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TW201833370A - 處理裝置及蓋構件 - Google Patents

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TW201833370A
TW201833370A TW106134843A TW106134843A TW201833370A TW 201833370 A TW201833370 A TW 201833370A TW 106134843 A TW106134843 A TW 106134843A TW 106134843 A TW106134843 A TW 106134843A TW 201833370 A TW201833370 A TW 201833370A
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TW106134843A
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神尾卓史
藤里敏章
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題] 以抑制在被配置於腔室內之平台之外緣部產生微粒為目的。 　　[解決手段] 提供一種處理裝置，具有：平台，其係被配置在腔室內；和蓋構件，其係被設置於上述平台之外緣部，將上述腔室內區劃成上述平台之上部之處理空間和上述平台之下部之底部空間，在該處理裝置中，上述蓋構件具有：第1突出部，其係與上述平台之表面面接觸；第2突出部，其係與上述第1突出部隔離而與上述平台之表面面接觸；及排氣路，其係從在上述第1突出部和上述第2突出部之間，藉由上述蓋構件和上述平台所形成之緩衝空間排出氣體。

Description

處理裝置及蓋構件
[0001] 本發明係關於處理裝置及蓋構件。
[0002] 在ALD(Atomic Layer Deposition)成膜裝置等中，藉由較530℃程度之通常的製程更高溫進行成膜處理，來進行降低膜中之雜質，謀求提升膜強度。例如，進行藉由以600℃前後之高溫成膜TiN(氮化鈦)膜，提升膜之強度，抑制圖案倒塌，謀求提升良率。 　　[0003] 再者，在成膜裝置之中，也有在載置晶圓之平台堆積氧化物，成為微粒之情形。於是，提案有在晶圓之邊緣側設置沖洗氣體之通路，使可以至堆積於平台之氧化物成為某程度之量為止，不會產生問題地使用裝置(例如，參照專利文獻1)。依此，藉由使製程氣體難以進入至晶圓之邊緣側，降低平台上之堆積物的量。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] 　　[專利文獻1]日本特開2010-056561號公報
[發明所欲解決之課題] 　　[0005] 但是，在以例如600℃前後之高溫成膜TiN膜的成膜處理之情況下，平台上之堆積物之強度變高，成為容易結晶化而破裂。其結果，破裂之堆積物之柱狀之片飛到基板之邊緣側而成為微粒。 　　[0006] 再者，於使用專利文獻1所揭示成膜方法之情況下，因沖洗氣體直接性地被供給至晶圓之邊緣側，故在被供給至平台之上部區域之製程氣體與直接性地被供給至晶圓邊緣之沖洗氣體拮抗之處，氣體停滯，容易產生微粒。 　　[0007] 對於上述課題，在一觀點，本發明係以抑制被配置在腔室內之平台之外緣部產生微粒為目的。 [用以解決課題之手段] 　　[0008] 為了解決上述課題，若藉由一態樣，則提供一種處理裝置，具有：平台，其係被配置在腔室內；和蓋構件，其係被設置於上述平台之外緣部，將上述腔室內區劃成上述平台之上部之處理空間和上述平台之下部之底部空間，在該處理裝置中，上述蓋構件具有：第1突出部，其係與上述平台之表面面接觸；第2突出部，其係與上述第1突出部隔離而與上述平台之表面面接觸；及排氣路，其係從在上述第1突出部和上述第2突出部之間，藉由上述蓋構件和上述平台所形成之緩衝空間排出氣體。 [發明效果] 　　[0009] 若藉由一觀點，可以抑制在被配置在腔室內之平台之外緣部產生微粒。
