1〕一種羧酸鹽，由式（I）所表示。

[式（I）中， R¹ 、R² 及R³ 分別獨立地表示鹵素原子、碳數1～6的氟化烷基或可具有取代基的碳數1～18的烴基，該烴基中包含的-CH₂ -可被-O-、-CO-、-S-或-SO₂ -取代。 m1表示0～5的任一整數，於m1為2以上時，多個R¹ 相互可相同亦可不同。 m2表示0～4的任一整數，於m2為2以上時，多個R² 相互可相同亦可不同。 m3表示0～3的任一整數，於m3為2以上時，多個R³ 相互可相同亦可不同。 X¹ 表示單鍵、-CH₂ -、-O-、-S-、-CO-、-SO-或-SO₂ -。] 〔2〕如〔1〕請求項1所述的羧酸鹽，其中m1表示1～3的任一整數。〔3〕如〔2〕所述的羧酸鹽，其中至少一個R¹ 的鍵結位置相對於S⁺ 的鍵結位置而鍵結於對位。〔4〕如〔2〕或〔3〕所述的羧酸鹽，其中R¹ 為碘原子、可具有氟原子的碳數1～3的烷基（該烷基中包含的-CH₂ -可被-O-或-CO-取代）或者分支狀的碳數3或4的烷基的任一者。〔5〕如〔2〕或〔3〕所述的羧酸鹽，其中至少一個R¹ 為碳數1～3的烷基，該烷基中包含的一個-CH₂ -被取代為-O-， -O-鍵結於苯環。〔6〕如〔5〕所述的羧酸鹽，其中該烷基進而具有氟原子。〔7〕如〔2〕至〔6〕中任一項所述的羧酸鹽，其中至少一個R¹ 為碳數3或4的分支狀的烷基。〔8〕如〔2〕至〔7〕中任一項所述的羧酸鹽，其中 m1為2或3，進而至少一個R¹ 為碘原子或甲基。〔9〕一種淬滅劑，包含如〔1〕至〔8〕中任一項所述的羧酸鹽。〔10〕一種抗蝕劑組成物，含有如〔9〕所述的淬滅劑、包含具有酸不穩定基的結構單元的樹脂、及酸產生劑。〔11〕如〔10〕所述的抗蝕劑組成物，其中包含具有酸不穩定基的結構單元的樹脂包含選自由式（a1-1）所表示的結構單元及式（a1-2）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種。

[式（a1-1）及式（a1-2）中， L^a1 及L^a2 分別獨立地表示-O-或*-O-(CH₂ )_k1 -CO-O-，k1表示1～7的任一整數，*表示與-CO-的鍵結部位。 R^a4 及R^a5 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基。 R^a6 及R^a7 分別獨立地表示碳數1～8的烷基、碳數2～8的烯基、碳數3～18的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或將該些組合而成的基。 m1表示0～14的任一整數。 n1表示0～10的任一整數。 n1'表示0～3的任一整數。] 〔12〕如〔10〕或〔11〕所述的抗蝕劑組成物，其中包含具有酸不穩定基的結構單元的樹脂進而包含式（a2-A）所表示的結構單元。

[式（a2-A）中， R^a50 表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基。 R^a51 表示鹵素原子、羥基、碳數1～6的烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數2～12的烷氧基烷基、碳數2～12的烷氧基烷氧基、碳數2～4的烷基羰基、碳數2～4的烷基羰氧基、丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基。 A^a50 表示單鍵或*-X^a51 -(A^a52 -X^a52 )_nb -，*表示與-R^a50 所鍵結的碳原子的鍵結部位。 A^a52 表示碳數1～6的烷二基。 X^a51 及X^a52 分別獨立地表示-O-、-CO-O-或-O-CO-。 nb表示0或1。 mb表示0～4的任一整數。於mb為2以上的任一整數的情況下，多個R^a51 相互可相同亦可不同。] 〔13〕如〔10〕至〔12〕中任一項所述的抗蝕劑組成物，其中酸產生劑包含式（B1）所表示的鹽。

[式（B1）中， Q^b1 及Q^b2 分別獨立地表示氟原子或碳數1～6的全氟烷基。 L^b1 表示碳數1～24的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-，該二價飽和烴基中包含的氫原子可被氟原子或羥基取代。 Y表示可具有取代基的甲基或可具有取代基的碳數3～24的脂環式烴基，該脂環式烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-SO₂ -或-CO-。 Z⁺ 表示有機陽離子。] 〔14〕如〔10〕至〔13〕中任一項所述的抗蝕劑組成物，進而含有產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽。〔15〕一種抗蝕劑圖案的製造方法，包括：（1）將如〔10〕至〔14〕中任一項所述的抗蝕劑組成物塗佈於基板上的步驟；（2）使塗佈後的組成物乾燥而形成組成物層的步驟；（3）對組成物層進行曝光的步驟；（4）將曝光後的組成物層加熱的步驟；以及（5）將加熱後的組成物層顯影的步驟。 [發明的效果]

藉由使用含有本發明的鹽的抗蝕劑組成物，可以良好的CD均勻性（CDU）製造抗蝕劑圖案。

本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸系單體」，是指選自由具有「CH₂ =CH-CO-」的結構的單體及具有「CH₂ =C(CH₃ )-CO-」的結構的單體所組成的群組中的至少一種。同樣地，所謂「(甲基)丙烯酸酯」及「(甲基)丙烯酸」，分別是指「選自由丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯所組成的群組中的至少一種」及「選自由丙烯酸及甲基丙烯酸所組成的群組中的至少一種」。就本說明書中記載的基而言，關於可成為直鏈結構與分支結構的兩者的基，可為其任一者。於烴基等中包含的-CH₂ -被-O-、-S-、-CO-或-SO₂ -取代的情況下，設為於各基中適用相同的例子。所謂「組合而成的基」，是指使例示的基鍵結兩種以上而成的基，該些基的價數可根據鍵結形態而適宜變更。「源自」或「衍生」是指其分子中包含的聚合性C=C鍵藉由聚合而成為-C-C-基。於存在立體異構物的情況下，包含全部的立體異構物。本說明書中，所謂「抗蝕劑組成物的固體成分」是指自抗蝕劑組成物的總量中去除後述的溶劑（E）的成分的合計。

〔式（I）所表示的羧酸鹽〕本發明是有關於一種式（I）所表示的羧酸鹽（以下有時稱為「羧酸鹽（I）」）。

[式中，所有符號分別表示與所述相同的含義。]

式（I）中，作為R¹ 、R² 及R³ 中的鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。作為R¹ 、R² 及R³ 中的碳數1～6的氟化烷基，可列舉：三氟甲基、二氟甲基、全氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、全氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、全氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5-九氟戊基、全氟己基等氟化烷基。氟化烷基的碳數較佳為1～4，更佳為1～3。作為R¹ 、R² 及R³ 中的碳數1～18的烴基，可列舉：烷基等鏈式烴基、脂環式烴基、芳香族烴基及將該些組合而成的基等。作為烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基、壬基等烷基。烷基的碳數較佳為1～12，更佳為1～9，進而佳為1～6，進一步更佳為1～4。脂環式烴基可為單環式、多環式及螺環的任一種，亦可為飽和及不飽和的任一種。作為脂環式烴基，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環辛基、環壬基、環癸基、環十二烷基等單環式環烷基、降冰片基、金剛烷基等多環式環烷基。脂環式烴基的碳數較佳為3～18，更佳為3～16，進而佳為3～12，進而更佳為3～10。作為芳香族烴基，可列舉：苯基、萘基、聯苯基、蒽基、菲基等芳基等。芳香族烴基的碳數較佳為6～14，更佳為6～10。作為組合而成的基，可列舉：將所述烷基與脂環式烴基組合而成的基（環烷基烷基等）、芳烷基（苄基等）、具有烷基的芳香族烴基（對甲基苯基、對第三丁基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等）、具有脂環式烴基的芳香族烴基（對環己基苯基、對金剛烷基苯基等）、芳基-環烷基（苯基環己基等）等。於R¹ 、R² 及R³ 中的烴基中包含的-CH₂ -被取代為-O-、-CO-、-S-或-SO₂ -的情況下，將取代之前的碳數設為該烴基的總碳數。作為烷基中包含的-CH₂ -被取代為-O-、-CO-、-S-或-SO₂ -的基，可列舉：羥基（甲基中包含的-CH₂ -被取代為-O-的基）、羧基（乙基中包含的-CH₂ -CH₂ -被取代為-O-CO-的基）、硫醇基（甲基中包含的-CH₂ -被取代為-S-的基）、烷氧基（烷基中包含的任意位置的-CH₂ -被取代為-O-的基）、烷硫基（烷基中包含的任意位置的-CH₂ -被取代為-S-的基）、烷基磺醯基（烷基中包含的任意位置的-CH₂ -被取代為-SO₂ -的基）、烷氧基羰基（烷基中包含的任意位置的-CH₂ -CH₂ -被取代為-O-CO-的基）、烷基羰基（烷基中包含的任意位置的-CH₂ -被取代為-CO-的基）、烷基羰氧基（烷基中包含的任意位置的-CH₂ -CH₂ -被取代為-CO-O-的基）、將該些基中的兩種以上組合而成的基等。作為烷氧基，例如可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基及十二烷氧基等。烷氧基的碳數較佳為1～12，更佳為1～9，進而佳為1～6，進一步更佳為1～4，進一步進而佳為1～3。作為烷硫基，例如可列舉：甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基等。烷硫基的碳數較佳為1～12，更佳為1～6，進而佳為1～4。作為烷基磺醯基，例如可列舉：甲基磺醯基、乙基磺醯基、丙基磺醯基等。烷基磺醯基的碳數較佳為1～12，更佳為1～6，進而佳為1～4。作為烷氧基羰基，例如可列舉：甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基及丁氧基羰基等。烷氧基羰基的碳數較佳為2～13，更佳為2～10，進而佳為2～7，進而更佳為2～5。作為烷基羰基，例如可列舉：乙醯基、丙醯基及丁醯基等。烷基羰基的碳數較佳為2～13，更佳為2～10，進而佳為2～7，進而更佳為2～5。作為烷基羰氧基，例如可列舉：甲基羰氧基、乙基羰氧基、丙基羰氧基及丁基羰氧基等。烷基羰氧基的碳數較佳為2～13，更佳為2～10，進而佳為2～7，進而更佳為2～5。作為脂環式烴基中包含的-CH₂ -被取代為-O-、-CO-、-S-或-SO₂ -的基，可列舉以下的基。以下所列舉的基的-O-可被取代為-S-。另外，以下所列舉的基的-CO-的位置可被取代為-SO₂ -。

作為R¹ 、R² 及R³ 中的烴基可具有的取代基，可列舉：鹵素原子、氰基、羥基、碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～13的烷氧基羰基、碳數2～13的烷基羰基、碳數2～13的烷基羰氧基、碳數3～12的脂環式烴基、碳數6～10的芳香族烴基或將該些組合而成的基等。鹵素原子、烷基、烷氧基、烷氧基羰基、烷基羰基、烷基羰氧基、脂環式烴基、芳香族烴基及將該些組合而成的基可列舉與所述相同的基。 R¹ 、R² 及R³ 所表示的碳數1～18的烴基可具有一個取代基或多個取代基。 m1較佳為0～3及5的任一整數，更佳為0或1～3。 m2及m3較佳為分別獨立地為0～2的任一整數，更佳為0或1。 R¹ 、R² 及R³ 較佳為分別獨立地為氟原子、碘原子、碳數1～4的氟化烷基、可具有取代基的碳數1～6的烷基或可具有取代基的碳數3～10的脂環式烴基（該烷基及該脂環式烴基中包含的-CH₂ -可被-O-、-CO-、-S-或-SO₂ -取代），更佳為氟原子、碘原子、三氟甲基、可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基以及可具有鹵素原子或羥基的碳數3～10的脂環式烴基（該烷基及該脂環式烴基中包含的-CH₂ -可被-O-或-CO-取代），進而佳為氟原子、碘原子、三氟甲基、可具有氟原子的碳數1～4的烷基（該烷基中包含的-CH₂ -可被-O-或-CO-取代）或者分支狀的碳數3或4的烷基，進一步更佳為碘原子、可具有氟原子的碳數1～3的烷基（該烷基中包含的-CH₂ -可被-O-或-CO-取代）或者分支狀的碳數3或4的烷基。於m1為1～3的任一整數的情況下，至少一個R¹ 的鍵結位置相對於S⁺ 的鍵結位置，可為鄰位、間位、對位的任一個。其中，較佳為相對於S⁺ 的鍵結位置而鍵結於對位或間位，更佳為鍵結於對位。 R¹ 為碳數1～4的烷基，該烷基中包含的-CH₂ -之一被取代為-O-的情況下，較佳為-O-鍵結於苯環，更佳為相對於S⁺ 的鍵結位置而鍵結於對位。烷基進一步佳為進而具有氟原子。於m1為2或3的情況下，至少一個R¹ 較佳為相對於S⁺ 的鍵結位置而鍵結於鄰位或間位的碘原子或甲基。

羧酸鹽（I）可列舉下述式所表示的鹽。

＜羧酸鹽（I）的製造方法＞羧酸鹽（I）可藉由使式（I-a）所表示的鹽於鹼觸媒下且於溶媒中反應，進行草酸水溶液處理而獲得。另外，亦可藉由使式（I-a）所表示的鹽於鹼觸媒下且於溶媒中反應後，使其通過離子交換樹脂（氯離子取代樹脂），進行鹼水溶液處理，繼而進行草酸水溶液處理而獲得。

（式中，所有符號分別表示與所述相同的含義。）作為鹼，可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、三乙胺等。作為溶媒，可列舉氯仿、離子交換水等。反應通常於0℃～80℃的溫度範圍內進行0.5小時～24小時。

式（I-a）所表示的鹽可藉由使式（I-b）所表示的化合物與式（I-c）所表示的化合物於三氟甲磺酸、及三氟乙酸酐的存在下且於溶媒中反應而獲得。

（式中，所有符號分別表示與所述相同的含義。）作為溶媒，可列舉氯仿、乙腈等。反應通常於0℃～60℃的溫度範圍內進行0.5小時～24小時。作為式（I-c）所表示的化合物，可列舉下述式所表示的化合物等，可容易地自市場獲取。

式（I-b）所表示的化合物可藉由使式（I-d）所表示的化合物於過氧化氫的存在下且於溶媒中反應而獲得。

（式中，所有符號分別表示與所述相同的含義。）作為溶媒，可列舉三氟乙酸等。反應通常於0℃～60℃的溫度範圍內進行0.5小時～24小時。作為式（I-d）所表示的化合物，可列舉下述式所表示的化合物等，可容易地自市場獲取，另外亦可藉由公知的製法來容易地製造。

〔淬滅劑〕本發明的淬滅劑含有羧酸鹽（I）。於將羧酸鹽（I）用作淬滅劑的情況下，淬滅劑可含有僅一種或兩種以上的羧酸鹽（I）。另外，本發明的淬滅劑如後述般，可進而含有抗蝕劑領域中公知的淬滅劑（以下有時稱為「淬滅劑（C）」）。

〔抗蝕劑組成物〕抗蝕劑組成物含有：含有本發明的羧酸鹽（I）的淬滅劑、酸產生劑（以下有時稱為「酸產生劑（B）」）、以及包含具有酸不穩定基的結構單元的樹脂（以下有時稱為「樹脂（A）」）。此處的「酸不穩定基」是指具有脫離基，且藉由與酸的接觸而脫離基脫離，形成親水性基（例如，羥基或羧基）的基。抗蝕劑組成物較佳為進而含有溶劑（以下有時稱為「溶劑（E）」）。於本發明的抗蝕劑組成物中，相對於抗蝕劑組成物的固體成分，羧酸鹽（I）的含有率較佳為0.001質量%以上且35質量%以下，更佳為0.005質量%以上且30質量%以下，進而佳為0.01質量%以上且25質量%以下。於含有羧酸鹽（I）及淬滅劑（C）作為淬滅劑的情況下，羧酸鹽（I）與淬滅劑（C）的含量的比（質量比；羧酸鹽（I）：淬滅劑（C））通常為1：99～99：1，較佳為2：98～98：2，更佳為5：95～95：5，進而佳為10：90～90：10，特佳為15：85～85：15。

＜酸產生劑（B）＞酸產生劑（B）可使用非離子系或離子系的任一者。作為非離子系酸產生劑，可列舉：磺酸酯類（例如2-硝基苄基酯、芳香族磺酸酯、肟磺酸酯、N-磺醯氧基醯亞胺、磺醯氧基酮、重氮萘醌4-磺酸酯）、碸類（例如二碸、酮碸、磺醯基重氮甲烷）等。作為離子系酸產生劑，代表性者為包含鎓陽離子的鎓鹽（例如重氮鎓鹽、鏻鹽、鋶鹽、錪鹽）。作為鎓鹽的陰離子，可列舉磺酸根陰離子、磺醯基醯亞胺陰離子、磺醯基甲基化物陰離子等。

作為酸產生劑（B），可使用日本專利特開昭63-26653號、日本專利特開昭55-164824號、日本專利特開昭62-69263號、日本專利特開昭63-146038號、日本專利特開昭63-163452號、日本專利特開昭62-153853號、日本專利特開昭63-146029號、美國專利第3,779,778號、美國專利第3,849,137號、德國專利第3914407號、歐洲專利第126,712號等中記載的藉由放射線而產生酸的化合物。另外，亦可使用藉由公知的方法而製造的化合物。酸產生劑（B）可組合使用兩種以上。

酸產生劑（B）較佳為含氟酸產生劑，更佳為式（B1）所表示的鹽（以下有時稱為「酸產生劑（B1）」）。

[式（B1）中， Q^b1 及Q^b2 分別獨立地表示氟原子或碳數1～6的全氟烷基。 L^b1 表示碳數1～24的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-，該二價飽和烴基中包含的氫原子可被氟原子或羥基取代。 Y表示可具有取代基的甲基或可具有取代基的碳數3～24的脂環式烴基，該脂環式烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-SO₂ -或-CO-。 Z1⁺ 表示有機陽離子。]

作為Q^b1 及Q^b2 表示的全氟烷基，可列舉：三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基及全氟己基等。 Q^b1 及Q^b2 較佳為分別獨立地為氟原子或三氟甲基，更佳為均為氟原子。

