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TW202026390A - 拋光二氧化矽多於氮化矽之化學機械拋光組成物及方法 - Google Patents

拋光二氧化矽多於氮化矽之化學機械拋光組成物及方法 Download PDF

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TW202026390A
TW202026390A TW108132541A TW108132541A TW202026390A TW 202026390 A TW202026390 A TW 202026390A TW 108132541 A TW108132541 A TW 108132541A TW 108132541 A TW108132541 A TW 108132541A TW 202026390 A TW202026390 A TW 202026390A
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mechanical polishing
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branched
alkyl
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納雷許庫馬 潘塔
羅伯特Ｌ 奥格
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美商羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司
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Abstract

揭露了一種用於拋光二氧化矽多於氮化矽之化學機械拋光組成物，所述化學機械拋光組成物包含具有5或更小的pK值的某些酸性雜環氮化合物。此外，揭露了用於拋光襯底以去除二氧化矽和氮化矽中的一些的方法。

Description

拋光二氧化矽多於氮化矽之化學機械拋光組成物及方法
本發明係關於拋光二氧化矽多於氮化矽的化學機械拋光組成物和方法。更具體地，本發明係關於拋光二氧化矽多於氮化矽的化學機械拋光組成物和方法，其中該化學機械拋光組成物包含選擇的具有5或更小的pK值的酸性雜環氮化合物。
在積體電路以及其他電子器件的製造中，將多層導電材料、半導電材料以及介電材料沈積在半導體晶圓的表面上或從半導體晶圓的表面上去除。可以藉由許多沈積技術來沈積導電材料、半導電材料以及介電材料的薄層。在現代加工中常見的沈積技術包括物理氣相沈積（PVD）（也稱為濺射）、化學氣相沈積（CVD）、電漿增強的化學氣相沈積（PECVD）、以及電化學電鍍（ECP）。
隨著材料層被依次地沈積和去除，晶圓的最上表面變成非平面的。因為後續的半導體加工（例如金屬化）要求晶圓具有平坦的表面，所以需要對晶圓進行平坦化。平坦化可用於去除不希望的表面形貌和表面缺陷，諸如粗糙表面、附聚的材料、晶格損傷、劃痕、以及被污染的層或材料。
化學機械平坦化、或化學機械拋光（CMP）係用於將襯底（諸如半導體晶圓）平坦化的常見技術。在常規的CMP中，晶圓被安裝在托架組件上並且被定位成與CMP設備中的拋光墊接觸。托架組件對晶圓提供可控的壓力，從而將晶圓抵靠在拋光墊上。該墊藉由外部驅動力相對於晶圓移動（例如旋轉）。與此同時，在晶圓與拋光墊之間提供拋光組成物（「漿料」）或其他拋光液。如此，藉由墊表面和漿料的化學和機械作用將晶圓表面拋光並且使其成為平面。