[0011] 以下，針對用以實施本發明之型態，參照圖面予以說明。另外，本說明書及圖面中，針對實質上相同之構成，藉由賦予相同之符號，省略重複之說明。 　　[0012] (成膜裝置之構成) 　　首先，針對與本發明之一實施型態有關之成膜裝置1之全體構成，一面參照圖1一面進行說明。圖1表示與本發明之一實施型態有關之成膜裝置1之縱剖面。在本實施型態中，舉出ALD成膜裝置作為成膜裝置1之一例。另外，成膜裝置1係藉由氣體之作用，對半導體晶圓(以下，稱為「晶圓W」)進行成膜等之特定處理的處理裝置之一例。 　　[0013] 成膜裝置1藉由鋁等之金屬構成，具有平面形狀大概圓形之真空處理容器(以下，稱為「腔室C」)。在腔室C內設置有載置晶圓W之平台2。在腔室C之側面，設置有在與平台2之間進行晶圓W之收授之時，使被設置在外部之真空搬運路之晶圓搬運機構進入至腔室C內之搬入搬出口11，和關閉搬入搬出口11之閘閥12。 　　[0014] 在較搬入搬出口11更上部側之位置，以係由鋁等之金屬構成，以堆積在腔室C之本體之側壁上之方式，設置有使縱剖面之形狀為方型之導管彎曲成圓環狀而構成的排氣埠13。在排氣埠13之內周面，形成沿著周方向延伸之縫隙狀之開口部131，從處理空間U流出之氣體經由開口部131而從排氣埠13被排出。如此一來，排氣埠13內成為排氣腔室C內之排氣空間。在排氣埠13之外壁面，形成排氣口132，在排氣口132連接由真空泵等所構成之排氣裝置65。藉由排氣裝置65，腔室C內被控制成特定之減壓狀態。 　　[0015] 在腔室C內，於排氣埠13之內側之位置，配置平台2。平台2係由大於晶圓W一圈的圓板所構成，藉由例如氮化鋁(AlN)、石英玻璃(SiO2 )等之陶瓷或鋁(Al)、赫史特合金(註冊商標)等之金屬所構成。在平台2之內部，埋設用以將平台2之溫度加熱至例如540℃～600℃之成膜溫度的加熱器21。即使因應所需，設置用以將晶圓W保持在平台2上之靜電夾具亦可。 　　[0016] 在平台2，以在圓周方向覆蓋較晶圓W之載置區域更外周側之區域(即是，平台2之外緣部)及平台2之側周面之方式，設置蓋構件3。蓋構件3係由例如氧化鋁(Al2 O3 )、石英、藍寶石等所構成，上下端被形成分別開口的概略圓筒形狀，同時在整個圓周方向，其上端部朝向內側彎曲成水平方向。該彎曲部在平台2之外緣部之表面卡止，該彎曲部之厚度尺寸被形成較晶圓W之厚度尺寸厚。 　　[0017] 在平台2之下面之中央部，貫通腔室C之底面，連接有在上下方向延伸之支撐構件23。在支撐構件23之下端部，經由被水平配置在腔室C之下方的板狀支撐台232而連接於升降機構24。升降機構24係在與從搬入搬出口11進入之晶圓搬運機構之間收授晶圓W之收授位置(在圖1中以一點鏈線記載)，和在該收授位置之上方且在與對晶圓W進行成膜之處理位置之間，使平台2升降。 　　[0018] 在該支撐構件23貫通之腔室C之底面，和支撐台232之間，以從圓周方向之外側覆蓋支撐構件23之方式，設置有將腔室C內之氛圍與外部區劃，且隨著支撐台232之升降動作延伸收縮之伸縮體231。 　　[0019] 在平台2之下方，設置有於與外部之晶圓搬運機構進行晶圓W之收授時，從下面支撐晶圓W而抬起之例如3根支撐銷25。支撐銷25係被連接於升降機構26而成為升降自如，經由在上下方向貫通平台2之貫通孔201使支撐銷25從平台2之上面突出縮入，進行在與晶圓搬運機構之間的晶圓W之收授。 　　[0020] 在排氣埠13之上面，以堵塞圓形之開口之方式，設置有圓板狀之支撐板32，在該些排氣埠13和支撐板32之間配置有用以將腔室C內保持氣密之O型環133。