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TW202001408A - 遮罩及其製造方法 - Google Patents

遮罩及其製造方法 Download PDF

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TW202001408A
TW202001408A TW108112555A TW108112555A TW202001408A TW 202001408 A TW202001408 A TW 202001408A TW 108112555 A TW108112555 A TW 108112555A TW 108112555 A TW108112555 A TW 108112555A TW 202001408 A TW202001408 A TW 202001408A
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scattering
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mask
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TW108112555A
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Inventor
吳皇明
林鈞浩
周嘉貴
陸埼達
蔡啟銘
Original Assignee
台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

本發明實施例提供一種用於製造一遮罩之方法，其包含：獲得待成像至一基板上之一目標圖案；提供毗鄰該目標圖案之連續邊緣之一第一散射條及一第二散射條；識別該第一散射條之一第一長度及該第二散射條之一第二長度；當該第一長度及該第二長度中之任一者小於一預定值時，連接該第一散射條與該第二散射條；繼識別該第一長度及該第二長度之後，識別該第一散射條與該第二散射條之間之一離距；當該離距等於零時，以一第一方式放置該第一散射條及該第二散射條；以及當該離距大於零時，以一第二方式放置該第一散射條及該第二散射條。

Description

遮罩及其製造方法
本發明實施例係有關遮罩及其製造方法。
在半導體工業中，光微影可用以將來自一光遮罩之一設計轉移至一基板之一表面上。隨著半導體工業之進步，持續提供具有較小構件、較小臨界尺寸或甚至較緻密圖案之半導體結構，然而，歸因於所投射光之各種獨特行為，此等結構之製造可能難以執行。當構件之大小接近或低於所投射光之波長時，可能誘發模糊邊緣、誤定尺寸大小圖案、圓隅角、失真圖案、不可解析之圖案或不可分別之兩相近放置的構件，進一步造成較低良率。
光學接近校正(OPC)係可增強光遮罩之效能之習用技術中之一者。可將散射條(亦稱作掃描條、散射條或亞解析度輔助構件(SRAF))置放在待成像之構件附近或其之間以改良微影圖案成像之清晰度。散射條可改善焦深或變更有效圖案密度，進一步改良微影圖案化之精度及解析度。然而，歸因於放置散射條之約束，可降低散射條之微影效能。
本發明之某些實施例揭露一種用於製造一遮罩之方法，其包括：獲得待成像至一基板上之一目標圖案；提供毗鄰該目標圖案之連續邊緣之一第一散射條及一第二散射條；識別該第一散射條之一第一長度及該第二散射條之一第二長度；當該第一長度及該第二長度中之任一者小於一預定值時，連接該第一散射條與該第二散射條；繼識別該第一長度及該第二長度之後，識別該第一散射條與該第二散射條之間之一離距；當該離距等於零時，以一第一方式放置該第一散射條及該第二散射條；以及當該離距大於零時，以一第二方式放置該第一散射條及該第二散射條。
本發明之某些實施例係關於一種遮罩，其包括：一目標圖案，其具有連續邊緣；及一散射條，其已放置成毗鄰該目標圖案之連續邊緣，其中該散射條包括：一第一區段；及一第二區段，其具有連接至該第一區段之一第一端，其中該第一區段與該第二區段之間之一第一角小於180度。