某些先進器件設計要求在較低的使用點（POU）磨料wt%下提供提高的氧化矽去除效率的拋光組成物。例如，在前段製程（FEOL）半導體加工中，淺溝槽隔離（STI）對於在積體電路製造中形成閘極係至關重要的，諸如在形成電晶體之前。在淺溝槽隔離（STI）中，將電介質諸如原矽酸四乙酯（TEOS）或二氧化矽過量地沈積在矽晶圓中形成的開口中，例如藉由氮化矽（Si3 N4 ）屏障與積體電路的其餘部分隔離的溝槽或隔離區。然後使用CMP製程去除過量的電介質，產生其中矽晶圓上嵌有電介質的預定圖案的結構。用於STI的CMP需要從隔離區去除並平坦化二氧化矽覆蓋層，從而產生與填充有二氧化矽的溝槽共面的表面。在STI中，必須清除氮化矽膜表面的二氧化矽，以允許後續在下游加工中去除氮化矽硬掩模。可接受的二氧化矽 : 氮化矽去除速率比係必要的，以防止損傷下面的矽有源區並且提供過度拋光邊緣以確保所有的圖案密度均清除二氧化矽。
目前，與CMP拋光墊一起使用以拋光襯底的水性化學機械平坦化拋光組成物的使用者希望避免使用含有二氧化鈰的CMP拋光組成物。 二氧化鈰漿料示出相比於氮化矽對二氧化矽的高選擇性，並且避免在氮化矽暴露時去除溝槽區中的二氧化矽，但成本高，在去除速率（RR）和製程穩定性方面存在問題，並且易於在拋光期間產生缺陷。二氧化矽漿料配製物提供了成本較低、無缺陷的解決方案，但是迄今為止，對於在STI應用中的使用，其受制於不令人滿意的不足的二氧化矽 : 氮化矽選擇性。
因此，存在對於拋光組成物和拋光方法的需求，該拋光組成物和拋光方法展現出希望的平坦化效率、均勻性、以及相比於氮化矽對二氧化矽的選擇性去除。
本發明係關於一種化學機械拋光組成物，其包含以下項作為初始組分： 水； 膠體二氧化矽磨料； 一種或多種酸性雜環氮化合物，其具有小於或等於5的pK並且選自三唑和四唑； 視需要，殺生物劑； 視需要，緩衝劑；並且其中，該化學機械拋光組成物的pH為5或更小。
本發明進一步係關於一種用於對襯底進行化學機械拋光的方法，該方法包括： 提供襯底，其中該襯底包含二氧化矽和氮化矽； 提供化學機械拋光組成物，其包含以下項作為初始組分： 水； 膠體二氧化矽磨料； 一種或多種酸性雜環氮化合物，其具有小於或等於5的pK並且選自三唑和四唑； 視需要，殺生物劑； 視需要，緩衝劑；並且其中，該化學機械拋光組成物的pH為5或更小；以及， 提供具有拋光表面的化學機械拋光墊； 用20.7 kPa的下壓力在該化學機械拋光墊的拋光表面與該襯底之間的介面處產生動態接觸；以及 在該化學機械拋光墊與該襯底之間的介面處或介面附近將該化學機械拋光組成物分配到該化學機械拋光墊上； 其中該襯底被拋光；並且其中，將該二氧化矽和氮化矽中的至少一些從該襯底上去除。
本發明的化學機械拋光組成物以及方法使得能夠在先進設計器件中（諸如在FEOL半導體加工中），相比於氮化矽選擇性去除二氧化矽。
如本說明書通篇所使用的，除非上下文另有指示，否則以下縮寫具有以下含義：ºC = 攝氏度；g = 克；L = 升；mL = 毫升；µ = µm = 微米；kPa = 千帕；Å = 埃；mm = 毫米；cm = 釐米；nm = 奈米；min = 分鐘；rpm = 每分鐘轉數；mM = 毫莫耳；mV = 毫伏；lbs = 磅；kg = 千克； Ke = 平衡常數；wt% = 重量百分比；RR = 去除速率；PS = 本發明的拋光漿料；PSC = 對比拋光漿料。
術語「化學機械拋光」或「CMP」係指單獨地憑藉化學和機械力來拋光襯底的製程，並且其區別於其中向襯底施加電偏壓的電化學-機械拋光（ECMP）。 術語「pK」意指酸性雜環氮化合物在室溫下在水性溶液中的平衡常數的（-）負對數。 術語「TEOS」意指由原矽酸四乙酯（Si(OC2 H5 )4 ）分解而形成的氧化矽。 在通篇說明書中，術語「組成物」和「漿料」可互換使用。 化學結構中的「----」虛線意指視需要的鍵。 術語「伸烷基（烷二基）」係二價飽和碳基團。 術語「一個/種（a/an）」係指單數和複數二者。 除非另外指出，否則所有百分比均為重量百分比。 所有數值範圍都是包含端值的，並且可以按任何順序組合，除了此數值範圍被限制為加起來最高達100%係合乎邏輯的情況之外。