作為L^b1 中的二價飽和烴基，可列舉：直鏈狀烷二基、分支狀烷二基、單環式或多環式的二價脂環式飽和烴基，亦可為藉由將該些基中的兩種以上組合而形成的基。具體而言，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基、十三烷-1,13-二基、十四烷-1,14-二基、十五烷-1,15-二基、十六烷-1,16-二基及十七烷-1,17-二基等直鏈狀烷二基；乙烷-1,1-二基、丙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丙烷-2,2-二基、戊烷-2,4-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支狀烷二基；環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等為環烷二基的單環式的二價脂環式飽和烴基；降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基、金剛烷-2,6-二基等多環式的二價脂環式飽和烴基等。

作為L^b1 所表示的二價飽和烴基中包含的-CH₂ -被-O-或-CO-取代的基，例如可列舉式（b1-1）～式（b1-3）的任一者所表示的基。再者，式（b1-1）～式（b1-3）所表示的基及作為該些的具體例的式（b1-4）～式（b1-11）所表示的基中，*及**表示鍵結位，*表示與-Y的鍵結位。

[式（b1-1）中， L^b2 表示單鍵或碳數1～22的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L^b3 表示單鍵或碳數1～22的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基，該飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。其中，L^b2 與L^b3 的碳數合計為22以下。式（b1-2）中， L^b4 表示單鍵或碳數1～22的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L^b5 表示單鍵或碳數1～22的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基，該飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。其中，L^b4 與L^b5 的碳數合計為22以下。式（b1-3）中， L^b6 表示單鍵或碳數1～23的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。 L^b7 表示單鍵或碳數1～23的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基，該飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。其中，L^b6 與L^b7 的碳數合計為23以下。]

關於式（b1-1）～式（b1-3）所表示的基，於飽和烴基中包含的-CH₂ -被取代為-O-或-CO-的情況下，將取代之前的碳數設為該飽和烴基的碳數。作為二價飽和烴基，可列舉與L^b1 的二價飽和烴基相同者。

L^b2 較佳為單鍵。 L^b3 較佳為碳數1～4的二價飽和烴基。 L^b4 較佳為碳數1～8的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L^b5 較佳為單鍵或碳數1～8的二價飽和烴基。 L^b6 較佳為單鍵或碳數1～4的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L^b7 較佳為單鍵或碳數1～18的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基，該二價飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。

作為L^b1 所表示的二價飽和烴基中包含的-CH₂ -被-O-或-CO-取代的基，較佳為式（b1-1）或式（b1-3）所表示的基。

作為式（b1-1）所表示的基，可列舉式（b1-4）～式（b1-8）分別所表示的基。

[式（b1-4）中， L^b8 表示單鍵或碳數1～22的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。式（b1-5）中， L^b9 表示碳數1～20的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。 L^b10 表示單鍵或碳數1～19的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。其中，L^b9 及L^b10 的合計碳數為20以下。式（b1-6）中， L^b11 表示碳數1～21的二價飽和烴基。 L^b12 表示單鍵或碳數1～20的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。其中，L^b11 及L^b12 的合計碳數為21以下。式（b1-7）中， L^b13 表示碳數1～19的二價飽和烴基。 L^b14 表示單鍵或碳數1～18的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。 L^b15 表示單鍵或碳數1～18的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。其中，L^b13 ～L^b15 的合計碳數為19以下。式（b1-8）中， L^b16 表示碳數1～18的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。 L^b17 表示碳數1～18的二價飽和烴基。 L^b18 表示單鍵或碳數1～17的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。其中，L^b16 ～L^b18 的合計碳數為19以下。]

L^b8 較佳為碳數1～4的二價飽和烴基。 L^b9 較佳為碳數1～8的二價飽和烴基。 L^b10 較佳為單鍵或碳數1～19的二價飽和烴基，更佳為單鍵或碳數1～8的二價飽和烴基。 L^b11 較佳為碳數1～8的二價飽和烴基。 L^b12 較佳為單鍵或碳數1～8的二價飽和烴基。 L^b13 較佳為碳數1～12的二價飽和烴基。 L^b14 較佳為單鍵或碳數1～6的二價飽和烴基。 L^b15 較佳為單鍵或碳數1～18的二價飽和烴基，更佳為單鍵或碳數1～8的二價飽和烴基。 L^b16 較佳為碳數1～12的二價飽和烴基。 L^b17 較佳為碳數1～6的二價飽和烴基。 L^b18 較佳為單鍵或碳數1～17的二價飽和烴基，更佳為單鍵或碳數1～4的二價飽和烴基。

作為式（b1-3）所表示的基，可列舉式（b1-9）～式（b1-11）分別所表示的基。

[式（b1-9）中， L^b19 表示單鍵或碳數1～23的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L^b20 表示單鍵或碳數1～23的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子、羥基或烷基羰氧基。該烷基羰氧基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-，該烷基羰氧基中包含的氫原子可被取代為羥基。其中，L^b19 及L^b20 的合計碳數為23以下。式（b1-10）中， L^b21 表示單鍵或碳數1～21的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L^b22 表示單鍵或碳數1～21的二價飽和烴基。 L^b23 表示單鍵或碳數1～21的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子、羥基或烷基羰氧基。該烷基羰氧基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-，該烷基羰氧基中包含的氫原子可被取代為羥基。其中，L^b21 、L^b22 及L^b23 的合計碳數為21以下。式（b1-11）中， L^b24 表示單鍵或碳數1～20的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L^b25 表示碳數1～21的二價飽和烴基。 L^b26 表示單鍵或碳數1～20的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子、羥基或烷基羰氧基。該烷基羰氧基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-，該烷基羰氧基中包含的氫原子可被取代為羥基。其中，L^b24 、L^b25 及L^b26 的合計碳數為21以下。]

再者，關於式（b1-9）所表示的基至式（b1-11）所表示的基，於飽和烴基中包含的氫原子被取代為烷基羰氧基的情況下，將取代之前的碳數設為該飽和烴基的碳數。

作為烷基羰氧基，可列舉：乙醯基氧基、丙醯基氧基、丁醯基氧基、環己基羰氧基、金剛烷基羰氧基等。

作為式（b1-4）所表示的基，可列舉以下者。

作為式（b1-5）所表示的基，可列舉以下者。

作為式（b1-6）所表示的基，可列舉以下者。

作為式（b1-7）所表示的基，可列舉以下者。

作為式（b1-8）所表示的基，可列舉以下者。

作為式（b1-2）所表示的基，可列舉以下者。

作為式（b1-9）所表示的基，可列舉以下者。

作為式（b1-10）所表示的基，可列舉以下者。

作為式（b1-11）所表示的基，可列舉以下者。

作為Y所表示的脂環式烴基，可列舉式（Y1）～式（Y11）、式（Y36）～式（Y38）所表示的基。於Y所表示的脂環式烴基中包含的-CH₂ -被-O-、-SO₂ -或-CO-取代的情況下，其個數可為一個，亦可為兩個以上。作為此種基，可列舉式（Y12）～式（Y35）、式（Y39）～式（Y43）所表示的基。

作為Y所表示的脂環式烴基，較佳為式（Y1）～式（Y20）、式（Y26）、式（Y27）、式（Y30）、式（Y31）、式（Y39）～式（Y43）的任一者所表示的基，更佳為式（Y11）、式（Y15）、式（Y16）、式（Y20）、式（Y26）、式（Y27）、式（Y30）、式（Y31）、式（Y39）、式（Y40）、式（Y42）或式（Y43）所表示的基，進而佳為式（Y11）、式（Y15）、式（Y20）、式（Y26）、式（Y27）、式（Y30）、式（Y31）、式（Y39）、式（Y40）、式（Y42）或式（Y43）所表示的基。於Y所表示的脂環式烴基為式（Y28）～式（Y35）、式（Y39）～式（Y40）、式（Y42）或式（Y43）等包含氧原子的螺環的情況下，兩個氧原子間的烷二基較佳為具有一個以上的氟原子。另外，縮酮結構中包含的烷二基中與氧原子鄰接的亞甲基中，較佳為未取代有氟原子。

作為Y所表示的甲基的取代基，可列舉：鹵素原子、羥基、碳數3～16的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基、縮水甘油氧基、-(CH₂ )_ja -CO-O-R^b1 基或-(CH₂ )_ja -O-CO-R^b1 基（式中，R^b1 表示碳數1～16的烷基、碳數3～16的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或將該些組合而成的基，該烷基及該脂環式烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-SO₂ -或-CO-，該烷基、該脂環式烴基及該芳香族烴基中包含的氫原子可被取代為羥基或氟原子。ja表示0～4的任一整數。）等。作為Y所表示的脂環式烴基的取代基，可列舉：鹵素原子、羥基、可被羥基取代的碳數1～16的烷基（該烷基中包含的-CH₂ -可被-O-或-CO-取代）、碳數3～16的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基、碳數7～21的芳烷基、縮水甘油氧基、-(CH₂ )_ja -CO-O-R^b1 基或-(CH₂ )_ja -O-CO-R^b1 基（式中，R^b1 表示碳數1～16的烷基、碳數3～16的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或將該些組合而成的基，該烷基及該脂環式烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-SO₂ -或-CO-，該烷基、該脂環式烴基及該芳香族烴基中包含的氫原子可被取代為羥基或氟原子。ja表示0～4的任一整數。）等。

作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。作為脂環式烴基，例如可列舉：環戊基、環己基、甲基環己基、二甲基環己基、環庚基、環辛基、降冰片基、金剛烷基等。脂環式烴基可具有鏈式烴基，可列舉甲基環己基、二甲基環己基等。脂環式烴基的碳數較佳為3～12，更佳為3～10。作為芳香族烴基，例如可列舉：苯基、萘基、蒽基、聯苯基、菲基等芳基等。芳香族烴基可具有鏈式烴基或脂環式烴基，可列舉：具有碳數1～18的鏈式烴基的芳香族烴基（甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、對甲基苯基、對乙基苯基、對第三丁基苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等）、及具有碳數3～18的脂環式烴基的芳香族烴基（對環己基苯基、對金剛烷基苯基等）等。芳香族烴基的碳數較佳為6～14，更佳為6～10。作為烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。烷基的碳數較佳為1～12，更佳為1～6，進而佳為1～4。作為被羥基取代的烷基，可列舉羥基甲基、羥基乙基等羥基烷基。作為芳烷基，可列舉：苄基、苯乙基、苯基丙基、萘基甲基及萘基乙基等。作為烷基中包含的-CH₂ -被-O-、-SO₂ -或-CO-等取代的基，可列舉：烷氧基、烷氧基羰基、烷基羰基、烷基羰氧基或將該些組合而成的基等。作為烷氧基，可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、癸氧基及十二烷氧基等。烷氧基的碳數較佳為1～12，更佳為1～6，進而佳為1～4。作為烷氧基羰基，例如可列舉：甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等。烷氧基羰基的碳數較佳為2～12，更佳為2～6，進而佳為2～4。作為烷基羰基，例如可列舉：乙醯基、丙醯基及丁醯基等。烷基羰基的碳數較佳為2～12，更佳為2～6，進而佳為2～4。作為烷基羰氧基，例如可列舉：乙醯基氧基、丙醯基氧基、丁醯基氧基等。烷基羰氧基的碳數較佳為2～12，更佳為2～6，進而佳為2～4。作為組合而成的基，例如可列舉：將烷氧基與烷基組合而成的基、將烷氧基與烷氧基組合而成的基、將烷氧基與烷基羰基組合而成的基、將烷氧基與烷基羰氧基組合而成的基等。作為將烷氧基與烷基組合而成的基，例如可列舉：甲氧基甲基、甲氧基乙基、乙氧基乙基、乙氧基甲基等烷氧基烷基等。烷氧基烷基的碳數較佳為2～12，更佳為2～6，進而佳為2～4。作為將烷氧基與烷氧基組合而成的基，可列舉：甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基甲氧基、乙氧基乙氧基等烷氧基烷氧基等。烷氧基烷氧基的碳數較佳為2～12，更佳為2～6，進而佳為2～4。作為將烷氧基與烷基羰基組合而成的基，可列舉：甲氧基乙醯基、甲氧基丙醯基、乙氧基乙醯基、乙氧基丙醯基等烷氧基烷基羰基等。烷氧基烷基羰基的碳數較佳為3～13，更佳為3～7，進而佳為3～5。作為將烷氧基與烷基羰氧基組合而成的基，可列舉：甲氧基乙醯基氧基、甲氧基丙醯基氧基、乙氧基乙醯基氧基、乙氧基丙醯基氧基等烷氧基烷基羰氧基等。烷氧基烷基羰氧基的碳數較佳為3～13，更佳為3～7，進而佳為3～5。作為脂環式烴基中包含的-CH₂ -被-O-、-SO₂ -或-CO-等取代的基，可列舉式（Y12）～式（Y35）、式（Y39）～式（Y43）所表示的基等。

作為Y，可列舉以下者。

Y較佳為可具有取代基的碳數3～24的脂環式烴基，更佳為可具有取代基的碳數3～20的脂環式烴基，進而佳為可具有取代基的碳數3～18的脂環式烴基，進而更佳為可具有取代基的金剛烷基，構成該脂環式烴基或金剛烷基的-CH₂ -可被取代為-CO-、-SO₂ -或-CO-。Y具體而言較佳為金剛烷基、羥基金剛烷基、氧代金剛烷基或式（Y42）、式（Y100）～式（Y114）所表示的基。

作為式（B1）所表示的鹽中的陰離子，較佳為式（B1-A-1）～式（B1-A-59）所表示的陰離子〔以下，有時對應於式編號而稱為「陰離子（B1-A-1）」等〕，更佳為式（B1-A-1）～式（B1-A-4）、式（B1-A-9）、式（B1-A-10）、式（B1-A-24）～式（B1-A-33）、式（B1-A-36）～式（B1-A-40）、式（B1-A-47）～式（B1-A-59）的任一者所表示的陰離子。

此處Rⁱ² ～Rⁱ⁷ 相互獨立地例如為碳數1～4的烷基，較佳為甲基或乙基。Rⁱ⁸ 例如為碳數1～12的脂肪族烴基，較佳為碳數1～4的烷基、碳數5～12的脂環式烴基或藉由將該些組合而形成的基，更佳為甲基、乙基、環己基或金剛烷基。L^A41 為單鍵或碳數1～4的烷二基。 Q^b1 及Q^b2 表示與所述相同的含義。作為式（B1）所表示的鹽中的陰離子，具體而言可列舉日本專利特開2010-204646號公報中所記載的陰離子。

作為較佳的式（B1）所表示的鹽中的陰離子，可列舉式（B1a-1）～式（B1a-38）分別所表示的陰離子。

其中，較佳為式（B1a-1）～式（B1a-3）、式（B1a-7）～式（B1a-16）、式（B1a-18）、式（B1a-19）、式（B1a-22）～式（B1a-38）的任一者所表示的陰離子。

作為Z1⁺ 的有機陽離子，可列舉：有機鎓陽離子、有機鋶陽離子、有機錪陽離子、有機銨陽離子、苯並噻唑鎓陽離子及有機鏻陽離子等。該些中，較佳為有機鋶陽離子及有機錪陽離子，更佳為芳基鋶陽離子。具體而言，可列舉式（b2-1）～式（b2-4）的任一者所表示的陽離子（以下，有時對應於式編號而稱為「陽離子（b2-1）」等）。

式（b2-1）～式（b2-4）中， R^b4 ～R^b6 分別獨立地表示碳數1～30的鏈式烴基、碳數3～36的脂環式烴基或碳數6～36的芳香族烴基，該鏈式烴基中包含的氫原子可被羥基、碳數1～12的烷氧基、碳數3～12的脂環式烴基或碳數6～18的芳香族烴基取代，該脂環式烴基中包含的氫原子可被鹵素原子、碳數1～18的脂肪族烴基、碳數2～4的烷基羰基或縮水甘油氧基取代，該芳香族烴基中包含的氫原子可被鹵素原子、羥基、碳數1～18的脂肪族烴基、碳數1～12的氟化烷基或碳數1～12的烷氧基取代。 R^b4 與R^b5 可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環，該環中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-S-或-CO-。 R^b7 及R^b8 分別獨立地表示鹵素原子、羥基、碳數1～12的脂肪族烴基或碳數1～12的烷氧基。 m2及n2分別獨立地表示0～5的任一整數。於m2為2以上時，多個R^b7 可相同亦可不同，於n2為2以上時，多個R^b8 可相同亦可不同。 R^b9 及R^b10 分別獨立地表示碳數1～36的鏈式烴基或碳數3～36的脂環式烴基。 R^b9 與R^b10 可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環，該環中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-S-或-CO-。 R^b11 表示氫原子、碳數1～36的鏈式烴基、碳數3～36的脂環式烴基或碳數6～18的芳香族烴基。 R^b12 表示碳數1～12的鏈式烴基、碳數3～18的脂環式烴基或碳數6～18的芳香族烴基，該鏈式烴基中包含的氫原子可被碳數6～18的芳香族烴基取代，該芳香族烴基中包含的氫原子可被碳數1～12的烷氧基或碳數1～12的烷基羰氧基取代。 R^b11 與R^b12 可相互鍵結並包含該些所鍵結的-CH-CO-而形成環，該環中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-S-或-CO-。 R^b13 ～R^b18 分別獨立地表示鹵素原子、羥基、碳數1～12的脂肪族烴基或碳數1～12的烷氧基。 L^b31 表示硫原子或氧原子。 o2、p2、s2、及t2分別獨立地表示0～5的任一整數。 q2及r2分別獨立地表示0～4的任一整數。 u2表示0或1。於o2為2以上時，多個R^b13 相同或不同，於p2為2以上時，多個R^b14 相同或不同，於q2為2以上時，多個R^b15 相同或不同，於r2為2以上時，多個R^b16 相同或不同，於s2為2以上時，多個R^b17 相同或不同，於t2為2以上時，多個R^b18 相同或不同。所謂脂肪族烴基，表示鏈式烴基及脂環式烴基。作為鏈式烴基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基及2-乙基己基等的烷基。特別是R^b9 ～R^b12 的鏈式烴基較佳為碳數1～12。作為脂環式烴基，可為單環式或多環式的任一種，作為單環式的脂環式烴基，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基等環烷基。作為多環式的脂環式烴基，可列舉：十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基等。