本發明之某些實施例係關於一種用於製造一半導體裝置之方法，該方法包括：在一基板上方形成一光阻劑層；藉由使用一光學微影工具透過一遮罩用光化輻射來曝光該光阻劑層；及顯影該經曝光光阻劑層以形成一抗蝕劑圖案，其中該遮罩包含：一目標圖案，其具有連續邊緣；及一散射條，其已放置成毗鄰該目標圖案之連續邊緣，其中該散射條包括：一第一區段；及一第二區段，其具有連接至該第一區段之一第一端，其中該第一區段與該第二區段之間之一第一角小於180度。
下文詳細論述本發明之實施例之製作及使用。然而，應瞭解，實施例提供可在一寬泛多種特定內容脈絡中體現之諸多適用發明性概念。所論述之具體實施例僅說明製作及使用實施例之具體方式，且並不限制本發明實施例之範疇。遍及各種視圖及說明性實施例，相似參考數字用於命名相似元件。現將詳細參考在附圖中圖解說明之例示性實施例。在圖式及說明中，儘可能使用相同參考數字來指代相同或類似部件。在圖式中，出於清晰及便利之目的，可放大形狀及厚度。特定而言，此說明將針對根據本發明實施例形成一設備之部分或更直接地與其協作之元件。將理解，未具體展示或闡述之元件可採取各種形式。遍及本說明書對「一項實施例」或「一實施例」之參考意指結合實施例所闡述之一特定構件、結構或特性包含於至少一項實施例中。因此，遍及本說明書之各處出現之片語「在一項實施例中」或「在一實施例中」未必全部係指相同實施例。此外，特定構件、結構或特性可以任一適合方式組合於一或多項實施例中。應瞭解，以下各圖未按比例繪製；而是此等圖僅意欲圖解說明。
此外，為便於說明，本文中可使用空間相對術語(諸如，「下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及諸如此類)來闡述一個元件或構件與另一元件或構件之關係，如圖中所圖解說明。除圖中所繪示之定向外，空間相對術語意欲囊括使用或操作中裝置之不同定向。可以其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)設備且亦可相應地解釋本文中所使用之空間相對闡述語。
儘管陳述本發明實施例之寬廣範疇之數字範圍及參數係近似值，但應儘可能精確地報告在具體實例中陳述之數值。然而，每一數值固有地含有必然由各別測試量測中發現之標準偏差所引起的特定誤差。此外，如本文中所使用，術語「大致」、「大約」或「約」通常意指在熟悉此項技術者可預期之一值或範圍內。另一選擇係，術語「大致」、「大約」或「約」意指在熟悉此項技術者所考量之均值之一可接受標準誤差內。熟悉此項技術者可理解，可接受標準誤差可根據不同技術而變化。除在操作/工作實例中外，或除非另有明確規定，否則所有數字範圍、量、值及百分比(諸如材料數量、持續時間、溫度、操作條件、量之比率及本文中所揭示之其等相似者之彼等)應理解為在所有例項中皆由術語「大致」、「大約」或「約」修飾。因此，除非另有相反指示，否則本發明實施例及所附申請專利範圍中陳述之數字參數係可視需要變化之近似值。至少，每一數字參數應至少根據所報告有效數位之數目及藉由應用一般捨入技術來解釋。本文中範圍可表達為自一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中所揭示之所有範圍係包含端點，除非另有規定。
散射條可用於藉由改良圖案化之清晰度來改良光學接近校正(OPC)。散射條具有小的亞解析度尺寸，因此散射條自身可不投射至一設計之一經投射影像上。舉例而言，可將散射條置放成毗鄰構件之連續邊緣以改良光微影圖案化之有效性，此乃因較遠離緊密間隔之構件之經隔離構件，緊密間隔之構件可投射得更清晰，因此可將散射條置放在經隔離構件旁邊以改良經隔離構件之投射。
歸因於遮罩製造之限制及/或遮罩製造寫入器之約束，諸如兩個相鄰散射條之間之一間隔可不低於一預定限制，或散射條亦可不短於一預定長度，因此按慣例，緊密間隔之散射條及/或大小過小之散射條可由一筆直散射條取代，以便順應遮罩製造之限制及/或遮罩製造寫入器之約束。然而，上述筆直散射條可不根據構件之連續邊緣之廓形來緊密跟蹤，因此OPC修改之有效性可因不準確之焦深及/或不精確之有效圖案密度而劣化。根據微影效能之檢視，上述筆直散射條可導致一較低效能。舉例而言，檢驗影像對數斜率(ILS)係普通微影效能評估操作中之一者。可藉助經最佳化遮罩製造操作來識別及定址具有不充足影像對數斜率(ILS)之遮罩區域以增強效能。
