[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TW202140128A - 過濾系統、過濾板、及反應器系統 - Google Patents

過濾系統、過濾板、及反應器系統 Download PDF

Info

Publication number
TW202140128A
TW202140128A TW109145683A TW109145683A TW202140128A TW 202140128 A TW202140128 A TW 202140128A TW 109145683 A TW109145683 A TW 109145683A TW 109145683 A TW109145683 A TW 109145683A TW 202140128 A TW202140128 A TW 202140128A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
filter
plate
container
hole
edge
Prior art date
Application number
TW109145683A
Other languages
English (en)
Inventor
安基特 金堤
羅漢 雷恩
Original Assignee
荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 filed Critical 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司
Publication of TW202140128A publication Critical patent/TW202140128A/zh

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/0084Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours provided with safety means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/10Particle separators, e.g. dust precipitators, using filter plates, sheets or pads having plane surfaces
    • B01D46/12Particle separators, e.g. dust precipitators, using filter plates, sheets or pads having plane surfaces in multiple arrangements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/24Particle separators, e.g. dust precipitators, using rigid hollow filter bodies
    • B01D46/2403Particle separators, e.g. dust precipitators, using rigid hollow filter bodies characterised by the physical shape or structure of the filtering element
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D61/00Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
    • B01D61/14Ultrafiltration; Microfiltration
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/0002Casings; Housings; Frame constructions
    • B01D46/0005Mounting of filtering elements within casings, housings or frames
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/0039Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with flow guiding by feed or discharge devices
    • B01D46/0041Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with flow guiding by feed or discharge devices for feeding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/42Auxiliary equipment or operation thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/52Particle separators, e.g. dust precipitators, using filters embodying folded corrugated or wound sheet material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/56Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/56Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition
    • B01D46/58Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition connected in parallel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2258/00Sources of waste gases
    • B01D2258/02Other waste gases
    • B01D2258/0216Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2313/00Details relating to membrane modules or apparatus
    • B01D2313/24Specific pressurizing or depressurizing means
    • B01D2313/243Pumps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)

Abstract

一種反應器系統之過濾系統可包含一過濾容器,其包含一外壁;一過濾板,其經設置在過濾容器中;及一過濾器,其經設置在過濾板上。過濾板可包含一第一板面及一第二板面,連同橫跨介於其等之間的一板主體;一第一板孔,其係通過橫跨介於第一板面與第二板面之間的板主體而設置;及/或一板孔緣,其突出自第一板表面。板孔緣可設置在界定第一板孔及/或至少部分地環繞第一板孔之一板孔邊緣處或近接板孔邊緣。第一過濾器可設置在第一板面上,且第一過濾器可與板孔緣嚙合,使得板孔緣將第一過濾器定位在一想要的位置中。