特別是R^b9 ～R^b12 的脂環式烴基較佳為碳數3～18，更佳為碳數4～12。作為氫原子被脂肪族烴基取代的脂環式烴基，可列舉：甲基環己基、二甲基環己基、2-甲基金剛烷-2-基、2-乙基金剛烷-2-基、2-異丙基金剛烷-2-基、甲基降冰片基、異冰片基等。關於氫原子被脂肪族烴基取代的脂環式烴基，脂環式烴基與脂肪族烴基的合計碳數較佳為20以下。所謂氟化烷基，表示具有氟原子的碳數1～12的烷基，可列舉：氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、全氟丁基等。氟化烷基的碳數較佳為1～9，更佳為1～6，進而佳為1～4。作為芳香族烴基，可列舉：苯基、聯苯基、萘基、菲基等芳基。芳香族烴基可具有鏈式烴基或脂環式烴基，可列舉：具有碳數1～18的鏈式烴基的芳香族烴基（甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、對乙基苯基、對第三丁基苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等）、及具有碳數3～18的脂環式烴基的芳香族烴基（對環己基苯基、對金剛烷基苯基等）等。再者，於芳香族烴基具有鏈式烴基或脂環式烴基的情況下，較佳為碳數1～18的鏈式烴基及碳數3～18的脂環式烴基。作為氫原子被烷氧基取代的芳香族烴基，可列舉對甲氧基苯基等。作為氫原子被芳香族烴基取代的鏈式烴基，可列舉：苄基、苯乙基、苯基丙基、三苯甲基（trityl）、萘基甲基、萘基乙基等芳烷基。作為烷氧基，可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、癸氧基及十二烷氧基等。作為烷基羰基，可列舉：乙醯基、丙醯基及丁醯基等。作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。作為烷基羰氧基，可列舉：甲基羰氧基、乙基羰氧基、丙基羰氧基、異丙基羰氧基、丁基羰氧基、第二丁基羰氧基、第三丁基羰氧基、戊基羰氧基、己基羰氧基、辛基羰氧基及2-乙基己基羰氧基等。 R^b4 與R^b5 相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成的環可為單環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及不飽和的任一種環。該環可列舉碳數3～18的環，較佳為碳數4～18的環。另外，包含硫原子的環可列舉3員環～12員環，較佳為3員環～7員環，例如可列舉下述環。*表示鍵結位。

R^b9 與R^b10 一起形成的環可為單環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及不飽和的任一種環。該環可列舉3員環～12員環，較佳為3員環～7員環。例如可列舉：硫雜環戊烷-1-環（四氫噻吩環）、硫雜環己烷-1-環、1,4-氧代硫雜環己烷-4-環等。 R^b11 與R^b12 一起形成的環可為單環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及不飽和的任一種環。該環可列舉3員環～12員環，較佳為3員環～7員環。可列舉：氧代環庚烷環、氧代環己烷環、氧代降冰片烷環、氧代金剛烷環等。

陽離子（b2-1）～陽離子（b2-4）中，較佳為陽離子（b2-1）。作為陽離子（b2-1），可列舉以下的陽離子。

作為陽離子（b2-2），可列舉以下的陽離子。

作為陽離子（b2-3），可列舉以下的陽離子。

作為陽離子（b2-4），可列舉以下的陽離子。

酸產生劑（B）為所述陰離子及所述有機陽離子的組合，該些可任意地組合。作為酸產生劑（B），較佳為可列舉式（B1a-1）～式（B1a-3）、式（B1a-7）～式（B1a-16）、式（B1a-18）、式（B1a-19）、式（B1a-22）～式（B1a-38）的任一者所表示的陰離子與陽離子（b2-1）、陽離子（b2-3）或陽離子（b2-4）的組合。

作為酸產生劑（B），較佳為可列舉式（B1-1）～式（B1-56）分別所表示者。其中，較佳為包含芳基鋶陽離子者，尤佳為式（B1-1）～式（B1-3）、式（B1-5）～式（B1-7）、式（B1-11）～式（B1-14）、式（B1-20）～式（B1-26）、式（B1-29）、式（B1-31）～式（B1-56）所表示者。

於本發明的抗蝕劑組成物中包含酸產生劑（B）的情況下，相對於樹脂（A）100質量份，酸產生劑（B）的含有率較佳為1質量份以上（更佳為3質量份以上），且較佳為50質量份以下（更佳為45質量份以下，進而佳為40質量份以下）。

＜樹脂（A）＞樹脂（A）含有具有酸不穩定基的結構單元（以下有時稱為「結構單元（a1）」）。樹脂（A）較佳為進而包含結構單元（a1）以外的結構單元。作為結構單元（a1）以外的結構單元，可列舉：不具有酸不穩定基的結構單元（以下有時稱為「結構單元（s）」）、結構單元（a1）及結構單元（s）以外的結構單元（例如，後述的具有鹵素原子的結構單元（以下有時稱為「結構單元（a4）」）、後述的具有非脫離烴基的結構單元（以下有時稱為「結構單元（a5）」））及其他的源自該領域中公知的單體的結構單元等。

〈結構單元（a1）〉結構單元（a1）是自具有酸不穩定基的單體（以下有時稱為「單體（a1）」）導出。樹脂（A）中包含的酸不穩定基較佳為式（1）所表示的基（以下，亦記為基（1））及/或式（2）所表示的基（以下，亦記為基（2））。

[式（1）中，R^a1 、R^a2 及R^a3 分別獨立地表示碳數1～8的烷基、碳數2～8的烯基、碳數3～20的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或將該些組合而成的基，或者R^a1 及R^a2 相互鍵結並與該些所鍵結的碳原子一同形成碳數3～20的脂環式烴基。 ma及na分別獨立地表示0或1，ma及na的至少一者表示1。 *表示鍵結位。]

[式（2）中，R^a1' 及R^a2' 分別獨立地表示氫原子或碳數1～12的烴基，R^a3' 表示碳數1～20的烴基，或者R^a2' 及R^a3' 相互鍵結並與該些所鍵結的碳原子及X一同形成碳數3～20的雜環，該烴基及該雜環中包含的-CH₂ -可被-O-或-S-取代。 X表示氧原子或硫原子。 na'表示0或1。 *表示鍵結部位。]

作為R^a1 、R^a2 及R^a3 中的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基等。作為R^a1 、R^a2 及R^a3 中的烯基，可列舉：乙烯基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、第三丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛炔基、異辛炔基、壬烯基。 R^a1 、R^a2 及R^a3 中的脂環式烴基可為單環式及多環式的任一種。作為單環式的脂環式烴基，可列舉：環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基。作為多環式的脂環式烴基，可列舉：十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基（*表示鍵結部位）等。R^a1 、R^a2 及R^a3 中的脂環式烴基的碳數較佳為3～16。

作為R^a1 、R^a2 及R^a3 中的芳香族烴基，可列舉：苯基、萘基、蒽基、聯苯基、菲基等芳基。作為組合而成的基，可列舉：將所述烷基與脂環式烴基組合而成的基（例如烷基環烷基或環烷基烷基）、苄基等芳烷基、具有烷基的芳香族烴基（對甲基苯基、對第三丁基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等）、具有脂環式烴基的芳香族烴基（對環己基苯基、對金剛烷基苯基等）、苯基環己基等芳基-環烷基等。較佳為ma為0，na為1。作為R^a1 及R^a2 相互鍵結而形成非芳香族烴環時的-C(R^a1 )(R^a2 )(R^a3 )，可列舉下述環。非芳香族烴環較佳為碳數3～12。*表示與-O-的鍵結部位。

作為R^a1' 、R^a2' 及R^a3' 中的烴基，可列舉：烷基、脂環式烴基、芳香族烴基及藉由將該些組合而形成的基等。烷基及脂環式烴基可列舉與R^a1 、R^a2 及R^a3 中列舉的基相同者。作為芳香族烴基，可列舉：苯基、萘基、蒽基、聯苯基、菲基等芳基。作為組合而成的基，可列舉：將所述烷基與脂環式烴基組合而成的基（例如烷基環烷基或環烷基烷基）、苄基等芳烷基、具有烷基的芳香族烴基（對甲基苯基、對第三丁基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等）、具有脂環式烴基的芳香族烴基（對環己基苯基、對金剛烷基苯基等）、苯基環己基等芳基-環烷基等。於R^a1' 及R^a2' 相互鍵結並與該些所鍵結的碳原子及X一同形成雜環的情況下，作為-C(R^a1' )(R^a2' )-X-R^a3' ，可列舉下述環。*表示鍵結部位。

R^a1' 及R^a2' 中，較佳為至少一個為氫原子。 na'較佳為0。

作為基（1），可列舉以下的基。式（1）中，R^a1 、R^a2 及R^a3 為烷基、ma=0、na=1的基。作為該基，較佳為第三丁氧基羰基。式（1）中，R^a1 、R^a2 與該些所鍵結的碳原子一起形成金剛烷基、R^a3 為烷基、ma=0、na=1的基。式（1）中，R^a1 及R^a2 分別獨立地為烷基、R^a3 為金剛烷基、ma=0、na=1的基。作為基（1），具體而言可列舉以下的基。*表示鍵結部位。

作為基（2）的具體例，可列舉以下的基。*表示鍵結位。

單體（a1）較佳為具有酸不穩定基與乙烯性不飽和鍵的單體，更佳為具有酸不穩定基的(甲基)丙烯酸系單體。

具有酸不穩定基的(甲基)丙烯酸系單體中，較佳為可列舉具有碳數5～20的脂環式烴基者。若將具有如下結構單元的樹脂（A）用於抗蝕劑組成物，則可提高抗蝕劑圖案的解析度，所述結構單元源自具有如脂環式烴基般的大體積結構的單體（a1）。

作為源自具有基（1）的(甲基)丙烯酸系單體的結構單元，可列舉式（a1-0）所表示的結構單元（以下，有時稱為「結構單元（a1-0）」）、式（a1-1）所表示的結構單元（以下，有時稱為「結構單元（a1-1）」）或式（a1-2）所表示的結構單元（以下，有時稱為「結構單元（a1-2）」）。較佳為選自由結構單元（a1-1）及結構單元（a1-2）所組成的群組中的至少一種結構單元。該些可單獨使用，亦可併用兩種以上。

[式（a1-0）、式（a1-1）及式（a1-2）中， L^a01 、L^a1 及L^a2 分別獨立地表示-O-或*-O-(CH₂ )_k1 -CO-O-，k1表示1～7的任一整數，*表示與-CO-的鍵結位。 R^a01 、R^a4 及R^a5 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基。 R^a02 、R^a03 及R^a04 分別獨立地表示碳數1～8的烷基、碳數3～18的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或將該些組合而成的基。 R^a6 及R^a7 分別獨立地表示碳數1～8的烷基、碳數2～8的烯基、碳數3～18的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或藉由將該些組合而形成的基。 m1表示0～14的任一整數。 n1表示0～10的任一整數。 n1'表示0～3的任一整數。]

R^a01 、R^a4 及R^a5 較佳為氫原子或甲基，更佳為甲基。 L^a01 、L^a1 及L^a2 較佳為氧原子或*-O-(CH₂ )_k01 -CO-O-（其中，k01較佳為1～4的任一整數，更佳為1），更佳為氧原子。作為R^a02 、R^a03 及R^a04 中的烷基、脂環式烴基、芳香族烴基及將該些組合而成的基，可列舉與式（1）的R^a1 、R^a2 及R^a3 中列舉的基相同的基。作為R^a6 及R^a7 中的烷基、烯基、脂環式烴基、芳香族烴基及將該些組合而成的基，可列舉與式（1）的R^a1 、R^a2 及R^a3 中列舉的基相同的基。 R^a02 、R^a03 、及R^a04 中的烷基較佳為碳數1～6的烷基，更佳為甲基或乙基，進而佳為甲基。 R^a6 及R^a7 中的烷基較佳為碳數1～6的烷基，更佳為甲基、乙基、異丙基或第三丁基，進而佳為乙基、異丙基或第三丁基。 R^a6 及R^a7 中的烯基較佳為碳數2～6的烯基，更佳為乙烯基、丙烯基、異丙烯基或丁烯基。 R^a02 、R^a03 及R^a04 中的脂環式烴基的碳數較佳為5～12的烷基，更佳為5～10。 R^a02 、R^a03 、R^a04 、R^a6 及R^a7 中的芳香族烴基的碳數較佳為6～12，更佳為6～10。關於將烷基與脂環式烴基組合而成的基，組合該些烷基與脂環式烴基的合計碳數較佳為18以下。關於將烷基與芳香族烴基組合而成的基，組合該些烷基與芳香族烴基的合計碳數較佳為18以下。 R^a02 及R^a03 較佳為碳數1～6的烷基或碳數6～12的芳香族烴基，更佳為甲基、乙基、苯基或萘基。 R^a04 較佳為碳數1～6的烷基或碳數5～12的脂環式烴基，更佳為甲基、乙基、環己基或金剛烷基。 R^a6 及R^a7 較佳為碳數1～6的烷基、碳數2～6的烯基或碳數6～12的芳香族烴基，更佳為甲基、乙基、異丙基、第三丁基、乙烯基、苯基或萘基，進而佳為乙基、異丙基、第三丁基、乙烯基或苯基。 m1較佳為0～3的任一整數，更佳為0或1。 n1較佳為0～3的任一整數，更佳為0或1。 n1'較佳為0或1。

作為結構單元（a1-0），例如可列舉式（a1-0-1）～式（a1-0-18）的任一者所表示的結構單元及將相當於結構單元（a1-0）中的R^a01 的甲基取代為氫原子、鹵素原子、鹵代烷基（可具有鹵素原子的烷基）或其他烷基的結構單元，較佳為式（a1-0-1）～式（a1-0-10）、式（a1-0-13）、式（a1-0-14）的任一者所表示的結構單元。

作為結構單元（a1-1），例如可列舉源自日本專利特開2010-204646號公報中所記載的單體的結構單元。其中，較佳為式（a1-1-1）～式（a1-1-7）的任一者所表示的結構單元及將相當於結構單元（a1-1）中的R^a4 的甲基取代為氫原子、鹵素原子、鹵代烷基或其他烷基的結構單元，更佳為式（a1-1-1）～式（a1-1-4）的任一者所表示的結構單元。

作為結構單元（a1-2），可列舉式（a1-2-1）～式（a1-2-14）的任一者所表示的結構單元及將相當於結構單元（a1-2）中的R^a5 的甲基取代為氫原子、鹵素原子、鹵代烷基或其他烷基的結構單元，較佳為式（a1-2-2）、式（a1-2-5）、式（a1-2-6）及式（a1-2-10）～式（a1-2-14）的任一者所表示的結構單元。

於樹脂（A）包含結構單元（a1-0）的情況下，相對於樹脂（A）的所有結構單元，其含有率通常為5莫耳%～60莫耳%，較佳為5莫耳%～50莫耳%，更佳為10莫耳%～40莫耳%。於樹脂（A）包含結構單元（a1-1）及/或結構單元（a1-2）的情況下，相對於樹脂（A）的所有結構單元，該些的合計含有率通常為10莫耳%～95莫耳%，較佳為15莫耳%～85莫耳%，更佳為15莫耳%～80莫耳%，進而佳為20莫耳%～80莫耳%，進而更佳為20莫耳%～75莫耳%。

作為結構單元（a1）中具有基（2）的結構單元，可列舉式（a1-4）所表示的結構單元（以下，有時稱為「結構單元（a1-4）」）。

[式（a1-4）中， R^a32 表示氫原子、鹵素原子、或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基。 R^a33 表示鹵素原子、羥基、碳數1～6的烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數2～12的烷氧基烷基、碳數2～12的烷氧基烷氧基、碳數2～4的烷基羰基、碳數2～4的烷基羰氧基、丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基。 A^a30 表示單鍵或*-X^a31 -(A^a32 -X^a32 )_nc -，*表示與-R^a32 所鍵結的碳原子的鍵結部位。 A^a32 表示碳數1～6的烷二基。 X^a31 及X^a32 分別獨立地表示-O-、-CO-O-或-O-CO-。 nc表示0或1。 la表示0～4的任一整數。於la為2以上的任一整數的情況下，多個R^a33 相互可相同亦可不同。 R^a34 及R^a35 分別獨立地表示氫原子或碳數1～12的烴基，R^a36 表示碳數1～20的烴基，或者R^a35 及R^a36 相互鍵結並與該些所鍵結的-C-O-一同形成碳數2～20的二價烴基，該烴基及該二價烴基中包含的-CH₂ -可被-O-或-S-取代。]

作為R^a32 及R^a33 中的鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子及溴原子等。作為R^a32 中的可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基，可列舉：三氟甲基、二氟甲基、甲基、全氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、乙基、全氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、丁基、全氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5-九氟戊基、戊基、己基及全氟己基。 R^a32 較佳為氫原子或碳數1～4的烷基，更佳為氫原子、甲基或乙基，進而佳為氫原子或甲基。作為R^a33 中的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基。作為R^a33 中的烷氧基，可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基。烷氧基較佳為碳數1～4的烷氧基，更佳為甲氧基或乙氧基，進而佳為甲氧基。作為R^a33 中的烷氧基烷基，可列舉：甲氧基甲基、乙氧基乙基、丙氧基甲基、異丙氧基甲基、丁氧基甲基、第二丁氧基甲基、第三丁氧基甲基。烷氧基烷基較佳為碳數2～8的烷氧基烷基，更佳為甲氧基甲基或乙氧基乙基，進而佳為甲氧基甲基。作為R^a33 中的烷氧基烷氧基，可列舉：甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基甲氧基、乙氧基乙氧基、丙氧基甲氧基、異丙氧基甲氧基、丁氧基甲氧基、第二丁氧基甲氧基、第三丁氧基甲氧基。烷氧基烷氧基較佳為碳數2～8的烷氧基烷氧基，更佳為甲氧基乙基或乙氧基乙基。作為R^a33 中的烷基羰基，可列舉：乙醯基、丙醯基及丁醯基等。烷基羰基較佳為碳數2～3的烷基羰基，更佳為乙醯基。作為R^a33 中的烷基羰氧基，可列舉：乙醯基氧基、丙醯基氧基及丁醯基氧基。烷基羰氧基較佳為碳數2～3的烷基羰氧基，更佳為乙醯基氧基。 R^a33 較佳為鹵素原子、羥基、碳數1～4的烷基、碳數1～4的烷氧基或碳數2～8的烷氧基烷氧基，更佳為氟原子、碘原子、羥基、甲基、甲氧基、乙氧基、乙氧基乙氧基或乙氧基甲氧基，進而佳為氟原子、碘原子、羥基、甲基、甲氧基或乙氧基乙氧基。

作為*-X^a31 -(A^a32 -X^a32 )_nc -，可列舉：*-O-、*-CO-O-、*-O-CO-、*-CO-O-A^a32 -CO-O-、*-O-CO-A^a32 -O-、*-O-A^a32 -CO-O-、*-CO-O-A^a32 -O-CO-、*-O-CO-A^a32 -O-CO-。其中，較佳為*-CO-O-、*-CO-O-A^a32 -CO-O-或*-O-A^a32 -CO-O-。