在支撐板32之下面，設置有用以對平台2之上部之處理空間U供給製程氣體或載體氣體之頂板構件31，頂板構件31藉由螺栓323被支撐固定在支撐板32。頂板構件31或支撐板32構成成膜裝置1之頂棚部。 　　[0021] 在頂板構件31之下面形成凹部，該凹部之中央側之區域成為平坦。另外，在頂板構件31之下方位置，以覆蓋該頂板構件31之下面全體之方式設置有作為氣體擴散板之氣體噴淋頭5。氣體噴淋頭5具備擁有與平台2相向之平坦表面的例如金屬製之圓板部分，與被形成在該圓板之周緣部，突出至下方的環狀突起部53。 　　[0022] 於使平台2上升至處理位置之時，環狀突起部53之下端被配置成與設置在平台2之蓋構件3之上面相向。藉由氣體噴淋頭5之下面及環狀突起部53和平台2之上面所包圍之空間，成為對晶圓W進行成膜之處理空間U。 　　[0023] 再者，如圖2所示般，以在環狀突起部53之下端，蓋構件3之彎曲部之上面之間，形成高度h之間隙之方式，設定處理位置之高度位置。圖1所示之排氣埠13之開口部131朝向該間隙開口。環狀突起部53之下端和蓋構件3之間隙之高度h，被設定成例如0.2～10.0mm之範圍的3.0mm。 　　[0024] 藉由頂板構件31和氣體噴淋頭5抵接而締結，構成用以使氣體擴散之擴散空間50。在擴散空間50之底部，在整個其全表面穿設多數氣體噴出孔511，可以朝向晶圓W供給製程氣體或載體氣體(例如，氮氣等)。 　　[0025] 本例之氣體噴淋頭5係擴散空間50之直徑(即是，氣體供給區域51之直徑)成為310mm，擴散空間50之高度尺寸成為8mm。第1氣體分散部4A係沿著以晶圓W之中心部為中心之第1圓以等間隔配置4個，並且，第2氣體分散部4B係沿著與第1圓呈同心圓且第1圓之外側的第2圓以等間隔配置8個。 　　[0026] 擴散空間50之直徑為310mm之氣體噴淋頭5被配置在平台2上之晶圓W之中央部之上方位置。依此，氣體噴淋頭5之最外側的氣體噴出孔511，位於平面性觀看，直徑為300mm之晶圓W之外緣更外側。 　　[0027] 從平台2上之晶圓W之上面，如圖2所示般，至氣體供給區域51之氣體噴出孔511為止之高度t為6～50mm程度，更佳為被設定成7～17mm程度。當該高度t大於50mm時，氣體之置換效率下降。 　　[0028] 在設置有第1及第2氣體分散部4A、4B之頂板構件31，形成有用以朝第1及第2氣體分散部4A、4B供給氣體之氣體供給路312。該些氣體供給路312被連接於形成在頂板構件31之上面和支撐板32之下面之間的構成氣體之緩衝室的擴散部311。 　　[0029] 參照圖1及圖2，在支撐板32，形成有作為用以對擴散部311供給氨氣及載體氣體之一例的用以供給氮氣的氨供給路321，與氣體供給部6連接。再者，在支撐板32，形成有用以對擴散部311供給氯化鈦氣體及作為載體氣體之一例的氮氣之氯化鈦供給路322，與氣體供給部6連接。氣體供給部6具有氮氣供給部61、63、氨氣供給部62、氯化鈦氣體供給部64、開關閥602及流量調整部601。 　　[0030] 氨供給路321及氯化鈦供給路322經由配管而連接於氨氣供給部62、氯化鈦氣體供給部64，該些配管在各個途中分歧而連接於氮氣供給部61、63。在各配管設置有進行氣體之供給切斷的開關閥602，和進行氣體供給量之調整的流量調整部601。另外，為了圖示方便，在圖1中，雖然分別表示氮氣供給部61、63，但是即使該些使用共同的氮供給源亦可。 　　[0031] 成膜裝置與控制部7連接。控制部7即使為具備有例如CPU和記憶體之電腦亦可。在記憶體，記錄有使晶圓W上升至處理位置，以事先決定之順序對處理空間U內供給反應氣體及載體氣體而實行TiN膜等之成膜，且編排針對搬出晶圓W為止之控制的步驟群的程式。該程式係被儲存於例如硬碟、CD、光磁性碟、記憶卡等之記憶媒體，自此被安裝於電腦。控制部7隨著程式之程序，控制排氣裝置65或氣體供給部6等。 　　