Description

過濾系統、過濾板、及反應器系統
本揭露大致上係關於半導體處理或反應器系統及其中所包含的組件,且具體係關於防止其他組件之污染的反應器系統組件。
反應室可用於沉積各種材料層至半導體基材上。半導體可放置在反應室內側的基座上。基材及基座兩者可加熱至所想要的基材溫度設定點。在一實例基材處理製程中,一或多個反應物氣體可穿過經加熱的基材上方,導致材料薄膜沉積在基材表面上。在後續的沉積、摻雜、微影、蝕刻、及其他製程的整個過程中,這些層係製作成積體電路。
對任何給定製程而言,反應物氣體及/或任何副產物氣體接著可從反應室經由真空抽空(evacuated)及/或吹掃。來自反應室的反應物氣體及其他氣體或材料可穿過過濾系統,其中反應物氣體或其他材料(例如反應副產物及/或副產物)係經捕獲以防止過濾系統下游之反應器系統組件的污染。然而,來自過濾系統的材料在某些條件下可出氣(outgas),其可導致反應室或經設置於其中的基材之污染。
提供本揭露內容來以簡化形式介紹一系列概念。此等概念在以下揭示內容之例示性具體例之詳細描述中加以進一步詳述。本揭露內容並非意欲鑑別所主張之標的之關鍵特徵或基本特徵,亦非意欲用以限制所主張之標的之範疇。
在一些實施例中,提供一種用於一反應器系統之過濾系統。本文所揭示之過濾系統可允許從反應器系統之一反應室收集材料,以減少或防止過濾系統下游之反應器系統組件的污染。本文所揭示之過濾系統亦可減少或防止可能的污染物行進至反應室或經設置於其中之一基材並污染反應室或基材。
在各種實施例中,一種用於一反應器系統之過濾系統可包含一過濾容器,其包含一外壁;一過濾板,其經設置在過濾容器中;及一過濾器,其經設置在過濾板上。過濾板可包含一第一板面及一第二板面,連同橫跨(spanning)介於其等之間的一板主體;一第一板孔,其係通過橫跨介於第一板面與第二板面之間的板主體設置;及/或一板孔緣(plate hole rim),其突出自第一板表面。板孔緣可設置在界定第一板孔及/或至少部分地環繞第一板孔之一板孔邊緣處、或近接板孔邊緣。第一過濾器可設置在第一板面上,且第一過濾器可與板孔緣嚙合(engage),使得板孔緣將第一過濾器定位在一想要的位置中。在各種實施例中,外壁可包含至少一突起部,其從外壁延伸至包含第一過濾器之過濾容器的一內部空間中。
在各種實施例中,第一過濾器可包含一過濾器搪孔(bore),其通過第一過濾器之一長度的至少一部分,其中過濾器搪孔可與第一板孔流體連通。在各種實施例中,過濾器搪孔可設置為通過一過濾器第一端,過濾器第一端係相對於一過濾器第二端。在各種實施例中,板孔緣的一形狀可與過濾器第一端處之過濾器搪孔的一形狀互補。過濾器第一端可接觸第一板面,使得板孔緣經設置在過濾器搪孔內。
在各種實施例中,第一過濾器可包含一過濾材料,其環繞過濾器搪孔,且橫跨介於過濾器第一端與過濾器第二端之間,其中過濾器第一端可包含經設置於其上之一第一過濾器端帽,且過濾器第二端可包含經設置於其上之一第二過濾器端帽。第一過濾器端帽及/或第二過濾器端帽可耦接至橫跨介於第一過濾器端帽與第二過濾器端帽之間的一支撐棒,其中支撐棒可與第一過濾器端帽及/或第二過濾器端帽成單塊(monolithic)或成一整體。
在各種實施例中,過濾系統可進一步包含一擋板,其經設置在過濾器第二端上,其中過濾器搪孔係設置為通過過濾器第二端,且擋板防止或減少一流體進入通過過濾器第二端之過濾器搪孔。擋板可促成流體在過濾器第一端與過濾器第二端之間穿過第一過濾器的一側。在各種實施例中,過濾系統可進一步包含經設置在過濾容器中之複數個過濾器(包括第一過濾器),其中擋板可包含一擋板孔,其經設置為通過擋板,促成流體的一部分在該等過濾器之間流動。在各種實施例中,過濾系統可進一步包含經設置為通過板主體之複數個板孔(包括第一板孔),其等各具有一各別板孔緣,板孔緣經設置在用於該等板孔之各者之一各別板孔邊緣處或近接板孔邊緣。該等過濾器之各者可包含一各別過濾器搪孔,其中該等板孔之各別板孔緣可設置在該等過濾器中之一者之各別過濾器搪孔內。
在各種實施例中,過濾容器可包含一容器底表面,其包含一容器底部孔,容器底部孔經設置為通過容器底表面,其中過濾板可設置在容器底表面上,使得第一板孔及過濾器搪孔可與容器底部孔流體連通。在各種實施例中,容器底表面可包含一容器底緣,其突出自容器底表面且至少部分地環繞容器底部孔,其中容器底緣可與過濾板嚙合以控制過濾板的一位置。
在各種實施例中,過濾板可包含一過濾板凹部,其通過第二板面至板主體中,其中過濾板凹部的一形狀可與容器底緣的一形狀互補。在各種實施例中,容器底緣可設置在過濾板凹部中。在各種實施例中,過濾板凹部可至少部分地環繞第一板孔。
在各種實施例中,一種方法可包含使一流體從一反應室流入一過濾系統中;使流體流入一過濾容器中並通過其中所包含之一第一過濾器;隨著流體流過過濾器,在第一過濾器的過濾材料中收集流體中所包含的一污染物;及/或使流體流過經設置為通過一過濾板之一第一板孔。在各種實施例中,過濾器可包含過濾材料及經設置為通過過濾材料之一第一過濾器搪孔,其中過濾材料可以橫跨介於一過濾器第一端與一過濾器第二端之間的一過濾器長度。第一過濾器搪孔可設置為至少通過過濾器第一端,且流體可流過過濾材料並接著通過第一過濾器搪孔。在各種實施例中,過濾板可包含一第一板面及一第二板面,連同橫跨介於其等之間之一板主體,且一板孔緣突出自第一板表面,與第一過濾器嚙合以使第一過濾器維持在一想要的位置中。第一過濾器搪孔及第一板孔可通過過濾器第一端流體連通。過濾板可設置在過濾容器之一容器底表面上。
在各種實施例中,此方法可進一步包含使流體流過經設置為通過容器底表面之一容器底部孔,其中第一板孔可與容器底部孔流體連通。在各種實施例中,此方法可進一步包含收集過濾容器之一外壁的一內表面上之污染物的一部分,其中內表面可包含至少一突起部,其延伸至過濾容器之一內部空間中。
為了概述本揭露及所達成之優於先前技術之優點的目的,在本文中已於上文描述本揭露之某些目標及優點。當然,應瞭解的是,可無須根據本揭露之任何具體實施例來達成所有此類目標或優點。因此,例如,所屬技術領域中具有通常知識者將認知到,可以達成或最佳化如本文中所教示或建議之一個優點或一組優點,而未必達成本文中可教示或建議之其他目標或優點的方式,來實行本文所揭示之實施例。
這些實施例之全部係意欲屬於本揭露的範疇。所屬技術領域中具有通常知識者將從下文參照附圖詳細描述的某些實施例輕易地明白這些及其他實施例,本揭露並未受限於所討論的任何具體實施例。
雖然在下文揭示某些實施例及實例,所屬技術領域中具有通常知識者將了解本揭露延伸超出本揭露及其明顯的修改與均等物之具體揭示的實施例及/或用途。因此,意欲使本揭露的範疇不應受本文所述之具體實施例的限制。
本文呈現之圖示並非意指任何特定材料、設備、結構、或裝置之實際視圖,而僅係用以描述本揭露之實施例的表示。
如本文中所使用,用語「基材(substrate)」可指可使用或在其上可形成裝置、電路、或膜之任何下伏材料(underlying material)。