本發明實施例提供用於製造遮罩且調整散射條以增強遮罩之效能同時順應遮罩製造之限制及/或遮罩製造寫入器之約束的方法。
本發明實施例中所闡述之先進微影製程、方法及材料可用於諸多應用中，包含鰭型場效應電晶體(FinFET)。舉例而言，可圖案化鰭形物以在構件之間產生一相對嚴密間隔，以上揭露內容極適合於此間隔。此外，可根據以上揭露內容來處理用於形成FinFET之鰭形物之間隔件。
參考圖1，圖1係圖解說明用於在某些實施例中根據本發明實施例之態樣製造一遮罩之一製程流程100之一方塊圖。在操作22中，一既定結構之構件(舉例而言，一基板上之積體電路(IC)或一半導體結構)經設計。操作22可包含用於產生一設計佈局之邏輯設計、示意性設計、實體設計或其組合。可藉由一設計室20來實施構件之設計。隨後可將自操作22產生之設計佈局提供至一遮罩製造實體30。設計佈局可在具有與待成像至一基板上之一目標圖案相關之資訊之一或多個資料檔案中提供。遮罩製造實體30隨後準備基於設計佈局來製作遮罩。在操作32中，遮罩製造實體30可執行資料準備。遮罩製造實體30獲得待成像至一基板上之目標圖案且進一步將所獲得設計佈局變換成可由一遮罩寫入器(諸如一電子束寫入器)寫入之一經轉換佈局。在某些實施例中，操作32可進一步包含一遮罩工具操作，其中可修改設計佈局以順應一具體遮罩寫入器及/或一遮罩製作器。隨後可經由各種技術來形成遮罩。在某些實施例中，使用二元技術、相移技術、蝕刻或相似者來形成遮罩，此乃因本發明實施例並不限於此。在操作42中，可將在操作32中製造之遮罩用於隨後在製造實體40中製造IC、基板、晶圓或半導體結構。
在某些實施例中，操作32可進一步包含數個操作，諸如邏輯操作(LOP)100、散射條(SB)放置120、重設目標(RET)140、光學接近校正(OPC)160、格式轉換180及/或寫入190。在操作100中，執行LOP以根據製作規則修改設計佈局。在操作120中，將散射條放置成毗鄰目標圖案之連續邊緣；本文中隨後將在圖2至圖8C中論述散射條放置之操作細節。在操作120中可應用或亦可不應用用於在後續熱操作下均勻化熱效應之一虛設嵌入構件。在操作140中，在RET操作期間，基於各種規則來修改設計佈局，使得一經修改設計佈局具有一經改良解析度及精度。RET操作140可進一步包含重定大小構件、重定位構件、重塑形構件、添加輔助構件(諸如散射條)、虛設嵌入構件或其組合。在操作160中，OPC係用以補償影像誤差(諸如可藉由繞射、干擾或其他效應誘發之彼等誤差)之一微影增強技術。OPC操作可進一步包含解析度增強操作，諸如離軸照明、亞解析度輔助構件、相移遮罩、其他適合技術或其組合。在某些實施例中，可繼操作160之後執行一分割操作170，其中將設計佈局分割成多個區段以用於後續操作180。
在操作180中，將經修改設計佈局轉換成與一遮罩寫入器(諸如一電子束遮罩寫入器)相容之一格式。在操作190中，遮罩寫入器準備用於遮罩製造。舉例而言，在寫入製程期間，一遮罩胚料塗佈有一電子敏感抗蝕劑層並轉移至寫入器。一或多個電子束可產生並引導至電子敏感抗蝕劑層。電子敏感抗蝕劑層進一步經顯影以形成一經圖案化抗蝕劑層。使用經圖案化抗蝕劑層作為一蝕刻遮罩來蝕刻遮罩胚料上之一或多個材料層。在某些其他另一實施例中，電子束可直接用於根據設計佈局來蝕刻光遮罩胚料上之材料層。應注意，藉由遮罩寫入器製造遮罩之操作不限於此。本文中所製造之遮罩可用於在製造實體40中製造基板、晶圓、IC或半導體結構。