本發明的化學機械拋光組成物和方法可用於拋光包含二氧化矽（TEOS）和氮化矽（Si3 N4 ）的襯底，其中相比於氮化矽去除速率，二氧化矽去除速率具有選擇性。在本發明的方法中使用的化學機械拋光組成物含有以下項（較佳的是由以下項組成）：水；膠體二氧化矽磨料；具有5或更小的pK（平衡常數的負對數）的一種或多種酸性雜環氮化合物，並且該一種或多種酸性雜環氮化合物選自三唑化合物和四唑化合物；視需要，殺生物劑；以及視需要，緩衝劑；並且該化學機械拋光組成物具有5或更小的pH。
平衡常數（Ke ）可以由以下通式表示： Ke = [A]p [B]q / [Ap Bq ]， 其中 [A]、[B] 以及 [AB] 係每種組分的濃度，並且p和q係指莫耳數。前述等式的一般平衡反應可以由以下表示： pA + qB ↔ Ap Bq 本發明的酸性雜環氮化合物的平衡常數的pK為2至5、較佳的是2至小於5、更較佳的是3至小於5、最較佳的是4至小於5。本發明的酸性雜環氮化合物的Ke 在室溫下、較佳的是在25ºC下確定。
本發明的選自三唑和四唑的酸性雜環氮化合物較佳的是具有通式 (I)：
Figure 02_image001
(I)， 其中R1 選自由-H（氫）和-OH（羥基）組成的群組；Q選自由C（碳原子）和N（氮原子）組成的群組；並且當Q係C或N時，R2 係取代或未取代的苯基、-OH、直鏈或支鏈的(C1 -C4 )烷基，並且當Q係C時，R2 可以是具有四個碳原子的伸烷基，以與上式 (I) 的五員環形成飽和或不飽和的、取代或未取代的稠合六員碳環，並且當Q係N時，R2 可以是-H。雖然不受理論限制，但是具有式 (I) 的雜環氮化合物的酸性特徵至少係由於在1位處的N上的-H或-OH基團。本發明的雜環氮化合物的酸性特徵使得酸性水性化學機械拋光組成物在沒有添加其他酸或酸性化合物（包括緩衝劑）的情況下能夠保持希望的pH範圍，該pH範圍為小於或等於5、較佳的是2至5、更較佳的是2至小於5、最較佳的是3至4。
在苯基上以及在六員碳環上的取代基可以包括，但不限於羥基、直鏈或支鏈的羥基(C1 -C4 )烷基、直鏈或支鏈的(C1 -C4 )烷基、-NH2 、直鏈或支鏈的胺基(C1 -C4 )烷基、直鏈或支鏈的烷氧基(C1 -C4 )烷基、-NO2 、硫醇基（-SH）、直鏈或支鏈的硫醇基(C1 -C4 )烷基、-CN、直鏈或支鏈的氰基(C1 -C4 )烷基、磺酸酯基（-SO3 ）、以及直鏈或支鏈的(C1 -C4 )烷基磺酸酯基。
較佳的是，當Q係C時，R2 係取代或未取代的苯基，具有四個碳原子的伸烷基，以形成與式 (I) 的五員環稠合的不飽和的、取代或未取代的六員碳環，並且較佳的是，當Q係N時，R2 係-H，並且較佳的是，當Q係N時，R1 係-H。更較佳的是，當Q係N並且R1 係-H時，R2 係未取代的苯基或-H，並且當Q係C時，更較佳的是R2 係與五員環稠合的不飽和的四個碳原子的伸烷基，其中，本發明的酸性雜環氮化合物具有式 (II) 的苯并三唑：
Figure 02_image003
(II) 其中R1 係-H或-OH，並且R3 係如以上描述的取代基，更較佳的是，R3 係獨立地選自以下項的取代基：羥基、-NH2 、-NO2 、硫醇基（-SH）、磺酸酯基（-SO3 ），並且n係0-3，在n = 0的情況下，該環上沒有取代基。更較佳的是，對於式 (II)，n = 0並且R1 係-OH。
式 (I) 的其中Q係N、R1 係-H並且R2 係-H或苯基的本發明的示例性化合物係四唑和5-苯基-1H-四唑。式 (II) 的示例性酸性雜環氮化合物係1-羥基苯并三唑。