作為烷二基，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基及2-甲基丁烷-1,4-二基等。 A^a32 較佳為亞甲基或伸乙基。

A^a30 較佳為單鍵、*-CO-O-或*-CO-O-A^a32 -CO-O-，更佳為單鍵、*-CO-O-或*-CO-O-CH₂ -CO-O-，進而佳為單鍵或*-CO-O-。

la較佳為0、1或2，更佳為0或1，進而佳為0。作為R^a34 、R^a35 及R^a36 中的烴基，可列舉：烷基、脂環式烴基、芳香族烴基及將該些組合而成的基。作為烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基等。脂環式烴基可為單環式及多環式的任一種。作為單環式的脂環式烴基，可列舉：環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基。作為多環式的脂環式烴基，可列舉：十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基（*表示鍵結部位）等。

作為芳香族烴基，可列舉：苯基、萘基、蒽基、聯苯基、菲基等芳基。作為組合而成的基，可列舉：將所述烷基與脂環式烴基組合而成的基（例如環烷基烷基）、苄基等芳烷基、具有烷基的芳香族烴基（對甲基苯基、對第三丁基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等）、具有脂環式烴基的芳香族烴基（對環己基苯基、對金剛烷基苯基等）、苯基環己基等芳基-環烷基等。特別是作為R^a36 ，可列舉：碳數1～18的烷基、碳數3～18的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或藉由將該些組合而形成的基。

R^a34 較佳為氫原子。 R^a35 較佳為氫原子、碳數1～12的烷基或碳數3～12的脂環式烴基，更佳為甲基或乙基。 R^a36 中的烴基較佳為碳數1～18的烷基、碳數3～18的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或藉由將該些組合而形成的基，更佳為碳數1～18的烷基、碳數3～18的脂環式烴基或碳數7～18的芳烷基。R^a36 中的烷基及脂環式烴基較佳為未被取代。R^a36 中的芳香族烴基較佳為具有碳數6～10的芳氧基的芳香環。

結構單元（a1-4）中的-OC(R^a34 )(R^a35 )-O-R^a36 與酸（例如對甲苯磺酸）接觸而脫離，形成羥基。 -OC(R^a34 )(R^a35 )-O-R^a36 較佳為鍵結於苯環的鄰位或對位，更佳為鍵結於對位。

作為結構單元（a1-4），例如可列舉源自日本專利特開2010-204646號公報中所記載的單體的結構單元。較佳為可列舉式（a1-4-1）～式（a1-4-18）分別所表示的結構單元及將相當於結構單元（a1-4）中的R^a32 的氫原子取代為鹵素原子、鹵代烷基或烷基的結構單元，更佳為可列舉式（a1-4-1）～式（a1-4-5）、式（a1-4-10）、式（a1-4-13）、式（a1-4-14）分別所表示的結構單元。

於樹脂（A）具有結構單元（a1-4）的情況下，相對於樹脂（A）的所有結構單元的合計，其含有率較佳為5莫耳%～60莫耳%，更佳為5莫耳%～50莫耳%，進而佳為10莫耳%～40莫耳%。

作為源自具有基（2）的(甲基)丙烯酸系單體的結構單元，亦可列舉式（a1-5）所表示的結構單元（以下有時稱為「結構單元（a1-5）」）。

式（a1-5）中， R^a8 表示可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基、氫原子或鹵素原子。 Z^a1 表示單鍵或*-(CH₂ )_h3 -CO-L⁵⁴ -，h3表示1～4的任一整數，*表示與L⁵¹ 的鍵結位。 L⁵¹ 、L⁵² 、L⁵³ 及L⁵⁴ 分別獨立地表示-O-或-S-。 s1表示1～3的任一整數。 s1'表示0～3的任一整數。

作為鹵素原子，可列舉氟原子及氯原子，較佳為氟原子。作為可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、氟甲基及三氟甲基。式（a1-5）中，R^a8 較佳為氫原子、甲基或三氟甲基。 L⁵¹ 較佳為氧原子。 L⁵² 及L⁵³ 中，較佳為一者為-O-，另一者為-S-。 s1較佳為1。 s1'較佳為0～2的任一整數。 Z^a1 較佳為單鍵或*-CH₂ -CO-O-。

作為結構單元（a1-5），例如可列舉源自日本專利特開2010-61117號公報中所記載的單體的結構單元。其中，較佳為式（a1-5-1）～式（a1-5-4）分別所表示的結構單元，更佳為式（a1-5-1）或式（a1-5-2）所表示的結構單元。

於樹脂（A）具有結構單元（a1-5）的情況下，相對於樹脂（A）的所有結構單元，其含有率較佳為1莫耳%～50莫耳%，更佳為3莫耳%～45莫耳%，進而佳為5莫耳%～40莫耳%，進而更佳為5莫耳%～30莫耳%。

另外，作為結構單元（a1），亦可列舉以下的結構單元。

於樹脂（A）包含所述結構單元的情況下，相對於樹脂（A）的所有結構單元，其含有率較佳為5莫耳%～60莫耳%，更佳為5莫耳%～50莫耳%，進而佳為10莫耳%～40莫耳%。

〈結構單元（s）〉結構單元（s）是自不具有酸不穩定基的單體（以下有時稱為「單體（s）」）導出。導出結構單元（s）的單體可使用抗蝕劑領域中公知的不具有酸不穩定基的單體。作為結構單元（s），較佳為具有羥基或內酯環。若將包含具有羥基且不具有酸不穩定基的結構單元（以下有時稱為「結構單元（a2）」）及/或具有內酯環且不具有酸不穩定基的結構單元（以下有時稱為「結構單元（a3）」）的樹脂用於本發明的抗蝕劑組成物，則可提高抗蝕劑圖案的解析度及與基板的密接性。

〈結構單元（a2）〉結構單元（a2）具有的羥基可為醇性羥基，亦可為酚性羥基。於由本發明的抗蝕劑組成物製造抗蝕劑圖案時，於使用KrF準分子雷射（248 nm）、電子束或EUV（超紫外光）等高能量射線作為曝光光源的情況下，作為結構單元（a2），較佳為具有酚性羥基的結構單元（a2），更佳為使用後述的結構單元（a2-A）。另外，於使用ArF準分子雷射（193 nm）等的情況下，作為結構單元（a2），較佳為具有醇性羥基的結構單元（a2），更佳為使用後述的結構單元（a2-1）。作為結構單元（a2），可單獨包含一種，亦可包含兩種以上。

作為結構單元（a2）中具有酚性羥基的結構單元，可列舉式（a2-A）所表示的結構單元（以下有時稱為「結構單元（a2-A）」）。

[式（a2-A）中， R^a50 表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基。 R^a51 表示鹵素原子、羥基、碳數1～6的烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數2～12的烷氧基烷基、碳數2～12的烷氧基烷氧基、碳數2～4的烷基羰基、碳數2～4的烷基羰氧基、丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基。 A^a50 表示單鍵或*-X^a51 -(A^a52 -X^a52 )_nb -，*表示與-R^a50 所鍵結的碳原子的鍵結位。 A^a52 分別獨立地表示碳數1～6的烷二基。 X^a51 及X^a52 分別獨立地表示-O-、-CO-O-或-O-CO-。 nb表示0或1。 mb表示0～4的任一整數。於mb為2以上的任一整數的情況下，多個R^a51 相互可相同亦可不同。]

作為R^a50 及R^a51 中的鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子及溴原子等。作為R^a50 中的可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基，可列舉：三氟甲基、二氟甲基、甲基、全氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、乙基、全氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、丁基、全氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5-九氟戊基、戊基、己基及全氟己基。 R^a50 較佳為氫原子或碳數1～4的烷基，更佳為氫原子、甲基或乙基，進而佳為氫原子或甲基。作為R^a51 中的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基。烷基較佳為碳數1～4的烷基，更佳為甲基或乙基，進而佳為甲基。作為R^a51 中的烷氧基，可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基。烷氧基較佳為碳數1～4的烷氧基，更佳為甲氧基或乙氧基，進而佳為甲氧基。作為R^a51 中的烷氧基烷基，可列舉：甲氧基甲基、乙氧基乙基、丙氧基甲基、異丙氧基甲基、丁氧基甲基、第二丁氧基甲基、第三丁氧基甲基。烷氧基烷基較佳為碳數2～8的烷氧基烷基，更佳為甲氧基甲基或乙氧基乙基，進而佳為甲氧基甲基。作為R^a51 中的烷氧基烷氧基，可列舉：甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基甲氧基、乙氧基乙氧基、丙氧基甲氧基、異丙氧基甲氧基、丁氧基甲氧基、第二丁氧基甲氧基、第三丁氧基甲氧基。烷氧基烷氧基較佳為碳數2～8的烷氧基烷氧基，更佳為甲氧基乙氧基或乙氧基乙氧基。作為R^a51 中的烷基羰基，可列舉：乙醯基、丙醯基及丁醯基等。烷基羰基較佳為碳數2～3的烷基羰基，更佳為乙醯基。作為R^a51 中的烷基羰氧基，可列舉：乙醯基氧基、丙醯基氧基及丁醯基氧基。烷基羰氧基較佳為碳數2～3的烷基羰氧基，更佳為乙醯基氧基。 R^a51 較佳為鹵素原子、羥基、碳數1～4的烷基、碳數1～4的烷氧基或碳數2～8的烷氧基烷氧基，更佳為氟原子、碘原子、羥基、甲基、甲氧基、乙氧基、乙氧基乙氧基或乙氧基甲氧基，進而佳為氟原子、碘原子、羥基、甲基、甲氧基或乙氧基乙氧基。

作為*-X^a51 -(A^a52 -X^a52 )_nb -，可列舉：*-O-、*-CO-O-、*-O-CO-、*-CO-O-A^a52 -CO-O-、*-O-CO-A^a52 -O-、*-O-A^a52 -CO-O-、*-CO-O-A^a52 -O-CO-、*-O-CO-A^a52 -O-CO-。其中，較佳為*-CO-O-、*-CO-O-A^a52 -CO-O-或*-O-A^a52 -CO-O-。作為烷二基，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基及2-甲基丁烷-1,4-二基等。 A^a52 較佳為亞甲基或伸乙基。 A^a50 較佳為單鍵、*-CO-O-或*-CO-O-A^a52 -CO-O-，更佳為單鍵、*-CO-O-或*-CO-O-CH₂ -CO-O-，進而佳為單鍵或*-CO-O-。 mb較佳為0、1或2，更佳為0或1，特佳為0。羥基較佳為鍵結於苯環的鄰位或對位，更佳為鍵結於對位。

作為結構單元（a2-A），可列舉源自日本專利特開2010-204634號公報、日本專利特開2012-12577號公報中所記載的單體的結構單元。作為結構單元（a2-A），可列舉式（a2-2-1）～式（a2-2-16）所表示的結構單元、及式（a2-2-1）～式（a2-2-16）所表示的結構單元中將相當於結構單元（a2-A）中的R^a50 的甲基取代為氫原子的結構單元。結構單元（a2-A）較佳為式（a2-2-1）所表示的結構單元、式（a2-2-3）所表示的結構單元、式（a2-2-6）所表示的結構單元、式（a2-2-8）所表示的結構單元、式（a2-2-12）～式（a2-2-14）所表示的結構單元及式（a2-2-1）所表示的結構單元、式（a2-2-3）所表示的結構單元、式（a2-2-6）所表示的結構單元、式（a2-2-8）所表示的結構單元、式（a2-2-12）～式（a2-2-14）所表示的結構單元中將相當於結構單元（a2-A）中的R^a50 的甲基取代為氫原子、鹵素原子、鹵代烷基或其他烷基的結構單元，更佳為式（a2-2-3）所表示的結構單元、式（a2-2-8）所表示的結構單元、式（a2-2-12）～式（a2-2-14）所表示的結構單元及式（a2-2-3）所表示的結構單元或式（a2-2-8）所表示的結構單元、式（a2-2-12）～式（a2-2-14）所表示的結構單元中將相當於結構單元（a2-A）中的R^a50 的甲基取代為氫原子的結構單元，進而佳為式（a2-2-8）所表示的結構單元及式（a2-2-8）所表示的結構單元中將相當於結構單元（a2-A）中的R^a50 的甲基取代為氫原子的結構單元。

相對於所有結構單元，樹脂（A）中包含結構單元（a2-A）時的結構單元（a2-A）的含有率較佳為5莫耳%～80莫耳%，更佳為10莫耳%～70莫耳%，進而佳為15莫耳%～65莫耳%，進而更佳為20莫耳%～60莫耳%。結構單元（a2-A）例如可藉由於使用結構單元（a1-4）進行聚合後，利用對甲苯磺酸等酸進行處理而包含於樹脂（A）中。另外，可藉由於使用乙醯氧基苯乙烯等進行聚合後，利用四甲基氫氧化銨等鹼進行處理，而使結構單元（a2-A）包含於樹脂（A）中。

作為結構單元（a2）中具有醇性羥基的結構單元，可列舉式（a2-1）所表示的結構單元（以下有時稱為「結構單元（a2-1）」）。

式（a2-1）中， L^a3 表示-O-或*-O-(CH₂ )_k2 -CO-O-， k2表示1～7的任一整數。*表示與-CO-的鍵結位。 R^a14 表示氫原子或甲基。 R^a15 及R^a16 分別獨立地表示氫原子、甲基或羥基。 o1表示0～10的任一整數。

式（a2-1）中，L^a3 較佳為-O-、-O-(CH₂ )_f1 -CO-O-（所述f1表示1～4的任一整數），更佳為-O-。 R^a14 較佳為甲基。 R^a15 較佳為氫原子。 R^a16 較佳為氫原子或羥基。 o1較佳為0～3的任一整數，更佳為0或1。

作為結構單元（a2-1），例如可列舉源自日本專利特開2010-204646號公報中所記載的單體的結構單元。較佳為式（a2-1-1）～式（a2-1-6）的任一者所表示的結構單元，更佳為式（a2-1-1）～式（a2-1-4）的任一者所表示的結構單元，進而佳為式（a2-1-1）或式（a2-1-3）所表示的結構單元。

於樹脂（A）包含結構單元（a2-1）的情況下，相對於樹脂（A）的所有結構單元，其含有率通常為1莫耳%～45莫耳%，較佳為1莫耳%～40莫耳%，更佳為1莫耳%～35莫耳%，進而佳為1莫耳%～20莫耳%，進而更佳為1莫耳%～10莫耳%。

〈結構單元（a3）〉結構單元（a3）具有的內酯環可為β-丙內酯環、γ-丁內酯環、δ-戊內酯環般的單環，亦可為單環式的內酯環與其他環的稠環。較佳為可列舉γ-丁內酯環、金剛烷內酯環、或包含γ-丁內酯環結構的橋接環（例如下式（a3-2）所表示的結構單元）。結構單元（a3）較佳為式（a3-1）、式（a3-2）、式（a3-3）或式（a3-4）所表示的結構單元。可單獨含有該些的一種，亦可含有兩種以上。

[式（a3-1）、式（a3-2）、式（a3-3）及式（a3-4）中， L^a4 、L^a5 及L^a6 分別獨立地表示-O-或*-O-(CH₂ )_k3 -CO-O-（k3表示1～7的任一整數）所表示的基。 L^a7 表示-O-、*-O-L^a8 -O-、*-O-L^a8 -CO-O-、*-O-L^a8 -CO-O-L^a9 -CO-O-或*-O-L^a8 -O-CO-L^a9 -O-。 L^a8 及L^a9 分別獨立地表示碳數1～6的烷二基。 *表示與羰基的鍵結部位。 R^a18 、R^a19 及R^a20 分別獨立地表示氫原子或甲基。 R^a24 表示可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基、氫原子或鹵素原子。 X^a3 表示-CH₂ -或氧原子。 R^a21 表示碳數1～4的脂肪族烴基。 R^a22 、R^a23 及R^a25 分別獨立地表示羧基、氰基或碳數1～4的脂肪族烴基。 p1表示0～5的任一整數。 q1表示0～3的任一整數。 r1表示0～3的任一整數。 w1表示0～8的任一整數。於p1、q1、r1及/或w1為2以上時，多個R^a21 、R^a22 、R^a23 及/或R^a25 相互可相同亦可不同。]

作為R^a21 、R^a22 、R^a23 及R^a25 中的脂肪族烴基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基及第三丁基等烷基。作為R^a24 中的鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。作為R^a24 中的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基及己基等，較佳為可列舉碳數1～4的烷基，更佳為可列舉甲基或乙基。作為R^a24 中的具有鹵素原子的烷基，可列舉：三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基、全氟己基、三氯甲基、三溴甲基、三碘甲基等。

作為L^a8 及L^a9 中的烷二基，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基及2-甲基丁烷-1,4-二基等。

式（a3-1）～式（a3-3）中，L^a4 ～L^a6 分別獨立地較佳為-O-或*-O-(CH₂ )_k3 -CO-O-中k3為1～4的任一整數的基，更佳為-O-及*-O-CH₂ -CO-O-，進而佳為氧原子。 R^a18 ～R^a21 較佳為甲基。 R^a22 及R^a23 分別獨立地較佳為羧基、氰基或甲基。 p1、q1及r1分別獨立地較佳為0～2的任一整數，更佳為0或1。

式（a3-4）中，R^a24 較佳為氫原子或碳數1～4的烷基，更佳為氫原子、甲基或乙基，進而佳為氫原子或甲基。 R^a25 較佳為羧基、氰基或甲基。 L^a7 較佳為-O-或*-O-L^a8 -CO-O-，更佳為-O-、-O-CH₂ -CO-O-或-O-C₂ H₄ -CO-O-。 w1較佳為0～2的任一整數，更佳為0或1。特別是式（a3-4）較佳為式（a3-4）'。

（式中，R^a24 、L^a7 表示與所述相同的含義）

作為結構單元（a3），可列舉源自日本專利特開2010-204646號公報中所記載的單體、日本專利特開2000-122294號公報中所記載的單體、日本專利特開2012-41274號公報中所記載的單體的結構單元。作為結構單元（a3），較佳為式（a3-1-1）、式（a3-1-2）、式（a3-2-1）、式（a3-2-2）、式（a3-3-1）、式（a3-3-2）及式（a3-4-1）～式（a3-4-12）的任一者所表示的結構單元及所述結構單元中將相當於式（a3-1）～式（a3-4）中的R^a18 、R^a19 、R^a20 及R^a24 的甲基取代為氫原子的結構單元。

