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TW201807515A - 度量衡方法及裝置、電腦程式及微影系統 - Google Patents

度量衡方法及裝置、電腦程式及微影系統 Download PDF

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TW201807515A
TW201807515A TW106125005A TW106125005A TW201807515A TW 201807515 A TW201807515 A TW 201807515A TW 106125005 A TW106125005 A TW 106125005A TW 106125005 A TW106125005 A TW 106125005A TW 201807515 A TW201807515 A TW 201807515A
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荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明揭示一種重建構藉由一微影製程而形成於一基板上之一結構之一特性的方法，及一種相關聯度量衡裝置。該方法包含：組合與該微影製程相關聯之一第一參數的經量測值以獲得該第一參數之一估計值；及使用該第一參數之該估計值及該結構之一量測來重建構與該結構之該特性相關聯的至少一第二參數。該組合步驟可包含模型化該第一參數之一變化以獲得該第一參數之一參數模型或指紋。

Description

度量衡方法及裝置、電腦程式及微影系統
本發明係關於用於可用於(例如)藉由微影技術製造器件之度量衡方法及裝置，且係關於使用微影技術來製造器件之方法。
微影裝置係將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼例項中，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。在微影製程中，頻繁地需要對所產生結構進行量測，例如，用於製程控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(量測器件中之兩個層的對準準確度)之特殊化工具。可依據兩個層之間的未對準程度來描述疊對，例如，對為1奈米之經量測疊對之參考可描述兩個層未對準達1奈米之情形。 近來，已開發供微影領域中使用之各種形式的散射計。此等器件將輻射光束引導至目標上且量測散射輻射之一或多個屬性--例如，作為波長之函數的在單一反射角下之強度；作為反射角之函數的在一或多個波長下之強度；或作為反射角之函數的偏振--以獲得可供判定目標之所關注屬性之「光譜(spectrum)」。可藉由各種技術來執行對所關注屬性之判定：例如，藉由諸如嚴密耦合波分析或有限元素方法之反覆途徑而進行的目標之重建構；庫搜尋；及主成份分析。 一種形式的重建構可使用關於在重建構所關注參數之過程中所先前量測的一或多個參數(例如，與先前層相關)之統計及/或空間分佈的先驗知識。此可減小需要在重建構期間(亦即，在在所關注參數與所先前量測之參數之間存在相關性時)所解析的參數的數目。然而，所先前量測之參數的量測可不始終如所關注參數之量測與相同量測網格相關聯。藉助於具體實例，所關注參數之剖面重建構(例如CD)可使用先前所量測之疊對資料；然而，相比於所量測疊對目標，所量測之CD目標可在基板上的不同部位處。 改良此類重建構方法將係合乎需要的。
本發明在一第一態樣中提供一種重建構藉由一微影製程而形成於一基板上之一結構之一特性的方法，該方法包含：a)組合與該微影製程相關聯之一第一參數的經量測值以獲得該第一參數之一估計值；及b)使用該第一參數之該估計值及該結構之一量測來重建構與該結構之該特性相關聯的至少一第二參數。 本發明在一第二態樣中提供一種度量衡裝置，該度量衡裝置包含：一照明系統，其經組態以藉由輻射來照明在一基板上使用一微影製程而產生之至少一結構；一偵測系統，其經組態以偵測起因於該結構之照明的散射輻射；及一處理器，其可操作以：組合與一微影製程相關聯之一第一參數的經量測值以獲得該第一參數之一估計值；及使用該第一參數之該估計值及該偵測到之散射輻射來重建構與該結構之一特性相關聯的至少一第二參數。 本發明進一步提供以下各者：一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在執行於適合之處理器控制之裝置上時使得該處理器控制之裝置執行該第一態樣之該方法；及一種電腦程式載體，其包含此電腦程式。該處理器控制之裝置可包含該第二態樣之該度量衡裝置。 在下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之其他特徵及優勢，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明光學系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數準確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以根據某些參數準確地定位基板之第二定位器PW；及投影光學系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。 