參考圖2及圖5A，圖2圖解說明先前在圖1中論述之散射條放置之一例示性製程流程120，且圖5A係圖解說明在製作操作之一中間階段期間一遮罩之一示意圖。在操作901中，獲得待成像至一基板上之一目標圖案3 (圖5A中所展示)。可自在操作22 (圖1中所展示)中產生之設計佈局得到目標圖案3。在操作903中，提供至少一第一散射條1及一第二散射條2。將第一散射條1及第二散射條2置放成毗鄰目標圖案3之連續邊緣。目標圖案3之連續邊緣可包含筆直邊緣、共線性邊緣、傾斜邊緣、彎曲邊緣或其組合。在某些實施例中，第一散射條1與第二散射條2之至少一個端具有經修圓隅角或一圓角之一圖案，如本文中所闡述。在某些實施例中，第一散射條1與第二散射條2之每一隅角具有圓角。
在操作904中，識別第一散射條1及第二散射條2中之至少一者之一特徵。舉例而言，可識別第一散射條1之一第一長度L1、第二散射條2之一第二長度L2。如隨後將在圖6A及圖7A中所論述，亦可在操作904中識別散射條之寬度、第一散射條1與第二散射條2之間之相對位移特徵、第一散射條1與第二散射條2之間之一第一離距SP1、第一散射條1與第二散射條2之間之一橫向重疊OVL1或相似者。在操作907中，可將在操作904中識別之一或多個特徵與至少一個預定準則比較。若一構件滿足一預定準則，則流程120可進行至操作911，此乃因第一散射條1及第二散射條2係以一第一方式放置。若一構件不滿足一預定準則，則流程120可進行至操作921，此乃因第一散射條1及第二散射條2係以一第二方式放置。第一方式係不同於第二方式。本發明實施例之以下內容中相應解說預定準則、第一方式及第二方式之細節。
參考圖3、圖5A及圖5B，圖3圖解說明先前在圖1中論述之散射條放置之一例示性製程流程120'，且圖5B係圖解說明在製作操作之一中間階段期間一遮罩之一示意圖。類似於圖2中所提供之製程流程，在操作901中，獲得目標圖案3。在操作903中，提供至少第一散射條1及第二散射條2。將第一散射條1及第二散射條2置放成毗鄰目標圖案3之連續邊緣。繼操作903之後，操作可進行至操作905，其中識別第一散射條1之一第一長度L1及第二散射條2之一第二長度L2。在操作906中，將第一長度L1及第二長度L2與一預定準則比較。舉例而言，可選取一最小總散射條長度Lmin 作為預定準則來與第一長度L1及第二長度L2比較。最小總散射條長度Lmin 取決於構件之技術代，亦即，每一技術代可需要對應遮罩上之不同最小散射條長度。舉例而言，在40 nm及28 nm之技術節點下，最小總散射條長度Lmin 可介於自約50 nm至約80 nm之範圍。
舉例而言，將第一長度L1及第二長度L2與最小總散射條長度Lmin 比較。若散射條之一長度小於最小總散射條長度Lmin ，則歸因於電子束寫入器之限制可能不能夠形成散射條。
若第一長度L1及第二長度L2大於或等於最小總散射條長度Lmin ，則流程120'進行至圖4中之操作9053。若第一長度L1或第二長度L2中之一者小於最小總散射條長度Lmin ，則流程120'進行至操作931。在操作931中，可連接第一散射條1與第二散射條2。在某些實施例中，當連接第一散射條1與第二散射條2時，不造成相對位移，如圖5B中所展示。
參考圖5B，在某些實施例中，可藉由一第三散射條4來連接第一散射條1與第二散射條2，其中第三散射條4之一端連接至第一散射條1之一端，第三散射條4之另一端連接至第二散射條2之一端。在某些實施例中，第三散射條4可具有大致等同於第一散射條1之彼線寬度之一線寬度。隨後，流程120'進行至操作905以用於反覆長度識別及長度比較。識別經連接第一散射條1、第二散射條2及第三散射條4在一橫向方向上之第三長度L'。類似地，若第三長度L'大於或等於最小總散射條長度Lmin ，則流程120'進行至圖4中之操作9053。
若第三長度L'仍小於最小總散射條長度Lmin ，則將識別毗鄰第一散射條1 (未展示)或毗鄰第二散射條2之第四散射條5之一第四長度L4。亦將第四散射條5置放成毗鄰目標圖案3之連續邊緣。如圖5B中所展示，在某些實施例中，可藉由一第五散射條6來連接第四散射條5與第二散射條2，其中第五散射條6之一端連接至第四散射條5之一端，且第五散射條6之另一端連接至第二散射條2之另一端。在某些實施例中，第五散射條6可具有與第二散射條2之彼線寬度相同之一線寬度。