如本文中所使用,用語「原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)」可指氣相沉積製程,其中沉積循環(較佳的係複數個接續的沉積循環)係在製程室中實施。一般而言,在各循環期間,前驅物係化學吸附至沉積表面(例如基材表面或先前沉積的下伏表面,諸如來自先前原子層沉積循環的材料),形成不易與額外前驅物起反應的單層或次單層(亦即,自限制反應(self-limiting reaction))。其後,若有必要,可隨後將反應物(例如,另一前驅物或反應氣體)引入至製程室中,以用於在沉積表面上將經化學吸附之前驅物轉化為想要的材料。一般而言,此反應物能夠進一步與前驅物起反應。進一步地,亦可在各循環期間利用吹掃步驟,以從製程室移除過量前驅物及/或在轉化經化學吸附之前驅物之後,從製程室移除過量反應物及/或反應副產物。進一步地,當使用前驅物組成物、反應性氣體、及吹掃(例如惰性載體)氣體的交替脈衝執行時,如本文中所使用之用語「原子層沉積(atomic layer deposition)」亦意指包括由相關用語指定的製程,諸如「化學氣相原子層沉積(chemical vapor atomic layer deposition)」、「原子層磊晶(atomic layer epitaxy,ALE)」、分子束磊晶(molecular beam epitaxy,MBE)、氣體源分子束磊晶(gas source MBE)、或有機金屬分子束磊晶(organometallic MBE)、及化學束磊晶(chemical beam epitaxy)。
如本文中所使用,用語「化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)」可指任何製程,其中基材係暴露至一或多個揮發性前驅物,其等在基材表面上起反應及/或分解,以製造想要的沉積。
如本文中所使用,用語「膜(film)」及「薄膜(thin film)」可指藉由本文所揭示之方法沉積之任何連續或不連續的結構及材料。例如,「膜」及「薄膜」可包括二維(2D)材料、奈米棒(nanorods)、奈米管(nanotubes)、或奈米粒子(nanoparticles)、或甚至部分或完整分子層(full molecular layers)、或部分或完整原子層、或原子及/或分子團簇。「膜」及「薄膜」可包含具有針孔(pinholes),但仍係至少部分連續的材料或層。
如本文中所使用,用語「污染物(contaminant)」可指可影響經設置在反應室中之基材的純度之任何經設置在反應室內之非所要的材料,或者可指反應室之任何組件中之任何非所要的材料。用語「污染物(contaminant)」可指,但不限於,經設置在反應室或反應器系統之其他組件內之非所要的沉積物、金屬與非金屬粒子、雜質、及廢物(waste products)。
用於原子層沉積、化學氣相沉積(CVD)、及/或類似者之反應器系統可用於各種應用,包括在基材表面上沉積及蝕刻材料。在各種實施例中,反應器系統50可包含反應室4;基座6,其用以在處理期間固持基材30;流體分配系統8(例如噴淋頭),其用以分配一或多個反應物至基材30的表面;一或多個反應物源10、12及/或載體及/或吹掃氣體源14,其經由管線16至20流體耦接至反應室4;及閥或控制器22至26。來自反應物源10、12之反應物氣體或其他材料可在反應室4中施加至基材30。來自吹掃氣體源14之吹掃氣體可流至並通過反應室4,以從反應室4移除任何過量反應物或其他不想要的材料。系統50亦可包含真空源28,其流體耦接至反應室4,可經配置以從反應室4吸出反應物、吹掃氣體、或其他材料。系統50可包含過濾系統40,其經設置在反應室4與真空源28之間以捕獲(trap)(亦即,積聚(accumulate))來自反應室4的材料(例如污染物),減少或防止反應器系統50在過濾系統40下游之組件的污染。
參照第2圖,其根據各種實施例繪示過濾系統100(其分解圖)。過濾系統100可相同或類似於過濾系統40。在各種實施例中,過濾系統100可包含外過濾殼體103,其可包含多個組件(例如,上部外殼體103A及下部外殼體103B)。在各種實施例中,上部外殼體103A及下部外殼體103B可耦接以圍封過濾系統100的其他組件。上部外殼體103A可包含流體入口101A,外過濾殼體103的內部可藉由流體入口流體耦接至反應室(例如反應室4)。氣體及其他材料可藉由流體入口101A從反應室流入過濾系統100中,並可藉由流體出口101B離開過濾系統100。
在各種實施例中,過濾系統100可包含過濾容器130。過濾容器130可設置在外過濾殼體103的一或多個組件中。例如,過濾容器130可設置在下部外殼體103B及/或上部外殼體103A中。在各種實施例中,上部外殼體103A可與過濾容器130耦接,圍封及/或密封過濾容器130的過濾容器內部空間。因此,過濾容器130可包含與上部外殼體103A及/或下部外殼體103B的內部之形狀互補的形狀(例如外部形狀)。
額外參照第6圖,過濾容器600(第2圖之過濾容器130的一實例)可包含過濾容器外壁610,其具有壁內表面615。壁內表面615可界定及/或圍封過濾容器600的內部空間。在各種實施例中,外壁610可與上部外殼體(例如上部外殼體103A)嚙合及/或耦接,以圍封及/或密封過濾容器600的內部空間。
在各種實施例中,過濾容器600之內部空間的下界可以是橫跨介於外壁610或其部分之間的容器底部。容器底部可包含容器底表面605。容器底表面可包含一或多個容器底部孔620,其經設置為通過容器底部。過濾容器600之內部空間可經由容器底部孔620與流體出口101B流體連通。在各種實施例中,容器底部孔620可藉由容器底部孔邊緣來界定。容器底部孔620可包含任何合適的形狀。
在各種實施例中,容器底表面605可包含容器底緣630,其突出自容器底表面605。容器底緣630可設置在各別容器底部孔邊緣處或近接容器底部孔邊緣。在各種實施例中,各容器底部孔620可包含容器底緣630,其經設置在各別容器底部孔邊緣處或近接容器底部孔邊緣。容器底緣630可至少部分地環繞各別容器底部孔620,形成容器底緣630的形狀。
在各種實施例中,過濾容器600可包含耦接桿650,其突出自容器底表面605。耦接桿650可包含任何合適的形狀、長度、及/或剖面形狀。在各種實施例中,耦接桿650可在由容器外壁610之上部邊緣所界定的平面上方突出自容器底表面605(其中容器外壁610的高度橫跨介於容器底表面與容器外壁610的上部邊緣之間)。耦接桿650可經配置以與過濾系統100的其他組件嚙合及/或耦接。在各種實施例中,耦接桿650的至少一部分可包含螺紋(threading)。
再次參照第2圖,在各種實施例中,過濾系統100可包含過濾板200。過濾板200可設置在過濾容器130中,例如相鄰於及/或耦接至過濾容器底表面(例如,第6圖之過濾容器600的過濾容器底表面605)。
額外參照第4A圖至第4C圖,過濾板400(第2圖之過濾板200的一實例)可包含第一板面405、第二板面410、及板主體415,板主體橫跨介於第一板面405與第二板面410之間。第一板面405及/或第二板面410可包含任何合適的配置(諸如實質上平坦、凹面、或凸面)。在各種實施例中,過濾板400可包含至少一板孔420,其經設置為通過第一板面405、第二板面410、及橫跨介於板面之間的板主體415。在各種實施例中,板孔420可藉由板孔邊緣422來界定。板孔420可包含任何合適的形狀。