照明光學系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可係(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置處。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 圖案化器件可係透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交替相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射性光罩)。替代地，該裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可係分離之實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係藉助於包括(例如)適合導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當光源係水銀燈時，光源可係微影裝置之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱為輻射系統。 照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且由該圖案化器件圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影光學系統PS，投影光學系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上，藉此將圖案之影像投影於目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器、2D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，(例如)以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。 可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管所說明基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩) MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。小的對準標記亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或製程條件。下文中進一步描述偵測對準標記之對準系統。 此實例中之微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb及兩個站-曝光站及量測站-在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記的位置。此使得裝置之產出率能夠實質增加。 所描繪裝置可用於多種模式中，包括(例如)步進模式或掃描模式。微影裝置之建構及操作為熟習此項技術者所熟知，且無需進一步描述以用於理解本發明。 如圖2中所展示，微影裝置LA形成微影系統之部件，其被稱作微影製造單元LC或叢集。微影製造單元LC亦可包括用以對基板執行曝光前及曝光後製程之裝置。習知地，此等器件包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同製程裝置之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常統稱為塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。 圖3描繪可在上文所描述之類型之系統中用作度量衡裝置的已知光譜散射計。其包含將輻射投影至基板W上之寬頻帶(白光)輻射投影儀302。反射輻射被傳遞至光譜儀304，光譜儀304量測鏡面反射輻射之光譜306 (依據波長而變化的強度)。自此資料，可藉由在處理單元PU內之計算來重建構引起經偵測到光譜之結構或剖面308。舉例而言，可藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸抑或與經預量測光譜或經預計算經模擬光譜庫之比較來執行該重建構。一般而言，對於重建構，結構之一般形式為吾人所知，且自供製造結構之製程之知識來假定一些參數，從而僅留下結構之幾個參數以自散射量測資料予以判定。此散射計可組態為正入射散射計或斜入射散射計。 圖4展示代替光譜散射計或除了光譜散射計以外亦可使用的已知角度解析散射計之基本元件。在此類型之檢測裝置中，由輻射源411發射之輻射係由照明系統412調節。舉例而言，照明系統412可包括準直使用透鏡系統412a、彩色濾光片412b、偏振器412c及孔徑器件413。經調節輻射遵循照明路徑IP，在照明路徑IP中，經調節輻射係由部分反射表面415反射且經由顯微鏡物鏡416而聚焦至基板W上之光點S中。度量衡目標結構T可形成於基板W上。透鏡416具有高數值孔徑(NA)，較佳地至少0.9且更佳地至少0.95。可視需要使用浸潤流體以獲得大於1的數值孔徑。 如在微影裝置LA中，可在量測操作期間提供一或多個基板台以固持基板W。基板台可在形式上與圖1之基板台WTa、WTb相似或相同。(在檢測裝置與微影裝置整合之實例中，該等基板台可甚至係相同基板台)。粗略定位器及精細定位器可經組態以相對於量測光學系統準確地定位基板。提供各種感測器及致動器(例如)以獲取所關注目標之位置，且將所關注目標帶入至物鏡16下方之位置中。