將在一橫向方向上組合第一散射條1、第二散射條2、第三散射條4及第四散射條5與第五散射條6來識別一第五長度L''。可重複地執行連接毗鄰散射條之操作931，直至在一橫向方向上組合所有經連接散射條而量測之一長度大於或等於最小總散射條長度Lmin ，且流程120'進行至圖4中之操作9053。
參考圖5C至圖5E，圖5C及圖5E圖解說明在製作操作之中間階段期間一遮罩之俯視圖。在散射條之連接之後，藉此形成一經連接散射條99。或者明確地說，經連接條99至少包含一第一區段1'、一第二區段2'及一第三區段4'。第三區段4'具有連接至第一區段1'之一端及連接至第二區段2'之另一端。在某些實施例中，第一區段1'與第二區段2'係大致平行的。第一區段1'與第三區段4'之間之一第一角θ1小於180度。第二區段2'與第三區段4'之間之一第二角θ2小於180度。在某些實施例中，可在第一區段1'之一邊緣與第三區段4'之一毗鄰邊緣之間形成圓角91。亦可在第二區段2'之一邊緣與第三區段4'之一邊緣之間形成圓角91。
在某些實施例中，經連接散射條99進一步包含一第四區段5'及一第五區段6'。可藉由第五區段6'來連接第四區段5'與第二區段2'，其中第五區段6'之一端連接至第四區段5'之一端，且第五區段6'之另一端連接至第二區段2'。在某些實施例中，第四區段5'與第一區段1'亦可係大致平行的。第五區段6'與第四區段5'之間之一角及連接至第二區段2'之另一端之第五區段6'與第二區段2'之間之一角小於180度。在某些實施例中，可在第四區段5'之一邊緣與第五區段6'之一毗鄰邊緣之間形成圓角91。亦可在第二區段2'之一邊緣與第五區段6'之間形成圓角91。
參考圖5C，在某些實施例中，第二區段2'較第一區段1'更接近目標圖案3，且第二區段2'較第四區段5'更接近目標圖案3。參考圖5D，在某些實施例中，第一區段1'較第二區段2'更接近目標圖案3，且第四區段5'較第二區段2'更接近目標圖案3。參考圖5D，在某些實施例中，第一區段1'較第二區段2'更接近目標圖案3，且第二區段2'較第四區段5'更接近目標圖案3。應值得注意的是，本發明實施例中並不限制區段之數目，具有大於最小總散射條長度Lmin 之一長度的所有類似實施例皆在考量之中。
參考圖4及圖6A至圖8B，圖4圖解說明繼圖3之後散射條放置之一例示性製程流程120'，且圖6A至圖8B係圖解說明在製作操作之一中間階段期間一遮罩之示意圖。若第一長度L1與第二長度L2二者大於或等於最小總散射條長度Lmin ，則流程120'進行至操作9053。在操作9053中，識別第一散射條1與第二散射條2之相對位移特徵。在某些實施例中，操作9053包含一第一子操作9057，識別一第一離距SP1，第一離距SP1係在第一散射條1與第二散射條2之間橫向地量測，如圖6A中所展示。若第一散射條1與第二散射條2彼此橫向地分離，則SP1係非零或大於零。若第一散射條1之一邊緣1a與面向邊緣1a之第二散射條2之一邊緣2a係垂直對準的(如圖6B中所展示)，則SP1等於零。在某些實施例中，操作9053包含一第二子操作9059，識別第一散射條1與第二散射條2之間之一第一橫向重疊OVL1，如圖7A中所展示。若第一散射條1與第二散射條2彼此橫向地重疊，則OVL1大於零。若第一散射條1與第二散射條2彼此不橫向地重疊，則OVL1小於零。
在某些實施例中，操作9053包含子操作9057及子操作9059二者。在某些實施例中，在子操作9059之前執行子操作9057。在某些其他實施例中，繼子操作9059之後執行子操作9057。在某些其他實施例中，同步執行子操作9057及子操作9059。在某些其他實施例中，在操作9053期間僅執行子操作9057或操作9059中之一者。在某些實施例中，操作9053進一步包含識別第一散射條1之一寬度W1及第二散射條2之一寬度W2。在某些實施例中，第一散射條1之一寬度W1與第二散射條2之一寬度W2係等同的，如圖6A中所展示。在某些其他實施例中，第一散射條1之一寬度W1與第二散射條2之一寬度W2係不同的。在此連接中，可將所量測之所有散射條之寬度判定為在第一寬度W1與第二寬度W2內之一範圍中之一值。