在各種實施例中,第一板面405可包含板孔緣(plate hole rim)430,其突出自第一板面405。板孔緣430可設置在各別板孔邊緣422處或近接板孔邊緣。在各種實施例中,各板孔420可包含板孔緣430,其經設置在各別板孔邊緣422處或近接板孔邊緣。板孔緣430可至少部分地環繞各別板孔420,形成板孔緣430的形狀。在各種實施例中,板孔緣可以是始於第一板面405的任何突起部(例如,也就是說,至少用以在第一板面405上將過濾器設置在想要的位置中)。
在各種實施例中,過濾板400可包含耦接孔455。耦接孔455可包含與第6圖之過濾容器600的耦接桿650之剖面形狀互補的形狀。因此,耦接桿650可設置為通過耦接孔455,使得耦接桿650在過濾容器600的內部空間內維持過濾板400的想要的位置。
結合參照第4A圖至第4C圖及第6圖,在各種實施例中,過濾板400可設置為相鄰於過濾容器600的底表面605。第二板面410可與過濾容器600的底表面605接觸。過濾板400的形狀可與過濾容器600的內部空間之剖面形狀互補,使得過濾板400可設置於其中。因此,過濾板400的外部邊緣可設置為與過濾容器外壁610之外壁內表面615相鄰及/或接觸。過濾板400可裝配在過濾容器600的內部空間內,使得極少或無流體可穿過過濾板400的外部邊緣與過濾容器外壁610的外壁內表面615之間、及/或第二板面410與過濾容器底表面605之間。
在各種實施例中,容器底緣630可與過濾板400嚙合及/或耦接,以在過濾容器底表面605及/或容器底部孔620上、或相對於過濾容器底表面、及/或容器底部孔使過濾板400維持在想要的位置中。在各種實施例中,容器底緣630可包含與板孔420之形狀互補的形狀,使得各容器底緣630可設置在各別容器底部孔620中。例如,第6圖之四個容器底緣630之各者可設置在四個板孔420之各別一者內。在此類實施例中,各容器底緣630可設置為近接或抵靠各別板孔420的板孔邊緣422。
在各種實施例中,過濾板400可包含過濾板凹部425,其經設置為通過第二板面410至板主體415中。過濾板凹部425可非設置為完全通過過濾板400,而是僅部分地朝第一板面405通過第二板面410至板主體415中。過濾板凹部425可在過濾板400上設置為近接及/或相鄰於板孔420。在各種實施例中,過濾板凹部425可設置為至少部分地環繞各別板孔420。例如,如第4C圖所示,可存在繞著各各別板孔420設置的板凹部425。
各過濾板凹部425可包含任何合適的形狀。在各種實施例中,過濾板凹部425可包含與容器底緣630之形狀互補的形狀,使得容器底緣630可設置在各別過濾板凹部425中。在此類實施例中,容器底緣630可與各別過濾板凹部425嚙合及/或耦接。例如,容器底部孔620可大於板孔420。至少部分地環繞容器底部孔620之容器底緣630可設置在至少部分地環繞各別板孔420之各別過濾板凹部425中。在各種實施例中,容器底緣630可設置為與各別過濾板凹部425的外部邊緣相鄰及/或接觸,使得在容器底緣630與各別過濾板凹部425的外部邊緣之間存在極少或無空間。容器底緣630與各別過濾板凹部425的嚙合及/或耦接可經配置,以在過濾容器底表面605及/或容器底部孔620上、或相對於過濾容器底表面、及/或容器底部孔使過濾板400維持在想要的位置中。
經由容器底緣630嚙合及/或耦接至容器底表面605之過濾板400可將各板孔420與各別容器底部孔620對準,因此流體可行進通過其等。相關地,在各種實施例中,經設置在過濾板400中之過濾板凹部425、及/或容器底緣630為過濾板400提供自對準品質、以及其至過濾容器600中、及抵靠過濾容器底表面605之設置。也就是說,過濾容器之容器底緣630可回應於過濾板400在過濾容器600內經正確定位,而僅嚙合過濾板400之各別、及/或互補部分(例如,板孔420、及/或過濾板凹部425)。
回頭參照第2圖,過濾系統100可包含一或多個過濾器120。過濾器120可設置在過濾板200上、及在過濾容器130內。
額外參照第3A圖及第3B圖,過濾器300(第2圖之過濾器120的一實例)可包含過濾器第一端310、過濾器第二端320、及其等之間的過濾器主體。過濾器主體340可包含過濾材料,其經配置以積聚或捕獲流過過濾材料的材料。過濾材料可包含任何合適的材料(諸如絲網(wire mesh)及/或所包含的幾何(geometry)提供污染物可沉積(例如從反應室4行進的材料)於其上之表面積(例如高表面積對體積比率)的任何材料)。過濾器主體340可包含過濾器壁345,其環繞過濾材料。過濾器壁345可包含任何合適的配置(諸如網格(wire)、篩網(screen)、或任何其他可滲透或穿孔(perforated)材料(亦即,流體可流過之材料及/或配置))。
在各種實施例中,過濾器300在過濾器第一端310及過濾器第二端320之一或多者上可包含端帽。例如,過濾器第一端310可包含第一過濾器端帽312,且過濾器第二端320可包含第二過濾器端帽322。端帽可設置在過濾器壁345的末端上方。端帽可經配置使得流體無法穿過其間。
在各種實施例中,過濾器300可包含至少一支撐棒330,其橫跨介於第一過濾器端帽312與第二過濾器端帽322之間。支撐棒330可為過濾器主體340、過濾材料、及/或過濾器壁345提供結構(structure)。支撐棒330可耦接至第一過濾器端帽312及/或第二過濾器端帽322。在各種實施例中,支撐棒330可與第一過濾器端帽312及/或第二過濾器端帽322成一整體及/或成單塊(monolithic),使得此類組件之間沒有縫(seams)。
在各種實施例中,可不使用黏著劑或其他耦接材料,以將支撐棒330耦接至第一過濾器端帽312、及/或第二過濾器端帽322。無黏著劑、環氧樹脂(epoxy)、或其他耦接材料降低此一耦接材料出氣(outgassing)且行進至反應室充當其中之污染物的風險。額外地,在無此一耦接材料的情況下,過濾器300在升高溫度(例如大於120°C)下可不易受劣化的影響。因此,包含過濾器300之過濾系統(例如第2圖之過濾系統100)可比包含具有耦接材料之過濾器的過濾系統移動得更靠近反應器系統的反應室(例如第1圖之反應器系統50的反應室4)。因此,具有包含過濾器300之過濾系統的反應器系統可更小型化及/或具有更可實行的配置及特殊配置。
在各種實施例中,過濾器300可包含過濾器搪孔350,其經設置在過濾器主體340及/或過濾材料中及/或由過濾器主體及/或過濾材料環繞。過濾器壁(或相同/類似材料)的一部分可環繞過濾器搪孔350。過濾器搪孔350可以橫跨介於過濾器第一端310與過濾器第二端320之間的過濾器300之過濾器長度的至少一部分。在各種實施例中,過濾器搪孔350可橫跨通過過濾器第一端310、及/或過濾器第二端320。在各種實施例中,過濾器搪孔350可橫跨通過第一過濾器端帽312、及/或第二過濾器端帽322。在各種實施例中,過濾器搪孔350可以橫跨過濾器300的整個長度,包括通過過濾器第一端310及過濾器第二端320,且若過濾器300包含端帽,則包括通過第一過濾器端帽312及第二過濾器端帽322。