通常，將對橫越基板W之不同部位處之目標進行許多量測。基板支撐件可在X及Y方向上移動以獲取不同目標，且在Z方向上移動以獲得光學系統在目標上之所要聚焦。當光學系統實務上保持實質上靜止且僅基板移動時，方便的是將操作考慮及描述為好像使物鏡及光學系統處於基板上之不同部位。在其他實例中，基板在一個方向上移動，而光學系統在另一方向上移動，以達成總體X-Y移動。倘若基板與光學系統之相對位置正確，則彼基板及彼光學系統中之一者或兩者在真實世界中是否移動原則上無關緊要。 當輻射光束入射於光束分裂器416上時，輻射光束之部分透射通過該光束分裂器(部分反射表面415)且遵循朝向參考鏡面414之參考路徑RP。 由基板反射之輻射(包括由任何度量衡目標T繞射之輻射)由透鏡416收集且遵循收集路徑CP，在收集路徑CP中，輻射通過部分反射表面415而傳遞至偵測器419中。偵測器可定位於透鏡416之焦距F處的背向投影式光瞳平面P中。實務上，光瞳平面自身可係不可近接的，且可替代地藉由輔助光學件(未展示)重新成像至位於所謂的共軛光瞳平面P'中之偵測器上。偵測器可係二維偵測器，使得可量測目標結構之二維角度散射光譜或繞射光譜。在光瞳平面或共軛光瞳平面中，輻射之徑向位置定義輻射在經聚焦光點S之平面中之入射角/出射角，且圍繞光軸O之角度位置定義輻射之方位角。偵測器419可係(例如) CCD或CMOS感測器之陣列，且可使用(例如)每圖框40毫秒之積分時間。 參考路徑RP中之輻射被投影至同一偵測器419之不同部分上或替代地被投影至不同偵測器(未展示)上。參考光束常常用以(例如)量測入射輻射之強度，以允許正規化在散射光譜中量測之強度值。 可注意到，輻射在其自源411至偵測器419之路途上由部分反射表面415反射且稍後透射通過部分反射表面415。在每一反射或透射時，輻射之相當大部分「損耗」且不能在量測中使用。損耗輻射之一部分可用於其他目的，例如，用以伺服聚焦或對準；或用於如上文所描述之參考光束。 照明系統412之各種組件可係可調整的，以在同一裝置內實施不同度量衡「配方」。彩色濾光片412b可(例如)由一組干涉濾光片實施以選擇在(比如) 405奈米至790奈米或甚至更低(諸如200奈米至300奈米)之範圍內的不同所關注波長。干涉濾光器可係可調諧的，而非包含不同濾光器之集合。可使用光柵以代替干涉濾光器。偏振器412c可係可旋轉的或可調換的以便在輻射光點S中實施不同偏振狀態。孔徑器件413可經調整以實施不同照明剖面。孔徑器件413定位於與物鏡416之光瞳平面P及偵測器419之平面共軛的平面P''中。以此方式，由孔徑器件界定之照明剖面界定入射於基板輻射上之光之角分佈，該基板輻射傳遞通過孔徑器件413上之不同部位。 偵測器419可量測在單一波長(或窄波長範圍)下之散射光之強度、分離地在多個波長下之強度，或遍及某一波長範圍而積分之強度。此外，該偵測器可單獨地量測橫向磁偏振光及橫向電偏振光之強度，及/或橫向磁偏振光與橫向電偏振光之間的相位差。對於較精細的解析度，可考慮將EUV波長用於度量衡裝置中，其中適當地修改源及光學系統。 在度量衡目標T設置於基板W上的情況下，此可係1D光柵，其經印刷使得在顯影之後，條狀物係由固體抗蝕劑線形成。目標可係2D光柵，其經印刷以使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或介層孔形成。長條、導柱或介層孔可替代地被蝕刻至基板中。此圖案對微影投影裝置(特定言之，投影系統PS)中之色像差敏感。照明對稱性及此類像差之存在將顯現於印刷光柵之變化中。因此，經印刷光柵之散射量測資料用以重建構光柵。可將1D光柵之參數(諸如線寬及形狀)或2D光柵之參數(諸如導柱或通孔寬度或長度或形狀)輸入至由處理單元PU根據印刷步驟及/或其他散射量測製程之知識而執行之重建構製程。本文中所揭示之技術不限於光柵結構之檢測，且任何目標結構(包括空白基板或在上面僅具有扁平層之基板)包括於術語「目標結構」內。 目標T實務上可係比簡單光柵更複雜之結構。目標結構可係產品結構，而非特定地針對度量衡而所形成之目標。目標結構可具有多於一個層，諸如(例如)圖2之經雙重圖案化鰭型及溝槽結構。 在結合諸如目標T之目標結構及其繞射屬性之模型化而使用上文所描述之散射計中之一者的情況下，可以數種方式執行該結構之形狀及其他參數之量測。在由圖6表示之第一類型的製程中，計算基於目標形狀(第一候選結構)之第一估計之繞射圖案，且比較該繞射圖案與所觀測繞射圖案。接著系統地變化模型之參數且以一系列反覆重新計算繞射，以產生新候選結構且因此達到最佳擬合。雖然一些方法系統地變化，但其他技術依賴於以隨機方式取樣參數空間。此等技術之實例為馬爾可夫鏈蒙特卡羅(Markov Chain Monte-Carlo)方法。並不自本發明排除彼等技術。在第二類型之製程中，提前計算用於許多不同候選結構之光譜以產生光譜之「庫」。接著，比較自量測目標觀測到之光譜與經計算光譜之庫以找到最佳擬合。兩種方法可一起使用：可自庫獲得粗略擬合，接著進行反覆製程以找到最佳擬合。下文待描述之方法係關於模擬輻射與結構之間的互動之方法，且可應用於此等類型之製程中之任一者中。將僅出於說明起見而提及第一類型之製程。 使用散射量測之CD或剖面重建構嘗試自基板上之結構的反射性量測解析所關注的參數(例如，CD、側壁角度、層厚度、折射率)。結構可包含劃道或虛設區域中抑或直接在器件區域中之重複結構上的特殊經設計目標。 自反射性量測資料，可藉由處理單元PU內之計算來重建構產生偵測到之光譜(或「光瞳」)的結構或剖面。可(例如)藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸執行重建構。