[0032] 接著，針對與本實施型態有關之成膜裝置1之作用予以說明。首先，事先藉由排氣裝置65，將腔室C內減壓至真空氛圍之後，使平台2下降至收授位置。而且，開放閘閥12，使被設置在與搬入搬出口11連接之真空搬運室的晶圓搬運機構之搬運臂進入，在與支撐銷25之間進行晶圓W之收授。之後，使支撐銷25下降，藉由加熱器21，將晶圓W載置於被加熱至例如540℃～600℃之範圍之高溫的平台2上。 　　[0033] 接著，關閉閘閥12，使平台2上升至處理位置，同時進行腔室C內之壓力調整。之後，藉由氯化鈦氣體供給部64，供給氯化鈦氣體，被供給之氯化鈦氣體經由氯化鈦供給路322→擴散部311→氣體供給路312，流至第1及第2氣體分散部4A、4B。 　　[0034] 而且，從氣體供給路312被供給至第1及第2氣體分散部4A、4B之氯化鈦氣體，從複數氣體導入口42，以橫方向擴散之方式被導入至擴散空間50內。 　　[0035] 如此被導入至擴散空間50內之氣體，通過氣體噴淋頭5之多數之氣體噴出孔511之時，由於壓損，使得速度充分下降，分散被供給至處理空間U。 　　[0036] 被供給至處理空間U之氯化鈦氣體朝向晶圓W之周緣方向流通而被排氣。因此，從氣體噴淋頭5之上方之擴散空間50流至處理空間U側之氯化鈦氣體，一面流至處理空間U之周緣方向，一面被供給至晶圓W。例如，從氣體噴出孔511被供給之氯化鈦氣體，在處理空間U內下降而到達至平台2上之晶圓W，其一部分吸附於晶圓W。剩下的氯化鈦氣體一部分一面吸附於晶圓W之表面，一面沿著晶圓W之表面朝徑向放射狀地擴散。 　　[0037] 流通處理空間U內，到達至環狀突起部53之下端和蓋構件3之間的間隙之氯化鈦氣體，從該間隙流出，經由排氣埠13而朝外部排氣。被供給至處理空間U之氯化鈦氣體，因一面流至晶圓W之周緣方向，一面被供給至晶圓W，故晶圓W之中央部，難以供給氯化鈦氣體，越往晶圓W之周緣側，越容易供給氯化鈦氣體。 　　[0038] 在上述流路中，在氣體噴淋頭5之周緣部，設置環狀突起部53，藉由適當地設定與蓋構件3之間的間隙之高度，調整氣體從處理空間U朝向周圍之排氣埠13側流通之時之壓力損失。其結果，可以僅以足夠吸附於晶圓W之時間，使各反應氣體滯留在處理空間U之後，朝向形成有該間隙之圓周方向外側，而均等地排出反應氣體。 　　[0039] 接著，停止氯化鈦氣體之供給，同時從氮氣供給部63供給作為載體氣體之一例的氮氣。氮氣通過與氯化鈦氣體相同之路徑而被供給至處理空間U內，該路徑及處理空間U內之氯化鈦氣體被置換成氮氣。 　　[0040] 如此一來，在特定時間，進行氮氣之供給，進行氣體之置換之後，停止氮氣之供給，從氨氣供給部62供給氨氣。被供給之氨氣經由氨供給路321→擴散部311→氣體供給路312，而流入第1及第2氣體分散部4A、4B。而且，從第1及第2氣體分散部4A、4B被導入至擴散空間50內之氨氣，形成與氯化鈦氣體之情況相同的流路而被供給至處理空間U內。 　　[0041] 排氣埠13之底面，從腔室C之側壁突出，藉由其突出部13a和蓋構件3，區劃作為平台2之下部區域之底部空間B和作為平台2之上部區域之處理空間U。 　　[0042] 藉由如此之構成，腔室C內被分成以下之3種類之區域。 　　1.具有為了取得在平台2上成膜用的高置換效率而被極小化之反應室(處理空間U)。 　　2.晶圓W之收授用的大容量之底部空間B位於處理空間U(平台2)之下方。 　　3.在處理空間U之外周環狀地存在排氣埠13之排氣空間。 　　[0043] 底部空間B成為較處理空間U空寬廣的空間。為了迴避製程氣體流入至底部空間B，在底部空間B，來自氣體供給部6的氮氣等之底部沖洗氣體從伸縮體231和支撐構件23之間的空間被導入。另外，被導入至底部空間B之底部沖洗氣體並不限定於氮氣，若為惰性氣體即可。 　　