在各種實施例中,經設置為通過過濾器第一端310及/或第一過濾器端帽312之過濾器搪孔350的一部分可經配置以與過濾板(例如第4A圖至第4C圖之過濾板400)嚙合及/或耦接。額外參照第4A圖至第4C圖及第6圖,過濾器搪孔350可經配置以與各別板孔420及過濾容器600之底表面孔620d流體連通。經設置為通過過濾器第一端310(及/或第一過濾器端帽312)之過濾器搪孔350可包含的剖面形狀之至少一部分係與板孔緣430的形狀互補。因此,板孔緣430可與過濾器搪孔350通過過濾器第一端310(及/或第一過濾器端帽312)的部分嚙合及/或耦接。例如,與各別板孔420相關聯之板孔緣430可設置在過濾器搪孔350經設置為通過過濾器第一端310(及/或第一過濾器端帽312)的部分內,使得過濾器搪孔350與各別板孔420流體連通。在各種實施例中,板孔緣430可設置為與過濾器搪孔外部邊緣352相鄰及/或接觸,使得在板孔緣430與過濾器搪孔外部邊緣352之間存在極少或無空間。
與板孔緣430的形狀互補之近接過濾器第一端310之過濾器搪孔350的形狀允許在過濾容器600中輕易地將過濾器300對準及放置在過濾板400上。也就是說,板孔420的板孔緣430可回應於過濾器300在過濾容器600內經正確定位在過濾板400上,而僅嚙合各別過濾器300的過濾器搪孔350,從而促成各別過濾器搪孔350、板孔420、及/或容器底部孔620的對準。
在各種實施例中,反應器系統之過濾系統(例如過濾系統100)可包含多個過濾器300。例如,如第3A圖、第3B圖、第4A圖至第4C圖、第5圖、及第6圖所描繪及/或指示的,過濾系統在過濾容器600中可包含四個過濾器300。過濾板400上的四個板孔420可與四個容器底部孔620對準,如本文所述者。類似地,四個過濾器300之各者的過濾器搪孔350可與各別的四個板孔420對準,使得各容器底部孔620與各別板孔420及過濾器搪孔350對準且流體連通。經設置在過濾板400上及在過濾容器600中的四個過濾器300可包含在第5圖、在第7A圖至第7C圖(其等描繪第2圖之過濾器120的俯視立體圖)所描繪的配置中。過濾系統及/或過濾容器可以任何合適配置包含任何合適數目的過濾器。
在各種實施例中,回頭參照第2圖,過濾系統100可包含擋板110。額外參照第3A圖、第3B圖、第5圖、及第6圖,擋板500(第2圖之擋板110的一實例)可設置在過濾器300上(針對第3A圖、第3B圖討論)。在各種實施例中,擋板500可導致流體流進入過濾容器600的內部空間以採用某一路徑(例如,將最大化通過過濾器300的流體流、及/或允許過濾系統及其組件從流體流移除最大量的污染物之路徑)。擋板500可減少或防止流體流繞著或通過過濾器第二端320、第二過濾器端帽322、及/或經設置為通過過濾器第二端320及/或第二過濾器端帽322之過濾器搪孔350的一部分行進。也就是說,擋板500可在擋板500與過濾器第二端320及/或第二過濾器端帽322之間形成至少一部分密封。擋板500可經配置以致使過濾容器內之流體流的至少一部分繞著擋板邊緣520朝向且通過過濾器300,且過濾器相較於過濾器300之其他部分更近接壁內表面615的部分流動。在各種實施例中,擋板500可包含一或多個擋板孔530,其近接擋板500的中心。擋板孔530可經配置以致使流體流行進通過其等之間,朝向並通過過濾器300,且相較於過濾器300的其他部分更近接過濾容器600之內部空間的中心之過濾器300的部分(例如,介於經設置在擋板500下方之過濾器300之間)。擋板上的擋板孔可處於任何合適位置或呈任何合適配置,以達成所想要的流體流朝向並通過過濾器。
在各種實施例中,第2圖所示之耦接系統105可例如藉由與耦接桿132(第6圖之耦接桿650的一實例)嚙合及/或耦接至耦接桿而將擋板110及/或過濾板200耦接至過濾容器130。例如,耦接系統105的至少一組件可與耦接桿132上的螺紋嚙合。
在各種實施例中,過濾系統100的組件可經由密封環142及/或夾緊環144來夾鉗及/或密封在一起。密封環142可設置在過濾容器130與上部外殼體103A之間、在上部外殼體103A與下部外殼體103B之間、在過濾容器130與下部外殼體103B之間、及/或在任何其他合適位置。密封環142可由任何合適材料(諸如橡膠、聚合材料、及/或類似者)構成,以繞著過濾容器130的內部空間至少部分地密封過濾系統組件。夾緊環144可繞著上部外殼體103A及/或下部外殼體103B設置,並可經配置以緊縮以將過濾系統100的組件固持在一起。
第9圖根據各種實施例繪示使流體流過反應系統中之過濾系統的方法900。額外參照第3A圖至第3B圖、第4A圖至第4C圖、第5圖、第6圖、及第8圖,流體可從反應室(例如第1圖的反應室4)流至過濾系統(例如第2圖的過濾系統100或第8圖的過濾系統800)(步驟902)。第8圖的過濾系統800可包含外過濾殼體的流體入口801A及流體出口801B(類似於第2圖之外過濾殼體103的流體入口101A及流體出口101B)。流體880可通過流體入口801A流至過濾系統800中。流體880可能包含過濾系統經配置以從流體880移除的材料(例如污染物)。
在各種實施例中,流體可流至過濾容器(例如過濾容器600或第2圖的過濾容器130)中,並通過過濾器820(類似於過濾器300或第2圖的過濾器120)(步驟904)。在各種實施例中,過濾容器可耦接至過濾系統的外過濾殼體及/或係殼體的一部分。在各種實施例中,上部外殼體(例如第2圖的上部外殼體103A)可耦接至過濾容器及/或與過濾容器嚙合,以圍封容納及圍封過濾器之過濾容器及/或外過濾殼體的內部空間。
在進入過濾容器之後,流體880可接觸擋板810(擋板500及第2圖之擋板110的一實例)。擋板810可繞著外部邊緣812(擋板500之外部邊緣520的一實例)引導流體880的至少一部分(例如流體880A)以接觸壁內表面805(過濾容器600之壁內表面615的一實例)及/或接觸及/或穿過相較於過濾器820的其他部分更近接壁內表面805之過濾器820的部分(例如過濾器820面向彼此的部分)。在各種實施例中,擋板810可引導流體880的至少一部分(例如流體880B)通過擋板孔814(擋板孔530的實例)以接觸及/或穿過相較於過濾器820的其他部分(例如過濾器820面向壁內表面805的部分)更近接過濾容器之內部空間的中心或更近接其他過濾器820之過濾器820的部分。
流體880A及880B可穿過過濾器820的過濾材料828至各過濾器820中的過濾器搪孔826(過濾器搪孔350的一實例)中。隨著流體880流過過濾材料,過濾材料可從流體880收集污染物(步驟906)。作為步驟906之從流體880收集污染物的一額外部分,污染物可在過濾系統內沉積於表面上(諸如在壁內表面805、過濾器壁(例如過濾器壁345)、過濾器端帽、及/或過濾器820或過濾系統800的任何其他組件上)。因此,參照第7A圖至第7C圖,在各種實施例中,所繪示之過濾容器的過濾容器外壁可包含一或多個突起部,其從壁內表面向外延伸至過濾容器的內部空間中(亦即,從壁內表面朝經設置在過濾容器之內部空間中的過濾器)。此類突起部可包含任何合適的形狀,並可提供可在其上沉積或收集污染物的額外表面積。