一般而言，對於重建構，結構之一般形式為吾人所知，且自供製造結構之製程之知識來假定一些參數，從而僅留下結構之幾個參數以自散射量測資料予以判定。簡而言之，重建構製程可包含模擬模型化結構之光譜或光瞳回應，及比較此光譜或光瞳回應與實際所量測光譜。假定所模擬光譜與所量測光譜並非完美的匹配，則將改變模型之一或多個參數的值，且將重新模擬光譜回應。重複此操作，直至所模擬光譜與所量測光譜之間的失配最小化為止。 CD或剖面重建構需要標稱堆疊幾何形狀及光學材料為吾人所熟知，且依賴於可在擬合製程中重建構離標稱的小偏差的事實。在此製程中，藉由模擬而擬合量測資料，模擬係基於依據參數偏差而在數值上解算電磁波之反射方程式(馬克士威方程式)，與量測感測器之(已知/模型化)屬性組合。 引起所模擬光譜與所量測光譜之間的最接近匹配的模型化參數值(例如，幾何形狀及/或光學材料參數)被視為含有所關注參數(例如，CD、SWA)的實際值，且另外含有在擬合製程中必需但對於客戶毫無價值的「有礙」參數。 描述基板上方之或及時地(基板至基板)複雜堆疊上之堆疊幾何佈置及光學特性的變化之參數的數目將係大的。擬合參數之此大集合通常無法自單個反射量測唯一地加以解析，亦即，參數變化之各種組態可產生相同模擬光譜回應且因此產生相同擬合品質。 克服此缺點之一個方式係「整體度量衡(Holistic Metrology)」。此包含使用一或多個參數之先前量測知識以減小判定可負責所量測反射光譜之參數變化之組態的負擔。更一般之方式係使用一或多個參數之機率分佈的先驗知識，此亦稱為貝葉斯方法(Bayesian approach)。 圖5說明整體度量衡之原理。展示形成於兩個層(層a及層b)中之重複式結構400。當重建構結構400時，模型化參數可包含臨界尺寸CDa、CDb、深度Db、Da、側壁角度SWAb及層b與層a之間的疊對OV。此等各者中之一者(或多者)將係所關注參數，而剩餘部分將係有礙參數。在習知重建構度量衡中，所有6個此等參數需要同時擬合。然而，在整體度量衡中，可首先在使用層a之量測所執行的初始重建構步驟中判定與層a相關之參數(亦即，CDa、Da)，在形成層b之前執行對層a之量測。此意謂僅剩餘的4個參數(亦即，CDb、Db、SWAb、OV)將在結構400之重建構期間需要擬合；假定已針對參數CDa、Da所判定的值保持恆定且因此作為固定參數前饋。實際上，可在單獨量測步驟中使用另一散射量測技術(例如，經由量測疊對目標之目標非對稱性)來量測疊對OV，此疊對值接著可在重建構中用作固定值，意謂僅三個參數在結構400之最終重建構中需要擬合。 圖6係說明完整製造製程內之此整體度量衡方法的製程流程圖。頂部製程流程MES係由微影製程之製造執行系統(MES)執行的步驟。MES控制對度量衡裝置開始度量衡量測且在完成量測之後擷取相關度量衡結果文件的指令。其他控制方案係可能的且係可設想的，舉例而言，度量衡裝置可在無MES的情況下執行其自有控制。下一製程流程MET係由度量衡或檢測工具(諸如圖3中所說明之度量衡或檢測工具)執行的步驟。在每一狀況下，La係指層，且Lt係指批。 針對第一層La N-1，製程以藉由MES執行第一批(Lt0)之排程步驟Schd開始。排程步驟可包含判定描述(例如)待用以執行所要量測步驟之材料、設備及/或配方的指令。 基於經排程指令，可產生「配方」(步驟CR)，後續批上之層的量測將基於該「配方」。該配方可判定所量測資料在被量測之後應如何被「自動地」解譯。 度量衡裝置MET接著用於量測步驟Meas中以基於來自MES的排程指令而量測後續批之同一層La N-1。由度量衡裝置MET進行之每一量測步驟可包含重建構。針對下一層La N (及任何後續層)執行類似製程。然而，如由粗箭頭600指示，使用度量衡裝置MET所執行之層La N的每一量測步驟Meas (及初始產生配方步驟CR)可使用在其重建構中自先前層La N-1 (或任何先前層)之對應批量測所判定的參數值。以此方式，可減小需要在層La N之量測步驟中擬合之參數的數目。 對於已知整體度量衡方法，存在數個問題。對於直接整體方法，為了允許參數之1:1耦合，必須藉由與最終層及關於相同基板之相同取樣方案量測先前層。此並非始終可行的，且在可行之情況下並不允許恰當之取樣最佳化。替代地，貝葉斯方法按層允許不同取樣方案，但局部資訊在整體參數之總體機率分佈中丟失。 應瞭解，不同參數可跨越基板展示極其不同之特性指紋，且不同取樣方案可用以適當地擷取此行為。同時，在可能時，量測之數目應理想上保持為擷取特定行為或指紋以減小量測時間且因此增大輸送量所需的最小值。 藉助於具體實例，一些參數將僅顯示低階變化，且因此相對稀疏取樣可係充足的。其他參數展示高階行為，且應進行更多量測以擷取此高階行為。一些參數可不展示場內行為。舉例而言，與不辨別「曝光」場之全局沈積製程相關的參數(諸如子層之高度)可按場(或甚至更稀疏之方案)僅需要一個量測。藉助於對比，一些參數主要地(或排他地)描述場內行為，例如，與可產生場內相關剖面變化之光罩寫入誤差相關的場內行為。在此狀況下，自僅一個或幾個場進行取樣之取樣方案可係擷取此行為所必需的。其他參數可具有已知以展示具體區處之大得多(或小得多)之變化的特性指紋。因此，取樣方案應藉由在較大變化之區處執行較密集取樣來反射此。此類特性指紋可跨基板(例如，基板邊緣處之區可需要更多量測)、跨場或兩者之組合。 另外，可模型化且用於本文所描述之方法之範疇內的整體製程中之其他內容脈絡資料(諸如對準資料或來自微影裝置/掃描儀之調平資料)將通常在與由度量衡裝置執行的量測比不同的網格(例如，參考掃描儀圖框)上進行量測。 