[0044] 被導入至底部空間B之底部沖洗氣體從蓋構件3和排氣埠13之突出部13a之間的間隙4，流入至排氣埠13，成為排氣般。依此，底部沖洗氣體可以防止製程氣體流入至底部空間B，並且可以冷卻蓋構件3。 　　[0045] (蓋構件) 　　接著，針對與本實施型態有關之蓋構件3，一面參照圖3～圖5，一面予以詳細說明。蓋構件3被設置在平台2之外緣部，將腔室C內區劃成平台2之上部之處理空間U和平台2之下部之底部空間B。 　　[0046] 首先，一面參照圖3，一面將與圖3(c)之本實施型態有關之蓋構件3與和圖3(a)之比較例1有關之蓋構件91及與圖3(b)之比較例2有關之蓋構件92進行比較，一面進行說明。 　　[0047] 例如，將平台溫度設為540℃～600℃程度之高溫而生成膜時，可以提升膜之強度。其理由，因在上述高溫成膜時，被攝入至膜中之雜質減少，故膜變得更硬，膜中之壓力(應力)變高之故。因此，在高溫成膜處理中，被曝露於處理空間U，存在成膜中成為高溫之平台2之外緣部之表面的堆積物結晶化。結晶化之堆積物因很硬，故容易破裂。其結果，在平台2之外緣部之表面，生成結晶化之堆積物破裂之柱狀之塊(微粒)。 　　[0048] 在與圖3(a)所示之比較例1有關之蓋構件91中，表示在晶圓W和蓋構件3之間露出的平台2之外緣部之表面，產生柱狀之微粒G1之一例。在圖4(a)表示使用與比較例1有關之蓋構件91之情況的實證結果之一例。可知在晶圓W上尤其在邊緣側，產生多量微粒G1。 　　[0049] 與圖3(b)所示之比較例2有關之蓋構件92，係彎曲部延伸至平台2之外緣部之表面，覆蓋平台2之外緣部之表面。依此，可以降低被曝露於處理空間U之部分的表面溫度。依此，可以抑制柱狀之微粒的產生。 　　[0050] 但是，在圖3(b)之蓋構件92之構造中，在平台2之表面延伸之蓋構件92之彎曲部之前端部，成為來自底部空間B之底部沖洗氣體和來自處理空間U之製程氣體的拮抗點，氣流停滯。依此，產生球狀之微粒G2。在圖4(b)表示使用與比較例2有關之蓋構件92之情況的實證結果之一例。可知雖然在晶圓W上尤其在邊緣側數量較柱狀之微粒G1少，但是產生大於微粒G1之微粒G2。 　　[0051] 對此，如圖3(c)所示般，與本實施型態有關之蓋構件3具有分割成外部環構件3a和內部環構件3b之構成。在內部環構件3b之晶圓W側之前端，設置有朝下突出之第1突出部3b2。第1突出部3b2與平台2之外緣部之表面面接觸。 　　[0052] 再者，在外部環構件3a之晶圓W側之前端，設置有朝下突出之第2突出部3a2。第2突出部3a2係在離第1突出部3b2，更例如數mm程度外周側，被設置成與第1突出部3b2間隔開，與平台2之外緣部之表面面接觸。 　　[0053] 另外，第1突出部3b2及第2突出部3a2和平台2面接觸之徑向的寬度為2mm程度。依此，可以防止於洗淨時在蓋構件3和平台2之間產生殘渣之情形。 　　[0054] 依此，藉由第1突出部3b2和第2突出部3a2分別封閉從處理空間U流通之製程氣體和從底部空間B流通之底部沖洗氣體，依此可以消除拮抗點。其結果，藉由消除在拮抗點的氣體停滯，可以防止球狀之微粒G2之產生。 　　[0055] 再者，在與本實施型態有關之蓋構件3中，外部環構件3a和內部環構件3b之間的空間成為排氣路8。一面參照圖5，一面進一步詳細說明與本實施型態有關之蓋構件3之構造等。排氣路8係在第1突出部3b2和第2突出部3a2之間，排氣滯留在藉由被設於內部環構件3b之凹部3b1和平台2之緩衝空間V的氣體。 　　[0056] 再者，蓋構件3之中與平台2面接觸之部分，僅為第1突出部3b2及第2突出部3a2，其他部分不與平台2接觸。其理由之一係因為當平台2和蓋構件3之接觸面積大時，即使洗淨腔室C內，反應生成物之殘渣亦殘留在平台2和蓋構件3之間的間隙，成為增加微粒之主要原因之故。作為其他理由，當平台2和蓋構件3之接觸面積大時，蓋構件3之溫度上升，成為在蓋構件3上生成結晶化之柱狀微粒之主要原因之故。 　　