過濾容器及/或過濾系統可以任何合適形狀、配置、及/或配置包含任何合適數目的突起部。例如,在第7A圖中,過濾容器700A可包含過濾容器外壁710A(過濾容器外壁610的一實例),其環繞在其中可設置過濾器120(第2圖之過濾器120的俯視立體圖)的過濾容器內部空間。過濾容器外壁710A可包含一或多個突起部745A,其從壁內表面715A延伸至容器內部空間中。突起部745A可包含實質上矩形的形狀。作為另一實例,在第7B圖中,過濾容器700B可包含過濾容器外壁710B(過濾容器外壁610的一實例),其環繞在其中可設置過濾器120(第2圖之過濾器120的俯視立體圖)的過濾容器內部空間。過濾容器外壁710B可包含一或多個突起部745B,其從壁內表面715B延伸至容器內部空間中。突起部745B可包含實質上三角形的形狀。作為又另一實例,在第7C圖中,過濾容器700C可包含過濾容器外壁710B,其可包含一或多個突起部745B,其從壁內表面715B延伸至容器內部空間中。在各種實施例中,容器內部空間的底表面(例如第4A圖至第4C圖之過濾板400的第一板面405)可包含突起部735C,其等從底表面延伸至容器內部空間中。突起部735C可以是來自壁內表面715B之突起部745B的替代或增補。突起部745A、745B、及735C可提供可在其上沉積流過各別過濾容器及/或系統之流體中的污染物之額外表面積,從而自流體移除此類污染物。
在各種實施例中,方法900繼續進行,流體880可流過過濾器搪孔826,包括通過過濾器820的過濾器第一端824,並通過過濾板840(過濾板400或第2圖之過濾板200的一實例)(步驟908)。流過過濾板840的流體880可包含最少或無污染物。過濾板840可包含板孔842,其等經設置為在過濾板840的第一板面(例如第一板面405)與第二板面(例如第二板面410)之間通過其等之間。過濾板840可進一步包含板孔緣844(過濾板400之板孔緣430的一實例),其與過濾器820及/或過濾器搪孔826嚙合及/或耦接至過濾器及/或過濾器搪孔(例如,如本文針對過濾板400及過濾器300所述者)。因此,過濾器搪孔826可與板孔842對準及/或流體連通。因此,流體880可從過濾器搪孔826經由板孔842流過過濾板840。過濾板840可進一步包含過濾板凹部846,其等經設置為通過第二板面至過濾板840中。
在各種實施例中,流體880可流過過濾容器底表面860(過濾容器600之過濾容器底表面605的一實例)及過濾容器底部(步驟910)。過濾容器底表面860可包含容器底部孔862,其等經設置為通過容器底部。過濾容器底表面860可進一步包含容器底緣864(過濾容器600之容器底緣630的一實例),其與過濾板840嚙合及/或耦接至過濾板(例如,與板孔842及/或板凹部846嚙合及/或耦接)(及/或如本文針對過濾板400及過濾容器600所述者)。因此,板孔842可與容器底部孔862對準及/或流體連通。因此,流體880可從過濾器搪孔826經由板孔842流過過濾板840,並經由容器底部孔862通過過濾容器底表面860。
隨後,流體880可流過流體出口801B並退出過濾系統800。
本文所討論之系統組件可由任何合適材料(諸如金屬或金屬合金,例如鋼、鋁、鋁合金、或類似者)構成。
雖然本文提出本揭露之例示性實施例,應理解本揭露並未因此受限。例如,雖然連同各種特定配置來描述反應器及過濾系統,本揭露不一定受限於這些實例。在不偏離本揭露之精神及範疇的情況下,可對本文提出的系統及方法作出各種修改、變化、及增強。
本揭露之標的包括各種系統、組件、及配置、及本文所揭示之其他特徵、功能、動作、及/或性質的所有新穎且非顯而易見的組合及子組合、以及其任何及所有均等物。
4:反應室 6:基座 8:流體分配系統 10:反應物源 12:反應物源 14…氣體源 16:管線 18:管線 20:管線 22:閥,控制器 24:閥,控制器 26:閥,控制器 28:真空源 30:基材 40:過濾系統 50:反應器系統 100:過濾系統 101A:流體入口 101B:流體出口 103:外過濾殼體 103A:上部外殼體 103B:下部外殼體 105:耦接系統 110:擋板 120:過濾器 130:過濾容器 132:耦接桿 142:密封環 144:夾緊環 200:過濾板 300:過濾器 310:過濾器第一端 312:第一過濾器端帽 320:過濾器第二端 322:第二過濾器端帽 330:支撐棒 340:過濾器主體 345:過濾器壁 350:過濾器搪孔 352:過濾器搪孔外部邊緣 400:過濾板 405:第一板面 410:第二板面 415:板主體 420:板孔 422:板孔邊緣 425:過濾板凹部 430:板孔緣 455:耦接孔 500:擋板 520:擋板邊緣 530:擋板孔 600:過濾容器 605:容器底表面 610:過濾容器外壁 615:壁內表面 620:容器底部孔 620d:底表面孔 630:容器底緣 650:耦接桿 700A:過濾容器 700B:過濾容器 700C:過濾容器 710A:過濾容器外壁 710B:過濾容器外壁 715A:壁內表面 715B:壁內表面 735C:突起部 745A:突起部 745B:突起部 800:過濾系統 801A:流體入口 801B:流體出口 805:內表面 810:擋板 812:外部邊緣 814:擋板孔 820:過濾器 824:過濾器第一端 826:過濾器搪孔 828:過濾材料 840:過濾板 842:板孔 844:板孔緣 846:過濾板凹部 860:過濾容器底表面 862:容器底部孔 864:容器底緣 880:流體 880A:流體 880B:流體 900:方法 902:步驟 904:步驟 906:步驟 908:步驟 910:步驟
雖然本說明書以特別指出且明確主張被視為本揭露實施例之權利的申請專利範圍作為結論,但是當結合伴隨圖式閱讀時,可從本揭露的實施例之某些實例的描述更容易地探知本揭露之實施例的優點。各圖式中具有相似元件編號的元件係意欲相同。 第1圖根據各種實施例繪示例示性反應器系統的示意圖; 第2圖根據各種實施例繪示例示性過濾系統的分解圖; 第3A圖及第3B圖根據各種實施例繪示過濾系統中所包含之例示性過濾器的立體圖; 第4A圖根據各種實施例繪示過濾系統中所包含之例示性過濾板的俯視立體圖; 第4B圖根據各種實施例繪示第4A圖之過濾板沿著第4A圖所示的軸X-Y之剖視圖; 第4C圖根據各種實施例繪示過濾系統中所包含之例示性過濾板的仰視立體圖; 第5圖根據各種實施例繪示經設置在過濾系統之過濾器上的例示性頂部擋板; 第6圖根據各種實施例繪示過濾系統之例示性過濾容器的立體圖; 第7A圖至第7C圖根據各種實施例繪示具有各種配置之例示性過濾容器; 第8圖根據各種實施例繪示包含頂部擋板、過濾器、及過濾板之例示性過濾容器的剖面以及流過過濾容器的流體;及 第9圖根據各種實施例繪示使流體流過反應器系統之過濾系統之方法。
650:耦接桿
800:過濾系統
801A:流體入口
801B:流體出口
805:內表面
810:擋板
812:外部邊緣
814:擋板孔
820:過濾器
824:過濾器第一端
826:過濾器搪孔
828:過濾材料
840:過濾板
842:板孔
844:板孔緣
846:過濾板凹部
860:過濾容器底表面
862:容器底部孔
864:容器底緣
880:流體
880A:流體
880B:流體