圖6亦展示製程流程FP，製程流程FP係由執行模型或指紋判定製程之處理器執行的步驟。此處理器可形成度量衡裝置、微影裝置之部分，或可係單獨獨立式電腦之部分。底部製程流程LIT係在以微影方式施加圖案時在圖案化製程期間由微影裝置(或掃描儀)執行的步驟。此製程流程描述可用於微影製程中之改良型回饋迴路。在無指紋判定之情況下，基於基於由度量衡裝置MET對先前批之基板執行的量測而針對後續批判定校正Corr；校正係基於而最接近之量測。然而，度量衡量測係相對慢速的，且因此，應維持準確性/品質與輸送量之間的平衡。由於此，校正基於之最接近量測可離應用校正之部位一段距離。校正之準確性可能因此受損。 指紋判定製程藉由基本上「增量」量測資料來改良此準確性。在一實施例中，指紋判定製程藉由(在初始化指紋步驟Init FP)中判定一或多個量測參數之分佈模型(在本文中被稱作指紋)來改良此準確性。指紋可描述僅根據有限數目個參數而變化的跨基板、場內、場間、及/或內容脈絡相依變化。因而，此指紋可提供將判定校正之每一部位之參數的經估計(模型化)值，而不必在彼部位處進行量測。藉助於具體實例，指紋可呈適合於所量測資料，由主成份分析(PCA)判定之多項式及/或與歷史上判定之指紋的比較形式。每當對對應層執行新量測Meas時，此指紋變化可係經更新UPD FP。 圖7係描述改良製程流程之製程流程圖。提議判定一或多個整體參數之參數模型或分佈模型(指紋)。指紋可描述一或多個整體參數之跨基板、場內、場間、及/或內容脈絡相依變化。整體參數可判定為展示出與其他參數(例如，所關注的參數)之(例如，高度)交叉相關的彼等參數，且因此此類其他參數相依於彼等參數。可使用專用度量衡裝置或以其他方式(例如，微影裝置)來量測整體參數。舉例而言，整體參數可係描述結構之態樣的結構參數、(例如)結構或層之材料參數、與反射性量測相關聯之(例如，結構及堆疊之)參數、或可影響反射性量測之任何其他參數。 可自基本或訓練基板之集合判定指紋變化，已使用微影製程來在該等基板上施加產品結構。此可包含基於自訓練基板所量測之變化而訓練模型。藉助於實例，貝葉斯重建構需要關於可首先自訓練晶圓獲得之先驗之統計分佈的知識。在所說明具體實例中，訓練基板包含於圖7之流程中的批Lt0中。一旦已初始化模型，則可最佳化用於量測模型化層La N-1 (及/或一或多個先前層)之取樣方案。 當進行更多量測時，指紋模型之參數可係經更新UPD FP。可使用來自類似基板(例如，包含相同結構/圖案/產品之基板)之資料集來自量測導出更新，但： ● 在先前製程及/或檢測步驟處所量測。 ● 在使用不同目標之相同基板上所量測。 ● 在使用相同目標之相同基板上所量測。 ● 所有以上各者使用不同度量衡裝置/方法(例如，掃描電子顯微鏡、原子力顯微術、以繞射為基礎之疊對/聚焦)。 相同基板之「訓練」集及資料集可各自在運行間控制製程中包含不同生產批。可基於生產內容背景(例如，每一製程之不同指紋：例如每沈積、蝕刻腔室或檢測步驟之指紋)而動態地更新、儲存且擷取指紋估計及不確定性(亦即，變動)。因而，指紋模型可係基於先前批之基板的(例如，以指數方式加權之)移動平均值。關於可用之指紋變動的批間統計資訊更多，可針對所關注參數之貝葉斯重建構所估計的「先驗」更佳。 在圖7中，層La N-1，批Lt0之量測由MES排程，且配方由度量衡裝置MET產生CR。基於所產生配方，針對每一整體參數而藉由指紋判定製程FP初始化指紋模型。舉例而言，當指紋係場間基板指紋時，此步驟可包含使用(例如)任尼克模型來擬合量測以便獲得指紋。 指紋判定製程FP可具有用以判定用以描述指紋之最佳模型(包括內容脈絡資訊)及判定最佳取樣方案的功能性。藉助於具體實例，可藉由密集取樣方案來量測晶圓之訓練集。使用此等量測，以統計方式判定基板間變動及批間變動。適合之取樣方案接著可基於經判定變動；例如部位可分類為具有高變動或低變動，且取樣方案接著判定比相對穩定之區域更密集地對高變動部位進行取樣。 一旦初始化，之前指紋可用於前饋製程(由粗箭頭700說明)中以在整體度量衡製程中在後續層(例如，層La N)之對應量測(及因此重建構)步驟中提供整體參數的估計值。估計值可係部位特定、場內、場間及/或內容脈絡特定的。 在一實施例中，指紋亦可用於重建構與同一層相關聯之另一參數。舉例而言，當層在跨越基板之不同部位處包含疊對目標及CD目標時，對疊對指紋之判定可用以改良剖面重建構。此可係同一批內之回饋製程，或後續批之前饋製程。 儘管指紋被描述為自由專用度量衡裝置MET執行之量測判定，但指紋可替代地自由微影裝置或任何其他裝置量測之參數(例如，調平資料(例如，使用位階感測器及/或氣壓計所量測)或對準資料(例如，使用對準感測器所量測))判定。可使用任何度量衡方法或器件來執行量測，方法或器件包括(例如)：重建構、非對稱量測、掃描電子顯微鏡量測、電子束度量衡量測。因而，不同工具可用以量測整體參數(第一參數)及所關注參數(第二參數)。 每當進行新量測時，可更新指紋(用於每一層/內容脈絡等)，從而改良其穩固性。亦可在量測之數目增大(例如)批間指紋變化時記錄其他統計資訊。此舉可用以提供雜訊之估計值及因此模型不確定性。此資訊亦可(例如)藉由給予按較少不確定性模型化之參數更多加權來用於量測/重建構步驟Meas中。 在由圖7說明之實施例中，由(例如，層La N之)度量衡裝置MET執行的量測步驟使用與彼批相關之一或多個先前層(例如，層La N-1)的指紋。系統可使用批ID以確保始終擷取對應指紋。然而，而非判定批特定指紋，可在每次進行新量測時維持且更新批非相依指紋。接著可在量測後續層時始終擷取最新指紋，而不論批數目。