於樹脂（A）包含結構單元（a3）的情況下，相對於樹脂（A）的所有結構單元，其合計含有率通常為1莫耳%～70莫耳%，較佳為1莫耳%～65莫耳%，更佳為1莫耳%～60莫耳%。另外，相對於樹脂（A）的所有結構單元，結構單元（a3-1）、結構單元（a3-2）、結構單元（a3-3）或結構單元（a3-4）的含有率分別較佳為1莫耳%～60莫耳%，更佳為1莫耳%～50莫耳%，進而佳為1莫耳%～50莫耳%。

〈結構單元（a4）〉作為結構單元（a4），可列舉以下結構單元。

[式（a4）中， R⁴¹ 表示氫原子或甲基。 R⁴² 表示碳數1～24的具有氟原子的飽和烴基，該飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。] R⁴² 所表示的飽和烴基可列舉鏈式烴基及單環或多環的脂環式烴基、以及藉由將該些組合而形成的基等。

作為鏈式烴基，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基及十八烷基。作為單環或多環的脂環式烴基，可列舉：環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基；十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基（*表示鍵結位）等多環式的脂環式烴基。

作為藉由組合而形成的基，可列舉藉由將一個以上的烷基或一個以上的烷二基、與一個以上的脂環式烴基組合而形成的基，可列舉：-烷二基-脂環式烴基、-脂環式烴基-烷基、-烷二基-脂環式烴基-烷基等。

作為結構單元（a4），可列舉選自由式（a4-0）、式（a4-1）、式（a4-2）、式（a4-3）及式（a4-4）所組成的群組中的至少一種所表示的結構單元。

[式（a4-0）中， R^5a 表示氫原子或甲基。 L^4a 表示單鍵或碳數1～4的烷二基。 L^3a 表示碳數1～8的全氟烷二基或碳數3～12的全氟環烷二基。 R^6a 表示氫原子或氟原子。]

作為L^4a 中的烷二基，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基等直鏈狀烷二基；乙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基及2-甲基丙烷-1,2-二基等分支狀烷二基。

作為L^3a 中的全氟烷二基，可列舉：二氟亞甲基、全氟伸乙基、全氟丙烷-1,1-二基、全氟丙烷-1,3-二基、全氟丙烷-1,2-二基、全氟丙烷-2,2-二基、全氟丁烷-1,4-二基、全氟丁烷-2,2-二基、全氟丁烷-1,2-二基、全氟戊烷-1,5-二基、全氟戊烷-2,2-二基、全氟戊烷-3,3-二基、全氟己烷-1,6-二基、全氟己烷-2,2-二基、全氟己烷-3,3-二基、全氟庚烷-1,7-二基、全氟庚烷-2,2-二基、全氟庚烷-3,4-二基、全氟庚烷-4,4-二基、全氟辛烷-1,8-二基、全氟辛烷-2,2-二基、全氟辛烷-3,3-二基、全氟辛烷-4,4-二基等。作為L^3a 中的全氟環烷二基，可列舉：全氟環己二基、全氟環戊二基、全氟環庚二基、全氟金剛烷二基等。

L^4a 較佳為單鍵、亞甲基或伸乙基，更佳為單鍵、亞甲基。 L^3a 較佳為碳數1～6的全氟烷二基，更佳為碳數1～3的全氟烷二基。

作為結構單元（a4-0），可列舉以下所示的結構單元及下述結構單元中的將相當於結構單元（a4-0）中的R^5a 的甲基取代為氫原子的結構單元。

[式（a4-1）中， R^a41 表示氫原子或甲基。 R^a42 表示可具有取代基的碳數1～20的飽和烴基，該飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。 A^a41 表示可具有取代基的碳數1～6的烷二基或式（a-g1）所表示的基。其中，A^a41 及R^a42 中至少一者具有鹵素原子（較佳為氟原子）作為取代基。

〔式（a-g1）中， s表示0或1。 A^a42 及A^a44 分別獨立地表示可具有取代基的碳數1～5的二價飽和烴基。 A^a43 表示單鍵或可具有取代基的碳數1～5的二價脂肪族烴基。 X^a41 及X^a42 分別獨立地表示-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-。其中，A^a42 、A^a43 、A^a44 、X^a41 及X^a42 的碳數的合計為7以下。〕 *為鍵結位，右側的*為與-O-CO-R^a42 的鍵結位。]

作為R^a42 中的飽和烴基，可列舉鏈式飽和烴基及單環或多環的脂環式飽和烴基、以及藉由將該些組合而形成的基等。

作為鏈式飽和烴基，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基及十八烷基。作為單環或多環的脂環式飽和烴基，可列舉：環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基；十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基（*表示鍵結位）等多環式的脂環式飽和烴基。

作為藉由組合而形成的基，可列舉藉由將一個以上的烷基或一個以上的烷二基、與一個以上的脂環式飽和烴基組合而形成的基，可列舉：-烷二基-脂環式飽和烴基、-脂環式飽和烴基-烷基、-烷二基-脂環式飽和烴基-烷基等。

作為R^a42 具有的取代基，可列舉選自由鹵素原子及式（a-g3）所表示的基所組成的群組中的至少一種。作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子，較佳為氟原子。

[式（a-g3）中， X^a43 表示氧原子、羰基、*-O-CO-或*-CO-O-。 A^a45 表示可具有鹵素原子的碳數1～17的脂肪族烴基。 *表示與R^a42 的鍵結位。] 其中，於R^a42 -X^a43 -A^a45 中R^a42 不具有鹵素原子的情況下，A^a45 表示具有至少一個鹵素原子的碳數1～17的脂肪族烴基。

作為A^a45 中的脂肪族烴基，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基及十八烷基等烷基；環戊基、環己基、環庚基、環辛基等單環式的脂環式烴基；以及十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基（*表示鍵結位）等多環式的脂環式烴基。

R^a42 較佳為可具有鹵素原子的飽和烴基，更佳為具有鹵素原子的烷基及/或具有式（a-g3）所表示的基的飽和烴基。於R^a42 為具有鹵素原子的飽和烴基的情況下，較佳為具有氟原子的飽和烴基，更佳為全氟烷基或全氟環烷基，進而佳為碳數為1～6的全氟烷基，特佳為碳數1～3的全氟烷基。作為全氟烷基，可列舉：全氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基及全氟辛基等。作為全氟環烷基，可列舉全氟環己基等。於R^a42 為具有式（a-g3）所表示的基的飽和烴基的情況下，包括式（a-g3）所表示的基中包含的碳數在內，R^a42 的總碳數較佳為15以下，更佳為12以下。於具有式（a-g3）所表示的基作為取代基的情況下，其個數較佳為一個。

於R^a42 為具有式（a-g3）所表示的基的飽和烴基的情況下，R^a42 進而佳為式（a-g2）所表示的基。

[式（a-g2）中， A^a46 表示可具有鹵素原子的碳數1～17的二價飽和烴基。 X^a44 表示**-O-CO-或**-CO-O-（**表示與A^a46 的鍵結位）。 A^a47 表示可具有鹵素原子的碳數1～17的脂肪族烴基。其中，A^a46 、A^a47 及X^a44 的碳數的合計為18以下，A^a46 及A^a47 中，至少一者具有至少一個鹵素原子。 *表示與羰基的鍵結位。]

A^a46 的飽和烴基的碳數較佳為1～6，更佳為1～3。 A^a47 的脂肪族烴基的碳數較佳為4～15，更佳為5～12，A^a47 進而佳為環己基或金剛烷基。

式（a-g2）所表示的基的較佳結構為以下結構（*為與羰基的鍵結位）。

作為A^a41 中的烷二基，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基等直鏈狀烷二基；丙烷-1,2-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、1-甲基丁烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支狀烷二基。作為A^a41 表示的烷二基中的取代基，可列舉羥基及碳數1～6的烷氧基等。 A^a41 較佳為碳數1～4的烷二基，更佳為碳數2～4的烷二基，進而佳為伸乙基。

作為式（a-g1）所表示的基中的A^a42 、A^a43 及A^a44 表示的二價飽和烴基，可列舉直鏈或分支的烷二基及單環的二價脂環式飽和烴基、以及藉由將烷二基及二價脂環式飽和烴基組合而形成的二價飽和烴基等。具體而言，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、1-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基等。作為A^a42 、A^a43 及A^a44 表示的二價飽和烴基的取代基，可列舉羥基及碳數1～6的烷氧基等。 s較佳為0。

式（a-g1）所表示的基中，作為X^a42 為-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-的基，可列舉以下基等。以下的例示中，*及**分別表示鍵結位，**為與-O-CO-R^a42 的鍵結位。

作為式（a4-1）所表示的結構單元，可列舉以下所示的結構單元及下述結構單元中的將相當於式（a4-1）所表示的結構單元中的R^a41 的甲基取代為氫原子的結構單元。

作為式（a4-1）所表示的結構單元，較佳為式（a4-2）所表示的結構單元。

[式（a4-2）中， R^f5 表示氫原子或甲基。 L⁴⁴ 表示碳數1～6的烷二基，該烷二基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。 R^f6 表示碳數1～20的具有氟原子的飽和烴基。其中，L⁴⁴ 及R^f6 的合計碳數的上限為21。]

L⁴⁴ 中的烷二基可列舉與A^a41 中例示者相同的基。 R^f6 中的飽和烴基可列舉與R^a42 中例示者相同的基。作為L⁴⁴ 中的烷二基，較佳為碳數2～4的烷二基，更佳為伸乙基。

作為式（a4-2）所表示的結構單元，例如可列舉式（a4-1-1）～式（a4-1-11）分別所表示的結構單元。將相當於結構單元（a4-2）中的R^f5 的甲基取代為氫原子的結構單元亦可列舉為式（a4-2）所表示的結構單元。

[式（a4-3）中， R^f7 表示氫原子或甲基。 L⁵ 表示碳數1～6的烷二基。 A^f13 表示可具有氟原子的碳數1～18的二價飽和烴基。 X^f12 表示*-O-CO-或*-CO-O-（*表示與A^f13 的鍵結位）。 A^f14 表示可具有氟原子的碳數1～17的飽和烴基。其中，A^f13 及A^f14 的至少一者具有氟原子，L⁵ 、A^f13 及A^f14 的合計碳數的上限為20。]

作為L⁵ 中的烷二基，可列舉與A^a41 中的烷二基中例示者相同的基。作為A^f13 中的可具有氟原子的二價飽和烴基，較佳為可具有氟原子的二價鏈式飽和烴基及可具有氟原子的二價脂環式飽和烴基，更佳為全氟烷二基。作為可具有氟原子的二價鏈式烴基，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙二基、丁二基及戊二基等烷二基；二氟亞甲基、全氟伸乙基、全氟丙二基、全氟丁二基及全氟戊二基等全氟烷二基等。可具有氟原子的二價脂環式烴基可為單環式及多環式的任一種。作為單環式的基，可列舉環己二基及全氟環己二基等。作為多環式的基，可列舉：金剛烷二基、降冰片烷二基、全氟金剛烷二基等。

A^f14 中的飽和烴基及可具有氟原子的飽和烴基可列舉與R^a42 中例示者相同的基。其中，較佳為：三氟甲基、二氟甲基、甲基、全氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、乙基、全氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、丁基、全氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5-九氟戊基、戊基、己基、全氟己基、庚基、全氟庚基、辛基及全氟辛基等氟化烷基、環丙基甲基、環丙基、環丁基甲基、環戊基、環己基、全氟環己基、金剛烷基、金剛烷基甲基、金剛烷基二甲基、降冰片基、降冰片基甲基、全氟金剛烷基、全氟金剛烷基甲基等。

式（a4-3）中，L⁵ 較佳為伸乙基。 A^f13 中的二價飽和烴基較佳為包含碳數1～6的二價鏈式烴基及碳數3～12的二價脂環式烴基的基，進而佳為碳數2～3的二價鏈式烴基。 A^f14 中的飽和烴基較佳為包含碳數3～12的鏈式烴基及碳數3～12的脂環式烴基的基，進而佳為包含碳數3～10的鏈式烴基及碳數3～10的脂環式烴基的基。其中，A^f14 較佳為包含碳數3～12的脂環式烴基的基，更佳為環丙基甲基、環戊基、環己基、降冰片基及金剛烷基。

作為式（a4-3）所表示的結構單元，例如可列舉式（a4-1'-1）～式（a4-1'-11）分別所表示的結構單元。將相當於結構單元（a4-3）中的R^f7 的甲基取代為氫原子的結構單元亦可列舉為式（a4-3）所表示的結構單元。

作為結構單元（a4），亦可列舉式（a4-4）所表示的結構單元。

[式（a4-4）中， R^f21 表示氫原子或甲基。 A^f21 表示-(CH₂ )_j1 -、-(CH₂ )_j2 -O-(CH₂ )_j3 -或-(CH₂ )_j4 -CO-O-(CH₂ )_j5 -。 j1～j5分別獨立地表示1～6的任一整數。 R^f22 表示具有氟原子的碳數1～10的飽和烴基。]

R^f22 中的飽和烴基可列舉與R^a42 所表示的飽和烴基相同者。R^f22 較佳為具有氟原子的碳數1～10的烷基或具有氟原子的碳數1～10的脂環式烴基，更佳為具有氟原子的碳數1～10的烷基，進而佳為具有氟原子的碳數1～6的烷基。式（a4-4）中，作為A^f21 ，較佳為-(CH₂ )_j1 -，更佳為伸乙基或亞甲基，進而佳為亞甲基。

作為式（a4-4）所表示的結構單元，例如可列舉以下結構單元及由以下式子所表示的結構單元中，將相當於結構單元（a4-4）中的R^f21 的甲基取代為氫原子的結構單元。

於樹脂（A）具有結構單元（a4）的情況下，相對於樹脂（A）的所有結構單元，其含有率較佳為1莫耳%～20莫耳%，更佳為2莫耳%～15莫耳%，進而佳為3莫耳%～10莫耳%。

〈結構單元（a5）〉作為結構單元（a5）具有的非脫離烴基，可列舉具有直鏈、分支或環狀的烴基的基。其中，結構單元（a5）較佳為具有脂環式烴基的基。作為結構單元（a5），例如可列舉式（a5-1）所表示的結構單元。

[式（a5-1）中， R⁵¹ 表示氫原子或甲基。 R⁵² 表示碳數3～18的脂環式烴基，該脂環式烴基中包含的氫原子可被碳數1～8的脂肪族烴基取代。 L⁵⁵ 表示單鍵或碳數1～18的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-。]

作為R⁵² 中的脂環式烴基，可為單環式及多環式的任一種。作為單環式的脂環式烴基，例如可列舉：環丙基、環丁基、環戊基及環己基。作為多環式的脂環式烴基，例如可列舉金剛烷基及降冰片基等。碳數1～8的脂肪族烴基例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基及2-乙基己基等烷基。作為具有取代基的脂環式烴基，可列舉3-甲基金剛烷基等。 R⁵² 較佳為未被取代的碳數3～18的脂環式烴基，更佳為金剛烷基、降冰片基或環己基。

作為L⁵⁵ 中的二價飽和烴基，可列舉二價鏈式飽和烴基及二價脂環式飽和烴基，較佳為二價鏈式飽和烴基。作為二價鏈式飽和烴基，例如可列舉：亞甲基、伸乙基、丙二基、丁二基及戊二基等烷二基。二價脂環式飽和烴基可為單環式及多環式的任一種。作為單環式的脂環式飽和烴基，可列舉環戊二基及環己二基等環烷二基。作為多環式的二價脂環式飽和烴基，可列舉金剛烷二基及降冰片烷二基等。

作為L⁵⁵ 表示的二價飽和烴基中包含的-CH₂ -被-O-或-CO-取代的基，例如可列舉式（L1-1）～式（L1-4）所表示的基。下述式中，*及**表示鍵結位，*表示與氧原子的鍵結位。

式（L1-1）中， X^x1 表示*-O-CO-或*-CO-O-（*表示與L^x1 的鍵結位）。 L^x1 表示碳數1～16的二價脂肪族飽和烴基。 L^x2 表示單鍵或碳數1～15的二價脂肪族飽和烴基。其中，L^x1 及L^x2 的合計碳數為16以下。式（L1-2）中， L^x3 表示碳數1～17的二價脂肪族飽和烴基。 L^x4 表示單鍵或碳數1～16的二價脂肪族飽和烴基。其中，L^x3 及L^x4 的合計碳數為17以下。式（L1-3）中， L^x5 表示碳數1～15的二價脂肪族飽和烴基。 L^x6 及L^x7 分別獨立地表示單鍵或碳數1～14的二價脂肪族飽和烴基。其中，L^x5 、L^x6 及L^x7 的合計碳數為15以下。式（L1-4）中， L^x8 及L^x9 表示單鍵或碳數1～12的二價脂肪族飽和烴基。 W^x1 表示碳數3～15的二價脂環式飽和烴基。其中，L^x8 、L^x9 及W^x1 的合計碳數為15以下。

L^x1 較佳為碳數1～8的二價脂肪族飽和烴基，更佳為亞甲基或伸乙基。 L^x2 較佳為單鍵或碳數1～8的二價脂肪族飽和烴基，更佳為單鍵。 L^x3 較佳為碳數1～8的二價脂肪族飽和烴基。 L^x4 較佳為單鍵或碳數1～8的二價脂肪族飽和烴基。 L^x5 較佳為碳數1～8的二價脂肪族飽和烴基，更佳為亞甲基或伸乙基。 L^x6 較佳為單鍵或碳數1～8的二價脂肪族飽和烴基，更佳為亞甲基或伸乙基。 L^x7 較佳為單鍵或碳數1～8的二價脂肪族飽和烴基。 L^x8 較佳為單鍵或碳數1～8的二價脂肪族飽和烴基，更佳為單鍵或亞甲基。 L^x9 較佳為單鍵或碳數1～8的二價脂肪族飽和烴基，更佳為單鍵或亞甲基。 W^x1 較佳為碳數3～10的二價脂環式飽和烴基，更佳為環己二基或金剛烷二基。

作為式（L1-1）所表示的基，例如可列舉以下所示的二價基。

作為式（L1-2）所表示的基，例如可列舉以下所示的二價基。

作為式（L1-3）所表示的基，例如可列舉以下所示的二價基。

作為式（L1-4）所表示的基，例如可列舉以下所示的二價基。

L⁵⁵ 較佳為單鍵或式（L1-1）所表示的基。

作為結構單元（a5-1），可列舉以下所示的結構單元及下述結構單元中的將相當於結構單元（a5-1）中的R⁵¹ 的甲基取代為氫原子的結構單元。

於樹脂（A）具有結構單元（a5）的情況下，相對於樹脂（A）的所有結構單元，其含有率較佳為1莫耳%～30莫耳%，更佳為2莫耳%～20莫耳%，進而佳為3莫耳%～15莫耳%。