Claims (20)

  1. 一種一反應器系統之過濾系統,包括: 一過濾容器,包括一外壁; 一過濾板,經設置在該過濾容器中,該過濾板包括: 一第一板面以及一第二板面,連同橫跨介於其等之間的一板主體; 一第一板孔,經設置為通過橫跨介於該第一板面與該第二板面之間的該板主體;以及 一板孔緣,突出自該第一板表面,其中該板孔緣經設置在界定該第一板孔之一板孔邊緣處或近接該板孔邊緣,且至少部分地環繞該第一板孔;以及 一第一過濾器,經設置在該第一板面上,其中該第一過濾器與該板孔緣嚙合,使得該板孔緣將該第一過濾器定位在一想要的位置中。
  2. 如請求項1之過濾系統,其中該第一過濾器包括一過濾器搪孔,通過該第一過濾器之一長度的至少一部分,其中該過濾器搪孔與該第一板孔流體連通。
  3. 如請求項2之過濾系統,其中該過濾器搪孔係設置為通過一過濾器第一端,該過濾器第一端相對於一過濾器第二端。
  4. 如請求項3之過濾系統,其中該板孔緣的一形狀與該過濾器第一端處之該過濾器搪孔的一形狀之至少一部分互補,其中該過濾器第一端接觸該第一板面,使得該板孔緣經設置在該過濾器搪孔內。
  5. 如請求項3之過濾系統,其中該第一過濾器包括一過濾材料,該過濾材料環繞該過濾器搪孔且橫跨介於該過濾器第一端與該過濾器第二端之間,其中該過濾器第一端包括經設置於其上之一第一過濾器端帽,且該過濾器第二端包括經設置於其上之一第二過濾器端帽,其中該第一過濾器端帽及該第二過濾器端帽經耦接至一支撐棒,該支撐棒橫跨介於該第一過濾器端帽與該第二過濾器端帽之間,其中該支撐棒係與該第一過濾器端帽及該第二過濾器端帽成單塊或成一整體之至少一者。
  6. 如請求項3之過濾系統,更包括一擋板,該擋板經設置在該過濾器第二端上,其中該過濾器搪孔經設置為通過該過濾器第二端,其中該擋板係防止或減少一流體通過該過濾器第二端進入該過濾器搪孔之至少一者,並促成該流體在該過濾器第一端與該過濾器第二端之間穿過該第一過濾器的一側。
  7. 如請求項6之過濾系統,更包括經設置在該過濾容器中之複數個過濾器,該等過濾器包括該第一過濾器,其中該擋板包括一擋板孔,該擋板孔經設置為通過該擋板,促成該流體的一部分在該等過濾器之間流動。
  8. 如請求項7之過濾系統,更包括經設置為通過該板主體的複數個板孔,該等板孔包括該第一板孔,該等板孔各具有一各別板孔緣,該板孔緣經設置在用於該等板孔之各者的一各別板孔邊緣處或近接該各別板孔邊緣,其中該等過濾器之各者包括一各別過濾器搪孔,其中該等板孔之各別板孔緣經設置在該等過濾器中之一者的該各別過濾器搪孔內。
  9. 如請求項3之過濾系統,其中該過濾容器包括一容器底表面,該容器底表面包括一容器底部孔,該容器底部孔經設置為通過該容器底表面,其中該過濾板經設置在該容器底表面上,使得該第一板孔及該過濾器搪孔與該容器底部孔流體連通。
  10. 如請求項9之過濾系統,其中該容器底表面包括一容器底緣,該容器底緣突出自該容器底表面且至少部分地環繞該容器底部孔,其中該容器底緣與該過濾板嚙合,以控制該過濾板之一位置。
  11. 如請求項10之過濾系統,其中該過濾板包括一過濾板凹部,該過濾板凹部通過該第二板面至該板主體中,其中該過濾板凹部的一形狀與該容器底緣的一形狀互補,其中該容器底緣經設置在該過濾板凹部中。
  12. 如請求項1之過濾系統,其中該外壁包括至少一突起部,該突起部從該外壁延伸至包括該第一過濾器之該過濾容器的一內部空間中。
  13. 一種過濾板,經設置在一反應器系統的一過濾系統中,包括: 一第一板面以及一第二板面,連同橫跨介於該第一板面及該第二板面之間的一板主體; 一第一板孔,經設置為通過橫跨介於該第一板面與該第二板面之間的該板主體;以及 一板孔緣,突出自該第一板表面,其中該板孔緣經設置在界定該第一板孔之一板孔邊緣處或近接該板孔邊緣。
  14. 如請求項13之過濾板,其中該板孔緣係經配置以與該過濾系統之一過濾器嚙合,以將該過濾器定位在一想要的位置中。
  15. 如請求項13之過濾板,更包括一過濾板凹部,該過濾板凹部經設置為通過該第二板面至該板主體中。
  16. 如請求項15之過濾板,其中該過濾板凹部至少部分地環繞該第一板孔。
  17. 如請求項13之過濾板,更包括經設置為通過橫跨介於該第一板面與該第二板面之間的該板主體之複數個板孔,該等板孔包括該第一板孔,其中該等板孔之各板孔包括一各別板孔緣,該板孔緣經設置在一各別板孔邊緣處或近接該各別板孔邊緣,且至少部分地環繞該各別板孔。
  18. 一種反應器系統,包括: 一反應室;以及 一過濾系統,經設置在該反應室之下游,該過濾系統包括: 一過濾容器,包括一外壁; 一過濾板,經設置在該過濾容器中,該過濾板包括: 一第一板面以及一第二板面,連同橫跨介於該第一板面及該第二板面之間的一板主體; 一第一板孔,經設置為通過橫跨介於該第一板面與該第二板面之間的該板主體;以及 一板孔緣,突出自該第一板表面;以及 一第一過濾器,經設置在該第一板面上,其中該第一過濾器與該板孔緣嚙合,使得該板孔緣將該第一過濾器定位在一想要的位置中。
  19. 如請求項18之反應器系統,其中該第一過濾器包括一過濾器搪孔,該過濾器搪孔通過該第一過濾器之一長度的至少一部分,其中該過濾器搪孔與該第一板孔流體連通。
  20. 如請求項19之反應器系統,其中該過濾器搪孔係設置為通過一過濾器第一端,該過濾器第一端相對於一過濾器第二端,其中該板孔緣的一形狀與該過濾器第一端處之該過濾器搪孔的一形狀之至少一部分互補,其中該板孔緣經設置在該過濾器搪孔內
TW109145683A 2020-01-06 2020-12-23 過濾系統、過濾板、及反應器系統 TW202140128A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062957643P 2020-01-06 2020-01-06
US62/957,643 2020-01-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202140128A true TW202140128A (zh) 2021-11-01