在圖8中說明此後一實施例，其中整體參數前饋由箭頭800指示。 如先前所提及，本文所描述之方法(在按層基礎上)允許取樣最佳化。此係因為用以提供先前層中之整體參數之估計值的指紋獨立於所使用取樣方案。當整體參數可包含極少變化(例如特定層之層厚度)時，僅可需要相對稀疏之取樣方案以擷取指紋，而較複雜結構之參數可需要較密集取樣。 圖9係度量衡方法之流程圖。應注意，該方法可用於任何基於擬合之重建構方法中，(例如)以判定剖面、CD、聚焦或疊對參數。 包含數個量測點n處之位置資訊(X,Y)及參數值(P1 ,….Pn )的外部資料900用以估計描述第一參數之變化(例如跨基板(及/或場間、場內、內容脈絡相依變化))的指紋(參數模型) 910 (P1 (x,y),….,Pn (x,y)。此第一參數可係以下各者中之任一者：疊對、CD、邊緣置放誤差(EPE)、聚焦、側壁角(SWA)、堆疊屬性(層之反射率、厚度)，但可使用與第二參數之重建構相關的任何其他參數。此指紋用以提供相關部位t處之參數的估計值Pt (x,y)，當重建構(920)同一或後續層中之(例如，相依)第二參數值時使用該估計值。第二參數可係所關注參數(例如聚焦、疊對、CD、剖面)。可接著報告(930)此所關注參數，且可使用此所關注參數以(例如)監測微影製程。此操作可包含基於所關注參數之報告值而判定製程校正。 儘管以上描述包含判定參數模型或指紋以便判定第一參數之估計值，但亦在本發明之範疇內設想判定第一參數之估計值的替代性方法。舉例而言，可自第一參數之經量測值的內插(例如，加權平均值)估計第一參數值。 應瞭解，術語「微影製程」不僅應被假定為指代光微影製程步驟，而且應被假定為指代形成總體半導體製造製程之部分的其他製程。此類製程可包括用以形成最終器件剖面之蝕刻製程或用以形成硬質光罩之製程。可在任何此微影製程之後執行所描述度量衡步驟。 在(例如)「第一層」、「第二層」、「第一參數」、「第二參數」中使用詞「第一」及「第二」僅僅用以區分結構或層，且並不按絕對意義使用。舉例而言，「第一層」並非必需係最第一層(最底層)，但可係第二層下方之任一層。 量測可具有出於量測之目的所特定設計且形成之度量衡目標。在其他實施例中，可量測關於為形成於基板上之器件之功能部件的目標之屬性。許多器件具有規則的類光柵結構。如本文中所使用之術語「目標光柵」及「目標」無需已具體地針對正被執行之量測來提供結構。另外，度量衡目標之間距P接近於散射計之光學系統之解析度極限，但可比藉由微影製程在目標部分C中製造之典型產品特徵之尺寸大得多。實際上，可將目標內之疊對光柵之線及/或空間製造為包括在尺寸上與產品特徵類似之較小結構。 與如實現於基板及圖案化器件上之目標之實體光柵結構相關聯地，一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列之電腦程式，該等機器可讀指令描述量測基板上之目標之方法及/或分析量測以獲得關於微影製程之資訊。可(例如)在圖3或圖4之裝置中的單元PU及/或圖2之控制單元LACU內執行此電腦程式。亦可提供其中儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體，磁碟或光碟)。 在以下經編號條項中揭示本發明之另外實施例： 1. 一種重建構藉由一微影製程而形成於一基板上之一結構之一特性的方法，該方法包含：a)組合與該微影製程相關聯之一第一參數的經量測值以獲得該第一參數之一估計值；及b)使用該第一參數之該估計值及該結構之一量測來重建構與該結構之該特性相關聯的至少一第二參數。 2. 如條項1之方法，其中：步驟a)包含模型化該第一參數之一變化以獲得一參數模型；且步驟b)包含使用該參數模型以估計該第一參數之該值。 3. 如條項2之方法，其中該參數模型描述依據基板表面上之部位而變化的至少該第一參數之該變化。 4. 如條項2或3之方法，其中該參數模型描述至少該第一參數之場間及/或場內變化。 5. 如條項2、3或4中任一項之方法，其中步驟a)包含對於不同生產內容背景單獨地模型化該變化，以獲得每生產內容背景之參數模型。 6. 如條項2至5中任一項之方法，其中使用該同一基板之後續量測及/或具有一相同生產運作時間之後續基板來更新該參數模型。 7. 如條項6之方法，其中自使用相同批之量測最後更新之參數模型的一更新判定對於一特定批用以重建構該第二參數之該第一參數的該估計值。 8. 如條項6之方法，其中自具有一生產運作時間之該參數模型的最終更新判定對於每一批用以重建構該第二參數之該第一參數的該估計值。 9. 如條項2至8中任一項之方法，其中使用在一基本步驟中獲自生產基板之一基本集合的量測來執行對該第一參數之一變化的該模型化以獲得一參數模型。 10. 如條項1之方法，其中步驟a)包含內插來自該第一參數之經量測值的估計值。 11. 如條項10之方法，其中該內插使用該第一參數之該經量測值的一加權平均值以獲得該估計值。 12. 如任何前述條項之方法，其中該估計值在步驟a)處係該基板上之一部位處的該第一參數之值的一估計值，該位置對應於該結構之該量測的部位。 13. 如任何前述條項之方法，其中該第一參數與該第二參數與該微影製程之統一層相關聯。 14. 如條項1至12中任一項之方法，其中該第一參數與在該半導體製造製程期間所形成之一第一層相關聯，且該第二參數與在該半導體製造製程期間所形成之一第二層相關聯，該第二層在該第一層之後形成。 15. 如條項14之方法，其包含最佳化一取樣方案之步驟：該取樣方案判定在該第一層之後續量測期間在該基板上之一或多個部位及/或在該第二層上之一或多個量測部位。 16. 