〈結構單元（a6）〉結構單元（a6）為具有-SO₂ -基的結構單元，較佳為於側鏈具有-SO₂ -基。具有-SO₂ -基的結構單元可含有具有-SO₂ -基的直鏈狀結構，亦可含有具有-SO₂ -基的分支狀結構，抑或可含有具有-SO₂ -基的環狀結構（單環及多環結構）。較佳為含有具有-SO₂ -基的環狀結構的結構單元，更佳為具有包含-SO₂ -O-的環狀結構（磺內酯環）的結構單元。

作為磺內酯環，可列舉：下述式（T¹ -1）、式（T¹ -2）、式（T¹ -3）及式（T¹ -4）所表示的環。鍵結部位可設為任意的位置。磺內酯環可為單環式，但較佳為多環式。多環式的磺內酯環是指包含-SO₂ -O-作為構成環的原子團的橋聯環，可列舉式（T¹ -1）及式（T¹ -2）所表示的環。磺內酯環如式（T¹ -2）所表示的環般，作為構成環的原子團，除包含-SO₂ -O-以外亦可進而包含雜原子。作為雜原子，可列舉：氧原子、硫原子或氮原子，較佳為氧原子。

磺內酯環可具有取代基，作為取代基，可列舉：可具有鹵素原子或羥基的碳數1～12的烷基、鹵素原子、羥基、氰基、碳數1～12的烷氧基、碳數6～12的芳基、碳數7～12的芳烷基、縮水甘油氧基、碳數2～12的烷氧基羰基及碳數2～4的烷基羰基等。

作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。作為烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基及癸基，較佳為碳數1～6的烷基，更佳為甲基。作為具有鹵素原子的烷基，可列舉：三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基、全氟己基、三氯甲基、三溴甲基及三碘甲基，較佳為可列舉三氟甲基。作為具有羥基的烷基，可列舉羥基甲基及2-羥基乙基等的羥基烷基。作為烷氧基，可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、癸氧基及十二烷氧基。作為芳基，可列舉：苯基、萘基、蒽基、對甲基苯基、對第三丁基苯基、對金剛烷基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、聯苯基、菲基、2,6-二乙基苯基及2-甲基-6-乙基苯基。作為芳烷基，可列舉：苄基、苯乙基、苯基丙基、萘基甲基及萘基乙基。作為烷氧基羰基，可列舉甲氧基羰基、乙氧基羰基等將烷氧基與羰基鍵結而成的基，較佳為可列舉碳數6以下的烷氧基羰基，更佳為可列舉甲氧基羰基。作為烷基羰基，可列舉：乙醯基、丙醯基及丁醯基。

就容易製造導出結構單元（a6）的單體的觀點而言，較佳為不具有取代基的磺內酯環。作為磺內酯環，較佳為以下的式（T1'）所表示的環。

[式（T1'）中， X¹¹ 表示氧原子、硫原子或亞甲基。 R⁴¹ 表示可具有鹵素原子或羥基的碳數1～12的烷基、鹵素原子、羥基、氰基、碳數1～12的烷氧基、碳數6～12的芳基、碳數7～12的芳烷基、縮水甘油氧基、碳數2～12的烷氧基羰基或碳數2～4的烷基羰基。 ma表示0～9的任一整數。於ma為2以上時，多個R⁴¹ 可相同亦可不同。鍵結部位為任意的位置。] X¹¹ 較佳為氧原子或亞甲基，更佳為亞甲基。作為R⁴¹ ，可列舉與磺內酯環的取代基相同者，較佳為可具有鹵素原子或羥基的碳數1～12的烷基。

作為磺內酯環，更佳為式（T1）所表示的環。

[式（T1）中， R⁸ 表示可具有鹵素原子或羥基的碳數1～12的烷基、鹵素原子、羥基、氰基、碳數1～12的烷氧基、碳數6～12的芳基、碳數7～12的芳烷基、縮水甘油氧基、碳數2～12的烷氧基羰基或碳數2～4的烷基羰基。 m表示0～9的任一整數。於m為2以上時，多個R⁸ 可相同亦可不同。鍵結部位為任意的位置。]

R⁸ 可列舉與R⁴¹ 相同者。式（T1'）中的ma及式（T1）中的m較佳為0或1，更佳為0。

作為式（T1'）所表示的環及式（T1）所表示的環，可列舉以下的環。鍵結部位為任意的位置。

具有磺內酯環的結構單元較佳為具有下述基。下述基中的*表示鍵結部位。

具有-SO₂ -基的結構單元較佳為進而具有源自聚合性基的基。作為聚合性基，可列舉：乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯基胺基、甲基丙烯醯基胺基、丙烯醯基硫基、甲基丙烯醯基硫基等。其中，導出結構單元（a6）的單體較佳為具有乙烯性不飽和鍵的單體，更佳為(甲基)丙烯酸系單體。

結構單元（a6）較佳為式（Ix）所表示的結構單元。

[式（Ix）中，R^x 表示可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基、氫原子或鹵素原子。 A^xx 表示氧原子、-N(R^c )-或硫原子。 A^x 表示碳數1～18的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-CO-或-N(R^d )-。 X¹¹ 表示氧原子、硫原子或亞甲基。 R⁴¹ 表示可具有鹵素原子或羥基的碳數1～12的烷基、鹵素原子、羥基、氰基、碳數1～12的烷氧基、碳數6～12的芳基、碳數7～12的芳烷基、縮水甘油氧基、碳數2～12的烷氧基羰基或碳數2～4的烷基羰基。 ma表示0～9的任一整數。於ma為2以上時，多個R⁴¹ 可相同亦可不同。 R^c 及R^d 相互獨立地表示氫原子或碳數1～6的烷基。]

作為R^x 中的鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。作為R^x 中的烷基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基及正己基等，較佳為碳數1～4的烷基，更佳為甲基或乙基。作為R^x 中的具有鹵素原子的烷基，例如可列舉：三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基、全氟己基、三氯甲基、三溴甲基及三碘甲基等。 R^x 較佳為氫原子或碳數1～4的烷基，更佳為氫原子、甲基或乙基，進而佳為氫原子或甲基。

作為A^x 中的二價飽和烴基，可列舉：直鏈狀烷二基、分支狀烷二基、單環式或多環式的二價脂環式飽和烴基，亦可為將該些基中的兩種以上組合而成者。具體而言，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基、十三烷-1,13-二基、十四烷-1,14-二基、十五烷-1,15-二基、十六烷-1,16-二基、十七烷-1,17-二基、乙烷-1,1-二基、丙烷-1,1-二基及丙烷-2,2-二基等直鏈狀烷二基；丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支狀烷二基；環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等環烷二基即單環式的二價脂環式飽和烴基；降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基、金剛烷-2,6-二基等多環式的二價脂環式飽和烴基等。

R⁴¹ 、X¹¹ 及ma可列舉與式（T1'）相同者。作為磺內酯環，可列舉所述的磺內酯環，其中較佳為鍵結位置被確定的所述磺內酯環。

作為結構單元（a6），可列舉以下的結構單元。

其中，較佳為式（a6-1）、式（a6-2）、式（a6-6）、式（a6-7）、式（a6-8）及式（a6-12）所表示的結構單元，更佳為式（a6-1）、式（a6-2）、式（a6-7）及式（a6-8）所表示的結構單元。於樹脂（A）具有結構單元（a6）的情況下，相對於樹脂（A）的所有結構單元，其含有率較佳為1莫耳%～50莫耳%，更佳為2莫耳%～40莫耳%，進而佳為3莫耳%～30莫耳%。

＜結構單元（II）＞樹脂（A）可進而含有藉由曝光而分解並產生酸的結構單元（以下，有時稱為「結構單元（II）」）。作為結構單元（II），具體而言可列舉日本專利特開2016-79235號公報中記載的結構單元，較佳為側鏈具有磺酸酯基或羧酸酯基與有機陽離子的結構單元或者側鏈具有鋶基與有機陰離子的結構單元。

側鏈具有磺酸酯基或羧酸酯基與有機陽離子的結構單元較佳為式（II-2-A'）所表示的結構單元。

[式（II-2-A'）中， X^III3 表示碳數1～18的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-S-或-CO-，該飽和烴基中包含的氫原子可被鹵素原子、可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基或羥基取代。 A^x1 表示碳數1～8的烷二基，該烷二基中包含的氫原子可被氟原子或碳數1～6的全氟烷基取代。 RA^- 表示磺酸酯基或羧酸酯基。 R^III3 表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基。 ZA⁺ 表示有機陽離子。]

作為R^III3 所表示的鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。作為R^III3 所表示的可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基，可列舉與R^a8 所表示的可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基相同者。作為A^x1 所表示的碳數1～8的烷二基，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、乙烷-1,1-二基、丙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丙烷-2,2-二基、戊烷-2,4-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等。作為可被取代於A^x1 中的碳數1～6的全氟烷基，可列舉：三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基、全氟己基等。作為X^III3 所表示的碳數1～18的二價飽和烴基，可列舉直鏈或分支狀烷二基、單環式或多環式的二價脂環飽和烴基，亦可為該些的組合。具體而言，可列舉：亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基等直鏈狀烷二基；丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支狀烷二基；環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等環烷二基；降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基、金剛烷-2,6-二基等二價的多環式脂環式飽和烴基等。作為飽和烴基中包含的-CH₂ -被-O-、-S-或-CO-取代者，例如可列舉式（X1）～式（X53）所表示的二價基。其中，飽和烴基中包含的-CH₂ -被-O-、-S-或-CO-取代之前的碳數分別為17以下。下述式中，*及**表示鍵結位，*表示與A^x1 的鍵結位。

X³ 表示二價的碳數1～16的飽和烴基。 X⁴ 表示二價的碳數1～15的飽和烴基。 X⁵ 表示二價的碳數1～13的飽和烴基。 X⁶ 表示二價的碳數1～14的飽和烴基。 X⁷ 表示三價的碳數1～14的飽和烴基。 X⁸ 表示二價的碳數1～13的飽和烴基。

式（II-2-A'）中的ZA⁺ 可列舉與酸產生劑（B1）中的陽離子Z1⁺ 相同者。

式（II-2-A'）所表示的結構單元較佳為式（II-2-A）所表示的結構單元。

[式（II-2-A）中， R^III3 、X^III3 及ZA⁺ 表示與所述相同的含義。 z2A表示0～6的任一整數。 R^III2 及R^III4 分別獨立地表示氫原子、氟原子或碳數1～6的全氟烷基，於z2A為2以上時，多個R^III2 及R^III4 相互可相同，亦可不同。 Q^a 及Q^b 分別獨立地表示氟原子或碳數1～6的全氟烷基。] 作為R^III2 、R^III4 、Q^a 及Q^b 所表示的碳數1～6的全氟烷基，可列舉與所述的Q^b1 所表示的碳數1～6的全氟烷基相同者。

式（II-2-A）所表示的結構單元較佳為式（II-2-A-1）所表示的結構單元。

[式（II-2-A-1）中， R^III2 、R^III3 、R^III4 、Q^a 、Q^b 及ZA⁺ 表示與所述相同的含義。 R^III5 表示碳數1～12的飽和烴基。 z2A1表示0～6的任一整數。 X^I2 表示碳數1～11的二價飽和烴基，該飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-S-或-CO-，該飽和烴基中包含的氫原子可被鹵素原子或羥基取代。] 作為R^III5 所表示的碳數1～12的飽和烴基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基及十二烷基等直鏈或分支的烷基。作為X^I2 所表示的二價飽和烴基，可列舉與X^III3 所表示的二價飽和烴基相同者。

作為式（II-2-A-1）所表示的結構單元，進而佳為式（II-2-A-2）所表示的結構單元。

[式（II-2-A-2）中， R^III3 、R^III5 及ZA⁺ 表示與所述相同的含義。 mA及nA分別獨立地表示1或2。]

作為式（II-2-A'）所表示的結構單元，例如可列舉以下結構單元、將相當於R^III3 的甲基的基取代為氫原子、鹵素原子（例如，氟原子）或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基（例如，三氟甲基等）的結構單元及國際公開第2012/050015號記載的結構單元。ZA⁺ 表示有機陽離子。

側鏈具有鋶基與有機陰離子的結構單元較佳為式（II-1-1）所表示的結構單元。

[式（II-1-1）中， A^II1 表示單鍵或二價連結基。 R^II1 表示碳數6～18的二價芳香族烴基。 R^II2 及R^II3 分別獨立地表示碳數1～18的烴基，R^II2 及R^II3 可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一同形成環。 R^II4 表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基。 A^- 表示有機陰離子。] 作為R^II1 所表示的碳數6～18的二價芳香族烴基，可列舉伸苯基及伸萘基等。作為R^II2 及R^II3 所表示的烴基，可列舉：烷基、脂環式烴基、芳香族烴基及藉由將該些組合而形成的基等。作為R^II4 所表示的鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。作為R^II4 所表示的可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基，可列舉與R^a8 所表示的可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基相同者。作為A^II1 所表示的二價連結基，例如可列舉碳數1～18的二價飽和烴基，該二價飽和烴基中包含的-CH₂ -可被-O-、-S-或-CO-取代。具體而言，可列舉與X^III3 所表示的碳數1～18的二價飽和烴基相同者。

作為式（II-1-1）中的包含陽離子的結構單元，可列舉以下所表示的結構單元及將相當於R^II4 的甲基的基取代為氫原子、氟原子、三氟甲基等的結構單元等。

作為A^- 所表示的有機陰離子，可列舉：磺酸根陰離子、磺醯基醯亞胺陰離子、磺醯基甲基化物陰離子及羧酸根陰離子等。A^- 所表示的有機陰離子較佳為磺酸根陰離子，作為磺酸根陰離子，更佳為所述的式（B1）所表示的鹽中包含的陰離子。

作為A^- 所表示的磺醯基醯亞胺陰離子，可列舉以下者。

作為磺醯基甲基化物陰離子，可列舉以下者。

作為羧酸根陰離子，可列舉以下者。

作為式（II-1-1）所表示的結構單元，可列舉以下所表示的結構單元等。

樹脂（A）中，相對於樹脂（A）的所有結構單元，含有結構單元（II）時的結構單元（II）的含有率較佳為1莫耳%～20莫耳%，更佳為2莫耳%～15莫耳%，進而佳為3莫耳%～10莫耳%。

樹脂（A）可具有所述結構單元以外的結構單元，作為此種結構單元，可列舉該技術領域中周知的結構單元。

樹脂（A）較佳為包含結構單元（a1）與結構單元（s）的樹脂。結構單元（a1）較佳為選自由結構單元（a1-0）、結構單元（a1-1）及結構單元（a1-2）（較佳為具有環己基、及環戊基的該結構單元）所組成的群組中的至少一種，更佳為至少兩種。結構單元（s）較佳為選自由結構單元（a2）及結構單元（a3）所組成的群組中的至少一種。結構單元（a2）較佳為式（a2-A）所表示的結構單元或式（a2-1）所表示的結構單元。結構單元（a3）較佳為選自由式（a3-1）所表示的結構單元、式（a3-2）所表示的結構單元及式（a3-4）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種。

構成樹脂（A）的各結構單元可僅使用一種或組合使用兩種以上，可使用導出該些結構單元的單體，藉由公知的聚合法（例如自由基聚合法）進行製造。樹脂（A）具有的各結構單元的含有率可藉由聚合中使用的單體的使用量來調整。樹脂（A）的重量平均分子量較佳為2,000以上（更佳為2,500以上，進而佳為3,000以上）且50,000以下（更佳為30,000以下，進而佳為15,000以下）。本說明書中，重量平均分子量為利用凝膠滲透層析法以實施例中記載的條件而求出的值。

＜樹脂（A）以外的樹脂＞本發明的抗蝕劑組成物可併用樹脂（A）以外的樹脂。作為樹脂（A）以外的樹脂，例如可列舉含有結構單元（a4）或結構單元（a5）的樹脂（以下，有時稱為「樹脂（X）」）等。其中，作為樹脂（X），較佳為包含結構單元（a4）的樹脂。樹脂（X）中，相對於樹脂（X）的所有結構單元的合計，結構單元（a4）的含有率較佳為30莫耳%以上，更佳為40莫耳%以上，進而佳為45莫耳%以上。作為樹脂（X）可進而具有的結構單元，可列舉結構單元（a2）、結構單元（a3）及源自其他公知的單體的結構單元。其中，樹脂（X）較佳為僅包含結構單元（a4）及/或結構單元（a5）的樹脂，更佳為僅包含結構單元（a4）的樹脂。構成樹脂（X）的各結構單元可僅使用一種或組合使用兩種以上，可使用衍生出該些結構單元的單體，藉由公知的聚合法（例如自由基聚合法）進行製造。樹脂（X）具有的各結構單元的含有率可藉由聚合中使用的單體的使用量來調整。樹脂（X）的重量平均分子量較佳為6,000以上（更佳為7,000以上）且80,000以下（更佳為60,000以下）。樹脂（X）的重量平均分子量的測定手段與樹脂（A）的情況相同。另外，於抗蝕劑組成物包含樹脂（X）的情況下，相對於樹脂（A）100質量份，其含量較佳為1質量份～60質量份，更佳為1質量份～50質量份，進而佳為1質量份～40質量份，進而更佳為1質量份～30質量份，特佳為1質量份～8質量份。

相對於抗蝕劑組成物的固體成分，抗蝕劑組成物中的樹脂（A）的含有率較佳為80質量%以上且99質量%以下，更佳為90質量%以上且99質量%以下。另外，於包含樹脂（A）以外的樹脂的情況下，相對於抗蝕劑組成物的固體成分，樹脂（A）與樹脂（A）以外的樹脂的合計含有率較佳為80質量%以上且99質量%以下，更佳為90質量%以上且99質量%以下。本說明書中，所謂「抗蝕劑組成物的固體成分」是指自抗蝕劑組成物的總量除後述的溶劑（E）以外的成分的合計。抗蝕劑組成物的固體成分及樹脂相對於其的含有率可藉由液相層析法或氣相層析法等公知的分析手段進行測定。