本發明的酸性雜環氮化合物以至少0.1 mM、較佳的是0.1 - 10 mM、更較佳的是1 - 5 mN、最較佳的是2 - 4 mM的量作為初始組分被包含在本發明的化學機械拋光組成物中。
在本發明的化學機械拋光方法中使用的化學機械拋光組成物中含有的水係較佳的是去離子水和蒸餾水中的至少一種，以限制附帶的雜質。
根據本發明的化學機械拋光組成物，膠體二氧化矽組成物包括但不限於藉由常規的溶膠凝膠聚合或藉由水玻璃的懸浮聚合製備的二氧化矽分散體，以分佈方式或以混合方式產生多個細長的、彎曲的或結節狀的二氧化矽顆粒，其可以包括多個球形二氧化矽顆粒。較佳的是，本發明的磨料膠體二氧化矽顆粒具有（+）正ζ電位。最較佳的是，本發明的磨料膠體二氧化矽顆粒具有永久（+）正ζ電位。
細長的、彎曲的或結節狀的膠體二氧化矽顆粒的分散體可以由藉由水解縮合以已知的方式由如四乙氧基矽烷（TEOS）或四甲氧基矽烷（TMOS）的先質形成的矽醇的懸浮聚合來製備。用於製備細長的、彎曲的或結節狀的二氧化矽顆粒的方法係已知的，並且可以例如在Higuchi等人的美國專利號8,529,787中找到。水解縮合包括使先質在水性懸浮液中在鹼性催化劑的存在下反應，該鹼性催化劑例如烷基氫氧化銨、烷氧基烷基胺（諸如乙氧基丙胺（EOPA））、烷基胺或氫氧化鉀，較佳的是四甲基氫氧化銨。水解縮合過程可以將一個或多個陽離子氮原子結合到細長的、彎曲的或結節狀的二氧化矽顆粒中。較佳的是，細長的、彎曲的或結節狀的二氧化矽顆粒在4或更低的pH下係陽離子的。
彎曲的或結節狀的膠體二氧化矽顆粒的分散體從日本大阪扶桑化學工業株式會社（Fuso Chemical Co., Ltd., Osaka, Japan）（扶桑）以商品名HL-2、HL-3、HL-4、PL-2、PL-3或BS-2和BS-3漿料可獲得。其他磨料包括但不限於HL-1以及BS系列磨料，諸如BS-1、BS-2以及BS-3（扶桑）。來自扶桑的HL和BS系列顆粒含有在4或更低的pH下賦予陽離子電荷的一個或多個氮原子。
較佳的是，膠體二氧化矽具有> 200 nm、更較佳的是75至150 nm、最較佳的是100至150 nm的平均粒度；並且以0.1 wt%至40 wt%、較佳的是0.5 wt%至25 wt%、更較佳的是1 wt%至12wt%的量作為初始組分被包含在本發明的化學機械拋光組成物中。
本發明的化學機械拋光組成物的膠體二氧化矽磨料顆粒較佳的是具有（+）正ζ電位。較佳的是，本發明的化學機械拋光組成物的膠體二氧化矽顆粒具有（+）5至（+）50 mV的ζ電位。
視需要，在本發明的化學機械拋光方法中使用的化學機械拋光組成物進一步含有附加的添加劑，該附加的添加劑選自緩衝劑、pH調節劑、消泡劑、表面活性劑以及殺生物劑中的一種或多種。
視需要的殺生物劑包括但不限於KORDEKTM MLX（9.5% - 9.9%的甲基-4-異噻唑啉-3-酮、89.1% - 89.5%的水以及≤1.0%的相關反應產物）或含有活性成分2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮和5-氯-2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮的KATHONTM ICP III，每個均由陶氏化學公司（The Dow Chemical Company）（KATHON和KORDEK係陶氏化學公司的商標）製造。較佳的是，化學機械拋光組成物中包含殺生物劑。
殺生物劑可以以0.001 wt%至0.1 wt%、較佳的是0.001 wt%至0.05 wt%、更較佳的是0.01 wt%至0.05 wt%、還更較佳的是0.01 wt%至0.025 wt%的量作為初始組分被包含在本發明的化學機械拋光組成物中。