Family

ID=76609210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109145683A TW202140128A (zh) 2020-01-06 2020-12-23 過濾系統、過濾板、及反應器系統

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210205758A1 (zh)
KR (1) KR20210089080A (zh)
CN (1) CN113069849A (zh)
TW (1) TW202140128A (zh)

Families Citing this family (191)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2656312B2 (ja) * 1987-08-24 1997-09-24 株式会社東芝 排気処理装置
JPH029408A (ja) * 1988-06-29 1990-01-12 Tokyo Electron Ltd ダストトラップ装置
JPH04225806A (ja) * 1990-12-27 1992-08-14 Kanebo Ltd 二重構造フィルタ容器
JP3242330B2 (ja) * 1996-09-30 2001-12-25 シャープ株式会社 化合物半導体気相成長装置
JP2000256856A (ja) * 1999-03-11 2000-09-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧cvd装置及び減圧cvd装置用真空排気システム及びトラップ装置
JP4674026B2 (ja) * 1999-11-23 2011-04-20 ポール・コーポレーション 導電性フィルタカートリッジ
KR20010077233A (ko) * 2000-02-01 2001-08-17 박종섭 반도체 제조용 가스 배기장치
US6730218B2 (en) * 2001-04-24 2004-05-04 Graver Technologies, Inc. Coupling device for connecting a replaceable filter element to a conduit
KR20100039864A (ko) * 2007-07-05 2010-04-16 에너지솔루션즈 다이버시피이드 서비시즈, 인코포레이티드 유체 제거 필터 장치 및 혼합물로부터 유체를 제거하는 방법
JP2012028514A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Hitachi Cable Ltd 化合物半導体製造装置
KR101342896B1 (ko) * 2011-12-09 2013-12-17 한국에어로(주) 수윤활식 공기압축기용 워터 필터
DE102014100092A1 (de) * 2013-01-25 2014-07-31 Aixtron Se CVD-Anlage mit Partikelabscheider
DE102013101706A1 (de) * 2013-02-21 2014-09-04 Aixtron Se CVD-Vorrichtung sowie Verfahren zum Reinigen einer Prozesskammer einer CVD-Vorrichtung
US10307698B2 (en) * 2017-05-03 2019-06-04 Jacob H. Berg Multiple cartridge fluid filter canister
CN208865349U (zh) * 2018-09-26 2019-05-17 广州市意立环保科技有限公司 焊烟净化器

Also Published As

Publication number Publication date
US20210205758A1 (en) 2021-07-08
KR20210089080A (ko) 2021-07-15
CN113069849A (zh) 2021-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202140128A (zh) 過濾系統、過濾板、及反應器系統
US12018365B2 (en) Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US12033885B2 (en) Channeled lift pin
US6478877B1 (en) Gas collector for epitaxial reactors
KR102642073B1 (ko) 웨이퍼 처리 장치를 위한 가스 분배 장치
KR20210097628A (ko) 반응기 시스템용 오염물 트랩 시스템
KR20200130652A (ko) 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
US11626313B2 (en) Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
JP2000212752A (ja) 反応チャンバガス流入方法及びそれに用いるシャワ―ヘッド
WO2004111297A1 (ja) 処理ガス供給機構、成膜装置および成膜方法
KR102377033B1 (ko) 반응 챔버를 로딩 챔버로부터 격리하여 오염을 감소시키는 장치 및 방법
JP2009130043A (ja) 有機金属気相成長装置
US6716289B1 (en) Rigid gas collector for providing an even flow of gasses
US20160010207A1 (en) Plasma-Enhanced Atomic-Layer Deposition System and Method
US20230063286A1 (en) Baffle for a reactor system
JP2022183087A (ja) 反応器システム用汚染物質トラップシステム
TW202315003A (zh) 反應室、反應器系統及用於調整反應室內之密封系統之方法
JP3854555B2 (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法
CN220589338U (zh) 一种过滤装置
KR102549555B1 (ko) 공정 챔버용 부품 및 보호막 처리 장치
KR100478744B1 (ko) 서셉터 및 이의 제조방법
CN117344287A (zh) 薄膜的形成方法及形成装置
KR20090005227U (ko) 파티클 제거장치