＜溶劑（E）＞於抗蝕劑組成物中，溶劑（E）的含有率通常為90質量%以上且99.9質量%以下，較佳為92質量%以上且99質量%以下，更佳為94質量%以上且99質量%以下。溶劑（E）的含有率例如可藉由液相層析法或氣相層析法等公知的分析手段進行測定。作為溶劑（E），可列舉：乙基賽璐蘇乙酸酯、甲基賽璐蘇乙酸酯及丙二醇單甲醚乙酸酯等二醇醚酯類；丙二醇單甲醚等二醇醚類；乳酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯及丙酮酸乙酯等酯類；丙酮、甲基異丁基酮、2-庚酮及環己酮等酮類；γ-丁內酯等環狀酯類等。可單獨使用溶劑（E）的一種，亦可使用兩種以上。

＜淬滅劑（C）＞淬滅劑（C）可列舉鹼性的含氮有機化合物或產生較自酸產生劑（B）所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽（其中，式（I）所表示的羧酸鹽除外）。於抗蝕劑組成物含有淬滅劑（C）的情況下，以抗蝕劑組成物的固體成分量為基準，淬滅劑（C）的含量較佳為0.01質量%～15質量%左右，更佳為0.01質量%～10質量%左右，進而佳為0.1質量%～5質量%左右，進而更佳為0.1質量%～3質量%左右。作為鹼性的含氮有機化合物，可列舉胺及銨鹽。作為胺，可列舉脂肪族胺及芳香族胺。作為脂肪族胺，可列舉一級胺、二級胺及三級胺。作為胺，可列舉：1-萘基胺、2-萘基胺、苯胺、二異丙基苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺或4-甲基苯胺、4-硝基苯胺、N-甲基苯胺、N,N-二甲基苯胺、二苯基胺、己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、二丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、三乙胺、三甲胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三庚胺、三辛胺、三壬胺、三癸胺、甲基二丁胺、甲基二戊胺、甲基二己胺、甲基二環己胺、甲基二庚胺、甲基二辛胺、甲基二壬胺、甲基二癸胺、乙基二丁胺、乙基二戊胺、乙基二己胺、乙基二庚胺、乙基二辛胺、乙基二壬胺、乙基二癸胺、二環己基甲胺、三〔2-(2-甲氧基乙氧基)乙基〕胺、三異丙醇胺、乙二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、4,4'-二胺基-1,2-二苯基乙烷、4,4'-二胺基-3,3'-二甲基二苯基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二乙基二苯基甲烷、2,2'-亞甲基雙苯胺、咪唑、4-甲基咪唑、吡啶、4-甲基吡啶、1,2-二(2-吡啶基)乙烷、1,2-二(4-吡啶基)乙烷、1,2-二(2-吡啶基)乙烯、1,2-二(4-吡啶基)乙烯、1,3-二(4-吡啶基)丙烷、1,2-二(4-吡啶基氧基)乙烷、二(2-吡啶基)酮、4,4'-二吡啶基硫醚、4,4'-二吡啶基二硫醚、2,2'-二吡啶基胺、2,2'-二甲基吡啶胺、聯吡啶等，較佳為可列舉二異丙基苯胺等芳香族胺，更佳為可列舉2,6-二異丙基苯胺。作為銨鹽，可列舉：四甲基氫氧化銨、四異丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、四己基氫氧化銨、四辛基氫氧化銨、苯基三甲基氫氧化銨、3-(三氟甲基)苯基三甲基氫氧化銨、四-正丁基水楊酸銨及膽鹼等。

產生較自酸產生劑（B）所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽中的酸性度以酸解離常數（pKa）來表示。產生較自酸產生劑（B）所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽為自該鹽所產生的酸的酸解離常數通常為-3＜pKa的鹽，較佳為-1＜pKa＜7的鹽，更佳為0＜pKa＜5的鹽。作為產生較自酸產生劑（B）所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽，可列舉：下述式所表示的鹽、日本專利特開2015-147926號公報記載的由式（D）所表示的鹽（以下，有時稱為「弱酸分子內鹽（D）」）、以及日本專利特開2012-229206號公報、日本專利特開2012-6908號公報、日本專利特開2012-72109號公報、日本專利特開2011-39502號公報及日本專利特開2011-191745號公報記載的鹽。作為產生較自酸產生劑（B）所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽，較佳為產生較自酸產生劑（B）所產生的酸而言酸性度更弱的羧酸的鹽（具有羧酸根陰離子的鹽），更佳為弱酸分子內鹽（D）。

作為弱酸分子內鹽（D），可列舉以下鹽。

〈其他成分〉本發明的抗蝕劑組成物視需要亦可含有所述成分以外的成分（以下有時稱為「其他成分（F）」）。其他成分（F）並無特別限定，可利用抗蝕劑領域中公知的添加劑，例如增感劑、溶解抑制劑、界面活性劑、穩定劑、染料等。

〈抗蝕劑組成物的製備〉本發明的抗蝕劑組成物可藉由混合羧酸鹽（I）及樹脂（A）、酸產生劑（B）、以及視需要混合樹脂（A）以外的樹脂、溶劑（E）、淬滅劑（C）及其他成分（F）而製備。混合順序為任意，並無特別限定。混合時的溫度可自10℃～40℃，根據樹脂等的種類或樹脂等對溶劑（E）的溶解度等而選擇適當的溫度。混合時間可根據混合溫度，自0.5小時～24小時中選擇適當的時間。再者，混合手段亦無特別限制，可使用攪拌混合等。於將各成分混合後，較佳為使用孔徑0.003 μm～0.2 μm左右的過濾器進行過濾。

〈抗蝕劑圖案的製造方法〉本發明的抗蝕劑圖案的製造方法包括：（1）將本發明的抗蝕劑組成物塗佈於基板上的步驟；（2）使塗佈後的組成物乾燥而形成組成物層的步驟；（3）對組成物層進行曝光的步驟；（4）將曝光後的組成物層加熱的步驟；以及（5）將加熱後的組成物層顯影的步驟。將抗蝕劑組成物塗佈於基板上時，可藉由旋塗機等通常所使用的裝置來進行。作為基板，可列舉矽晶圓等無機基板。於塗佈抗蝕劑組成物之前，可清洗基板，亦可於基板上形成抗反射膜等。藉由將塗佈後的組成物乾燥而去除溶劑，形成組成物層。乾燥例如藉由使用加熱板等加熱裝置來使溶劑蒸發（所謂的預烘烤）而進行，或者使用減壓裝置來進行。加熱溫度較佳為50℃～200℃，加熱時間較佳為10秒鐘～180秒鐘。另外，進行減壓乾燥時的壓力較佳為1 Pa～1.0×10⁵ Pa左右。對於所獲得的組成物層，通常使用曝光機進行曝光。曝光機可為液浸曝光機。作為曝光光源，可使用KrF準分子雷射（波長248 nm）、ArF準分子雷射（波長193 nm）、F₂ 準分子雷射（波長157 nm）般的放射紫外區域的雷射光者；對來自固體雷射光源（YAG或半導體雷射等）的雷射光進行波長變換而放射遠紫外區域或真空紫外區域的高次諧波雷射光者；照射電子束、或超紫外光（EUV）者等各種曝光光源。再者，本說明書中，有時將照射該些放射線的情況總稱為「曝光」。曝光時，通常介隔相當於所要求的圖案的遮罩來進行曝光。於曝光光源為電子束的情況下，亦可不使用遮罩而藉由直接描繪來進行曝光。為了促進酸不穩定基的脫保護反應，對曝光後的組成物層進行加熱處理（所謂的曝光後烘烤（post exposure bake））。加熱溫度通常為50℃～200℃左右，較佳為70℃～150℃左右。通常使用顯影裝置，並利用顯影液來對加熱後的組成物層進行顯影。作為顯影方法，可列舉：浸漬法、覆液法、噴霧法、動態分配（dynamic dispense）法等。顯影溫度例如較佳為5℃～60℃，顯影時間例如較佳為5秒鐘～300秒鐘。藉由如以下般選擇顯影液的種類，可製造正型抗蝕劑圖案或負型抗蝕劑圖案。於由本發明的抗蝕劑組成物製造正型抗蝕劑圖案的情況下，作為顯影液，使用鹼性顯影液。鹼性顯影液只要為該領域中所使用的各種鹼性水溶液即可。例如，可列舉四甲基氫氧化銨或(2-羥乙基)三甲基氫氧化銨（通稱膽鹼）的水溶液等。鹼性顯影液中亦可包含界面活性劑。較佳為利用超純水對顯影後的抗蝕劑圖案進行清洗，繼而，將基板及圖案上所殘存的水去除。於由本發明的抗蝕劑組成物製造負型抗蝕劑圖案的情況下，作為顯影液，使用包含有機溶劑的顯影液（以下有時稱為「有機系顯影液」）。作為有機系顯影液中包含的有機溶劑，可列舉：2-己酮、2-庚酮等酮溶劑；丙二醇單甲醚乙酸酯等二醇醚酯溶劑；乙酸丁酯等酯溶劑；丙二醇單甲醚等二醇醚溶劑；N,N-二甲基乙醯胺等醯胺溶劑；苯甲醚等芳香族烴溶劑等。有機系顯影液中，有機溶劑的含有率較佳為90質量%以上且100質量%以下，更佳為95質量%以上且100質量%以下，進而佳為實質上僅為有機溶劑。其中，作為有機系顯影液，較佳為包含乙酸丁酯及/或2-庚酮的顯影液。有機系顯影液中，乙酸丁酯及2-庚酮的合計含有率較佳為50質量%以上且100質量%以下，更佳為90質量%以上且100質量%以下，進而佳為實質上僅為乙酸丁酯及/或2-庚酮。有機系顯影液中亦可包含界面活性劑。另外，有機系顯影液中亦可包含微量的水分。於顯影時，亦可藉由置換為種類與有機系顯影液不同的溶劑而停止顯影。較佳為利用淋洗液來對顯影後的抗蝕劑圖案進行清洗。作為淋洗液，只要為不溶解抗蝕劑圖案者則並無特別限制，可使用包含一般的有機溶劑的溶液，較佳為醇溶劑或酯溶劑。於清洗後，較佳為將基板及圖案上所殘存的淋洗液去除。

〈用途〉本發明的抗蝕劑組成物適合作為KrF準分子雷射曝光用的抗蝕劑組成物、ArF準分子雷射曝光用的抗蝕劑組成物、電子束（electron beam，EB）曝光用的抗蝕劑組成物或EUV曝光用的抗蝕劑組成物，特別適合作為電子束（EB）曝光用的抗蝕劑組成物或EUV曝光用的抗蝕劑組成物，於半導體的微細加工中有用。 [實施例]

列舉實施例來對本發明進行更具體的說明。例中，表示含量或使用量的「%」及「份」只要無特別記載，則為質量基準。重量平均分子量為藉由凝膠滲透層析法以下述條件而求出的值。裝置：HLC-8120GPC型（東曹公司製造）管柱：TSK凝膠多孔（TSKgel Multipore）H_XL -M × 3+保護管柱（guardcolumn）（東曹公司製造）溶離液：四氫呋喃流量：1.0 mL/min 檢測器：RI檢測器管柱溫度：40℃ 注入量：100 μl 分子量標準：標準聚苯乙烯（東曹公司製造）另外，化合物的結構是藉由使用質量分析（LC為安捷倫（Agilent）製造的1100型、MASS為安捷倫（Agilent）製造的LC/MSD型），測定分子離子峰值而確認。以下的實施例中，以「MASS」來表示該分子離子峰值的值。

實施例1：式（I-1）所表示的羧酸鹽的合成

將式（I-1-a）所表示的化合物2.50份、碳酸鉀6.10份、碘8.22份及甲醇12.50份混合，於23℃下攪拌6小時。於所獲得的混合物中添加飽和硫酸氫鈉水溶液30份及氯仿60份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入離子交換水30份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該水洗操作進行五次。將所獲得的有機層加以濃縮，使用管柱（矽膠60N（球狀、中性）100 μm-210 μm；關東化學（股）製造，展開溶媒：正庚烷/乙酸乙酯=1/1）對濃縮混合物進行分取，藉此獲得式（I-1-b）所表示的鹽1.84份。

將式（I-1-b）所表示的化合物0.78份、氯仿2.22份及三氟乙酸12份混合，於23℃下攪拌30分鐘後，冷卻至0℃為止。於所獲得的混合物中滴加31%過氧化氫水0.35份，進而於23℃下攪拌7小時。於所獲得的混合物中添加氯仿30份及離子交換水30份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入吡啶0.26份，於23℃下攪拌30分鐘後，加入飽和草酸水溶液30份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入離子交換水30份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該水洗操作進行五次。將所獲得的有機層加以濃縮，使用管柱（矽膠60N（球狀、中性）100 μm-210 μm；關東化學（股）製造，展開溶媒：正庚烷/乙酸乙酯=1/1）對濃縮混合物進行分取，藉此獲得式（I-1-c）所表示的鹽0.60份。

將式（I-1-c）所表示的化合物0.22份、氯仿20份、式（I-1-d）所表示的化合物0.07份及三氟甲磺酸0.15份混合，於23℃下攪拌30分鐘後，冷卻至5℃為止。於所獲得的混合物中滴加三氟乙酸酐0.21份，進而於23℃下攪拌6小時。於所獲得的混合物中添加離子交換水20份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%氫氧化鈉水溶液20份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將所獲得的有機層濃縮後，以甲醇作為展開溶劑將濃縮物通入離子交換樹脂（奧德里奇（Aldrich）（QAE Sephadex（註冊商標）A-25氯型（chloride form）））。將所獲得的通液溶液濃縮後，加入氯仿10份及5%氫氧化鈉水溶液10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%草酸水溶液10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入離子交換水10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該水洗操作進行五次。將所獲得的有機層加以濃縮，藉此獲得式（I-1）所表示的鹽0.09份。 MASS（ESI（+）Spectrum）：305.1 [M+H]⁺

實施例2：式（I-17）所表示的羧酸鹽的合成

將式（I-1-c）所表示的化合物0.11份、氯仿10份、式（I-17-d）所表示的化合物0.046份及三氟甲磺酸0.08份混合，於23℃下攪拌30分鐘後，冷卻至5℃為止。於所獲得的混合物中滴加三氟乙酸酐0.11份，進而於23℃下攪拌6小時。於所獲得的混合物中添加離子交換水10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%氫氧化鈉水溶液20份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將所獲得的有機層濃縮後，以甲醇作為展開溶劑將濃縮物通入離子交換樹脂（奧德里奇（Aldrich）（QAE Sephadex（註冊商標）A-25氯型（chloride form）））。將所獲得的通液溶液濃縮後，加入氯仿10份及5%氫氧化鈉水溶液10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%草酸水溶液10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入離子交換水10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該水洗操作進行五次。將所獲得的有機層加以濃縮，藉此獲得式（I-17）所表示的鹽0.04份。 MASS（ESI（+）Spectrum）：335.1 [M+H]⁺

實施例3：式（I-39）所表示的羧酸鹽的合成

將式（I-1-a）所表示的化合物50份、碳酸鉀120.73份、碘162.60份及甲醇750份混合，於23℃下攪拌3小時。於所獲得的混合物中添加30%硫酸氫鈉水溶液167份及氯仿550份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入離子交換水300份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該水洗操作進行五次。將所獲得的有機層加以濃縮，藉此獲得式（I-1-b）所表示的鹽56.89份。

將式（I-1-b）所表示的化合物56.42份及三氟乙酸231.72份混合，於23℃下攪拌30分鐘後，冷卻至0℃為止。於所獲得的混合物中滴加31%過氧化氫水25.55份，進而於23℃下攪拌3小時。於所獲得的混合物中添加氯仿600份及離子交換水600份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入飽和碳酸氫鈉水溶液600份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入離子交換水600份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該水洗操作進行五次。將所獲得的有機層加以濃縮，藉此獲得式（I-1-c）所表示的鹽57.80份。

將式（I-1-c）所表示的化合物2.70份、氯仿10份、式（I-39-d）所表示的化合物1.42份及三氟甲磺酸1.88份混合，於23℃下攪拌30分鐘後，冷卻至5℃為止。於所獲得的混合物中滴加三氟乙酸酐2.64份，進而於23℃下攪拌6小時。於所獲得的混合物中添加離子交換水18份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%氫氧化鈉水溶液10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將所獲得的有機層濃縮後，以甲醇作為展開溶劑將濃縮物通入離子交換樹脂（奧德里奇（Aldrich）（QAE Sephadex（註冊商標）A-25氯型（chloride form）））。將所獲得的通液溶液濃縮後，加入氯仿10份及離子交換水10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%草酸水溶液10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入離子交換水10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該水洗操作進行三次。將所獲得的有機層加以濃縮，藉此獲得式（I-39）所表示的鹽1.59份。 MASS（ESI（+）Spectrum）：363.1 [M+H]⁺

實施例4：式（I-23）所表示的羧酸鹽的合成

將式（I-1-c）所表示的化合物2.70份、氯仿10份、式（I-23-d）所表示的化合物1.11份及三氟甲磺酸1.88份混合，於23℃下攪拌30分鐘後，冷卻至5℃為止。於所獲得的混合物中滴加三氟乙酸酐2.64份，進而於23℃下攪拌6小時。於所獲得的混合物中添加離子交換水18份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%氫氧化鈉水溶液10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將所獲得的有機層濃縮後，以甲醇作為展開溶劑將濃縮物通入離子交換樹脂（奧德里奇（Aldrich）（QAE Sephadex（註冊商標）A-25氯型（chloride form）））。將所獲得的通液溶液濃縮後，加入氯仿10份及離子交換水10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%草酸水溶液10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入離子交換水10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該水洗操作進行三次。將所獲得的有機層加以濃縮，藉此獲得式（I-23）所表示的鹽1.28份。 MASS（ESI（+）Spectrum）：333.1 [M+H]⁺

實施例5：式（I-40）所表示的羧酸鹽的合成

將式（I-1-c）所表示的化合物8.92份、氯仿30份、式（I-40-d）所表示的化合物9.36份及三氟甲磺酸6.85份混合，於23℃下攪拌30分鐘後，冷卻至5℃為止。於所獲得的混合物中滴加三氟乙酸酐9.58份，進而於23℃下攪拌6小時。於所獲得的混合物中添加離子交換水65份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%氫氧化鈉水溶液37份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%草酸水溶液40份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該清洗操作進行兩次。於所獲得的有機層中加入離子交換水50份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該水洗操作進行五次。將所獲得的有機層濃縮後，於濃縮殘渣中加入乙腈34份及第三丁基甲醚170份，於23℃下攪拌30分鐘後進行過濾，藉此獲得式（I-40）所表示的鹽6.08份。 MASS（ESI（+）Spectrum）：473.0 [M+H]⁺