[0057] 在緩衝空間V，處理空間U之製程氣體主要從平台2和第1突出部3b2之些許的間隙進入。再者，在緩衝空間V，底部空間B之底部沖洗氣體主要通過外部環構件3a之凹部3a1而從平台2和第2突出部3a2之些許的間隙進入。進入的氣體從外部環構件3a和內部環構件3b之間的排氣路8被排氣至排氣空間(排氣埠13)側。 　　[0058] 在與被設置在內部環構件3b之第1突出部3b2相反之前端部，設置有凸部3b3。凸部3b3不與平台2接觸。依此，可以從排氣路8排氣緩衝空間V內的氣體。凸部3b3被使用於將蓋構件3設置在平台2之外緣部之時的定位。即使無凸部3b3亦可。 　　[0059] 被導入至底部空間B之底部沖洗氣體從外部環構件3a之側壁部3a3和排氣埠13之突出部13a之側壁之間的間隙4，流至排氣埠13，成為排氣般。再者，被導入至處理空間U之製程氣體及載體氣體從開口部131流入排氣埠13，成為排氣般。 　　[0060] 另外，內部環構件3b為具有第1突出部3b2，且被形成覆蓋平台2之外緣部之表面的第1構件的一例。再者，外部環構件3a為具有第2突出部3a2，且被形成在較第1構件外側，覆蓋平台2之外緣部之表面的第2構件的一例。 　　[0061] 若藉由如此構成之蓋構件3時，可以設置在平台2之外緣部，將腔室C內區劃成平台2之上部之處理空間U和平台2之下部之底部空間B。再者，藉由蓋構件3被設置成覆蓋平台2之外周側之表面，可以降低被曝露於處理空間U之部分的溫度。依此，可以降低平台2之外緣部之堆積物的應力，可以防止脆化，防止柱狀之微粒的產生。 　　[0062] 再者，若藉由如此構成之蓋構件3時，藉由將與平台2面接觸之處，限定在第1突出部3b2和第2突出部3a2之兩處，可以進行平台2和蓋構件3之隔熱。 　　[0063] 再者，第1突出部3b2堰塞從處理空間U流出的製程氣體，第2突出部3a2堰塞從底部空間B流通的底部沖洗氣體。此時，因第1突出部3b2和第2突出部3a2隔離，故可以分離底部沖洗氣體和製程氣體之拮抗點。依此，可以防止球狀之微粒的產生。 　　[0064] 再者，排氣路8排氣緩衝空間V內之氣體，依此可以解消氣體之停滯。尤其，排氣路8傾斜於排氣腔室C內之排氣空間側，朝向排氣空間開口。依此，可以使氣體之排氣氣流流暢。其結果，緩衝空間V內之氣體經由開口部131而從排氣埠13流暢地被排氣。其結果，如圖4(c)表示使用與本實施型態有關之蓋構件3之情況之實證結果之一例所示般，可以使晶圓W上之微粒G之數量急遽減少。 　　[0065] (蓋構件和壓力) 　　將處理空間U之壓力設為P2，將底部空間B之壓力設為P1，將緩衝空間V之壓力設為P3。此時，控制部7係以P1～P3之壓力的關係成為P2＞P3及P1＞P3之方式，控制排氣裝置65及氣體供給部6。依此，可以將蓋構件3和平台2之間的緩衝空間V內之氣體流暢地朝排氣埠13側排氣。 　　[0066] 以上，若藉由蓋構件3時，藉由邊覆蓋平台2之外緣部之表面，邊僅在第1突出部3b2及第2突出部3a2，部分性地與平台2面接觸，可以在600℃程度之高溫成膜處理中，抑制朝處理空間U之曝露面成為高溫。依此，可以防止柱狀之微粒的產生。 　　[0067] 再者，藉由第1突出部3b2和第2突出部3a2，可以分離底部沖洗氣體和製程氣體之拮抗點。再者，藉由排氣路8，可以排氣滯留在蓋構件3和平台2之間的緩衝空間V之氣體而解消氣體之停滯。依此，可以防止球狀之微粒的產生。 　　[0068] 以上，雖然藉由上述實施型態說明處理裝置及蓋構件，但是與本發明有關之處理裝置及蓋構件並不限定於上述實施型態，能夠在本發明之範圍內做各種變形及改良。被記載於上述複數之實施型態之事項可以在不矛盾之範圍做組合。 　　[0069] 例如，與上述實施型態之蓋構件係與本發明有關之蓋構件之一例，與本發明有關之蓋構件即使不被分割成外部環構件3a和內部環構件3b亦可。