視需要，化學機械拋光組成物可以進一步包含消泡劑，諸如非離子表面活性劑，包括酯、環氧乙烷、醇、乙氧基化物、矽化合物、氟化合物、醚、糖苷以及它們的衍生物。陰離子醚硫酸鹽，諸如月桂基醚硫酸鈉（SLES）以及鉀鹽和銨鹽。表面活性劑還可以是兩性表面活性劑。
視需要，本發明的化學機械拋光組成物可以含有0.001 wt%至0.1 wt%、較佳的是0.001 wt%至0.05 wt%、更較佳的是0.01 wt%至0.05 wt%、還更較佳的是0.01 wt%至0.025 wt%的消泡劑或表面活性劑作為初始組分。較佳的是，本發明的化學機械拋光組成物不包含消泡劑和表面活性劑。
本發明的化學機械拋光組成物可以視需要包含一種或多種pH調節劑，以將pH保持在較佳的範圍內。較佳的是，pH調節劑選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、以及氨中的一種或多種。較佳的是，本發明的化學機械拋光組成物不包含此類pH調節劑。
在本發明的化學機械拋光方法中使用的化學機械拋光墊可以是本領域已知的任何合適的拋光墊。化學機械拋光墊可以視需要選自織造拋光墊和非織造拋光墊。化學機械拋光墊可以由具有不同的密度、硬度、厚度、可壓縮性和模量的任何合適的聚合物製成。可以如所希望的對化學機械拋光墊進行開槽和穿孔。
在本發明的化學機械拋光方法中使用的化學機械拋光組成物使得能夠在低的標稱拋光墊壓力下（例如在3至35 kPa下）進行操作。低的標稱拋光墊壓力藉由減少劃痕和其他不希望的拋光缺陷而改進了拋光性能並且使對易碎材料造成的損害最小化。
在本發明的拋光襯底的方法中，所提供的化學機械拋光組成物具有≥ 1000 Å/min；較佳的是≥ 1800 Å/min；更較佳的是≥ 1900 Å/min的二氧化矽去除速率；以及> 5 : 1的TEOS : Si3 N4 選擇性；較佳的是> 20 : 1的TEOS : Si3 N4 選擇性；更較佳的是> 30 : 1的TEOS : Si3 N4 選擇性；還更較佳的是> 35 : 1的TEOS : Si3 N4 選擇性；並且其中在200 mm的拋光機上，壓板（platen）速度為93轉/分鐘、托架速度為87轉/分鐘、化學機械拋光組成物流速為200 mL/min、標稱下壓力為20.7 kPa；並且其中，化學機械拋光墊包含含有聚合物中空心微粒的聚胺酯拋光層以及聚胺酯浸漬的非織造子墊。
以下實例旨在說明本發明，但是並不旨在限制其範圍。實例 1
化學機械拋光組成物
以下化學機械拋光組成物為拋光漿料，並且製備成包括下表1中揭露的組分和量。該組分與餘量的去離子水組合，而沒有進一步調節pH或添加緩衝劑。
[表1]
漿料編號 磨料 磨料（ wt % ） 添加劑 添加劑量 （ mM ） pH pK
PS-1 HL-3 1 1-羥基苯并三唑 2 3.7 4.3
PS-2 HL-3 1 1-羥基苯并三唑 1 3.9 4.3
PS-3 HL-3 1 5-苯基-1H-四唑 2 3.6 4.5
PS-4 HL-3 1 5-苯基-1H-四唑 1 3.8 4.5
PS-5 BS-3 1 5-苯基-1H-四唑 4 3.7 4.5
PSC-1 HL-3 1 1,2,4-三唑 4 8.1 10.3
PSC-2 HL-3 1 咪唑 4 8.1 14.4
PSC-3 HL-3 1 3-羥基吡啶 4 8.1 8.8
HL-3和BS-3膠體二氧化矽顆粒從日本扶桑工業株式會社可獲得。實例 2
TEOS 對 比 Si3 N4 拋光以及去除速率