在操作9053中，若第一離距SP1等於零，則識別第一橫向重疊OVL1。若第一離距SP1等於零且第一橫向重疊OVL1大於零(如圖7A中所展示)，則可藉由一第三散射條4來連接第一散射條1與第二散射條2(如圖7B中所展示)，類似於先前圖5B至圖5C所論述。如先前在圖5B中所闡述，可連接第一散射條1與第二散射條2而不發生相對位移。參考圖7C，若第一離距SP1等於零且第一橫向重疊OVL1小於零或係一負值，則第一散射條1及第二散射條2將依照一最小位移規則位移。
在圖7C中所圖解說明之條件下，若兩個毗鄰散射條之間之一橫向重疊之一絕對值小於一最小橫向分裂SPLTmin ，則可歸因於一電子束寫入器之解析度限制而無法製作兩個毗鄰散射條。藉由構件之技術代來判定最小橫向分裂SPLTmin ，亦即，每一技術代可需要不同SPLTmin 。將第一橫向重疊OVL1之絕對值與技術代特定之SPLTmin 比較。若第一橫向重疊OVL1之絕對值小於SPLTmin ，則第一散射條1及第二散射條2中之至少一者經位移以便將第一橫向重疊OVL1變換至一第二橫向重疊OVL2，直至第二橫向重疊OVL2之一絕對值轉而大於SPLTmin 之一程度，如自圖7C至圖7D之變換中所展示。先前闡述之最小位移規則需要一演算法，該演算法描繪一種涉及最小位移且同時確保一絕對橫向重疊值大於SPLTmin 之位移方式。如圖7D中所展示，由於第二橫向重疊OVL2大於最小橫向分裂SPLTmin ，因此可藉助當前技術領域中之電子束設備來製作兩個毗鄰之散射條1及散射條2。相比而言，若最小位移規則導致兩個毗鄰散射條更接近，舉例而言，形成一正值之一第二橫向重疊OVL2(諸如圖7A中所圖解說明之彼等散射條)，則可選取用一第三散射條4連接兩個毗鄰之散射條1及散射條2。
再次參考圖6A，若第一離距SP1大於零，則將第一離距與一預定最小離距SPmin 比較。在某些實施例中，SPmin 可係放置散射條之預定準則中之一者。若兩個毗鄰散射條之一離距小於最小離距SPmin ，則可歸因於電子束寫入器之解析度限制而不能夠形成散射條。可藉由構件之技術代來判定最小離距SPmin ，亦即，每一技術代可需要不同SPmin 。在某些實施例中，最小離距SPmin 等於W/2或散射條寬度W的一半，其中寬度W係一技術代特定之值。若第一離距SP1大於最小離距SPmin ，則第一散射條1及第二散射條2可不需要位移。若第一離距SP1小於最小離距SPmin ，則第一散射條1及第二散射條2可需要依照一最小位移規則來位移，如隨後將在圖8A至圖8C中所論述。
參考圖6C，在某些實施例中，若第一離距SP1小於最小離距SPmin ，則第一散射條1及第二散射條2中之至少一者可位移。第一離距SP1沿一分離方向增加至一第二離距SP2，其中第二離距SP2至少大於或等於最小離距SPmin 。
參考圖6D，一第一散射條1p可毗鄰於複數個散射條，舉例而言，一第二散射條1q及一第三散射條1r各自藉由一第一離距SP1a橫向地分離。一第四散射條1s可毗鄰於複數個散射條，舉例而言，第二散射條1q及第三散射條1r各自藉由一第二離距SP1b橫向地分離。若第一離距SP1a及第二離距SP1b大於最小離距SPmin ，則第一散射條1及第二散射條2可不需要位移。若第一離距SP1a及/或第二離距SP1b小於最小離距SPmin ，則第一散射條1及第二散射條2可需要位移。如圖6E中所展示，第一離距SP1a及第二離距SP2沿一分離方向分別增加至一第三離距SP2a及一第四離距SP2b，其中第三離距SP2a及第四離距SP2b至少大於或等於最小離距SPmin 。
參考圖8A，第一離距SP1小於最小離距SPmin 且第一橫向重疊OVL1小於零。在某些實施例中，第一散射條1及第二散射條2中之至少一者可沿著及/或垂直於一橫向方向位移。如圖8B中所展示，可將第一離距SP1調整至一第二離距SP2。在某些實施例中，可將第一橫向重疊OVL1調整至第二橫向重疊OVL2。為順應前述最小位移規則，提供在圖8C中圖解說明之一查找表，演示各種類型之可接受離距之一選擇。在某些實施例中，所選擇類型之可接受離距應係涉及第一散射條1及/或第二散射條2之最小位移的一個類型。