實施例6：式（I-37）所表示的羧酸鹽的合成

將式（I-1-c）所表示的化合物10份、氯仿30份、式（I-37-d）所表示的化合物6.28份及三氟甲磺酸6.97份混合，於23℃下攪拌30分鐘後，冷卻至5℃為止。於所獲得的混合物中滴加三氟乙酸酐9.76份，進而於23℃下攪拌6小時。於所獲得的混合物中添加離子交換水65份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%氫氧化鈉水溶液37份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將所獲得的有機層濃縮後，以甲醇作為展開溶劑將濃縮物通入離子交換樹脂（奧德里奇（Aldrich）（QAE Sephadex（註冊商標）A-25氯型（chloride form）））。將所獲得的通液溶液濃縮後，加入氯仿40份及離子交換水10份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%氫氧化鈉水溶液95份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。於所獲得的有機層中加入5%草酸水溶液95份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該清洗操作進行兩次。於所獲得的有機層中加入離子交換水95份，於23℃下攪拌30分鐘並進行分液，藉此獲得有機層。將該水洗操作進行五次。將所獲得的有機層濃縮後，於濃縮殘渣中加入乙腈10份及第三丁基甲醚100份，於23℃下攪拌30分鐘後進行過濾，藉此獲得式（I-37）所表示的鹽8.19份。 MASS（ESI（+）Spectrum）：389.0 [M+H]⁺

樹脂的合成將樹脂（A）的合成中使用的化合物（單體）示於下述。以下，將該些化合物對應於其式編號而稱為「單體（a1-1-3）」等。

合成例1〔樹脂A1的合成〕作為單體，使用單體（a1-4-2）、單體（a1-1-3）及單體（a1-2-6），以其莫耳比〔單體（a1-4-2）：單體（a1-1-3）：單體（a1-2-6）〕成為38：24：38的比例的方式混合，進而於該單體混合物中，相對於所有單體的合計質量而混合1.5質量倍的甲基異丁基酮。於所獲得的混合物中，以相對於所有單體的合計莫耳數而成為7 mol%的方式添加作為起始劑的偶氮雙異丁腈，藉由將其於85℃下加熱約5小時來進行聚合。之後，於聚合反應液中加入相對於所有單體的合計質量而為2.0質量倍的對甲苯磺酸水溶液（2.5重量%），攪拌6小時後進行分液。將所獲得的有機層注入至大量的正庚烷中使樹脂析出，進行過濾、回收，藉此以產率78%獲得重量平均分子量為約5.3×10³ 的樹脂A1（共聚物）。該樹脂A1為具有以下結構單元者。

合成例2〔樹脂A2的合成〕作為單體，使用單體（a1-4-2）及單體（a1-2-6），以其莫耳比〔單體（a1-4-2）：單體（a1-2-6）〕成為38：62的比例的方式混合，進而於該單體混合物中，相對於所有單體的合計質量而混合1.5質量倍的甲基異丁基酮。於所獲得的混合物中，以相對於所有單體的合計莫耳數而成為7 mol%的方式添加作為起始劑的偶氮雙異丁腈，藉由將其於85℃下加熱約5小時來進行聚合。之後，於聚合反應液中加入相對於所有單體的合計質量而為2.0質量倍的對甲苯磺酸水溶液（2.5重量%），攪拌6小時後進行分液。將所獲得的有機層注入至大量的正庚烷中使樹脂析出，進行過濾、回收，藉此以產率89%獲得重量平均分子量為約5.4×10³ 的樹脂A2（共聚物）。該樹脂A2為具有以下結構單元者。

合成例3〔樹脂A3的合成〕作為單體，使用單體（a1-1-3）、單體（a1-2-6）、單體（a2-1-3）、單體（a3-4-2）及單體（aa1-4-2），以其莫耳比〔單體（a1-1-3）：單體（a1-2-6）：單體（a2-1-3）：單體（a3-4-2）：單體（a1-4-2）〕成為20：35：3：15：27的比例的方式混合，進而於該單體混合物中，相對於所有單體的合計質量而混合1.5質量倍的甲基異丁基酮。於所獲得的混合物中，相對於所有單體量而各自添加1.2 mol%及3.6 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，將該些於73℃下加熱約5小時。之後，於聚合反應液中加入相對於所有單體的合計質量而為2.0質量倍的對甲苯磺酸水溶液（2.5重量%），攪拌12小時後進行分液。將所回收的有機層注入至大量的正庚烷中使樹脂析出，進行過濾、回收，藉此以產率63%獲得重量平均分子量為約5.3×10³ 的樹脂A3。該樹脂A3為具有以下結構單元者。

合成例4〔樹脂A4的合成〕作為單體，使用單體（a1-1-3）、單體（a1-2-6）、單體（a2-1-3）、單體（a3-4-2）及單體（a1-4-13），以其莫耳比〔單體（a1-1-3）：單體（a1-2-6）：單體（a2-1-3）：單體（a3-4-2）：單體（a1-4-13）〕成為20：35：3：15：27的比例的方式混合，進而於該單體混合物中，相對於所有單體的合計質量而混合1.5質量倍的甲基異丁基酮。於所獲得的混合物中，相對於所有單體量而各自添加1.2 mol%及3.6 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)，將該些於73℃下加熱約5小時。之後，於聚合反應液中加入相對於所有單體的合計質量而為2.0質量倍的對甲苯磺酸水溶液（2.5重量%），攪拌12小時後進行分液。將所回收的有機層注入至大量的正庚烷中使樹脂析出，進行過濾、回收，藉此以產率61%獲得重量平均分子量為約5.1×10³ 的樹脂A4。該樹脂A4為具有以下結構單元者。

＜抗蝕劑組成物的製備＞如表1所示，將以下的各成分混合並利用孔徑0.2 μm的氟樹脂製過濾器對所獲得的混合物進行過濾，藉此製備抗蝕劑組成物。 [表1]

抗蝕劑組成物	樹脂	酸產生劑	鹽（I）	淬滅劑（C）	PB/PEB
組成物1	A1=10份	B1-43=3.4份	I-1=0.7份	---	110℃/120℃
組成物2	A1=10份	B1-43=3.4份	I-1=0.5份	C1=0.2份	110℃/120℃
組成物3	A1=10份	B1-43=3.4份	I-1=0.9份	---	110℃/120℃
組成物4	A2=10份	B1-43=3.4份	I-1=0.9份	---	110℃/120℃
組成物5	A1=10份	B1-43=3.4份	I-17=0.7份	---	110℃/120℃
組成物6	A1=10份	B1-43=3.4份	I-17=0.5份	C1=0.2份	110℃/120℃
組成物7	A1=10份	B1-43=3.4份	I-17=0.9份	---	110℃/120℃
組成物8	A2=10份	B1-43=3.4份	I-17=0.9份	---	110℃/120℃
組成物9	A2=10份	B1-43=3.4份	I-23=0.9份	---	110℃/120℃
組成物10	A2=10份	B1-43=3.4份	I-37=0.9份	---	110℃/120℃
組成物11	A2=10份	B1-43=3.4份	I-39=0.9份	---	110℃/120℃
組成物12	A2=10份	B1-43=3.4份	I-40=0.9份	---	110℃/120℃
組成物13	A4=10份	B1-43=3.4份	I-1=0.9份	---	110℃/120℃
組成物14	A3=10份	B1-43=3.4份	I-1=0.9份	---	110℃/120℃
組成物15	A3=10份	B1-43=3.4份	I-17=0.9份	---	110℃/120℃
組成物16	A3=10份	B1-43=3.4份	I-23=0.9份	---	110℃/120℃
組成物17	A3=10份	B1-43=3.4份	I-37=0.9份	---	110℃/120℃
組成物18	A3=10份	B1-43=3.4份	I-39=0.9份	---	110℃/120℃
組成物19	A3=10份	B1-43=3.4份	I-40=0.9份	---	110℃/120℃
比較組成物1	A1=10份	B1-43=3.4份	---	IX-1=0.7份	110℃/120℃
比較組成物2	A1=10份	B1-43=3.4份	---	IX-2=0.7份	110℃/120℃
比較組成物3	A1=10份	B1-43=3.4份	---	IX-1=0.9份	110℃/120℃
比較組成物4	A1=10份	B1-43=3.4份	---	IX-2=0.9份	110℃/120℃
比較組成物5	A2=10份	B1-43=3.4份	---	IX-1=0.9份	110℃/120℃
比較組成物6	A2=10份	B1-43=3.4份	---	IX-2=0.9份	110℃/120℃
比較組成物7	A3=10份	B1-43=3.4份	---	IX-1=0.9份	110℃/120℃
比較組成物8	A3=10份	B1-43=3.4份	---	IX-2=0.9份	110℃/120℃

＜樹脂＞ A1：樹脂A1 ＜酸產生劑（B）＞ B1-43：式（B1-43）所表示的鹽（依據日本專利特開2016-47815號公報的實施例而合成）

＜鹽（I）＞ I-1：式（I-1）所表示的鹽 I-17：式（I-17）所表示的鹽＜淬滅劑（C）＞ IX-1：參考日本專利特開2017-202993號公報而合成 IX-2：依據日本專利特開2018-066985號公報的實施例而合成 C1：利用日本專利特開2011-39502號公報記載的方法而合成

＜溶劑＞丙二醇單甲醚乙酸酯 400份丙二醇單甲醚 150份 γ-丁內酯 5份

（抗蝕劑組成物的電子束曝光評價）對6吋的矽晶圓，於直接加熱板上，使用六甲基二矽氮烷於90℃下進行60秒處理。於該矽晶圓，以組成物層的膜厚成為0.04 μm的方式旋塗抗蝕劑組成物。其後，於直接加熱板上，於表1的「PB」一欄所示的溫度下預烘烤60秒鐘而形成組成物層。對晶圓上所形成的組成物層，使用電子束描繪機〔艾力奧尼庫斯（Elionix）（股）製造的「ELS-F125 125 keV」〕，使曝光量階段地發生變化而直接描繪接觸孔圖案（孔間距40 nm/孔徑17 nm）。於曝光後，於加熱板上於表1的「PEB」一欄所示的溫度下進行60秒鐘曝光後烘烤，進而利用2.38質量%四甲基氫氧化銨水溶液進行60秒鐘的覆液顯影，藉此獲得抗蝕劑圖案。

於顯影後所獲得的抗蝕劑圖案中，將形成的孔徑成為17 nm的曝光量視為實效感度。

＜CD均勻性（CDU）評價＞於實效感度中，對一個孔測定24次以17 nm的孔徑形成的圖案的孔徑，將其平均值作為一個孔的平均孔徑。對於同一晶圓內的以17 nm的孔徑形成的圖案的平均孔徑，測定400處並將如此獲得者作為總體，求出標準偏差。將其結果示於表2。表內的數值表示標準偏差（nm）。 [表2]

	抗蝕劑組成物	CDU
實施例7	組成物1	2.64
實施例8	組成物2	2.66
實施例9	組成物3	2.59
實施例10	組成物4	2.63
實施例11	組成物5	2.62
實施例12	組成物6	2.65
實施例13	組成物7	2.54
實施例14	組成物8	2.59
實施例15	組成物9	2.62
實施例16	組成物10	2.52
實施例17	組成物11	2.54
實施例18	組成物12	2.51
比較例1	比較組成物1	2.89
比較例2	比較組成物2	2.85
比較例3	比較組成物3	2.93
比較例4	比較組成物4	2.87
比較例5	比較組成物5	3.01
比較例6	比較組成物6	2.96

與比較組成物1～比較組成物6相比，組成物1～組成物12中的標準偏差小，CD均勻性（CDU）評價良好。

（抗蝕劑組成物的電子束曝光評價：有機溶劑顯影）對6吋的矽晶圓，於直接加熱板上，使用六甲基二矽氮烷於90℃下進行60秒處理。於該矽晶圓，以組成物層的膜厚成為0.04 μm的方式旋塗抗蝕劑組成物。其後，於直接加熱板上，於表1的「PB」一欄所示的溫度下預烘烤60秒鐘而形成組成物層。對晶圓上所形成的組成物層，使用電子束描繪機〔艾力奧尼庫斯（Elionix）（股）製造的「ELS-F125 125 keV」〕，使曝光量階段地發生變化而直接描繪接觸孔圖案（孔間距40 nm/孔徑17 nm）。於曝光後，於加熱板上於表1的「PEB」一欄所示的溫度下進行60秒鐘曝光後烘烤。繼而使用作為顯影液的乙酸丁酯（東京化成工業（股）製造）並藉由動態分配法於23℃下對該矽晶圓上的組成物層進行20秒鐘的顯影，藉此獲得抗蝕劑圖案。

＜CD均勻性（CDU）評價＞於實效感度中，對一個孔測定24次以17 nm的孔徑形成的圖案的孔徑，將其平均值作為一個孔的平均孔徑。對於同一晶圓內的以17 nm的孔徑形成的圖案的平均孔徑，測定400處並將如此獲得者作為總體，求出標準偏差。將其結果示於表3。表內的數值表示標準偏差（nm）。 [表3]

	抗蝕劑組成物	CDU
實施例19	組成物13	2.44
實施例20	組成物14	2.54
實施例21	組成物15	2.50
實施例22	組成物16	2.52
實施例23	組成物17	2.41
實施例24	組成物18	2.43
實施例25	組成物19	2.39
比較例7	比較組成物5	2.99
比較例8	比較組成物6	2.97

與比較組成物7、比較組成物8相比，組成物13～組成物19中的標準偏差小，CD均勻性（CDU）評價良好。 [產業上之可利用性]

含有本發明的鹽（I）的抗蝕劑組成物可獲得具有良好的CD均勻性（CDU）的抗蝕劑圖案，因此適合於半導體的微細加工，於產業上而言極其有用。

無

Claims

一種羧酸鹽，由式（I）所表示，
[式（I）中， R¹ 、R² 及R³ 分別獨立地表示鹵素原子、碳數1～6的氟化烷基或可具有取代基的碳數1～18的烴基，所述烴基中包含的-CH₂ -可被-O-、-CO-、-S-或-SO₂ -取代； m1表示0～5的任一整數，於m1為2以上時，多個R¹ 相互可相同亦可不同； m2表示0～4的任一整數，於m2為2以上時，多個R² 相互可相同亦可不同； m3表示0～3的任一整數，於m3為2以上時，多個R³ 相互可相同亦可不同； X¹ 表示單鍵、-CH₂ -、-O-、-S-、-CO-、-SO-或-SO₂ -]。
如請求項1所述的羧酸鹽，其中m1表示1～3的任一整數。
如請求項2所述的羧酸鹽，其中至少一個R¹ 的鍵結位置相對於S⁺ 的鍵結位置而鍵結於對位。
如請求項2或請求項3所述的羧酸鹽，其中至少一個R¹ 為碘原子、可具有氟原子的碳數1～3的烷基（所述烷基中包含的-CH₂ -可被-O-或-CO-取代）或者分支狀的碳數3或4的烷基的任一者。
如請求項2至請求項3所述的羧酸鹽，其中至少一個R¹ 為碳數1～3的烷基，所述烷基中包含的一個-CH₂ -被取代為-O-， -O-鍵結於苯環。
如請求項5所述的羧酸鹽，其中所述烷基進而具有氟原子。
如請求項2至請求項6中任一項所述的羧酸鹽，其中至少一個R¹ 為碳數3或4的分支狀的烷基。
如請求項4至請求項7中任一項所述的羧酸鹽，其中 m1為2或3，進而至少一個R¹ 為碘原子或甲基。
一種淬滅劑，包含如請求項1至請求項8中任一項所述的羧酸鹽。
一種抗蝕劑組成物，含有如請求項9所述的淬滅劑、包含具有酸不穩定基的結構單元的樹脂、及酸產生劑。
如請求項10所述的抗蝕劑組成物，其中包含具有酸不穩定基的結構單元的樹脂包含選自由式（a1-1）所表示的結構單元及式（a1-2）所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種，
[式（a1-1）及式（a1-2）中， L^a1 及L^a2 分別獨立地表示-O-或*-O-(CH₂ )_k1 -CO-O-，k1表示1～7的任一整數，*表示與-CO-的鍵結部位； R^a4 及R^a5 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基； R^a6 及R^a7 分別獨立地表示碳數1～8的烷基、碳數2～8的烯基、碳數3～18的脂環式烴基、碳數6～18的芳香族烴基或將該些組合而成的基； m1表示0～14的任一整數； n1表示0～10的任一整數； n1'表示0～3的任一整數]。
如請求項10或請求項11所述的抗蝕劑組成物，其中包含具有酸不穩定基的結構單元的樹脂包含式（a2-A）所表示的結構單元，
[式（a2-A）中， R^a50 表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1～6的烷基； R^a51 表示鹵素原子、羥基、碳數1～6的烷基、碳數1～6的烷氧基、碳數2～12的烷氧基烷基、碳數2～12的烷氧基烷氧基、碳數2～4的烷基羰基、碳數2～4的烷基羰氧基、丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基； A^a50 表示單鍵或*-X^a51 -(A^a52 -X^a52 )_nb -，*表示與-R^a50 所鍵結的碳原子的鍵結部位； A^a52 表示碳數1～6的烷二基； X^a51 及X^a52 分別獨立地表示-O-、-CO-O-或-O-CO-； nb表示0或1； mb表示0～4的任一整數；於mb為2以上的任一整數的情況下，多個R^a51 相互可相同亦可不同]。
如請求項10至請求項12中任一項所述的抗蝕劑組成物，其中酸產生劑包含式（B1）所表示的鹽，
[式（B1）中， Q^b1 及Q^b2 分別獨立地表示氟原子或碳數1～6的全氟烷基； L^b1 表示碳數1～24的二價飽和烴基，所述二價飽和烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-或-CO-，所述二價飽和烴基中包含的氫原子可被氟原子或羥基取代； Y表示可具有取代基的甲基或可具有取代基的碳數3～24的脂環式烴基，所述脂環式烴基中包含的-CH₂ -可被取代為-O-、-SO₂ -或-CO-； Z⁺ 表示有機陽離子]。
如請求項10至請求項13中任一項所述的抗蝕劑組成物，進而含有產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽。
一種抗蝕劑圖案的製造方法，包括：（1）將如請求項10至請求項14中任一項所述的抗蝕劑組成物塗佈於基板上的步驟；（2）使塗佈後的組成物乾燥而形成組成物層的步驟；（3）對組成物層進行曝光的步驟；（4）將曝光後的組成物層加熱的步驟；以及（5）將加熱後的組成物層顯影的步驟。