如條項15之方法，其中用於該第一層與用於該第二層之該取樣方案不同。 17. 如條項1至16中任一項之方法，其包含最佳化一取樣方案之步驟：該取樣方案判定該基板上之將進行對該第一參數之後續量測之部位。 18. 如條項17之方法，其中根據該第一參數之一經判定變動而最佳化該取樣方案。 19. 如任何前述條項之方法，其包含判定每一量測之經量測值的變動，且自該經判定變動判定該第一參數之該估計值的一不確定值。 20. 如任何前述條項之方法，其中該至少一個第二參數包含以下各者中之一或多者：臨界尺寸、聚焦、一剖面尺寸、側壁角度或任何結構特徵之角度、疊對。 21. 如任何前述條項之方法，其中該重建構包含一基於擬合之重建構製程，其中比較一模擬繞射回應與一經量測繞射回應，且使至少該第二參數之該值變化以最小化該模擬繞射回應與該經量測繞射回應之間的失配。 22. 如條項21之方法，其中該第二參數與該第一參數相關，且假定該第一參數在該基於擬合之重建構製程期間具有該估計值。 23. 一種度量衡裝置，其可操作以執行如條項1至22中任一項之方法。 24. 一種度量衡裝置，其包含： 一照明系統，其經組態以藉由輻射來照明在一基板上使用一微影製程而產生之至少一結構； 一偵測系統，其經組態以偵測起因於該結構之照明的散射輻射；及 一處理器，其可操作以： 組合與一微影製程相關聯之一第一參數的經量測值以獲得該第一參數之一估計值；及 使用該第一參數之該估計值及該偵測到之散射輻射來重建構與該結構之一特性相關聯的至少一第二參數。 25. 如條項24之度量衡裝置，其中該處理器可操作以模型化該第一參數之一變化以獲得一參數模型；及使用該參數模型以估計該第一參數之該值。 26. 如條項25之度量衡裝置，其中該參數模型描述依據基板表面上之部位而變化的至少該第一參數之該變化。 27. 如條項25或26之度量衡裝置，其中該參數模型描述至少該第一參數之場間及/或場內變化。 28. 如條項25至27中任一項之度量衡裝置，其中該處理器可操作以使用該同一基板之後續量測及/或具有一相同生產運作時間之後續基板來更新該參數模型。 29. 如條項24至28中任一項之度量衡裝置，其可操作以判定該基板上之一部位處的該第一參數之一估計值，該部位對應於該結構之該量測的部位。 30. 如條項24至29中任一項之度量衡裝置，其可操作以最佳化判定該基板上之將進行對該第一參數之後續量測之部位的一取樣方案。 31. 如條項30之度量衡裝置，其包含根據該取樣方案而進行對該第一參數之後續量測。 32. 如條項30或31之度量衡裝置，其可操作以根據該第一參數之一經判定變動而最佳化該取樣方案。 33. 如條項24至32中任一項之度量衡裝置，其可操作以判定每一量測之該等經量測值的變動，且自該經判定變動判定該第一參數之該估計值的一不確定值。 34. 如條項24至33中任一項之度量衡裝置，其中該至少一個第二參數包含以下各者中之一或多者：臨界尺寸、聚焦、一剖面尺寸、側壁角度或任何結構特徵之角度、疊對。 35. 如條項24至34中任一項之度量衡裝置，其中該重建構包含一基於擬合之重建構製程，其中比較一模擬繞射回應與一經量測繞射回應，且使至少該第二參數之該值變化以最小化該模擬繞射回應與該經量測繞射回應之間的失配。 36. 如條項35之度量衡裝置，其中該第二參數與該第一參數相關，且可操作以假定該第一參數在該基於擬合之重建構製程期間具有該估計值。 37. 如條項24至34中任一項之度量衡裝置，其可操作以執行對該第一參數之量測以獲得一第一參數之該經量測值。 38. 一種微影製造單元，其包含如條項23至37中任一項之度量衡裝置。 39. 一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在執行於適合之處理器控制之裝置上時使得該處理器控制之裝置執行如條項1至22中任一項之方法。 40. 一種電腦程式載體，其包含如條項39之電腦程式。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 對特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措詞或術語係出於作為實例進行描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭應由熟習此項技術者鑒於該等教示及該指導進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上文所描述之例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
302‧‧‧寬頻帶(白光)輻射投影儀
304‧‧‧光譜儀
306‧‧‧光譜
308‧‧‧結構/剖面
400‧‧‧重複式結構
411‧‧‧輻射源
412‧‧‧照明系統
412a‧‧‧透鏡系統
412b‧‧‧彩色濾光片
412c‧‧‧偏振器
413‧‧‧孔徑器件
414‧‧‧參考鏡面
415‧‧‧部分反射表面
416‧‧‧顯微鏡物鏡/透鏡/光束分裂器
419‧‧‧偵測器
600‧‧‧量測步驟
700‧‧‧前饋製程
800‧‧‧整體參數前饋
900‧‧‧外部資料
910‧‧‧指紋(參數模型)
920‧‧‧重建構
930‧‧‧報告所關注參數
a‧‧‧層
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
b‧‧‧層
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
CDa‧‧‧臨界尺寸
CDb‧‧‧臨界尺寸