離距及橫向重疊之組合應順應與圖8C中提供之第一散射條1及第二散射條2有關之離距(Xn )-重疊(Yn )表組合。可藉由構件之技術代來決定離距(Xn )-重疊(Yn )表，亦即，不同技術代可需要不同表。舉例而言，參考圖8A至圖8C，若藉由X3將第一離距SP1調整至第二離距SP2，且藉由Y3將第一橫向重疊OVL1調整至第二橫向重疊OVL2，則其緣由是歸因於組合3提供第一散射條1及/或第二散射條2之最小位移之事實而選擇組合3用於此等位移。展示所有組合之離距(Xn )-重疊(Yn )表提供既定技術代下之可接受離距。自組合之選擇提供與目標圖案之毗鄰邊緣之廓形相比較好之一致性，以便減緩微影效能之劣化。
在某些其他實施例中，第一散射條1與第二散射條2之間之一間隔應順應最小間隔表，其中第一散射條1與第二散射條2之間隔等於離距與橫向覆疊之和方根，亦即，藉由畢達哥拉斯方程式計算之(離距2 +橫向覆疊2 )0.5 。最小間隔表可包含藉由構件之技術代決定之組合，亦即，不同技術代可需要不同表。舉例而言，選擇組合3，因此第一散射條1與第二散射條2之間隔(離距2 +橫向覆疊2 )0.5 應大於自表得到之SPC3。
參考圖9，圖9係表示根據本發明之某些實施例用於將一遮罩用於製作一半導體裝置之方法之一流程圖。該等方法包含：在一基板上形成一光阻劑層(操作991)，藉由使用一光學微影工具透過遮罩用光化輻射來曝光光阻劑層(操作992)，且顯影經曝光光阻劑層以形成一抗蝕劑圖案(操作993)。本文中，遮罩包含藉由在圖1至圖8C中提供之製造方法來圖解說明或製作之目標圖案3及散射條。
應注意，可藉由軟體來實施本發明實施例中所論述之操作，使得可在遮罩製造製程期間自動執行本文中所揭示之前述方法。對於一既定電腦，可將軟體常式儲存在一儲存裝置上，諸如一永久記憶體。另一選擇係，軟體常式可係使用任何機器可讀儲存媒體(諸如一磁片、CD-ROM、磁帶、數位視訊或多功能光碟(DVD)、雷射光碟、ROM、快閃記憶體等)儲存之機器可執行指令。可自一遠端儲存裝置(諸如一網路上之一伺服器)接收若干系列指令。亦可在硬體系統、離散硬體或韌體中實施本發明實施例。
本發明之某些實施例提供一種用於製造一遮罩之方法，其包含：獲得待成像至一基板上之一目標圖案；提供毗鄰目標圖案之連續邊緣之一第一散射條及一第二散射條；識別第一散射條之一第一長度及第二散射條之一第二長度；當第一長度與第二長度中之任一者小於一預定值時，連接第一散射條與第二散射條；繼識別第一長度及第二長度之後，識別第一散射條與第二散射條之間之一離距；當離距等於零時，以一第一方式放置第一散射條及第二散射條；以及當離距大於零時，以一第二方式放置第一散射條及第二散射條。
本發明之某些實施例提供一種遮罩，其包含：一目標圖案，其具有連續邊緣；及一散射條，其已放置成毗鄰目標圖案之連續邊緣，其中散射條包含：一第一區段，及一第二區段，其具有連接至第一區段之一第一端，其中第一區段與第二區段之間之一第一角小於180度。
本發明之某些實施例提供一種用於將一遮罩用於製作一半導體裝置之圖案形成方法的方法，其包含：在一基板上形成一光阻劑層；藉由使用一光學微影工具透過遮罩用光化輻射來曝光光阻劑層；及顯影經曝光光阻劑層以形成一抗蝕劑圖案，其中遮罩包含：一目標圖案，其具有連續邊緣；及一散射條，其已放置成毗鄰目標圖案之連續邊緣，其中散射條包含：一第一區段；及一第二區段，其具有連接至第一區段之一第一端，其中第一區段與第二區段之間之一第一角小於180度。
儘管已詳細闡述本發明實施例及其優點，但應理解，可在不背離如由所附申請專利範圍界定之本發明實施例之精神及範疇之情形下做出各種改變、替代及更改。舉例而言，上文所論述之製程中之諸多製程可以不同方法來實施且由其他製程或其一組合來替代。
此外，本申請案之範疇並不意欲限於本說明書中所闡述之製程、機器、製作、物質之組合物、方式、方法及步驟之特定實施例。如熟習此項技術者自本發明實施例之揭示內容將易於瞭解，可根據本發明實施例利用當前存在或稍後將研發之實施與本文中所闡述之對應實施例大致相同功能或達成大致相同結果之製程、機器、製作、物質之組合物、方式、方法或步驟。因此，所附申請專利範圍意欲在其等範疇內包含此等製程、機器、製作、物質之組合物、方式、方法或步驟。