即使在此情況下，在蓋構件也設置第1突出部、第2突出部，和從被形成在該等之間的緩衝空間排出氣體的排氣路。排氣路即使以與緩衝空間連通之方式，貫通蓋構件亦可。 　　[0070] 例如，本發明不只圖1之ALD成膜裝置，能夠適用於CVD(Chemical Vapor Deposition)裝置等。 　　[0071] 在本說明書中，作為成膜對象之基板，雖然針對半導體晶圓W進行說明，但是並不限定於此，即使為被使用於LCD(Liquid Crystal Display)、FPD(Flat Panel Display)等之各種基板，或光罩、CD基板、印刷基板等亦可。
[0072]
1‧‧‧成膜裝置
2‧‧‧平台
3‧‧‧蓋構件
3a‧‧‧外部環構件
3a2‧‧‧第2突出部
3b‧‧‧內部環構件
3b2‧‧‧第1突出部
5‧‧‧氣體噴淋頭
6‧‧‧氣體供給部
7‧‧‧控制部
8‧‧‧排氣路
13‧‧‧排氣埠
31‧‧‧頂板構件
32‧‧‧支撐板
65‧‧‧排氣裝置
B‧‧‧底部空間
C‧‧‧腔室
U‧‧‧處理空間
V‧‧‧緩衝空間
[0010] 　　圖1為表示與一實施型態有關之成膜裝置之縱剖面的圖式。 　　圖2為表示放大與一實施型態有關之成膜裝置之平台(省略一部分)之縱剖面的圖式。 　　圖3為表示與一實施型態有關之成膜裝置和比較例之蓋構件的圖式。 　　圖4為表示在與一實施型態有關之成膜裝置和比較例中之實證結果之一例的圖式。 　　圖5為表示放大與一實施型態有關之成膜裝置之平台之外緣部之縱剖面的圖式。

Claims (7)

  1. 一種處理裝置，具有：平台，其係被配置在腔室內；和蓋構件，其係被設置於上述平台之外緣部，將上述腔室內區劃成上述平台之上部之處理空間和上述平台之下部之底部空間，該處理裝置之特徵在於， 　　上述蓋構件具有： 　　第1突出部，其係與上述平台之表面面接觸； 　　第2突出部，其係與上述第1突出部隔離而與上述平台之表面面接觸；及 　　排氣路，其係從在上述第1突出部和上述第2突出部之間，藉由上述蓋構件和上述平台所形成之緩衝空間排出氣體。
  2. 如請求項1所記載之處理裝置，其中 　　上述蓋構件具有： 　　第1構件，其具有上述第1突出部，被形成覆蓋上述平台之外緣部之表面；和 　　第2構件，其係具有上述第2突出部，被形成在較上述第1構件外側，覆蓋上述平台之外緣部的表面。
  3. 如請求項2所記載之處理裝置，其中 　　上述排氣路為上述第1構件和上述第2構件之間的空間。
  4. 如請求項1～3中之任一項所記載之處理裝置，其中 　　上述第1突出部堰塞從上述處理空間流出之氣體， 　　上述第2突出部堰塞從上述底部空間流出之氣體， 　　上述排氣路排氣從上述第1突出部側或上述第2突出部側露出至上述緩衝空間之氣體。
  5. 如請求項1～3中之任一項所記載之處理裝置，其中 　　上述排氣路朝向排氣上述腔室內之排氣空間側而開口。
  6. 如請求項4所記載之處理裝置，其中 　　具有排氣上述腔室內之排氣裝置，和對上述處理空間內及上述底部空間內供給氣體之氣體供給部，和控制部， 　　上述控制部係控制上述排氣裝置及上述氣體供給部，以使將上述底部空間之壓力設為P1，將上述處理空間之壓力設為P2，將上述緩衝空間之壓力設為P3之時之壓力的關係，被控制成P2＞P3及P1＞P3。
  7. 一種蓋構件，其係設置在配置於腔室內之平台的外緣部，將上述腔室內區劃成上述平台之上部之處理空間和上述平台之下部之底部空間，該蓋構件之特徵在於，具有： 　　第1突出部，其係與上述平台之表面面接觸； 　　第2突出部，其係與上述第1突出部隔離而與上述平台之表面面接觸；及 　　排氣路，其係從在上述第1突出部和上述第2突出部之間，藉由上述蓋構件和上述平台所形成之緩衝空間排出氣體。
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