在以下條件下進行在四乙氧基矽烷（TEOS）襯底和氮化矽襯底中的每個上拋光的毯式晶圓去除速率測試：使用Strasburgh 6EC 200 mm晶圓拋光機或「6EC RR」（亞利桑那州錢德勒市的Axus科技公司（Axus Technology Company, Chandler, AZ）），在20.7 kPa（3 psi）的下壓力以及分別為93和87的工作臺轉速和托架轉速（rpm）下，並且用具有1010凹槽圖案的IC1000TM CMP拋光墊（密西根州米德蘭市的陶氏公司（Dow, Midland, MI））以及所指示的磨料漿料（如在下表2中示出的），在給定的磨料漿料流速200 mL/min下。使用SEASOLTM AK45 AM02BSL8031C1金剛石墊修整盤（中國砂輪企業股份有限公司，台灣（Kinik Company, Taiwan））來修整拋光墊。在拋光期間使用3.18 kg（7.0 lbf）的下壓力在10掃掠/min下在距離拋光墊中心4.32 cm至23.37cm處原位修整拋光墊。藉由使用KLA-TENCORTM FX200度量工具（加利福尼亞州米爾皮塔斯市的美國科磊公司（KLA TENCOR, Milpitas, CA））使用49點螺旋掃描在3 mm邊緣排除下測量拋光之前和之後的膜厚度來確定去除速率。在下表2中示出了去除速率結果及其比率（選擇性）。
[表2]
漿料編號 ζ 電位（ mV ） TEOS RR （ Å/min ） Si3 N4 RR （ Å/min ） TEOS ： Si3 N4 選擇性
PS-1 23 1937 90 22
PS-2 19 1830 403 5
PS-3 24 1978 59 33
PS-4 22 1947 336 6
PS-5 13 1398 38 37
PSC-1 -41 8 7 1
PSC-2 -49 11 17 1
PSC-3 -45 10 13 1
無
無
無

Claims (8)

  1. 一種化學機械拋光組成物，其包含以下項作為初始組分： 水； 膠體二氧化矽磨料； 一種或多種酸性雜環氮化合物，其具有小於或等於5的pK並且選自三唑和四唑； 視需要，殺生物劑； 視需要，緩衝劑；並且其中，該化學機械拋光組成物的pH為5或更小。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械拋光組成物，其中，該化學機械拋光組成物包含以下項作為初始組分： 水； 0.1 wt%至40 wt%的該膠體二氧化矽磨料，其中該膠體二氧化矽磨料具有正的ζ電位； 至少0.1 mM的該酸性雜環氮化合物中的一種或多種，其具有2至5的pK並且選自三唑和四唑； 殺生物劑； 視需要，緩衝劑；並且其中，該化學機械拋光組成物的pH為5或更小。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之化學機械拋光組成物，其中，該化學機械拋光組成物包含以下項作為初始組分： 水； 0.5 wt%至25 wt%的該膠體二氧化矽磨料，其中該膠體二氧化矽磨料具有正的ζ電位； 0.1至10 mM的該酸性雜環氮化合物中的一種或多種，其具有3至小於5的pK並且選自三唑和四唑，其中該三唑和四唑具有通式：
    Figure 03_image001
    (I)， 其中R1 選自由-H和-OH組成的群組；Q選自由碳原子和氮原子組成的群組；並且當Q係碳原子或氮原子時，R2 係取代或未取代的苯基、-OH、直鏈或支鏈的(C1 -C4 )烷基，並且當Q係碳原子時，R2 可以是具有四個碳原子的伸烷基，以與式 (I) 的五員環形成飽和或不飽和的、取代或未取代的稠合六員碳環，並且當Q係氮原子時，R2 可以是-H； 該殺生物劑； 視需要，緩衝劑；並且其中，該化學機械拋光組成物的pH為2至5。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之化學機械拋光漿料組成物，其中，該三唑係具有以下通式的苯并三唑：
    Figure 03_image003