1‧‧‧第一散射條/散射條 1'‧‧‧第一區段 1a‧‧‧邊緣 1p‧‧‧第一散射條 1q‧‧‧第二散射條 1r‧‧‧第三散射條 1s‧‧‧第四散射條 2‧‧‧第二散射條/散射條 2'‧‧‧第二區段 2a‧‧‧邊緣 3‧‧‧目標圖案/組合 4‧‧‧第三散射條 4'‧‧‧第三區段/第四區段 5‧‧‧第四散射條 5'‧‧‧第四區段 6‧‧‧第五散射條 6'‧‧‧第五區段 20‧‧‧設計室 22‧‧‧操作 30‧‧‧遮罩製造實體 32‧‧‧操作 40‧‧‧製造實體 42‧‧‧操作 91‧‧‧圓角 99‧‧‧經連接散射條 100‧‧‧製程流程/邏輯操作/操作 120‧‧‧散射條放置/操作/例示性製程流程/流程 120'‧‧‧例示性製程流程/流程 140‧‧‧重設目標/操作/重設目標操作 160‧‧‧光學接近校正/操作 170‧‧‧分割操作 180‧‧‧格式轉換/後續操作/操作 190‧‧‧寫入/操作 901‧‧‧操作 903‧‧‧操作 904‧‧‧操作 905‧‧‧操作 906‧‧‧操作 907‧‧‧操作 911‧‧‧操作 921‧‧‧操作 931‧‧‧操作 991‧‧‧操作 992‧‧‧操作 993‧‧‧操作 9053‧‧‧操作 9057‧‧‧第一子操作/子操作 9059‧‧‧第二子操作/子操作 L'‧‧‧第三長度 L''‧‧‧第五長度 L1‧‧‧第一長度 L2‧‧‧第二長度 L4‧‧‧第四長度 OVL1‧‧‧橫向重疊/第一橫向重疊 OVL2‧‧‧第二橫向重疊 SP1‧‧‧第一離距 SP1a‧‧‧第一離距 SP1b‧‧‧第二離距 SP2‧‧‧第二離距 SP2a‧‧‧第三離距 SP2b‧‧‧第四離距 SPLTmin‧‧‧最小橫向分裂 W‧‧‧散射條寬度/寬度 θ1‧‧‧第一角 θ2‧‧‧第二角
在隨附圖式之各圖中，藉由實例而非限制之方式圖解說明一或多項實施例，其中通篇中具有相同參考數字命名之元件表示相似元件。除非另有揭示，否則圖示未按比例繪製。
圖1係根據本發明之某些實施例表示用於製造一遮罩之方法之一方塊圖。
圖2係根據本發明之某些實施例表示用於製造一遮罩之方法之一流程圖。
圖3係根據本發明之某些實施例表示用於製造一遮罩之方法之一流程圖。
圖4係根據本發明之某些實施例表示用於製造一遮罩之方法之一流程圖。
圖5A至圖5E係根據本發明之某些實施例在製作操作之一中間階段期間一遮罩之俯視圖。
圖6A至圖6E係根據本發明之某些實施例在製作操作之一中間階段期間一遮罩之俯視圖。
圖7A及圖7D係根據本發明之某些實施例圖解說明在製作操作之一中間階段期間一遮罩之示意圖。
圖8A至圖8B係根據本發明之某些實施例圖解說明在製作操作之一中間階段期間一遮罩之示意圖。
圖8C係根據本發明之某些實施例之用於製造一遮罩之一查找表。
圖9係根據本發明之某些實施例表示用於使用一遮罩來製作一半導體裝置之方法之一流程圖。
1‧‧‧第一散射條/散射條
2‧‧‧第二散射條/散射條
3‧‧‧目標圖案/組合
4‧‧‧第三散射條
5‧‧‧第四散射條
6‧‧‧第五散射條
L'‧‧‧第三長度
L"‧‧‧第五長度
L1‧‧‧第一長度
L2‧‧‧第二長度
L4‧‧‧第四長度

Claims (1)

  1. 一種用於製造一遮罩之方法，其包括： 獲得待成像至一基板上之一目標圖案； 提供毗鄰該目標圖案之連續邊緣之一第一散射條及一第二散射條； 識別該第一散射條之一第一長度及該第二散射條之一第二長度； 當該第一長度及該第二長度中之任一者小於一預定值時，連接該第一散射條與該第二散射條； 繼識別該第一長度及該第二長度之後，識別該第一散射條與該第二散射條之間之一離距； 當該離距等於零時，以一第一方式放置該第一散射條及該第二散射條；及 當該離距大於零時，以一第二方式放置該第一散射條及該第二散射條。
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