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
CP‧‧‧收集路徑
Da‧‧‧深度
Db‧‧‧深度
DE‧‧‧顯影器
F‧‧‧焦距
FP‧‧‧製程流程/指紋判定製程
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
IP‧‧‧照明路徑
LA‧‧‧微影裝置
LB‧‧‧裝載匣
LACU‧‧‧控制單元
LC‧‧‧微影製造單元
LIT‧‧‧底部製程流程
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MES‧‧‧製程流程/製造執行系統
MET‧‧‧製程流程/度量衡裝置
MT‧‧‧圖案化器件支撐件/支撐結構/光罩台
O‧‧‧光軸
OV‧‧‧疊對
P‧‧‧背向投影式光瞳平面
P'‧‧‧共軛光瞳平面
P''‧‧‧平面
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影光學系統
PU‧‧‧處理單元
PW‧‧‧第二定位器
RO‧‧‧基板處置器/機器人
RP‧‧‧參考路徑
S‧‧‧光點
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
SWAb‧‧‧側壁角度
T‧‧‧度量衡目標結構
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現將僅藉助於實例參看隨附圖式來描述本發明之實施例，在圖式中： 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2描繪根據本發明之一實施例的微影製造單元或叢集； 圖3描繪根據本發明之一實施例的可用於度量衡方法中之第一類型的散射計； 圖4描繪根據本發明之一實施例的可用於度量衡方法中之第二類型的散射計； 圖5以橫截面包含結構之兩個層的示意圖，其中標記有相關參數； 圖6包含微影及度量衡方法之流程圖； 圖7包含說明本發明之第一實施例之度量衡製程的流程圖； 圖8包含說明本發明之第一實施例之度量衡製程的流程圖；且 圖9包含描述根據本發明之另一實施例之度量衡製程的流程圖。

Claims (15)

  1. 一種重建構藉由一半導體製造製程而形成於一基板上之一結構之一特性的方法，該方法包含： a)組合與該半導體製造製程相關聯之一第一參數的經量測值以獲得該第一參數之一估計值，其中該第一參數與在該半導體製造製程期間所形成之一第一層相關聯；及 b)使用該第一參數之該估計值及該結構之一量測來重建構與該結構之該特性相關聯的至少一第二參數，其中該第二參數與在該半導體製造製程期間所形成之一第二層相關聯，該第二層在該第一層之後形成。
  2. 如請求項1之方法，其中：步驟a)包含模型化該第一參數之一變化以獲得一參數模型及使用該參數模型以估計該第一參數之該值，其中該參數模型描述依據基板表面上之部位而變化的至少該第一參數之該變化。
  3. 如請求項2之方法，其中步驟a)包含對於不同生產內容背景單獨地模型化該變化，以獲得每生產內容背景之參數模型。
  4. 如請求項2之方法，其中使用該同一基板之後續量測及/或具有一相同生產運作時間之後續基板來更新該參數模型。
  5. 如請求項4之方法，其中自具有一生產運作時間之該參數模型的最終更新判定對於每一批用以重建構該第二參數之該第一參數的該估計值。
  6. 如請求項1之方法，其包含最佳化一取樣方案之步驟，該取樣方案判定在該第一層之後續量測期間在該基板上之一或多個部位及/或在該第二層上之一或多個量測部位。
  7. 如請求項6之方法，其中用於該第一層與用於該第二層之該取樣方案不同。
  8. 如請求項1之方法，其包含判定每一量測之該等經量測值的變動，且自該經判定變動判定該第一參數之該估計值的一不確定值。
  9. 如請求項1之方法，其中該至少一個第一參數包含以下各項中之一或多者：臨界尺寸、聚焦、一剖面尺寸、側壁角度或任何結構特徵之角度、疊對。
  10. 如請求項1之方法，其中該至少一個第二參數包含以下各者中之一或多者：臨界尺寸、聚焦、一剖面尺寸、側壁角度或任何結構特徵之角度、疊對。
  11. 如請求項1之方法，其中該重建構包含一基於擬合之重建構製程，其中比較一模擬繞射回應與一經量測繞射回應，且使至少該第二參數之該值變化以最小化該模擬繞射回應與該經量測繞射回應之間的失配。
  12. 如請求項11之方法，其中該第二參數與該第一參數相關，且假定該第一參數在該基於擬合之重建構製程期間具有該估計值。
  13. 一種度量衡裝置，其包含： 一照明系統，其經組態以藉由輻射來照明在一基板上使用一微影製程而產生之至少一結構； 一偵測系統，其經組態以偵測起因於該結構之照明的散射輻射；及 一處理器，其可操作以： 組合與該半導體製造製程相關聯之一第一參數的經量測值以獲得該第一參數之一估計值，其中該第一參數與在該半導體製造製程期間所形成之一第一層相關聯；及 使用該第一參數之該估計值及該結構之一量測來重建構與該結構之該特性相關聯的至少一第二參數，其中該第二參數與在該半導體製造製程期間所形成之一第二層相關聯，該第二層在該第一層之後形成。
  14. 一種微影製造單元，其包含如請求項13之度量衡裝置。
  15. 一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在經執行於適合處理器控制之裝置上時使得該處理器控制之裝置執行如請求項1之方法。
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