    (II) 其中R1 選自由-H和-OH組成的群組，並且R3 係獨立地選自以下項的取代基：羥基、直鏈或支鏈的羥基(C1 -C4 )烷基、直鏈或支鏈的(C1 -C4 )烷基、-NH2 、直鏈或支鏈的胺基(C1 -C4 )烷基、直鏈或支鏈的烷氧基(C1 -C4 )烷基、-NO2 、硫醇基、直鏈或支鏈的硫醇基(C1 -C4 )烷基、-CN、直鏈或支鏈的氰基(C1 -C4 )烷基、磺酸酯基、以及直鏈或支鏈的(C1 -C4 )烷基磺酸酯基；並且n為0-3，在n = 0的情況下，該環上沒有取代基。
  5. 一種用於對襯底進行化學機械拋光之方法，該方法包括： 提供襯底，其中該襯底包含二氧化矽和氮化矽； 提供化學機械拋光組成物，其包含以下項作為初始組分： 水； 膠體二氧化矽磨料； 一種或多種酸性雜環氮化合物，其具有小於或等於5的pK並且選自三唑和四唑； 視需要，殺生物劑； 視需要，緩衝劑；並且其中，該化學機械拋光組成物的pH為5或更小；以及 提供具有拋光表面的化學機械拋光墊； 用20.7 kPa的下壓力在該化學機械拋光墊的拋光表面與該襯底之間的介面處產生動態接觸；以及 在該化學機械拋光墊與該襯底之間的介面處或介面附近將該化學機械拋光組成物分配到該化學機械拋光墊上； 其中該襯底被拋光；並且其中，將該二氧化矽和氮化矽中的至少一些從該襯底上去除。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中，所提供的該化學機械拋光組成物包含以下項作為初始組分： 水； 0.1 wt%至40 wt%的該膠體二氧化矽磨料，其中該膠體二氧化矽磨料係具有正的ζ電位的膠體二氧化矽磨料； 至少0.1 mM的該酸性雜環氮化合物中的一種或多種，其具有2至5的pK並且選自三唑和四唑； 視需要，殺生物劑； 視需要，緩衝劑；並且其中，該化學機械拋光組成物的pH為5或更小。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該化學機械拋光組成物包含以下項作為初始組分： 水； 0.5 wt%至25 wt%的該膠體二氧化矽磨料，其中該膠體二氧化矽磨料具有正的ζ電位； 0.1至10 mM的該酸性雜環氮化合物中的一種或多種，其具有3至小於5的pK並且選自三唑和四唑，其中該三唑和四唑具有通式：
    Figure 03_image001
    (I) 其中R1 選自由-H和-OH組成的群組；Q選自由碳原子和氮原子組成的群組；並且當Q係碳原子或氮原子時，R2 係取代或未取代的苯基、-OH、直鏈或支鏈的(C1 -C4 )烷基，並且當Q係碳原子時，R2 可以是具有四個碳原子的伸烷基，以與式 (I) 的五員環形成飽和或不飽和的、取代或未取代的稠合六員碳環，並且當Q係氮原子時，R2 可以是-H； 該殺生物劑； 視需要，緩衝劑；並且其中，該化學機械拋光組成物的pH為2至5。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中，該三唑係具有以下通式的苯并三唑：
    Figure 03_image003
    (II)， 其中R1 選自由-H和-OH組成的群組，並且R3 係獨立地選自以下項的取代基：羥基、直鏈或支鏈的羥基(C1 -C4 )烷基、直鏈或支鏈的(C1 -C4 )烷基、-NH2 、直鏈或支鏈的胺基(C1 -C4 )烷基、直鏈或支鏈的烷氧基(C1 -C4 )烷基、-NO2 、硫醇基、直鏈或支鏈的硫醇基(C1 -C4 )烷基、-CN、直鏈或支鏈的氰基(C1 -C4 )烷基、磺酸酯基、以及直鏈或支鏈的(C1 -C4 )烷基磺酸酯基；並且n為0-3，在n = 0的情況下，該環上沒有取代基。
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